JP2006253835A - Oscillation circuit module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oscillation circuit module the output level and the frequency load stability of which are enhanced by ensuring isolation between a collector and a base of a transistor of a signal output section. <P>SOLUTION: In the oscillation circuit module, an external power terminal VB2 to which a base bias circuit (R11, R12, R13) connected to a base of a buffer transistor Q12 of a first voltage-controlled oscillator VCO 1 is connected via a switch SW1 is different from an external power terminal VB1 to which a collector of the transistor Q12 is connected. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は複数の発振回路を備えて、そのいずれかの発振信号を出力する発振回路モジュールに関するものである。   The present invention relates to an oscillation circuit module that includes a plurality of oscillation circuits and outputs any one of the oscillation signals.

特許文献1に示されているようなコレクタ接地のコルピッツ型電圧制御発振器が従来利用されている。この電圧制御発振器の回路構成の例を図5に示す。   A collector-grounded Colpitts-type voltage-controlled oscillator as shown in Patent Document 1 has been conventionally used. An example of the circuit configuration of this voltage controlled oscillator is shown in FIG.

この電圧制御発振器は、共振回路RSと増幅回路ASとを備えている。増幅回路ASは増幅段回路GSとバッファ段回路BSとで構成している。共振回路RSは、キャパシタCa,Cb,Cc,Cd、インダクタLa,Lbおよび可変容量ダイオードVDで構成している。増幅段回路GSは、トランジスタQ1、キャパシタC4,C6,C7,C8、抵抗R2,R3,R4を備えていて、共振回路RSの共振信号を増幅する。バッファ段回路BSは、トランジスタQ2、インダクタL1、抵抗R1を備えていて、増幅段回路GSで増幅された信号を、キャパシタC6を介して入力し、Q2のコレクタからキャパシタC2を介して出力端子Pより発振信号を出力するように構成している。   This voltage controlled oscillator includes a resonance circuit RS and an amplifier circuit AS. The amplifier circuit AS is composed of an amplifier stage circuit GS and a buffer stage circuit BS. The resonance circuit RS includes capacitors Ca, Cb, Cc, Cd, inductors La, Lb, and a variable capacitance diode VD. The amplification stage circuit GS includes a transistor Q1, capacitors C4, C6, C7, and C8 and resistors R2, R3, and R4, and amplifies the resonance signal of the resonance circuit RS. The buffer stage circuit BS includes a transistor Q2, an inductor L1, and a resistor R1, and inputs the signal amplified by the amplification stage circuit GS via the capacitor C6, and outputs from the collector of Q2 via the capacitor C2 to the output terminal P. More oscillation signals are output.

上記抵抗R1,R2,R3はトランジスタQ1,Q2のベースバイアス回路を構成している。なお、外部電源端子VBには高周波バイパス用コンデンサC1を、Q2のコレクタには整合用のキャパシタC3をそれぞれ接続している。   The resistors R1, R2, and R3 constitute a base bias circuit for the transistors Q1 and Q2. A high frequency bypass capacitor C1 is connected to the external power supply terminal VB, and a matching capacitor C3 is connected to the collector of Q2.

なお、特許文献1には明確な記述が無いが、発振器を1つのモジュールとして構成した場合には、電源端子や出力端子はモジュール自身が備える外部端子として機能する。   Although there is no clear description in Patent Document 1, when the oscillator is configured as one module, the power supply terminal and the output terminal function as external terminals included in the module itself.

従来、上記構成の電圧制御発振器を用いて、異なる2つの周波数帯域(GSM/DCSのデュアル端末用の周波数帯域)に対応するために、単一のモジュール(パッケージ)内に2つの電圧制御発振器を配置し、それぞれにスイッチを設けて切り替え可能にした所謂デュアルVCOも用いられている。その例を図6に示す。
ここで、第1の電圧制御発振回路VCO1と第2の電圧制御発振回路VCO2は回路図上同一構成であるが、所望の発振周波数を得るために回路定数をそれぞれ設定している。外部電源端子VB1,VB2、出力端子P1,P2、スイッチSW1,SW2はそれぞれの電圧制御発振回路VCO1,VCO2に設けていて、スイッチSW1,SW2の切り替えによって2つの電圧制御発振回路VCO1,VCO2のいずれか一方を動作させるように構成している。なお、図6に示した例では、第1の電圧制御発振回路VCO1の共振回路RS1に対する制御電圧と、第2の電圧制御発振回路VCO2の共振回路RS2に対する制御電圧を共通のコントロール端子VCから供給するように構成している。
Conventionally, in order to support two different frequency bands (frequency bands for dual terminals of GSM / DCS) using the voltage controlled oscillator having the above configuration, two voltage controlled oscillators are provided in a single module (package). A so-called dual VCO that is arranged and provided with a switch for each switch is also used. An example is shown in FIG.
Here, the first voltage-controlled oscillation circuit VCO1 and the second voltage-controlled oscillation circuit VCO2 have the same configuration in the circuit diagram, but circuit constants are set in order to obtain a desired oscillation frequency. External power supply terminals VB1 and VB2, output terminals P1 and P2, and switches SW1 and SW2 are provided in the respective voltage control oscillation circuits VCO1 and VCO2. One of them is configured to operate. In the example shown in FIG. 6, the control voltage for the resonance circuit RS1 of the first voltage controlled oscillation circuit VCO1 and the control voltage for the resonance circuit RS2 of the second voltage controlled oscillation circuit VCO2 are supplied from a common control terminal VC. It is configured to do.

