JP2006253329A - Method and device for processing substrate periphery - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体ウェハや液晶表示基板などの基材の外周部を処理する方法及び装置に関し、特に、無機膜と有機膜が積層された基材における外周部の前記無機膜と有機膜を除去処理するのに適した方法及び装置に関する。 The present invention relates to a method and apparatus for processing the outer peripheral portion of a base material such as a semiconductor wafer or a liquid crystal display substrate, and in particular, removes the inorganic film and the organic film on the outer peripheral portion of the base material on which an inorganic film and an organic film are laminated The present invention relates to a method and apparatus suitable for processing.
半導体デバイスを製造する際、基板となるウェハの外周部の幅数mmの部分はチップとして利用されない。しかし、その製造工程の中で、CVDやスパッタなどによってさまざまな薄膜が形成される際に、そのウェハエッジ部やベベル部,裏面エッジ部まで膜が形成されてしまうことが多い。ウェハ外周部に形成された膜は中心部と比べてその膜厚が異なっていたり、応力がかかっていたりするため、その後の搬送やハンドリングの際にいろいろなものに接触する、また後の工程の際に熱などのストレスがかかる、などの原因で外周部の膜が剥離してしまい、その膜がパーティクルとなって、歩留まりを低下させてしまう。特に、近年のシステムLSIやメモリーの高集積化、微細化が進むにしたがって、パーティクルによる歩留まりの低下は大きな課題であり、ウェハ外周部の管理が非常に重要になってきている。その中で、ウェハ外周部数mmの不要膜を除去するEBR(Edge Bevel Removal)工程は、歩留まり向上という目的から大変注目されている。 When manufacturing a semiconductor device, a portion with a width of several millimeters on the outer periphery of a wafer to be a substrate is not used as a chip. However, in the manufacturing process, when various thin films are formed by CVD or sputtering, the film is often formed up to the wafer edge portion, bevel portion, and back surface edge portion. Since the film formed on the outer periphery of the wafer is different in thickness from the center part and stress is applied, it comes into contact with various things during subsequent transport and handling, and in the subsequent process The film on the outer peripheral portion peels off due to stress such as heat, and the film becomes particles, which decreases the yield. In particular, as the integration and miniaturization of system LSIs and memories in recent years have progressed, the reduction in yield due to particles has become a major issue, and the management of the wafer outer periphery has become very important. Among them, an EBR (Edge Bevel Removal) process for removing an unnecessary film having a wafer outer peripheral portion of several millimeters has attracted much attention for the purpose of improving the yield.
一方、ウェハ上の膜は単層とは限らず、例えばSiO2膜等の無機膜の上にフォトレジスト等の有機膜が積層されている。しかし、有機膜と無機膜では反応形態が異なり、1つの反応で同時に除去処理することができない。そこで、先ず表層の有機膜を除去し、次いで無機膜を除去する。有機膜の除去は、有機溶媒を用いたウェット方式や低圧アッシングによるドライ方式が一般的である。ウェット方式を採用した場合は、その後、乾燥工程を経て、無機膜除去用のチャンバへ搬送する。低圧アッシング等のドライ方式を採用した場合は、その後、この有機膜除去用のチャンバ内を大気圧に戻したうえで、このチャンバ内からウェハを取り出し、無機膜除去用のチャンバへ搬送する。無機膜は、フッ素系プラズマエッチング等にて除去する。
しかし、有機膜除去用の装置と無機膜除去用の装置がそれぞれ別個に必要であり、装置構成が大掛かりになるだけでなく、有機膜除去用の装置から無機膜除去用の装置への移送時にパーティクルが発生するおそれもある。また、移送のための時間に加えて各除去装置における芯出し等のセッティングが二重にかかり、スループットが悪くなっている。 However, a device for removing the organic film and a device for removing the inorganic film are required separately, and not only the device configuration becomes large, but also when transferring from the device for removing the organic film to the device for removing the inorganic film. There is also a possibility of generating particles. Further, in addition to the time for the transfer, setting such as centering in each removing device takes double, and the throughput is deteriorated.
本発明は、互いに膜種の異なる第1膜と第2膜が積層された基材の外周部の前記第1膜及び第2膜を除去処理する方法であって、
1のステージに前記基材を前記第1膜及び第2膜の除去処理期間中継続して支持させるとともに前記ステージをその側部に配置した第1処理ヘッド及び第2処理ヘッドに対し相対回転させながら、前記第1処理ヘッドから前記第1膜除去のための第1反応性ガスを前記基材の外周部に供給し、前記第2処理ヘッドから前記第2膜除去のための第2反応性ガスを前記基材の外周部に供給することを特徴とする。
また、互いに膜種の異なる第1膜と第2膜が積層された基材の外周部の前記第1膜及び第2膜を除去処理する装置であって、
前記基材の外周部に前記第1膜除去のための第1反応性ガスを供給する第1処理ヘッドと、
前記基材の外周部に前記第2膜除去のための第2反応性ガスを供給する第2処理ヘッドと、
前記基材を前記第1膜と第2膜の除去期間中継続して支持するとともに前記第1及び第2処理ヘッドに対し相対回転されるステージと、
を備えたことを特徴とする。
これによって、装置構成及びEBR工程の簡素化を図ることができるとともに、パーティクルの発生を一層防止でき、さらには、スループットを向上させることができる。また、ガス種ごとに異なるヘッドを用いることによりクロスコンタミネーションの問題を回避することができる。
The present invention is a method for removing the first film and the second film on the outer peripheral portion of a base material on which a first film and a second film having different film types are laminated,
The substrate is supported on one stage continuously during the removal process of the first film and the second film, and the stage is rotated relative to the first processing head and the second processing head arranged on the side thereof. However, the first reactive gas for removing the first film is supplied from the first processing head to the outer periphery of the base material, and the second reactive for removing the second film from the second processing head. A gas is supplied to the outer peripheral portion of the base material.
Further, an apparatus for removing the first film and the second film on the outer peripheral portion of the base material on which the first film and the second film having different film types are laminated,
A first processing head for supplying a first reactive gas for removing the first film to the outer periphery of the substrate;
A second processing head for supplying a second reactive gas for removing the second film to the outer periphery of the substrate;
A stage that supports the substrate continuously during the removal period of the first film and the second film and is rotated relative to the first and second processing heads;
It is provided with.
As a result, the apparatus configuration and the EBR process can be simplified, the generation of particles can be further prevented, and the throughput can be improved. Moreover, the problem of cross contamination can be avoided by using a different head for each gas type.
