JP2006269976A - Method for manufacturing electronic device and multilayer wiring board - Google Patents

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一雄 須藤
Iwamichi Kamishiro
岩道 神代
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晃 出浦
Takahiro Nishi
孝洋 西
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology capable of improving a characteristic of an electronic device. <P>SOLUTION: After a plurality of second through-holes 4e for a thermal via holes 4g are formed after closely laminating a plurality of green sheets 4c, thermal via holes 4g are formed by filling conductors 4h into the holes 4e, and after that, a ceramic multilayer wiring board 4 formed by a heat treatment is prepared. As there is no displacement of the holes 4g in each layer of the board 4 by assembling an RF module (the electronic device) with semiconductor chips and chip components mounted on the board 4, a narrow heat-transfer-path from the semiconductor chips can be eliminated to suppress variations in heat resistance in each board 4. Accordingly, variations in the electrical characteristic of the RF module are lowered to improve the characteristic. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、多層配線基板を有する電子装置の製造技術に関し、特に、高周波用電力増幅器(電子装置)の特性向上に適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a technology for manufacturing an electronic device having a multilayer wiring board, and more particularly to a technology effective when applied to the improvement of characteristics of a high frequency power amplifier (electronic device).

高周波用電力増幅器は、ガラスを主成分とする多層基板と、基板内に形成されたストリップ線路と、基板上に実装された接続導体を介してストリップ線路に電気的に接続された電力用トランジスタならびにチップ部品と、基板の側面に設けられた凹部に形成されストリップ線路に電気的に接続された端子電極と、電力用トランジスタ下部に形成された放熱用ビアホールとを具備している(例えば、特許文献1参照)。
特開平9−283700号公報(図1)
A high-frequency power amplifier includes a multilayer substrate mainly composed of glass, a strip line formed in the substrate, a power transistor electrically connected to the strip line via a connection conductor mounted on the substrate, and It includes a chip component, a terminal electrode formed in a recess provided on the side surface of the substrate and electrically connected to the strip line, and a heat dissipation via hole formed in the lower portion of the power transistor (for example, Patent Documents) 1).
JP-A-9-283700 (FIG. 1)

携帯用通信機器などに組み込まれる高周波用のモジュール(電子装置)の一例として、RF(Radio Frequency)モジュールと呼ばれる高周波用電力増幅器が知られている。RFモジュールには、半導体チップを搭載する多層配線基板のチップ下部にGNDなどの電気的接続とともに放熱を目的とするサーマルビアと呼ばれるビア(Via)が複数個設けられている構造のものがある。   As an example of a high-frequency module (electronic device) incorporated in a portable communication device or the like, a high-frequency power amplifier called an RF (Radio Frequency) module is known. Some RF modules have a structure in which a plurality of vias called thermal vias for the purpose of heat dissipation as well as electrical connection such as GND are provided below the chip of a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted.

近年、RFモジュールでは、小型化・高機能化の要求が高まっている。したがって、多層配線基板の内部の配線密度も増加する傾向にあり、サーマルビアを設けるためのスペースが減少しているため、より少ない数のサーマルビアで効率良く放熱する必要がある。   In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization and high functionality in RF modules. Accordingly, the wiring density inside the multilayer wiring board also tends to increase, and the space for providing thermal vias is reduced. Therefore, it is necessary to efficiently dissipate heat with a smaller number of thermal vias.

RFモジュールに用いられる多層配線基板の製造方法では、各層のグリーンシートのサーマルビアと導体パターンとを各層ごとに別々に形成した後、各グリーンシートを積層し、その後、焼成(熱処理)しており、その結果、積層時のサーマルビアの位置ズレ、積層前までのグリーンシートの伸び(変形)等により、層間でのサーマルビアの位置にズレが発生する。   In the manufacturing method of the multilayer wiring board used for the RF module, the thermal via and the conductor pattern of the green sheet of each layer are separately formed for each layer, each green sheet is laminated, and then fired (heat treatment). As a result, the position of the thermal via between the layers is shifted due to the position shift of the thermal via at the time of stacking and the elongation (deformation) of the green sheet before the stacking.

これにより、サーマルビアの熱の伝達経路が部分的に細くなる。サーマルビアの位置ズレは、個々の多層配線基板によってその大きさが異なるため、製品(RFモジュール)個々で熱抵抗にばらつきが生じる。したがって、RFモジュールの動作時の温度上昇がばらつく。   Thereby, the heat transfer path of the thermal via is partially narrowed. Since the size of the thermal via misalignment varies depending on the individual multilayer wiring board, the thermal resistance varies among products (RF modules). Therefore, the temperature rise during the operation of the RF module varies.

その結果、RFモジュールの電気的特性にもばらつきが発生してRFモジュールの信頼性が低下することが問題である。   As a result, the electrical characteristics of the RF module also vary and the reliability of the RF module decreases.

本発明の目的は、電子装置における特性向上を図ることができる技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique capable of improving characteristics in an electronic device.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

すなわち、本発明は、複数のシート部材を密着させて積層した後に前記複数のシート部材に複数の貫通孔を形成し、その後、前記貫通孔に導体を充填して熱処理を行って形成した多層配線基板を準備する工程と、前記多層配線基板上に半導体チップとチップ部品を搭載する工程と、前記半導体チップと前記多層配線基板とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップおよび前記チップ部品を封止する工程とを有するものである。   That is, the present invention is a multilayer wiring formed by forming a plurality of through holes in the plurality of sheet members after laminating and laminating a plurality of sheet members, then filling the through holes with a conductor and performing heat treatment. A step of preparing a substrate, a step of mounting a semiconductor chip and a chip component on the multilayer wiring substrate, a step of electrically connecting the semiconductor chip and the multilayer wiring substrate, and the semiconductor chip and the chip component. And a step of sealing.

