JP2006210806A - 熱電変換モジュールの製造方法およびその製造方法に適用される絶縁性基板 - Google Patents
熱電変換モジュールの製造方法およびその製造方法に適用される絶縁性基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006210806A JP2006210806A JP2005023513A JP2005023513A JP2006210806A JP 2006210806 A JP2006210806 A JP 2006210806A JP 2005023513 A JP2005023513 A JP 2005023513A JP 2005023513 A JP2005023513 A JP 2005023513A JP 2006210806 A JP2006210806 A JP 2006210806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric conversion
- insulating substrate
- type
- dividing
- divided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 181
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 179
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 3
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】 様々な大きさの熱電変換モジュールを低コストで効率的に製造可能とする。
【解決手段】 絶縁性基板30に、P型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合する複数の素子嵌合孔3と、絶縁性基板30を分割するための1つ以上の分割線6(6a,6b)とを形成する(図1(a))。その後、分割線6aに沿って絶縁性基板30を分割することによる分割基板1の形成と、素子嵌合孔3への対応するP型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)の貫通嵌合と、熱電変換素子貫通嵌合後に、P型とN型の熱電変換素子5a,5bを電極2を介して交互に電気的に接続することによる分割基板1毎の熱電変換素子回路の形成とを行う(図1(b))。分割線6aは分割基板1毎の熱電変換素子の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子を接続始端として他方の型の熱電変換素子を接続終端とする回路となるように形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁性基板30に、P型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合する複数の素子嵌合孔3と、絶縁性基板30を分割するための1つ以上の分割線6(6a,6b)とを形成する(図1(a))。その後、分割線6aに沿って絶縁性基板30を分割することによる分割基板1の形成と、素子嵌合孔3への対応するP型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)の貫通嵌合と、熱電変換素子貫通嵌合後に、P型とN型の熱電変換素子5a,5bを電極2を介して交互に電気的に接続することによる分割基板1毎の熱電変換素子回路の形成とを行う(図1(b))。分割線6aは分割基板1毎の熱電変換素子の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子を接続始端として他方の型の熱電変換素子を接続終端とする回路となるように形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば光通信用部品、理化学機器、携帯用クーラ、半導体プロセス中でのプロセス温度管理等に用いられて冷却や加熱を行う熱電変換モジュールや、ゼーベック効果を利用して発電を行う熱電変換モジュールの製造方法およびその製造方法に適用される絶縁性基板に関するものである。
ペルチェモジュール等の熱電変換モジュールが、光通信分野等の様々な分野に用いられており、様々な熱電変換モジュールの構成が提案されている。図7には、代表的な熱電変換モジュールの構造の一例が示されている。この熱電変換モジュールはペルチェモジュールであり、複数の素子嵌合孔3を有する絶縁性基板(絶縁支持板)30の素子嵌合孔3に、熱電変換素子5(5a,5b)を貫通嵌合して形成されている。(例えば特許文献1、2、参照。)。
