JP2006301265A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数の画素と、前記複数の画素に走査電圧を印加する走査線とを有する表示パネルと、前記走査線に走査電圧を供給する駆動回路とを備え、前記駆動回路は、基準電圧を昇圧して第1の電圧を生成する第1の昇圧回路と、前記第1の電圧をレギュレートとするレギュレータと、前記レギュレータから出力される電圧を昇圧して第2の電圧を生成する第2の昇圧回路とを有する。第2の昇圧回路は、第2の電圧(選択走査電圧)と第3の電圧(非選択走査電圧)とを生成する。外部から映像データがRGBインターフェースに基づき入力される場合に、前記第2の昇圧回路は、前記外部クロックで動作する。
【選択図】 図6
Description
携帯電話機等の表示部として使用される液晶表示モジュールでは、消費電力を低減するために、半導体メモリ(Static Random Access Memory;以下、SRAMという)を備えるものが知られている(下記特許文献1、特許文献2参照)。
また、MPUアクセス用ポートと表示アクセス用ポートの2つのポートを有しており、MPUアクセス時(データの書込み時)は、2つのポートの切り換え(書込み、読出しの切り換え)が頻発する。
SRAMでは、書き込み/読み出し動作を行う場合は、必ずビット線を電源電圧にプリチャージする必要があり、ビット線プリチャージはSRAM消費電流の大半を占めている。
近年、液晶表示パネルの解像度が大きく(QCIF→QVGA)なるにつれて、SRAMも大容量化(QCIF→QVGA)が進み、映像線およびワード線の負荷が増大傾向にある。
そのため、SRAMを有する液晶表示モジュールの更なる低消費電力化を阻害する要因となっている。特に、液晶表示モジュールを備える携帯機器が電池駆動の場合は、使用時間を長くする上で大きな問題となっている。
さらに、前述したビット線プリチャージ電流によって無視できない電圧ドロップが発生し、動作マージンが劣化することが懸念される。
そして、表示タイミング信号が、外部から入力される外部入力信号に同期して動作する時に、昇圧回路を内蔵される発振回路からのクロックで動作させた場合に、電源変動と表示タイミングが非同期となるため、液晶表示パネルの表示画面にちらつきが生じる場合があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、SRAMを有する表示装置において、更なる低消費電力化を図るとともに、ビット線プリチャージ電流によって動作マージンが劣化するのを防止することが可能となる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、SRAMを有する表示装置において、電源変動と表示タイミングが非同期となり、液晶表示パネルの表示画面にちらつきが生じるのを防止することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
前述の課題を達成するための、本発明は、複数の画素と、前記複数の画素に走査電圧を印加する走査線とを有する表示パネルと、前記走査線に走査電圧を供給する駆動回路とを備える表示装置であって、前記駆動回路は、基準電圧を昇圧して第1の電圧を生成する第1の昇圧回路と、前記第1の電圧をレギュレートとするレギュレータと、前記レギュレータから出力される電圧を昇圧して第2の電圧を生成する第2の昇圧回路とを有する。
ここで、前記第2の昇圧回路は、前記走査線を介して前記複数の画素に印加する選択走査電圧と、前記走査線を介して前記複数の画素に印加する非選択走査電圧とを生成する。
また、本発明では、内部クロックを生成するクロック生成回路を有し、前記第1の昇圧回路は、前記内部クロックで動作し、前記第2の昇圧回路は、前記内部クロック、あるいは、外部から入力される制御信号に同期する外部クロックで動作する。
例えば、外部から映像データがRGBインターフェースに基づき入力される場合に、前記第2の昇圧回路は、前記外部クロックで動作する。
または、前記メモリ制御手段は、前記SRAMから映像データを読み出す際に、各グループのマット毎にビット線に対するプリチャージ開始時期をそれぞれ異ならせる。
あるいは、前記メモリ制御手段は、前記SRAMに映像データを書き込む際に、書き込み対象となるメモリセルを含むマットのビット線に対してプリチャージを行い、それ以外のマットのビット線についてはプリチャージを行わない。
