JP2006228493A - Organic electroluminescent element and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、情報表示端末などのディスプレイや面発光光源として幅広い用途が期待される有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子とする)に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence element (hereinafter, referred to as an organic EL element) that is expected to be widely used as a display such as an information display terminal or a surface-emitting light source.
有機EL素子は、広視野角、応答速度が速い、低消費電力などの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに変わるフラットパネルディスプレイとして期待されている。 The organic EL element is expected as a flat panel display that is replaced with a cathode ray tube or a liquid crystal display because of advantages such as a wide viewing angle, a high response speed, and low power consumption.
有機EL素子は、どちらか一方が透光性を有する2枚の電極(陽極と陰極)の間に、有機発光媒体層を挟持した構造であり、両電極間に電流を流すことにより有機発光媒体層で発光が生じる自発光型の表示素子である。有機発光媒体層は、通常機能分離された複数の層から構成され、その典型的な例としては、正孔注入層に銅フタロシアニン、正孔輸送層にN,N‘−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1‘−ビフェニル−4,4’−ジアミン、蛍光体層にトリス(8−キノリノール)アルミニウムをそれぞれ積層した低分子型EL素子や、正孔輸送層にポリチオフェン誘導体、発光層にポリアルキルフルオレン誘導体を積層した高分子型EL素子がある An organic EL element has a structure in which an organic light emitting medium layer is sandwiched between two electrodes (anode and cathode), one of which has translucency. A self-luminous display element that emits light in a layer. The organic light-emitting medium layer is usually composed of a plurality of layers separated by function, and typical examples thereof include copper phthalocyanine for the hole injection layer and N, N′-di (1-naphthyl) for the hole transport layer. -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, a low molecular EL element in which tris (8-quinolinol) aluminum is laminated on the phosphor layer, and polythiophene in the hole transport layer There is a polymer type EL device in which a polyalkylfluorene derivative is laminated on a derivative or light emitting layer
有機EL素子は、発光媒体層や陰極層を大気暴露させた状態で放置すると、大気中の水分や酸素により劣化することが知られている。具体的な代表例として、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生し、時間の経過と共に拡大するといった現象がある。 It is known that an organic EL element is deteriorated by moisture and oxygen in the atmosphere when the light emitting medium layer and the cathode layer are left exposed to the atmosphere. As a specific representative example, there is a phenomenon in which a non-light-emitting region called a dark spot occurs and expands with time.
この問題を解決する方法として、乾燥剤を内包したガラス製もしくは金属製の封止キャップにより、乾燥窒素雰囲気下で有機EL素子を被覆封止する方法がある(特許文献1、2参照)。しかし、この方法では、乾燥剤を内包する空間を設けるために封止キャップを加工するコストが高いといった問題や、有機EL素子を薄型・軽量化するのが困難であるといった問題があった。 As a method for solving this problem, there is a method of covering and sealing an organic EL element in a dry nitrogen atmosphere with a glass or metal sealing cap containing a desiccant (see Patent Documents 1 and 2). However, this method has a problem that the cost of processing the sealing cap to provide a space for containing the desiccant is high, and a problem that it is difficult to reduce the thickness and weight of the organic EL element.
また近年では、大型・高精細パネル向けにアクティブマトリクス型有機EL素子が主流となり、開口率向上のため、TFT基板と反対側(封止ガラス側)から光を取り出すトップエミッション型の素子構造が必須であると言われており、従来用いられてきた非透光性の乾燥剤(BaOやCaO)と金属缶を用いた封止に替わる封止法が求められているのが現状である。 In recent years, active matrix organic EL devices have become the mainstream for large-sized, high-definition panels, and a top emission type device structure that extracts light from the opposite side (sealing glass side) of the TFT substrate is essential to improve the aperture ratio. Therefore, there is a need for a sealing method in place of sealing using a conventionally used non-light-transmitting desiccant (BaO or CaO) and a metal can.