例えば、前記第1膜は有機膜であり、前記第1反応性ガスが有機膜との反応性を加熱下で有している。加熱温度は、100℃以上が望ましい。前記第1処理ヘッドは、前記基材の外周部に第1反応性ガスに加えて熱を供給するものであることが望ましい。これによって、有機膜の反応速度を大きくでき、除去効率を高めることができる。
前記第2膜は無機膜であり、前記第2反応性ガスが無機膜との反応性を有している。この反応は、例えば、常温ないし前記第1反応性ガスと有機膜との反応温度より低い温度下(例えば10〜80℃)で行なわれる。
一方、第1反応性ガスは無機膜とは反応しにくく、第2反応性ガスは有機膜とは反応しにくい。
有機膜は、例えば、フォトレジストやポリマー等のCmHnOl(m、n、lは整数)にて表される有機物にて構成されている。
無機膜は、例えば、SiO2、SiN、poly−Si、low−k膜等にて構成されている。
有機膜との反応性を有する第1反応性ガスは、好ましくは酸素を含むガスであり、より好ましくは酸素ラジカルやオゾン等の反応性の高い酸素系を含むガスである。ラジカル化やオゾン化していない通常の酸素の純ガスや空気を前記第1反応性ガスとしてそのまま用いてもよい。酸素ラジカルやオゾンは、酸素(O2)を元ガスとしてプラズマ放電装置やオゾナイザーを用いて生成することができる。有機膜は、熱を加えられることによって第1反応性ガスとの反応性が高まる。
無機膜との反応性を有する第2反応性ガスの主成分として、フッ素ラジカル等が挙げられる。フッ素ラジカルは、CF4、C2F6をはじめとするPFCガスやCHF3をはじめとするHFC等のフッ素系ガスを元ガスとし、プラズマ放電装置を用いて生成することができる。
上記の酸素又はフッ素用のプラズマ放電装置は、略大気圧(略常圧)下でグロー放電等のプラズマ放電を起こす大気圧(常圧)プラズマ放電装置を用いるのが望ましい。ここで、「略大気圧」とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調節の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、好ましくは、1.333×104〜10.664×104Paであり、より好ましくは、9.331×104〜10.397×104Paである。
For example, the first film is an organic film, and the first reactive gas has reactivity with the organic film under heating. The heating temperature is desirably 100 ° C. or higher. The first processing head preferably supplies heat to the outer peripheral portion of the base material in addition to the first reactive gas. Thereby, the reaction rate of the organic film can be increased, and the removal efficiency can be increased.
The second film is an inorganic film, and the second reactive gas has reactivity with the inorganic film. This reaction is performed, for example, at normal temperature or lower than the reaction temperature between the first reactive gas and the organic film (for example, 10 to 80 ° C.).
On the other hand, the first reactive gas hardly reacts with the inorganic film, and the second reactive gas hardly reacts with the organic film.
The organic film, for example, C m H n O l such as a photoresist or polymer (m, n, l is an integer) are composed of organic materials is represented by.
Inorganic membranes, for example, are constituted by
The first reactive gas having reactivity with the organic film is preferably a gas containing oxygen, and more preferably a gas containing a highly reactive oxygen system such as oxygen radical or ozone. Ordinary pure oxygen gas or air that has not been radicalized or ozonized may be used as it is as the first reactive gas. Oxygen radicals and ozone can be generated using a plasma discharge device or an ozonizer using oxygen (O 2 ) as a source gas. The organic film is more reactive with the first reactive gas when heated.
A fluorine radical etc. are mentioned as a main component of the 2nd reactive gas which has the reactivity with an inorganic film | membrane. The fluorine radical can be generated using a plasma discharge apparatus using a fluorine-based gas such as PFC gas including CF 4 and C 2 F 6 and HFC including CHF 3 as a base gas.
As the above oxygen or fluorine plasma discharge device, it is desirable to use an atmospheric pressure (normal pressure) plasma discharge device that causes plasma discharge such as glow discharge under a substantially atmospheric pressure (approximately normal pressure). Here, “substantially atmospheric pressure” refers to a range of 1.013 × 10 4 to 50.663 × 10 4 Pa. In consideration of facilitation of pressure adjustment and simplification of the apparatus configuration, preferably 1. 333 × a 10 4 ~10.664 × 10 4 Pa, more preferably from 9.331 × 10 4 ~10.397 × 10 4 Pa.
前記第1処理ヘッドと第2処理ヘッドが、前記ステージの周囲にそれぞれ配置されていることが望ましい。
これによって、第1膜除去と第2膜除去を連続して行なったり同時併行して行なったりすることができる。
It is desirable that the first processing head and the second processing head are respectively arranged around the stage.
Accordingly, the first film removal and the second film removal can be performed continuously or concurrently.
前記第1処理ヘッド及び/又は第2処理ヘッドが、前記ステージから離れた退避位置と前記除去の処理を行なう処理位置との間で進退可能になっていることが望ましい。
これによって、第1処理ヘッドが基材のステージへの設置時又は取り出し時や第2膜除去処理時に邪魔になるのを防止できる。または、第2処理ヘッドが基材のステージへの設置時又は取り出し時や第1膜除去処理時に邪魔になるのを防止できる。
It is desirable that the first processing head and / or the second processing head can be moved back and forth between a retracted position away from the stage and a processing position where the removal processing is performed.
Accordingly, it is possible to prevent the first processing head from interfering when the substrate is placed on the stage or taken out or during the second film removal process. Alternatively, it is possible to prevent the second processing head from interfering when the substrate is placed on the stage or taken out, or during the first film removal process.
前記第1処理ヘッドには、前記基材の外周部に局所的に輻射熱を照射する照射部が設けられているのが望ましい。
これによって、基材の外周部の第1膜だけを加熱して除去でき、外周部より内側の主部分に熱が及ぶのを抑制でき、前記主部分の膜の変質を防止することができる。また、非接触で加熱できるのでパーティクル発生を防止できる。
It is desirable that the first processing head is provided with an irradiation unit that locally radiates radiant heat to the outer peripheral portion of the base material.
Accordingly, only the first film on the outer peripheral portion of the base material can be heated and removed, heat can be prevented from reaching the inner main portion from the outer peripheral portion, and alteration of the main portion film can be prevented. Further, since it can be heated in a non-contact manner, particle generation can be prevented.
