JP2010117185A - Device and method for inspecting flaw - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flaw inspecting device capable of detecting the pattern shift of an inspection substrate only on the basis of a part of excellent article pattern data, dispensing with even the estimate position data of the whole surface of an inspection region and capable of suppressing data to a necessary minimum amount, and a flaw inspecting method. <P>SOLUTION: The flaw inspecting device is equipped with a means for imaging a substrate to be inspected, a means for capturing the taken substrate image, a means for storing the captured substrate image as an inspection image, a means for taking out a part of the stored inspection image to set the same as a reference image for pattern matching and setting an inspection condition, a means for storing the set reference image and the set inspection condition, a means for performing pattern matching using the stored inspection image and reference image, a means for calculating the shift quantity of the inspection image and the reference image as a result of pattern matching, and a means for displaying the data showing the calculated shift quantity. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、大型液晶パネルなどに用いられる大型基板上に形成される、電気信号配線やトランジスタ電極などのパターンの欠陥を検出するための欠陥検査装置および欠陥検査方法に関する。   The present invention relates to a defect inspection apparatus and a defect inspection method for detecting defects in patterns such as electric signal wirings and transistor electrodes formed on a large substrate used for a large liquid crystal panel or the like.

従来、TFT液晶基板の製造工程であるフォトリソ工程において、製造装置や露光装置の異常により、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる場合がある。例えば、基板にパーティクルが付着した場合、局所的なパターンずれを生じてその部分がムラとなって顕現される。   Conventionally, in a photolithography process, which is a manufacturing process of a TFT liquid crystal substrate, a defect may occur in a pattern formed on the substrate due to an abnormality in a manufacturing apparatus or an exposure apparatus. For example, when particles adhere to the substrate, a local pattern shift occurs, and the portion is manifested as unevenness.

また露光装置の異常、特に近年の露光手段であるレンズスキャニング方式の場合、レンズ調整異常により、レンズ間でのパターンずれが発生し、筋状のムラとして顕現してしまう。これらのムラは微小なパターンずれでも発生するが、電気的には異常にならないため、後工程で発見され難い。そのため、人間が肉眼で観察するマクロ検査などでムラの検出を行っている。   Further, in the case of an abnormality in an exposure apparatus, particularly in the case of a lens scanning system that is a recent exposure means, a pattern shift between lenses occurs due to an abnormality in lens adjustment, which appears as streaky irregularities. Although these irregularities occur even with a minute pattern shift, they do not become abnormal electrically, and are difficult to detect in a later process. For this reason, unevenness is detected by a macro inspection or the like that a human observes with the naked eye.

そのマクロ検査を自動的に定量化する方法として、繰り返しパターンの特徴点が出現すると予測される予測位置情報を、画像分解能より小さい精度で予め良品基板を用いて取得しておき、前記予測位置と計測位置との誤差を求めることによりパターンずれを検出する技術がある。(例えば、特許文献1参照。)。
特開2004−279244号公報
As a method of automatically quantifying the macro inspection, the predicted position information predicted to appear the feature point of the repetitive pattern is obtained in advance using a non-defective substrate with an accuracy smaller than the image resolution, and the predicted position and There is a technique for detecting a pattern shift by obtaining an error from a measurement position. (For example, refer to Patent Document 1).
JP 2004-279244 A

しかしながら、従来の技術では、予め実基板を用いて予測位置情報を生成する必要があり、その基板が良品でなければならない。ところが、製造工程の立ち上げ時には良品基板が製造されるには時間が掛かるため、従来の技術ではそれまで該当検査は行えなくなってしまう、という問題点があった。   However, in the conventional technique, it is necessary to generate predicted position information using an actual substrate in advance, and the substrate must be a good product. However, since it takes time to manufacture a non-defective substrate at the start of the manufacturing process, there has been a problem that the conventional technique cannot perform the corresponding inspection until then.

