JP2006315955A - Ceramic member - Google Patents

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Takashi Morita
敬司 森田
Mitsuhiro Fujita
光広 藤田
Haruo Murayama
晴男 村山
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Coorstek KK
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic member of a low cost type, which has excellent plasma resistance and excellent mechanical properties such as bending strength and toughness. <P>SOLUTION: The ceramic member is manufactured by a method having the following steps: a step, wherein a raw material powder is prepared by compounding, for example, 0.1-15 wt.%, expressed in terms of yttria, solution, which contains at least 0.01-1 wt.% magnesia and yttrium, to alumina particles having 0.1-1.0 μm average particle diameter; a step, wherein the raw material powder is molded and the resultant molding is subjected to calcination treatment; and a step, wherein the calcined molding is subjected to a heat treatment in an atmosphere containing a hydrogen gas, to produce yttrium aluminum garnet, and allow the resultant product to leach to the surface and form a film and, simultaneously, sinter the molding. Thus, a YAG layer having ≥2 μm thickness is formed on the surface of the alumina sintered compact. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、セラミックス部材に係り、さらに詳しくはハロゲン系腐食性ガス雰囲気下で、優れた耐プラズマ性を呈するだけでなく、機械的な性質が優れているセラミックス部材に関する。   The present invention relates to a ceramic member, and more particularly to a ceramic member that not only exhibits excellent plasma resistance in a halogen-based corrosive gas atmosphere but also has excellent mechanical properties.


半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハーに微細な加工を施すエッチング装置やスパッタリング装置、あるいは半導体ウエハーに成膜を行うCVD装置などが使用されている。そして、これらの製造装置では、高集積化を目的として、プラズマ発生機構を備えた構成が採られている。たとえば、図2に構成の概略を示すように、ヘリコン波プラズマエッチング装置が知られている。

In the manufacturing process of a semiconductor device, an etching device or a sputtering device that performs fine processing on a semiconductor wafer, a CVD device that forms a film on a semiconductor wafer, or the like is used. And in these manufacturing apparatuses, the structure provided with the plasma generation mechanism is taken for the purpose of high integration. For example, a helicon wave plasma etching apparatus is known as schematically shown in FIG.

ここで、1は外周にアンテナ2、電磁石3、および永久磁石4が設置されている処理室である。そして、この処理室1は、エッチングガス供給口5および真空排気口6を有するとともに、処理室1内に半導体ウエハー7を支持する下部電極8が設置されている。また、前記アンテナ2は、第1のマッチングネットワーク9を介して第1の高周波電源10に接続し、下部電極8は第2のマッチングネットワーク11を介して第2の高周波電源12に接続している。   Here, 1 is a processing chamber in which an antenna 2, an electromagnet 3, and a permanent magnet 4 are installed on the outer periphery. The processing chamber 1 has an etching gas supply port 5 and a vacuum exhaust port 6, and a lower electrode 8 that supports the semiconductor wafer 7 is installed in the processing chamber 1. The antenna 2 is connected to a first high-frequency power source 10 via a first matching network 9, and the lower electrode 8 is connected to a second high-frequency power source 12 via a second matching network 11. .

このエッチング装置によるエッチングは、次のように行われる。先ず、半導体ウエハー7を支持する下部電極8に半導体ウエハー7を載置し、処理室1内を真空化した後に、エッチングガスを供給する。次いで、アンテナ2及び下部電極8に、それぞれマッチングネットワーク9,11を介して対応する高周波電源10,12から周波数13.56MHzの高周波電流を流す。一方、電磁石3にも電流を流すことにより、処理室1内に高密度のプラズマを発生させ、このプラズマエネルギーによって、エッチングガスを原子状態に分解し、半導体ウエハー7の上面に形成された膜のエッチングが行われる。   Etching by this etching apparatus is performed as follows. First, the semiconductor wafer 7 is placed on the lower electrode 8 that supports the semiconductor wafer 7 and the inside of the processing chamber 1 is evacuated, and then an etching gas is supplied. Next, a high frequency current having a frequency of 13.56 MHz is supplied to the antenna 2 and the lower electrode 8 from the corresponding high frequency power supplies 10 and 12 via the matching networks 9 and 11, respectively. On the other hand, a high-density plasma is generated in the processing chamber 1 by passing an electric current through the electromagnet 3, and this plasma energy decomposes the etching gas into an atomic state, and the film formed on the upper surface of the semiconductor wafer 7. Etching is performed.

ところで、この種の製造装置では、エッチングガスとして塩化ホウ素(BCl)などの塩素系ガス、もしくはフッ化炭素(CF)などのフッ素系ガス、などの腐食性ガスを使用するため、処理室1の内壁部、監視窓、マイクロ波導入窓、下部電極8など、腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝される構成部材について、耐プラズマ性が要求される。このような要求に対応して、上記耐プラズマ性部材として、アルミナ系焼結体、窒化ケイ素系焼結体、窒化アルミニウム系焼結体などのセラミックス部材が使用されている。 By the way, this type of manufacturing apparatus uses a corrosive gas such as a chlorine-based gas such as boron chloride (BCl 3 ) or a fluorine-based gas such as carbon fluoride (CF 4 ) as an etching gas. Plasma resistance is required for components exposed to plasma in a corrosive gas atmosphere, such as the inner wall portion 1, the monitoring window, the microwave introduction window, and the lower electrode 8. In response to such demands, ceramic members such as alumina-based sintered bodies, silicon nitride-based sintered bodies, and aluminum nitride-based sintered bodies are used as the plasma-resistant member.

しかしながら、上記アルミナ系焼結体、窒化ケイ素系焼結体、窒化アルミニウム系焼結体などのセラミックス部材は、腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝されると徐々に腐食が進行して、表面を構成する結晶粒子が離脱するため、いわゆるパーティクル汚染を生じる。すなわち、離脱したパーティクルが、半導体ウエハー7や下部電極8などに付着し、成膜の質や精度などに悪影響を与え、半導体の性能や信頼性が損なわれ易いという問題がある。   However, ceramic members such as the above-mentioned alumina-based sintered bodies, silicon nitride-based sintered bodies, and aluminum nitride-based sintered bodies gradually corrode when exposed to plasma in a corrosive gas atmosphere. Since the constituting crystal particles are detached, so-called particle contamination occurs. That is, the detached particles adhere to the semiconductor wafer 7, the lower electrode 8, and the like, adversely affect the quality and accuracy of film formation, and there is a problem that the performance and reliability of the semiconductor are easily impaired.

また、CVD装置においてもクリーニング時に、プラズマ下で窒化フッ素(NF)などのフッ素系ガスに曝されるため、耐食性が必要とされている。 Further, the CVD apparatus is also required to have corrosion resistance because it is exposed to a fluorine-based gas such as fluorine nitride (NF 3 ) under plasma during cleaning.

上記耐食性の問題に対し、イットリウムアルミニウムガーネット(いわゆるYAG)焼結体を素材とするセラミックス部材が提案されている(特開平10−236871号公報)。すなわち、ハロゲン系腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝される表面が、気孔率3%以下のイットリウムアルミニウムガーネット焼結体で形成され、かつ表面を中心線平均粗さ(Ra)1μm以下としたセラミックス部材が知られている。   A ceramic member made of a sintered body of yttrium aluminum garnet (so-called YAG) has been proposed to solve the above-mentioned problem of corrosion resistance (Japanese Patent Laid-Open No. 10-236871). That is, the surface exposed to plasma in a halogen-based corrosive gas atmosphere is formed of a yttrium aluminum garnet sintered body having a porosity of 3% or less, and the surface has a center line average roughness (Ra) of 1 μm or less. Members are known.

しかし、このイットリウムアルミニウムガーネット焼結体は、耐プラズマ性の点では優れているが、曲げ強度及び破壊靱性などの機械的な性質が劣るという問題がある。ここで、機械的性質などが劣ること(たとえば脆さなど)は、たとえば洗浄操作などの過程で、部材が損傷・損壊を発生し易いことを意味し、素材自体が比較的高価であることと相俟って、製造装置ないし半導体の製造コストアップを招来する。   However, although this yttrium aluminum garnet sintered body is excellent in terms of plasma resistance, there is a problem that mechanical properties such as bending strength and fracture toughness are inferior. Here, inferior mechanical properties (for example, brittleness) means that the member is likely to be damaged / damaged in the process of cleaning operation, for example, and the material itself is relatively expensive. Together, this leads to an increase in manufacturing cost of manufacturing equipment or semiconductors.