前記第1処理ヘッドには、前記局所(照射スポット)に前記第1反応性ガスを吹き付ける吹出しノズル(吹出し部)と、この吹き出しノズルと近接してガスを吸引する吸引ノズル(吸引部)とが設けられていることが望ましい。
これによって、第1反応性ガスの流れを制御でき、基材の外周部の第1膜を、外周部より内側の主部分になるべく影響を与えないようにしながら確実に除去できる。
吹出しノズルと吸引ノズルは、照射部からの熱光線を遮らない位置に配置するのが望ましい。吹出しノズル又は吸引ノズルを透光性材料にて構成してもよい。
吹出しノズルと吸引ノズルは、基材の接線に略沿って対向するように配置してもよい。これら吹出しノズルと吸引ノズルの間に前記照射スポットが位置するようになっていてもよい。
The first processing head includes a blowing nozzle (blowing part) that blows the first reactive gas to the local area (irradiation spot) and a suction nozzle (suction part) that sucks gas in the vicinity of the blowing nozzle. It is desirable to be provided.
Thus, the flow of the first reactive gas can be controlled, and the first film on the outer peripheral portion of the base material can be reliably removed while avoiding influence on the main portion inside the outer peripheral portion as much as possible.
It is desirable that the blowout nozzle and the suction nozzle are arranged at positions that do not block the heat beam from the irradiation unit. You may comprise a blowing nozzle or a suction nozzle with a translucent material.
You may arrange | position a blowing nozzle and a suction nozzle so that it may oppose substantially along the tangent of a base material. The irradiation spot may be positioned between the blowing nozzle and the suction nozzle.
前記第2処理ヘッドには、前記基材の外周部を包むようにして周方向に延びる案内路が設けられ、この案内路の延び方向に前記第2反応性ガスが通されることが望ましい。
これによって、基材の外周部の第2膜を外周部より内側の主部分になるべく影響を与えないようにしながら確実に除去できる。
It is preferable that the second processing head is provided with a guide path extending in the circumferential direction so as to wrap around the outer peripheral portion of the base material, and the second reactive gas is passed in the extending direction of the guide path.
Thus, the second film on the outer peripheral portion of the substrate can be reliably removed while avoiding the influence on the main portion inside the outer peripheral portion as much as possible.
前記ステージに前記基材を冷却する冷却手段が組み込まれているのが望ましい。
これによって、第1膜除去時に照射部で基材の外周部を加熱する場合、その熱が基材の外周部より内側の主部分に伝わっても、これを冷却手段で吸熱でき、基材の主部分が高温化するのを防止でき、ひいては基材の主部分の第1膜及び第2膜が劣化するのを防止することができる。
前記ステージが、前記基材を吸熱・冷却する冷却手段が組み込まれるとともに前記基材より僅かに小径の第1ステージ部と、この第1ステージ部より小径で第1ステージ部に対し軸方向に突出・収納可能に設けられた第2ステージ部を有し、
前記第1処理ヘッドによる第1膜除去時には前記第1ステージ部が前記第2ステージ部を収納するとともに基材を支持し、
前記第2処理ヘッドによる第2膜除去時には前記第2ステージ部が前記第1ステージ部より突出されるとともに基材を支持することが望ましい。
これによって、第2処理ヘッドが第1ステージ部と干渉するのを防止できる。ひいては、第2処理ヘッドの基材への差し込み量を大きくすることができ、第2反応性ガスが基材の外周部より内側の主部分へ流れるのを防止できる。その一方で、第1ステージ部の径を十分に大きくでき、冷却手段にて基材の外周部付近まで確実に冷却することができる。その結果、基材の主部分の膜質が損なわれるのを一層確実に防止することができる。
It is desirable that cooling means for cooling the substrate is incorporated in the stage.
As a result, when the outer peripheral portion of the substrate is heated by the irradiation unit during the removal of the first film, even if the heat is transmitted to the main portion inside the outer peripheral portion of the substrate, the heat can be absorbed by the cooling means, It is possible to prevent the main portion from increasing in temperature, and thus to prevent the first film and the second film of the main portion of the base material from deteriorating.
The stage incorporates a cooling means for absorbing and cooling the base material, and has a first stage portion slightly smaller in diameter than the base material, and has a smaller diameter than the first stage portion and protrudes in the axial direction with respect to the first stage portion. -Having a second stage portion provided so that it can be stored;
When removing the first film by the first processing head, the first stage unit accommodates the second stage unit and supports the base material,
When the second film is removed by the second processing head, it is preferable that the second stage portion protrudes from the first stage portion and supports the substrate.
Thereby, it is possible to prevent the second processing head from interfering with the first stage unit. As a result, the amount of insertion of the second processing head into the base material can be increased, and the second reactive gas can be prevented from flowing to the main portion inside the outer peripheral portion of the base material. On the other hand, the diameter of the first stage portion can be made sufficiently large, and the cooling means can reliably cool the vicinity of the outer peripheral portion of the substrate. As a result, it can prevent more reliably that the film quality of the main part of a base material is impaired.
第1元ガスと第2元ガスが選択的に供給されるとともに前記第1処理ヘッドと第2処理ヘッドに選択的に接続される共通プラズマ放電装置を備え、
前記第1元ガスの選択時には、前記共通プラズマ放電装置の電極間のプラズマ放電にて前記第1元ガスから前記第1反応性ガスが生成されて第1処理ヘッドに供給され、
前記第2元ガスの選択時には、前記プラズマ放電にて前記第2元ガスから前記第2反応性ガスが生成されて第2処理ヘッドに供給されることが望ましい。
これによって、第1、第2の反応性ガスを共通のプラズマ放電装置にて生成でき、装置構成の簡素化を図ることができる。
A common plasma discharge device that is selectively supplied with a first source gas and a second source gas and is selectively connected to the first processing head and the second processing head;
When the first source gas is selected, the first reactive gas is generated from the first source gas by plasma discharge between the electrodes of the common plasma discharge device and supplied to the first processing head.
When the second source gas is selected, it is preferable that the second reactive gas is generated from the second source gas by the plasma discharge and supplied to the second processing head.
As a result, the first and second reactive gases can be generated by a common plasma discharge apparatus, and the apparatus configuration can be simplified.
前記ステージが静止する一方、第1及び第2処理ヘッドがステージの周りを回転するようになっていてもよいが、第1及び第2処理ヘッドが静止する一方、ステージが回転するようになっているのが望ましい。ステージの回転によってウェハが回転し、これにより、マスクを使用しなくても優れた均一性を得ることができる。例えば、フォトレジスト(膜厚:1μm)のエッチング処理の場合、処理幅2mmに対し、±0.1mmの均一性を得ることができる。
前記ステージの相対回転速度を調節可能であることが望ましい。これにより、前記第1膜の除去時と前記第2膜の除去時とで回転速度を異ならせることができ、処理内容に応じて適切な回転速度にすることがでる。
While the stage is stationary, the first and second processing heads may be rotated around the stage, but the stage is rotated while the first and second processing heads are stationary. It is desirable. The wafer is rotated by the rotation of the stage, whereby excellent uniformity can be obtained without using a mask. For example, in the case of etching processing of a photoresist (film thickness: 1 μm), a uniformity of ± 0.1 mm can be obtained with respect to a processing width of 2 mm.