また、本発明は、複数のシート部材を準備する工程と、前記複数のシート部材に複数の第1の貫通孔を形成し、その後、前記第1の貫通孔に導体を充填する工程と、前記複数のシート部材に導体パターンを形成する工程と、前記複数のシート部材を密着させて積層する工程と、前記積層した複数のシート部材に複数の第2の貫通孔を形成し、その後、前記第2の貫通孔に導体を充填する工程と、前記積層した複数のシート部材を熱処理する工程とを有するものである。   The present invention also includes a step of preparing a plurality of sheet members, a step of forming a plurality of first through holes in the plurality of sheet members, and then filling a conductor into the first through holes, Forming a conductive pattern on a plurality of sheet members; contacting and stacking the plurality of sheet members; forming a plurality of second through holes in the stacked sheet members; 2 having a step of filling the through hole with a conductor and a step of heat-treating the plurality of laminated sheet members.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

複数のシート部材を密着させて積層した後に複数の貫通孔を形成し、その後、前記複数の貫通孔に導体を充填してサーマルビアを形成した多層配線基板を用い、この多層配線基板上に半導体チップとチップ部品を搭載して電子装置を組み立てることにより、多層配線基板の各層によるサーマルビアの位置にズレが無いため、熱の伝達経路が細くなる箇所を無くすことができ、最も効率良く放熱することができる。さらに、多層配線基板個々での熱抵抗のばらつきを抑えることができるため、電子装置の動作時の温度上昇のばらつきを低減することができる。その結果、電子装置における電気的特性のばらつきを低減して特性向上を図ることができる。   A multilayer wiring board in which a plurality of through holes are formed after laminating and laminating a plurality of sheet members and then a thermal via is formed by filling the plurality of through holes with a conductor is formed on the multilayer wiring board. By assembling the electronic device by mounting the chip and chip parts, there is no deviation in the position of the thermal vias in each layer of the multilayer wiring board, so the place where the heat transfer path becomes narrow can be eliminated, and the heat is radiated most efficiently be able to. Furthermore, since it is possible to suppress variations in thermal resistance among individual multilayer wiring boards, variations in temperature rise during operation of the electronic device can be reduced. As a result, variation in electrical characteristics in the electronic device can be reduced, and characteristics can be improved.

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。   In the following embodiments, the description of the same or similar parts will not be repeated in principle unless particularly necessary.

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。   Further, in the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments, but they are not irrelevant to each other unless otherwise specified. The other part or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like are related.

また、以下の実施の形態において、要素の数など(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。   Also, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), particularly when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and it may be more or less than the specific number.

また、以下の実施の形態において、高周波と言う場合、概ね500MHz程度以上の周波数帯を指す。   Moreover, in the following embodiments, the term “high frequency” refers to a frequency band of approximately 500 MHz or more.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted.

(実施の形態)
図1は本発明の実施の形態の電子装置(RFモジュール)の構造の一例を示す平面図、図2は図1に示す電子装置の長手方向の構造の一例を示す側面図、図3は図1に示す電子装置の幅方向の構造の一例を示す側面図、図4は図1に示す電子装置の裏面の構造の一例を示す裏面図、図5は図1に示す電子装置の構造の一例を示す断面図、図6は図1に示す電子装置に用いられる多層配線基板の製造方法の一例を示す製造プロセスフロー図、図7は図6に示す多層配線基板のサーマルビア領域の構造の一例を示す拡大部分断面図、図8は図1に示す電子装置の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図9および図10はそれぞれ本発明の実施の形態の変形例の多層配線基板の製造方法を示す製造プロセスフロー図である。
(Embodiment)
1 is a plan view showing an example of the structure of an electronic device (RF module) according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view showing an example of the structure in the longitudinal direction of the electronic device shown in FIG. 1, and FIG. 1 is a side view showing an example of the structure in the width direction of the electronic device shown in FIG. 1, FIG. 4 is a back view showing an example of the back surface structure of the electronic device shown in FIG. 1, and FIG. 5 is an example of the structure of the electronic device shown in FIG. FIG. 6 is a manufacturing process flow chart showing an example of a manufacturing method of the multilayer wiring board used in the electronic device shown in FIG. 1, and FIG. 7 is an example of the structure of the thermal via region of the multilayer wiring board shown in FIG. FIG. 8 is a manufacturing process flow diagram showing an example of an assembly procedure of the electronic device shown in FIG. 1, and FIGS. 9 and 10 are diagrams of manufacturing a multilayer wiring board according to a modification of the embodiment of the present invention. It is a manufacturing process flowchart which shows a method.

図1〜図5に示す本実施の形態の電子装置は、主に、携帯用通信機器などに組み込まれる高周波用の電子装置であり、本実施の形態では前記電子装置として、多層配線基板4を有したRFモジュール7(高周波用電力増幅器)の場合を一例として取り上げて説明する。   The electronic device of the present embodiment shown in FIGS. 1 to 5 is mainly a high-frequency electronic device incorporated in a portable communication device or the like. In the present embodiment, a multilayer wiring board 4 is used as the electronic device. The case of the RF module 7 (high-frequency power amplifier) provided will be described as an example.

