JP2006324652A - 半導体装置、および温度検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置10は、半導体基板に形成した半導体素子によって温度検出をおこなう温度検出部12と、半導体基板に設けられ、温度検出部12の検出信号を外部出力するための温度検出部出力端子T3と、温度検出部出力端子T3に接続され、温度検出部12に駆動電流を供給する電流発生手段と、温度検出部出力端子T3に接続され、温度検出部出力端子T3の電圧値を測定する電圧測定手段とを備え、電流発生手段から温度検出部12に対して所定量の電流を供給した際に電圧測定手段によって測定された電圧値に基づいて温度検出をおこなう。
【選択図】 図1
Description
エンジンの回転数やパワーを制御するためには、吸気通路44を流れる空気の量と、フューエル・インジェクション46より噴射させる燃料の量を制御すればよい。吸気通路44に流れる空気の量を制御するための機械的な弁がスロットルバルブ43である。スロットルバルブ43は、運転席にあるアクセルの踏み込み量に応じて開閉がおこなわれ、吸気通路44に流れる空気の量を制御している。
従来、この内燃機関の吸気通路の圧力を計測するための圧力検出手段(圧力センサ)としては、拡散抵抗によるピエゾ抵抗効果を用いたものや、静電容量を用いたものなどの半導体式センサが知られている。また、温度を計測するための温度検出手段(温度センサ)としてはサーミスタを用いたものが一般的なものとして知られている。
また、特許文献1〜3はサーミスタ以外の温度検出素子を用いているが、特許文献1に記載のセンサチップは、温度検出素子として抵抗体を用いているが、抵抗体は温度検出素子として用いる場合、一般的に検出感度を大きくするにしたがって、抵抗体ごとに温度特性の製造ばらつきが生じてしまうという問題があった。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、構造面および製造面において、簡易で生産性に優れた小型で低コストの半導体装置および、当該半導体装置を高精度に動作させるための温度検出方法を提供することを目的とする。
また、請求項3の発明にかかる半導体装置は、請求項1または2に記載の発明において、前記ダイオードは、直列接続した複数のダイオードから構成されることを特徴とする。
また、請求項5の発明にかかる半導体装置は、請求項4に記載の発明において、前記npnトランジスタは、前記ベース電極、前記コレクタ電極およびエミッタ電極を囲むように、前記npnトランジスタの外部から漏れ込んだ電流を吸い上げるガードリング層を備えていることを特徴とする。
また、上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項8の発明にかかる温度検出方法は、半導体基板に形成した半導体素子によって温度検出をおこなうダイオードによって温度検出をおこなう温度検出方法において、前記ダイオード対して所定量の電流を供給した際に測定された前記ダイオードの電圧値に基づいて温度検出をおこなうことを特徴とする。
(実施の形態1)
まず、この発明の実施の形態1にかかる半導体装置の構成について説明する。図1は、この発明の実施の形態1にかかる半導体装置の構成を示す説明図である。半導体装置10は、同一基板上に配置された圧力検出部11と、温度検出部12と、電源端子T1と、圧力検出部出力端子T2と、温度検出部出力端子T3と、接地端子T4と、から構成される。さらに、圧力検出部11は、圧力検出素子111と、デジタル/メモリ回路112と、D/Aコンバータ113と、信号増幅回路114と、から構成される。
本実施の形態では、基板としてp型半導体を用いる。このp型半導体の基板をp型基板31とする。このp型基板31にコレクタ層となるn型ウェル(井戸)32が形成されており、このn型ウェル32上には、ベース層となるp- 型ベース層331が形成されている。さらにp- ベース層331上にはエミッタ層となるn+ 型エミッタ層362が形成されており、n型ウェル32、p- 型ベース層331、n+ 型エミッタ層362にて、コレクタ、ベース、エミッタが形成され、いわゆる横型のnpnトランジスタ(npnトランジスタ121)となっている。
また、p型基板31の最表面は、電極取り出しをおこなうためのp+ 型ベース層341、p+ 型ガードリング層342、n+ 型コレクタ層361およびn+ 型エミッタ層362以外は、絶縁層37に覆われている。
以上のようにしてnpnトランジスタ121は構成されている。なお、前述したnpnトランジスタ121を形成する層のすべては、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)を製造する際のプロセス(基板へのイオン注入と拡散との繰り返しによって作り上げるプロセス)にて同時に形成することが可能であり、npnトランジスタ121を形成するにあたり、特別に工程を追加する必要が全く無い。
図6に示したように、温度検出部12の出力を得るため、npnトランジスタ121が接続された温度検出部出力端子T3・接地端子T4間に、電流発生手段21と、電圧検出手段22を並列に接続する。電流発生手段21により電流駆動をおこなうことで、電圧検出手段22によって、温度検出部出力端子T3・接地端子T4間の電圧つまり、npnトランジスタ121のダイオード順方向電圧Vfを測定することができる。
図8は、温度変化に対するダイオード順方向電圧Vfの変化を表した図表である。図8において、縦軸は出力電圧[V]を表し、横軸は温度[℃]を表し、温度が上昇するにつれてダイオード順方向電圧Vfは減少するという、負の温度特性を示す。この温度特性を直線近似(図表中に示した一次近似からなる、併記した二次近似は図示しない)した際の傾きを温度係数と呼び、1℃あたり何Vの電圧変化を起こすかという温度センサの感度を表す指標となる。例えば、図8に示す図表の特性の場合、−2.07mV/℃の温度係数を有した特性であることがわかる。
一般的に、理想線からどの程度外れて曲がっているかの表現の仕方によって色々な計算方法があるが、ここでは−40℃と130℃の時のダイオード順方向電圧Vfの値を直線で結び、各温度でのダイオード順方向電圧Vfの値がこの直線からどの程度離れているのかを基準にして非直線性ERRORを表現する。なお、非直線性ERRORの値の絶対値が小さければ小さいほどセンサの出力はより直線的であることを意味し、温度検出部12の出力特性としてより好ましい状態といえる。