It is desirable that the relative rotational speed of the stage can be adjusted. As a result, the rotational speed can be made different between the removal of the first film and the removal of the second film, and an appropriate rotational speed can be obtained according to the processing content.
本発明によれば、基材の第1膜と第2膜を共通のステージ上で除去処理でき、装置構成の簡素化を図ることができるとともに、パーティクルの発生を一層防止でき、さらには、スループットを向上させることができる。 According to the present invention, the first film and the second film of the base material can be removed on a common stage, the apparatus configuration can be simplified, the generation of particles can be further prevented, and the throughput can be further reduced. Can be improved.
以下、本発明の実施形態を説明する。
はじめに、処理対象のウェハ90(基材)について説明する。図1の仮想線に示すように、ウェハ90は、円盤形状をなしている。その直径は、例えば200mm程度である。図8(a)に示すように、ウェハ90の表側面(上面)にはSiO2等の無機膜94が被膜され、その上にフォトレジスト等の有機膜93が被膜されている。これら膜93,94は、ウェハ90の上面の外周部92より内側の主部分91だけでなく外周部92にまで及んでいる。
有機膜93は特許請求の範囲の「第1膜」を構成し、無機膜94は「第2膜」を構成している。
本発明の基材外周処理装置1は、ウェハ90の主部分91の有機膜93aと無機膜94aを残置しつつ外周部92の有機膜93bと無機膜94bを除去するものである(図8(c))。
Embodiments of the present invention will be described below.
First, the wafer 90 (base material) to be processed will be described. As shown by the phantom lines in FIG. 1, the
The
The substrate outer periphery processing apparatus 1 of the present invention removes the
図1に示すように、この基材外周処理装置1は、1つ(単一)の共用チャンバ2を備えている。チャンバ2の内部は大気圧になっている。このチャンバ2内に、有機膜除去用の第1処理ヘッド10と、無機膜除去用の第2処理ヘッド20と、これらヘッド10,20に共通のステージ30が設けられている。
As shown in FIG. 1, the substrate outer periphery processing apparatus 1 includes one (single)
図1及び図2に示すように、ステージ30は、円盤形状をなしている。このステージ30の上面にウェハ90が水平に載置されるようになっている。ウェハ90は、マニピュレータ等からなるアライメント機構3によってステージ30と軸心が一致するようにアライメントされている。ステージ30には、上記アライメント後のウェハ90をずれないように固定するための静電チャック式や真空吸引式の吸着機構(図示せず)が内蔵されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
ステージ30の直径は、ウェハ90の直径より僅かに小さい。これによって、ステージ30の外縁からウェハ90の外周部92が僅かに突出するようになっている。例えば、ウェハ90の直径が200mmであるのに対し、ステージ30の直径は194mmであり、ステージ30の外縁からウェハ90の外周部92が3mmだけ突出される。
The diameter of the
ステージ30は、回転機構39によって中心軸L30の周りに回転するようになっている。この回転機構39による回転速度は調節可能になっている。
なお、ステージ30が静止する一方、第1処理ヘッド10及び第2処理ヘッド20がステージ30の周りに回転するようになっていてもよい。
The
The
ステージ30には、ウェハ90を吸熱・冷却する吸熱冷却手段が組み込まれている。すなわち、ステージ30の内部は空洞になっており、この空洞が冷却室33になっている。冷却室33は、ステージ30の全域(周方向の全周及び径方向の全体)に及んでいる。冷却室33には供給路34から空気や水等の冷却用流体が供給され充填されている。この冷却室33内の冷却用流体は、排出路35にて排出可能になっている。排出に伴って供給路34から新たな冷却用流体が供給される。排出後の冷却用流体を冷却して冷却室33に再供給してもよい。
ステージ30の少なくとも上板(ウェハ90の設置される側の板)は熱伝導性が良好な材料(例えばアルミニウム等)にて構成されている。
The
At least the upper plate of the stage 30 (the plate on the side where the
ステージ30の周方向の一側部に上記有機膜除去用の第1処理ヘッド10が配置されている。図2の白抜矢印で示すように、第1処理ヘッド10は、第1進退機構13に接続されている。この第1進退機構13によって、第1処理ヘッド10が、ウェハ90の外周部92に沿う処理位置(図1及び図2の仮想線)と、ウェハ90より径方向外側へ離れた退避位置(図1及び図2の実線)との間で進退可能になっている。
The
図2において実線及び二点鎖線で示すように、第1処理ヘッド10は、ウェハ90の配置されるべき水平面より上方に配置されているが、これに代えて同図において三点鎖線で示すように、上記ウェハ配置面より下方に配置することにしてもよい。或いは、上記ウェハ配置面を挟んで上下に一対設けることにしてもよい。処理ヘッド10を上方に配置することによりウェハ90の主に上面(表側面)の外周部92を処理できる。一方、下方に配置すればウェハ90の主に下面(裏面)の外周部92を処理できる。
As shown by a solid line and a two-dot chain line in FIG. 2, the
図3及び図4に示すように、第1処理ヘッド10には、輻射加熱手段の照射部42と、一対のノズル11,12が設けられている。輻射加熱手段は、レーザ源40等の輻射熱光源を有しており、この輻射熱光源40から光ファイバケーブル等の伝送光学系41が延び、照射部42に接続されている。図示は省略するが、照射部42には、レンズやパラボリック反射鏡などの集光手段、及び出射窓が設けられている。レーザ源40から光ファイバケーブル41で伝送されて来たレーザ光は、集光手段によって集光されながら出射窓から出射される。第1処理ヘッド10が上記処理位置のとき、上記の出射光L40は、ステージ30上のウェハ90の外周部92の一箇所92pに局所的に照射される。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
図3に示すように、第1処理ヘッド10の一対のノズル11,12は、上記処理位置においてウェハ90の接線に略沿って上記照射箇所92pを挟んで対向するように近接配置されている。これらノズル11,12は、耐オゾン性の材料にて形成されている。
