JP2006275691A - Inspection method and inspection device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and surely determine whether crystallization is progressed sufficiently or not when solid-phase-crystallizing amorphous silicon. <P>SOLUTION: In this inspection method, an image of an inspection area on a substrate 110 is imaged to prepare a gray scale image from the image on the basis of lightness, a threshold value of the lightness of the gray scale image is determined pursuant to Expression : threshold value (Th)=minimum value+(maximum value-minimum value)×A (A=0-1), a binary image is prepared from the image on the basis of the threshold value of the lightness, and the inspection area is determined to be nondefective or defective on the basis of the binary image. A degree of the progress in the solid phase crystallization is determined, in particular, when an amorphous area and a polycrystal area exist in the inspection area on the substrate by the solid phase crystallization. A determination result is reflected to other manufacturing process through a network to enhance the quality of a product. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、結晶性薄膜の検査方法および検査装置に関する。   The present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus for a crystalline thin film.

近年、高精細度が要求される液晶パネルや有機ELパネルにはアモルファスシリコンではなく多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ(TFT)が採用されることが多い。多結晶シリコンは、製造が比較的容易なアモルファスシリコンを固相結晶化することにより製造することができるが、良質なパネルを製造するためにはアモルファスシリコンの結晶化が充分進行したかどうかを検査する必要がある。従来、この固相結晶化後の検査は検査員の目視によって行われていた。   In recent years, thin film transistors (TFTs) using polycrystalline silicon instead of amorphous silicon are often employed in liquid crystal panels and organic EL panels that require high definition. Polycrystalline silicon can be manufactured by solid-phase crystallization of amorphous silicon, which is relatively easy to manufacture. In order to manufacture high-quality panels, it is inspected whether crystallization of amorphous silicon has progressed sufficiently. There is a need to. Conventionally, the inspection after the solid-phase crystallization has been performed visually by an inspector.

しかし、上述のような検査員の目視による検査には長い時間を要するため、製品の製造時間が増大してしまう。また、検査員に多大な負担をかける、判定に個人差が生じる等の問題がある。そのため近年、固相結晶化後の検査を画像処理によって行う方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   However, since the inspection by the inspector as described above takes a long time, the manufacturing time of the product increases. In addition, there are problems such as placing a great burden on the inspector and causing individual differences in determination. Therefore, in recent years, a method has been proposed in which inspection after solid-phase crystallization is performed by image processing (for example, see Patent Document 1).

前記特許文献1に記載の画像処理方法では、検査基板を撮像した光学顕微鏡像をアモルファス領域または多結晶領域のいずれかに分類し二値化することで結晶化の進行度を判断しているが、この二値化方法は直感的にわかりづらく検査員の経験を反映させることが難しい。しかし、検査員の経験的な判断を画像処理に反映させやすいほうが目視による検査に近い判定結果を出すことができるため望ましい。   In the image processing method described in Patent Document 1, the progress of crystallization is determined by classifying an optical microscope image obtained by imaging a test substrate into either an amorphous region or a polycrystalline region and binarizing it. This binarization method is difficult to understand intuitively and it is difficult to reflect the experience of the inspector. However, it is desirable to easily reflect the empirical judgment of the inspector in the image processing because a determination result close to visual inspection can be obtained.

特許公開 2004−179190号公報Patent Publication No. 2004-179190

そこで、本発明では、アモルファスシリコンを固相結晶化した際に結晶化が充分進行したかどうかを簡単かつ確実に判定することができ、また検査員の経験を反映させ目視の場合に近い判定結果を出すことができる検査方法および検査装置を提供することを目的とする。   Therefore, in the present invention, it is possible to easily and surely determine whether crystallization has sufficiently progressed when solid-phase crystallization of amorphous silicon, and the determination result is close to that of visual inspection reflecting the experience of the inspector. It is an object of the present invention to provide an inspection method and an inspection apparatus capable of producing

上記課題を解決するための本発明の構成は、基板上の検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成し、前記二値画像を基に前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。特に基板上の検査領域に固相結晶化によりアモルファス領域と多結晶領域が存在する場合において、固相結晶化の進行度を判定することができる。
The configuration of the present invention for solving the above problems is to capture an image of an inspection region on a substrate, create a grayscale image based on the brightness from the image, and set the brightness threshold of the grayscale image to the following formula: Determined by
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
A binary image is created from the grayscale image based on the lightness threshold value, and the quality of the inspection area is determined based on the binary image. In particular, when an amorphous region and a polycrystalline region are present by solid phase crystallization in the inspection region on the substrate, the progress of solid phase crystallization can be determined.

また、本発明において、検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムから歪度を算出し、前記歪度から前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。特に基板上の検査領域に固相結晶化によりアモルファス領域と多結晶領域が存在する場合において、歪度が一定基準値よりも小さい場合には、検査領域における固相結晶化が十分に進んでいないとし、歪度が一定基準値よりも大きい場合には、検査領域における固相結晶化が十分に進んでいると判定することができる。なお、歪度により固相結晶化が十分に進んでいないと判断された基板は、次の検査工程に進めることなく検査からはずしても良い。   Further, in the present invention, an image of an inspection region is taken, a grayscale image is created from the lightness based on the image, a histogram is created based on the grayscale image, a skewness is calculated from the histogram, Whether the inspection area is good or bad is determined from the skewness. In particular, in the case where an amorphous region and a polycrystalline region exist due to solid-phase crystallization in the inspection region on the substrate, solid-phase crystallization in the inspection region is not sufficiently advanced when the skewness is smaller than a certain reference value. If the degree of distortion is greater than a certain reference value, it can be determined that solid-phase crystallization in the inspection region is sufficiently advanced. It should be noted that the substrate determined that the solid-phase crystallization is not sufficiently advanced due to the skewness may be removed from the inspection without proceeding to the next inspection step.

