JP2005109359A - Laser device, and manufacturing method of liquid crystal display - Google Patents

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JP2005109359A JP2003343734A JP2003343734A JP2005109359A JP 2005109359 A JP2005109359 A JP 2005109359A JP 2003343734 A JP2003343734 A JP 2003343734A JP 2003343734 A JP2003343734 A JP 2003343734A JP 2005109359 A JP2005109359 A JP 2005109359A
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Naotada Okada
直忠 岡田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the energy density of a region irradiated by continuously oscillating laser beams, by coupling them to each other. <P>SOLUTION: A laser apparatus has a plurality of laser oscillators, a plurality of arranged optical fibers 16, having respectively their incident laser beams emitted from the one or more laser oscillators, wherein a line X obtained by connecting in parallel with each other the respective centers of their light-emitting end surfaces is made nearly straight, a collimator lens 18 for collimating the lights emitted from the plurality of arranged optical fibers 16, a first cylindrical-lens array 24, comprising a plurality of cylindrical lenses which are so arranged in the direction of the line X as to make their respective generatrixes vertical to the line X respectively, and a condenser lens 26 for condensing the lights transmitted by the first cylindrical-lens array 24. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、レーザ装置ならび液晶表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a laser device and a liquid crystal display device.

従来から、液晶表示装置の製造工程において、透光性の基板上に低温プロセスで非晶質の
シリコン薄膜を成膜した後に、このシリコン薄膜をレーザでアニールして多結晶化するこ
とにより半導体特性の大幅な向上を図ることが行われている。
Conventionally, in the manufacturing process of a liquid crystal display device, after forming an amorphous silicon thin film on a light-transmitting substrate by a low temperature process, this silicon thin film is annealed with a laser to be polycrystallized to obtain semiconductor characteristics. A significant improvement has been made.

このアニール工程において通常はレーザの種類としてエキシマレーザが用いられる。し
かし、エキシマレーザはパルス波のため結晶粒が大きくできないという問題と、ランニン
グコストが高いという問題があった。
In this annealing step, an excimer laser is usually used as the type of laser. However, the excimer laser has a problem that the crystal grains cannot be enlarged due to a pulse wave, and a problem that the running cost is high.

近年はこうした問題を抱えるエキシマレーザに変えて、連続発振の固体レーザを用いてシ
リコンの多結晶化を行う方法が開発されつつある。しかし、シリコンに吸収のある波長5
50nm以下で、かつ、連続発振のレーザ光の出力は、最大でも10W程度にとどまる。
In recent years, a method for polycrystallizing silicon using a continuous wave solid-state laser has been developed in place of the excimer laser having such problems. However, the wavelength of absorption 5 in silicon
The output of laser light of 50 nm or less and continuous oscillation is at most about 10 W.

このため、多結晶化に必要なエネルギ密度を確保するためには、照射面積を小さくせざる
を得ず、その結果スループットが落ちるという問題がある。
特開2003−59858号公報
For this reason, in order to ensure the energy density required for polycrystallization, there is a problem that the irradiation area must be reduced, resulting in a decrease in throughput.
JP 2003-59858 A

こうした問題を解決してレーザ出力を増やすためには、複数のレーザ光を結合すること
が考えられる。従来のレーザ光の結合方法は、偏向素子を用いて偏向の異なる2つのレー
ザ光を結合する方法や、波長により透過率が異なるミラーを用いて異なる波長のレーザ光
を結合する方法などがあった。しかし、これら方法の場合、結合できるレーザ光の数に限
りがある。
In order to solve these problems and increase the laser output, it is conceivable to combine a plurality of laser beams. Conventional laser beam combining methods include a method of combining two laser beams having different deflections using a deflecting element, and a method of combining laser beams having different wavelengths using a mirror having different transmittance depending on the wavelength. . However, in these methods, the number of laser beams that can be coupled is limited.

また、その他にも結合方法はあるが、結合した結果ビームサイズが大きくなるような結合
方法の場合、必要なエネルギ密度を確保することが困難である。
In addition, there are other coupling methods, but in the case of a coupling method in which the beam size increases as a result of the coupling, it is difficult to ensure the necessary energy density.

特にシリコン等の多結晶化工程で用いる場合は、ラインビームの長手方向のエネルギ密
度をほぼ均等にするという要請もある。
In particular, when used in a polycrystallization process of silicon or the like, there is also a demand for making the energy density in the longitudinal direction of the line beam substantially uniform.

そこで本発明は、複数のレーザ発振器と、少なくとも1つの前記レーザ発振器から出力
されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射端面の各中心を結ぶ線がほぼ直線をなして配列
される複数の光ファイバと、前記複数の光ファイバから出射された光をコリメートするコ
リメートレンズと、前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列される
複数のシリンドリカルレンズからなる第1のシリンドリカルレンズアレイと、この第1の
シリンドリカルレンズアレイを透過した光を集光する集光レンズとを備えることを特徴と
するレーザ装置である。
Accordingly, the present invention provides a plurality of laser oscillators and a plurality of optical fibers on which laser beams output from at least one of the laser oscillators are respectively incident and lines connecting the centers of the emission end faces are arranged in a substantially straight line. A collimating lens for collimating light emitted from the plurality of optical fibers, a first cylindrical lens array comprising a plurality of cylindrical lenses arranged in the straight line direction so that the straight line and each bus line are perpendicular to each other, A laser apparatus comprising: a condensing lens that condenses light transmitted through the first cylindrical lens array.

