JP2006265681A - 多層膜の製造方法及び多層膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット14を有し、ターゲット14の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置1を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。ターゲット14の表面に平行な磁場の強度をターゲット14の表面で0.3T(テスラ)以上に設定する磁石装置を用意する。次に、積層方向において互いに隣接するように膜を成膜すると共に、積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、隣接する膜のうち薄い側の層の厚みの50%以下となるように設定する成膜工程を実施する。
【選択図】 図1
Description
ターゲットの表面に平行な磁場の強度をターゲットの表面で0.3T(テスラ)以上に設定する磁石装置を用意する工程と、積層方向において互いに隣接するように膜を成膜し、積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、隣接する膜のうち薄い側の膜の厚みの50%以下となるように設定する成膜工程とを含むことを特徴とするものである。
・TMR(トンネル磁気抵抗)薄膜(例えば、マンガンイリジウム(Mn−Ir)/コバルト鉄(Co−Fe)/酸化アルミニウム(Al−O)/コバルト鉄(Co−Fe)積層膜等)
・磁気記憶薄膜(コバルト(Co)/パラジウム(Pd)系多層膜、強磁性層/ルテニウム(Ru)/強磁性層積層膜等)
等がある。
以下、比較例1として、前記した実施例で用いたのと同じ基板を用い、永久磁石を用いた通常のマグネトロン・スパッタ装置によりモリブデン膜を同様に成膜した。この場合には、ターゲットの表面に平行な磁場の強度は、ターゲットの表面で0.05T(テスラ)とされている。
図5はX線用の反射膜として機能できる多層膜ミラーに適用した適用例を示す。図5に示すように、成膜対象物として機能する基板24の表面に、厚みが2.45ナノメートルのモリブデン膜150と、厚みが4.55ナノメートルのシリコン膜100とが交互に多層(50層)に積層されている。そしてモリブデン膜150とシリコン膜100との界面に存在する界面拡散層の厚みは1ナノトール以下と薄くされていると共に、界面粗さは0.5ナノトール以下と小さくされている。このものでは、界面拡散層の厚みは薄く、界面粗さも小さいため、多層膜ミラーを構成する多層膜としての本来の性質を向上させることができ、X線の反射率を高めることができる。
上記した実施例ではヨーク材20及びヨーク材21が超電導体19の先端面から発せられる磁力線を超電導体19の外側に曲げるために用いられているが、ヨーク材20及びヨーク材21の一方または双方を永久磁石に代えても良い。この場合、永久磁石の磁極は、超電導体19の先端面から発せられる磁力線を超電導体19の外側に曲げるために用いられる。本発明は前記し且つ図面に示した実施例、適用例のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施できるものである。
Claims (12)
- 薄膜原料を基材とするターゲットを有し、前記ターゲットの表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置を用い、構成元素、組成、結晶構造のうちの少なくとも一つが異なる2種類以上の膜を積層させて多層膜を形成する多層膜の製造方法において、
前記ターゲットの表面に平行な磁場の強度を前記ターゲットの表面で0.3T(テスラ)以上に設定する磁石装置を用意する工程と、
積層方向において互いに隣接するように膜を成膜し、前記積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、前記隣接する膜のうち薄い側の膜の厚みの50%以下となるように設定する成膜工程とを含むことを特徴とする多層膜の製造方法。 - 請求項1において、磁場ベクトルの向きが前記ターゲットの表面に対して水平になる位置が前記ターゲットの表面から離れるにつれて前記ターゲットの表面の中心軸から離れるような磁場分布をもつことを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1または2において、前記多層膜を形成する成膜対象物と前記ターゲットとの距離が250ミリメートル以上に設定されていることを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1〜3のうちのいずれか一項において、前記多層膜の少なくとも1層の成膜時におけるスパッタガスの圧力が1×10-1Pa以下であることを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1〜4のうちのいずれか一項において、前記磁場の発生手段として、磁場を捕捉させた超電導体を用いることを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1〜5のうちのいずれか一項において、前記多層膜を構成する各層の厚みが20ナノメートル以下であることを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1〜6のうちのいずれか一項において、前記界面拡散層の厚みが2ナノメートル以下であることを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1〜7のうちのいずれか一項において、前記多層膜のうち積層方向において隣接する各膜を構成する元素が、一方側の膜を構成する少なくとも1種類以上の元素と、他方側の膜を構成する少なくとも1種類以上の元素との間で、化合物または固溶体を形成する化学的性質を有することを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1〜8のうちのいずれか一項において、前記多層膜は、波長100ナノメートル以下のX線を反射する反射膜であることを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1〜9のうちのいずれか一項において、前記多層膜は、モリブデンを基材とする膜とシリコンを基材とする膜とが交互に積層されたものであることを特徴とする多層膜の製造方法。
- 請求項1〜10のうちのいずれかの製造方法で、構成元素、組成、結晶構造のうちの少なくとも一つが積層方向に隣接する膜において異なる複数の膜を積層して作成され、積層方向に隣接する膜の界面の界面拡散層の厚みが、前記隣接する膜のうち、薄い側の膜の厚みの50%以下に設定されていることを特徴とする多層膜。
- 請求項11において、波長100ナノメートル以下のX線を反射する反射膜に用いられることを特徴とする多層膜。
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