RFモジュール7の構成について説明すると、図5に示すように、主面4a上にパワートランジスタである半導体チップ1や、チップキャパシタ2およびチップレジスタ5などのチップ部品が搭載された多層配線基板4と、半導体チップ1と多層配線基板4とを電気的に接続する複数のワイヤ6と、半導体チップ1やチップキャパシタ2およびチップレジスタ5などのチップ部品、さらに複数のワイヤ6を封止する封止用樹脂からなる封止体3とからなる。   The configuration of the RF module 7 will be described. As shown in FIG. 5, a multilayer wiring substrate 4 on which a chip part such as a semiconductor chip 1 as a power transistor, a chip capacitor 2 and a chip register 5 is mounted on a main surface 4a A plurality of wires 6 for electrically connecting the semiconductor chip 1 and the multilayer wiring board 4, chip components such as the semiconductor chip 1, the chip capacitor 2 and the chip register 5, and a sealing for sealing the plurality of wires 6 It consists of the sealing body 3 which consists of resin.

半導体チップ1は、多層配線基板4の主面4aに形成された凹部であるキャビティ4nに半田8によって接続されている。また、チップキャパシタ2やチップレジスタ5などのチップ部品も多層配線基板4の主面4aに半田8によって電気的および機械的に接続されている。   The semiconductor chip 1 is connected by a solder 8 to a cavity 4 n that is a recess formed in the main surface 4 a of the multilayer wiring board 4. Chip components such as the chip capacitor 2 and the chip register 5 are also electrically and mechanically connected to the main surface 4 a of the multilayer wiring board 4 by solder 8.

図8に示すように、半導体チップ1の主面1aには複数の電極であるパッド1bが形成されており、これらのパッド1bと表層配線4mとがワイヤ6によって電気的に接続されている。さらに、半導体チップ1の下部には、図6に示すようなプレーン状の導体パターン4jが形成されており、半田8を介して半導体チップ1と接続されている。   As shown in FIG. 8, pads 1 b as a plurality of electrodes are formed on the main surface 1 a of the semiconductor chip 1, and these pads 1 b and the surface layer wiring 4 m are electrically connected by wires 6. Furthermore, a planar conductor pattern 4 j as shown in FIG. 6 is formed below the semiconductor chip 1 and connected to the semiconductor chip 1 via solder 8.

また、多層配線基板4の裏面4bには、図4に示すように複数の外部端子9が格子状に配置されており、本実施の形態のRFモジュール7は、LGA(Land Grid Array)型の電子装置である。   A plurality of external terminals 9 are arranged in a grid pattern on the back surface 4b of the multilayer wiring board 4 as shown in FIG. 4, and the RF module 7 of the present embodiment is an LGA (Land Grid Array) type. It is an electronic device.

多層配線基板4は、例えば、セラミック製の基板であり、複数のグリーンシート(シート部材)4cを積層して形成されたものである。   The multilayer wiring board 4 is a ceramic substrate, for example, and is formed by laminating a plurality of green sheets (sheet members) 4c.

また、多層配線基板4のキャビティ4nの下部には、図5に示すように、半導体チップ1のGND接続などの電気的接続とともに放熱を目的とした複数のサーマルビア4gが設けられている。さらに、サーマルビア4g以外の層間での電気的接続のみを目的とした複数のビア4fも設けられている。   Further, as shown in FIG. 5, a plurality of thermal vias 4g for heat dissipation as well as electrical connection such as GND connection of the semiconductor chip 1 are provided under the cavity 4n of the multilayer wiring board 4. Further, a plurality of vias 4f intended only for electrical connection between layers other than the thermal via 4g are also provided.

なお、サーマルビア4gは、半導体チップ1の放熱も目的の1つであるため、半導体チップ1の下部、すなわち、キャビティ4nの底部から多層配線基板4の裏面4bに亘って設けられている。キャビティ4nの底部には、図6に示すようにプレーン状の導体パターン4jも設けられており、このプレーン状の導体パターン4jの領域に複数のサーマルビア4gが設けられている。また、多層配線基板4のそれぞれの層(グリーンシート4c)には、複数の導体パターン4iが形成されており、これらの導体パターン4iのうち、表層配線4m以外の配線が図5に示すような内部配線4kとなる。例えば、層間の内部配線4kが必要に応じてビア4fによって接続されている。   Since the thermal via 4g is one of the purposes for heat dissipation of the semiconductor chip 1, the thermal via 4g is provided from the bottom of the semiconductor chip 1, that is, from the bottom of the cavity 4n to the back surface 4b of the multilayer wiring board 4. As shown in FIG. 6, a plain-shaped conductor pattern 4j is also provided at the bottom of the cavity 4n, and a plurality of thermal vias 4g are provided in the area of the plane-shaped conductor pattern 4j. Each layer (green sheet 4c) of the multilayer wiring board 4 is formed with a plurality of conductor patterns 4i. Of these conductor patterns 4i, wirings other than the surface layer wiring 4m are as shown in FIG. Internal wiring 4k. For example, the internal wiring 4k between the layers is connected by a via 4f as necessary.

