JP2006284598A - 走査型プローブ顕微鏡 - Google Patents

Abstract

【課題】レ−ザ発生器と光位置検出器を真空容器外に設置することでカンチレバ−が熱の影響で反りが発生しても真空中のまま、あるいは加熱中のまま、あるいは冷却中のままの状態でレ−ザ照射位置およびレ−ザ照射角度を変更することでレ−ザ反射光の光位置検出器への到達位置を調整することができ測定を容易にする。
【解決手段】レ−ザ発生器６１と光位置検出器８を真空容器６３外に設置し、試料９を載せるあるいは加熱あるいは冷却する試料台６５を真空容器６３内に有し、真空中、加熱中、冷却中でもその場でレ−ザ反射面への照射位置、照射角度を真空容器６３外に設置されたレ−ザ発生器６１と光位置検出器８により変更するようにした。
【選択図】図９

Description

本発明は、先端に微小な探針を有するカンチレバーとカンチレバ−のレ−ザ反射面に照射するレ−ザとレ−ザの反射光の位置を検出する光位置検出器と試料を移動させる試料移動手段からなり探針の変位を光位置検出器の信号を検出することでサンプル表面の凹凸情報および物理特性を測定する走査型プローブ顕微鏡に関する。

従来の走査型プローブ顕微鏡は、先端に微小な探針を有するカンチレバーとカンチレバ−のレ−ザ反射面に照射するレ−ザとレ−ザの反射光の位置を検出する光位置検出器と試料を移動させる試料移動手段からなり探針の変位を光位置検出器の信号を測定することでサンプル表面の凹凸情報および物理特性を測定する。サンプルの物理特性として 弾性（かたさ）、吸着力などが測定される。

従来の走査型プローブ顕微鏡ではレ−ザ照射位置はカンチレバ−のレ−ザ反射面の先端にしていた。測定できる表面凹凸の高さは光位置検出器の測定レンジの制限を受けることになり、凹凸の激しい試料では測定レンジを越えるため測定できない問題点があった。また、物理特性を測定する場合には、カンチレバ−のレ−ザ反射面先端は敏感である反面、試料表面からの反力にも影響を受けやすくレ−ザ反射面は複雑な変形をしやすく物理特性と対応せず、正確な物理特性が測定できない問題点があった。

そこで、この発明は表面凹凸の激しい試料の測定において測定範囲を広げることを課題とする。さらにカンチレバ−のレ−ザ反射面先端の不安定変形の影響の無い、正確な物理特性を測定することを課題とする。

上記の問題点を解決するために、本発明では、先端に微小な探針を有するカンチレバーとカンチレバ−のレ−ザ反射面に照射するレ−ザとレ−ザの反射光の位置を検出する光位置検出器と試料を移動させる試料移動手段からなり探針の変位を光位置検出器の信号を測定することで試料表面の凹凸情報および物性を測定する走査型プローブ顕微鏡においてレ−ザ照射位置をカンチレバ−のレ−ザ反射面の根元寄り（カンチレバ−長手方向において先端、中間、根元としたとき中間と根元の間）に照射することで同じ凹凸の高さであっても光位置検出器の信号変動量を小さく抑えるようにした。さらにレ−ザ照射位置をカンチレバ−の根元寄り（カンチレバ−長手方向において先端、中間、根元としたとき中間と根元の間）に照射することでカンチレバ−のレ−ザ反射面先端の不安定変形の影響を抑え試料の正確な物理特性を測定できるようにした。
以上のように、レ−ザ照射位置をカンチレバ−のレ−ザ反射面の根元寄り（カンチレバ−長手方向において先端、中間、根元としたとき中間と根元の間）に照射することで試料の凹凸形状が激しい場合でも測定範囲を広げ、さらに、カンチレバ−のレ−ザ反射面先端の不安定変形の影響を抑え正確な物理特性を測定できるようにした。

本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
レ−ザ照射位置をカンチレバ−のレ−ザ反射面の根元寄り（カンチレバ−長手方向において先端、中間、根元としたとき中間と根元の間）に照射することで同じ凹凸の高さであっても光位置検出器の信号振幅量を小さく抑えることで凹凸形状が激しい試料でも測定できるようにする効果がある。