本発明は、上記事情に対処してなされたもので、高い耐プラズマ性を有するとともに、曲げ強度や破壊靱性などの機械的な性質も優れた低コスト型のセラミックス部材の提供を目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a low-cost ceramic member having high plasma resistance and excellent mechanical properties such as bending strength and fracture toughness.

請求項1の発明は、実質的にアルミナ焼結体から成る基材と、前記基材表面に形成された厚さ2μm以上のイットリウムアルミニウムガーネット層とを有することを特徴とするセラミックス部材である。   The invention according to claim 1 is a ceramic member characterized by having a base material substantially made of an alumina sintered body and an yttrium aluminum garnet layer having a thickness of 2 μm or more formed on the surface of the base material.

請求項2の発明は、請求項1記載のセラミックス部材において、アルミナ焼結体中のアルミナ結晶粒子が露出しないように基材表面がイットリウムアルミニウムガーネット層で被覆されていることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the ceramic member of the first aspect, the substrate surface is coated with an yttrium aluminum garnet layer so that the alumina crystal particles in the alumina sintered body are not exposed.

請求項3の発明は、請求項1もしくは請求項2記載のセラミックス部材において、イットリウムアルミニウムガーネット層の厚さが150μm以下であることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the ceramic member according to the first or second aspect, the thickness of the yttrium aluminum garnet layer is 150 μm or less.

請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3いずれか一記載のセラミックス部材において、基材が内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大するアルミナ焼結体であることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the ceramic member according to any one of the first to third aspects, the substrate is an alumina sintered body in which the amount of yttrium aluminum garnet increases in a gradient from the inside toward the surface. Features.

請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4いずれか一記載のセラミックス部材において、アルミナ焼結体の内部におけるイットリウムアルミニウムガーネット量が5重量%以下であることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the ceramic member according to any one of the first to fourth aspects, the amount of yttrium aluminum garnet in the alumina sintered body is 5% by weight or less.

請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5いずれか一記載のセラミックス部材において、アルミナ焼結体中のアルミナ結晶粒子の平均結晶粒径が200μm以下であることを特徴とする。   A sixth aspect of the present invention is the ceramic member according to any one of the first to fifth aspects, wherein the average crystal grain size of the alumina crystal particles in the alumina sintered body is 200 μm or less.

請求項1ないし6の発明において、実質的にアルミナ焼結体から成るアルミナ質基材表面に、イットリウムアルミニウムガーネット層が浸出的に被覆・形成されるのは、次のような理由によると考えられる。すなわち、アルミナ原料粒子表面に存在するイットリウム成分が、加熱によってイットリウムアルミニウムガーネット化すると同時に、アルミナ粒子の粒成長で粒界が少なくなることにより、焼結体中心部では存在できなくなって、ほとんどのイットリウムアルミニウムガーネットが、徐々に焼結体表面まで移動してくることによると考えられる。   In the first to sixth aspects of the invention, the reason why the yttrium aluminum garnet layer is leachably coated and formed on the surface of the alumina base material substantially made of an alumina sintered body is considered to be as follows. . That is, the yttrium component present on the surface of the alumina raw material particles is converted into yttrium aluminum garnet by heating, and at the same time, the grain boundary is reduced due to the grain growth of the alumina particles. It is considered that the aluminum garnet gradually moves to the surface of the sintered body.

請求項1ないし6の発明において、アルミナ質基材の表面を被覆するイットリウムアルミニウムガーネット層は、その厚さが2μm以上であることを要する。すなわち、厚さ2μm未満では、所要の耐プラズマ性を十分に付与できない。また、このイットリウムアルミニウムガーネット層が形成されたアルミナ質基材面に、アルミナ質基材の露出部分がないように被覆していることが望ましい。つまり、アルミナ質基材が露出していると、腐食性ガス雰囲気下で、プラズマに曝された場合、前記露出部分が局部的に腐食され、微視的パーティクルが発生し易い。さらに、前記イットリウムアルミニウムガーネット層の厚さは、150μm以下であることが好ましい。つまり、150μmを超えても同効的で、却って低コスト化の支障となる。   In the first to sixth aspects of the invention, the yttrium aluminum garnet layer covering the surface of the alumina base material needs to have a thickness of 2 μm or more. That is, if the thickness is less than 2 μm, the required plasma resistance cannot be sufficiently provided. Further, it is desirable that the alumina substrate surface on which the yttrium aluminum garnet layer is formed is coated so that there is no exposed portion of the alumina substrate. That is, when the alumina base material is exposed, when exposed to plasma in a corrosive gas atmosphere, the exposed portion is locally corroded, and microscopic particles are likely to be generated. Further, the thickness of the yttrium aluminum garnet layer is preferably 150 μm or less. That is, even if it exceeds 150 μm, it is effective, and on the contrary, it becomes an obstacle to cost reduction.

なお、実質的にアルミナ焼結体から成る基材とは、基材の主成分がアルミナ焼結体であることを意味し、特に、85重量%以上がアルミナ組成である焼結体であることが好ましい。そして、このような基材表面に2μm以上のイットリウムアルミニウムガーネット層を形成することで、特に、好ましくはイットリウムアルミニウムガーネット層をアルミナ焼結体の焼結時に浸出的に被覆形成した構成をとると、耐プラズマ性及び機械的性質を有するセラミックス部材として機能する。   In addition, the base material substantially composed of an alumina sintered body means that the main component of the base material is an alumina sintered body, and in particular, a sintered body having an alumina composition of 85% by weight or more. Is preferred. And, by forming an yttrium aluminum garnet layer of 2 μm or more on such a substrate surface, particularly preferably, the yttrium aluminum garnet layer is formed so as to be leached and coated during sintering of the alumina sintered body. It functions as a ceramic member having plasma resistance and mechanical properties.

また、アルミナ質基材の表面をイットリウムアルミニウムガーネット層で被覆した構成において、アルミナ質基材を内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大するアルミナ焼結体の場合は、アルミナ質基材とイットリウムアルミニウムガーネット層との熱膨張率差などが緩和されるので、加熱サイクル(ヒートサイクル)における耐剥離性の向上したセラミックス部材を成す。   In the case where the surface of the alumina base material is coated with an yttrium aluminum garnet layer and the alumina base material is an alumina sintered body in which the amount of yttrium aluminum garnet increases gradually from the inside to the surface, the alumina base Since the difference in thermal expansion coefficient between the base material and the yttrium aluminum garnet layer is alleviated, a ceramic member having improved peel resistance in a heating cycle (heat cycle) is formed.

ここで、アルミナ質基材の内部におけるイットリウムアルミニウムガーネット量は、より高い破壊靱性を有するセラミックス部材とするために、5重量%以下であることが望ましく、より好ましくは3重量%以下である。また、アルミナ質基材の内部とは、たとえば前記基材の全外表面にイットリウムアルミニウムガーネット層が形成されたセラミックス部材の場合は、重心近傍を意味するものである。なお、前記基材の特定面のみに耐プラズマ性を付与するために、全外表面をイットリウムアルミニウムガーネット層で被覆した構成のセラミックス部材を任意に切断した部材も、ここで言うセラミックス部材の範囲に含まれる。   Here, the amount of yttrium aluminum garnet in the alumina base material is desirably 5% by weight or less, more preferably 3% by weight or less in order to obtain a ceramic member having higher fracture toughness. Further, the inside of the alumina base material means, for example, the vicinity of the center of gravity in the case of a ceramic member in which an yttrium aluminum garnet layer is formed on the entire outer surface of the base material. In addition, in order to impart plasma resistance to only a specific surface of the base material, a member obtained by arbitrarily cutting a ceramic member having a structure in which the entire outer surface is covered with an yttrium aluminum garnet layer is also within the scope of the ceramic member referred to herein. included.