また、本発明は、アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムから歪度を算出し、前記歪度から前記検査領域におけるアモルファスから多結晶への結晶化の進行度を判断し前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。   Further, the present invention captures an image of an inspection region including an amorphous region and a polycrystalline region, creates a grayscale image from the image based on brightness, creates a histogram based on the grayscale image, And calculating the degree of crystallization from amorphous to polycrystalline in the inspection region based on the degree of distortion to determine whether the inspection region is good or bad.

また、本発明において、アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から明度の閾値を基に二値画像を作成し、前記二値画像中の連結領域を検出し、前記二値画像の全画素に対する前記連結領域の割合から前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。なお、この場合において、二値画像の全画素に対する前記アモルファス領域の割合によってアモルファスから多結晶への結晶化が十分進行したかどうかを判断することができる。
Further, in the present invention, an image of an inspection region including an amorphous region and a polycrystalline region is taken, a gray scale image is created from the lightness based on the image, and a lightness threshold value of the gray scale image is determined by the following equation: ,
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
A binary image is created from the gray scale image based on a threshold value of brightness, a connected region in the binary image is detected, and the ratio of the connected region to the total pixels of the binary image It is characterized by determining a defect. In this case, it can be determined whether the crystallization from amorphous to polycrystalline has sufficiently progressed based on the ratio of the amorphous region to the total pixels of the binary image.

また、本発明において、アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から明度の閾値を基に二値画像を作成し、前記二値画像中の連結領域を検出し、前記連結領域の数または大きさから前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。なお、この場合において、二値画像から得られる連結領域の数または大きさによって、固相結晶化の状態が所望の状態にあるか否かを判定することができる。
Further, in the present invention, an image of an inspection region including an amorphous region and a polycrystalline region is taken, a gray scale image is created from the lightness based on the image, and a lightness threshold value of the gray scale image is determined by the following equation: ,
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
A binary image is created from the grayscale image based on a lightness threshold value, a connected region in the binary image is detected, and whether the inspection region is good or bad is determined based on the number or size of the connected regions. It is characterized by. In this case, whether or not the solid-phase crystallization state is in a desired state can be determined based on the number or size of the connected regions obtained from the binary image.

また、本発明において、アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムから歪度を算出し、前記歪度から前記検査領域におけるアモルファスから多結晶への結晶化の進行度を判断し前記検査領域の良・不良を判定し、前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から明度の閾値を基に二値画像を作成し、前記二値画像中の連結領域を検出し、前記二値画像の全画素に対する前記連結領域の割合から前記検査領域の良・不良を判定し、前記連結領域の数または大きさから前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。
In the present invention, an image of an inspection region including an amorphous region and a polycrystalline region is captured, a grayscale image is created from the image based on brightness, a histogram is created based on the grayscale image, and the histogram The degree of distortion is calculated from the degree of crystallization from amorphous to polycrystalline in the inspection area based on the degree of distortion to determine whether the inspection area is good or bad. Determined by the formula
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
A binary image is created from the gray scale image based on a threshold value of brightness, a connected region in the binary image is detected, and the ratio of the connected region to the total pixels of the binary image A defect is determined, and whether the inspection area is good or bad is determined from the number or size of the connected areas.

また、本発明において、前記グレースケール画像の明度の最大値・最小値を測定する際にヒストグラムを用いてノイズの影響を軽減することを特徴とする。   In the present invention, when measuring the maximum value / minimum value of the brightness of the gray scale image, the influence of noise is reduced by using a histogram.

また、本発明では、上記判定結果をネットワークを通じてサーバー等の他のコンピュータに伝え、判定結果を他の製造工程に反映させることを特徴とする。その結果、製品の品質を高いものにすることができる。   Further, the present invention is characterized in that the determination result is transmitted to another computer such as a server through a network, and the determination result is reflected in another manufacturing process. As a result, the quality of the product can be increased.

さらに、本発明は、上記検査方法を手段として備えることを特徴とする検査装置である。   Furthermore, the present invention is an inspection apparatus comprising the inspection method as a means.

上述のように、固相結晶化後の検査は従来検査員の目視によって行われていたが、本発明が提供する検査方法を用いれば検査の自動化が可能となり、製造時間短縮・省力化・コスト削減につながる。また検査員の負担を軽減することができ、検査員の個人差による判定のばらつきを抑えることができる。また本発明においては検査員の経験を画像処理に反映させやすいため、目視で判定した場合に近い判定結果を得ることができる。   As described above, the inspection after solid-phase crystallization has been performed by visual inspection by an inspector. However, the inspection method provided by the present invention enables the inspection to be automated, shortening the manufacturing time, saving labor, and cost. It leads to reduction. In addition, the burden on the inspector can be reduced, and variations in determination due to individual differences among the inspectors can be suppressed. In the present invention, since the experience of the inspector is easily reflected in the image processing, it is possible to obtain a determination result close to the case where the determination is made visually.

本実施の形態では、本発明を適用したアモルファスシリコンの固相結晶化後における検査方法について説明する。   In this embodiment mode, an inspection method after solid-phase crystallization of amorphous silicon to which the present invention is applied will be described.