ペルチェモジュールの熱電変換素子5(5a,5b)は、ペルチェ素子として一般的に知られており、P型半導体により形成されたP型(p型)の熱電変換素子5aと、N型半導体により形成されたN型(n型)の熱電変換素子5bとを有する。P型およびN型の熱電変換素子5(5a,5b)は、例えば長さが0.5〜3.0mm程度のビスマス・テルル等の半導体単結晶で構成されている。
前記絶縁性基板30は、例えば厚さが0.2〜1.0mm程度の電気絶縁物の板、例えばガラスエポキシ板により構成されており、この絶縁性基板30の上下側に、熱電変換素子5(5a,5b)が、例えば0.1〜1.6mm程度突出するように、P型の熱電変換素子5aとN型の熱電変換素子5bが、それぞれ、対応する素子嵌合孔3に貫通嵌合されて交互に配置されている。
また、P型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)の素子嵌合孔3への貫通方向の一端側(ここでは上側)と他端側(ここでは下側)には、それぞれ電極2が配置されている。これらの電極2はいずれも半田付け等により熱電変換素子5(5a,5b)に接合されており、熱電変換素子5(5a,5b)は、対応する電極2を介して電気的に直列に接続されて熱電変換素子5(5a,5b)の回路(PN素子対)が形成されている。なお、図に半田は図示されていない。また、熱電変換素子5(5a,5b)の回路は、図示されていないリード端子とリード線を介して電源回路等に接続されている。
上記熱電変換素子5(5a,5b)の回路に電流を流すと、P型の熱電変換素子5aとN型の熱電変換素子5bに電極2を介して電流が流れて、熱電変換素子5(5a,5b)と電極2との接合部(界面)で冷却・加熱効果が生じる。つまり、前記接合部を流れる電流の方向によって熱電変換素子5(5a,5b)の一方の端部が発熱せしめられると共に他方の端部が冷却せしめられるいわゆるペルチェ効果が生じる。
このペルチェ効果によって熱電変換素子5(5a,5b)の一方の端部、例えば上端部が発熱せしめられると、この熱がペルチェモジュールの上側に設けられた部材に伝えられ、この部材の加熱が行われる。また、その逆に、ペルチェ効果によって熱電変換素子5(5a,5b)の例えば上端部が冷却せしめられると、ペルチェモジュールの上側に設けられた部材の冷却(吸熱)が行われる。
ところで、近年、ペルチェモジュール等の熱電変換モジュールにおいて、用途に合わせた様々な大きさの熱電変換モジュールが求められるようになってきている。
しかしながら、このような需要に対応させて、様々な大きさの絶縁性基板30を個々に形成するには、それぞれの絶縁性基板30に対応させて様々な大きさの金型を形成しなければならないため、金型の作製に時間やコストがかかり、また、その金型を用いて個々に絶縁性基板30を形成する作業にも時間がかかるため、その分だけ熱電変換モジュールのコストアップを招くといった問題が生じる。
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、熱電変換モジュールの大きさの需要に対応させて、様々な大きさの熱電変換モジュールを低コストで効率的に製造可能な熱電変換モジュールの製造方法とその製造方法に適用される絶縁性基板を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は次のような構成をもって課題を解決するための手段としている。すなわち、第1の発明の熱電変換モジュールの製造方法は、絶縁性基板にP型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合するための複数の素子嵌合孔を互いに間隔を介して配列形成する工程と、前記絶縁性基板を分割するための1つ以上の分割線を形成する工程と、前記絶縁性基板に前記素子嵌合孔と前記分割線とを形成した後に、該分割線の少なくとも1つに沿って前記絶縁性基板を分割して分割基板を形成する工程と、前記素子嵌合孔にそれぞれ対応するP型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合する工程と、該熱電変換素子の貫通嵌合工程の後に、前記P型とN型の熱電変換素子を電極を介して交互に前記分割基板毎に電気的に接続して熱電変換素子の回路を形成する工程とを有し、前記分割線は前記分割基板毎の熱電変換素子の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子を前記回路の接続始端として他方の型の熱電変換素子を前記回路の接続終端とする回路となるように前記素子嵌合孔の配列形態を分ける態様に形成する構成をもって課題を解決する手段としている。