さらに試料の凹凸がさらに大きくなって光位置検出器の測定レンジから外れる場合でもレ−ザ照射位置をより根元寄りに照射することで光位置検出器への到達位置の差（振幅量）を小さくでき試料の凹凸の測定範囲をさらに広げる効果がある。
またレ−ザ照射位置をカンチレバ−の根元寄り（カンチレバ−長手方向において先端、中間、根元としたとき中間と根元の間）に照射することでカンチレバ−のやわらかいことと長いことによるカンチレバ−先端の不安定変形の影響を抑え試料の正確な物理特性を測定できるようにする効果がある。

またレ−ザ発生器と光位置検出器を真空容器外に設置することでカンチレバ−が熱の影響で反りが発生しても真空中のまま、あるいは加熱中のまま、あるいは冷却中のままの状態でレ−ザ照射位置およびレ−ザ照射角度を変更することでレ−ザ反射光の光位置検出器への到達位置を調整することができ測定を容易にする効果がある。

本発明は、図１に示すように先端に微小な探針を有するカンチレバーとカンチレバ−のレ−ザ反射面に照射するレ−ザとレ−ザの反射光の位置を検出する光位置検出器と試料を移動させる試料移動手段からなり探針の変位を光位置検出器の信号を検出することで試料表面の凹凸情報および物理特性を測定する走査型プローブ顕微鏡において、レ−ザをカンチレバ−のレ−ザ反射面の根元寄り（カンチレバ−長手方向において先端、中間、根元としたとき中間と根元の間）に照射するようにした。

実施例について図面を参照して説明すると、図１（ａ）は走査型プローブ顕微鏡の測定において本発明の方式の模式図である。
測定される情報として表面凹凸形状の場合を図１（ａ）で説明する。探針１を有するカンチレバ−２はレバ−固定部３に取り付けられている。レ−ザ反射面４にはレ−ザ５が根元寄り６に照射されていて反射光７は光位置検出器８の位置として検出される。探針１は試料９の表面に接触していて試料移動手段１０のスキャン動作１１により試料の凹凸に応じて上下動する。例えば探針が試料の凹部に接触しているときはレ−ザの反射光は光検出器の位置Ｄに到達する。次にスキャン動作によって探針が試料の凸部に乗り上げると反射光は位置Ｃに到達する。位置Ｄと位置Ｃの差により試料の高さの差が得られる。左右方向にスキャンすることで試料の断面形状が得られ、紙面と垂直方向に少しずらしてスキャンを繰り返すことで試料の表面凹凸形状が得られる。または試料の凹凸に応じて探針が上下動するときレ−ザ反射光の光位置検出器への到達位置が同じになるように試料移動手段の上下動作１２を操作し、操作量を試料の凹凸情報と対応づけてもよい。

図１（ａ）においてはレ−ザ反射面は直線として図示しているが実際には図１（ｂ）に示すように探針１の上下動に応じてたわみ角変化１３は先端で大きく、完全な根元で０（ゼロ）、根元寄りで小さいとなる。レ−ザの反射光の光位置検出器での到達位置はレ−ザ反射面のたわみ角変化に大きく依存する。レ−ザ反射面の根元寄りはたわみ角変化が小さくレ−ザ反射光の到達する位置Ｃと位置Ｄの差は小さくなり、レ−ザ反射光の到達位置が光位置検出器から外れにくくなり凹凸の激しい試料でも測定が可能となる。

図２に従来の方式を示す。レ−ザ反射面４は図１（ａ）と同じく直線で図示しているが変形の詳細は図１（ｂ）と同じで先端２１でたわみ角が大きい。レ−ザを先端に照射するとたわみ角変化が大きく、図１（ａ）と同一の凹凸試料を測定してもレ−ザ５の反射光７の光位置検出器８への到達位置は位置Ｃ１と位置Ｄ１と開きが大きくなる。さらに凹凸の激しい試料ではレ−ザ反射光が光位置検出器から外れてしまい、従来の方式では測定ができなくなる。