本発明の検査方法では基板上に形成されたアモルファスシリコンが多結晶シリコンへ固相結晶化した場合にその結晶化の程度を検査することが可能であるが、本実施の形態の場合には、多結晶シリコンだけでなくアモルファスシリコンがある基準値の範囲内で存在する基板を自動的に選出する場合について説明する。なお、これから説明する実施の形態は、本発明の一つの具体例であるため種々の制限が付されているが、本発明はこれらの態様に限定されないものとする。   In the inspection method of the present invention, when the amorphous silicon formed on the substrate is solid-phase crystallized into polycrystalline silicon, it is possible to inspect the degree of crystallization, but in the case of the present embodiment, A case will be described in which not only polycrystalline silicon but also amorphous silicon is automatically selected within a certain reference value range. Note that the embodiment described below is one specific example of the present invention, and thus various restrictions are given. However, the present invention is not limited to these embodiments.

また、本実施の形態における半導体膜はシリコンであるが、半導体膜がゲルマニウムやシリコンゲルマニウム化合物であっても同様の手順によって固相結晶化後の検査を行うことができる。   In addition, although the semiconductor film in this embodiment is silicon, even after the semiconductor film is germanium or a silicon germanium compound, inspection after solid-phase crystallization can be performed by the same procedure.

図1は本実施の形態の検査装置の模式図である。検査基板110を白色光源103によって照射し、光学顕微鏡102およびデジタルカメラ101により透過光を撮像する。なお、この撮影時の白色光源103を検査基板110の上に配置し照射して反射光を撮像してもよい。撮像された画像はパーソナルコンピュータ(PC)104に転送され、PC104において画像処理が行われる。各種画像はモニター105にて確認することができる。また、PC104はネットワーク106によって他のコンピュータと接続されている。   FIG. 1 is a schematic diagram of an inspection apparatus according to the present embodiment. The inspection substrate 110 is irradiated with the white light source 103, and the transmitted light is imaged by the optical microscope 102 and the digital camera 101. Note that the white light source 103 at the time of photographing may be arranged on the inspection substrate 110 and irradiated to image the reflected light. The captured image is transferred to a personal computer (PC) 104 and image processing is performed in the PC 104. Various images can be confirmed on the monitor 105. The PC 104 is connected to another computer via the network 106.

モニター105は、撮像画像等を表示し検査員が目視で確認するためのものであるが、画像処理はPC104において行われるため、モニター105は検査員が補助的に使用するだけのものである。   The monitor 105 is for displaying an imaged image and the like for an inspector to visually confirm, but since the image processing is performed in the PC 104, the monitor 105 is only used as an auxiliary by the inspector.

次に、本実施の形態の検査方法に関して図1、および図2のフローチャートを用いて説明する。   Next, the inspection method of this embodiment will be described with reference to the flowcharts of FIGS.

本実施の形態では、基板上のアモルファスシリコンを固相結晶化した基板を検査基板とし、検査基板を白色光源103で照射し、検査基板上の検査領域を光学顕微鏡102およびデジタルカメラ101によって撮像する(ステップ1)。なお、検査基板に白色光を照射し透過光を撮像した場合、固相結晶化されずにアモルファスシリコンの残っている領域(以下、アモルファス領域と呼ぶ)は黄色を、固相結晶化が進み多結晶シリコンが形成された領域(以下、多結晶領域と呼ぶ)は白色を呈している。この色の違いは、多結晶シリコンは白色光をほぼそのまま透過するのに対し、アモルファスシリコンは白色光のうち青色光を吸収することによる。   In this embodiment, a substrate obtained by solid-phase crystallization of amorphous silicon on a substrate is used as an inspection substrate, the inspection substrate is irradiated with a white light source 103, and an inspection region on the inspection substrate is imaged by the optical microscope 102 and the digital camera 101. (Step 1). Note that when the inspection substrate is irradiated with white light and the transmitted light is imaged, the region where amorphous silicon remains without being solid-phase crystallized (hereinafter referred to as amorphous region) is yellow, and solid-phase crystallization progresses frequently. A region where the crystalline silicon is formed (hereinafter referred to as a polycrystalline region) is white. This color difference is due to the fact that polycrystalline silicon transmits white light almost as it is, while amorphous silicon absorbs blue light of white light.

次に、ステップ1において撮像した画像(光学顕微鏡像)から明度のグレースケール画像を作成する(ステップ2)。明度は明るさを表す要素である。本実施の形態において明度は0〜255の256階調とした。アモルファスシリコンが青色光を吸収することによりアモルファス領域における明度は多結晶領域よりも低くなるため、グレースケール画像においてアモルファス領域は暗く見える。   Next, a lightness grayscale image is created from the image (optical microscope image) captured in step 1 (step 2). Lightness is an element representing brightness. In this embodiment, the brightness is 256 gradations from 0 to 255. Since amorphous silicon absorbs blue light, the brightness in the amorphous region is lower than that in the polycrystalline region, so the amorphous region appears dark in the grayscale image.

次に、ステップ2で作成したグレースケール画像から公知の手法を用いてノイズを除去し、ノイズが除去されたグレースケール画像のヒストグラムを作成する(ステップ3)。なお、ヒストグラムを作成することにより、各検査基板に存在するアモルファス領域と多結晶領域の分布を歪度で表すことができる。歪度とはヒストグラムの偏りを表す値であり、ヒストグラムの形状が左寄りのときには正の値を、右寄りのときには負の値をとる。本実施の形態の場合には、ヒストグラムの横軸を明度で表していることから、ヒストグラムの形状が左寄り(歪度が正の値)の時には固相結晶化があまり進まずアモルファス領域が多い場合を示し、ヒストグラムの形状が右寄り(歪度が負の値)の時には固相結晶化が進み多結晶領域が多い場合を示している。   Next, noise is removed from the grayscale image created in step 2 using a known method, and a histogram of the grayscale image from which noise has been removed is created (step 3). By creating a histogram, the distribution of amorphous regions and polycrystalline regions existing on each inspection substrate can be expressed by skewness. The skewness is a value representing the bias of the histogram, and takes a positive value when the shape of the histogram is to the left, and a negative value when the shape of the histogram is to the right. In the case of the present embodiment, since the horizontal axis of the histogram is represented by brightness, when the shape of the histogram is to the left (distortion is a positive value), solid-phase crystallization does not progress so much and there are many amorphous regions. When the shape of the histogram is to the right (strain value is negative), solid-phase crystallization proceeds and there are many polycrystalline regions.