また、検査対象とする基板の全機種および全工程における基板上の検査領域全ての予測位置情報を有する必要があるため、その情報量が膨大となる、という問題点があった。
また、予測位置と計測位置を比較する際に厳密な位置合わせが必要となり、処理が複雑化してしまう、という問題点があった。
In addition, since it is necessary to have the predicted position information of all inspection areas on the substrate in all processes and all types of substrates to be inspected, there is a problem that the amount of information becomes enormous.
Further, when comparing the predicted position and the measurement position, there is a problem that strict alignment is required and the processing becomes complicated.

本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、一部の良品パターン情報のみで、検査基板のパターンずれの検出を可能とし、検査領域全面の予測位置情報も必要なく、必要最小限の情報量に抑えることが可能な欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the problems as described above, and it is possible to detect the pattern deviation of the inspection substrate only with some non-defective pattern information, and the predicted position information on the entire inspection area is not necessary, It is an object of the present invention to provide a defect inspection apparatus and a defect inspection method capable of suppressing the necessary minimum amount of information.

本発明は、上記課題を解決するため、下記のような構成を採用した。
すなわち、本発明の一態様によれば、本発明の欠陥検査装置は、被検査基板を撮像する撮像手段と、前記撮像手段によって撮像した基板画像を取り込む画像取込手段と、前記画像取込手段によって取り込んだ基板画像を検査画像として記憶する画像記憶手段と、前記画像記憶手段に記憶された検査画像の一部を取り出し、パターンマッチング用の参照画像として設定し、検査条件を設定する参照画像設定手段と、前記参照画像設定手段によって
設定された参照画像および設定条件を記憶する参照画像記憶手段と、前記画像記憶手段に記憶された検査画像と前記参照画像記憶手段に記憶された参照画像とを用いてパターンマッチングを行うパターン検出手段と、前記パターン検出手段によるパターンマッチングの結果、前記検査画像と前記参照画像とのずれ量を算出するパターンずれ量算出手段と、前記パターンずれ量算出手段によって算出されたずれ量を示す情報を表示するずれ量表示手段とを備えることを特徴とする。
The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems.
That is, according to one aspect of the present invention, the defect inspection apparatus according to the present invention includes an imaging unit that images a substrate to be inspected, an image capturing unit that captures a substrate image captured by the imaging unit, and the image capturing unit. Image storage means for storing the substrate image captured by the above as an inspection image, and a reference image setting for extracting a part of the inspection image stored in the image storage means, setting it as a reference image for pattern matching, and setting inspection conditions Means, reference image storage means for storing the reference image and setting conditions set by the reference image setting means, inspection images stored in the image storage means, and reference images stored in the reference image storage means Pattern detection means for performing pattern matching using the pattern detection result by the pattern detection means, the inspection image and the reference Characterized in that it comprises a pattern shift amount calculating means for calculating a shift amount between the image and a shift amount display means for displaying the information indicating the shift amount calculated by the pattern shift amount calculation means.

また、本発明の欠陥検査装置は、前記ずれ量表示手段が、前記パターンずれ量算出手段によって算出されたずれ量に基づいて、前記検査画像と前記参照画像とのパターンのずれ距離およびずれ方向を算出し、前記ずれ距離および前記ずれ方向を視覚的に表示することが望ましい。   In the defect inspection apparatus according to the present invention, the deviation amount display means may calculate a deviation distance and a deviation direction of the pattern between the inspection image and the reference image based on the deviation amount calculated by the pattern deviation amount calculation means. It is desirable to calculate and visually display the shift distance and the shift direction.

また、本発明の欠陥検査装置は、前記ずれ量表示手段が、前記ずれ距離および前記ずれ方向を示す符号に色を付けまたは前記符号を点滅させることが望ましい。
また、本発明の欠陥検査装置は、さらに、前記パターンずれ量算出手段によって算出されたずれ量の分布に基づいて、前記被検査基板に顕現するムラの種類を判断する判断手段を備えることが望ましい。
In the defect inspection apparatus of the present invention, it is desirable that the deviation amount display means adds a color to the code indicating the deviation distance and the deviation direction or blinks the code.
The defect inspection apparatus of the present invention preferably further comprises a determination unit that determines the type of unevenness that appears on the substrate to be inspected based on the distribution of the shift amount calculated by the pattern shift amount calculation unit. .