このように2つの電圧制御発振回路VCO1とVCO2のオン/オフを外部電源端子VB1,VB2からの電源電圧供給を切り替えずに、増幅用トランジスタQ11,Q21とバッファ用のトランジスタQ12,Q22に対するベースバイアス回路の切り替えで行っているのは、切り替えの高速化を図るためである。
特開2001−185951公報
Thus, the base bias for the amplifying transistors Q11, Q21 and the buffer transistors Q12, Q22 is switched on / off of the two voltage controlled oscillation circuits VCO1, VCO2 without switching the power supply voltage supply from the external power supply terminals VB1, VB2. The reason for switching the circuits is to increase the switching speed.
JP 2001-185951 A

図5に示した回路において、バッファ段回路のトランジスタQ2は、入力信号がベース端子、出力がコレクタ端子であるので、コレクタ−ベース間のアイソレーションが良好であることが望まれる。しかしながら、実際には充分なアイソレーションを確保できない。これは、信号経路としてトランジスタのコレクタ−ベース以外に、抵抗R1→インダクタL1の経路で信号が漏れる経路が存在するためである。インダクタL1はチョークラインで構成されるが、そのレイアウト上の問題から、そのインピーダンスを充分に高くできないことと、抵抗R1も数十〜数百Ωと比較的低抵抗に設定されることが多いためである。   In the circuit shown in FIG. 5, the transistor Q2 of the buffer stage circuit is desired to have good collector-base isolation since the input signal is the base terminal and the output is the collector terminal. However, in practice, sufficient isolation cannot be ensured. This is because, besides the collector-base of the transistor, there is a path through which the signal leaks in the path from the resistor R1 to the inductor L1 as a signal path. Although the inductor L1 is composed of a choke line, due to layout problems, the impedance cannot be sufficiently high, and the resistor R1 is often set to a relatively low resistance of several tens to several hundreds Ω. It is.

これらのトランジスタの外部に付加する素子の影響のために、コレクタ−ベース間のアイソレーションは充分に確保できず、発振回路の特性としては、出力レベルの低下や周波数負荷安定度(外部負荷インピーダンスの変動に対する発振回路の出力信号がどの程度変動するかの度合い)が劣化するという問題があった。このことは、図6に示したように、複数の発振回路を単一のモジュール内に設けて発振回路を選択的に動作させるようにしたものでも同様に生じる問題である。   Due to the effect of the elements added to the outside of these transistors, sufficient isolation between the collector and base cannot be ensured, and the characteristics of the oscillation circuit include a decrease in output level and frequency load stability (external load impedance There is a problem that the degree of fluctuation of the output signal of the oscillation circuit with respect to fluctuations is deteriorated. As shown in FIG. 6, this is a problem that arises even when a plurality of oscillation circuits are provided in a single module and the oscillation circuits are selectively operated.

そこで、この発明の目的は、前記アイソレーションの問題を解消して、出力レベルの低下や周波数負荷安定度の劣化を改善した発振回路モジュールを提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an oscillation circuit module that solves the isolation problem and improves the reduction in output level and the deterioration in frequency load stability.

前記課題を解決するために、この発明の発振回路モジュールは次のように構成する。   In order to solve the above problems, the oscillation circuit module of the present invention is configured as follows.

(1)共振回路と該共振回路の共振信号を増幅するとともに増幅信号を外部へ出力する増幅回路とを備えた発振回路を、それぞれの発振回路へ電源電圧を印加する個別の外部電源端子とともに複数組設けた発振回路モジュールにおいて、前記複数の発振回路のうち、少なくとも1つの発振回路の前記増幅段回路は、電流被制御端子を電源に接続したトランジスタと、該トランジスタの制御端子に接続した制御端子バイアス回路とを備え、前記制御端子バイアス回路が接続される外部電源端子と、前記電流被制御端子が接続される外部電源端子とを異ならせる。   (1) A plurality of oscillation circuits each including a resonance circuit and an amplification circuit that amplifies a resonance signal of the resonance circuit and outputs the amplification signal to the outside together with individual external power supply terminals that apply a power supply voltage to each oscillation circuit. In the set oscillation circuit module, the amplification stage circuit of at least one oscillation circuit among the plurality of oscillation circuits includes a transistor having a current controlled terminal connected to a power source and a control terminal connected to the control terminal of the transistor An external power supply terminal to which the control terminal bias circuit is connected and an external power supply terminal to which the current controlled terminal is connected.