As shown in FIG. 3, the pair of
有機膜除去用の第1反応性ガスは、フォトレジスト等の有機物と反応するものであり、ここではオゾンが用いられている。第1反応性ガス生成源としてオゾナイザー50が用いられている。なお、オゾナイザー50に代えて酸素プラズマ放電装置を用いてもよい。この第1反応性ガス生成源50から第1反応性ガス供給路51が延び、吹出しノズル11(吹出し部)に連なっている。この吹出しノズル11と対峙する吸引ノズル12(吸引部)から第1処理済みガス吸引路52が延び、吸引ポンプ等からなる第1吸引手段53に接続されている。
The first reactive gas for removing the organic film reacts with an organic substance such as a photoresist, and ozone is used here. An
図1に示すように、ステージ30の第1処理ヘッド10側とは180度反対側の部位には、第2処理ヘッド20が配置されている。図2の白抜矢印に示すように、第2処理ヘッド20は、第2進退機構23に接続されている。この第2進退機構23によって、第2処理ヘッド20が、ウェハ90の外周部92に沿う処理位置(図2の仮想線)と、ウェハ90より径方向外側へ離れた退避位置(同図の実線)との間で進退可能になっている。
As shown in FIG. 1, the
図5に示すように、第2処理ヘッド20は、ウェハ90の外周に沿う略円弧形状をなしている。図7に示すように、第2処理ヘッド20の小径側の周側面には、差し込み口21が第2処理ヘッド20の内部に向けて切り込み状に形成されている。図5及び図6に示すように、差し込み口21は、第2処理ヘッド20の周方向の全長にわたって延びている。差し込み口21の上下方向の厚さは、ウェハ90の厚さより僅かに大きい程度である。上記第2処理ヘッド20の進退動作によってウェハ90の外周部92が差し込み口21に挿抜されるようになっている。
As shown in FIG. 5, the
図7に示すように、差し込み口21の奥端は、大きく拡げられ、第2反応性ガス案内路22となっている。図5に示すように、案内路22は、第2処理ヘッド20の長手方向(周方向)に延び、ウェハ90の半径と略同じ曲率半径の平面視円弧状をなしている。ウェハ90を差し込み口21に差し込むと、ウェハ90の外周部92が案内路22の内部に位置されることになる。図7に示すように、案内路22の断面形状は、真円になっているが、これに限定されるものではなく、例えば半円状にしてもよく、四角形にしてもよい。また、案内路22の流路断面積は、適宜な大きさに設定してもよい。
As shown in FIG. 7, the rear end of the
無機膜除去用の第2反応性ガスは、SiO2等の無機物と反応するものであり、その元ガスとして例えばCF4、C2F6をはじめとするPFCガスやCHF3をはじめとするHFC等のフッ素系ガスが用いられている。図6に示すように、このフッ素系ガスを、第2反応性ガス生成源としてのフッ素プラズマ放電装置60の一対の電極61間の大気圧プラズマ放電空間61aに導入してプラズマ化し、フッ素ラジカル等のフッ素系活性種を含む第2反応性ガスを得るようになっている。大気圧プラズマ放電空間61aから第2反応性ガス供給路62が延び、第2処理ヘッド20の案内路22の一端部に接続されている。案内路22の他端部から排出路63が延びている。
第2処理ヘッド20は、耐フッ素性の材料にて構成されている。
The second reactive gas for removing the inorganic film reacts with an inorganic substance such as SiO 2 , and as its source gas, for example, P 4 gas including CF 4 and C 2 F 6 and HFC including CHF 3 are used. Fluorine-based gas such as is used. As shown in FIG. 6, this fluorine-based gas is introduced into an atmospheric pressure
The
上記構成の基材外周処理装置1にてウェハ90の外周の不要膜を除去する方法について説明する。
[有機膜除去工程]
先ず、ウェハ90の外周部92の有機膜93bの除去工程を行なう。第1及び第2処理ヘッド10,20は共に退避位置に退避させておく。そして、処理すべきウェハ90をアライメント機構3によってステージ30上に芯出してセットする。次に、第1処理ヘッド10を処理位置へ前進させる。これによって、照射部42がウェハ90の外周部92の一箇所92pへ向けられるとともに、この箇所92pを挟んで吹出しノズル11と吸引ノズル12がウェハ90の接線方向に対峙することになる。第2処理ヘッド20はそのまま退避位置に位置させておく。
A method for removing an unnecessary film on the outer periphery of the
[Organic film removal process]
First, the removal process of the
そして、レーザ源40をオンする。これにより、レーザ源40からのレーザが、光ファイバケーブル41を伝って照射部42から出射される。このレーザが、ウェハ90の外周部92の一箇所92pに局所的に照射され、この箇所92pが局所的に加熱され瞬時に高温になる。照射部42の焦点距離等を調節することにより、照射箇所92pのスポット径を制御することができる。ひいては、除去すべき膜93bの幅を制御することができる。また、輻射加熱であるので被加熱箇所92pと加熱手段が接触することがなく、パーティクルの発生を防止することができる。
Then, the
併せて、オゾナイザー50で生成したオゾン等の酸素系反応性ガスを第1処理ヘッド10の吹出しノズル11から吹き出す。この反応性ガスがウェハ90の外周部92の上記局所92pに限定的に吹付けられる。これによって、図8(b)に示すように、局所92pの有機膜93bが酸化反応を起こしエッチング(アッシング(灰化))される。灰化した有機膜の滓を含む処理済みのガスは吸引ノズル12で吸引して速やかに除去することができる。
In addition, oxygen-based reactive gas such as ozone generated by the
上記局所92pはレーザ加熱にて十分に高温になっているので反応速度を大きくでき、高いアッシング効率を得ることができる。
一方、上記レーザ加熱はスポット状であるのでウェハ90の上記局所92p以外の部分までもが高温化するのを防止することができる。更に、上記局所92pの熱がウェハ90の内側へ向けて伝わって行っても、ステージ30内の冷却用流体で吸熱される。これによって、ウェハ90の主部分91が加熱・高温化するのを防止でき、該主部分91の有機膜93aが熱の影響を受けて品質劣化を来たすのを確実に防止することができる。また、該ウェハ90の主部分91の有機膜93aは高温化されていないので、たとえオゾン等の酸素系反応性ガスに触れてもアッシングされないようにすることができる。さらに、反応性ガスの流速を調節することによって、ウェハ90の主部分91へのガス拡散を防止することができる。
Since the local 92p is sufficiently heated by laser heating, the reaction rate can be increased and high ashing efficiency can be obtained.