また、有機EL素子の全面に接着剤を塗布し、板状の封止基材を貼り合わせることにより、ギャップのない完全固体封止の有機EL素子を作製することができるが、この方法の場合には、内部に乾燥剤が無いために、接着剤端部から徐々に侵入する水分を遮断するのが困難であり、特に、狭額縁化により封止幅を狭くすると、大幅に寿命が低下するといった問題があった。 Further, by applying an adhesive to the entire surface of the organic EL element and attaching a plate-shaped sealing substrate, a completely solid-sealed organic EL element without a gap can be produced. Since there is no desiccant inside, it is difficult to block the moisture that gradually enters from the edge of the adhesive, especially when the sealing width is narrowed by narrowing the frame, the life is greatly reduced. There was a problem.
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、完全固体封止において、端部から侵入する水分の影響を長期にわたり抑制し、長寿命な有機EL素子及びその製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and the object of the present invention is to suppress the influence of moisture penetrating from the end portion over a long period of time in complete solid sealing, and to achieve a long-life organic An object of the present invention is to provide an EL element and a manufacturing method thereof.
本発明は、支持基材1上に、陽極層2、乾燥剤4を含有する樹脂層3、有機発光媒体層5、陰極層6を順次形成し、前記の有機発光媒体層5と陰極層6を被覆するように接着層7を介して、封止基材8で封止した有機エレクトロルミネッセンス素子である。
ここで、前記の樹脂層3は、陽極層2上に部分的に設け、この樹脂層3が形成されていない陽極層2上に有機発光媒体層5を設ける。
そして、この有機発光媒体層5上に陰極層6を形成する。
このような構成とすることで、少なくとも、有機発光媒体層5は、樹脂層3で保護された状態となり、長期間安定状態を保つことができる。
In the present invention, an
Here, the resin layer 3 is partially provided on the
Then, the cathode layer 6 is formed on the organic light emitting
By setting it as such a structure, the organic light emitting
本発明は、乾燥剤を含有した樹脂層を陽極層上に設けた構成とすることによる水分の完全固体封止により、薄型かつ上面からの発光取り出しを可能とした。また、前記構成とすることにより、さらには外部からの水分を乾燥剤で吸湿して前記の有機発光媒体層を防湿維持することができる。本発明は、乾燥剤を含有した樹脂層が有機発光媒体層の上面(光取り出し面)に存在しないので、トップエミッション方式には最適な構成である。 According to the present invention, light emission can be taken out from the upper surface with a thin shape by completely solid-sealing moisture by providing a resin layer containing a desiccant on the anode layer. Further, with the above-described configuration, moisture from the outside can be absorbed by the desiccant to keep the organic light emitting medium layer moisture-proof. Since the resin layer containing a desiccant does not exist on the upper surface (light extraction surface) of the organic light emitting medium layer, the present invention is optimal for the top emission method.
本発明について、その実施形態の一例を図1に基づいて説明するが、これに限定されるものではない。 An example of an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited to this.
本実施形態において、前記の支持基材1の材料としては、発光の取り出し方向に応じて選択することが好ましく、例えば、該支持基材1側から光を取り出したい場合にはガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材を用いることができ、該支持基材1側から光を取り出さずに前記の封止基材側から取り出す場合には、上記透光性基材だけでなく、アルミニウムやステンレスなどの金属箔やシート、シリコン基板、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。 In the present embodiment, the material of the support substrate 1 is preferably selected according to the emission direction of light emission. For example, when light is to be extracted from the support substrate 1 side, glass, quartz, polypropylene , Polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc., or metal such as silicon oxide, aluminum oxide, etc. Oxides, metal fluorides such as aluminum fluoride and magnesium fluoride, metal nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride, metal oxynitrides such as silicon oxynitride, acrylic resins, epoxy resins, silicone resins, polyester resins, etc. A translucent base material in which a polymer resin film is monolayered or laminated can be used. When light is extracted from the sealing base material side without extracting light from the support base material 1 side, In addition to conductive substrates, metal foils and sheets such as aluminum and stainless steel, silicon substrates, and non-translucent substrates in which metal films such as aluminum, copper, nickel, and stainless steel are laminated on the plastic film and sheet are used. be able to.