また、それぞれ波長が550nm以下のレーザ光を出射する複数の第1のレーザ発振器
と、波長が550nm以上のレーザ光を出射する少なくとも1つの第2のレーザ発振器と
、少なくとも1つの前記第1のレーザ発振器から出力されたレーザ光または/および前記
第2のレーザ発振器から出力されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射端面の各中心を結
ぶ線が直線をなして配列される複数の光ファイバと、前記複数の光ファイバから出射され
た光をコリメートするコリメートレンズと、前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前
記直線方向に配列される複数のシリンドリカルレンズからなる第1のシリンドリカルレン
ズアレイと、この第1のシリンドリカルレンズアレイを透過した光を集光する集光レンズ
とを備えることを特徴とするレーザ装置である。
A plurality of first laser oscillators each emitting laser light having a wavelength of 550 nm or less; at least one second laser oscillator emitting laser light having a wavelength of 550 nm or more; and at least one first laser. A plurality of optical fibers on which laser beams output from an oscillator and / or laser beams output from the second laser oscillator are respectively incident and lines connecting the centers of the emission end faces are arranged in a straight line; A collimating lens for collimating light emitted from a plurality of optical fibers, a first cylindrical lens array including a plurality of cylindrical lenses arranged in the straight line direction so that the straight line and each bus line are perpendicular to each other; And a condensing lens that condenses the light transmitted through the cylindrical lens array. A laser device.

また、透光性基板上に半導体を成膜する工程と、成膜された前記半導体に連続発振する
レーザ光を照射して前記半導体を多結晶化する多結晶化工程とを備える液晶表示装置の製
造方法において、前記多結晶化工程は、波長が550nm以上の連続発振するレーザ光及
び波長が550nm以下の連続発振するレーザ光を同じ箇所に照射しながら走査する工程
を備えていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
A liquid crystal display device comprising: a step of forming a semiconductor on a light-transmitting substrate; and a polycrystallization step of irradiating the formed semiconductor with laser light that continuously oscillates to polycrystallize the semiconductor. In the manufacturing method, the polycrystallizing step includes a step of scanning while irradiating the same portion with a laser beam having a wavelength of 550 nm or longer and a laser beam having a wavelength of 550 nm or less. This is a method for manufacturing a liquid crystal display device.

(第1の実施の形態)
本発明に係るレーザ装置によれば、高出力のレーザ光を照射することが可能となる。ま
た、本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、液晶表示装置の製造のスループット
を向上することが可能となる。
(First embodiment)
According to the laser device of the present invention, it is possible to irradiate high-power laser light. In addition, according to the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, it is possible to improve the manufacturing throughput of the liquid crystal display device.

以下、図面を用いて本発明に係るレーザ装置10の説明をする。   Hereinafter, the laser apparatus 10 according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明に係るレーザ装置10の概略構成図である。図2は、このレーザ装置1
0の結合部12の概略構成図であり、図1(a)は平面図、(b)は正面図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a laser apparatus 10 according to the present invention. FIG. 2 shows the laser device 1.
It is a schematic block diagram of 0 coupling | bond part 12, FIG. 1 (a) is a top view, (b) is a front view.

図1(a)に示されているように、このレーザ装置10は全部で10台のレーザ発振器
14を備えている。各レーザ発振器14は、Nd:YAGレーザのSHG光(532nm)を連続
発振で出射し、各出力は最大で約10Wである。このレーザ発振器14は、2台で一組と
なっており、互いに偏光が90度異なるレーザ光を出射するように構成されている。
As shown in FIG. 1A, the laser apparatus 10 includes a total of ten laser oscillators 14. Each laser oscillator 14 emits SHG light (532 nm) of an Nd: YAG laser with continuous oscillation, and each output is about 10 W at maximum. The two laser oscillators 14 form a set and are configured to emit laser beams whose polarizations are different from each other by 90 degrees.

光ファイバ16は、全部で5本備わっており、各ファイバ16のコア径は100μmで
ある。図3は、光ファイバ16の出射端面を示した図であるが、この図に示されるように
、各出射端面の中心間距離Dは、0.5mm乃至1.0mmであり、各出射端面の中心を
通る線Xは直線となるように配置されている。
A total of five optical fibers 16 are provided, and the core diameter of each fiber 16 is 100 μm. FIG. 3 is a view showing the emission end face of the optical fiber 16, and as shown in this figure, the center-to-center distance D of each emission end face is 0.5 mm to 1.0 mm. The line X passing through the center is arranged to be a straight line.

光結合部12は、レーザ光の光路順に、コリメートレンズ18、ランダム位相板20、
第2シリンドリカルレンズアレイ22、第1シリンドリカルレンズアレイ24、集光レン
ズ26が配列されている。
The optical coupling unit 12 includes a collimating lens 18, a random phase plate 20,
A second cylindrical lens array 22, a first cylindrical lens array 24, and a condenser lens 26 are arranged.

コリメートレンズ18は実効焦点距離が500mmであり、光ファイバ16の出射端面
と500mm離れて配置されている。
The collimating lens 18 has an effective focal length of 500 mm and is disposed 500 mm away from the emission end face of the optical fiber 16.

コリメートレンズ18の直後には、ランダム位相板20が配置される。図4はランダム
位相板20を模式的に示したものであり、円板に位相差が0度、90度、180度、27
0度となる4階調のパターンが50μm角ピッチで形成されている。なお、このランダム
位相板20は、図示しない回転手段により1000〜3000rpmに回転可能な構成と
なっている。
A random phase plate 20 is arranged immediately after the collimating lens 18. FIG. 4 schematically shows the random phase plate 20, and the phase difference of the disc is 0 degree, 90 degrees, 180 degrees, 27
A four-gradation pattern of 0 degree is formed at a 50 μm square pitch. The random phase plate 20 can be rotated at 1000 to 3000 rpm by a rotating means (not shown).

図5は、第2シリンドリカルレンズアレイ22を示している。この図に示されるように
、ひとつのシリンドリカルレンズの形状は、幅50mm、高さ5mm、厚さ3mmであり
、一方の端面は平面、他方の端面は、曲率およそ50mm(実効焦点距離100mm)の
凸面である。このシリンドリカルレンズが高さ方向に10個配列してシリンドリカルレン
ズアレイ22が形成されている。
FIG. 5 shows the second cylindrical lens array 22. As shown in this figure, one cylindrical lens has a width of 50 mm, a height of 5 mm, and a thickness of 3 mm. One end surface is a plane, and the other end surface has a curvature of about 50 mm (effective focal length: 100 mm). Convex surface. Ten cylindrical lenses are arranged in the height direction to form a cylindrical lens array 22.