また、本発明の一態様によれば、本発明の欠陥検査方法は、被検査基板の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記被検査基板を撮像し、前記撮像した基板画像を取り込んで検査画像としてメモリに記憶し、前記メモリに記憶された検査画像の一部を取り出し、パターンマッチング用の参照画像として設定するとともに、検査条件を設定し、前記設定された参照画像および設定条件をメモリに記憶し、前記メモリに記憶された検査画像と参照画像とを用いてパターンマッチングを行い、前記パターンマッチングの結果、前記検査画像と前記参照画像とのずれ量を算出し、前記算出されたずれ量を示す情報を表示装置に表示することを特徴とする。   Moreover, according to one aspect of the present invention, the defect inspection method of the present invention is a defect inspection method for inspecting a defect of a substrate to be inspected, which images the substrate to be inspected and captures the captured substrate image. An inspection image is stored in a memory, a part of the inspection image stored in the memory is taken out, set as a reference image for pattern matching, an inspection condition is set, and the set reference image and setting condition are stored in the memory. The pattern matching is performed using the inspection image and the reference image stored in the memory, and the amount of deviation between the inspection image and the reference image is calculated as a result of the pattern matching, and the calculated deviation Information indicating the quantity is displayed on a display device.

本発明によれば、良品基板による事前の情報作りも必要なく、簡易な手段によってパターンのずれを検出することが可能となる。
また、本発明によれば、顕現されるムラの判定も可能となるため、製造工程の異常を早期に発見することが可能なとなる。
According to the present invention, it is not necessary to prepare information in advance using a non-defective substrate, and it is possible to detect a pattern shift by simple means.
In addition, according to the present invention, it is possible to determine the unevenness that is manifested, so that it is possible to detect an abnormality in the manufacturing process at an early stage.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明を適用した第1の実施の形態を説明する。
図1は、本発明を適用した第1の実施の形態における欠陥検査装置の機能ブロック図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, a first embodiment to which the present invention is applied will be described.
FIG. 1 is a functional block diagram of a defect inspection apparatus according to a first embodiment to which the present invention is applied.

図1において、欠陥検査装置10は、撮像手段としてのカメラ部2、画像取込部3、画像記憶部4、参照画像設定部5、参照画像記憶部6、パターン検出部7、パターンずれ量算出部8およびずれ量表示部9を備える。   In FIG. 1, a defect inspection apparatus 10 includes a camera unit 2 as an imaging unit, an image capture unit 3, an image storage unit 4, a reference image setting unit 5, a reference image storage unit 6, a pattern detection unit 7, and a pattern deviation amount calculation. A unit 8 and a shift amount display unit 9 are provided.

前記カメラ部2は、移動可能なステージに載置された被検査基板1上の、予め設定したエリアを、1次元画像または2次元画像としての撮像が可能である。前記画像取込部3は、前記カメラ部2によって撮像した基板画像を取り込む。前記画像記憶部4は、前記画像取込部3によって取り込んだ基板画像を2次元の検査画像として記憶することが可能である。   The camera unit 2 can capture a predetermined area on the inspection substrate 1 placed on a movable stage as a one-dimensional image or a two-dimensional image. The image capturing unit 3 captures a substrate image captured by the camera unit 2. The image storage unit 4 can store the substrate image captured by the image capturing unit 3 as a two-dimensional inspection image.

