JP2006203816A - High frequency line-waveguide converter - Google Patents

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Takayuki Shirasaki
隆行 白崎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency line-waveguide converter which has a high conversion efficiency and is less in variations in conversion characteristics. <P>SOLUTION: The high frequency line-waveguide converter is provided with: a dielectric layer 2; a high frequency line 1 composed of a line conductor 3 and an identical plane ground conductor 4; a slot that is formed so that it orthogonally crosses one end of the line conductor 3 and is electromagnetically coupled to the line conductor 3; a shield conductive section 7 arranged so that it surrounds one end of the line conductor 3 and the slot; and a waveguide 6 electrically connected to the shield conductive section 7. At a portion positioned outside the slot in one end of the line conductor 3, a gap between the line conductor 3 and the identical plane ground conductor layer 4 is made narrow in the vicinity 8 of a joint portion with the slot 5 in comparison with the outer peripheral side of the dielectric layer 2. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マイクロ波やミリ波の領域において使用される、高周波回路を形成するコプレーナ線路等の高周波線路を導波管に変換し、高周波回路とアンテナあるいは高周波回路間の接続を導波管を介して行なうことにより、システムの実装を容易に行なえる高周波線路−導波管変換器に関するものである。   The present invention converts a high-frequency line such as a coplanar line that forms a high-frequency circuit used in a microwave or millimeter wave region into a waveguide, and connects the high-frequency circuit and an antenna or a high-frequency circuit to the waveguide. It is related with the high frequency line-waveguide converter which can mount a system easily by performing via.

近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達に用いられる高周波信号は、1〜30GHzのマイクロ波領域から30〜300GHzのミリ波領域の周波数までを活用することが検討されており、例えば、車間レーダーのようなミリ波の高周波信号を用いた応用システムも提案されるようになっている。   In recent years, with the advent of advanced information era, high frequency signals used for information transmission have been studied to utilize frequencies from the microwave range of 1-30 GHz to the millimeter wave range of 30-300 GHz. Application systems using such millimeter-wave high-frequency signals have also been proposed.

このような高周波用のシステムにおいては、高周波信号の周波数が高いことにより、回路を構成する高周波線路における高周波信号の減衰が大きくなってしまうという問題点がある。例えば、高周波線路がマイクロストリップ線路構造である場合、誘電体基板における誘電体損は周波数に比例(誘電正接が周波数に独立のとき)して大きくなり、線路導体における導体損は周波数の平方根に比例して大きくなってしまうというものである。このことから、同じマイクロストリップ線路でも、使用する周波数が1GHzから10GHzに高くなると、誘電体損は10倍に、導体損は約3.2倍に大きくなってしまい、この損失を補うために低雑音,高効率,高利得の高価な高周波部品を多用することが必要になり、システムが高価になってしまうという問題点があった。   In such a high frequency system, there is a problem that the high frequency signal is attenuated in the high frequency line constituting the circuit due to the high frequency of the high frequency signal. For example, when the high-frequency line has a microstrip line structure, the dielectric loss in the dielectric substrate increases in proportion to the frequency (when the dielectric loss tangent is independent of the frequency), and the conductor loss in the line conductor is proportional to the square root of the frequency. It will be bigger. For this reason, even if the same microstrip line is used, when the frequency used is increased from 1 GHz to 10 GHz, the dielectric loss is increased by 10 times and the conductor loss is increased by approximately 3.2 times. In order to compensate for this loss, low noise, There is a problem that it is necessary to frequently use expensive high-frequency components with high efficiency and high gain, and the system becomes expensive.

