JP2006261673A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006261673A5
JP2006261673A5 JP2006071649A JP2006071649A JP2006261673A5 JP 2006261673 A5 JP2006261673 A5 JP 2006261673A5 JP 2006071649 A JP2006071649 A JP 2006071649A JP 2006071649 A JP2006071649 A JP 2006071649A JP 2006261673 A5 JP2006261673 A5 JP 2006261673A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
conductive
conductive vias
bonding pad
extended portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006071649A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006261673A (en
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/327,327 external-priority patent/US20060207790A1/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2006261673A publication Critical patent/JP2006261673A/en
Publication of JP2006261673A5 publication Critical patent/JP2006261673A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (13)

第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜に形成され、前記第1の絶縁膜の延長された部分を取り囲む第1の導電パッドパターンと、
前記第1の導電パッドパターン上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜を貫通して形成された第1の配列構造を有し、前記第1の導電パッドパターンと電気的に連結された第1の複数の導電ビアと、
前記第1の複数の導電ビアと電気的に連結され、前記第2の絶縁膜に形成され、前記第2の絶縁膜の延長された部分を取り囲む第2の導電パッドパターンと、
前記第2の導電パッドパターン上に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜を貫通して形成された第2の配列構造を有し、前記第2の導電パッドパターンと電気的に連結された第2の複数の導電ビアと、
前記第2の複数の導電ビアと電気的に連結され、前記第3の絶縁膜に形成された第3の導電パッドパターンと、を含むことを特徴とするボンディングパッド構造。
A first insulating film;
A first conductive pad pattern formed on the first insulating film and surrounding an extended portion of the first insulating film;
A second insulating film formed on the first conductive pad pattern;
A first plurality of conductive vias having a first array structure formed through the second insulating film and electrically connected to the first conductive pad pattern;
A second conductive pad pattern electrically connected to the first plurality of conductive vias, formed in the second insulating film and surrounding an extended portion of the second insulating film;
A third insulating film formed on the second conductive pad pattern;
A second plurality of conductive vias having a second arrangement structure formed through the third insulating film and electrically connected to the second conductive pad pattern;
A bonding pad structure comprising: a third conductive pad pattern electrically connected to the second plurality of conductive vias and formed in the third insulating film.
前記第1の配列構造と前記第2の配列構造は、実質的に同一であることを特徴とする請求項1に記載のボンディングパッド構造。   The bonding pad structure according to claim 1, wherein the first array structure and the second array structure are substantially the same. 前記第1の導電パッドパターンは、前記第1の絶縁膜の複数の延長された部分を取り囲み、前記第2の導電パッドパターンは、前記第2の絶縁膜の複数の延長された部分を取り囲むことを特徴とする請求項1または2に記載のボンディングパッド構造。 The first conductive pad pattern surrounds a plurality of extended portions of the first insulating film, and the second conductive pad pattern surrounds a plurality of extended portions of the second insulating film. The bonding pad structure according to claim 1 or 2 . 前記第1の絶縁膜の延長された部分は開放された配列構造を有し、前記第2の絶縁膜の延長された部分は開放された配列構造を有することを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。 Extended portions of the first insulating film has an open sequence structure, claims 1-3 extended portion of the second insulating film is characterized by having an open sequence structure The bonding pad structure according to any one of the above. 前記第1の絶縁膜の延長された部分は、前記第1の導電パッド構造の周縁によって限定される面積の15%程度であり、前記第2の絶縁膜の延長された部分は、前記第2の導電パッド構造の周縁によって限定される面積の15%程度であることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。 The extended portion of the first insulating film is about 15% of the area defined by the periphery of the first conductive pad structure, and the extended portion of the second insulating film is the second portion. The bonding pad structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the bonding pad structure is about 15% of an area defined by a peripheral edge of the conductive pad structure. 前記第1の絶縁膜の延長された部分は、前記第2の絶縁膜の延長された部分に対して実質的に垂直な方向を有するように配置されたことを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。 The extended portion of the first insulating film, claims 1-5, characterized in that it is arranged to have a direction substantially perpendicular to the extended portion of the second insulating film The bonding pad structure according to any one of the above. 前記第1の絶縁膜の延長された部分は、前記第2の絶縁膜の延長された部分に対して実質的に垂直で側面的にオフセットされる方向に配置されたことを特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。 The extended portion of the first insulating film is disposed in a direction substantially perpendicular to the extended portion of the second insulating film and laterally offset. The bonding pad structure according to any one of 1 to 6 . 前記第1の複数の導電ビアは、前記第2の複数の導電ビアに対して側面的にオフセットされる方向に配置されたことを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。 Said first plurality of conductive vias, according to any one of claims 1 to 7, characterized in that said has side to be disposed in a direction that is offset relative to the second plurality of conductive vias Bonding pad structure. 前記第1の複数の導電ビアは、前記第2の複数の導電ビアに対して側面的にオフセットされる方向に配置されて90%以下で垂直に重畳されることを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。 Said first plurality of conductive vias claim 1, wherein the superimposed vertically are arranged in a direction which is a side to offset 90% or less with respect to the second plurality of conductive vias 9. The bonding pad structure according to any one of 8 above. 前記第1の複数の導電ビアは、前記第2の複数の導電ビアに対して側面的にオフセットされる方向に配置されて50%以下で垂直に重畳されることを特徴とする請求項1から9の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。 Said first plurality of conductive vias claim 1, characterized in that the side surfaces to overlapped vertically below 50% are arranged in a direction that is offset relative to the second plurality of conductive vias The bonding pad structure according to any one of 9 . 前記第1の複数の導電ビアは、前記第2の複数の導電ビアに対して側面的にオフセットされる方向に配置されて10%以下で垂直に重畳されることを特徴とする請求項1から10の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。 Said first plurality of conductive vias claim 1, characterized in that the side surfaces to overlapped vertically below 10% are arranged in a direction that is offset relative to the second plurality of conductive vias The bonding pad structure according to any one of 10 . 前記第1の複数の導電ビアは、前記第1の絶縁膜が延長された部分のうち互いに隣接する部分の間で前記第1の導電パッドパターンと接触されるように配置され、
前記第2の複数の導電ビアは、前記第2の絶縁膜の延長された部分のうち互いに隣接する部分の間で前記第2の導電パッドパターンと接触されるように配置されたことを特徴とする請求項1から11の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
The first plurality of conductive vias are disposed so as to be in contact with the first conductive pad pattern between portions adjacent to each other among the portions where the first insulating film is extended,
The second plurality of conductive vias are disposed so as to be in contact with the second conductive pad pattern between adjacent portions of the extended portion of the second insulating film. The bonding pad structure according to any one of claims 1 to 11 .
前記第1の複数の導電ビアは、メッシュパターンに配置され、
前記第2の複数の導電ビアは、メッシュパターンに配置され、前記第2の絶縁膜の延長された部分のうち互いに隣接する部分の間で前記第2の導電パッドパターンと接触されることを特徴とする請求項1から12の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
The first plurality of conductive vias are arranged in a mesh pattern;
The second plurality of conductive vias are arranged in a mesh pattern, and are in contact with the second conductive pad pattern between adjacent portions of the extended portion of the second insulating film. The bonding pad structure according to any one of claims 1 to 12 .
JP2006071649A 2005-03-15 2006-03-15 Bonding pad having metal pad in which slot is formed and mesh type via pattern Pending JP2006261673A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050021473 2005-03-15
US11/327,327 US20060207790A1 (en) 2005-03-15 2006-01-09 Bonding pads having slotted metal pad and meshed via pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006261673A JP2006261673A (en) 2006-09-28
JP2006261673A5 true JP2006261673A5 (en) 2009-04-16