なお、図3(A)〜(F)には、本実施の形態における固相結晶化の各段階におけるグレースケール画像を示す。なお、固相結晶化は、(A)→(B)→(C)→(D)→(E)→(F)の順に進行している。また、図4には、図3(A)〜(F)のグレースケール画像から得られるヒストグラムを示す。なお、図4に示す(A)〜(F)は、図3の(A)〜(F)に対応している。   3A to 3F show gray scale images at each stage of solid-phase crystallization in this embodiment. Solid phase crystallization proceeds in the order of (A) → (B) → (C) → (D) → (E) → (F). FIG. 4 shows a histogram obtained from the gray scale images of FIGS. Note that (A) to (F) shown in FIG. 4 correspond to (A) to (F) in FIG. 3.

図4において、(A)→(B)→(C)→(D)→(E)→(F)の順に固相結晶化が進行するにつれてヒストグラムの形状が左寄りから右寄りに変化していく様子がわかる。これは、結晶化があまり進んでおらずアモルファス領域が多いときには明度が低い画素が多く、結晶化が進行し多結晶領域が多くなると明度が高い画素が多くなるためである。   In FIG. 4, the shape of the histogram changes from left to right as solid-phase crystallization proceeds in the order of (A) → (B) → (C) → (D) → (E) → (F). I understand. This is because there are many pixels with low brightness when crystallization is not progressing much and there are many amorphous regions, and there are many pixels with high brightness when crystallization progresses and the number of polycrystalline regions increases.

また、図4((A)〜(F))の各ヒストグラムから算出される歪度を表1に示す。   In addition, Table 1 shows the skewness calculated from each histogram in FIG. 4 ((A) to (F)).

ヒストグラムの歪度は固相結晶化が進行するにつれて((A)から(F)へ固相結晶化が進むにつれて)正の値から負の値に変化する。そこで、本実施の形態では、固相結晶化の進行度を評価するパラメータとして歪度を用いることとする。すなわち、検査基板における固相結晶化が検査基準に達しているかどうかを歪度の基準値を基に判定することができる。検査基板上の結晶状態が基準値よりも大きい歪度を示す場合には、検査基準に達していないとして不良(NG)と判定し、その検査基板を検査工程からはずすこととなり、また、基準値よりも小さい歪度を示す場合には、検査基準に達しているとして良品(OK)と判定し、その検査基板は次に検査工程に進むこととなる(ステップ4)。   The skewness of the histogram changes from a positive value to a negative value as solid-phase crystallization progresses (as solid-phase crystallization progresses from (A) to (F)). Therefore, in this embodiment, the skewness is used as a parameter for evaluating the progress of solid-phase crystallization. That is, it is possible to determine whether solid-phase crystallization on the inspection substrate has reached the inspection standard based on the standard value of the skewness. If the crystal state on the inspection substrate shows a skewness larger than the reference value, it is determined that the inspection substrate does not reach the inspection standard and is judged as defective (NG), and the inspection substrate is removed from the inspection process. If the degree of distortion is smaller than that, it is determined that the inspection standard has been reached, and the product is determined to be non-defective (OK), and the inspection substrate proceeds to the inspection process (step 4).

表1に示す歪度が各検査基板から得られて、例えば、歪度の基準値として0.2を設定する場合には、固相結晶化がほとんど進んでいない(A)や(B)は、検査基準に達していないとして不良品(NG)と判定され、検査工程からはずされ、固相結晶化が進んでいる(C)、(D)、(E)、(F)は、検査基準に達しているとして良品(OK)と判定され、次の検査工程に進むこととなる。   When the skewness shown in Table 1 is obtained from each test substrate and, for example, 0.2 is set as the standard value of the skewness, solid-phase crystallization hardly progresses (A) or (B) (C), (D), (E), and (F) are determined to be defective products (NG) because they have not reached the inspection standard, are removed from the inspection process, and solid phase crystallization is in progress. As a result, it is determined that the product is non-defective (OK), and the process proceeds to the next inspection process.

次に、ステップ3でヒストグラムを作成する際に用いたグレースケール画像の各画素を多結晶領域またはアモルファス領域のいずれかに分類し、多結晶領域を白、アモルファス領域を黒で表した二値画像を作成する(ステップ5)。   Next, each pixel of the grayscale image used when creating the histogram in step 3 is classified as either a polycrystalline region or an amorphous region, and a binary image in which the polycrystalline region is represented by white and the amorphous region is represented by black. Is created (step 5).

なお、本実施の形態では、予め明度の閾値を決めておき、グレースケール画像の各画素の明度の値が明度の閾値よりも大きければ多結晶領域と判定して白、小さければアモルファス領域と判定して黒として表し、二値画像を作成する。   In this embodiment, a lightness threshold value is determined in advance. If the lightness value of each pixel of the grayscale image is larger than the lightness threshold value, it is determined as a polycrystalline region, and if it is small, it is determined as an amorphous region. This is expressed as black to create a binary image.

