JP2006243663A - El display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機または無機エレクトロルミネッセンス(EL)素子などを用いたEL表示パネル(表示装置)などの自発光表示パネルに関するものである。また、これらの表示パネルなどの駆動回路(ICなど)および駆動方法などに関するものである。 The present invention relates to a self-luminous display panel such as an EL display panel (display device) using an organic or inorganic electroluminescence (EL) element. Further, the present invention relates to a driving circuit (such as an IC) and a driving method of these display panels.
電気光学変換物質として有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置は画素に書き込まれる電流に応じて発光輝度が変化する。有機EL表示パネルは各画素に発光素子を有する自発光型である。有機EL表示パネルは、液晶表示パネルに比べて画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い等の利点を有する。 In an active matrix image display device using an organic electroluminescence (EL) material as an electro-optic conversion substance, light emission luminance changes according to a current written to a pixel. The organic EL display panel is a self-luminous type having a light emitting element in each pixel. The organic EL display panel has advantages such as higher image visibility than the liquid crystal display panel, no backlight, and high response speed.
有機EL表示パネルも単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式の構成が可能である。前者は構造が単純であるものの大型かつ高精細の表示パネルの実現が困難である。しかし、安価である。後者は大型、高精細表示パネルを実現できる。しかし、制御方法が技術的に難しい、比較的高価であるという課題がある。現在では、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式は、各画素に設けた発光素子に流れる電流を画素内部に設けた薄膜トランジスタ(トランジスタ)によって制御する。 The organic EL display panel can also be configured in a simple matrix system and an active matrix system. Although the former has a simple structure, it is difficult to realize a large and high-definition display panel. However, it is cheap. The latter can realize a large, high-definition display panel. However, there is a problem that the control method is technically difficult and relatively expensive. At present, active matrix systems are actively developed. In the active matrix system, a current flowing through a light emitting element provided in each pixel is controlled by a thin film transistor (transistor) provided in the pixel.
アクティブマトリクス方式の有機EL表示パネルは、例えば、特許文献1に開示されている。この表示パネルの一画素の等価回路を図2に示す。画素16は発光素子であるEL素子15、第1のトランジスタ(駆動用トランジスタ)11a、第2のトランジスタ(スイッチング用トランジスタ)11bおよび蓄積容量(コンデンサ)19からなる。発光素子15は有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子である。本明細書では、EL素子15に電流を供給(制御)するトランジスタ11aを駆動用トランジスタ11と呼ぶ。また、図2のトランジスタ11bのように、スイッチとして動作するトランジスタをスイッチ用トランジスタ11と呼ぶ。
An active matrix organic EL display panel is disclosed in
有機EL素子15は多くの場合、整流性があるため、OLED(有機発光ダイオード)と呼ばれることがある。図1、図2などでは発光素子15としてダイオードの記号を用いている。
Since the
本発明における発光素子15はOLEDに限るものではなく、素子15に流れる電流量によって輝度が制御されるものであればよい。たとえば、無機EL素子が例示される。その他、半導体で構成される白色発光ダイオードが例示される。また、発光トランジスタでもよい。また、発光素子15は必ずしも整流性が要求されるものではない。双方向性素子であってもよい。
The light-emitting
図2の動作について説明する。ゲート信号線17を選択状態とし、ソース信号線18に輝度情報を表す電圧の映像信号を印加する。トランジスタ11aが導通し、映像信号が蓄積容量19に充電される。ゲート信号線17を非選択状態とすると、トランジスタ11aがオフになる。トランジスタ11bは電気的にソース信号線18から切り離される。しかし、トランジスタ11aのゲート端子電位は蓄積容量(コンデンサ)19によって安定に保持される。トランジスタ11aを介して発光素子15に流れる電流は、トランジスタ11aのゲート/ドレイン端子間電圧Vgdに応じた値となる。発光素子15はトランジスタ11aを通って供給される電流量に応じた輝度で発光し続ける。
有機EL表示パネルは、低温ポリシリコントランジスタアレイを用いてパネルを構成する。しかし、有機EL素子は、ポリシリコントランジスタアレイのトランジスタ特性にバラツキがあると、表示ムラが発生する。 The organic EL display panel is configured by using a low-temperature polysilicon transistor array. However, display variations occur in organic EL elements when the transistor characteristics of the polysilicon transistor array vary.
図2は電圧プログラム方式の画素構成である。図2に図示する画素構成では、電圧の映像信号をトランジスタ11aで電流信号に変換する。したがって、トランジスタ11aに特性バラツキがあると、変換される電流信号にもバラツキが発生する。通常、トランジスタ11aは50%以上の特性バラツキが発生している。したがって、図2の構成では表示ムラが発生する。
FIG. 2 shows a pixel configuration of a voltage program method. In the pixel configuration shown in FIG. 2, the voltage video signal is converted into a current signal by the
表示ムラは、電流プログラム方式の構成を採用することにより低減することが可能である。電流プログラムを実施するためには、電流駆動方式のドライバ回路が必要である。しかし、電流駆動方式のドライバ回路にも電流出力段を構成するトランジスタ素子にバラツキが発生する。そのため、各出力端子からの階調出力電流にバラツキが発生し、良好な画像表示ができないという課題があった。また、電流プログラム方式は、低階調領域では、駆動電流が小さい。そのため、ソース信号線18の寄生容量により良好に駆動できないという課題があった。
Display unevenness can be reduced by adopting a current program system configuration. In order to implement the current program, a current drive type driver circuit is required. However, variation also occurs in the transistor elements constituting the current output stage in the current drive type driver circuit. For this reason, there is a problem in that the gradation output current from each output terminal varies and a good image display cannot be performed. In the current program method, the drive current is small in the low gradation region. For this reason, there has been a problem that the
本発明のEL表示装置は、単位電流出力する複数のトランジスタから構成された定電流を発生する定電流回路と、階調電圧を発生する階調電圧回路と、マトリックス状にEL素子が配置された画像表示部と、前記EL素子に前記定電流を供給するソース信号線と、前記ソース信号線の電位を測定する測定手段を具備することを特徴とするものである。 In the EL display device of the present invention, a constant current circuit configured to generate a constant current composed of a plurality of transistors that output unit currents, a gradation voltage circuit that generates gradation voltages, and EL elements are arranged in a matrix. An image display unit, a source signal line that supplies the constant current to the EL element, and a measurement unit that measures the potential of the source signal line are provided.
本発明のソースドライバ回路は、基準電流の発生回路を有し、また、ゲートドライバ回路を制御することにより、電流制御、輝度制御を実現する。また、画素は、複数あるいは単独の駆動用トランジスタを有し、EL素子15に流れる電流バラツキが発生しないように駆動する。また、各端子に接続する単位トランジスタ群を変化させる。したがって、トランジスタのしきい値ばらつきによる表示むらの発生を抑制することが可能となる。駆動用トランジスタ素子の温度依存性も補償する。また、duty比制御などによりダイナミックレンジが広い画像表示を実現できる。
The source driver circuit of the present invention includes a reference current generation circuit, and realizes current control and luminance control by controlling the gate driver circuit. Further, the pixel has a plurality of or single drive transistors, and is driven so as not to cause a variation in current flowing through the
本発明は、画素構成は電流駆動型の画素構成であり、この画素にプログラム電圧を印加し、電圧駆動(プログラム電圧を印加)を実施するものである。また、少なくとも1点以上の画素16の駆動用トランジスタ11aの特性カーブの電圧を測定し、この電圧から電圧駆動に対応する特性カーブを発生し、駆動するものである。階調0の電圧を測定あるいは発生し、この階調0の電圧を基準に電圧プログラムデータを発生し、駆動する状態は電圧オフセットキャンセルと同一あるいは類似の電圧方式である。電圧+電流プログラム駆動を実施することにより、あたかも、低階調領域では電圧オフセットキャンセルを実施しているように駆動され、高階調領域では、電流プログラム駆動を実施していることなる。したがって、電圧駆動の効果と電流駆動の効果が補間して実施することできる。
In the present invention, the pixel configuration is a current-driven pixel configuration, and a program voltage is applied to the pixel to perform voltage driving (program voltage application). Further, the voltage of the characteristic curve of the
本発明の表示パネル、表示装置等は、高画質、良好な動画表示性能、低消費電力、低コスト化、高輝度化等のそれぞれの構成に応じて特徴ある効果を発揮する。 The display panel, display device, and the like of the present invention exhibit distinctive effects according to their respective configurations such as high image quality, good moving image display performance, low power consumption, low cost, and high brightness.
本発明を用いれば、低消費電力の情報表示装置などを構成できるので、電力を消費しない。また、小型軽量化できるので、資源を消費しない。したがって、地球環境、宇宙環境に優しいことになる。 If the present invention is used, an information display device or the like with low power consumption can be configured, and power is not consumed. Moreover, since it can be reduced in size and weight, resources are not consumed. Therefore, it is friendly to the global environment and space environment.
本明細書において、各図面は理解を容易するために、また作図を容易にするため、省略および拡大あるいは縮小した箇所がある。たとえば、図4に図示する表示パネルの断面図では薄膜封止膜41などを十分厚く図示している。一方、図3において、封止フタ40は薄く図示している。また、省略した箇所もある。たとえば、本発明の表示パネルなどでは、反射防止のために円偏光板などの位相フィルム(38、39)が必要である。しかし、本明細書の各図面では円偏光板などを省略している。以上のことは以下の図面に対しても同様である。また、同一番号または、記号等を付した箇所は同一もしくは類似の形態もしくは材料あるいは機能もしくは動作を有する。
In the present specification, each drawing includes parts omitted, enlarged, or reduced for easy understanding and drawing. For example, in the cross-sectional view of the display panel shown in FIG. 4, the thin
本明細書では、駆動用トランジスタ11、スイッチング用トランジスタ11は薄膜トランジスタとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ダイオード(TFD)、リングダイオードなどでも構成することができる。また、薄膜素子に限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。もちろん、FET、MOS−FET、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。これらも基本的に薄膜トランジスタである。その他、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、ホトダオード、ホトトランジスタ、PLZT素子などでもよいことは言うまでもない。つまり、本発明のトランジスタ11、ゲートドライバ回路12、ソースドライバ回路(IC)14などは、これらのいずれでも使用することができる。
In this specification, the driving
ソースドライバ回路(IC)14は、単なるドライバ機能だけでなく、電源回路、バッファ回路(シフトレジスタなどの回路を含む)、データ変換回路、ラッチ回路、コマンドデコーダ、シフト回路、アドレス変換回路、画像メモリなどを内蔵させてもよい。 The source driver circuit (IC) 14 has not only a simple driver function but also a power supply circuit, a buffer circuit (including a circuit such as a shift register), a data conversion circuit, a latch circuit, a command decoder, a shift circuit, an address conversion circuit, and an image memory. Etc. may be incorporated.
基板30はガラス基板として説明をするが、シリコンウエハで形成してもよい。また、基板30は、金属基板、セラミック基板、プラスティックシート(板)などを使用してよい。また、本発明の表示パネルなどを構成するトランジスタ11、ゲートドライバ回路12、ソースドライバ回路(IC)14などは、ガラス基板などに形成し、転写技術により他の基板(プラスチックシート)に移し変えて構成または形成したものでもよいことは言うまでもない。フタ40の材料あるいは構成に関しても基板30と同様である。また、フタ40、基板30は放熱性を良好にするため、サファイアガラスなどを用いてもよいことは言うまでもない。
Although the
以下、本発明のEL表示パネルについて図面を参照しながら説明をする。有機EL表示パネルは、図3に示すように、画素電極としての透明電極35が形成されたガラス板30(アレイ基板30)上に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層などからなる少なくとも1層の有機機能層(EL層)29、及び金属電極(反射膜)(カソード)36が積層されたものである。透明電極(画素電極)35である陽極(アノード)にプラス、金属電極(反射電極)36の陰極(カソード)にマイナスあるいはグランド電圧を加え、透明電極35及び金属電極36間に直流を印加することにより、有機機能層(EL膜)29が発光する。
Hereinafter, the EL display panel of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 3, the organic EL display panel includes at least an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and the like on a glass plate 30 (array substrate 30) on which a
なお、封止フタ40とアレイ基板30との空間には乾燥剤あるいは吸湿材料からなるシートあるいは薄膜(厚膜)37を配置する。これは、有機EL膜29は湿度に弱いためである。乾燥剤37によりシール剤を浸透する水分を吸収し有機EL膜29の劣化を防止する。また、封止フタ40とアレイ基板30とは、周辺部を封止樹脂2511で封止する。乾燥剤37などの水分吸収手段は、封止フタ40などに直接塗布または蒸着することにより形成してもよい。
Note that a sheet or a thin film (thick film) 37 made of a desiccant or a hygroscopic material is disposed in the space between the sealing
封止フタ40とは、外部からの水分の浸入を防止あるいは抑制する手段であって、フタの形状に限定されるものではない。たとえば、ガラス板あるいはプラスティック板あるいはフィルムなどでもよい。また、融着ガラス、ステンレスなどの金属などでもよい。また、樹脂あるいは無機材料などの構成体であってもよい。また、蒸着技術などを用いて薄膜状の形成(図4を参照のこと)したものであってもよい。乾燥剤37の表面からEL膜までの距離は、0.2mm以上開けることが好ましい。
The sealing
図3の本発明の有機EL表示パネルは、ガラスのフタ40を用いて封止する構成である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図4に図示するようにフィルム41(薄膜でもよい。つまり、薄膜封止膜41である)41を用いた封止構造であってもよい。
The organic EL display panel of the present invention shown in FIG. 3 is configured to be sealed using a
封止フィルム(薄膜封止膜)41としては電解コンデンサのフィルムにDLC(ダイヤモンド ライク カーボン)を蒸着したものを用いることが例示される。このフィルムは水分浸透性が極めて悪い(防湿性能が高い)。このフィルムを封止膜41として用いる。また、DLC(ダイヤモンド ライク カーボン)膜などを電極36の表面に直接蒸着する構成ものよいことは言うまでもない。その他、樹脂薄膜と金属薄膜を多層に積層して、薄膜封止膜を構成してもよい。
Examples of the sealing film (thin film sealing film) 41 include a film of an electrolytic capacitor on which DLC (diamond-like carbon) is vapor-deposited. This film has extremely poor moisture permeability (high moisture resistance). This film is used as the sealing
薄膜41あるいは封止構造を形成する膜の厚みは、上記干渉領域の膜厚には限定されない。5〜10μm以上あるいは、100μm以上の厚みを有するように構成あるいは形成してもよいことは言うまでもない。また、封止構成の薄膜41などが透過性を有する場合は、図4のA側が光出射側となり、不透過性あるいは光反射性の機能あるいは構造を有する場合は、B側が光出射側となる。
The thickness of the
A側とB側との両方から光が出射されるように構成してもよい。この構成を採用する場合は、A側からEL表示パネルの画像を見る場合と、B側からEL表示パネルの画像を見る場合とでは画像が左右反転する。したがって、A側からEL表示パネルの画像を見る場合と、B側からEL表示パネルの画像を見る場合では、手動であるいはオートマチックに画像の左右を反転させる機能を付加する。この機能の実現は、映像信号の1画素行あるいは複数画素行分をラインメモリに蓄積し、ラインメモリの読み出し方向を反転させればよい。 You may comprise so that light may be radiate | emitted from both A side and B side. In the case of adopting this configuration, the image is reversed horizontally when viewing the image of the EL display panel from the A side and when viewing the image of the EL display panel from the B side. Therefore, when viewing the image of the EL display panel from the A side and when viewing the image of the EL display panel from the B side, a function of inverting the left and right of the image manually or automatically is added. This function can be realized by storing one pixel row or a plurality of pixel rows of the video signal in the line memory and inverting the reading direction of the line memory.
図4のように封止フタ40を用いず、封止膜41で封止する構成を薄膜封止と呼ぶ。基板30側から光を取り出す「下取り出し(図3を参照のこと。光取り出し方向は図3のB矢印方向である)」の場合の薄膜封止41は、EL膜を形成後、EL膜上にカソードとなるアルミ電極を形成する。次にこのアルミ膜上に緩衝層としての樹脂層を形成する。緩衝層としては、アクリル、エポキシなどの有機材料が例示される。また、膜厚は1μm以上10μm以下の厚みが適する。さらに好ましくは、膜厚は2μm以上6μm以下の厚みが適する。この緩衝膜上の封止膜74を形成する。
A configuration in which the sealing
緩衝膜がないと、応力によりEL膜の構造が崩れ、筋状に欠陥が発生する。封止膜41は前述したように、DLC(ダイヤモンド ライク カーボン)、あるいは電界コンデンサの層構造(誘電体薄膜とアルミ薄膜とを交互に多層蒸着した構造)が例示される。
Without the buffer film, the structure of the EL film collapses due to the stress, and a line-like defect occurs. As described above, the sealing
図3などにおいて、有機EL膜29から発生した光の半分は、反射膜(カソード電極)36で反射され、アレイ基板30と透過して出射される。しかし、反射膜(カソード電極)36には外光を反射し写り込みが発生して表示コントラストを低下させる。この対策のために、アレイ基板30にλ/4板(位相フィルム)38および偏光板(偏光フィルム)39を配置している。偏光板39と位相フィルム38を一体したものは円偏光板(円偏光シート)と呼ばれる。
In FIG. 3 and the like, half of the light generated from the
なお、位相フィルム38、円偏光板1654は、有機樹脂フィルム、有機樹脂板に限定するものではなく、無機材料(水晶結晶、光学薄膜)などで構成してもよいことは言うまでもない。
Needless to say, the
反射型画素16は、画素電極35を、アルミニウム、クロム、銀などで構成して得られる。また、画素電極35の表面に、凸部(もしくは凹凸部)を設けることで有機EL膜29との界面が広くなり発光面積が大きくなり、また、発光効率が向上する。なお、カソード36(アノード35)となる反射膜を透明電極に形成する、あるいは反射率を30%以下に低減できる場合は、円偏光板は不要である。写り込みが大幅に減少するからである。また、光の干渉も低減し望ましい。
The
有機ELは、有機材料であるため、一般的に紫外線により劣化しやすい。この課題に対して、本発明は、図5に図示するように、アレイ基板30または封止基板に紫外線をカットするフィルムあるいは樹脂からなる膜(紫外線カット膜)2971を形成あるいは配置している。紫外線カット膜2971は、画素行あるいは画素列位置に一致するように、ストライプ状あるいはドット状に形成また配置している。もちろん、アレイ基板30また封止基板(フタ)40のうち、少なくとも一方の基板の全面に(シート状に)紫外線カット膜2971を形成または配置してもよい。
Since organic EL is an organic material, it is generally easily deteriorated by ultraviolet rays. In response to this problem, the present invention forms or arranges a film (ultraviolet cut film) 2971 made of a film or resin for cutting ultraviolet rays on the
紫外線カット膜2971は、RGBのEL材料で紫外線に対する耐性が異なる。したがって、紫外線カット膜は画素16のRGBのEL材料に一致するように、ストライプ状などに形成することが好ましい。また、画素16に対応させてストライプ状、ドット状に形成することにより、RGBのEL素子15からの発生しパネルから出射する波長の帯域を制限するあるいは制御することができる。したがって、色純度を向上させることができる。たとえば、紫外線カット膜2971にカラーフィルタなどの機能を持たせる。
The
紫外線カット膜2971としては、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂またはアクリル系樹脂等を用いることができる。また、その他、ポリエステル樹脂、PVA樹脂、ポリサルホン樹脂、塩化ビニール樹脂、ゼオネックス樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂等の有機樹脂板あるいは有機樹脂フィルムなどを用いてもよい。また、紫外線カット膜2971の一部もしくは全体を着色したりしてもよいことは言うまでもない。また、紫外線カット膜2971はITO、酸化アルミニウム(Al2O3)、ジルコニウム(ZrO2)、フッ化マグネシウム(MgF2)、一酸化シリコン(SiO)、酸化イットリウム(Y2O3)などの無機材料からなる薄膜、厚膜を用いて形成あるは配置してもよい。特にITOは導電性があるので、静電気防止にもなり好ましい。
As the
図3の構成では、封止基板(フタ)40とアレイ基板30との間隔(図6の空間3002)が狭いほど、ELパネルの厚みは薄くすることができる。しかし、封止フタ40とアレイ基板30との間隔が近いと、封止フタ4側などから押圧した場合に、封止フタ40などがひずみ、封止フタ40の裏面が、EL膜29、カソード膜36などと接触する場合がある。接触するとカソード膜36などが破壊される。
In the configuration of FIG. 3, the EL panel can be made thinner as the distance between the sealing substrate (lid) 40 and the array substrate 30 (the
この課題を解決するため、本発明は、図6に図示するように、アレイ基板30と封止フタ(基板)40間に、スペーサ柱3001を形成している。スペーサ柱3001は開口率を低減しないように、ソース信号線18またはゲート信号線17と垂直方向に重ねるように形成または配置されている。
In order to solve this problem, according to the present invention,
スペーサ柱300の形成材料としては、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂またはアクリル系樹脂等を用いることができる。スペーサ柱3001は透明樹脂に限定されるものでなく、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、オパールガラスなどの光拡散物でもよい。
As a material for forming the spacer column 300, an epoxy resin, a urethane resin, an acrylic resin, or the like can be used. The
好ましくは、スペーサ柱3001は光吸収材で形成することが好ましい。ハレーションを防止し、コントラストを向上できるからである。光吸収材としては六価クロムなどの黒色の金属薄膜、アクリルにカーボン等を添加した樹脂、複数あるいは単色の色素もしくは染料を添加したカラーフィルタが例示される。これらはアレイ基板30などで発生するハレーションを抑制する。また、カラーフィルタを構成する材料で形成してもよい。
Preferably, the
スペーサ柱3001の形成方法としては、アレイ基板30または封止基板40のうち少なくとも一方に、樹脂材料を塗布し、ドライエッチング技術またはウエットエッチング技術を用いて形成する。また、インクジェット印刷などの技術を用いて染料、色素などを塗布して形成する。また、グラビア印刷技術、オフセット印刷技術、スピンナーで膜を塗布し、現像する半導体パターン形成技術などで形成する。また、基板(30、40)に樹脂板加工技術(インジェクション加工、コンプレクション加工など)を応用すればよい。
The
図7は図6に加えて、パターニングされた乾燥剤3011を形成した構成図である。乾燥剤3011は、封止基板(フタ)40に乾燥剤材料からなる膜を一面に形成し、パターニングして形成する。または、スペーサ柱3001を形成する材料に乾燥剤材料からなる膜を一面に形成し、パターニングする。もちろん、スペーサ柱3001を形成する前にアレイ基板30上に形成または配置してもよい。
FIG. 7 is a configuration diagram in which a patterned
EL表示装置のカラー化は、マスク蒸着により行うが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、青色発光のEL層を形成し、発光する青色光を、R、G、Bの色変換層(CCM:カラーチェンジミディアムズ)でR、G、B光に変換してもよい。たとえば、図4において、薄膜封止膜41上あるいは下にカラーフィルタを配置する。もちろん、プレシジェンシャドーマスクを利用したRGB有機材料(EL材料)の打ち分け方式を採用してもよい。本発明のカラーEL表示パネルはこれらのいずれの方式を用いても良い。
The EL display device is colored by mask vapor deposition, but the present invention is not limited to this. For example, a blue light emitting EL layer may be formed, and the emitted blue light may be converted into R, G, B light by an R, G, B color conversion layer (CCM: Color Change Mediums). For example, in FIG. 4, a color filter is disposed on or below the thin
本発明のEL表示パネル(EL表示装置)の画素16の構造は、図1などに示すように、1つの画素16が4つのトランジスタ11ならびにEL素子15により形成される。画素電極35はソース信号線18と重なるように構成する。ソース信号線18上に絶縁膜あるいはアクリル材料からなる平坦化膜32を形成して絶縁し、平坦化膜32上に画素電極35を形成する。このようにソース信号線18上の少なくとも1部に画素電極35を重ねる構成をハイアパーチャ(HA)構造と呼ぶ。不要な干渉光などが低減し、良好な発光状態が期待できる。当然のことながら、画素電極35は反射電極に構成してもよい。
The structure of the
有機EL表示パネルに用いられるアクティブマトリックス方式は、特定の画素を選択し、必要な表示情報を与えられること。1フレーム期間を通じてEL素子に電流を流すことができることという2つの条件を満足させなければならない。 The active matrix method used for the organic EL display panel is to select a specific pixel and provide necessary display information. Two conditions must be satisfied that current can flow through the EL element throughout one frame period.
この2つの条件を満足させるため、図2に図示する従来の有機ELの画素構成では、第1のトランジスタ11bは画素を選択するためのスイッチング用トランジスタとして機能させる。また、第2のトランジスタ11aはEL素子15に電流を供給するための駆動用トランジスタとして機能させている。
In order to satisfy these two conditions, in the pixel configuration of the conventional organic EL shown in FIG. 2, the
この構成を用いて階調を表示させる場合、駆動用トランジスタ11aのゲート電圧として階調に応じた電圧を印加する必要がある。したがって、駆動用トランジスタ11aのオン電流のばらつきがそのまま表示に現れる。
In the case of displaying gradation using this configuration, it is necessary to apply a voltage corresponding to the gradation as the gate voltage of the driving
トランジスタのオン電流は単結晶で形成されたトランジスタであれば、きわめて均一であるが、安価なガラス基板に形成することのできる形成温度が450度以下の低温ポリシリ技術で形成した低温多結晶トタンジスタでは、そのしきい値のばらつきが±0.2V〜±0.5Vの範囲でばらつきがある。そのため、駆動用トランジスタ11aを流れるオン電流がこれに対応してばらつき、表示にムラが発生する。これらのムラは、しきい値電圧のばらつきのみならず、トランジスタの移動度、ゲート絶縁膜の厚みなどでも発生する。また、トランジスタ11の劣化によっても特性は変化する。
The on-current of a transistor is very uniform if it is a transistor formed of a single crystal. The threshold value varies within a range of ± 0.2V to ± 0.5V. For this reason, the on-current flowing through the driving
この現象は、低温ポリシリコン技術に限定されるものではなく、プロセス温度が450度(摂氏)以上の高温ポリシリコン技術でも、固相(CGS)成長させた半導体膜を用いてトランジスタなどを形成したものでも発生する。その他、主として有機材料で形成した有機トランジスタでも発生する。アモルファスシリコントランジスタでも発生する。したがって、本発明は、以上のすべての構成に適用できる方式である。 This phenomenon is not limited to low-temperature polysilicon technology, and transistors and the like are formed using solid-phase (CGS) grown semiconductor films even in high-temperature polysilicon technology with a process temperature of 450 degrees Celsius or higher. Even things can occur. In addition, it also occurs in organic transistors formed mainly from organic materials. It also occurs in amorphous silicon transistors. Therefore, the present invention is a method applicable to all the above configurations.
図2のように、電圧を書き込むことにより、階調を表示させる方法では、均一な表示を得るために、デバイスの特性を厳密に制御する必要がある。しかし、現状の低温多結晶ポリシリコントランジスタなどではこのバラツキを所定範囲以内の抑えることができない。 As shown in FIG. 2, in the method of displaying gradation by writing a voltage, it is necessary to strictly control the device characteristics in order to obtain a uniform display. However, this variation cannot be suppressed within a predetermined range in a current low-temperature polycrystalline polysilicon transistor or the like.
本発明の表示パネルの画素16を構成するトランジスタ11は、p−チャンネルポリシリコン薄膜トランジスタに構成される。また、トランジスタ11bは、デュアルゲート以上であるマルチゲート構造としている。
The
本発明の表示パネルの画素16を構成するトランジスタ11bは、トランジスタ11aのソース−ドレイン間のスイッチとして作用する。したがって、トランジスタ11bは、できるだけON/OFF比の高い特性が要求される。トランジスタ11bのゲートの構造をデュアルゲート構造以上のマルチゲート構造とすることによりON/OFF比の高い特性を実現できる。
The
図1の画素回路は、1画素内に4つのトランジスタ11を有している。駆動用トランジスタ11aのゲート端子はトランジスタ11bのソース端子に接続されている。トランジスタ11bおよびトランジスタ11cのゲート端子はゲート信号線17aに接続されている。トランジスタ11bのドレイン端子はトランジスタ11cのソース端子ならびにトランジスタ11dのソース端子に接続され、トランジスタ11cのドレイン端子はソース信号線18に接続されている。トランジスタ11dのゲート端子はゲート信号線17bに接続され、トランジスタ11dのドレイン端子はEL素子15のアノード電極に接続されている。
The pixel circuit in FIG. 1 has four
図1ではすべてのトランジスタはPチャンネルで構成している。Pチャンネルは多少Nチャンネルのトランジスタに比較してモビリティが低いが、耐圧が大きくまた劣化も発生しにくいので好ましい。しかし、本発明はEL素子構成をPチャンネルで構成することのみに限定するものではない。Nチャンネルのみで構成してもよい。また、NチャンネルとPチャンネルの両方を用いて構成してもよい。 In FIG. 1, all the transistors are configured by P-channel. The P channel has a lower mobility than an N channel transistor, but is preferable because it has a high breakdown voltage and is less likely to deteriorate. However, the present invention is not limited to the configuration of the EL element with the P channel. You may comprise only N channel. Moreover, you may comprise using both N channel and P channel.
パネルを低コストで作製するためには、画素を構成するトランジスタ11をすべてPチャンネルで形成し、内蔵ゲートドライバ回路12もPチャンネルで形成することが好ましい。このようにアレイをPチャンネルのみのトランジスタで形成することにより、マスク枚数が5枚となり、低コスト化、高歩留まり化を実現できる。
In order to manufacture a panel at low cost, it is preferable that all the
ゲート信号線17bに印加するトランジスタ11dのオン電圧は、ゲート信号線17aに印加するトランジスタ11bのオン電圧よりも低くする。具体的にはゲート信号線17aに印加するオン電圧は−9Vであるが、ゲート信号線17bに印加するオン電圧は、−2〜0Vである。ゲート信号線17bに印加するトランジスタ11dのオン電圧を、ゲート信号線17aに印加するトランジスタ11bのオン電圧よりも低くすることにより、トランジスタ11dのリークが減少し良好な黒表示を実現できる。ゲート信号線17aと17bに印加するオフ電圧は同一にする。オフ電圧は8Vである。ゲート信号線17aと17bに印加するオフ電圧は同一にすることにより電源回路の構成が簡略化させる。
The on-voltage of the
図1のように画素16の駆動用トランジスタ11a、選択トランジスタ(11b、11c)がPチャンネルトランジスタの場合は、突き抜け電圧が発生する。これは、ゲート信号線17aの電位変動が、選択トランジスタ(11b、11c)のG−S容量(寄生容量)を介して、コンデンサ19の端子に突き抜けるためである。Pチャンネルトランジスタ11bがオフするときにはVgh電圧となる。そのため、コンデンサ19の端子電圧がVdd側に少しシフトする。そのため、トランジスタ11aのゲート(G)端子電圧は上昇し、より黒表示となる。したがって、良好な黒表示を実現できる。
As shown in FIG. 1, when the driving
以上の実施例は、トランジスタ11bのG−S容量(寄生容量)を介して、コンデンサ19の電位を変動させ、コンデンサ19の電位変動により、黒表示を良好にする構成である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、コンデンサ19bを素子で形成してもよいことは言うまでもない。コンデンサ19bはトランジスタ11のゲート信号線17を構成する電極層と、ソース信号線18を構成(形成)する電極層を2つの電極として形成することが好ましい。コンデンサ19bの容量はコンデンサ19aの容量の1/4以上1/1以下とすることが好ましい。
In the above embodiment, the potential of the
コンデンサ19bなどによる突き抜け電圧のシフト量は一定であり、また、Vgh電圧、Vgl電圧が一定値であるからである。電流駆動方式(電流プログラム方式)では、低階調ではプログラム電流が小さくなり、ソース信号線18の寄生容量の充放電が困難である。しかし、コンデンサ19bになどよる突き抜け電圧を利用することにより、ソース信号線18に印加するプログラム電流を比較的大きくでき、駆動用トランジスタ11aがEL素子15に流す電流はプログラム電流よりも小さくすることができる。つまり、微小なプログラム電流を画素16に書き込むことができる。
This is because the amount of shift of the punch-through voltage due to the
逆に、突き抜け電圧を可変するには、Vgh電圧またはVgl電圧もしくはVgh電圧とVgl電圧の電位差を変化すればよい。たとえば、点灯率(後に説明する)に応じて、Vgh電圧、Vgl電圧を変化あるいは操作する駆動方法が例示される。また、コンデンサ19bの容量を変化すればよい。また、アノード電圧Vddを変化させればよい。たとえば、点灯率(後に説明する)に応じて、アノード電圧(Vdd)を変化あるいは操作する駆動方法が例示される。これらを変化あるいは変更することにより突き抜け電圧の大きさを制御でき、駆動用トランジスタ11aが流す電流量を制御でき、良好な黒表示を実現できる。
Conversely, in order to vary the punch-through voltage, the Vgh voltage, the Vgl voltage, or the potential difference between the Vgh voltage and the Vgl voltage may be changed. For example, a driving method of changing or operating the Vgh voltage and the Vgl voltage according to the lighting rate (described later) is exemplified. Moreover, what is necessary is just to change the capacity | capacitance of the capacitor |
突き抜け電圧の大きさは階調番号によらず、一定値であるため、低階調領域では、相対的に減少するプログラム電流量の割合が大きくなる。したがって、低階調領域になるほど、良好な黒表示を実現できる。 Since the magnitude of the punch-through voltage is a constant value regardless of the gradation number, the ratio of the program current amount that decreases relatively increases in the low gradation area. Therefore, a better black display can be realized as the gradation is lower.
以下、さらに本発明の理解を容易にするために、本発明のEL素子構成について図8を用いて説明する。本発明のEL素子構成は2つのタイミングにより制御される。図8は図1の画素構成における動作の説明図である。第1のタイミングは必要な電流値を記憶させるタイミングである。このタイミングでトランジスタ11bならびにトランジスタ11cがONすることにより、等価回路として図8(a)となる。ここで、信号線より所定の電流Iwが書き込まれる。これによりトランジスタ11aはゲートとドレインが接続された状態となり、このトランジスタ11aとトランジスタ11cを通じて電流Iwが流れる。したがって、トランジスタ11aのゲート−ソースの電圧はI1が流れるような電圧となる。
Hereinafter, in order to facilitate understanding of the present invention, the EL element configuration of the present invention will be described with reference to FIG. The EL device configuration of the present invention is controlled by two timings. FIG. 8 is an explanatory diagram of the operation in the pixel configuration of FIG. The first timing is a timing for storing a necessary current value. When the
第2のタイミングはトランジスタ11aとトランジスタ11cが閉じ、トランジスタ11dが開くタイミングであり、そのときの等価回路は図8(b)となる。トランジスタ11aのソース−ゲート間の電圧は保持されたままとなる。この場合、トランジスタ11aは常に飽和領域で動作するため、Iwの電流は一定となる。
The second timing is a timing at which the
以上の動作を図示すると、図9に図示するようになる。図9(a)の61は、表示画面64における、ある時刻での電流プログラムされている画素(行)(書き込み画素行)を示している。画素(行)61は、非点灯(非表示画素(行))とする。また、スイッチング用トランジスタ11dがクローズし、EL素子15に電流が流れている(ただし、黒表示は流れない)領域は、表示領域63となる。また、スイッチング用トランジスタ11dがオープンの領域は、非表示領域62となる。
The above operation is illustrated in FIG.
図1の画素構成の場合は、図8(a)に示すように、電流プログラム時は、プログラム電流Iwがソース信号線18に流れる。この電流Iwが駆動用トランジスタ11aを流れ、プログラム電流Iwを流す電流が保持されるように、コンデンサ19に電圧設定(プログラム)される。または、駆動用トランジスタ11aのゲート端子にプログラム電流Iwを流す電流が流れるように電圧が保持される。このとき、トランジスタ11dはオープン状態(オフ状態)である。
In the case of the pixel configuration of FIG. 1, as shown in FIG. 8A, the program current Iw flows through the
次に、EL素子15に電流を流す期間は図8(b)のように、トランジスタ11c、11bがオフし、トランジスタ11dが動作する。つまり、ゲート信号線17aにオフ電圧(Vgh)が印加され、トランジスタ11b、11cがオフする。一方、ゲート信号線17bにオン電圧(Vgl)が印加され、トランジスタ11dがオンする。
Next, during a period in which a current flows through the
図9の駆動方法のタイミングチャートを図10に図示する。図10でわかるように、各選択された画素行(選択期間は、1Hとしている)において、ゲート信号線17aにオン電圧(Vgl)が印加されている時(図10(a)を参照)には、ゲート信号線17bにはオフ電圧(Vgh)が印加されている(図10(b)を参照)。この期間は、EL素子15には電流が流れていない(非点灯状態)。
A timing chart of the driving method of FIG. 9 is shown in FIG. As can be seen from FIG. 10, in each selected pixel row (the selection period is 1H), when the on-voltage (Vgl) is applied to the
選択されていない画素行において、ゲート信号線17aにオフ電圧(Vgh)が印加され、ゲート信号線17bにはオン電圧(Vgl)が印加されている。また、この期間は、EL素子15に電流が流れている(点灯状態)。また、点灯状態では、EL素子15は所定のN倍の輝度(N・B)で点灯し、その点灯期間は1F/Nである。したがって、1Fを平均した表示パネルの表示輝度は、(N・B)×(1/N)=B(所定輝度)となる。なお、Nは1以上であればいずれの値でもよい。もちろん、N=1とし、書き込み画素行61以外を表示(点灯)領域63としてもよいことは言うまでもない。
In an unselected pixel row, an off voltage (Vgh) is applied to the
つぎに、図11を用いて、本発明のEL表示パネルで使用する電源(電圧)について説明をする。ゲートドライバ回路12は、バッファ回路82とシフトレジスタ回路81で構成される。バッファ回路82はオフ電圧(Vgh)とオン電圧(Vgl)を電源電圧として使用する。一方、シフトレジスタ回路81はシフトレジスタの電源VGDDとグラント(GND)電圧を使用し、また、入力信号(CLK、UD、ST)の反転信号を発生させるためのVREF電圧を使用する。また、ソースドライバ回路(IC)14は、電源電圧Vsとグランド(GND)電圧を使用する。
Next, a power supply (voltage) used in the EL display panel of the present invention will be described with reference to FIG. The
ゲートドライバ回路12aは、シフトレジスタ回路81aとバッファ回路82を具備している。したがって、ゲートドライバ回路12aはゲート信号線17aをオンオフ制御する。ゲート信号線17bは、用のシフトレジスタ回路81b(図示せず)とバッファ回路82(図示せず)を内蔵する。なお、説明を容易にするため、画素構成は図1を例にあげて説明をする。
The
各シフトレジスタ回路81は正相と負相のクロック信号CLKx(CLKxP、CLKxN)、スタートパルス(STx)で制御される。なお、xは添え字である。その他、ゲート信号線の出力、非出力を制御するイネーブル(ENBL)信号、シフト方向を上下逆転するアップダウン(UD)信号を付加することが好ましい。他に、スタートパルスがシフトレジスタ回路81にシフトされ、そして出力されていることを確認する出力端子などを設けることが好ましい。
Each
シフトレジスタ回路81のシフトタイミングはコントロールIC722(後述する)からの制御信号で制御される。また、外部データのレベルシフトを行うレベルシフト回路81を内蔵する。なお、クロック信号は正相のみとしてもよい。正相のみのクロック信号とすることにより信号線数が削減でき、狭額縁化を実現できる。
The shift timing of the
シフトレジスタ回路81のバッファ容量は小さいため、直接にはゲート信号線17を駆動することができない。そのため、シフトレジスタ回路81の出力とゲート信号線17を駆動する出力ゲート間には少なくとも2つ以上のインバータ回路が形成されている。
Since the buffer capacity of the
ここで理解を容易にするため、電圧値を規定する。まず、アノード電圧Vddを6(V)とし、カソード電圧Vssを−9(V)とする(図1などを参照のこと)。GND電圧は0(V)とし、ソースドライバ回路のVs電圧はVdd電圧と同一の6(V)とする。Vgh1とVgh2電圧はVddより0.5(V)以上3.0(V)以下とすることが好ましい。ここでは、Vgh1=Vgh2=8(V)とする。 Here, in order to facilitate understanding, a voltage value is defined. First, the anode voltage Vdd is set to 6 (V), and the cathode voltage Vss is set to −9 (V) (see FIG. 1 and the like). The GND voltage is 0 (V), and the Vs voltage of the source driver circuit is 6 (V), which is the same as the Vdd voltage. The Vgh1 and Vgh2 voltages are preferably 0.5 (V) to 3.0 (V) from Vdd. Here, Vgh1 = Vgh2 = 8 (V).
ゲートドライバ回路12のVgl1は、図1のトランジスタ11cのオン抵抗を十分に小さくするため、低くする必要がある。ここでは、回路構成を容易にするため、Vgh1と絶対値が逆であるVgl1=−8(V)にする。VGDD電圧は、Vghよりも低く、GND電圧よりも高くする必要がある。ここでは、発生電圧回路を容易にし、回路コストを低減するため、Vgh電圧の1/2の4(V)にする。一方で、Vgl2電圧は、余り低くすると、トランジスタ11bのリークを発生する危険性があるため、したがって、VGDD電圧とVgl1電圧の中間電圧にすることが好ましい。ここでは、電圧回路を容易にし、回路コストを低減するため、VGDD電圧と絶対値が等しく、また反対極性である−4(V)にする。
Vgl1 of the
以上の実施例は、主としてシリコンチップからなるICでソースドライバ回路(IC)14を構成するものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、アレイ基板30に直接にポリシリコン技術(CGS技術、低温ポリシリコン技術、高温ポリシリコン技術など)を用いて出力段回路91など(ポリリシコン電流保持回路92)を形成または構成してもよい。
In the above embodiment, the source driver circuit (IC) 14 is configured by an IC mainly composed of a silicon chip. However, the present invention is not limited to this, and the output stage circuit 91 or the like (polysilicon current holding circuit) using polysilicon technology (CGS technology, low temperature polysilicon technology, high temperature polysilicon technology, etc.) directly on the
図12はその実施例である。R、G、Bの出力段回路91(R用は91R、G用は91G、B用は91B)と、RGBの出力段回路91を選択するスイッチSがポリシリコン技術で形成(構成)されている。スイッチSは1H期間を時分割して動作する。基本的には、スイッチSは、1Hの1/3期間がRの出力段回路91Rに接続され、1Hの1/3期間がGの出力段回路91Gに接続され、残りの1Hの1/3期間がBの出力段回路91Bに接続される。
FIG. 12 shows an embodiment thereof. An output stage circuit 91 for R, G, and B (91R for R, 91G for G, and 91B for B) and a switch S for selecting the RGB output stage circuit 91 are formed (configured) by polysilicon technology. Yes. The switch S operates by time-sharing the 1H period. Basically, the switch S is connected to the R
図12に図示するように、シフトレジスタ回路、サンプリング回路などを有するソースドライバ(回路)14は、出力端子93でソース信号線18と接続される。ポリシリコンからなるスイッチSが時分割で切り換えられ、出力段回路91RGBに接続される。出力段回路91RGBはRGBの映像データからなる電流が保持される。なお、図12ではポリリシコン電流保持回路92は1段分しか図示していないが、実際には2段構成されていることは言うまでもない。
As shown in FIG. 12, a source driver (circuit) 14 having a shift register circuit, a sampling circuit, and the like is connected to a
図12では、スイッチSは、1Hの1/3期間がRの出力段回路91Rに接続され、1Hの1/3期間がGの出力段回路91Gに接続され、残りの1Hの1/3期間がBの出力段回路91Bに接続されると説明したが本発明はこれに限定するものではない。R、G、Bを選択する期間は異なっていてもよい。これは、R、G、Bのプログラム電流Iwの大きさが異なっているためである。R、G、BでEL素子15の効率が異なるため、R、G、Bでプログラム電流の大きさが異なる。プログラム電流の大きさが小さいと、ソース信号線18の寄生容量の影響を受けやすいため、プログラム電流の印加期間を長くし、十分にソース信号線18の寄生容量の充放電期間を確保する必要がある。一方で、ソース信号線18の寄生容量の大きさは、R、G、Bで同一であることが多い。
In FIG. 12, the switch S is connected to the R
以上の実施例では、RGBそれぞれに対応する画素16を同時に走査する構成であった。本発明はこの構成に限定するものではない。フレーム(フィールド)ないで、RGBを個別に選択して画像表示を行っても良い。図12はその実施例である。
In the above embodiment, the configuration is such that the
図12(a)は1フレーム(1フィールド)期間にR表示領域63R、G表示領域63G、B表示領域63Bを画面の上から下方向(下方向から上方向でもよい)に走査する。RGBの表示領域以外の領域は非表示領域62とする。つまり、間欠駆動を実施する。R、G、Bの表示領域63は個別に間欠表示が実施される。
In FIG. 12A, the
図12(b)は1フィールド(1フレーム)期間にR、G、B表示領域63を複数発生するように実施した実施例である。図12(b)に示すように表示領域63を複数に分割することにより、フリッカの発生は、低フレームレートでも発生しない。
FIG. 12B shows an embodiment in which a plurality of R, G, and
図14(a)は、各RGBの表示領域63の面積を異ならせたものである。なお、表示領域63の面積は点灯期間に比例することは言うまでもない。図14(a)では、R表示領域63RとG表示領域63Gと面積を同一にしている。G表示領域63GよりB表示領域63Bの面積を大きくしている。
FIG. 14A shows
有機EL表示パネルでは、Bの発光効率が悪い場合が多い。図14(a)のようにB表示領域63Bを他の色の表示領域63よりも大きくすることにより、効率よくホワイトバランスをとることができるようになる。また、R、G、B表示領域63の面積を変化させることにより、ホワイトバランス調整、色温度調整を容易に実現できる。
In organic EL display panels, the light emission efficiency of B is often poor. As shown in FIG. 14A, by making the
図14(b)は、1フィールド(フレーム)期間で、B表示期間63Bが複数(63B1、63B2)となるようにした実施例である。図14(a)は1つのB表示領域63Bを変化させる方法であった。変化させることによりホワイトバランスを良好に調整できるようにする。図14(b)は、同一面積のB表示領域63Bを複数表示させることにより、ホワイトバランス調整(補正)を良好にする。また、色温度補正(調整)を良好にする。たとえば、屋外と屋内で色温度を変化させることは有効である。たとえば、屋内では、色温度を低下させ、屋外では色温度を高くする。
FIG. 14B shows an example in which the
図14(a)と図14(b)とは組み合わせてもよいことはいうまでもない。たとえば、図14(a)のRGBの表示面積63を変化し、かつ図14(b)のRGBの表示領域63を複数発生させる駆動方法の実施である。
Needless to say, FIG. 14A and FIG. 14B may be combined. For example, a drive method is implemented in which the
図9では表示領域63を1つにした方式である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図15に図示するように、表示領域63と非表示領域62とを複数に分散させてもよい。
In FIG. 9, the
また、図15に図示するように、間欠する間隔(非表示領域62/表示領域63)は等間隔に限定するものではない。たとえば、ランダムでもよい(全体として、表示期間もしくは非表示期間が所定値(一定割合)となればよい)。また、RGBで異なっていてもよい。つまり、白(ホワイト)バランスが最適になるように、R、G、B表示期間もしくは非表示期間が所定値(一定割合)となるように調整(設定)すればよい。
Further, as illustrated in FIG. 15, the intermittent interval (
非表示領域62とは、ある時刻において非点灯EL素子15の画素16領域である。表示領域63とは、ある時刻において点灯EL素子15の画素16領域である。非表示領域62、表示領域63は、水平同期信号に同期して、1画素行ずつ位置がシフトしていく。
The
本発明の駆動方法の説明を容易にするため、1/Nとは、1F(1フィールドまたは1フレーム)を基準にしてこの1Fを1/Nにするとして説明する。しかし、1画素行が選択され、電流値がプログラムされる時間(通常、1水平走査期間(1H))があるし、また、走査状態によっては誤差も生じることは言うまでもない。もちろん、ゲート信号線17aからの突き抜け電圧によっても、理想状態から変化する。ここでは説明を容易にするため、理想状態として説明をする。
In order to facilitate the description of the driving method of the present invention, 1 / N is described on the assumption that 1F is set to 1 / N on the basis of 1F (one field or one frame). However, there is a time during which one pixel row is selected and the current value is programmed (usually, one horizontal scanning period (1H)), and it goes without saying that an error may occur depending on the scanning state. Of course, it changes from the ideal state also by the penetration voltage from the
液晶表示パネルは、1F(1フィールドあるいは1フレーム)の期間の間は、画素に書き込んだ電流(電圧)を保持する。そのため、動画表示を行うと表示画像の輪郭ぼけが発生するという課題が発生する。 The liquid crystal display panel holds the current (voltage) written to the pixel for a period of 1F (one field or one frame). For this reason, when a moving image is displayed, there is a problem that the outline of the display image is blurred.
有機(無機)EL表示パネル(表示装置)も1F(1フィールドあるいは1フレーム)の期間の間は、画素に書き込んだ電流(電圧)を保持する。したがって、液晶表示パネルと同様の課題が発生する。一方、CRTのように電子銃で線表示の集合として画像を表示するディスプレイは、人間の眼の残像特性を用いて画像表示を行うため、動画表示画像の輪郭ぼけは発生しない。 The organic (inorganic) EL display panel (display device) also holds the current (voltage) written in the pixel during the period of 1F (one field or one frame). Therefore, the same problem as the liquid crystal display panel occurs. On the other hand, a display that displays an image as a set of line displays with an electron gun, such as a CRT, displays an image using the afterimage characteristics of the human eye, so that the outline blur of a moving image display image does not occur.