さらに、前記メモリ制御手段は、前記表示装置がパーシャル表示状態の時に、nビットの表示データの中の1ビットのデータを格納するセルを有効となし、それ以外の(nー1)ビットのデータを格納するセルを無効とする。
本発明によれば、SRAMを有する表示装置において、更なる低消費電力化を図るとともに、ビット線プリチャージ電流によって動作マージンが劣化するのを防止することが可能となる。
本発明によれば、SRAMを有する表示装置において、電源変動と表示タイミングが非同期となり、液晶表示パネルの表示画面にちらつきが生じるのを防止することが可能となる。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[本発明の前提となる液晶表示モジュール]
図1は、本発明の前提となる液晶表示モジュールの概略構成を示すブロック図である。
液晶パネル(PNL)には、複数の走査線(またはゲート線)(G1〜G320)と、映像線(またはドレイン線)(S1〜S720)とが各々並列して設けられる。
走査線(G)と映像線(S)との交差する部分に対応して画素部が設けられる。複数の画素部はマトリックス状に配置され、各画素部には、画素電極(ITO1)と薄膜トランジスタ(TFT)が設けられる。図1では、液晶パネル(PNL)のサブピクセル数は、240×320×3である。
液晶を挟み、各画素電極(ITO1)に対向するように、共通電極(対向電極、または、コモン電極ともいう)(ITO2)が設けられる。そのため、各画素電極(ITO1)と共通電極(ITO2)との間には液晶容量(LC)が形成される。
液晶パネル(PNL)は、画素電極(ITO1)、薄膜トランジスタ(TFT)等が設けられたガラス基板(GLASS)と、カラーフィルタ等が形成されるガラス基板(図示せず)とを、所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周縁部近傍に枠状に設けたシール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶を封入、封止し、さらに、両基板の外側に偏光板を貼り付けて構成される。
なお、本発明は、液晶パネルの内部構造とは関係がないので、液晶パネルの内部構造の詳細な説明は省略する。さらに、本発明は、どのような構造の液晶パネルであっても適用可能である。
駆動回路(DRV)は、コントローラ回路100と、液晶パネル(PNL)の映像線(S)を駆動するソースドライバ130と、液晶パネル(PNL)の走査線(G)を駆動するゲートドライバ140と、液晶パネル(PNL)に画像を表示するために必要な電源電圧(例えば、液晶パネル(PNL)の共通電極(ITO2)に供給する共通電圧(Vcom))などを生成する液晶駆動電源発生回路120と、メモリ回路(以下、RAMという)150とを有する。また、図1において、FPCはフレキシブル配線基板である。
なお、図1では、駆動回路(DRV)は、1個の半導体チップで構成される場合を図示しているが、駆動回路(DRV)を、例えば、半導体層に低温ポリシリコンを使用する薄膜トランジスタを用いて、ガラス基板(GLASS)上に直接形成するようにしてもよい。
同様に、駆動回路(DRV)の一部の回路を分割し、駆動回路(DRV)を複数個の半導体チップで構成してもよく、駆動回路(DRV)の一部の回路を、例えば、半導体層に低温ポリシリコンを使用する薄膜トランジスタを用いて、ガラス基板(GLASS)上に直接形成するようにしてもよい。
さらに、駆動回路(DRV)あるいは駆動回路(DRV)の一部の回路を、ガラス基板(GLASS)上に搭載する代わりに、フレキシブル配線基板上に形成するようにしてもよい。
図1において、SIは、システムインターフェースのことであり、MCU等から各種コントロール信号および画像データが入力される系である。
DIは、表示データインターフェース(RGBインターフェース)のことであり、外部のグラフィックコントローラで形成された画像データと、データ取り込み用のクロックが連続的に入力される系(外部データ)である。
この表示データインターフェース(DI)では、従来のパーソナルコンピュータに使用されるドレインドライバと同様に取り込み用クロックに合わせて画像データを順次取り込む。
コントローラ回路100は、システムインターフェース(SI)、および表示データインターフェース(DI)から受け取った画像データを、ソースドライバ130、RAM150に送り表示を制御する。