第2シリンドリカルレンズアレイ22は、図2(a)に示されるように、凸面がレーザ
光の入射面を向いて、各シリンドリカルレンズの各母線(シリンドリカルレンズの凸面の
頂点をなす直線)が、光ファイバ16の出射端面中心を結ぶ直線Xと垂直をなす方向を向
いて配置されている。
As shown in FIG. 2A, the second cylindrical lens array 22 has a convex surface facing the incident surface of the laser beam, and each generatrix of each cylindrical lens (a straight line forming the vertex of the convex surface of the cylindrical lens) is a light beam. The fiber 16 is disposed so as to face a direction perpendicular to the straight line X connecting the centers of the emission end faces of the fiber 16.

また、第1シリンドリカルレンズアレイ24も第2シリンドリカルレンズアレイ22と
同一の光学素子であり、凸面がレーザ光の出射面となり、各シリンドリカルレンズの各母
線が、直線Xと垂直をなす方向を向いて配置されている。なお、第1のシリンドリカルレ
ンズアレイ24と第2のシリンドリカルレンズアレイ22の距離は100mmである。
The first cylindrical lens array 24 is also the same optical element as the second cylindrical lens array 22, and the convex surface serves as a laser light emitting surface, and the respective generatrixes of each cylindrical lens face the direction perpendicular to the straight line X. Has been placed. The distance between the first cylindrical lens array 24 and the second cylindrical lens array 22 is 100 mm.

その後に配列される集光レンズ26は、実効焦点距離が100mmであり、加工対象物
Wと100mm離間して配設されている。
The condensing lenses 26 arranged thereafter have an effective focal length of 100 mm and are processed objects.
It is disposed 100 mm away from W.

なお、加工対象物Wはここでは、透光性基板上に成膜された非晶質シリコン膜である。   Here, the workpiece W is an amorphous silicon film formed on a translucent substrate.

以下、このような構成のレーザ装置10の動作説明をする。   Hereinafter, the operation of the laser device 10 having such a configuration will be described.

各レーザ発振器14からは、波長532nmのレーザ光が出射される。対をなす2つの
レーザ発振器14からのレーザ光は偏光結合される。すなわち、一方のレーザ発振器14
aから出力されるレーザ光は偏向子28を透過し、他方のレーザ発振器14bから出力さ
れるレーザ光は全反射ミラー30で全反射した後、偏向子28で反射する。
Each laser oscillator 14 emits laser light having a wavelength of 532 nm. Laser light from the two laser oscillators 14 forming a pair is polarization-coupled. That is, one laser oscillator 14
The laser light output from a passes through the deflector 28, and the laser light output from the other laser oscillator 14 b is totally reflected by the total reflection mirror 30 and then reflected by the deflector 28.

このようにして2つのレーザ光が偏光結合され、集光レンズ32により光ファイバ16
に入射する。
In this way, the two laser beams are polarization-coupled, and the optical fiber 16 is collected by the condenser lens 32.
Is incident on.

各光ファイバ16内を伝播したレーザ光は、光ファイバ16の出射端面から出射する。   The laser light propagated in each optical fiber 16 is emitted from the emission end face of the optical fiber 16.

出射するレーザ光のビーム広がり角は、半角で約0.05radである。一方で、コリメ
ートレンズ18と出射端面との距離はおよそ500mmであるから、コリメートされたレ
ーザ光のビーム断面径は約50mmの円形となる(500mm×tan(0.05rad)×2=50m
m)。
The beam divergence angle of the emitted laser light is about 0.05 rad as a half angle. On the other hand, since the distance between the collimating lens 18 and the exit end face is approximately 500 mm, the beam cross-sectional diameter of the collimated laser light is approximately 50 mm (500 mm × tan (0.05 rad) × 2 = 50 m).
m).

次いで、コリメートされたレーザ光はランダム位相板20に入射する。ランダム位相板
20は図示しない回転手段により1000rpm〜3000rpmで回転している。この
ため、このランダム位相板20の透過により、レーザ光のコヒーレンスは低減される。
Next, the collimated laser light is incident on the random phase plate 20. The random phase plate 20 is rotated at 1000 rpm to 3000 rpm by a rotating means (not shown). For this reason, the coherence of the laser light is reduced by the transmission of the random phase plate 20.

さらに、このレーザ光は第1及び第2シリンドリカルレンズアレイ24、22ならびに
集光レンズ26を透過する。
Further, the laser light passes through the first and second cylindrical lens arrays 24 and 22 and the condenser lens 26.

ここでレーザ光の結像について、光ファイバ16の配列方向と垂直な方向から見た場合
(図2(a))と、平行な方向から見た場合(図2(b))とに分けて説明する。
Here, image formation of laser light is divided into a case where it is viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction of the optical fibers 16 (FIG. 2A) and a case where it is viewed from a parallel direction (FIG. 2B). explain.

まず、光ファイバ16の配列方向と垂直な方向から見た場合であるが、第1及び第2シ
リンドリカルレンズアレイ24、22は、同一形状であり、かつ、レーザの光路に垂直な
面に対してほぼ対称に配置されている。このため、第1シリンドリカルレンズアレイ24
を透過したレーザ光はほぼ平行に集光レンズ26に入射することとなる。また、第1シリ
ンドリカルレンズアレイ24の各シリンドリカルレンズの実効焦点距離は100mmであ
り、各シリンドリカルレンズから100mmの位置には、第2シリンドリカルレンズアレ
イ22の各シリンドリカルレンズの凸面が位置している。したがって、加工対象物Wの表
面上において第2シリンドリカルレンズアレイ22の各シリンドリカルレンズの凸面が重
なり合って結像することとなる。
First, as viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction of the optical fibers 16, the first and second cylindrical lens arrays 24, 22 have the same shape and are perpendicular to the plane perpendicular to the optical path of the laser. They are arranged almost symmetrically. Therefore, the first cylindrical lens array 24
The laser beam that has passed through is incident on the condenser lens 26 substantially in parallel. The effective focal length of each cylindrical lens of the first cylindrical lens array 24 is 100 mm, and the convex surface of each cylindrical lens of the second cylindrical lens array 22 is located at a position of 100 mm from each cylindrical lens. Accordingly, the convex surfaces of the cylindrical lenses of the second cylindrical lens array 22 are overlapped on the surface of the workpiece W to form an image.