本発明の駆動方法では、1F/Nの期間の間だけ、EL素子15に電流を流し、他の期間(1F(N−1)/N)は電流を流さない。本発明の駆動方式を実施し画面の一点を観測した場合を考える。この表示状態では1Fごとに画像データ表示、黒表示(非点灯)が繰り返し表示される。つまり、画像データ表示状態が時間的に間欠表示状態となる。動画データ表示を、間欠表示状態でみると画像の輪郭ぼけがなくなり良好な表示状態を実現できる。つまり、CRTに近い動画表示を実現することができる。
In the driving method of the present invention, current is passed through the
本発明の駆動方法では、図6、図14に図示するように間欠表示実施することができる。しかし、間欠表示を実施するにあたり、トランジスタ11dは最大でも1H周期でオンオフ制御するだけでよい。したがって、回路のメインクロックは従来と変わらないため、回路の消費電力が増加することもない。液晶表示パネルでは、間欠表示を実現するために画像メモリが必要である。本発明は、画像データは各画素16に保持されている。そのため、本発明の駆動方法において、間欠表示を実施するための画像メモリは不要である。
In the driving method of the present invention, intermittent display can be performed as shown in FIGS. However, when performing intermittent display, the
本発明の駆動方法はスイッチングのトランジスタ11d(図1などを参照のこと)などをオンオフさせるだけでEL素子15に流す電流を制御する。つまり、EL素子15に流れる電流Iwをオフしても、画像データはそのまま画素16のコンデンサ19の保持されている。したがって、次のタイミングでスイッチング素子11dなどをオンさせ、EL素子15に電流を流せば、その流れる電流は前に流れていた電流値と同一である。
The driving method of the present invention controls the current passed through the
本発明では黒挿入(黒表示などの間欠表示)を実現する際においても、回路のメインクロックをあげる必要がない。また、時間軸伸張を実施する必要もないための画像メモリも不要である。また、有機EL素子15は電流を印加してから発光するまでの時間が短く、高速に応答する。そのため、動画表示に適し、さらに間欠表示を実施することのより従来のデータ保持型の表示パネル(液晶表示パネル、EL表示パネルなど)の問題である動画表示の問題を解決できる。
In the present invention, it is not necessary to increase the main clock of the circuit even when black insertion (intermittent display such as black display) is realized. Further, there is no need for an image memory because it is not necessary to perform time axis expansion. Further, the
さらに、大型の表示装置でソース信号線18の配線長が長くなり、ソース信号線18の寄生容量が大きくなる場合は、N値を大きくすることのより対応できる。ソース信号線18に印加するプログラム電流値をN倍にした場合、ゲート信号線17b(トランジスタ11d)の導通期間を1F/Nとすればよい。これによりテレビ、モニターなどの大型表示装置などにも適用が可能である。
Further, when the wiring length of the
電流駆動では特に黒レベルの画像表示では20nA以下の微小電流で画素のコンデンサ19をプログラムする必要がある。したがって、寄生容量が所定値以上の大きさで発生すると、1画素行にプログラムする時間(基本的には1H以内である。ただし、本発明は2画素行などの複数画素を同時に書き込む場合もあるので1H以内に限定されるものではない。)内に寄生容量を充放電することができない。1H期間で充放電できなれば、画素への書き込み不足となり、解像度がでない。
In current driving, it is necessary to program the
図1の画素構成の場合、図5(a)に示すように、電流プログラム時は、プログラム電流Iwがソース信号線18に流れる。この電流Iwがトランジスタ11aを流れ、Iwを流す電流が保持されるように、コンデンサ19に電圧設定(プログラム)される。このとき、トランジスタ11dはオープン状態(オフ状態)である。
In the case of the pixel configuration of FIG. 1, as shown in FIG. 5A, the program current Iw flows through the
次に、EL素子15に電流を流す期間は図5(b)のように、トランジスタ11c、11bがオフし、トランジスタ11dが動作する。つまり、ゲート信号線17aにオフ電圧(Vgh)が印加され、トランジスタ11b、11cがオフする。一方、ゲート信号線17bにオン電圧(Vgl)が印加され、トランジスタ11dがオンする。
Next, during a period in which a current flows through the
なお、本発明は、画素構成が電流プログラム方式のみに限定されない。たとえば、図2のような電圧プログラム方式の画素構成にも適用できる。1フレーム(フィールド)の所定期間を高い輝度で表示し、他の期間を非点灯状態にすることが、電圧駆動方式においても、動画表示性能の向上などに有効だからである。また、電圧駆動方式においても、ソース信号線18の寄生容量の影響は無視できない。特に大型EL表示パネルにおいて、寄生容量が大きいため、本発明の駆動方法を実施することは効果がある。以上の事項は、本発明の他の実施例においても同様である。
In the present invention, the pixel configuration is not limited to the current program method. For example, the present invention can also be applied to a voltage-programmed pixel configuration as shown in FIG. This is because displaying a predetermined period of one frame (field) with high luminance and turning off the other period is effective in improving the moving image display performance even in the voltage driving method. Even in the voltage drive system, the influence of the parasitic capacitance of the
図6(b)に図示するように、書き込み画素行61aを含む画素行が非点灯領域62とし、書き込み画素行61aよりも上画面のS/N(時間的には1F/N)の範囲を表示領域63とする(書き込み走査が画面の上から下方向の場合、画面を下から上に走査する場合は、その逆となる)。画像表示状態は、表示領域63が帯状になって、画面の上から下に移動する。
As shown in FIG. 6B, the pixel row including the writing pixel row 61a is a
図6の表示では、1つの表示領域63が画面の上から下方向に移動する。フレームレートが低いと、表示領域63が移動するのが視覚的に認識される。特に、まぶたを閉じた時、あるいは顔を上下に移動させた時などに認識されやすくなる。
In the display of FIG. 6, one
この課題に対しては、図15に図示するように、表示領域63を複数に分割するとよい。この分割された総和がS(N−1)/Nの面積となれば、図6の明るさと同等になる。なお、分割された表示領域63は等しく(等分に)する必要はない。また、分割された非表示領域62も等しくする必要はない。
For this problem, the
以上のように、表示領域63を複数に分割することにより画面のちらつきは減少する。したがって、フリッカの発生はなく、良好な画像表示を実現できる。なお、分割はもっと細かくしてもよい。しかし、分割するほど動画表示性能は低下する。
As described above, screen flickering is reduced by dividing
図6のように、非表示領域62を一括で挿入する方式では、外光との干渉によるフリッカが発生しやすい。たとえば、外光の蛍光灯の周波数が60Hzで、表示パネルの1フレームが60Hzのように、一致あるいは近似するときに、干渉が発生する。また、カソード電極36での外光反射による干渉も問題となる。この課題は、以下に説明するように、表示パネルの非表示領域62もしくは表示領域63の1サイクルが、外光(蛍光灯)の点滅サイクルに一致しないようにすることで解決する。表示パネルの非表示領域の1サイクルが、外光(蛍光灯)の点滅サイクルに一致しないようにすることで解決する。
As shown in FIG. 6, in the method of inserting the
本発明は、非表示または表示領域制御を、画素行に映像データを書き込む書きこみ周期と独立制御することにより実現できる。つまり、画素行に映像データを書き込むゲートドライバ12aと、非表示または表示領域制御するゲートドライバ12bとを具備することにより実現できる。もしくは、EL素子15と駆動用トランジスタ11a間に供給電流をオンオフ制御できるスイッチ用トランジスタ11dなどを具備することにより実現できる。
According to the present invention, non-display or display area control can be realized by independently controlling the writing cycle in which video data is written in a pixel row. That is, it can be realized by including a
したがって、電流プログラム方式の1つであるカレントミラー方式であっても、図16に図示するように、駆動用トランジスタ11bとEL素子15間にスイッチング素子としてのトランジスタ11eを形成または配置することにより、EL素子15に流れる電流をオンオフすることができる。したがって、前述の駆動方式を実現できる。また、図17(a)(b)(c)にも適用できることは言うまでもない。図17(a)ではスイッチング用トランジスタ11dをオンオフ制御する。図17(b)ではスイッチング用トランジスタ11e、11fのうち少なくとも一方をオンオフ制御する。図17(c)ではインバータ回路6061をオンオフ制御(Hレベル、Lレベル制御)する。また、図1の画素構成の変形である図18にも適用できることはいうまでもない。スイッチング用トランジスタ11dをオンオフ制御する。
Therefore, even in the current mirror method which is one of the current programming methods, as shown in FIG. 16, by forming or arranging the transistor 11e as a switching element between the driving
図1などで説明した画素構成では、駆動用トランジスタ11aは各画素16に1つの構成である。しかし、本発明において、駆動用トランジスタ11aは1つに限定されるものでなない。たとえば、図19の画素構成が例示される。
In the pixel configuration described with reference to FIG. 1 and the like, the driving
図19は画素16を構成するトランジスタ数を6個とし、プログラム用トランジスタ11anはトランジスタ11b2とトランジスタ11cの2個のトランジスタを経由してソース信号線18に接続されるように構成し、駆動用トランジスタ11a1はトランジスタ11b1とトランジスタ11cの2個のトランジスタを経由してソース信号線18に接続されるように構成した実施例である。
In FIG. 19, the number of transistors constituting the
図19において、駆動用トランジスタ11a1のゲート端子とプログラム用トランジスタ11anのゲート端子とを共通にしている。トランジスタ11b1は電流プログラム時に駆動用トランジスタ11a1のドレイン端子とゲート端子とを短絡するように動作する。トランジスタ11b2は電流プログラム時にプログラム用トランジスタ11anのドレイン端子とゲート端子とを短絡するように動作する。 In FIG. 19, the gate terminal of the driving transistor 11a1 and the gate terminal of the programming transistor 11an are made common. The transistor 11b1 operates so as to short-circuit the drain terminal and the gate terminal of the driving transistor 11a1 during current programming. The transistor 11b2 operates so as to short-circuit the drain terminal and the gate terminal of the programming transistor 11an during current programming.
なお、図19において、駆動用トランジスタ11a1、トランジスタ11anと各1個のように図示しているが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、駆動用トランジスタ11a1を2個以上に形成してもよい。また、トランジスタ11anを2個以上形成してもよい。また、トランジスタ11a1、11anの双方を複数個で形成してもよいことはいうまでもない。以上の事項は図1、図16、図17、図18、図21などの画素構成に対しても適用できることは言うまでもない。 In FIG. 19, the driving transistor 11a1 and the transistor 11an are illustrated as one each, but the present invention is not limited to this. For example, two or more driving transistors 11a1 may be formed. Two or more transistors 11an may be formed. Needless to say, a plurality of transistors 11a1 and 11an may be formed. Needless to say, the above items can also be applied to the pixel configurations of FIG. 1, FIG. 16, FIG. 17, FIG. 18, FIG.
トランジスタ11cは駆動用トランジスタ11a1のゲート端子に接続されており、トランジスタ11dは駆動用トランジスタ11a1とEL素子15間に形成または配置され、EL素子15に流れる電流を制御する。また、駆動用トランジスタ11a1のゲート端子とアノード(Vdd)端子間には付加コンデンサ19が形成または配置されており、駆動用トランジスタ11a1とプログラム用トランジスタ11anのソース端子はアノード(Vdd)端子に接続されている。
The
以上のように、駆動用トランジスタ11a1とプログラム用トランジスタ11anが同一数のトランジスタを通過するように構成することにより、精度を向上させることができる。つまり、駆動用トランジスタ11a1を流れる電流は、トランジスタ11b1、トランジスタ11cを通じてソース信号線18に流れる。また、プログラム用トランジスタ11anを流れる電流は、トランジスタ11b2、トランジスタ11cを通じてソース信号線18に流れる。したがって、駆動用トランジスタ11a1の電流と、プログラム用トランジスタ11anの電流は、同数の2つのトランジスタを通過してソース信号線18に流れるように構成されている。
As described above, by configuring the driving transistor 11a1 and the programming transistor 11an to pass through the same number of transistors, the accuracy can be improved. That is, the current flowing through the driving transistor 11a1 flows to the
図19では、駆動用トランジスタ11anを1つのトランジスタとして図示しているが、これに限定するものではない。駆動用トランジスタ11anは、同一チャンネル幅W、同一チャンネル長Lあるいは同一WL比の複数のトランジスタから構成してもよい。また、駆動用トランジスタ11a1の駆動用トランジスタ11anと、同一チャンネル幅W、同一チャンネル長Lあるいは同一WL比にすることが好ましい。同一WLあるいはWL比のトランジスタを複数形成する方が、各トランジスタ11aの出力バラツキが小さくなり、また画素16間のばらつきも少なくなり好ましい。
In FIG. 19, the driving transistor 11an is illustrated as one transistor, but the present invention is not limited to this. The driving transistor 11an may be composed of a plurality of transistors having the same channel width W, the same channel length L, or the same WL ratio. Further, it is preferable that the drive transistor 11an of the drive transistor 11a1 has the same channel width W, the same channel length L, or the same WL ratio. It is preferable to form a plurality of transistors having the same WL or WL ratio because the output variation of each
ゲート信号線17aに選択電圧(オン電圧)が印加されると、トランジスタ11anとトランジスタ11a1からの電流が合成されたものがプログラム電流Iwとなる。このプログラム電流Iwを、駆動用トランジスタ11a1からEL素子15に流れる電流Ieの所定倍率にする。
When a selection voltage (ON voltage) is applied to the
Iw=n・Ie(nは1以上の整数、ただし、トランジスタ11anのサイズが均等でないときは1.25などの小数点を有する数値となることは言うまでもない)。 Iw = n · Ie (n is an integer of 1 or more, but it goes without saying that when the sizes of the transistors 11an are not uniform, the numerical value has a decimal point such as 1.25).
上式において、表示パネルの最大白ラスターでの表示輝度B(nt)、表示パネルの画素面積S(平方ミリメートル)(画素面積は、RGBを1単位として取り扱う。したがって、各R、G、Bの絵素が縦0.1mm、横0.05mmであれば、S=0.1×(0.05×3)(平方ミリメートル)である)、表示パネルの1画素行選択期間(1水平走査(1H)期間)をH(ミリ秒)としたとき、以下の条件を満足するようにする。なお、表示輝度Bは、パネル仕様に規定する表示できる最大輝度である。なお、以下に示す222、100などの数値は、多くの実験を実施し、見つけ出した値である。 In the above formula, the display brightness B (nt) at the maximum white raster of the display panel, the pixel area S (square millimeter) of the display panel (the pixel area is treated with RGB as one unit. Therefore, each of R, G, B If the picture element is 0.1 mm long and 0.05 mm wide, S = 0.1 × (0.05 × 3) (square millimeter)), one pixel row selection period (one horizontal scanning ( 1H) When the period) is H (milliseconds), the following conditions are satisfied. Note that the display brightness B is the maximum displayable brightness specified in the panel specification. The numerical values such as 222 and 100 shown below are values obtained through many experiments.
5 ≦ (B・S)/(n・H) ≦ 222
さらに好ましくは、以下の条件と満足するようにする。
5 ≦ (B · S) / (n · H) ≦ 222
More preferably, the following conditions are satisfied.
10 ≦ (B・S)/(n・H) ≦ 100
Iwはソースドライバ回路(IC)14が出力するプログラム電流であり、このプログラム電流に対応する電圧が、画素16のコンデンサ19にホールドされる。また、Ieは駆動用トランジスタ11a1がEL素子15に流す電流である。
10 ≦ (B · S) / (n · H) ≦ 100
Iw is a program current output from the source driver circuit (IC) 14, and a voltage corresponding to the program current is held in the
トランジスタ11a1、トランジスタ11anの出力ばらつきに関しては、トランジスタ11anと駆動用トランジスタ11a1を近接させて形成または配置することにより改善できる。また、トランジスタ11an、トランジスタ11a1の特性は形成方向によっても特性が異なる場合がある。したがって、同一方向に形成することが好ましい。 The output variations of the transistors 11a1 and 11an can be improved by forming or arranging the transistors 11an and the driving transistor 11a1 close to each other. Further, the characteristics of the transistor 11an and the transistor 11a1 may differ depending on the formation direction. Therefore, it is preferable to form in the same direction.
ゲート信号線17aが選択されると、駆動用トランジスタ11a1およびプログラム用トランジスタ11anの両方がオンする。駆動用トランジスタ11a1が流す電流Iw1と、プログラム用トランジスタ11a1が流す電流Iw2とは、略一致させることが好ましい。最もこのましくは、プログラム用トランジスタ11anと駆動用トランジスタ11a1のサイズ(W、L)を一致させることである。つまり、Iw1=Iw2、Iw=2Ieの関係を満足させることが好ましい。もちろん、Iw1=Iw2の関係を満足させるには、トランジスタサイズ(W、L)を一致させることに限定されるものではなく、サイズを変化することにより一致させてもよい。これは、トランジスタのWLを調整することにより容易に実現できる。略Iw2/Iw1=1であれば、トランジスタ11b1とトランジスタ11b1のサイズは略一致して構成あるいは形成することができる。
When the
なお、Iw2/Iw1は、1以上10以下の関係を満足させておくことが好ましい。Iw2/Iw1は、1以上10以下の関係を満足させておくことが好ましい。さらに好ましくは、1.5以上5以下の関係を満足させておくことが好ましい
Iw2/Iw1が1以下では、ほとんど、ソース信号線18の寄生容量の影響を改善する効果は見込めない。一方Iw2/Iwが10以上となると、Iwに対するIeの関係に画素ごとにばらつきが発生し、均一な画像表示が実現できない。また、トランジスタ11bのオン抵抗の影響を大きく受けるようになり、画素設計も困難になる。
It should be noted that Iw2 / Iw1 preferably satisfies the relationship of 1 or more and 10 or less. Iw2 / Iw1 preferably satisfies a relationship of 1 or more and 10 or less. More preferably, the relationship of 1.5 or more and 5 or less is preferably satisfied. When Iw2 / Iw1 is 1 or less, the effect of improving the influence of the parasitic capacitance of the
プログラム用トランジスタ11anが流す電流Iw2が、駆動用トランジスタ11a1が流す電流Iw1に比較して一定以上大きい場合は(Iw2 > Iw1)、スイッチング用トランジスタ11b2のオン抵抗を、スイッチング用トランジスタ11b1のオン抵抗よりも小さくする必要がある。スイッチング用トランジスタ11b2は、トランジスタ11b1よりも大きな電流を、同一のゲート信号線17aの電圧にたいして流すように構成する必要があるからである。
When the current Iw2 flowing through the programming transistor 11an is larger than the current Iw1 flowing through the driving transistor 11a1 (Iw2> Iw1), the on-resistance of the switching transistor 11b2 is set higher than the on-resistance of the switching transistor 11b1. Need to be smaller. This is because the switching transistor 11b2 needs to be configured so that a current larger than that of the transistor 11b1 flows to the voltage of the same
つまり、駆動用トランジスタ11a1の出力電流の大きさに対するトランジスタ11b1の大きさと、プログラム用トランジスタ11anの出力電流の大きさに対するトランジスタ11b2の大きさをマッチングさせる必要がある。 That is, it is necessary to match the magnitude of the transistor 11b1 with respect to the magnitude of the output current of the driving transistor 11a1 and the magnitude of the transistor 11b2 with respect to the magnitude of the output current of the programming transistor 11an.
言い換えれば、プログラム電流Iw2、プログラム電流Iw1に対して、トランジスタ11bのオン抵抗を変化させる必要がある。また、プログラム電流Iw2、プログラム電流Iw1に対して、トランジスタ11b1と11b2のサイズを変化させる必要がある。
In other words, it is necessary to change the on-resistance of the
プログラム電流Iw2がプログラム電流Iw1よりも大きければ、トランジスタ11b2のオン抵抗はトランジスタ11b1のオン抵抗よりも小さくする必要がある(トランジスタ11b1とトランジスタ11b2のゲート端子電圧が同一の場合である)。プログラム電流Iw2がプログラム電流Iw1よりも大きければ、トランジスタ11b2のオン電流(Iw2)はトランジスタ11b1のオン電流(Iw1)よりも大きくする必要がある(トランジスタ11b1とトランジスタ11b2のゲート端子電圧が同一の場合である)。 If the program current Iw2 is larger than the program current Iw1, the on-resistance of the transistor 11b2 needs to be smaller than the on-resistance of the transistor 11b1 (in the case where the gate terminal voltages of the transistor 11b1 and the transistor 11b2 are the same). If the program current Iw2 is larger than the program current Iw1, the on-current (Iw2) of the transistor 11b2 needs to be larger than the on-current (Iw1) of the transistor 11b1 (when the gate terminal voltages of the transistor 11b1 and the transistor 11b2 are the same) Is).
Iw2:Iw1=n:1とし、ゲート信号線17aにオン電圧が印加され、トランジスタ11b1とトランジスタ11b2がオンしたときのトランジスタ11b2のオン抵抗をR2、トランジスタ11b1のオン抵抗をR1とする。この時、R2は、R1/(n+5)以上、R1/(n)以下の関係を満足するように構成する。構成するとは、トランジスタ11bの所定のサイズに形成するあるいは配置するもしくは動作させる意味である。ただし、nは1よりも大きな値である。
When Iw2: Iw1 = n: 1, an on-voltage is applied to the
上記事項は、トランジスタ11b1とトランジスタ11b2のオン抵抗Rあるいは、プログラム電流Iwの説明である。したがって、上記条件を満足するように画素構成を実現すればいずれの構成でもよい。たとえば、トランジスタ11b1のゲート端子に接続されたゲート信号線17と、トランジスタ11b2のゲート端子に接続されたゲート信号線17とが異なる信号線の場合は、各ゲート信号線に印加する電圧を変化させれば、オン抵抗などを変化でき、本発明の条件を満足させることできる。
The above item is an explanation of the on-resistance R of the transistor 11b1 and the transistor 11b2 or the program current Iw. Accordingly, any configuration is possible as long as the pixel configuration is realized so as to satisfy the above-described conditions. For example, when the
図20は図19の画素構成の動作の説明図である。図20(a)は電流プログラム状態であり、図19(b)はEL素子15に電流を供給している状態である。なお、図20(b)の状態で、トランジスタ11dをオンオフさせて間欠表示を実施してもよいことは言うまでもない。
FIG. 20 is an explanatory diagram of the operation of the pixel configuration of FIG. FIG. 20A shows a current program state, and FIG. 19B shows a state in which current is supplied to the
図20(a)では、ゲート信号線17aにオン電圧が印加され、トランジスタ11b1、11b2、11cがオンする。トランジスタ11a1は電流Ieを供給し、トランジスタ11anは電流Iw−Ieを供給し、合成した電流IwがソースドライバIcにプログラム電流となる。以上の動作により、プログラム電流Iwに対応する電圧がコンデンサ19に保持される。電流プログラム時にはトランジスタ11dはオフ状態に保持される(ゲート信号線17bにはオフ電圧が印加されている)。
In FIG. 20A, an on voltage is applied to the
EL素子15に電流を流す場合が、図20(b)の動作状態にされる。ゲート信号線17aにオフ電圧が印加され、ゲート信号線17bにオン電圧が印加される。この状態では、トランジスタ11b1、11b2、11cがオフ状態になり、トランジスタ11dがオン状態になる。EL素子15にIe電流が供給される。
The case where a current is passed through the
以上の実施例は、主として図1の変形例の実施例であった。本発明はこれに限定するものではなく、図16などのカレントミラーの画素構成にも適用することができる。また、図17(a)(b)(c)にも適用できることは言うまでもない。 The above embodiment is mainly an embodiment of the modification of FIG. The present invention is not limited to this, and can also be applied to a pixel configuration of a current mirror as shown in FIG. Needless to say, the present invention can also be applied to FIGS. 17 (a), 17 (b), and 17 (c).
また、図1などの画素構成は、トランジスタ11dによりEL素子15に流す電流をトランジスタ11dにより制御するものであったが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図20に図示するように、トランジスタ11dがなくともEL素子15に印加する電流をオンオフ制御することができる。
In the pixel configuration shown in FIG. 1 and the like, the current flowing through the
図20では、ゲートドライバ回路12bは、ゲート信号線17bを制御し、ゲート信号線17bの電位は、Vdd電圧と、それより低い電圧であるEL素子15に電流が流れない電圧Vgで駆動される。つまり、ゲート信号線17bには、Vdd電圧とVg電圧が出力される。ゲート信号線17bにVdd電圧が印加されたときは、EL素子15に電流が流れ、ゲート信号線17bにVg電圧が印加されたときには、EL素子15には電流が流れない。図20の画素構成では、トランジスタ11dがなくとも、ゲートドライバ11bの制御によりDuty比制御、基準電流比制御、点灯率制御が実現できる。
In FIG. 20, the
理解を容易にするため、映像データとプログラム電流は比例の関係で変換されるとして説明する。実際はさらに容易に、映像データとプログラム電流とを変換できる。図22に図示するように本発明は単位トランジスタ224の単位電流が、映像データの1に該当するからである。さらに、単位電流は基準電流回路を調整することにより、容易に任意の値に調整できるからである。また、基準電流はR、G、B回路ごとに設けられており、RGB回路に基準電流回路を調整することにより全階調範囲にわたりホワイトバランスをとることができるからである。このことは電流プログラム方式で、かつ本発明のソースドライバ回路(IC)14、表示パネル構成の相乗効果である。以下、本発明のソースドライバ回路(IC)14について説明をする。
In order to facilitate understanding, description will be made assuming that the video data and the program current are converted in a proportional relationship. Actually, video data and program current can be converted more easily. This is because the unit current of the
なお、以下の実施例では、単位トランジスタ群251cなどはソースドライバ回路(IC)14に形成あるいは構成するとして説明するが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図12では、単位トランジスタ群251cなどはアレイ基板30に形成している。つまり、画素16と単位トランジスタ群251c、ゲートドライバ回路12をアレイ基板30に形成し、他の部分をソースドライバ回路(IC)14に形成した実施例である。
In the following embodiments, the
EL表示パネルでは、プログラム電流とEL素子15の発光輝度が線形の関係にあるという特徴がある。このことは電流プログラム方式の大きな特徴である。つまり、プログラム電流の大きさを制御すれば、リニアにEL素子15の発光輝度を調整できる。
The EL display panel is characterized in that the program current and the light emission luminance of the
駆動用トランジスタ11aはゲート端子に印加した電圧と、駆動用トランジスタ11aが流す電流とは非線形である(2乗カーブになることが多い)。したがって、電圧プログラム方式では、プログラム電圧と発光輝度とは非線形の関係にあり、きわめて発光制御が困難である。電圧プログラムに比較して電流プログラム方式では極めて発光制御が容易である。
In the driving
以下、図22、図23などを参照しながら、本発明のソースドライバ回路(IC)14について説明をする。ソースドライバ回路(IC)14は、出力端子数に対応する出力段(トランジスタ群)251cが形成または配置されている。各出力段251cには、映像信号のビット数に対応するトランジスタ(電流源(1単位)電流)224が形成または配置されている。たとえば、基本的には映像信号が6ビット(D0〜D5)の場合は、2の6乗−1=63個のトランジスタ224が形成される。映像信号が8ビット(D0〜D7)の場合は、2の8乗−1=255個のトランジスタ224が形成される。図24は、この基本を変形した実施例である。図24に関しては後に説明をする。
Hereinafter, the source driver circuit (IC) 14 of the present invention will be described with reference to FIGS. In the source driver circuit (IC) 14, output stages (transistor groups) 251c corresponding to the number of output terminals are formed or arranged. In each
以下、説明を容易にするため、ソースドライバ回路(IC)14は6ビットであるとして説明をする。図22において、各トランジスタ224は、映像データビット(D0〜D5)ごとに配置される。D0ビットには1つのトランジスタ224が配置される。D1ビットには2つのトランジスタ224が配置される。D2ビットには4つのトランジスタ224が配置され、D3ビットには8つのトランジスタ224が配置され、D4ビットには16つのトランジスタ224が配置される。同様に、D5ビットには32つのトランジスタ224が配置されている。
Hereinafter, for ease of explanation, the source driver circuit (IC) 14 is assumed to be 6 bits. In FIG. 22, each
各ビットのトランジスタ224の出力電流が出力端子93に出力されるか否かは、アナログスイッチ221(221a〜221f)によるオンオフ制御で実現される。アナログスイッチ221a〜221fは映像信号の各ビット(一例として6ビット)に対応する。D0ビットに対応するスイッチ221aが閉じると、1単位電流が出力端子93から出力(入力)される。出力端子93には、ソース信号線18が接続されている。同様に、D1ビットに対応するスイッチ221bが閉じると、2単位電流が出力端子93から出力(入力)される。以下、D2ビットに対応するスイッチ221cが閉じると、4単位電流が出力端子93から出力(入力)され、D3ビットに対応するスイッチ221cが閉じると、8単位電流が出力端子93から出力(入力)され、D4ビットに対応するスイッチ221dが閉じると、16単位電流が出力端子93から出力(入力)され、D5ビットに対応するスイッチ221cが閉じると、32単位電流が出力端子93から出力(入力)される。以上のように、映像信号のビットに対応して、デジタル的にスイッチ221がクローズまたはオープンし、映像信号に応じて電流(プログラム電流)が出力端子93から出力される。
Whether or not the output current of the
また、プログラム電流は内部配線222を流れる。内部配線222の電位Vwは、ソース信号線18の電位となる。ソース信号線18の電位は、電流プログラム時は、画素16の駆動用トランジスタ11aのゲート電圧である。
The program current flows through the
単位トランジスタ224はトランジスタ228bとカレントミラー回路を構成している。なお、図22、図23では、トランジスタ228bを1つと図示しているが、実際は、複数のトランジスタ(トランジスタ群)で構成(形成)される。トランジスタ228bとトランジスタ群251cとは所定のカレントミラー比でカレントミラー回路を構成する。つまり、トランジスタ228bも多数の単位トランジスタを有する群として構成されている。ただし、トランジスタ群251cを構成する単位トランジスタ224とトランジスタ228bを構成する単位トランジスタのサイズ、特定は異ならせてもよいことはいうまでもない。また、トランジスタ228aも複数のトランジスタで形成あるいは構成してもよいことは言うまでもない。以上のように、1つの動作を行うトランジスタを複数の同一特性のトランジスタからなるトランジスタ群で形成することにより、特性バラツキが少なくなり、良好な動作を実現できる。
The
トランジスタ228bには基準電流Icが流れ、この基準電流Icのカレントミラー比に応じた電流が単位トランジスタ224に流れる。図22の63個の単位トランジスタ224はすべて同一の単位電流を出力する。単位電流が流れるためには、該当のスイッチ221が閉じ、電流経路を構成する必要がある。
A reference current Ic flows through the
基準電流Icはオペアンプ231aと抵抗R1からなる定電流回路で発生する。基準電流Icは基準電圧Vsを安定化かつ高精度化することにより一定化する。基準電流Icを設定する電圧ViとVsが抵抗R1の両端に印加される。したがって、基準電流Ic=(Vs−Vi)/R1となる。基準電流IcはRGBごとに設定することができる。つまり、RGBごとにトランジスタ群251cが構成(形成)されている。前記トランジスタ群251cのトランジスタ228bに流れる電流Icを設定(調整)できる。抵抗R1は、ソースドライバ回路(IC)14外に配置されており、抵抗R1の値をRGBで調整することにより、良好にホワイトバランスを調整あるいは設定できる。
The reference current Ic is generated by a constant current circuit including an
図23(a)は基準電流Icを、Vs電圧を用いて発生する回路構成である。図23(b)はGNDとオペアンプ231aの−端子間に配置(挿入)された抵抗R1を用いて基本的な電流を発生させ、トランジスタ232bとトランジスタ228aからなるカレントミラー回路で折り返し、トランジスタ228bに基準電流Icを流す構成である。図23(b)の方が、基準電流のIcの大きさを調整しやすい。しかし、トランジスタ232bとトランジスタ228aからなるカレントミラー回路で折り返すために、バラツキが発生しやすい。
FIG. 23A shows a circuit configuration for generating the reference current Ic using the Vs voltage. In FIG. 23B, a basic current is generated by using a resistor R1 disposed (inserted) between GND and the negative terminal of the
本発明は図24(a)に図示するように、各ビットに1つまたは複数の単位トランジスタ224を形成または配置するとした。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、各ビットに、各ビットに応じた電流を出力する1つのトランジスタ224を形成または配置してもよいことは言うまでもない。たとえば、1ビット目のトランジスタは、0ビット目のトランジスタの2倍の電流を出力するトランジスタを1個形成または配置する。2ビット目のトランジスタは、0ビット目のトランジスタの4倍の電流を出力するトランジスタを1個形成または0ビット目のトランジスタの42の電流を出力するトランジスタを2個形成または配置する。
In the present invention, as shown in FIG. 24A, one or
図24(a)に図示するように、64階調(RGB各6ビット)の場合は、63個の単位トランジスタ224を形成するとした。したがって、256階調(RGB各8ビット)の場合、255個の単位トランジスタ224が必要になることになる。
As shown in FIG. 24A, in the case of 64 gradations (RGB each 6 bits), 63
電流駆動方式では、電流の加算ができるという特徴ある効果がある。また、単位トランジスタ224において、チャンネル長Lを一定にし、チャンネル幅Wを1/2にすれば、単位トランジスタ224が流す電流がおよそ1/2になるという特徴ある性質がある。同様に、チャンネル長Lを一定にし、チャンネル幅Wを1/4にすれば、単位トランジスタ224が流す電流がおよそ1/4になるという特徴ある性質がある。
The current driving method has a characteristic effect that current can be added. Further, the
図24(a)は、各ビットに対して同一のサイズの単位トランジスタ224を配置したトランジスタ群251cの構成である。説明を容易にするため、図24(a)は63個の単位トランジスタ224が構成され、6ビットのトランジスタ群251cを構成(形成)しているとする。また、図24(b)は8ビットであるとする。
FIG. 24A shows a configuration of a
図24(b)では、下位2ビット(Aで示す)は、単位トランジスタ224よりも小さいサイズのトランジスタで構成している。最小ビット目の第0ビット目は、単位トランジスタ224のチャンネル幅Wの1/4で形成している(単位トランジスタ224bで示す)。また、第1ビット目は、単位トランジスタ224のチャンネル幅Wの1/2で形成している(単位トランジスタ224aで示す)。なお、単位トランジスタ224aは、単位トランジスタ224のチャンネル幅Wの1/4である単位トランジスタ224bを2個で形成してもよい。
In FIG. 24B, the lower 2 bits (indicated by A) are composed of transistors having a size smaller than that of the
以上の実施例では、単位トランジスタ224bのWは、単位トランジスタ224のWの1/4であるとした。たとえば、単位トランジスタ224のWが6μmであれば、単位トランジスタ224bのWは1/4の1.5μmとなる。しかし、これは理想的な特性を示す場合である。本発明では、1.5μmより大きくしている。つまり、2.0μmなど大きくしている。大きくすることにより、単位トランジスタ224bの4倍の電流が単位トランジスタ224の電流と一致するように構成することができる。以上の事項は後にさらに詳しく説明をする。
In the above embodiment, the W of the
単位トランジスタ224a、224b、224のゲート端子は同一のゲート配線222に接続される。ゲート配線223はトランジスタ228bのゲート端子と接続されている。
The gate terminals of the
以上のように、下位2ビットは上位の単位トランジスタ224よりも小さいサイズの単位トランジスタ(224a、224b)で形成している。また、正規の単位トランジスタ224の個数は63個で変化がない。したがって、6ビットから8ビットに変更しても、トランジスタ群251cの形成面積は図24(a)と図24(b)で大差はない。
As described above, the lower 2 bits are formed by unit transistors (224a, 224b) having a size smaller than that of the
図24(b)に図示するように、6ビットから8ビット仕様に変化させても出力段のトランジスタ群251cのサイズが大きくならないのは、電流の加算ができるという点、単位トランジスタ224において、チャンネル長Lを一定にし、チャンネル幅Wを1/nにすれば、単位トランジスタ224が流す電流がおよそ1/nになるという点をうまく利用しているからである。
As shown in FIG. 24B, the size of the
また、図24(b)に図示するように、単位トランジスタ224a、224bのようにトランジスタサイズが小さくなると、出力電流バラツキも大きくなる。しかし、いかにバラツキが大きくとも、単位トランジスタ224aまたは224bの出力電流は加算される。したがって、図24(a)の6ビット仕様より、図24(b)の8ビット仕様のほうが高階調出力を実現できる。
Further, as illustrated in FIG. 24B, when the transistor size is reduced as in the
実際にはチャンネル幅Wを1/2にしても出力電流は正確には1/2にはならない。多少の補正が必要である。本発明に説明する。チャンネル幅W1/2にすることに大きな意味を持つものではなく、トランジスタ24aの出力電流を単位トランジスタ224の出力電流を1/2にすることに技術的意味がある。したがって、チャンネル幅Wだけでなく、チャンネル長Lを変化させて出力電流を1/2あるいは1/4のように、略整数分の1に構成すれはよい。また、図24(b)で図示した単位トランジスタ224、224a、224bは同一ゲート電圧で動作させる。これは図22に図示するように、ゲート配線223にすべての単位トランジスタのゲート端子を接続することにより容易に実現できる。また、すべての単位トランジスタ(224、224a、224b)はトランジスタ228bとカレントミラー回路を構成させればよい。
Actually, even if the channel width W is halved, the output current is not exactly halved. Some correction is required. The present invention will be described. It does not have a great meaning to make the channel width W1 / 2, but it has a technical meaning to make the output current of the transistor 24a ½ the output current of the
チャンネル幅Wを1/2にすると、トランジスタのゲート端子電圧を同一とした場合、出力電流は、1/2以下となる。そのため、本発明は、下位ビットを構成するトランジスタと、上位ビットを構成するトランジスタのサイズと変化させる場合、以下のようにトランジスタサイズを設定している。 When the channel width W is halved, the output current is ½ or less when the gate terminal voltages of the transistors are the same. Therefore, in the present invention, when changing the size of the transistor constituting the lower bit and the size of the transistor constituting the upper bit, the transistor size is set as follows.
まず、ソースドライバ回路(IC)14の単位トランジスタ224を2種類のサイズのように、少ない形状で構成する。複数の単位トランジスタ224のチャンネル長Lは同一にする。つまり、チャンネル幅Wのみを変化させる。第1の単位トランジスタの第1の単位出力電流と、第2の単位トランジスタの第2の単位出力電流の比をn(第1の単位出力電流:第2の単位出力電流=1:n、ただし、nは1より小さい値)とするとき、第1の単位トランジスタのチャンネル幅W1 < 第2の単位トランジスタのチャンネル幅W2×n×aの関係となるように構成する。
First, the
W1×n×a=W2とした場合、1.05< a <1.3の関係が成り立つようにすることが好ましい。補正aは、テストトランジスタを形成し、測定することにより補正係数を容易に把握することができる。 When W1 × n × a = W2, it is preferable that the relationship of 1.05 <a <1.3 is satisfied. In the correction a, a correction coefficient can be easily grasped by forming and measuring a test transistor.
本発明は、下位のビットを作製(構成)するために、上位のビットの単位トランジスタ224に比較して小さい小単位トランジスタを形成または配置するものである。この小さいという概念は、上位ビットを構成する単位トランジスタ224の出力電流よりも小さいという意味である。したがって、単位トランジスタ224に比較してチャンネル幅Wが小さいだけでなく、同時にチャンネル長Lも小さい場合も含まれる。また、他の形状も含まれる。また、たとえば、単位トランジスタ224aの出力電流が単位トランジスタ224の1/2とは精度が要求されるものではない。したがって、各ビットでの出力電流が反転しないように、60%〜140%の範囲で設定できればよい。つまり、略1/2、略1/4であればよい。
In the present invention, a small unit transistor smaller than the
図24(b)はトランジスタ群251cを構成する単位トランジスタ224のサイズを複数種類とするものであった。図24(b)では3種類(224、224a、224b)としている。この理由は、先に説明したように、単位トランジスタ224のサイズが異なると出力電流の大きさが形状に比例しないため、設計が難しくなるからである。したがって、トランジスタ251cを構成する単位トランジスタ224のサイズは低階調用と高階調用の2種類とすることが好ましい。たとえば、図24(b)において、低階調の単位トランジスタである0ビット目の単位トランジスタ224bを2個用いて、1ビット目を構成すればよい。つまり、高階調用の単位トランジスタ224で2ビット目から7ビット目を形成し、低階調の単位トランジスタ224bを用いて0ビット目と1ビット目を形成する。しかし、本発明はこれに限定するものではない。3種類以上であってもよいことは言うまでもない。
FIG. 24B shows a plurality of types of
図26でも図示しているように、トランジスタ群251cを構成する単位トランジスタ224のゲート端子は、1つのゲート配線223で接続されている。ゲート配線223に印加された電圧により単位トランジスタ224の出力電流が決定される。したがって、トランジスタ群251c内の単位トランジスタ224の形状が同一であれば、各単位トランジスタ224は同一の単位電流を出力する。
As shown in FIG. 26, the gate terminals of the
本発明は、トランジスタ群251cを構成する単位トランジスタ224のゲート配線223を共通にすることには限定されない。たとえば、図25(a)のように構成してもよい。なお、トランジスタ群251bとはトランジスタ228bが対応する。つまり、トランジスタ群251cによりトランジスタ228bが構成されている。図25(a)において、トランジスタ群251b1とカレントミラー回路を構成する単位トランジスタ224と、トランジスタ群251b2とカレントミラー回路を構成する単位トランジスタ224とが配置されている。
The present invention is not limited to the
トランジスタ群251b1はゲート配線223aで接続されている。トランジスタ群251b2はゲート配線223bで接続されている。図25(a)の一番上の1個の単位トランジスタ224はLSB(0ビット目)であり、2段目の2個の単位トランジスタ224は1ビット目、3段目の4個の単位トランジスタ224は2ビット目である。また、4段目の組の8個の単位トランジスタ224は3ビット目である。
The transistor group 251b1 is connected by a
図25(a)において、ゲート配線223aとゲート配線223bの印加電圧を変化させることにより、各単位トランジスタ224のサイズ、形状が同一であっても、各単位トランジスタ224の出力電流をゲート配線223の印加電圧により変化(変更)することができる。
In FIG. 25A, by changing the voltage applied to the
図25(a)において、単位トランジスタ224のサイズなどを同一にして、ゲート配線223a、223bの電圧を異ならせるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。単位トランジスタ224のサイズなどを異ならせ、印加するゲート配線223a、223bの電圧を調整することにより、異なる形状の単位トランジスタ224の出力電流を同一となるようにしてもよい。
In FIG. 25A, the
図24では、低階調のビットを構成する単位トランジスタ224サイズは、高階調を構成する単位トランジスタ224よりも小さくした。単位トランジスタ224のサイズが小さくなると、出力バラツキが大きくなる。この課題を解決するため、実際には、低階調の単位トランジスタ224はチャンネル長Lを高階調よりも大きくし、単位トランジスタ224の面積を小さくならないようにしてバラツキを抑制している。たとえば、単位トランジスタ224aのチャンネル幅Wbは単位トランジスタ224のチャンネル幅Wと同一に、単位トランジスタ224aのチャンネル長Lbは単位トランジスタ224のチャンネル長Lの2倍に形成する。
In FIG. 24, the size of the
ソースドライバ回路(IC)14の単位トランジスタ224の最小出力電流は0.5nA以上10nAにしている。特に単位トランジスタ224の最小出力電流は2nA以上20nAにすることがよい。ドライバIC14内の単位トランジスタ群251cを構成する単位トランジスタ224の精度を確保するためである。
The minimum output current of the
以上のように構成することにより、各出力端子93の出力バラツキを低減することができる。特に、各端子間の隣接バラツキを低減することができる。さらに、出力バラツキを低減するためには、図27のように構成する。
By configuring as described above, the output variation of each
図27と、図26との差異は、出力段251cの出力側に、出力選択回路1531を有する構成である。出力選択回路は1531、主として選択回路とアナログスイッチから構成される。出力選択回路1531は、任意の出力段251cの出力電流を、任意の出力端子93から出力させることができる。つまり、シャッフル回路である。
The difference between FIG. 27 and FIG. 26 is that the
たとえば、出力段251c1の出力電流は、出力端子93aに出力することができるし、出力端子93c、93nにも出力することができる。つまり、出力段251c1のプログラム電流をどの出力端子93にでも出力させることができる。出力選択回路1531の切り換えタイミング(動作タイミング)は、コントローラ722により制御される。たとえば、出力選択回路1531の制御により、出力段251aの出力信号を、1水平走査期間の前半に出力端子93aに出力し、後半に出力端子93bに出力することができる。また、出力選択回路1531は、出力段251cに設定される階調番号により動作を変化させることができる。
For example, the output current of the output stage 251c1 can be output to the
出力選択回路1531は、1つまたは複数の出力段251cからの出力信号(電圧または電流)を1つまたは複数の出力端子93から出力されるように動作させることができることは言うまでもない。たとえば、出力段251c1、251c3、251c5の出力電流を合成して、出力端子93aに出力することができる。また、出力段251c1、251c3、251c5の出力電流を合成して、出力端子93aと出力端子93bの両方に出力することができる。また、出力段251c1の出力電流を合成して、出力端子93aと出力端子93bの両方に出力することができる。
It goes without saying that the
本発明の出力選択回路1531の説明は、出力段251cが電流出力であるとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、出力段251cが電圧出力であってもよい。つまり、ソースドライバ回路(IC)14が液晶表示パネルのように、電圧駆動を実施する場合が例示される。なお、EL表示パネルが電圧駆動である場合も同様に適用される。また、出力選択回路1531は、ソースドライバ回路(IC)14がシリコンチップとして構成され、前記チップ14に内蔵されているとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、出力選択回路1531を、ポリシリコン技術などでガラス基板30に直接形成してもよい。また、別チップに形成または構成してもよい。
The
出力段251cは単位トランジスタ224で構成されるため、各出力段251の出力電流バラツキは小さい。しかし、ソースドライバ回路(IC)のチップには、穏やかなモビリティ特性、Vt特性のうねりがある。このうねりにより出力段251cから出力電流は変化する。
Since the
このうねりの影響がない様にするには、1つの出力段251cを構成する単位トランジスタ224の形成領域をうねりの周期にまたがる大きさ(範囲あるいは面積)に形成すればよい。しかし、この場合は、単位トランジスタ224の形成面積が大きく、巨大なチップサイズとなってしまう。本発明はこの課題に対して、1つに出力端子93に出力する電流を、チップ14内の比較的広い領域から選択肢、選択する領域を一定条件で変化させることにより形成(発生)させる。たとえば、出力端子93aに、38階調目のプログラム電流を出力させ、ある画素16に32階調目のプログラム電流を書き込む場合を例示する。1フィールド(フレーム)目では、出力選択回路1531は、出力段251c1から、38階調目のプログラム電流を出力されるように制御し、この出力段251c1からプログラム電流を出力端子93aから出力する。
In order to prevent the influence of this undulation, the formation region of the
次のフィールド(フレーム)では、出力段251c2から、38階調目のプログラム電流を出力されるように制御し、この出力段251c2からプログラム電流を出力端子93aから出力する。さらに次のフィールド(フレーム)では、出力選択回路1531は、出力段251c3から、38階調目のプログラム電流を出力されるように制御し、この出力段251c3からプログラム電流を出力端子93aから出力する。以降、この動作を順次繰り返す。また、各出力端子93からは、対応する(書き込む)画素に応じて各出力段251cの階調設定がなされ、プログラム電流がソース信号線18に出力される。
In the next field (frame), control is performed so that the program current of the 38th gradation is output from the output stage 251c2, and the program current is output from the output stage 251c2 from the
図28は以上の動作を表にまとめたものである。図28は、出力端子93と、水平走査期間(H)の関係を示している。ただし、理解を容易にするため、階調に関する記載は省略している。つまり、単に出力端子93には、各Hにどの出力段251cからのプログラム電流が出力されているかを示している。
FIG. 28 summarizes the above operations in a table. FIG. 28 shows the relationship between the
図28において、出力端子93aには、出力選択回路1531により、1H目に出力段251c1が選択される。なお、表では出力段251c1の1を図示している。2H目に出力段251c2が選択され(表では2と図示している)、3H目に出力段251c3(図28の表では3と図示している)が選択される。さらに、次の4H目では出力段251c4が選択され(図28の表では4を図示している)、5H目では、出力段251c5が選択される。
In FIG. 28, the output stage 251c1 is selected at the 1H level by the
同様に、出力端子93bには、出力選択回路1531により、1H目に出力段251cn(最終段の出力段)が選択される。なお、表では出力段251cnのnを図示している。2H目に出力段251c1が選択され(表では1と図示している)、3H目に出力段251c2(図28の表では2と図示している)が選択される。さらに、次の4H目では出力段251c3が選択され(図28の表では3を図示している)、5H目では、出力段251c4が選択される。以下、同様である。
Similarly, for the
同様に出力端子93cには、出力選択回路1531により、1H目に出力段251cn−1が選択される。なお、表ではn−1と図示している。2H目に出力段251cnが選択され(表ではnと図示している)、3H目に出力段251c1(図28の表では1と図示している)が選択される。さらに、次の4H目では出力段251c2が選択され(図28の表では2を図示している)、5H目では、出力段251c3が選択される。以下同様である。
Similarly, for the
以上のように、たとえば、出力端子93aには、Hごとに異なる出力段251cからのプログラム電流が出力され、ソース信号線18を介して画素に順次印加される。
As described above, for example, the program current from the
さらに理解を容易にするため、出力端子93aを例示して説明する。1H目ではソース信号線18a(出力端子93aに接続されたソース信号線)に印加される(出力される)出力段は251c1である。1H目では、第1画素行目で、かつソース信号線18aに接続された画素に出力段251c1からの信号が印加される。2H目ではソース信号線18a(出力端子93aに接続されたソース信号線)に印加される(出力される)出力段は251c2である。2H目では、第2画素行目で、かつソース信号線18aに接続された画素に出力段251c2からの信号が印加される。同様に、3H目ではソース信号線18a(出力端子93aに接続されたソース信号線)に印加される(出力される)出力段は251c3である。3H目では、第3画素行目で、かつソース信号線18aに接続された画素に出力段251c3からの信号が印加される。以上の動作を順次最終のm画素行(mは最終の画素行番号)の画素に実施していく。画素の選択はゲートドライバ回路17aにより選択される。
For easier understanding, the
最終画素行まで以上の動作を実施すると、また、第1画素行に対して以上の動作を行う。ただし、第1画素行の画素には、出力段251c1以外の出力信号が印加される。たとえば、出力段251c2の出力信号が印加される。つまり、フィールド(フレーム)ごとに異なる出力段251cの出力信号が印加されるようにし、各画素16に書き込まれる信号を平均化し出力段251cの出力ムラ分布が反映されないようにしている。各画素16に書き込まれる出力段251cからの信号はランダム化することが好ましいが、これが不可能な場合は、少なくとも2つの出力段251cの出力が書き込まれて平均化されるように制御する。以上の事項は、第2画素行の画素以降にも同様に適用される。また、出力端子93a以外(93b〜93n)に対しても同様の動作が実施される。
When the above operation is performed up to the final pixel row, the above operation is performed on the first pixel row. However, an output signal other than the output stage 251c1 is applied to the pixels in the first pixel row. For example, the output signal of the output stage 251c2 is applied. That is, the output signal of the
以上のように、基本的には1つの出力段251cの出力と1つの出力端子とが、出力選択回路1531により選択され、各出力段251cの出力がソース信号線18に印加される。ソース信号線18から出力される信号は、正規の(正常な)画像表示となるように、ラッチ回路351にラッチ保持される。
As described above, basically, the output of one
1画面あるいは一定の表示周期が終了すると、出力端子93から出力される出力段521cの順番を入れ替えることが好ましい。たとえば、図28の表の状態が、1フレーム目とする。次の2フレーム目では、図28の表の出力端子93aの出力段251cの選択状態(251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)を、出力端子93bの出力段251cの選択状態(251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)とする。図28の表の出力端子93bの出力段251cの選択状態(251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)を、出力端子93cの出力段251cの選択状態(251cn−1、251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)とする。図28の表の出力端子93cの出力段251cの選択状態(251cn−1、251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)を、出力端子93dの出力段251cの選択状態(251cn−2、251cn−1、251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)とする。以後同様にシフトさせる。
When one screen or a fixed display cycle is completed, the order of the output stage 521c output from the
次の3フレーム目では、出力端子93aの出力段251cの選択状態(251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)を、出力端子93bの出力段251cの選択状態(251cn−1、251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)とする。出力端子93bの出力段251cの選択状態(251cn−1、251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)を、出力端子93cの出力段251cの選択状態(251cn−1、251cn−1、251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)とする。出力端子93cの出力段251cの選択状態(251cn−2、251cn−1、251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)を、出力端子93dの出力段251cの選択状態(251c−3、251cn−2、251cn−1、251cn、251c1、251c2、251c3、251c4・・・・・・)とする。以後同様にシフトさせる。
In the next third frame, the selection state (251cn, 251c1, 251c2, 251c3, 251c4,...) Of the
なお、本発明では説明を容易にするため、1フレームまたは1フィールドで出力端子93から出力される状態を入れ替えるとして説明するが、これに限定するものではない。複数フレームまたはフィールドで入れ替えてもよい。また、複数画素行(複数水平走査期間)ごとに入れ替えてもよい。また、フレームまたは画素行(水平走査期間)に限定されるものではなく、一定周期もしくはランダム周期で入れ替えてもよい。以上の事項は本発明の他の実施例にも適用されることは言うまでもない。
In the present invention, for ease of explanation, the state output from the
シフトさせることにより、画面94の表示状態は、出力段251cの特性の影響を受けず、均一な表示を実現できる。シフトの方式には他の方法も例示される。
By shifting, the display state of the
たとえば、フレームごとに、出力端子93aと出力端子93nの状態を入れ替える。出力端子93bと出力端子93n−1の状態を入れ替える。出力端子93cと出力端子93n−2の状態を入れ替える。以下同様で入れ替える。つまり、画面の左右を入れ替える。
For example, the states of the
また、他の方法も例示される。たとえば、フレームごとに、奇数番目の出力端子93と偶数番目の出力端子93の状態とを入れ替える。もちろん、ランダムに入れ替えてもよい。
Other methods are also exemplified. For example, the states of the odd-numbered
また、第1のフレームでは、出力端子93aと出力端子93bの状態とを入れ替える。次の第2のフレームでは、出力端子93aと出力端子93cの状態とを入れ替える。次の第3のフレームでは、出力端子93aと出力端子93dの状態とを入れ替える。次の第4のフレームでは、出力端子93aと出力端子93ce状態とを入れ替える。以下、他の出力端子も同様に入れ替える方法が例示される。
In the first frame, the states of the
また、第1、第3のフレームなどの奇数番目のフレームでは、奇数番目の出力端子93間で入れ替え、偶数番目の出力端子93間で入れ替える。第2、第4のフレームなどの偶数番目のフレームでは、隣接した奇数番目と偶数番目の出力端子93間で入れ替える方式が例示される。
In odd-numbered frames such as the first and third frames, the odd-numbered
また、ソースドライバ回路(IC)14では、4mm〜8mmの周期で特性周期が分布する。これは、IC製造時の拡散工程により発生する。したがって、出力端子93の入れ替え範囲は、4mm以上の範囲で実施する。たとえば、出力段251a〜251nの形成長さが20mmあり、4mm周期で特性分布が発生する恐れがある場合は、少なくとも20/5=5ブロック以下の範囲内で出力端子93と出力段251cとの接続を出力選択回路1351により入れ替えることが好ましい。
In the source driver circuit (IC) 14, the characteristic period is distributed with a period of 4 mm to 8 mm. This occurs due to a diffusion process during IC manufacturing. Therefore, the replacement range of the
また、先の説明では、最終画素行まで以上の動作を実施すると、また、第1画素行に対して同一の動作を行うとしたが、これに限定されるものではない。たとえば、最終画素行−1画素行までに1周期を完了させ、最終画素行から次の周期を開始してもよい。つまり、出力端子93aを例示すれば、1画素行目の画素には、出力段251c1からの信号が印加される。2画素行目の画素には、出力段251c2からの信号が印加され、3画素行目の画素には、出力段251c3からの信号が印加され、4画素行目の画素には、出力段251c4からの信号が印加される。以上の動作を順次行い、最終の画素行から1つ前の画素行に、たとえば、出力段251nの信号が印加されたとすると、最終の画素行には、出力段251c1の信号が印加される。したがって、次のフレームである1画素行目の画素には、出力段251c2からの信号が印加される。2画素行目の画素には、出力段251c3からの信号が印加され、3画素行目の画素には、出力段251c4からの信号が印加される。このように駆動することにより、フレーム(フィールド)周期では、1画素行あるいはそれ以上がずれて、出力段251c選択が行われることになり、各画素に印加する出力段251cが長期間で変化させることができる。したがって、各画素16は多数の出力段251cからの信号で駆動されることになり、画像表示は均一化される。なお、他の出力端子93においても同様の制御が実施される。
In the above description, when the above operation is performed up to the last pixel row, and the same operation is performed on the first pixel row, the present invention is not limited to this. For example, one cycle may be completed before the last pixel row minus one pixel row, and the next cycle may be started from the last pixel row. That is, if the
また、画面の第1画素行から最終画素行まで選択された後、今度は、最終画素行から第1画素行の方向に選択される出力段251cを変化させてもよい。つまり、出力端子93aを例示すれば、1画素行目の画素には、出力段251c1からの信号が印加される。2画素行目の画素には、出力段251c2からの信号が印加され、3画素行目の画素には、出力段251c3からの信号が印加され、4画素行目の画素には、出力段251c4からの信号が印加される。以上の動作を順次行い、最終の画素行に、たとえば、出力段251nの信号が印加されたとすると、次のフレームである1画素行目の画素には、出力段251cnからの信号が印加される。2画素行目の画素には、出力段251cn−1からの信号が印加され、3画素行目の画素には、出力段251cn−3からの信号が印加される。このように駆動することにより、フレーム(フィールド)周期で、各画素に印加する出力段251cが長期間で変化させることができる。したがって、各画素16は多数の出力段251cからの信号で駆動されることになり、画像表示は均一化される。なお、他の出力端子93においても同様の制御が実施される。
Further, after the selection from the first pixel row to the last pixel row on the screen, the
出力端子93を順次選択する出力段251cの順番をランダム化してもよい。また、2とばしや、3以上とばしで出力段251cを選択してもよい。
The order of the
なお、出力段251の個数は、行方向のドット数(ソース信号線18の本数)以上の個数を形成または構成しておき、そのうち、必要な個数(基本的にはソース信号線18の本数)を選択して各ソース信号線18に出力段251cからの出力信号を印加してもよい。
Note that the number of output stages 251 is equal to or greater than the number of dots in the row direction (number of source signal lines 18), and the required number (basically the number of source signal lines 18). And an output signal from the
以上の実施例では、R、G、Bの各出力段251については、説明していないが、R、G、Bの各出力段251cの出力にも出力選択回路1531が形成または構成されている。R、G、Bの各出力選択回路1531の制御により、各出力端子93から出力される信号が、出力段251cを選択して出力される。本発明はこれに限定するものではなく、R、G、Bで共通の出力選択回路1531を形成または構成し、出力段251cがRGBの区別なく選択されて各出力端子93から出力されるように構成しても良いことは言うまでもない。
In the above embodiment, the output stages 251 for R, G, and B are not described, but an
以上の実施例では、選択する出力段251cを変化させることにより、出力段251cの特性バラツキを平均化し、均一な画像表示を実現するという駆動方式であった。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
In the above-described embodiment, the driving method is such that by changing the
均一の方式として、基準電流を変化させるという方法がある。図27などに図示する基準電流Icにより出力段251cの特性が変化するからである。複数の基準電流Icにより、出力段251cの信号(出力電流または出力電圧)を変化させることにより、より均一が画像表示を実現できる。なお、この方式では、出力選択回路1531は必要ないが、出力選択回路1531により、選択する出力段251cを変化させることにより、より均一な画像表示を実現できることは言うまでもない。
As a uniform method, there is a method of changing the reference current. This is because the characteristics of the
基準電流Icの大きさと出力段251cから出力されるプログラム電流は基本的には比例する。しかし、選択される単位トランジスタ数などによりプログラム電流Icは変化する。以上のことから、基準電流を変化させ、画素16に書き込まれるプログラム電流が平均的に目標値となるように駆動することにより、均一は画像表示を実現できる。
The magnitude of the reference current Ic is basically proportional to the program current output from the
図29はその実施例である。図29の実施例では、一例として基準電流Ic1とIc2で駆動する場合を例示している。また、図29では、水平走査期間ごとに基準電流Ic1とIc2とを変化させている。なお、目標の基準電流IcとIc1、Ic2とは、Ic=(Ic1+Ic2)/2の関係に調整されている。 FIG. 29 shows an example thereof. In the example of FIG. 29, the case of driving with reference currents Ic1 and Ic2 is illustrated as an example. In FIG. 29, the reference currents Ic1 and Ic2 are changed every horizontal scanning period. Note that the target reference current Ic and Ic1 and Ic2 are adjusted to a relationship of Ic = (Ic1 + Ic2) / 2.