同図に示すように、SRAMの1メモリセルは、ワード線(W)、ビット線(DT,DB)、転送スイッチ素子を構成するN型のMOSトランジスタ(以下、単に、NMOSという)(M1,M2)およびインバータ(I1,I2)とから構成される。なお、図2において、node1およびnode2は内部ノードを表す。
さらに、各NMOS(M1,M2)のサイズは、MOS(M1,M2)により接続されているビット線DTと内部ノード(node1)、およびビット線DBと内部ノード(node2)のレベル値が、それぞれ異なる場合には、必ずHighレベル(以下、Hレベルという)側のノードが、Lowレベル(以下、Lレベルという)に変化するように各MOS(M1,M2)のサイズが調整してある。
つまり、Lレベルのみ書き込み/読み出しが可能であるため、図2のSRAMセルの動作は、以下のようになる。
ワード線WをHレベルとする前に、ビット線(DT,DB)を、一度電源電圧Vccまでプリチャージを行う。
次に、ワード線WをHレベルとしNMOS(M1,M2)をオンとする。この時点では、ビット線(DT,DB)は共にHレベルであるため、内部ノードの値は変化せず、RAMのデータは保持される。
次に、書き込みを行うSRAMのビット線のみを変化させる。たとえば、「0」を書き込み場合には、ビット線(DT)をLレベルとすると、内部ノード(node1)は必ずLレベルとなり、「0」が書き込まれる。
逆に、「1」を書き込む場合はプリチャージ後、ビット線(DB)のみをLレベルにする。すると内部ノード(node2)は必ずLレベルとなり、インバータ(I2)により内部ノード(node1)はHレベルとなる。これにより、SRAMには「1」が書き込まれる。
(2)読み出し動作
ワード線WをHレベルとする前に、ビット線(DT,DB)を、一度電源電圧Vccまでプリチャージを行う。
次に、ワード線WをHレベルとし、NMOS(M1,M2)をオンとする。すると、メモリセルに格納されたデータが「0」の場合、内部ノード(node1)がLレベルであるため、ビット線(DT)のみがLレベルに変化する。
逆に、メモリセルに格納されたデータが「1」の場合は、内部ノード(node2)がLレベルのため、ビット線(DB)のみがLレベルに変化する。これによりSRAMのデータの読み出し動作が行える。
勿論、前述の動作を実現するために、各インバータ内のトランジスタサイズを調整していることは言うまでもない。
図3に示す構成では、コントローラ回路100は、SRAMコントロール回路1と、発振器10と、表示タイミング発生回路11とで構成される。
また、ソースドライバ130は、演算回路9と、表示データラッチ回路(1)12と、表示データラッチ回路(2)13と、レベルシフト回路14と、DA変換回路(階調電圧デコード回路)15と、出力回路(電流増幅アンプ回路)16と、階調電圧生成回路17とで構成される。
さらに、RAM150は、SRAM2と、SRAMデータラッチ回路3とで構成される。
図3に示す構成において、SI(システムインターフェース)からの画像データ、あるいは、DI(RGBインターフェース)からの画像データは、SRAMコントロール回路1に入力され、SRAM2に送られる。
SRAM2に格納されたデータ(SRAMデータ)は、SRAMデータラッチ回路3にラッチされた後、液晶パネル(PNL)に画像を表示するために使用される。
RAM容量は、液晶パネル(PNL)の画素数と表示色数に依存して変化する。全画素数、全階調分を持つ場合や、さらに携帯電話の時計表示などを表示画像に重ね合わせるために、液晶パネル(PNL)の画素数を超える分を持つ場合もある。逆に、RAM容量は、携帯電話の待ち受け画面のみの情報(時計表示のみなど)だけを持つ場合もある。
例えば、QVGAでは、全320ライン分のRAM容量は持たずに、96ライン分のみを持つ場合や、表示色は8色(RGB各1ビット)のみに限定する場合である。ここで、待ち受け画面の画像情報のみを持つのは低消費電力化のためである。
SRAM2を使用することにより、外部バスを駆動することなく、液晶パネル(PNL)に静止画を表示することが可能となる。なお、待ち受け時の表示ライン限定、表示色限定した状態をパーシャル表示と呼ぶ。
SRAMデータラッチ回路3にラッチされた映像データは、演算回路9を経て、表示データラッチ回路(1)12、表示データラッチ回路(2)13で1走査ライン分のデータとして保持される。
