JP2006267502A - 光導波路モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光送受信部12から光信号を送信する場合には、光送受信部12のサブマウント22に保持されたLD32から射出された光が、長辺側端面14に露出した送信用光導波路のコア端面18Aに入射され、曲線部18Rによってその光路が90°折り曲げられ、高分子光導波路フィルム10に形成された送信用光導波路を導波して、送信先の図示しない光送受信部により光信号が受信される。同様に、送信された光信号を光送受信部12で受信する場合には、高分子光導波路フィルム10に形成された受信用光導波路を導波してきた光は、曲線部18Rによってその光路が90°折り曲げられ、長辺側端面14に露出した受信用光導波路のコア端面18Aから射出される。射出された光は、光送受信部12のサブマウント22に保持されたPD34に入射され、光送受信部12により光信号が受信される。
【選択図】図1
Description
図1は、第1の実施の形態に係る光導波路モジュールの概略構成図である。この光導波路モジュールは、図1に示すように、光導波路が形成された長尺状の高分子光導波路フィルム10と、光導波路を介して光信号を送信又は受信する光送受信部12とで構成されている。光送受信部12はサブマウント22を備えており、高分子光導波路フィルム10の一方の端部はサブマウント22上に保持されている。なお、光信号を送信又は受信するためには対になる光送受信部が必要であるが、光送受信部12と同じ構成とすることができるので、図示及び説明を省略する。
次に、図2(A)〜(C)を参照して、高分子光導波路フィルム10の構造について説明する。図2(A)は高分子光導波路フィルム10の斜視図であり、図2(B)は図2(A)のA−A断面図であり、図2(C)はフィルム端部の長辺側端面図である。
次に、図1及び図3を参照して、サブマウント22を備えた光送受信部12の構成について説明する。まず、図3を参照して、サブマウント22の構成を説明する。図3はサブマウント22の斜視図である。サブマウント22は、略直方体状の基板から構成されている。このサブマウント22には、高分子光導波路フィルム10を取付けるための切り欠き26と、受光素子又は発光素子(以下、「光素子」と総称する。)を嵌め込んで保持するための凹部28とが形成されている。
次に、本実施の形態に係る光導波路モジュールの動作について説明する。
図1に示した光導波路モジュールでは、光送受信部12から光信号を送信する場合には、光送受信部12のサブマウント22に保持されたLD32から射出された光が、長辺側端面14に露出した送信用光導波路のコア端面18RAに入射され、曲線部18Rによってその光路が90°折り曲げられ、高分子光導波路フィルム10に形成された送信用光導波路を導波して、送信先の図示しない光送受信部により光信号が受信される。
図4は、第2の実施の形態に係る光導波路モジュールの概略構成図である。この光導波路モジュールは、図4に示すように、長尺状の高分子光導波路フィルム10と光送受信部12とで構成されており、光送受信部12はサブマウント36を備えている。サブマウント36には、高分子光導波路フィルム10を保持するガイド溝38、光素子を保持する2個の凹部40A、40B、及び高分子光導波路フィルム10の端部が載置される載置面42が形成されている。なお、第1の実施の形態と同じ構成部分は、同じ符号を付して説明を省略する。
図5は、第3の実施の形態に係る光導波路モジュールの概略構成図である。この光導波路モジュールは、図5に示すように、長尺状の高分子光導波路フィルム10と光送受信部12とで構成されており、光送受信部12はサブマウント44を備えている。サブマウント44には、高分子光導波路フィルム10を保持するガイド溝46、受発光素子を保持する2個の凹部48A、48B、及び高分子光導波路フィルム10の端部が載置される載置面50A、50Bが形成されている。なお、第1の実施の形態と同じ構成部分は、同じ符号を付して説明を省略する。
上記の実施の形態では、単一の高分子光導波路フィルムをサブマウントに保持する例について説明したが、複数の高分子光導波路フィルムをサブマウントに保持する構成とすることもできる。長尺状の高分子光導波路フィルムを立ててサブマウントに保持することになるので、フィルムを幅方向に配列する等、集積化が容易であり、多チャンネル化(光信号数を増やすこと)による大容量の光通信を実現することができる。
<高分子光導波路フィルムの作製>
Si基板に厚膜レジスト(マイクロケミカル(株)製、SU−8)をスピンコート法で塗布した後、80℃でプリベークし、フォトマスクを通して露光し、現像して、図1に示すように4本の光導波路コアに対応した、断面が正方形の凸部(幅:50μm、高さ:50μm、長さ:80mm)を形成した。凸部と凸部の間隔は250μmとし、最小曲率半径1.5mmの曲線による90度の曲線部が形成されている。次に、これを120℃でポストベークして、高分子光導波路作製用原盤を作製した。
