JP2006278491A - Irradiating apparatus - Google Patents

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Koichi Tsukihara
浩一 月原
Narihiro Morosawa
成浩 諸沢
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an irradiating apparatus which can prevent irradiation unevenness, without complicating the configurations by high irradiation intensity, when an increased precision performs unwanted light irradiation. <P>SOLUTION: A plurality of laser beams by a plurality of laser light sources 11-17 are ejected through an optical fiber bundle 2. Paired cylindrical lens array 4 overlays in the direction of an x axis about these plurality of the laser beams, and the luminance is equalized in the direction of the x axis. After the equalizing, the laser beams glare to the irradiation object 6. Consequently, the irradiation unevenness can be prevented in the irradiation object 6. Moreover, such an equalization optical means can constitute only by the paired cylindrical lens array 4. It is not necessary to use a finely optical element device. Thus, the irradiation apparatus can consist of a simple configuration, without complicating the configuration. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、複数の半導体レーザを光源として照射対象物に対して光照射を行う照射装置に関する。   The present invention relates to an irradiation apparatus that performs light irradiation on an irradiation object using a plurality of semiconductor lasers as light sources.

従来より、例えば液晶表示装置や有機EL(ElectroLuminescence)表示装置の製造工程において、回路素子などを多結晶シリコンにより形成するため、連続発振するレーザを用いてシリコン薄膜をアニールする方法が知られている。このようにレーザ光によりアニールする方法は、シリコン薄膜を部分的に照射するため、基板全体が高温となってしまうのを回避することができ、基板としてガラス基板を用いることができるという利点がある。   2. Description of the Related Art Conventionally, a method of annealing a silicon thin film using a continuously oscillating laser is known in order to form circuit elements or the like with polycrystalline silicon in a manufacturing process of a liquid crystal display device or an organic EL (ElectroLuminescence) display device, for example. . In this way, the method of annealing with laser light partially irradiates the silicon thin film, so that the entire substrate can be prevented from becoming high temperature, and a glass substrate can be used as the substrate. .

例えば、特許文献1には、レーザ光源として、エキシマレーザやYAGレーザを用いたレーザアニール方法についての技術が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a technique regarding a laser annealing method using an excimer laser or a YAG laser as a laser light source.

また、特許文献2には、レーザ光源として、半導体レーザを用いたレーザアニール方法についての技術が開示されている。   Patent Document 2 discloses a technique regarding a laser annealing method using a semiconductor laser as a laser light source.

さらに、特許文献3には、レーザ光源として、複数の光ファイバに結合されてバンドル化された複数の半導体レーザを用い、さらにマイクロミラーデバイス(DMD;Digital Micromirror Device)を用いるようにしたレーザアニール方法についての技術が開示されている。具体的には、例えば図7に示したように、このバンドル化された半導体レーザ光源101から射出されたレーザ光は、レンズ系103によってDMD104に照射される。そしてこのDMD104における像は、レンズ系105A,105Bによって、ステージ107上に搭載された照射対象物106に結像され、照射されるようになっている。   Further, Patent Document 3 discloses a laser annealing method in which a plurality of semiconductor lasers coupled to a plurality of optical fibers and bundled as a laser light source are used, and a micromirror device (DMD; Digital Micromirror Device) is further used. The technology about is disclosed. Specifically, for example, as shown in FIG. 7, the laser light emitted from the bundled semiconductor laser light source 101 is irradiated to the DMD 104 by the lens system 103. The image on the DMD 104 is formed on the irradiation object 106 mounted on the stage 107 and irradiated by the lens systems 105A and 105B.

特開2003−168646号公報JP 2003-168646 A 特開2004−87667号公報JP 2004-87667 A 特開2004−6440号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-6440

ところで、特許文献1では、上記のようにレーザ光源としてエキシマレーザやYAGレーザを用いているが、これらのレーザは、光源として利用する際の安定性に欠いたり、装置の構成が大型化してしまうという問題があった。したがって、これらの点を考慮すると、レーザ光源としては、半導体レーザを用いることが望ましい。   By the way, in Patent Document 1, an excimer laser or a YAG laser is used as a laser light source as described above. However, these lasers lack stability when used as a light source, and the configuration of the apparatus becomes large. There was a problem. Therefore, considering these points, it is desirable to use a semiconductor laser as the laser light source.

特許文献2では、上記のようにレーザ光源として半導体レーザを用いている。しかしながら、この半導体レーザは、エキシマレーザを用いたパルスレーザアニール装置などと比べるとレーザの利用効率が劣るため、半導体レーザを用いた場合には、レーザの出力が不足してしまうという問題点があった。   In Patent Document 2, a semiconductor laser is used as a laser light source as described above. However, since this semiconductor laser is inferior in laser utilization efficiency compared to a pulse laser annealing apparatus using an excimer laser, there is a problem that the output of the laser is insufficient when a semiconductor laser is used. It was.

特許文献3では、上記のようにバンドル化された半導体レーザ光源101を用いたことで、レーザの出力が増強し、照射強度が向上している。また、DMD104を用いたことで、このDMD104の画素数と同精度の高精度なレーザアニールが可能となる利点もある。   In Patent Document 3, by using the semiconductor laser light source 101 bundled as described above, the output of the laser is enhanced and the irradiation intensity is improved. Further, the use of the DMD 104 has an advantage that high-precision laser annealing with the same accuracy as the number of pixels of the DMD 104 can be performed.