なお、表示データラッチ回路(2)13は、DI(RGBインターフェース)から入力される信号のタイミングによっては、特に必要ない場合もある。
DI(RGBインターフェース)から入力される同期信号(ドットクロック)がない場合には、内部発振器10により、同期用のタイミングクロックを発生させる必要がある。
SI(システムインターフェース)のみを使用したシステム、または低消費電力表示のパーシャル表示時がそれにあたる。
即ち、表示タイミング用クロック(CL1)は、DI(RGBインターフェース)使用時には、DI(RGBインターフェース)に含まる同期用クロック(DOTCLK)により生成され、DI(RGBインターフェース)不使用時には、発振器10で生成されたクロックが使用される。
表示データラッチ回路(2)13にラッチされた映像データは、レベルシフト回路14により電圧レベルが変換された後、DA変換回路(階調電圧デコード回路)15においてアナログの階調電圧に変換される。
この階調電圧は、出力回路(電流増幅アンプ回路)16により電流増幅され、各映像線(S1〜S720)に出力される。
ここで、DA変換回路(階調電圧デコード回路)15には、階調電圧生成回路17で生成された64階調(V0〜V63)の階調電圧が入力される。
携帯電話機等の小型携帯機器では、電源として電池の利用が一般的である。また、流通量の多さから電池は出力電圧が1.5V程度から4V程度のものが利用される。そのため、従来周知のチャージポンプ方式の昇圧回路を用いて液晶表示装置用の電源電圧を作成している。
図4は、薄膜トランジスタ方式の液晶表示モジュールにおいて、駆動に必要な駆動電圧を示す。なお、図4では、画素電極(ITO1)と、共通電極(ITO2)に印加する電圧を一定周期で反転させる、所謂、コモン電圧反転駆動方式を用いる場合の各駆動電圧を示している。
図4において、VGHは、画素部の薄膜トランジスタ(TFT)をオンさせる電圧(所謂、選択走査電圧)であり、(VGH−GND)で、約9.0〜16.5V程度が必要となる。また、VGLは、薄膜トランジスタ(TFT)をオフするための電圧(所謂、非選択走査電圧)であり、(VGL−GND)で、約−4.0〜−5.5V程度が必要となる。
VDHは、階調基準電圧であり、この階調基準電圧VDHを基準に、ソースドライバ130で階調電圧を生成する。(VDH−GND)は、液晶材の特性から約4.0〜5.0V程度が必要である。
VcomHは、共通電極(ITO2)に印加するHighレベル(以下、Hレベル)側の電圧、VcomLは、共通電極(ITO2)に印加するLowレベル(以下、Lレベル)側の電圧を示す。
この図5に示す電源回路は、図1に示す液晶駆動電源発生回路120の中の、VDHとVGLの電圧を生成する部分を示す。
図5に示す昇圧回路1(50)は、Vciの基準電圧から、DDVDHの電圧を生成する。DDVDHは、VDHの電圧、VcomHの電圧、VcomLの電圧を生成するための電圧である。
図5に示す昇圧回路2(52)は、DDVDHの電圧から、VGH、VGLの電圧を生成する。なお、(Vci−GND)は、約2.5〜3.5V、(DDVDH−GND)は、約4.0〜6.0Vである。
一般に、昇圧回路から出力される各電圧は、昇圧回路の動作クロックの周期で電圧が変動をしている。特に、VGH、VGLは、昇圧回路の出力電圧を直接ゲートドライバ140から出力している。
CPUインターフェースなどを使用して画面データを転送し表示を行う場合、昇圧回路の動作クロックと、クロック(CL1)などの表示タイミング信号は共にソースドライバ130に内蔵される発振器10で生成されるクロックに同期しているため、前述の電圧変動は表示に対して悪影響を及ぼさなかった。
しかしながら、RGBインターフェースを使用した場合は、クロック(CL1)などの表示タイミングは、垂直同期信号(VSYNC)、水平同期信号(HSYNC)、ドットクロック(DOTCLK)などの外部入力信号に同期して動作するのに対し、昇圧回路は、内蔵する発振器10によるクロックで動作するために、前述の電圧変動と表示タイミングが非同期となり、表示画面にちらつきが生じる場合があった。
図6は、本発明の実施例1の電源回路の回路構成を説明するためのブロック図である。
この図6に示す電源回路は、図1に示す液晶駆動電源発生回路120の中の、VDHとVGLの電圧を生成する部分を示す。
図6に示す電源回路でも、昇圧回路1(50)により、Vciの基準電圧から、DDVDHの電圧を生成する。
