JP2006228985A - Process for producing ic chip - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハを研削する際に該ウエハを固定するガラス板の汚染や傷の発生を低減することが可能なＩＣチップの製造方法に関する。 The present invention relates to an IC chip manufacturing method capable of reducing the occurrence of contamination and scratches on a glass plate for fixing a wafer when grinding the wafer.
半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常、高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとしたのち、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パターンを形成して、次いでウエハ裏面を研削機により研削して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くし、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。
近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれて、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用したりすることができる厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハも要求されるようになってきている。
A semiconductor integrated circuit (IC chip) is usually formed by slicing a high-purity semiconductor single crystal or the like into a wafer, forming a predetermined circuit pattern on the wafer surface using a photoresist, and then grinding the back surface of the wafer. Is manufactured by thinning the wafer to about 100 to 600 μm and finally dicing into chips.
In recent years, with the widespread use of IC chips, there has been a demand for extremely thin wafers having a thickness of about 50 μm that can be used in IC cards or stacked.
ウエハの研削時には、ウエハに、例えば、特許文献１に開示されているような両面粘着テープを介してガラス板を貼り付けて、ウエハ表面に形成された回路パターンを保護し、ウエハの破損を防止したり、研削加工を容易にしたりしている。 When grinding a wafer, for example, a glass plate is attached to the wafer via a double-sided adhesive tape as disclosed in Patent Document 1 to protect the circuit pattern formed on the wafer surface and prevent damage to the wafer. Or making grinding easy.
ＩＣチップの製造において支持板として用いるガラス板は、高度な厚み精度が求められることから極めて高価である。従って、ガラス板を繰り返し用いることは、ＩＣチップの製造コストを抑制する上で必須である。
ところが、このような方法でウエハを研削すると、大量のウエハの屑が生じ、このウエハの屑の一部は、ウエハを固定しているガラス板の裏面に回り込み、ガラス板を汚染することがあった。従って、ガラス板の繰り返し利用のためには、純水やアルカリ溶剤等で入念に洗浄することが必要となり、そのための工程がＩＣチップのコストにはね返るという問題があった。汚染されたガラス板を用いると、屑によりガラス基板の表面が傷つけられ、研削による力がガラス板の傷の部分に集中して、ガラス板が割れてしまったり、ウエハが均一に研削されなかったりすることがあるという問題があった。
However, when the wafer is ground by such a method, a large amount of wafer waste is generated, and a part of the wafer waste may wrap around the back surface of the glass plate to which the wafer is fixed and contaminate the glass plate. It was. Therefore, in order to repeatedly use the glass plate, it has been necessary to carefully clean it with pure water, an alkaline solvent, or the like, and there has been a problem that the process for that reverts to the cost of the IC chip. If a contaminated glass plate is used, the surface of the glass substrate will be damaged by scraps, and the grinding force will concentrate on the scratched portion of the glass plate, causing the glass plate to break or the wafer to be uniformly ground. There was a problem that sometimes.
本発明は、上記現状に鑑み、ウエハを研削する際に該ウエハを固定するガラス板の汚染や傷の発生を低減することが可能なＩＣチップの製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an IC chip manufacturing method capable of reducing the occurrence of contamination and scratches on a glass plate for fixing a wafer when the wafer is ground.
本発明は、両面粘着テープを介してウエハをガラス板の一方の表面に貼り付けて固定した状態で研削するＩＣチップの製造方法であって、前記ガラス板は、前記ウエハを貼り付ける面とは反対側の面が着脱可能な保護フィルムにより被覆されているＩＣチップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention is an IC chip manufacturing method for grinding in a state where a wafer is bonded to one surface of a glass plate via a double-sided adhesive tape, and the glass plate is a surface to which the wafer is bonded This is a method of manufacturing an IC chip in which the opposite surface is covered with a removable protective film.
The present invention is described in detail below.
本発明者らは、鋭意検討の結果、ガラス板のうちウエハを貼り付ける面とは反対側の面を着脱可能な保護フィルムで被覆することにより、ウエハを研削したときに発生する屑によるガラス板表面の汚染や傷の発生を低減することができるため、ガラス板の洗浄工程を短縮することができ、ＩＣチップの製造コストの削減につながるということを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have covered the surface of the glass plate opposite to the surface to which the wafer is to be attached with a removable protective film, so that the glass plate due to scrap generated when the wafer is ground. Since the occurrence of surface contamination and scratches can be reduced, it has been found that the glass plate cleaning process can be shortened and the manufacturing cost of the IC chip can be reduced, and the present invention has been completed.