前記参照画像設定部5は、前記画像記憶部4に記憶された検査画像の一部を取り出し、
パターンマッチング用の参照画像などを設定するとともに、検査条件を設定する。前記参照画像部6は、前記参照画像設定部5によって設定された参照画像および設定条件を記憶する。パターン検出部7は、前記被検査基板1の検査時に取り込まれて前記画像記憶部4に記憶された検査画像と前記参照画像部6に記憶された参照画像とを用いてパターンマッチングを行い、検査画像上と参照画像とが一致する位置を検出する。パターンずれ量算出部8は、前記パターン検出部7によるパターンマッチングの結果、前記検査画像と前記参照画像との差分に基づいて、パターンのずれ距離とずれ方向を算出する。
The reference image setting unit 5 takes out a part of the inspection image stored in the image storage unit 4,
A reference image for pattern matching is set, and an inspection condition is set. The reference image unit 6 stores the reference image and setting conditions set by the reference image setting unit 5. The pattern detection unit 7 performs pattern matching using the inspection image captured at the time of inspection of the substrate 1 to be inspected and stored in the image storage unit 4 and the reference image stored in the reference image unit 6. A position where the image matches the reference image is detected. The pattern deviation amount calculation unit 8 calculates a pattern deviation distance and a deviation direction based on the difference between the inspection image and the reference image as a result of pattern matching by the pattern detection unit 7.

そして、前記ずれ量表示部9は、前記パターンずれ量算出部8によって算出されたパターンのずれを示す結果として、ずれ距離とずれ方向を視覚的に、例えば、前記ずれ距離や前記ずれ方向を示す符号に色を付けたり、前記符号を点滅させたりして表示する。   The deviation amount display unit 9 visually indicates the deviation distance and the deviation direction, for example, the deviation distance and the deviation direction as a result of showing the deviation of the pattern calculated by the pattern deviation amount calculation unit 8. The code is displayed with a color or blinking the code.

前述したように、前記参照画像設定部5は、前記画像記憶部4に記憶された検査画像の一部を取り出し、パターンマッチング用の参照画像などを設定するが、次に、その具体例を説明する。   As described above, the reference image setting unit 5 extracts a part of the inspection image stored in the image storage unit 4 and sets a reference image for pattern matching. Next, a specific example will be described. To do.

図2は、参照画像の設定を説明するための図である。
図2に示したように、前記参照画像設定部5は、前記画像記憶部4に記憶された検査画像の一部であり、パターンずれの生じていない部分の画像を液晶1画素分だけ取り出す。そして、これを参照画像100とし、パターンマッチングに用いるモデル101を設定する。なお、液晶表示装置の1画素分の全体を、パターンマッチング用のモデル101として設定しても良い。
FIG. 2 is a diagram for explaining the setting of the reference image.
As shown in FIG. 2, the reference image setting unit 5 takes out an image of a part of the inspection image stored in the image storage unit 4 and having no pattern deviation for one pixel of the liquid crystal. Then, this is used as a reference image 100, and a model 101 used for pattern matching is set. Note that the entire one pixel of the liquid crystal display device may be set as the pattern matching model 101.

また、前記参照画像設定部5は、位置ずれを検知する領域を設定する。図2に示した例では、位置ずれを検知する領域として、エリア102およびエリア103を設定している。また、前記参照画像設定部5は、前記被検査基板1の中で検査対象となる液晶パネルの領域を設定する。そして、前述したように、これらの情報は参照画像記憶部6に記憶される。   Further, the reference image setting unit 5 sets an area for detecting a positional shift. In the example illustrated in FIG. 2, the area 102 and the area 103 are set as areas for detecting misalignment. The reference image setting unit 5 sets a region of the liquid crystal panel to be inspected in the substrate 1 to be inspected. As described above, these pieces of information are stored in the reference image storage unit 6.

次に、前記被検査基板1を検査するための検査処理の流れについて説明する。
図3は、被検査基板を検査するための検査処理の流れを示すフローチャートであり、図4は、検査対象とモデルとのパターンマッチングを説明するための図であり、図5は、差分画像の例を示す図であり、図6は、ずれ距離を説明するための図である。
Next, the flow of inspection processing for inspecting the substrate 1 to be inspected will be described.
FIG. 3 is a flowchart showing a flow of inspection processing for inspecting a substrate to be inspected, FIG. 4 is a diagram for explaining pattern matching between an inspection object and a model, and FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating an example, and FIG. 6 is a diagram for explaining a shift distance.