なお、以下の実施例では、基準電流を一定の周期で変化させるとして説明している。基準電流の変化させるのは、図30などの電子ボリウム291を変化させる方法がある。他にも、カスケード接続を行う場合に、マスターチップ(ソースドライバ回路(IC)14)からスレーブチップ(ソースドライバ回路(IC)14)に基準電流(この場合はカスケード電流)を受け渡す構成がある。基準電流(カスケード電流)はトランジスタ群251bに印加され、このカスケード電流に対応して出力段251cからプログラム電流が出力される。したがって、基準電流を変化することは、カスケード電流が変化することと同義である。
In the following embodiments, it is described that the reference current is changed at a constant cycle. The reference current can be changed by a method of changing the
1つの表示領域94を構成するのに、3つ以上のソースドライバ回路(IC)14を用いる場合は、カスケード接続において、スレーブチップが複数のマスターチップから基準電流(カスケード電流)を受け取る構成が実施される。この場合は、基準電流(カスケード電流)を発生するマスターチップが複数存在することになる。したがって、スレーブチップは、複数のマスターチップからの基準電流(カスケード電流)が入力されることになる。つまり、基準電流は複数になる。スレーブチップでは、入力される複数の基準電流を平均化することにより、良好なカスケード接続を実現する。つまり、スレーブチップは、画像表示に基準電流を切り換えるという動作を行う。この動作は以下に説明する基準電流を変化させる実施例で実現する。
When three or more source driver circuits (ICs) 14 are used to form one
図29において、第1F(フレームまたはフィールド)では、最初の1H(第1画素行目)は、基準電流Ic1(第1のマスターチップからのカスケード電流と考えてもよい)を印加し、出力端子93から基準電流Ic1に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。次の2H(第2画素行目)は、基準電流Ic2(第2のマスターチップからのカスケード電流と考えてもよい)を印加し、出力端子93から基準電流Ic2に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。以下同様に、3H(第3画素行目)は、基準電流Ic1を印加し、出力端子93から基準電流Ic1に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。第4画素行目)は、基準電流Ic2を印加し、出力端子93から基準電流Ic2に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。
In FIG. 29, in the first F (frame or field), the first 1H (first pixel row) applies the reference current Ic1 (which may be considered as a cascade current from the first master chip), and the output terminal A program current corresponding to the reference
第1F(フレームまたはフィールド)の次の第2Fは、基準電流が平均化されて目標の基準電流Icとなるように、最初の1H(第1画素行目)は、基準電流Ic2を印加し、出力端子93から基準電流Ic2に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。次の2H(第2画素行目)は、基準電流Ic1を印加し、出力端子93から基準電流Ic1に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。以下同様に、3H(第3画素行目)は、基準電流Ic2を印加し、出力端子93から基準電流Ic2に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。第4画素行目)は、基準電流Ic1を印加し、出力端子93から基準電流Ic1に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。
The first 2H (first pixel row) applies the reference current Ic2 so that the reference current is averaged to the target reference current Ic in the second F after the first F (frame or field), A program current corresponding to the reference
なお、基準電流の変化は2つに限定するものではなく、3以上としてもよいことは言うまでもない。また、基準電流は1Hごとに限定するものではなく、複数H(複数水平走査期間)ごとに変化させてもよい。また、水平走査期間に限定するものではなく、F(フレームまたはフィールド)周期で基準電流を変化させてもよい。また、1Hあるいは1F単位の変化に限定するものではない。1.5Hや1.5Fなどで、基準電流を変化させてもよい。 Needless to say, the change in the reference current is not limited to two and may be three or more. Further, the reference current is not limited to every 1H, but may be changed every plural H (multiple horizontal scanning periods). Further, the reference current is not limited to the horizontal scanning period, and the reference current may be changed in an F (frame or field) cycle. Moreover, it is not limited to the change of 1H or 1F unit. The reference current may be changed at 1.5H or 1.5F.
以上の実施例は、図27に図示するトランジスタ228bを構成するトランジスタ群251bに印加される基準電流Icを変化させるものであった。本発明はこれに限定するものでない。たとえば、図26に図示するように、トランジスタ群251c(出力段251c)の両側にトランジスタ群251b(チップの左端にトランジスタ228b1を構成するトランジスタ群251b1、チップの右端にトランジスタ228b2を構成するトランジスタ群251b2)を配置または形成し、トランジスタ群251b1に基準電流Ic1を印加し、トランジスタ群251b2に基準電流Ic2を印加する構成としてもよい。
In the above embodiment, the reference current Ic applied to the
図31の実施例で示すように基準電流Ic1を選択するか、基準電流Ic2を選択するかは、基準電流を伝送する配線途中に形成されたスイッチS1とスイッチS2を制御することにより実現する。スイッチS1をクローズし、スイッチS2をオープンすれば、出力段251cからは、基準電流Ic1に対応するプログラム電流が出力される。スイッチS2をクローズし、スイッチS1をオープンすれば、出力段251cからは、基準電流Ic2に対応するプログラム電流が出力される。
As shown in the embodiment of FIG. 31, whether the reference current Ic1 or the reference current Ic2 is selected is realized by controlling the switches S1 and S2 formed in the middle of the wiring for transmitting the reference current. If the switch S1 is closed and the switch S2 is opened, a program current corresponding to the reference current Ic1 is output from the
図29の実施例のように、第1F(フレームまたはフィールド)の次の第2Fは、基準電流が平均化されて目標の基準電流Icとなるように、最初の1H(第1画素行目)は、基準電流Ic2を印加し、出力端子93から基準電流Ic2に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。次の2H(第2画素行目)は、基準電流Ic1を印加し、出力端子93から基準電流Ic1に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。以下同様に、3H(第3画素行目)は、基準電流Ic2を印加し、出力端子93から基準電流Ic2に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。第4画素行目)は、基準電流Ic1を印加し、出力端子93から基準電流Ic1に対応するプログラム電流が各ソース信号線18に出力される。
As in the embodiment of FIG. 29, the second F after the first F (frame or field) is the first 1H (first pixel row) so that the reference current is averaged to become the target reference current Ic. Applies a reference
なお、基準電流の変化は2つに限定するものではなく、3以上としてもよいことは言うまでもない。この場合は、トランジスタ251bの個数を増加させればよい。基準電流は1Hごとに限定するものではなく、複数H(複数水平走査期間)ごとに変化させてもよい。また、水平走査期間に限定するものではなく、F(フレームまたはフィールド)周期で基準電流を変化させてもよい。
Needless to say, the change in the reference current is not limited to two and may be three or more. In this case, the number of
ソースドライバ回路(IC)14は、ソース信号線18の電荷を強制的に放出または充電するプリチャージ回路を内蔵する。ソース信号線18の電荷を強制的に放出または充電するプリチャージあるいはディスチャージ回路の電圧(電流)出力値は、R、G、Bで独立に設定できるように構成することが好ましい。EL素子15の閾値がRGBで異なるからである。
The source driver circuit (IC) 14 includes a precharge circuit that forcibly releases or charges the
図32はプリチャージ部の構成図である。Vpはプリチャージ電圧である。プリチャージ電圧は映像データD0〜D5により出力期間範囲が決定される。プリチャージ電圧は、クロックCLKに同期して出力される。プリチャージ電圧を出力する時間は、水平同期信号HDを基点としてカウンタ332の設定値で決定される。カウンタ332はクロックCLK信号に同期してカウントアップされる。プリチャージ電圧出力期間は、HDの最初から開始される。カウンタ332はカウントしたカウント値と設定値が一致すると、プリチャージ電圧の出力期間が終了する。カウンタ回路332の出力はアンド(AND)回路333のa端子入力となる。なお、説明を容易にするため、映像データは6ビットであるとして説明をする。
FIG. 32 is a configuration diagram of the precharge unit. Vp is a precharge voltage. The output period range of the precharge voltage is determined by the video data D0 to D5. The precharge voltage is output in synchronization with the clock CLK. The time for outputting the precharge voltage is determined by the set value of the
図33の構成では、どの電圧範囲までプリチャージするかは、一致回路331で決定される。一致回路331には、映像データD0〜D5が印加される。一致回路はプリチャージ範囲がメモリされている。メモリされた値よりも、映像データD0〜D5が小さい時、プリチャージ電圧が出力される。一致回路331はクロックCLKで同期して動作する。また、イネーブル信号ENがHの時、プリチャージ電圧は出力され、Lの時は映像データの値によらず、プリチャージ電圧は出力されない。一致回路331の出力はアンド回路333のb端子入力となる。
In the configuration of FIG. 33, the voltage range to be precharged is determined by the
アンド回路333のa端子入力がHで、b端子入力がHの時、スイッチ221aが閉じ、プリチャージ電圧Vpが内部配線222に印加され、かつHI信号がHの時、スイッチ221bが閉じて出力端子93からプリチャージ電圧が出力される。
When the a terminal input of the AND
電流出力回路334は、映像データD0〜D5に基づく、プログラム電流を出力する。本発明では、プリチャージ電圧とプログラム電流を同時に出力する。ただし、プリチャージ電圧はHDの最初から一定の期間である。
The
プリチャージ電圧は、駆動用トランジスタ11aのゲート(G)端子に立ち上がり電圧あるいは立ち上がり電圧以下の電圧を印加する方法とも考えることができる。つまり、駆動用トランジスタ11aをオフ状態にすることによりプログラム電流Iwが0になる状態を発生させ、EL素子15に電流が流れないようにする。
The precharge voltage can be considered as a method of applying a rising voltage or a voltage equal to or lower than the rising voltage to the gate (G) terminal of the driving
プリチャージ電圧(電流)の設定あるいは調整は、図33のようにして行う。まず、プリチャージ電圧を印加しない状態で、階調0番目の電圧V0を表示領域64の各画素に印加し、図33(a)に図示するように、カソード端子に流れる電流I1を測定する。次に、図33(b)に図示するように、各プリチャージ電圧(電流)を印加し、各プリチャージ電圧(電流)を印加した時のカソード電流I2を測定して、各プリチャージ電圧(電流)に対するカソード電流が規定値あるいは規定の範囲となるように調整してする。プリチャージ電圧が階調に対応して、複数ある場合は複数のプリチャージ電圧(電流)に対応して実施する。
Setting or adjustment of the precharge voltage (current) is performed as shown in FIG. First, in a state where no precharge voltage is applied, the 0th gradation voltage V0 is applied to each pixel in the
図34は、ソースドライバ回路(IC)14のプリチャージ回路(プリチャージ電圧を出力する回路構成部)353を中心とするブロック図である。プリチャージ回路353とは、プリチャージ制御回路によりプリチャージ制御信号PC信号(赤(RPC)、緑(GPC)、青(BPC))が出力される。なお、プリチャージ電圧を印加するとは、電圧プログラムを実施すると同義あるいは類似の技術である。
FIG. 34 is a block diagram centering on a precharge circuit (circuit configuration unit for outputting a precharge voltage) 353 of the source driver circuit (IC) 14. The
セレクタ回路352は、メインクロックに同期して出力段に対応するラッチ回路351に順次ラッチしていく。ラッチ回路351はラッチ回路351aとラッチ回路351bの2段構成である。ラッチ回路351bは水平走査クロック(1H)に同期してプリチャージ回路353にデータを送出する。つまり、セレクタは、1画素行分の画像データおよびPCデータを順次ラッチしていき、水平走査クロック(1H)に同期して、ラッチ回路351bでデータをストアする。
The
なお、図34では、ラッチ回路351のR、G、BはRGBの画像データ6ビットのラッチ回路であり、Pはプリチャージ信号(RPC、GPC、BPC)の3ビットをラッチするラッチ回路である。
In FIG. 34, R, G, and B of the
プリチャージ回路353は、ラッチ回路351bの出力がHレベルの時、スイッチ221aをオンさせ、ソース信号線18にプリチャージ電圧を出力する。電流出力回路334は画像データに応じて、プログラム電流をソース信号線18に出力する。
The
図34の構成では、各RGB画像データに対応して、プリチャージコントロール(PC)信号を発生させている。プリチャージの印加は、以上のようにRGBごとに行うことが好ましい。しかし、動画表示、自然画表示では、RGBごとにプリチャージするかしないかを判断する必要がない場合が多い。つまり、RGBを輝度信号に変換し(換算し)、輝度によりプリチャージをするかしないかを判断してもよい。 In the configuration of FIG. 34, a precharge control (PC) signal is generated corresponding to each RGB image data. The precharge is preferably applied for each RGB as described above. However, in moving image display and natural image display, it is often unnecessary to determine whether or not to precharge for each RGB. That is, RGB may be converted (converted) into a luminance signal, and it may be determined whether or not to precharge based on the luminance.
以上の本発明の構成は、コントローラ回路(IC)が画像データに基づいてPC信号(プリチャージ制御信号)を発生する点、ソースドライバIC14がPC信号をラッチし1Hの同期信号に同期してソース信号線18に印加する点に特徴がある。プリチャージモード(PMODE)信号により、プリチャージ信号の発生を容易に変更することができる。
In the configuration of the present invention described above, the controller circuit (IC) generates the PC signal (precharge control signal) based on the image data, and the
たとえば、PMODEとは、階調0のみをプリチャージするモード、階調0−7など一定の階調範囲をプリチャージするモード、画像データが明るい画像データから暗い画像データに変化する時にプリチャージするモード、一定のフレームで連続して低階調表示となる時に、プリチャージするモードなどが例示される。 For example, PMODE is a mode in which only gradation 0 is precharged, a mode in which a certain gradation range such as gradation 0-7 is precharged, and precharge when image data changes from bright image data to dark image data. Examples include a mode for precharging when low gradation display is continuously performed in a certain frame.
1画素のデータについてプリチャージするかしないかを判断することに限定するものではない。たとえば、複数画素行の画像データにもとづいてプリチャージ判断をおこなってもよい。また、プリチャージを行う周辺画素の画像データを勘案して(たとえば、重み付け処理など)プリチャージ判断を行っても良い。また、動画と静止画でプリチャージ判断を変化する方法も例示される。以上事項は、画像データに基づき、コントローラがプリチャージ信号を発生することにより、良好な汎用性が発揮される点が重要である。以降、このプリチャージ判断とプリチャージモードを中心に説明をする。 It is not limited to determining whether or not to precharge data for one pixel. For example, the precharge determination may be performed based on the image data of a plurality of pixel rows. In addition, the precharge determination may be performed in consideration of the image data of the surrounding pixels to be precharged (for example, weighting processing). Further, a method of changing the precharge judgment between a moving image and a still image is also exemplified. The above matter is important in that good versatility is exhibited when the controller generates a precharge signal based on image data. Hereinafter, the precharge determination and the precharge mode will be mainly described.
プリチャージをするかしないかの判定は、1画素行前の画像データ(あるいは、直前にソース信号線に印加された画像データ)にもとづいて行っても良い。たとえば、あるソース信号線18に印加される画像データが白→黒→黒であれば、白から黒になる時は、プリチャージ電圧を印加する。黒階調は書込みにくいからである。黒から黒の場合は、プリチャージ電圧を印加しない。先に黒表示でソース信号線18の電位が次に書き込む黒表示の電位となっているからである。以上の動作は、コントローラ81に1画素行分(FIFOのため2ラインのメモリが必要)のラインメモリを形成(配置)することのより容易に実現できる。
The determination as to whether or not to precharge may be performed based on the image data of the previous pixel row (or the image data applied to the source signal line immediately before). For example, if the image data applied to a certain
なお、ソースドライバ回路(IC)14を1パネルに複数個使用するときは、図35に図示するように配線接続する。 When a plurality of source driver circuits (ICs) 14 are used in one panel, wiring connection is made as shown in FIG.
本発明において、プリチャージ駆動では、プリチャージ電圧を出力するとして説明をするが、これに限定するものではない。1水平走査期間よりも短く、プログラム電流よりも大きい電流をソース信号線18に書き込む方式でもよい。つまり、プリチャージ電流をソース信号線18に書込み、その後にプログラム電流をソース信号線18に書き込む方式でもよい。プリチャージ電流も物理的には電圧変化を引き起こしていることには差異はない。プリチャージをプリチャージ電流で行う方式も本発明のプリチャージ駆動の技術的範疇である(本発明の範囲内である)。
In the present invention, the precharge drive is described as outputting a precharge voltage, but the present invention is not limited to this. A method of writing a current shorter than one horizontal scanning period and larger than the program current to the
本発明のプリチャージ駆動では所定電圧をソース信号線18に印加する。また、ソースドライバICはプログラム電流を出力するとした。しかし、本発明は、プリチャージ駆動を階調に応じて出力電圧を変化させてもよい。つまり、ソース信号線18に出力するプリチャージ電圧はプログラム電圧をなる。ソースドライバIC内にこのプリチャージ電圧のプログラム電圧回路371を導入した回路構成が図36である。
In the precharge drive of the present invention, a predetermined voltage is applied to the
図36は主として1つのソース信号線18に対応する1出力回路ブロック図である。階調に応じてプログラム電流を出力する電流階調回路334と、階調に応じたプリチャージ電圧を出力する電圧階調回路371で構成される。電流階調回路334と電圧階調回路371には映像データが印加される。電圧階調回路371の出力はスイッチ221a、221bがオンすることによりソース信号線18に印加される。スイッチ221aはプリチャージイネーブル(プリチャージENBL)信号と、プリチャージ信号(プリチャージSIG)で制御される。
FIG. 36 is a block diagram of one output circuit mainly corresponding to one
電圧階調回路371は、サンプルホールド回路、DA回路などで構成される(図35を参照のこと)。デジタルの映像データに基づいて、DA回路によりプリチャージ電圧に変換される。この変換されたプリチャージ電圧は、サンプルホールド回路381によりサンプルホールドされ、オペアンプを介してスイッチ221aの一端子に印加される。なお、DA回路は電圧階調回路371ごとに構成または形成する必要がなく、ソースドライバ回路(IC)14の外部にDA回路を構成し、このDA回路の出力を電圧階調回路371内でサンプルホールドしてもよい。また、ポリシリコン技術で形成してもよい。
The
図37に図示するように、8ビットの映像DATAに対応する電圧(プログラム電圧)が、映像クロックに同期して電子ボリウム291から出力される。プログラム電圧は、駆動用トランジスタ11aにプリチャージ電圧として印加される電圧である。また、プログラム電圧は、この電圧を印加することにより、階調にほぼ対応した電流がEL素子15に印加されるように駆動用トランジスタ11aのゲート端子に保持される電圧である。
As shown in FIG. 37, a voltage (program voltage) corresponding to 8-bit video DATA is output from the
プログラム電圧はCc容量に一時的に保持され、バッファアンプ231aから出力される。出力だれた電圧は、サンプルホールド回路(この実施例では切り換え回路のように図示している)381により、各出力端子93に順次振り分けられる(出力端子93a、93b、93c、93d・・・・・、93n、93a、93b、93c、・・・・・・・93n・・・・・・)。振り分けはクロックCLKに同期して実施される。なお、本発明では、8ビットのアドレス信号PADRSにより、任意の端子にプログラム電圧を振り分けできるように構成されている。このように、アドレス信号PADRSにより任意の出力端子93に振り分け(8ビットであるから256本の端子のいずれかに振り分け可能である)できるように構成することにより、プログラム電圧を書き換えが必要な端子のみ新規のプログラム電圧を印加することができる。また、プログラム電圧の振り分けをランダム化することができる。プログラム電圧は容量Cに保持され(サンプリングされ)、バッファ回路231bの出力は、スイッチSpの制御により出力端子93に印加されたり、遮断されたりする。スイッチSpは図36では、スイッチ221aが該当する。
The program voltage is temporarily held in the Cc capacity and output from the
電流階調回路334は、具体的には図22の回路構成が該当する。電流階調回路334のプログラム電流出力はスイッチSiにより制御される。以上のように、電流階調回路334と電圧階調回路371の出力はスイッチSi、Spにより制御され、プリチャージ駆動(電圧プログラム)+電流プログラミングが実現される。以上の信号は、出力端子93からソース信号線端子382に印加される。プログラム電圧はソース信号線18の寄生容量Caを短期間で充放電させる。
Specifically, the
電圧階調回路371の出力は、図38に図示するように、1Hの最初に印加される(記号Aで示す)。その後、電流出力回路334によりソース信号線にプログラム電流が供給される(記号Bで示す)。つまり、プリチャージ電圧により概略のソース信号線電位まで電圧設定される。したがって、駆動用トランジスタ11aは目的電流に近い値まで、高速に設定される。その後、電流階調回路334が出力するプログラム電流により駆動用トランジスタ11aの特性バラツキを補償する目的電流(=プログラム電流)まで設定される。
The output of the
プリチャージ電圧信号が印加されるA期間は、1Hの1/100以上1/5以下の期間が好ましい。または、0.2μsec以上10μsec以下の期間に設定することが好ましい。したがって、A期間以外がB期間のプログラム電流の印加期間である。A期間が短いとソース信号線18の電荷の充放電が十分に行われないため、書き込み不足が発生する。一方、長すぎると電流印加期間(B)が短くなり十分にプログラム電流を印加することができない。したがって、駆動用トランジスタ11aの電流補正不足となる。
The period A during which the precharge voltage signal is applied is preferably a period of 1/100 to 1/5 of 1H. Alternatively, it is preferably set to a period of 0.2 μsec to 10 μsec. Therefore, a period other than the A period is a program current application period of the B period. If the A period is short, charge and discharge of the
電圧印加期間(A期間)は、1Hの最初から実施することが好ましいが、これに限定されない。たとえば、1Hの終わりのブランキング期間から開始してもよい。また、1H(水平走査期間)の途中にA期間を実施してもよい。つまり、1Hのいずれかの期間に電圧印加期間を実施すれはよい。しかし、好ましくは、電圧印加期間は、1Hの最初から1/4H(0.25H)の期間内に実施することが好ましい。 The voltage application period (A period) is preferably implemented from the beginning of 1H, but is not limited thereto. For example, the blanking period at the end of 1H may be started. Further, the A period may be implemented in the middle of 1H (horizontal scanning period). That is, the voltage application period may be performed in any period of 1H. However, it is preferable that the voltage application period be implemented within a period of 1 / 4H (0.25H) from the beginning of 1H.
図38の実施例では、電圧プリチャージ(A)の期間後、電流を印加(B期間)するとしたがこれに限定するものではない。たとえば、図39(a)に図示するように、1Hの期間のすべてを(あるいは大半を、あるいは過半数を)電圧プリチャージ(*A)期間としてもよい。 In the embodiment of FIG. 38, the current is applied (B period) after the voltage precharge (A) period, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 39A, all (or most or most) of the 1H periods may be voltage precharge (* A) periods.
図39(a)でも理解できるように、ソース信号線18の電位がアノード電位(Vdd)に近い場合に、1Hの期間のすべてに(大半に)電圧が印加される。ソース信号線18の電位が0(V)に近くなると、電圧プログラム(A期間)と電流プログラム(B)が1Hの期間内に実施される。なお、ソース信号線18の電位が0(V)に近い場合(高階調領域)では、1Hの期間中のすべての期間にわたり、電流プログラムを実施してもよい。
As can be understood from FIG. 39A, when the potential of the
図39(a)の*A以外の期間は、1Hの一定期間(Aで示す)に電圧プログラムによる電圧をソース信号線18に印加し、その後、Bの期間に電流プログラムによる電流を印加している。以上のようにA期間の電圧の印加により画素16のTFT11aのゲート電位に所定電圧を印加し、概略EL素子15に流す電流が所望値になるようにしている。その後、B期間のプログラム電流により、EL素子15に流れる電流が所定値となるようにしている。*A期間は、1H期間の全般にわたり電圧プログラムが実施されている(電圧が印加されている)。
In a period other than * A in FIG. 39A, a voltage according to a voltage program is applied to the
図39(a)は、画素16のTFT11a(駆動用トランジスタ)がPチャンネルの場合のソース信号線18への印加信号波形である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。画素16のTFT11aがNチャンネルであってもよい。この場合は、図39(b)に図示するように、ソース信号線18の電位が0(V)に近い場合に、1Hの期間のすべてに(大半に)電圧が印加される。ソース信号線18の電位がアノード電圧(Vdd)に近くなると、電圧プログラム(A期間)と電流プログラム(B)が1Hの期間に実施される。
FIG. 39A shows a waveform of a signal applied to the
なお、ソース信号線18の電位がVddに近い場合(高階調領域)では、1Hの期間中のすべての期間にわたり、電流プログラムを実施してもよい。
Note that in the case where the potential of the
本発明では、駆動用トランジスタ11aはPチャンネルとして説明するがこれに限定するものではなく、駆動用トランジスタ11aはNチャンネルであってもよいことはいうまでもない。説明を容易にするために、駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタであるとして説明を行うだけである。
In the present invention, the driving
図42などの本発明の実施例では、主として低階調領域は電圧プログラムが主で画素に書き込みがされる。中高階調領域は、電流プログラムが主で書き込みが行われる。つまり、電流と電圧駆動の両方のよいところの融合を実現できる。なぜなら、低階調領域は、電圧により所定階調表示される。これは、電流駆動では書き込み電流が微小のため、1H最初に印加した電圧(電圧駆動あるいはプリチャージ駆動による。プリチャージ駆動と電圧駆動は概念的には同一である。大きく差別化するならば、プリチャージ駆動は印加する電圧に種類が比較的少なく、電圧駆動は印加する電圧の種類が多いと言うべきである)が支配的となるからである。 In the embodiment of the present invention such as FIG. 42, the voltage program is mainly written in the low gradation region, and the pixel is written. In the middle / high gradation region, the current program is mainly used for writing. In other words, it is possible to realize a good fusion of both current and voltage driving. This is because the low gradation region is displayed with a predetermined gradation by the voltage. This is because the write current is very small in current drive, and the voltage applied first for 1H (by voltage drive or precharge drive. Precharge drive and voltage drive are conceptually the same. If greatly differentiated, This is because precharge driving has a relatively small number of types of applied voltage, and voltage driving has a large number of types of applied voltage).
中階調領域は、電圧により書き込んだ後、電圧のずれ量を、プログラム電流で補償する。つまり、プログラム電流が支配的となる(電流駆動が支配的である)。高階調領域は、プログラム電流で書き込む。プログラム電圧印加は不要である。印加した電圧がプログラム電流で書き換えられるからである。つまり、電流駆動が圧倒的に支配的である。もちろん、電圧を印加してもよいことは言うまでもない。 In the middle gradation area, after writing by voltage, the amount of voltage deviation is compensated by the program current. That is, the program current is dominant (current drive is dominant). The high gradation region is written with a program current. No program voltage application is required. This is because the applied voltage is rewritten by the program current. That is, current driving is overwhelmingly dominant. Of course, it goes without saying that a voltage may be applied.
電圧階調回路の出力と電流階調回路(プリチャージ回路も含む)の出力とを出力端子93でショートして構成することができるのは、電流階調回路は高インピーダンスであることによる。つまり、電流階調回路は高インピーダンスのため、電圧階調回路からの電圧が電流階調回路に印加されても、回路に問題点(短絡で過電流が流れるなど)が発生することがない。
The reason why the output of the voltage gradation circuit and the output of the current gradation circuit (including the precharge circuit) can be short-circuited at the
したがって、本発明で電圧出力と電流出力状態とを切り換えるとしたがこれに限定するものではない。電流階調回路334からプログラム電流の出力した状態で、スイッチ221(図36を参照のこと)をオンして、電圧階調回路371の電圧を出力端子93に印加してもよいことは言うまでもない。
Therefore, although the voltage output and the current output state are switched in the present invention, the present invention is not limited to this. It goes without saying that the switch 221 (see FIG. 36) may be turned on and the voltage of the
スイッチ221を閉じて出力端子93に電圧と印加した状態で、電流階調回路334からプログラム電流を出力してもよい。電流階調回路334は高インピーダンスであるので回路的には問題がない。以上の状態も本発明は電圧駆動状態と電流駆動状態とを切り換えているという動作の範疇である。本発明は電流回路と電圧回路の性質をうまく利用している。このことは、他のドライバ回路にない特徴ある構成である。
The program current may be output from the
図40に図示するように、1H期間に印加するプログラムを電圧または電流の一方にしてもよいことは言うまでもない。図40において、Aの期間は電圧プログラムが実施された1H期間であり、Bの期間は電流プログラムが実施されている1H期間である。主として低階調領域では電圧プログラムが実施され(Aで示す)、中間調以上の領域では電流プログラムが実施される(Bで示す)。以上のように、階調あるいはプログラム電流の大きさに応じて、電圧駆動を選択するか電流駆動を選択するかを切り換えても良い。 As shown in FIG. 40, it goes without saying that the program applied in the 1H period may be either voltage or current. In FIG. 40, period A is a 1H period in which voltage programming is performed, and period B is a 1H period in which current programming is performed. The voltage program is mainly executed in the low gradation region (indicated by A), and the current program is executed in the region of halftone or higher (indicated by B). As described above, switching between voltage driving and current driving may be switched according to the gradation or the magnitude of the program current.
図36の本発明の実施例では、電圧階調回路371と電流階調回路334には、同一の映像DATAが入力されている。したがって、映像DATAのラッチ回路は電圧階調回路371と電流階調回路334と共通でよい。つまり、映像DATAのラッチ回路は電圧階調回路371と電流階調回路334とに独立に設ける必要はない。共通の映像DATAのラッチ回路からのデータに基づき、電流階調回路334または(および)電圧階調回路371がデータを出力端子93に出力される。
In the embodiment of the present invention of FIG. 36, the same video DATA is input to the
図42は本発明の駆動方法のタイミングチャートである。図42において、(a)のDATAは画像データである。(b)のCLKは回路クロックである。(c)のPcntlは、プリチャージのコントロール信号である。Pcntl信号がHレベルの時は、電圧駆動のみモード状態になり、Lレベルの時、電圧+電流駆動モードになる。(d)のPtcはプリチャージ電圧あるいは電圧階調回路371からの出力の切り換え信号である。Ptc信号がHレベルの時は、プリチャージ電圧などの電圧出力がソース信号線18に印加される。Ptc信号がLレベルの時は、電流階調回路334からのプログラム電流がソース信号線に出力される。
FIG. 42 is a timing chart of the driving method of the present invention. In FIG. 42, DATA in (a) is image data. CLK in (b) is a circuit clock. Pcntl in (c) is a precharge control signal. When the Pcntl signal is at the H level, only the voltage driving mode is set, and when it is at the L level, the voltage + current driving mode is set. Ptc in (d) is a precharge voltage or output switching signal from the
たとえば、データD(2)、D(3)、D(8)の時は、Pcntl信号がHレベルであるから、ソース信号線18に電圧階調回路371から電圧が出力される(A期間)。PcntlがLレベルの時は、ソース信号線18にはまず、電圧が出力され、その後、プログラム電流が出力される。電圧が出力される期間をAで示し、電流が出力される期間をBで示す。電圧を出力する期間Aは、Ptc信号で制御される。Ptc信号は、図36のスイッチ221のオンオフを制御する信号である。
For example, in the case of data D (2), D (3), and D (8), since the Pcntl signal is at the H level, a voltage is output from the
Pcntl信号がHレベルの時は、電圧駆動のみモード状態になり、Lレベルの時、電圧+電流駆動モードになると説明した。電圧を印加する期間は、点灯率あるいは階調に応じて変化させることが好ましい。低階調の時は、電流駆動では画素にプログラム電流を完全に書き込むことができない。したがって、電圧駆動を実施することが好ましい。電圧を印加する期間を長くすることによって、電圧+電流駆動モードであっても、電圧駆動モードが支配的になり、良好に画素に低階調状態を書き込むことができる。低点灯率の場合は、低階調状態の画素が多い。したがって、低階調状態(低点灯率)の場合も、電圧を印加する期間を長くすることによって、電圧+電流駆動モードであっても、電圧駆動モードが支配的になり、良好に画素に低階調状態を書き込むことができる。 It has been described that when the Pcntl signal is at the H level, only the voltage driving mode is set, and when the Pcntl signal is at the L level, the voltage + current driving mode is set. The period during which the voltage is applied is preferably changed according to the lighting rate or gradation. When the gradation is low, the program current cannot be completely written to the pixel by current driving. Therefore, it is preferable to implement voltage driving. By extending the voltage application period, even in the voltage + current driving mode, the voltage driving mode becomes dominant, and a low gradation state can be satisfactorily written in the pixel. In the case of a low lighting rate, there are many pixels in a low gradation state. Therefore, even in the low gradation state (low lighting rate), by extending the voltage application period, the voltage driving mode becomes dominant even in the voltage + current driving mode, and the pixel is satisfactorily reduced. The gradation state can be written.
以上のように、電圧+電流駆動モードであっても、点灯率あるいは画素に書き込む階調データ(映像データ)に応じて、電圧駆動状態の期間を変化させることが好ましい。つまり、EL素子15に流す電流を小さくするときは(本発明では低点灯率範囲)、電圧駆動モード期間を長くし、EL素子15に流す電流を大きくするときは(本発明では高点灯率範囲)、電圧駆動モード期間を短くするか、もしくは’なし’にするように制御あるいは調整もしくは装置を構成する。なお、点灯率の意味あるいは点灯率状態に関しては、本明細書内で詳細に説明しているので省略する。また、電圧+電流駆動モードにおいて電圧駆動モードに印加(動作)期間を、duty比、基準電流比などを制御あるいは調整もしくは装置を構成してもよいことは言うまでもない。以上の事項は本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。
As described above, even in the voltage + current drive mode, it is preferable to change the period of the voltage drive state according to the lighting rate or the gradation data (video data) written to the pixel. That is, when the current flowing through the
図42において、電圧出力期間Aと電流出力期間Bとを切り換えるとしたが、これに限定するものではない。プログラム電流の出力した状態で、スイッチ221(図36を参照)をオンして、電圧階調回路371の電圧を出力端子93に印加してもよいことは言うまでもない。また、スイッチ221を閉じて出力端子93に電圧と印加した状態で、電流階調回路334からプログラム電流を出力してもよい。A期間後にスイッチ221をオープンにする。以上のように電流階調回路334は高インピーダンスであるので電圧回路と短絡状態にしても回路的には問題がない。
In FIG. 42, the voltage output period A and the current output period B are switched, but the present invention is not limited to this. Needless to say, the switch 221 (see FIG. 36) may be turned on and the voltage of the
図43は、図36などの電流階調回路334と電圧階調回路371の構成部分をさらに詳細に記載したブロック図である。シフトレジスタ回路(セレクタ回路)352はスタート信号(ST1)、クロック(CLK1)により順次シフト動作する。シフト動作により、第1のラッチ回路(保持回路)351aに、DATA9ビットの保持位置を指定する。DATA9ビットとは、映像信号8ビットとプリチャージ信号1ビットの計9ビットである。ラッチ回路351aは1水平期間に順次DATAを保持していく。
FIG. 43 is a block diagram showing in more detail the components of the
第1のラッチ回路に保持されたDATAは、ロード信号(LD)により2段目の第2のラッチ回路351bにロードされる。ラッチ回路351bに保持されたDATAは、電圧階調回路371の入力と、電流階調回路334の入力となる。プリチャージ信号の1ビットは、電圧階調回路371のプログラム電圧と、電流階調回路334のプログラム電流の切り換え信号である。プリチャージ信号は、切り換え回路(図36のスイッチ221などが該当する)391を時間的に制御し、出力端子93からプリチャージ信号がオンのときはまずプリチャージ電圧を出力し、その後プログラム電流を出力する。
DATA held in the first latch circuit is loaded into the
なお、電圧階調回路のサンプルホールド回路は比較的低速でしか動作しないため、電圧階調回路のサンプルホールド用として1段のラッチ回路を追加し、3段のラッチ回路で構成してもよいことは言うまでもない。また、切り換え回路391は基板30にポリシリコン技術で形成してもよい。
In addition, since the sample and hold circuit of the voltage gradation circuit operates only at a relatively low speed, a one-stage latch circuit may be added for the sample and hold of the voltage gradation circuit and may be configured by a three-stage latch circuit. Needless to say. The
図44はプリチャージ電圧発生回路からの出力(一例としてVpa、Vpb、Vpc)をICチップ15の配線で伝達した構成である。配線は、ICチップの長手方向に形成される(各出力段251と垂直)。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vp(Vpa、Vpb、Vpc、open)を伝達するプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)配線PS(PSa、PSb、PSc、PSd)がソース信号線18に直交するように配線される。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)配線PSと内部配線222とは直交し、各交点にスイッチSpが配置されている。スイッチSpはSEL信号(プリチャージ電圧の選択信号、openを含む)で切り換えられる。openがスイッチSp0aで選択された場合は、プリチャージ電圧は出力されない。スイッチSpは出力端子93ごとに自由に設定できる。スイッチSpは映像信号の大きさ、変化などにより適切なものが選択され制御される。
FIG. 44 shows a configuration in which outputs from the precharge voltage generation circuit (for example, Vpa, Vpb, Vpc) are transmitted through the wiring of the
図43と図44との差異は、図43が映像信号ごとに対応するプリチャージ電圧をサンプルホールドして発生させる構成である。サンプルホールドしたプリチャージ電圧は、出力端子ごとに、プリチャージビット(プリチャージ電圧を印加するか否かの判断ビット)により判断され印加される。図44は複数のプリチャージ電圧を発生させておき、1つのプリチャージ電圧を選択する構成である。選択するプリチャージ電圧は、プリチャージビット(SEL信号:どのプリチャージ電圧を印加するかの指定ビット。ただし、プリチャージ電圧を印加しない(open)場合もある)により判断され、ソース信号線18に印加される。 The difference between FIG. 43 and FIG. 44 is the configuration in which FIG. 43 samples and holds a precharge voltage corresponding to each video signal. The sampled and held precharge voltage is determined and applied for each output terminal by a precharge bit (a bit for determining whether to apply a precharge voltage). FIG. 44 shows a configuration in which a plurality of precharge voltages are generated and one precharge voltage is selected. The precharge voltage to be selected is determined by a precharge bit (SEL signal: a bit for specifying which precharge voltage is applied. However, there is a case where the precharge voltage is not applied (open) in some cases). Applied.
なお、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は1Hの最初の期間に全ソース信号線18に一斉に印加される。したがって、SEL信号もラッチして保持しておく必要がある。
Note that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied to all the
以上の実施例は、ソースドライバIC14を介して、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加するものであったが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、アレイ30基板に形成したプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)用トランジスタ素子を形成し、このトランジスタ素子をオンオフ制御することにより、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)線に印加されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)をソース信号線18に印加するように構成してもよいことは言うまでもない。
In the above embodiment, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied via the
図44などで、オープン機能(openの選択、つまりプリチャージを実施しない)を設けている。しかし、これは説明を容易にするためであって、必ずしも構成あるいは形成することに限定するものではない。 In FIG. 44 and the like, an open function (open selection, that is, precharge is not performed) is provided. However, this is for ease of explanation, and is not necessarily limited to the configuration or formation.
以上の実施例では、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)はアノード電圧に近い電圧であるとして説明をした、しかし、画素構成によっては、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)がカソード電圧に近い場合がある。たとえば、駆動用トランジスタ11aがNチャンネルトランジスタで形成している場合、駆動用トランジスタ11aが、Pチャンネルトランジスタで吐き出し電流(図1の画素構成は吸い込み(シンク)電流)で電流プログラムが実施される場合である。この場合は、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)はカソード電圧に近い電圧とする必要がある。
In the above embodiments, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is described as being close to the anode voltage. However, depending on the pixel configuration, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is the cathode. May be close to voltage. For example, when the driving
図45では、プリチャージ電圧Vpcを電子ボリウム291で発生させている。プリチャージ電圧VpcはVDATAによりスイッチSx(x=1〜7)が選択されて出力される。また、電圧V1は8ビットのSDATAがDA変換回路511でDA変換されて印加される。各プリチャージ電圧Vpcは、V0電圧をV1電圧を外付け抵抗Rx(x=1〜6)で発生される。
In FIG. 45, the precharge voltage Vpc is generated by the
スイッチS(図42ではS1〜S7)はVDATAをデコードすることにより指定される。なお、選択できるVpcの電圧の個数は、表示装置が6インチ以上の場合は、表示装置の階調数の1/8以上にすることが好ましい(256階調の場合は、32階調以上)。特に、1/4以上とすることが好ましい(256階調の場合は、64階調以上)。比較的高階調領域までプログラム電流の書き込み不足が発生するからである。6インチ以下の比較的小型の表示パネル(表示装置)では、選択できるVpcの電圧の個数は、2以上にすることが好ましい。VpcがV0の1つであっても良好な黒表示を実現できるが、低階調領域で階調表示することが困難な場合があるからである。Vpcが2以上であれば、FRC制御により複数の階調を発生することができ、良好な画像表示を実現できる。 The switch S (S1 to S7 in FIG. 42) is designated by decoding VDATA. Note that the number of selectable Vpc voltages is preferably 1/8 or more of the number of gradations of the display device when the display device is 6 inches or more (32 gradations or more in the case of 256 gradations). . In particular, it is preferably 1/4 or more (in the case of 256 gradations, 64 gradations or more). This is because the program current is insufficiently written to a relatively high gradation region. In a relatively small display panel (display device) of 6 inches or less, the number of selectable Vpc voltages is preferably 2 or more. This is because even if Vpc is one of V0, good black display can be realized, but it may be difficult to perform gradation display in a low gradation region. If Vpc is 2 or more, a plurality of gradations can be generated by FRC control, and good image display can be realized.
図46の実施例のように、V2電圧、V8電圧、V32電圧、V128電圧と、4倍の階調に対応するように電圧端子を構成すると、折れ線ガンマのプリチャージ電圧回路を構成することができる。V2電圧とV8電圧との電位差、V8電圧とV32電圧との電位差、V32電圧とV128電圧との電位差、V128電圧とV255電圧との電位差はほぼ等しくなる。折れ線ガンマは駆動用トランジスタ11aのV−I特性と一致させる。
As in the embodiment of FIG. 46, if the voltage terminals are configured to correspond to the V2 voltage, the V8 voltage, the V32 voltage, and the V128 voltage and four times the gradation, a polygonal line gamma precharge voltage circuit can be configured. it can. The potential difference between the V2 voltage and the V8 voltage, the potential difference between the V8 voltage and the V32 voltage, the potential difference between the V32 voltage and the V128 voltage, and the potential difference between the V128 voltage and the V255 voltage are substantially equal. The broken line gamma is matched with the VI characteristic of the driving
図46の構成は、電圧端子はV0、V1、V2、V8、V32、V128、V255の7端子の実施例である。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、端子位置を0、8、32、128、512としてもよい。つまり、V0電圧端子、V8電圧端子、V32電圧端子、V128電圧端子、V512電圧端子を形成した実施例である。また、端子位置を0、1、2、8、32、128としてもよい。つまり、V0電圧端子、V1電圧端子、V2電圧端子、V8電圧端子、V32電圧端子、V128電圧端子を形成してもよい。もちろん、近傍であればよく、たとえば、V0電圧端子、V1電圧端子、V3電圧端子、V7電圧端子、V31電圧端子、V127電圧端子などであってもよい。 The configuration of FIG. 46 is an example in which the voltage terminals are seven terminals of V0, V1, V2, V8, V32, V128, and V255. However, the present invention is not limited to this. For example, the terminal positions may be 0, 8, 32, 128, 512. That is, this is an embodiment in which a V0 voltage terminal, a V8 voltage terminal, a V32 voltage terminal, a V128 voltage terminal, and a V512 voltage terminal are formed. The terminal positions may be 0, 1, 2, 8, 32, and 128. That is, a V0 voltage terminal, a V1 voltage terminal, a V2 voltage terminal, a V8 voltage terminal, a V32 voltage terminal, and a V128 voltage terminal may be formed. Of course, it may be in the vicinity, and may be, for example, a V0 voltage terminal, a V1 voltage terminal, a V3 voltage terminal, a V7 voltage terminal, a V31 voltage terminal, a V127 voltage terminal, or the like.
以上のように、本発明は、少なくとも電圧端子の1組が4の倍数あるいはその近傍にしたものが本発明である。なお、4倍といっても、0階調から開始されるか、1階調から開始されるかにより異なる。たとえば、V0、V1、V2、V8、V32、V128としても、V1、V2、V7、V31、V127などであってもよい。つまり、Vn/Vn−1が4近傍になればよい。たとえば、V127/V31も4近傍であるので本発明の技術的範疇である。V1、V3、V12、V31、V255などであっても1つの組み合わせであるV12とV3の関係、つまりV12/V3が4であるから本発明の技術的範疇である。 As described above, according to the present invention, at least one set of voltage terminals is a multiple of 4 or the vicinity thereof. Even if it is 4 times, it differs depending on whether it starts from 0 gradation or 1 gradation. For example, V0, V1, V2, V8, V32, and V128 may be V1, V2, V7, V31, V127, and the like. That is, Vn / Vn-1 only needs to be in the vicinity of 4. For example, V127 / V31 is also in the vicinity of 4, which is a technical category of the present invention. Even in the case of V1, V3, V12, V31, V255, etc., the relationship between V12 and V3, which is one combination, that is, V12 / V3 is 4, which is a technical category of the present invention.
電流駆動方式では、低階調領域においてプログラム電流が小さくなり、書き込み不足が発生することが課題である。この課題の対策のために本発明では、プリチャージ駆動、電圧+電流駆動、基準電流比制御などを実施する。 In the current driving method, the problem is that the program current becomes small in the low gradation region, resulting in insufficient writing. In order to counter this problem, the present invention implements precharge driving, voltage + current driving, reference current ratio control, and the like.