On the other hand, since the laser heating is spot-like, it is possible to prevent the temperature of the portion other than the local 92p of the
図9は、上記有機膜除去時におけるウェハ外周部のレーザ照射箇所92pの周辺の温度分布の測定結果の一例を示したものである。横軸はウェハ90の外縁から半径内側方向への距離である。同図からわかるように、ウェハの外縁から2〜3mmの領域は、最高400℃程度のかなり高温になったが、そこから半径内側へ向かうにしたがって温度が急激に下がり、100℃以下になった。また、図10は、常圧プラズマによる有機膜のエッチングレートの基板温度依存性を示したものである。同図からわかるように、300℃以上では高いエッチングレートを示したが100℃以下ではほとんどエッチングされなかった。これにより、ウェハ90の主部分91にフォトレジスト等の有機膜が被膜されていても熱による変質を確実に防止できることが判明した。なお、図10は、ウェハを回転させずに測定したものである。
FIG. 9 shows an example of the measurement result of the temperature distribution around the
上記のレーザ及びオゾン照射と併行して、ステージ30を回転させる。この回転速度は例えば10rpm程度である。これによって、ウェハ90の外周部92の被処理箇所を周方向に延ばすことができる。ステージ30が1〜複数回、回転することによって、ウェハ90の外周部92の有機膜93bを全周にわたってアッシングし除去することができる。これによって、ウェハ90の外周部92の無機膜94bが全周にわたって露出されることになる。
In parallel with the laser and ozone irradiation, the
[無機膜除去工程]
次いで、ウェハ外周部92の無機膜94bの除去工程を実行する。このとき、ウェハ90はステージ30にセットしたままにしておく。そして、第2処理ヘッド20を前進させ、ウェハ90の外周部92を差し込み口21に差し込む。これによって、ウェハ90の外周部92の一定の長さの部分が案内路22に包まれることになる。差し込み量を調節することにより、除去すべき膜94bの幅(処理幅)を容易に制御することができる。
[Inorganic film removal process]
Next, a step of removing the
次いで、CF4等のフッ素系ガスを、フッ素系プラズマ放電装置60の電極間空間61aに供給するとともに、電極61間に電界を印加し、大気圧グロー放電プラズマを起こさせる。これにより、フッ素系ガスを活性化し、フッ素ラジカル等からなる第2反応性ガスを生成する。この第2反応性ガスを供給路62にて第2処理ヘッド20の案内路22に導き、この案内路22に沿ってウェハ90の外周部92の周方向に流す。これによって、図8(c)に示すように、ウェハ90の外周部92の無機膜94bをエッチングし除去することができる。エッチングの副生成物を含む処理済みガスは、排出路63から排出される。また、差し込み口21が狭くなっているので、ウェハ90の主部分91への第2反応性ガスの拡散を防止できる。加えて、第2反応性ガスの流速調節によって、上記主部分91への第2反応性ガスの拡散を一層確実に防止することができる。
Next, a fluorine-based gas such as CF 4 is supplied to the
併せて、ステージ30を回転させる。これによって、ウェハ90の外周部92の無機膜94bを全周にわたってエッチングし除去することができる。このときの回転速度は、上記有機膜93bの除去時より速く、例えば100rpm程度である。
無機膜94bのエッチングレートは、膜94bの結晶性・密度が高いほど遅く、結晶性・密度が低いほど速くなる。
At the same time, the
The etching rate of the
なお、第1処理ヘッド10は、有機膜除去工程の終了後、無機膜除去工程の開始前に退避位置に退避させてもよく、無機膜除去工程の終了後に退避させてもよい。有機膜93bがステージ30の回転の1回目で除去できる場合、この有機膜除去と同時併行して無機膜除去を行うことにしてもよい。有機膜除去工程の途中で無機膜94bが部分的に露出し始めた時点で無機膜除去工程を有機膜除去と併行して行うことにしてもよい。
Note that the
無機膜成分が例えばSiN等の場合、エッチングにより(NH4)2SiF6、NH4F・HF等の残渣すなわち常温で固体の副生成物が出来る。そこで、この場合は無機膜除去工程の期間中、第1処理ヘッド10を処理位置に位置させておき、輻射加熱手段にてウェハ90の外周部92へのレーザ照射を継続する。これによって、上記常温で固体の副生成物を気化させることができる。更に、第1吸引手段53を駆動することにより、上記気化後の副生成物を吸引ノズル12から吸引して排出することができる。
When the inorganic film component is, for example, SiN, a residue such as (NH 4 ) 2 SiF 6 , NH 4 F · HF, that is, a solid by-product at room temperature is formed by etching. Therefore, in this case, during the inorganic film removing step, the
無機膜除去工程の後、ヘッド10,20を退避位置へ退避させるとともにステージ30の回転を停止する。そして、ステージ30内のチャック機構によるウェハ90のチャッキングを解除し、ウェハ90を搬出する。
After the inorganic film removing step, the
本発明によれば、有機膜除去工程と無機膜除去工程の全期間を通じて、ウェハ90がステージ30に継続してセットされた状態になっている。したがって、有機膜除去工程から無機膜除去工程への移行時にウェハ90を別の場所へ移送する必要がなく、移送時間を省略できる。また、移送時に移送用カセットに触れる等してパーティクルが発生することがない。更には、再度のアライメントも不要となる。これによって、全体の処理時間を大幅に短縮でき、スループットを向上させることができるだけでなく、高精度処理が可能になる。加えて、アライメント機構3やステージ30を共通化でき、装置構成の簡素化・コンパクト化を図ることができる。1つの共通チャンバ2内に処理ヘッド10,20を複数設置することによって、さまざまな膜種に対応可能となる。さらには、クロスコンタミネーションの問題も回避できる。また、本発明は、常圧系であるので、チャンバ2内に駆動部分等を容易に格納することができる。
According to the present invention, the
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において上記第1実施形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図11は第2実施形態を示したものである。この実施形態のステージ30は、第1ステージ部31と第2ステージ部32による入れ子構造になっている。第1ステージ部31は、ウェハ90より僅かに小径の円盤状をなし、その上面に収納凹部31aが形成されている。
Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, the same reference numerals are given to the drawings for the same configurations as those in the first embodiment, and the description thereof is omitted.