図３は本発明の方式の別の実施例の模式図である。測定される情報として試料９の表面凹凸形状の場合を示す。図１（ａ）の実施例ではカンチレバ−２はレバ−固定部３に取り付けられているが図３ではカンチレバ−２はレバ−加振手段３１に取り付けられいつも振動している。探針１が試料９の凹面にあたるときはレ−ザ反射光７は光位置検出器８の位置Ｄに到達し、離れて上限になったときはレ−ザ反射光７は位置Ｃに到達する。位置Ｄと位置Ｃの差がカンチレバ−の探針１の振幅量となる。次に試料移動手段１０のスキャン動作１１により探針１が試料９の凸部に乗り上げるとカンチレバ−の探針１の振幅量が小さくなる。振幅量の大小で試料表面の凹凸形状情報が得られる。また試料の凹凸に応じて振幅量が一定になるように試料移動手段１０の上下動作１２を制御し、上下動作の操作量で試料の凹凸形状情報としてもよい。本発明の方式ではレ−ザをレ−ザ反射面の根元寄り６に照射し、図１（ａ）で述べたのと同じくレ−ザ反射面の根元寄りがたわみ角変化の小さいことを利用し、光位置検出器での振幅量を押さえ、凹凸の激しい試料の測定も可能となる。

次に測定される情報として試料表面の弾性分布の場合を図４（ａ）、図４（ｂ）、図５（ｃ）で説明する。
図４（ａ）は弾性分布を測定するときの本方式の模式図である。探針１を有するカンチレバ−２はレバ−固定部３に取り付けられている。探針１は試料９表面のかたい部分４１に接触している。試料移動手段１０の上下動作１２により試料９も上下動する。探針１は試料９の上下動とともに上下動する。図４（ａ）は探針１が試料９のかたい部分４１の上に接触していて試料移動手段１０の上下動作１２の下限４２のときも接触している状態を示す。レ−ザ５はレ−ザ反射面４の根元寄り６に照射されていて反射光７は光位置検出器８の位置Ｆへ到達する。図４（ｂ）は試料移動手段１０の上下動作１２の上限４３のときの状態を示す。試料面がかたければ探針１を持ち上げレ−ザ反射面４は図示のように変形し反射光７は光位置検出器８の位置Ｅへ到達する。試料移動手段１０の上下動作１２を周期的に行なえばレ−ザ反射光７の到達位置は位置Ｅと位置Ｆの間を繰り返すことになる。位置Ｅと位置Ｆの差を検出することで探針１の振幅量となる。試料面がかたければ振幅量は大きくなる。図５（ｃ）は試料移動手段１０の上下動作１２を繰り返しながらスキャン動作１１により試料９を左へと移動させ探針１が試料のやわらかい部分４４上にきたときの状態を示す。探針１がやわらかい部分４４上で接触していて試料移動手段１０の上下動作１２を繰り返すと試料面がやわらかくて探針１が潜り込めばレ−ザ反射面４の変形も少なくレ−ザ反射光７の光位置検出器８への到達位置（位置Ｅ２と位置Ｆ２）の差、つまり振幅量が少なくなる。試料面がやわらかければ振幅量は小さくなる。図５（ｄ）は試料移動手段の上下動作を繰り返しながらスキャン動作で試料を移動させ試料のある断面について振幅量の変化を示したものである。探針がかたい面上にきたとき振幅量は大きくやわらかい面上にきたとき振幅量は小さくなる。試料のある断面の弾性分布となる。

図４（ａ）、図４（ｂ）、図５（ｃ）に戻って紙面と垂直方向に少しずらして同様に繰り返していけば試料表面の面内の弾性分布となる。
図６（ｅ）および図６（ｆ）はレ−ザ反射面の変形を詳細に図示した模式図である。
図６（ｅ）は従来の方法でレ−ザ５をレ−ザ反射面４の先端２１に照射しているときの状態である。試料移動手段１０の上下動作１２を繰り返しているとレ−ザ反射面４の変形は単純振動モ−ドでなくなる。走査型プロ−ブ顕微鏡で使用されるカンチレバ−２は例えば厚み１ｕｍ、長さ２００ｕｍなどのように厚さに対して長さの比率が大きく、変形しやすいばね力の小さいものであり、試料の微小なかたさの違いなどを測定する目的となっている。やわらかいことと長いことによりカンチレバ−の振動形態は単純でなくなり特に先端部２１はレ−ザ反射面４が凸面になったり凹面になったりする。レ−ザをレ−ザ反射面の先端に照射する従来の方法では凸面になったときレ−ザ反射光７は光位置検出器８の位置Ｈに到達し凹面になったとき位置Ｇに到達する。この場合には探針１がやわらかい面上で振幅量（位置Ｈと位置Ｇの差）は大きくなり、かたいと誤検出が頻発する。