このようなマイクロストリップ線路構造の高周波線路に比較して、導波管では高周波信号の伝送損失は小さいことが知られている。例えば、26GHz〜40GHz帯に用いられる導波管WR−28の損失は40GHzで約0.005dB/cmであり、これはアルミナ基板を用いたマイクロストリップ線路の損失約1dB/cmよりも格段に小さい。これは、マイクロストリップ線路等による通常の高周波線路(一般にインピーダンスは50Ωで設計される)に比較して導波管のインピーダンスが大きく(周波数によって変化するが概略500Ωのオーダーで設計される)、通常の高周波線路では伝送される信号エネルギーに対して誘電体中を伝送する電界エネルギーの寄与が大きいのに対して、導波管ではその誘電体として誘電正接がほぼ0の空気を用いていること、相対的に小さい磁気エネルギーのもととなる導波管の管壁を流れる電流が小さくて良いこと、かつその電流が導波管の管壁の比較的広い面積に流れるため電気抵抗が小さくなり導体損が小さくなる構造になっていることによるものである。   It is known that a transmission loss of a high-frequency signal is small in a waveguide as compared with a high-frequency line having such a microstrip line structure. For example, the loss of the waveguide WR-28 used in the 26 GHz to 40 GHz band is about 0.005 dB / cm at 40 GHz, which is much smaller than the loss of about 1 dB / cm of the microstrip line using the alumina substrate. This is because the impedance of the waveguide is larger than that of a normal high-frequency line such as a microstrip line (generally designed with an impedance of 50Ω). In the high-frequency line, the contribution of electric field energy transmitted in the dielectric to the signal energy transmitted is large, whereas in the waveguide, air having a dielectric loss tangent of almost zero is used as the dielectric. The current flowing through the waveguide tube wall, which is the source of relatively small magnetic energy, may be small, and the current flows in a relatively large area of the waveguide tube wall. This is because the structure is such that the loss is reduced.

また、導波管同士は通常、ねじで接続される。そのため着脱を容易に行なうことができる。例えば、高周波回路モジュールとアンテナとの接続に導波管を用いれば、組み立て前にそれぞれの導波管ポートを用いてそれぞれの検査を行ない、良品同士を組み合わせて高周波フロントエンドを組み立てることができ、その製造の歩留まりを上げることができる。これらのことから従来、特に伝送距離が長くなることが多い高周波回路モジュールとアンテナとの間の伝送に導波管を用いたフロントエンドが多く採用されてきた。   The waveguides are usually connected with screws. Therefore, attachment / detachment can be performed easily. For example, if a waveguide is used to connect the high-frequency circuit module and the antenna, each inspection is performed using each waveguide port before assembly, and a high-frequency front end can be assembled by combining non-defective products. The production yield can be increased. For these reasons, a front end using a waveguide for transmission between a high-frequency circuit module and an antenna, which often has a long transmission distance, has been conventionally used.

図3は、そのような高周波フロントエンドの構造を説明するための断面図である。図3によれば、フロントエンド30は、モジュール31とアンテナ32とが導波管部材33で接続されて構成されている。モジュール31は、導波管開口34を有する金属シャーシ35上に搭載されている。また、このフロントエンド30には、高周波線路としてのマイクロストリップ線路が形成されたマイクロストリップ基板36と、導波管開口部34および短絡終端部材37で構成される導波管とから成る高周波線路−導波管変換器38が構成されている。マイクロストリップ基板36のマイクロストリップ線路には、高周波部品が搭載された配線基板39がワイヤボンディングで接続されている。   FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the structure of such a high-frequency front end. According to FIG. 3, the front end 30 is configured by connecting a module 31 and an antenna 32 with a waveguide member 33. Module 31 is mounted on a metal chassis 35 having a waveguide opening 34. Further, the front end 30 has a high-frequency line comprising a microstrip substrate 36 on which a microstrip line as a high-frequency line is formed, and a waveguide composed of a waveguide opening 34 and a short-circuit termination member 37. A waveguide converter 38 is configured. A wiring board 39 on which high-frequency components are mounted is connected to the microstrip line of the microstrip board 36 by wire bonding.