しかしながら、本実施例の電源回路では、昇圧回路1(50)から出力されるDDVDHの電圧を、レギュレータ51でレギュレートし、昇圧回路2(52)は、レギュレータ51から出力されるVDCDC2の電圧から、VGH、VGLの電圧を生成する。
レギュレータ51は、DDVDHの電圧を電源電圧として、入力されるVciREFの電圧からVDCDC2の電圧を生成する。なお、VciREF=Vci、(VDCDC2−GND)は、約4.0〜(DDVDH−0.5)Vである。
図6に示すレギュレータ51の一例を図7に示す。
図7に示す回路では、DDVDHの電圧を電源電圧とするアンプ回路(AM1)により、VciREFの電圧を増幅し、当該増幅された電圧を、DDVDHの電圧を電源電圧とするボルテージホロワ回路(AM2)を介して出力する。
なお、VGHの電圧の安定化を行うためには、VGHの電圧をレギュレートすることが望ましいが、高耐圧MOSトランジスタを使用しなければならない。そこで、本実施例では、前述したように、低耐圧MOSトランジスタで構成可能なDDVDHの電圧をレギュレートするレギュレータ51を追加するようにしている。
さらに、本実施例では、RGBインターフェースの場合、VGHの電圧を生成する昇圧回路2(52)のみを、クロック信号(CL1)など表示タイミング信号と同期した信号で動作させる。
但し、ソースドライバ130に内蔵される電源回路120は、表示を行う以前に動作している必要があるため、表示を行う以前には、従来同様、ソースドライバ130に内蔵した発振器10で生成されるクロックを使用し、RGBインターフェースなどを使用し表示を行う際に、昇圧回路2(52)のみ動作クロックを変更させる。これは、インストラクション信号を用いて、MPUから設定する。
なお、電圧変動を同期させれば良いという観点では、レギュレータ51を追加する代わりに、DDVDHの電圧を生成する昇圧回路1(50)の動作クロックもクロック(CL1)などの表示タイミング信号に同期させれば良いが、DDVDHの電圧は消費される電流が多く、駆動能力を確保するためには、クロック信号(CL1)では速度が足りない。そのため動作クロックは変更せず、レギュレータ51を採用している。
本実施例は、ビット線プリチャージ電流によって動作マージンが劣化するのを防止する実施例である。
図8は、本発明の実施例2のメモリ回路のメモリ配置の一例を示す図である。なお、図8に示すメモリ回路は、図1に示すメモリ回路150に相当する。
図8、および後述する図11において、200はソースドライバ、201は制御回路、202はIOコントロール回路、203はXデコーダ、204はYデコーダ、205はプリチャージ回路、206はラッチ回路、210はメモリセル部である。なお、ソースドライバ200は、図1のソースドライバ130に相当し、ラッチ回路206は、図3に示すSRAMデータラッチ回路に相当する。
図8に示すように、SRAM2は、画面表示の配置に対応しており、横に映像線(S)の順に対応したビット線(BL)、縦に走査線(G)の順に対応したワード線(WL)が設けられる。
一般に、SRAMは、駆動負荷を軽くするために適宜分割されている。図8では、ワード線(WL)を8つのメモリマット(MAT0〜MAT7)に分割している。
図9は、図8に示す1サブピクセル分のメモリの構成を示す図であり、1サブピクセルが6ビットの場合を示している。図9では、6ビットのビット線(B1〜B6)が、1つの映像線に対応していることを示している。
そこで、本実施例では、SRAMの読み出し時に、図10に示すように、マット毎に少しずつプリチャージ信号XPREのタイミングをずらして、ビット線プリチャージ時のプリチャージ電流を分散させ、ピーク電流を少なくしている。
なお、図10において、DISPAは同期信号、YMASKはYアドレスマスク信号、WLはワード線、BLはビット線である。
また、マット毎に少しずつプリチャージ信号XPREのタイミングをずらす代わりに、複数のマットをグループ分け、例えば、マット0,2,4,6と、マット1,3,5,7の2グループに分け、各グループのマット毎に、ビット線プリチャージ時のプリチャージ電流を分散させるようにしてもよい。
同様に、本実施例では、SRAMへの書き込み時に、図11に示すように、Xアドレスがヒットしたマット(ここでは、マットMat0)のみプリチャージ動作を行い、Xアドレスがヒットしていない非活性マット(ここでは、Mat1〜Mat7)は、依然の状態を保持し、Yアドレス遷移にともなうプリチャージは行なわないようにしている。