本実施の形態で用いる明度の閾値は、以下の方法で求めることとする。例えば、図5(A)に示すグレースケール画像中の直線X−X’部分における明度を測定すると図5(B)のようなデータが得られる。図5(A)のグレースケール画像は横400ピクセル、縦300ピクセルの画像であり、直線X−X’のY座標は215である。前述したように明度の値が小さい場合には、その領域がアモルファス領域であることを示し、明度の値が大きい場合には、その領域が多結晶領域であることを示すものであることから、図5(B)中の明度の最大値(H)と最小値(L)を用いることにより、以下に示す式(1)により明度の閾値(Th)を求めることとする。
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A (式1)
(ただし、A=0〜1)
The brightness threshold used in this embodiment is determined by the following method. For example, when the brightness in the straight line XX ′ portion in the gray scale image shown in FIG. 5A is measured, data as shown in FIG. 5B is obtained. The gray scale image in FIG. 5A is an image having 400 pixels in the horizontal direction and 300 pixels in the vertical direction, and the Y coordinate of the straight line XX ′ is 215. As described above, when the value of lightness is small, it indicates that the region is an amorphous region, and when the value of lightness is large, it indicates that the region is a polycrystalline region. By using the maximum value (H) and the minimum value (L) of the lightness in FIG. 5B, the lightness threshold (Th) is obtained by the following equation (1).
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A (Formula 1)
(However, A = 0 to 1)

なお、同一の固相結晶化状態にある検査基板を評価した場合、式(1)におけるAの値を1に近づけるとアモルファス領域とみなされる領域が増えるのに対し、Aの値を0に近づけると多結晶領域と見なされる領域が増えることがわかる。従って、検査員が目視で検査した場合の検査基準に見合うようにAの値を調節することにより、目視で検査した場合と同様の検査基準で多結晶領域とアモルファス領域とを区別することができる。なお、式(1)における最大値と最小値は検査環境の変化(照明が変動して画像全体が明るくなったり暗くなったりした場合等)に対応して変化するため、検査環境の変化による影響を軽減して検査することが可能である。   When the test substrates in the same solid-state crystallization state are evaluated, when the value of A in Equation (1) is close to 1, more regions are considered as amorphous regions, whereas the value of A is close to 0. It can be seen that the number of regions regarded as polycrystalline regions increases. Therefore, by adjusting the value of A so as to meet the inspection standard when the inspector visually inspects, the polycrystalline region and the amorphous region can be distinguished by the same inspection standard as when visually inspected. . Note that the maximum and minimum values in equation (1) change in response to changes in the inspection environment (such as when the illumination changes and the entire image becomes brighter or darker), so the effect of changes in the inspection environment It is possible to reduce the inspection.

しかし、測定により得られた明度の最大値(H)と最小値(L)は画像中のノイズによって変化してしまうことがあるため、そのままの値を式(1)で用いると、式(1)で得られる明度の閾値(Th)もノイズの影響を受けてしまう場合がある。このようなノイズが含まれていると多結晶領域とアモルファス領域とを区別が十分に行えなくなることから、ノイズの影響を軽減して得られる最大値(H’)と最小値(L’)を式(1)に用いて明度の閾値(Th’)を求めるのが好ましい。   However, since the maximum value (H) and the minimum value (L) of the brightness obtained by the measurement may change due to noise in the image, using the values as they are in the expression (1), the expression (1 The threshold value (Th) of brightness obtained in (1) may also be affected by noise. If such noise is included, the polycrystalline region and the amorphous region cannot be sufficiently distinguished, so the maximum value (H ′) and the minimum value (L ′) obtained by reducing the influence of noise are set. It is preferable to obtain the lightness threshold (Th ′) using the equation (1).

本実施の形態では、ノイズの影響を軽減して得られる最大値(H’)と最小値(L’)を式(1)に用いて明度の閾値(Th’)を求めることとする。   In this embodiment, the lightness threshold (Th ′) is obtained by using the maximum value (H ′) and the minimum value (L ′) obtained by reducing the influence of noise in the equation (1).

図5(A)のグレースケール画像の場合には、図6(A)に示すヒストグラムが得られ、測定により明度の最大値(H)と最小値(L)が得られる。ここでは、ヒストグラムの度数がF以下で検出されるものはノイズとみなす。すなわち、ヒストグラムにおいて度数がFの場合における明度が最大となる値を最大値(H’)とし、度数がFの場合における明度が最小となる値を最小値(L’)とし、式(1)よりノイズの影響を軽減した明度の閾値(Th’)を求める。   In the case of the gray scale image of FIG. 5A, the histogram shown in FIG. 6A is obtained, and the maximum value (H) and the minimum value (L) of brightness are obtained by measurement. Here, what is detected when the frequency of the histogram is F or less is regarded as noise. That is, in the histogram, when the frequency is F, the value that maximizes the brightness is the maximum value (H ′), and when the frequency is F, the value that minimizes the brightness is the minimum value (L ′). A lightness threshold (Th ′) that further reduces the influence of noise is obtained.

本実施の形態で求めた明度の閾値(Th’)を基に作成した二値画像を図6(B)に示す。式(1)におけるAの値は0.40、ノイズ軽減のためのHの値は5とした。図6(B)に示す二値画像はノイズによる影響を軽減していることから、検査基板中に含まれるアモルファス領域をより正確に検出している。なお、以降の記述において式(1)を用いている場合、Aは0.40、Fは5として閾値を求めているものとする。   FIG. 6B shows a binary image created based on the brightness threshold (Th ′) obtained in this embodiment. In equation (1), the value of A was 0.40, and the value of H for noise reduction was 5. Since the binary image shown in FIG. 6B reduces the influence of noise, the amorphous region included in the inspection substrate is detected more accurately. In the following description, when Expression (1) is used, it is assumed that A is 0.40 and F is 5, and the threshold value is obtained.

次に、作成した二値画像中においてアモルファス領域を表す黒画素の領域(以下、連結領域と呼ぶ)を検出し、その数と大きさを保存する。(ステップ6)。   Next, a black pixel region (hereinafter referred to as a connected region) representing an amorphous region is detected in the created binary image, and the number and size thereof are stored. (Step 6).