電流駆動で書き込み不足が発生する原因は、図47に図示するようにソース信号線18の寄生容量Csによる影響が大きい。寄生容量Csはゲート信号線17とソース信号線18との交差部などで発生する。
The cause of insufficient writing in current driving is greatly affected by the parasitic capacitance Cs of the
以下の説明は説明を容易にするために、画素16の駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタで、かつ吸い込み電流(ソースドライバ回路(IC)14に吸い込む電流)で電流プログラムを実施する場合であるとして説明をする。画素16の駆動用トランジスタ11aがNチャンネルトランジスタの場合あるいは駆動用トランジスタ11aを吐き出し電流(ソースドライバIC14から吐き出す電流)で電流プログラムを実施する場合は逆の関係にする。逆の関係に変更あるいは読み変えることは当業者であれば容易であるので説明を省略する。
In the following description, for ease of explanation, it is assumed that the driving
以下の説明は画素16の駆動用トランジスタ11aがPチャンネルに限定されるものではない。また、画素構成は図1の画素構成を例示して説明をするが、これに限定するものではなく、他の電流駆動の画素構成であればいずれでもよいことも言うまでもない。なお、以上の事項は、以前あるいはこれ以降に記載する本発明に適用されることはいうまでもない。
In the following description, the driving
図47(a)に図示するように、黒表示(低階調表示)から白表示(高階調表示)に変化する時は、ソースドライバ回路(IC)14がシンク電流で駆動することが主体である。ソースドライバ回路(IC)14がプログラム電流Id1(Iw)で寄生容量Csの電荷を吸い込む。電流を吸い込むことにより、寄生容量Csの電荷を放電し、ソース信号線18の電位が低下する。したがって、画素16の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位が低下し、プログラム電流Iwを流すように電流プログラムが行われる。
As shown in FIG. 47A, when changing from black display (low gradation display) to white display (high gradation display), the source driver circuit (IC) 14 is mainly driven by a sink current. is there. The source driver circuit (IC) 14 absorbs the charge of the parasitic capacitance Cs with the program current Id1 (Iw). By sinking the current, the charge of the parasitic capacitance Cs is discharged, and the potential of the
白表示(高階調表示)から黒表示(低階調表示)に変化する時は、画素16の駆動用トランジスタ11aの動作が主体である。ソースドライバ回路(IC)14は黒表示の電流を出力するが、微小であるため実効的に動作しない。駆動用トランジスタ11aが動作し、プログラム電流Id2(Iw)の電位に一致するように寄生容量Csを充電する。寄生容量Csに電荷を充電することにより、ソース信号線18の電位が上昇する。したがって、画素16の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位が上昇し、プログラム電流Iwを流すように電流プログラムが行われる。
When the white display (high gradation display) is changed to the black display (low gradation display), the operation of the driving
しかし、図47(a)の駆動は低階調領域では電流Id1が小さく、また、定電流動作のため、寄生容量Csの電荷の放電に非常に長時間を必要とする。特に白輝度に到達するまでの時間が長いため白ウインドウ表示で上辺の輝度が所定輝度より低い。そのため、視覚的にめだつ。図47(b)は駆動用トランジスタ11aが非線形動作するため、比較的電流Id2が大きい。そのため、Csの受電時間が比較的はやい。また、特に黒輝度に到達するまでの時間が短いため白ウインドウ表示で下辺の輝度が低下しやすく、視覚的にめだたない。
However, in the driving of FIG. 47A, the current Id1 is small in the low gradation region, and because of the constant current operation, a very long time is required for discharging the charge of the parasitic capacitance Cs. In particular, since it takes a long time to reach the white luminance, the luminance of the upper side in the white window display is lower than the predetermined luminance. Therefore, it is visually noticeable. In FIG. 47B, since the driving
プログラム電流の書き込み不足の課題を解決するために、電圧+電流駆動、突き抜け電圧駆動、duty駆動、プリチャージ駆動を実施する。しかし、この方法だけでは、パネルが大型になれば、図47(a)の黒から白表示の実現が困難になる場合がある。この対策として、本発明では、1Hの前半にソースドライバ回路(IC)14からのプログラム電流を増加させる。なお、後半は正規のプログラム電流Iwを出力する。つまり、所定条件の時は、1Hの最初に所定のプログラム電流よりも大きな電流をソース信号線18に流し、後半に正規のプログラム電流をソース信号線18に流す。以下この実施例について説明をする。
In order to solve the problem of insufficient programming current writing, voltage + current driving, punch-through voltage driving, duty driving, and precharge driving are performed. However, with this method alone, if the panel becomes large, it may be difficult to realize black to white display in FIG. As a countermeasure, in the present invention, the program current from the source driver circuit (IC) 14 is increased in the first half of 1H. In the second half, the regular program current Iw is output. That is, under a predetermined condition, a current larger than a predetermined program current is supplied to the
以下に説明する駆動方法(駆動装置あるいは駆動方式)を過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動と呼ぶ。また、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動は本発明の他の駆動方式あるいは駆動装置(電圧+電流駆動、突き抜け電圧駆動、duty駆動、プリチャージ駆動など)と組み合すことができることは言うまでもない。 The drive method (drive device or drive system) described below is called overcurrent (precharge current or discharge current) drive. In addition, overcurrent (precharge current or discharge current) driving can be combined with other driving methods or driving devices (voltage + current driving, punch-through voltage driving, duty driving, precharge driving, etc.) of the present invention. Needless to say.
図48は本発明の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動方式を実施したソースドライバ回路(IC)14の説明図である。図示を容易とするため、単位トランジスタ224が1個の電流回路はトランジスタ群841aとし、’1’で図示している。以下同様に、単位トランジスタ224が2個の電流回路はトランジスタ群841bとし、’2’で図示している。また、単位トランジスタ224が4個の電流回路はトランジスタ群841cとし、’4’で図示している。単位トランジスタ224が8個の電流回路はトランジスタ群841dとし、’8’で図示している。また、これらのトランジスタ群841の1出力段が電流出力回路251cである。なお、作図を容易にするため、RGBは各6ビットとしている。
FIG. 48 is an explanatory diagram of a source driver circuit (IC) 14 that implements the overcurrent (precharge current or discharge current) driving method of the present invention. For ease of illustration, a current circuit having one
図48の構成は、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)のプログラム電流を流すトランジスタ群はトランジスタ群841fとしている。つまり、階調データの最上位ビットのスイッチD5をオンオフ制御することにより、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)をソース信号線18に流す。過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)を流すことにより寄生容量Csの電荷を短時間で放電させることができる。
In the configuration of FIG. 48, the transistor group 841f is a transistor group that supplies an overcurrent (precharge current or discharge current) program current. That is, an overcurrent (pre-charge current or discharge current) is caused to flow through the
最上位ビットを過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)制御に使用するのは、以下の理由による。まず、説明を容易にするため、1階調から4階調に変化させるとする。また、階調数は256階調(RGB各8ビット)とする。 The most significant bit is used for overcurrent (precharge current or discharge current) control for the following reason. First, for ease of explanation, it is assumed that the gradation is changed from 1 gradation to 4 gradations. The number of gradations is 256 gradations (8 bits for each RGB).
1階調から白階調に変化させる場合であっても、1階調から中間調以上(128階調以上)に変化させる場合は、プログラム電流の書き込み不足は発生しない。プログラム電流が比較的大きく、寄生容量Csの充放電が比較的早いからである。 Even when the gradation is changed from one gradation to the white gradation, when the gradation is changed from one gradation to a halftone or more (128 gradations or more), the program current is not insufficiently written. This is because the program current is relatively large and the parasitic capacitance Cs is charged and discharged relatively quickly.
しかし、1階調から中間調以下に変化する場合は、プログラム電流が小さく、1H期間に寄生容量Csを十分に充放電させることができない。したがって、1階調から4階調などのように、中間調以下に階調変化させることを改善させる必要がある。この場合に、本発明の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動を実施する。 However, when the gradation level changes from 1 gradation to halftone or less, the program current is small, and the parasitic capacitance Cs cannot be sufficiently charged / discharged during the 1H period. Therefore, it is necessary to improve the gradation change to a halftone or less, such as 1 gradation to 4 gradations. In this case, the overcurrent (precharge current or discharge current) driving of the present invention is performed.
以上のように変化する階調が中間調以下であるから、プログラム電流の指定に最上位ビットは使用しない。つまり、1階調から変化させる場合、目標の階調は、’011111’以下である(最上位ビットのスイッチD5は絶えずオフ状態である。本発明はたえず、オフ状態の最上位ビットを制御して過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動を実施する。 Since the gradation changing as described above is equal to or lower than the halftone, the most significant bit is not used to specify the program current. In other words, when changing from one gradation, the target gradation is '011111' or less (the most significant bit switch D5 is constantly in the off state. The present invention constantly controls the most significant bit in the off state. Overcurrent (pre-charge current or discharge current) drive is performed.
最初の階調(変化前の階調)が1であれば、スイッチD0がオンで単位トランジスタ224が1個動作する。目標の階調が4であれば、スイッチD2が動作し、単位トランジスタ224が4個動作する。しかし、単位トランジスタ224が4個では十分に寄生容量Csの電荷を目標値まで放電させることができない。そこで、スイッチD5を閉じトランジスタ群841fを動作させる。なお、D5スイッチの動作は、D2スイッチの動作に加えて実施してもよいし(1Hの前半をD5とD2スイッチをオンさせ、後半はD2スイッチのみをオンさせる)、1Hの前半はスイッチD5のみをオンさせ、後半はスイッチD2のみをオンさせてもよい。
If the first gradation (gradation before change) is 1, the switch D0 is turned on and one
スイッチD5がオンすれば、単位トランジスタ224が32個動作する。したがって、D2スイッチのみの動作に比較して32/4=8であるから8倍の速度で寄生容量Csの電荷を放電させることができる。したがって、プログラム電流の書き込み改善が可能である。
When the switch D5 is turned on, 32
スイッチD5をオンさせるか否かは、RGBの映像データごとにコントローラ回路(IC)で判断する。コントローラ回路(IC)からは判断ビットKDATAがソースドライバ回路(IC)14に印加される。KDATAは一例として4ビットである。KDATA=0の時は、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動は実施しない。KDATA=1の時はプリチャージ駆動(電圧+電流駆動)を実施する。KDATA=2〜15が過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動を実施し、KDATAの大きさは、D5ビットをオンさせる時間を示す。 Whether or not the switch D5 is turned on is determined by a controller circuit (IC) for each RGB video data. A judgment bit KDATA is applied to the source driver circuit (IC) 14 from the controller circuit (IC). KDATA is 4 bits as an example. When KDATA = 0, overcurrent (precharge current or discharge current) driving is not performed. When KDATA = 1, precharge driving (voltage + current driving) is performed. When KDATA = 2 to 15 performs overcurrent (precharge current or discharge current) driving, the magnitude of KDATA indicates a time for turning on the D5 bit.
KDATAはラッチ回路331で1H期間保持される。カウンタ回路332はHD(1Hの同期信号)でリセットされ、クロックCLKでカウントされる。カウンタ回路332とラッチ回路331のデータが比較され、カウンタ回路332のカウント値が、ラッチ回路331のデータ値(KDATA)よりも小さいとき、AND回路333は内部配線222bにオン電圧を出力しつづけ、スイッチD5のオン状態が維持される。したがって、トランジスタ群841fの単位トランジスタ224の電流が内部配線222aおよびソース信号線18に流れる。なお、電流プログラム時はスイッチ222bが閉じ、プリチャージ駆動時は、スイッチ221aが閉じ、スイッチ221bがオープン状態となる。
KDATA is held in the
図49はコントローラIC(回路)の動作の説明図である。ただし、1画素列(RGBの組)の処理の説明図である。映像データDATA(8ビット×RGB)は内部クロックに同期してラッチ回路351aと351bに2段ラッチされる。したがって、ラッチ回路351bには、1H前の映像データが保持され、ラッチ回路351aには現在の映像データが保持される。
FIG. 49 is an explanatory diagram of the operation of the controller IC (circuit). However, it is explanatory drawing of the process of 1 pixel row (RGB group). Video data DATA (8 bits × RGB) is latched in two stages in
比較回路911は1H前の映像データと現在の映像データを比較し、KDATAの値を導出する。また、映像データDATAはソースドライバ回路(IC)14に転送される。また、コントローラIC(回路)はカウンタ332の上限カウント値CNTをソースドライバ回路(IC)14に転送する。
The
KDATAは比較回路911で決定される。決定は、変化前の映像データ(1H前のデータ)と変化後の映像データ(現在のデータ)から決定される。1H前のデータとは、現在のソース信号線18の電位を示す。現在のデータとは、変化させるソース信号線18の目標電位を示す。
KDATA is determined by the
図47に図示して説明したように、プログラム電流の書き込みは、ソース信号線18の電位を考慮して行うことが重要である。書き込み時間tは、T=ACV/I(A:比例定数、C:寄生容量の大きさ、V:変化する電位差、I:プログラム電流)で表すことができる。したがって、変化する電位差Vが大きければ書き込み時間が長くなる。一方、プログラム電流I=Iwが大きくすれば書き込み時間は短くなる。
As shown in FIG. 47, it is important to write the program current in consideration of the potential of the
本発明では、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動でIを大きくする。しかし、いずれの場合でもIを大きくすると、目標のソース信号線18電位を越える場合が発生する。したがって、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動を実施する場合には、電位差Vを考慮する必要がある。現在のソース信号線18の電位と、次の映像データ(現在の映像データ(次に印加する映像データ=(変化後:図50の縦方向))から決定される目標のソース信号線18電位から、KDATAを求める。
In the present invention, I is increased by overcurrent (precharge current or discharge current) driving. However, in any case, if I is increased, the target
KDATAはD5スイッチをオンさせる時間の場合もあるが、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動での電流の大きさでもよい。また、D5スイッチのオン時間(時間が長いほどソース信号線18に印加する過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)印加時間が長くなり、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の実効値が大きくなる)と、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の大きさ(大きさが大きいほどソース信号線18に印加する過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の実効値が大きくなる)の両方を組み合わせてもよい。説明を容易にするため、最初、KDATAはD5スイッチのオン時間であるとして説明をする。
KDATA may be the time to turn on the D5 switch, but it may be the magnitude of current in overcurrent (precharge current or discharge current) driving. Further, the ON time of the D5 switch (the longer the time is, the longer the overcurrent (precharge current or discharge current) application time applied to the
比較回路911は1H前と変化後(図50を参照のこと)の映像データを比較してKDATAの大きさを決定する。KDATAに0以上のデータが設定される場合は以下の条件に合致する場合である。
The
1H前の映像データが低階調領域である場合(0階調以上全階調の1/8以下の領域であることが好ましい。たとえば、64階調の場合は、0階調以上8階調以下である。)で、かつ、変化後の映像データが中間調領域以下である場合(1階調以上全階調の1/2以下の領域であることが好ましい。 When the video data before 1H is in a low gradation region (preferably in the region of 0 gradation or more and 1/8 or less of all gradations. For example, in the case of 64 gradations, 0 gradation or more and 8 gradations. And the video data after the change is less than or equal to the halftone area (preferably an area that is greater than or equal to 1 gradation and less than or equal to 1/2 of all gradations).
たとえば、64階調の場合は、1階調以上32階調以下の領域である。)にKDATAを設定する。設定するデータは、駆動用トランジスタ11aのVI特性カーブを考慮して決定する。ソース信号線18のVdd電圧から、0階調目の電圧であるV0(完全黒表示)までの電位差は大きい。また、V0電圧から、1階調目のV1までの電位差は大きい。次の2階調目であるV2電圧とV1電圧までの電位差は、V0電圧からV1電圧までの電位差よりもかなり小さい。以降、V3とV2、V4とV3になるにつれて電位差は小さくなる。以上のように高階調側になるにしたがって、電位差が小さくなるのは、駆動用トランジスタ11aのVI特性が非線形であることにほかならない。
For example, in the case of 64 gradations, the area is from 1 gradation to 32 gradations. ) Is set to KDATA. The data to be set is determined in consideration of the VI characteristic curve of the driving
階調間の電位差は、寄生容量Csの電荷の放電量に比例する。したがって、プログラム電流の印加時間つまり、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動では過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)Idの印加時間と大きさに連動する。たとえば、1H前のV0(階調0)と変化後のV1(階調1)の階調差が小さいからといって、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)Idの印加時間を短くすることはできない。電位差が大きいからである。 The potential difference between the gradations is proportional to the amount of discharge of the parasitic capacitance Cs. Accordingly, the application time of the program current, that is, the overcurrent (precharge current or discharge current) driving is linked to the application time and magnitude of the overcurrent (precharge current or discharge current) Id. For example, the application time of the overcurrent (precharge current or discharge current) Id is shortened just because the gradation difference between V0 (gradation 0) before 1H and V1 (gradation 1) after the change is small. I can't. This is because the potential difference is large.
逆に、階調差が大きくとも過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)を大きくする必要がない場合もある。たとえば、階調10と階調32では、階調10の電位V10と階調32の電位32の電位差も小さく、階調32のプログラム電流Iwも大きいため、寄生容量Csを短時間で充放電できるからである。
On the contrary, there are cases where it is not necessary to increase the overcurrent (pre-charge current or discharge current) even if the gradation difference is large. For example, in the
図50は横軸に1H前(変化前、つまり現在のソース信号線18電位を示す)の映像データの階調番号を示している。また、縦軸に現在の映像データの階調番号(変化後、つまり変化させる目標のソース信号線18電位を示す)を示している。
In FIG. 50, the horizontal axis indicates the gradation number of the video data before 1H (before the change, that is, the current potential of the source signal line 18). The vertical axis indicates the gradation number of the current video data (after the change, that is, the target
0階調目(1H前)から0階調目(変化後)に変化させるのは、電位変化がないため、KDATAは0でよい。ソース信号線18の電位変化がないからである。0階調目(1H前)から1階調目(変化後)に変化させるのは、V0電位からV1電位に変化させる必要がある。V1−V0電圧は大きいから、KDATAは最高値の15(例である)に設定する。ソース信号線18の電位変化が大きいからである。1階調目(1H前)から2階調目(変化後)に変化させるのは、V1電位からV2電位に変化させる必要があり、V2−V1電圧は比較的大きいから、KDATAは最高値近傍の12(一例である)に設定する。ソース信号線18の電位変化が大きいからである。3階調目(1H前)から4階調目(変化後)に変化させるのは、V3電位からV4電位に変化させる必要がある。しかし、V4−V3電圧は比較的小さいため、KDATAは小さい値の2に設定する。ソース信号線18の電位変化が小さくてすみ、寄生容量Csの充放電が短時間で実施でき、目標のプログラム電流を画素16に書き込むことができるからである。
The change from the 0th gradation (1H before) to the 0th gradation (after the change) has no potential change, so KDATA may be zero. This is because the potential of the
変化前が低階調領域であっても、変化後の階調が中間調以上の場合は、KDATAの値は0である。変化後の階調に対応するプログラム電流が大きく、1H期間内にソース信号線18の電位を目標電位または近傍の電位まで変化させることができるからである。たとえば、2階調から38階調目に変化させる場合は、KDATA=0である。
Even if the gradation before the change is a low gradation area, the value of KDATA is 0 when the gradation after the change is halftone or higher. This is because the program current corresponding to the changed gradation is large, and the potential of the
変化後が変化前より低階調の場合において、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動は実施しない。38階調から2階調目に変化させる場合は、KDATA=0である。この場合は、図47(b)が該当し、主として画素16の駆動用トランジスタからプログラム電流Idが寄生容量Csに供給されるからである。図47(b)の場合は、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動方式は実施せず、電圧+電流駆動方式あるいはプリチャージ電圧駆動を実施することが好ましい。
When the gradation after the change is lower than that before the change, overcurrent (pre-charge current or discharge current) driving is not performed. When changing from the 38th gradation to the second gradation, KDATA = 0. This is because FIG. 47B corresponds to this case, and the program current Id is mainly supplied from the driving transistor of the
本発明の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動方式において、基準電流を増加させる駆動方式あるいは基準電流比とdutyを制御する駆動方式と組み合わせることは効果がある。基準電流の増加により、図48の構成では過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)も増加させることができるからである。したがって、寄生容量Csの充放電時間も短くなる。基準電流の大きさあるいは基準電流比の制御により、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動方式の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の大きさを制御することができる点も本発明の特徴ある構成である。 In the overcurrent (precharge current or discharge current) driving method of the present invention, it is effective to combine with a driving method for increasing the reference current or a driving method for controlling the reference current ratio and duty. This is because the overcurrent (pre-charge current or discharge current) can be increased in the configuration of FIG. 48 due to the increase in the reference current. Therefore, the charge / discharge time of the parasitic capacitance Cs is also shortened. It is also possible to control the magnitude of the overcurrent (precharge current or discharge current) of the overcurrent (precharge current or discharge current) driving method by controlling the magnitude of the reference current or the reference current ratio. It is a characteristic configuration.
以上のように、KDATAがコントロールIC(回路)で決定され、KDATAがソースドライバ回路(IC)14に差動信号で伝送される。伝送されたKDATAは図48のラッチ回路331で保持され、D5スイッチが制御される。
As described above, KDATA is determined by the control IC (circuit), and KDATA is transmitted to the source driver circuit (IC) 14 as a differential signal. The transmitted KDATA is held by the
図50の表の関係は、マトリックスROMテーブルまたはルックアップテーブルを用いてKDATAを設定してもよいが、計算式を用いてコントローラIC(回路)の乗算器を用いてKDATAの算出(導出)を行ってもよい。その他、コントローラIC(回路)の外部電圧の変化によりKDATAを定めてもよい。また、コントローラIC(回路)で実施することに限定されるものではなく、ソースドライバ回路(IC)14で実施してもよいことは言うまでもない。 50, the KDATA may be set using a matrix ROM table or a lookup table, but the calculation (derivation) of KDATA using a multiplier of the controller IC (circuit) using a calculation formula. You may go. In addition, KDATA may be determined by a change in the external voltage of the controller IC (circuit). Moreover, it is not limited to implementing with controller IC (circuit), and it cannot be overemphasized that it may implement with source driver circuit (IC) 14.
本発明は、基準電流の大きさによりプログラム電流Iwの大きさが基準電流に比例して変化する。したがって、図48などの過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の大きさも基準電流の大きさに比例して変化する。図50で説明したKDATAの大きさも基準電流の大きさの変化に連動させる必要があることは言うまでもない。つまり、KDATAの大きさは、基準電流の大きさに連動させるあるいは基準電流の大きさを考慮することが好ましい。 In the present invention, the magnitude of the program current Iw varies in proportion to the reference current depending on the magnitude of the reference current. Therefore, the magnitude of the overcurrent (precharge current or discharge current) for driving the overcurrent (precharge current or discharge current) shown in FIG. 48 also changes in proportion to the magnitude of the reference current. It goes without saying that the magnitude of KDATA described in FIG. 50 must also be linked to the change in the magnitude of the reference current. That is, it is preferable that the magnitude of KDATA is linked to the magnitude of the reference current or the magnitude of the reference current is taken into consideration.
本発明の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動方式の技術的思想は、プログラム電流の大きさ、駆動用トランジスタ11aからの出力電流などに対応して過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の大きさ、印加時間、実効値を設定するものである。
The technical idea of the overcurrent (precharge current or discharge current) driving method of the present invention is that the overcurrent (precharge current or discharge current) corresponds to the magnitude of the program current, the output current from the driving
比較回路911または比較手段などではRGBの映像データごとに比較を実施するが、RGBデータから輝度(Y値)を求めて、KDATAを算出してもよいことは言うまでもない。つまり、単に、各RGBで比較するのではなく、色度変化、輝度変化を考慮し、また、階調データの連続性、周期性、変化割合を考慮してKDATAを算出あるいは決定もしくは演算する。また、1画素単位でなく、周辺の画素の映像データもしくは映像データに類するデータを考慮してKDATAを導出してもよいことは言うまでもない。たとえば、画面64を複数のブロックに分割し、各ブロック内の映像データなどを考慮してKDATAを決定する方式が例示される。
The
図48などにおいて、D5スイッチが選択される時間は、1H(1水平走査期間)の3/4期間以下1/32期間以上に設定することが好ましい。さらに好ましくは1H(1水平走査期間)の1/2期間以下1/16期間以上に設定することが好ましい。過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)を印加する期間が長いと、正規のプログラム電流を印加する期間が短くなり、電流補償が良好にならない場合がある。 In FIG. 48 and the like, it is preferable that the time for selecting the D5 switch is set to 3/4 period or less of 1H (one horizontal scanning period) and 1/32 period or more. More preferably, it is set to be not more than 1/2 period of 1H (one horizontal scanning period) and not less than 1/16 period. If the period for applying the overcurrent (pre-charge current or discharge current) is long, the period for applying the regular program current is shortened, and current compensation may not be good.
過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)を印加する期間が短いと、目標のソース信号線18の電位まで到達することができない。過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動では、目標の階調のソース信号線18電位まで行うことが好ましいのは言うまでもない。しかし、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動ののみで完全に目標のソース信号線電位にする必要はない。1Hの前半の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動後に、正規の電流駆動を実施し、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動により生じた誤差は、正規の電流駆動によるプログラム電流で補償されるからである。
If the period during which the overcurrent (precharge current or discharge current) is applied is short, the target potential of the
図51は、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動方式を実施した場合の、ソース信号線18の電位変化を図示している。図51(a)はD5スイッチを1/(2H)期間オン状態にした場合である。1水平走査期間(1H)の最初であるt1よりD5スイッチをオンし、32個分の単位トランジスタ224の単位電流が出力端子93から吸い込まれる。D5スイッチは1/(2H)のt2期間までの間、オン状態が維持され、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)Id2がソース信号線18に流れる。したがって、ソース信号線18の電位は目標電位のVn電位近傍のVm電位まで低下する。その後(t2後)、D5スイッチはオフ状態となり、正規のプログラム電流Iwが1Hの終了(t3)まで、ソース信号線18に流れて、ソース信号線18電位は目標のVn電位となる。
FIG. 51 illustrates the potential change of the
ソースドライバ回路(IC)14は定電流動作する。したがって、t2〜t3期間には定電流のプログラム電流Iwが流れる。このプログラム電流Iwにより、寄生容量Csが目標電位になるまで充放電されると、画素16の駆動用トランジスタ11aから電流Iが流れ、ソース信号線18の電位は目標プログラム電流Iwが流れるように保持される。したがって、駆動用トランジスタ11aは所定プログラム電流Iwが流れるように保持される。以上のように、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の精度は必要ない。精度がなくとも、画素16の駆動用トランジスタ11aにより補正される。
The source driver circuit (IC) 14 operates at a constant current. Therefore, a constant program current Iw flows during the period from t2 to t3. When the program current Iw is charged / discharged until the parasitic capacitance Cs reaches the target potential, the current I flows from the driving
図51(b)はD5スイッチを1/(4H)期間オン状態にした場合である。1水平走査期間(1H)の最初であるt1よりD5スイッチをオンし、32個分の単位トランジスタ224の単位電流が出力端子93から吸い込まれる。D5スイッチは1/(4H)のt4期間までの間、オン状態が維持され、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)Id2がソース信号線18に流れる。したがって、ソース信号線18の電位は目標電位のVn電位近傍のVm電位まで低下する。その後(t4後)、D5スイッチはオフ状態となり、正規のプログラム電流Iwが1Hの終了(t3)まで、ソース信号線18に流れて、ソース信号線18電位は目標のVn電位となる。
FIG. 51B shows the case where the D5 switch is turned on for 1 / (4H). The D5 switch is turned on from t1 which is the first of one horizontal scanning period (1H), and unit currents of 32
ソースドライバ回路(IC)14は定電流動作する。したがって、t4〜t3期間には定電流のプログラム電流Iwが流れる。このプログラム電流Iwにより、寄生容量Csが目標電位になるまで充放電されると、画素16の駆動用トランジスタ11aから電流Iが流れ、ソース信号線18の電位は目標プログラム電流Iwが流れるように保持される。したがって、駆動用トランジスタ11aは所定プログラム電流Iwが流れるように保持される。以上のように、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の精度は必要ない。精度がなくとも、画素16の駆動用トランジスタ11aにより補正される。
The source driver circuit (IC) 14 operates at a constant current. Therefore, a constant program current Iw flows during the period from t4 to t3. When the program current Iw is charged / discharged until the parasitic capacitance Cs reaches the target potential, the current I flows from the driving
図51(c)はD5スイッチを1/(8H)期間オン状態にした場合である。1水平走査期間(1H)の最初であるt1よりD5スイッチをオンし、32個分の単位トランジスタ224の単位電流が出力端子93から吸い込まれる。D5スイッチは1/(8H)のt5期間までの間、オン状態が維持され、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)Id2がソース信号線18に流れる。したがって、ソース信号線18の電位は目標電位のVn電位近傍のVm電位まで低下する。その後(t5後)、D5スイッチはオフ状態となり、正規のプログラム電流Iwが1Hの終了(t3)まで、ソース信号線18に流れて、ソース信号線18電位は目標のVn電位となる。
FIG. 51C shows the case where the D5 switch is turned on for 1 / (8H). The D5 switch is turned on from t1 which is the first of one horizontal scanning period (1H), and unit currents of 32
以上のように、単位トランジスタ224の動作個数と、1つの単位トランジスタ224の単位電流の大きさが固定値である。したがって、D5スイッチのオン時間により、比例して寄生容量Csの充放電時間を操作することができ、ソース信号線18の電位を操作することができる。なお、説明を容易にするため、寄生容量Csを過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)により充放電させるとしているが、画素16のスイッチトランジスタなどのリークもあるから、Csの充放電に限定されるものではない。
As described above, the number of
以上のように、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の大きさが単位トランジスタ224の動作個数により把握できる点が本発明の特徴ある構成である。書き込み時間tは、T=ACV/I(A:比例定数、C:寄生容量の大きさ、V:変化する電位差、I:プログラム電流)で表すことができるから、KDATAも値も、寄生容量(アレイ設計時に把握できる)、駆動用トランジスタ11aのVI特性(アレイ設計時に把握できる)などから理論値にKDATAの値を決定できる。
As described above, the characteristic feature of the present invention is that the magnitude of the overcurrent (precharge current or discharge current) can be grasped by the number of operation of the
図48の実施例は、最上位ビットD5スイッチを操作することにより、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動の過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)Idの大きさ、印加時間を制御するものであった。本発明はこれに限定するものではない。最上位ビット以外のスイッチを操作あるいは制御してもよいことは言うまでもない。 In the embodiment of FIG. 48, the magnitude and application time of overcurrent (precharge current or discharge current) Id for overcurrent (precharge current or discharge current) driving are controlled by operating the most significant bit D5 switch. It was a thing. The present invention is not limited to this. Needless to say, switches other than the most significant bit may be operated or controlled.
図52は、ソースドライバ回路(IC)14が各RGB8ビット構成である場合において、最上位ビットのスイッチD7と最上位ビットから2番目のスイッチD6をKDATAにより制御した構成である。なお、説明を容易にするため、D7ビットには128個の単位トランジスタ224が形成または配置されているとし、D6ビットには64個の単位トランジスタ224が形成または配置されているとする。
FIG. 52 shows a configuration in which the most significant bit switch D7 and the second most significant bit switch D6 are controlled by KDATA when the source driver circuit (IC) 14 has an RGB 8-bit configuration. For ease of explanation, it is assumed that 128
図52(a1)はD7スイッチの動作を示している。図52(a2)はD6スイッチの動作を示している。図52(a3)はソース信号線18の電位変化を示している。図52(a)ではD7、D6のスイッチを同時に動作するため、単位トランジスタ224は128+64個が同時に動作し、出力端子93からソースドライバ回路(IC)14に流れ込む。したがって、階調0のV0電圧から階調3のV3電圧まで高速にソース信号線18電位を変化させることができる。なお、t2後は、正規のスイッチDが閉じ、正規のプログラム電流Iwが出力端子93からソースドライバ回路(IC)14に吸い込まれる。
FIG. 52 (a1) shows the operation of the D7 switch. FIG. 52 (a2) shows the operation of the D6 switch. FIG. 52 (a3) shows the potential change of the source signal line. In FIG. 52A, since the switches D7 and D6 are simultaneously operated, 128 + 64
同様に、図52(b1)はD7スイッチの動作を示している。図52(b2)はD6スイッチの動作を示している。図52(b3)はソース信号線18の電位変化を示している。図52(b)ではD7スイッチのみが動作するため、単位トランジスタ224は128個が同時に動作し、出力端子93からソースドライバ回路(IC)14に流れ込む。したがって、階調0のV0電圧から階調2のV2電圧まで高速にソース信号線18電位を変化させることができる。図52(a)より変化速度は小さい。しかし、変化する電位がV0からV2であるから、適正である。なお、t2後は、正規のスイッチDが閉じ、正規のプログラム電流Iwが出力端子93からソースドライバ回路(IC)14に吸い込まれる。
Similarly, FIG. 52 (b1) shows the operation of the D7 switch. FIG. 52 (b2) shows the operation of the D6 switch. FIG. 52 (b 3) shows the potential change of the
同様に、図52(c1)はD7スイッチの動作を示している。図52(c2)はD6スイッチの動作を示している。図52(c3)はソース信号線18の電位変化を示している。図52(c)ではD6スイッチのみが動作するため、単位トランジスタ224は64個が同時に動作し、出力端子93からソースドライバ回路(IC)14に流れ込む。したがって、階調0のV0電圧から階調1のV1電圧まで高速にソース信号線18電位を変化させることができる。図52(b)より変化速度は小さい。しかし、変化する電位がV0からV1であるから、適正である。なお、t2後は、正規のスイッチDが閉じ、正規のプログラム電流Iwが出力端子93からソースドライバ回路(IC)14に吸い込まれる。
Similarly, FIG. 52 (c1) shows the operation of the D7 switch. FIG. 52 (c2) shows the operation of the D6 switch. FIG. 52 (c <b> 3) shows the potential change of the
以上のようにKDATAにより、スイッチのオン期間だけでなく、複数のスイッチを操作あるいは動作させ、動作させる単位トランジスタ224個数を変化させることにより、適正なソース信号線電位を達成できる。
As described above, by KDATA, not only the switch ON period but also a plurality of switches are operated or operated to change the number of
図52では、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動によるスイッチD(D6、D7)をt1からt2の期間に動作させるとしたが、これに限定するものではなく、図42に図示あるいは説明したように、t2、t3、t4などのようにKDATAの値によって変化あるいは変更してもよいことは言うまでもない。また、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)を印加している期間に基準電流あるいは基準電流の大きさを制御あるいは変更し、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)の大きさを調整してもよい。なお、正規のプログラム電流を印加している期間は基準電流あるいは基準電流の大きさは正規の値にする。 In FIG. 52, the switch D (D6, D7) driven by the overcurrent (pre-charge current or discharge current) is operated during the period from t1 to t2. However, the present invention is not limited to this, and is illustrated or described in FIG. As described above, it goes without saying that it may be changed or changed according to the value of KDATA, such as t2, t3, t4. Also, control or change the size of the reference current or reference current while applying the overcurrent (precharge current or discharge current), and adjust the size of the overcurrent (precharge current or discharge current). Also good. Note that the reference current or the magnitude of the reference current is set to a normal value during the period in which the normal program current is applied.
操作するスイッチはD7、D6に限定するものではなく、D5など他のスイッチも同時にあるいは選択して動作あるいは制御してもよいことは言うまでもない。a期間の例では、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動として1/(2H)の期間D7スイッチをオン状態にして、128個の単位電流からなる過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)をソース信号線18に印加している。
The switches to be operated are not limited to D7 and D6, but it goes without saying that other switches such as D5 may be operated or controlled simultaneously or selected. In the example of the period a, overcurrent (precharge current or discharge current) is driven, and the D7 switch is turned on for a period of 1 / (2H), and the overcurrent (precharge current or discharge current) is made up of 128 unit currents. Is applied to the
b期間の例では、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動として1/(2H)の期間D7、D6スイッチをオン状態にして、128+64個の単位電流からなる過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)をソース信号線18に印加している。
In the example of period b, the overcurrent (precharge current or discharge current) is driven, and the switches D7 and D6 are turned on for 1 / (2H) and the overcurrent (precharge current or discharge current) consisting of 128 + 64 unit currents is turned on. Current) is applied to the
c期間の例では、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動として1/(2H)の期間D7、D6、D5スイッチをオン状態にして、128+64+32個の単位電流からなる過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)をソース信号線18に印加している。
In the example of the period c, the overcurrent (precharge current or discharge current) driving is performed by turning on the switches D7, D6, and D5 of 1 / (2H) and turning on the overcurrent (precharge current) of 128 + 64 + 32 unit currents. Alternatively, a discharge current) is applied to the
d期間の例では、過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)駆動として1/(2H)の期間D7、D6、D5スイッチと前記スイッチに該当しない映像データのスイッチ(たとえば、映像データが4であれいば、D2スイッチ)をオン状態にして、128+64+32+α個の単位電流からなる過電流(プリチャージ電流もしくはディスチャージ電流)をソース信号線18に印加している。
In the example of the d period, the overcurrent (precharge current or discharge current) drive is a 1 / (2H) period D7, D6, D5 switch and a switch of video data not corresponding to the switch (for example, if the video data is 4) In other words, the D2 switch) is turned on, and an overcurrent (precharge current or discharge current) consisting of 128 + 64 + 32 + α unit currents is applied to the
各電圧端子間の電位差は、基準電流比などにより変化できるように構成することが好ましい。図71は各電圧端子間をボリウムVRで可変できるように構成した実施例である。もちろん、VRの替わりにDAコンバータで可変してもよい。電圧VddとGND間に抵抗R0〜R6が配置されている。基準電流比の変化に伴い、抵抗R6の端子電圧は、ボリウムVRで変化させる。ボリウムVRによりR0〜R6の各抵抗端子の電圧は変化し、この変化は、電圧端子V1〜V256の電圧を変化させる。V0電圧は階調0の電圧であるため、所定電圧Vaに固定している。電圧端子V1〜V256の電位は、複数のソースドライバ回路(IC)14に共通に印加される。
It is preferable that the potential difference between the voltage terminals can be changed according to a reference current ratio or the like. FIG. 71 shows an embodiment in which the voltage terminals can be varied with a volume VR. Of course, a DA converter may be used instead of VR. Resistors R0 to R6 are arranged between the voltage Vdd and GND. Along with the change of the reference current ratio, the terminal voltage of the resistor R6 is changed by the volume VR. The voltage at each of the resistance terminals R0 to R6 is changed by the volume VR, and this change changes the voltage at the voltage terminals V1 to V256. Since the V0 voltage is a voltage of
以上の実施例は、電圧端子V1〜V256基準電流比に対応して変化させるとしたが、点灯率など他の変動により変化させてもよいことは言うまでもない。 In the above embodiment, the voltage terminals V1 to V256 are changed corresponding to the reference current ratio, but it is needless to say that the voltage terminals V1 to V256 may be changed due to other fluctuations such as the lighting rate.
図71の実施例は、ソースドライバ回路(IC)14の外づけ抵抗R(R0〜R6)により電圧端子に印加する電圧を変化させる構成である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図67に図示するように、ソースドライバ回路(IC)14の内蔵抵抗Raにより、電圧端子間(V2電圧とV8電圧間、V8電圧とV32電圧間、V32電圧とV128電圧間)に所定電圧が印加されるように構成してもよい。 The embodiment of FIG. 71 has a configuration in which the voltage applied to the voltage terminal is changed by the external resistor R (R0 to R6) of the source driver circuit (IC) 14. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 67, the internal resistance Ra of the source driver circuit (IC) 14 is predetermined between the voltage terminals (between the V2 voltage and the V8 voltage, between the V8 voltage and the V32 voltage, and between the V32 voltage and the V128 voltage). You may comprise so that a voltage may be applied.
図67などでは、V1電圧とV2電圧とを分離しているが、図68に図示するように、V1電圧をプリチャージ電圧Vpc1とし、また、オペアンプ231cを介してプリチャージ電圧Vpc2以降を発生するように構成してもうよいことは言うまでもない。
In FIG. 67 and the like, the V1 voltage and the V2 voltage are separated, but as shown in FIG. 68, the V1 voltage is used as the precharge voltage Vpc1, and the precharge voltage Vpc2 and subsequent voltages are generated via the
図66などでは、電子ボリウム291の抵抗Rは同一として説明している。抵抗Rの抵抗値を同一にすることによりICチップを小サイズ化できる。しかし、本発明はこれに限定するものではない。抵抗Rは変化させてもよい。たとえば、低階調側の抵抗値を大きくし(図65に図示するように、V0〜低階調領域では、階調に対応する電位の電位差が大きいからである)、高階調側の抵抗値を相対的にあるいは絶対値的に小さくしてもよい。また、抵抗の抵抗値は、低階調側と高階調側の2種類あるいは複数種類で構成してもよい。
In FIG. 66 and the like, the description is made assuming that the resistance R of the
たとえば、図65に図示するガンマカーブを発生するためには、プリチャージ電圧Vpc端子間に配置する抵抗値を2乗特性にする。この実施例を図69に図示する。プリチャージ電圧Vpc端子間電圧は、1、3、5、7、9・・・・・・・と抵抗値を変化させている。 For example, in order to generate the gamma curve shown in FIG. 65, the resistance value arranged between the precharge voltage Vpc terminals is set to a square characteristic. This embodiment is illustrated in FIG. The precharge voltage Vpc terminal voltage changes the resistance value to 1, 3, 5, 7, 9,...
図69などにおいて、V1電圧、V2電圧などを変化させることにより、適切なプリチャージ電圧Vpcを発生することができる。電圧の変化は、DA回路を用いてもよい。DA回路は、コントローラ回路(IC)が出力する8ビットデータIDで制御する。 In FIG. 69 and the like, an appropriate precharge voltage Vpc can be generated by changing the V1 voltage, the V2 voltage, and the like. A DA circuit may be used to change the voltage. The DA circuit is controlled by the 8-bit data ID output from the controller circuit (IC).
以上の実施例は、プリチャージ駆動方式の実施例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。電圧駆動方式(たとえば、図2などの画素構成を有するEL表示パネルの駆動方法)にも適用できることは言うまでもない。電圧駆動では、RGBのEL素子のガンマカーブが異なるため、RGB独立のガンマ回路が必要である。 Although the above embodiment has been described as an embodiment of the precharge driving system, the present invention is not limited to this. Needless to say, the present invention can also be applied to a voltage driving method (for example, a driving method of an EL display panel having a pixel configuration shown in FIG. 2). In the voltage drive, the gamma curves of the RGB EL elements are different, so that an RGB independent gamma circuit is required.
図46の構成と、図69の構成とを組み合わせて構成してもよい。図46は、たとえば、V1電圧とV2電圧間のタップ間の抵抗値を一定の抵抗ではなく、4R、2R、Rなど変化させている。変化することにより、図65のカーブが、曲線状となり、より駆動用トランジスタ11aのV−I特性と一致するようになる。
The configuration of FIG. 46 and the configuration of FIG. 69 may be combined. In FIG. 46, for example, the resistance value between taps between the V1 voltage and the V2 voltage is not a constant resistance, but 4R, 2R, R, and the like are changed. As a result of the change, the curve of FIG. 65 becomes a curve and more closely matches the VI characteristic of the driving
以上のように、本発明のソースドライバ回路(IC)14において、プリチャージ電圧Vpcを発生する回路構成は、多種多様な構成が含まれる。また、以上の事項は、プリチャージ電流あるいは過電圧Idを発生する回路構成にも適用できることは言うまでもない。 As described above, in the source driver circuit (IC) 14 of the present invention, the circuit configuration for generating the precharge voltage Vpc includes various configurations. Further, it goes without saying that the above matters can be applied to a circuit configuration for generating a precharge current or an overvoltage Id.
図72は、以前に説明した本発明のプリチャージ電圧Vpc回路を電圧駆動方式に適用した実施例である。RGBのV0電圧(Vpc=V0)はRGBで共通である。電子ボリウム291RはRの電圧発生回路である。また、電子ボリウム291GはGの電圧発生回路である。電子ボリウム291BはBの電圧発生回路である。V1R〜VnR、V1G〜VnG、V1B〜VnBは、各RGBで独立に設定することができる。したがって、Vpc1r〜Vpcnr、Vpc1g〜Vpcng、Vpc1b〜Vpcnbを各RGBで独立に設定することができる。図72において、V0電圧もRGBで独立の値に形成あるいは設定してもよい。また、電子ボリウム291の内部抵抗Rの値も各RGBで独立に形成あるいは構成してもよい。図72に構成することによりRGB独立ガンマカーブを発生することができ、良好なホワイトバランスを実現することができる。
FIG. 72 shows an embodiment in which the previously described precharge voltage Vpc circuit of the present invention is applied to a voltage drive system. RGB V0 voltage (Vpc = V0) is common to RGB. The
以上のように、プリチャージ電圧Vpcを発生する本発明の回路構成、駆動方式は電圧駆動方式にも適用できることは言うまでもない。たとえば、図2の画素構成においても、V0電圧を各RGBに共通にし、図72の電子ボリウム291などの構成を適用してもよい。つまり、電圧+電流駆動に限定されるものではない。
As described above, it goes without saying that the circuit configuration and driving method of the present invention for generating the precharge voltage Vpc can also be applied to the voltage driving method. For example, also in the pixel configuration of FIG. 2, the V0 voltage may be made common to each RGB, and the configuration such as the
図66では、全階調範囲において、プリチャージ電圧Vpcを対応させるとしているが、本発明はこれに限定するものではない。書き込み電流あるいは書き込み電圧が不足する領域に限定してプリチャージ電圧Vpc発生回路を構成または配置してもよい。たとえば、図66では、電流駆動であり、低階調領域で書き込み不足が発生する(と想定する)。したがって、256階調の低階調の該当するV0〜V128までプリチャージ電圧発生回路を構成し、それ以上は、省略してもよいことは言うまでもない。また、0階調目と偶数階調目のみにプリチャージ発生回路を構成したりするように、対応する階調を間欠にしてもよいことは言うまでもない。また、階調128以上のプリチャージ電圧VpcはVpc255のみであってもよい。プログラム電流が支配的に動作するからである。以上の事項は本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。
In FIG. 66, the precharge voltage Vpc is made to correspond in the entire gradation range, but the present invention is not limited to this. The precharge voltage Vpc generation circuit may be configured or arranged only in a region where the write current or the write voltage is insufficient. For example, in FIG. 66, current driving is performed, and writing shortage occurs in the low gradation region (assumed to be). Therefore, it goes without saying that the precharge voltage generation circuit is configured from V0 to V128 corresponding to the low gradation of 256 gradations, and the rest can be omitted. Needless to say, the corresponding gradation may be intermittent so that the precharge generation circuit is configured only for the 0th gradation and the even gradation. Further, the precharge voltage Vpc of
図66に図示するように構成することも好ましい。図66は3点折れガンマ(折れ点位置は、V1、V2,V3)の実施例であるが、これは説明を容易にするためであって、2点折れガンマ以下であっても、4点折れガンマ以下以上であってもよい。 It is also preferable to configure as shown in FIG. FIG. 66 shows an example of a three-point broken gamma (the positions of the broken points are V1, V2, and V3). However, this is for ease of explanation. It may be greater than or equal to the bending gamma.
図66の特徴は、V0〜V1、V1〜V2、V2〜V4間のプリチャージ電圧Vpc数が一定でないことである。一例としてV0〜V1はVpc0とVpc1の2個、V1〜V2は32−1=31個のプリチャージ電圧Vpc、V2〜V3は128−32=96個のプリチャージ電圧Vpc、V3〜V4は255−32=223個のプリチャージ電圧Vpcとしている。つまり、高階調になるにしたがって、プリチャージ電圧Vpc数を多くしている。 The feature of FIG. 66 is that the number of precharge voltages Vpc between V0 to V1, V1 to V2, and V2 to V4 is not constant. As an example, V0 to V1 are two of Vpc0 and Vpc1, V1 to V2 are 32-1 = 31 precharge voltages Vpc, V2 to V3 are 128-32 = 96 precharge voltages Vpc, and V3 to V4 are 255. −32 = 223 precharge voltages Vpc. That is, the number of precharge voltages Vpc is increased as the gray level is increased.
階調0対応するプリチャージ電圧V0はRGBで共通であり、アノード電圧Vddに近い(駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの場合である。Nチャンネルトランジスタの場合は逆になる)。また、階調1対応するプリチャージ電圧V1はRGBで異なり、V1とV0電圧の電位差は大きい。また、V1電圧は低階調であるため、電流プログラム方法において書き込み不足が発生しやすく、EL素子の発光効率も低いため、電圧駆動を支配的にする必要がある。この理由から、図66では、V0電圧とV1電圧とをソースドライバ回路(IC)14の外部より入力している。
The precharge voltage V0 corresponding to
一方、V3電圧からV4電圧の範囲は、グランド(GND)電圧に近い。また、プログラム電流も大きいため、電流駆動が支配的となるため、基本的には、プリチャージ電圧Vpcの印加は必要でない。また、高階調側では、ソース信号線電位(駆動用トランジスタ11aのゲート電位)に対する出力電流は直線的な関係になり、少しの電位変化で出力電流は大きくなる。また、電流値も大きい。したがって、プリチャージ電圧Vpcの精度は必要ない。この理由から、V3電圧とV4電圧の間に対応する階調数を多くしても問題ない。
On the other hand, the range from the V3 voltage to the V4 voltage is close to the ground (GND) voltage. Further, since the program current is large, the current drive becomes dominant, and therefore it is basically not necessary to apply the precharge voltage Vpc. On the high gradation side, the output current with respect to the source signal line potential (the gate potential of the driving
好ましくは、V0〜V1の電位差、V1〜V2の電位差、V2〜V3の電位差、V3〜V4の電位差は同一あるいは近傍の電圧差にすることが好ましい。近傍の電位差とは、0.3V以上1.2V以下である。このように近傍の電位差にすることにより、電圧V0〜V4の発生回路が容易になり、電子ボリウム291の構成も簡略化することができる。
Preferably, the potential difference between V0 and V1, the potential difference between V1 and V2, the potential difference between V2 and V3, and the potential difference between V3 and V4 are preferably the same or in the vicinity. The potential difference in the vicinity is 0.3 V or more and 1.2 V or less. By setting the potential difference in the vicinity in this way, the circuit for generating the voltages V0 to V4 can be facilitated, and the configuration of the
以上のように、本発明は、外部から(内部で発生してもよいことは言うまでもない)印加する電圧V0〜V4のそれぞれ間に対応するプリチャージ電圧数が異なっていることに特徴がある。ガンマカーブの折れ曲がり位置のそれぞれ間の階調数が異なっている。特に階調の中央(256階調であれば128階調目)以下と以上で変化させている。 As described above, the present invention is characterized in that the number of precharge voltages corresponding to each of the voltages V0 to V4 applied from the outside (which may be generated inside) is different. The number of gradations between the bent positions of the gamma curve is different. In particular, it is changed below the center of the gradation (128th gradation for 256 gradations) and above.
V0電圧は、基準電流比(Ic:図22、図23などを参照のこと)が変化しても変動することはないから固定値でよい。しかし、V1電圧位置は、基準電流(Ic)比の変化に大きく依存する。画素16の駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電流が小さいため、基準電流比に対応して駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位(プログラム時のソース信号線18電位)を大きく変化させる必要があるからである。駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタの場合は、基準電流比が大きくするにしたがって、ソース信号線18電位を低下させる必要がある。また、基準電流比による電圧の変化は、V2電圧よりもV4電圧の方を大きくする必要がある。
The V0 voltage may be a fixed value because it does not fluctuate even if the reference current ratio (Ic: see FIGS. 22, 23, etc.) changes. However, the V1 voltage position greatly depends on the change in the reference current (Ic) ratio. This is because since the rising current of the driving
以上のように本発明は、基準電流比を変化させる駆動を実施する場合は、V0電圧を固定または、所定電圧近傍の電位を維持したまま、V1電圧以降あるいはV2電圧以降の電位を変化させることに特徴がある。なお、駆動用トランジスタ11aがNチャンネルトランジスタの場合は、GND電位側にV0電圧(立ち上がり電圧)が位置する。
As described above, in the present invention, when driving to change the reference current ratio, the V0 voltage is fixed or the potential after the V1 voltage or the V2 voltage is changed while the potential near the predetermined voltage is maintained. There is a feature. When the driving
したがって、図66の電位関係をNチャンネル用に変更すればよい。変更は当業者であれば容易であるので説明を省略する。以上のように、本発明は、駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタであるとして説明をするがこれに限定するものではない。Nチャンネルトランジスタであってもよいことは言うまでもない。
Therefore, the potential relationship in FIG. 66 may be changed for the N channel. Since the change is easy for those skilled in the art, the description is omitted. As described above, the present invention will be described assuming that the driving
図66はV0とV1電圧間にソースドライバ回路(IC)14の内蔵抵抗を形成または配置した構成である。もちろん、抵抗Rは外づけ抵抗であってもよい。また、抵抗Rの抵抗値はトリミングにより調整してもよい。 FIG. 66 shows a configuration in which a built-in resistor of the source driver circuit (IC) 14 is formed or arranged between the voltages V0 and V1. Of course, the resistor R may be an external resistor. Further, the resistance value of the resistor R may be adjusted by trimming.