また、第2の発明の熱電変換モジュールの製造方法は、上記第1の発明の構成に加え、前記分割線は絶縁性基板の表面側と裏面側の少なくとも一方側に形成した溝と分割線の長手方向に破線状に形成した孔の少なくとも一方を設けて形成する構成をもって課題を解決する手段としている。
さらに、第3の発明の熱電変換モジュールの製造方法は、上記第1または第2の発明の構成に加え、前記分割線は絶縁性基板を互いに異なる複数通りの分割形態に分割できる態様に複数本形成し、前記複数本の分割線のうちの少なくとも一部の分割線を選択し、該選択した分割線に沿って前記絶縁性基板を分割して分割基板を形成する構成をもって課題を解決する手段としている。
さらに、第4の発明の熱電変換モジュールの製造方法は、上記第1または第2または第3の発明の構成に加え、前記分割線に沿った絶縁性基板の分割を行う前に、前記分割線に沿った絶縁性基板の分割により形成されると想定される分割基板毎の熱電変換素子の回路の接続始端および接続終端に接続される端子の取り付け用の接続用孔部を、絶縁性基板の外周側端部領域に形成する構成をもって課題を解決する手段としている。
さらに、第5の発明の絶縁性基板は、上記第1乃至第4のいずれか一つの発明の熱電変換モジュールの製造方法に適用される絶縁性基板であって、該絶縁性基板はP型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合するための互いに間隔を介して配列形成された複数の素子嵌合孔と、絶縁性基板を分割することにより複数の分割基板を形成するための1つ以上の分割線とを有しており、該分割線の少なくとも1つに沿って前記絶縁性基板を分割して形成される分割基板毎に、前記素子嵌合孔にそれぞれ貫通嵌合されるP型とN型の熱電変換素子を電極を介して交互に電気的に接続して熱電変換素子の回路を形成することを想定した場合に、該熱電変換素子の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子を前記回路の接続始端として他方の型の熱電変換素子を前記回路の接続終端とする回路となるように前記素子嵌合孔の配列形態を分ける態様に前記分割線が形成され、前記複数の分割基板毎の熱電変換素子の回路の接続始端と接続終端とに接続される端子の取り付け用の接続用孔部が絶縁性基板の外周側端部領域に形成されている構成をもって課題を解決する手段としている。
本発明の熱電変換モジュールの製造方法によれば、絶縁性基板にP型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合するための複数の素子嵌合孔を互いに間隔を介して配列形成する工程と、前記絶縁性基板を分割するための1つ以上の分割線を形成する工程と、前記絶縁性基板に前記素子嵌合孔と前記分割線とを形成した後に、該分割線の少なくとも1つに沿って前記絶縁性基板を分割して分割基板を形成する工程とを有しているので、1つの絶縁性基板を用いて、絶縁性基板に素子嵌合孔を複数配列形成した複数の分割基板を形成することができる。
つまり、本発明によれば、1つの分割基板の大きさに対応させて、その大きさの絶縁性基板を形成するための様々な種類の金型を製造しなくても、分割前の絶縁性基板の金型を用いて絶縁性基板を製造し、その後、絶縁性基板を適宜の大きさに分割して分割基板を形成すればよいので、金型を多数種製造するための手間や時間やコストを削減でき、低コストで分割基板を形成し、その分割基板毎に、P型とN型の熱電変換素子の回路を形成して、複数の熱電変換モジュールを効率的に製造できる。
また、本発明の熱電変換モジュールの製造方法によれば、前記分割線は前記分割基板毎の熱電変換素子の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子を前記回路の接続始端として他方の型の熱電変換素子を前記回路の接続終端とする回路となるように前記素子嵌合孔の配列形態を分ける態様に形成するので、分割基板毎の熱電変換素子の回路を的確に形成できる。
なお、本発明の熱電変換モジュールの製造方法において、例えば、熱電変換素子の回路の形成後に絶縁性基板を分割すれば、素子嵌合孔への熱電変換素子の嵌合を一括して行うことができ、複数の熱電変換モジュールを一括形成できる。
また、本発明の熱電変換モジュールの製造方法において、分割線は絶縁性基板の表面側と裏面側の少なくとも一方側に形成した溝と分割線の長手方向に破線状に形成した孔の少なくとも一方を設けて形成する構成によれば、分割線に沿っての絶縁性基板の分割を、容易に、かつ、的確に行うことができる。
さらに、本発明の熱電変換モジュールの製造方法において、分割線は絶縁性基板を互いに異なる複数通りの分割形態に分割できる態様に複数本形成し、前記複数本の分割線のうちの少なくとも一部の分割線を選択し、該選択した分割線に沿って前記絶縁性基板を分割して分割基板を形成する構成によれば、必要に応じた分だけ分割線を選択して分割基板を形成することにより、適宜必要とされる形態の分割基板を形成できる。
