JP2006261375A - Led light source device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はLED光源装置に関する。詳しくは、LED光源装置のリフレクタの改良に関する。 The present invention relates to an LED light source device. In detail, it is related with improvement of the reflector of an LED light source device.
液晶パネルなどのバックライト用光源装置として一般に線状光源装置が使用される。線状光源装置としてはLED素子を線状に配置した光源ユニットがある。LED光源装置では、光の取り出し効率を向上させるためにLED素子の周囲にリフレクタを設置することが行われている。 A linear light source device is generally used as a light source device for a backlight such as a liquid crystal panel. As the linear light source device, there is a light source unit in which LED elements are linearly arranged. In the LED light source device, in order to improve the light extraction efficiency, a reflector is installed around the LED element.
現在、より高輝度な線状LED光源装置の実現が要請されている。高輝度化には、LED素子を高密度に実装することが有効である。しかし、LED素子を高密度に実装するとLED素子の間隔(ピッチ)が狭まることから、好ましい配光特性が得られるようにLED毎にリフレクタを設置することが困難となる。つまり、各LED素子の光の取り出し効率を高めるためにはLED素子毎にリフレクタを設けることが好ましいが、高密度実装する場合に、このような構成を採用することは難しい。
一方、線状LED光源装置については、輝度ムラの軽減も要請されている。つまり、本来点光源であるLED素子の光をより均一な線状の光に変換することが課題となっている。
また、多数のLED素子を高密度に設置することは発熱量を増大させることとなり、LED素子の駆動安定性、信頼性が低下する恐れがある。
本発明は以上の課題に鑑み、高輝度な線状光を生成するLED光源装置を提供することを目的の一つとする。また、より均一な線状光を生成するLED光源装置を提供することを目的の一つとする。さらに、放熱性に優れたLED光源装置を提供することも目的の一つとする。
Currently, there is a demand for realizing a higher-brightness linear LED light source device. For increasing the brightness, it is effective to mount the LED elements at a high density. However, when the LED elements are mounted at a high density, the interval (pitch) between the LED elements is narrowed, so that it is difficult to install a reflector for each LED so that preferable light distribution characteristics can be obtained. That is, in order to increase the light extraction efficiency of each LED element, it is preferable to provide a reflector for each LED element, but it is difficult to adopt such a configuration when performing high-density mounting.
On the other hand, for linear LED light source devices, reduction of luminance unevenness is also required. That is, the problem is to convert the light of the LED element, which is originally a point light source, into more uniform linear light.
In addition, installing a large number of LED elements at a high density increases the amount of heat generation, which may reduce the drive stability and reliability of the LED elements.
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an LED light source device that generates high-luminance linear light. Another object of the present invention is to provide an LED light source device that generates more uniform linear light. Another object is to provide an LED light source device that is excellent in heat dissipation.
本発明は以上の目的の少なくとも一つを達成するために、以下に示すLED光源装置を提供する。即ち、
基板と、
前記基板上に配列される複数のLED素子であって、該LED素子はp電極及びn電極を一面側に有し、その一方の電極がエッチングされた部位に形成され、該一方の電極が電極が、隣接する前記LED素子との間に存在するように配置される、複数のLED素子と、
前記複数のLED素子を一括して囲繞するように前記基板上に配置されるリフレクタと、
を備えるLED光源装置である。
In order to achieve at least one of the above objects, the present invention provides the following LED light source device. That is,
A substrate,
A plurality of LED elements arranged on the substrate, wherein the LED element has a p-electrode and an n-electrode on one side, and one of the electrodes is formed in an etched portion, and the one electrode is an electrode A plurality of LED elements arranged so as to exist between adjacent LED elements;
A reflector disposed on the substrate so as to collectively surround the plurality of LED elements;
It is an LED light source device provided with.