図11は、図10における極大点(曲がりのワースト値)のバイアス電流ごとの値を示す図表である。図11において、縦軸は非線形ERROR[mV]を表し、横軸は対数表示によるバイアス電流[A]を表す。バイアス電流が0.1μA(図11に示した1.E−07)を上回る領域においては非直線性ERRORが4mV以下でほぼ飽和気味となる。また、バイアス電流が大きくなるにつれて非直線性ERRORの値も徐々に小さくなるという傾向にあるが、バイアス電流が0.1μAよりも下回る領域では、極端に非直線性ERRORの値が増大し、温度検出部12の出力特性が悪化するという傾向を有していることがわかる。
図11を用いて説明したとおり、非直線性ERROR[mV]の電流依存性は0.1μAを上回る領域ではほぼ飽和状態である。一方、図9を用いて説明したとおり、温度係数の電流依存性は0.1μAを上回る領域においても直線的に値の絶対値が小さくなる傾向にある。つまり、バイアス電流が増えることにより、非直線性ERROR(曲がりの電圧誤差)[mV]は、ほぼ一定であるにもかかわらず、温度変化1℃あたりの電圧変化量は小さくなっていく。したがって、相対的に見ると、非直線性ERROR[mV]の値の大きさがセンサ感度に対して増加するという傾向を有していることになる。この特徴は、図12に示した図表よりあきらかである。
次にこの発明の実施の形態2にかかる半導体装置の構成について説明する。図13は、この発明の実施の形態2にかかる半導体装置の構成を示す説明図である。半導体装置20は、実施の形態1にかかる半導体装置10の構成のうち、温度検出部12と、温度検出部出力端子T3と接地端子T4間に接続されたツェナーダイオード13が加わった点のみが異なった構成によって実現される。したがって、以下実施の形態2独自の構成からなる温度検出部12とツェナーダイオード12について説明をおこなう。
また、抵抗体を用いて温度検出を行っていた場合は、温度検出感度が高くなるほど、製造ばらつきが大きくなり量産に適さないという難点があったが、本発明は製造ばらつきの少ないダイオードを用いることで、量産に適した構成となっている。
11 圧力検出部
12 温度検出部
13 ツェナーダイオード
21 電流発生手段
22 電圧検出手段
111 圧力検出素子
112 デジタル/メモリ回路
113 D/Aコンバータ
114 信号増幅回路
121〜125 npnトランジスタ
200 ダイオード
Claims (8)
- 半導体基板に形成した半導体素子を有し、温度検出を行う温度検出手段と、
前記半導体基板に設けられ、前記温度検出手段の検出信号を外部出力するための出力端子と、
前記出力端子に接続され、前記温度検出手段の半導体素子に駆動電流を供給する電流発生手段と、
前記出力端子に接続され、前記出力端子の電圧値を測定する電圧測定手段とを備え、
前記半導体素子はダイオードからなり、
前記電流発生手段から前記温度検出手段に対して所定量の駆動電流を供給した際に前記電圧測定手段によって測定された電圧値に基づいて温度検出をおこなうことを特徴とする半導体装置。 - 前記駆動電流が0.1μA以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ダイオードは、直列接続した複数のダイオードから構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記ダイオードは、ベース電極とコレクタ電極とを短絡したnpnトランジスタを用いたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記npnトランジスタは、前記ベース電極、前記コレクタ電極およびエミッタ電極を囲むように、前記npnトランジスタの外部から漏れ込んだ電流を吸い上げるガードリング層を備えていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記npnトランジスタは、p型半導体基板の表面層に形成されたn型ウェル領域と、
前記ウェル層の表面層に形成されたp型第1ベース層と、
前記第1ベース層の表面層に形成された、前記第1ベース層より不純物濃度の高いp型第2ベース層と、
前記第1ベース層の表面層に形成された、不純物濃度の高いn型エミッタ層と、
前記第1ベース層を囲むように前記n型ウェル領域の表面層に形成されたn型第1コレクタ層と、
前記第1コレクタ層の表面層に前記第1コレクタ層より不純物濃度の高いn型半導体により形成された第2コレクタ層と、
前記半導体基板の表面層に、前記第1コレクタ層を囲むように形成された不純物濃度の低いp型第1半導体と、当該第1半導体の表面層に形成された、前記第1半導体層より不純物濃度の高いp型第2半導体とからなるガードリング層と、
を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板上に圧力を検出する、圧力検出素子が形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 半導体基板に形成したダイオードによって温度検出をおこなう温度検出方法において、
前記ダイオード対して所定量の駆動電流を供給した際に測定された前記1または複数個のダイオードの電圧値に基づいて温度検出をおこなうことを特徴とする温度検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005125287 | 2005-04-22 | ||
JP2006114791A JP2006324652A (ja) | 2005-04-22 | 2006-04-18 | 半導体装置、および温度検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006324652A true JP2006324652A (ja) | 2006-11-30 |
Family
ID=37544058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP (1) | JP2006324652A (ja) |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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