(2)前記増幅段回路は、たとえば前記共振回路の共振信号を増幅する増幅段回路と該増幅段回路の出力部と前記外部への出力部との間に設けたバッファ段回路とを備え、前記トランジスタは前記バッファ段回路のトランジスタとする。   (2) The amplification stage circuit includes, for example, an amplification stage circuit that amplifies a resonance signal of the resonance circuit, and a buffer stage circuit provided between the output section of the amplification stage circuit and the output section to the outside, The transistor is a transistor of the buffer stage circuit.

(3)前記増幅段回路と前記バッファ段回路とはたとえばカスケード接続し、それぞれの電流被制御端子と制御端子の電圧または電流を別の外部電源端子から供給するように構成する。   (3) The amplification stage circuit and the buffer stage circuit are connected in cascade, for example, and are configured to supply the voltage or current of each current controlled terminal and control terminal from different external power supply terminals.

(4)前記増幅段回路のトランジスタと前記バッファ段回路のトランジスタとを電源に対して並列に配置し、それぞれの電流被制御端子と制御端子の電圧または電流を別の外部電源端子から供給するように構成する。   (4) The transistor of the amplification stage circuit and the transistor of the buffer stage circuit are arranged in parallel to the power supply, and the voltage or current of each current controlled terminal and control terminal is supplied from another external power supply terminal. Configure.

(1)複数の発振回路のうち少なくとも1つの発振回路の増幅段回路におけるトランジスタのベースバイアス回路が接続される外部電源端子と、トランジスタの電流被制御端子が接続される外部電源端子とを異なるものとしたことにより、そのトランジスタの電流被制御端子と制御端子の電圧または電流とが別の外部電源端子から供給されることになり、仮に信号が回りこもうとする場合には、一方の増幅回路におけるトランジスタの電流被制御端子が接続された外部電源端子から一旦モジュールの外部へ出て、実装基板の配線を介して別の外部電源端子から再度モジュールに入ってベースバイアス回路を介して回りこむことになる。このように回りこみの経路が長くなるので、回りこみにくくなり、トランジスタの電流被制御端子−制御端子間のアイソレーションが充分に確保できるようになる。その結果、従来の課題であった出力レベルの低下や周波数負荷安定度の劣化が改善できる。   (1) An external power supply terminal to which a base bias circuit of a transistor in an amplification stage circuit of at least one oscillation circuit among a plurality of oscillation circuits is connected is different from an external power supply terminal to which a current controlled terminal of a transistor is connected As a result, the current controlled terminal of the transistor and the voltage or current of the control terminal are supplied from different external power supply terminals. First, go out of the module from the external power supply terminal to which the current controlled terminal of the transistor is connected, then enter the module again from another external power supply terminal via the wiring on the mounting board, and wrap around through the base bias circuit become. Since the wraparound path becomes longer in this way, it becomes difficult to wrap around and sufficient isolation between the current controlled terminal and the control terminal of the transistor can be secured. As a result, it is possible to improve the decrease in the output level and the deterioration of the frequency load stability, which are the conventional problems.

(2)共振回路の共振信号を増幅する増幅段回路と、その増幅段回路の出力部と外部への出力部との間にバッファ段回路を設けた発振回路において、(たとえば発振回路のトランジスタをコレクタ接地(エミッタ出力またはベース出力)の構成とし、バッファ段回路をトランジスタのコレクタから出力信号を取り出す構成とした場合、)そのバッファ段回路のトランジスタに対して前述の構成を適用したことにより、前記回りこみの経路が長くなるので、バッファ段回路のトランジスタの電流被制御端子−制御端子間のアイソレーションが充分に確保できる。その結果、出力レベルの低下や周波数負荷安定度の劣化が改善できる。   (2) In an oscillation circuit in which an amplification stage circuit that amplifies a resonance signal of the resonance circuit and a buffer stage circuit between an output section of the amplification stage circuit and an output section to the outside, When the configuration of grounded collector (emitter output or base output) and the buffer stage circuit is configured to extract the output signal from the collector of the transistor), the above-described configuration is applied to the transistor of the buffer stage circuit. Since the wraparound path becomes long, sufficient isolation between the current controlled terminal and the control terminal of the transistor of the buffer stage circuit can be ensured. As a result, it is possible to improve output level reduction and frequency load stability deterioration.