本発明では、リフレクタをLED素子毎に設けるのではなく、複数のLED素子をまとめて囲繞するようにリフレクタを設ける。これによりLED素子の間隔(ピッチ)を小さくすることができる。即ち、高密度にLED素子を配置することができ、高輝度化が達成される。さらにリフレクタはLED素子から横方向に放出された光を上方へ反射するため、光の取り出し効率が向上する。即ち、LED素子の高密度実装による高輝度化と、リフレクタによる光取り出し効率の向上とが両立され、さらなる高輝度化が実現される。ここで、一面にpn電極を有し、両電極をLED素子周辺部に配置した、例えばサファイア基板上のGaN系LED素子は、構造上n電極側から横方向へ放出される光量が少ないという特性を有する。それゆえ、かかるLED素子のn電極が、隣接するLED素子との間に存在するように、LED素子を配置することにより、LED素子から横方向へ放出される光のより多くがリフレクタの方向へ進行する。その結果、光の取り出し効率がさらに向上する。 In the present invention, the reflector is not provided for each LED element, but is provided so as to collectively surround a plurality of LED elements. Thereby, the space | interval (pitch) of an LED element can be made small. That is, the LED elements can be arranged with high density, and high luminance is achieved. Furthermore, since the reflector reflects light emitted from the LED element in the lateral direction upward, the light extraction efficiency is improved. That is, high brightness by high-density mounting of LED elements and improvement of light extraction efficiency by the reflector are compatible, and higher brightness is realized. Here, for example, a GaN-based LED element on a sapphire substrate, which has a pn electrode on one side and is disposed in the periphery of the LED element, has a characteristic that the amount of light emitted from the n-electrode side in the lateral direction is small due to the structure. Have Therefore, by arranging the LED elements such that the n-electrodes of such LED elements exist between adjacent LED elements, more of the light emitted from the LED elements in the lateral direction is directed toward the reflector. proceed. As a result, the light extraction efficiency is further improved.
本発明における照明装置は、基板、LED素子、リフレクタを備える。使用する基板の種類は特に限定されず、公知のものを採用できる。例えば、アルミ、アルミ合金、銅、銅合金、又は窒化アルミ等からなるセラミック製の基板を採用できる。これらの基板は熱伝導率が高く、LED素子の放熱性を向上させることができる。 The lighting device in the present invention includes a substrate, an LED element, and a reflector. The kind of board | substrate to be used is not specifically limited, A well-known thing can be employ | adopted. For example, a ceramic substrate made of aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, aluminum nitride, or the like can be used. These substrates have a high thermal conductivity and can improve the heat dissipation of the LED element.
本発明ではLED素子として一面にpn電極を有した、例えばサファイア上に形成されたGaN系LED素子を使用する。GaN系LED素子電極面を下にして基板に金バンブを介してフリップチップ実装することが好ましい。基板に直接実装できるため、ワイヤボンディングする必要がなく、より高密度にLED素子を配置することができるからである。
本発明では複数のLED素子を使用して、これらを略線状に基板上に配列させる。LED素子の間隔(ピッチ)は例えば、0.4〜2.0mm、好ましくは0.5mmから1.5mmである。このようにピッチを小さくすることで、高輝度化することができる。加えて、輝度ムラを低減することもでき、より均一な線状光を生成できる。本明細書でいう「略線状」とは、LED素子が一列又は複数列をなして線状に配列されている状態をいう。本発明では、典型的には、全てのLED素子を直線状に一列に配列させるが、曲線状に配列させても良い。
In the present invention, for example, a GaN-based LED element formed on sapphire having a pn electrode on one side is used as the LED element. It is preferable that the GaN-based LED element electrode face be down and flip-chip mounted on the substrate via a gold bump. This is because it can be directly mounted on the substrate, so that there is no need for wire bonding, and the LED elements can be arranged with higher density.
In the present invention, a plurality of LED elements are used, and these are arranged on the substrate in a substantially linear shape. The space | interval (pitch) of an LED element is 0.4-2.0 mm, for example, Preferably it is 0.5 mm to 1.5 mm. By reducing the pitch in this way, the brightness can be increased. In addition, luminance unevenness can be reduced, and more uniform linear light can be generated. As used herein, “substantially linear” refers to a state in which LED elements are linearly arranged in one or more rows. In the present invention, all the LED elements are typically arranged in a straight line, but may be arranged in a curved line.