本発明のＩＣチップの製造方法は、両面粘着テープを介してウエハをガラス板の一方の表面に貼り付けて上記ウエハを固定する工程を有する。
上記ウエハをガラス板に固定することにより、上記ウエハの取扱い性が向上する。従って、後述するウエハを研削する工程において、そのウエハを５０μｍ以下の極薄にまで研削した場合でもウエハが破損したりすることなく、良好にＩＣチップへの加工を行うことができる。
The IC chip manufacturing method of the present invention includes a step of fixing the wafer by attaching the wafer to one surface of a glass plate via a double-sided adhesive tape.
By fixing the wafer to the glass plate, the handleability of the wafer is improved. Therefore, in the step of grinding the wafer, which will be described later, even when the wafer is ground to an extremely thin thickness of 50 μm or less, the wafer can be satisfactorily processed without being damaged.
上記ウエハとしては特に限定されず、例えば、シリコン、ガリウム砒素等の半導体からなるものが挙げられる。 The wafer is not particularly limited, and examples thereof include those made of a semiconductor such as silicon or gallium arsenide.
上記ガラス板の形状としては、その一方の表面に上記ウエハを貼り付けることができる形状であれば特に限定されず、例えば、円板状、箱状等上記ウエハの形状に合わせて適宜決定される。 The shape of the glass plate is not particularly limited as long as the wafer can be attached to one surface thereof. For example, the shape of the glass plate is appropriately determined according to the shape of the wafer such as a disk shape or a box shape. .
上記ガラス板の上記ウエハを固定する表面の大きさとしては特に限定されず、上記ウエハを１又は２以上固定することができる大きさであればよい。 The size of the surface of the glass plate on which the wafer is fixed is not particularly limited as long as it can fix one or more of the wafers.
上記ガラス板の厚さの好ましい下限は５００μｍ、好ましい上限は３ｍｍであり、より好ましい下限は１ｍｍ、より好ましい上限は２ｍｍである。また、上記ガラス板の厚さのばらつきは、１％以下であることが好ましい。 The minimum with the preferable thickness of the said glass plate is 500 micrometers, a preferable upper limit is 3 mm, a more preferable minimum is 1 mm, and a more preferable upper limit is 2 mm. Moreover, it is preferable that the dispersion | variation in the thickness of the said glass plate is 1% or less.
上記ガラス板は、上記ウエハを貼り付ける面とは反対側の面（以下、単に裏面ともいう）が着脱可能な保護フィルムにより被覆されている。
本明細書において着脱可能とは、ガラス板に容易に貼り付けることができ、必要に応じて、糊残りすることなく容易に剥離することができることを意味する。
The glass plate is covered with a removable protective film on the surface opposite to the surface on which the wafer is attached (hereinafter also simply referred to as the back surface).
In this specification, detachable means that it can be easily affixed to a glass plate and can be easily peeled off without leaving glue, if necessary.
後述するウエハの研削工程において、上記ウエハを研削すると大量のウエハの屑が生じ、このウエハの屑の一部は、ガラス板の裏面に回り込む。
しかし、本発明のＩＣチップの製造方法においては、上記ガラス板の裏面が保護フィルムで被覆されているため、上記ガラス板の裏面に回り込んだウエハの屑が直接ガラス板の裏面に付着して、ガラス板を汚染したり、ガラス板を研削装置に固定して研削する際に、ガラス板の研削装置と接触している部分に傷がついたりするのを防止することができる。また、上記保護フィルムは着脱可能であるため、上記ウエハの研削後には容易に剥離することができ、ガラス板の洗浄時間の大幅な短縮、ひいては、ＩＣチップの製造コストの削減が可能となる。
In the wafer grinding process described later, when the wafer is ground, a large amount of wafer waste is generated, and a part of the wafer waste goes around the back surface of the glass plate.
However, in the IC chip manufacturing method of the present invention, since the back surface of the glass plate is covered with a protective film, wafer debris that has wrapped around the back surface of the glass plate is directly attached to the back surface of the glass plate. When the glass plate is contaminated, or when the glass plate is fixed to the grinding device for grinding, it is possible to prevent the portion of the glass plate in contact with the grinding device from being damaged. Further, since the protective film is detachable, it can be easily peeled off after grinding the wafer, and the glass plate cleaning time can be greatly shortened, and thus the manufacturing cost of the IC chip can be reduced.