また、アルミナ質基材(焼結体)は、その焼結体結晶の平均粒径が200μm以下であることが好ましく、より好ましくは5〜200μm、さらに好ましくは10〜40μmの範囲である。ここで、平均粒径が200μmを超えると、アルミナ焼結体において内部から表面に向かって傾斜的に量が増大するイットリウムアルミニウムガーネットを均質に傾斜的に分散させることが困難となる。すなわち、イットリウムアルミニウムガーネットの局部的な点在が起こり易く、イットリウムアルミニウムガーネット層のヒートサイクルで、より高い耐剥離性を得るのが難しくなる。ここで、平均粒径は、プラニメトリック法によって測定される値である。   The alumina base material (sintered body) preferably has an average particle size of the sintered body crystal of 200 μm or less, more preferably 5 to 200 μm, and still more preferably 10 to 40 μm. Here, when the average particle diameter exceeds 200 μm, it becomes difficult to uniformly disperse the yttrium aluminum garnet whose amount gradually increases from the inside toward the surface in the alumina sintered body. That is, local scattering of yttrium aluminum garnet is likely to occur, and it becomes difficult to obtain higher peeling resistance in the heat cycle of the yttrium aluminum garnet layer. Here, the average particle diameter is a value measured by a planimetric method.

なお、セラミックス部材の焼結工程において、アルミナ質基材表面に、イットリウムアルミニウムガーネット層を浸出形成する工程を採る場合は、マグネシア(硫酸マグネシウムや硝酸マグネシウムの水和物でも可)などを0.01〜1重量%程度添加し、結晶粒子の成長を制御することが好ましい。   In addition, in the sintering process of the ceramic member, when taking the step of leaching and forming an yttrium aluminum garnet layer on the surface of the alumina base material, magnesia (magnesium sulfate or magnesium nitrate hydrate) or the like may be added. It is preferable to add about 1% by weight to control the growth of crystal grains.

請求項1ないし6の発明に係るセラミックス部材は、たとえば次のようにして製造することができる。すなわち、一般的には、平均粒径0.1〜1.0μmのアルミナ粒子に、少なくともマグネシア換算で0.01〜1重量%のマグネシウム化合物、及びイットリアに換算して0.1〜15重量%のイットリウム化合物を添加配合した原料粉を作製する。   The ceramic member according to the first to sixth aspects of the invention can be manufactured, for example, as follows. That is, generally, alumina particles having an average particle diameter of 0.1 to 1.0 μm, at least 0.01 to 1% by weight of magnesium compound in terms of magnesia, and 0.1 to 15% by weight in terms of yttria. The raw material powder which added and mixed the yttrium compound was prepared.

次いで、前記原料粉を造粒後、たとえば静水圧プレスで成形し、その成形体に仮焼(脱脂)処理を施す。その後、前記仮焼処理した成形体に、水素ガスを含む雰囲気中で加熱処理を施して、イットリウムアルミニウムガーネットを生成させ、かつアルミナの粒成長により表面へ浸出させ成膜化するとともに、成形体を焼結することによって、容易に所望のセラミックス部材を得ることができる。   Subsequently, after granulating the raw material powder, the raw material powder is molded, for example, by an isostatic press, and the compact is subjected to a calcination (degreasing) treatment. Thereafter, the calcined molded body is heated in an atmosphere containing hydrogen gas to produce yttrium aluminum garnet, and leached to the surface by grain growth of alumina to form a film. A desired ceramic member can be easily obtained by sintering.

なお、前記造粒した原料粉の成形は、静水圧プレスで行う代りに、たとえば押し出し成形、射出成形、鋳込み成形など他の成形手段であってもよい。また、造粒原料の調製に当たって、イットリウムを含む溶液として粒子を造る代りに、一様な分散ができるならば、イットリウムもしくはその化合物粒子(粉末)を添加配合する方式を採ってもよい。   The granulated raw material powder may be molded by other molding means such as extrusion molding, injection molding, cast molding, etc. instead of being performed by an isostatic press. In preparation of the granulation raw material, instead of producing particles as a solution containing yttrium, a method of adding and blending yttrium or its compound particles (powder) may be adopted if uniform dispersion is possible.

ここで、原料粉末の主体となるアルミナ粒子は、平均粒径0.1〜1.0μm程度の範囲内で選ぶのが好ましい。その理由は、最終的な焼結過程で、アルミナの結晶粒子が異常成長を起こして、イットリウムアルミニウムガーネットの表面浸出および成膜が損なわれる傾向が認められるためである。   Here, it is preferable to select the alumina particles as the main component of the raw material powder within a range of an average particle size of about 0.1 to 1.0 μm. The reason is that, in the final sintering process, the crystal grains of alumina cause abnormal growth, and the surface leaching and film formation of yttrium aluminum garnet tend to be impaired.

また、マグネシアの添加は、上記アルミナを主成分とした基材を成す焼結体の結晶粒子を適度に制御するためで、その組成比は0.01〜1重量%に選ばれる。なお、マグネシア成分の添加配合は、たとえば硫酸マグネシウム、硝酸マグネシウムなど、加熱によってマグネシア化するマグネシウム化合物であってもよい。ただし、その添加配合量は、マグネシアに換算して0.01〜1重量%となるように選ばれる。   Further, the addition of magnesia is for appropriately controlling the crystal particles of the sintered body constituting the base material mainly composed of the alumina, and the composition ratio is selected from 0.01 to 1% by weight. The additive composition of the magnesia component may be a magnesium compound that becomes magnesia by heating, such as magnesium sulfate or magnesium nitrate. However, the addition amount is selected to be 0.01 to 1% by weight in terms of magnesia.

さらに、イットリウムを含む溶液の添加は、所要のイットリウムアルミニウムガーネットを生成させ、かつアルミナ質系焼結体の表面に浸出・成膜化し、耐プラズマ性に寄与するものであり、イットリアに換算して0.1〜15重量%となるように選ばれる。なお、イットリウムを含む溶液は、たとえば硝酸イットリウム、酢酸イットリウム、塩化イットリウム、あるいはこれらの水和物の1種もしくは2種以上を、純水やアルコール類などに溶解したものである。   Furthermore, the addition of a solution containing yttrium produces the required yttrium aluminum garnet and leaches and forms a film on the surface of the alumina-based sintered body, contributing to plasma resistance, and converted to yttria. It is selected to be 0.1 to 15% by weight. The solution containing yttrium is, for example, yttrium nitrate, yttrium acetate, yttrium chloride, or one or more of these hydrates dissolved in pure water or alcohols.

請求項7ないし10の発明において、たとえばアルミナ粒子を主体とした原料粉末に、マグネシア、イットリウム成分、バインダー樹脂および媒体液の撹拌・混合によるスラリーの調製は、たとえば回転式のボールミルなどによって行われる。また、調製したスラリーからの造粒は、たとえばスプレードライヤー方式などで行われる。そして、得られた造粒粉を素材とした成形は、たとえば静水圧プレス、押し出し成形、射出成形、あるいは鋳込み成形などの一般的な加圧成形方式で行う。   In the inventions according to claims 7 to 10, for example, preparation of a slurry by stirring and mixing magnesia, yttrium component, binder resin and medium liquid to raw material powder mainly composed of alumina particles is performed by, for example, a rotary ball mill. Moreover, granulation from the prepared slurry is performed by, for example, a spray dryer method. And the shaping | molding which used the obtained granulated powder as a raw material is performed by general pressure molding systems, such as an isostatic pressing, extrusion molding, injection molding, or casting.

さらに、上記造粒粉を素材とした成形体の仮焼は、大気中600〜1300℃程度の温度で行われ、温度および時間は、成形体の形状・寸法などによって決められる。また、仮焼後の焼結は、たとえば水素気流中など、水素ガスを含む雰囲気中、1700〜1850℃程度の温度で行われる。   Furthermore, calcination of the molded body using the granulated powder as a raw material is performed at a temperature of about 600 to 1300 ° C. in the atmosphere, and the temperature and time are determined by the shape and dimensions of the molded body. Moreover, sintering after calcination is performed at a temperature of about 1700 to 1850 ° C. in an atmosphere containing hydrogen gas, for example, in a hydrogen stream.

なお、この焼結は、その過程で結晶粒の急激な成長を抑制する一方、よりスムーズにイットリウムアルミニウムガーネットの生成、及び生成したイットリウムアルミニウムガーネットの表面側への浸出・成膜化を進行させるために、焼結の温度上昇速度をやや遅めに、あるいは焼結時間をやや長めに選択・設定する。   In addition, this sintering suppresses the rapid growth of crystal grains in the process, but more smoothly generates yttrium aluminum garnet, and promotes leaching / film formation to the surface side of the generated yttrium aluminum garnet. In addition, select and set the temperature increase rate of sintering slightly slower or the sintering time slightly longer.

