JP2006284297A - Manufacturing method of contact probe structure - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハー上の集積回路の通電検査のためのプローブカードのプローブピンを構成するコンタクトプローブ構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a contact probe structure that constitutes probe pins of a probe card for energization inspection of an integrated circuit on a semiconductor wafer.
集積回路を構成する半導体ウエハーからカットされる集積回路チップ(半導体チップ)の電気的特性を検査するための通電検査(ウエハーテスト)には、配線基板に数十本から数千本のプローブピンを配設したプローブカードが使用され、プローブピンの先端を半導体チップの回路網端子に接触接続させて通電測定が行われる。そして、近年、半導体ウエハー上の集積回路(半導体集積回路)は、製造技術の発展に伴って回路網がきわめて微細化している。そのため、プローブカードはウエハー上の電極パッドの狭ピッチ化に対応してピン配列の狭ピッチ化が進み、それに伴い、プローブピンの細径化あるいは薄型化が進んでいる。そして、プローブピンの薄型化を可能とする技術として、単一の材料からなる板材あるいは箔から所定の形状に切り出して形成する技術(例えば、特許文献1、2参照。)や、LIGAあるいはフォトリソグラフィにより所定の形状の雌型を作製した後、電鋳により形成する技術(例えば、非特許文献3参照。)が従来から知られている。
上述のように、半導体検査用プローブカードのプローブピンは、ウエハー上の電極パッドの狭ピッチ化に対応して狭ピッチ化が進むのに伴い、細径化あるいは薄型化を余儀なくされている。しかしながら、プローブピンの細径化あるいは薄型化に伴う断面積減少は、針圧の低下(ばね弾性の減少)と電気抵抗値の増加を招く。プローブピンを構成するコンタクトプローブ構造体は、所要のばね性と導電性を備えることが要求され、且つそれら両特性のバランスポイントの微妙な設計が要求されるが、従来の板材あるいは箔からの切り出しや電鋳により形成している単一あるいは合金材料から成るプローブピン構造体は、その単一あるいは合金材料の物理的特性によってばね性と導電性が決定されるため、両特性のバランスポイントに対する設計の自由度が極端に限定されたものとなり、ばね性と導電性を両立させ、且つそれら両特性のバランスポイントを細かに設定するということができない。 As described above, the probe pins of the probe card for semiconductor inspection are inevitably reduced in diameter or thickness as the pitch of the electrode pads on the wafer is reduced. However, a decrease in the cross-sectional area associated with a reduction in the diameter or thickness of the probe pin leads to a decrease in needle pressure (decrease in spring elasticity) and an increase in electrical resistance value. The contact probe structure that constitutes the probe pin is required to have the required springiness and conductivity, and a delicate design of the balance point of both characteristics is required, but it is cut out from a conventional plate or foil. The probe pin structure made of single or alloy material formed by electroforming or electroforming is designed for the balance point of both characteristics because the physical property of the single or alloy material determines the spring property and conductivity. The degree of freedom is extremely limited, and it is impossible to achieve both spring properties and conductivity, and to finely set the balance point between these two properties.
そこで、本発明者は、主にばね性に寄与する特性を持つ金属材料と主に導電性に寄与する特性を持つ金属材料とを含む物理的特性の異なる複数の金属材料を少なくとも2層以上の層構成で積層して成る板材を素材とし、この板材から所定の形状に切り出してコンタクトプローブ構造体を形成することを考えた。 Therefore, the present inventor has at least two or more layers of a plurality of metal materials having different physical characteristics including a metal material mainly having a characteristic contributing to spring properties and a metal material having a characteristic mainly contributing to conductivity. A plate material formed by laminating layers was used as a material, and a contact probe structure was formed by cutting the plate material into a predetermined shape.