上記保護フィルムとしては特に限定されず、例えば、ＰＥＴフィルム、オレフィン、ウレタン等の通常の樹脂フィルムが挙げられる。
ただし、後述する両面粘着テープが、刺激として光を与えることにより気体を発生する気体発生剤を含有するものである場合には、上記保護フィルムは上記光を透過するものであることが好ましい。
It does not specifically limit as said protective film, For example, normal resin films, such as PET film, olefin, and urethane, are mentioned.
However, when the double-sided pressure-sensitive adhesive tape described below contains a gas generating agent that generates gas by applying light as a stimulus, the protective film preferably transmits the light.
上記保護フィルムの膜厚としては特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は１００μｍである。１０μｍ未満であると、薄すぎるために飛散した研削屑が上記保護フィルム上から上記ガラス板を傷つけることがあり、１００μｍを超えると、上記保護フィルムを剥離する際に剥離しにくいことがある。 Although it does not specifically limit as a film thickness of the said protective film, A preferable minimum is 10 micrometers and a preferable upper limit is 100 micrometers. If it is less than 10 μm, the grinding scraps scattered because it is too thin may damage the glass plate from above the protective film. If it exceeds 100 μm, it may be difficult to peel off the protective film.
上記保護フィルムを貼り付ける方法としては特に限定されず、例えば、一方の面に接着剤層が設けられた樹脂フィルムを貼り付ける方法や、ペースト状の原料をガラス板に塗工し、成膜する方法や、フィルム状のものを容易に剥離可能な接着剤等で貼り付ける方法等が
挙げられる。
The method for attaching the protective film is not particularly limited. For example, a method for attaching a resin film provided with an adhesive layer on one surface or a paste-like raw material is applied to a glass plate to form a film. Examples thereof include a method and a method of attaching a film-like material with an adhesive that can be easily peeled off.
上記両面粘着テープとしては特に限定されず、従来公知の両面粘着テープが挙げられるが、上記ウエハを研削後に糊残りを生じることなく容易に剥離できることから、光硬化型又は熱硬化型の粘着剤層が形成されたものが好ましい。
また、特に厚さの薄いＩＣチップを製造する場合には、容易に剥離することができるように、基材の少なくとも一方の面に、光や熱等の刺激により気体を発生するアゾ化合物、アジド化合物等の気体発生剤を含有する粘着剤層が形成されたものであってもよい。
基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層が形成された両面粘着テープは、粘着剤層に刺激が与えられると、粘着剤層中の気体発生剤から気体が発生し、発生した気体が粘着剤層と被着体との間の少なくとも一部を剥がすことにより、粘着力が低下して容易に剥離することができる。
なお、両面の粘着剤層に気体発生剤が含有される場合には、両面の気体発生剤は同種のものであってもよいし、異種のものであってもよい。
Although it does not specifically limit as said double-sided adhesive tape, Although a conventionally well-known double-sided adhesive tape is mentioned, Since it can peel easily without producing the adhesive residue after grinding the said wafer, it is a photocurable or thermosetting type adhesive layer. Those formed with are preferred.
Also, particularly when manufacturing an IC chip with a small thickness, an azo compound or azide that generates gas on at least one surface of the substrate by stimulation with light, heat or the like so that it can be easily peeled off. A pressure-sensitive adhesive layer containing a gas generating agent such as a compound may be formed.
The double-sided pressure-sensitive adhesive tape in which a pressure-sensitive adhesive layer containing a gas generating agent that generates gas by stimulation is formed on at least one surface of the substrate is a gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive layer when the pressure-sensitive adhesive layer is stimulated. Gas is generated, and the generated gas peels at least a part between the pressure-sensitive adhesive layer and the adherend, whereby the adhesive force is reduced and the gas can be easily peeled off.
In addition, when a gas generating agent is contained in the pressure-sensitive adhesive layers on both sides, the gas generating agents on both sides may be the same or different.
本発明のＩＣチップの製造方法は、上記両面粘着テープを介してガラス板に固定した状態で上記ウエハを研削する工程を有する。 The manufacturing method of the IC chip of the present invention includes a step of grinding the wafer while being fixed to a glass plate via the double-sided adhesive tape.