また、前記の支持基材1は、必要に応じて、薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、駆動用基板として用いても良い。該TFTの材料としては、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンやペリレン誘導体等の有機TFTを用いてもよく、アモルファスシリコンやポリシリコンTFTを用いてもよい。 The support base 1 may be used as a driving substrate by forming a thin film transistor (TFT) as necessary. As a material for the TFT, an organic TFT such as polythiophene, polyaniline, copper phthalocyanine, or perylene derivative may be used, or amorphous silicon or polysilicon TFT may be used.
また、これらの基材は、あらかじめ加熱処理を行うことにより、該基材内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、該基材上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、UVオゾン処理などの表面処理を施すことが好ましい。また、必要に応じて、カラーフィルター層や光散乱層、光偏向層、平坦化層などを設けてもよい。 Moreover, it is more preferable that these base materials reduce the water | moisture content adsorb | sucked in this base material inside or the surface as much as possible by performing heat processing previously. Further, in order to improve the adhesion, depending on the material laminated on the base material, it is preferable to perform surface treatment such as ultrasonic cleaning treatment, corona discharge treatment, plasma treatment, UV ozone treatment. Further, if necessary, a color filter layer, a light scattering layer, a light deflection layer, a planarization layer, or the like may be provided.
まず、前記の支持基材1に前記の陽極層2を成膜し、必要に応じてパターニングする(図1(a))。
First, the
該陽極層2の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層して使用することができる。
Examples of the material of the
また、該陽極層2の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として、該陽極層2に併設してもよい。また、前記の有機発光媒体層3を成膜する前に、該陽極層2の表面を、超音波洗浄、イソプロピルアルコール等への浸漬もしくは蒸気洗浄、酸、アルカリ水溶液による湿式洗浄や、プラズマ処理、UV/O3処理などの乾式処理をすることが好ましい。
Further, in order to reduce the wiring resistance of the
該陽極層2の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。また、該陽極層2のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
The
次に、前記の陽極層2の上部を被覆するように、所定のパターンの前記の樹脂層3を形成する(図1(b))。 Next, the resin layer 3 having a predetermined pattern is formed so as to cover the upper portion of the anode layer 2 (FIG. 1B).
該樹脂層3は、少なくとも内部に、前記の乾燥剤4が含有されていれば、単独層でも、多層構成でも良い。該樹脂層3の材料としては、特に材料の指定は無く、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラ―ル樹脂、スチレンーマレイン酸共重合体、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、クレゾール樹脂、ポリイミド樹脂、その他既存の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、光感光性樹脂を用いることができる。 The resin layer 3 may be a single layer or a multilayer structure as long as the desiccant 4 is contained at least inside. The material of the resin layer 3 is not particularly specified, and acrylic resin, epoxy resin, butyral resin, styrene-maleic acid copolymer, phenol resin, polyester resin, cresol resin, polyimide resin, and other existing ones. Thermoplastic resins, thermosetting resins, photocurable resins, and photosensitive resins can be used.
また、該樹脂層3の厚みとしては、特に制限はなく1〜100μm、より好ましくは5〜20μmであれば、水分の吸着源としての役割を果たすことができる。 Moreover, there is no restriction | limiting in particular as thickness of this resin layer 3, If it is 1-100 micrometers, More preferably, if it is 5-20 micrometers, it can play the role as a moisture adsorption source.