多層配線基板4において、延在する導体パターン4iやプレーン状の導体パターン4j、さらにビア4fやサーマルビア4gは、例えば、銅合金やAgなどからなる。   In the multilayer wiring board 4, the extending conductor pattern 4i, the plain conductor pattern 4j, the via 4f, and the thermal via 4g are made of, for example, a copper alloy or Ag.

また、半導体チップ1は、例えば、シリコンなどからなる。さらに、ワイヤ6は、例えば、金線であり、封止体3を形成する封止用樹脂は、例えば、シリコーン樹脂である。   The semiconductor chip 1 is made of, for example, silicon. Furthermore, the wire 6 is, for example, a gold wire, and the sealing resin that forms the sealing body 3 is, for example, a silicone resin.

ただし、多層配線基板4や前記封止用樹脂は、例えば、エポキシ系の樹脂からなるものであってもよい。   However, the multilayer wiring board 4 and the sealing resin may be made of, for example, an epoxy resin.

本実施の形態のRFモジュール7では、図7に示すようにその多層配線基板4に形成された複数のサーマルビア4gが、層ごとのズレが形成されることなく配置されている。   In the RF module 7 of the present embodiment, as shown in FIG. 7, a plurality of thermal vias 4g formed on the multilayer wiring board 4 are arranged without forming a shift for each layer.

すなわち、多層配線基板4の製造において、複数のグリーンシート4cを積層した後に、サーマルビア4g用の貫通孔を形成し、これらの貫通孔に導体4hを充填してサーマルビア4gを形成したものであり、したがって、複数のサーマルビア4g全てにおいて、層ごとの位置のズレが形成されず、半導体チップ1からの熱の伝達経路が細くなる箇所が無い。   That is, in the production of the multilayer wiring board 4, a plurality of green sheets 4c are stacked, and then through holes for the thermal via 4g are formed, and the through holes are filled with the conductor 4h to form the thermal via 4g. Therefore, in all of the plurality of thermal vias 4g, the positional shift for each layer is not formed, and there is no portion where the heat transfer path from the semiconductor chip 1 becomes narrow.

次に、図6を用いて本実施の形態の電子装置に用いられる多層配線基板の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing a multilayer wiring board used in the electronic device of the present embodiment will be described with reference to FIG.

まず、図6のステップS1に示すように複数のグリーンシート(シート部材)4cを準備する。   First, as shown in step S1 of FIG. 6, a plurality of green sheets (sheet members) 4c are prepared.

その後、ステップS2に示すように複数のグリーンシート4cそれぞれに複数の第1の貫通孔4dを形成する。第1の貫通孔4dは、パンチング加工またはレーザ加工などによって形成する。続いて、第1の貫通孔4dそれぞれに銅合金やAgなどの合金からなる導体4hを充填して複数のビア4fを形成する。   Thereafter, as shown in step S2, a plurality of first through holes 4d are formed in each of the plurality of green sheets 4c. The first through hole 4d is formed by punching or laser processing. Subsequently, each of the first through holes 4d is filled with a conductor 4h made of an alloy such as a copper alloy or Ag to form a plurality of vias 4f.

その後、ステップS3に示すように、複数のグリーンシート4cに、延在する導体パターン4iを印刷によって形成する。その際、第1の貫通孔4dを連結するように、延在する導体パターン4iを形成する。   Thereafter, as shown in step S3, extended conductor patterns 4i are formed on the plurality of green sheets 4c by printing. At that time, an extended conductor pattern 4i is formed so as to connect the first through holes 4d.

その後、ステップS4に示すように、複数のグリーンシート4cを密着させて積層する。ここでは、グリーンシート4cによる各層間に密着剤を配置してプレスによる加圧を行って複数のグリーンシート4cを積層する。   Thereafter, as shown in step S4, a plurality of green sheets 4c are adhered and stacked. Here, a plurality of green sheets 4c are laminated by disposing an adhesive between the layers of the green sheets 4c and applying pressure by pressing.

ただし、前記密着剤などを使用せずに、プレスのみによって複数のグリーンシート4cを積層させてもよい。   However, a plurality of green sheets 4c may be laminated only by pressing without using the adhesive or the like.

その後、ステップS5に示すように、積層された複数のグリーンシート4cのチップ搭載領域にサーマルビア4g用の複数の第2の貫通孔4eを形成する。第2の貫通孔4eも、第1の貫通孔4dと同様にパンチング加工またはレーザ加工などによって形成する。続いて、複数の第2の貫通孔4eそれぞれに導体4hを印刷などによって充填して複数のサーマルビア4gを形成する。   Thereafter, as shown in step S5, a plurality of second through holes 4e for the thermal via 4g are formed in the chip mounting region of the plurality of stacked green sheets 4c. Similarly to the first through hole 4d, the second through hole 4e is formed by punching or laser processing. Subsequently, a plurality of thermal vias 4g are formed by filling the plurality of second through holes 4e with conductors 4h by printing or the like.

その後、ステップS6に示すように、積層した複数のグリーンシート4cのうち最上層のグリーンシート4cにおける複数のサーマルビア4gの周囲にプレーン状の導体パターン4jを印刷によって形成する。   Thereafter, as shown in step S6, a plain conductor pattern 4j is formed by printing around the plurality of thermal vias 4g in the uppermost green sheet 4c among the plurality of stacked green sheets 4c.