上記研削の方法としては特に限定されず、通常のＩＣチップの製造方法において用いられる方法を用いることができ、例えば、ガラス板を固定し、高速回転する研削用砥石を用いて切削水をかけながら完成時のチップの厚さにまでウエハを研削する方法等が挙げられる。本工程により、ウエハは両面粘着テープを介してガラス板に固定された状態のまま所定の厚さにまで研削される。 The grinding method is not particularly limited, and a method used in a normal IC chip manufacturing method can be used. For example, a glass plate is fixed and cutting water is applied using a grinding wheel that rotates at high speed. For example, a method of grinding the wafer to the thickness of the chip at the time of completion can be mentioned. By this step, the wafer is ground to a predetermined thickness while being fixed to the glass plate via the double-sided adhesive tape.
本発明のＩＣチップの製造方法は、上記ウエハを研削する工程を行った後、上記両面粘着テープから上記ウエハを剥離し、上記ガラス板から上記両面粘着テープを剥離する。 In the IC chip manufacturing method of the present invention, after performing the step of grinding the wafer, the wafer is peeled off from the double-sided adhesive tape, and the double-sided adhesive tape is peeled off from the glass plate.
上記両面粘着テープが上述したようなアゾ化合物及び／又はアジド化合物を含有する場合には、ガラス板側から上記刺激を与えることにより容易に上記ウエハ（及び両面粘着テープ）を剥離することができる。 When the double-sided pressure-sensitive adhesive tape contains the azo compound and / or azide compound as described above, the wafer (and the double-sided pressure-sensitive adhesive tape) can be easily peeled by applying the stimulus from the glass plate side.
上記ガラス板から上記両面粘着テープを剥離した後は、上記ガラス板から上記保護フィルムを剥離し、上記ガラス板を洗浄すればよい。上記保護フィルムにより、ガラス板に付着する屑等は極めて少ないことから、従来に比べて著しく短時間の洗浄によりガラス板を再利用に供することができる。
上記ガラス板の洗浄方法としては特に限定されず、例えば、上記ガラス板を水洗し、一度乾燥した後アルカリ溶剤等で洗浄をし、再度乾燥する方法等が挙げられる。
After peeling off the double-sided pressure-sensitive adhesive tape from the glass plate, the protective film is peeled off from the glass plate and the glass plate may be washed. Since the above-mentioned protective film has very little debris or the like adhering to the glass plate, the glass plate can be reused by cleaning in a considerably shorter time than conventional.
The method for washing the glass plate is not particularly limited, and examples thereof include a method of washing the glass plate with water, drying it once, washing it with an alkaline solvent, and drying it again.
本発明のＩＣチップの製造方法では、上記各工程に加え、従来公知のダイシング工程等を行うことによりＩＣチップを製造することができる。 In the IC chip manufacturing method of the present invention, an IC chip can be manufactured by performing a conventionally known dicing process in addition to the above steps.
本発明によれば、ウエハを研削する際に該ウエハを固定するガラス板の汚染や傷の発生を低減することが可能なＩＣチップの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when grinding a wafer, the manufacturing method of the IC chip which can reduce generation | occurrence | production of the contamination and damage | wound of the glass plate which fixes this wafer can be provided.
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
＜保護フィルムとガラス板との貼り合わせ＞
ガラス板（φ２０１ｍｍ、厚さ１．０ｍｍ）のシリコンウエハを固定する面とは反対側の面に、一方の面に厚さ１０μｍの再剥離型アクリル接着剤層が設けられたＰＥＴフィルム（厚さ３８μｍ）を貼り付けた。
Example 1
<Lamination of protective film and glass plate>
A PET film (thickness: 10 mm thick re-peelable acrylic adhesive layer provided on one side of the glass plate (φ201 mm, thickness 1.0 mm) opposite to the surface on which the silicon wafer is fixed 38 μm) was pasted.
＜粘着剤の調整＞
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重合平均分子量７０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、Ｕ３２４Ａ（新中村化学社製）４０重量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．５重量部を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート ７９重量部
エチルアクリレート １５重量部
アクリル酸 １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート ５重量部
光重合開始剤 ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン ０．０１重量部
<Adhesive adjustment>
The following compounds were dissolved in ethyl acetate and polymerized by irradiating with ultraviolet rays to obtain an acrylic copolymer having a polymerization average molecular weight of 700,000.