測定した連結領域が二値画像中にどの程度存在するかを調べることで、検査基板における固相結晶化の進み具合を調べることができる。そこで、本実施の形態では、ステップ6において検出した全ての連結領域の画素数の総和を求め、二値画像中の連結領域の割合を算出する。この二値画像中の連結領域の割合とあらかじめ設定した連結領域の割合の基準値と比較し、連結領域の割合が基準値よりも低ければ、検査基準の範囲で固相結晶化が進行していることから良品(OK)とみなして次の検査工程に進み、高ければ、検査基準の範囲で固相結晶化が進行していないことから不良品(NG)と判定され、検査工程からはずされる。(ステップ7)。   By examining how much the measured connected region is present in the binary image, it is possible to examine the progress of solid-phase crystallization on the inspection substrate. Therefore, in the present embodiment, the sum of the number of pixels in all the connected areas detected in step 6 is obtained, and the ratio of the connected areas in the binary image is calculated. Compare the ratio of connected areas in this binary image with the reference value of the ratio of connected areas set in advance, and if the ratio of connected areas is lower than the reference value, solid-phase crystallization will proceed within the inspection standard range. Therefore, it is regarded as non-defective (OK) and proceeds to the next inspection process. If it is high, solid-phase crystallization has not progressed within the inspection standard range, so it is determined as defective (NG) and removed from the inspection process. The (Step 7).

ステップ4において歪度の基準値を0.2としステップ7に進んだ画像図3(C)〜(F)を式(1)によって二値化した場合の連結領域の割合を表2に示す。   Table 2 shows the ratio of connected regions in the case where the reference value of the skewness in step 4 is 0.2 and the images in FIGS. 3C to 3F are binarized by equation (1).

図3(C)に示す画像は結晶化が十分進んでおらずNGと判定されるべき画像であるが、ステップ6においてアモルファス領域の割合の基準値を0.25程度に設定しておけば図3(C)に示す画像にNGの判定を出すことができる。   The image shown in FIG. 3C is an image that is not sufficiently crystallized and should be determined as NG. However, if the reference value of the ratio of the amorphous region is set to about 0.25 in step 6, the image shown in FIG. NG can be determined for the image shown in 3 (C).

また、ステップ6において検出される連結領域は複数存在し、その形状は大小様々である。ステップ7において連結領域の割合から検査基準の範囲内で固相結晶化が進行しており良品と判断された検査基板であっても、その固相結晶化の状態に問題がある場合がある。例えば、アモルファス領域を表す複数の連結領域のうちにある基準よりも大きい連結領域が多く含まれる場合には、後の工程を経てこれらの基板を用いたTFT(薄膜トランジスタ)を完成させた場合にその性能が低下するといった問題が生じることがある。   In addition, there are a plurality of connected regions detected in step 6, and the shapes thereof are various. Even in the case of a test substrate that is determined to be non-defective because solid phase crystallization has progressed within the range of the inspection standard from the ratio of the connected regions in step 7, there may be a problem in the state of solid phase crystallization. For example, when a large number of connected regions larger than a certain standard are included in a plurality of connected regions representing an amorphous region, the TFT (thin film transistor) using these substrates is completed through a later process. Problems such as reduced performance may occur.

そこで次に、ステップ6において検出した連結領域の大きさと数を、予め設定した大きさと数の基準値と比較する(ステップ8)。そして、連結領域のうち、その形状が基準値よりも大きいものの数が基準値よりも多ければ結晶化状態が悪いとみなして不良品(NG)と判定し検査工程からはずすものとし、基準値よりも少なければ結晶化状態が良いとして良品(OK)と判定する。   Therefore, the size and number of connected regions detected in step 6 are compared with a preset size and number reference value (step 8). If the number of connected regions whose shape is larger than the reference value is larger than the reference value, the crystallized state is regarded as bad, and it is determined as a defective product (NG) and removed from the inspection process. If not, it is determined that the crystallized state is good and that the product is OK.

例えば、連結領域の大きさの基準値を300ピクセルとした場合、図3(D)、(E)、(F)に示す画像を式(1)によって二値化したときの各二値画像中の300ピクセル以上の連結領域の数は表3に示す数となる。   For example, when the reference value of the size of the connected region is 300 pixels, each of the binary images when the images shown in FIGS. 3D, 3E, and 3F are binarized by Expression (1) The number of connected regions of 300 pixels or more is the number shown in Table 3.

従って、もし図3(D)に示す画像を不良と判定したければ、連結領域の大きさの基準値を300ピクセル、数の基準値を1に設定しておけばよい。   Therefore, if it is determined that the image shown in FIG. 3D is defective, the reference value for the size of the connected region may be set to 300 pixels, and the reference value for the number may be set to 1.

なお、本実施の形態で示す検査基板の検査工程は以上で終了する為、ステップ8で良品(OK)と判定された基板は、以降の作製工程に進めることができる。   Note that since the inspection substrate inspection process described in this embodiment is completed as described above, the substrate determined to be a non-defective product (OK) in Step 8 can proceed to a subsequent manufacturing process.

以上のように固相結晶化後の検査に本発明を適用することにより、検査の自動化・高速化が可能となり、TFT基板の製造コストを削減することができる。また検査員の負担を軽減することができ、個人差による判定のばらつきを抑えることができる。また本発明においては検査員の経験を画像処理に反映させやすくしていることから、目視検査の場合に近い判定結果を得ることができる。   As described above, by applying the present invention to the inspection after solid-phase crystallization, the inspection can be automated and speeded up, and the manufacturing cost of the TFT substrate can be reduced. In addition, the burden on the inspector can be reduced, and variations in determination due to individual differences can be suppressed. In the present invention, since the experience of the inspector is easily reflected in the image processing, a determination result close to that in the case of visual inspection can be obtained.