まず、図3のステップS31において、カメラ部2が被検査基板1を撮像する。なお、欠陥検査装置10のメカ的な動作の説明は省略する。
次に、ステップS32において、ステップS31で撮像された基板画像が、画像取込部3を介して画像記憶部4に記憶される。
First, in step S31 of FIG. 3, the camera unit 2 images the substrate 1 to be inspected. A description of the mechanical operation of the defect inspection apparatus 10 is omitted.
Next, in step S <b> 32, the board image captured in step S <b> 31 is stored in the image storage unit 4 via the image capturing unit 3.

次に、ステップS33において、パターン検出部7が、ステップS32で画像記憶部4に記憶された基板画像の中から、検査対象領域の画像を予め設定された領域分だけ順次読み出す。そして、ステップS34において、前記パターン検出部が、前記参照画像記憶部6に記憶されているパターンマッチング用のモデル101を用いてパターンマッチングを実行する。具体的には、図4に示したように、基板画像中の該当パターンを全て検出し、モデル101と一致する検出位置M(X(ij),Y(ij))をサブピクセル精度で求める。   Next, in step S33, the pattern detection unit 7 sequentially reads out the image of the inspection target area from the substrate image stored in the image storage unit 4 in step S32 by a predetermined area. In step S 34, the pattern detection unit executes pattern matching using the pattern matching model 101 stored in the reference image storage unit 6. Specifically, as shown in FIG. 4, all corresponding patterns in the substrate image are detected, and a detection position M (X (ij), Y (ij)) that matches the model 101 is obtained with subpixel accuracy.

次に、図3のステップS35において、ステップS34で求めた検出位置Mから参照画像100と同じサイズの検査画像110を切り出し、参照画像100との差分を算出する。ここで、検査画像110と参照画像100の差分処理において、まず検査画像110と
参照画像100に平均化などの画像フィルターを施す。そして、下記の条件式1に示すように、2つの画像のそれぞれ対応する画素の差分値dP(ij)が予め設定したコントラスト閾値Cs以下の画素については背景画像として一様に画素値=128を設定し、差分値がコントラスト閾値Csより大きく負の値となるものを、一様に画素値=0を設定し、正の値となるものを画素値=255を設定する。
dP(ij)≦Cs のとき dP(ij)=128
dP(ij)>Cs のとき dP(ij)=255
dP(ij)>Cs∩dP(ij)<0 のとき dP(ij)=0
・・・ 条件式1
これにより、図5に示すように、パターンずれの部分だけが強調された差分画像120となる。
Next, in step S35 of FIG. 3, the inspection image 110 having the same size as the reference image 100 is cut out from the detection position M obtained in step S34, and the difference from the reference image 100 is calculated. Here, in the difference processing between the inspection image 110 and the reference image 100, first, an image filter such as averaging is applied to the inspection image 110 and the reference image 100. Then, as shown in Conditional Expression 1 below, pixels whose difference value dP (ij) corresponding to each of the two images is equal to or less than a preset contrast threshold Cs are uniformly set to a pixel value = 128 as a background image. When the difference value is larger than the contrast threshold Cs and becomes a negative value, the pixel value = 0 is uniformly set, and when the difference value is a positive value, the pixel value = 255 is set.
When dP (ij) ≦ Cs dP (ij) = 128
When dP (ij)> Cs dP (ij) = 255
When dP (ij)> Cs∩dP (ij) <0 dP (ij) = 0
... Condition 1
As a result, as shown in FIG. 5, the difference image 120 in which only the pattern misalignment is emphasized is obtained.