また、該樹脂層3の形成方法としては、所定のパターンを形成できれば、方法は限定されるものではなく、既知のフォトリソグラフィー法を用いてもよく、グラビア法、フレキソ法、スクリーン法などの印刷法や、インクジェット法、ノズル塗布法などを用いることができる。 The method for forming the resin layer 3 is not limited as long as a predetermined pattern can be formed, and a known photolithography method may be used, and printing such as a gravure method, a flexo method, and a screen method may be used. A method, an inkjet method, a nozzle coating method, or the like can be used.
前記の樹脂層3に混入する前記の乾燥剤4としては、活性炭、ゼオライト、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、塩化カルシウム、活性酸化アルミニウム等の物理吸着系の乾燥剤を用いることが好ましい。 As the desiccant 4 mixed in the resin layer 3, a physical adsorption desiccant such as activated carbon, zeolite, magnesium sulfate, sodium sulfate, calcium chloride, or active aluminum oxide is preferably used.
該乾燥剤4のサイズや形、混合量に、特に制限は無く、1μm〜100μm程度の大きさのものを、1〜50%程度の割合で前述の隔壁3の材料に混合することができる。また、該乾燥剤4は、該樹脂層3に混入する前にマイクロカプセル化することがより好ましい。ここで、マイクロカプセルとは、微小な容器の中に乾燥剤を封入したものをいう。このようにマイクロカプセル化した乾燥剤4は強度的に弱く脆いため、乾燥剤が砕けやすく、有機EL素子のショートやダークスポットの原因となるため、それを抑制する効果がある。カプセル化の手法に、特に制限はなく、界面重合法、液中乾燥法、噴霧乾燥法、乾式混合法などの既知の方法を用いることができる。 There is no restriction | limiting in particular in the size, shape, and mixing amount of this desiccant 4, The thing of the magnitude | size about 1 micrometer-100 micrometers can be mixed with the material of the above-mentioned partition 3 in the ratio of about 1-50%. The desiccant 4 is more preferably microencapsulated before being mixed into the resin layer 3. Here, the microcapsule refers to a micro container in which a desiccant is enclosed. Since the microencapsulated desiccant 4 is weak and brittle in strength, the desiccant is easily crushed and causes a short circuit and a dark spot of the organic EL element, and has an effect of suppressing it. There is no restriction | limiting in particular in the method of encapsulation, Well-known methods, such as an interfacial polymerization method, a submerged drying method, a spray drying method, a dry-type mixing method, can be used.
前記の乾燥剤4を含有した前記の樹脂層3は、少なくとも前記の陰極層6を成膜する前に、所定の温度と時間ベーキングすることがより好ましい。例えば、ゼオライトの場合150℃で数時間程度ベークすればよく、材料やその含有量に応じて、温度と時間を調整したり、減圧下で乾燥させることがより好ましい。また、該陰極層6の成膜前であれば何度加熱処理を行っても良い。 More preferably, the resin layer 3 containing the desiccant 4 is baked at a predetermined temperature and time before forming at least the cathode layer 6. For example, in the case of zeolite, it may be baked at 150 ° C. for several hours, and it is more preferable to adjust the temperature and time according to the material and its content, or to dry under reduced pressure. Further, any number of heat treatments may be performed before the cathode layer 6 is formed.
次に、前記の有機発光媒体層5を形成する(図1(C))。本発明における該有機発光媒体層5としては、発光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。該多層膜で形成する場合の構成例としては、正孔注入輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる2層構成や正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層からなる3層構成、さらには、注入層と輸送層を分けたり、電子ブロック層や正孔ブロック層などを挿入することにより、さらに多層で形成することも可能である。
前記の正孔注入輸送材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。
発光材料としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス〔8−(パラ−トシル)アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これら高分子材料に前記の低分子材料の分散または共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることができる。
Next, the organic light
Examples of the hole injecting and transporting material include metal phthalocyanines and metal-free phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N, N′-di (1-naphthyl) Aromatic amine-based low molecular hole injection and transport materials such as -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, polyaniline, polythiophene, polyvinylcarbazole, poly (3,4-ethylene Of polymer hole transport materials such as mixtures of dioxythiophene) and polystyrene sulfonic acid, polythiophene oligomer materials, and other existing hole transport materials It is possible to choose from.