しかしながら、複数の半導体レーザをバンドル化する際の配置誤差や、各光ファイバの射出特性の個体差などに起因して、DMD104への照射むらが生じ、この照射むらが最終的に、照射対象物106における照射対象面での結晶化むらを引き起こしてしまうという問題があった。   However, due to arrangement errors when bundling a plurality of semiconductor lasers, individual differences in the emission characteristics of each optical fiber, etc., uneven irradiation to the DMD 104 occurs, and this uneven irradiation finally becomes an irradiation object. There is a problem that non-uniform crystallization occurs on the irradiation target surface in 106.

ここで、特許文献3では、このDMD104の代わりに、照射光の輝度を制御可能なGLV(Grating Light Value)を用いた構成についても記載されている。しかしながら、このようなDMDやGLVなどの微細な光学素子デバイスを用いると、例えばそのような高精度でのレーザアニールが不要な場合(例えば、画素ピッチがそれほど微細ではない大型の液晶表示装置に対する場合など)などには、装置全体の構成が複雑化してしまうこととなる。   Here, Patent Document 3 also describes a configuration using GLV (Grating Light Value) capable of controlling the luminance of irradiation light instead of the DMD 104. However, when such a fine optical element device such as DMD or GLV is used, for example, when such high-precision laser annealing is not required (for example, for a large-sized liquid crystal display device with a pixel pitch not so fine). Etc.), the configuration of the entire apparatus becomes complicated.

このように、従来の技術では、高精度化が不要な光照射を行う際に、高い照射強度で構成を複雑化することなく、照射むらを防止することが困難であった。   As described above, in the conventional technique, when performing light irradiation that does not require high accuracy, it is difficult to prevent irradiation unevenness without complicating the configuration with high irradiation intensity.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高精度化が不要な光照射を行う際に、高い照射強度で構成を複雑化することなく、照射むらを防止することが可能な照射装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and its purpose is to prevent uneven irradiation without complicating the configuration with high irradiation intensity when performing light irradiation that does not require high accuracy. It is to provide a possible irradiation device.

本発明の第1の照射装置は、複数の半導体レーザ光を射出するレーザ光源と、このレーザ光源から射出された複数の射出レーザ光を集光する第1の光学手段と、この第1の光学手段により集光された複数の集光レーザ光に基づいて均一化された2次光源を生成する均一化光学手段と、この均一化光学手段により生成された2次光源からの光束を照射対象物に対してそれぞれ照射する第2の光学手段とを備えたものである。   A first irradiation apparatus of the present invention includes a laser light source that emits a plurality of semiconductor laser beams, a first optical unit that condenses a plurality of emitted laser beams emitted from the laser light source, and the first optical device. Uniform optical means for generating a uniform secondary light source based on a plurality of condensed laser beams condensed by the means, and a light beam from the secondary light source generated by the uniform optical means And second optical means for irradiating each of the above.

本発明の第2の照射装置は、複数の半導体レーザ光を射出するレーザ光源と、このレーザ光源から射出された複数の射出レーザ光を集光する第1の光学手段と、この第1の光学手段により集光された複数の集光レーザ光に基づいて均一化された2次光源を生成する均一化光学手段と、この均一化光学手段により生成された2次光源からの光束を照射対象物に対してそれぞれ照射する第2の光学手段と、照射対象物を搭載するステージと、このステージに搭載されている照射対象物を搭載面内で走査することにより、2次光源からの光束の照射位置をそれぞれ相対移動させる照射位置制御手段とを備えたものである。   The second irradiation apparatus of the present invention includes a laser light source for emitting a plurality of semiconductor laser beams, a first optical means for condensing a plurality of emitted laser beams emitted from the laser light source, and the first optical device. Uniform optical means for generating a uniform secondary light source based on a plurality of condensed laser beams condensed by the means, and a light beam from the secondary light source generated by the uniform optical means A second optical means for irradiating the light beam, a stage on which the irradiation object is mounted, and irradiation of the light beam from the secondary light source by scanning the irradiation object mounted on the stage within the mounting surface Irradiation position control means for moving the positions relative to each other is provided.

本発明の照射装置では、複数の半導体レーザからなるレーザ光源によって複数のレーザ光が射出され、第1の光学手段によって集光される。この集光された複数の集光レーザ光に基づいて、均一化光学手段によって、均一化された2次光源が生成される。そして均一化された2次光源からの光束が、第2の光学手段によって照射対象物に照射される。   In the irradiation apparatus of the present invention, a plurality of laser beams are emitted by a laser light source composed of a plurality of semiconductor lasers and condensed by a first optical means. A uniformed secondary light source is generated by the uniformizing optical means based on the collected plurality of focused laser beams. The uniform light beam from the secondary light source is irradiated to the irradiation object by the second optical means.

本発明の照射装置によれば、光源を複数の半導体レーザにより構成すると共にこのレーザ光源から射出された複数のレーザ光を重ね合わせ、輝度を均一化してから照射対象物に対して照射するようにしたので、高精度化が不要な光照射を行う際に、高い照射強度で構成を複雑化することなく、照射むらを防止することが可能となる。   According to the irradiation apparatus of the present invention, the light source is composed of a plurality of semiconductor lasers, and a plurality of laser beams emitted from the laser light source are superposed to equalize the brightness before irradiating the irradiation object. Therefore, when performing light irradiation that does not require high accuracy, uneven irradiation can be prevented without complicating the configuration with high irradiation intensity.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[第1の実施の形態]
図1および図2は、本発明の第1の実施の形態に係る照射装置の構成を表すものであり、図1はy軸方向からの上面図を、図2は図1におけるA−A部分の矢視断面図を、それぞれ表している。この照射装置は、ステージ7上に搭載された照射対象物6の照射対象面61に対して、複数の半導体レーザ11〜17から射出されたレーザ光に基づく光(x軸方向を長軸方向とする線状ビーム)を照射するものであり、複数の半導体レーザ11〜17と、これら半導体レーザ11〜17にそれぞれ結合されたマルチモード光ファイバ21〜27からなる光ファイバ束2と、コンデンサレンズ31と、シリンドリカルレンズアレイ対4と、コンデンサレンズ51と、集光レンズ52と、ステージ7と、照射位置制御部8とを備えている。
[First Embodiment]
1 and 2 show a configuration of an irradiation apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a top view from the y-axis direction, and FIG. 2 is a portion AA in FIG. The cross-sectional views of each are shown. This irradiation apparatus applies light based on laser light emitted from a plurality of semiconductor lasers 11 to 17 to the irradiation target surface 61 of the irradiation target 6 mounted on the stage 7 (the x-axis direction is a major axis direction). A plurality of semiconductor lasers 11 to 17, an optical fiber bundle 2 composed of multimode optical fibers 21 to 27 coupled to the semiconductor lasers 11 to 17, and a condenser lens 31. And a cylindrical lens array pair 4, a condenser lens 51, a condenser lens 52, a stage 7, and an irradiation position control unit 8.