Family

ID=37100494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006071649A Pending JP2006261673A (en) 2005-03-15 2006-03-15 Bonding pad having metal pad in which slot is formed and mesh type via pattern

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2006261673A (en)
KR (1) KR100772015B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101349373B1 (en) 2007-07-31 2014-01-10 삼성전자주식회사 Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
KR102423813B1 (en) * 2015-11-27 2022-07-22 삼성전자주식회사 Semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196525A (en) * 1992-12-24 1994-07-15 Kawasaki Steel Corp Structure of bonding pad
US6300688B1 (en) 1994-12-07 2001-10-09 Quicklogic Corporation Bond pad having vias usable with antifuse process technology
JPH08213422A (en) * 1995-02-07 1996-08-20 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and bonding pad structure thereof
JP3482779B2 (en) * 1996-08-20 2004-01-06 セイコーエプソン株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001085465A (en) 1999-09-16 2001-03-30 Matsushita Electronics Industry Corp Semiconductor device
JP3970150B2 (en) 2002-10-16 2007-09-05 三洋電機株式会社 Bonding pad and method for forming the same
JP4021376B2 (en) * 2003-06-13 2007-12-12 松下電器産業株式会社 Pad structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010109206A5 (en)
JP2012015480A5 (en)
JP2008544540A5 (en)
JP2008227531A5 (en)
JP2010147281A5 (en) Semiconductor device
ATE497223T1 (en) INSERTS WITH DOUBLE INTERFACE
JP2011142316A5 (en) Semiconductor device
JP2011171739A5 (en)
JP2009059921A5 (en)
JP2014096591A5 (en)
JP2008507134A5 (en)
JP2010135777A5 (en) Semiconductor device
JP2007109956A5 (en)
JP2020503678A5 (en)
JP2008505487A5 (en)
JP2012028429A5 (en) Semiconductor device
WO2009013826A1 (en) Semiconductor device
JP2012015504A5 (en)
JP2016012707A5 (en)
JP2012049545A5 (en)
JP2013055318A5 (en)
JP2009044114A5 (en)
JP2008091927A5 (en)
JP2013105255A5 (en)
JP2013505561A5 (en)