請求項9及び10の発明において、仮焼ないし焼結工程で生成し、表面に浸出・成膜したイットリウムアルミニウムガーネットに対する加熱処理は、イットリウムアルミニウムガーネット層の緻密化などを目的として行われる。つまり、焼結体表面に浸出・成膜したイットリウムアルミニウムガーネット層が薄いとき、あるいは粗面であるときなど、たとえば1700〜1850℃の温度で熱処理することにより、表面の浸出・成膜であるイットリウムアルミニウムガーネット層が再軟化・再溶融して緻密層化するので、耐プラズマ性の向上が図られる。   In the ninth and tenth aspects of the present invention, the heat treatment for the yttrium aluminum garnet produced in the calcination or sintering process and leached and formed on the surface is performed for the purpose of densifying the yttrium aluminum garnet layer. In other words, when the yttrium aluminum garnet layer leached and formed on the surface of the sintered body is thin or rough, for example, heat treatment is performed at a temperature of 1700 to 1850 ° C., and yttrium is formed on the surface. Since the aluminum garnet layer is softened and remelted to form a dense layer, plasma resistance can be improved.

また、セラミックス部材の製造は、次のような手順で行うことができる。すなわち、請求項11の発明により、マグネシウム及びイットリウムを含有するアルミナの成形体もしくは仮焼体を用意し、これら成形体もしくは仮焼体の表面に、イットリウムアルミニウムガーネットの粉末層、成形体もしくは仮焼体を積層・配置して、水素を含有する雰囲気中で焼結する。あるいは、請求項12の発明により、イットリウムアルミニウムガーネット層を設けた焼結体の表面に、イットリウムアルミニウムガーネットの粉末層、成形体もしくは仮焼体を積層・配置して、水素を含有する雰囲気中で焼結する。   The ceramic member can be manufactured by the following procedure. That is, according to the invention of claim 11, an alumina molded body or calcined body containing magnesium and yttrium is prepared, and a powder layer, molded body or calcined body of yttrium aluminum garnet is formed on the surface of the molded body or calcined body. The bodies are stacked and arranged and sintered in an atmosphere containing hydrogen. Alternatively, according to the invention of claim 12, a powder layer, a molded body or a calcined body of yttrium aluminum garnet is laminated and arranged on the surface of a sintered body provided with an yttrium aluminum garnet layer, and in an atmosphere containing hydrogen. Sinter.

請求項1ないし6の発明では、基材が本質的にアルミナ質焼結体で形成され、表面がイットリウムアルミニウムガーネット層で被覆された構造を採っている。つまり、曲げ強度や破壊靱性など機械的性質の優れているアルミナ質焼結体を基材とする一方、耐プラズマ性の優れたイットリウムアルミニウムガーネット層でプラズマに曝される表面を被覆した構成を採っている。   In the first to sixth aspects of the present invention, the base material is essentially formed of an alumina sintered body and the surface is covered with an yttrium aluminum garnet layer. In other words, it is based on an alumina sintered body that has excellent mechanical properties such as bending strength and fracture toughness, while the yttrium aluminum garnet layer with excellent plasma resistance covers the surface exposed to plasma. ing.

ここで、基材が内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大しているアルミナ焼結体である構造を採ると、高い耐ヒートサイクル性を呈する。また、上記イットリウムアルミニウムガーネット層の被覆により、耐プラズマ性が向上し、また、洗浄操作などでの損傷・損壊の発生が解消され、パーティクル汚染を生じる恐れのない耐ヒートサイクル性の優れたセラミックス部材として機能する。   Here, when the substrate is a structure of an alumina sintered body in which the amount of yttrium aluminum garnet is increasing in a gradient from the inside toward the surface, high heat cycle resistance is exhibited. In addition, the above-mentioned yttrium aluminum garnet layer coating improves plasma resistance, eliminates damage and damage during cleaning operations, etc., and has excellent heat cycle resistance with no risk of particle contamination Function as.

したがって、製造装置ないし半導体の製造コストアップを抑制防止しながら、成膜の質や精度などに悪影響を与えることなく、性能や信頼性の高い半導体の製造・加工に、効果的に寄与する。   Therefore, it contributes effectively to the manufacture and processing of a semiconductor with high performance and reliability without adversely affecting the quality and accuracy of the film formation while preventing the increase in the manufacturing cost of the manufacturing apparatus or semiconductor.

上記製造方法によれば、曲げ強度や破壊靱性など機械的性質の優れているアルミナ質焼結体層を基材とする一方、プラズマに曝される表面が耐プラズマ性の優れたイットリウムアルミニウムガーネット層で被覆された構成のセラミックス部材を歩留まりよく、かつ量産的に提供することが可能となる。特に、基材が内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大するアルミナ焼結体の表面に、イットリウムアルミニウムガーネット層が浸出形成された構成を採り易いため、優れた耐熱衝撃性を有するセラミックス部材を提供できる。   According to the above manufacturing method, an yttrium aluminum garnet layer having a surface exposed to plasma having excellent plasma resistance while having an alumina sintered body layer having excellent mechanical properties such as bending strength and fracture toughness as a base material. It is possible to provide a ceramic member having a structure coated with a high yield and mass production. In particular, it is easy to adopt a structure in which the yttrium aluminum garnet layer is leached and formed on the surface of the alumina sintered body in which the amount of yttrium aluminum garnet increases in a gradient from the inside to the surface. The ceramic member which has can be provided.

請求項1ないし6の発明によれば、曲げ強度や破壊靱性など機械的性質の優れているアルミナ質焼結体を基材とする一方、耐プラズマ性の優れたイットリウムアルミニウムガーネット層が表面を被覆した構成となっている。したがって、洗浄操作などでの損傷・損壊の発生が解消され、また、パーティクル汚染を生じる恐れもなくなる。   According to the first to sixth aspects of the present invention, the base material is an alumina sintered body having excellent mechanical properties such as bending strength and fracture toughness, while the yttrium aluminum garnet layer having excellent plasma resistance covers the surface. It has become the composition. Therefore, the occurrence of damage or damage in the cleaning operation is eliminated, and there is no possibility of causing particle contamination.

つまり、半導体製造装置ないし半導体の製造コストアップを抑制防止する一方、成膜の質や精度などに悪影響を与えることなく、性能や信頼性の高い半導体の製造・加工に効果的に寄与する耐久性の優れたセラミックス部材を提供できる。特に、アルミナ質基材と、イットリウムアルミニウムガーネット層との間に、複合体層が介挿した構成を採っている場合は、優れた耐ヒートサイクル特性を呈するので、加熱・冷却が繰り返される用途に適する。   In other words, while suppressing and preventing an increase in manufacturing costs of semiconductor manufacturing equipment or semiconductors, durability that effectively contributes to the manufacture and processing of highly reliable semiconductors without adversely affecting the quality and accuracy of film formation Can be provided. In particular, when the composite layer is interposed between the alumina base material and the yttrium aluminum garnet layer, it exhibits excellent heat cycle resistance, so it can be used for repeated heating and cooling. Suitable.

以下、図1を参照して実施例を説明する。   Hereinafter, an embodiment will be described with reference to FIG.

第1の実施例   First embodiment

平均粒子径0.3μmのアルミナ粒子100重量部に対し、MgSO・7HOをマグネシア換算で750ppm、Y(CHCOO)・4HOをイットリア換算で1.5重量部の組成系に、適量のイオン交換水及びポリビニルアルコール2重量部を加え、撹拌・混合してスラリーを調製する。次いで、前記調製したスラリーをスプレードライヤーで造粒し、得られた造粒粉を静水圧プレス(CIP)にて、100MPa の圧力で成形し、厚さ10mm、幅100mm、長さ100mmの成形体を得た。 The average relative alumina particles 100 parts by weight of the particle diameter 0.3μm, MgSO 4 · 7H 2 O to 750ppm magnesia terms, Y (CH 3 COO) 3 · 4H 2 O The composition system of 1.5 parts by weight yttria terms An appropriate amount of ion-exchanged water and 2 parts by weight of polyvinyl alcohol are added to the mixture, and the mixture is stirred and mixed to prepare a slurry. Next, the prepared slurry is granulated with a spray dryer, and the resulting granulated powder is 100 MPa in a hydrostatic pressure press (CIP). A molded body having a thickness of 10 mm, a width of 100 mm, and a length of 100 mm was obtained.