図６（ｆ）は本発明の方式でレ−ザ５をレ−ザ反射面４の根元寄り６に照射しているときの状態である。カンチレバ−２はやわらかいことと長いことにより振動形態は単純でなくなるのは前述図６（ｅ）と同様であるが完全な根元では変形無し、たわみ角変化も無し、根元寄り６では必ず凹面となり、たわみ角変化も小さくなる。やわらかい面上でも振幅量は大きくならずかたい面上での振幅量より小さくなり かたい、やわらかいの検出が可能となる。

次に測定される情報として試料表面の粘着力分布の場合を図７（ａ）、図７（ｂ）、図８（ｃ）、図８（ｄ）で説明する。
図７（ａ）は粘着力分布を測定するときの本方式の模式図である。探針１を有するカンチレバ−２はレバ−加振手段３１に取り付けられている。レバ−加振手段により探針は周期的に上下動している。レ−ザ５はレ−ザ反射面４の根元寄り６に照射する。探針は試料表面にあてたり離したりさせる。探針が試料表面から離れる直前の状態を示している。レ−ザの反射光７は光位置検出器８の位置Ｆに到達している。探針が試料面から離れる直前の位置Ｆを粘着小５１の面の物性値と対応させる。次に図７（ｂ）にカンチレバ−２を周期的に振動させたまま試料移動手段１０のスキャン動作１１により探針１が試料９の粘着大５２の面にきたとき探針が試料面から離れる直前の状態を示す。レ−ザ反射面４は凸面となりレ−ザ反射光７は位置Ｆより左へ到達する。位置Ｆより左であることで粘着大と検出することができる。位置Ｆより右であれば粘着小の測定済の面よりさらに粘着小と識別できる。

図８（ｃ）、図８（ｄ）に探針１が試料９の表面から離れる直前のカンチレバ−２のレ−ザ反射面４の変形状態を詳細に示している。粘着大５２の面で探針１が拘束を受けている。カンチレバ−２はやわらかいことと長いことで探針１が離れる直前のレ−ザ反射面４の変形状態は単純ではない。図８（ｃ）は先端に照射する従来の方法であるがレ−ザの反射光７は位置Ｆ（粘着小のとき）より右に到達し粘着大にもかかわらずすでに測定済の粘着小の部分よりさらに粘着小となり正しく判断できなくなる。図８（ｄ）は本発明の方式でレ−ザ５をレ−ザ反射面４の根元寄り６に照射した場合の説明図である。レ−ザ反射面の根元寄りは必ず凸面になり、試料面の粘着が大きいほどより凸になり、レ−ザ反射光７は位置Ｆ（粘着小のとき）より必ず左へ到達する。本発明の方式ではレ−ザをレ−ザ反射面の根元寄りに照射することで粘着力の大小が測定できる。スキャン動作を試料全面に行なうことで試料表面の粘着力分布が測定できる。またレバ−加振手段の変わりにレバ−固定部とし、試料移動手段の上下動作で周期的に振動させてもよい。

次に図９に本発明の別の実施例を示す。レ−ザ発生器６１からのレ−ザ５はウインドウ６２を透過して真空容器６３内へ導入される。真空容器とウインドウは気密性が確保されていて真空容器は真空排気手段６４により真空状態が達成される。真空容器内にはカンチレバ−２と試料９と試料を加熱あるいは冷却あるいは室温のまま載せる試料台６５が設置されている。試料台は試料台移動手段６９によりスキャン動作および上下動作が可能となっている。ウインドウを介し真空容器内に導入されたレ−ザはカンチレバ−２のレ−ザ反射面の根元寄りに照射され、レ−ザの反射光７はウインドウを介し真空容器外に設置された光位置検出器８へ到達する。光位置検出器の位置により試料の凹凸形状情報、試料表面の弾性や粘着性分布などの物性を測定するのは前述のとうりである。