V0電圧は固定であり、V1あるいはV2電圧と連動しないのであれば、図46に図示するように、抵抗Rを形成する必要がない。また、V0電圧とV1電圧とは比較的電位差が大きいため、V0電圧とV1電圧間には大きな抵抗を形成する必要がある。大きな抵抗は、抵抗のパーツ数が増大し、ソースドライバ回路(IC)14チップのサイズ拡大に直結する。 If the V0 voltage is fixed and does not interlock with the V1 or V2 voltage, it is not necessary to form the resistor R as shown in FIG. Further, since the potential difference between the V0 voltage and the V1 voltage is relatively large, it is necessary to form a large resistance between the V0 voltage and the V1 voltage. A large resistor increases the number of parts of the resistor and directly leads to an increase in the size of the source driver circuit (IC) 14 chip.
図46はこの課題を解決するため、V0電圧とV1電圧とを独立させている。つまり、V0電圧端子とV1電圧端子間に抵抗を形成していない。また、V1電圧端子とV2電圧端子間にも抵抗を形成していない。一方、V2電圧端子とV8電圧端子間には抵抗Rを配置し、Vpc2とVpc3間、Vpc3とVpc4間、Vpc4とVpc5間など1つのプリチャージ電圧端子間には、抵抗Rの8倍の抵抗(8R)を形成している。これは、V2電圧端子とV3電圧端子間は比較的電位差が大きく、抵抗Rの形成数が少ないと貫通電流が多く流れ消費電力が大きくなるからである。 In FIG. 46, in order to solve this problem, the V0 voltage and the V1 voltage are made independent. That is, no resistor is formed between the V0 voltage terminal and the V1 voltage terminal. Further, no resistor is formed between the V1 voltage terminal and the V2 voltage terminal. On the other hand, a resistor R is arranged between the V2 voltage terminal and the V8 voltage terminal, and a resistance of 8 times the resistance R is provided between one precharge voltage terminal such as between Vpc2 and Vpc3, between Vpc3 and Vpc4, and between Vpc4 and Vpc5. (8R) is formed. This is because there is a relatively large potential difference between the V2 voltage terminal and the V3 voltage terminal, and if the number of resistors R is small, a large amount of through current flows and power consumption increases.
V8電圧端子とV32電圧端子間には抵抗Rを配置し、Vpc8とVpc9間、Vpc9とVpc10間、Vpc10とVpc11間など1つのプリチャージ電圧端子間には、抵抗Rの4倍の抵抗(8R)を形成している。これは、V8電圧端子とV32電圧端子間も比較的電位差が大きく、抵抗Rの形成数が少ないと貫通電流が多く流れ消費電力が大きくなるからである。V32電圧端子とV128電圧端子間のVpc端子間には抵抗Rを配置している。1パーツの抵抗で構成できるのは、V32電圧端子とV128電圧端子間に形成されるプリチャージ電圧端子数が多いため、抵抗Rの構成数も多く、貫通電流が流れないからである。以上の事項は、V128電圧端子とV255電圧端子間も同様である。 A resistor R is arranged between the V8 voltage terminal and the V32 voltage terminal, and a resistance four times the resistance R (8R) is provided between one precharge voltage terminal such as between Vpc8 and Vpc9, between Vpc9 and Vpc10, between Vpc10 and Vpc11. ) Is formed. This is because there is a relatively large potential difference between the V8 voltage terminal and the V32 voltage terminal, and if the number of resistors R is small, a large amount of through current flows and power consumption increases. A resistor R is arranged between the Vpc terminal between the V32 voltage terminal and the V128 voltage terminal. The reason why it can be configured by one part of the resistor is that the number of precharge voltage terminals formed between the V32 voltage terminal and the V128 voltage terminal is large, so that the number of the resistors R is large and no through current flows. The above matters are the same between the V128 voltage terminal and the V255 voltage terminal.
各電圧端子間の電位差は、基準電流比などにより変化できるように構成することが好ましい。図71は各電圧端子間をボリウムVRで可変できるように構成した実施例である。もちろん、VRの替わりにDAコンバータ291で可変してもよい。電圧VddとGND間に抵抗R0〜R6が配置されている。基準電流比の変化に伴い、抵抗R6の端子電圧は、ボリウムVRで変化させる。ボリウムVRによりR0〜R6の各抵抗端子の電圧は変化し、この変化は、電圧端子V1〜V256の電圧を変化させる。V0電圧は階調0の電圧であるため、所定電圧Vaに固定している。電圧端子V1〜V256の電位は、複数のソースドライバ回路(IC)14に共通に印加される。
It is preferable that the potential difference between the voltage terminals can be changed according to a reference current ratio or the like. FIG. 71 shows an embodiment in which the voltage terminals can be varied with a volume VR. Of course, the
以上の実施例は、電圧端子V1〜V256基準電流比に対応して変化させるとしたが、点灯率など他の変動により変化させてもよいことは言うまでもない。 In the above embodiment, the voltage terminals V1 to V256 are changed corresponding to the reference current ratio, but it is needless to say that the voltage terminals V1 to V256 may be changed due to other fluctuations such as the lighting rate.
図71の実施例は、ソースドライバ回路(IC)14の外づけ抵抗Rにより電圧端子に印加する電圧を変化させる構成である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図67に図示するように、ソースドライバ回路(IC)14の内蔵抵抗Raにより、電圧端子間(V2電圧とV8電圧間、V8電圧とV32電圧間、V32電圧とV128電圧間)に所定電圧が印加されるように構成してもよい。 The embodiment of FIG. 71 has a configuration in which the voltage applied to the voltage terminal is changed by the external resistor R of the source driver circuit (IC) 14. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 67, the internal resistance Ra of the source driver circuit (IC) 14 is predetermined between the voltage terminals (between the V2 voltage and the V8 voltage, between the V8 voltage and the V32 voltage, and between the V32 voltage and the V128 voltage). You may comprise so that a voltage may be applied.
図67などでは、V1電圧とV2電圧とを分離しているが、図68に図示するように、V1電圧をプリチャージ電圧Vpc1とし、また、オペアンプ231cを介してプリチャージ電圧Vpc2以降を発生するように構成してもうよいことは言うまでもない。
In FIG. 67 and the like, the V1 voltage and the V2 voltage are separated, but as shown in FIG. 68, the V1 voltage is used as the precharge voltage Vpc1, and the precharge voltage Vpc2 and subsequent voltages are generated via the
図66などでは、電子ボリウム291の抵抗Rは同一として説明している。抵抗Rの抵抗値を同一にすることによりICチップを小サイズ化できる。しかし、本発明はこれに限定するものではない。抵抗Rは変化させてもよい。たとえば、低階調側の抵抗値を大きくし、高階調側の抵抗値を相対的にあるいは絶対値的に小さくしてもよい。また、抵抗の抵抗値は、低階調側と高階調側の2種類あるいは複数種類で構成してもよい。
In FIG. 66 and the like, the description is made assuming that the resistance R of the
たとえば、図65に図示するガンマカーブを発生するためには、プリチャージ電圧Vpc端子間に配置する抵抗値を2乗特性にする。この実施例を図69に図示する。プリチャージ電圧Vpc端子間電圧は、1、3、5、7、9・・・・・・・と抵抗値を変化させている。 For example, in order to generate the gamma curve shown in FIG. 65, the resistance value arranged between the precharge voltage Vpc terminals is set to a square characteristic. This embodiment is illustrated in FIG. The precharge voltage Vpc terminal voltage changes the resistance value to 1, 3, 5, 7, 9,...
以上の実施例は、プリチャージ駆動方式の実施例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。電圧駆動方式(たとえば、図2などの画素構成を有するEL表示パネルの駆動方法)にも適用できることは言うまでもない。電圧駆動では、RGBのEL素子のガンマカーブが異なるため、RGB独立のガンマ回路が必要である。ただし、本発明のように電圧+電流駆動を実施する構成ではガンマカーブの精度は必要ない。電圧駆動で発生したガンマカーブのずれは、プリチャージ電圧Vpcの印加後に印加するプログラム電流により補正されるからである。この点は本発明の大きな特徴である。したがって、RGBのガンマカーブの差異が比較的小さいときは、RGBで共通のガンマカーブを実現できる。たとえば、図72では、RGBで1つの電子ボリウム291を形成または配置するだけでよい。
Although the above embodiment has been described as an embodiment of the precharge driving system, the present invention is not limited to this. Needless to say, the present invention can also be applied to a voltage driving method (for example, a driving method of an EL display panel having a pixel configuration shown in FIG. 2). In the voltage drive, the gamma curves of the RGB EL elements are different, so that an RGB independent gamma circuit is required. However, in the configuration in which voltage + current driving is performed as in the present invention, the accuracy of the gamma curve is not necessary. This is because the deviation of the gamma curve generated by the voltage drive is corrected by the program current applied after the application of the precharge voltage Vpc. This is a major feature of the present invention. Therefore, when the difference between the RGB gamma curves is relatively small, a common gamma curve can be realized for RGB. For example, in FIG. 72, only one
以上のように、本発明のソースドライバ回路(IC)14において、プリチャージ電圧Vpcを発生する回路構成は、多種多様な構成が含まれる。また、以上の事項は、プリチャージ電流あるいは過電圧Idを発生する回路構成(図48などを参照のこと)にも適用できることは言うまでもない。 As described above, in the source driver circuit (IC) 14 of the present invention, the circuit configuration for generating the precharge voltage Vpc includes various configurations. Further, it goes without saying that the above items can be applied to a circuit configuration (see FIG. 48 and the like) that generates a precharge current or an overvoltage Id.
図72は、以前に説明した本発明のプリチャージ電圧回路を電圧駆動方式に適用した実施例である。RGBのV0電圧は共通である。電子ボリウム291RはRの電圧発生回路である。また、電子ボリウム291GはGの電圧発生回路である。電子ボリウム291BはBの電圧発生回路である。図72に構成することによりRGB独立ガンマカーブを発生することができ、良好なホワイトバランスを実現することができる。
FIG. 72 shows an embodiment in which the previously described precharge voltage circuit of the present invention is applied to a voltage drive system. The RGB V0 voltage is common. The
以上のように、プリチャージ電圧Vpcを発生する本発明の回路構成、駆動方式は電圧駆動方式にも適用できることは言うまでもない。つまり、電圧+電流駆動(図38などを参照のこと)に限定されるものではない。 As described above, it goes without saying that the circuit configuration and driving method of the present invention for generating the precharge voltage Vpc can also be applied to the voltage driving method. That is, the present invention is not limited to voltage + current driving (see FIG. 38 and the like).
図66では、全階調範囲において、プリチャージ電圧Vpcを対応させるとしているが、本発明はこれに限定するものではない。書き込み電流あるいは書き込み電圧が不足する領域に限定してプリチャージ電圧Vpc発生回路を構成または配置してもよい。たとえば、図66では、電流駆動であり、低階調領域で書き込み不足が発生する(と想定する)。したがって、低階調の該当するV0〜V128までプリチャージ電圧発生回路を構成し、それ以上は、省略してもよいことは言うまでもない。また、0階調目と偶数階調目のみにプリチャージ発生回路を構成したりするように、対応する階調を間欠にしてもよいことは言うまでもない。また、階調128以上のプリチャージ電圧VpcはVpc255のみであってもよい。プログラム電流が支配的に動作するからである。以上の事項は本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。
In FIG. 66, the precharge voltage Vpc is made to correspond in the entire gradation range, but the present invention is not limited to this. The precharge voltage Vpc generation circuit may be configured or arranged only in a region where the write current or the write voltage is insufficient. For example, in FIG. 66, current driving is performed, and writing shortage occurs in the low gradation region (assumed to be). Therefore, it goes without saying that the precharge voltage generation circuit is configured from V0 to V128 corresponding to the low gradation, and the rest can be omitted. Needless to say, the corresponding gradation may be intermittent so that the precharge generation circuit is configured only for the 0th gradation and the even gradation. Further, the precharge voltage Vpc of
図71の実施例は、ソースドライバ回路(IC)14の外づけ抵抗Rにより電圧端子に印加する電圧を変化させる構成である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図70に図示するように、ソースドライバ回路(IC)14の内蔵抵抗Raにより、電圧端子間(V2電圧とV8電圧間、V8電圧とV32電圧間、V32電圧とV128電圧間)に所定電圧が印加されるように構成してもよい。 The embodiment of FIG. 71 has a configuration in which the voltage applied to the voltage terminal is changed by the external resistor R of the source driver circuit (IC) 14. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 70, the internal resistance Ra of the source driver circuit (IC) 14 is predetermined between the voltage terminals (between the V2 voltage and the V8 voltage, between the V8 voltage and the V32 voltage, and between the V32 voltage and the V128 voltage). You may comprise so that a voltage may be applied.
図70などでは、V1電圧とV2電圧とを分離しているが、V1電圧をプリチャージ電圧Vpc1とし、また、オペアンプ231cを介してプリチャージ電圧Vpc2以降を発生するように構成してもうよいことは言うまでもない。
In FIG. 70 and the like, the V1 voltage and the V2 voltage are separated, but the V1 voltage may be set as the precharge voltage Vpc1, and the precharge voltage Vpc2 and the subsequent voltages may be generated via the
図73に図示するプリチャージ電圧Vpc(V0、V1・・・・)は、表示パネルの温度により変化させることが好ましい。駆動用トランジスタ11aが駆動電圧に対して温度依存性があるからである。この温度依存性に対応するには、図73に図示するように、温度により変化する素子(ポジスタ、サーミスタ)Rb、Rb2、Rc2などを付加し、温度によりV0、V1、V2電圧が適正な電圧に変化するように構成すればよい。
The precharge voltage Vpc (V0, V1,...) Shown in FIG. 73 is preferably changed according to the temperature of the display panel. This is because the driving
以上の実施例は、主としてプリチャージ電圧Vpcを外部から設定する(印加する)ものであった。以下の実施例は、プリチャージ電圧Vpcをパネル内部で発生させるものである。以前にも説明したように、アレイは、アレイごとにレーザーアニール条件の差異により駆動用トランジスタ11aなどのVt特性がばらつく。Vt特性が異なれば、電圧駆動であるプリチャージ電圧Vpcも変化する。したがって、プリチャージ電圧Vpcを外部から印加するようにした構成では、パネルごと(アレイごと)にプリチャージ電圧Vpcを調整して設定しなければならない。
In the above embodiment, the precharge voltage Vpc is mainly set (applied) from the outside. In the following embodiment, the precharge voltage Vpc is generated inside the panel. As described before, the Vt characteristics of the driving
電流駆動方式では、駆動用トランジスタ11aにプログラム電流を印加する。一例として図1の画素構成では、プログラム電流はアノード端子から駆動用トランジスタ11aをとおって、ソース信号線18に流れ込む。プログラム電流によりソース信号線18電位は変化する。ソース信号線18の電位は、駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位と同一である。たとえば、駆動用トランジスタ11aに階調10に対応するプログラム電流が流れれば、ソース信号線18の電位(駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位)は、階調10に対応するプログラム電流が流れるように変化する。たとえば、この電位をV10とすれば、V10の電圧をプリチャージ電圧Vpcとしてソース信号線18に印加すれば、駆動用トランジスタ11aは、階調10の電流を流すようにプログラムされることになる。
In the current driving method, a program current is applied to the driving
本発明では、ソースドライバ回路(IC)14内にトランジスタ群251cを有し、このトランジスタ群251cは階調の対応した単位電流(プログラム電流)を出力できる。したがって、トランジスタ群251cから所定の階調に該当するプログラム電流を出力し、駆動用トランジスタ11aを動作させて、前記プリチャージ電圧Vpcに該当するプログラム電流が流れるように動作させ、この時のソース信号線18の電位を測定することにより、前記所定の階調に該当するプリチャージ電圧Vpcを取得することができる。つまり、プリチャージ電圧Vpcの設定に必要な階調に該当するプログラム電流をソースドライバ回路(IC)14から出力し、アレイ特性が反映された駆動用トランジスタ(テストトランジスタ)のゲート端子電圧を変化させる。このゲート端子電圧を測定してプリチャージ電圧Vpcとしてフィードバックするのである。このように動作あるいは設定させることにより、ソースドライバ回路(IC)14の特性とアレイの特性をフィードバックして精度のよいプリチャージ電圧Vpcを設定することができる。
In the present invention, the source driver circuit (IC) 14 includes a
以上の動作には、アレイなどの特性だけでなく、温度特性も補償している。したがって、プリチャージ電圧Vpcを外部設定する必要がないし、温度補償を実施する必要もない。 In the above operation, not only the characteristics of the array but also the temperature characteristics are compensated. Therefore, it is not necessary to set the precharge voltage Vpc externally, and it is not necessary to perform temperature compensation.
以上の実施例は、プリチャージ電圧Vpcをソースドライバ回路(IC)14に印加し、電子ボリウム291により、各階調に対応するプリチャージ電圧Vpcを発生するとして説明をした。基本的には、プリチャージ電圧Vpcは全階調に対応する電圧をソースドライバ回路(IC)14に入力すること好ましいが、このように構成すると、配線数が膨大とあるため、ガンマカーブの折れ点位置に対応するプリチャージ電圧Vpc(たとえば、V0、V1、V4、V8・・・・・)を印加し、その間のプリチャージ電圧Vpcは内蔵抵抗など発生させる。
In the above embodiments, the precharge voltage Vpc is applied to the source driver circuit (IC) 14 and the
プリチャージ電圧Vpcが正規の値からずれていると補正量が大きくなり好ましくない。したがって、プリチャージ電圧Vpcは極力精度を高くして印加する必要がある。以下、図面を参照しながら、プリチャージ電圧Vpcを精度よく取得する方法について説明をする。なお、プリチャージ電圧Vpcとはプログラム電圧であり、駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧であるとして説明をする。プログラム電圧の印加によりEL素子15に目標電流を供給するものである。
If the precharge voltage Vpc deviates from the normal value, the correction amount becomes large, which is not preferable. Therefore, it is necessary to apply the precharge voltage Vpc with the highest possible accuracy. Hereinafter, a method for accurately obtaining the precharge voltage Vpc will be described with reference to the drawings. The precharge voltage Vpc is a program voltage and will be described as being the gate terminal voltage of the driving
図75(a)は、説明を容易にするため、階調に対応するプリチャージ電圧Vpcの関係を示している。図75(a)に図示するように、一例として、階調0に対応するプリチャージ電圧VpcをV0とする。階調1に対応するプリチャージ電圧VpcをV1、階調8に対応するプリチャージ電圧VpcをV2、階調32に対応するプリチャージ電圧VpcをV3、階調128に対応するプリチャージ電圧VpcをV4、階調255に対応するプリチャージ電圧VpcをV5とする。もちろん、他の階調をV0〜V5に設定してもよい。また、V0〜V5の6つに限定するものではなく、6つ以上であってもよいし、6つ以下でもよい。
FIG. 75 (a) shows the relationship of the precharge voltage Vpc corresponding to the gradation for ease of explanation. As shown in FIG. 75A, as an example, the precharge voltage Vpc corresponding to the
図75(b)は、プリチャージ電圧Vpcを発生するための駆動用トランジスタ11aを有する測定画素16sを示している。測定画素16sは、プログラム電流を発生させるものであるから、EL素子15を形成する必要はない。したがって、図1におけるトランジスタ11dは不要であり、また、ゲート信号線17bも必要ない。プログラム電流が流れれば目的を達するからである。もちろん、画像を表示する画素16と同様に、EL素子15を形成してもよい。寄生容量などが画素16と同一をなり、プリチャージ電圧Vpcの測定が良好になるからである。なお、プリチャージ電圧Vpcを測定するために用いる測定画素16sを測定画素16sと呼ぶ。
FIG. 75B shows a
測定画素16sは、ゲート信号線17aにオン電圧が印加され、ソース信号線18にプログラム電流が印加されることにより、駆動用トランジスタ11aが動作し、駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧が変化する。この時のソース信号線18電位を読み取ることにより、プリチャージ電圧Vpcが取得することができる。
In the
たとえば、階調1のプリチャージ電圧V1を取得する場合には、階調1に該当するプログラム電流(通常、1個の単位トランジスタからの出力電流)をソース信号線18に印加し、測定画素16sの駆動用トランジスタ11aを動作させる。この動作が完了時のソース信号線18の電位を測定すれば、プリチャージ電圧V1を取得することができる。
For example, when acquiring the precharge voltage V1 of
なお、電圧を測定するとしたが、測定の概念は、電圧を保持するあるいは、得る、を含む概念である。つまり、取得したソース信号線電位をプリチャージ電圧Vpcとして活用できる方式であれば、いずれの構成、形式、方法であってもよい。たとえば、ソース信号線18sの電位をサンプルホールドして活用する構成が例示される。また、ソース信号線18sのアナログ電位をアナログ−デジタル変換(AD変換)し、デジタルデータをそのまま、プリチャージ電圧V0〜V5として活用する構成あるいはアナログ変換してV0〜V5として活用する構成が例示される。また、単に、ソース信号線18sの電位をそのまま、フィードバックし、V0〜V5として活用する構成が例示される。また、取得または測定したソース信号線18sの電位あるいは電圧もしくは電位変化をかさ上げしたり、一定の比率と演算したり、重み付け処理をしたり、レベルシフトしたり、また、所定の加工あるいは他の電圧値と、加算あるいは減算などをしてもよいことはいうまでもない。また、複数回の測定値を平均して所望値を得てもよいことは言うまでもない。また、ソース信号線18sの電位変化から目的電圧を予測あるいは推測する動作あるいは処理を含む。本明細書では、説明を容易にするため、これらの概念、方式あるいは構成を含む概念として’測定’として説明する。
Although the voltage is measured, the concept of measurement is a concept including holding or obtaining the voltage. That is, any configuration, format, and method may be used as long as the acquired source signal line potential can be used as the precharge voltage Vpc. For example, a configuration in which the potential of the
プリチャージ電圧V0〜V5は、プリチャージ電圧Vpcの発生だけではなく、電圧駆動あるいは、ガンマ曲線を発生することにも用いることができる。したがって、本発明の技術的思想は、電流プログラム方式(駆動)だけではなく、電圧プログラム方式(駆動)としても適用することができるものである。 The precharge voltages V0 to V5 can be used not only for generation of the precharge voltage Vpc but also for voltage driving or generating a gamma curve. Therefore, the technical idea of the present invention can be applied not only to the current program method (drive) but also to the voltage program method (drive).
図75(b)において、コンデンサ19bを付加することにより、駆動用トランジスタ11aが流す電流をレベルシフトすることができる。また、ゲート信号線12aの電位の振幅値を変化させることにより、駆動用トランジスタ11aが流す電流をレベルシフトすることができる。以上の事項は、図1で説明を行ったので説明を省略する。コンデンサ19bの大きさなどの画像を表示する画素16と異ならせることにより、プリチャージ電圧Vpcを適正な値にアナログ的に変化させることができる。
In FIG. 75B, by adding the
図74は本発明のプリチャージ電圧Vpcの測定回路の説明図である。プリチャージ電圧Vpcの電圧測定回路1701はソースドライバIC14内に形成または構成されている。もちろん、ポリシリコン技術を用いてアレイ基板30に直接に形成または構成してよいことは言うまでのない。ソースドライバIC14内に電圧測定回路を構成することにより、ソース信号線18sに接続された端子93sからプリチャージ電圧Vpcを取得することができる。したがって、プリチャージ電圧Vpcを測定するために新たな端子93の形成は不要である。また、ソースドライバIC14では、サンプルホールド回路、オペアンプ、アナログスイッチなどプリチャージ電圧Vpcを測定するための回路が小面積で高精度に作製あるいは形成もしくは構成することができる。
FIG. 74 is an explanatory diagram of a precharge voltage Vpc measuring circuit according to the present invention. The
プリチャージ電圧Vpcを測定するために出力するプログラム電流の発生回路は、プログラム電流を出力する電流階調回路334の構成と同様である。電流階調回路は図22、図23、図36などで説明しているので説明を省略する。
The program current generating circuit that is output for measuring the precharge voltage Vpc has the same configuration as that of the
ゲートドライバ回路12aは、測定画素16sを選択するゲート信号線17a1と、画像を表示する画素16を順次選択するゲート信号線17a2(図1などでは、ゲート信号線17aが該当する)を制御する。ゲート信号線17a1は画像表示に関係なく、選択あるいは非選択動作にされる。プリチャージ電圧Vpcを測定する時は、ゲート信号線17a1が選択される。それ以外の期間は、非選択とされる。
The
電流階調回路334は、階調0に対応するプログラム電流を出力する。ただし、階調0に対応するプログラム電流は0である。したがって、スイッチ221b(図32を参照のこと)はオープン状態と同一である。つまり、ソース信号線18sにはプログラム電流は供給されず、ゲート信号線17a1が選択される。測定画素16sの駆動用トランジスタ11aはソース信号線18sに電流が流れない状態まで、ソース信号線18sに電荷を充電あるいは放電させる。ソース信号線18sの電位が一定値に落ち着くと、電圧測定回路1701を動作させて、ソース信号線18sの電位を測定する。ソース信号線18sの電位は、画素16sの駆動用トランジスタ11aのゲート端子の電位である。もちろん、電圧測定回路1701はたえず、動作させておき、ソース信号線18sの電位を安定した後、プリチャージ電圧Vpcとしてもよいことは言うまでもない。
The
電圧測定回路1701は、ソース信号線18sの電圧を測定し、電圧階調回路371に保持する。もしくはメモリのその値を記憶する。保持されたプリチャージ電圧V0は、図66〜図73などのV0電圧となる。
The
同様に、電流階調回路334は、階調1に対応するプログラム電流を出力する。階調1に対応するプログラム電流は1個の単位トランジスタ224の出力電流(1単位電流)である。ソース信号線18sには1単位のプログラム電流が供給され、ゲート信号線17a1が選択される。ただし、プリチャージ電圧V0〜V5を連続して測定する場合は、ゲート信号線17a1は連続して選択状態を維持してもよい。測定画素16sの駆動用トランジスタ11aはソース信号線18sに1単位のプログラム電流が定常的に流れるように動作する。定常の単位電流が流れることにより、また、定常の単位電流が流れるように、ソース信号線18sの電位が変化する。また、駆動用トランジスタ11aは、1単位電流が安定して流れるように状態に、ソース信号線18sに電荷を充電あるいは放電させる。
Similarly, the
ソース信号線18sの電位が一定値に落ち着くと、電圧測定回路1701を動作させて、ソース信号線18sの電位V1を測定する。もちろん、電圧測定回路1701はたえず、動作させておき、ソース信号線18sの電位を安定後した後に測定した電圧V1を、プリチャージ電圧Vpcとしてもよいことは言うまでもない。
When the potential of the
電圧測定回路1701が電圧V1を測定している時は、ゲート信号線17a1を非選択状態として説明するが、たえず、ゲート信号線17a1を選択状態としてもよいことは言うまでもない。電圧測定回路1701は、ソース信号線18sの電圧V1を測定し、電圧階調回路371に保持する、またはメモリに記憶する。測定されたV1電圧は、図66〜図73などのV1電圧となる。
When the
プリチャージ電圧V2も同様である。電流階調回路334は、階調8に対応するプログラム電流を出力する(図75(a)を参照のこと。図75では説明を容易にするため、V2電圧は階調8番目に対応するとしている)。階調2に対応するプログラム電流は8個の単位トランジスタ224の出力電流(8単位電流)である。図22では図示していないが、スイッチ221dがクローズし、他のスイッチ221はオープン状態に制御される。
The same applies to the precharge voltage V2. The
ソース信号線18sには8単位のプログラム電流が供給され、ゲート信号線17a1が選択される。測定画素16sの駆動用トランジスタ11aはソース信号線18sに8単位のプログラム電流が定常的に流れるように動作する。定常の単位電流が流れることにより、また、定常の単位電流が流れるように、ソース信号線18sの電位が変化する。
A program current of 8 units is supplied to the
ソース信号線18sの電位が一定値に落ち着く、あるいは、一定値をなることが推定される時間後に、電圧測定回路1701を動作させて、ソース信号線18sの電位を測定する。もちろん、電圧測定回路1701はたえず、動作させておき、ソース信号線18sの電位を安定した後、あるいは安定すると推定される時間経過後に測定してもよい。測定した電圧は、プリチャージ電圧Vpc=V2となる。電圧測定回路1701は、ソース信号線18sの電圧(プリチャージ電圧V2)を測定し、電圧階調回路371に保持する。
After a time when the potential of the
同様の操作あるいは動作または駆動を、階調32に対応するプリチャージ電圧VpcをV3、階調128に対応するプリチャージ電圧VpcをV4、階調255に対応するプリチャージ電圧VpcをV5として実施する。
The same operation or operation or drive is performed with the precharge voltage Vpc corresponding to the
以上の実施例では、プリチャージ電圧VpcはV0からV5まで順次測定するとしたが、この順序に限定するものではない、プリチャージ電圧V5からV0に順次測定してもよい。また、ランダムに測定してもよい。また、ソース信号線18sに一定の電圧(黒電圧あるいはリセット電圧)を印加し、ソース信号線18sの電位を所定電位にしてから、各プリチャージ電圧Vpcに対応する単位電流をソース信号線18sに印加してもよい。また、プリチャージ電圧V0〜V5の測定は複数回行って平均化してもよい。
In the above embodiment, the precharge voltage Vpc is measured sequentially from V0 to V5. However, the precharge voltage Vpc is not limited to this order, and may be measured sequentially from the precharge voltage V5 to V0. Moreover, you may measure at random. In addition, a constant voltage (black voltage or reset voltage) is applied to the
また、プリチャージ電圧V0を測定する時間を長くし、プリチャージ電圧V5を測定する時間を短くするなど、各プリチャージ電圧Vpc測定に、設定する測定時間を可変してもよい。プリチャージ電圧V1などは、ソース信号線18sに流れ込む電流が小さく、ソース信号線18sの電位変化が遅いからである。一方、プリチャージ電圧V5などは、ソース信号線18sに流れ込む電流が大きく、ソース信号線18sの電位変化が速いからである。
Further, the measurement time set for each precharge voltage Vpc measurement may be varied, for example, the time for measuring the precharge voltage V0 is lengthened and the time for measuring the precharge voltage V5 is shortened. This is because the precharge voltage V1 or the like has a small current flowing into the
ポイントとなるプリチャージ電圧Vpcは、ソースドライバ回路(IC)14の外部で発生し、もしくは、ソースドライバ回路(IC)14に印加された基準電圧などを分圧して発生することを想定して説明をした。この場合、アレイ基板30のロットが異なれば、駆動用トランジスタ11aの特性が異なり、プリチャージ電圧V0〜V5の値を調整する必要があった。また、アレイ30(駆動用トランジスタ11a)の温度依存性により、プリチャージ電圧V0〜V5を再調整あるいは設定する必要があった。
The precharge voltage Vpc that is a point is generated outside the source driver circuit (IC) 14 or is assumed to be generated by dividing a reference voltage applied to the source driver circuit (IC) 14. Did. In this case, if the lot of the
図74の本発明では、画素16の駆動用トランジスタ11aの特性を反映する測定画素16sの駆動用トランジスタ11aはアレイ基板30内に形成されている。つまり、測定画素16sの駆動用トランジスタ11aはアレイ基板30のトランジスタの特性バラツキを反映している。この測定画素16sの駆動用トランジスタ11aに、ソースドライバ回路(IC)14からプログラム電流を供給し、プリチャージ電圧Vpcを測定する。したがって、電子ボリウム291に供給するプリチャージ電圧V0〜V5はアレイ基板30の画素16の駆動用トランジスタ11aの特性バラツキを反映したものとなっている。また、温度依存に関しても、本発明の表示パネルを駆動している温度を反映したものとなっている。したがって、プリチャージ電圧V0〜V5は再調整あるいは、ロットごとに設定する必要がない。
In the present invention of FIG. 74, the driving
以上のように、本発明は、ソースドライバIC14から、精度のよいプログラム電流を発生し(このプログラム電流を実際に表示装置の画像表示するための階調に対応する電流である)させる。したがって、全体としてソースドライバ回路(IC)14の小型化、低コスト化を実現できる。また、測定画素16sは、画素16を形成するアレイ基板30に作製あるいは形成する。測定画素16sは画像を表示する画素16と同時に形成する(同一プロセスあるいは工程)。また、同一のプログラム電流を画素16と、測定画素16sに印加したとき、ソース信号線18とソース信号線18sの電位は略同一になるようにする。
As described above, according to the present invention, an accurate program current is generated from the source driver IC 14 (this program current is a current corresponding to a gradation for actually displaying an image on the display device). Therefore, the size and cost of the source driver circuit (IC) 14 can be reduced as a whole. In addition, the
画素16の駆動用トランジスタ11aと測定画素16sの駆動用トランジスタ11aとは、同一特性になるように構成あるいは形成する。同一特性にするには、基本的には、画素16と画素16sを同一構成あるいはレイアウトにすればよい。駆動用トランジスタ11aのチャンネル幅W、チャンネル長Lに構成するのが最も簡単である。
The driving
図76は、アナログ−デジタル(AD)変換回路1711を用いた構成である。電流階調回路334内のトランジスタ群251s(図22、図26などで説明したトランジスタ群251cと同一の構成である)から、プログラム電流がソース信号線18sに出力される。
FIG. 76 shows a configuration using an analog-digital (AD)
なお、プログラム電流は、吸い込み電流であるが、本発明はこれに限定するものではない。画素16の駆動用トランジスタ11aがNチャンネルトランジスタなどの場合は、吐き出し電流にする。もの場合は、トランジスタ群251cを構成する単位トランジスタ224はPチャンネルトランジスタで構成する。
The program current is a sink current, but the present invention is not limited to this. When the driving
測定画素16sの駆動用トランジスタ11aは、プログラム電流により動作し、ソース信号線18sの電位が変化する。プログラム電流に対応するソース信号線18の電位をVsとする。Vs電圧は電圧測定回路1701により測定される。この電圧はAD変換回路1711でデジタルデータに変換され、メモリあるいは保持回路(ラッチ回路など)により蓄積または保持される。保持されたデータはデジタルデータのVsとして、電圧階調回路371に印加される。他の構成などは、図74、図75などと同様であるので説明を省略する。
The driving
なお、ソース信号線18に出力された測定プリチャージ電圧Vpc=Vsは、電圧測定回路1701を介さず、直接にAD変換回路1711によりデジタルデータに変換してもよい。つまり、本発明では、電圧測定回路1701を形成または配置し、この回路1701を使用あるいは動作させるとしたが、何らかの構成あるいは手段あるいは方法により、ソース信号線18sあるいはソース信号線18の電圧を取得できるものあればいずれの構成あるいは手段でもよい。
Note that the measurement precharge voltage Vpc = Vs output to the
また、ソース信号線18sにプログラム電流を流すトランジスタ群251s、電圧測定回路1701などは、ソースドライバ回路(IC)14と分離し、別チップ(IC)としてもよい。この別チップ(IC)をアレイ基板30にCOG技術で実装する。また、TAB技術で実装してもよい。
In addition, the
図74の実施例では、測定画素16sは1つの場合と図示した。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図77に図示するように、複数の測定画素16s(16s1、16s2、16s3、16s4、・・・・・・・)を形成又は構成し、測定画素16sをゲート信号線17a(17a1、17a2、17a3、17s4、・・・・・・・・)で順次選択する。各測定画素16sはそれぞれプリチャージ電圧V0〜V5を測定する。複数の測定画素16sで測定したプリチャージ電圧V0〜V5を平均化し、平均値としてのV0〜V5を求めることにより、より精度のよいプリチャージ電圧Vpcを求めることができる。
In the example of FIG. 74, the case where there is one
測定画素16s1はプリチャージ電圧V0を測定する画素とし、測定画素16s2はプリチャージ電圧V1を測定する画素をし、測定画素16s3はプリチャージ電圧V2を測定する画素をし、・・・・・・・・・、測定画素16s6はプリチャージ電圧V5を測定する画素とする、というように、各測定画素16sが受け持つプリチャージ電圧Vpcを設定してもよい。
The measurement pixel 16s1 is a pixel that measures the precharge voltage V0, the measurement pixel 16s2 is a pixel that measures the precharge voltage V1, the measurement pixel 16s3 is a pixel that measures the precharge voltage V2, The precharge voltage Vpc that each
各測定画素16sが受け持つプリチャージ電圧Vpcは、一定の周期で変更してもよい。たとえば、1周期目は、測定画素16s1はプリチャージ電圧V0を測定する画素とし、測定画素16s2はプリチャージ電圧V1を測定する画素をし、測定画素16s3はプリチャージ電圧V2を測定する画素をし、・・・・・・・・・、測定画素16s6はプリチャージ電圧V5を測定する画素とする。
The precharge voltage Vpc handled by each
2周期目は、測定画素16s1はプリチャージ電圧V5を測定する画素とし、測定画素16s2はプリチャージ電圧V4を測定する画素をし、測定画素16s3はプリチャージ電圧V3を測定する画素をし、・・・・・・・・・、測定画素16s6はプリチャージ電圧V0を測定する画素とする、というように制御する。 In the second period, the measurement pixel 16s1 is a pixel that measures the precharge voltage V5, the measurement pixel 16s2 is a pixel that measures the precharge voltage V4, the measurement pixel 16s3 is a pixel that measures the precharge voltage V3, ... Control is performed so that the measurement pixel 16s6 is a pixel for measuring the precharge voltage V0.
周期は、1フレーム周期でもよいし、それ以上あるいはそれ以下でもよい。また、ゲート信号線17bの走査と同期を取って、ゲート信号線17aを順次選択してもよい。つまり、1つのゲート信号線17aの選択期間は、1水平走査期間となる。
The period may be one frame period, more or less. Alternatively, the
図78に図示するように、電圧測定回路1701は測定信号に同期してプリチャージ電圧Vpcを測定する。図78では、Hレベルの時にプリチャージ電圧Vpcを測定し、Lレベルの時には、プリチャージ電圧Vpcは測定しない。図78では、上段は、トランジスタ群251sが出力する単位電流の大きさを示している。0は、すべての単位トランジスタ224が選択されていない状態である(階調0)。1は単位トランジスタ224が1個選択された状態である(階調1)。2は単位トランジスタ224が2個選択された状態である(階調2)。以下同様に、4は単位トランジスタ224が4個選択された状態である(階調4)であり、・・・・・・・32は単位トランジスタ224が32個選択された状態である(階調32)。
As shown in FIG. 78, the
図78の実施例では、出力電流は、1、2、4、8、16、・・・・・・・と2の乗数で変化させている。つまり、図22において、スイッチ221a、221b、221c、221d・・・・・・・と順次クローズしていく方式である。プリチャージ電圧Vpcの階調の2の乗数で測定し取得される。図78の構成では、トランジスタ群251sの制御が容易であり、プリチャージ電圧Vpcの測定精度も高い。
In the embodiment of FIG. 78, the output current is changed by a multiplier of 2, such as 1, 2, 4, 8, 16,. That is, in FIG. 22, the
トランジスタ群251sからの出力電流により、駆動用トランジスタ11aなどが動作して、ソース信号線18sの電位が変化する。本発明の構成では、単位電流の大きさ(プログラム電流の大きさ)が大きくなるにつれてソース信号線18sの電位は低下する。
Due to the output current from the
プログラム電流の大きさが変化すると、ソース信号線18sの電位は変化する。ソース信号線18sには寄生容量があるため、目標電位まで変化するのに一定の期間が必要である。図78ではこの期間は、測定信号はLレベルであり、電圧測定回路1701は動作しない。ソース信号線18sの寄生容量を充放電し、目標電位まで変化すると、測定信号はHレベルとなり、プリチャージ電圧Vpc(ソース信号線18sの電位)が測定される。以上の測定がソース信号線18sに印加されるプログラム電流に対応して順次繰り返され、プリチャージ電圧Vpcが測定し保持される。
When the magnitude of the program current changes, the potential of the
図78はプログラム電流を2の乗数倍で変化させ、プリチャージ電圧Vpcを測定するものである(取得するものである)。図79は、図75で説明したように、プリチャージ電圧V0、V1、V2、V3、V4、V5を測定(取得)する方法である。トランジスタ群251sから、プログラム電流、0、1、8、32、128、255が順次ソース信号線18sに印加される。このプログラム電流に対応して、ソース信号線18sの電位が変化する。電圧測定回路1701は変化後のソース信号線18sの電位を測定する。
In FIG. 78, the program current is changed by a multiplier of 2 and the precharge voltage Vpc is measured (obtained). FIG. 79 shows a method of measuring (acquiring) the precharge voltages V0, V1, V2, V3, V4, and V5 as described in FIG.
なお、プリチャージ電圧Vpcは、決められた階調に対応して測定あるいは取得するとしたが、本発明はこれに限定するものではない。すべての階調(たとえば、256階調の場合は、0階調目から255階調目)に対してプリチャージ電圧Vpcを測定(取得)してもよい。このプリチャージ電圧Vpcを階調信号として使用すれば、良好な電圧駆動を実現できる。 Note that although the precharge voltage Vpc is measured or acquired in accordance with the determined gradation, the present invention is not limited to this. The precharge voltage Vpc may be measured (acquired) for all gradations (for example, in the case of 256 gradations, the 0th gradation to the 255th gradation). If this precharge voltage Vpc is used as a gradation signal, good voltage driving can be realized.
以上の実施例では、3つ以上のプリチャージ電圧Vpcを測定するものであった。しかし、最大階調の階調255(256階調の時)と、最低階調の階調0を測定し、この両者から中間のプリチャージ電圧Vpcを発生させてもよい。
In the above embodiment, three or more precharge voltages Vpc are measured. However, it is possible to measure the maximum gradation 255 (at 256 gradations) and the
図81は、プリチャージ電圧V0と、V255を電圧測定回路1701で測定し、測定したプリチャージ電圧Vpcを切り換え回路(V0電圧をV255電圧の振り分け回路)1761で、V0電圧を平均化回路1762aに入力する。また、測定したプリチャージ電圧Vpcを切り換え回路(V0電圧をV255電圧の振り分け回路)1761で、V255電圧を平均化回路1762bに入力する。平均化回路1762aは交互にあるいは連続して測定されたプリチャージ電圧V0、プリチャージ電圧V255を平均化し、安定したプリチャージ電圧V0、プリチャージ電圧V255とするものである。
In FIG. 81, the precharge voltage V0 and V255 are measured by the
平均化回路1762の出力はオペアンプ231に入力され、インピーダンスを低減して、電子ボリウム291に入力される。電子ボリウム291では、抵抗Rで分圧され、階調に対応するプリチャージ電圧(V0〜V255)が発生させられる。
The output of the
図80に図示するように、トランジスタ群251sからの出力電流(0または255)により、駆動用トランジスタ11aなどが動作して、ソース信号線18sの電位が変化する。プログラム電流の大きさが変化すると、ソース信号線18sの電位は変化する。ソース信号線18sには寄生容量があるため、目標電位まで変化するのに一定の期間が必要である。そのため、ソース信号線18sの電位変化は曲線を描く。階調に対するプリチャージ電圧Vpc(ソース信号線18sの電位)と、階調255に対するプリチャージ電圧Vpcが、電圧測定回路1701により測定される。以上の測定がソース信号線18sに印加されるプログラム電流に対応して順次繰り返され、測定された、プリチャージ電圧V0とV255が図81に図示する切り換え回路1761に伝送(伝達)される。
As shown in FIG. 80, the output transistor (0 or 255) from the
図80は、プリチャージ電圧V0とV255の場合であった。本発明はこれに限定するものではない。図82に図示するように、プリチャージ電圧V0〜V5を順次、電圧測定回路1701で測定し、順次、切り換え回路1761に伝送する。切り換え回路1761は受信したプリチャージ電圧V0〜V5を平均化回路1762に振り分ける。平均化回路1762はそれぞれのプリチャージ電圧Vpcを平均化する。V0〜V5電圧は、V0(A)〜V5(A)として安定化され、電子ボリウム291などに印加される。
FIG. 80 shows the case of precharge voltages V0 and V255. The present invention is not limited to this. As shown in FIG. 82, the precharge voltages V0 to V5 are sequentially measured by the
図75(b)で説明したように、EL素子15を有しない測定画素16sを形成し、プリチャージ電圧Vpcを測定するとした。しかし、もっと簡単には、図83に図示するように、駆動用トランジスタ11aからなる測定画素16sを形成し、この測定画素16sを動作させてプリチャージ電圧Vpcを測定してもよい。図83の測定画素16sのゲート端子とドレイン端子は短絡して形成されている。ソース端子は画素16の駆動用トランジスタと同様にアノード電圧Vddに接続されている。
As described with reference to FIG. 75B, it is assumed that the
測定画素16sは、図84に図示するように、アレイ基板30の複数箇所に形成し、複数箇所に形成された測定画素16sの駆動用トランジスタ11aを動作させてプリチャージ電圧Vpcを測定することが好ましい。アレイ基板30内の各部分で作製された駆動用トランジスタ11aの特性バラツキがあるからである。複数箇所の測定画素16sで測定されたプリチャージ電圧Vpcは平均化して、所望のプリチャージ電圧V0〜V5を取得する。また、複数箇所に測定画素16sを形成しておけば、そのうち1つの測定画素16sが不良であっても、他の測定画素16sからプリチャージ電圧V0〜V5を取得することができる。
As shown in FIG. 84, the
図85に図示するように、画像を表示するためのトランジスタ群251cと同様に、プリチャージ電圧Vpcを測定するためのトランジスタ群251sを形成し、トランジスタ群251sの単位トランジスタ224数を選択して、測定画素16sに印加してもよい。なお、図85などのトランジスタ群251c(251s)の数字は、単位トランジスタ224の個数を示している。つまり、1は単位トランジスタ224が1個であり、2は単位トランジスタ224が2個であり、4は単位トランジスタ224が4個であり、8は単位トランジスタ224が8個・・・・・・・128は単位トランジスタ224が128個である。単位トランジスタ224の個数をスイッチ221で切り換え、各単位トランジスタ224の個数に対する(階調に対する)プリチャージ電圧Vpcを測定する。
As shown in FIG. 85, similarly to the
図85などの構成では、ソース信号線18にプログラム電流を出力するトランジスタ群251cと、ソース信号線18sにプログラム電流を出力するトランジスタ群251sとは、同一の構成である
(図22、図26などを参照のこと)。したがって、トランジスタ群251sとトランジスタ251cの単位トランジスタが出力する単位電流は同一である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図86に図示するように、トランジスタ群251sとカレントミラー回路を構成するトランジスタ群またはトランジスタ228bに流れる基準電流を、トランジスタ群251cとは別に発生させてもよい。
In the configuration of FIG. 85 and the like, the
図86の電子ボリウム291は、電圧Vを変化させる8ビットのDATAにより制御される。DATAは、コントローラ722で制御される。この電圧Vと抵抗R1によりトランジスタ228bに流れる基準電流Icを変更(可変)することができる。トランジスタ228bはトランジスタ群228bとカレントミラー回路を構成する。なお、以上の構成あるいは動作は、図22、図26などと同様であるので、説明を省略する。
The
図87は、ソースドライバ回路(IC)14にスイッチS(S1、S2、S3、・・・・・・・)が形成されている。1つのスイッチSが選択されることにより、選択されたスイッチSに接続された端子93のソース信号線18の電位が、ソース信号線電位検出線2121に印加される。
87, switches S (S1, S2, S3,...) Are formed in the source driver circuit (IC) 14. In FIG. By selecting one switch S, the potential of the
図87では、各端子93に接続されたトランジスタ群251cからプログラム電流I0(階調0に対応する)が出力される。すると、各ソース信号線18の電位は、プログラム電流I0に対応する電位に変化する。この状態でスイッチS0からSn(nは端子93の最大番号値)まで、順次クローズし、各ソース信号線18の電位がソース電位検出線2121に印加され、この電圧はVsdとして測定されてコントローラ722に伝送される。コントローラ722では、プログラム電流I0に対する各ソース信号線18の電位は、Vst0電圧として、メモリ2122に記憶される。このVst0がプリチャージ電圧V0に該当する。
In FIG. 87, a program current I0 (corresponding to gradation 0) is output from the
なお、ソース信号線18の電位検出は、図88に図示するように、第1画素行目あるは第1画素列などのように特定の画素行あるいは画素列を指定して検出してもよいことは言うまでもない。
The potential detection of the
また、プリチャージ電圧V1に対しては、各端子93に接続されたトランジスタ群251cからプログラム電流I1が出力される。すると、各ソース信号線18の電位は、プログラム電流I1に対応する電位に変化する。この状態でスイッチS0からSn(nは端子93の最大番号値)まで、順次クローズし、各ソース信号線18の電位がソース電位検出線2121に印加され、この電圧はVsd1として測定されてコントローラ722に伝送される。コントローラ722では、プログラム電流I1に対する各ソース信号線18の電位Vst1として、メモリ(SRAM、EEPROM)2122に記憶される。このVst1がプリチャージ電圧V1に該当する。
For the precharge voltage V1, a program current I1 is output from the
プリチャージ電圧V2に対しては、各端子93に接続されたトランジスタ群251cからプログラム電流I2が出力され、この状態でスイッチS0からSn(nは端子93の最大番号値)まで、順次クローズし、各ソース信号線18の電位がソース電位検出線2121に印加され、この電圧はVsd2として測定されてコントローラ722に伝送される。以下同様である。
For the precharge voltage V2, a program current I2 is output from the
以上のように測定されたプリチャージ電圧V0〜V5は、プリチャージ電圧Vpcの設定値Vstとして、必要に応じて、ソースドライバ回路(IC)14に伝送され、電子ボリウム291などの設定値として使用される
以上のように構成すれば、プリチャージ電圧Vpcを測定するためのプログラム電流を、トランジスタ群251cと変化させることができる。したがって、より柔軟にかつ適正なプリチャージ電圧Vpcを測定することができる。
The precharge voltages V0 to V5 measured as described above are transmitted to the source driver circuit (IC) 14 as necessary as the set value Vst of the precharge voltage Vpc and used as set values for the
プリチャージ電圧Vpcの測定回路は、図89に図示するように、ソースドライバ回路(IC)14と別回路またはICとしてもよい。図89では、電圧測定回路機能を有する電圧測定回路IC1821をアレイ基板30にCOG実装した実施例である。また、図90は3つのソースドライバ回路(IC)14に電圧測定回路1701からの出力を印加した構成である。また、図145は3つのソースドライバ回路(IC)14にAD変換回路からのデジタル信号にされたプリチャージ電圧Vpcを印加した構成である。
As shown in FIG. 89, the measurement circuit for the precharge voltage Vpc may be a circuit separate from the source driver circuit (IC) 14 or an IC. FIG. 89 shows an embodiment in which a voltage
複数のソースドライバ回路(IC)14を用いる場合は、各ソースドライバ回路(IC)14内に電圧測定回路1701を構成あるいは形成し、複数のソースドライバ回路(IC)14のうち、1つの電圧測定回路1701を動作させ、この電圧測定回路1701からのプリチャージ電圧Vpcを他のソースドライバ回路(IC)14に供給あるいは印加すればよい。図144はこの構成の説明図である。3つのソースドライバ回路(IC)14は、マスタースレーブ選択端子(M/S)により、マスターとスレーブ設定がロジック的に設定される。マスターモードの時は、M/S端子はロジックレベル1とされ、スレーブモードの時は、M/S端子はロジックレベル0と設定される。
When a plurality of source driver circuits (IC) 14 are used, a
図144ではソースドライバ回路(IC)14aがマスターモードに設定され、ソースドライバ回路(IC)14bと14cがスレーブモードに設定されている。マスターモードでは、ソースドライバ回路(IC)14a内の電圧測定回路1701が動作し、ソース信号線18sの電位を測定してプリチャージ電圧V0〜V5を出力する。出力されたプリチャージ電圧V0〜V5はスレーブモードのソースドライバ回路(IC)14(14b、14c)の電子ボリウム回路などに印加される。スレーブモードに設定されたソースドライバ回路(IC)14(14b、14c)の電圧測定回路1701は動作しないように構成されている。
In FIG. 144, the source driver circuit (IC) 14a is set to the master mode, and the source driver circuits (IC) 14b and 14c are set to the slave mode. In the master mode, the
以上のように、マスターモードとスレーブモードがソースドライバ回路(IC)14に設定されるのは、プリチャージ電圧Vpcを測定するソース信号線18sまたは測定画素16sが表示領域64以外の箇所に形成されるためである。したがって、これらは、表示領域64の端に構成されることになる。したがって、プリチャージ電圧Vpcを測定するソースドライバ回路(IC)14は、表示画面64の端に位置するものが選択されることになる(図144ではソースドライバ回路(IC)14aが該当する)。この選択をM/S端子で設定する。
As described above, the master mode and the slave mode are set in the source driver circuit (IC) 14 because the
表示領域64の両端にソース信号線18s、測定画素16sが形成できる場合は、図91に図示するように、画面64の両端に位置するソースドライバ回路(IC)14(14a、14d)をマスターモードに設定する。ソースドライバ回路(IC)14aが出力するプリチャージ電圧Vpcを選択するか、ソースドライバ回路(IC)14dが出力するプリチャージ電圧Vpcを選択してスレーブモードのソースドライバ回路(IC)14に印加するかは、スイッチSaとSbにより行う。
When the
ソースドライバ回路(IC)14aをマスターモードにする時は、スイッチSaをクローズし、ソースドライバ回路(IC)14dをスレーブモードにして、スイッチSbをオープンにする。他のソースドライバ回路(IC)14(14b、14c)はスレーブモードとして使用する。ソースドライバ回路(IC)14dをマスターモードにする時は、スイッチSbをクローズし、ソースドライバ回路(IC)14aをスレーブモードにして、スイッチSaをオープンにする。他のソースドライバ回路(IC)14(14b、14c)は常時スレーブモードとして使用する。 When the source driver circuit (IC) 14a is set to the master mode, the switch Sa is closed, the source driver circuit (IC) 14d is set to the slave mode, and the switch Sb is opened. Other source driver circuits (IC) 14 (14b, 14c) are used in the slave mode. When the source driver circuit (IC) 14d is set to the master mode, the switch Sb is closed, the source driver circuit (IC) 14a is set to the slave mode, and the switch Sa is opened. The other source driver circuits (IC) 14 (14b, 14c) are always used as a slave mode.