The resin solid content of 100 parts by weight of the ethyl acetate solution containing the acrylic copolymer thus obtained is reacted by adding 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate, and further the resin of the ethyl acetate solution after the reaction. Acetic acid of the pressure-sensitive adhesive (1) is prepared by mixing 40 parts by weight of U324A (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), 5 parts by weight of a photopolymerization initiator (Irgacure 651) and 0.5 parts by weight of polyisocyanate with respect to 100 parts by weight of solid content. An ethyl solution was prepared.
Butyl acrylate 79 parts by weight Ethyl acrylate 15 parts by weight Acrylic acid 1 part by weight 2-hydroxyethyl acrylate 5 parts by weight Photopolymerization initiator 0.2 part by weight (Irgacure 651, 50% ethyl acetate solution)
Lauryl mercaptan 0.01 parts by weight
また、粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）３０重量部、及び、２，４−ジエチルチオキサントン３．６重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を調製した。 In addition, 30 parts by weight of 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide) and 2,4-, based on 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive (1) A pressure-sensitive adhesive (2) containing a gas generating agent was prepared by mixing 3.6 parts by weight of diethylthioxanthone.
＜両面粘着テープの作製＞
厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルムの一方の面にコロナ処理を施し、これを基材とした。
粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、基材のコロナ処理を施した側の面に乾燥皮膜の厚さが約３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（１）層の表面を離型処理が施されたＰＥＴフィルムでカバーした。
<Production of double-sided adhesive tape>
One side of a 50 μm thick polyethylene terephthalate (PET) film was subjected to corona treatment and used as a base material.
Apply an ethyl acetate solution of adhesive (1) with a doctor knife so that the thickness of the dry film is about 30 μm on the surface of the substrate that has been subjected to corona treatment, and heat at 110 ° C. for 5 minutes. The working solution was dried. The pressure-sensitive adhesive layer after drying showed adhesiveness in a dry state. Next, the surface of the pressure-sensitive adhesive (1) layer was covered with a PET film subjected to a release treatment.
粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（２）層の表面を離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置して養生を行った。 Apply an ethyl acetate solution of adhesive (2) with a doctor knife on a PET film with a release treatment on the surface so that the dry film thickness is about 30 μm, and heat at 110 ° C. for 5 minutes. The solvent was evaporated and the coating solution was dried. The pressure-sensitive adhesive layer after drying showed adhesiveness in a dry state. Next, a PET film having a release treatment applied to the surface of the pressure-sensitive adhesive (2) layer was attached. Thereafter, the film was allowed to stand at 40 ° C. for 3 days for curing.
次いで、粘着剤（２）層の両面に貼付された離型処理が施されたＰＥＴフィルムのうちの一方を剥がし、粘着剤（２）層側を、粘着剤（１）層を設けた基材の粘着剤（１）層のない側の面に貼り合わせた。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面が離型処理が施されたＰＥＴフィルムで保護された両面粘着テープを得た。その後、４０℃、３日間静置して養生を行った。 Next, one of the PET films that have been subjected to the release treatment applied to both sides of the pressure-sensitive adhesive (2) layer is peeled off, and the pressure-sensitive adhesive (2) layer side is provided with the pressure-sensitive adhesive (1) layer. The pressure-sensitive adhesive (1) was bonded to the surface having no layer. Thereby, the adhesive layer was provided on both surfaces, and the double-sided adhesive tape by which the surface was protected by the PET film by which the mold release process was performed was obtained. Thereafter, the film was allowed to stand at 40 ° C. for 3 days for curing.
＜ＩＣチップの製造＞
（シリコンウエハとガラス板との貼り合わせ）
両面粘着テープの粘着剤（１）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、φ２００ｍｍ、厚さ約７５０μｍのシリコンウエハに貼り付けた。次に、両面粘着テープの粘着剤（２）層
を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、真空貼り合わせ機を用いてφ２０１ｍｍのガラス板（保護フィルムを貼り付けた面の裏面）に貼り付けた。
<Manufacture of IC chips>
(Lamination of silicon wafer and glass plate)
The PET film protecting the adhesive (1) layer of the double-sided adhesive tape was peeled off and attached to a silicon wafer having a diameter of 200 mm and a thickness of about 750 μm. Next, the PET film protecting the pressure-sensitive adhesive (2) layer of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape was peeled off and pasted on a φ201 mm glass plate (the back side of the surface on which the protective film was pasted) using a vacuum bonding machine.