したがって、同じ大きさの絶縁性基板を用い、熱電変換モジュールの需要に応じて、その時々で、熱電変換素子の配列形態や大きさが様々な熱電変換モジュールを製造することができるので、例えば少量多品種の熱電変換モジュールの需要に対しても的確に対応できる。
さらに、本発明の熱電変換モジュールの製造方法において、分割線に沿った絶縁性基板の分割を行う前に、前記分割線に沿った絶縁性基板の分割により形成されると想定される分割基板毎の熱電変換素子の回路の接続始端および接続終端に接続される端子の取り付け用の接続用孔部を、絶縁性基板の外周側端部領域に形成する構成によれば、端子の取り付け用の接続用孔部を用いて、分割基板毎に熱電変換素子の回路に接続する端子を取り付けることができ、分割基板毎に、熱電変換モジュールをより容易に、的確に製造できる。
さらに、本発明の絶縁性基板によれば、上記熱電変換モジュールの製造方法に適用するために、絶縁性基板はP型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合するための互いに間隔を介して配列形成された複数の素子嵌合孔と、絶縁性基板を分割することにより複数の分割基板を形成するための1つ以上の分割線とを有し、複数の分割基板毎の熱電変換素子の回路の接続始端と接続終端に接続される端子の取り付け用の接続用孔部が絶縁性基板の外周側端部領域に形成されているので、この絶縁性基板を適用して上記熱電変換モジュールの製造方法により、効率的に、需要に合わせた熱電変換モジュールを製造することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、本実施形態例の説明において、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重複説明は省略又は簡略化する。
図1には、本発明に係る熱電変換モジュールの製造方法の一実施形態例における一部工程が平面図により示されている。図1(a)に示すように、本実施形態例は、まず、例えばガラス繊維強化のエポキシ樹脂等により形成された絶縁性基板30に、P型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)を貫通嵌合するための複数の素子嵌合孔3を互いに間隔を介して配列形成し、かつ、絶縁性基板30を分割するための1つ以上の分割線6(6a,6b)を形成する工程を有している。
また、本実施形態例は、上記素子嵌合孔3と分割線6との形成後に、分割線6の少なくとも1つ、つまり、ここでは、2本の分割線6aに沿って絶縁性基板30を4等分に分割し、図1(b)に示すように、複数の分割基板1を形成する工程と、前記素子嵌合孔3にそれぞれ対応するP型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)を貫通嵌合する工程と、該熱電変換素子の貫通嵌合工程後に、図3に示すように、P型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)を、電極2を介して交互に、分割基板1毎に電気的に接続して熱電変換素子5(5a,5b)の回路を形成する工程とを有している。
前記分割線6(6a,6b)は、分割基板1を標準化されたサイズに形成することを想定し、かつ、分割基板1毎の熱電変換素子5(5a,5b)の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子5を前記回路の接続始端として他方の型の熱電変換素子を前記回路の接続終端とする回路となるように、前記素子嵌合孔3の配列形態を分ける態様に形成する。
また、本実施形態例において、分割線6(6a,6b)は絶縁性基板30を互いに異なる複数通りの分割形態に分割できる態様に複数本形成し、前記複数本の分割線6(6a,6b)のうちの一部の分割線6aを選択し、該選択した分割線6aに沿って絶縁性基板30を分割して分割基板1を形成する。なお、本実施形態例では、分割線6を、隣り合う素子嵌合孔3の間に形成している。
さらに、分割線6(6a,6b)は、分割線6(6a,6b)の長手方向に破線状に形成した孔により形成する。図2(a)には、この孔の断面形状が示されている。
なお、分割線6(6a,6b)の形成方法は、特に限定されるものでなく、適宜設定されるものであるが、例えば、図2(b)〜(d)の断面図に示すように、絶縁性基板30の表面側と裏面側の少なくとも一方側に形成した溝と分割線の長手方向に破線状に形成した孔の少なくとも一方を設けて形成することができる。分割線6を図2(a)〜(d)のような態様に形成すると、分割線6に沿った絶縁性基板30の分割を容易に、かつ、的確に行うことができる。