その後、ステップS7に示すように、積層された複数のグリーンシート4cに対して焼成などの熱処理を行ってセラミック製の多層配線基板4を製造する。   Thereafter, as shown in step S7, a heat treatment such as firing is performed on the plurality of stacked green sheets 4c to manufacture the multilayer wiring board 4 made of ceramic.

本実施の形態の多層配線基板4の製造方法によれば、複数のグリーンシート4cを密着させて積層した後にサーマルビア4g用の複数の第2の貫通孔4eを形成し、その後、複数の第2の貫通孔4eに導体4hを充填してサーマルビア4gを形成することにより、図7に示すように、多層配線基板4を形成するグリーンシート各層によるサーマルビア4gの位置にズレが無いため、熱の伝達経路が細くなる箇所を無くすことができる。   According to the method for manufacturing multilayer wiring board 4 of the present embodiment, a plurality of second through holes 4e for thermal via 4g are formed after laminating and laminating a plurality of green sheets 4c. By forming the thermal via 4g by filling the through hole 4e with the conductor 4h, as shown in FIG. 7, there is no deviation in the position of the thermal via 4g by each layer of the green sheet forming the multilayer wiring board 4, The portion where the heat transfer path becomes narrow can be eliminated.

その結果、多層配線基板4において、半導体チップ1から複数のサーマルビア4gを介して裏面4bに熱を伝達する際に、最も効率良く放熱(伝熱)することができる。   As a result, in the multilayer wiring board 4, when heat is transferred from the semiconductor chip 1 to the back surface 4b via the plurality of thermal vias 4g, heat can be radiated (heat transfer) most efficiently.

次に、本実施の形態の電子装置の製造方法を、図8に示す製造プロセスフロー図を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the electronic device according to the present embodiment will be described with reference to a manufacturing process flowchart shown in FIG.

まず、図8のステップS11に示すように、多層配線基板4を準備する。多層配線基板4は、図6に示すように、複数のグリーンシート4cを密着させて積層した後に複数のグリーンシート4cにサーマルビア4g用の複数の第2の貫通孔4eを形成し、その後、第2の貫通孔4eに導体4hを充填して熱処理を行って形成したセラミック製の基板である。   First, as shown in step S11 of FIG. 8, the multilayer wiring board 4 is prepared. As shown in FIG. 6, the multilayer wiring board 4 is formed by forming a plurality of second through holes 4e for thermal vias 4g in the plurality of green sheets 4c after laminating and laminating the plurality of green sheets 4c, This is a ceramic substrate formed by filling the second through hole 4e with the conductor 4h and performing heat treatment.

その後、ステップS12に示す部品搭載を行う。ここでは、多層配線基板4の凹部であるキャビティ4nに半導体チップ1を搭載するとともに、主面4a上にチップキャパシタ2やチップレジスタ5などのチップ部品を搭載する。その際、半導体チップ1やチップ部品は、図5に示すように半田8を介して多層配線基板4に接続する。   Then, component mounting shown in step S12 is performed. Here, the semiconductor chip 1 is mounted in the cavity 4n which is the concave portion of the multilayer wiring board 4, and chip components such as the chip capacitor 2 and the chip register 5 are mounted on the main surface 4a. At that time, the semiconductor chip 1 and the chip component are connected to the multilayer wiring board 4 via the solder 8 as shown in FIG.

その後、ステップS13に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、半導体チップ1のパッド1bと多層配線基板4の主面4aの表層配線4mとを金線などのワイヤ6で電気的に接続する。   Thereafter, wire bonding shown in step S13 is performed. Here, the pad 1b of the semiconductor chip 1 and the surface layer wiring 4m of the main surface 4a of the multilayer wiring board 4 are electrically connected by a wire 6 such as a gold wire.

その後、ステップS14に示す封止を行う。ここでは、半導体チップ1および前記チップ部品を封止用樹脂によって封止する。その際、前記封止用樹脂として、例えば、シリコーン樹脂を用い、印刷によって樹脂封止する。   Thereafter, the sealing shown in step S14 is performed. Here, the semiconductor chip 1 and the chip component are sealed with a sealing resin. At that time, for example, a silicone resin is used as the sealing resin, and the resin is sealed by printing.

本実施の形態の電子装置の製造方法によれば、複数のグリーンシート4cを密着させて積層した後に複数のグリーンシート4cにサーマルビア4g用の複数の第2の貫通孔4eを形成し、その後、第2の貫通孔4eに導体4hを充填して複数のサーマルビア4gを形成し、さらに熱処理を行って形成したセラミック製の多層配線基板4を準備し、この多層配線基板4上に半導体チップ1と前記チップ部品を搭載してRFモジュール7(電子装置)を組み立てることにより、図7に示すように、多層配線基板4の各層によるサーマルビア4gの位置にズレが無いため、半導体チップ1からの熱の伝達経路が細くなる箇所を無くすことができ、最も効率良く放熱することができる。   According to the method for manufacturing an electronic device of the present embodiment, a plurality of second through holes 4e for thermal vias 4g are formed in the plurality of green sheets 4c after the plurality of green sheets 4c are adhered and stacked, and thereafter The ceramic through-hole wiring board 4 formed by filling the second through-hole 4e with the conductor 4h to form a plurality of thermal vias 4g and heat-treating the semiconductor chip is provided on the multilayer wiring board 4. 1 and the chip component are assembled to assemble the RF module 7 (electronic device), the position of the thermal via 4g by each layer of the multilayer wiring board 4 is not displaced as shown in FIG. The portion where the heat transfer path becomes narrow can be eliminated, and heat can be radiated most efficiently.

