JP2006227418A - 電気泳動表示装置及びその製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 透明電極基板よって半導体回路層を損傷することのない、フレキシブル性に富む電気泳動表示装置を提供する。
【解決手段】 可撓性基板(11)の一面に複数の駆動電極を含む半導体回路層(13)が形成された半導体回路基板(10)と、透明基板(31)の一面に透明電極層(32)が形成されて、該透明電極層が半導体回路層に対向するように配置される透明電極基板(30)と、半導体回路層と透明電極層間に配置される電気泳動表示層(20)と、を含み、透明電極基板(30)が半導体回路基板(10)よりも柔軟に形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、媒体中の荷電粒子が電圧の印加によって移動する電気泳動を画像形成などに利用した電気泳動表示装置に関する。

電気泳動表示装置は、例えば、ガラスの表面にＩＴＯ膜（錫がドープされた酸化インジウム膜）を形成した２つの透明電極基板間に電気泳動表示用分散液が封止されて構成される。電気泳動表示分散液は一つ又は複数の種類の色の電気泳動粒子と電気泳動分散媒を含む。２つの電極間への電圧の印加によって電気泳動粒子が電気泳動分散媒中を移動してその存在位置が変わることによって情報の表示を行っている。
特開平１０−１４９１１８号公報

しかしながら、電気泳動表示装置の電子ペーパーなどの各種電子機器への応用を考えた場合、全体が柔軟性に富んだ可撓性基板に形成された電気泳動表示装置が望ましい。このような可撓性に富む電気泳動表示装置を得るためには、柔軟性に優れた材料、例えば、プラスチック材料などを薄膜基板として電気泳動表示装置を作成する必要がある。

従って、プラスチック基板上に透明な電極層を形成する必要がある。また、プラスチック基板上に半導体回路層を形成する必要がある。透明電極層はＩＴＯによって形成されるが、ＩＴＯは薄膜半導体回路層よりも硬い。透明電極を形成したプラスチック基板と薄膜半導体層を形成したプラスチック基板とを貼り合わせるときに、ＩＴＯが薄膜半導体回路層に食い込んでクラックが発生することが考えられる。クラックは徐々に伸張し、半導体素子や回路を破壊する原因となる。

よって、本発明の目的は、半導体素子を損傷することのない、フレキシブル性に富む電気泳動表示装置を提供することである。

また、本発明の他の目的は、半導体素子を損傷することのない、フレキシブル性に富む電気泳動表示装置の製造方法を提供することである。

更に、本発明の他の目的は、電気泳動表示装置を表示部に用いる電子機器の信頼性を向上することである。

上記目的を達成するため本発明の電気泳動表示装置は、可撓性基板の一面に複数の駆動電極を含む半導体回路層が形成された半導体回路基板と、透明基板の一面に透明電極層が形成されて、該透明電極層が上記半導体回路層に対向するように配置される透明電極基板と、上記半導体回路層と上記透明電極層間に配置される電気泳動表示層と、を含み、上記透明電極基板が上記半導体回路基板よりも柔軟に形成されてなる。

かかる構成とすることによって、可撓性（フレキシビリティ）を損なうことなく、透明電極基板による半導体回路層へのダメージが低減される。

より具体的には、上記透明電極基板は上記半導体回路基板よりも柔らかい材料で形成される。また、上記透明電極基板の厚さが上記半導体回路よりも薄く形成される。

好ましくは、上記可撓性基板の厚みが２５〜２００μｍの範囲内にある。下地基板としての所要の機械的強度を得るためには２５μｍ程度の膜厚が必要である。また、下地基板として柔軟性を保つためには２００μｍ以下の膜厚とすることが好ましい。

また、本発明の電子機器は上述した構成の電気泳動表示装置を表示部に使用する。それにより、表示器の信頼性の高い電子機器を得ることが可能となる。

また、本発明の電気泳動表示装置の製造方法は、可撓性基板上に薄膜の半導体回路層を形成して半導体回路基板を得る第１の工程と、上記可撓性基板よりも柔軟な材質又は薄い膜厚の透明導電シート上に電気泳動表示層を形成して電気泳動表示シートを得る第２の工程と、上記第１の工程で形成された半導体回路基板と上記第２の工程で形成された電気泳動表示シートとを貼り合わせる第３の工程と、を備える。