また、第2シリンドリカルレンズアレイ22のシリンドリカルレンズの実効焦点距離な
らびに集光レンズ26の実効焦点距離は等しい(100mm)ので、加工対象物Wの表面
上において第2シリンドリカルレンズアレイ22のシリンドリカルレンズが等倍で結像さ
れることとなり、ここでシリンドリカルレンズの幅は5mmのため、加工対象物Wの表面
上においても5mmで結像される。しかも、第1シリンドリカルレンズアレイ24の各シ
リンドリカルレンズを透過したレーザ光が重なり合うためレーザ光の強度分布が均等化さ
れている。
In addition, since the effective focal length of the cylindrical lens of the second cylindrical lens array 22 and the effective focal length of the condenser lens 26 are equal (100 mm), the cylindrical lens of the second cylindrical lens array 22 is equal on the surface of the workpiece W. The image is formed at a magnification, and since the cylindrical lens has a width of 5 mm, the image is formed on the surface of the workpiece W at 5 mm. In addition, since the laser beams transmitted through the respective cylindrical lenses of the first cylindrical lens array 24 overlap, the intensity distribution of the laser beams is equalized.

一方で、光ファイバ16の配列方向と平行な方向から見た場合(図2(b))、コリメ
ートレンズ18で平行にされたレーザ光が集光レンズ26により加工対象物Wの表面上で
集光されることとなり、光ファイバ16の出射端面の像が加工対象物W表面上で結像され
ることとなる。ここで、コリメートレンズ18の実効焦点距離は500mmであり、集光
レンズ26の実効焦点距離は100mmであり、光ファイバ16のコア径はここでは10
0μmであるから、加工対象物W表面上では20μm(100μm×100/500)とな
る。
On the other hand, when viewed from a direction parallel to the arrangement direction of the optical fibers 16 (FIG. 2B), the laser light collimated by the collimator lens 18 is collected on the surface of the workpiece W by the condenser lens 26. As a result, the image of the exit end face of the optical fiber 16 is formed on the surface of the workpiece W. Here, the effective focal length of the collimating lens 18 is 500 mm, the effective focal length of the condenser lens 26 is 100 mm, and the core diameter of the optical fiber 16 is 10 here.
Since it is 0 μm, it is 20 μm (100 μm × 100/500) on the surface of the workpiece W.

以上のように、本発明の第1の実施の形態に係るレーザ装置10にあっては、20μm×
5mmのラインビームを加工対象物Wに照射することが可能となる。ここで、上述したよ
うに光ファイバ16の配列方向についてはレーザ光のエネルギ強度の均等化を図ることが
可能となる。また、各レーザ発振器14の出力は10Wであり、合計10台のレーザ発振
器14を用いているから、連続発振でありながら100W前後の出力を確保することが可
能となる。さらに、ランダム位相板20を挿入したことによりレーザ光を重ね合わせたこ
とにより生じるスペックルや干渉の問題を低減することが可能となる。
As described above, in the laser apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention, 20 μm ×
It becomes possible to irradiate the workpiece W with a 5 mm line beam. Here, as described above, the energy intensity of the laser light can be equalized in the arrangement direction of the optical fibers 16. Further, the output of each laser oscillator 14 is 10 W, and a total of 10 laser oscillators 14 are used. Therefore, it is possible to ensure an output of around 100 W while continuous oscillation. Furthermore, it becomes possible to reduce the problem of speckle and interference caused by superimposing laser beams by inserting the random phase plate 20.

なお、発振器14の数ならびに光ファイバ16の数を増やすことにより照射領域をほぼ変
化させることなく出力の増加を図ることが可能となる。
Note that by increasing the number of oscillators 14 and the number of optical fibers 16, the output can be increased without substantially changing the irradiation region.

すなわち、レーザ発振器14の数や光ファイバ16の数は得たい出力に応じて種々変更
可能である。
That is, the number of laser oscillators 14 and the number of optical fibers 16 can be variously changed according to the output to be obtained.

また、必ずしも偏向子28で結合して光ファイバ16に入射させる必要はなく、1本の
光ファイバ16について1台のレーザ発振器14を備える構成であっても良い。また、偏
光結合に変えて波長結合により各光ファイバ16にレーザ光を入射させる構成でも良い。
In addition, it is not always necessary to couple the light beams by the deflector 28 so that the light beams 16 enter the optical fiber 16, and one optical fiber 16 may include one laser oscillator 14. Further, a configuration may be adopted in which laser light is incident on each optical fiber 16 by wavelength coupling instead of polarization coupling.

また、各シリンドリカルレンズアレイが備えるシリンドリカルレンズの個数は10個に
限られるものではない。ただし、個数が多いほうがエネルギ強度の均等化を図ることが可
能となる。
Further, the number of cylindrical lenses included in each cylindrical lens array is not limited to ten. However, as the number increases, the energy intensity can be equalized.

また、ランダム位相板20は必要に応じて用いなくても良い。また、ランダム位相板2
0の挿入位置は、レーザ光が重ねあわされる前であればよく、たとえば第1シリンドリカ
ルレンズアレイ24と第2シリンドリカルレンズアレイ22との間や、第1シリンドリカ
ルレンズアレイ24と集光レンズ26との間に挿入する構成であっても良い。
Further, the random phase plate 20 may not be used as necessary. Random phase plate 2
The insertion position of 0 may be before the laser beams are superimposed, for example, between the first cylindrical lens array 24 and the second cylindrical lens array 22, or between the first cylindrical lens array 24 and the condenser lens 26. The structure inserted between may be sufficient.