その場合、主にばね性に寄与する特性を持つ金属材料と主に導電性に寄与する特性を持つ金属材料とを少なくとも2層以上の層構成で複合化したクラッド板材を素材として使用でき、この板材から、プレス加工、ワイヤ放電加工、あるいはレーザー加工などにより所定のスプリング要素を持つ形状を切り出すことにより、針圧と導電性を所定のバランスで持ち合わせたコンタクトプローブ構造体を形成することができる。 In that case, a clad plate material in which a metal material that mainly contributes to the spring property and a metal material that mainly contributes to the conductivity in a layer configuration of at least two layers can be used as a material. By cutting out a shape having a predetermined spring element from a plate material by press processing, wire electric discharge processing, laser processing, or the like, a contact probe structure having both needle pressure and conductivity in a predetermined balance can be formed.
すなわち、このコンタクトプローブ構造体は、主にばね性に寄与する特性を持つ金属材料と主に導電性に寄与する特性を持つ金属材料とが層構成を成すことにより、単一の金属材料では成し得ないばね性と導電性の両立が可能となる。そして、2種以上の金属から成る板材における各金属の厚みの比率を適切に定めることにより、ばね性と導電性のバランスポイントを細かに設定できる。また、金属材料の組み合わせを適切に選定することで、電気接点部分(ピン先)の耐摩耗性を高めることができる。 In other words, this contact probe structure is formed of a single metal material by forming a layer structure of a metal material having a characteristic mainly contributing to spring properties and a metal material having a characteristic mainly contributing to conductivity. This makes it possible to achieve both unsatisfactory springiness and conductivity. And the balance point of spring property and electroconductivity can be finely set by determining suitably the ratio of the thickness of each metal in the board | plate material which consists of 2 or more types of metals. Moreover, the wear resistance of the electrical contact portion (pin tip) can be improved by appropriately selecting the combination of metal materials.
ところが、このようにクラッド板材からコンタクトプローブ構造体を製造する場合に、市販のオーバーレイ形状の層構成を持つリボン状のクラッド板材を素材とし、この材料から所定の形状に切り出す方法で製造しようとすると、市販のクラッド板材は、コンタクトプローブ構造体のような特殊な用途を想定したものではないため、コンタクトプローブ構造体の素材としての所望の層構成を有する材料を入手しそれを所望の厚み寸法に圧延加工するためのリードタイムが大きくなり、しかも、購入するクラッド板材そのものが高価であって、これらが、多品種少量生産が求められるコンタクトプローブ構造体の製造におけるマイナス要因となる。 However, when manufacturing a contact probe structure from a clad plate material in this way, when trying to manufacture by using a ribbon-like clad plate material having a layer structure of a commercially available overlay shape and cutting it out to a predetermined shape from this material Since a commercially available clad plate material is not intended for a special use like a contact probe structure, a material having a desired layer configuration as a material of the contact probe structure is obtained and made into a desired thickness dimension. The lead time for rolling is increased, and the purchased clad plate itself is expensive, which becomes a negative factor in the production of a contact probe structure requiring high-mix low-volume production.
本発明は、半導体ウエハー上の集積回路の通電検査のためのプローブカードのプローブピンを構成するコンタクトプローブ構造体を、板状で複数の金属材料の積層構造とするコンタクトプローブ構造体の製造において、コスト低減と生産リードタイムの短縮を可能とし、多品種少量生産ヘの適合性を高めることを目的とする。 The present invention provides a contact probe structure that constitutes a probe pin of a probe card for conducting an energization inspection of an integrated circuit on a semiconductor wafer, in a contact probe structure having a plate-like laminated structure of a plurality of metal materials. The purpose is to reduce costs and shorten production lead time, and to improve compatibility with high-mix low-volume production.
本発明は、半導体ウエハー上の集積回路の通電検査のためのプローブカードのプローブピンを構成するコンタクトプローブ構造体を、板状で複数の金属材料の積層構造とするコンタクトプローブ構造体の製造において、製造しようとするコンタクトプローブ構造体が、好適には層構成が奇数層で、かつ中央層を中心とした対称構造であることから、製造しようとするコンタクトプローブ構造体の層構成を、中央層を中心とした対称構造に限定し、そうした対称構造の層構成を有するコンタクトプローブ構造体の製造におけるコスト低減と生産リードタイムの短縮を、クラッドワイヤを利用することにより実現するものである。 The present invention provides a contact probe structure that constitutes a probe pin of a probe card for conducting an energization inspection of an integrated circuit on a semiconductor wafer, in a contact probe structure having a plate-like laminated structure of a plurality of metal materials. Since the contact probe structure to be manufactured preferably has an odd layer structure and a symmetrical structure with the center layer as the center, the layer structure of the contact probe structure to be manufactured is By using a clad wire, the cost can be reduced and the production lead time can be reduced in the production of a contact probe structure having a symmetrical layer structure.