As the light-emitting material, 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-8-) Quinolinolato) aluminum complex, bis (8-quinolinolato) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) aluminum complex, Bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4- (4- Cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, tri (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5- Diheptyloxy-para-phenylene vinylene, coumarin phosphor, perylene phosphor, pyran phosphor, anthrone phosphor, porphyrin phosphor, quinacridone phosphor, N, N'-dialkyl-substituted quinacridone phosphor , Naphthalimide-based phosphors, N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based phosphors, low-molecular light-emitting materials such as phosphorescent phosphors such as Ir complexes, polyfluorene, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, polyspiro, etc. Polymer materials and dispersion of the above-mentioned low molecular materials in these polymer materials Alternatively, a copolymerized material or other existing light emitting materials can be used.
前記の電子輸送材料の例としては、2−(4−ビフィニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。 Examples of the electron transporting material include 2- (4-bifinylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl)- 1,3,4-oxadiazole, an oxadiazole derivative, a bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complex, a triazole compound, or the like can be used.
前記の有機発光媒体層5の膜厚は、単層または積層により形成する場合においても1000nm以下であり、好ましくは50〜150nmである。特に、高分子型EL素子の正孔輸送材料は、前記の支持基材1や前記の陽極層2の表面突起を覆う効果が大きく、50〜100nm程度厚い膜を成膜することがより好ましい。
The film thickness of the organic light emitting
前記の有機発光媒体層5の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スピンコート、スプレーコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法、印刷法やインクジェット法などを用いることができる。前記の高分子発光媒体層を溶液化する際には、形成方法に応じて、溶剤の蒸気圧、固形分比、粘度などを制御することが好ましい。溶剤としては、水、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、メシチレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、トルエン、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの単独溶媒でも、混合溶媒でも良い。また、塗工性向上のために、必要に応じて界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤などの添加剤を適量混合することがより好ましい。塗布液の乾燥方法としては、EL特性に支障のない程度に前記の溶剤を取り除ければ良く、加熱しても、減圧しても、加熱減圧しても良い。
As a method for forming the organic light emitting
次に、前記の陰極層6を形成する(図1(d))。該陰極層6の材料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはMg,Al,Yb等の金属単体を用いたり、前記の発光媒体と接する界面にLiや酸化Li,LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いる。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いLi,Mg,Ca,Sr,La,Ce,Er,Eu,Sc,Y,Yb等の金属1種以上と、安定なAg,Al,Cu等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはMg,Ag,Al,Li,Cu,Li等の合金が使用できる。該陰極層6の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。該陰極層6の厚さは、10nm〜1000nm程度が望ましいが、透光性陰極層として用いる場合には、これら金属材料を1〜10nm程度の薄膜として積層した後に、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を10〜150nm積層し、電子注入性と透光性の両立を図ることが好ましい。 Next, the cathode layer 6 is formed (FIG. 1D). As the material of the cathode layer 6, a substance having a high electron injection efficiency is used. Specifically, a single metal such as Mg, Al, or Yb is used, or a compound such as Li, oxidized Li, or LiF is sandwiched by about 1 nm at the interface in contact with the light emitting medium, and Al or Cu having high stability and conductivity. Are used in a stacked manner. Alternatively, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, and Yb having a low work function and stable Ag, Al An alloy system with a metal element such as Cu or Cu is used. Specifically, alloys such as Mg, Ag, Al, Li, Cu, and Li can be used. The cathode layer 6 can be formed by a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method, depending on the material. The thickness of the cathode layer 6 is preferably about 10 nm to 1000 nm, but when used as a light-transmitting cathode layer, ITO (indium tin composite oxide) is formed after laminating these metal materials as a thin film of about 1 to 10 nm. ), A metal composite oxide such as indium zinc composite oxide, zinc aluminum composite oxide or the like is preferably laminated to have a thickness of 10 to 150 nm so as to achieve both electron injecting property and light transmitting property.