これにより、本実施例では、SRAMを有する液晶表示モジュールにおいて、更なる低消費電力化を図るとともに、ビット線プリチャージによって動作マージンが劣化するのを防止することが可能となる。
本実施例は、パーシャル表示状態(ローパワーモード)時の、ビット線プリチャージ電流を低減する実施例である。
前述の本発明の前提となる液晶表示モジュールでは、SRAM2を使用することにより、外部バスを駆動することなく、液晶パネル(PNL)に静止画を表示することが可能となる。この際、待ち受け時の表示ライン限定、表示色限定した状態をパーシャル表示と呼ぶ。
パーシャル表示とは、R、G、Bそれぞれ2色の合計8色(=2×2×2)表示で、時計などのみの表示し、さらに、使用する走査ライン数も減少させる表示方法である。
図12は、パーシャル表示状態のときに、液晶パネル(PNL)に表示される画像を模式的に示す図である。尚、図12のa,bの領域は8色表示の箇所を示しており、それ以外の領域は、白又は黒の非表示領域を示している。
例えば、表示データが6ビットで、BL[6n+5:6n+0]の6本のビット線が、1つの映像線に対応しているとすると、パーシャル表示状態において、SRAMへの書き込み時には、BL[6n+5]のビット線にのみアクセスし、その他のBL[6n+4:6n+0]のビット線にはアクセスすることがないので、BL[6n+4:6n+0]のビット線を無効(あるいは、スタティック化)することができる。
SRAMの消費電流は、プリチャージ電流が大半を占めるので、6本のビット線の中の5本のビット線をプリチャージレスとすれば無駄なプリチャージ電流を抑制することが可能である。
したがって、ビット線の制御は、それぞれ個別の制御が必要となるので、プリチャージ信号はXPRE1/2/3/4の4となる。図14に、ビット線の制御波形を示す。
さらに、本実施例では、このパーシャル表示状態において、SRAMへの書き込み時に、ライトイネーブル信号(WE[6n+4:6n+0])により、BL[6n+4:6n+0]のビット線への書き込みを禁止すると同時に、BUS[6n+4:6n+0]の値を、「1」に固定する。
このように、パーシャル表示状態の8色モードライト時に、BL[6n+5]のビット線のみにアクセスし、その他のBL[6n+4:6n+0]のビット線を無効(あるいは、スタティック化)したので、無駄なプリチャージ電流を抑制でき、SRAMの消費電流を少なくすることが可能となる。
なお、前述の説明では、本発明をTFT方式の液晶表示モジュールに適用した実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明は、有機EL素子を有するEL表示装置にも適用可能である。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
2 半導体メモリ(Static Random Access Memory;SRAM)
3 SRAMデータラッチ回路
9 演算回路
10 発振器
11 表示タイミング発生回路
12 表示データラッチ回路(1)
13 表示データラッチ回路(2)
14 レベルシフト回路
15 DA変換回路(階調電圧デコード回路)
16 出力回路(電流増幅アンプ回路)
17 階調電圧生成回路
50,52 昇圧回路
51 レギュレータ
100 コントローラ回路
120 液晶駆動電源発生回路
130,200 ソースドライバ
140 ゲートドライバ
150 メモリ回路
151 メモリセル
201 制御回路
202 IOコントロール回路
203 Xデコーダ
204 Yデコーダ
205 プリチャージ回路
206 ラッチ回路
210 メモリセル部
PNL 液晶パネル
S 映像線(またはドレイン線)
G 走査線(またはゲート線)
TFT 薄膜トランジスタ
ITO1 画素電極
ITO2 共通電極(対向電極、または、コモン電極)
LC 液晶容量
GLASS ガラス基板
DRV 駆動回路
W,WL ワード線
DT,DB,BL ビット線
NM,M1,M2 N型MOSトランジスタ
PM P型MOSトランジスタ
I1,I2 インバータ
node1,node2 内部ノード
AM1,AM2 アンプ回路
Claims (12)
- 複数の画素と、前記複数の画素に走査電圧を印加する走査線とを有する表示パネルと、
前記走査線に走査電圧を供給する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、基準電圧を昇圧して第1の電圧を生成する第1の昇圧回路と、