好ましくは、上記第３の工程の張り合せは、真空ラミネータを用いて半導体回路基板と第２の工程で形成された電気泳動表示シートとをラミネートする。

また、本発明の電気泳動表示装置の製造方法は、可撓性基板上に薄膜の半導体回路を形成して半導体回路基板を得る第１の工程と、上記半導体回路基板の半導体回路層上に電気泳動表示層を形成する第２の工程と、上記電気泳動表示層の上に導電性樹脂材料を塗布し、これを固化させて透明電極層を形成する工程と、上記透明電極層上に透明な絶縁性樹脂を塗布し、これを固化させて保護膜を得る工程と、を備える。

好ましくは、上記第２の工程で形成される電気泳動表示層は分散媒とこの分散媒中に分散している一種類以上の電気泳動粒子とが内部に封入されたマイクロカプセルとバインダとをコーティングすることによって形成されている。

また、上記第２の工程で形成される電気泳動表示層は区画化された領域（容器）とこの領域に注入された一種類以上の電気泳動粒子と分散媒とを含む。

また、本発明の電子機器は、上述した電気泳動表示装置を表示部として用いる電子機器であり、ここで、電子機器には、ビデオカメラ、テレビ、大型スクリーン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、携帯型情報機器（いわゆるＰＤＡ）、その他各種のものが含まれる。

本発明によれば、フレキシブル性を損なうことなく、透明電極基板による半導体回路層へのダメージが低減される。それによって、製品寿命、歩留まりが向上する。

（実施例１）
本発明の実施例の電気泳動表示装置の第１の実施例を図１に示す。同図に示されるように、電気泳動表示装置１は、大別して可撓性の半導体回路基板１０、電気泳動表示層２０及び可撓性の透明電極基板３０によって構成される。

この実施例では、透明電極基板３０が半導体回路基板１０よりも薄くあるいは柔軟になるように形成されている。また、透明電極基板３０の外周のエッジが半導体回路基板１０に突き当たらないように形成されている。

半導体回路基板１０は、回路を形成する絶縁性下地基板としての可撓性基板１１と薄膜の半導体回路層１３とを含む。可撓性基板１１は、例えば、膜厚２００μｍのポリカーボネート基板である。この可撓性基板１１上にＵＶ（紫外線）硬化型接着剤１２を介して半導体回路層１３が積層（接着）されている。このような可撓性基板（樹脂基板）上に、薄膜半導体回路を形成する場合には、例えば、特開平１０−１２５９３１号公報、特開平１１−２６７３３号公報、特開２００４−３２７８３６号公報等で紹介されている、耐熱基板（ガラス基板）上で薄膜半導体回路を形成してこの薄膜半導体回路を樹脂基板上に全体的にあるいは部分的に転写する薄膜回路の転写手法（以下、「薄膜回路転写法」という。）を使用することができる。

半導体回路層１３には、行方向及び列方向にそれぞれ複数配列された配線群、画素電極群、画素駆動回路等が形成されている。駆動回路にはＴＦＴ(薄膜トランジスタ)が使用されている。また、後述するように、半導体回路基板１０には、駆動画素を選択する行デコーダ及び列デコーダが形成されている。マトリクス状に配列された画素電極群は画像（２次元情報）を表示する表示領域部１４を形成している。また、半導体回路層１３の外周部には透明電極基板３０の透明電極３２との接続用の接続電極１５が形成されている。半導体回路基板１０の膜厚は、薄膜回路形成の際の基板の物理的強度の点から２５μｍ以上あることが望ましく、基板の可撓性（フレキシビリティ）確保の点からは２００μｍ以下であることが望ましい。