このフロントエンド30における高周波線路−導波管変換器38は、短絡終端部材37の短絡終端面から高周波信号によって励起された電磁波の導波管内における波長(管内波長)の1/4の距離だけ離れた位置において、導波管の側面からマイクロストリップ基板36上に形成されたプローブ(線路導体は延設されているが接地導体は形成されていない部分)を信号波長の略1/4の長さ分挿入したタイプのものである。このプローブは導波管内でアンテナとして機能し、高周波信号を電磁波として導波管内に放射する。導波管内に放射された電磁波の半分は下方の導波管部材33に直接伝播し、もう半分は上方の短絡終端部材37側に伝播する。短絡終端部材37側に伝播した電磁波は短絡終端面で位相を反転させて全反射する。全反射した電磁波はプローブ部分まで戻ってきて、プローブから下方に直接放射される電磁波と合成される。このとき、短絡終端面で反射されてきた電磁波は、プローブと短絡終端面との間の距離を管内波長の1/4にしておけば、プローブから短絡終端面を経て再びプローブへ至る往復の光路長が1/2波長になり、プローブから直接放射される電磁波とは光路差により位相が逆になる。結局、短絡終端面で反射してきた電磁波は、短絡終端面で反射するときに位相が反転し、さらに光路差により位相が逆になって、プローブから直接下方に放射される電磁波と同位相になり、下方の導波管部材33へと伝播することになる。   The high-frequency line-waveguide converter 38 in the front end 30 is separated from the short-circuit termination surface of the short-circuit termination member 37 by a distance of ¼ of the wavelength (wavelength in the tube) of the electromagnetic wave excited by the high-frequency signal. The probe formed on the microstrip substrate 36 from the side surface of the waveguide (the portion where the line conductor is extended but the ground conductor is not formed) is approximately 1/4 of the signal wavelength. It is the type of inserted part. This probe functions as an antenna in the waveguide, and radiates a high-frequency signal into the waveguide as an electromagnetic wave. Half of the electromagnetic wave radiated into the waveguide propagates directly to the lower waveguide member 33, and the other half propagates to the upper short-circuit termination member 37 side. The electromagnetic wave propagated to the short-circuit termination member 37 side is totally reflected with its phase reversed at the short-circuit termination surface. The totally reflected electromagnetic wave returns to the probe portion and is synthesized with the electromagnetic wave radiated directly downward from the probe. At this time, the electromagnetic wave reflected from the short-circuiting end face is a reciprocating optical path from the probe to the probe again through the short-circuiting end face if the distance between the probe and the short-circuiting end face is ¼ of the in-tube wavelength. The length is ½ wavelength, and the phase is reversed due to the optical path difference from the electromagnetic wave directly emitted from the probe. Eventually, the electromagnetic wave reflected from the short-circuiting end face is reversed in phase when reflected from the short-circuiting end face, and the phase is reversed due to the optical path difference, so that it is in phase with the electromagnetic wave radiated directly from the probe. Then, it propagates to the waveguide member 33 below.

このとき、プローブをアンテナとして機能させるには、その導波管内に挿入した長さを正確に伝送線路の波長の1/4にする必要があり、また、プローブから上方に放射されて短絡終端面で反射してきた電磁波の位相をプローブから下方に放射される電磁波の位相と同位相にするには、プローブと短絡終端面との間の距離を正確に管内波長の1/4にする必要がある。従って、アンテナとして機能するマイクロストリップ基板36の導波管内への挿入位置やマイクロストリップ基板36の位置と短絡終端部材37の短絡終端面の位置との関係によって特性が大きく変動することとなる。   At this time, in order for the probe to function as an antenna, it is necessary to make the length inserted into the waveguide exactly ¼ of the wavelength of the transmission line. In order to make the phase of the electromagnetic wave reflected from the probe the same as the phase of the electromagnetic wave radiated downward from the probe, it is necessary to make the distance between the probe and the short-circuit termination surface exactly ¼ of the in-tube wavelength. . Therefore, the characteristics greatly vary depending on the insertion position of the microstrip substrate 36 functioning as an antenna into the waveguide and the relationship between the position of the microstrip substrate 36 and the position of the short-circuit termination surface of the short-circuit termination member 37.