次に、位置ずれ検知用のエリア102およびエリア103を適用し、図6に示したように、例えばエリア102でX方向のずれを検出する場合、パターンの両側にずれが発生するので、X方向の画素値が0の画素数Dx(ij)と、画素値が255の画素数Bx(ij)の平均値をX方向のずれ距離Px(ij)とする(条件式2)。また、エリア103でY方向のずれを検出する場合、Y方向の画素値が0の画素数Dy(ij)と、画素値が255の画素数By(ij)の平均値をY方向のずれ距離Py(ij)とする(条件式2)。
Px(ij)=(Dx(ij)+Bx(ij))/2
Py(ij)=(Dy(ij)+By(ij))/2
・・・ 条件式2
また、差分画像120では画素値が255から画素値が0になる方向にパターンがずれていることになり、ずれ方向も算出でき、ずれ方向に対して符号を設定しておけば、ずれ距離R(Px(ij),Py(ij))に符号を乗算させることで数値化が可能となる。
Next, when the misalignment detection areas 102 and 103 are applied and, as shown in FIG. 6, for example, the misalignment in the X direction is detected in the area 102, misalignment occurs on both sides of the pattern. An average value of the number of pixels Dx (ij) having a pixel value of 0 and the number of pixels Bx (ij) having a pixel value of 255 is defined as a deviation distance Px (ij) in the X direction (conditional expression 2). Further, when detecting a deviation in the Y direction in the area 103, an average value of the number of pixels Dy (ij) having a pixel value of 0 in the Y direction and the number of pixels By (ij) having a pixel value of 255 is calculated as a deviation distance in the Y direction. Let Py (ij) (conditional expression 2).
Px (ij) = (Dx (ij) + Bx (ij)) / 2
Py (ij) = (Dy (ij) + By (ij)) / 2
... Condition 2
Further, in the difference image 120, the pattern is shifted in the direction from the pixel value 255 to the pixel value 0, and the shift direction can also be calculated. If a sign is set for the shift direction, the shift distance R Digitization is possible by multiplying (Px (ij), Py (ij)) by a sign.

そして、図3のステップS36において、ステップS34およびS35で求めた検出位置M(X(ij),Y(ij))とずれ距離(Px(ij),Py(ij))とを、ズレ量表示部9のモニタ上に結果を表示させ、オペレターに状況を知らせる。なお、結果表示としてのずれ距離とずれ方向を、ベクトル矢印を用いると一見して状況が掴み易くなる。   Then, in step S36 in FIG. 3, the detected position M (X (ij), Y (ij)) obtained in steps S34 and S35 and the shift distance (Px (ij), Py (ij)) are displayed as a deviation amount. The result is displayed on the monitor of the section 9, and the situation is notified to the operator. If the vector arrows are used to indicate the shift distance and shift direction as a result display, the situation can be easily grasped.

次に、本発明を適用した第2の実施の形態を説明する。
第2の実施の形態は、検出されたずれの検出位置Mとずれ距離Rとの関係から、検出されたずれがどの種類のムラとなるかを判断する工程を、第1の実施の形態に加えたものである。なお、検出位置Mとずれ距離Rの算出までの過程は、第1の実施の形態と同様であるため、説明は省略する。
Next, a second embodiment to which the present invention is applied will be described.
In the second embodiment, the process of determining which type of unevenness the detected deviation is based on the relationship between the detected position M of the detected deviation and the deviation distance R is the first embodiment. It is added. Note that the process up to the calculation of the detection position M and the deviation distance R is the same as that in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

図7は、基板に付着したパーティクルが原因のムラの例を示す図であり、図8は、露光装置のスキャニングレンズ間のずれが原因のムラの例を示す図であり、図9は、露光装置の基板固定機構の位置ずれの例を示す図である。   FIG. 7 is a view showing an example of unevenness caused by particles adhering to the substrate, FIG. 8 is a view showing an example of unevenness caused by a displacement between scanning lenses of the exposure apparatus, and FIG. 9 is an exposure view. It is a figure which shows the example of the position shift of the board | substrate fixing mechanism of an apparatus.