最後に、前記の接着層7を介して前記の封止基材8を積層する(図(e))。該接着層7の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン、フェノール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱硬化型接着性樹脂、光硬化型接着性樹脂、熱可塑型接着性樹脂などを用いることができる。特に、耐湿性、耐水性に優れ、硬化時の収縮が少ないエポキシ樹脂系接着性樹脂を用いることが好ましい。該接着層7の形成方法としては、材料に応じて、ロールコート、スピンコート、スクリーン印刷法、スプレーコートなどのコーティング法、印刷法を用いることができる。該接着層7は、含有水分を極力少なくすることが好ましい。また、該接着層7内部には、硬化時の残留応力を緩和し接着性を向上するために、プラスチック微粒子、アクリルゴム、ニトリルゴムなどのゴム微粒子を、単成分もしくは多成分のフィラーを混入しても良い。該接着層7の厚みとしては、特に制限はないが、なるべく薄膜であることが好ましく、1〜100μm程度、さらに5〜20μmであることがより好ましい。
Finally, the sealing substrate 8 is laminated via the adhesive layer 7 (FIG. (E)). As a material of the
前記の封止基材8としては、ガラスや、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート、ポリカーボネートなどのプラスチックフィルム上に、酸化珪素、酸化アルミニウムなどの金属酸化物や、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物や、弗化アルミニウムなどの金属弗化物や、アルミニウム、ニッケル、銅などの金属や合金を蒸着したフィルムや、これら金属材料からなる金属箔や合金箔、ガラス板、金属板などを用いることができる。前記の接着層7との接着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、UVオゾン処理などの表面処理を施すことが好ましく、さらには透光性に支障が無い範囲内で、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素などの無機絶縁薄膜や、クロム、チタンなどの金属薄膜などの薄膜を挿入しても良い。また、該封止基材8側から光を取り出す場合には、必要に応じて、カラーフィルター層や色変換層、反射防止フィルム、偏向フィルム、防汚フィルム、耐擦傷フィルムなどを、必要に応じて設けた基材を用いても良い。
As the sealing substrate 8, a metal oxide such as silicon oxide or aluminum oxide, or a metal nitride such as silicon nitride or aluminum nitride is formed on a plastic film such as glass or polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate or polycarbonate. Also, metal fluorides such as aluminum fluoride, films deposited with metals and alloys such as aluminum, nickel, copper, metal foils and alloy foils made of these metal materials, glass plates, metal plates, etc. can be used. . In order to improve the adhesiveness with the
発明を実施するための最良の形態に基づいた実施例及び比較例1、2を図1に従って説明する。 Examples and Comparative Examples 1 and 2 based on the best mode for carrying out the invention will be described with reference to FIG.
まず、支持基材1としてガラス基材を用い、該支持基材1上にスパッタリング法で陽極層2としてITO膜を150nm形成した後に、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法によって、ITO膜をパターニングした(図1(a))。
First, a glass substrate was used as the supporting substrate 1, and an ITO film having a thickness of 150 nm was formed as the
次に、前記の陽極層2上に樹脂層3を、クレゾール樹脂からなる光感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィー法を用いてパターニング形成した(図1(b))。この時、該樹脂層3内部には、予め、粒径1μmのゼオライトを内包したマイクロカプセル化した乾燥剤4を混入した。
Next, the resin layer 3 was patterned on the
次に、有機発光媒体層5として、正孔輸送層にポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物(20nm)、蛍光体層にポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン](MEHPPV)(100nm)を、それぞれスピンコート法により形成した(図1(c))。
Next, as the organic light-emitting
次に、陰極層を形成する前に、真空中において、150℃6時間加熱を行い、前記の乾燥剤4の脱水を行った。 Next, before forming the cathode layer, the drying agent 4 was dehydrated by heating in vacuum at 150 ° C. for 6 hours.