上記成形体について、大気中、900℃の温度で仮焼処理を施した後、水素ガス雰囲気中、1790℃の温度で焼結処理を行って、セラミックス部材を作製した。このセラミックス部材をX線回折(XRD)で、同定した結果、焼結体(セラミックス部材)の表面及び内部にアルミナ以外にイットリウムアルミニウムガーネットが存在していた。   The molded body was calcined at a temperature of 900 ° C. in the atmosphere, and then sintered at a temperature of 1790 ° C. in a hydrogen gas atmosphere to produce a ceramic member. As a result of identifying this ceramic member by X-ray diffraction (XRD), yttrium aluminum garnet was present in addition to alumina on the surface and inside of the sintered body (ceramic member).

すなわち、焼結体の断面について電子顕微鏡で観察・撮像したところ、図1にその反射電子像を示すごとく、実質的にアルミナ焼結体である基材の表面全体が、イットリウムアルミニウムガーネット層で覆われたセラミックス部材であることが確認された。図1において、白い部分がイットリウムアルミニウムガーネット結晶の粒子層、黒い部分がアルミナ結晶粒子であり、A部がイットリウムアルミニウムガーネット層、B部が実質的にアルミナ焼結体からなる基材部である。   That is, when the cross section of the sintered body was observed and imaged with an electron microscope, the entire surface of the substrate, which was substantially an alumina sintered body, was covered with an yttrium aluminum garnet layer as shown in FIG. It was confirmed that this was a broken ceramic member. In FIG. 1, the white portion is a yttrium aluminum garnet crystal particle layer, the black portion is an alumina crystal particle, the A portion is an yttrium aluminum garnet layer, and the B portion is a substrate portion substantially made of an alumina sintered body.

なお、基材内部(下方)から表面(上方)に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大していることが確認される。また、基材表面には、アルミニウム結晶粒子(焼結体)の露出部分が存在しないように、厚さ20〜30μmのイットリウムアルミニウムガーネット層によって被覆されていることが確認された。   In addition, it is confirmed that the amount of yttrium aluminum garnet increases in an inclined manner from the inside (lower side) of the base material to the surface (upper side). Further, it was confirmed that the surface of the base material was covered with an yttrium aluminum garnet layer having a thickness of 20 to 30 μm so that an exposed portion of the aluminum crystal particles (sintered body) was not present.

また、前記反転電子像を用いてプラニメトリック法によって、アルミナ結晶粒子の平均粒径を測定したところ20μmであった。さらに、基材の内部(中心部)を切りだしICP発光分析を行って、イットリウムアルミニウムガーネット量を測定したところ0重量%であった。   Further, when the average particle diameter of the alumina crystal particles was measured by the planimetric method using the inverted electron image, it was 20 μm. Furthermore, when the inside (center part) of the base material was cut out and ICP emission analysis was performed to measure the amount of yttrium aluminum garnet, it was 0% by weight.

上記焼結体から、10×10mm角の試験片を切り出し、破壊靱性をビッカース圧子を用いたIF法によって測定したところ、4.0MPa・m1/2であり、アルミナ焼結体の破壊靱性値に匹敵する値であった。さらに、両焼結体について、三点曲げ強度を測定したところ350MPaの値を示した。なお、因みに、イットリウムアルミニウムガーネット焼結体の破壊靱性値は、1〜2MPa・m1/2、三点曲げ強度200〜300MPa程度で脆い材質である。 When a 10 × 10 mm square test piece was cut out from the sintered body and the fracture toughness was measured by the IF method using a Vickers indenter, it was 4.0 MPa · m 1/2 and the fracture toughness value of the alumina sintered body The value was comparable. Further, when the three-point bending strength was measured for both sintered bodies, a value of 350 MPa was shown. In addition, the fracture toughness value of the yttrium aluminum garnet sintered body is a brittle material having a one-to-two MPa · m 1/2 and a three-point bending strength of about 200 to 300 MPa.

また、上記焼結体から片面が焼結体表面である厚さ2mm、10×10mm角の試験片をそれぞれ切り出し、平行平板型RIE装置に取り付け、周波数13.56MHz、高周波ソース500、高周波バイアス300W、CF/O/Ar=30:20:50、ガス圧0.6665Pa(5mTorr)の条件でプラズマ曝露試験を行ったところ、エッチングレート(nm/Hr)は、1以下であった。 Further, from the sintered body, test pieces having a thickness of 2 mm and a 10 × 10 mm square each having a surface of the sintered body are cut out and attached to a parallel plate type RIE apparatus, with a frequency of 13.56 MHz, a high frequency source 500, and a high frequency bias of 300 W. When the plasma exposure test was conducted under the conditions of CF 4 / O 2 / Ar = 30: 20: 50 and gas pressure 0.6665 Pa (5 mTorr), the etching rate (nm / Hr) was 1 or less.

さらに、焼結体から片面が焼結体表面である厚さ2mm、20×20mm角の試験片を10個切り出し、400℃に加熱保持された大気炉中に10分間入れ、炉外に取り出し室温まで冷却するヒートサイクルを100回行ったが、イットリウムアルミニウムガーネット層の剥離は、いずれも認められなかった。すなわち、表面の緻密なイットリウムアルミニウムガーネット層とアルミナ質基材とは、アルミナ質基材中の内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大した部分を介して一体化していることに伴って、優れた耐ヒートサイクル性を呈する。ここで、優れた耐ヒートサイクル性を呈することは、たとえばプラズマ輻射などによるヒートサイクルにも充分耐え得ること(耐久性)を示す。   Further, 10 test pieces each having a thickness of 2 mm and a size of 20 × 20 mm, each having a sintered body surface on one side, were cut out from the sintered body, placed in an atmospheric furnace heated to 400 ° C. for 10 minutes, and taken out of the furnace at room temperature. The heat cycle was cooled to 100 times, but no peeling of the yttrium aluminum garnet layer was observed. In other words, the dense yttrium aluminum garnet layer and the alumina base material on the surface are integrated through a portion where the amount of yttrium aluminum garnet increases in a gradient from the inside to the surface in the alumina base material. Along with this, excellent heat cycle resistance is exhibited. Here, exhibiting excellent heat cycle resistance indicates that it can sufficiently withstand a heat cycle by, for example, plasma radiation (durability).

第2の実施例
平均粒子径0.3μmのアルミナ粒子100重量部に対し、MgSO・7HOをマグネシア換算で750ppm、Y(CHCOO)・4HOをイットリア換算で3重量部の組成系に、適量のイオン交換水及びポリビニルアルコール2重量部を加え、撹拌・混合して4種のスラリーを調製する。次いで、前記調製した各スラリーをスプレードライヤーで造粒し、それぞれ得られた造粒粉を静水圧プレス(CIP)にて、100MPaの圧力で成形し、厚さ10mm、幅100mm、長さ100mmの成形体をそれぞれ得た。
Second Example With respect to 100 parts by weight of alumina particles having an average particle diameter of 0.3 μm, 750 ppm of MgSO 4 · 7H 2 O in terms of magnesia and 3 parts by weight of Y (CH 3 COO) 3 • 4H 2 O in terms of yttria An appropriate amount of ion-exchanged water and 2 parts by weight of polyvinyl alcohol are added to the above composition system, and stirred and mixed to prepare four types of slurry. Next, each of the prepared slurries is granulated with a spray dryer, and the obtained granulated powder is molded with a hydrostatic pressure press (CIP) at a pressure of 100 MPa, and has a thickness of 10 mm, a width of 100 mm, and a length of 100 mm. Each molded body was obtained.

上記成形体について、大気中、900℃の温度で仮焼処理を施した後、水素ガス雰囲気中、1790℃の温度で焼結処理を行ってセラミックス部材を作製した。このセラミックス部材をX線回折(XRD)で同定した結果、焼結体(セラミックス部材)の表面及び内部にアルミナ以外にイットリウムアルミニウムガーネットが存在していた。すなわち、焼結体の断面について電子顕微鏡で観察・撮像したところ、第1の実施例の場合と同様に、実質的にアルミナ焼結体である基材の表面全体が、イットリウムアルミニウムガーネット層で覆われたセラミックス部材であることが確認された。   The molded body was calcined at 900 ° C. in the atmosphere, and then sintered at 1790 ° C. in a hydrogen gas atmosphere to produce a ceramic member. As a result of identifying this ceramic member by X-ray diffraction (XRD), yttrium aluminum garnet was present in addition to alumina on the surface and inside of the sintered body (ceramic member). That is, when the cross section of the sintered body was observed and imaged with an electron microscope, the entire surface of the substrate, which was substantially an alumina sintered body, was covered with an yttrium aluminum garnet layer, as in the first example. It was confirmed that this was a broken ceramic member.