半導体回路基板１０の表示領域部１４上に多数のマイクロカプセル２１がバインダ２２で固定されて電気泳動表示層２０を形成している。マイクロカプセル２１内には電気泳動分散媒、電気泳動粒子が含まれている。電気泳動粒子は印加電圧に応じて電気泳動分散媒中を移動する性質を有し、一種類（一色）以上の電気泳動粒子が使用される。電気泳動表示層２３の膜厚は、例えば、５０〜７５μｍである。

この電気泳動表示層２３上を透明電極基板３０が覆っている。透明電極基板３０は下面に透明電極３２が形成された薄膜フィルム（透明な絶縁性合成樹脂基材）３１で構成されている。薄膜フィルム３１は電気泳動表示層２０の封止及び保護の役割を担っている。例えば、透明電極基板３０の下地となる薄膜フィルムはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムであり、例えば、透明電極基板３０の膜厚は１００μｍである。

透明電極層３２は、例えば、錫がドープされた酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）である。透明電極層３２は薄膜フィルム３１の外周部で半導体回路層１３の接続電極１５と導電材料２４を介して接続されている。例えば、導電材料２４としてはカーボン微粒子と結合材を含むカーボンペーストが用いられる。

透明電極基板３０の外形は、電気泳動表示層２０の外周に配置された接続電極１５（接続部材２４）から僅かにはみ出す大きさであるが、半導体回路基板１０よりも小さい。また、透明電極基板３０は、半導体回路基板１１よりも薄い膜厚に設定される。透明電極基板３０の膜厚は、そのＩＴＯ膜３２が半導体回路基板１０にダメージを与えない一応の目安として、半導体回路基板１０の１／２以下であることが望ましい。

上述のように、透明電極基板３０の膜厚が相対的に薄いと、透明電極基板３０に生じる応力が少なくて半導体回路基板１０に与える影響が少ない。また、透明電極基板３０の電気泳動表示層２０からのはみ出しが少ないと、透明電極基板３０の透明電極層の半導体回路基板１０への当接が回避され、半導体回路層１３に与えるダメージが減少する。また、透明電極基板３０が柔らかいと、透明電極基板３０のエッジが半導体回路基板１０に当接した場合に半導体回路層１３に与えるダメージが減少する。

次に、上述した電気泳動表示装置の製造方法について図２を参照して説明する。同図において、図１と対応する部分には同一符号を付している。

まず、図２（Ａ）に示すように、例えば、上述した薄膜回路転写法を使用して半導体回路基板１０を形成する。すなわち、図示しない石英ガラス基板などの耐熱基板上に剥離層を介してポリシリコンの半導体膜を成膜し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、信号配線、画素電極群などのマトリクス表示器用回路を形成した薄膜半導体回路１３を形成する。この薄膜半導体回路１３上に図示しない仮転写基板を水溶性接着剤で貼り合わせ、剥離層を光照射などによって破壊して薄膜半導体回路１３を仮転写基板側に転写する。次に、仮転写基板の薄膜半導体回路１３を非溶解性接着剤１２を介して可撓性の樹脂基板１１に貼り合わせる。可撓性基板１１は、例えば、膜厚２００μｍのポリカーボネート基板である。更に、仮転写基板と薄膜半導体回路１３基板間の水溶性接着剤を溶解して除去し、仮転写基板を分離する。このようにして、仮転写基板から可撓性基板１１上に薄膜半導体回路１３を剥離転写して薄膜半導体回路基板１０を形成する。

図２（Ｂ）に示すように、別工程において、透明電極基板３０を形成する。透明電極基板３０は、透明な絶縁材料であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３１上にＩＴＯ３２をスパッタ法などによって蒸着し、ＩＴＯ膜が形成されたＰＥＴフィルムを得ることができる。透明電極基板３０のＩＴＯ面上にマイクロカプセル２１とバインダ２２の混合液を、例えば、ロールコーターを用いて均一に塗布する。塗布後、８０℃で２０分間乾燥させ、透明電極基板３０上に電気泳動表示層２０を形成して膜厚１００μｍの電気泳動表示シートを形成する。