すなわち、本発明のコンタクトプローブ構造体の製造方法は、主にばね性に寄与する特性を持つ金属材料と主に導電性に寄与する特性を持つ金属材料とを含む物理的特性の異なる複数の金属材料を選定し、最終的に所望の層構成のクラッド板材を得るべく、こられの金属材料からなる、径と肉厚を適切に設計したワイヤおよびパイプを同心配置で挿入結合させてクラッドワイヤを形成し、そのクラッドワイヤを引き抜き伸線加工した後、ロール圧延し、その引き抜き伸線加工およびロール圧延加工の工程中に、必要に応じて焼鈍の工程を挟むことにより、例えば両側部を除く中央部において中央層を中心とした対称構造の層構成を有するクラッド板材を形成し、このクラッド板材から、例えば両側部を除く中央部において中央層を中心とした対称構造の層構成を有するクラッド板材の中央部から、精密打ち抜きプレス加工、レーザー切断加工、あるいはワイヤ放電加工などにより、所定の形状のコンタクトプローブ構造体を切り出す。 That is, the method for manufacturing a contact probe structure according to the present invention includes a plurality of metals having different physical characteristics, including a metal material having a characteristic mainly contributing to spring properties and a metal material having a characteristic mainly contributing to conductivity. To select the material and finally obtain the clad plate with the desired layer structure, insert the wire and pipes made of these metal materials with the appropriate diameter and wall thickness in a concentric arrangement and connect the clad wire. After forming and drawing the clad wire, it is rolled and rolled, and during the drawing and roll rolling processes, an annealing process is sandwiched between the centers, for example, excluding both sides. Forming a clad plate material having a symmetric structure centered on the central layer at the center, and for example, from the clad plate material, the central layer is centered at the central portion excluding both side portions, for example. From the center of the cladding plate having a layer construction of universal construction, fine blanking press processing, laser cutting, or by such as a wire electric discharge machining, cutting out the contact probe structure having a predetermined shape.
この方法で製造したコンタクトプローブ構造体は、板状で複数の金属材料の積層構造であり、それら複数の金属材料の層構成が3層以上の奇数層で、中央層を中心とした対称構造のものとなる。 The contact probe structure manufactured by this method is a plate-like laminated structure of a plurality of metal materials, and the layer structure of the plurality of metal materials is an odd number layer of three or more layers, and has a symmetrical structure centering on the center layer. It will be a thing.
この場合、クラッドワイヤの素材となるワイヤおよびパイプは、一般に流通している規格品をそのまま利用でき、入手容易で、かつ低コストである。また、それらワイヤおよびパイプからクラッドワイヤを形成し、それを引き抜き伸線加工およびロール圧延して所望の層構成を有するクラッド板材を形成するプロセスは比較的簡易であり、生産リードタイムの短縮が可能となる。 In this case, as the wire and pipe used as the material of the clad wire, a standard product that is generally available can be used as it is, and it is easily available and low in cost. In addition, the process of forming a clad wire from these wires and pipes, drawing and drawing and rolling them to form a clad plate material having a desired layer structure is relatively simple, and the production lead time can be shortened. It becomes.