また、第2シリンドリカルレンズアレイ22を用いなくとも良い。この場合であっても
第1シリンドリカルレンズアレイ24の各シリンドリカルレンズを透過したレーザ光は集
光レンズ26により重ね合わされるため、レーザ光の均等化ならびに照射領域の増大化を
図ることが可能となるためである。ただし、第2シリンドリカルレンズアレイ22を配設
した場合と比較して効率が低下する場合がある。
Further, the second cylindrical lens array 22 may not be used. Even in this case, since the laser light transmitted through each cylindrical lens of the first cylindrical lens array 24 is superimposed by the condenser lens 26, it is possible to equalize the laser light and increase the irradiation area. Because. However, the efficiency may be reduced as compared with the case where the second cylindrical lens array 22 is provided.

また、第1シリンドリカルレンズアレイ24のシリンドリカルレンズの実効焦点距離(
100mm)と集光レンズ26の実効焦点距離(100mm)は必ずしも一致させること
はない。この場合、加工対象物W表面でのビーム幅が変化することとなる。たとえば、第
1シリンドリカルレンズアレイ24のシリンドリカルレンズの焦点距離を集光レンズ26
の焦点距離よりも小さくし、同時に第1シリンドリカルレンズアレイ24と第2シリンド
リカルレンズアレイ22の距離を焦点距離に近づけると、ビームの幅を広げることが可能
となる。
Further, the effective focal length of the cylindrical lens of the first cylindrical lens array 24 (
100 mm) and the effective focal length (100 mm) of the condenser lens 26 do not necessarily match. In this case, the beam width on the surface of the workpiece W changes. For example, the focal length of the cylindrical lens of the first cylindrical lens array 24 is set as the condensing lens 26.
When the distance between the first cylindrical lens array 24 and the second cylindrical lens array 22 is made closer to the focal distance, the beam width can be increased.

また、シリンドリカルレンズの幅が異なるシリンドリカルレンズアレイを用いれば、ビ
ーム幅を変化させることも可能である。
If a cylindrical lens array having different cylindrical lens widths is used, the beam width can be changed.

また、第1のシリンドリカルレンズアレイ及び第2のシリンドリカルレンズアレイの各
凸面の方向は任意でも良く、入射側または出射側のいずれかを向いていれば良い。
In addition, the direction of each convex surface of the first cylindrical lens array and the second cylindrical lens array may be arbitrary, as long as it faces either the incident side or the emission side.

また、第2のシリンドリカルレンズアレイの凸面の曲率は必ずしも第1のシリンドリカ
ルレンズアレイの凸面の曲率と一致させることはない。
Further, the curvature of the convex surface of the second cylindrical lens array does not necessarily match the curvature of the convex surface of the first cylindrical lens array.

また、YAGレーザのSHG光に限られるものでもなく、YAGレーザのTHG光や、Nd:YVO4
SHG光、これらのTHG光またはAr+(アルゴンイオンレーザ)などでも良い。
Also, it is not limited to YAG laser SHG light, but YAG laser THG light, Nd: YVO 4
SHG light, THG light, or Ar + (argon ion laser) may be used.

なお、このレーザ装置10の用途は広く加工一般に用いることが可能であり、特にエネ
ルギ密度を高くかつ均等化を図る必要がある場合に好適に用いることが可能となる。
The application of the laser device 10 can be widely used in general processing, and can be preferably used particularly when the energy density is high and equalization is required.

その他本発明は種々変形可能である。   In addition, the present invention can be variously modified.

(第2の実施の形態)
第2の実施の形態は、第1シリンドリカルレンズアレイ24と第2シリンドリカルレン
ズアレイ22との距離を適宜調整することにより、ビーム幅を変化させる発明に関する。
(Second Embodiment)
The second embodiment relates to an invention in which the beam width is changed by appropriately adjusting the distance between the first cylindrical lens array 24 and the second cylindrical lens array 22.

すなわち、第2シリンドリカルレンズアレイ22を図示しない駆動テーブルで光軸方向
に移動させることにより結像位置でのビーム幅を変化させることが可能となる。なお、そ
の他の構成は第1の実施の形態の場合と同様であるので説明を省略する。
That is, the beam width at the imaging position can be changed by moving the second cylindrical lens array 22 in the optical axis direction with a drive table (not shown). Since other configurations are the same as those in the first embodiment, description thereof will be omitted.

図6(a)は両者の距離が第1シリンドリカルレンズアレイ24のシリンドリカルレン
ズの実効焦点距離と等しい場合、(b)は、第2シリンドリカルレンズアレイ22を(a
)の場合よりも遠ざけた場合、(c)は第2シリンドリカルレンズアレイ22を(a)の
場合より近づけた場合である。なお、簡略化のためにシリンドリカルレンズは1つしか図
示していない。
6A shows the case where the distance between the two is equal to the effective focal length of the cylindrical lens of the first cylindrical lens array 24, and FIG.
(C) is a case where the second cylindrical lens array 22 is brought closer than the case (a). For simplicity, only one cylindrical lens is illustrated.

(a)の場合は、第1の実施の形態の場合であり、この場合シリンドリカルレンズの幅(
5mm)が等倍で結像される。
Case (a) is the case of the first embodiment. In this case, the width of the cylindrical lens (
5 mm) is imaged at the same magnification.

(b)の場合は、第1シリンドリカルレンズアレイ24から100mm地点において、
ファイバ16の配列方向と垂直な方向から見た場合のビーム幅は4mmである。したがっ
て、結像されても、この方向から見た場合のビーム幅は4mmとなる。このため、ビーム
の照射領域は4mm×20μmとなる。
In the case of (b), at a point 100 mm from the first cylindrical lens array 24,
The beam width when viewed from the direction perpendicular to the arrangement direction of the fibers 16 is 4 mm. Therefore, even if an image is formed, the beam width when viewed from this direction is 4 mm. For this reason, the irradiation area of the beam is 4 mm × 20 μm.