FIG. 11 shows a second embodiment. The
第2ステージ部32は、第1ステージ部31より遥かに小径の円盤状をなし、第1ステージ部31と同軸L30上に配置されている。第2ステージ部32に昇降機構36(軸方向スライド機構)が接続されている。この昇降機構36によって第2ステージ部32が、第1ステージ部31の上方へ突出された突出位置(図11(b))と、第1ステージ部31の収納凹部31aに収納された収納位置(同図(a))との間で昇降可能になっている。なお、第2ステージ部32が固定される一方、第1ステージ部31が昇降機構36に接続されて昇降し、その結果、第2ステージ部32が突出・収納されるようになっていてもよい。収納位置の第2ステージ部32の上面は、第1ステージ部31の上面と面一になっているが、第1ステージ部31の上面より下に引っ込んでいてもよい。
The
図示は省略するが、第1ステージ部31と第2ステージ部32には、それぞれウェハ90のためのチャッキング機構が内蔵されている。
第1ステージ部31の内部は、冷却室33になっている。この冷却室33を含む冷却手段は、第1ステージ部31にのみ設けられているが、第2ステージ部32にも設けることにしてもよい。
Although not shown, the
The inside of the
第2処理ヘッド20は、突出位置の第2ステージ部32の上面の高さに位置されている。
The
図11(a)に示すように、有機膜除去工程では、第2ステージ部32を収納位置に位置させた状態で、冷却手段を稼動するとともに第1ステージ部31及び第2ステージ部32を回転機構39によって共通の軸心周りに一体に回転させながら第1処理ヘッド10にて処理を行なう。
As shown in FIG. 11A, in the organic film removing step, the cooling unit is operated and the
図11(b)に示すように、有機膜除去工程の終了後、第1処理ヘッド10を退避位置に退避させる。次に、昇降機構36にて第2ステージ部32を上昇させ突出位置に位置させる。これにより、ウェハ90を第1ステージ部31より上に離すことができる。
そして、第2処理ヘッド20を退避位置から処理位置へ前進させ、無機膜除去工程を実行する。ウェハ90が第1ステージ部31の上方に離れているので、第1ステージ部31の外周部92と第2処理ヘッド20の下側部が干渉するのを回避できる。ひいては、差し込み口21のウェハ90径方向に沿う深さを大きくすることができる。これによって、ウェハ90の主部分91への第2反応性ガスの拡散を一層確実に防止することができる。
その一方で、第1ステージ部31の径を十分に大きくでき、冷却手段にてウェハ90の外周部付近まで確実に冷却することができる。その結果、ウェハ90の主部分91の膜質が損なわれるのを一層確実に防止することができる。
この無機膜除去工程では、回転機構39によって第2ステージ部32だけを回転させればよい。これによって、ウェハ90の外周部92の無機膜94bを全周にわたってエッチングし除去することができる。
As shown in FIG. 11B, after the organic film removal process is completed, the
Then, the
On the other hand, the diameter of the
In this inorganic film removing step, only the
図12は第3実施形態を示したものである。この実施形態では、第1反応性ガスと第2反応性ガスが共通のプラズマ放電装置70にて生成されるようになっている。第1反応性ガスの元ガスは酸素(O2)が用いられている。第2反応性ガスの元ガスはCF4等のフッ素系ガスが用いられている。各元ガス源からの元ガス供給路73,74が互いに合流し、上記共通プラズマ放電装置70の一対の電極71間の大気圧プラズマ放電空間71aへ延びている。各元ガス供給路73,74には開閉弁73V,74Vが設けられている。
FIG. 12 shows a third embodiment. In this embodiment, the first reactive gas and the second reactive gas are generated by a common
共通プラズマ放電装置70からの反応性ガス供給路75は、三方弁76を介して第1反応性ガス供給路51と第2反応性ガス供給路62の二手に分かれている。第1反応性ガス供給路51は、第1処理ヘッド10の吹出しノズル11に連なっている。第2反応性ガス供給路62は、第2処理ヘッド20の案内路22の上流端に連なっている。
The reactive
有機膜除去工程では、第2元ガス供給路74の開閉弁74Vを閉じる一方、第1元ガス供給路73の開閉弁73Vを開く。これによって、第1元ガス(酸素ガス)がプラズマ放電装置70の放電空間71aに導入されて活性化され、酸素ラジカルやオゾン等の第1反応性ガスが生成される。また、プラズマ放電装置70からの共通反応性ガス供給路75を三方弁76によって第1反応性ガス供給路51に接続する。これによって、オゾン等の第1反応性ガスが第1処理ヘッド10の吹出しノズル11に導入され、ウェハ90の外周部92の有機膜93bをアッシングし除去することができる。
In the organic film removal step, the on-off
無機膜除去工程では、第1元ガス供給路73の開閉弁73Vを閉じる一方、第2元ガス供給路74の開閉弁74Vを開く。これによって、第2元ガス(CF4等のフッ素系ガス)がプラズマ放電装置70に導入されてプラズマ化され、F*等の第2反応性ガスが生成される。また、プラズマ放電装置70からの共通反応性ガス供給路75を三方弁76によって第2反応性ガス供給路62に接続する。これによって、フッ素ラジカル等の第2反応性ガスが第2処理ヘッド20の案内路22に導入されてウェハ90の周方向に流れ、ウェハ90の外周部92の無機膜94bをエッチングし除去することができる。
In the inorganic film removing step, the on-off
図13及び図14は、ステージ30に設けられる吸熱冷却手段の変形態様を示したものである。この吸熱冷却手段は、ステージ30の外周部だけに設けられている。すなわち、ステージ30の内部には、環状の隔壁37が同心状に設けられている。この環状隔壁37によってステージ30が外周領域30Raと中央領域30Rbとに区分けされている。
13 and 14 show a modification of the endothermic cooling means provided on the
環状隔壁37より外側の外周領域30Raに冷媒供給路34と冷媒排出路35が接続されている。これによって、外周領域30Ra内が、冷媒室33(吸熱手段)になっている。
これに対し、環状隔壁37より内側の内周領域30Rbは、冷媒室とはなっておらず、吸熱冷却手段の非配置部分になっている。
A
On the other hand, the inner peripheral region 30Rb inside the
ウェハ90の外周部は、ステージ30の外周領域30Raより径方向外側へ突出される。この突出部のすぐ内側の環状の部分がステージ30の外周領域30Raに当接支持され、そこより内側の中央部分がステージ30の中央領域30Rbに当接支持される。
これによって、ウェハ90の外周部の被加熱箇所からの熱は、そのすぐ内側の部分へ伝わって来たところでステージ外周領域30Raにて吸熱除去される。一方、ウェハ90の中央の熱伝達とは関係のない部分については、吸熱冷却されることがない。これによって、吸熱冷却源の節約を図ることができる。
The outer peripheral portion of the
As a result, the heat from the heated portion on the outer peripheral portion of the
図14において実線で示すように、輻射加熱手段の照射部42は、ウェハ90の上方に設けられている。これにより、ウェハ90の外周部の表側面を局所加熱し、そこに第1反応性ガス供給手段の吹出しノズル11から反応性ガスを供給することにより、ウェハ90の外周部の表側面の不要膜を除去するようになっている。図14において仮想線で示すように、ウェハ90の外周部の裏面の不要膜を除去する場合には、輻射加熱手段の照射部42をウェハ90の下方に配置する。
昇降可能な第2ステージ部32は、内周領域30Rbにのみ配置されている。
As shown by a solid line in FIG. 14, the
The
本発明は、上記実施形態に限定されず種々の改変をなすことができる。
第1処理ヘッド10と第2処理ヘッド20の離間角度は180度に限られず120度や90度離れていてもよい。
第1処理ヘッド10と第2処理ヘッド20は、互いの退避位置及び進退動作時に干渉しなければよく、処理位置が重なっていてもよい。
第1処理ヘッド10をステージ30の周方向に離して複数配置してもよく、同様に、第2処理ヘッド20をステージ30の周方向に離して複数配置してもよい。
第1処理ヘッド10が第1反応性ガス生成源に一体に取り付けられていてもよく、第2処理ヘッド20が第2反応性ガス生成源に一体に取り付けられていてもよい。
輻射加熱手段の照射部42と第1反応性ガスの吹出しノズル11が別々に進退動作するようになっていてもよい。
ステージ30に組み込まれるウェハ冷却手段(吸熱手段)として、ステージ30内を空洞にするのに代えて、冷却用流体を通す管路をステージ30内に収容してもよい。ステージ30内にペルチェ素子を内蔵することにしてもよい。
ウェハ90に下から有機膜93、無機膜94の順に積層されている場合には、まず無機膜除去工程を実行し、次に有機膜除去工程を実行する。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
The separation angle between the
The
A plurality of first processing heads 10 may be arranged apart from each other in the circumferential direction of the
The
The
As a wafer cooling means (heat absorption means) incorporated in the
When the
この発明は、例えば半導体ウェハの製造において、外周部に被膜された不要な有機膜及び無機膜を除去する工程に適用可能である。 The present invention can be applied, for example, to a process of removing unnecessary organic films and inorganic films coated on the outer peripheral portion in the manufacture of a semiconductor wafer.