さらに、多層配線基板4個々での熱抵抗のばらつきを抑えることができるため、RFモジュール7の動作時の温度上昇のばらつきを低減することができる。   Furthermore, since it is possible to suppress variations in thermal resistance among the multilayer wiring boards 4, variations in temperature rise during operation of the RF module 7 can be reduced.

その結果、RFモジュール7における電気的特性のばらつきを低減して特性向上を図ることができる。   As a result, variations in electrical characteristics in the RF module 7 can be reduced and characteristics can be improved.

また、RFモジュール7における電気的特性のばらつきを低減して信頼性の向上を図ることができる。   Further, it is possible to improve the reliability by reducing the variation of the electrical characteristics in the RF module 7.

次に、本実施の形態の変形例の多層配線基板の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the multilayer wiring board of the modification of this Embodiment is demonstrated.

図9に示す変形例の多層配線基板4の製造方法は、複数のグリーンシート4cを積層する前の導体パターン印刷時に、複数のグリーンシート4cに、延在する導体パターン4iとプレーン状の導体パターン4jとを印刷によって形成するものである。   The manufacturing method of the multilayer wiring board 4 of the modified example shown in FIG. 9 includes a conductor pattern 4i that extends to a plurality of green sheets 4c and a plain conductor pattern when the conductor pattern is printed before the plurality of green sheets 4c are stacked. 4j is formed by printing.

まず、ステップS21に示すように複数のグリーンシート(シート部材)4cを準備する。   First, as shown in step S21, a plurality of green sheets (sheet members) 4c are prepared.

その後、ステップS22に示すように複数のグリーンシート4cそれぞれに複数の第1の貫通孔4dを形成する。第1の貫通孔4dは、パンチング加工またはレーザ加工などによって形成する。続いて、第1の貫通孔4dそれぞれに銅合金やAgなどの合金からなる導体4hを充填して複数のビア4fを形成する。   Thereafter, as shown in step S22, a plurality of first through holes 4d are formed in each of the plurality of green sheets 4c. The first through hole 4d is formed by punching or laser processing. Subsequently, each of the first through holes 4d is filled with a conductor 4h made of an alloy such as a copper alloy or Ag to form a plurality of vias 4f.

その後、ステップS23に示すように、複数のグリーンシート4cに、延在する導体パターン4iとプレーン状の導体パターン4jを印刷によって形成する。その際、第1の貫通孔4dを連結するように、延在する導体パターン4iを形成する。   Thereafter, as shown in step S23, the extended conductor pattern 4i and the plain conductor pattern 4j are formed on the plurality of green sheets 4c by printing. At that time, an extended conductor pattern 4i is formed so as to connect the first through holes 4d.

その後、ステップS24に示すように、複数のグリーンシート4cを密着させて積層する。ここでは、グリーンシート4cによる各層間に密着剤を配置してプレスによる加圧を行って複数のグリーンシート4cを積層する。   Thereafter, as shown in step S24, the plurality of green sheets 4c are adhered and stacked. Here, a plurality of green sheets 4c are laminated by disposing an adhesive between the layers of the green sheets 4c and applying pressure by pressing.

ただし、前記密着剤などを使用せずに、プレスのみによって複数のグリーンシート4cを積層させてもよい。   However, a plurality of green sheets 4c may be laminated only by pressing without using the adhesive or the like.

その後、ステップS25に示すように、積層された複数のグリーンシート4cのプレーン状の導体パターン4jの領域にサーマルビア4g用の複数の第2の貫通孔4eを形成する。第2の貫通孔4eも、第1の貫通孔4dと同様にパンチング加工またはレーザ加工などによって形成する。続いて、複数の第2の貫通孔4eそれぞれに導体4hを印刷などによって充填して複数のサーマルビア4gを形成する。   Thereafter, as shown in step S25, a plurality of second through holes 4e for the thermal vias 4g are formed in the region of the plain conductor pattern 4j of the plurality of stacked green sheets 4c. Similarly to the first through hole 4d, the second through hole 4e is formed by punching or laser processing. Subsequently, a plurality of thermal vias 4g are formed by filling the plurality of second through holes 4e with conductors 4h by printing or the like.

その後、ステップS26に示すように、積層された複数のグリーンシート4cに対して焼成などの熱処理を行ってセラミック製の多層配線基板4を製造する。   Thereafter, as shown in step S26, a heat treatment such as firing is performed on the plurality of stacked green sheets 4c to manufacture the multilayer wiring board 4 made of ceramic.

図9に示す変形例の多層配線基板の製造方法によれば、図7に示すように、多層配線基板4を形成するグリーンシート各層によるサーマルビア4gの位置にズレを無くすことができるとともに、複数のグリーンシート4cの積層前の導体パターン印刷の工程で、延在する導体パターン4iとプレーン状の導体パターン4jを形成するため、積層後にプレーン状の導体パターン4jを形成する工程(図6のステップS6の工程)を省略することができ、多層配線基板4の製造工程の簡略化を図ることができる。   According to the manufacturing method of the multilayer wiring board of the modified example shown in FIG. 9, as shown in FIG. 7, the position of the thermal via 4 g by each layer of the green sheet forming the multilayer wiring board 4 can be eliminated, and a plurality of In the step of printing the conductor pattern before the green sheet 4c is laminated, the step of forming the plain conductor pattern 4j after the lamination (step of FIG. 6) in order to form the extended conductor pattern 4i and the plain conductor pattern 4j. Step S6) can be omitted, and the manufacturing process of the multilayer wiring board 4 can be simplified.

