JP2006319285A - 検出素子および検出素子構造 - Google Patents

Abstract

【課題】 単純な構造で電極と配線が高密度に半導体に設置された構造を有する、入射する検出対象を電気に変換する検出素子を提供する。
【解決手段】 入射面に入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、第１の電極が、第１の側から第２の側に延伸するようにして複数設置される第１の面と、前記第１の面と反対側の、第２の電極が設置される第２の面と、と有し、複数の前記第１の電極上には、それぞれ前記第１の側から前記第２の側に延伸する複数の配線が設置され、隣接する前記配線が絶縁構造体により絶縁されて、当該第１の電極上に固定される構造であることを特徴とする検出素子。
【選択図】 図１

Description

本発明は、入射面に入射する検出対象を電気に変換する検出素子に係り、特には放射線を変換する検出素子に関する。

例えば、可視光や放射線などの検出対象を電気に変換することで検出対象の検出を行うための検出素子には、様々な構造のものが用いられている。このような検出素子には、検出対象に応じたバンドギャップを有する半導体が用いられ、当該半導体に電極が設置されることで検出対象に起因する電流が検出される構造になっている。

上記の検出素子を形成する場合には、半導体に形成された電極に、配線を接続する必要がある。この場合には、半導体に与える衝撃を抑制し、半導体の破損や変質などの影響を排除して行う事が好ましく、このような検出素子の製造方法が様々に提案されていた。（例えば特許文献１、特許文献２参照。）
特開平１−１３２１７２号公報 特開平５−１０２５１２号公報

しかし、例えば特開平１−１３２１７２号や、特開平５−１０２５１２号による検出素子の製造方法では、ボンディングにより、半導体上に配線を接続しているため、ボンディング時に半導体に加わる衝撃を抑制するには限界があった。特に、放射線を検出可能な半導体である、ＣｄＴｅやＣＺＴの場合、衝撃による破損の可能性が高く、また衝撃によって半導体の性質が変化してしまう場合があるため、ボンディングによる配線の接続により問題が生じる懸念があった。

また、半導体上に電極や配線を高密度に配置する場合、ボンディングや半田付けにより配線の接続を行う場合には、接続の構造が複雑になる問題があった。そのため、半導体に高密度に配線を接続するには、時間とコストを要する問題があった。

また、ボンディングや半田付けなどで電極上に配線を接続した場合、半導体上にボンディングや半田付けのための領域が確保される必要があり、検出素子の小型化が困難であり、また、検出素子を高密度に積層することが困難となる問題があった。例えばＰＥＴ（Positron Emission Tomography、陽電子放射断層撮影装置）などの装置に検出素子を用いる場合では、できるだけ高密度に検出素子を配置することが好ましい。これは、検出される画像の分解能を向上させるためであり、このような装置では画像の分解能を向上させるために検出素子を小型化することが技術的な課題となっている。

また、ボンディングなどによる配線の接続を行った場合には、配線の取り外しや、配線の再接続といった検出素子のメンテナンスや部品の再利用が困難となる懸念があった。

そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な検出素子、および当該検出素子を用いた検出構造を提供することを目的としている。

本発明の具体的な課題は、入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、電極と配線を高密度に設置可能で単純な構造を有する検出素子、および当該検出素子を用いた検出素子構造を提供することを目的としている。

本発明の第１の観点では、上記の課題を、入射面に入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、第１の電極が、第１の側から第２の側に延伸するようにして複数設置される第１の面と、前記第１の面と反対側の、第２の電極が設置される第２の面と、を有し、複数の前記第１の電極上には、それぞれ前記第１の側から前記第２の側に延伸する複数の配線が設置され、隣接する前記配線が絶縁構造体により絶縁されて、前記第１の電極上に固定される構造であることを特徴とする検出素子により、解決する。

当該検出素子は、単純な構造で電極と配線が高密度に設置可能である特徴を有している。

また、前記絶縁構造体は前記配線に対応した凹部を有する平板よりなり、前記配線を覆うように前記第１の面上に設置されると、当該絶縁構造体により隣接する前記配線が絶縁されると共に当該配線が当該第１の電極上に固定され、好適である。また、検出素子を積層することが容易となる。