この高周波線路−導波管変換器38は、金属シャーシ35上に配線基板39とともに組み立てにより構成されるので、各部材の位置ずれにより高周波線路−導波管変換器の変換損失が大きくなった場合に組み立て不良となり、用いた部材のすべてが無駄になってしまうという問題があった。   Since this high-frequency line-waveguide converter 38 is constructed by assembling together with the wiring board 39 on the metal chassis 35, when the conversion loss of the high-frequency line-waveguide converter increases due to the displacement of each member As a result, there was a problem that the assembly was poor and all the used members were wasted.

このような問題を解決するために、例えば特許文献1には、誘電体基板の上面に形成されたマイクロストリップ線路および下面の接地導体層に形成されたアンテナとして機能するスロットを具備するマイクロストリップ−導波管変換が提案されている。この特許文献1で提案されたマイクロストリップ−導波管変換においては、スロットから導波管までの誘電体の厚さを高周波信号の信号波長の1/4にしている。これはスロットと導波管とのインピーダンスの違いを誘電体による1/4波長整合器で整合したものである。   In order to solve such a problem, for example, Patent Document 1 discloses a microstrip including a microstrip line formed on an upper surface of a dielectric substrate and a slot functioning as an antenna formed on a ground conductor layer on the lower surface. Waveguide conversion has been proposed. In the microstrip-waveguide conversion proposed in Patent Document 1, the thickness of the dielectric from the slot to the waveguide is set to 1/4 of the signal wavelength of the high-frequency signal. In this case, the impedance difference between the slot and the waveguide is matched by a ¼ wavelength matching unit made of a dielectric.

この構成によれば、スロットから放射され誘電体による整合器と導波管との境界で反射した電磁波は、スロットが形成されている接地導体層で反射し、再び整合器と導波管との境界に戻ってくる。このとき整合器の厚さを信号波長の1/4にしておけば、境界で反射して再び戻ってきた電磁波(反射波)と、スロットから直接境界まで伝送してきた電磁波(直接波)との光路差が信号波長の1/2になり、反射波が接地導体層で反射する際に位相が反転していることから、境界では直接波と反射波が同位相になって強め合い、導波管へ伝送することになる。   According to this configuration, the electromagnetic wave radiated from the slot and reflected at the boundary between the dielectric matching device and the waveguide is reflected by the ground conductor layer in which the slot is formed, and again between the matching device and the waveguide. Come back to the boundary. At this time, if the thickness of the matching unit is set to ¼ of the signal wavelength, the electromagnetic wave reflected at the boundary (reflected wave) and the electromagnetic wave transmitted directly from the slot to the boundary (direct wave) Since the optical path difference is ½ of the signal wavelength and the phase is inverted when the reflected wave is reflected by the ground conductor layer, the direct wave and the reflected wave are in phase and strengthened at the boundary. Will be transmitted to the tube.

この変換構造によれば、変換特性は整合器の厚さによって大きく変化することになるが、この場合、整合器は誘電体基板内に一体に構成されるので、変換特性のばらつきを小さくすることができる。また、誘電体基板のマイクロストリップ側をキャップで覆えば、導波管への変換と同時にマイクロストリップ側を気密封止することも可能になる。
国際公開第96/27913号パンフレット 特開2001−177312号公報
According to this conversion structure, the conversion characteristics vary greatly depending on the thickness of the matching unit. In this case, since the matching unit is integrally formed in the dielectric substrate, variation in the conversion characteristics is reduced. Can do. If the microstrip side of the dielectric substrate is covered with a cap, the microstrip side can be hermetically sealed simultaneously with the conversion to the waveguide.
International Publication No. 96/27913 Pamphlet JP 2001-177312 A