半導体レーザ11〜17は、いずれも連続発振する半導体レーザにより構成され、x軸方向に沿って1次元にアレイ状に配列されている。これら半導体レーザ11〜17としては、射出されるレーザ光の波長が600〜1700nmのものを用いることが可能であるが、例えば、高出力の半導体レーザである波長が800nm近傍のもの、または波長が940nm近傍のものを用いることが好ましい。また、これら半導体レーザ11〜17は、それぞれ、上記のように光ファイバ束2におけるマルチモード光ファイバ21〜27に結合されており、半導体レーザ11〜17によるレーザ光は、この光ファイバ束2を介して射出される。したがって、この光ファイバ束2の射出端面も、半導体レーザ11〜17と同様に、x軸方向に沿って1次元にアレイ化されている。照射装置の光源をこのようにして構成したことで、照射強度の一様性が向上し、さらに光源が小型化するようになっている。なお、これら半導体レーザ11〜17および光ファイバ束2は、本発明における「レーザ光源」の一具体例に対応する。   Each of the semiconductor lasers 11 to 17 is constituted by a semiconductor laser that continuously oscillates, and is arranged in an array in one dimension along the x-axis direction. As these semiconductor lasers 11 to 17, a laser beam having a wavelength of 600 to 1700 nm can be used. For example, a high-power semiconductor laser having a wavelength of around 800 nm or a wavelength of It is preferable to use the one near 940 nm. The semiconductor lasers 11 to 17 are respectively coupled to the multimode optical fibers 21 to 27 in the optical fiber bundle 2 as described above, and the laser light from the semiconductor lasers 11 to 17 passes through the optical fiber bundle 2. Is injected through. Therefore, the emission end face of the optical fiber bundle 2 is also arrayed one-dimensionally along the x-axis direction, like the semiconductor lasers 11-17. By configuring the light source of the irradiation device in this way, the uniformity of the irradiation intensity is improved and the light source is further miniaturized. The semiconductor lasers 11 to 17 and the optical fiber bundle 2 correspond to a specific example of “laser light source” in the present invention.

コンデンサレンズ31は、正のパワーを有するレンズであり、光束のx軸方向成分を集光する(図1参照)と共に、y軸方向成分を平行光束とする(図2参照)ものである。また、このコンデンサレンズ31の配置および焦点距離は、光ファイバ束2の射出端面から射出された複数のレーザ光が、それぞれ、下記のシリンドリカルレンズアレイ41に応じて選択されるようになっている。なお、このコンデンサレンズ31は、本発明における「第1の光学手段」および「第2のコンデンサ光学系」の一具体例に対応する。   The condenser lens 31 is a lens having positive power, and condenses the x-axis direction component of the light beam (see FIG. 1) and also converts the y-axis direction component into a parallel light beam (see FIG. 2). In addition, the arrangement and focal length of the condenser lens 31 are such that a plurality of laser beams emitted from the emission end face of the optical fiber bundle 2 are selected in accordance with the following cylindrical lens array 41. The condenser lens 31 corresponds to a specific example of “first optical means” and “second condenser optical system” in the present invention.

シリンドリカルレンズアレイ対4は、一対のシリンドリカルレンズアレイ41,42により構成され、これらシリンドリカルレンズアレイ41,42は、それぞれx軸方向に沿ってアレイ状に配列されている。このような構成によりシリンドリカルレンズアレイ対4は、複数の光束を重ね合わせることでそれぞれの輝度をx軸方向で均一化する(図1参照)と共に、シリンドリカルレンズアレイ42上に2次光源を形成するようになっている。なお、このシリンドリカルレンズアレイ対4は、本発明における「均一化光学手段」の一具体例に対応する。   The cylindrical lens array pair 4 includes a pair of cylindrical lens arrays 41 and 42, and the cylindrical lens arrays 41 and 42 are respectively arranged in an array along the x-axis direction. With such a configuration, the cylindrical lens array pair 4 superimposes a plurality of light beams to make each luminance uniform in the x-axis direction (see FIG. 1), and also forms a secondary light source on the cylindrical lens array 42. It is like that. The cylindrical lens array pair 4 corresponds to a specific example of “homogenizing optical means” in the present invention.