また、前記絶縁構造体の前記凹部を有する側は、粘着性を有すると、前記配線の前記第１の電極上への固定の確実性が向上し、好適である。

また、前記凹部は、前記第１の電極が延伸する方向に延伸するように形成されていると、前記配線のうち、前記絶縁構造体により絶縁される部分が大きくなり、好適である。

また、前記絶縁構造体は、エラストマーよりなると、検出素子を構成する半導体に損傷を与えることなく前記配線を前記第１の電極上に固定することが可能となり、好適である。

また、前記絶縁構造体は、隣接する前記第１の電極の間に当該第１の電極に対応して延伸するように前記第１の面上に形成されると、隣接する前記配線を絶縁するとともに、隣接する前記第１の電極を絶縁することが可能となり、好適である。

また、前記配線は、導電性ペーストにより前記第１の電極上に固定されると、前記配線と前記第１の電極の接続の確実性が向上するとともに接続抵抗が小さくなる。

また、前記絶縁構造体上に前記配線を固定する固定板が設置されると、単純な構造で当該配線を前記第１の電極上に固定することが可能となる。

また、前記固定板はエラストマーよりなると、検出素子の積層が容易となる。

また、前記固定板は粘着性を有すると、前記配線の前記第１の電極上への固定の確実性が向上し、好適である。

また、前記入射面、前記第１の面、および前記第２の面は、ＣｄＴｅまたはＣＺＴよりなる検出素子本体に形成されていると、放射線を検出することが可能な検出素子を構成することが可能となる。

また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、上記のうち、いずれかの検出素子が積層された構造を有する検出素子構造により、解決する。

当該検出素子構造は、検出素子が高密度に設置された特徴を有している。このため、測定対象の高密度な検出が可能となる。

本発明によれば、入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、電極と配線を高密度に設置可能で単純な構造を有する検出素子、および当該検出素子を用いた検出素子構造を提供することが可能となる。

本発明による検出素子は、入射面に入射する、例えば放射線などの検出対象を電気に変換する検出素子であって、第１の電極が、第１の側から第２の側に延伸するようにして複数設置される第１の面と、前記第１の面と反対側の、第２の電極が設置される第２の面とを有している。また、複数の前記第１の電極上には、それぞれ前記第１の側から前記第２の側に延伸する複数の配線が設置され、隣接する前記配線が絶縁構造体により絶縁されて、当該第１の電極上に固定される構造とされている。

このため、前記第１の面上には単純な構造で高密度に前記第１の電極と、当該第１の電極に対応する前記配線を設置することが可能である。このため、前記入射面、前記第１の面、および前記第２の面を有する半導体に対して、単純な構造で高密度に検出対象を検出する検出手段を複数配置することが可能となる。

すなわち、当該半導体を用いて、前記第１の電極、前記第２の電極および前記入射面を有する検出対象の検出手段を、単純な構造で、実質的に高密度に配設することができる。このため、検出素子を実質的に小型化することが可能となる。

また、上記の構造の場合にはボンディングや半田付けにより電極に配線が固定される構造に比べて構造が単純であって、高密度に電極と配線を設置することが容易であるとともに、配線を接続する場合に、半導体に与える衝撃が抑制される特長を有している。

例えば、上記の検出素子を構成する、前記入射面、前記第１の面、および前記第２の面を有する半導体として、例えば、ＣｄＴｅまたはＣＺＴよりなる半導体を用いた場合には、放射線を検出する検出素子を構成することが可能である。

この場合、当該検出素子を、例えばＰＥＴの検出素子として用いると、検出素子が小型であり、また検出手段が高密度で形成できるために検出される画像の分解能が良好となり、好適である。このような固体素子により構成される検出素子は、シンチレータとＰＭＴの組み合わせで構成される、従来のＰＥＴの検出手段に比べて小型化・薄型化することが可能となる特徴を有している。

また、本発明による検出素子は、検出素子本体（半導体）上にボンディングや半田付けのための領域を必要としないため、積層に好適な構造である特長がある。このため、本発明による検出素子を、高密度に積層して検出素子構造を構成することが可能であり、このような検出素子構造は、ＰＥＴなどの装置に用いると分解能の良好な画像を得ることが可能となり、さらに好適である。