（研削工程）
ガラス板で補強されたシリコンウエハを研削装置に取り付け、シリコンウエハの厚さが約３０μｍになるまで研削した。研削されたシリコンウエハを以下、薄型シリコンウエハという。
(Grinding process)
A silicon wafer reinforced with a glass plate was attached to a grinding apparatus and ground until the thickness of the silicon wafer reached about 30 μm. The ground silicon wafer is hereinafter referred to as a thin silicon wafer.
（ＵＶ照射工程）
薄型シリコンウエハ側から真空吸引することにより薄型シリコンウエハを固定した状態で、ガラス板側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２分間照射した。これにより、両面粘着テープと薄型シリコンウエハとを分離することができた。シリコンウエハの表面には粘着剤の糊残りは認められなかった。
その後真空を解除して、薄型シリコンウエハを得た。
また、ガラス板表面から両面粘着テープと保護フィルムとを手で剥離した。
(UV irradiation process)
With the thin silicon wafer fixed by vacuum suction from the thin silicon wafer side, using a super high pressure mercury lamp from the glass plate side, the irradiation intensity of the ultraviolet light of 365 nm to the glass plate surface is 40 mW / cm 2 And adjusted for 2 minutes. Thereby, the double-sided adhesive tape and the thin silicon wafer could be separated. No adhesive residue was observed on the surface of the silicon wafer.
Thereafter, the vacuum was released to obtain a thin silicon wafer.
Moreover, the double-sided adhesive tape and the protective film were peeled by hand from the glass plate surface.
（比較例１）
ガラス板に保護フィルムを貼り付けなかった以外は、実施例１と同様にしてシリコンウエハを研削し、薄型シリコンウエハを得た。
(Comparative Example 1)
A silicon wafer was ground in the same manner as in Example 1 except that the protective film was not attached to the glass plate to obtain a thin silicon wafer.
＜評価＞
実施例１及び比較例１で用いたガラス板について以下の評価を行った。結果を表１に示した。
<Evaluation>
The following evaluation was performed about the glass plate used in Example 1 and Comparative Example 1. The results are shown in Table 1.
研削した後、実施例１については保護フィルムを剥離し、実施例１及び比較例１で用いたガラス板表面を従来の洗浄工程と同様に純水で洗浄し、５分毎にガラス板を取り出し、表面の汚れ具合を顕微鏡で確認し、以下の評価基準で評価した。
○ ガラス板表面には屑が残っていなかった。
△ ガラス板表面には屑が僅かに残っていた。
× ガラス板表面には屑が多数残っていた。
After grinding, the protective film was peeled off for Example 1, and the glass plate surface used in Example 1 and Comparative Example 1 was washed with pure water in the same manner as in the conventional washing step, and the glass plate was taken out every 5 minutes. The surface contamination was confirmed with a microscope and evaluated according to the following evaluation criteria.
○ No debris remained on the glass plate surface.
Δ Slightly debris remained on the glass plate surface.
X Many scraps remained on the glass plate surface.
本発明によれば、ウエハを研削する際に該ウエハを固定するガラス板の汚染や傷の発生を低減することが可能なＩＣチップの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when grinding a wafer, the manufacturing method of the IC chip which can reduce generation | occurrence | production of the contamination and damage | wound of the glass plate which fixes this wafer can be provided.
Claims (1)
前記ガラス板は、前記ウエハを貼り付ける面とは反対側の面が着脱可能な保護フィルムにより被覆されている
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。 A method of manufacturing an IC chip, which is ground in a state where a wafer is attached to one surface of a glass plate and fixed via a double-sided adhesive tape,
The method of manufacturing an IC chip, wherein the glass plate is covered with a removable protective film on a surface opposite to a surface to which the wafer is attached.
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| JP (1) | JP2006228985A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013187281A (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for processing workpiece |
| CN113272399A (en) * | 2019-04-26 | 2021-08-17 | 积水化学工业株式会社 | Adhesive tape |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005041120A patent/JP2006228985A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013187281A (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for processing workpiece |
| CN113272399A (en) * | 2019-04-26 | 2021-08-17 | 积水化学工业株式会社 | Adhesive tape |
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