第1の実施の形態において説明した、検出位置Mとずれ距離Rの算出の後、算出されたずれ距離R(Px(ij),Py(ij))の絶対値が、予め設定された規格値ST以上になる検出位置MM(X(ij),Y(ij))を求める。そして、検出位置MMの分散の度合いを求め、対応するムラの種類を求める。   After calculating the detection position M and the shift distance R described in the first embodiment, the absolute values of the calculated shift distances R (Px (ij), Py (ij)) are preset standard values. A detection position MM (X (ij), Y (ij)) that is greater than or equal to ST is obtained. Then, the degree of dispersion of the detection position MM is obtained, and the corresponding unevenness type is obtained.

例えば、図7に示したように、ずれ距離とずれ方向をベクトルで表示したとき、ある範囲内にベクトルが丸く固まっている場合は、被検査基板1に付着したパーティクルが原因のムラと判断され、また、図8に示したように、ベクトルがある方向に連続した筋状のように見える場合は、露光装置のスキャニングレンズ間のずれが原因のムラと判断される。
また、図9に示したように、基板画像の全体に一様に分散しており、ずれ方向が一定の場合は、露光装置の基板固定機構の位置ずれが発生していると判断される。
For example, as shown in FIG. 7, when the deviation distance and the deviation direction are displayed as vectors, if the vector is rounded within a certain range, it is determined that the unevenness is caused by particles adhering to the substrate 1 to be inspected. In addition, as shown in FIG. 8, when the vector looks like a continuous streak in a certain direction, it is determined that the unevenness is caused by the deviation between the scanning lenses of the exposure apparatus.
Also, as shown in FIG. 9, when the substrate image is uniformly distributed over the entire substrate and the displacement direction is constant, it is determined that the substrate fixing mechanism of the exposure apparatus is displaced.

このように、結果表示としてのずれ距離とずれ方向を表示する際に、検出されたずれの特徴によってどのようなムラが顕現されるかを判断することにより、被検査基板1の異常の早期発見に繋がる。   In this way, when displaying the deviation distance and deviation direction as a result display, it is possible to detect abnormalities of the inspected substrate 1 at an early stage by determining what kind of unevenness is manifested by the detected deviation characteristics. It leads to.

本発明は、以上に述べた各実施の形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の構成または形状を取ることができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and can take various configurations or shapes without departing from the gist of the present invention.

本発明を適用した第1の実施の形態における欠陥検査装置の機能ブロック図である。It is a functional block diagram of the defect inspection apparatus in 1st Embodiment to which this invention is applied. 参照画像の設定を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the setting of a reference image. 被検査基板を検査するための検査処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the inspection process for test | inspecting a to-be-inspected board | substrate. 検査対象とモデルとのパターンマッチングを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the pattern matching with a test object and a model. 差分画像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of a difference image. ずれ距離を説明するための図である。It is a figure for demonstrating deviation | shift distance. 基板に付着したパーティクルが原因のムラの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the nonuniformity resulting from the particle adhering to a board | substrate. 露光装置のスキャニングレンズ間のずれが原因のムラの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the nonuniformity resulting from the shift | offset | difference between the scanning lenses of exposure apparatus. 露光装置の基板固定機構の位置ずれの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the position shift of the board | substrate fixing mechanism of exposure apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 被検査基板
2 カメラ部
3 画像取込部
4 画像記憶部
5 参照画像設定部
6 参照画像記憶部
7 パターン検出部
8 パターンずれ量算出部
9 ずれ量表示部
10 欠陥検査装置
100 参照画像
101 モデル
102 エリア
103 エリア
110 検査画像
120 差分画像
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board to be inspected 2 Camera part 3 Image capture part 4 Image memory | storage part 5 Reference image setting part 6 Reference image memory | storage part 7 Pattern detection part 8 Pattern deviation | shift amount calculation part 9 Deviation amount display part 10 Defect inspection apparatus 100 Reference image 101 Model 102 area 103 area 110 inspection image 120 difference image

Claims (5)