また、本実施形態例では、図1(a)に示すように、分割線6aに沿った絶縁性基板30の分割を行う前に、分割線6aに沿った絶縁性基板30の分割により形成されると想定される分割基板1毎の熱電変換素子5(5a,5b)の回路の接続始端および接続終端に接続される端子(リード端子)の取り付け用の接続用孔部7を、絶縁性基板30の外周側端部領域に形成する。そして、図1(b)の平面図および図3の断面図に示すように、端子10を、端子固定具11によって、分割基板1毎に対応する接続用孔部7に取り付ける。
なお、本実施形態例において、前記複数の分割基板1の形成工程と、素子嵌合孔3への熱電変換素子5(5a,5b)の貫通嵌合工程と、熱電変換素子の貫通嵌合工程の後に行う熱電変換素子5(5a,5b)の回路形成工程は、適宜の順序で行われる。
つまり、例えば分割基板1を形成して、その後、分割基板1毎に、素子嵌合孔3への熱電変換素子5(5a,5b)の貫通嵌合と熱電変換素子5(5a,5b)の回路を形成してもよいし、図4に示すように、素子嵌合孔3への熱電変換素子5(5a,5b)の貫通嵌合と熱電変換素子5(5a,5b)の回路の形成後に、分割線6aに沿った絶縁性基板30の分割を行ってもよい。また、素子嵌合孔3への熱電変換素子5(5a,5b)の貫通嵌合後に、分割線6aに沿った絶縁性基板30の分割を行い、その後、分割基板1毎に、熱電変換素子5(5a,5b)の回路の形成を行ってもよい。
また、図1(b)に示した態様に熱電変換モジュールを製造した後、熱電変換素子5(5a,5b)を電極2を介して挟む態様でカバー部材を設ける等の、付属構成を設けてもよい。
本実施形態例は以上のようにして熱電変換モジュールを製造するものであり、この製造に適用される絶縁性基板30は、図1(a)に示したように、P型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)を貫通嵌合するための互いに間隔を介して配列形成された複数の素子嵌合孔3と、絶縁性基板30を分割することにより複数の分割基板1を形成するための1つ以上の分割線6とを有し、複数の分割基板1毎の熱電変換素子5(5a,5b)の回路の接続始端と接続終端に接続される端子10の取り付け用の接続用孔部7が絶縁性基板の外周側端部領域に形成されている。
そして、本実施形態例では、この絶縁性基板30を用い、前記分割線6aに沿って絶縁性基板30を分割して形成される分割基板1毎に、図3に示したように、前記素子嵌合孔3にそれぞれ貫通嵌合されるP型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)を電極2を介して交互に電気的に接続し、分割基板1毎に熱電変換素子5(5a,5b)の回路を形成することにより、複数の熱電変換モジュールを効率的に製造できる。
つまり、本実施形態例によれば、分割前の絶縁性基板30の金型を用いて絶縁性基板30を製造し、その後、絶縁性基板30を適宜の大きさ(ここでは4分の1)に分割して分割基板1を形成すればよいので、分割基板1の製造を効率的に行うことができ、低コストで分割基板1を形成できる。そして、分割基板1毎に、P型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)の回路を形成して、複数の熱電変換モジュールを効率的に製造できる。
また、本実施形態例の熱電変換モジュールの製造方法によれば、前記分割線6(6a,6b)は、分割基板1毎の熱電変換素子5(5a,5b)の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子5(5a,5b)を前記回路の接続始端として他方の型の熱電変換素子5(5a,5b)を前記回路の接続終端とする回路となるように前記素子嵌合孔3の配列形態を分ける態様に形成するので、分割基板1毎の熱電変換素子5(5a,5b)の回路を的確に形成できる。
さらに、本実施形態例の熱電変換モジュールの製造方法によれば、分割基板1を標準化されたサイズに形成することを想定して分割線6(6a,6b)を形成し、分割基板1を形成しているので、標準化されたサイズの熱電変換モジュールを量産化でき、製造する熱電変換モジュールのコストダウンを図ることができる。
さらに、本実施形態例の熱電変換モジュールの製造方法によれば、分割線6(6a,6b)は、絶縁性基板30を互いに異なる複数通りの分割形態に分割できる態様に複数本形成し、前記複数本の分割線6(6a,6b)のうちの一部の分割線6aを選択し、該選択した分割線6aに沿って絶縁性基板30を分割して分割基板1を形成するので、必要に応じた分だけの分割線6aを選択して分割基板1を形成することにより、適宜必要とされる形態の分割基板1を形成できる。