ここで、一面側にpn電極を有したLED素子では、エッチングされた部位に形成されるn電極側から横方向へ放出される光量が少ない。そこで、本発明では、複数のLED素子を、各LED素子のエッチングされた部位に形成される電極が、各LED素子の中心を通る仮想軸上となるように配置する。かかる配置によると、各LED素子から横方向へ進む光のより多くが後述するリフレクタの方向へ進行することとなる。リフレクタはLED素子の横方向の光を受光して上方へ反射するため、光の取り出し効率が向上する。 Here, in an LED element having a pn electrode on one side, the amount of light emitted in the lateral direction from the n electrode side formed in the etched portion is small. Therefore, in the present invention, the plurality of LED elements are arranged such that the electrodes formed on the etched portions of the LED elements are on a virtual axis passing through the center of each LED element. With this arrangement, more of the light traveling in the lateral direction from each LED element travels in the direction of the reflector described later. Since the reflector receives the light in the lateral direction of the LED element and reflects it upward, the light extraction efficiency is improved.
本発明では、略線状に配置される複数のLED素子を一括して囲繞するリフレクタを使用する。即ち、LED素子毎にリフレクタを設けるのではなく、複数のLED素子に対して一つのリフレクタを使用する。リフレクタの材質は、例えばアルミ等の金属や白色樹脂など、LED素子の光を反射可能な材質であれば特に限定されない。中でも、アルミ等の金属など熱伝導率の高い材質で形成することが好ましい。LED光源装置の放熱特性が向上するからである。なお、光反射性の低い材料、又は非光反射性の材料を成型した後、受光面となる領域にメッキ処理や白色塗装を施す等して光反射性を付与したものをリフレクタとしてもよい。 In the present invention, a reflector that collectively surrounds a plurality of LED elements arranged in a substantially linear shape is used. That is, instead of providing a reflector for each LED element, one reflector is used for a plurality of LED elements. The material of the reflector is not particularly limited as long as it is a material that can reflect the light of the LED element, such as a metal such as aluminum or a white resin. Among these, it is preferable to form the material with high thermal conductivity such as metal such as aluminum. This is because the heat dissipation characteristics of the LED light source device are improved. In addition, after shaping | molding a material with low light reflectivity or a non-light-reflective material, you may make into a reflector the thing which gave the light reflectivity by giving a plating process or white coating to the area | region used as a light-receiving surface.
以下に、実施例を用いて本発明をより詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
図1は本発明の一実施態様であるLED光源装置1の斜視図である。図2はGaN系LED素子2aの構造を模式的に示した断面図である。図3はLED光源装置1の上面図である。図4は図3におけるA−A線縦断面図である。
LED光源装置1は6個の同一構造のGaN系LED素子2a〜f、リフレクタ4、基板3を備える。図2に示すように、GaN系LED素子2aは、絶縁性のサファイア基板22a上に、バッファ層23a、n型GaN系半導体層24a、GaN系半導体からなる発光する層を含む層25a、及びp型GaN系半導体層26aが順次積層され、エッチングによりn型GaN系半導体層24aの一部を表出させて、n型GaN系半導体層24a上にn電極21aが形成され、p型GaN系半導体層26a上にp電極27aが形成された構造である。即ち、図2に示すように、p電極27a及びn電極21aが同一面側に形成される。さらに、n電極21aは、発光する層を含む層25aの横方向に形成されるため、発光する層を含む層25aから放出される光の一部の進行を妨げる。その結果、GaN系LED素子2aはn電極21a側から横方向へ放出される光量が少ない。なお、GaN系LED素子2aは、p電極27a及びn電極21aが下面側(基板3側)となるように、金バンプを介して基板3上にフリップチップ実装される。同様にGaN系LED素子2b〜fは、基板3上にフリップチップ実装される。6個のGaN系LED素子2a〜fは基板3上に直線状に0.1mmの間隔(ピッチ)で配列している。図3に示すように、GaN系LED素子2a〜fは、それぞれのn電極21a〜fがGaN系LED素子2a〜fの中心を結ぶ仮想軸20上に位置するように配置される。