またレ−ザ発生器６１はレ−ザ移動手段６６に取り付けられている。レ−ザ移動手段はウインドウに対して平行移動（紙面に対し左右方向および垂直方向）の動作が可能で、ウインドウに対して垂直に導入することも投入角度を変えることも可能となっている。一方、光位置検出器８は光位置検出器移動手段６７に取り付けられている。光位置検出器移動手段は紙面に対して左右方向および垂直方向の動作が可能となっている。レ−ザ発生器も光位置検出器もどちらも真空容器外に設置されているためカンチレバ−のレ−ザ反射面のレ−ザの照射位置、照射角度を真空に排気したままの状態で調整することもできる。レ−ザの照射されている位置は図示されていない顕微鏡あるいはＣＣＤカメラで見ることができる。

さらに試料の加熱あるいは冷却を行なうとカンチレバ−も熱の影響を受ける。カンチレバ−は素材に窒化珪素あるいはシリコンが使われていてカンチレバ−のレ−ザ反射面はレ−ザの反射を効率よくする目的でアルミ、金などのコ−テイングがされている。カンチレバ−は熱の影響を受けるとカンチレバ−の母材（素材）とコ−テイング材との熱膨張係数の違いで反りが発生する。カンチレバ−に反りが発生するとレ−ザ反射面のたわみ角が変化しレ−ザ反射光の光位置検出器への到達位置がずれてしまうことになる。高温の加熱あるいは低温の冷却ではレ−ザ反射光の到達位置が光位置検出器の外へはずれてしまい、測定に入れなくなる。本発明の方式ではレ−ザと光位置検出器を真空容器外に設置することでカンチレバ−が熱の影響で反りが発生しても加熱中、冷却中の状態のままレ−ザの照射位置、照射角度を自由に調整できるので容易に測定できる。

また測定は真空中だけではなく、真空排気手段により真空にした後真空容器にガス導入６８して大気圧下で測定してもよい。さらにガス置換する際に湿度を含ませたガスを導入して測定してもよい。また真空排気せず真空容器内へガスあるいは湿度を含めたガスを常時流し続けて１気圧状態で測定してもよい。
またレ−ザの照射位置は試料に応じて変更してもよい。試料移動手段あるいは試料台移動手段の上下動作の操作量の最大は上限がある。一方、レ−ザ照射面の完全な根元はたわみ角が０であるが根元寄りをさらに根元寄りにしてやれば光位置検出器への到達位置の差（振幅量）はより小さくすることができる。例えば試料の凹凸がさらに大きくなればレ−ザ照射位置をより根元に近づければよい。物理特性においても信号量に応じてレ−ザ照射位置を変更することで調整が可能となる。

本実施の形態には、例えば以下のような技術的思想も当然に流れている。

技術的思想（１）
先端に微小な探針を有するカンチレバーとカンチレバ−のレ−ザ反射面に照射するレ−ザとレ−ザの反射光の位置を検出する光位置検出器と試料を移動させる試料移動手段からなり探針の変位を光位置検出器の信号を測定することで試料表面の凹凸情報および物理特性を測定する走査型プローブ顕微鏡において、レ−ザをカンチレバ−のレ−ザ反射面の根元寄り（レバ−長手方向において先端、中間、根元としたとき中間と根元の間）に照射することを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（２）
カンチレバ−を固定する手段を有し探針の変位から試料の表面凹凸情報を測定するようにした、技術的思想1記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（３）
カンチレバ−を固定する手段を有し探針の変位が一定になるように試料移動手段の上下動作の操作量から試料の表面凹凸情報を測定するようにした、技術的思想（１）記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（４）
カンチレバ−を振動させる加振手段を有しカンチレバ−を振動させ振幅量が一定になるように試料移動手段の上下動作の操作量から試料の表面凹凸情報を測定するようにした、技術的思想（１）記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（５）
カンチレバ−と試料との距離を相対的に振動させる加振手段を有し探針の振幅量の違いから試料表面のかたい、やわらかいの分布を測定するようにした、技術的思想（１）記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（６）
カンチレバ−と試料との距離を相対的に振動させる加振手段を有し探針が試料表面から離れる直前のカンチレバ−のたわみ角変化から試料表面の粘着性の分布を測定するようにした、技術的思想（１）記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（７）
真空容器と排気の手段を有し真空環境で測定できるようにした、技術的思想（１）記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（８）
真空容器と排気の手段を有し一度真空にしてから真空容器をガス置換してガス雰囲気中で測定できるようにした、技術的思想（１）記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（９）
ガス置換する際ガスに湿度を含ませるようにした、技術的思想（８）記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（１０）
レ−ザ発生器と光位置検出器を真空容器外に設置し、真空容器外に設置されたレ−ザ発生器からのレ−ザをウインドウを介し真空容器内に導入し、真空内に設置されたカンチレバ−に照射し、反射光をウインドウを介し真空容器外に設置された光位置検出器で検出することで真空環境で測定できるようにした、技術的思想（１）記載の走査型プローブ顕微鏡。