(3)前記増幅段回路のトランジスタと前記バッファ段回路のトランジスタとの接続関係は、カスケード接続であっても、電源に対して並列配置関係であっても、それぞれのトランジスタの電流被制御端子と制御端子の電圧または電流を別の外部電源端子から供給するように構成することによって、前述のトランジスタのコレクタ−ベース間のアイソレーションが充分に確保でき、出力レベルの低下や周波数負荷安定度の劣化が改善できる。   (3) The connection relationship between the transistor of the amplification stage circuit and the transistor of the buffer stage circuit may be a cascade connection or a parallel arrangement with respect to the power source, By configuring the control terminal voltage or current to be supplied from another external power supply terminal, sufficient isolation between the collector and base of the above-mentioned transistor can be secured, and the output level and frequency load stability are degraded. Can be improved.

第1の実施形態に係る発振回路モジュールについて図1を参照して説明する。
図1は発振回路モジュール100の回路図である。この発振回路モジュール100は大きく分けて第1の電圧制御発振回路VCO1と第2の電圧制御発振回路VCO2とで構成している。それぞれの電圧制御発振回路VCO1,VCO2の構成は図5に示したものとほぼ同様である。ただし第1の電圧制御発振回路VCO1の抵抗R11,R12,R13からなるベースバイアス回路と、第2の電圧制御発振回路VCO2の外部電源端子VB2との間にスイッチSW1を設けている。また、第2の電圧制御発振回路VCO2の抵抗R21,R22,R23からなるベースバイアス回路と、第1の電圧制御発振回路VCO1の外部電源端子VB1との間にスイッチSW2を設けている。そして、第1の電圧制御発振回路VCO1のトランジスタQ12のコレクタを外部電源端子VB1に接続し、第1の電圧制御発振回路VCO1のベースバイアス回路を外部電源端子VB2に接続し、第2の電圧制御発振回路VCO2のトランジスタQ22のコレクタを外部電源端子VB2に接続し、第2の電圧制御発振回路VCO2のベースバイアス回路を外部電源端子VB1に接続している。
The oscillation circuit module according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a circuit diagram of the oscillation circuit module 100. The oscillation circuit module 100 is roughly composed of a first voltage controlled oscillation circuit VCO1 and a second voltage controlled oscillation circuit VCO2. The configuration of each voltage controlled oscillation circuit VCO1, VCO2 is substantially the same as that shown in FIG. However, the switch SW1 is provided between the base bias circuit including the resistors R11, R12, and R13 of the first voltage controlled oscillation circuit VCO1 and the external power supply terminal VB2 of the second voltage controlled oscillation circuit VCO2. Further, a switch SW2 is provided between the base bias circuit including the resistors R21, R22, and R23 of the second voltage controlled oscillation circuit VCO2 and the external power supply terminal VB1 of the first voltage controlled oscillation circuit VCO1. The collector of the transistor Q12 of the first voltage controlled oscillation circuit VCO1 is connected to the external power supply terminal VB1, the base bias circuit of the first voltage controlled oscillation circuit VCO1 is connected to the external power supply terminal VB2, and the second voltage control. The collector of the transistor Q22 of the oscillation circuit VCO2 is connected to the external power supply terminal VB2, and the base bias circuit of the second voltage controlled oscillation circuit VCO2 is connected to the external power supply terminal VB1.

ここで、トランジスタQ12,Q22のベースがこの発明に係る「制御端子」、コレクタがこの発明に係る「電流被制御端子」に相当する。また、上記ベースバイアス回路が、この発明に係る「制御端子バイアス回路」に相当する。   Here, the bases of the transistors Q12 and Q22 correspond to the “control terminal” according to the present invention, and the collector corresponds to the “current controlled terminal” according to the present invention. The base bias circuit corresponds to a “control terminal bias circuit” according to the present invention.

このようにベースバイアス回路が接続される外部電源端子とバッファ段回路のトランジスタQ12,Q22のコレクタが接続される外部電源端子とを互いに異なったものとしている。なお、外部電源端子VB1,VB2は実装基板との接続のために発振回路モジュールに設けられた接続用外部端子のことである。また、図1では、スイッチSW1,SW2をスイッチ記号で表しているが、これらのスイッチSW1,SW2は、実際には能動素子を用いたスイッチ回路で構成している。   Thus, the external power supply terminal to which the base bias circuit is connected and the external power supply terminal to which the collectors of the transistors Q12 and Q22 of the buffer stage circuit are connected are different from each other. The external power supply terminals VB1 and VB2 are connection external terminals provided in the oscillation circuit module for connection to the mounting board. In FIG. 1, the switches SW1 and SW2 are represented by switch symbols. However, the switches SW1 and SW2 are actually configured by a switch circuit using active elements.