FIG. 1 is a perspective view of an LED
The LED
リフレクタ4はアルミ製であって、6個のGaN系LED素子2a〜fを一括して囲繞するように基板3上に設置される。図3に示すように、リフレクタ4は長手方向にa〜fの6区画に分かれている。各区画a〜fの大きさはほぼ同じであって、各区画a〜fにはそれぞれ一つのGaN系LED素子2a〜fが配置される。各区画において、リフレクタ4のGaN系LED素子2a〜fに対向する面(反射面)41a〜fは、その中央部から端部(隣接する区画に連続する部分)に向かって、仮想軸20に近づくように湾曲している。より詳しくは、区画aにおいて、反射面41aの上端(上面側の縁)42aはGaN系LED素子2aを中心とする仮想円に沿っている。さらに、図3に示すように、反射面41aは上端42aから下端(基板側の縁)43aに向かって、GaN系LED素子2aに近づくように所定の角度で傾斜している。即ち、光軸5に垂直な方向における反射面41aの断面はGaN系LED素子2aを中心とする仮想円に沿っている。反射面41aの端部は隣接する区画bの反射面41bの端部に繋がっている。区画b〜fについても同様に、反射面41b〜fはそれぞれ、上端42a〜fがGaN系LED素子2b〜fを中心とする仮想円に沿っており、下端43a〜fに向かって、GaN系LED素子2b〜fに近づくように傾斜している。さらに反射面41b〜fの端部は隣接する区画の端部と繋がっている。従って、リフレクタ4で囲繞される領域(GaN系LED素子2a〜fの近傍領域)は全ての区画間で連通している。
なお、反射面41a〜fの傾斜角度は、好ましい配光特性が得られるように、GaN系LED素子2a〜fの指向角などを考慮して決定される。
The
The inclination angles of the reflecting
次にLED光源装置1の発光態様を述べる。GaN系LED素子2a〜fの光の一部はGaN系LED素子2a〜fの光軸方向へ放出され、他の一部はGaN系LED素子2a〜fから横方向へ放出される。このとき、GaN系LED素子2a〜fのn電極21a〜fは仮想軸20上に位置するため、横方向の光のうち、より多くの光がリフレクタ4側へ進行する。リフレクタ4の反射面41a〜fは受光した光をGaN系LED素子2a〜fの光軸方向へ反射する。
Next, the light emission mode of the LED
このようなLED光源装置1では、GaN系LED素子2a〜fは、基板3にフリップチップ実装され、狭ピッチ(0.1mm)で配列している。これにより、GaN系LED素子2a〜fが高密度で設置されるため高輝度化が達成される。さらに、GaN系LED素子2a〜fの横方向の光の多くがリフレクタ4側へ進行し、反射面41a〜fにより光軸方向に反射されるため、光の取り出し効率が向上する。また、反射面41a〜fは各区間の端部において仮想軸20に近づいている。即ち、反射面41a〜fの各端部がGaN系LED素子2a〜fへ近づいているため、各区間の端部において反射面41a〜fまでの光路が短くなり光のロスが軽減される。また、光軸5に垂直な方向における反射面41a〜fの断面(横断面)はGaN系LED素子2a〜fを中心とする仮想円に沿っている。従って、反射面41a〜fは横断面において、GaN系LED素子2a〜fの光をほぼ一定の受光角で受光して、光軸方向へ略均一に反射することとなるため、好ましい配光特性が得られる。その結果、輝度ムラが軽減され、より均一な線状光を生成することが可能となる。また、リフレクタ4はアルミ製であるため放熱特性が高い。かかるリフレクタ4が各区間において、端部がGaN系LED素子2a〜fに近い位置にあるため、GaN系LED素子2a〜fの放熱性を高めることができる。
In such an LED
なお、LED光源装置1では、リフレクタ4の反射面41a〜fの形状は図3に示すように、GaN系LED素子2a〜fを中心とする円に沿う曲面としたが、図5に示すリフレクタ40のように、反射面410a〜fの端部付近のみが仮想軸20側に突出した形状としても良い。かかるリフレクタ40によっても同様の効果が得られる。また、反射面41a〜fは上端42a〜fから下端43a〜fに向かって、所定の角度で傾斜した面としたが、好ましい配光特性が得られる範囲であれば湾曲した面であっても良い。
LED光源装置1では6個のGaN系LED素子21a〜fを使用して、リフレクタ4で一括して囲繞したが、10個又は20個などさらに多くのLED素子を使用してこれらをリフレクタで一括して囲繞することとしても良い。使用するLED素子の数が増すと発熱量が増すので、熱伝導率の高い材質で形成したリフレクタを使用することが好ましい。熱伝導率の高いリフレクタが各区間の端部でLED素子に近接するため、放熱特性が高まり、LED素子の駆動安定性を確保することができるからである。
In the LED
In the LED
この発明は、上記の実施の形態及び実施例に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に相当できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments and examples. Various modifications are also included in the present invention as long as those skilled in the art can easily correspond without departing from the scope of the claims.
本発明のLED光源装置は、携帯電話、PC、液晶テレビなどの液晶パネルのバックライト照明や、屋外又は屋内で使用される指示板や広告等の情報伝達媒体に使用される光源としてその利用が図られる。 The LED light source device of the present invention can be used as a light source for backlight illumination of liquid crystal panels such as mobile phones, PCs, and liquid crystal televisions, and for information transmission media such as indicator boards and advertisements used outdoors or indoors. Figured.