図２（Ｃ）に示されるように、半導体回路基板１０上に設けられている共通電極（ＩＴＯ電極）通電用の電極１５上にカーボンペースト２４をシリンジやイクジェット法、オフセット印刷法等によって適量配置する。半導体回路基板１０上の表示領域部１４に電気泳動表示層２０が位置するように、電気泳動表示シート（２０，３０）と、半導体回路基板１０とを対向させて位置合せし、図示しない真空ラミネータにて減圧雰囲気下で９０℃、０．８ＭＰａの圧力によってラミネートを行い、半導体回路基板１０、電気泳動表示層２０及び透明電極基板３０を貼り合わせて電気泳動表示装置を作製した。

なお、上述した第１の実施例では各種膜材料の一例を示したが、これに限定されるものではなく、種々の材料を使用可能である。例えば、
可撓性基板１１としては軽量性、可撓性、弾性などに優れた樹脂材料を用いることができ、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ-(４-メチルペンテン-1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル-スチレン共重合体、ブタジエンースチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロへキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不蝕和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。可撓性基板の厚みは１〜５００μｍ程度、より好ましくは、機械的強度と可撓性の点から２５〜２００μｍ程度である。

薄膜半導体回路層１３としては、例えば、図示しないゲート線及びデータ線に接続されたＴＦＴ及びこれに接続された電極を含む画素部と、ゲート線及びデータ線に電圧を与えて画素部を駆動するためのＴＦＴを含むドライバ部とから構成されている。

接着層１２として用いられる材料は、例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。特に、工程のタクトタイム低減の観点からは光硬化性接着剤を用いることが好ましい。上記の光硬化性材料としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系の光硬化性材料を用いることができる。また、接着層の厚さは、１μｍ〜１ｍｍ程度、さらに好ましくは１０〜１００μｍ程度である。

上述したように、本発明の電気泳動表示装置は電気泳動分散媒と分散媒中に封入された電気泳動粒子とを封入したマイクロカプセルとバインダとで均一に塗工されている。

電気泳動分散媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等の各種エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ペンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩又はその他の種々の油類等の単独又はこれらの混合物に界面活性剤等を配合したものを用いることができる。

電気泳動粒子は、前述したように、電気泳動分散媒中で電位差による電気泳動を行って所望の電極側に移動する性質を有する粒子（高分子あるいはコロイド）である。例えば、アニリンブラックやカーボンブラック等の黒色顔料、二酸化チタンや亜鉛華、三酸化アンチモン、酸化アルミニウム等の白色顔料、モノアゾやジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、イソインドリノンや黄鉛、黄色酸化鉄、カドミウムイエロー、チタンイエロー、アンチモン等の黄色顔料、キナクリドンレッドやクロムバーミリオン等の赤色顔料、フタロシアニンブルーやインダスレンブルー、アントラキノン系染料、紺青、群青、コバルトブルー等の青色顔料、フタロシアニングリーン等の緑色顔料等で有る。此等の粒子は単独で使用しても良いし、或いは二種類以上を共に用いても良い。さらにこれらの顔料には必要に応じて電解質や界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、或いはチタンカップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加することができる。
マイクロカプセル２１を構成する材料としては、アラビアゴム・ゼラチン系の化合物やウレタン系の化合物等の柔軟性を有するものを用いるのが好ましい。マイクロカプセル２１は界面重合法や不溶化反応法、相分離法或いは界面沈殿法等の公知のマイクロカプセル２１化手法を用いて形成できる。またマイクロカプセル２１は、大きさがほぼ均一であることが優れた表示機能を発揮せしめる上で好ましい。大きさがほぼ均一なマイクロカプセル２１は、例えば、濾過又は比重差分級等を用いて得ることができる。マイクロカプセル２１の大きさは通常３０〜６０μｍ程度である。
電気泳動表示層２０は、上述のマイクロカプセル２１をバインダ樹脂２２中に所望の誘電率調節剤とともに混合し、得られた樹脂組成物（エマルジョンあるいは有機溶媒溶液）を基材上にロールコーターを用いる方法やロールラミネータを用いる方法、スクリーン印刷による方法、スプレー法等の公知のコーティング法を用いて形成することができる。

