JP2006286081A - メモリ制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ダブルデータレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ(DDR−SDRAM)の動作クロックx1Clkの周波数より高い周波数をもつクロック信号x4Clkを用いて、ストローブ信号エッジ検出部1303が、データストローブ信号Dqsをサンプリングして、データストローブ信号Dqsの切り替わりエッジを検出し、エッジ切り替わり検出信号を出力する。データサンプリング部1302は、エッジ切り替わり検出信号を用いて、データ信号Dqから、該データ信号Dqに含まれる2系統のデータ信号を抽出する。
【選択図】 図1
Description
1301 クロック変換部(同期出力手段)
1302 データサンプリング部(データ抽出手段)
1303 ストローブ信号エッジ検出部(エッジ検出手段)
x1Clk クロック信号(メモリの動作クロック)
x4Clk クロック信号
Dq データ信号
Dqs データストローブ信号
Claims (4)
- ダブルデータレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリに対する信号入出力を制御するメモリ制御装置において、
前記メモリの動作クロックの周波数よりも高い周波数をもつクロック信号を用いて、前記メモリから出力されたデータストローブ信号をサンプリングし、該データストローブ信号の切り替わりエッジを検出してエッジ検出信号を出力するエッジ検出手段と、
前記エッジ検出手段によって出力されたエッジ検出信号を用いて、前記メモリから出力されたデータ信号から、該データ信号に時系列に沿って交互に含まれる2系統のデータ信号を系統ごとに抽出するデータ抽出手段と、
前記データ抽出手段によって抽出された2系統のデータ信号を、前記メモリの動作クロックに同期して出力する同期出力手段と
を有することを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記エッジ検出手段によって検出される切り替わりエッジは、前記データストローブ信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジであることを特徴とする請求項1記載のメモリ制御装置。
- 前記メモリには、前記メモリの動作クロックの2倍の周波数で、2系統のデータ信号が時系列に沿って交互に記憶されており、
前記データ抽出手段は、前記エッジ検出手段によって出力されたエッジ検出信号を用いて、前記メモリから出力されたデータ信号から、前記メモリの動作クロックの周期と同一周期をもつ前記2系統のデータ信号を復元することを特徴とする請求項1記載のメモリ制御装置。 - 前記エッジ検出手段は、前記メモリの動作クロックの周波数の4倍の周波数をもつクロック信号を用いて、前記メモリから出力されたデータストローブ信号をサンプリングし、該データストローブ信号の切り替わりエッジを検出することを特徴とする請求項1記載のメモリ制御装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005103826A JP4773738B2 (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | メモリ制御装置 |
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