1 LED光源装置
2a〜f GaN系LED素子
20 仮想軸
3 基板
4 40 リフレクタ
41a〜f 410a〜f 反射面
5 光軸
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記基板上に配列される複数のLED素子であって、該LED素子はp電極及びn電極を一面側に有し、その一方の電極がエッチングされた部位に形成され、該一方の電極が、隣接する前記LED素子との間に存在するように配置される、複数のLED素子と、
前記複数のLED素子を一括して囲繞するように前記基板上に配置されるリフレクタと、
を備えるLED光源装置。 A substrate,
A plurality of LED elements arranged on the substrate, the LED elements having a p-electrode and an n-electrode on one surface side, one electrode of which is formed in a etched portion, and the one electrode is A plurality of LED elements arranged to exist between the adjacent LED elements;
A reflector disposed on the substrate so as to collectively surround the plurality of LED elements;
An LED light source device.
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009158795A (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
WO2010147178A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | 三洋電機株式会社 | Light emitting device and light emitting device module |
JP2011523210A (en) * | 2008-06-05 | 2011-08-04 | クリー インコーポレイテッド | Solid state light emitting components |
US8511851B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High CRI adjustable color temperature lighting devices |
US8598809B2 (en) | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
USD700584S1 (en) | 2011-07-06 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | LED component |
US8698171B2 (en) | 2005-01-10 | 2014-04-15 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
US11791442B2 (en) | 2007-10-31 | 2023-10-17 | Creeled, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005076546A patent/JP2006261375A/en not_active Withdrawn
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9076940B2 (en) | 2005-01-10 | 2015-07-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US8698171B2 (en) | 2005-01-10 | 2014-04-15 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
US11791442B2 (en) | 2007-10-31 | 2023-10-17 | Creeled, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
JP2009158795A (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
JP2011523210A (en) * | 2008-06-05 | 2011-08-04 | クリー インコーポレイテッド | Solid state light emitting components |
US9484329B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-11-01 | Cree, Inc. | Light emitter array layout for color mixing |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
WO2010147178A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | 三洋電機株式会社 | Light emitting device and light emitting device module |
US8598809B2 (en) | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
US8511851B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High CRI adjustable color temperature lighting devices |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
USD700584S1 (en) | 2011-07-06 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | LED component |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
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