本発明における検査装置の概略図。The schematic diagram of the inspection device in the present invention. 本発明における検査方法の作業手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the operation | movement procedure of the inspection method in this invention. 本発明に用いた結晶化の各段階のグレースケール画像。The gray scale image of each step of crystallization used in the present invention. 図3における各グレースケール画像のヒストグラム。The histogram of each gray scale image in FIG. (A)閾値の算出に用いるグレースケール画像。(B)図5(A)中の直線X―X’における明度を示すグラフ。(A) A grayscale image used for threshold value calculation. FIG. 5B is a graph showing lightness on the straight line X-X ′ in FIG. (A)図5(A)に示す画像のヒストグラム。(B)図5(A)を二値化した画像。(A) Histogram of the image shown in FIG. (B) An image obtained by binarizing FIG.

符号の説明Explanation of symbols

101 デジタルカメラ
102 光学顕微鏡
103 白色光源
104 パーソナルコンピュータ(PC)
105 モニター
106 ネットワーク
110 検査基板
101 Digital Camera 102 Optical Microscope 103 White Light Source 104 Personal Computer (PC)
105 Monitor 106 Network 110 Inspection board

Claims (14)

検査領域の画像を撮像し、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、
前記グレースケール画像中の明度の最大値・最小値を測定し、
前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を用いて二値画像を作成し、
前記二値画像を基に前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする検査方法。
Take an image of the inspection area,
Create a grayscale image based on brightness from the image,
Measure the maximum and minimum values of brightness in the grayscale image,
The threshold value of the brightness of the grayscale image is determined by the following formula:
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
Create a binary image from the grayscale image using the brightness threshold,
An inspection method comprising: determining whether the inspection area is good or bad based on the binary image.
検査領域の画像を撮像し、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、
前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成し、
前記ヒストグラムから歪度を算出し、
前記歪度から前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする検査方法。
Take an image of the inspection area,
Create a grayscale image based on brightness from the image,
Create a histogram based on the grayscale image,
Calculating skewness from the histogram,
An inspection method comprising: determining whether the inspection area is good or bad from the skewness.
アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像し、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、
前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成し、
前記ヒストグラムから歪度を算出し、
前記歪度によってアモルファスから多結晶への結晶化の進行度を判断し前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする検査方法。
Take an image of the inspection area including the amorphous and polycrystalline areas,
Create a grayscale image based on brightness from the image,
Create a histogram based on the grayscale image,
Calculating skewness from the histogram,
An inspection method, wherein the degree of progress of crystallization from amorphous to polycrystalline is determined based on the degree of distortion to determine whether the inspection region is good or bad.
アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像し、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、
前記グレースケール画像中の明度の最大値・最小値を測定し、
前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成し、
前記二値画像中の連結領域を検出し、
前記二値画像の全画素に対する前記連結領域の割合から前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする検査方法。
Take an image of the inspection area including the amorphous and polycrystalline areas,
Create a grayscale image based on brightness from the image,
Measure the maximum and minimum values of brightness in the grayscale image,
The threshold value of the brightness of the grayscale image is determined by the following formula:
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
Create a binary image based on the brightness threshold from the grayscale image,
Detecting a connected region in the binary image;
An inspection method comprising: determining whether the inspection area is good or bad from a ratio of the connected area to all pixels of the binary image.
アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像し、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、
前記グレースケール画像中の明度の最大値・最小値を測定し、
前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成し、
前記二値画像中の連結領域を検出し、
前記連結領域の数または大きさから前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする検査方法。
Take an image of the inspection area including the amorphous and polycrystalline areas,
Create a grayscale image based on brightness from the image,
Measure the maximum and minimum values of brightness in the grayscale image,
The threshold value of the brightness of the grayscale image is determined by the following formula:
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
Create a binary image based on the brightness threshold from the grayscale image,
Detecting a connected region in the binary image;
An inspection method comprising: determining whether the inspection area is good or bad from the number or size of the connection areas.
アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像し、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、
前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成し、
前記ヒストグラムから歪度を算出し、
前記歪度によってアモルファスから多結晶への結晶化の進行度を判断し前記検査領域の良・不良を判定する第1の工程と、
前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、
前記グレースケール画像中の明度の最大値・最小値を測定し、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成し、
前記二値画像中の連結領域を検出し、
前記二値画像の全画素に対する前記連結領域の割合を算出し前記検査領域の良・不良を判定する第2の工程と、
前記連結領域の数または大きさから前記検査領域の良・不良を判定する第3の工程を含むことを特徴とする検査方法。
Take an image of the inspection area including the amorphous and polycrystalline areas,
Create a grayscale image based on brightness from the image,
Create a histogram based on the grayscale image,
Calculating skewness from the histogram,
A first step of judging the degree of progress of crystallization from amorphous to polycrystalline according to the degree of distortion and judging whether the inspection area is good or bad;
The threshold value of the brightness of the grayscale image is determined by the following formula:
Measure the maximum and minimum values of brightness in the grayscale image,
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
Create a binary image based on the brightness threshold from the grayscale image,
Detecting a connected region in the binary image;
A second step of calculating a ratio of the connected area with respect to all pixels of the binary image and determining whether the inspection area is good or bad;
An inspection method comprising a third step of determining whether the inspection area is good or bad from the number or size of the connection areas.
請求項1、または請求項4乃至請求項6のいずれか一において、