ソースドライバ回路(IC)14aを常時マスターモードするか、もしくはソースドライバ回路(IC)14dを常時マスターモードするかを固定する方法も例示されるが、ソースドライバ回路(IC)14aとソースドライバ回路(IC)14dを交互にマスターモードにして使用するほうが、プリチャージ電圧Vpcが平均化され、良好な結果が得られる。切り換えは、1フィールドあるいは1フレームなど周期的に行う。もちろん、1水平走査期間などの周期で切り換えてもよい。また、マスターモードにするソースドライバ回路(IC)14は、2つ以上であってもよい。たとえば、4つであれば、4つのソースドライバ回路(IC)14から1つのスイッチSを制御してプリチャージ電圧Vpcを他のソースドライバ回路(IC)14に印加すればよい。 A method of fixing whether the source driver circuit (IC) 14a is always in the master mode or whether the source driver circuit (IC) 14d is always in the master mode is exemplified, but the source driver circuit (IC) 14a and the source driver circuit ( IC) 14d alternately in the master mode is used, the precharge voltage Vpc is averaged and a good result is obtained. Switching is performed periodically, such as one field or one frame. Of course, switching may be performed in a cycle such as one horizontal scanning period. Further, the number of source driver circuits (ICs) 14 to be set to the master mode may be two or more. For example, if there are four, it is only necessary to control one switch S from four source driver circuits (IC) 14 and apply the precharge voltage Vpc to the other source driver circuits (IC) 14.
たとえば、第1フレームで、ソースドライバ回路(IC)14aをマスターモードにし、スイッチSaをクローズし、ソースドライバ回路(IC)14dをスレーブモードにし、スイッチSbをオープンにする。他のソースドライバ回路(IC)14(14b、14c)はスレーブモードとして使用する。第1フレームの次の第2フレームでは、ソースドライバ回路(IC)14dをマスターモードにし、スイッチSbをクローズし、ソースドライバ回路(IC)14aをスレーブモードにし、スイッチSaをオープンにする。同様に、第2フレームの次の第3フレームでは、ソースドライバ回路(IC)14aをマスターモードにし、スイッチSaをクローズし、ソースドライバ回路(IC)14dをスレーブモードにし、スイッチSbをオープンにする。他のソースドライバ回路(IC)14(14b、14c)はスレーブモードとして使用する。 For example, in the first frame, the source driver circuit (IC) 14a is set to the master mode, the switch Sa is closed, the source driver circuit (IC) 14d is set to the slave mode, and the switch Sb is opened. Other source driver circuits (IC) 14 (14b, 14c) are used in the slave mode. In the second frame following the first frame, the source driver circuit (IC) 14d is set to the master mode, the switch Sb is closed, the source driver circuit (IC) 14a is set to the slave mode, and the switch Sa is opened. Similarly, in the third frame following the second frame, the source driver circuit (IC) 14a is set to the master mode, the switch Sa is closed, the source driver circuit (IC) 14d is set to the slave mode, and the switch Sb is opened. . Other source driver circuits (IC) 14 (14b, 14c) are used in the slave mode.
また、図92に図示するように、2ビットのセレクタ信号(CS)で切り換える。たとえば、図92において、CS=1の時は、チップ14aの左側のトランジスタ群251Saが動作する。チップ14cは、CS=2であり、CS=2の時は、チップ14cの右側のトランジスタ群251Saが動作する。チップ14bは、CS=0であり、CS=0の時は、チップ14bの両方のトランジスタ群251Sは選択されない。
Also, as shown in FIG. 92, switching is performed by a 2-bit selector signal (CS). For example, in FIG. 92, when CS = 1, the transistor group 251Sa on the left side of the
電圧測定回路IC1821は、トランジスタ群251sを内部に有してもよい。また、AD変換回路1711を内部に有してもよい。電圧測定回路IC1821が測定したプリチャージ電圧V0〜V5は、アナログデータあるいはデジタルデータとして、ソースドライバ回路(IC)14に供給(印加)される。ソースドライバ回路(IC)14が複数ある場合は、複数のソースドライバ回路(IC)14に共通に印加される。
The voltage measurement circuit IC1821 may have a
以上の実施例は、1つのトランジスタ群251sからのプログラム電流を1つの測定画素16sに印加し、複数のプリチャージ電圧Vpcを取得する方式であった。本発明はこれに限定するものではない。図93に図示するように、1つのトランジスタ群251sからのプログラム電流を複数の測定画素16sに印加し、プリチャージ電圧Vpcを取得してもよい。
In the above embodiment, a program current from one
図93の構成では、トランジスタ群251sのプリチャージ電圧V0〜V5に対応する単位トランジスタ224から構成されている。図93において、トランジスタ群251sの1は、プリチャージ電圧V0を発生させる0個の単位トランジスタ(単位トランジスタ群0)を意味している(実際にはトランジスタ224はない)。トランジスタ群251sの1は、プリチャージ電圧V1を発生させる1個の単位トランジスタ(単位トランジスタ群1)を意味している。同様に、トランジスタ群251sの8は、プリチャージ電圧V2を発生させる8個の単位トランジスタ(単位トランジスタ群8)を意味している。以下同様に、トランジスタ群251sの32は、プリチャージ電圧V3を発生させる32個の単位トランジスタの集合(単位トランジスタ群32)を意味し、トランジスタ群251sの128は、プリチャージ電圧V4を発生させる128個の単位トランジスタの集合(単位トランジスタ群128)を意味し、トランジスタ群251sの255は、プリチャージ電圧V5を発生させる255個の単位トランジスタの集合(単位トランジスタ群255)を意味する。
93 includes
トランジスタ群251s1はプログラム電流I1を出力する。トランジスタ群251s8はプログラム電流I8を出力する。同様に、トランジスタ群251s32はプログラム電流I32を出力し、 トランジスタ群251s128はプログラム電流I128を出力し、トランジスタ群251s255はプログラム電流I255を出力する。 The transistor group 251s1 outputs a program current I1. The transistor group 251s8 outputs a program current I8. Similarly, the transistor group 251s32 outputs a program current I32, the transistor group 251s128 outputs a program current I128, and the transistor group 251s255 outputs a program current I255.
単位トランジスタ群0だけは特殊で、単位トランジスタは配置されておらず、プリチャージ電圧V0を測定する電圧測定回路1701aがソース信号線18s0に接続されている。また、測定画素16s0が接続されている。測定画素16s0はプリチャージ電圧V0に対応する電圧をソース信号線18s0に設定し、電圧測定回路1701aはプリチャージ電圧V0を測定し出力する。
Only the
単位トランジスタ群1は、単位トランジスタが1個形成または配置されている。もしくは、階調1に該当するプログラム電流が出力できるように構成されている。単位トランジスタ群1には、プリチャージ電圧V1を測定する電圧測定回路1701bがソース信号線18s1に接続されている。また、測定画素16s1が接続されている。測定画素16s1は、階調1に対応するプログラム電流の印加により、プリチャージ電圧V1に対応する電圧をソース信号線18s1に設定あるいは調整あるいは動作し、電圧測定回路1701bはプリチャージ電圧V1を測定し出力する。
In the
単位トランジスタ群8は、単位トランジスタが8個形成または配置されている。もしくは、階調8に該当するプログラム電流が出力できるように構成されている。たとえば、単位トランジスタの8倍のチャンネル幅を有するトランジスタが1個形成されている。ただし、トランジスタ群251sもトランジスタ251cと同様に同一の単位トランジスタの集合で構成するほうが、バラツキが少なく遊離である。
In the
単位トランジスタ群8には、プリチャージ電圧V2を測定する電圧測定回路1701cがソース信号線18s2に接続されている。また、測定画素16s2が接続されている。測定画素16s2は、階調8に対応するプログラム電流の印加により、プリチャージ電圧V2に対応する電圧をソース信号線18s2に設定あるいは調整あるいは動作し、電圧測定回路1701cはプリチャージ電圧V2を測定し出力する。
In the
同様に、単位トランジスタ群32には、プリチャージ電圧V3を測定する電圧測定回路1701dがソース信号線18s3に接続されている。また、測定画素16s3が接続されている。測定画素16s3は、階調32に対応するプログラム電流の印加により、プリチャージ電圧V3に対応する電圧をソース信号線18s3に設定あるいは調整あるいは動作し、電圧測定回路1701dはプリチャージ電圧V3を測定し出力する。
Similarly, in the
同様に、単位トランジスタ群32には、プリチャージ電圧V3を測定する電圧測定回路1701dがソース信号線18s3に接続されている。また、測定画素16s3が接続されている。測定画素16s3は、階調32に対応するプログラム電流の印加により、プリチャージ電圧V3に対応する電圧をソース信号線18s3に設定あるいは調整あるいは動作し、電圧測定回路1701dはプリチャージ電圧V3を測定し出力する。
Similarly, in the
単位トランジスタ群128には、プリチャージ電圧V4を測定する電圧測定回路1701eがソース信号線18s4に接続されている。また、測定画素16s4が接続されている。測定画素16s4は、階調128に対応するプログラム電流I128の印加により、プリチャージ電圧V4に対応する電圧をソース信号線18s4に設定あるいは調整あるいは動作し、電圧測定回路1701eはプリチャージ電圧V4を測定し出力する。
In the
同様に、単位トランジスタ群255には、プリチャージ電圧V5を測定する電圧測定回路1701fがソース信号線18s5に接続されている。また、測定画素16s5が接続されている。測定画素16s5は、階調255に対応するプログラム電流I255の印加により、プリチャージ電圧V5に対応する電圧をソース信号線18s5に設定あるいは調整あるいは動作し、電圧測定回路1701fはプリチャージ電圧V5を測定し出力する。
Similarly, in the
図93は、プリチャージ電圧V0〜V5の場合であったが、本発明はV0〜V5に限定するものではない。図94に図示するようにプリチャージ電圧V0〜V8としてもよい。他の構成は、図93と同様であるので説明を省略する。 FIG. 93 shows the case of precharge voltages V0 to V5, but the present invention is not limited to V0 to V5. As shown in FIG. 94, precharge voltages V0 to V8 may be used. Other configurations are the same as those in FIG.
以上の実施例では、ソース信号線18sおよび測定画素16sを形成し、ソース信号線18sにプログラム電流を印加して、ソース信号線18sの電位を電圧測定回路1701で測定するものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、表示領域64に形成されたソース信号線18および画素16にプログラム電流を印加し、ソース信号線18の電位を測定してプリチャージ電圧Vpcを取得してよい。
In the above embodiment, the
この回路構成などを図95に示している。基本的な構成は、以前に説明した構成と同一であり、動作も同一である。単にソース信号線18sをソース信号線18に、測定画素18sを画素16に置き換えればよい。したがって、構成、動作は以前に説明した内容と同一あるいは類似であるため説明は省略する。
FIG. 95 shows this circuit configuration. The basic configuration is the same as the configuration described previously, and the operation is also the same. The
図95は、これらの構成に加えて、各ソース信号線18から測定されるプリチャージ電圧VpcをスイッチS(Sa、Sb、Sc、・・・・・・・・Sn)により選択する。たとえば、トランジスタ群251c1からプリチャージ電圧Vpcを測定のためのプログラム電流を出力した場合は、スイッチSaを選択し、電圧測定回路1701に印加する。トランジスタ群251c2からプリチャージ電圧Vpcを測定のためのプログラム電流を出力した場合は、スイッチSbを選択し、電圧測定回路1701に印加する。
In FIG. 95, in addition to these configurations, the precharge voltage Vpc measured from each
もちろん、すべてのソース信号線18あるいは、複数のソース信号線18にプリチャージ電圧Vpcを測定するためのプログラム電流を印加した場合は、該当するソース信号線に接続さえたスイッチSを選択してあるいは、順次選択して電圧測定回路1701に印加する。
Of course, when a program current for measuring the precharge voltage Vpc is applied to all the
スイッチSの選択は1つに限定されるものではない。複数のスイッチSを同時に選択し、電圧測定回路1701に印加してもよい。たとえば、すべてのトランジスタ群251cから階調1に対応するプログラム電流を出力し、ゲート信号線17aを選択して、階調1のプログラム電流を印加したソース信号線18に接続された画素16の駆動用トランジスタ11aを動作させる。各画素16の駆動用トランジスタ11aは各ソース信号線18に階調1に対応するプログラム電流を出力する。このとき、階調1のプログラム電流を印加したソース信号線18に接続されたスイッチをクローズする。すると、各ソース信号線は電圧配線1851で短絡される。したがって、各ソース信号線18の電位は同一電圧になる。この同一電圧となった電圧V1は、各ソース信号線18の階調1のプリチャージ電圧Vpcを平均化した値となる。したがって、電圧配線1851のプリチャージ電圧V1を電圧測定回路17101で測定すれば、良好なプリチャージ電圧V1を取得することができる。他の階調のプリチャージ電圧Vpcの測定にあっても同様である。
The selection of the switch S is not limited to one. A plurality of switches S may be selected simultaneously and applied to the
以上の実施例では、すべてのソース信号線18に階調に対応するプログラム電流を印加し、すべてのスイッチSをクローズさせてプリチャージ電圧Vpcを取得するとしたが、これに限定するものではない。任意の複数のソース信号線18に階調に対応するプログラム電流を印加し、前記選択した任意のスイッチSをクローズさせてプリチャージ電圧Vpcを取得してもよいことは言うまでもない。
In the above embodiment, the program current corresponding to the gradation is applied to all the
すべてのソース信号線18に同一の階調に対応するプログラム電流を印加する必要はない。たとえば、奇数番目に位置するトランジスタ群251には、階調1に対応するプログラム電流を印加し、偶数番目に位置するトランジスタ群251には、階調32に対応するプログラム電流を印加し、奇数番目に位置するソース信号線18に接続されたスイッチをクローズして、階調1に対応するプリチャージ電圧V1を測定し、偶数番目に位置するソース信号線18に接続されたスイッチをクローズして、階調32に対応するプリチャージ電圧V3を測定するとしてもよい。
It is not necessary to apply a program current corresponding to the same gradation to all the source signal lines 18. For example, a program current corresponding to
ソース信号線18の選択数と、選択するスイッチの個数とが一致している必要はない。プログラム電流を印加するソース信号線18が32本であっても、そのうち、16本のソース信号線18に接続されたスイッチを選択してクローズ動作させてもよい。
It is not necessary that the number of
また、各ソース信号線18に印加する階調に対応するプログラム電流は、順次変化させ、順次プリチャージ電圧Vpcを測定していってもよいことは言うまでもない。また、1つのソース信号線18を固定して特定の階調のプリチャージ電圧Vpcを測定するよりは、周期的に変化させて各プリチャージ電圧Vpcを測定するように構成あるいは動作させることが好ましい。
Needless to say, the program current corresponding to the gradation applied to each
また、測定するプリチャージ電圧Vpcは、階調ごとに測定期間あるいはウエイト期間を異なられることが好ましい。V1電圧は、プログラム電流が小さいためソース信号線18の電位変化が完了するのに時間を必要とするからである。階調255に対応するV5電圧は、プログラム電流が大きいためソース信号線18の電位変化は短時間で完了するので、ウエイト時間はほとんど必要ない。
Further, it is preferable that the precharge voltage Vpc to be measured has a different measurement period or wait period for each gradation. This is because the V1 voltage requires time to complete the potential change of the
図95の実施例では、表示領域64の画素16を用いて、プリチャージ電圧Vpcを測定する。したがって、画像表示させている期間には、プリチャージ電圧Vpcを測定できない。ただし、表示画像の階調のプログラム電流が、プリチャージ電圧Vpcを取得するためのプログラム電流と一致している時は、プリチャージ電圧Vpcを取得できることは言うまでもない。
In the embodiment of FIG. 95, the precharge voltage Vpc is measured using the
基本的は、プリチャージ電圧Vpcの取得は、図96に図示するように、1フィールドまたは1フレームのブランキング期間あるいは、1水平走査期間のブランキング期間に実施する。ブランキング期間に、プリチャージ電圧Vpcに該当するプログラム電流をソース信号線18に印加し、電圧測定回路1710でプリチャージ電圧Vpcを測定する。
Basically, the precharge voltage Vpc is acquired in a blanking period of one field or one frame or a blanking period of one horizontal scanning period as shown in FIG. In the blanking period, a program current corresponding to the precharge voltage Vpc is applied to the
また、図97に図示するように、画像表示を行う前、つまり、表示装置の電源をオンし、画像表示を行うまえに、リチャージ電圧に該当するプログラム電流をソース信号線18に印加し、電圧測定回路1710でプリチャージ電圧Vpcを測定する。また、一度測定した、プリチャージ電圧Vpcはデジタル化して表示装置のメモリに格納し、次回からはこの格納したデジタルデータを用いてプリチャージ電圧Vpcを発生させてもよい。
In addition, as shown in FIG. 97, before the image display is performed, that is, before the display device is turned on and the image display is performed, the program current corresponding to the recharge voltage is applied to the
図97の実施例では、画像表示を行う前に、プリチャージ電圧Vpcを測定するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、表示装置の電源をオフする前に、プリチャージ電圧Vpcを測定し、測定したデータをフラシュメモリに書き込んで保持してよい。つまり、本発明はプリチャージ電圧Vpcの測定は、何らかのタイミングにおいて測定し、測定したプリチャージ電圧Vpcを使用するものであればいずれでもよい。 In the embodiment of FIG. 97, the precharge voltage Vpc is measured before image display, but the present invention is not limited to this. For example, before turning off the power of the display device, the precharge voltage Vpc may be measured, and the measured data may be written and held in the flash memory. In other words, in the present invention, the precharge voltage Vpc may be measured as long as it is measured at some timing and the measured precharge voltage Vpc is used.
なお、以上の事項は、図75から図94で説明した構成などにも適用できることは言うまでもない。また、図75から図94で説明した事項は図95にも適用できることは言うまでもない。 Needless to say, the above items can also be applied to the configuration described with reference to FIGS. Needless to say, the items described in FIGS. 75 to 94 can be applied to FIG.
本発明の実施例において、電圧測定回路1701は、ソース信号線18の電圧を測定するとした。しかし、本発明はこれに限定するものではない。ソース信号線18に限定されず、擬似的にソース信号線18のように電位変化を発生できるものであればいずれのものでもよい。たとえば、別途形成した配線でもよい。また、測定画素16sの駆動用トランジスタ11aのゲート端子と電圧測定回路1710とを直接結線するように構成してもよい。
In the embodiment of the present invention, the
また、ソース信号線18などの電位を測定することに限定するものではなく、ソース信号線18の電荷、あるいは電界からプリチャージ電圧Vpcを求めるものであってもよい。あるいは、これらの変化速度からプリチャージ電圧Vpcを求めるものであってもよい。
Further, the present invention is not limited to measuring the potential of the
以上の実施例では、1つの測定画素16sにプログラム電流を印加し、ソース信号線18の電位を電圧測定回路1701で測定するものであった。本発明はこれに限定するものでなない。たとえば、図98に図示するように、複数の画素16(16a〜16n)を動作させ、各ソース信号線18の電圧を電圧測定回路1701で測定させてもよい。
In the above embodiment, the program current is applied to one
図98では、表示画素16に各トランジスタ群251cからプログラム電流を印加し、また、表示画素16の駆動用トランジスタ11aを動作させる。たとえば、トランジスタ群251caは、画素16aに所定の測定すべきプリチャージ電圧Vpcに対応するプログラム電流を印加する。画素16aの駆動用トランジスタ11aはプリチャージ電流を流し、ソース信号線18aはプログラム電流に該当する電圧に充電または放電される。
In FIG. 98, a program current is applied to the
また、トランジスタ群251cbは、画素16bに所定の測定すべきプリチャージ電圧Vpcに対応するプログラム電流を印加する。画素16bの駆動用トランジスタ11aはプリチャージ電流を流し、ソース信号線18bはプログラム電流に該当する電圧に充電または放電される。以下、同様に、トランジスタ群251ccは、画素16cに所定の測定すべきプリチャージ電圧Vpcに対応するプログラム電流を印加する。画素16cの駆動用トランジスタ11aはプリチャージ電流を流し、ソース信号線18cはプログラム電流に該当する電圧に充電または放電される。
The transistor group 251cb applies a program current corresponding to a predetermined precharge voltage Vpc to be measured to the
電圧測定回路1701は、スイッチSaをクローズすることにより、ソース信号線18aに保持されたプリチャージ電圧Vpcを測定する。また、スイッチSbをクローズすることにより、ソース信号線18bに保持されたプリチャージ電圧Vpcを測定する。以下、同様に、スイッチScをクローズすることにより、ソース信号線18cに保持されたプリチャージ電圧Vpcを測定する。
The
また、電圧測定回路1701は、同時に複数のスイッチS(Sa〜Sn)のいずれかを選択する。複数のスイッチSを選択することにより、選択された複数のソース信号線18に保持されたプリチャージ電圧Vpcが平均化し、表示領域の駆動用トランジスタ11aの特性を反映したプリチャージ電圧Vpcを測定できるようになる。
In addition, the
以上のように、本発明は、複数の画素16を選択し、各ソース信号線18に保持されたプリチャージ電圧Vpcを測定してもよい。また、複数のソース信号線18を選択してプリチャージ電圧Vpcを測定してもよい。また、1つあるいは複数の画素16にn倍(nは1以上の整数)のプログラム電流を印加し、前記画素16の駆動用トランジスタ11aを動作させて、ソース信号線18を充放電させ、このソース信号線18の電位を測定してもよい。測定したソース信号線18の電位は、演算処理などによりプリチャージ電圧Vpcを取得する。
As described above, the present invention may select a plurality of
本発明は、ソース信号線18の電位(内部配線222の電位)を測定することにより、プリチャージ電圧Vpcを取得する。しかし、電圧測定回路1710で測定された(取得された)プリチャージ電圧Vpcはそのままプリチャージ電圧Vpcとして、使用できない場合がある。たとえば、0階調あるいは1階調に該当するプリチャージ電圧Vpcは、完全な黒表示を実現するため、トランジスタ群251から0階調または1階調に該当するプリチャージ電流を印加して取得したプリチャージ電圧Vpcよりもアノード側に寄せる(アノード電圧に近い方にシフトさせる)必要がある(駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタの場合で、前記トランジスタのソース端子がアノード端子に接続されている場合)。
In the present invention, the precharge voltage Vpc is obtained by measuring the potential of the source signal line 18 (the potential of the internal wiring 222). However, the precharge voltage Vpc measured (obtained) by the voltage measurement circuit 1710 may not be used as it is as the precharge voltage Vpc. For example, the precharge voltage Vpc corresponding to 0 gradation or 1 gradation is obtained by applying a precharge current corresponding to 0 gradation or 1 gradation from the
以上の課題を解決する方式を、図99に図示している。電圧測定回路1701で測定されたプリチャージ電圧Vpcは、AD変換回路1711でデジタルデータMDATAに変換される。一方、どの程度アノード電圧側に電位シフトするかであるデータHDATAはラッチ回路351に保持されている。
A system for solving the above problems is shown in FIG. The precharge voltage Vpc measured by the
演算回路1931はHDATAとMDATAとを加算し、目標のVDATAが得られる。VDATAがDA変換されて、アナログデータとなり、電子ボリウム291などに印加される。なお、HDATAとMDATAとを加算するとしたが、場合によっては減算により、VDATAを求める場合もある。また、HDATAあるいはMDATAに一定の割合で重み付け処理をしてVDATAを求めてもよいことは言うまでもない。以上の事項は本発明の他の実施例にも適用されることはいうまでもない。
The
以上の場合は、測定データなどをデジタル信号処理する方法である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。図100に図示するようにアナログ的に処理を実施してもよい。電圧測定回路1701で測定されたプリチャージ電圧Vpcは、アナログデータMDATAとして演算回路1931に印加される。一方、どの程度アノード電圧側に電位シフトするかを示すデータHDATAは、可変抵抗VRで発生される。この場合、HDATAはアナログ値である。演算回路1931はHDATAとMDATAとを加算し、目標のVDATAが得られる。VDATAがDA変換されて、アナログデータとなり、電子ボリウム291などに印加される。
In the above case, the method is a method of digitally processing measurement data and the like. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 100, the processing may be performed in an analog manner. The precharge voltage Vpc measured by the
図99、図100などのHDATA、VDATAは温度により可変してもよい。また、パネルの表示輝度に応じて変化させてもよい。温度は温度センサで検出し、表示輝度は、アノードに流れる電流により検出する。 HDATA and VDATA shown in FIGS. 99 and 100 may be varied depending on the temperature. Moreover, you may change according to the display brightness | luminance of a panel. The temperature is detected by a temperature sensor, and the display brightness is detected by a current flowing through the anode.
プリチャージ電圧V0〜V5は、対応するプログラム電流を、画素16に印加することにより取得する。図101では、トランジスタ群251cbよりプログラム電流を出力し、画素16が動作する。プログラム電流は、電圧V0に相当する電流を出力し、電圧測定回路1701は電圧V0を測定し、出力する。次にトランジスタ群251cbは、電圧V1に相当するプログラム電流を出力し、電圧測定回路1701は電圧V1を測定し出力する。同様に、トランジスタ群251cbは、電圧V2に相当するプログラム電流を出力し、電圧測定回路1701は電圧V2を測定し出力する。以上の動作をV5まで繰り返し、V5まで実施すると、再びV0より実施する。
The precharge voltages V0 to V5 are acquired by applying a corresponding program current to the
図101は、電圧測定回路1701は端子93bと接続されている。トランジスタ群251cbは端子93bと接続されている。端子93bはアレイ基板30の電極382aと接触し、電気的接続が取られている。端子93bはアレイ基板30の電極382bと接触し、電気的接続が取られている。図85などでは、電圧測定回路1701の端子とトランジスタ群251の端子93sは共通である。図101ではトランジスタ群251cの端子93bと、電圧測定回路1701の端子93bは分離されている。図101のように構成すれば、端子数93は増加するが、電圧測定回路1701とトランジスタ群251cとを分離して検査を行うことができる。
In FIG. 101, the
以上の実施例は、電圧測定手段1701でプリチャージ電圧Vpcを測定するものであった。電圧測定回路1701の概念には、図102で図示するように、サンプルホールド回路も含まれる。一例としてのサンプルホールド回路は、スイッチS1、S2、コンデンサC、オペアンプ231で構成されている。
In the above embodiment, the precharge voltage Vpc is measured by the voltage measuring means 1701. The concept of the
図102に図示するように、トランジスタ251cから出力されたプログラム電流は、内部配線222、端子93を通じてソース信号線18に印加され、画素16に供給される。ソース信号線18にプログラム電流に対応したプリチャージ電圧Vpcが出力され、プリチャージ電圧Vpcは内部配線222に印加させる。スイッチS2が閉じることによりプリチャージ電圧VpcはコンデンサCに印加され、その後、スイッチS2が閉じてもプリチャージ電圧Vpcは保持される。プリチャージ電圧Vpcはオペアンプ231により低インピーダンス化されて出力される。スイッチS1が閉じることによりプリチャージ電圧VpcはCnに保持される。保持されたプリチャージ電圧Vpcは電子ボリウム291などに印加される。以上のような構成あるいは方式も電圧測定回路である。
As shown in FIG. 102, the program current output from the
以上の構成は、トランジスタ群251sなどを半導体チップとして構成したものである。しかし、図103に図示するように、トランジスタ群251c、電圧測定回路1701をアレイ基板30に直接に構成あるいは形成してもよい。また、図103に図示するように画素16あるいは測定画素16sの駆動用トランジスタ11aはPチャンネルトランジスタではなく、Nチャンネルトランジスタであってもよい。
In the above configuration, the
図103に図示するように、トランジスタ群251cから出力されてプリチャージ電流Iにより駆動用トランジスタ11aが動作する。ソース信号線18はプリチャージ電圧Vpcに相当する電圧が印加され、この電圧が、アレイ基板30に形成された電圧測定回路1701により測定される。もちろん、トランジスタ群251cをアレイ基板30に直接形成し、電圧測定回路1701を半導体チップとして構成し、アレイ基板30に実装してもよい。
As shown in FIG. 103, the driving
表示パネルでは、RGBのトランジスタ群251cを形成する。プリチャージ電圧VpcもV0は、RGBで共通にできるが、V1〜Vnは別のプリチャージ電圧Vpcに設定する。RGBでプログラム電流に対する発光効率が異なるからである。もちろん、RGBのプログラム電流が同一の時あるいは略一致する場合に、ホワイトバランスがとれるときは、プリチャージ電圧VpcはRGBで共通としてもよい。
In the display panel, an
RGBでプリチャージ電圧Vpcを異ならせる場合は、図104のように構成する。トランジスタ群251c(251cR、251cG、251cB)はスイッチSa(SaR、SaG、SaB)により選択させて、内部配線222に接続される。スイッチSa、Sbはアナログスイッチやトランジスタが例示される。スイッチSa、Sbは選択手段である。内部配線222は端子93により測定画素16Sに接続されている。したがって、スイッチSa(SaR、SaG、SaB)によりトランジスタ群251c(251cR、251cG、251cB)が選択されて、各トランジスタ群251cからのプログラム電流Iが電圧測定画素16S(または画素16)に印加される。
When different precharge voltages Vpc are used for RGB, the configuration is as shown in FIG. The
トランジスタ群251cRからのプログラム電流はスイッチSaRがクローズすることにより、測定画素16Sに印加される。スイッチSaRがクローズする時は、スイッチSbRがクローズし、ソース信号線18の電位がRの電圧測定回路1701Rに印加され、電圧測定回路1701Rはプリチャージ電圧V0R〜VmR(mはプリチャージ電圧Vpcの最大番号値)を測定あるいは取得する。
The program current from the transistor group 251cR is applied to the
トランジスタ群251cGからのプログラム電流はスイッチSaGがクローズすることにより、測定画素16Sに印加される。スイッチSaGがクローズする時は、スイッチSbGがクローズし、ソース信号線18の電位がGの電圧測定回路1701Gに印加され、電圧測定回路1701Gはプリチャージ電圧V0G〜VmGを測定あるいは取得する。
The program current from the transistor group 251cG is applied to the
トランジスタ群251cBからのプログラム電流はスイッチSaBがクローズすることにより、測定画素16Sに印加される。スイッチSaBがクローズする時は、スイッチSbBがクローズし、ソース信号線18の電位がBの電圧測定回路1701Bに印加され、電圧測定回路1701Bはプリチャージ電圧V0B〜VmBを測定あるいは取得する。
The program current from the transistor group 251cB is applied to the
なお、電圧測定回路1701R、1701G、1701Bは、共通にして、1つの電圧測定回路1701で兼用してもよい。また、内部配線222、測定画素16SもRGBごとに分離してもよい。また、図105に図示するように、スイッチSbを形成しなくともよい。
Note that the
図106は、RGBでプリチャージ電圧Vpcを異ならせた場合の構成図である。電子ボリウム291にはデジタル化されたプリチャージ電圧Vpcが印加される。電子ボリウム291Rには、プリチャージ電圧V0R〜V5Rが印加される。電子ボリウム291Gには、プリチャージ電圧V0G〜V5Gが印加される。電子ボリウム291Bには、プリチャージ電圧V0B〜V5Bが印加される。なお、プリチャージ電圧Vpcとその構成については、図72などでも説明しているので参照されたい。
FIG. 106 is a configuration diagram in the case where the precharge voltage Vpc is made different between RGB. A digitized precharge voltage Vpc is applied to the
トランジスタ群251sから出力するプログラム電流Iはn倍にして出力してもよい。n倍にすることは図9などで説明している。n倍のプログラム電流を印加し、プリチャージ電圧Vpcを取得する場合は、図107に図示するように、測定画素16sも駆動用トランジスタ11aをn個形成する。もしくは、n倍のプログラム電流で、既定のプリチャージ電圧Vpc(画素16が1つの駆動用トランジスタ11aで構成されている場合に取得されるプリチャージ電圧Vpc)が得られるように構成または形成する。
The program current I output from the
図107に図示するように、プリチャージ電圧Vpcを測定するための画素16sをn個の駆動用トランジスタ11aで構成することにより、駆動用トランジスタ11aの特性バラツキによるプリチャージ電圧Vpcのバラツキを低減することができる。つまり、プリチャージ電圧Vpcの精度を向上できる。
As shown in FIG. 107, the
図107において、トランジスタ251sから出力されたプログラム電流は、内部配線222、端子93を通じてソース信号線18に印加され、画素16sに供給される。画素16sのn個の駆動用トランジスタ11aからソース信号線18にプログラム電流nIに対応したプリチャージ電圧Vpcが出力され、プリチャージ電圧Vpcは内部配線222に印加される。なお、図107ではn=4とし、画素16sには4つの駆動用トランジスタ11aを形成している。
In FIG. 107, the program current output from the
図107では、4Iのプログラム電流が印加させ、4個の駆動用トランジスタ11aが動作する。したがって、個々の駆動用トランジスタ11aはIの大きさのプログラム電流を流すことになる。トランジスタ群251cからは4Iのプログラム電流を出力するが、1つの駆動用トランジスタ11aはIのプログラム電流を流すことになり、結局、画素16が1個の駆動用トランジスタ11aで構成されている場合に、トランジスタ251cからIのプログラム電流を流し、画素16の駆動用トランジスタ11aがIの電流を流す場合と同一になる。しかし、画素11sには駆動用トランジスタ11aが複数形成されているため、多少駆動用トランジスタ11aにバラツキが発生していても、精度のよりプリチャージ電圧Vpcを取得することができる。他の構成あるいは動作は、本発明の他の実施例と同様であるので説明を省略する。
In FIG. 107, a 4I program current is applied, and the four
以上のように本発明は測定画素16sまたは画素16を用いてプリチャージ電圧Vpcを取得する方式である。しかし、課題はプリチャージ電圧Vpcを取得する画素16などに欠陥が発生している場合である。欠陥が発生した画素は正常なプリチャージ電圧Vpcを出力しない。また、プリチャージ電圧Vpcを取得する駆動用トランジスタ11aの特性が異常の場合も問題となる。
As described above, the present invention is a method of acquiring the precharge voltage Vpc using the
本発明はこの課題に対して、プリチャージ電圧Vpcを取得する画素16sを複数個形成し、この複数個の画素16sから正常な画素を選択することにより解決している。図108はその説明図である。図108において、プリチャージ電圧Vpcを取得する測定画素16sが4個形成されている。どの測定画素16sを選択するかは、スイッチS(S1〜S4)により決定される。図108では、スイッチS1がクローズされ、他のスイッチS2〜S4をオープンにすることにより、測定画素16s1が選択される。したがって、トランジスタ群251cからのプログラム電流は測定画素16s1に印加される。
The present invention solves this problem by forming a plurality of
どの測定画素16sを選択するかは、事前に複数の画素16sの特性を測定し選択しておく。選択した情報はスイッチSのクローズ情報として不揮発性のメモリに保持する。また、デフォルトで選択するスイッチSを決めておく。
Which
なお、図107のように、n個のスイッチSをクローズさせ、n倍のプログラム電流を印加してもよいことは言うまでもない。また、複数の測定画素16sが正常の場合は、正常な測定画素16sが接続されたスイッチSを順次切り換えてプリチャージ電圧Vpcを取得してもよい。
It goes without saying that n switches S may be closed and n times the program current may be applied as shown in FIG. When the plurality of
測定画素16sは図109に図示するようにマトリックス状に形成してもよい。また、1画素列あるいは1画素行として形成してもよい。図109は4画素行、6画素列のマトリックス状に測定画素16sを形成した場合を示している。マトリックス状に形成された測定画素16sの構成は、表示領域64の構成と同様である。測定画素16sの画素行方向には、ゲートドライバ回路12sが接続または形成され、測定画素16sの画素列方向には、ソースドライバ回路(IC)14のトランジスタ群251sが接続または形成されている。どの測定画素16sを選択するかは、選択するソース信号線18とゲートドライバ12sの制御により決定される。また、どのソース信号線18のプリチャージ電圧Vpcを測定するかは、電圧測定回路1701の制御により決定される。
The
ゲートドライバ回路12sがどの測定画素行を選択するかは、ゲートドライバ回路12のST1、CLK1(図11も参照のこと)の制御と同様に、ST3とCLK3により実施される。ゲートドライバ回路12sはゲート信号線17s(ゲート信号線17aと同様の機能を有する)を順次選択し、選択した画素行の駆動用トランジスタ11aを動作させる。
Which measurement pixel row the gate driver circuit 12s selects is implemented by ST3 and CLK3, similarly to the control of ST1 and CLK1 (see also FIG. 11) of the
もしくは、ゲートドライバ回路12sはあらかじめ指定(決定)されたゲート信号線17s(ゲート信号線17aと同様の機能を有する)を選択し、選択した画素行の駆動用トランジスタ11aを動作させる。この場合はどの測定画素行を選択し、また、どの測定画素を選択するかは、事前に複数の画素16sの特性を測定し選択しておく。選択した情報は不揮発性のメモリに保持する。また、デフォルトで測定画素行あるいは測定画素16sを決めておく。また、ソースドライバ回路(IC)14の制御により、測定画素行にプログラム電流を印加する。
Alternatively, the gate driver circuit 12s selects a gate signal line 17s (having the same function as the
図107と同様に、n個の測定画素16sを選択し、n倍のプログラム電流を印加してもよいことは言うまでもない。また、ゲートドライバ12sを走査し、プリチャージ電圧Vpcを測定する測定画素16sを順次切り換えてプリチャージ電圧Vpcを取得してもよい。また、図109において、ゲートドライバ回路12sとゲートドライバ12は別回路のように図示したが、これに限定するものではなく、1つの回路として構成してもよい。この1つのゲートドライバ回路の走査により、たとえば、1Fの最初のブランキング時間にゲートドライバ回路により測定画素行を選択し、その後、表示領域64の画素行を選択するように構成してもよい。また、図109において、ソースドライバ回路(IC)14の測定画素用と表示領域用の2つを別回路のように図示したが、これに限定するものではなく、1つの回路として構成し、この1つのソースドライバ回路(IC)14の制御により、たとえば、1Fの最初のブランキング時間にソースドライバ回路(IC)14により測定画素行にプログラム電流を印加し、その後、表示領域64の画素行にプログラム電流を印加するように構成してもよい。
Of course, as in FIG. 107,
図110は、プリチャージ電圧V0〜V5を測定する測定画素16sと電圧測定回路1701とを形成または配置して構成である。また、プリチャージ電圧Vpcを取得するトランジスタ群251sと画像を表示するトランジスタ群251cと、共通のトランジスタ群251bとでカレントミラー回路を構成した実施例である。
FIG. 110 shows a configuration in which a
図110において、トランジスタ群251sは、プリチャージ電圧V0〜V5に対応するプログラム電流を順次出力する。プリチャージ電圧V0に対応するプログラム電流がソース信号線18sに印加させたときは、測定画素16s0が選択され、電圧測定回路1701aでプリチャージ電圧V0が測定され、電子ボリウム291などに印加される。
In FIG. 110, the
プリチャージ電圧V1に対応するプログラム電流がソース信号線18sに印加させたときは、測定画素16s1が選択され、電圧測定回路1701bでプリチャージ電圧V1が測定され、電子ボリウム291などに印加される。同様に、プリチャージ電圧V2に対応するプログラム電流がソース信号線18sに印加させたときは、測定画素16s2が選択され、電圧測定回路1701cでプリチャージ電圧V2が測定される。プリチャージ電圧V3に対応するプログラム電流がソース信号線18sに印加させたときは、測定画素16s3が選択され、電圧測定回路1701dでプリチャージ電圧V3が測定される。プリチャージ電圧V4に対応するプログラム電流がソース信号線18sに印加させたときは、測定画素16s4が選択され、電圧測定回路1701eでプリチャージ電圧V4が測定される。プリチャージ電圧V5に対応するプログラム電流がソース信号線18sに印加させたときは、測定画素16s5が選択され、電圧測定回路1701fでプリチャージ電圧V5が測定され、電子ボリウム291などに印加される。
When the program current corresponding to the precharge voltage V1 is applied to the
当然であるが、図110の構成に本発明が限定されるものではなく、図111のように、電圧測定回路1701は1つで構成してもよい。また、図112に図示するように、RGBごとにトランジスタ群261s、電圧測定回路1701を構成してもよいことは言うまでもない。
As a matter of course, the present invention is not limited to the configuration of FIG. 110, and the
以上の実施例ではプリチャージ電圧Vpcは、測定画素16sまたは画素16を動作させて取得するとした。しかし、プリチャージ電圧Vpcはパネル外部で発生して印加してもよい。たとえば、図113に図示するように、外部で発生したプリチャージ電圧V0b〜V5bと、測定画素16sまたは画素16を動作させて取得したプリチャージ電圧V0a〜V5aとをスイッチSで選択または切り換えできるように構成する。外部で発生したプリチャージ電圧V0b〜V5bを選択する場合はスイッチをb側に切り換える。測定画素16sまたは画素16を動作させて取得したプリチャージ電圧V0a〜V5a(内部で発生したプリチャージ電圧Vpc)を選択する場合はスイッチSをa側に切り換える。スイッチSの切り換えは、ユーザーが手動で切り換えてもよいし、外光センサ、温度センサなどの出力結果により自動で切り換えてもよい。
In the above embodiment, the precharge voltage Vpc is obtained by operating the
プリチャージ電圧Vpcを測定するタイミング、測定時間、測定画素16sの指定、プリチャージ電圧Vpcの印加期間、タイミングなどの制御は図114に図示するようにコントローラ722で実施する。図114において、RDATAは赤の映像データ、GDATAは緑の映像データ、BDATAは青の映像データである。PCはプリチャージをするしないを制御する信号、PTはプリチャージ期間信号、VCは、プリチャージ電圧Vpcの測定信号、VNOはV0〜V5のどのプリチャージ電圧Vpcを測定するかの指定信号、VTはプリチャージ電圧Vpcの測定期間を指定する信号である。
Control of the timing for measuring the precharge voltage Vpc, the measurement time, the designation of the
なお、本発明の実施例において、プリチャージ電流を画素16に印加して、プリチャージ電圧Vpcを測定するとした。しかし、本発明は、プリチャージ電圧Vpcを求めるものであるから、プリチャージ電流を印加する対象は、画素16の駆動用トランジスタ11aだけに限定されるものではない。たとえば、プリチャージ電流の印加により、所定の電流を供給できるトランジスタをアレイ30に形成または配置し、このトランジスタを用いてプリチャージ電圧Vpcを取得してもよい。本発明において、重要な点は、画素16の駆動用トランジスタ11aをアレイ基板30に形成し、同一のアレイ基盤30にプリチャージ電圧Vpcを取得(測定)するトランジスタを形成又は配置することが構成の条件である。さらには、駆動用トランジスタ11aにプログラム電流を供給するあるいは、プログラム電流に近いまたは類似する電流を供給するトランジスタ(群)で、画素16に電流を印加し、プリチャージ電圧Vpcを測定するものである。
In the embodiment of the present invention, a precharge current is applied to the
0階調に該当するV0電圧は、画素16の駆動用トランジスタ11aによって決定される。通常、駆動用トランジスタ11aは、RGBで共通のサイズあるいは大きさである。したがって、RGBではV0電圧は一致している。寄生容量Csの充放電はV0電圧を基準になる場合が多い。したがって、V0電圧は電流駆動あるいは電圧駆動方式において原点の位置づけとなる。V0電圧の取得は、図115から図120でも取得できる。
The V0 voltage corresponding to the 0th gradation is determined by the driving
図115は、カソード電流を測定することにより取得する方法である。図115は各ソース信号線18を短絡し、短絡した状態でソース信号線に設定するV0’電圧を印加する。この状態で、ゲートドライバ12a、12bを走査し、ソース信号線18に印加されたV0’電圧を画素16に書きこむ。一方、抵抗Rm18電位を電圧測定手段1701で測定する。なお、図115では、電圧測定手段1701を用いて、カソード端子に直列接続した抵抗R0に分流抵抗Rmを接続し、前記抵抗Rmの端子電圧を測定するとしたが、本発明の目的は、カソードに流れる電流を測定するものである。したがって、カソード端子に直接電流測定手段を配置して測定してもよい。また、電流の測定は、アノード端子側でもよい。
FIG. 115 shows a method of obtaining by measuring the cathode current. In FIG. 115, each
ソース信号線18に印加されたV0’電圧を画素16に書きこむ。V0’電圧は、Im(つまりI0)の値が目標値(以下)となるように調整する。I0が目標値となったときのソース信号線18に印加するV0’電圧をV0電圧とする。図115の画素構成では、V0’電圧をアノード端子側にすれば、I0電流は減少する。しかし、V0’電圧を必要以上にアノード電圧よりにすると、階調0に対応するV0電圧を印加したときは、良好な黒表示を実現できるが、階調0電位が深すぎ、階調0から階調1などに変化する時に、階調1が書き込みにくくなる。
The
適正なV0電圧が得られるI0電流は、表示パネルの表示領域の対角長をd(インチ)とし、I0(mA)するとき、K=I0/dとした時、Kは0.2以上2以下とすることが好ましい。さらに好ましくは、Kは、0.3以上1.0以下とすることが好ましい。良好な黒表示を実現でき、かつ0階調から他の階調にプリチャージ駆動(過電流駆動)を実施する場合でも良好な階調変化を実現できるからである。 The I0 current at which an appropriate V0 voltage can be obtained is such that when the diagonal length of the display area of the display panel is d (inch) and I0 (mA), and K = I0 / d, K is 0.2 or more and 2 The following is preferable. More preferably, K is preferably 0.3 or more and 1.0 or less. This is because good black display can be realized and good gradation change can be realized even when precharge driving (overcurrent driving) is performed from 0 gradation to another gradation.
以上のように、V0’電圧を変化させ、変化に対応して、I0電流を測定する。I0電流がKの範囲を満足した時点で、ソース信号線18に印加しているV0’電圧をプリチャージ電圧V0とする、
プリチャージ電圧V0は図116で取得することも好ましい。図116では、複数のソース信号線18は、短絡配線2171で短絡されている。短絡配線2171は黒電圧(プリチャージ電圧V0)を測定した後、a−a’線で割断される。
As described above, the V0 ′ voltage is changed, and the I0 current is measured in response to the change. When the I0 current satisfies the range of K, the V0 ′ voltage applied to the
It is also preferable to acquire the precharge voltage V0 in FIG. In FIG. 116, the plurality of
図116においては、すべてのソース信号線18は短絡配線2171で短絡されている。したがって、各ソース信号線18はフローティング状態である。短絡配線2171には端子電極2172が形成または配置されている。端子電極2172にはプローブ2173が圧接されている。プローブ2173には、配線2175を介して定電流源2174が接続されている。定電流源2174はプリチャージ電圧V0の場合は、出力する電流は0である。
In FIG. 116, all
配線2175には、配線2175の電位を測定する電圧測定手段1701が接続されている。電圧測定手段1701はプローブ2173を介してソース信号線18の電位を測定していることになる。今、定電流源2174の出力電流は0であるから、ソース信号線18には電流が印加されていない。つまり、ソース信号線18はプリチャージ電圧V0(階調0)の状態である。
Voltage measurement means 1701 for measuring the potential of the
図116はあらかじめ配線2171で複数のソース信号線18を短絡する方式であった。図77のように、ソース信号線18が配線2171で短絡されていない構成の場合は、図118に図示するように、導電体を用いて短絡すればよい。
FIG. 116 is a system in which a plurality of
図116、図121、図120に説明するように、プログラム電流、検査電流など1mA以下の比較的小さな電流を、アレイ30もしくは表示パネルに印加/供給して検査あるいは評価を実施する場合、アレイ30もしくは表示パネルから1mA以下の比較的小さな出力電流を受け取り検査あるいは評価を実施する場合は、図117に図示するように、端子382(2172)と接触するプローブ2173に電圧を印加することが好ましい。特に、端子382(2172)がITOで形成あるいは構成されている場合に必須である。ITO表面は接触抵抗が高く、わずかな酸化物あるいは無機物、有機物によるバリアにより接触が不完全となるからである。
116, 121, and 120, when performing inspection or evaluation by applying / supplying a relatively small current of 1 mA or less such as a program current and an inspection current to the
交流電圧発生器2481は、GNDに対して正、負電圧印加手段である。交流電圧発生器(電圧印加手段)2481で、ゲートドライバ回路12の出力オン電圧、出力オフ電圧あるいは近似する電圧を1周期以上の期間印加する。具体的には、±5V〜±15Vの電圧を印加する。1周期以上好ましくは10周期以上の電圧印加により、端子382(2172)表面の障害物(酸化物あるいは無機物、有機物によるバリア)がやぶれ、あるいは除去される。除去などにより接触を完全にした後、検査あるいは評価を実施する。電圧の印加により不要な酸化膜が除去されるからである。
The
なお、電圧を印加するとしたが、これに限定するものではない。電流を印加してもよい。たとえば、10μA程度の定電流源を端子382(2172)に接続し、この電流が流れるようになるまで、継続させて印加する。電流の印加はパルス的でも、連続的でもよい。また、±5V〜±15Vの電圧を、1周期以上好ましくは10周期以上印加するとしたが、これに限定するものではない。+5V〜+15Vの電圧を継続させて印加してもよい。もちろん、電圧の印加はパルス的でも、連続的でもよい。 Although a voltage is applied, the present invention is not limited to this. A current may be applied. For example, a constant current source of about 10 μA is connected to the terminal 382 (2172) and applied continuously until this current flows. The application of current may be pulsed or continuous. In addition, the voltage of ± 5 V to ± 15 V is applied for 1 cycle or more, preferably 10 cycles or more, but is not limited thereto. A voltage of + 5V to + 15V may be applied continuously. Of course, the voltage application may be pulsed or continuous.