コンデンサレンズ51は、正のパワーを有するレンズであり、複数の光束のx軸方向成分をそれぞれ重ね合わせて照射対象物6へ照射する(図1参照)ものである。また、集光レンズ52も、正のパワーを有するレンズであり、複数の光束のy軸方向成分を集光して照射対象物6へ照射する(図2参照)ものである。なお、これらコンデンサレンズ51および集光レンズ52は、本発明における「第2の光学手段」の一具体例に対応する。また、コンデンサレンズ51は本発明における「第1のコンデンサ光学系」の一具体例に対応し、集光レンズ52は本発明における「第1の集光光学系」の一具体例に対応する。   The condenser lens 51 is a lens having a positive power and irradiates the irradiation object 6 with the x-axis direction components of a plurality of light beams superimposed on each other (see FIG. 1). The condensing lens 52 is also a lens having positive power, and condenses the y-axis direction components of a plurality of light beams and irradiates the irradiation object 6 (see FIG. 2). The condenser lens 51 and the condenser lens 52 correspond to a specific example of “second optical means” in the invention. The condenser lens 51 corresponds to a specific example of “first condenser optical system” in the present invention, and the condenser lens 52 corresponds to a specific example of “first condenser optical system” in the present invention.

照射対象物6は、照射対象面61に照射光(上記したように、x軸方向を長軸方向とする線状ビーム)が照射されるものであり、具体的には例えば、液晶表示装置や有機EL表示装置におけるTFT(Thin Film Transistor)パネルなどが挙げられる。また、ステージ7は、前述のように照射対象物6を搭載するものである。照射位置制御部8は、このステージ7のY方向の動作制御を行うものであり、照射対象物6を搭載面で走査することによって、照射光の照射位置をy軸方向に相対移動させるようになっている。なお、この照射位置制御部8は、本発明における「照射位置制御手段」の一具体例に対応する。   The irradiation object 6 is an object to which the irradiation target surface 61 is irradiated with irradiation light (as described above, a linear beam having the x-axis direction as the long axis direction). Specifically, for example, a liquid crystal display device, Examples include TFT (Thin Film Transistor) panels in organic EL display devices. Moreover, the stage 7 mounts the irradiation target object 6 as mentioned above. The irradiation position control unit 8 controls the operation of the stage 7 in the Y direction. By scanning the irradiation target 6 with the mounting surface, the irradiation position of the irradiation light is relatively moved in the y-axis direction. It has become. The irradiation position control unit 8 corresponds to a specific example of “irradiation position control means” in the present invention.

次に、このような構成からなる照射装置の作用を、x軸方向(図1)とy軸方向(図2)とに分けて説明する。   Next, the operation of the irradiation apparatus having such a configuration will be described separately in the x-axis direction (FIG. 1) and the y-axis direction (FIG. 2).

まず、x軸方向については、光ファイバ束2の射出端面から射出された複数のレーザ光は、それぞれ、コンデンサレンズ31によって集光され、シリンドリカルレンズアレイ対4に入射する。ここで、前述のように、これら集光された複数のレーザ光は、それぞれシリンドリカルレンズアレイ41を照射するようになっていることから、このシリンドリカルレンズアレイ41上でこれら複数のレーザ光が重ね合わされ、その輝度が均一化する。   First, in the x-axis direction, a plurality of laser beams emitted from the emission end face of the optical fiber bundle 2 are collected by the condenser lens 31 and incident on the cylindrical lens array pair 4. Here, as described above, each of the collected laser beams irradiates the cylindrical lens array 41. Therefore, the plurality of laser beams are superimposed on the cylindrical lens array 41. , The brightness becomes uniform.

このようにして均一化された複数のレーザ光は、シリンドリカルレンズアレイ42上に2次光源を形成する。そしてこの2次光源から射出された光束は、コンデンサレンズ51によって、照射対象物6の照射対象面61に、重ね合わされた状態で照射される。   The plurality of laser beams uniformized in this way forms a secondary light source on the cylindrical lens array 42. The light beam emitted from the secondary light source is irradiated by the condenser lens 51 in a state of being superimposed on the irradiation target surface 61 of the irradiation target 6.

一方、y軸方向については、光ファイバ束2の射出端面から射出された複数のレーザ光は、それぞれ、コンデンサレンズ31によって平行光束となり、集光レンズ52によって、照射対象物6の照射対象面61に、集光された状態で照射される。   On the other hand, in the y-axis direction, each of the plurality of laser beams emitted from the emission end face of the optical fiber bundle 2 is converted into a parallel light beam by the condenser lens 31, and the irradiation target surface 61 of the irradiation target object 6 by the condenser lens 52. Are irradiated in a focused state.

このようにして照射対象物6では、x軸方向が長軸方向でy軸方向が短軸方向となり、その輝度が均一化された複数のレーザ光が、それぞれ照射される。また、このような状態のもと、照射対象物8を搭載したステージ7が、照射位置制御部8によってY方向に移動することにより、照射対象物6が、その搭載面内で2次元的に照射される。   In this way, the irradiation object 6 is irradiated with a plurality of laser beams whose luminance is uniform, with the x-axis direction being the major axis direction and the y-axis direction being the minor axis direction. Further, in this state, the stage 7 on which the irradiation object 8 is mounted is moved in the Y direction by the irradiation position control unit 8 so that the irradiation object 6 is two-dimensionally within the mounting surface. Irradiated.

以上のように、本実施の形態によれば、光ファイバ束2を介してレーザ光源11〜17からそれぞれ射出された複数のレーザ光を、シリンドリカルレンズアレイ対4においてx軸方向に重ね合わせ、その輝度をx軸方向に均一化してから照射対象物6に対して照射するようにしたので、照射対象物6における照射むらを防止することが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, a plurality of laser beams respectively emitted from the laser light sources 11 to 17 via the optical fiber bundle 2 are superposed in the x-axis direction in the cylindrical lens array pair 4, Since the irradiation target 6 is irradiated after the luminance is made uniform in the x-axis direction, uneven irradiation on the irradiation target 6 can be prevented.