例えば、図5(b)には、本実施形態例に適用した絶縁性基板30と同様の絶縁性基板30を適用し、複数本の分割線6のうち、図5(a)に示すように、本実施形態例で選択した分割線6aとは異なる分割線6(ここでは6c)を選択し、該選択した分割線6に沿って絶縁性基板30を分割して分割基板1を形成する場合に形成される熱電変換モジュールの例が示されている。
図1、図5を比較してみると明らかなように、本実施形態例に適用した絶縁性基板30のように、絶縁性基板30を互いに異なる複数通りの分割形態に分割できる態様に分割線6を複数本形成すれば、どの分割線6を選択して絶縁性基板30を分割するかによって、随時、適宜必要とされる形態の分割基板1を形成できる。
したがって、本実施形態例のように、分割線6を、絶縁性基板30を互いに異なる複数通りの分割形態に分割できる態様に複数本形成すれば、同じ大きさの絶縁性基板30を用い、その時々の熱電変換モジュールの需要に応じて、熱電変換素子の配列形態や大きさが様々な熱電変換モジュールを製造することができる。また、分割線6の形成態様によっては、標準化されたサイズのみならず、例えば少量多品種の熱電変換モジュールの需要に対しても的確に対応できる。
さらに、本実施形態例によれば、分割線6a(および6c)に沿った絶縁性基板30の分割を行う前に、分割線6aに沿った絶縁性基板30の分割により形成されると想定される分割基板1毎の熱電変換素子5(5a,5b)の回路の接続始端および接続終端に接続される端子10の取り付け用の接続用孔部7を、絶縁性基板30の外周側端部領域に形成するので、端子10の取り付け用の接続用孔部7を用いて、分割基板1毎に熱電変換素子5(5a,5b)の回路に接続する端子10を取り付けることができ、分割基板1毎に、熱電変換モジュールをより容易に、的確に製造できる。
なお、本発明は上記実施形態例に限定されることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば上記実施形態例では、絶縁性基板30に、素子嵌合孔3を互いに間隔を介して配列形成した後、分割線6を形成したが、その逆に、分割線6を形成した後に、素子嵌合孔3を形成してもよい。
また、上記実施形態例では、分割基板1を標準化されたサイズに形成することを想定して分割線6を形成したが、分割線6に沿って絶縁性基板30を分割して形成される分割基板1のサイズは、適宜設定されるものであり、求められる分割基板1のサイズやその分割基板1に配列される熱電変換素子5(5a,5b)の配列形態に対応させて分割線6を形成すればよい。
さらに、上記実施形態例では、分割線6は、絶縁性基板30を互いに異なる複数通りの分割形態に分割できる態様に複数本形成し、前記複数本の分割線6(6a,6b)のうちの一部の分割線6aを選択し、該選択した分割線6aに沿って絶縁性基板30を分割して分割基板1を形成したが、分割線6は、求められる分割基板1の大きさや形状、熱電変換素子5(5a,5b)の配列態様等に対応させて、絶縁性基板30を1通りの分割形態に分割する態様に形成してもよく、全ての分割線6に沿って絶縁性基板30を分割して分割基板1を形成してもよい。
さらに、上記実施形態例では、隣り合う素子嵌合孔3の間に分割線6を形成したが、分割線6の形成位置は、例えば図6(a)に示すように、素子嵌合孔3にかかる(対応する素子嵌合孔3を分割する)態様に形成してもよい。この場合、例えば図6(b)に示すように、分割線6に沿って切断された端部領域の素子嵌合孔3は切り欠きとなって、熱電変換素子5を挿入嵌合できなくなるので、分割後の絶縁性基板30に熱電変換素子を挿入嵌合して形成される熱電変換モジュールは、例えば図6(c)に示すようになる。
そうすると、例えば熱電変換モジュールの端部(4つの辺)と、それぞれの辺と隣り合う熱電変換素子5との距離が均一になる(つまり、絶縁性基板30の端部の辺から熱電変換素子5の配列領域までの距離がいずれもほぼ等しくなる)。この場合、熱電変換モジュールをその取り付け場所に取り付ける場合に、熱電変換モジュールをどの向きにしても(例えば表面と裏面とを逆にしたりしても)取り付けることとが可能となり、熱電変換モジュールの取り付け態様の自由度を向上できるので、熱電変換モジュールの取り付けがしやすくなる。
さらに、上記実施形態例では、分割線6aに沿った絶縁性基板30の分割を行う前に、分割線6aに沿った絶縁性基板30の分割により形成されると想定される分割基板1毎の熱電変換素子5(5a,5b)の回路の接続始端および接続終端に接続される端子10の取り付け用の接続用孔部7を形成したが、接続用孔部7の代わりに、端子10の取り付け用の溝部等を形成してもよいし、接続用孔部7や溝部等を設けずに、端子10の取り付けを用いずに行ってもよい。なお、端子10の取り付け形態に対応させて、端子10の形状も適宜設定するとよい。