また、図10に示す変形例の多層配線基板の製造方法は、キャビティ4nを有する多層配線基板の場合の製造方法であり、まず、ステップS31に示すように、それぞれにキャビティ4n用の開口部4pと、延在する導体パターン4iとが形成されるとともにキャビティ4nの深さに相当する枚数の複数のグリーンシート4cを準備する。   10 is a manufacturing method in the case of a multilayer wiring board having a cavity 4n. First, as shown in step S31, each of the openings 4p for the cavity 4n is provided. And a plurality of green sheets 4c corresponding to the depth of the cavity 4n are prepared.

一方、ステップS32に示すように、複数のグリーンシート4cを密着させて積層した後にサーマルビア4g用の複数の第2の貫通孔4e(図6参照)を形成し、その後、第2の貫通孔4eに導体4hを充填して複数のサーマルビア4gを形成するとともに、プレーン状の導体パターン4jを形成した複数のグリーンシート4cを準備する。   On the other hand, as shown in step S32, after the plurality of green sheets 4c are adhered and stacked, a plurality of second through holes 4e (see FIG. 6) for the thermal via 4g are formed, and then the second through holes are formed. 4e is filled with a conductor 4h to form a plurality of thermal vias 4g, and a plurality of green sheets 4c on which a plain-shaped conductor pattern 4j is formed are prepared.

その後、ステップS33に示すように全層を積層し、さらにステップS34に示す焼成などの熱処理を行ってセラミック製の多層配線基板4を製造する。   Thereafter, as shown in step S33, all layers are laminated, and heat treatment such as firing shown in step S34 is further performed to manufacture the multilayer wiring board 4 made of ceramic.

図10に示すように凹部であるキャビティ4nを有する多層配線基板4の製造においても、図7に示すように、多層配線基板4を形成するグリーンシート各層によるサーマルビア4gの位置にズレを無くすことができる。   Also in the manufacture of the multilayer wiring board 4 having the cavity 4n which is a recess as shown in FIG. 10, as shown in FIG. 7, the deviation of the position of the thermal via 4g by each layer of the green sheet forming the multilayer wiring board 4 is eliminated. Can do.

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention, the present invention is not limited to the embodiments of the invention, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.

例えば、前記実施の形態では、電子装置であるRFモジュール7がLGA型の電子装置の場合について説明したが、前記電子装置の外部端子9はボール電極などであってもよい。   For example, in the above embodiment, the case where the RF module 7 which is an electronic device is an LGA type electronic device has been described, but the external terminal 9 of the electronic device may be a ball electrode or the like.

本発明は、多層配線基板を有した電子装置の製造方法に好適である。   The present invention is suitable for a method of manufacturing an electronic device having a multilayer wiring board.

本発明の実施の形態の電子装置(RFモジュール)の構造の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the structure of the electronic device (RF module) of embodiment of this invention. 図1に示す電子装置の長手方向の構造の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the structure of the longitudinal direction of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置の幅方向の構造の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the structure of the width direction of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置の裏面の構造の一例を示す裏面図である。It is a back view which shows an example of the structure of the back surface of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置の構造の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the structure of the electronic device shown in FIG. 図1に示す電子装置に用いられる多層配線基板の製造方法の一例を示す製造プロセスフロー図である。It is a manufacturing process flowchart which shows an example of the manufacturing method of the multilayer wiring board used for the electronic device shown in FIG. 図6に示す多層配線基板のサーマルビア領域の構造の一例を示す拡大部分断面図である。FIG. 7 is an enlarged partial sectional view showing an example of a structure of a thermal via region of the multilayer wiring board shown in FIG. 6. 図1に示す電子装置の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。It is a manufacturing process flowchart which shows an example of the assembly procedure of the electronic device shown in FIG. 本発明の実施の形態の変形例の多層配線基板の製造方法を示す製造プロセスフロー図である。It is a manufacturing process flowchart which shows the manufacturing method of the multilayer wiring board of the modification of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例の多層配線基板の製造方法を示す製造プロセスフロー図である。It is a manufacturing process flowchart which shows the manufacturing method of the multilayer wiring board of the modification of embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体チップ
1a 主面
1b パッド
2 チップキャパシタ(チップ部品)
3 封止体
4 多層配線基板
4a 主面
4b 裏面
4c グリーンシート(シート部材)
4d 第1の貫通孔
4e 第2の貫通孔
4f ビア
4g サーマルビア
4h 導体
4i 導体パターン
4j プレーン状の導体パターン
4k 内部配線
4m 表層配線
4n キャビティ
4p 開口部
5 チップレジスタ(チップ部品)
6 ワイヤ
7 RFモジュール(電子装置)
8 半田
9 外部端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 1a Main surface 1b Pad 2 Chip capacitor (chip component)
3 Sealing body 4 Multilayer wiring board 4a Main surface 4b Back surface 4c Green sheet (sheet member)
4d 1st through hole 4e 2nd through hole 4f Via 4g Thermal via 4h Conductor 4i Conductor pattern 4j Plain conductor pattern 4k Internal wiring 4m Surface layer wiring 4n Cavity 4p Opening 5 Chip register (chip component)
6 wire 7 RF module (electronic device)
8 Solder 9 External terminal