このセラミックス部材は、基材内部(下方)から表面(上方)に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大していることが確認される。また、基材表面には、アルミニウム結晶粒子(焼結体)の露出部分が存在しないように、厚さ20〜70μmのイットリウムアルミニウムガーネット層によって被覆されていることが確認された。   In this ceramic member, it is confirmed that the amount of yttrium aluminum garnet is increasing in a gradient from the inside (lower side) of the base material to the surface (upper side). Further, it was confirmed that the surface of the base material was covered with an yttrium aluminum garnet layer having a thickness of 20 to 70 μm so that an exposed portion of the aluminum crystal particles (sintered body) was not present.

また、前記反転電子像を用いてプラニメトリック法によって、アルミナ結晶粒子の平均粒径を測定したところ20μmであった。さらに、基材の内部(中心部)を切りだしICP発光分析を行って、イットリウムアルミニウムガーネット量を測定したところ0.5重量%であった。   Further, when the average particle diameter of the alumina crystal particles was measured by the planimetric method using the inverted electron image, it was 20 μm. Furthermore, the inside (center part) of the base material was cut out and ICP emission analysis was performed to measure the amount of yttrium aluminum garnet. As a result, it was 0.5% by weight.

上記焼結体から、10×10mm角の試験片を切り出し、破壊靱性をそれぞれビッカース圧子を用いたIF法によって測定したところ、3.9MPa・m1/2であり、アルミナ焼結体の破壊靱性値に匹敵する値であった。さらに、両焼結体について、三点曲げ強度をそれぞれ測定したところ、340MPaの値を示した。 When a 10 × 10 mm square test piece was cut out from the sintered body and the fracture toughness was measured by the IF method using a Vickers indenter, the fracture toughness of the alumina sintered body was 3.9 MPa · m 1/2. The value was comparable to the value. Further, when the three-point bending strength was measured for both sintered bodies, a value of 340 MPa was shown.

また、上記焼結体から片面が焼結体表面である厚さ2mm、10×10mm角の試験片をそれぞれ切り出し、第1の実施例の場合と同じ条件で、プラズマ曝露試験を行ったところ、エッチングレート(nm/Hr)は、いずれも1以下であった。同じく、焼結体から片面が焼結体表面である厚さ2mm、20×20mm角の試験片を10個切り出し、400℃に加熱保持された大気炉中に10分間入れ、炉外に取り出し室温まで冷却するヒートサイクルを100回行ったが、イットリウムアルミニウムガーネット層の剥離は、いずれも認められなかった。   Moreover, when a plasma exposure test was performed under the same conditions as in the case of the first example, a test piece having a thickness of 2 mm and a 10 × 10 mm square each having a single-sided sintered body surface was cut out from the sintered body. The etching rate (nm / Hr) was 1 or less in all cases. Similarly, 10 test pieces each having a thickness of 2 mm and a 20 × 20 mm square each having a sintered body surface on one side are cut out from the sintered body, placed in an atmospheric furnace heated to 400 ° C. for 10 minutes, and taken out of the furnace at room temperature. The heat cycle was cooled to 100 times, but no peeling of the yttrium aluminum garnet layer was observed.

すなわち、セラミックス部材は、表面の緻密なイットリウムアルミニウムガーネット層とアルミナ質基材とが、アルミナ質基材中の内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大した部分を介して一体化していることに伴って、優れた耐ヒートサイクル性を呈するものであった。   That is, in the ceramic member, the dense yttrium aluminum garnet layer and the alumina base material are integrated through a portion in which the amount of yttrium aluminum garnet is inclined from the inside to the surface in the alumina base material. As a result, excellent heat cycle resistance was exhibited.

第3の実施例
平均粒子径0.3μmのアルミナ粒子100重量部に対し、平均粒子径0.3μmのシリカ粒子0.1重量部、及びMgSO・7HOをマグネシア換算で750ppm、Y(CHCOO)・4HOをイットリア換算で5.0重量部を含む組成系に、適量のイオン交換水及びポリビニルアルコール2重量部を加え、撹拌・混合してスラリーを調製する。次いで、前記調製したスラリーをスプレードライヤーで造粒し、得られた造粒粉を静水圧プレスにて、100MPaの圧力で成形し、厚さ10mm、幅100mm、長さ100mmの成形体を得た。
Third Example With respect to 100 parts by weight of alumina particles having an average particle diameter of 0.3 μm, 0.1 part by weight of silica particles having an average particle diameter of 0.3 μm and MgSO 4 .7H 2 O are converted to 750 ppm in terms of magnesia, Y ( An appropriate amount of ion-exchanged water and 2 parts by weight of polyvinyl alcohol are added to a composition system containing 5.0 parts by weight of CH 3 COO) 3 · 4H 2 O in terms of yttria, and a slurry is prepared by stirring and mixing. Next, the prepared slurry was granulated with a spray dryer, and the obtained granulated powder was molded with a hydrostatic pressure press at a pressure of 100 MPa to obtain a molded body having a thickness of 10 mm, a width of 100 mm, and a length of 100 mm. .

上記成形体について、900℃の温度で仮焼の処理を施した後、水素ガス雰囲気中、1790℃の温度で焼結処理を行って、セラミックス部材を得た。このセラミックス部材をX線回折(XRD)で同定した結果、焼結体(セラミックス部材)の表面および内部にアルミナ以外にイットリウムアルミニウムガーネットが存在していた。すなわち、焼結体の断面について電子顕微鏡で観察・撮像したところ、第1の実施例の場合と同様に、実質的にアルミナ焼結体である基材の表面全体が、イットリウムアルミニウムガーネット層で覆われたセラミックス部材であることが確認された。   The molded body was calcined at a temperature of 900 ° C. and then sintered at a temperature of 1790 ° C. in a hydrogen gas atmosphere to obtain a ceramic member. As a result of identifying this ceramic member by X-ray diffraction (XRD), yttrium aluminum garnet was present in addition to alumina on the surface and inside of the sintered body (ceramic member). That is, when the cross section of the sintered body was observed and imaged with an electron microscope, the entire surface of the substrate, which was substantially an alumina sintered body, was covered with an yttrium aluminum garnet layer, as in the first example. It was confirmed that this was a broken ceramic member.

また、このセラミックス部材は、基材内部(下方)から表面(上方)に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大していることが確認される。さらに、基材表面には、アルミニウム結晶粒子(焼結体)の露出部分が存在しないように、厚さ5〜50μmのイットリウムアルミニウムガーネット層によって被覆されていることが確認された。   Further, it is confirmed that the amount of yttrium aluminum garnet in the ceramic member increases in an inclined manner from the inside (lower side) of the base material to the surface (upper side). Furthermore, it was confirmed that the surface of the base material was covered with an yttrium aluminum garnet layer having a thickness of 5 to 50 μm so that no exposed portion of the aluminum crystal particles (sintered body) was present.

また、前記反転電子像を用いてプラニメトリック法によって、アルミナ結晶粒子の平均粒径を測定したところ20μmであった。さらに、基材の内部(中心部)を切りだしICP発光分析を行って、イットリウムアルミニウムガーネット量を測定したところ0.8重量%であった。   Further, when the average particle diameter of the alumina crystal particles was measured by the planimetric method using the inverted electron image, it was 20 μm. Furthermore, the inside (center part) of the base material was cut out, ICP emission analysis was performed, and the amount of yttrium aluminum garnet was measured and found to be 0.8% by weight.

上記焼結体から、10×10mm角の試験片を切り出し、破壊靱性をそれぞれビッカース圧子を用いたIF法によって測定したところ、3.9MPa・m1/2であり、アルミナ焼結体の破壊靱性値に匹敵する値であった。さらに、この焼結体について、三点曲げ強度をそれぞれ測定したところ、340MPaの値を示した。 When a 10 × 10 mm square test piece was cut out from the sintered body and the fracture toughness was measured by the IF method using a Vickers indenter, the fracture toughness of the alumina sintered body was 3.9 MPa · m 1/2. The value was comparable to the value. Furthermore, when the three-point bending strength of this sintered body was measured, it showed a value of 340 MPa.