使用できるバインダ樹脂２２としては、マイクロカプセル２１と親和性が良好で電極との密着性に優れ、かつ絶縁性を有するものであれば特に制限はない。

かかるバインダ樹脂２２として、上述した絶縁性合成樹脂基材と同様、下記に例示するものを用いることができる。
例えば、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニルアクリル酸エステル共重合体、塩化ビニル−メタクリル酸共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、エチレン−ビニルアルコール−塩化ビニル共重合体、プロピレン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、セルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂。ポリアミド系樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリアミドイミド、ポリアミノビスマレイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリアリレート、グラフト化ポリフィニレンエーテル、ポリエーテルエテルケトン、ポリエーテルイミド等の高分子。ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピレン、四フッ化エチレン−パーフロロアルコキシエチレン共重合体、エチレン−四フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化エチレン、フッ素ゴム等のフッ素系樹脂。シリコーン樹脂、シリコンゴム等の珪素樹脂。その他のバインダ材８として、メタクリル酸−スチレン共重合体、ポリブチレン、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等を用いることができる。また、バインダ材は、特開平１０−１４９１１８号公報に記載の如く、電気泳動表示液１４の誘電率と分散剤の誘電率を略同じとするのが好ましい。

透明電極基板３０は、前述したように、薄膜フィルム３１上に透明導電膜３２が形成されたものである。薄膜フィルム３１としては絶縁性の透明基材で有れば、上述した可撓性基板１１の種々の材料を用いることができる。薄膜フィルム３１の厚みは可撓性基板１１の厚みよりも薄い方がよい。より好ましくは可撓性基板１１の厚みの半分以下程度である。

用いられる透明電極３２としては、例えば、上述したＩＴＯ膜の他に、フッ素がドープされた酸化スズ膜（ＦＴＯ膜）、アンチモンがドープされた酸化亜鉛膜、インジウムがドープされた酸化亜鉛膜、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛膜等を例示することができる。薄膜フィルム３１上透明電極を形成する方法には特に制限はないが、例えば、スパッタ法、電子ビーム法、イオンプレーティング法、真空蒸着法又は化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等により形成することができる。

図３は、本発明の第２の実施例を示している。同図において図１と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。

第２の実施例では、半導体回路基板１０と透明電極基板３０間の電気泳動表示層２０は、マイクロカプセルではなく、仕切２６と電気泳動分散液２７とで構成されている。電気泳動表示層２０は仕切２６によって格子状に細かく画定されており、画定された各領域に電気泳動分散液２７が充填されている。電気泳動分散液２７は電気泳動分散媒中に多数の電気泳動粒子を含んでいる。仕切２６は、電気泳動粒子が表示領域の一部に片寄ることを防止している。実施例では、仕切２６は、例えば、ポリイミドによって形成されている。

この実施例では、半導体回路基板１０は、可撓性基板１１として２００μｍのポリカーボネートフィルム上にＵＶ硬化接着剤１２を介して半導体回路層１３が積層されている。半導体回路層１３に設けられた表示領域１４に各画素を仕切るようにポリイミドの仕切（バンク）２６が形成されている。ポリイミドバンク２６により形成された容器の中に電気泳動粒子と電気泳動分散媒が注入されており、その上が５０μｍのＩＴＯ３２付きＰＥＴフィルム３１の蓋で覆われている。この実施例でも、半導体回路層１３と対向するＩＴＯとの間はカーボンペースト２４により導通がとられている。

次に、第２の実施例に係る電気泳動表示装置の製造方法について図４を参照して説明する。同図において、図３と対応する部分には同一符号を付している。

図４（Ａ）に示されるように、例えば、既述した薄膜回路転写法によって、別途ガラス基板上に形成された薄膜半導体回路層１３をポリカーボネートフィルム１１上に転写し、薄膜半導体回路基板１０を作製する。予め半導体回路層１３の上にはオフセット印刷などによってポリイミドの格子状の仕切（バンク）２６が形成されている。