また、このような均一化光学手段を、シリンドリカルレンズアレイ対4のみによって構成することが可能であり、例えばDMDやGLVなどの微細な光学素子デバイスを用いる必要がないので、高精度化が不要な光照射を行う際に、構成を複雑化することなく、簡易な構成で照射装置を構成することが可能となる。   Further, such a homogenizing optical means can be constituted by only the cylindrical lens array pair 4, and it is not necessary to use a fine optical element device such as DMD or GLV. When performing light irradiation, the irradiation apparatus can be configured with a simple configuration without complicating the configuration.

さらに、複数の半導体レーザ11〜17を光ファイバ束2によって結合し、x軸方向にアレイ化したものを光源とするように構成したので、照射するレーザ光の照射強度を向上させると共に照射領域を拡大することができることから、照射装置の照射処理能力を向上させることが可能となる。よって、レーザアニールに適した照射装置を構成することが可能となる。なお、この場合、x軸方向にはレーザ光を均一化でき、複数の半導体レーザ11〜17のアレイ化配置の精度を考慮する必要がないことから、これらのアレイ化配置に関しては、y軸方向の精度のみを考慮すればよいこととなる。   In addition, since the plurality of semiconductor lasers 11 to 17 are coupled by the optical fiber bundle 2 and are arranged in the x-axis direction as a light source, the irradiation intensity of the laser beam to be irradiated is improved and the irradiation region is Since it can be enlarged, the irradiation processing capability of the irradiation apparatus can be improved. Therefore, it is possible to configure an irradiation apparatus suitable for laser annealing. In this case, since the laser beam can be made uniform in the x-axis direction, and there is no need to consider the accuracy of the array arrangement of the plurality of semiconductor lasers 11 to 17, the y-axis direction is used for these array arrangements. Therefore, only the accuracy of the above needs to be considered.

[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態の照射装置の構成は、基本的には第1の実施の形態と同様である。第1の実施の形態と異なるのは、本発明における第1の光学手段の構成、すなわち第1の実施の形態におけるコンデンサレンズ31の部分の構成である。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The configuration of the irradiation apparatus of the present embodiment is basically the same as that of the first embodiment. The difference from the first embodiment is the configuration of the first optical means in the present invention, that is, the configuration of the condenser lens 31 portion in the first embodiment.

図3および図4は、本実施の形態に係る照射装置の構成を表すものであり、図3はy軸方向からの上面図を、図4は図3におけるB−B部分の矢視断面図を、それぞれ表している。すなわち、図3,図4はそれぞれ、第1の実施の形態における図1,図2に対応するものである。なお、これらの図において、第1の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。   3 and 4 show the configuration of the irradiation apparatus according to the present embodiment. FIG. 3 is a top view from the y-axis direction, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. Respectively. That is, FIG. 3 and FIG. 4 correspond to FIG. 1 and FIG. 2 in the first embodiment, respectively. In these drawings, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

本実施の形態の照射装置は、第1の実施の形態におけるコンデンサレンズ31の代わりに、フィールドレンズ32、コリメータレンズ33およびコンデンサレンズ34を備えたものである。ここで、これらフィールドレンズ32、コリメータレンズ33およびコンデンサレンズ34は、本発明における「第1の光学手段」の一具体例に対応する。   The irradiation apparatus according to the present embodiment includes a field lens 32, a collimator lens 33, and a condenser lens 34 instead of the condenser lens 31 in the first embodiment. Here, the field lens 32, the collimator lens 33, and the condenser lens 34 correspond to a specific example of "first optical means" in the present invention.

フィールドレンズ32は、正のパワーを有するレンズであり、複数の光束をそれぞれ、x軸方向にやや集光させる(図3参照)ものである。一方、コリメータレンズ33は、複数の光束をそれぞれ、y軸方向の平行光束とする(図4参照)ものである。また、コンデンサレンズ34は、フィールドレンズ32によってやや集光された複数の光束をそれぞれ、x軸方向において集光する(図3参照)ものである。なお、フィールドレンズ32は本発明における「第1のコリメータレンズ」の一具体例に対応し、コリメータレンズ33は本発明における「第2のコリメータレンズ」の一具体例に対応し、コンデンサレンズ34は本発明における「第2の集光光学系」の一具体例に対応する。   The field lens 32 is a lens having a positive power, and condenses a plurality of light beams in the x-axis direction (see FIG. 3). On the other hand, the collimator lens 33 converts the plurality of light beams into parallel light beams in the y-axis direction (see FIG. 4). The condenser lens 34 collects a plurality of light beams slightly condensed by the field lens 32 in the x-axis direction (see FIG. 3). The field lens 32 corresponds to a specific example of “first collimator lens” in the present invention, the collimator lens 33 corresponds to a specific example of “second collimator lens” in the present invention, and the condenser lens 34 This corresponds to a specific example of “second condensing optical system” in the present invention.

このような構成により本実施の形態の照射装置では、光ファイバ束2の射出端面から射出された複数のレーザ光はそれぞれ、フィールドレンズ32およびコリメータレンズ33によって、x軸方向とy軸方向とで、別々にその方向が制御され、照射対象物6へ照射されることとなる。   With this configuration, in the irradiation apparatus according to the present embodiment, the plurality of laser beams emitted from the emission end face of the optical fiber bundle 2 are respectively separated in the x-axis direction and the y-axis direction by the field lens 32 and the collimator lens 33. The direction is controlled separately, and the irradiation object 6 is irradiated.