このように、本発明によれば、半導体ウエハー上の集積回路の通電検査のためのプローブカードのプローブピンを構成するコンタクトプローブ構造体を、板状で複数の金属材料の積層構造とするコンタクトプローブ構造体の製造において、一般に流通している材料を素材とするクラッドワイヤを利用し、このクラッドワイヤから比較的簡易なプロセスでクラッド板材を形成し、該クラッド板材から切り出す方法でコンタクトプローブ構造体を製造することができ、そのため、コンタクトプローブ構造体の製造におけるコスト低減と生産リードタイムの短縮を実現することができ、多品種少量生産ヘの適合性を高めることができる。 As described above, according to the present invention, the contact probe structure constituting the probe pin of the probe card for energization inspection of the integrated circuit on the semiconductor wafer is a plate-shaped laminated structure of a plurality of metal materials. In the manufacture of the structure, a clad wire made of a generally distributed material is used, a clad plate material is formed from the clad wire by a relatively simple process, and the contact probe structure is cut out from the clad plate material. Therefore, it is possible to realize cost reduction and production lead time reduction in the production of the contact probe structure, and it is possible to improve the suitability for high-mix low-volume production.
図1〜3は本発明の実施の形態の一例を示している。図1は本発明の実施の形態の一例に係るコンタクトプローブ構造体の正面図(a)および側面図(b)、図2は同コンタクトプローブ構造体の製造プロセスのフローを示す説明図、図3は同コンタクトプローブ構造体の製造プロセスにおけるクラッド材の断面形状の変化を示す説明図である。 1 to 3 show an example of an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a front view (a) and a side view (b) of a contact probe structure according to an example of an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an explanatory view showing a flow of a manufacturing process of the contact probe structure. These are explanatory drawings which show the change of the cross-sectional shape of the clad material in the manufacturing process of the contact probe structure.
図1において、1は半導体ウエハー上の集積回路の通電検査のためのプローブカードのプローブピンを構成するコンタクトプローブ構造体(以下、プローブ構造体という。)である。
In FIG. 1,
このプローブ構造体1は、主にばね性に寄与する特性を持つ金属Aと、主に導電性に寄与する特性を持つ金属Bとからなり、主に導電性に寄与する特性を持つ金属Bの層(中央層)を挟んで、両側に主にばね性に寄与する特性を持つ金属Aの層を有する3層で中央層を中心とした対称構造の層構成を成し、一端(先端)に半導体ウエハー上の回路網端子に接触接続させる電極接続部1aを有し、他端(基端)にプローブカードの配線基板2に接続固定される基端接続部1bを有し、中間に弾性変形可能な曲折したばね部1cを有する垂直針型のプローブピンを構成する。なお、このプローブ構造体は、垂直針型の他、カンチレバー型その他のプローブピンを構成するものであってよい。
This
外側の2層を構成する主にばね性に寄与する特性を持つ金属Aは、例えばステンレス鋼である。また、中間の主に導電性に寄与する特性を持つ金属Bは、例えば金合金、ニッケルあるいはニッケル合金等である。 The metal A which has the characteristic which mainly contributes to springiness which comprises two outside layers is stainless steel, for example. In addition, the metal B having a characteristic mainly contributing to conductivity in the middle is, for example, a gold alloy, nickel, a nickel alloy, or the like.
このコンタクトプローブ構造体1の製造プロセスの概略は図2に示すとおりである。
The outline of the manufacturing process of the
まず、金属Aから成るパイプと、金属Bからなるワイヤの表面を各々洗浄する(ステップS1、S2)。 First, the surface of the pipe made of metal A and the surface of the wire made of metal B are cleaned (steps S1 and S2).
その後、金属Aから成るパイプの内側に金属Bからなるワイヤを挿入して結合せしめ、図3にaで示すような断面円形で金属Aと金属Bが同心配置で結合されて成るクラッドワイヤを形成する(ステップS3)。 After that, a wire made of metal B is inserted and bonded inside the pipe made of metal A to form a clad wire in which metal A and metal B are connected concentrically with a circular cross section as shown in FIG. (Step S3).