図５は、表示領域１４に格子状の仕切２６が形成された半導体回路基板１０の例を示している。なお、同図には行デコーダ５０、列デコーダ６０、共通電極パッド７１、外部接続用電極パッド７２が併せて示されている。

次に、図４（Ｂ）に示されるように、仕切２６によって形成されている容器に電気泳動分散液（分散媒と電気泳動粒子）を液滴吐出法（インクジェット法）で注入する。このとき、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各画素毎に３色を打ち分けることにより、カラー化がなされる。カーボンペースト２４もディスペンサーで電極１５上に滴下することができる。

図４（Ｃ）に示されるように、透明電極基板であるＩＴＯ付きＰＥＴフィルム（ＩＴＯ側に接着層あり）３０を半導体回路基板１０に対向して配置して位置合せを行う。図示しない真空ラミネータを用いて温度９０℃、気圧０．８ＭＰａの雰囲気下にてラミネートして貼り合わせ、電気泳動表示装置１が作製される。

第２の実施例においても、透明電極基板３０の外形は、電気泳動表示層２０の外周に配置された接続電極１５（接続部材２４）から僅かにはみ出す大きさであるが、半導体回路基板１０よりも小さい。また、透明電極基板３０は、半導体回路基板１１よりも薄い膜厚に設定される。透明電極基板３０の膜厚は、半導体回路基板１０の１／２以下が好ましい。

上述のように、透明電極基板３０の膜厚が相対的に薄いと、透明電極基板３０に生じる応力が少なくて半導体回路基板１０に与える影響が少ない。また、透明電極基板３０の電気泳動表示層２０からのはみ出しが少ないと、透明電極基板３０の透明電極層の半導体回路基板１０への当接が回避され、半導体回路層１３に与えるダメージが減少する。また、透明電極基板３０が柔らかいと、透明電極基板３０のエッジが半導体回路基板１０に当接した場合に半導体回路層１３に与えるダメージが減少する。

図６は、第３の実施例を示している。同図において、図１と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。

この実施例では、透明電極基板３０が樹脂液の塗布によって形成されている。第１の実施例（図１参照）と同様に、２００μｍのポリカーボネート基板１１上にＵＶ硬化接着剤層１２を介して薄膜半導体回路層１３が積層されている。半導体回路層１３の上部にマイクロカプセル２１及びマイクロカプセル２１を結合するバインダ２２を含む電気泳動表示層２０を配置している。この上に導電性高分子層３２ａが形成され、表示領域１４の外周部で半導体回路層１３の接続電極１５と接続材２４を介して接続される。接続材２４は既述導電性ペーストである。導電性高分子層３２ａの上に電気泳動表示層２０を封止・保護するポリビニルアルコール層３１ａが形成されている。

このようにして形成された電気泳動表示装置１は、透明導電性基板（シート）３０が液体材料（柔らかい材料）によって形成されるので、ラミネートが不要となって端部の断線、クラックの発生が起きにくい（減少する）。

次に、第３の実施例に係る電気泳動表示装置の製造方法について図７を参照して説明する。同図において、図２と対応する部分には同一符号を付している。
製造方法
図７（Ａ）に示すように、例えば、上述した薄膜回路転写法を使用して、膜厚２００μｍのポリカーボネートの可撓性基板１１上に薄膜半導体回路層１３を接着層１２によって貼り合わせて半導体回路基板１０を形成する（図２（Ａ）参照）。

図７（Ｂ）に示すように、半導体回路層１０の画素領域１４にマイクロカプセルとバインダの混合溶液をロールコーター等によって均一に塗布する。塗布後、温度８０℃で２０分間乾燥し、電気泳動表示層２０を形成する。ディスペンサーによってカーボンペースト２４を接続電極１５上に塗布する。