1 基材外周処理装置
10 第1処理ヘッド
11 吹出しノズル(吹出し部)
12 吸引ノズル(吸引部)
20 第2処理ヘッド
22 案内路
30 ステージ
31 第1ステージ部
32 第2ステージ部
33 冷却室
40 レーザ源
42 照射部
70 共通プラズマ放電装置
71a 共通プラズマ放電装置のプラズマ放電空間
90 ウェハ(基材)
91 ウェハの外周部より内側の主部分
92 ウェハの外周部
92p ウェハの外周部の局所(照射スポット)
93 有機膜(第1膜)
94 無機膜(第2膜)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate outer
12 Suction nozzle (suction part)
20
91
93 Organic film (first film)
94 Inorganic film (second film)
Claims (9)
1のステージに前記基材を前記第1膜及び第2膜の除去処理期間中継続して支持させるとともに、前記ステージをその側部に配置した第1処理ヘッド及び第2処理ヘッドに対し相対回転させながら、前記第1処理ヘッドから前記第1膜除去のための第1反応性ガスを前記基材の外周部に供給し、前記第2処理ヘッドから前記第2膜除去のための第2反応性ガスを前記基材の外周部に供給することを特徴とする基材外周処理方法。 A method of removing the first film and the second film on the outer periphery of a base material on which a first film and a second film having different film types are laminated,
The stage is continuously supported on the first stage during the removal process of the first film and the second film, and the stage is rotated relative to the first and second processing heads arranged on the side thereof. Then, a first reactive gas for removing the first film is supplied from the first processing head to the outer periphery of the substrate, and a second reaction for removing the second film from the second processing head. A method for treating the outer periphery of a substrate, comprising supplying a property gas to the outer periphery of the substrate.
前記基材の外周部に前記第1膜除去のための第1反応性ガスと熱を供給する第1処理ヘッドと、
前記基材の外周部に前記第2膜除去のための第2反応性ガスを供給する第2処理ヘッドと、
前記基材を前記第1膜と第2膜の除去期間中継続して支持するとともに前記第1及び第2処理ヘッドに対し相対回転されるステージと、
を備えたことを特徴とする基材外周処理装置。 An apparatus for removing the first film and the second film on the outer periphery of a base material on which a first film and a second film having different film types are laminated,
A first processing head for supplying a first reactive gas and heat for removing the first film to the outer periphery of the substrate;
A second processing head for supplying a second reactive gas for removing the second film to the outer periphery of the substrate;
A stage that supports the substrate continuously during the removal period of the first film and the second film and is rotated relative to the first and second processing heads;
A substrate outer periphery processing apparatus comprising:
前記第2膜が無機膜であり、前記第2反応性ガスが無機膜との反応性を有していることを特徴とする請求項2に記載の基材外周処理装置。 The first film is an organic film, and the first reactive gas has reactivity with the organic film under heating;
The substrate outer periphery treatment apparatus according to claim 2, wherein the second film is an inorganic film, and the second reactive gas has reactivity with the inorganic film.
前記第1処理ヘッドによる第1膜除去時には前記第1ステージ部が前記第2ステージ部を収納するとともに基材を支持し、
前記第2処理ヘッドによる第2膜除去時には前記第2ステージ部が前記第1ステージ部より突出されるとともに基材を支持することを特徴とする請求項7に記載の基材外周処理装置。 The stage incorporates a cooling means for cooling the base material, and has a first stage portion slightly smaller in diameter than the base material, and has a smaller diameter than the first stage portion and protrudes and accommodates in the axial direction with respect to the first stage portion. Having a second stage portion provided in a possible manner,
When removing the first film by the first processing head, the first stage unit accommodates the second stage unit and supports the base material,
8. The substrate outer periphery processing apparatus according to claim 7, wherein when removing the second film by the second processing head, the second stage portion protrudes from the first stage portion and supports the substrate.
前記第1元ガスの選択時には、前記共通プラズマ放電装置の電極間のプラズマ放電にて前記第1元ガスから前記第1反応性ガスが生成されて第1処理ヘッドに供給され、
前記第2元ガスの選択時には、前記プラズマ放電にて前記第2元ガスから前記第2反応性ガスが生成されて第2処理ヘッドに供給されることを特徴とする請求項2〜8の何れかに記載の基材外周処理装置。 A common plasma discharge device that is selectively supplied with a first source gas and a second source gas and is selectively connected to the first processing head and the second processing head;
When the first source gas is selected, the first reactive gas is generated from the first source gas by plasma discharge between the electrodes of the common plasma discharge device and supplied to the first processing head.
9. The method according to claim 2, wherein when the second source gas is selected, the second reactive gas is generated from the second source gas by the plasma discharge and supplied to the second processing head. The base-material outer periphery processing apparatus of crab.
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