次に、本発明による検出素子の構成の具体的な例について、図面に基づき以下に説明する。

図１は、本発明の実施例１による検出素子１０の構造を模式的に示す斜視図である。図１を参照するに、本実施例による検出素子１０は、例えば、ＣｄＴｅなどの半導体よりなる、略直方体の素子本体１１を有している。前記素子本体１１は、例えば放射線Ｒなどの検出対象が入射する入射面１１Ａを有している。さらに、当該入射面１１Ａに垂直な一つの面に、略一様に共通電極１４が形成され、当該共通電極１４が形成された面と反対側の面に、複数の個別電極１２が形成されている。

前記共通電極１４は、例えばＰｔよりなり、例えば蒸着法により、面内に略一様に形成される。一方、前記個別電極１２は、例えばＩｎよりなり、前記共通電極１４が形成されている面と反対側の面上に、前記入射面１１Ａの側から、当該入射面１１Ａと反対側の面の側に向かって延伸するように、複数の当該個別電極１２が平行に配列されるようにして形成されている。

前記個別電極１２を形成する場合には、まず、当該個別電極１２が形成される面に一様に、例えばＩｎなどの導電材料を形成する。その後、例えばダイシング用のブレードで溝部１３を形成し、Ｉｎを分離して当該個別電極１２を形成する。

また、本図においては説明の便宜上、前記放射線Ｒの入射方向、すなわち前記入射面１１Ａに垂直な方向をｙ方向とし、当該ｙ方向に垂直な方向をｘ方向、ｙ方向とｘ方向の双方に垂直な方向をｚ方向と定義している。また、ｚ方向は前記個別電極１２または前記共通電極１４に垂直な方向とする。この場合、前記個別電極１２は、ｙ方向に延伸するように形成されていることになる。

さらに、前記個別電極１２上には、当該個別電極１２に沿って延伸する方向に配線１５が設置されている。当該配線１５は、複数の前記個別電極１２上に、当該個別電極１２と略平行にそれぞれの個別電極１２上に設置されている。

さらに、隣接する前記配線１５が、絶縁構造体１６により絶縁されて、当該個別電極１２上に固定される構造になっている。本図では、構造を分かりやすくするために、前記絶縁構造体１６が前記素子本体１１上から持ち上げられた状態を示しているが、通常の状態では、前記絶縁構造体１６が前記素子本体１１上に載置された状態となっている。

前記絶縁構造体１６は略平板形状よりなり、前記配線１５に対応した溝状の凹部１７を有し、当該絶縁構造体１６が前記素子本体１１上に載置された場合に前記凹部１７に前記配線１５が収納され、隣接する当該配線１５が絶縁されると共に、前記個別電極１２上に固定される構造になっている。

図２は、図１の検出素子１０を、前記入射面１１Ａの方向より見た正面図を示している。本図においては、前記絶縁構造体１６が前記素子本体１１上に載置された状態を示している。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図２を参照するに、隣接する前記配線１５が前記絶縁構造体１６により絶縁されると共に、実質的に前記個別電極１２上に固定されていることがわかる。

この場合、前記絶縁構造体１６の、前記素子本体１１に面する側は、粘着性を有していると、前記配線１５の絶縁と固定の確実性が向上し、好適である。また、前記絶縁構造体１６が、例えばエラストマーよりなると、当該絶縁構造体１６を前記素子本体１１上に設置する場合に、例えばＣｄＴｅなどの損傷を受けやすい半導体よりなる当該素子本体１１の損傷を抑制することができる。さらに、前記検出素子１０を積層する場合に、エラストマーよりなる前記絶縁構造体１６が前記素子本体１１に与える衝撃を低減することができるため、当該素子本体１１の損傷が抑制され、好適である。

この場合、前記絶縁構造体１６は衝撃吸収材料として機能するとともに、積層する場合のスペーサとして機能する。すなわち、前記絶縁構造体１６の厚さを調整することで、前記検出素子１０を積層する場合の検出素子の間隔を調整することができる。