そして、そのクラッドワイヤaを引き抜き伸線加工して、図3にbで示すような線径の小さいクラッドワイヤとし(ステップS4)、途中、必要に応じて焼鈍を行い(ステップS5)、引き抜き伸線加工を繰り返して、図3にcで示すような所定の線径のクラッドワイヤとする(ステップS6)。この過程で、金属Aと金属Bの境界面では伸線における強変形による転位と焼鈍における加熱によって拡散が促され、強固な結合面が形成される。 Then, the clad wire a is drawn and drawn into a clad wire having a small wire diameter as shown by b in FIG. 3 (step S4), and annealed as needed during the process (step S5). The wire processing is repeated to obtain a clad wire having a predetermined wire diameter as indicated by c in FIG. 3 (step S6). In this process, diffusion is promoted at the boundary surface between the metal A and the metal B by dislocation due to strong deformation in wire drawing and heating in annealing, and a strong bonding surface is formed.
そして、この所定の線径まで引き抜き伸線加工したクラッドワイヤcをロール圧延して、図3にdで示すような偏平なクラッドワイヤとし(ステップS7)、途中、必要に応じて焼鈍を行い(ステップS8)、図3にeで示すような所定の厚さのリボン状のクラッド板材を得る。こうしてロール圧延により得られたリボン状のクラッド板材eは、両側部を除いた中央部でダブルオーバーレイ形状の層構成となる。また、このロール圧延および焼鈍によって金属結合面は一層強固なものとなる。 Then, the clad wire c drawn and drawn to the predetermined wire diameter is roll-rolled into a flat clad wire as indicated by d in FIG. 3 (step S7), and annealed as needed during the process (step S7). Step S8), a ribbon-like clad plate material having a predetermined thickness as shown by e in FIG. 3 is obtained. The ribbon-like clad plate material e thus obtained by roll rolling has a double overlay layer structure at the center portion excluding both side portions. Moreover, the metal bonding surface becomes stronger by this roll rolling and annealing.
そして、このロール圧延により得られたリボン状のクラッド板材eのダブルオーバーレイ形状の層構成となった中央部を、精密打ち抜きプレス加工、レーザー切断加工、あるいはワイヤ放電加工などにより所定のプローブ構造体の形状に切り出す(ステップS10)。 And the center part which became the double overlay shape layer structure of the ribbon-shaped clad board material e obtained by this roll rolling is made into a predetermined probe structure body by precision punching press processing, laser cutting processing, wire electric discharge processing, etc. Cut into a shape (step S10).
こうして例えば図1に示すような垂直針型のプローブピンを構成するプローブ構造体1が得られる。そして、必要に応じ、プローブ構造体1の表面全体あるいは一部にメッキ(金メッキなど)、絶縁コーティング等が施される。
Thus, for example, a
なお、プローブ構造体は、設計目標値である構造体寸法、針圧および電気抵抗値を総合的に考慮して、使用する金属材料および層構成(層の配列および各層の厚み)が決定される。金属材料の選定に際しては、クラッドが可能な金属の組み合わせであることが不可欠な条件となるが、プローブ構造体が使用される温度において金属の熱膨張係数の違いに起因して構造体に大きな応力あるいは歪みを生じさせないことも考慮する必要がある。 In the probe structure, the metal material to be used and the layer configuration (layer arrangement and thickness of each layer) are determined in consideration of the structure target size, the needle pressure, and the electrical resistance value, which are design target values. . When selecting a metal material, it is indispensable to have a combination of metals that can be clad. However, a large stress is applied to the structure due to the difference in the coefficient of thermal expansion of the metal at the temperature at which the probe structure is used. It is also necessary to consider not causing distortion.
層構成が3層以外の奇数層のプローブ構造体の場合も、同様の方法で製造することができる。そして、それらはいずれも、中央層を中心とした対称構造のものとなる。 In the case of a probe structure having an odd number of layers other than three layers, it can be manufactured by the same method. All of them have a symmetrical structure with the central layer as the center.
1 コンタクトプローブ構造体(プローブ構造体)
1a 電極接触部
1b 基板接続部
1c ばね部
2 配線基板
A 主にばね性に寄与する特性を持つ金属
B 主に導電性に寄与する特性を持つ金属
a、b、c、d クラッドワイヤ
e クラッド板材
1 Contact probe structure (probe structure)
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