以上のように、本実施の形態によれば、光ファイバ束2の射出端面から射出された複数のレーザ光をそれぞれ、フィールドレンズ32およびコリメータレンズ33によって、x軸方向とy軸方向とで別々に制御するようにしたので、第1の実施の形態における効果に加え、設計の自由度を向上させ、照射装置を構成する際の光路の構成などを容易に調整することが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, a plurality of laser beams emitted from the emission end face of the optical fiber bundle 2 are respectively separated in the x-axis direction and the y-axis direction by the field lens 32 and the collimator lens 33. In addition to the effects of the first embodiment, the degree of freedom in design can be improved, and the configuration of the optical path when configuring the irradiation apparatus can be easily adjusted.

[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。本実施の形態の照射装置の構成は、基本的には第2の実施の形態と同様である。第2の実施の形態と異なるのは、本発明における第2の光学手段の構成、すなわち第2の実施の形態におけるコンデンサレンズ51および集光レンズ52の部分の構成である。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The configuration of the irradiation apparatus of the present embodiment is basically the same as that of the second embodiment. What is different from the second embodiment is the configuration of the second optical means in the present invention, that is, the configuration of the condenser lens 51 and the condenser lens 52 in the second embodiment.

図5および図6は、本実施の形態に係る照射装置の構成を表すものであり、図5はy軸方向からの上面図を、図6は図5におけるC−C部分の矢視断面図を、それぞれ表している。すなわち、図5,図6はそれぞれ、第1の実施の形態における図1,図2、ならびに第2の実施の形態における図3,図4に対応するものである。なお、これらの図において、第1および第2の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。   5 and 6 show the configuration of the irradiation apparatus according to the present embodiment. FIG. 5 is a top view from the y-axis direction, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. Respectively. That is, FIGS. 5 and 6 correspond to FIGS. 1 and 2 in the first embodiment, and FIGS. 3 and 4 in the second embodiment, respectively. In these drawings, the same components as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

本実施の形態の照射装置は、第2の実施の形態の照射装置において、絞り53およびリレーレンズ対54をさらに追加した構成である。すなわち、本発明における「第2の光学手段」を、第2の実施の形態におけるコンデンサレンズ51および集光レンズ52に加えて、これら絞り53およびリレーレンズ対54により構成したものである。   The irradiation apparatus of the present embodiment has a configuration in which a diaphragm 53 and a relay lens pair 54 are further added to the irradiation apparatus of the second embodiment. That is, the “second optical means” in the present invention is configured by the diaphragm 53 and the relay lens pair 54 in addition to the condenser lens 51 and the condenser lens 52 in the second embodiment.

絞り53は、x軸方向において、照射対象面61のリレーレンズ対54に対する共役位置に配置されており、その開口を制御することにより、照射対象物6に対する複数の光束におけるx軸方向の照射領域を調整することが可能(図5参照)なものである。また、リレーレンズ対54は、一対のリレーレンズ54A,54Bにより構成され、これらはそれぞれx軸方向のみにパワーを有するようになっている。   The diaphragm 53 is disposed at a conjugate position of the irradiation target surface 61 with respect to the relay lens pair 54 in the x-axis direction, and the irradiation region in the x-axis direction of a plurality of light beams with respect to the irradiation target 6 is controlled by controlling the opening. Can be adjusted (see FIG. 5). The relay lens pair 54 is composed of a pair of relay lenses 54A and 54B, each having power only in the x-axis direction.

このような構成により本実施の形態の照射装置では、以下のように作用する。   With such a configuration, the irradiation apparatus of the present embodiment operates as follows.

まず、x軸方向(図5)では、シリンドリカルレンズアレイ対4によって均一化された複数のレーザ光は、それぞれ、コンデンサレンズ51によって集光され、絞り53の位置に照射される。また、この絞り53の位置に生じる空間像は、上記のようにx軸方向のみにパワーを有する一対のリレーレンズ54A,54Bによって、照射対象面61に結像される。この際、上記のように絞り53の開口を制御することで、照射対象物6に対する複数の光束における、x軸方向の照射領域が調整される。   First, in the x-axis direction (FIG. 5), a plurality of laser beams uniformized by the cylindrical lens array pair 4 are respectively collected by the condenser lens 51 and irradiated to the position of the diaphragm 53. Further, the aerial image generated at the position of the diaphragm 53 is formed on the irradiation target surface 61 by the pair of relay lenses 54A and 54B having power only in the x-axis direction as described above. At this time, by controlling the aperture of the diaphragm 53 as described above, the irradiation region in the x-axis direction in the plurality of light beams with respect to the irradiation target 6 is adjusted.

一方、y軸方向(図6)では、シリンドリカルレンズアレイ対4によって均一化された複数のレーザ光は、それぞれ、コンデンサレンズ51およびリレーレンズ対54を透過し、集光レンズ52によって、照射対象物6の照射対象面61に、集光された状態で照射される。   On the other hand, in the y-axis direction (FIG. 6), the plurality of laser beams made uniform by the cylindrical lens array pair 4 are transmitted through the condenser lens 51 and the relay lens pair 54, respectively, and are irradiated by the condenser lens 52. 6 is irradiated in a focused state.

以上のように、本実施の形態によれば、第2の実施の形態における構成において、絞り53およびリレーレンズ対54をさらに設けるようにしたので、第2の実施の形態における効果に加え、長軸方向(x軸方向)の照射領域を制御し、必要な領域のみを照射することが可能となる。よって、例えば照射対象物6が前述のようにTFTパネルなどの場合、その画素ピッチに応じて照射領域を制御することが可能となり、特に利点が大きい。   As described above, according to the present embodiment, since the diaphragm 53 and the relay lens pair 54 are further provided in the configuration of the second embodiment, in addition to the effects of the second embodiment, a long It is possible to control the irradiation area in the axial direction (x-axis direction) and irradiate only the necessary area. Therefore, for example, when the irradiation object 6 is a TFT panel or the like as described above, it is possible to control the irradiation area according to the pixel pitch, which is particularly advantageous.