Claims (5)

(a)複数のシート部材を密着させて積層した後に前記複数のシート部材に複数の貫通孔を形成し、その後、前記貫通孔に導体を充填して熱処理を行って形成した多層配線基板を準備する工程と、
(b)前記多層配線基板上に半導体チップとチップ部品を搭載する工程と、
(c)前記半導体チップと前記多層配線基板とを電気的に接続する工程と、
(d)前記半導体チップおよび前記チップ部品を封止する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(A) After a plurality of sheet members are adhered and stacked, a plurality of through holes are formed in the plurality of sheet members, and then a conductor is filled in the through holes and heat treatment is performed to prepare a multilayer wiring board formed And a process of
(B) mounting a semiconductor chip and a chip component on the multilayer wiring board;
(C) electrically connecting the semiconductor chip and the multilayer wiring board;
(D) A method for manufacturing an electronic device, comprising: sealing the semiconductor chip and the chip component.
(a)複数のシート部材を準備する工程と、
(b)前記複数のシート部材に複数の第1の貫通孔を形成し、その後、前記第1の貫通孔に導体を充填する工程と、
(c)前記複数のシート部材に導体パターンを形成する工程と、
(d)前記複数のシート部材を密着させて積層する工程と、
(e)前記積層した複数のシート部材に複数の第2の貫通孔を形成し、その後、前記第2の貫通孔に導体を充填する工程と、
(f)前記積層した複数のシート部材を熱処理する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
(A) preparing a plurality of sheet members;
(B) forming a plurality of first through holes in the plurality of sheet members, and then filling the first through holes with a conductor;
(C) forming a conductor pattern on the plurality of sheet members;
(D) a step of laminating the plurality of sheet members in close contact;
(E) forming a plurality of second through holes in the plurality of stacked sheet members, and then filling the second through holes with a conductor;
(F) A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of heat-treating the plurality of stacked sheet members.
(a)複数のシート部材であるグリーンシートを準備する工程と、
(b)前記複数のグリーンシートに複数の第1の貫通孔を形成し、その後、前記第1の貫通孔に導体を充填する工程と、
(c)前記複数のグリーンシートに導体パターンを形成する工程と、
(d)前記複数のグリーンシートを密着させて積層する工程と、
(e)前記積層した複数のグリーンシートに複数の第2の貫通孔を形成し、その後、前記第2の貫通孔に導体を充填する工程と、
(f)前記積層した複数のグリーンシートを熱処理してセラミック製の多層配線基板を形成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
(A) preparing a green sheet as a plurality of sheet members;
(B) forming a plurality of first through holes in the plurality of green sheets and then filling the first through holes with a conductor;
(C) forming a conductor pattern on the plurality of green sheets;
(D) a step of adhering and laminating the plurality of green sheets;
(E) forming a plurality of second through holes in the plurality of stacked green sheets, and then filling the second through holes with a conductor;
(F) A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: heat-treating the plurality of stacked green sheets to form a ceramic multilayer wiring board.
(a)複数のシート部材を準備する工程と、
(b)前記複数のシート部材に複数の第1の貫通孔を形成し、その後、前記第1の貫通孔に導体を充填する工程と、
(c)前記複数のシート部材に導体パターンを形成する工程と、
(d)前記複数のシート部材を密着させて積層する工程と、
(e)前記積層した複数のシート部材に複数の第2の貫通孔を形成し、その後、前記第2の貫通孔に導体を充填する工程と、
(f)前記積層した複数のシート部材のうち最上層のシート部材における前記複数の第2の貫通孔の周囲にプレーン状の導体パターンを形成する工程と、
(g)前記積層した複数のシート部材を熱処理する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
(A) preparing a plurality of sheet members;
(B) forming a plurality of first through holes in the plurality of sheet members, and then filling the first through holes with a conductor;
(C) forming a conductor pattern on the plurality of sheet members;
(D) a step of laminating the plurality of sheet members in close contact;
(E) forming a plurality of second through holes in the plurality of stacked sheet members, and then filling the second through holes with a conductor;
(F) forming a plain-shaped conductor pattern around the plurality of second through holes in the uppermost sheet member among the plurality of stacked sheet members;
(G) A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising a step of heat-treating the plurality of laminated sheet members.
(a)複数のシート部材を準備する工程と、
(b)前記複数のシート部材に複数の第1の貫通孔を形成し、その後、前記第1の貫通孔に導体を充填する工程と、
(c)前記複数のシート部材に、延在する導体パターンとプレーン状の導体パターンを形成する工程と、
(d)前記複数のシート部材を密着させて積層する工程と、
(e)前記積層した複数のシート部材の前記プレーン状の導体パターンの領域に複数の第2の貫通孔を形成し、その後、前記第2の貫通孔に導体を充填する工程と、
(f)前記積層した複数のシート部材を熱処理する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
(A) preparing a plurality of sheet members;
(B) forming a plurality of first through holes in the plurality of sheet members, and then filling the first through holes with a conductor;
(C) forming an extended conductor pattern and a plain conductor pattern on the plurality of sheet members;
(D) a step of laminating the plurality of sheet members in close contact;
(E) forming a plurality of second through holes in a region of the plain-shaped conductor pattern of the plurality of stacked sheet members, and then filling the second through holes with a conductor;
(F) A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of heat-treating the plurality of stacked sheet members.
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