また、図１および図２には、前記個別電極１２と前記配線１５を４個とした場合の例を示しているが、これに限定されるものではなく、任意の個数とすることができることは明らかである。

また、前記素子本体１１の大きさや、前記配線１５が設置されるピッチは、様々な大きさとすることができきるが、一例として図１に示す寸法は、次のようにすることができる。

例えば図１に示す、前記素子本体１１の厚さＨ（ｚ方向の厚さ）は、１．２ｍｍ、前記素子本体１１の長さＤ（ｙ方向の長さ）は、１０ｍｍ、前記配線１５が設置されるピッチＰ（ｘ方向のピッチ）は、０．６ｍｍとすることができる。また、１個の検出素子で、前記配線１５（前記個別電極１２）の個数は、例えば３２個とすることができる。また、前記配線１５の直径は、例えば０．１ｍｍとする。

本実施例による検出素子１０では、前記入射面１０より検出対象である放射線、例えばガンマ線が入射すると、前記素子本体１１で電子―正孔対が生成され、前記共通電極１４と前記個別電極１２の間に起電力が発生し、所定の電流が流れる。この場合、前記共通電極１４と前記個別電極１２の間に所定の電圧を印加しておくと好適である。

本実施例による検出素子１０では、前記入射面１１Ａと、前記配線１５が接続された前記個別電極１２と、前記共通電極１４と、を有する検出手段が、高密度に隣接して形成された構造となっている。

このように検出手段を高密度に形成する場合に、例えば前記素子本体１１を微細化して個別に電極と配線を形成することは困難であり、コストと時間を要する。また、ＣｄＴｅなどの半導体は、破損しやすく、微細化された形状を形成することは困難である。

このため、本実施例による検出素子１０では、例えばＣｄＴｅなどの半導体よりなる素子本体１１に、高密度に前記個別電極１２を形成し、当該個別電極１２に前記配線１５を接続している。また、本実施例による検出素子では、従来のボンディングや半田付けなどに比べて、単純な構造で、また素子本体に与える衝撃が抑制された方法で、高密度に前記配線１５を前記個別電極１２上に設置していることが特長である。

また、本実施例のように、配線を電極に接続する場合に、素子本体に与えるダメージが抑制される構造は、特に衝撃による影響を受けやすい半導体を用いて検出素子を構成する場合に特に好適な構造である。

例えば、検出対象としてガンマ線などの放射線を検出する場合には、ＣｄＴｅなどの衝撃に弱い結晶を用いることが好ましいため、本実施例の構造は特にこれらの結晶を用いる場合に有効である。また、ガンマ線を検出する半導体としては、他にＣＺＴを用いることも可能である。

また、本実施例による検出素子では、配線を固定する場合にボンディングや半田付けなどを用いていないため、例えば前記配線１５を外して、素子本体１１を再利用したり、また配線の個数や接続を変更する場合などにも柔軟に対応できるメリットがある。

なお、図１、図２では前記共通電極１４に接続される配線は図示を省略しているが、当該共通電極１４には適宜配線を接続すればよい。この場合、前記配線１５と同様の方法で配線を接続してもよい。

また、本発明による検出素子は、実施例１の構造に限定されるものではなく、以下に示すように様々に変形・変更することが可能である。

図３は、本発明の実施例２による検出素子２０を模式的に示す斜視図である。図１を参照するに、本実施例による検出素子１０は、例えば、ＣＺＴなどの半導体よりなる、略直方体の素子本体２１を有している。前記素子本体２１は、例えば放射線などの検出対象が入射する入射面２１Ａを有している。さらに、当該入射面２１Ａに垂直な一つの面に、略一様に共通電極２３が形成され、当該共通電極２３が形成された面と反対側の面に、複数の個別電極２２が形成されている。

前記共通電極２３は、例えばＰｔよりなり、例えば蒸着法により、面内に略一様に形成される。一方、前記個別電極２２は、例えばＰｔよりなり、前記共通電極２３が形成されている面と反対側の面上に、前記入射面２１Ａの側から、当該入射面２１Ａと反対側の面の側に向かって延伸するように、複数の当該個別電極２２が平行に配列されるようにして形成されている。