次に、前記の有機発光媒体層5上に陰極層6として、真空蒸着法によりCa(5nm)とAg(100nm)をこの順に積層した(図1(d))。
Next, Ca (5 nm) and Ag (100 nm) were laminated in this order as a cathode layer 6 on the organic light emitting
次に、接着層7として2液硬化型のエポキシ接着剤、前記の封止基材8としてガラス基板を用い、封止を行い、有機EL素子を作製した(図1(e))。
Next, sealing was performed using a two-component curable epoxy adhesive as the
このようにして得られた有機EL素子は、5Vの電圧印可で1000cd/m2の発光が得られた。また、60℃90%RH下に4000時間保存しても、ダークスポットの拡大は観察されなかった。 The organic EL element thus obtained emitted light of 1000 cd / m 2 under a voltage of 5V. Further, even when stored at 60 ° C. and 90% RH for 4000 hours, no expansion of dark spots was observed.
<比較例1>
陰極層6形成前にベークを行わずに該陰極層6を成膜した以外は、実施例と同様にして有機EL素子を得た。該有機EL素子に5Vの電圧を印可した結果、1000cd/m2の発光が得られたが、発光初期において既にダークスポットが発生した。また、60℃90%RH下に500時間保存した結果、該有機EL素子端部から侵入した水分が、水分に対する隔壁としての前記の樹脂層3と前記の封止基材8との接着界面を通り、該有機EL素子を非発光化したため、画素面積が初期100%に対して20%になった。
<Comparative Example 1>
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example except that the cathode layer 6 was formed without baking before the cathode layer 6 was formed. As a result of applying a voltage of 5 V to the organic EL element, light emission of 1000 cd / m 2 was obtained, but a dark spot was already generated in the early stage of light emission. In addition, as a result of storage at 60 ° C. and 90% RH for 500 hours, the moisture entering from the end of the organic EL element causes the adhesive interface between the resin layer 3 and the sealing substrate 8 as a partition wall to moisture. As described above, since the organic EL element was made non-light emitting, the pixel area was 20% with respect to the initial 100%.
<比較例2>
樹脂層3内部に前記の乾燥剤4を混入しない以外は、実施例と同様の構成で前記の有機EL素子を作製した。該有機EL素子に5Vの電圧を印可した結果、5Vの電圧印可で1000cd/m2の発光が得られた。また、60℃90%RH下に2000時間保存した時点でダークスポットが拡大をはじめ、4000時間保存した時点で発光しなくなった。
<Comparative example 2>
The said organic EL element was produced by the structure similar to the Example except not having mixed the said desiccant 4 in the resin layer 3 inside. As a result of applying a voltage of 5 V to the organic EL element, light emission of 1000 cd / m 2 was obtained by applying a voltage of 5 V. Further, the dark spot started to expand when stored at 60 ° C. and 90% RH for 2000 hours, and did not emit light when stored for 4000 hours.
上述の発明は、情報表示端末などのディスプレイや面発光光源として利用可能である。 The above-described invention can be used as a display such as an information display terminal or a surface emitting light source.
1・・・支持基材
2・・・陽極層
3・・・樹脂層
4・・・乾燥剤
5・・・有機発光媒体層
6・・・陰極層
7・・・接着層
8・・・封止基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
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JP2013168572A (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Toppan Printing Co Ltd | Organic thin-film solar cell element |
WO2016046914A1 (en) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | パイオニア株式会社 | Light emitting device |
JP2017199682A (en) * | 2017-05-22 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
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- 2005-02-16 JP JP2005038683A patent/JP2006228493A/en active Pending
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JP2013168572A (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Toppan Printing Co Ltd | Organic thin-film solar cell element |
WO2016046914A1 (en) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | パイオニア株式会社 | Light emitting device |
JP2017199682A (en) * | 2017-05-22 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
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