なお、本実施の形態では、図5,図6に示したように、一対のリレーレンズ対54A,54Bを、それぞれ正のパワーを有する両側テンセントリック系となるように構成しているが、リレーレンズの構成はこれには限定されず、例えば単レンズを用いてリレーするように構成してもよい。   In this embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the pair of relay lenses 54A and 54B is configured to be a double-sided tencentric system each having a positive power. The configuration of the lens is not limited to this, and may be configured to relay using, for example, a single lens.

また、このリレーレンズは、拡大系のもの、あるいは縮小系のもののどちらによって構成することも可能であるが、縮小系のものにより構成するのが好ましい。縮小系のものにより構成した場合、拡大系のものにより構成した場合と比べ、より高精度に照射領域を制御することができるからである。   The relay lens can be constituted by either an enlargement system or a reduction system, but is preferably constituted by a reduction system. This is because the irradiation area can be controlled with higher accuracy when configured by the reduction system than when configured by the expansion system.

以上、第1〜第3の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。   While the present invention has been described with reference to the first to third embodiments, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made.

例えば、上記実施の形態では、複数の半導体レーザ11〜17および光ファイバ束2を、いずれもx軸方向への1次元アレイ状に配置した場合の例について説明してきたが、本発明のレーザ光源は1次元アレイ状には限定されず、2次元アレイ状に配置するように構成してもよい。   For example, in the above-described embodiment, an example in which the plurality of semiconductor lasers 11 to 17 and the optical fiber bundle 2 are all arranged in a one-dimensional array in the x-axis direction has been described. Is not limited to a one-dimensional array, and may be arranged in a two-dimensional array.

また、上記実施の形態では、複数の半導体レーザ11〜17を光ファイバ束2によって結合することにより、レーザ光源を構成するようにした場合の例ついて説明してきたが、光ファイバ束2以外のものによって、これら半導体レーザ11〜17を結合するように構成してもよい。   In the above embodiment, an example in which a laser light source is configured by combining a plurality of semiconductor lasers 11 to 17 by the optical fiber bundle 2 has been described. The semiconductor lasers 11 to 17 may be coupled to each other.

また、上記実施の形態では、照射装置を、複数の半導体レーザ11〜17および光ファイバ束2からなるレーザ光源と、複数のレンズ光学系と、ステージ7と、照射位置制御部8とにより構成した場合の例について説明してきたが、本発明の照射装置を、ステージ7および照射位置制御部8を除いた、レーザ光源と複数のレンズ光学系とにより構成するようにしてもよい。   Moreover, in the said embodiment, the irradiation apparatus was comprised by the laser light source which consists of several semiconductor lasers 11-17 and the optical fiber bundle 2, several lens optical system, the stage 7, and the irradiation position control part 8. Although an example of the case has been described, the irradiation apparatus of the present invention may be configured by a laser light source and a plurality of lens optical systems excluding the stage 7 and the irradiation position control unit 8.

さらに、上記実施の形態では、照射装置における各レンズ光学系の構成を具体的に挙げて説明したが、各レンズ系の構成はこれらの場合には限定されず、これらのレンズに加えて(あるいはこれらのレンズに代えて)、他のレンズ等を配置するように構成してもよい。   Furthermore, in the above-described embodiment, the configuration of each lens optical system in the irradiation apparatus has been specifically described. However, the configuration of each lens system is not limited to these cases, and in addition to these lenses (or Instead of these lenses), other lenses or the like may be arranged.

本発明の第1の実施の形態に係る照射装置の構成を表す上面図である。It is a top view showing the structure of the irradiation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図1に示した照射装置の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the irradiation apparatus shown in FIG. 本発明の第2の実施の形態に係る照射装置の構成を表す上面図である。It is a top view showing the structure of the irradiation apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図3に示した照射装置の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the irradiation apparatus shown in FIG. 本発明の第3の実施の形態に係る照射装置の構成を表す上面図である。It is a top view showing the structure of the irradiation apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図5に示した照射装置の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the irradiation apparatus shown in FIG. 従来の照射装置の構成の一例を表す上面図である。It is a top view showing an example of the structure of the conventional irradiation apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

11〜17…半導体レーザ、2…光ファイバ束、21〜27…マルチモード光ファイバ、31…コンデンサレンズ、32…フィールドレンズ、33…コリメータレンズ、34…コンデンサレンズ、4…シリンドリカルレンズアレイ対、41,42…シリンドリカルレンズアレイ、51…コンデンサレンズ、52…集光レンズ、53…絞り、54…リレーレンズ対、54A,54B…リレーレンズ、6…照射対象物、61…照射対象面、7…ステージ、8…照射位置制御部、x…x軸、y…y軸、Y…ステージの走査方向。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 11-17 ... Semiconductor laser, 2 ... Optical fiber bundle, 21-27 ... Multimode optical fiber, 31 ... Condenser lens, 32 ... Field lens, 33 ... Collimator lens, 34 ... Condenser lens, 4 ... Pair of cylindrical lens array, 41 , 42 ... Cylindrical lens array, 51 ... Condenser lens, 52 ... Condensing lens, 53 ... Aperture, 54 ... Relay lens pair, 54A, 54B ... Relay lens, 6 ... Irradiation target, 61 ... Irradiation target surface, 7 ... Stage , 8... Irradiation position controller, x... X axis, y... Y axis, Y.