図1に示した回路の動作は次の通りである。
図1においてスイッチSW1をオン状態、スイッチSW2をオフ状態とすれば、第1の電圧制御発振回路VCO1のトランジスタQ11,Q12に対して適正なベースバイアス電流が供給され、共振回路RS1による共振信号がトランジスタQ11により増幅され、トランジスタQ12によるバッファ段回路を介して出力端子P1より出力される。この第1の電圧制御発振回路VCO1の発振周波数はコントロール端子VCへの印加電圧によって制御される。
The operation of the circuit shown in FIG. 1 is as follows.
In FIG. 1, when the switch SW1 is turned on and the switch SW2 is turned off, an appropriate base bias current is supplied to the transistors Q11 and Q12 of the first voltage controlled oscillation circuit VCO1, and a resonance signal from the resonance circuit RS1 is generated. The signal is amplified by the transistor Q11 and output from the output terminal P1 through the buffer stage circuit of the transistor Q12. The oscillation frequency of the first voltage controlled oscillation circuit VCO1 is controlled by the voltage applied to the control terminal VC.

この状態で、たとえばトランジスタQ12のコレクタ−ベース間に信号が回りこもうとする場合には、トランジスタQ12のコレクタからの信号がインダクタL1および外部電源端子VB1を介して一旦モジュールの外部へ出て、実装基板の配線を介して別の外部電源端子VB2から再度モジュールに入ってスイッチSW1および抵抗R11を介して回りこむことになるが、この回りこみ経路は長く、トランジスタQ12のコレクタ−ベース間は充分なアイソレーションが確保できる。   In this state, for example, when a signal tries to pass between the collector and base of the transistor Q12, the signal from the collector of the transistor Q12 once goes out of the module through the inductor L1 and the external power supply terminal VB1, The module enters again from another external power supply terminal VB2 via the wiring of the mounting board and wraps around through the switch SW1 and the resistor R11. This wraparound path is long, and the collector-base of the transistor Q12 is sufficient between the collector and base. Secure isolation.

逆にスイッチSW2をオン状態、SW1をオフ状態とすれば、第2の電圧制御発振回路VCO2のトランジスタQ21,Q22に対して適正なベースバイアス電流が供給され、共振回路RS2による共振信号がトランジスタQ21により増幅され、トランジスタQ22によるバッファ段回路を介して出力端子P2より出力される。この第2の電圧制御発振回路VCO2の発振周波数はコントロール端子VCへの印加電圧によって制御される。   Conversely, when the switch SW2 is turned on and the switch SW1 is turned off, an appropriate base bias current is supplied to the transistors Q21 and Q22 of the second voltage controlled oscillation circuit VCO2, and the resonance signal from the resonance circuit RS2 is changed to the transistor Q21. And output from the output terminal P2 via the buffer stage circuit of the transistor Q22. The oscillation frequency of the second voltage controlled oscillation circuit VCO2 is controlled by the voltage applied to the control terminal VC.

この状態で、トランジスタQ22のコレクタ−ベース間に信号が回りこもうとする場合には、トランジスタQ22のコレクタからの信号がインダクタL2および外部電源端子VB2を介して一旦モジュールの外部へ出て、実装基板の配線を介して別の外部電源端子VB1から再度モジュールに入ってスイッチSW2および抵抗R21を介して回りこむことになるが、この回りこみ経路は長く、トランジスタQ22のコレクタ−ベース間は充分なアイソレーションが確保できる。   In this state, when a signal is going to pass between the collector and base of the transistor Q22, the signal from the collector of the transistor Q22 once goes out of the module through the inductor L2 and the external power supply terminal VB2, and is mounted. The module enters again from another external power supply terminal VB1 through the wiring of the board and wraps around through the switch SW2 and the resistor R21. However, this wraparound path is long and the collector-base of the transistor Q22 is sufficient between the collector and base. Isolation can be secured.

なお、各外部電源端子VB1,VB2には高周波バイパス用のコンデンサC11,C21を設けているため、上記回りこみ経路にこの2つのバイパスコンデンサが存在することになり、信号の回りこみが更に抑制される。   Since the external power supply terminals VB1 and VB2 are provided with high-frequency bypass capacitors C11 and C21, these two bypass capacitors exist in the wraparound path, thereby further suppressing signal wraparound. The

このような構成により、図6に示したような、L1→R11の経路およびL2→R21の経路での信号の漏れが無くなり、バッファ用トランジスタQ12,Q22のコレクタ−ベース間のアイソレーションが良好となる。その結果、外部負荷の変動に対して発振周波数がどの程度変化するかという周波数負荷安定度が向上し、出力レベルの低下も改善される。   With such a configuration, as shown in FIG. 6, there is no signal leakage in the path L1 → R11 and the path L2 → R21, and the collector-base isolation of the buffer transistors Q12 and Q22 is good. Become. As a result, the frequency load stability of how much the oscillation frequency changes with respect to the fluctuation of the external load is improved, and the output level is also reduced.