次に、厚さ625μmのSi基板に、高分子光導波路フィルムを位置決め実装するための深さ300μmの切り欠きをRIE法で形成した。さらに、発光素子及び受光素子を取り付ける深さ210μmの凹部をRIE法で形成した。次に、ダイシングソーによって切断し、個々のSiサブマウント基板を作製した。次に、熱酸化処理によりSiサブマウント基板に絶縁被膜を作製し、さらに、RFスパッタ法により電極端子を形成した。
次に、セラミック製ICパッケージを用意し、ICパッケージ上にSiサブマウントを、Siサブマウント上に発光素子(富士ゼロックス製:4チャンネルアレイ型、250μmピッチ、VCSEL)と駆動用ドライバーICを固定した。次に、ワイヤーボンダを用いて発光素子および駆動用ICの結線を行った。
また、この光導波路モジュールの発光テストを下記の条件で行ったところ、挿入損失は、VCSELの出力を基準として1.0dB以下、各ポートのばらつきは0.2dB以下であり、良好な性能であった。
上記モジュールの光出射部と受光ファイバとの接続を6軸ステージユニット2機を有する光導波路デバイス調芯組み立て機を用いてアクティブアライメントにより行った。受光ファイバとしてハードプラスチッククラッドファイバ(NA=0.4)を使用し、光出力メータにて光出力の測定を行った。モジュールを定電圧電源に接続し8mAにて駆動し、測定した光出力の値をVCSELチップの代表値と比較して挿入損失の値を得た。
厚さ625μmのSi基板に導波路フィルムを位置決め実装する為の深さ300μm幅300μmの溝構造をRIE法により形成した。さらに、発光素子を取り付ける為の深さ210μm開口部をRIE法で形成した後、ダイシングソーによって切断し、Siサブマウント基板を作製した。次に、作製したSiサブマウント基板を用いて、実施例1と同様の光導波路フィルムと発光素子をICパッケージ上に実装した。この光導波路モジュールの発光テストを行ったところ、挿入損失は、VCSELの出力を基準として1.0dB以下、各ポートのばらつきは0.2dB以下であり、良好な性能であった。
発光素子であるVCSELを受光素子であるGaAsフォトダイオードに変更する他は、実施例1と同様な方法で受光素子付き光導波路モジュールを作製した。このモジュールに光を入射させ、フォトダイオードの出力を測定したところ、このモジュールに入射させた光は1.5dB以下の減衰でフォトダイオードまで導かれており、良好な光結合が行われたことが確認された。
ガラス製のサブマウントを用いる他は、実施例1と同様の方法により光導波路モジュールを作製した。この光導波路モジュールの発光テストを行ったところ、挿入損失は、VCSELの出力を基準として1.0dB以下、各ポートのばらつきは0.2dB以下であり、良好な性能であった。
SiO2絶縁被膜処理を施したクロムのサブマウントを用いる他は、実施例1と同様の方法により光導波路モジュールを作製した。この光導波路モジュールの発光テストを行ったところ、挿入損失は、VCSELの出力を基準として1.0dB以下、各ポートのばらつきは0.2dB以下であり、良好な性能であった。
コア部に分岐構造を有する高分子導波路フィルム(図5参照)を、実施例1と同様の製造方法により作製した。250μmピッチで配列し、最小曲率半径1.5mmの曲線による90度の光路変換部がを持つコア径50μmの主導波路部に対し、コア径20μmの分岐導波路が曲率半径0.3mmで接している。導波路シート作製後、ダイシングソーにより2.8mm×15.0mmのフィルム状に整形した。フィルム厚は290μm、コア中心からフィルム表面までの距離はそれぞれ75μmと215μmであった。
最小曲率半径1.5mmの曲線による90度の光路変換部を有し、コア径50μmの2本のコアが750μmの間隔で配置された高分子導波路フィルムを、実施例1と同様の製造方法により作製した。導波路シート作製後、ダイシングソーにより2.8mm×15.0mmのフィルム状に整形した。フィルム厚は290μm、コア中心からフィルム表面までの距離はそれぞれ75μmと215μmであった。
光導波路を光素子に接着する際に吸水率0.4%のエポキシ系樹脂を接着剤としてを使用し、さらに前記の樹脂により光素子収容する開口部を満たす他は、実施例1と同様な方法で受光素子付き光導波路モジュールを作製した。作製したモジュールを85℃、85%RHの環境内に500時間放置した。高温高湿環境試験前後での光出力変化は0.1dB以下であり、良好な耐湿信頼性が確認された。
10A 端面
12 光送受信部
14 長辺側端面
16、20 クラッド部
18 コア部
18A、18MA コア端面
18R、18M 曲線部
18S 直線部
22 サブマウント
24A、24B フィルム面
26A、26B 当接面
26C 載置面
28 凹部