(c)の場合は、第1シリンドリカルレンズアレイ24から100mm地点において、
ファイバ16の配列方向と垂直な方向から見た場合のビーム幅は6mmと同等となる。し
たがって、結像されても、この方向から見た場合のビーム幅は6mmとなる。このため、
ビームの照射領域は6mm×20μmとなる。
In the case of (c), at a point 100 mm from the first cylindrical lens array 24,
The beam width when viewed from the direction perpendicular to the arrangement direction of the fibers 16 is equivalent to 6 mm. Therefore, even if an image is formed, the beam width when viewed from this direction is 6 mm. For this reason,
The irradiation area of the beam is 6 mm × 20 μm.

このように、第1シリンドリカルレンズアレイ24と第2シリンドリカルレンズアレイ2
2との距離を調整する距離調整手段を配設し、適宜両者の距離を調整することによりビー
ム幅を変化させることが可能となる。
Thus, the first cylindrical lens array 24 and the second cylindrical lens array 2
It is possible to change the beam width by arranging a distance adjusting means for adjusting the distance between the two and appropriately adjusting the distance between the two.

より具体的には、第1シリンドリカルレンズアレイ24と第2シリンドリカルレンズア
レイ22との距離を第1シリンドリカルレンズアレイ24のシリンドリカルレンズの実効
焦点距離よりも短くした構成の場合、ビーム幅を長くすることが可能となり、第1シリン
ドリカルレンズアレイ24と第2シリンドリカルレンズアレイ22との距離を第1シリン
ドリカルレンズアレイ24のシリンドリカルレンズの実効焦点距離よりも長くした構成の
場合、ビーム幅を短くすることが可能となる。
More specifically, in the case of a configuration in which the distance between the first cylindrical lens array 24 and the second cylindrical lens array 22 is shorter than the effective focal length of the cylindrical lens of the first cylindrical lens array 24, the beam width is increased. In the case where the distance between the first cylindrical lens array 24 and the second cylindrical lens array 22 is longer than the effective focal length of the cylindrical lens of the first cylindrical lens array 24, the beam width can be shortened. It becomes.

その他の変形については、第1の実施の形態の説明の際に記載したのと同様に種々適用
可能である。
Other modifications can be applied in the same manner as described in the description of the first embodiment.

(第3の実施の形態)
第3の実施の形態は、液晶表示装置の製造方法に関するものであり、特にレーザアニ−
ルによる多結晶化工程に特徴を有する。
(Third embodiment)
The third embodiment relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device, and in particular, a laser animation.
It has a feature in the polycrystallization process by the use of copper.

この多結晶化工程に用いるレーザ装置10の構成において、第1の実施の形態と異なる
点は、10台のレーザ発振器14のうち2台を連続発振で出力がそれぞれ50WのYAGレ
ーザ発振器(図示せず)に変える点である。したがって、5本の光ファイバ16のうち1
本には、YAGレーザ光(1064nm)が伝播することになる。
The configuration of the laser device 10 used in this polycrystallization process is different from that of the first embodiment in that two of the ten laser oscillators 14 are continuously oscillated and the output is 50 W each (not shown). It is a point to change. Therefore, one of the five optical fibers 16
YAG laser light (1064 nm) propagates through the book.

その他の構成については第1の実施の形態と同様である。   Other configurations are the same as those in the first embodiment.

このようなレーザ装置10を用いて、透光性基板G上に成膜された非晶質のシリコン膜
Siにレーザ光を照射する。図7は、レーザ光が照射されたときの様子を模式的に示した
ものであり、図8は波長ごとのシリコンの吸収率を固体のときと液体のときとでそれぞれ
概略で示したグラフである。
Using such a laser device 10, an amorphous silicon film formed on a translucent substrate G
Irradiate laser light to Si. FIG. 7 schematically shows a state when laser light is irradiated, and FIG. 8 is a graph schematically showing the absorption rate of silicon for each wavelength when solid and when liquid. is there.

図8に示されるように、シリコンの吸収率は、固体の場合は550nm以上の波長にな
ると吸収率が低くなり、シリコンが液体の場合は、550nm以上の波長であっても吸収
率は固体の場合ほど低下しない。
As shown in FIG. 8, the absorption rate of silicon is low when the wavelength is 550 nm or more in the case of solid, and the absorption rate is solid even when the wavelength is 550 nm or more when silicon is liquid. Not as bad as the case.

したがって、図7(a)に示されるように固体の場合は532nmのSHG光は吸収さ
れるが、1064nmのYAGレーザ光は吸収が低い。
Therefore, as shown in FIG. 7A, in the case of a solid, 532 nm SHG light is absorbed, but 1064 nm YAG laser light has low absorption.

しかし、ひとたびシリコン膜Siの一部が液体になると、1064nmのレーザ光を吸
収して、この部分から熱伝導により周囲の固相のシリコン膜Siの融解が促進されること
とる。この状態で、ラインビームの長手方向方向と垂直方向に基板Gを移動させてレーザ
光を走査させることにより、好適な多結晶化が可能となる。
However, once a part of the silicon film Si becomes liquid, the laser light of 1064 nm is absorbed, and the melting of the surrounding silicon film Si in the surrounding solid phase is promoted by heat conduction from this part. In this state, the substrate G is moved in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the line beam and the laser beam is scanned, so that suitable polycrystallization can be achieved.