次に、第2の実施形態に係る発振回路モジュールについて図2を参照して説明する。
図2は、発振回路モジュール101の回路図である。図1に示した発振回路モジュール100と異なるのは、第1の電圧制御発振回路VCO1のベースバイアス電流を第2の電圧制御発振回路VCO2のチョーク用のインダクタL2を介して流れるようにし、同様に第2の電圧制御発振回路のベースバイアス電流を第1の電圧制御発振回路VCO1のチョーク用のインダクタL1を介して流れるように構成している点である。
Next, an oscillation circuit module according to a second embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a circuit diagram of the oscillation circuit module 101. The difference from the oscillation circuit module 100 shown in FIG. 1 is that the base bias current of the first voltage controlled oscillation circuit VCO1 is made to flow through the choke inductor L2 of the second voltage controlled oscillation circuit VCO2. The base bias current of the second voltage controlled oscillator circuit is configured to flow through the choke inductor L1 of the first voltage controlled oscillator circuit VCO1.

このような構成により、ベースバイアス回路の抵抗R11,R21に、チョークラインとしてのインダクタL2またはL1を介してベース電流が流れることになるので、トランジスタ側から外部電源端子を見たインピーダンスが図1に示した構成より高くなる。その結果、バッファ用トランジスタQ12,Q22のコレクタ−ベース間のアイソレーションをより一層高めることができる。   With such a configuration, a base current flows through the resistors R11 and R21 of the base bias circuit via the inductor L2 or L1 as a choke line, so that the impedance when the external power supply terminal is viewed from the transistor side is shown in FIG. Higher than the configuration shown. As a result, the collector-base isolation of the buffer transistors Q12 and Q22 can be further increased.

次に、第3の実施形態に係る発振回路モジュールについて図3を参照して説明する。
第1・第2の実施形態では、増幅段回路のトランジスタとバッファ段回路のトランジスタとをカスケードに接続したが、この第3の実施形態では、増幅段回路のトランジスタとバッファ段回路のトランジスタとを電源に対して並列に配置し、それぞれのコレクタ電流とベース電流を別の外部電源端子から供給するように構成したものである。
Next, an oscillation circuit module according to a third embodiment will be described with reference to FIG.
In the first and second embodiments, the transistor of the amplifier stage circuit and the transistor of the buffer stage circuit are connected in cascade, but in this third embodiment, the transistor of the amplifier stage circuit and the transistor of the buffer stage circuit are connected. It is arranged in parallel with the power supply so that each collector current and base current are supplied from separate external power supply terminals.

この発振回路モジュール103は第1の電圧制御発振回路VCO1と第2の電圧制御発振回路VCO2とで構成している。この第1・第2の電圧制御発振回路VCO1,VCO2は回路図上同一構成であるが、所望の発振周波数を得るために回路定数をそれぞれ設定している。   The oscillation circuit module 103 includes a first voltage controlled oscillation circuit VCO1 and a second voltage controlled oscillation circuit VCO2. The first and second voltage controlled oscillation circuits VCO1 and VCO2 have the same configuration in the circuit diagram, but circuit constants are set to obtain a desired oscillation frequency.

第1の電圧制御発振回路VCO1を代表して説明すると、トランジスタQ13は増幅段回路のトランジスタであり、そのベースに抵抗R15,R16からなるベースバイアス回路を接続して、外部電源端子VB2からスイッチSW1を介してベースバイアス電流を供給するようにしている。外部電源端子VB1とトランジスタQ13のコレクタとの間にはチョークラインであるインダクタL13を接続し、エミッタと接地との間に抵抗R17を挿入している。   The first voltage controlled oscillation circuit VCO1 will be described as a representative. The transistor Q13 is an amplifying stage circuit transistor. A base bias circuit composed of resistors R15 and R16 is connected to the base of the transistor Q13, and the switch SW1 is connected from the external power supply terminal VB2. The base bias current is supplied through the. An inductor L13, which is a choke line, is connected between the external power supply terminal VB1 and the collector of the transistor Q13, and a resistor R17 is inserted between the emitter and ground.

トランジスタQ13のベースには第1の共振回路RS1を接続している。共振回路RS1の共振周波数はコントロール端子VCに対する制御電圧の印加によって制御するようにしている。   The first resonance circuit RS1 is connected to the base of the transistor Q13. The resonance frequency of the resonance circuit RS1 is controlled by applying a control voltage to the control terminal VC.