Claims (10)

複数の半導体レーザ光を射出するレーザ光源と、
前記レーザ光源から射出された複数の射出レーザ光を集光する第1の光学手段と、
前記第1の光学手段により集光された複数の集光レーザ光に基づいて均一化された2次光源を生成する均一化光学手段と、
前記均一化光学手段により生成された2次光源からの光束を照射対象物に対してそれぞれ照射する第2の光学手段と
を備えたことを特徴とする照射装置。
A laser light source for emitting a plurality of semiconductor laser beams;
First optical means for condensing a plurality of emitted laser beams emitted from the laser light source;
Homogenizing optical means for generating a secondary light source that is made uniform based on a plurality of focused laser beams condensed by the first optical means;
An irradiation apparatus comprising: a second optical unit that irradiates the irradiation target with a light beam from the secondary light source generated by the uniformizing optical unit.
前記レーザ光源は、複数の半導体レーザを第1の方向に沿ってアレイ状に配列したものである
ことを特徴とする請求項1に記載の照射装置。
The irradiation apparatus according to claim 1, wherein the laser light source includes a plurality of semiconductor lasers arranged in an array along the first direction.
前記均一化光学手段は、前記第1の方向に沿ってそれぞれアレイ状に配列された一対のシリンドリカルレンズアレイを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項2に記載の照射装置。
The irradiation apparatus according to claim 2, wherein the uniformizing optical unit includes a pair of cylindrical lens arrays arranged in an array along the first direction.
前記第2の光学手段は、
前記2次光源からの光束における前記第1の方向の成分をそれぞれ重ね合わせて照射する第1のコンデンサ光学系と、
前記2次光源からの光束における前記第1の方向と直交する第2の方向の成分を集光して照射する第1の集光光学系とを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項3に記載の照射装置。
The second optical means includes
A first condenser optical system that superimposes and irradiates the components in the first direction in the light flux from the secondary light source;
A first condensing optical system that condenses and irradiates a component in a second direction orthogonal to the first direction in the light flux from the secondary light source. Item 4. The irradiation apparatus according to Item 3.
前記第1の光学手段は、前記複数の射出レーザ光における前記第1の方向の成分を集光すると共に前記複数の射出レーザ光における前記第2の方向の成分を平行光束とする第2のコンデンサ光学系を含んで構成されている
ことを特徴とする請求項4に記載の照射装置。
The first optical unit condenses the component in the first direction in the plurality of emitted laser beams and uses the second capacitor in the second direction as a parallel light beam in the plurality of emitted laser beams. The irradiation apparatus according to claim 4, comprising an optical system.
前記第1の光学手段は、
前記複数の射出レーザ光における前記第1の方向の成分を平行光束とする第1のコリメータレンズと、
前記複数の射出レーザ光における前記第2の方向の成分を平行光束とする第2のコリメータレンズと、
前記第1のコリメータレンズにより平行光束とされた前記複数の射出レーザ光における前記第1の方向の成分を集光する第2の集光光学系とを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項4に記載の照射装置。
The first optical means includes
A first collimator lens having a parallel light beam as a component in the first direction in the plurality of emitted laser beams;
A second collimator lens having a parallel light beam as a component in the second direction in the plurality of emitted laser beams;
And a second condensing optical system that condenses the components in the first direction in the plurality of emitted laser beams converted into parallel light beams by the first collimator lens. The irradiation apparatus according to claim 4.
前記第2の光学手段は、前記照射対象物に対する前記第1の方向の照射領域を調整する絞りを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項6に記載の照射装置。
The irradiation apparatus according to claim 6, wherein the second optical unit includes a diaphragm that adjusts an irradiation region in the first direction with respect to the irradiation object.
前記レーザ光源は、複数の半導体レーザにそれぞれ結合された複数のマルチモード光ファイバを有し、
前記複数の射出レーザ光は、前記複数の半導体レーザ光がそれぞれ前記複数のマルチモード光ファイバを介して射出されたものである
ことを特徴とする請求項1に記載の照射装置。
The laser light source has a plurality of multimode optical fibers respectively coupled to a plurality of semiconductor lasers,
2. The irradiation apparatus according to claim 1, wherein the plurality of emitted laser beams are obtained by emitting the plurality of semiconductor laser beams through the plurality of multimode optical fibers, respectively.
複数の半導体レーザ光を射出するレーザ光源と、
前記レーザ光源から射出された複数の射出レーザ光を集光する第1の光学手段と、
前記第1の光学手段により集光された複数の集光レーザ光に基づいて均一化された2次光源を生成する均一化光学手段と、
前記均一化光学手段により生成された2次光源からの光束を照射対象物に対してそれぞれ照射する第2の光学手段と、
前記照射対象物を搭載するステージと、
前記ステージに搭載されている照射対象物を搭載面内で走査することにより、前記2次光源からの光束の照射位置をそれぞれ相対移動させる照射位置制御手段と
を備えたことを特徴とする照射装置。
A laser light source for emitting a plurality of semiconductor laser beams;
First optical means for condensing a plurality of emitted laser beams emitted from the laser light source;
Homogenizing optical means for generating a secondary light source that is made uniform based on a plurality of focused laser beams condensed by the first optical means;
Second optical means for irradiating the irradiation object with a light beam from the secondary light source generated by the uniformizing optical means;
A stage on which the irradiation object is mounted;
Irradiation apparatus comprising: irradiation position control means for relatively moving the irradiation position of the light beam from the secondary light source by scanning an irradiation object mounted on the stage within a mounting surface. .
前記照射対象物に対して前記2次光源からの光束を照射することにより前記照射対象物のアニール処理を行うレーザアニール装置として構成されている
ことを特徴とする請求項9に記載の照射装置。

The irradiation apparatus according to claim 9, wherein the irradiation apparatus is configured as a laser annealing apparatus that performs an annealing process on the irradiation object by irradiating the irradiation object with a light beam from the secondary light source.

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