図117に図示するように、まず、電圧印加手段2481などにより、端子382(2172)にに電流/電圧を印加し(SWはa端子に接続する)、接続酸化物あるいは無機物、有機物によるバリアを除去してから、SWをb端子に切り換え、定電流源2174に接続して、パネルの評価/検査などを実施する。
As shown in FIG. 117, first, current / voltage is applied to the terminal 382 (2172) by the voltage applying means 2481 (SW is connected to the a terminal), and a barrier made of connecting oxide, inorganic material, or organic material is formed. After the removal, the SW is switched to the b terminal and connected to the constant
図118のようにバンプ664で端子382と接触をとる場合でも同様に、図117で説明したように、バンプ664に交流電圧波形を印加し、完全な接触を取ることが好ましいことは言うまでもない。
Similarly, in the case where the
以上のように、本発明は、プログラム電流、検査電流など1mA以下の比較的小さな電流を、アレイ30もしくは表示パネルに印加/供給して検査あるいは評価を実施する場合、アレイ30もしくは表示パネルから1mA以下の比較的小さな出力電流を受け取り検査あるいは評価を実施する場合においてアレイ30などの端子と電気接触が必要な場合は、電圧印加手段2481で、ゲートドライバ回路12の出力オン電圧、出力オフ電圧あるいは近似する電圧を1周期以上の期間印加する。1周期以上好ましくは10周期以上の電圧印加により、端子382(2172)と接触を完全にした後、検査あるいは評価を実施する。特に、端子382(2172)にITOなどの酸化物が形成されている場合に実施することが好ましい。電圧の印加により不要な酸化膜が除去されるからである。また、接触を実施する前に、ごく薄いふっ酸、アルコールなどで、端子382(2172)上の有機物を除去することが好ましい。
As described above, according to the present invention, when inspection or evaluation is performed by applying / supplying a relatively small current of 1 mA or less, such as a program current and an inspection current, to the
図118はソース信号線18の各端子電極382に、バンプ664を介して短絡チップ14cで短絡し、ソース信号線18の電位からV0電圧を得る方法である。短絡チップ14cの端子配置はソースドライバIC14と同一である。短絡チップ14cは導電体で構成されている。したがって、短絡チップ14cによりアレイ30上のソース信号線18は共通電位に設定される。したがって、図116と同様に短絡チップ14cの電位を電圧測定手段1701で測定することにより、V0電圧を測定できる。
FIG. 118 shows a method in which each
図119は、ソース信号線18を配線2171で共通にし、アノード配線2101にアノード電圧Vddを印加し、カソード配線2102に電流測定手段2201を接続した構成である。図119では、図115と同様に、配線2171でV0’電圧と印加し、電流測定手段2201で電流I0を測定する。印加する電圧V0’は電圧測定手段1701で測定する。他の構成あるいは方式は、図115または図116と同様である。
FIG. 119 shows a configuration in which the
図120は、RGBごとにV0電圧を取得する方法である。図116と同様に、R用のソース信号線を短絡する配線2171Rを形成している。また、図118で説明したように短絡チップ14cを用いても良い。また、Gに関しても図116と同様に、G用のソース信号線を短絡する配線2171Gを形成している。同様に、Bについても、B用のソース信号線を短絡する配線2171Bを形成している。
FIG. 120 shows a method for acquiring the V0 voltage for each of RGB. Similarly to FIG. 116, a
図120においても、同様に、V0’電圧をソース信号線18に印加し、I0電流が目標電流となるように調整してV0電圧を得る。図119との差異は、V0電圧をRGBごとに得る点である。つまり、R用のソース信号線18を配線2171Rで共通にし、アノード配線2101にアノード電圧Vddを印加し、カソード配線2102に電流測定手段2201を接続する。この時、G用とB用のソース信号線18はオープン状態にする。図120では、図115と同様に、配線2171RでV0’電圧と印加し、電流測定手段2201(図示せず)で電流I0を測定する。印加する電圧V0’は電圧測定手段1701Rで測定する。他の構成あるいは方式は、図115または図116と同様である。以上の動作を行うことにより、R用のプリチャージ電圧V0を得ることができる。
Similarly, in FIG. 120, the V0 ′ voltage is applied to the
Gに対しても同様である。G用のソース信号線18を配線2171Gで共通にし、アノード配線2101にアノード電圧Vddを印加し、カソード配線2102に電流測定手段2201を接続する。この時、R用とB用のソース信号線18はオープン状態にする。図120では、配線2171GでV0’電圧と印加し、電流測定手段2201(図示せず)で電流I0を測定する。印加する電圧V0’は電圧測定手段1701Gで測定する。以上の動作を行うことにより、G用のプリチャージ電圧V0を得ることができる。
The same applies to G. The
Bの場合は、B用のソース信号線18を配線2171Bで共通にし、アノード配線2101にアノード電圧Vddを印加し、カソード配線2102に電流測定手段2201を接続する。この時、R用とG用のソース信号線18はオープン状態にする。配線2171BでV0’電圧と印加し、電流測定手段2201(図示せず)で電流I0を測定する。印加する電圧V0’は電圧測定手段1701Bで測定する。以上の動作を行うことにより、B用のプリチャージ電圧V0を得ることができる。
In the case of B, the
各階調(プログラム電流)に対するプリチャージ電圧Vpcの測定は、図120において、電流設定手段2174で実施できる。電流設定手段は、各階調に対応するプログラム電流Iを出力できる。ただし、n本のソース信号線18が配線2171で短絡されている場合は、プログラム電流Iは、I×nである。
The measurement of the precharge voltage Vpc for each gradation (program current) can be performed by the current setting means 2174 in FIG. The current setting means can output a program current I corresponding to each gradation. However, when n
電流設定手段2174RはR用のプログラム電流を出力するものである。電流設定手段2174GはG用のプログラム電流を出力するものである。電流設定手段2174BはB用のプログラム電流を出力するものである。 The current setting means 2174R outputs an R program current. The current setting means 2174G outputs a G program current. The current setting means 2174B outputs a program current for B.
Rのプリチャージ電圧V0〜V5を得る場合は、電流設定手段2174Rからプリチャージ電圧V0〜V5に対応するプログラム電流×nをRのn本のソース信号線18に印加する。Gのプリチャージ電圧V0〜V5を得る場合は、電流設定手段2174Gからプリチャージ電圧V0〜V5に対応するプログラム電流×nをGのn本のソース信号線18に印加する。Bのプリチャージ電圧V0〜V5を得る場合は、電流設定手段2174Bからプリチャージ電圧V0〜V5に対応するプログラム電流×nをBのn本のソース信号線18に印加する。以上の動作あるいは処理により、RGBごとにプリチャージ電圧V0〜V5を得ることができる。
In order to obtain the R precharge voltages V0 to V5, the program current × n corresponding to the precharge voltages V0 to V5 is applied to the R n
図121は、取得されたV0電圧から補正し、正規のV0電圧を得る方法の説明図である。得られたプリチャージ電圧V0は一定の補正をすることが好ましい。たとえば、より黒表示を実現したいと言う場合である。 FIG. 121 is an explanatory diagram of a method of obtaining a normal V0 voltage by correcting the acquired V0 voltage. The obtained precharge voltage V0 is preferably corrected to a certain level. For example, this is a case where it is desired to realize a black display.
図121において、プローブ2173などの構成は、図116などが該当する。つまり、図121のプローブ2173が端子2172に接続される。配線2171の電位は電圧測定手段1701で8ビットのデジタルデータに変換される。一方補正する大きさはROM2122に保持されている。ROMデータは、RDaTaとして、外部より書き換えることができる。
In FIG. 121, the configuration of the
ROM2122に保持されたデータも8ビットである。このROMデータと電圧測定手段1701のデータが加算(減算の場合もある)回路1931で加算される。一般的に加算データにより、アノード電圧側にデータはシフトされる。
The data held in the
加算されたデータは9ビットになる。このデータはDA(デジタルーアナログ変換)回路1711でアナログデータに変換され、パネル温度を検出する温度補償回路2191で温度補償されて、ソースドライバ回路(IC)14に印加される。温度補償回路2191を必要とするのは、プリチャージ電圧Vpcは電圧駆動であるため、温度依存性があるからである。
The added data becomes 9 bits. This data is converted into analog data by a DA (digital-to-analog conversion)
なお、図121ではV0電圧を補正するとしたが、他のプリチャージ電圧Vpcにおいても同様の処理を実施すればよいことは言うまでもない。 In FIG. 121, the V0 voltage is corrected, but it goes without saying that the same processing may be performed for other precharge voltages Vpc.
図122はソース信号線18の信号波形である。図122(a)の電流駆動の場合はプログラム電流が微弱であるため、寄生容量により信号波形はなまってしまう。図122(b)の電圧駆動の場合は、ソースドライバ回路(IC)14の出力インピーダンスが小さいため、ソース信号線18に印加される信号波形は、ほとんど、なまることがない。したがって、駆動信号を確実に画素16に書き込める方法としては電圧駆動方式が良好である。しかし、電圧駆動方式では画素16に駆動用トランジスタ11aのバラツキを補償することができない。電流駆動では画素16の駆動用トランジスタ11aを良好に補償することができる。
FIG. 122 shows a signal waveform of the
以下に本発明の他の実施例について説明する。以下の実施例は、主として図83から図101の本発明の駆動方式と類似または発展あるいは改良あるいは変更したものである。あるいは追加をしたものである。また、類似あるいは組み合わせたものである。したがって、図83から図101などあるいは以前の本発明の実施で説明した事項は、以下に説明する本発明に適用することができることは言うまでもない。また、組み合わせることもできることは言うまでもない。 Other embodiments of the present invention will be described below. The following embodiments are mainly similar to, developed, improved, or changed from the drive system of the present invention shown in FIGS. Or it is an addition. They are similar or combined. Therefore, it goes without saying that the matters described in the implementation of the present invention, such as FIG. 83 to FIG. 101, can be applied to the present invention described below. Needless to say, they can also be combined.
特に、ソースドライバ回路(IC)14から所定の電流をソース信号線18に印加し、ソース信号線18の電位を測定して、測定したデータを記憶し、また、電圧階調に対応するデータを発生する点は基本的には同一である。たとえば、図36〜図39、図43、図44、図45、図46、図87の構成と図123の構成は同一または類似する。したがって、以上の構成は以下の本発明の実施例に適用される。
In particular, a predetermined current is applied from the source driver circuit (IC) 14 to the
以下、図123などを参照しながら、本発明の駆動方式を説明する。定電流出力回路334は所定の階調番号に対応する電流を出力する。説明を容易にするため、一例として出力する階調電流I1は、256階調の128階調目であり、その値がI1=1μAであるとする。なお、定電流出力回路334はすべての階調に対応するプログラム電流を出力する必要はなく、128階調目、64階調目、0階調目、1階調目、255階調目など特定の階調の電流を出力できればよい。もちろん、全階調電圧を出力できる電圧階調回路371に構成することが望ましいことは言うまでもない。また、低階調(127階調以下)のプログラム電圧を出力できるものであればよいことは言うまでもない。
Hereinafter, the driving method of the present invention will be described with reference to FIG. 123 and the like. The constant
なお、説明を容易にするため、定電流出力回路334はソースドライバ回路(IC)14内に形成あるいは構成するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、ソースドライバ回路(IC)14外に定電流I1を発生する回路を設け、この定電流I1はスイッチ回路を介して、ソース信号線18に供給し、画素16の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧(ソース信号線18)V1を測定してもよい。また、測定した電圧は、ソースドライバ回路(IC)14の外部に配置したEEPROMに書き込み、書き込んだデータから画素16の駆動用トランジスタ11aV−Iカーブを発生させてもよい。以上の測定はパネル出荷前のパネル調整工程で実施してもよいことは言うまでもない。
For ease of explanation, the constant
まず、駆動用の電圧データを測定あるいは発生する測定段階について説明をする。測定段階は、電源投入時など、画像表示を行っていない状態で実施する。または、画像表示に影響を与えない状態で実施する。 First, a measurement stage for measuring or generating driving voltage data will be described. The measurement stage is performed in a state where no image is displayed, such as when the power is turned on. Alternatively, the image display is performed without affecting the image display.
なお、説明を容易にするため画素16構成は、図1、図16、図17、図18、図19、図21などの電流駆動型であるとする。図123の実施例である本発明の駆動方式は、ソースドライバ回路(IC)14から印加する定電流を、該当駆動用トランジスタ11aなどに流し、駆動用トランジスタ11aのゲート端子の電位を変化させ、ソース信号線18の電位を測定する必要があるからである。つまり、駆動用トランジスタ11aから流れる電流がソース信号線18に流入あるいは流出するように画素16が構成されている必要がある。電圧駆動型の画素(たとえば、図2の画素構成)では、駆動用トランジスタ11aからの出力電流はソース信号線18には流れ込まない。また、電圧オフセットキャンセル型の画素構成では、ソース信号線18と駆動用トランジスタ11a間はコンデンサでDC電流のカットが行われている。したがって、本発明のEL表示パネルには採用できない。しかし、駆動用トランジスタ11aあるいはEL素子15に流す電流を規定するトランジスタ(図111など)に電流を流し、そのゲート端子の電圧を測定あるいは把握できる構成であれば採用できる。また、後に説明する本発明の実施例を適用することにより、以下の本発明の駆動方式を実現することができる。
For ease of explanation, it is assumed that the configuration of the
以上のように、本発明は、画素構成は電流駆動型の画素構成であり、この画素にプログラム電圧を印加し、電圧駆動(プログラム電圧を印加)を実施するものである。また、少なくとも1点以上の画素16の駆動用トランジスタ11aの特性カーブの電圧を測定し、この電圧から電圧駆動に対応する特性カーブを発生し、駆動するものである。階調0の電圧を測定あるいは発生し、この階調0の電圧を基準に電圧プログラムデータを発生し、駆動する状態は電圧オフセットキャンセルと同一あるいは類似の電圧方式である。もちろん、階調0に限定するものではない。ただし、階調0の測定電圧値を精度よく求めることにより、精度のより電圧オフセットを実施することができ好ましい。また、階調0以外であれば、中間階調(最大階調の1/8以上1/2以下の階調)で測定あるいは求めた電圧値を用いて特性カーブを求めることが好ましい。この範囲での駆動用トランジスタの特性バラツキがめだつからである。
As described above, according to the present invention, the pixel configuration is a current-driven pixel configuration, and a program voltage is applied to the pixel to perform voltage driving (application of the program voltage). Further, the voltage of the characteristic curve of the driving
駆動用トランジスタ(EL素子15に電流を供給するトランジスタまたは前記トランジスタに流れる電流を規定するトランジスタ)の特性カーブは、多項式を演算することにより、あるいはマトリックステーブルあるいはルックアップテーブルを参照することにより、発生することができる。前記処理は、映像信号データに対応して逐次求めてもよいし、あらかじめ求めておいてもよい。また、すべての映像信号データに対応して求める必要はなく、間欠あるいは飛び飛びにもとめてもよい。近傍の画素の映像信号データは近似しており、また、アレイ30の駆動用トランジスタなどの特性も近傍の画素では近似しているからである。
The characteristic curve of the driving transistor (the transistor that supplies current to the
以上のように構成することにより、本発明のEL表示装置は電圧駆動と電流駆動の両方が実施できることになる。したがって、電圧+電流駆動を実施することができる(図36などを参照のこと)。特に、プログラム電流の小さい低階調領域では、精度のよい電圧駆動を実施するとができ、プログラム電流が大きい高階調領域では、精度のよい電流駆動を実施することができ、また、電圧駆動と電流駆動とを双方を補完した駆動方式を実施することができる。 With the configuration as described above, the EL display device of the present invention can perform both voltage driving and current driving. Therefore, voltage + current driving can be performed (see FIG. 36 and the like). In particular, accurate voltage driving can be performed in a low gradation region where the program current is small, and accurate current driving can be performed in a high gradation region where the program current is large. It is possible to implement a driving method that complements both of driving.
図123の構成は、図36、図37、図43、図44、図45、図48、図49などの本発明のソースドライバ回路(IC)14に、ソース信号線18に発生している電位を順次選択して出力するか、あるいは複数のソース信号線18を選択してその電位を出力するスイッチSx(x=1〜n:nはソース信号線18の形成数)を付加した構成である。なお、ソース信号線18の電位を測定するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、電荷の移動を検出したり、電界の強度を測定したりして、近似的にソース信号線18の電位を測定あるいは推定するものであればよい。また、ソース信号線18の電位に限定するものではなく、画素16の駆動用トランジスタ11のゲート端子電圧を直接にあるいは間接的に測定できるものであればいずれの構成であってもよい。
The configuration of FIG. 123 is the same as the potential generated in the
また、本発明は、ゲートドライバ回路12aを制御し、順次ゲート信号線17aを順次選択し、選択した画素行の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧を順次測定する点にも特徴がある。つまり、画素行を選択し、規定の定電流をソース信号線18に印加し、選択した画素行の駆動用トランジスタのゲート端子電圧を測定する。測定は十分時間をかけて行われる。測定したゲート端子電圧から前記駆動用トランジスタのV−I特性を推定する。映像信号は、推定されたV−Iカーブからプログラム電圧に変換さえ、前記プログラム電圧が画像表示時にソース信号線に印加される。
The present invention is also characterized in that the
スイッチSx(x=1〜n)は、各ソース信号線18に形成され、スイッチSxは主としてアナログスイッチで形成される。スイッチSxは、電圧の検出だけであり、電流はほとんど流さないから小さな高インピーダンスのもので十分である。
The switch Sx (x = 1 to n) is formed on each
スイッチSxは、図127、図124に図示するように、A端子から各ソース信号線18に電位を入力あるいは出力できるように構成してもよい。また、スイッチSxで入出力するのは電圧だけでなく、電流、電荷であってもよいことは言うまでもない。また、スイッチSxはソースドライバ回路(IC)14内に形成すること限定されるものではなく、ソースドライバ回路(IC)14外に形成してもよい。たとえば、プローブ針を各ソース信号線18に接続し、各プローブ針をリレー回路などにより選択することにより、各ソース信号線18に電圧を印加したり、電圧を出力したり、また、電流を印加したり、電流を取り出したりする構成が例示される。
The switch Sx may be configured such that a potential can be input or output from the A terminal to each
スイッチSxは各ソース信号線18に形成するとしたが、これに限定するものではなく、たとえば、奇数番目のソース信号線18のみに形成してもよい。また、4の倍数に位置するソース信号線18に形成してもよい。また、表示パネルの構成によっては、ゲート信号線17にスイッチあるいはそれに類するものを形成もしくは接続してもよい。
Although the switch Sx is formed on each
スイッチSxは図125で説明するように、各カソード線(アノード線)を選択するように形成してもよいことは言うまでもない。つまり、本発明の構成は、各画素16あるいは選択した画素16に印加する電圧あるいは出力される電圧もしくは電流(EL素子15に流れる電流、EL素子15に流れ込む電流など)もしくはこれらに類する電流あるいは電圧を、検出あるいは出力もしくは選択して処理できるように構成するものであればいずれの構成であってもよい。
It goes without saying that the switch Sx may be formed so as to select each cathode line (anode line), as will be described with reference to FIG. In other words, the configuration of the present invention is such that the voltage applied to each
なお、図123の構成図は、ソースドライバ回路(IC)14内にAD変換(アナログーデジタル変換回路)、メモリ(フラッシュメモリなど)351などを形成または配置するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、図127に図示するように、ソースドライバ回路(IC)14に端子Aを設け、ここからソース信号線18に印加あるいは出力されている電圧を出力し、この電圧を外部に配置または構成したAD変換回路1711に印加するように構成してもよい。また、図127に図示するようにメモリ351も外付け部品を用いてもよい。また、図124に図示するように、定電流出力回路334(もしくは電流階調回路)もソースドライバ回路(IC)14外に形成または配置し、この定電流出力回路334からの出力電流を各ソース信号線18に印加できるように構成してもよいことは言うまでもない。
In the configuration diagram of FIG. 123, AD conversion (analog-digital conversion circuit), memory (flash memory, etc.) 351 and the like are formed or arranged in the source driver circuit (IC) 14, but the present invention is not limited to this. Absent. For example, as shown in FIG. 127, a terminal A is provided in the source driver circuit (IC) 14, a voltage applied or output from the
図123のブロック図は本発明のソースドライバ回路(IC)14を説明するブロック図である。端子93はアレイ基板のソース信号線18の端子と接続する。定電流出力回路334は電流階調回路である。電圧出力回路371は電圧階調回路であり、プログラム電圧を出力する。シフトレジスタ352は外部クロックによりスイッチ回路S(S1〜Sn、nは画素行数)を順次選択し、端子93に印加されている電圧をアナログ−デジタル変換回路(A/D回路)1711と接続する。
The block diagram of FIG. 123 is a block diagram for explaining the source driver circuit (IC) 14 of the present invention. The terminal 93 is connected to the terminal of the
A/D回路1711は各ソース信号線18に印加された電圧(端子93に印加された電圧)をデジタル化して、ソースドライバ回路(IC)14のメモリ351に保持する。各メモリのビット数は8ビットであり、メモリ351は、画素数分が作製または形成されている。A/D回路1711により、端子93に印加されている電圧(ソース信号線18の電位=駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧)をデジタル化するとしたが、これに限定するものではない。アナログ信号をサンプルホールドし、アナログ信号から電圧階調データを生成できる場合は、A/D回路1711は不要である。なお、説明に不要な箇所は省略している。また、本発明の他の実施例と組みあせることができることもいうまでもない。
The A /
図123をさらに主要部を取り出すと、図126の構成となる。スイッチSvをクローズすることによりプログラム電圧が出力される。スイッチSiをクローズすることにより定電流が出力される。定電流回路334は単位トランジスタで構成される。また、1μA、0.5μAなど規定の電流を選択して出力される構成が例示される。
If the main part of FIG. 123 is further extracted, the configuration of FIG. 126 is obtained. A program voltage is output by closing the switch Sv. A constant current is output by closing the switch Si. The constant
本発明のEL表示パネル(表示装置)は、本発明のソースドライバ回路(IC)14を用いる。図123において、定電流出力回路334は所定の定電流I1をソース信号線18に供給する。ゲートドライバ回路12は順次画素行を選択する。図128(a)に図示するように、画素16は駆動用トランジスタ11aを介してソース信号線18に定電流I1を供給する。駆動用トランジスタ11aのゲート端子は、定電流I1を流せるように電位が変化する(図128(b)を参照のこと)。駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位はスイッチ用トランジスタ11cを介してソース信号線18と接続されている。したがって、ソース信号線18の電位をA/D回路で測定すれば、定電流I1を流す場合の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧を測定あるいは把握することができる。
The EL display panel (display device) of the present invention uses the source driver circuit (IC) 14 of the present invention. In FIG. 123, the constant
以上のことから、定電流I1を流すプログラム電圧V1を測定できることになる。前記プログラム電圧V1は駆動用トランジスタ11aの特性カーブ(ゲート電圧−出力電流(V−I)カーブ)の一点である。このV1から、特性カーブを推定できることになる。なお、プログラム電圧V1は特性カーブの任意の一点でよい。階調0番目の電圧V0であってもよい。ただし、階調0番目の定電流は0である。V0は電流0のときの駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧である。
From the above, it is possible to measure the program voltage V1 through which the constant current I1 flows. The program voltage V1 is one point of a characteristic curve (gate voltage-output current (VI) curve) of the driving
表示領域64の画素16はレーザーアニ−ル特性ムラなどにより特性がばらついている。しかし、定電流I1を流し、V1電圧を測定し、V1電圧の大きさから各画素の特性を把握することができる。したがって、V1電圧の大きさから各画素16の特性カーブを求めることができる。特性カーブは、V1データからマトリックステーブルあるいはルックアップテーブル変換によりリアルタイムに求める。また、単項あるいは多項の演算式により求めることもできる。
The characteristics of the
ルックアップテーブル1551による変換を図155に図示している。8ビットの映像データDATAはルックアップテーブル1551に入力される。測定された8ビットのV0x(V1x)データもルックアップテーブル1551に入力される。V0x(V1x)データがアドレスとなり、ルックアップテーブル1551の1つの階調特性データを指定する。また、映像データDATAにより前記指定された階調特性データより、映像データDATAに対応する階調VDATAが選択される。VDATAは9ビットで出力される。VDATAは図142に図示するように、電子ボリウム291に入力され、電子ボリウム291は、VbbとVdd間の電圧を複数にきざんで出力する。電子ボリウム291の出力は電圧階調回路371に入力される。
The conversion by the lookup table 1551 is shown in FIG. The 8-bit video data DATA is input to the lookup table 1551. The measured 8-bit V0x (V1x) data is also input to the lookup table 1551. V0x (V1x) data becomes an address, and designates one gradation characteristic data of the lookup table 1551. Further, the gradation VDATA corresponding to the video data DATA is selected from the gradation characteristic data designated by the video data DATA. VDATA is output in 9 bits. As shown in FIG. 142, VDATA is input to the
以上により電圧階調プログラムデータが求まる。つまり、映像階調データは推定あるいは求められたV−Iカーブで電圧階調プログラムデータに変換される。変換は画素16ごとに行われる。電圧階調データの精度を高めるためには、定電流出力回路334から複数の定電流を発生させ、各定電流を各表示領域64の画素16に流し、ソース信号線18の電位を測定すればよい。
Thus, the voltage gradation program data is obtained. That is, the video gradation data is converted into voltage gradation program data by the estimated or obtained VI curve. Conversion is performed for each
電圧V1を測定するときは、出力端子93a〜93nから定電流I1を流し、ゲートドライバ回路12aを選択し、選択された画素16行の駆動用トランジスタ11aからI1電流を供給する。前記状態で、シフトレジスタ回路352は、スイッチS1からSnを順次選択し、A/D回路1711でソース信号線18の電位を測定する。A/D回路1711でデジタル変換された8ビットの電圧データは図129(a)に図示するように、マトリックス状の配置されたSRAMに格納される。なお、8ビットに限定されるものではない。少なくとも4ビット以上あればいずれのビット数であってもよい。
When measuring the voltage V1, the constant current I1 is supplied from the
図129において、a、b、c、d、・・・・は画素列を示している。1、2、3、4、・・・・・は画素行を示している。スイッチS1〜snを順次選択し、1画素行の画素16の駆動用トランジスタ11aの特性の測定を完了すると、ゲートドライバ回路12aを制御して選択位置を1画素行シフトさせ、次の画素行の画素16の特性を測定する。
In FIG. 129, a, b, c, d,... Indicate pixel columns. 1, 2, 3, 4,... Indicate pixel rows. When the switches S1 to sn are sequentially selected and the measurement of the characteristics of the driving
図130は、図123をさらに詳細に記載したブロック図である。図32、図34、図36、図43などにA/D回路1711、メモリ351を付加した構成となっている。VDATAにより、電圧プログラムデータが発生させられる。プリチャージ電圧Vpcを印加するときは、OR回路2861のPCHG端子にHレベル信号が印加され、スイッチ221aがクローズする。また、プリチャージ電圧VpcのデータPDATAにより電子ボリウム291はプリチャージ電圧Vpcを発生させ、スイッチ221cはa端子を選択し、端子93からプリチャージ電圧Vpcが出力される。ソース信号線18の電位を測定(V1電圧を測定)するときは、シフトレジスタ回路352によりOR回路を介して、順次スイッチ221aをクローズし、またスイッチ221cはb端子側に切り替えられ、A/D回路1711と接続される。測定されたV1データはメモリ351に格納され、格納されたデータは電圧出力回路371で各映像データに対応する階調データVDATAに変換され、画像表示期間に端子93から出力される。
FIG. 130 is a block diagram illustrating FIG. 123 in more detail. 32, 34, 36, 43, etc., an A /
電圧データはすべての画素16に対して格納する必要はない。たとえば、図129(b)に図示するように、間引いて格納してもよい。図129(b)において、画素列は、a、c、e、g、i・・・・と格納し、画素行は8画素行置きの8、16、24、32、40・・・・と格納している。近傍の各画素16の特性は近似しているから、間引いて取得した画素16の特性からSRAMに格納しなかった画素16の特性を求めることができるからである。
The voltage data need not be stored for every
以上の実施例では、ソースドライバ回路(IC)14から1μA、0.5μAなどの定電流I1をソース信号線18または駆動用トランジスタ11aに供給し、ソース信号線18の電位V1を測定する。あるいは電位を推定する。もしくは、該当の画素16の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧を測定する。また、定電流を流さない時のソース信号線18の電位V0を測定するとした(図131(a)を参照のこと)。この測定したV1とV0から駆動用トランジスタ11aの特性カーブを求め、各階調に対応する電圧プログラムデータを作成する。特性カーブは略2乗カーブである。したがって、V0を基点とし、一定の刻みを加算して各階調に対する電圧値を求める。また、V0を基点とし、V0とV1から特性カーブを想定し、各階調に対する電圧値を求める。
In the above embodiment, a constant current I1 such as 1 μA or 0.5 μA is supplied from the source driver circuit (IC) 14 to the
ソースドライバ回路(IC)14には、各画素16のV0データ、もしくは各画素16のV0とV1データをメモリする。他の階調に対する電圧値は、メモリしたV0データ、V0とV1データから映像信号データに対応して、その都度、発生し、発生したプログラム電圧をソース信号線18に印加する。印加したプログラム電圧はゲートドライバ回路12aと同期して、各画素16の駆動用トランジスタ11aのゲート端子に印加され、1フィールド(フレーム)の期間、保持される。
The source driver circuit (IC) 14 stores V0 data of each
また、V0のみを測定し、特性カーブを想定して電圧階調を求めてもよい。また、図131(b)に図示するように、定電流I2をソース信号線18に印加し、画素16の駆動用トランジスタ11aからI2電流を供給し、I2電流に対するソース信号線18の電位V2を求め、V0、V2、V1から階調電圧を求めてもよい。つまり、本発明の駆動方式は、少なくとも1つの定電流(電流0を含む)からソース信号線18の電位を測定し、測定した電位から、階調に対応する電圧(プログラム電圧)を求めるものである。
Alternatively, only the voltage V0 may be measured and the voltage gradation may be obtained assuming a characteristic curve. Further, as shown in FIG. 131B, a constant current I2 is applied to the
また、V0電圧などから特性カーブを求める場合は、V0電圧から特性カーブ(V−Iカーブ)の傾きが固定であるとしてもよい。図132(a)はその実施例である。ある画素16の0階調目の電圧値がV0aとし、他の画素16の0階調目の電圧値がV0bとする。V0aを用いて点線の特性カーブを発生する。V0bを用いて実線の特性カーブを発生する。点線の特性カーブと実線の特性カーブの傾きは同一であるとして、特性カーブを発生させる。つまり、基点のV0aとV0bがシフトしたとして特性カーブを発生させる。
When the characteristic curve is obtained from the V0 voltage or the like, the slope of the characteristic curve (VI curve) from the V0 voltage may be fixed. FIG. 132 (a) shows an example thereof. The voltage value of the 0th gradation of a
図132(b)は特性カーブの傾きを変化させている。立ち上がり電圧が高い場合(図132(b)のV0bはV0aよりも立ち上がり電圧が高い)は、特性カーブの傾きを小さくする(図132(b)の実線は点線よりも傾きが小さい)。立ち上がり電圧が高い場合は、駆動用トランジスタ11aのモビリティが悪い場合が多いからである。立ち上がり電圧が低い場合は、特性カーブの傾きを大きくする。立ち上がり電圧が低い場合は、駆動用トランジスタ11aのモビリティが良好な場合が多いからである。
FIG. 132B changes the slope of the characteristic curve. When the rising voltage is high (V0b in FIG. 132 (b) has a higher rising voltage than V0a), the slope of the characteristic curve is made smaller (the solid line in FIG. 132 (b) has a smaller slope than the dotted line). This is because when the rising voltage is high, the mobility of the driving
図133の実線と点線に一例として図示するように、駆動用トランジスタ11aのV−I(ゲート電圧−ドレイン電流)特性は、レーザーアニ−ル条件などにより特性がばらつく。しかし、一例としてI1=1μAを流し、そのときの駆動用トランジスタ11aのゲート電圧V(実線の駆動用トランジスタ11aはV1、点線で示す駆動用トランジスタ用11aはV2)を測定できれば、ゲート電圧Vに対する出力電流Iが推定できる。また、V1あるいはV2に対する出力電流Iが精度よく1μAであることがわかっているから、各階調に対する出力電流(=EL素子15に流れる電流)をほほ精度よく決定できる。以上の実施例は、I=1μAを測定してV−Iカーブを推測し、各階調電流を算出するものである。Iを0μA(階調0が該当)、2μA、0.5μAと複数点にわたって測定し、各電流値に対する駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧を測定できれば、さらに良好なV−Iカーブを決定でき、特性ムラのない良好な画像表示を実現できる。
As illustrated in the solid and dotted lines in FIG. 133 as an example, the VI (gate voltage-drain current) characteristics of the driving
図123〜図131などで説明した本発明の駆動方法および表示パネルおよび表示装置とそれを用いた平面表示装置では、V0、V1電圧もしくはI1電流を測定あるいは対応するデータを求め、測定あるいは求めたデータより駆動用トランジスタ11aなどのV−Iカーブを想定あるいは発生さえるとした。もちろん、あらかじめ、データからV−Iカーブを求め、あるいは推定し、各階調に対するプログラム電流あるいはプログラム電圧をメモリなどに蓄積しておき、このメモリ(記憶手段)から各階調に対するプログラム電圧またはプログラム電流に対応するデータを読み出し画素16に印加する。
In the driving method, display panel and display device of the present invention described with reference to FIGS. 123 to 131 and the flat display device using the same, V0, V1 voltage or I1 current is measured or corresponding data is obtained and measured or obtained. It is assumed that the VI curve of the driving
しかし、本発明は、求めたプログラム電流あるいはプログラム電圧のみで駆動するものに限定されるものではない。好ましくは、図38で説明した電圧+電流駆動を実施することが好ましい。図133、図123〜図131で説明した本発明の駆動方式V−Iカーブを求め、あるいは対応する階調電圧データを求める。この求めたあるいは得られた階調電圧データが図38のAの期間(電圧書き込み期間)に印加する電圧データ、図48の過電流データとする。B期間は、図36などで説明したように、電流階調回路334から階調電流データ(プログラム電流)を各ソース信号線18に印加する(図123とその説明も参照のこと)。
However, the present invention is not limited to driving with only the obtained program current or program voltage. Preferably, the voltage + current driving described with reference to FIG. 38 is preferably performed. The driving method VI curve of the present invention described with reference to FIGS. 133 and 123 to 131 is obtained, or the corresponding gradation voltage data is obtained. The obtained or obtained gradation voltage data is the voltage data applied during the period A (voltage writing period) in FIG. 38 and the overcurrent data in FIG. In the period B, as described with reference to FIG. 36 and the like, gradation current data (program current) is applied from the
本発明の表示パネルは、表示期間以外の期間に、電流階調回路334などから所定定電流を各画素16に印加し、定電流に対する駆動用トランジスタ11aなどのEL素子15に電流を供給するトランジスタあるいはそれと同様の動作をするトランジスタのゲート電圧Vを取得する。この取得する電圧Vは1つ以上の電圧データである。この電圧データを用いて電圧階調回路371が発生する映像信号に対応する階調電圧データを求める。あるいは取得した電圧Vを用いる。なお所定定電流は、ソースドライバ回路(IC)14の外部で発生し、各ソース信号線18に供給してもよいことは言うまでもない。
The display panel of the present invention is a transistor that applies a predetermined constant current to each
この階調電圧データを図38のA期間に印加する。なお、必ずしもA期間が必要でないことは以前に説明した。階調が大きい時は、電流階調回路334のデータで十分駆動できるからである。A期間に印加して電圧により、まず目標値に近い輝度まで駆動用トランジスタなどはプログラムされる。さらに、B期間に印加する電流階調回路371から階調電流(プログラム電流)により駆動用トランジスタ11aは目標値に近くプログラムされる。図123などと図38、図36、図48などの組み合わせによる駆動方法は、低階調領域は測定したV0、V1から求めた駆動用トランジスタのV−Iカーブにもとづいた電圧プログラムを主として実施し、高階調領域は、電流プログラムを実施することにより、低階調から高階調の全範囲にわたり良好な画像表示を実現できる。
This gradation voltage data is applied during period A in FIG. As described above, the period A is not necessarily required. This is because the data of the
なお、以上の実施例においても、本明細書で記載された画素16構成、ソースドライバ回路(IC)14構成、ゲートドライバ回路12構成、他の駆動方式などを組みあわせて適用できることは言うまでもない。また、本発明の駆動方式を採用して、図53〜図64等に記載する表示装置などを構成できることは言うまでもない。
Needless to say, the
以上のことから、図123〜図131などで説明した本発明の駆動方法は、図34、図36、図48などで説明した駆動方式と組み合わせることにより、すぐれた効果を発揮できる。 From the above, the driving method of the present invention described with reference to FIGS. 123 to 131 and the like can exhibit excellent effects when combined with the driving method described with reference to FIGS. 34, 36, and 48.
以上の事項は、V0、V1あるいはそれ以上の電圧値を測定した場合も同様である。なお、測定したV0、V1電圧から特性カーブを発生させるとしたが、ソース信号線18から測定した電圧データをそのまま使用するものでない。たとえば、図1などの画素構成において、ゲート信号線17aにオフ電圧が印加される際に発生する駆動用トランジスタ11aのゲート端子への突き抜け電圧の大きさ、影響を考慮して階調電圧を発生させる。つまり、測定された電圧から前述の影響を考慮してV−Iカーブを作成する。
The same applies to the case where voltage values of V0, V1, or higher are measured. Although the characteristic curve is generated from the measured V0 and V1 voltages, the voltage data measured from the
ソース信号線18電圧の測定と、測定された電位から階調電圧を求めるのは、電源オン時に実施する。つまり、画像表示前に行う。図134(a)は電源の立ち上げ波形である。Aの期間はVddまで到達する期間である。この期間は、EL表示装置の回路全体が不安定状態である。したがって、ソース信号線の電圧測定を行うことはできない。Bの期間は電源が立ち上がり安定している。画像表示状態ではない。このBの期間を1フィールド(フレーム)期間以上とり、このBの期間に定電流に対するソース信号線18の電位を測定するとともに、階調電圧値を発生させる。その後、C期間に入り、EL表示パネルに画像表示を行う(図134(b)を参照のこと)。
The measurement of the
ソース信号線18電圧の測定と、測定された電位から階調電圧を求めるのは、垂直ブランキング期間あるいは水平ブランキング期間に実施してもよい。図135(a)は水平ブランキング時間に実施した実施例である。映像信号は図135のBの期間にソース信号線18に印加される。Aの期間はブランキング時間であり、ソース信号線18には映像信号は印加されない。このAの期間にソースドライバ回路(IC)14から定電流を出力し、該当の画素行から電流I1を供給するとともに、ソース信号線18の電位を測定し、測定した電位から階調電圧を求める。水平ブランキング時間では、すべての表示領域64の階調電圧を求めることはできない。図135(b)に図示するように、bの期間に区分された領域(1、2、3、4、5・・・・・)ごとに実施する。
The measurement of the
0階調目に対応するV0電圧を図134のように電源オン時に測定し、中間あるいは最大階調に対応するV1電圧を図135のようにブランキング時間に測定してもよい。 The V0 voltage corresponding to the 0th gradation may be measured when the power is turned on as shown in FIG. 134, and the V1 voltage corresponding to the intermediate or maximum gradation may be measured during the blanking time as shown in FIG.
V0電圧などの低階調部に対応する電圧は、微小定電流(プログラム電流)をソース信号線18に印加して測定する。したがって、ソース信号線18の寄生容量の影響を受け、時定数が長い。したがって、ゲートドライバ回路12aのクロックを遅くし、十分な時間をかけて低階調部に該当する電圧を測定する。したがって、低階調部の電圧を測定するときは、電源オン時などに測定することが好ましい。
The voltage corresponding to the low gradation portion such as the V0 voltage is measured by applying a minute constant current (program current) to the
なお、以上の実施例では、表示領域64のすべての画素に対応する定電流を流し、それぞれの画素のソース信号線18の電位(各画素16の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧)を測定するとしたが、これに限定するものではない。すべての画素を測定せずとも、任意の画素の周辺の画素の特性は類似しているからである。
In the above embodiment, when a constant current corresponding to all the pixels in the
たとえば、図136(a)に1画素置きの画素(斜線部に対応する画素)16を測定し、測定していない画素16は隣接した画素から作成する。図136(b)で図示するように、画素16cの駆動電圧を求めるには、隣接した画素16aと画素16bに定電流を流し、対応するソース信号線18の電位を測定する。今、測定されたデータが画素16aは8、画素16bは12であるとする。画素16cは(8+12)/2=10として求まる。以上のように定電流に対する画素16はすべてを測定する必要はない。
For example, in FIG. 136 (a), every other pixel (pixel corresponding to the shaded portion) 16 is measured, and the
また、画素16は1画素ずつ測定する必要はない。たとえば、図137(a)に図示するように、2画素行(複数画素行)を同時に選択して、定電流を流してもよい。図137に図示するように、2画素行を同時に選択する場合は、定電流I1は2倍(つまり、I1×2)をソースドライバ回路(IC)14からソース信号線18に供給する。図137(a)は2番目と3番目の画素行が選択されている状態を示している。次のクロックでは、画素(3)と画素(4)を選択する駆動でもよいし、画素(4)と画素(5)を選択する駆動のいずれでもよい。
Further, the
ソースドライバ回路(IC)14から2・I1の電流を画素16(2)と画素16(3)に供給する。画素16(2)が出力する電流と、画素16(3)が出力する電流とを加算した電流は2・I1であるが、画素16(2)が出力する電流と、画素16(3)が出力する電流とは異なっていてもよい。ソース信号線18の電位は、画素16(2)の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位と画素16(3)の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位が釣り合った電位となる。しかし、隣接した画素の特性は近似するため、AD回路1711で測定される電位から求められた電圧階調データは実用上問題ない。
A current of 2 · I1 is supplied from the source driver circuit (IC) 14 to the pixels 16 (2) and 16 (3). The current obtained by adding the current output from the pixel 16 (2) and the current output from the pixel 16 (3) is 2 · I1, but the current output from the pixel 16 (2) and the current from the pixel 16 (3) are It may be different from the output current. The potential of the
複数画素行を選択する場合は、図137(b)に図示するように隣接する必要はない。図137(b)は隣接しない画素行を複数選択している。また、連続した10画素行程度(つまり、ブロック的)にゲート信号線17aを選択し、ソース信号線18の電位を測定してもよい。
When selecting a plurality of pixel rows, it is not necessary to be adjacent as shown in FIG. In FIG. 137 (b), a plurality of non-adjacent pixel rows are selected. Alternatively, the
なお、以上の実施例では、駆動用トランジスタ11aに電流を流し、前記電流を流したときの駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧を測定するとした。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、画素列ごとに配線あるいは形成されたVss端子(カソード端子)に電流計2201を接続する。つぎに、0階調目に対応するV0電圧を印加し、V0電圧を印加したときに、電流計2201に流れる電流を0あるいは微小な値となるように、印加するV0を調整すれば、階調0に対するプログラム電圧V0が精度よく求めることができる。その他、前記電流計2201で測定される電流が1μAとなるように、駆動用トランジスタ11aに印加する電圧を調整すれば1μAを流す電圧を測定することができる。複数点の電圧と電流の関係を測定すれば、さらに精度のよいV−Iカーブを推定あるいは求めることができる。
In the above embodiment, a current is supplied to the driving
また、図2に図示するような電圧駆動方式の画素構成であっても、本発明を実施できる。この説明を図125に図示している。なお、図125では画素16はマトリックス状に形成または配置されるが、説明を容易にするため2画素分の画素16のみ図示している。なお、各画素16に流れるカソード電流(アノード電流)を選択するスイッチSxを各カソード(アノード)電流を取り出す位置に形成または構成もしくは配置してもよいことは言うまでもない。この構成は、たとえば、図123を応用することにより容易に構成できるので説明を省略する。
Further, the present invention can be implemented even with a voltage-driven pixel configuration as shown in FIG. This description is illustrated in FIG. In FIG. 125, the
電圧駆動の場合は、駆動用トランジスタ11aに電圧V1を印加する必要がある。また、前記電圧V1により流れる電流IはVss端子で測定する。たとえば、画素列ごとに配線あるいは形成されたVss端子(カソード端子)に電流計2201を接続する。または、図125に図示するように、カソード電流が流れる経路にピックアップ抵抗Rを接続し、電圧計(電圧測定手段)2201で抵抗Rなお、カソード端子に限定されるものではなく、アノード端子でもよい。また、電流はカソード端子とアノード端子で測定してもよい。また、電流I1を直接測定することに限定されるものではなく、ピックアップコイルなどで測定してもよい。また、電気力線を測定してもよい。特に精度が必要でないときは、複数あるいはすべてのカソード端子もしくはアノード端子を短絡し、短絡した箇所に電流計2201を接続してもよい。
In the case of voltage driving, it is necessary to apply the voltage V1 to the driving
以上のように、駆動用トランジスタ11aに電圧階調回路371により各ソース信号線18に既知の電圧V1を印加し、その電圧に対する出力電流I1を測定する。もちろん、1つまたは複数のソース信号線18を選択して既知の電圧を印加してもよい。したがって、図128(b)の逆の関係になる。つまり、V1印加によりI1を測定し、このV1とI1との関係から、図128(b)の実線で示す駆動用トランジスタ11aのV−I特性を求める。V1の他、0階調目に対応するV0電圧を印加し、V0電圧を印加したときに、電流計2201に流れる電流を0あるいは微小な値となるように、印加するV0を調整すれば、階調0に対するプログラム電圧V0が精度よく求めることができる。そのときは、電圧階調回路371の出力電圧を変化させて0になるように調整する。その他、たとえば1μAが流れるように、駆動用トランジスタ11aに印加する電圧Vxを調整する。複数点の電圧Vと電流の関係を測定すれば、さらに精度のよいV−Iカーブを推定あるいは求めることができる。
As described above, the
図125の実施例では、スイッチSをシフトレジスタ352により、クロックに同期させて順次クローズさせている。スイッチSx(x=1〜n)により各ソース信号線18に接続された画素16が選択される。また、選択する画素行の画素16はゲートドライバ12aにより選択され、選択画素行位置は順次シフトされる。
In the embodiment of FIG. 125, the switch S is sequentially closed by the
各スイッチSが選択されることにより、選択された画素16のカソード電流I1(あるいはアノード電流)は抵抗Rに流れ込む。カソード電流などにより抵抗Rの両端に発生する電圧はA/D変換回路1711により、デジタル化され、メモリ351に蓄えられる。蓄えられたデータによりプログラム電圧に対応する階調電圧が算出あるいは求められる。もちろん、カソード電流I1などは電流計により測定してもよいことは言うまでもない。なお、階調0の場合は、抵抗Rの両端に発生する電圧は0であることは言うまでもない。また、カソード電流の方向は吐き出し方向の場合もある。
By selecting each switch S, the cathode current I1 (or anode current) of the selected
以上のように、本発明は、駆動用トランジスタ11aに電圧あるいは電流を印加あるいは供給し、この印加した電圧あるいは電流に対して駆動用トランジスタなど(図16のカレントミラーの画素構成ではトランジスタ11b)から出力される電流あるいは測定することにより、駆動用トランジスタのV−Iカーブを求め、この求めたV−Iカーブから各階調に対応するプログラム電圧あるいはプログラム電流を求めるものである。つまり、既知の電圧あるいは電流を各ソース信号線18に印加し、出力される電流あるいは電圧を測定し、もしくは、出力される電流あるいは電圧が所定の値となるように、ソース信号線18に印加する電圧または電流を調整することにより、EL素子15に電流を供給する駆動用トランジスタのV−Iカーブを求め、あるいは類推し、各階調に対するプログラム電圧あるいはプログラム電流を決定するものである。
As described above, the present invention applies or supplies a voltage or current to the driving
図138は電圧プログラムの画素構成における本発明の第2の実施例での適用例である。画素16の駆動用トランジスタ11aはPチャンネルトランジスタで形成されている。また、電流I1はアノード端子Vdd側に供給される。
FIG. 138 shows an application example of the pixel configuration of the voltage program in the second embodiment of the present invention. The driving
電圧駆動の場合は、駆動用トランジスタ11aに電圧V1を印加する必要がある。また、前記電圧V1により流れる電流I1はVdd端子側で測定する。たとえば、図138に図示するように、アノード電流が流れる経路にピックアップ抵抗Rを接続し、電圧計(A/D変換回路1711)などRの両端の電圧を測定する。
In the case of voltage driving, it is necessary to apply the voltage V1 to the driving
以上のように、駆動用トランジスタ11aに電圧階調回路371により各ソース信号線18に既知の電圧V1を印加し、その電圧に対する出力(入力)電流I1を測定する。もちろん、1つまたは複数のソース信号線18を選択して既知の電圧を印加してもよい。したがって、図128(b)の逆の関係になる。つまり、V1印加によりI1を測定し、このV1とI1との関係から、図128(b)の実線で示す駆動用トランジスタ11aのV−I特性を求める。V1の他、0階調目に対応するV0電圧を印加してもよい。V0電圧の場合はV0電圧を印加したときに、電流計2201に流れる電流を0あるいは微小な値となるように、印加するV0を調整すれば、階調0に対するプログラム電圧V0が精度よく求めることができる。そのときは、電圧階調回路371の出力電圧を変化させて0になるように調整する。その他、たとえば1μAが流れるように、駆動用トランジスタ11aに印加する電圧Vxを調整する。複数点の電圧Vと電流の関係を測定すれば、さらに精度のよいV−Iカーブを推定あるいは求めることができる。
As described above, the
図138の実施例でも図125と同様に、スイッチSをシフトレジスタ352により、クロックに同期させて順次クローズさせている。スイッチSx(x=1〜n)により各ソース信号線18に接続された画素16が選択される。また、選択する画素行の画素16はゲートドライバ12aにより選択され、選択画素行位置は順次シフトされる。
In the embodiment of FIG. 138, as in FIG. 125, the switches S are sequentially closed by the
各スイッチSが選択されることにより、選択された画素16にアノード電流が流れ込む。アノード電流により抵抗Rの両端に電圧が発生する。発生する電圧はA/D変換回路1711により、デジタル化され、メモリ351に蓄えられる。蓄えられたデータによりプログラム電圧に対応する階調電圧が算出あるいは求められる。もちろん、カソード電流I1などは電流計により測定してもよいことは言うまでもない。なお、階調0の場合は、抵抗Rの両端に発生する電圧は0であることは言うまでもない。また、カソード電流の方向は吐き出し方向の場合もある。
By selecting each switch S, an anode current flows into the selected
図125、図138では、ソース信号線18に電圧Vxを印加し、そのときに流れる電流I1を測定して、V−I特性を求めるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図154に図示するように、ピックアップ抵抗Rの電圧が所定電圧(V1、V0、つまり電流I1を測定)となるように、ソース信号線18に印加する電圧Vxを調整してもよい。つまり、I1電流になるときのソース信号線18に印加した電圧Vxを調整する。このVx−I1の関係からV−I特性を決定する。
In FIGS. 125 and 138, the voltage Vx is applied to the
ソース信号線18に電圧Vxを印加することにより、駆動用トランジスタ11aからのカソード電流I1が流れる。カソード電流I1はピックアップ抵抗Rで電圧に変換されて測定される。測定される電圧V=I1×Rとなるように、ソース信号線18に印加する電圧Vxを調整する。
By applying the voltage Vx to the
図154の実施例でも図125と同様に、スイッチSをシフトレジスタ352により、クロックに同期させて順次クローズさせている。スイッチSx(x=1〜n)により各ソース信号線18に接続された画素16が選択される。また、選択する画素行の画素16はゲートドライバ12aにより選択され、選択画素行位置は順次シフトされる。
In the embodiment of FIG. 154 as well as in FIG. 125, the switch S is sequentially closed by the
各スイッチSが選択されることにより、選択された画素16にアノード電流が流れ込む。アノード電流により抵抗Rの両端に電圧が発生する。ソース信号線18に印加した電圧はA/D変換回路1711により、デジタル化され、メモリ351に蓄えられる。蓄えられたデータによりプログラム電圧に対応する階調電圧が算出あるいは求められる。他の構成は図125、図138と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
By selecting each switch S, an anode current flows into the selected
本発明は測定した電圧あるいは電流はフラッシュメモリなどに記憶させ、この記憶したデータに基づいて、映像信号にたいするプログラム電圧またはプログラム電流を求め画素16に印加するものである。したがって、画素構成は、図1、図2、図16、図17、図18、図19、図21などの電流プログラム、電圧プログラムのいずれであっても本発明の実施例を適用することができる。
In the present invention, the measured voltage or current is stored in a flash memory or the like, and a program voltage or a program current for the video signal is obtained and applied to the
測定あるいは取得した電圧データVは、フラッシュメモリなどに格納し、フラッシュメモリからデータをコントローラIC722のメモリに転送して映像データに対応するプログラム電圧またはプログラム電流を発生させる。しかし、フラッシュメモリの読み出し速度は低速である。本発明では、図139に図示するように、フラッシュメモリ3191を複数個、表示装置に実装する。実装したフラッシュメモリ3191からコントローラ722の制御により、対応するソースドライバ回路(IC)14に電圧データを転送している。各ソースドライバ回路(IC)14は転送された電圧データによりV−Iカーブを発生させ、映像データに対応するプログラム電圧またはプログラム電流をソース信号線18出力し、対応する画素16に駆動用トランジスタ11aに印加する。
The measured or acquired voltage data V is stored in a flash memory or the like, and the data is transferred from the flash memory to the memory of the
以上に説明した本発明の技術的思想は、本発明の他の実施例と組み合わせることができることはいうまでもない。また、以上の本発明の技術的思想を用いて、ソースドライバ回路(IC)14などの半導体、表示パネル、表示装置を構成できることは言うまでもない。 Needless to say, the technical idea of the present invention described above can be combined with other embodiments of the present invention. Further, it goes without saying that a semiconductor such as the source driver circuit (IC) 14, a display panel, and a display device can be configured using the above technical idea of the present invention.