技術的思想（１１）
レ−ザ発生器と光位置検出器を真空容器外に設置し、試料を載せるあるいは加熱あるいは冷却する試料台を真空容器内に有し真空中、加熱中、冷却中でもその場でレ−ザ反射面への照射位置、照射角度を真空容器外に設置されたレ−ザ発生器と光位置検出器により変更するようにした走査型プロ−ブ顕微鏡。

技術的思想（１２）
試料の表面凹凸および物性に応じてレ−ザ照射位置を変更して測定するようにした、技術的思想（１）記載の走査型プロ−ブ顕微鏡

（ａ）は、走査型プロ−ブ顕微鏡で表面凹凸分布を測定するときの本発明の模式図、（ｂ）は、カンチレバ−のレ−ザ反射面の基本的な変形の詳細図である。 走査型プロ−ブ顕微鏡で表面凹凸分布を測定するときの従来の模式図である。 走査型プロ−ブ顕微鏡で表面凹凸分布を測定する際カンチレバ−側を振動させるときの本発明の模式図である。 （ａ）、（ｂ）は走査型プロ−ブ顕微鏡で弾性分布を測定するときの本発明の模式図である。 （ｃ）は走査型プロ−ブ顕微鏡で弾性分布を測定するときの本発明の模式図、（ｄ）は走査型プロ−ブ顕微鏡で弾性分布を測定するときの探針の振幅量とかたいやわらかいの関係を示す説明図である。 （ｅ）は走査型プロ−ブ顕微鏡で弾性分布を測定する際カンチレバ−の変形を詳細に盛り込んだときの従来の模式図、（ｆ）は走査型プロ−ブ顕微鏡で弾性分布を測定する際カンチレバ−の変形を詳細に盛り込んだときの本発明の模式図である。 （ａ）、（ｂ）は走査型プロ−ブ顕微鏡で粘着力分布を測定するときの本発明の模式図である。 （ｃ）は走査型プロ−ブ顕微鏡で粘着力分布を測定する際カンチレバ−の変形を詳細に盛り込んだときの従来の模式図、（ｄ）は走査型プロ−ブ顕微鏡で粘着力分布を測定する際カンチレバ−の変形を詳細に盛り込んだときの本発明の模式図である。 走査型プロ−ブ顕微鏡で表面凹凸情報、弾性あるいは粘着性などの物性情報を測定するときの本発明の模式図である。

符号の説明

１ 探針
２ カンチレバ−
３ レバ−固定部
４ レ−ザ反射面
５ レ−ザ
６ 根元寄り
７ 反射光
８ 光位置検出器
９ 試料
１０ 試料移動手段
１１ スキャン動作
１２ 上下動作
１３ たわみ角
２１ 先端
３１ レバ−加振手段
４１ かたい
４２ 上下動作の下限
４３ 上下動作の上限
４４ やわらかい
５１ 粘着小
５２ 粘着大
６１ レ−ザ発生器
６２ ウインドウ
６３ 真空容器
６４ 真空排気手段
６５ 試料台
６６ レ−ザ移動手段
６７ 光位置検出器移動手段
６８ ガス導入
６９ 試料台移動手段

Claims (2)

1. レ−ザ発生器と光位置検出器を真空容器外に設置し、試料を載せるあるいは加熱あるいは冷却する試料台を真空容器内に有し真空中、加熱中、冷却中でもその場でレ−ザ反射面への照射位置、照射角度を真空容器外に設置されたレ−ザ発生器と光位置検出器により変更するようにした走査型プロ−ブ顕微鏡。
2. 試料の表面凹凸および物性に応じてレ−ザ照射位置を変更して測定するようにした、請求項１記載の走査型プロ−ブ顕微鏡。

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