被検査基板を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像した基板画像を取り込む画像取込手段と、
前記画像取込手段によって取り込んだ基板画像を検査画像として記憶する画像記憶手段と、
前記画像記憶手段に記憶された検査画像の一部を取り出し、パターンマッチング用の参照画像として設定し、検査条件を設定する参照画像設定手段と、
前記参照画像設定手段によって設定された参照画像および設定条件を記憶する参照画像記憶手段と、
前記画像記憶手段に記憶された検査画像と前記参照画像記憶手段に記憶された参照画像とを用いてパターンマッチングを行うパターン検出手段と、
前記パターン検出手段によるパターンマッチングの結果、前記検査画像と前記参照画像とのずれ量を算出するパターンずれ量算出手段と、
前記パターンずれ量算出手段によって算出されたずれ量を示す情報を表示するずれ量表示手段と、
を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
Imaging means for imaging a substrate to be inspected;
Image capturing means for capturing a substrate image captured by the image capturing means;
Image storage means for storing the substrate image captured by the image capture means as an inspection image;
A part of the inspection image stored in the image storage means is taken out, set as a reference image for pattern matching, and a reference image setting means for setting inspection conditions;
Reference image storage means for storing a reference image and setting conditions set by the reference image setting means;
Pattern detection means for performing pattern matching using the inspection image stored in the image storage means and the reference image stored in the reference image storage means;
As a result of pattern matching by the pattern detection means, a pattern deviation amount calculation means for calculating a deviation amount between the inspection image and the reference image;
A deviation amount display means for displaying information indicating the deviation amount calculated by the pattern deviation amount calculation means;
A defect inspection apparatus comprising:
前記ずれ量表示手段は、前記パターンずれ量算出手段によって算出されたずれ量に基づいて、前記検査画像と前記参照画像とのパターンのずれ距離およびずれ方向を算出し、前記ずれ距離および前記ずれ方向を視覚的に表示することを特徴とする請求項1に記載の欠陥検査装置。   The deviation amount display means calculates a deviation distance and a deviation direction of the pattern between the inspection image and the reference image based on the deviation amount calculated by the pattern deviation amount calculation means, and the deviation distance and the deviation direction. The defect inspection apparatus according to claim 1, wherein the defect is visually displayed. 前記ずれ量表示手段は、前記ずれ距離および前記ずれ方向を示す符号に色を付けまたは前記符号を点滅させることを特徴とする請求項2に記載の欠陥検査装置。   The defect inspection apparatus according to claim 2, wherein the shift amount display unit colors or blinks the code indicating the shift distance and the shift direction. さらに、
前記パターンずれ量算出手段によって算出されたずれ量の分布に基づいて、前記被検査基板に顕現するムラの種類を判断する判断手段、
を備えることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の欠陥検査装置。
further,
Judgment means for judging the type of unevenness that appears on the substrate to be inspected based on the distribution of deviation amounts calculated by the pattern deviation amount calculation means;
The defect inspection apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
被検査基板の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
前記被検査基板を撮像し、
前記撮像した基板画像を取り込んで検査画像としてメモリに記憶し、
前記メモリに記憶された検査画像の一部を取り出し、パターンマッチング用の参照画像として設定するとともに、検査条件を設定し、
前記設定された参照画像および設定条件をメモリに記憶し、
前記メモリに記憶された検査画像と参照画像とを用いてパターンマッチングを行い、
前記パターンマッチングの結果、前記検査画像と前記参照画像とのずれ量を算出し、
前記算出されたずれ量を示す情報を表示装置に表示する、
ことを特徴とする欠陥検査方法。
A defect inspection method for inspecting a defect of a substrate to be inspected,
Image the substrate to be inspected,
The captured substrate image is captured and stored in a memory as an inspection image,
Taking out a part of the inspection image stored in the memory, setting it as a reference image for pattern matching, setting the inspection conditions,
Storing the set reference image and setting conditions in a memory;
Perform pattern matching using the inspection image and the reference image stored in the memory,
As a result of the pattern matching, a shift amount between the inspection image and the reference image is calculated,
Displaying information indicating the calculated deviation amount on a display device;
A defect inspection method characterized by that.
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