以上のように、シリコンに対して吸収率が高い550nm以下のレーザ光と、大出力が
可能な550nm以上のレーザ光とを組み合わせてシリコンに照射して多結晶化を行うこ
とにより連続発振のレーザ光でも好適な多結晶化を促進することが可能となる。そのため
、従来の連続発振タイプの多結晶化の場合よりもスループットの向上を図ることが可能と
なり、ひいては液晶表示装置のスループットの向上につながる。
As described above, continuous oscillation laser is obtained by irradiating silicon with a combination of laser light of 550 nm or less, which has a high absorptance with respect to silicon, and laser light of 550 nm or more capable of high output to perform polycrystallization. It is possible to promote suitable polycrystallization even with light. Therefore, it is possible to improve the throughput as compared with the conventional continuous oscillation type polycrystallization, which leads to an improvement in the throughput of the liquid crystal display device.

なお、第1または第2の実施の形態で示したレーザ装置10を用いてアニールを行っても
良い。この場合であっても従来の連続発振タイプと比較して高出力化は可能であり、結果
的にスループットの向上に寄与するものである。なお、本実施の形態にあっても他の実施
の形態の場合と同様種々変形可能である。
Note that annealing may be performed using the laser device 10 shown in the first or second embodiment. Even in this case, the output can be increased as compared with the conventional continuous oscillation type, and as a result, it contributes to the improvement of the throughput. Even in this embodiment, various modifications can be made as in the case of the other embodiments.

本発明の第1の実施の形態に係るレーザ装置10の概略構成図。1 is a schematic configuration diagram of a laser apparatus 10 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係るレーザ装置10の結合部12の概略構成図。1 is a schematic configuration diagram of a coupling unit 12 of a laser device 10 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態において、光ファイバ16の出射端面の模式図。FIG. 3 is a schematic diagram of an emission end face of the optical fiber 16 in the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係るランダム位相板20の模式図。1 is a schematic diagram of a random phase plate 20 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係る第2シリンドリカルレンズアレイ22の概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a second cylindrical lens array 22 according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態に係り、第1シリンドリカルレンズアレイ24と第2のシリンドリカルレンズアレイ22の距離とラインビーム幅との関係の説明図。Explanatory drawing of the relationship between the distance of the 1st cylindrical lens array 24 and the 2nd cylindrical lens array 22, and a line beam width concerning the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態に係り、透光性基板G上に成膜された非晶質シリコン膜Siにラインビームが照射された様子を示す模式図。FIG. 9 is a schematic diagram showing a state in which a line beam is irradiated to an amorphous silicon film Si formed on a light-transmitting substrate G according to the third embodiment of the present invention. シリコンの吸収率と波長との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the absorption factor of a silicon | silicone, and a wavelength.

符号の説明Explanation of symbols

10 レーザ装置、14 レーザ発振器、16 光ファイバ、20 ランダム位相板、
22 第2シリンドリカルレンズアレイ、24 第1シリンドリカルレンズアレイ。
10 laser device, 14 laser oscillator, 16 optical fiber, 20 random phase plate,
22 2nd cylindrical lens array, 24 1st cylindrical lens array.

Claims (9)