36 サブマウント
38 ガイド溝
38A〜38C 当接面
40A、40B 凹部
42 載置面
44 サブマウント
46 ガイド溝
46A〜46C 当接面
48A、48B 凹部
50A 載置面
Claims (20)
- 積層方向に光を射出する構造又は積層方向から光が入射する構造を備えた光素子と、
コアが長さ方向に延びると共に、少なくとも一方の端部においてコア端面が長辺側端面に露出するように、コアとクラッドとを有する光導波路が形成された長尺状の高分子光導波路フィルムと、
前記光素子が保持されると共に、前記光導波路のコア端面から射出された光が前記光素子に直接結合されるように又は前記光素子から射出された光が前記光導波路のコア端面に直接結合されるように、前記高分子光導波路フィルムの前記端部が保持されたサブマウントと、
を備えたことを特徴とする光導波路モジュール。 - 前記光導波路は、長さ方向に延びる直線部と該直線部に連続し且つ長辺側に湾曲した曲線部とを備え、該曲線部のコア端面が長辺側端面に露出されたことを特徴とする請求項1に記載の光導波路モジュール。
- 前記サブマウントの主面とフィルム面とが直交するように、前記高分子光導波路フィルムの前記端部が保持されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の光導波路モジュール。
- 前記サブマウントはフィルム保持用の凹部を備え、該凹部に前記高分子光導波路フィルムの前記端部が保持されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記フィルム保持用の凹部は前記主面と直交する壁面を備え、前記高分子光導波路フィルムの短辺側端面及びフィルム面の少なくとも一方を前記壁面に突き当てて、前記高分子光導波路フィルムの位置合わせをすることを特徴とする請求項4に記載の光導波路モジュール。
- 前記フィルム保持用の凹部が互いに直交する2面の壁面を有する切り欠きであることを特徴とする請求項4又は5に記載の光導波路モジュール。
- 前記フィルム保持用の凹部が互いに対向する2面の壁面を有するガイド溝であることを特徴とする請求項4又は5に記載の光導波路モジュール。
- 前記サブマウントは前記光素子保持用の凹部を備え、該凹部に光素子が保持されたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記高分子光導波路フィルムに複数の光導波路が形成され、複数の光導波路のコア端面の各々に対応して複数の光素子が直接結合されたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記光素子から射出された光が前記光導波路のコア端面に直接結合される場合に、前記高分子光導波路フィルムに、前記光素子から射出された光を該光を検出する検出用光素子に導くモニター用光導波路が更に形成されたことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記光導波路のコアは、シリコーン樹脂製の鋳型を用いて複製された請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記サブマウントがシリコンからなることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記サブマウントが石英ガラスからなることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記サブマウントがニッケル、コバルト、クロム、アルミニウム、及び銅からなる群から選択された1種以上の金属又はその合金であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記サブマウント上に電気配線のための電極パターンが形成されたことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記高分子光導波路フィルムが、光導波路を伝搬される光に対し透明な接着剤により前記光素子に接着されることを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
- 前記接着剤が、前記光導波路のクラッドを構成する樹脂と同じ樹脂からなることを特徴とする請求項16に記載の光導波路モジュール。
- 前記接着剤が、硬化収縮率が10%以下の熱硬化性接着剤であることを特徴とする請求項16又は17に記載の光導波路モジュール。
- 前記接着剤が、硬化収縮率が10%以下の紫外線硬化性接着剤であることを特徴とする請求項16又は17に記載の光導波路モジュール。
- 前記接着剤の吸水率が1%以下であることを特徴とする請求項16乃至19のいずれか1項に記載の光導波路モジュール。
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