さらに、上記説明は熱電変換モジュールとしてのペルチェモジュールの製造について例を挙げて説明したが、本発明の熱電変換モジュールの製造方法は、ゼーベック効果を利用して発電を行う熱電変換モジュールの製造方法にも適用できる。
1 分割基板
2 電極
5,5a,5b 熱電変換素子
6,6a,6b 分割線
7 接続用孔部
10 端子
30 絶縁性基板
2 電極
5,5a,5b 熱電変換素子
6,6a,6b 分割線
7 接続用孔部
10 端子
30 絶縁性基板
Claims (5)
- 絶縁性基板にP型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合するための複数の素子嵌合孔を互いに間隔を介して配列形成する工程と、前記絶縁性基板を分割するための1つ以上の分割線を形成する工程と、前記絶縁性基板に前記素子嵌合孔と前記分割線とを形成した後に、該分割線の少なくとも1つに沿って前記絶縁性基板を分割して分割基板を形成する工程と、前記素子嵌合孔にそれぞれ対応するP型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合する工程と、該熱電変換素子の貫通嵌合工程の後に、前記P型とN型の熱電変換素子を電極を介して交互に前記分割基板毎に電気的に接続して熱電変換素子の回路を形成する工程とを有し、前記分割線は前記分割基板毎の熱電変換素子の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子を前記回路の接続始端として他方の型の熱電変換素子を前記回路の接続終端とする回路となるように前記素子嵌合孔の配列形態を分ける態様に形成することを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
- 分割線は絶縁性基板の表面側と裏面側の少なくとも一方側に形成した溝と分割線の長手方向に破線状に形成した孔の少なくとも一方を設けて形成することを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 分割線は絶縁性基板を互いに異なる複数通りの分割形態に分割できる態様に複数本形成し、前記複数本の分割線のうちの少なくとも一部の分割線を選択し、該選択した分割線に沿って前記絶縁性基板を分割して分割基板を形成することを特徴とする請求項1または請求項2記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 分割線に沿った絶縁性基板の分割を行う前に、前記分割線に沿った絶縁性基板の分割により形成されると想定される分割基板毎の熱電変換素子の回路の接続始端および接続終端に接続される端子の取り付け用の接続用孔部を、絶縁性基板の外周側端部領域に形成することを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載の熱電変換モジュールの製造方法に適用される絶縁性基板であって、該絶縁性基板はP型とN型の熱電変換素子を貫通嵌合するための互いに間隔を介して配列形成された複数の素子嵌合孔と、絶縁性基板を分割することにより複数の分割基板を形成するための1つ以上の分割線とを有しており、該分割線の少なくとも1つに沿って前記絶縁性基板を分割して形成される分割基板毎に、前記素子嵌合孔にそれぞれ貫通嵌合されるP型とN型の熱電変換素子を電極を介して交互に電気的に接続して熱電変換素子の回路を形成することを想定した場合に、該熱電変換素子の回路がP型とN型のうち一方の型の熱電変換素子を前記回路の接続始端として他方の型の熱電変換素子を前記回路の接続終端とする回路となるように前記素子嵌合孔の配列形態を分ける態様に前記分割線が形成され、前記複数の分割基板毎の熱電変換素子の回路の接続始端と接続終端とに接続される端子の取り付け用の接続用孔部が絶縁性基板の外周側端部領域に形成されていることを特徴とする絶縁性基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005023513A JP2006210806A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 熱電変換モジュールの製造方法およびその製造方法に適用される絶縁性基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005023513A JP2006210806A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 熱電変換モジュールの製造方法およびその製造方法に適用される絶縁性基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210806A true JP2006210806A (ja) | 2006-08-10 |
Family