バッファ段回路のトランジスタ(バッファ用トランジスタ)Q14のベースには抵抗R18・R19からなるベースバイアス回路を接続し、外部電源端子VB2からスイッチSW1を介してベースバイアス電流を供給するようにしている。また、このバッファ用トランジスタQ14のコレクタと外部電源端子VB1との間にはチョークラインとしてのインダクタL14を接続している。さらにそのエミッタと接地との間に抵抗R10を挿入している。増幅用トランジスタQ13のエミッタとバッファ用トランジスタQ14との間はキャパシタC19を介して接続している。バッファ用トランジスタQ14のコレクタと出力端子P1との間にはキャパシタC12を接続して、このキャパシタC12を介して出力端子P1から出力信号を取り出すようにしている。なお、トランジスタQ14のコレクタと接地との間には整合用のキャパシタC13を接続している。   A base bias circuit composed of resistors R18 and R19 is connected to the base of a transistor (buffer transistor) Q14 in the buffer stage circuit, and a base bias current is supplied from the external power supply terminal VB2 via the switch SW1. An inductor L14 serving as a choke line is connected between the collector of the buffer transistor Q14 and the external power supply terminal VB1. Further, a resistor R10 is inserted between the emitter and ground. The emitter of the amplifying transistor Q13 and the buffer transistor Q14 are connected via a capacitor C19. A capacitor C12 is connected between the collector of the buffer transistor Q14 and the output terminal P1, and an output signal is taken out from the output terminal P1 via the capacitor C12. A matching capacitor C13 is connected between the collector of the transistor Q14 and the ground.

図3に示した発振回路モジュールの動作は次の通りである。
スイッチSW1がオン状態、スイッチSW2がオフ状態の時、外部電源端子VB2からトランジスタQ13,Q14にそれぞれベースバイアス電流が供給されることにより、第1の電圧制御発振回路VCO1が動作する。第2の電圧制御発振回路VCO2はそのトランジスタQ23,Q24に所定のベースバイアス電流が供給されないので発振しない。
The operation of the oscillation circuit module shown in FIG. 3 is as follows.
When the switch SW1 is on and the switch SW2 is off, a base bias current is supplied from the external power supply terminal VB2 to the transistors Q13 and Q14, whereby the first voltage controlled oscillation circuit VCO1 operates. The second voltage controlled oscillation circuit VCO2 does not oscillate because a predetermined base bias current is not supplied to its transistors Q23 and Q24.

この状態で、バッファ用トランジスタQ14のコレクタからベースまでの信号の漏れ経路はモジュールの外を通ることになるので、トランジスタQ14のコレクタ−ベース間のアイソレーションは充分に確保できる。その結果、周波数負荷安定度が向上し、出力レベルの低下も改善される。   In this state, the signal leakage path from the collector to the base of the buffer transistor Q14 passes outside the module, so that sufficient isolation between the collector and base of the transistor Q14 can be ensured. As a result, the frequency load stability is improved and the output level is also reduced.

また、スイッチSW2がオン状態、スイッチSW1がオフ状態の時、外部電源端子VB1からトランジスタQ23,Q24にそれぞれベースバイアス電流が供給されることにより、第2の電圧制御発振回路VCO2が動作する。第1の電圧制御発振回路VCO1はそのトランジスタQ13,Q14に所定のベースバイアス電流が供給されないので発振しない。   Further, when the switch SW2 is in an on state and the switch SW1 is in an off state, a base bias current is supplied from the external power supply terminal VB1 to the transistors Q23 and Q24, whereby the second voltage controlled oscillation circuit VCO2 operates. The first voltage controlled oscillation circuit VCO1 does not oscillate because a predetermined base bias current is not supplied to its transistors Q13 and Q14.

この状態で、バッファ用トランジスタQ24のコレクタからベースまでの信号の漏れ経路はモジュールの外を通ることになるので、トランジスタQ24のコレクタ−ベース間のアイソレーションは充分に確保できる。   In this state, the signal leakage path from the collector to the base of the buffer transistor Q24 passes outside the module, so that sufficient isolation between the collector and the base of the transistor Q24 can be secured.

次に、第4の実施形態に係る発振回路モジュールについて図4を参照して説明する。
図3に示した発振回路モジュールと異なるのは、増幅用トランジスタQ13,Q23のコレクタ電流を、同じ電圧制御発振回路VCO1,VCO2の外部電源端子VB1,VB2からそれぞれ供給するようにしているのに対し、この図4に示す発振回路モジュール104は、第1の電圧制御発振回路VCO1のトランジスタQ13のコレクタ電流を外部電源端子VB2から供給し、第2の電圧制御発振回路VCO2のトランジスタQ23のコレクタ電流を第1の外部電源端子VB1から供給するようにしている。
Next, an oscillation circuit module according to a fourth embodiment will be described with reference to FIG.
The difference from the oscillation circuit module shown in FIG. 3 is that the collector currents of the amplifying transistors Q13 and Q23 are supplied from the external power supply terminals VB1 and VB2 of the same voltage controlled oscillation circuits VCO1 and VCO2, respectively. The oscillator circuit module 104 shown in FIG. 4 supplies the collector current of the transistor Q13 of the first voltage controlled oscillator circuit VCO1 from the external power supply terminal VB2, and the collector current of the transistor Q23 of the second voltage controlled oscillator circuit VCO2 is supplied. The power is supplied from the first external power supply terminal VB1.