以上のように実施することにより、V−Iカーブを精度よく求めることができる。求められた電圧はプログラム電圧となり、また、プログラム電流となる。各プログラム電流、プログラム電圧は映像信号に対応する。 By implementing as mentioned above, a VI curve can be calculated | required accurately. The obtained voltage becomes a program voltage and a program current. Each program current and program voltage correspond to a video signal.
図140に図示するように、電圧データは、求められたV−Iカーブより映像信号データに対応するように変換されて9ビットのデータとなる。8ビット以上の9ビットとしているのは、立ち上がり電圧Vt以下の電圧を発生させるためである。つまり、プログラム電流の範囲よりのプログラム電圧範囲が広く必要である。 As shown in FIG. 140, the voltage data is converted to 9-bit data by corresponding to the video signal data from the obtained VI curve. The reason why the number of bits is not less than 8 bits and 9 bits is to generate a voltage not higher than the rising voltage Vt. That is, a wider program voltage range than the program current range is required.
映像信号に対応するVDATAは、電圧階調回路371に入力され、図38のA期間(電圧)にソース信号線18にプログラム電圧として印加される。このプログラム電圧は、V−Iカーブで補正されているから、各画素16の駆動用トランジスタ11aの特性バラツキを反映している。つまり、電圧オフセットキャンセルされた値となっている。A期間のこのプログラム電圧により、ソース信号線18は、目標の電流が精度よくEL素子15に流れるように充放電される。次に、IDATAは、電流階調回路334でプログラム電流に変換され、ソース信号線18に供給される。供給期間は、図38のB期間である。図38などでも説明したように、プログラム電流は非常に精度が高いものである。したがって、精度のよいA期間のプログラム電圧とB期間のプログラム電圧により、画素16のコンデンサ19には、目標の電流がEL素子15に流れるようにプログラムされる。つまり、電圧+電流プログラムを実施できる。
VDATA corresponding to the video signal is input to the
なお、図140では、A期間の電圧印加と、B期間の電流印加の両方を1H期間(1水平走査期間)に実施するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、低階調領域では1Hのすべての期間をA期間としてもよい。また、高階調領域では1Hのすべての期間をB期間としてもよい。低階調領域では、プログラム電流は微小でありほとんどソース信号線18の充放電には影響を与えないからである。また、低階調領域では、プログラム電圧が支配的となるからである。
In FIG. 140, both the voltage application in the A period and the current application in the B period are performed in the 1H period (one horizontal scanning period), but the present invention is not limited to this. For example, in the low gradation region, all periods of 1H may be set as the A period. In the high gradation region, all periods of 1H may be set as the B period. This is because, in the low gradation region, the program current is very small and hardly affects the charging / discharging of the
以上の実施例では、電圧+電流プログラム駆動を実施することにより、あたかも、低階調領域では電圧オフセットキャンセルを実施しているように駆動され、高階調領域では、電流プログラム駆動を実施していることなる。したがって、電圧駆動の効果と電流駆動の効果が補間して実施することできる。 In the above embodiment, by performing voltage + current program driving, it is driven as if voltage offset cancellation is performed in the low gradation region, and current program driving is performed in the high gradation region. It will be different. Therefore, the effect of voltage driving and the effect of current driving can be interpolated.
図140における電流データIDATAと、電圧データVDATAの関係は、図141のように示される。図140において、Vtとは駆動用トランジスタの立ち上がり電圧であり、Vt電圧以下では、EL素子15には電流が供給されない。Vt電圧は駆動用トランジスタの特性バラツキにより各駆動用トランジスタで異なっている。したがって、VDATAはすべての駆動用トランジスタをオフ状態(電流が流れない)にする電圧Vbbを原点とする必要がある。つまり、VDATAはVbb電圧を0とし、9ビット(512)きざみとしている。一方、プログラム電流であるIDATAは、EL素子15に電流が流れないときは、0であるから、0を限定とし、8ビット(256きざみ)としている。
The relationship between the current data IDATA and the voltage data VDATA in FIG. 140 is as shown in FIG. In FIG. 140, Vt is the rising voltage of the driving transistor, and no current is supplied to the
図140の構成を図36に適用し、さらに詳しく図示すれば図142となる。VDATAは電子ボリウム291に入力され、電子ボリウム291は、VbbとVdd間の電圧を複数にきざんで出力する。電子ボリウム291の出力は電圧階調回路371に入力される。なお、電圧階調回路371は電子ボリウム291を含むと考えてもよい。他の構成は、図36と同様であるので説明を省略する。
If the configuration of FIG. 140 is applied to FIG. 36 and shown in more detail, FIG. 142 is obtained. VDATA is input to the
図140、図142に図示するように、1つの画素16には、プログラム電流データ(IDATA)とプログラム電圧データ(VDATA)が必要である。したがって、図149(a)に図示するように倍速でIDATA、VDATAを伝送している。しかし、倍速伝送は回路系の負担が大きい。この課題を解決するために、まず、アレイ30の作製方法などについて説明をする。
As shown in FIGS. 140 and 142, one
画素16のトランジスタ11を構成する半導体膜は、低温ポリシリコン技術において、レーザーアニ−ルにより形成するのが一般的である。このレーザーアニ−ルの条件のバラツキがトランジスタ11特性のバラツキとなる。しかし、1画素16内のトランジスタ11の特性が一致していれば、図1の画素構成で電流プログラムを行う方式では、所定の電流がEL素子15に流れるように駆動することができる。この点は、電圧プログラムにない利点である。レーザーとしてはエキシマレーザーを用いることが好ましい。
The semiconductor film constituting the
なお、本発明において、アレイ30の半導体膜の形成は、レーザーアニール方法に限定するものではなく、熱アニ-ル方法、固相(CGS)成長による方法でもよい。その他、低温ポリシリコン技術に限定するものではなく、高温ポリシリコン技術を用いても良いことはいうまでもない。
本発明では図148に示すように、アニ−ルの時のレーザー照射スポット(レーザー照射範囲)72をソース信号線18に平行に照射する。また、1画素列に一致するようにレーザー照射スポット72を移動させる。もちろん、1画素列に限定するものではなく、たとえば、RGBを1画素16という単位でレーザーを照射してもよい(この場合は、3画素列ということになる)。また、複数の画素に同時に照射してもよい。また、レーザーの照射範囲の移動がオーバーラップしてもよいことは言うまでもない(通常、移動するレーザー光の照射範囲はオーバーラップするのが普通である)。
画素はRGBの3画素で正方形の形状となるように作製されている。したがって、R、G、Bの各画素は縦長の画素形状となる。したがって、レーザー照射スポット72を縦長にしてアニ−ルすることにより、1画素内ではトランジスタ11の特性バラツキが発生しないようにすることができる。また、1つのソース信号線18に接続されたトランジスタ11の特性(モビリティ、Vt、S値など)を均一にすることができる(つまり、隣接したソース信号線18のトランジスタ11とは特性が異なる場合があるが、1つのソース信号線に接続されたトランジスタ11の特性はほぼ等しくすることができる)。
In the present invention, the formation of the semiconductor film of the
In the present invention, as shown in FIG. 148, a laser irradiation spot (laser irradiation range) 72 at the time of annealing is irradiated in parallel to the
The pixels are made of three pixels of RGB and have a square shape. Accordingly, each of the R, G, and B pixels has a vertically long pixel shape. Therefore, by making the
一般的にレーザー照射スポット72の長さは10インチというように固定値である。このレーザー照射スポット72を移動させるのであるから、1つのレーザー照射スポット72を移動できる範囲内におさまるようにパネルを配置する必要がある(つまり、パネルの表示領域64の中央部でレーザー照射スポット72が重ならないよういする)。
In general, the length of the
図148の構成では、レーザー照射スポット72の長さの範囲内に3つのパネルが縦に配置されるように形成されている。レーザー照射スポット72を照射するアニ−ル装置はガラス基板74の位置決めマーカー73a、73bを認識(パターン認識による自動位置決め)してレーザー照射スポット72を移動させる。位置決めマーカー73の認識はパターン認識装置で行う。アニ−ル装置(図示せず)は位置決めマーカー73を認識し、画素列の位置をわりだす(レーザー照射範囲72がソース信号線18と平行になるようにする)。画素列位置に重なるようにレーザー照射スポット72を照射してアニ−ルを順次行う。
In the configuration of FIG. 148, three panels are formed vertically within the range of the length of the
図148で説明したレーザーアニ−ル方法(ソース信号線18に平行にライン状のレーザースポットを照射する方式)は、有機EL表示パネルの電流プログラム方式の時に特に採用することが好ましい。なぜならば、ソース信号線に平行方向にトランジスタ11の特性が一致しているためである(縦方向に隣接した画素トランジスタの特性が近似している)。そのため、電流駆動時にソース信号線の電圧レベルの変化が少なく、電流書き込み不足が発生しにくい。駆動用トランジスタ11aの特性が一致するとは、たとえば図141においてVt電圧が一致あるいは類似していることである。したがって、ソース信号線18に沿った画素の駆動用トランジスタ11aのVtに対するプログラム電圧は略一致してことになる。ソース信号線18に平行にレーザーを照射し、そのレーザー照射範囲72をソース信号線18に垂直に移動させているからである。
The laser annealing method (method of irradiating a line-shaped laser spot parallel to the source signal line 18) described with reference to FIG. 148 is particularly preferably used in the current programming method of the organic EL display panel. This is because the characteristics of the
1つのソース信号線18に接続された駆動用トランジスタ11aの特性が一致していることは電流駆動において以下の利点がある。たとえば、白ラスター表示であれば、隣接した各画素のトランジスタ11aに流す電流はほぼ同一のため、ソースドライバIC14から出力する電流振幅の変化が少ない。もし、図1のトランジスタ11aの特性が同一であり、各画素に電流プログラムする電流値が画素列で等しいのであれば、電流プログラム時のソース信号線18の電位は一定である。したがって、ソース信号線18の電位変動は発生しない。また、電圧+電流駆動を実施する場合においても、印加する電圧(プログラム電圧)は変化させる必要がないということになる。また、1つのソース信号線18に接続されたトランジスタ11aの特性がほぼ同一であれば、ソース信号線18の電位変動は小さいことになる。このことは、ソース信号線18に沿った画素のV0電圧は略同一の値としてもよいことを意味する。また、V−I特性も略一致しているため、V1電圧なども同一でよい。つまり、ソース信号線18に沿った画素のV−I特性は略一致していると考えてよい。
The matching of the characteristics of the driving
なお、ゲート信号線18に平行にレーザーを照射し、そのレーザー照射範囲72をゲート信号線18に垂直に移動させル場合は、ゲート信号線18に沿った画素のV0電圧は略同一の値としてもよいことを意味する。また、V−I特性も略一致しているため、V1電圧なども同一でよい。つまり、ゲート信号線18に沿った画素のV−I特性は略一致していると考えて以下の実施例を適用することは言うまでもない。
When laser is irradiated in parallel to the
図148のようにアレイを作製することにより、ソース信号線18に沿って駆動用トランジスタ11aのV0特性などのプログラム電圧が略一致している。したがって、複数画素のV0電圧などが同一であってもよい。
By producing the array as shown in FIG. 148, the program voltages such as the V0 characteristics of the driving
図150はソース信号線18に沿った2画素のV0電圧を同一にした実施例である。V0電圧は駆動用トランジスタ11aで異なる。図150などの以下で示す実施例では、異なるV0電圧をV0xとし、xの添え字をつけて示している(V01、V02など)。なお、V0などのVDATAは複数画素で共通にするが、IDATAが各画素で映像信号に対応して異ならせている。もちろん、画像の解像度が必要でない場合は、IDATAも複数画素で共通にしてもよいことは言うまでもない。
FIG. 150 shows an embodiment in which the V0 voltages of two pixels along the
図150(a)は第1F(フィールド(フレーム))の状態である。図150(a)の点線で示すように奇数画素行と偶数画素行でV0電圧を共通にしている。このように構成することにより、2つのIDATAに対して1つのVDATAを伝送することだけでよい。したがって、図149のIDATA、VDATAの伝送速度は、1.5倍速で済むことになる。 FIG. 150A shows the state of the first F (field (frame)). As indicated by the dotted line in FIG. 150A, the odd-numbered pixel row and the even-numbered pixel row share the V0 voltage. With this configuration, it is only necessary to transmit one VDATA to two IDATA. Therefore, the transmission rate of IDATA and VDATA in FIG. 149 can be 1.5 times faster.
しかし、図150のように、2画素に共通のVDATAにすると、解像度が低下する可能がある。この課題に対しては、図150(b)に図示するように、第1F(フィールド(フレーム))の次の第2F(フィールド(フレーム))では、偶数画素行と奇数画素行で共通にしている(点線で示している)。第3F(フィールド(フレーム))では、図150(a)のようにVDATAを共通にする(V−Iカーブを共通にする)。 However, as shown in FIG. 150, when VDATA common to two pixels is used, the resolution may be lowered. To solve this problem, as shown in FIG. 150B, in the second F (field (frame)) next to the first F (field (frame)), the even pixel rows and the odd pixel rows are made common. Yes (indicated by a dotted line). In the third F (field (frame)), VDATA is made common (V-I curve is made common) as shown in FIG.
図151では、ソース信号線18に沿った画素16のV0データ(V−Iカーブ)を共通にした実施例である。図148の実施例のようにアレイを形成する場合に有効である。V0電圧は、1つの画素列のV0、V1、V−Iカーブなどを平均化してものを用いる。
FIG. 151 shows an example in which V0 data (VI curve) of the
平均化の方法としては各画素列のソース信号線18に定電流(0電流を含む)を印加し、第1番目の画素行から最後の画素行まで順次選択し、選択するごとにソース信号線18のV0あるいはV1電圧を測定する。測定後、得られたV1またはV0電圧を平均化して、プログラム電圧V0、V1を求める。
As an averaging method, a constant current (including zero current) is applied to the
図152は、RGBの画素でV0電圧などを共通にした実施例である。近接したV0電圧は略一致しているからである。図152のようにRGBで共通にする場合は、IDATA、VDATAの伝送は、図149(b)のようになる。RGBで共通のVDATAを伝送し、次に各RGB画素のIDATAを伝送する。以上のように構成すれば、伝送速度はほとんど高くならない。 FIG. 152 shows an embodiment in which V0 voltage and the like are shared by RGB pixels. This is because the adjacent V0 voltages substantially match. When common to RGB as shown in FIG. 152, transmission of IDATA and VDATA is as shown in FIG. 149 (b). RGB common VDATA is transmitted, and then IDATA of each RGB pixel is transmitted. If configured as described above, the transmission speed hardly increases.
当然のことながら、図153に図示するようにマトリックス状(ブロック状)にV0電圧などを共通にしてもよいことは言うまでもない。 Of course, as shown in FIG. 153, it is needless to say that the V0 voltage or the like may be shared in a matrix (block).
なお、図150などの実施例では、複数画素においてV0電圧を共通にするとしたが、これに限定するものではなく、複数画素のV1電圧などを一致させてもよい。また、本発明は複数画素でV−I特性を共通にするという技術的思想である。したがって、V0、V1電圧を複数画素で共通にすることに限定されるものではない。V−Iカーブを共通にするとしてよい。また、2画素に限定されるものではないことも言うまでもない。 In the embodiment shown in FIG. 150 and the like, the V0 voltage is made common to a plurality of pixels. However, the present invention is not limited to this, and the V1 voltages of the plurality of pixels may be matched. Further, the present invention is a technical idea that a plurality of pixels share a VI characteristic. Therefore, the present invention is not limited to making the V0 and V1 voltages common to a plurality of pixels. The VI curve may be shared. Needless to say, the number of pixels is not limited to two.
以上の実施例は、定電流をソース信号線18に印加し、V0電圧を測定するとした。この動作を実施することによりV−Iカーブを求める。同時に、本発明では、画素16の欠陥などを検出することができる。以下その実施例について説明をする。
In the above embodiment, a constant current is applied to the
図143に図示するように、ソースドライバ回路14から定電流I1を流す。定電流I1は画素16の駆動用トランジスタ11aから流れ込んでくる。駆動用トランジスタ11aはI1の電流を流すようにゲート端子電位を変化させる。AD変化回路1711はゲート端子電位を測定する。図143に図示するように、駆動用トランジスタ11aにSDショート(チャンネルショート)が発生すると、Vdd端子電位がソース信号線18に印加させる。したがって、AD変換回路1711が測定する電位は、Vdd電位となる。つまり、AD変換回路1711でSDショートを検出できる。
As illustrated in FIG. 143, a constant current I1 is supplied from the
図123などの回路構成によれば、ソース信号線18に定電流I1が流れるから、ゲート信号線17a(G1、G2、G3、・・・・・・・・・、Gn 1は画面最初の画素行番号、nは画面最後の画素行番号)を順次シフトしていくと(図146(b)を参照のこと)、図146(a)の電圧(電流)波形を測定することができる。AD変換回路1711は図146(c)の取り込み信号に同期してソース信号線18の電位を取り込む。この電圧波形をパーソナルコンピュータ(PC)などのデータ収集手段および制御手段に取り込む。
According to the circuit configuration of FIG. 123 and the like, since the constant current I1 flows through the
図146がソース信号線18の電位(出力される電流または電圧)を測定する回路(検査回路)のタイミングチャートである。図146(a)は1Hに同期したソース信号線18の電位(電圧または電流)変化を示している。図146(b)はゲート信号線17bの電位を図示している。つまり、1画素行ずつオン電圧位置がシフトされていることを示している。この選択画素行に同期して、選択された画素行のトランジスタ11aが動作し、ソース信号線18の電位が変化する。
FIG. 146 is a timing chart of a circuit (inspection circuit) that measures the potential (output current or voltage) of the
図146(c)はAD変換回路1711へのデータ取り込み信号である。なお、取り込み信号は、説明を容易にするため、また作図を容易にするため1画素列分について記載している。実際には、図123のスイッチSx(x=1〜n nは最大画素列番号)があるから、このxの個数分の取り込み信号が必要である。このデータ取り込み信号の立ち上がりでデータ入力手段にデータが取り込まれる。
FIG. 146 (c) shows a data capture signal to the
PCでは取り込まれたデータの値を評価/判断する。また、データの値を蓄積する。この結果により、アレイあるいはパネルの欠陥状態、欠陥位置、欠陥モード、不良状態などを検出あるいは検査する。 The PC evaluates / determines the value of the captured data. In addition, data values are accumulated. Based on this result, the defect state, defect position, defect mode, defect state, etc. of the array or panel are detected or inspected.
図143の画素構成で、ゲート信号線17aにオン電圧を印加し、ゲート信号線17bにオフ電圧を印加した状態では、Vdd端子→トランジスタ11aのSDショート→トランジスタ11c→ソース信号線18への電流経路が生じる。
In the pixel configuration of FIG. 143, in a state where an on voltage is applied to the
トランジスタ11aにソース端子S−ドレイン端子D間ショート(SDショートまたはチャンネルショートと呼ぶ)が発生していると、ソース信号線18にはVdd電圧が出力される。したがって、トランジスタ11aのSDショート(画素欠陥)を電気的に検出できる(図147(a)を参照のこと)。
When a short-circuit between the source terminal S and the drain terminal D (referred to as an SD short or a channel short) occurs in the
ゲート信号線17aが断線していれば、プログラム電流I1の経路は発生しないので、ソース信号線18の電位がグランド電位に近くなる(図147(b)のゲート断線を参照のこと)。したがって、ゲート信号線17aの断線などの線欠陥も検出できる(検査できる)。もちろん、ソース信号線が断線していれば、出力が全くでないのでソース信号線18の断線を検出できる。
If the
また、すべてのゲート信号線17aにオフ電圧を印加した状態で、規定以外の電圧がソース信号線18に出力されていれば、いずれかの画素16のトランジスタ11cあるいはトランジスタ11bに欠陥が発生しているということを検出もできる。また、Vdd端子にVdd電圧(アノード電圧)を印加するか、Vdd端子をオープンにするかを変化させることにより、ソース信号線18に出力される信号が変化する。この変化により画素16内で発生している欠陥を詳細に検討、検査することができる。また、カソード電極に対しても、信号印加状態でより、ソース信号線18に出力される信号が変化するから、画素16の欠陥を検出できる。
In addition, if a voltage other than the specified voltage is output to the
逆に、ソース信号線18に信号を印加し、カソード電極に出力される信号を検出することにより画素16の欠陥などを検出できることは言うまでもない。この場合も、画素行を選択するオン電圧位置を順次走査することにより実施すればよい。
On the contrary, it goes without saying that a defect or the like of the
ゲートドライバ回路12により選択する画素行位置を順次シフトし、シフト動作と同期してソース信号線18の電位を順次測定している。以上の動作を画面64の上から下まで実施する(1画素列の検査が完了する)ことにより表示パネル(アレイ基板30)の検査を行うことができる。
The pixel row position selected by the
以上のように構成あるいは動作させることにより、V−Iカーブの発生のためのV1、V0電圧の測定と同時にアレイ30の画素欠陥などの検査も同時に実施することができる。
By configuring or operating as described above, it is possible to simultaneously inspect the pixel defects and the like of the
なお、本発明の実施例において、各画素でV0電圧などを測定するとしたが、これに限定するものでない。たとえば、図148などのように、アレイ30が形成される場合は、ソース信号線18に沿った画素列(レーザー照射範囲に沿った画素領域)で共通のV0、V1、V−Iカーブとしてもよいことは言うまでもない。たとえば、画素列でV0電圧を共通にする場合は、V0電圧は画素列ごとに1つだけ測定するだけでよいことは言うまでもない。また、図150〜図153のようにV−Iカーブ、プログラム電圧V0、V1などを設定してもよい。
In the embodiment of the present invention, the V0 voltage and the like are measured at each pixel, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 148, when the
以下、本発明のEL表示パネルまたはEL表示装置もしくはその駆動方法などを用いた装置などについて説明をする。以下の装置は、以前に説明した本発明の装置または方法を実施する。図53は情報端末装置の一例としての携帯電話の平面図である。筐体1333にアンテナ1331、テンキー1332などが取り付けられている。1332などが表示色切換キーあるいは電源オンオフ、フレームレート切り換えキーである。
Hereinafter, an EL display panel or an EL display device of the present invention or a device using the driving method thereof will be described. The following apparatus implements the previously described apparatus or method of the present invention. FIG. 53 is a plan view of a mobile phone as an example of an information terminal device. An
キー1332を1度押さえると表示色は8色モードに、つづいて同一キー1332を押さえると表示色は4096色モード、さらにキー1332を押さえると表示色は26万色モードとなるようにシーケンスを組んでもよい。キーは押さえるごとに表示色モードが変化するトグルスイッチとする。 If the key 1332 is pressed once, the display color is set to the 8-color mode, then the same key 1332 is pressed, the display color is set to 4096 color mode, and if the key 1332 is pressed, the display color is set to the 260,000 color mode. But you can. The key is a toggle switch that changes the display color mode each time it is pressed.
図54は本発明の実施の形態におけるビューファインダの断面図である。但し、説明を容易にするため模式的に描いている。また一部拡大あるいは縮小した箇所が存在し、また、省略した箇所もある。たとえば、図54において、接眼カバーを省略している。以上のことは他の図面においても該当する。 FIG. 54 is a cross-sectional view of the viewfinder in the embodiment of the present invention. However, it is schematically drawn for easy explanation. In addition, there are parts that are partially enlarged or reduced, and some parts are omitted. For example, in FIG. 54, the eyepiece cover is omitted. The above also applies to other drawings.
ボデー1333の裏面は暗色あるいは黒色にされている。これは、EL表示パネル(表示装置)1334から出射した迷光がボデー1333の内面で乱反射し表示コントラストの低下を防止するためである。また、表示パネルの光出射側には位相板(λ/4板など)38、偏光板39などが配置されている。このことは図3、図4でも説明している。
The back surface of the
接眼リング1341には拡大レンズ1342が取り付けられている。観察者は接眼リング1341をボデー1333内での挿入位置を可変して、表示パネル1334の表示画面64にピントがあうように調整する。
A magnifying
また、必要に応じて表示パネル1334の光出射側に正レンズ1343を配置すれば、拡大レンズ1342に入射する主光線を収束させることができる。そのため、拡大レンズのレンズ径を小さくすることができ、ビューファインダを小型化することができる。
Further, if a
図55はビデオカメラの斜視図である。ビデオカメラは撮影(撮像)レンズ部1352とビデオかメラ本体1333と具備し、撮影レンズ部1352とビューファインダ部1333とは背中合わせとなっている。また、ビューファインダ(図54も参照)1333には接眼カバーが取り付けられている。観察者(ユーザー)はこの接眼カバー部から表示パネル1334の表示画面64を観察する。
FIG. 55 is a perspective view of the video camera. The video camera includes a photographing (imaging)
本発明のEL表示パネルは表示モニターとしても使用されている。表示部64は支点1351で角度を自由に調整できる。表示部64を使用しない時は、格納部1353に格納される。
The EL display panel of the present invention is also used as a display monitor. The
本実施の形態のEL表示装置などはビデオカメラだけでなく、図56に示すような電子カメラ、スチルカメラなどにも適用することができる。表示装置はカメラ本体1361に付属されたモニター64として用いる。カメラ本体1361にはシャッタ1363の他、スイッチ1354が取り付けられている。
The EL display device and the like in this embodiment can be applied not only to a video camera but also to an electronic camera, a still camera, or the like as shown in FIG. The display device is used as a
本発明のEL表示パネルは、3D(立体)表示装置にも採用できる。図58は本発明の3D表示装置の説明図である。図58に図示するように、2枚のEL表示パネル(EL表示アレイ)30a、30bは対面して配置されている。また、表示パネル30aの画素電極15aと、表示パネル30bの画素電極15bとは対面する位置に配置されている。2枚のEL表示パネルの間隔は隔離柱1411で保持されている。隔離柱1411は表示領域64の周囲に配置され、リング状の形状をしている。ガラスなどの無機材料で構成されている。隔離柱1411(高さ)は圧膜技術、塗布技術、印刷技術などで形成または構成してもよい。また、アレイ基板30をエッチング技術あるいは研磨技術を用いて表示領域64などを掘り下げることにより形成してもよい。
The EL display panel of the present invention can also be employed in a 3D (stereoscopic) display device. FIG. 58 is an explanatory diagram of the 3D display device of the present invention. As shown in FIG. 58, the two EL display panels (EL display arrays) 30a and 30b are arranged facing each other. Further, the
隔離柱1411は1mm以上8mm以下の厚みである。特に、隔離柱1411は3mm以上7mm以下の厚みにすることが好ましい(図60のdが該当する)。隔離柱1411は封止樹脂6332でパネル30a、30bに貼り付けられている。空間6333には必要に応じて乾燥剤が配置あるいは形成または構成される。
The
なお、図58では、表示パネル30aと30bは2枚の基板で一体化されているように図示したがこれに限定するものではない。表示パネル30aと30bはそれぞれアレイ基板と対向基板(封止基板)を有するように構成してもよい。つまり、独立した表示パネル30aと30bを隔離柱1411などの隔離手段(一定間隔を保持する手段)を用いて配置してもよい。
In FIG. 58, the
表示パネル30aの画素電極15aと、表示パネル30bの画素電極15bとは、異なる画像あるいは同一の画像を表示する。画像はA方向から観察する。したがって、EL表示パネル30aは透過型である必要がある。画素電極15aを介して表示パネル30bの画素電極15bに表示される画像を観察する必要があるからである。表示パネル30bのEL素子15の両電極は透過性を有する必要がある。液晶表示装置では画像表示にバックライトが必要である。したがって、透過型に構成することはできない。EL表示パネルは自己発光パネルであるので、表示画像を両面から見えるように構成することができる。つまり、A側から表示パネル30aの画像を観察することができる。かつ、表示パネルはA側から表示パネル30bの画像を観察できるように構成する必要がある。表示パネル30bは透過型であっても、反射型であってもよい。
The
表示パネル30bは液晶表示パネルで構成してもよい。その場合は、図58に図示するようにバックライト1414を配置し、表示パネル30bの画像がA側から観察できるように構成する。表示パネル30aと30bの画面サイズは一致されることが好ましいが、これに限定するものではない。一方の表示パネル30の画面サイズを大小させてもよい。
The
表示パネル30aと30bに映像信号を供給する映像処理回路は共通にすれば低コスト化が望める。また、表示パネル30aと30bの表示画像の明るさうち、一方の明るさを他方の明るさに対して変化ありは変更できるように構成することが好ましい。
If the video processing circuits for supplying video signals to the
表示パネル30aの表示画像64aは、表示パネル30bの表示画層64bよりも明るく(輝度を高く)表示させる。表示画像64aと表示画像64bとの輝度差を発生させることにより、A側から見た画像が立体的に見える。輝度差は、10%以上80%以下にするとよい。特に、20%以上60%以下にするとよい。
The
図59は、2つの表示パネル30の画像表示状態の説明図である。コントローラIC(回路)は表示パネル30aのソースドライバ回路(IC)14aなどと、表示パネル30bのソースドライバ回路(IC)14bなどを制御して画像を制御し、表示画像64aと64bとで3D表示を実現する。
FIG. 59 is an explanatory diagram of image display states of the two
図60は、透過型の自発光型表示パネル30aと、非発光型の液晶表示パネル1653とを組み合わせた実施例である。液晶表示パネル1653の背面にはバックライト1651が配置されている。バックライト1651と液晶表示パネル1653間には偏光板(偏光フィルム)39aが配置されており、液晶表示パネル1653の光出射面側にも偏光板(偏光フィルム)39bが配置されている。液晶表示パネル1653はノーマリホワイトモードであり、偏光板39aと偏光板39bの偏光軸は直交している。液晶表示パネル1653、バックライト1651、EL表示パネル30aは保持具(筐体)1652に一体となるように取り付けられている。したがって、液晶表示パネル1653の画像表示位置と、EL表示パネル30aの画像表示位置間距離dは精度よく一定に保たれている。
FIG. 60 shows an embodiment in which a transmissive self-
なお、ここでいう直交とは、液晶表示パネルの液晶層に電圧が印加されていない時、偏光板39aに入射した光が、液晶表示パネル1653を透過し、偏光板39bに入射した際に、偏光板39bで吸収されて、偏光板39bから透過しない状態(最も光を透過しない状態)に構成または配置することを意味する。
The term “orthogonal” as used herein means that when no voltage is applied to the liquid crystal layer of the liquid crystal display panel, light incident on the
一方、EL表示パネル30aと液晶表示パネル1651間には、円偏光板1654aが配置されている。円偏光板1654はλ/4板(λ/4フィルム)38と偏光板(偏光フィルム)39から構成される。EL表示パネル30aの光出射面にも、円偏光板1654bが配置されている。円偏光板1654aの偏光板39cの偏光軸と、円偏光板1654bの偏光板39dの偏光軸とは、直交するように配置されている。
On the other hand, a circularly
なお、ここでいう直交とは、偏光板39cに入射した直線偏光が、λ/4板(λ/4フィルム)38cで円偏光に変換され、EL表示パネル30aを透過し、円偏光板38dで先の直線偏光と90度位相が異なる直線偏光に変換され、偏光板39dを透過する状態(最も光を透過する状態)に構成または配置することを意味する。
The term “orthogonal” as used herein means that linearly polarized light incident on the
以上の関係を図61に図示している。図61の偏光板39上に示す矢印は、偏光軸を示している。バックライト1651からの光は、偏光板39aに入射し、直線偏光に変換される。直線偏光は、液晶表示パネル1653に入射し、液晶表示パネル1653は直線偏光を印加される映像信号に応じて変調する。変調された直線偏光は、変調の割合に応じて偏光板39bで吸収または透過する。偏光板39bを透過する直線偏光は、偏光板39aを透過する直線偏光を90度位相が回転している。
The above relationship is illustrated in FIG. The arrow shown on the
偏光板39bを透過した直線偏光は、そのまま、偏光板39cを透過する(一部減衰する)。偏光板39cに入射した直線偏光が、λ/4板(λ/4フィルム)38cで円偏光に変換され、EL表示パネル30a透過し、円偏光板38dで先の直線偏光と90度位相が異なる直線偏光に変換され、偏光板39dを透過する。したがって、液晶表示パネル1653の表示画像は、EL表示パネル30aを透過して、観察することができる。もちろん、EL表示パネル30aは自己発光であるから、円偏光板1654bを介して、EL表示パネルの表示画像も観察することができる。以上の構成により、図46で説明したように、A側から見た画像が立体的に見える。
The linearly polarized light that has passed through the polarizing plate 39b passes through the
図62は、外光の抑制を説明する説明図である。外光BはEL表示パネル30a側から入射する。外光Bは 偏光板39dに入射し、直線偏光となる。この直線偏光は、λ/4板(λ/4フィルム)38dで円偏光に変換され、EL表示パネル30aに入射する。外光は、主としてカソード電極30で反射される。反射された光Cは、再び、λ/4板(λ/4フィルム)38dに入射する。入射した反射光Cは、λ/4板(λ/4フィルム)38dで直線偏光に変換される。この直線偏光は、外光Bが偏光板39dを透過した直線偏光と90度位相が異なっている。したがって、光Cは偏光板39dで吸収される。そのため、本発明は、外光Bの影響を受けず、良好なコントラスト表示を実現できる。
FIG. 62 is an explanatory diagram for explaining suppression of external light. External light B enters from the
図60などにおいて、表示パネル30aはEL表示パネルとして説明したが、表示パネル30aは、自己発光表示パネルであり、光透過性を有するものであればいずれの表示パネルであればよいことは言うまでもない。また、1653は、液晶表示パネルに限定するものではなく、画像を表示する表示パネル(有機および無機EL表示パネル、SED、FEDなど)であればいずれでもよい。
In FIG. 60 and the like, the
なお、図60、図61、図62などにおいて、液晶表示パネル1653とEL表示パネル(自己発光パネル)30aとの位置関係は入れ替えてもよい。たとえば、図60において、液晶表示パネル1653および偏光板39などをEL表示パネル(自己発光パネル)30aおよび円偏光板1654を入れ替えてもよい。また、自己発光パネル30aは本発明の駆動方式、構造、構成などを採用することにより、より良好な3D(立体)表示を実現できる。
60, 61, 62, etc., the positional relationship between the liquid
以上は表示パネルの表示領域が比較的小型の場合であるが、30インチ以上と大型となると表示画面64がたわみやすい。その対策のため、本発明では図57に示すように表示パネルに外枠1371をつけ、外枠1371をつりさげられるように固定部材1374で取り付けている。この固定部材1374を用いて、壁などに取り付ける。
The above is the case where the display area of the display panel is relatively small, but the
しかし、表示パネルの画面サイズが大きくなると重量も重たくなる。そのため、表示パネルの下側に脚取り付け部1373を配置し、複数の脚1372で表示パネルの重量を保持できるようにしている。
However, as the screen size of the display panel increases, the weight increases. Therefore, a
脚1372はAに示すように左右に移動でき、また、脚1372はBに示すように収縮できるように構成されている。そのため、狭い場所であっても表示装置を容易に設置することができる。 The leg 1372 can move left and right as shown in A, and the leg 1372 can be contracted as shown in B. Therefore, the display device can be easily installed even in a narrow place.
図57のテレビでは、画面の表面を保護フィルム(保護板でもよい)で被覆している。これは、表示パネルの表面に物体があたって破損することを防止することが1つの目的である。保護フィルムの表面にはAIRコートが形成されており、また、表面をエンボス加工することにより表示パネルに外の状況(外光)が写り込むことを抑制している。 In the television shown in FIG. 57, the surface of the screen is covered with a protective film (or a protective plate). This is for the purpose of preventing an object from hitting the surface of the display panel and damaging it. An AIR coat is formed on the surface of the protective film, and the surface is embossed to prevent external conditions (external light) from appearing on the display panel.
保護フィルムと表示パネル間にビーズなどを散布することにより、一定の空間が配置されるように構成されている。また、保護フィルムの裏面に微細な凸部を形成し、この凸部で表示パネルと保護フィルム間に空間を保持させる。このように空間を保持することにより保護フィルムからの衝撃が表示パネルに伝達することを抑制する。 A certain space is arranged by dispersing beads or the like between the protective film and the display panel. Moreover, a fine convex part is formed in the back surface of a protective film, and space is hold | maintained between a display panel and a protective film with this convex part. By holding the space in this way, the impact from the protective film is suppressed from being transmitted to the display panel.
また、保護フィルムと表示パネル間にアルコール、エチレングリコールなど液体あるいはゲル状のアクリル樹脂あるいはエポキシなどの固体樹脂などの光結合剤を配置または注入することも効果がある。界面反射を防止できるとともに、前記光結合剤が緩衝材として機能するからである。 It is also effective to place or inject an optical binder such as a liquid such as alcohol or ethylene glycol or a solid resin such as an epoxy resin between the protective film and the display panel. This is because interface reflection can be prevented and the optical binder functions as a buffer material.
保護フィルムをしては、ポリカーボネートフィルム(板)、ポリプロピレンフィルム(板)、アクリルフィルム(板)、ポリエステルフィルム(板)、PVAフィルム(板)などが例示される。その他エンジニアリング樹脂フィルム(ABSなど)を用いることができることは言うまでもない。また、強化ガラスなど無機材料からなるものでもよい。保護フィルムを配置するかわりに、表示パネルの表面をエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂で0.5mm以上2.0mm以下の厚みでコーティングすることも同様の効果がある。また、これらの樹脂表面にエンボス加工などをすることも有効である。 Examples of the protective film include a polycarbonate film (plate), a polypropylene film (plate), an acrylic film (plate), a polyester film (plate), and a PVA film (plate). Needless to say, other engineering resin films (ABS and the like) can be used. Moreover, what consists of inorganic materials, such as tempered glass, may be used. The same effect can be obtained by coating the surface of the display panel with an epoxy resin, a phenol resin, or an acrylic resin with a thickness of 0.5 mm or more and 2.0 mm or less instead of arranging the protective film. It is also effective to emboss the surface of these resins.
また、保護フィルムあるいはコーティング材料の表面をフッ素コートすることも効果がある。表面についた汚れを洗剤などで容易にふき落とすことができるからである。また、保護フィルムを厚く形成し、フロントライトと兼用してもよい。 It is also effective to coat the surface of the protective film or coating material with fluorine. This is because the dirt on the surface can be easily wiped off with a detergent or the like. Further, the protective film may be formed thick and may also be used as a front light.
以上の実施例は、本発明の表示パネルなどを表示装置として用いるものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。図64は、情報発生装置として用いるものである。図11などで説明したように、ゲートドライバ回路12に入力する信号(特にST信号)により、非点灯領域62と点灯領域63を発生することができる。点灯領域63は該当画素16のEL素子15が発光している領域である。つまり、ゲート信号線17bにオン電圧が印加され、図1の画素構成では、トランジスタ11dがオン状態となっている領域である。非点灯領域62は該当画素16のEL素子15に電流が流れていない領域である。つまり、ゲート信号線17bにオフ電圧が印加され、図1の画素構成では、トランジスタ11dがオフ状態となっている領域である。
In the above embodiments, the display panel of the present invention is used as a display device. However, the present invention is not limited to this. FIG. 64 is used as an information generating apparatus. As described with reference to FIG. 11 and the like, the
ソースドライバ回路(IC)14から表示領域64に白ラスター表示の信号が印加されているとする。ゲートドライバ12bを制御することにより、表示領域64にストライプ状(画素行単位で点灯、非点灯制御されるため)に点灯領域63と非点灯領域62を発生させることができる。図64に図示するように、ゲートドライバ回路12bの制御によりバーコード表示を実現できる。
It is assumed that a white raster display signal is applied from the source driver circuit (IC) 14 to the
ゲートドライバ回路12aのST1端子には、1フレームに1回のスタートパルスが印加される。ゲートドライバ回路12bのST2端子には、バーコード表示に対応させてスタートパルスが印加される。通常の印刷物のバーコードと異なる点は、表示領域64の各バーコード表示位置が水平走査信号に同期して移動する点である。
A start pulse is applied once per frame to the ST1 terminal of the
したがって、図63に図示するように、EL表示パネルの表示領域64に、1画素行の点灯状態を検出できるホトセンサ1391を配置または形成すれば、ホトセンサ1391を固定した状態で、1/(1秒間のフレーム数・画素行数)のレートでバーコードの表示状態を検出できる。ホトセンサ1391で検出したデータはデコーダ(バーコード解読器)1392により電気信号に変換され解読されて情報になる。EL表示パネルは応答性が速いため、高速の情報を表示することができる。
Therefore, as shown in FIG. 63, if the
本発明の実施例で説明した表示装置あるいは駆動方法あるいは制御方法あるいは方式などの技術的思想は、ビデオカメラ、プロジェクター、立体(3D)テレビ、プロジェクションテレビ、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、SED(キャノンと東芝が開発したディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイパネル)などに適用できる。 The technical ideas such as the display device, the driving method, the control method, or the method described in the embodiments of the present invention include a video camera, a projector, a stereoscopic (3D) television, a projection television, a field emission display (FED), and an SED (cannon and It can be applied to displays developed by Toshiba) and PDPs (plasma display panels).
また、ビューファインダ、携帯電話のメインモニターおよびサブモニターあるいは時計表示部、PHS、携帯情報端末およびそのモニター、デジタルカメラ、衛星テレビ、衛星モバイルテレビおよびそのモニターにも適用できる。 The present invention can also be applied to a viewfinder, a main monitor and a sub monitor of a mobile phone, a clock display unit, a PHS, a portable information terminal and its monitor, a digital camera, a satellite TV, a satellite mobile TV and a monitor thereof.
また、電子写真システム、ヘッドマウントディスプレイ、直視モニターディスプレイ、ノートパーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子スチルカメラにも適用できる。 The present invention can also be applied to an electrophotographic system, a head mounted display, a direct view monitor display, a notebook personal computer, a video camera, a digital still camera, and an electronic still camera.
また、現金自動引き出し機のモニター、公衆電話、テレビ電話、パーソナルコンピュータ、腕時計およびその表示装置などにも適用できる。また、バーコードなどの情報の発生機器にも適用することができる。これらの技術的思想などは、一部あるいは全部を問わず相互に組み合わせることができる。 Further, the present invention can be applied to a monitor of an automatic cash drawer, a public telephone, a videophone, a personal computer, a wristwatch and a display device thereof. The present invention can also be applied to a device that generates information such as a barcode. These technical ideas and the like can be combined with each other regardless of part or all of them.
本発明は、炊飯器などの家庭電器機器の表示モニター、カーオーディオの表示部、車のスピードメーター、ひげそりの表示部、ポケットゲーム機器およびそのモニター、電話器の番号、工場の計測器のインジケーターなどの表示モニター、電車の行き先表示モニター、ネオン表示装置の置き換え、表示パネル用バックライトあるいは家庭用もしくは業務用の照明装置、天井灯、窓ガラス、車のヘッドライトなどの照明装置などにも適用あるいは応用展開できることは言うまでもない。照明装置は色温度を可変できるように構成することが好ましい。これは、RGBの画素をストライプ状あるいはドットマトリックス状に形成し、これらに流す電流を調整することにより色温度を変更できる。 The present invention includes a display monitor for home appliances such as a rice cooker, a display unit for car audio, a car speedometer, a shaving display unit, a pocket game device and its monitor, a telephone number, an indicator of a factory measuring instrument, etc. Applicable to display monitors, train destination display monitors, replacement of neon display devices, backlights for display panels or lighting devices for home or business use, ceiling lights, window glass, car headlights, etc. Needless to say, it can be applied. The lighting device is preferably configured so that the color temperature can be varied. In this case, the color temperature can be changed by forming RGB pixels in a stripe or dot matrix and adjusting the current flowing through them.
また、広告あるいはポスターなどの表示装置、RGBの信号器、警報表示灯などにも応用できる。これらの技術的思想などは、一部あるいは全部を問わず相互に組み合わせることができる。 It can also be applied to display devices such as advertisements or posters, RGB traffic lights, warning indicator lights, and the like. These technical ideas and the like can be combined with each other regardless of part or all of them.
また、スキャナの光源としても本発明の自己発光素子もしくは表示装置あるいは有機EL表示パネルは有効である。RGBのドットマトリックスを光源として、対象物に光を照射し、画像を読み取る。もちろん、単色でもよいことは言うまでもない。また、本発明の表示装置から出力される光を単一波長あるいは狭帯域の波長がでるように構成し、レーザー表示装置またはその応用として用いても良いことは言うまでもない。狭帯域化は、干渉効果あるいは光学フィルタなどを用いることにより実現できる。 Further, the self-luminous element, the display device or the organic EL display panel of the present invention is also effective as a light source for the scanner. Using an RGB dot matrix as a light source, the object is irradiated with light to read an image. Of course, it goes without saying that it may be monochromatic. Further, it goes without saying that the light output from the display device of the present invention may be configured to emit a single wavelength or a narrow-band wavelength and used as a laser display device or its application. The band narrowing can be realized by using an interference effect or an optical filter.
なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施されてもよく、その場合は、その組み合わせによる特徴ある効果が得られる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the invention when it is practiced. Moreover, each embodiment may be implemented in combination as appropriate as possible, and in that case, a characteristic effect by the combination can be obtained.
本発明のソースドライバ回路は、基準電流の発生回路を有し、また、ゲートドライバ回路を制御することにより、電流制御、輝度制御を実現する。また、画素は、複数あるいは単独の駆動用トランジスタを有し、EL素子15に流れる電流バラツキが発生しないように駆動する。また、各端子に接続する単位トランジスタ群を変化させる。したがって、トランジスタのしきい値ばらつきによる表示むらの発生を抑制することが可能となる。駆動用トランジスタ素子の温度依存性も補償する。また、duty比制御などによりダイナミックレンジが広い画像表示を実現できる。
The source driver circuit of the present invention includes a reference current generation circuit, and realizes current control and luminance control by controlling the gate driver circuit. Further, the pixel has a plurality of or single drive transistors, and is driven so as not to cause a variation in current flowing through the
本発明の表示パネル、表示装置等は、高画質、良好な動画表示性能、低消費電力、低コスト化、高輝度化等のそれぞれの構成に応じて特徴ある効果を発揮する。 The display panel, display device, and the like of the present invention exhibit distinctive effects according to their respective configurations such as high image quality, good moving image display performance, low power consumption, low cost, and high brightness.
本発明を用いれば、低消費電力の情報表示装置などを構成できるので、電力を消費しない。また、小型軽量化できるので、資源を消費しない。したがって、地球環境、宇宙環境に優しいことになる。 If the present invention is used, an information display device or the like with low power consumption can be configured, and power is not consumed. Moreover, since it can be reduced in size and weight, resources are not consumed. Therefore, it is friendly to the global environment and space environment.
本発明にかかるEL表示装置は、上記効果を有し、有機または無機エレクトロルミネッセンス(EL)素子などを用いたEL表示パネル(表示装置)などの自発光表示パネル、また、これらの表示パネルなどの駆動回路(ICなど)および駆動方法等として有用である。 The EL display device according to the present invention has the above-described effects, and is a self-luminous display panel such as an EL display panel (display device) using an organic or inorganic electroluminescence (EL) element or the like. It is useful as a drive circuit (IC etc.) and a drive method.
11 TFT(薄膜トランジスタ)
12 ゲートドライバIC(回路)
14 ソースドライバ回路(IC)
15 EL(素子)(発光素子)
16 画素
17 ゲート信号線
18 ソース信号線
19 蓄積容量(付加コンデンサ、付加容量)
29 EL膜
30 アレイ基板(自発光表示パネル)
31 土手(リブ)
32 層間絶縁膜
34 コンタクト
35 画素電極
36 カソード電極
37 乾燥剤
38 λ/4板(λ/4フィルム、位相板、位相フィルム)
39 偏光板
40 封止フタ
41 薄膜封止膜
61 書き込み行
62 非表示領域(非点灯領域、黒表示領域)
63 表示領域(点灯領域、画像表示領域)
72 レーザー照射範囲(エキシマレーザースポット)
73 位置決めマーカー
74 ガラス基板
81 シフトレジスタ回路
82 バッファ回路
91 電流保持回路
92 ポリシリコン電流保持回路(内蔵電流保持回路)
93 出力端子
221 スイッチ(オンオフ手段)
222 内部配線(出力配線)
223 ゲート配線
224 単位トランジスタ
228 トランジスタ
232 トランジスタ
231 オペアンプ
251 トランジスタ群
291 電子ボリウム
331 一致回路
332 カウンタ
333 AND回路
334 電流出力回路
351 ラッチ回路
352 セレクタ回路
353 プリチャージ回路
371 電圧階調回路
381 サンプルホールド回路(電圧保持手段)
382 ソース信号線端子
391 切り換え回路
841 単位トランジスタ(単位電流出力回路)
911 比較回路
1331 アンテナ
1332 キー
1333 筐体
1334 表示パネル
1341 接眼リング
1342 拡大レンズ(正レンズ)
1343 凸レンズ(正レンズ)
1351 支点(回転部)
1352 撮影レンズ(撮影手段)
1353 格納部
1354 スイッチ
1361 本体
1362 撮影部
1363 シャッタスイッチ
1371 取り付け枠
1372 脚
1373 取り付け台
1374 固定部
1391 ホトセンサ
1392 デコーダ(バーコード解読器)
1393 EL表示パネル(自発光表示パネル(装置))
1411 隔離柱(隔離壁(リング))
1412 封止樹脂(封止手段)
1413 空間
1414 バックライト
1531 出力選択回路
1551 ルックアップテーブル(マトリックスROMテーブル)
1651 バックライト
1652 保持具(筐体)
1653 液晶表示パネル(非発光表示パネル)
1654 円偏光板
1701 電圧測定回路
1711 AD変換回路(アナログ−デジタル変換回路)
1761 切り替え回路
1762 平均化回路
1821 電圧測定回路(IC)
1851 電圧配線
1931 演算回路(処理回路)
2191 温度補償回路
2201 電流計(電流測定手段)
2121 ソース(信号線)電位検出線
2122 メモリ(記憶手段)
2171 短絡配線
2172 端子電極
2173 プローブ
2174 定電流源
2175 配線
2481 交流電圧発生器
2861 OR回路
2971 紫外線カット膜
3001 スペーサ柱
3002 空間
3011 乾燥材
3191 フラシュメモリ(書き換え可能なROM)
11 TFT (Thin Film Transistor)
12 Gate driver IC (circuit)
14 Source Driver Circuit (IC)
15 EL (element) (light emitting element)
16
29
31 Bank (rib)
32
39
63 Display area (lighting area, image display area)
72 Laser irradiation range (excimer laser spot)
73
93
222 Internal wiring (Output wiring)
223
382 Source
911
1343 Convex lens (positive lens)
1351 Support point (rotating part)
1352 Photography lens (imaging means)
1353
1393 EL display panel (Self-luminous display panel (device))
1411 Isolation pillar (Isolation wall (ring))
1412 Sealing resin (sealing means)
1413
1651
1653 Liquid crystal display panel (non-luminous display panel)
1654
1761
1851
2191
2121 Source (signal line)
2171 Short-
Claims (3)
階調電流を発生する階調電流回路と、
階調電圧を発生する階調電圧回路と、
マトリックス状にEL素子が配置された画像表示部と、
前記EL素子に前記定電流を供給するソース信号線と、
前記ソース信号線の電位を測定する測定手段を具備することを特徴とする、EL表示装置。 A constant current circuit for generating a constant current;
A gradation current circuit for generating a gradation current;
A gradation voltage circuit for generating gradation voltages;
An image display unit in which EL elements are arranged in a matrix;
A source signal line for supplying the constant current to the EL element;
An EL display device comprising measurement means for measuring the potential of the source signal line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005062875A JP2006243663A (en) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | El display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005062875A JP2006243663A (en) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | El display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006243663A true JP2006243663A (en) | 2006-09-14 |
Family
ID=37050094
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2005062875A Pending JP2006243663A (en) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | El display device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006243663A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091069A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | Light-emitting device and electronic apparatus |
JP2017151443A (en) * | 2017-03-15 | 2017-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
CN110634447A (en) * | 2014-10-27 | 2019-12-31 | 三星显示有限公司 | Organic light emitting diode display device |
-
2005
- 2005-03-07 JP JP2005062875A patent/JP2006243663A/en active Pending
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JP2008091069A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | Light-emitting device and electronic apparatus |
CN110634447A (en) * | 2014-10-27 | 2019-12-31 | 三星显示有限公司 | Organic light emitting diode display device |
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