また、上記焼結体から片面が焼結体表面である厚さ2mm、10×10mm角の試験片をそれぞれ切り出し、第1の実施例の場合と同じ条件で、プラズマ曝露試験を行ったところ、エッチングレート(nm/Hr)は、いずれも1以下であった。同じく、焼結体から片面が焼結体表面である厚さ2mm、20×20mm角の試験片を10個切り出し、第1の実施例の場合と同じ条件で、ヒートサイクルを100回行ったが、イットリウムアルミニウムガーネット層の剥離は、いずれも認められなかった。   Moreover, when a plasma exposure test was performed under the same conditions as in the case of the first example, a test piece having a thickness of 2 mm and a 10 × 10 mm square each having a single-sided sintered body surface was cut out from the sintered body. The etching rate (nm / Hr) was 1 or less in all cases. Similarly, 10 test pieces each having a thickness of 2 mm and a 20 × 20 mm square each having a sintered body surface on one side were cut out from the sintered body, and the heat cycle was performed 100 times under the same conditions as in the first example. No peeling of the yttrium aluminum garnet layer was observed.

すなわち、セラミックス部材は、表面の緻密なイットリウムアルミニウムガーネット層とアルミナ質基材とが、アルミナ質基材中の内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大した部分を介して一体化していることに伴って、優れた耐ヒートサイクル性を呈するものであった。   That is, in the ceramic member, the dense yttrium aluminum garnet layer and the alumina base material are integrated through a portion in which the amount of yttrium aluminum garnet is inclined from the inside to the surface in the alumina base material. As a result, excellent heat cycle resistance was exhibited.

第4の実施例
平均粒子径0.3μmのアルミナ粒子100重量部に対し、MgSO・7HOをマグネシア換算で750ppmを含む組成系に、適量のイオン交換水及びポリビニルアルコール2重量部を加え、撹拌・混合してスラリーを調製した。このスラリーをスプレードライヤーで造粒し、得られた造粒粉を静水圧プレス(CIP)にて、10MPaの圧力で成形し、厚さ10mm、幅100mm、長さ100mmの成形体を得た。一方、平均粒子径0.8μmのイットリウムアルミニウムガーネット粉末100重量部に対し、分散剤としてポリカルボン酸アンモニウム0.5重量部を含む組成系に、適量のイオン交換水を加え、撹拌・混合してスラリーを調製した。
Fourth Example An appropriate amount of ion-exchanged water and 2 parts by weight of polyvinyl alcohol were added to a composition system containing 750 ppm of MgSO 4 · 7H 2 O in terms of magnesia with respect to 100 parts by weight of alumina particles having an average particle diameter of 0.3 μm. The slurry was prepared by stirring and mixing. This slurry was granulated with a spray dryer, and the resulting granulated powder was molded with a hydrostatic pressure press (CIP) at a pressure of 10 MPa to obtain a molded body having a thickness of 10 mm, a width of 100 mm, and a length of 100 mm. On the other hand, with respect to 100 parts by weight of yttrium aluminum garnet powder having an average particle diameter of 0.8 μm, an appropriate amount of ion-exchanged water is added to a composition system containing 0.5 parts by weight of ammonium polycarboxylate as a dispersant, and the mixture is stirred and mixed. A slurry was prepared.

上記アルミナ成形体の全面に、上記イットリウムアルミニウムガーネットのスラリーを塗布し、40℃の乾燥機中にて乾燥を行った。その後、900℃の温度で仮焼処理を施して得た仮焼体を水素ガス雰囲気中、1790℃の温度で焼成処理を行って、セラミックス部材を得た。   The slurry of the yttrium aluminum garnet was applied to the entire surface of the alumina compact and dried in a dryer at 40 ° C. Thereafter, the calcined body obtained by calcining at a temperature of 900 ° C. was calcined at a temperature of 1790 ° C. in a hydrogen gas atmosphere to obtain a ceramic member.

上記セラミックス部材をX線回折(XRD)で同定した結果、焼結体(セラミックス部材)の表面及び内部には、アルミナ以外にイットリウムアルミニウムガーネットが存在していなかった。すなわち、セラミックス部材の断面について、電子顕微鏡で観察・撮像したところ、表面全体が厚さ20〜30μmのイットリウムアルミニウムガーネット層で覆われたアルミナ基材のセラミックス部材であることが確認された。   As a result of identifying the ceramic member by X-ray diffraction (XRD), yttrium aluminum garnet was not present in addition to alumina on the surface and inside of the sintered body (ceramic member). That is, when the cross section of the ceramic member was observed and imaged with an electron microscope, it was confirmed that the ceramic member was an alumina-based ceramic member whose entire surface was covered with an yttrium aluminum garnet layer having a thickness of 20 to 30 μm.

また、前記反転電子像を用いてプラニメトリック法によって、アルミナ結晶粒子の平均粒径を測定したところ20μmであった。なお、基材の内部(中心部)を切りだしICP発光分析を行って、イットリウムアルミニウムガーネット量を測定したところ0重量%であった。   Further, when the average particle diameter of the alumina crystal particles was measured by the planimetric method using the inverted electron image, it was 20 μm. The inside (center part) of the base material was cut out and ICP emission analysis was performed to measure the amount of yttrium aluminum garnet, which was 0% by weight.

上記焼結体から、10×10mm角の試験片を切り出し、破壊靱性をそれぞれビッカース圧子を用いたIF法によって測定したところ、4.1MPa・m1/2であり、アルミナ焼結体の破壊靱性値に匹敵する値であった。さらに、この焼結体について、三点曲げ強度をそれぞれ測定したところ、360MPaの値を示した。 When a 10 × 10 mm square test piece was cut out from the sintered body and the fracture toughness was measured by the IF method using a Vickers indenter, it was 4.1 MPa · m 1/2 and the fracture toughness of the alumina sintered body. The value was comparable to the value. Further, when the three-point bending strength of this sintered body was measured, it showed a value of 360 MPa.

また、上記焼結体から片面が焼結体表面である厚さ2mm、10×10mm角の試験片をそれぞれ切り出し、第1の実施例の場合と同じ条件で、プラズマ曝露試験を行ったところ、エッチングレート(nm/Hr)は、いずれも1以下であった。同じく、焼結体から片面が焼結体表面である厚さ2mm、20×20mm角の試験片を10個切り出し、第1の実施例の場合と同じ条件で、ヒートサイクル試験を行ったとこる、10個中3個においてヒートサイクル100回2至る前に、イットリウムアルミニウムガーネット層の局部的な剥離が確認された。   Moreover, when a plasma exposure test was performed under the same conditions as in the case of the first example, a test piece having a thickness of 2 mm and a 10 × 10 mm square each having a single-sided sintered body surface was cut out from the sintered body. The etching rate (nm / Hr) was 1 or less in all cases. Similarly, 10 test pieces each having a thickness of 2 mm and a 20 × 20 mm square each having a sintered body surface on one side are cut out from the sintered body and subjected to a heat cycle test under the same conditions as in the first embodiment. Local peeling of the yttrium aluminum garnet layer was confirmed before heat cycle 100 times 2 in 3 out of 10 pieces.

なお、アルミナ系造粒粉にマグネシウム及びイットリアを含有させた組成系の成形体もしくは仮焼体とし、これら成形体もしくは仮焼体面に、イットリウムアルミニウムガーネットの成形体もしくは仮焼体を積層して水素を含有する雰囲気中で焼結しても、同様の特性を有するセラミックス部材が得られる。また、第1及び第2の実施例に係るセラミックス部材、すなわち、イットリウムアルミニウムガーネット層をアルミナ系基材面に設けた焼結体を基材とし、その基材面に、イットリウムアルミニウムガーネットの粉末層、成形体もしくは仮焼体を再度積層して、水素を含有する雰囲気中で焼結しても、同様に、所要の特性を有するセラミックス部材を得ることができる。   It should be noted that a molded body or calcined body containing magnesium and yttria in an alumina granulated powder, and a yttrium aluminum garnet shaped body or calcined body is laminated on the surface of the molded body or calcined body to form hydrogen. A ceramic member having the same characteristics can be obtained even when sintered in an atmosphere containing. Moreover, the ceramic member which concerns on the 1st and 2nd Example, ie, the sintered compact which provided the yttrium aluminum garnet layer in the alumina-type base material surface, is made into the base material, The powder layer of the yttrium aluminum garnet is formed in the base material surface. Similarly, a ceramic member having the required characteristics can be obtained by laminating the formed body or calcined body again and sintering in an atmosphere containing hydrogen.