このような構成の場合も、第3の実施形態の場合と同様に、トランジスタQ14,Q24のコレクタ−ベース間のアイソレーションは充分に確保でき、周波数負荷安定度が向上し、出力レベルの低下も改善される。   In such a configuration, as in the case of the third embodiment, the collector-base isolation of the transistors Q14 and Q24 can be sufficiently secured, the frequency load stability is improved, and the output level is also lowered. Improved.

なお、以上の各実施形態では、いずれも発振回路に備えるトランジスタとして、制御端子を「ベース」、電流被制御端子を「コレクタ」とするバイポーラトランジスタを用いたが、これに代えて、制御端子を「ゲート」、電流被制御端子を「ドレイン」とするユニポーラトランジスタ(FET)を用いてもよい。この場合、制御端子バイアス回路は、ゲートに対して所定のバイアス電圧を印加するように構成すればよい。   In each of the above embodiments, a bipolar transistor having a control terminal as a “base” and a current controlled terminal as a “collector” is used as a transistor included in the oscillation circuit. A unipolar transistor (FET) having a “gate” and a current controlled terminal as a “drain” may be used. In this case, the control terminal bias circuit may be configured to apply a predetermined bias voltage to the gate.

第1の実施形態に係る発振回路モジュールの構成を示す回路図である。1 is a circuit diagram illustrating a configuration of an oscillation circuit module according to a first embodiment. FIG. 第2の実施形態に係る発振回路モジュールの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the oscillation circuit module which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る発振回路モジュールの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the oscillation circuit module which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る発振回路モジュールの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the oscillation circuit module which concerns on 4th Embodiment. 従来の電圧制御発振器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the conventional voltage controlled oscillator. 従来の発振回路モジュールの構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the conventional oscillation circuit module.

符号の説明Explanation of symbols

RS−共振回路
AS−増幅回路
GS−増幅段回路
BS−バッファ段回路
VCO−電圧制御発振回路
100,101,103,104−発振回路モジュール
RS-resonant circuit AS-amplifier circuit GS-amplifier stage circuit BS-buffer stage circuit VCO-voltage controlled oscillator circuit 100,101,103,104-oscillator circuit module

Claims (4)

共振回路と該共振回路の共振信号を増幅するとともに増幅信号を外部へ出力する増幅回路とを備えた発振回路を、それぞれの発振回路へ電源電圧を印加する個別の外部電源端子とともに複数組設けた発振回路モジュールにおいて、
前記複数の発振回路のうち、少なくとも1つの発振回路は、電流被制御端子を電源に接続したトランジスタと、該トランジスタの制御端子に接続した制御端子バイアス回路とを備え、前記制御端子バイアス回路が接続される外部電源端子と、前記電流被制御端子が接続される外部電源端子とを異ならせたことを特徴とする発振回路モジュール。
A plurality of oscillation circuits each including a resonance circuit and an amplification circuit that amplifies the resonance signal of the resonance circuit and outputs the amplification signal to the outside are provided together with individual external power supply terminals that apply a power supply voltage to each oscillation circuit. In the oscillation circuit module,
Among the plurality of oscillation circuits, at least one oscillation circuit includes a transistor having a current controlled terminal connected to a power source and a control terminal bias circuit connected to the control terminal of the transistor, and the control terminal bias circuit is connected An oscillation circuit module, wherein the external power supply terminal to be connected is different from the external power supply terminal to which the current controlled terminal is connected.
前記増幅回路は、前記共振回路の共振信号を増幅する増幅段回路と該増幅段回路の出力部と前記外部への出力部との間に設けたバッファ段回路とを備え、前記トランジスタは前記バッファ段回路のトランジスタである請求項1に記載の発振回路モジュール。   The amplification circuit includes an amplification stage circuit that amplifies a resonance signal of the resonance circuit, and a buffer stage circuit provided between an output unit of the amplification stage circuit and the output unit to the outside, and the transistor includes the buffer The oscillation circuit module according to claim 1, wherein the oscillation circuit module is a transistor of a stage circuit. 前記増幅段回路と前記バッファ段回路とをカスケード接続し、それぞれの電流被制御端子と制御端子の電圧または電流を別の外部電源端子から供給するようにした請求項2に記載の発振回路モジュール。   3. The oscillation circuit module according to claim 2, wherein the amplification stage circuit and the buffer stage circuit are cascade-connected, and the voltage or current of each current controlled terminal and control terminal is supplied from another external power supply terminal. 前記増幅段回路のトランジスタと前記バッファ段回路のトランジスタとを電源に対して並列に配置し、それぞれの電流被制御端子と制御端子の電圧または電流を別の外部電源端子から供給するようにした請求項2に記載の発振回路モジュール。   The transistor of the amplification stage circuit and the transistor of the buffer stage circuit are arranged in parallel to a power supply, and the voltage or current of each current controlled terminal and control terminal is supplied from another external power supply terminal. Item 3. The oscillation circuit module according to Item 2.
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