複数のレーザ発振器と、
少なくとも1つの前記レーザ発振器から出力されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射
端面の各中心を結ぶ線がほぼ直線をなして配列される複数の光ファイバと、
前記複数の光ファイバから出射された光をコリメートするコリメートレンズと、
前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列される複数のシリンドリ
カルレンズからなる第1のシリンドリカルレンズアレイと、
この第1のシリンドリカルレンズアレイを透過した光を集光する集光レンズとを備える
ことを特徴とするレーザ装置。
A plurality of laser oscillators;
A plurality of optical fibers on which laser beams output from at least one of the laser oscillators are respectively incident, and lines connecting the centers of the emission end faces are arranged in a substantially straight line;
A collimating lens for collimating light emitted from the plurality of optical fibers;
A first cylindrical lens array comprising a plurality of cylindrical lenses arranged in the straight line direction so that the straight line and each bus line are perpendicular to each other;
A laser apparatus comprising: a condensing lens that condenses light transmitted through the first cylindrical lens array.
前記第1のシリンドリカルレンズアレイと前記コリメートレンズとの間
に、前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列され、前記第1のシリ
ンドリカルレンズアレイが備えるシリンドリカルレンズと同数の複数のシリンドリカルレ
ンズからなる第2のシリンドリカルレンズアレイとを備えることを特徴とする請求項1記
載のレーザ装置。
Between the first cylindrical lens array and the collimating lens, the straight lines and the generatrixes are arranged in the straight line direction so as to be perpendicular to each other, and the same number of the plurality of cylindrical lenses included in the first cylindrical lens array are provided. The laser apparatus according to claim 1, further comprising a second cylindrical lens array made of cylindrical lenses.
前記第1のシリンドリカルレンズアレイは、その前記各シリンドリカル
レンズの凸曲面が前記レーザ光の出射面を向いて配設されており、
前記第2のシリンドリカルレンズアレイは、その各シリンドリカルレンズの凸曲面が前
記レーザ光の入射面を向いて配設されているとともに、
前記第1のシリンドリカルレンズアレイと前記第2のシリンドリカルレンズアレイとの
距離は、前記第1のシリンドリカルレンズアレイの各シリンドリカルレンズの実効焦点距
離であることを特徴とする請求項2記載のレーザ装置。
In the first cylindrical lens array, the convex curved surface of each of the cylindrical lenses is disposed so as to face the emission surface of the laser light,
In the second cylindrical lens array, the convex curved surface of each cylindrical lens is arranged facing the incident surface of the laser beam, and
3. The laser apparatus according to claim 2, wherein a distance between the first cylindrical lens array and the second cylindrical lens array is an effective focal length of each cylindrical lens of the first cylindrical lens array.
前記コリメートレンズと、前記第2のシリンドリカルレンズアレイの間
、または、前記第1のシリンドリカルレンズアレイと前記第2のシリンドリカルレンズの
間、または、前記第1のシリンドリカルレンズアレイと前記集光レンズとの間に配置され
たランダム位相板を備えることを特徴とする請求項2または請求項3記載のレーザ装置。
Between the collimating lens and the second cylindrical lens array, between the first cylindrical lens array and the second cylindrical lens, or between the first cylindrical lens array and the condenser lens. The laser device according to claim 2, further comprising a random phase plate disposed between the laser devices.
前記光ファイバごとに、異なる波長の前記レーザ光が伝播することを特
徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか記載のレーザ装置。
The laser apparatus according to claim 1, wherein the laser light having a different wavelength is propagated for each optical fiber.
前記レーザ発振器は、前記各光ファイバに対応して2台ずつ備わってお
り、この2台から出射されたレーザ光を偏向素子で結合して前記光ファイバに入射する構
成であることを特徴とする請求項1乃至請求項4記載のレーザ装置。
Two laser oscillators are provided corresponding to each of the optical fibers, and the laser beams emitted from the two optical units are combined by a deflecting element and incident on the optical fiber. The laser device according to claim 1.
それぞれ波長が550nm以下のレーザ光を出射する複数の第1のレー
ザ発振器と、
波長が550nm以上のレーザ光を出射する少なくとも1つの第2のレーザ発振器と、
少なくとも1つの前記第1のレーザ発振器から出力されたレーザ光または/および前記
第2のレーザ発振器から出力されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射端面の各中心を結
ぶ線が直線をなして配列される複数の光ファイバと、
前記複数の光ファイバから出射された光をコリメートするコリメートレンズと、
前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列される複数のシリンドリ
カルレンズからなる第1のシリンドリカルレンズアレイと、
この第1のシリンドリカルレンズアレイを透過した光を集光する集光レンズとを備える
ことを特徴とするレーザ装置。
A plurality of first laser oscillators each emitting laser light having a wavelength of 550 nm or less;
At least one second laser oscillator that emits laser light having a wavelength of 550 nm or more;
Laser light output from at least one of the first laser oscillators and / or laser light output from the second laser oscillator are respectively incident, and lines connecting the centers of the emission end faces are arranged in a straight line. A plurality of optical fibers,
A collimating lens for collimating light emitted from the plurality of optical fibers;
A first cylindrical lens array comprising a plurality of cylindrical lenses arranged in the straight line direction so that the straight line and each bus line are perpendicular to each other;
A laser apparatus comprising: a condensing lens that condenses light transmitted through the first cylindrical lens array.
透光性基板上に半導体を成膜する工程と、
成膜された前記半導体に連続発振するレーザ光を照射して前記半導体を多結晶化する多結
晶化工程とを備える液晶表示装置の製造方法において、
前記多結晶化工程は、波長が550nm以上の連続発振するレーザ光及び波長が550
nm以下の連続発振するレーザ光を同じ箇所に照射しながら走査する工程を備えているこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Forming a semiconductor film on a light-transmitting substrate;
In a manufacturing method of a liquid crystal display device comprising a polycrystallization step of polycrystallizing the semiconductor by irradiating the formed semiconductor with laser light that continuously oscillates,
In the polycrystallization step, a laser beam having a wavelength of 550 nm or longer and a wavelength of 550 nm are continuously oscillated.
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step of scanning while irradiating the same portion with a laser beam that continuously oscillates at a wavelength of nm or less.
透光性基板上に半導体を成膜する工程と、
成膜された前記半導体に連続発振するレーザ光を照射して前記半導体を多結晶化する多
結晶化工程とを備える液晶表示装置の製造方法において、
前記多結晶化工程のおけるレーザ光の照射は請求項1乃至請求項7のいずれか記載のレ
ーザ装置を用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Forming a semiconductor film on a light-transmitting substrate;
In a manufacturing method of a liquid crystal display device comprising a polycrystallization step of polycrystallizing the semiconductor by irradiating the formed semiconductor with laser light that continuously oscillates,
8. A method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the laser beam irradiation in the polycrystallization step uses the laser device according to any one of claims 1 to 7.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012150036A (en) * 2011-01-20 2012-08-09 Nuflare Technology Inc Illuminating device, pattern checkup device and method for illuminating light formation
JP2012204819A (en) * 2011-03-28 2012-10-22 Gigaphoton Inc Laser system and laser generation method
JP2013030575A (en) * 2011-07-28 2013-02-07 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd Line beam irradiation device and line beam irradiation method using optical fiber array
JP2013520822A (en) * 2010-02-26 2013-06-06 エクシコ フランス Method and apparatus for irradiating semiconductor material surface with laser energy
JP2014029902A (en) * 2012-07-31 2014-02-13 Ricoh Co Ltd Laser device, and laser annealing device
JP2015199117A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社プロダクトサポート Laser processing device
JPWO2020152805A1 (en) * 2019-01-23 2021-12-02 ギガフォトン株式会社 Laser system and electronic device manufacturing method
JP7390377B2 (en) 2019-06-11 2023-12-01 ギガフォトン株式会社 Laser system and electronic device manufacturing method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013520822A (en) * 2010-02-26 2013-06-06 エクシコ フランス Method and apparatus for irradiating semiconductor material surface with laser energy
JP2012150036A (en) * 2011-01-20 2012-08-09 Nuflare Technology Inc Illuminating device, pattern checkup device and method for illuminating light formation
JP2012204819A (en) * 2011-03-28 2012-10-22 Gigaphoton Inc Laser system and laser generation method
JP2013030575A (en) * 2011-07-28 2013-02-07 Hitachi Computer Peripherals Co Ltd Line beam irradiation device and line beam irradiation method using optical fiber array
JP2014029902A (en) * 2012-07-31 2014-02-13 Ricoh Co Ltd Laser device, and laser annealing device
JP2015199117A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社プロダクトサポート Laser processing device
JPWO2020152805A1 (en) * 2019-01-23 2021-12-02 ギガフォトン株式会社 Laser system and electronic device manufacturing method
JP7166362B2 (en) 2019-01-23 2022-11-07 ギガフォトン株式会社 LASER SYSTEM AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP7390377B2 (en) 2019-06-11 2023-12-01 ギガフォトン株式会社 Laser system and electronic device manufacturing method

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