前記最大値および前記最小値は、前記ヒストグラムから得られる最大値・最小値よりノイズを除去した値であることを特徴とする検査方法。
In claim 1, or any one of claims 4 to 6,
The maximum value and the minimum value are values obtained by removing noise from the maximum value and the minimum value obtained from the histogram.
検査領域の画像を撮像する手段と、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成する手段と、
前記グレースケール画像中の明度の最大値・最小値を測定する手段と、
前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定める手段と、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を用いて二値画像を作成する手段と、
前記二値画像を基に前記検査領域の良・不良を判定する手段とを有することを特徴とする検査装置。
Means for capturing an image of the inspection area;
Means for creating a grayscale image from the image based on brightness;
Means for measuring maximum and minimum values of brightness in the grayscale image;
Means for determining a lightness threshold of the grayscale image by the following equation:
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
Means for creating a binary image from the grayscale image using the brightness threshold;
An inspection apparatus comprising: means for determining whether the inspection area is good or defective based on the binary image.
検査領域の画像を撮像する手段と、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成する手段と、
前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成する手段と、
前記ヒストグラムから歪度を算出する手段と、
前記歪度から前記検査領域の良・不良を判定する手段とを有することを特徴とする検査装置。
Means for capturing an image of the inspection area;
Means for creating a grayscale image from the image based on brightness;
Means for creating a histogram based on the grayscale image;
Means for calculating skewness from the histogram;
An inspection apparatus comprising: means for determining whether the inspection area is good or bad from the skewness.
アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像する手段と、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成する手段と、
前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成する手段と、
前記ヒストグラムから歪度を算出する手段と、
前記歪度によってアモルファスから多結晶への結晶化の進行度を判断し前記検査領域の良・不良を判定する手段とを有することを特徴とする検査装置。
Means for capturing an image of an inspection region including an amorphous region and a polycrystalline region;
Means for creating a grayscale image from the image based on brightness;
Means for creating a histogram based on the grayscale image;
Means for calculating skewness from the histogram;
An inspection apparatus comprising: means for determining a progress degree of crystallization from amorphous to polycrystal according to the degree of distortion and determining whether the inspection area is good or bad.
アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像する手段と、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成する手段と、
前記グレースケール画像中の明度の最大値・最小値を測定する手段と、
前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定める手段と、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成する手段と、
前記二値画像中の連結領域を検出する手段と、
前記二値画像の全画素に対する前記連結領域の割合から前記検査領域の良・不良を判定する手段とを有することを特徴とする検査装置。
Means for capturing an image of an inspection region including an amorphous region and a polycrystalline region;
Means for creating a grayscale image from the image based on brightness;
Means for measuring maximum and minimum values of brightness in the grayscale image;
Means for determining a lightness threshold of the grayscale image by the following equation:
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
Means for creating a binary image from the grayscale image based on the brightness threshold;
Means for detecting a connected region in the binary image;
An inspection apparatus comprising: means for determining whether the inspection area is good or bad from a ratio of the connection area to all pixels of the binary image.
アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像する手段と、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成する手段と、
前記グレースケール画像中の明度の最大値・最小値を測定する手段と、
前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定める手段と、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成する手段と、
前記二値画像中の連結領域を検出する手段と、
前記連結領域の数または大きさから前記検査領域の良・不良を判定する手段とを有することを特徴とする検査装置。
Means for capturing an image of an inspection region including an amorphous region and a polycrystalline region;
Means for creating a grayscale image from the image based on brightness;
Means for measuring maximum and minimum values of brightness in the grayscale image;
Means for determining a lightness threshold of the grayscale image by the following equation:
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
Means for creating a binary image from the grayscale image based on the brightness threshold;
Means for detecting a connected region in the binary image;
An inspection apparatus comprising: means for determining whether the inspection area is good or bad from the number or size of the connection areas.
アモルファス領域と多結晶領域を含む検査領域の画像を撮像する手段と、
前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成する手段と、
前記グレースケール画像を基にヒストグラムを作成する手段と、
前記ヒストグラムから歪度を算出する手段と、
前記歪度によってアモルファスから多結晶への結晶化の進行度を判断する手段と、
前記グレースケール画像中の明度の最大値・最小値を測定する手段と、
前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定める手段と、
閾値(Th) = 最小値 +(最大値 − 最小値)× A
(ただし、A=0〜1)
前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成する手段と、
前記二値画像中の連結領域を検出する手段と、
前記二値画像の全画素に対する前記連結領域の割合を算出する手段と、
前記連結領域の数または大きさを算出する手段とを有することを特徴とする検査装置。
Means for capturing an image of an inspection region including an amorphous region and a polycrystalline region;
Means for creating a grayscale image from the image based on brightness;
Means for creating a histogram based on the grayscale image;
Means for calculating skewness from the histogram;
Means for determining the progress of crystallization from amorphous to polycrystalline according to the degree of distortion;
Means for measuring maximum and minimum values of brightness in the grayscale image;
Means for determining a lightness threshold of the grayscale image by the following equation:
Threshold (Th) = Minimum value + (Maximum value−Minimum value) × A
(However, A = 0 to 1)
Means for creating a binary image from the grayscale image based on the brightness threshold;
Means for detecting a connected region in the binary image;
Means for calculating a ratio of the connected region to all pixels of the binary image;
An inspection apparatus comprising: means for calculating the number or size of the connection regions.
請求項8、または請求項11乃至請求項13のいずれか一において、
前記最大値および前記最小値は、前記ヒストグラムから得られる最大値・最小値よりノイズを除去した値であることを特徴とする検査装置。
In claim 8, or any one of claims 11 to 13,
The inspection apparatus according to claim 1, wherein the maximum value and the minimum value are values obtained by removing noise from the maximum value / minimum value obtained from the histogram.
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