前記第1の電圧をレギュレートとするレギュレータと、
前記レギュレータから出力される電圧を昇圧して第2の電圧を生成する第2の昇圧回路とを有することを特徴とする表示装置。 - 前記第2の昇圧回路は、第2の電圧と第3の電圧とを生成することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2の電圧は、前記走査線を介して前記複数の画素に印加する選択走査電圧であり、
前記第3の電圧は、前記走査線を介して前記複数の画素に印加する非選択走査電圧であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 内部クロックを生成するクロック生成回路を有し、
前記第1の昇圧回路は、前記内部クロックで動作し、
前記第2の昇圧回路は、前記内部クロック、あるいは、外部から入力される制御信号に同期する外部クロックで動作することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 外部から映像データがRGBインターフェースに基づき入力される場合に、前記第2の昇圧回路は、前記外部クロックで動作することを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 外部から映像データが供給される駆動回路と、前記駆動回路が出力する映像信号が供給される映像線と、前記映像線を介して前記映像信号が供給される画素とを有する表示装置であって、
前記駆動回路は、前記映像データを格納するSRAMと、メモリ制御手段とを有し、
前記SRAMは、複数のマットに分割され、
前記メモリ制御手段は、前記SRAMから映像データを読み出す際に、各マット毎にビット線に対するプリチャージ開始時期をそれぞれ異ならせることを特徴とする表示装置。 - 外部から映像データが供給される駆動回路と、前記駆動回路が出力する映像信号が供給される映像線と、前記映像線を介して前記映像信号が供給される画素とを有する表示装置であって、
前記駆動回路は、前記映像データを格納するSRAMと、メモリ制御手段とを有し、
前記SRAMは、複数のマットに分割され、
前記複数のマットは、グループ分けされ、
前記メモリ制御手段は、前記SRAMから映像データを読み出す際に、各グループのマット毎にビット線に対するプリチャージ開始時期をそれぞれ異ならせることを特徴とする表示装置。 - 外部から映像データが供給される駆動回路と、前記駆動回路が出力する映像信号が供給される映像線と、前記映像線を介して前記映像信号が供給される画素とを有する表示装置であって、
前記駆動回路は、前記映像データを格納するSRAMと、メモリ制御手段とを有し、
前記SRAMは、複数のマットに分割され、
前記メモリ制御手段は、前記SRAMに映像データを書き込む際に、書き込み対象となるメモリセルを含むマットのビット線に対してプリチャージを行い、それ以外のマットのビット線についてはプリチャージを行わないことを特徴とする表示装置。 - 外部から映像データが供給される駆動回路と、前記駆動回路が出力する映像信号が供給される映像線と、前記映像線を介して前記映像信号が供給される画素とを有する表示装置であって、
前記駆動回路は、前記映像データを格納するSRAMと、メモリ制御手段とを有し、
前記メモリ制御手段は、前記表示装置がパーシャル表示状態の時に、nビットの表示データの中の1ビットのデータを格納するセルを有効となし、それ以外の(n−1)ビットのデータを格納するセルを無効とすることを特徴とする表示装置。 - 前記SRAMは、前記パーシャル表示状態の時に、無効とされたセルが接続されるビット線に第1の基準電圧、あるいは、第2の基準電圧を印加する手段1を有することを特徴とする請求項9に記載の表示装置。
- 前記SRAMは、前記パーシャル表示状態の時に、無効とされたセルに対するデータ書き込みを禁止する手段2を有することを特徴とする請求項9または請求項10に記載の表示装置。
- 前記パーシャル表示状態の時に、無効とされたセルに対する書き込みデータは、無効とされたセルに接続されるビット線の電圧が前記手段1により印加された電圧となるデータであることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の表示装置。
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