図７（Ｃ）に示すように、導電性高分子溶液３２ａを広口ノズルのディスペンサーによって電気泳動表示層２０とカーボンペースト２４の上を覆う。導電性高分子溶液３２ａを乾燥後、同様に、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）溶液３１ａを導電性高分子層３２ａ上に塗布し、乾燥して保護膜コーテイングを行う。このようにして、電気泳動表示装置１が形成される。

この実施例では、透明導電性シートが液体材料（柔らかい材料）によって形成されるので、ラミネート工程が不要となって張り合せの際の端部の断線、クラックの発生を回避することが可能となる。

（電子機器）
本発明の電気泳動表示装置は各種の電子機器の表示部に適用可能である。図８は、電気泳動表示装置を表示部に使用した電子機器の例を示している。

同図は携帯電話への適用例であり、携帯電話５３０は、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４、及び本発明の電気泳動表示装置１００を備えている。このように本発明の電気泳動表示装置１０を携帯電話２３０の表示部として利用可能である。

上記例に限らず本発明の電気泳動表示装置は、画像表示や文字表示を行う種々の電子機器に適用可能である。例えば、電子ペーパー、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。

図１は本発明の第１の実施例を示す電気泳動表示装置の断面図である。 図２は第１の実施例の製造工程を説明する工程図である。 図３は本発明の第２の実施例を示す電気泳動表示装置の断面図である。 図４は第２の実施例の製造工程を説明する工程図である。 図５は第２の実施例の半導体回路基板を説明する平面図である。 図６は第３の実施例を示す電気泳動表示装置の断面図である。 図７は第３の実施例の製造工程を説明する工程図である。 図８は本発明の電気泳動表示装置を表示部に使用した電子機器の例を説明する説明図である。

符号の説明

１０ 半導体回路基板、１１ 可撓性基板、１２ 接着剤層、１３ 薄膜半導体回路層２０ 電気泳動表示層、２１ マイクロカプセル、２２ バインダ、３０ 透明電極基板、３１ 透明基板、３２ 透明電極層

Claims (8)

1. 可撓性基板の一面に複数の駆動電極を含む半導体回路層が形成された半導体回路基板と、
   透明基板の一面に透明電極層が形成されて、該透明電極層が前記半導体回路層に対向するように配置される透明電極基板と、
   前記半導体回路層と前記透明電極層間に配置される電気泳動表示層と、を含み、
   前記透明電極基板が前記半導体回路基板よりも柔軟に形成された、電気泳動表示装置。
2. 前記透明電極基板は前記半導体回路基板よりも柔らかい材料で形成される、請求項１に記載の電気泳動表示装置。
3. 前記透明電極基板の厚さが前記半導体回路よりも薄く形成される、請求項１に記載の電気泳動表示装置。
4. 前記可撓性基板の厚みが２５〜２００μｍの範囲内にある、請求項１に記載の電気泳動表示装置。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の電気泳動表示装置を表示部に使用する電子機器。
6. 可撓性基板上に薄膜の半導体回路層を形成して半導体回路基板を得る第１の工程と、
   前記可撓性基板よりも柔軟な材質又は薄い膜厚の透明導電シート上に電気泳動表示層を形成して電気泳動表示シートを得る第２の工程と、
   前記第１の工程で形成された半導体回路基板と前記第２の工程で形成された電気泳動表示シートとを貼り合わせる第３の工程と、
   を備えることを特徴とする電気泳動表示装置の製造方法。
7. 前記第３の工程の張り合せは、真空ラミネータを用いて半導体回路基板と第２の工程で形成された電気泳動表示シートとをラミネートすることを特徴とする請求項６に記載の電気泳動表示装置の製造方法。
8. 可撓性基板上に薄膜の半導体回路を形成して半導体回路基板を得る第１の工程と、
   前記半導体回路基板の半導体回路層上に電気泳動表示層を形成する第２の工程と、
   前記電気泳動表示層の上に導電性樹脂材料を塗布し、これを固化させて透明電極層を形成する工程と、
   前記透明電極層上に透明な絶縁性樹脂を塗布し、これを固化させて保護膜を得る工程と、
   を備える電気泳動表示装置の製造方法。
   
   

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