しかしながら、上記従来の高周波線路−導波管変換器では、高周波線路とスロットとの結合に異なる層間の電磁結合を用いている。この電磁結合は前述の整合器とともに変換作用の主要な役割を果たす。しかし、この電磁結合の特性はスロットの寸法とスタブ(高周波線路がスロットから突出している部分)の長さ、すなわち高周波線路とスロットとの相対的な位置関係により変化する。したがってこの構成では、変換特性はスロットの寸法とスタブの長さによって大きく変化することになり、高周波線路とスロットとが異なる層に配置されていることから、両者の相対的位置関係から決まるスタブの長さが変動しやすく、そのため変換特性が変化しやすいという問題点があった。   However, in the conventional high-frequency line-waveguide converter, electromagnetic coupling between different layers is used for coupling the high-frequency line and the slot. This electromagnetic coupling plays a major role in the conversion action together with the matching device described above. However, the characteristics of this electromagnetic coupling vary depending on the size of the slot and the length of the stub (the portion where the high-frequency line protrudes from the slot), that is, the relative positional relationship between the high-frequency line and the slot. Therefore, in this configuration, the conversion characteristics vary greatly depending on the slot size and the stub length, and the high-frequency line and the slot are arranged in different layers. There is a problem in that the length is likely to fluctuate, so that the conversion characteristics are likely to change.

また、高周波線路とスロットでは伝送モードが異なるため、各伝送線路の特性インピーダンスが変化し、高周波線路とスロット間での反射損失が増加し、その結果、変換効率が劣化するという問題があった。   In addition, since the transmission mode is different between the high-frequency line and the slot, the characteristic impedance of each transmission line is changed, the reflection loss between the high-frequency line and the slot is increased, and as a result, the conversion efficiency is deteriorated.

本発明は上記問題点に鑑み案出されたもので、その目的は、変換効率が高く、変換特性のばらつきが小さい高周波線路−導波管変換器を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above problems, and an object thereof is to provide a high-frequency line-waveguide converter having high conversion efficiency and small variation in conversion characteristics.

本発明の高周波線路−導波管変換器は、誘電体層の上面に形成された線路導体および前記誘電体層の上面で前記線路導体の一端部を取り囲むように形成された同一面接地導体層から成る高周波線路と、前記同一面接地導体層に前記線路導体の前記一端部と直交するように形成されて前記線路導体と電磁的に結合されたスロットと、平面視で前記線路導体の前記一端部および前記スロットを取り囲むように前記誘電体層の側面または内部に配されたシールド導体部と、前記誘電体層の下面側に開口を前記線路導体の前記一端部および前記スロットに対向させて配され、前記シールド導体部と電気的に接続された導波管とを具備する高周波線路−導波管変換器であって、前記一端部の前記スロットの外側に位置する部位において、前記線路導体と前記同一面接地導体層との間隔を、前記誘電体層の外周側に比し前記スロットとの接合部近傍で狭くしたことを特徴とする。   The high-frequency line-waveguide converter of the present invention includes a line conductor formed on an upper surface of a dielectric layer and a coplanar ground conductor layer formed so as to surround one end portion of the line conductor on the upper surface of the dielectric layer. A high-frequency line comprising: a slot formed on the same-surface grounded conductor layer so as to be orthogonal to the one end of the line conductor and electromagnetically coupled to the line conductor; and the one end of the line conductor in plan view A shield conductor portion disposed on the side or inside of the dielectric layer so as to surround the portion and the slot, and an opening on the lower surface side of the dielectric layer so as to face the one end portion and the slot of the line conductor. A high-frequency line-waveguide converter comprising a waveguide electrically connected to the shield conductor portion, wherein the line conductor is disposed at a portion located outside the slot at the one end. The distance between serial same plane ground conductor layer, characterized in that narrowed at the junction vicinity of the slot relative to the outer peripheral side of the dielectric layer.

本発明の高周波線路−導波管変換器において、好ましくは、前記結合部近傍の長さをLとし、前記線路導体により伝送される高周波信号の実効波長をλとしたときに、λ/8≦L≦λ/4であることを特徴とする。   In the high-frequency line-waveguide converter of the present invention, preferably, when the length near the coupling portion is L and the effective wavelength of the high-frequency signal transmitted by the line conductor is λ, λ / 8 ≦ L ≦ λ / 4.