前記個別電極２２を形成する場合には、例えばマスクを用いた蒸着法によりパターニングして形成するか、またはフォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストを用いたドライエッチングにより、一様に形成されたＰｔ膜をパターニングする方法により、形成される。

さらに、前記個別電極２２上には、実施例１の場合と同様に、当該個別電極２２に沿って延伸する方向に配線２５が設置されている。当該配線２５は、複数の前記個別電極２２上に、当該個別電極２２と略平行にそれぞれの個別電極２２上に設置されている。

本実施例による検出素子の場合、隣接する前記個別電極２２の間に当該個別電極２２に対応して延伸するように前記素子本体２１上に、リブ状の絶縁構造体２４が形成されている。隣接する前記配線２５や、隣接する前記個別電極２２は、前記絶縁構造体２４により絶縁されている。また、前記配線２５は、前記絶縁構造体２４の間に収納される構造になっている。

前記絶縁構造体２４は、例えばＡｌＮよりなり、例えばスパッタリング法などにより形成されるが、他の方法により形成することも可能である。

また、前記配線２５は、例えば導電性ペーストなどにより前記個別電極２２上に固定されると、前記配線２５と前記個別電極２２の接続の確実性が向上すると共に接続抵抗を低減することが可能となり、好適である。

図４は、図３の検出素子２０を、前記入射面２１Ａの方向より見た正面図を示している。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図４を参照するに、本図においては、前記配線２５が、例えば銀ペーストなどの導電性ペースト２６によって、前記個別電極２２上に固定された状態を示している。また、隣接する前記配線２５、隣接する個別電極２２、隣接する導電性ペースト２６などは、それぞれ、リブ状の前記絶縁構造体２４により分離され、絶縁されている。本実施例による検出素子２０の場合も、実施例１に記載した検出素子１０の場合と同様の効果を有している。

また、前記絶縁構造体２４は、前記検出素子２０を積層する場合には実質的なスペーサとして機能するため、当該絶縁構造２４の高さｈは、少なくとも前記配線２５の直径よりも大きいことが好ましい。

また、図４には、前記配線２５が導電性ペーストにより前記個別電極２２上に固定される例を示したが、他の方法で固定することも可能である。

例えば図５には、前記検出素子２０の変形例である、検出素子３０の正面図を示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図５を参照するに、本図に示す検出素子３０では、前記配線２５を前記個別配線２２に固定する場合に、前記配線２５を覆うように設置する平板状の固定板２７を用いて行っている。また、この場合、図４の前記絶縁構造体２４に相当する、絶縁構造体２４ａの高さｈ’は、前記固定板２７が、前記配線２５にふれる程度となるような高さにされることが好ましい。

また、前記固定板２７は、例えばエラストマーよりなると、検出素子を積層する場合に好適である。さらに、前記固定板２７の、前記配線２５、前記絶縁構造体２４ａに接する側は、粘着性を有していると、前記配線２５の固定が容易となり、好ましい。

また、実施例１または実施例２による検出素子を、積層して検出素子構造を構成することも可能である。この場合、当該検出素子構造を、例えばＰＥＴなどの検査装置に用いると、高分解能の画像を得ることが可能となり、好適である。

図６は、本発明の実施例３による検出素子構造１００を模式的に示す斜視図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図６を参照するに、本実施例による検出素子構造１００では、一面が開口された矩形の容器１０１の内部に、実施例１による前記検出素子１０が、前記入射面１１Ａが露出するようにして積層された構造となっている。

前記検出素子１０は、前記素子本体１１上に、例えばエラストマーよりなる前記絶縁構造体１６が設置されているため、本図のように検出素子を積層した場合においても、ＣｄＴｅやＣＺＴなどの素子本体を損傷する事無く、積層構造を形成することができる。

また、実施例１または実施例２に記載した検出素子では、素子本体にボンディングや半田付けのためのスペースを確保する必要がないため、高密度に検出素子を積層することが可能であり、このために高密度に放射線を検出する検出手段を配置することが可能である。