ID=36967266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005023513A Pending JP2006210806A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 熱電変換モジュールの製造方法およびその製造方法に適用される絶縁性基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006210806A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009065075A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Yamaha Corp | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
-
2005
- 2005-01-31 JP JP2005023513A patent/JP2006210806A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009065075A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Yamaha Corp | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4581802B2 (ja) | 熱電変換装置 | |
US20060237730A1 (en) | Peltier cooler with integrated electronic device(s) | |
WO2005117153A1 (ja) | 熱電変換装置およびその製造方法 | |
JP2006179843A (ja) | 熱電変換装置およびその製造方法 | |
JP2006319262A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2004221504A (ja) | 熱電変換装置およびその製造方法 | |
JP2007266444A (ja) | 熱電変換モジュール | |
US7026712B2 (en) | Peltier module with durable power supply lines and exothermic module with built-in cooler | |
JP2000022224A (ja) | 熱電素子及びその製造方法 | |
JP2006156818A (ja) | 熱電変換装置およびその熱電変換装置の製造方法 | |
JP2006210806A (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法およびその製造方法に適用される絶縁性基板 | |
US10236430B2 (en) | Thermoelectric module | |
US20200295246A1 (en) | Light-emitting device, light-emitting module and method for manufacturing the same | |
US20060219286A1 (en) | Thermoelectric transducer and manufacturing method for the same | |
JP2018032687A (ja) | 熱電モジュール | |
JP2003017763A (ja) | 熱電モジュール用基板およびその製造方法並びに熱電モジュール用基板を用いた熱電モジュール | |
JP4294965B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP4788225B2 (ja) | 熱電変換装置およびその装置の製造方法 | |
JP4626263B2 (ja) | 熱電変換装置およびその熱電変換装置の製造方法 | |
JP2006114840A (ja) | 熱電変換装置およびその熱電変換装置の製造方法 | |
JP2005217169A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2006005154A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2006287067A (ja) | 熱電変換装置およびその装置の製造方法 | |
JP2004039725A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4242118B2 (ja) | 熱電変換モジュール |