比較例1,2
第1の実施例の場合において、平均粒子径0.3μmのアルミナ粒子の代りに平均粒子径2.0μmのアルミナ粒子を使用し、かつ仮焼体の焼成温度を1760℃(比較例1)とし、また、Y(CHCOO)・4HOをイットリア換算で1.5重量部とする代りに20重量部とし、かつ仮焼体の焼成温度を1770℃(比較例2)とした他は、第1の実施例の場合と同様の条件として、2種類のセラミックス部材を作成した。
Comparative Examples 1 and 2
In the case of the first embodiment, alumina particles having an average particle size of 2.0 μm are used instead of alumina particles having an average particle size of 0.3 μm, and the calcining temperature of the calcined body is set to 1760 ° C. (Comparative Example 1). In addition, Y (CH 3 COO) 3 .4H 2 O is 20 parts by weight instead of 1.5 parts by weight in terms of yttria, and the calcining temperature of the calcined body is 1770 ° C. (Comparative Example 2) Prepared two types of ceramic members under the same conditions as in the first embodiment.

これらセラミックス部材について、第1の実施例の場合と同様の条件で、アルミナ系基材面に形成されたイットリウムアルミニウムガーネット層の性状や厚さ、X線回折(XRD)での同定、アルミナ結晶粒子の平均粒径測定、アルミナ系基材内部(下方)から表面(上方)に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量の変化傾向の確認、基材の内部(中心部)のイットリウムアルミニウムガーネット量測定、破壊靱性値、三点曲げ強度、プラズマ曝露試験、ヒートサイクルなどの試験を行った。   For these ceramic members, under the same conditions as in the first embodiment, the properties and thickness of the yttrium aluminum garnet layer formed on the alumina base material surface, identification by X-ray diffraction (XRD), alumina crystal particles Average particle size measurement, confirmation of change in the amount of yttrium aluminum garnet from the inside of the alumina base material (downward) to the surface (upper side), measurement of the amount of yttrium aluminum garnet inside the base material (center), fracture toughness value Tests such as three-point bending strength, plasma exposure test, and heat cycle were conducted.

比較例1の場合は、表面にイットリウムアルミニウムガーネット層が一様に形成されておらず、アルミナ結晶粒子の露出部分が面積比で約60%、アルミナ結晶粒子の平均粒径3μm、基材の内部(中心部)のイットリウムアルミニウムガーネット量1重量%、アルミナ系基材内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量の傾斜的な変化の確認、破壊靱性値3.5MPa・m1/2、三点曲げ強度350MPa、プラズマ曝露によるエッチングレート(nm/Hr)10の部分が局部的に点在することが確認され、ヒートサイクル測定不能であった。 In the case of Comparative Example 1, the yttrium aluminum garnet layer is not uniformly formed on the surface, the exposed portion of the alumina crystal particles is about 60% in area ratio, the average particle size of the alumina crystal particles is 3 μm, the inside of the base material (Center) Yttrium aluminum garnet amount 1% by weight, Confirmation of slant change in yttrium aluminum garnet amount from the inside of the alumina base material to the surface, Fracture toughness value 3.5 MPa · m 1/2 , Three-point bending It was confirmed that portions having an intensity of 350 MPa and an etching rate (nm / Hr) of 10 by plasma exposure were locally scattered, and heat cycle measurement was impossible.

一方、比較例2の場合は、表面にイットリウムアルミニウムガーネット層の厚さ80〜120μm、アルミナ結晶粒子の平均粒径20μm、基材の内部(中心部)のイットリウムアルミニウムガーネット量8重量%、アルミナ系基材内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量の傾斜的な変化の確認、破壊靱性値3MPa・m1/2、三点曲げ強度280MPa、プラズマ曝露によるエッチングレート(nm/Hr)1以下、ヒートサイクル100回クリアであった。 On the other hand, in the case of Comparative Example 2, the thickness of the yttrium aluminum garnet layer is 80 to 120 μm on the surface, the average particle diameter of alumina crystal particles is 20 μm, the amount of yttrium aluminum garnet in the base material (center part) is 8% by weight, and the alumina type Confirmation of gradient change of yttrium aluminum garnet amount from the inside of the substrate to the surface, fracture toughness value 3 MPa · m 1/2 , three-point bending strength 280 MPa, etching rate (nm / Hr) 1 or less by plasma exposure, heat Cleared 100 cycles.

本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を採ることができる。たとえばアルミナ系基材は、アルミナのみを素材とした焼結体でもよいし、さらに、焼結助剤の種類、それら添加成分の組成比などは、セラミックス部材の用途・使用目的に応じて、適宜選択してもよい。   The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. For example, the alumina-based substrate may be a sintered body made of only alumina, and further, the kind of the sintering aid, the composition ratio of these additive components, etc. are appropriately determined according to the use / purpose of use of the ceramic member. You may choose.

上記方法によって、曲げ強度や破壊靱性など機械的性質が優れ、かつ耐プラズマ性も優れており、半導体の製造装置に適するセラミックス部材を歩留まりよく、かつ量産的に提供できる。
According to the above method, a ceramic member having excellent mechanical properties such as bending strength and fracture toughness and excellent plasma resistance can be provided with high yield and mass production suitable for a semiconductor manufacturing apparatus.

実施例に係る耐プラズマ性部材の切断面の組織・状態を示す反射電子像図。The reflection electron image figure which shows the structure | tissue and state of the cut surface of the plasma-resistant member which concerns on an Example. CVD装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of a CVD apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1……処理室
2……アンテナ
3……電磁石
4……永久磁石
5……エッチングガス供給口
6……真空排気口
7……半導体ウエハー
8……下部電極
9……第1のマッチングネットワーク
10……第1の高周波電源
11……第2のマッチングネットワーク
12……第2の高周波電源

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing chamber 2 ... Antenna 3 ... Electromagnet 4 ... Permanent magnet 5 ... Etching gas supply port 6 ... Vacuum exhaust port 7 ... Semiconductor wafer 8 ... Lower electrode 9 ... First matching network 10 …… First high frequency power supply 11 …… Second matching network 12 …… Second high frequency power supply

Claims (6)

実質的にアルミナ焼結体から成る基材と、前記基材表面に形成された厚さ2μm以上のイットリウムアルミニウムガーネット層とを有することを特徴とするセラミックス部材。   A ceramic member comprising a base material substantially made of an alumina sintered body and an yttrium aluminum garnet layer having a thickness of 2 μm or more formed on the surface of the base material. アルミナ焼結体中のアルミナ結晶粒子が露出しないように基材表面がイットリウムアルミニウムガーネット層で被覆されていることを特徴とする請求項1記載のセラミックス部材。   2. The ceramic member according to claim 1, wherein the substrate surface is coated with an yttrium aluminum garnet layer so that the alumina crystal particles in the alumina sintered body are not exposed. イットリウムアルミニウムガーネット層の厚さが150μm以下であることを特徴とする請求項1もしくは請求項2記載のセラミックス部材。   The ceramic member according to claim 1 or 2, wherein a thickness of the yttrium aluminum garnet layer is 150 µm or less. 基材が内部から表面に向かってイットリウムアルミニウムガーネット量が傾斜的に増大するアルミナ焼結体であることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一記載のセラミックス部材。   The ceramic member according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate is an alumina sintered body in which the amount of yttrium aluminum garnet increases in a gradient from the inside toward the surface. アルミナ焼結体の内部におけるイットリウムアルミニウムガーネット量が5重量%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一記載のセラミックス部材。   The ceramic member according to any one of claims 1 to 4, wherein an amount of yttrium aluminum garnet in the alumina sintered body is 5% by weight or less. アルミナ焼結体中のアルミナ結晶粒子の平均結晶粒径が200μm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項5いずれか一記載のセラミックス部材。
The ceramic member according to any one of claims 1 to 5, wherein the average crystal grain size of the alumina crystal particles in the alumina sintered body is 200 µm or less.
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