また、上記の検出素子構造１００では、組み立て、分解などのメンテナンスが容易になる特長を有している。例えば、上記のように検出素子１０を積層して容器１０１に収納しているため、前記半導体１１や前記電極１２に対して、前記配線２５や前記絶縁構造体１６、または前記固定板２７が押し付けられ、固定される。

このため、前記半導体１１や前記電極１２に対して、前記配線２５や前記絶縁構造体１６、または前記固定板２７を固定する場合に特段の接着剤や固定剤を必要としない。そのため、検出素子構造の組み立てが容易であり、また分解も容易となって検出素子構造のメンテナンス性が良好となっている。

このような検出素子構造１００は、例えばＰＥＴなどの装置に用いると好適である。

図７は、本実施例による検出素子構造１００を、ＰＥＴに用いる場合の配置の例を模式的に示した図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図７を参照するに、本図に示すＰＥＴ装置１００では、検査台Ｙ上の検査対象Ｘの周囲を囲むように、前記検出素子構造１００が設置されている。この場合、例えば検出素子が積層される方向が、検査対象Ｘが挿入される方向（軸方向）となるように検出素子構造が設置される。このように検出素子構造１００を配置することで、ＰＥＴ装置において、高分解能の画像を得ることが可能となる。特に、検出素子を高密度に積層しているため、前記検査対象Ｘの軸方向に対する分解能を良好とすることが可能となる効果を奏する。

以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。

本発明によれば、入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、電極と配線を高密度に設置可能で単純な構造を有する検出素子、および当該検出素子を用いた検出素子構造を提供することが可能となる。

実施例１による検出素子を模式的に示した斜視図である。 図１の検出素子の正面図である。 実施例２による検出素子を模式的に示した斜視図である。 図３の検出素子の正面図である。 図４の検出素子の変形例である。 実施例３による検出素子構造を模式的に示す斜視図である。 実施例４によるＰＥＴを模式的に示した図である。

符号の説明

１０，２０ 検出素子
１１，２１ 半導体
１２，２２，１４，２３ 電極
１３ 溝部
１５，２５ 配線
１６，２５ 絶縁体
１７ 配線保持部
２５ 導電性ペースト
２７ 固定板
１０１ 容器
２００ ＰＥＴ

Claims (12)

1. 入射面に入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、
   第１の電極が、第１の側から第２の側に延伸するようにして複数設置される第１の面と、
   前記第１の面と反対側の、第２の電極が設置される第２の面と、を有し、
   複数の前記第１の電極上には、それぞれ前記第１の側から前記第２の側に延伸する複数の配線が設置され、隣接する前記配線が絶縁構造体により絶縁されて、前記第１の電極上に固定される構造であることを特徴とする検出素子。
2. 前記絶縁構造体は前記配線に対応した凹部を有する平板よりなり、前記配線を覆うように前記第１の面上に設置されることを特徴とする請求項１記載の検出素子。
3. 前記絶縁構造体の前記凹部を有する側は、粘着性を有することを特徴とする請求項２記載の検出素子。
4. 前記凹部は、前記第１の電極が延伸する方向に延伸するように形成されていることを特徴とする請求項２または３記載の検出素子。
5. 前記絶縁構造体は、エラストマーよりなることを特徴とする請求項２乃至４のうち、いずれか１項記載の検出素子。
6. 前記絶縁構造体は、隣接する前記第１の電極の間に当該第１の電極に対応して延伸するように前記第１の面上に形成されることを特徴とする請求項１記載の検出素子。
7. 前記配線は、導電性ペーストにより前記第１の電極上に固定されることを特徴とする請求項６記載の検出素子。
8. 前記絶縁構造体上に前記配線を固定する固定板が設置されることを特徴とする請求項６または７記載の検出素子。
9. 前記固定板はエラストマーよりなることを特徴とする請求項８記載の検出素子。
10. 前記固定板は粘着性を有することを特徴とする請求項８または９記載の検出素子。
11. 前記入射面、前記第１の面、および前記第２の面は、ＣｄＴｅまたはＣＺＴよりなる検出素子本体に形成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のうち、いずれか１項記載の検出素子。
12. 請求項１乃至１１のうち、いずれか１項記載の検出素子が積層された構造を有する検出素子構造。

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