本発明の高周波線路−導波管変換器は、誘電体層の上面に形成された線路導体および誘電体層の上面で線路導体の一端部を取り囲むように形成された同一面接地導体層から成る高周波線路と、同一面接地導体層に線路導体の一端部と直交するように形成されて線路導体と電磁的に結合されたスロットと、平面視で線路導体の一端部およびスロットを取り囲むように誘電体層の側面または内部に配されたシールド導体部と、誘電体層の下面側に開口を線路導体の一端部およびスロットに対向させて配され、シールド導体部と電気的に接続された導波管とを具備する高周波線路−導波管変換器であって、一端部のスロットの外側に位置する部位において、線路導体と同一面接地導体層との間隔を、誘電体層の外周側に比しスロットとの接合部近傍で狭くしたことにより、誘電体層の上面に配された線路導体およびこの線路導体の一端部を取り囲むように同一面に配された同一面接地導体層から成る高周波線路と、同一面接地導体層に線路導体の一端部と直交するように形成されたスロットとを結合させることから、高周波線路とスロットとが同一面内に形成されることとなり、その結果、両者の相対的な位置関係が変動しにくく、スロットに対する高周波線路の突出部分であるスタブの長さのばらつきを小さくすることができるため、電磁結合の特性のばらつきを小さくすることができる。   The high-frequency line-waveguide converter of the present invention comprises a line conductor formed on the top surface of the dielectric layer and a coplanar ground conductor layer formed so as to surround one end of the line conductor on the top surface of the dielectric layer. A high-frequency line, a slot formed on the same plane ground conductor layer so as to be orthogonal to one end of the line conductor, and electromagnetically coupled to the line conductor, and a dielectric so as to surround the one end and the slot of the line conductor in plan view A waveguide that is arranged on the side or inside of the body layer and an opening on the lower surface of the dielectric layer facing the one end and the slot of the line conductor and is electrically connected to the shield conductor A high-frequency line-waveguide converter comprising a tube, wherein the distance between the line conductor and the same-surface ground conductor layer is compared with the outer peripheral side of the dielectric layer at a portion located outside the slot at one end. Near the joint with the slot By narrowing, a high-frequency line composed of a line conductor disposed on the upper surface of the dielectric layer and the same-surface ground conductor layer disposed on the same surface so as to surround one end of the line conductor, and the same-surface ground conductor layer Since the slot formed so as to be orthogonal to one end of the line conductor is coupled, the high-frequency line and the slot are formed in the same plane, and as a result, the relative positional relationship between the two changes. The variation in the length of the stub that is the protruding portion of the high-frequency line with respect to the slot can be reduced, so that the variation in the characteristics of electromagnetic coupling can be reduced.

また、一端部のスロットの外側に位置する部位において、線路導体と同一面接地導体層との間隔を、誘電体層の外周側に比しスロットとの接合部近傍で狭くしたことにより、この部位が高周波線路とスロットとのインピーダンス整合部として作用し、高周波線路とスロットとのインピーダンスの差を緩和することができる。よって、高周波線路とスロット間での反射損失を抑えることができ、高周波線路−導波管変換器の変換効率を高めることができる。   In addition, in the part located outside the slot at one end, the distance between the line conductor and the same-surface ground conductor layer is narrower in the vicinity of the joint with the slot than on the outer peripheral side of the dielectric layer. Acts as an impedance matching section between the high-frequency line and the slot, and can reduce the difference in impedance between the high-frequency line and the slot. Therefore, the reflection loss between the high frequency line and the slot can be suppressed, and the conversion efficiency of the high frequency line-waveguide converter can be increased.

以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は本発明の高周波線路−導波管変換器の実施の形態の一例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)の高周波線路−導波管変換器のA−AA線における断面図である。図1において、1は高周波線路、2は誘電体層、3は線路導体、4は同一面接地導体層、5は同一面接地導体層4に形成されたスロット、6は導波管、7はシールド導体部、9は内部接地導体層である。   FIG. 1 is a diagram showing an example of an embodiment of a high-frequency line-waveguide converter of the present invention, where (a) is a plan view, and (b) is a high-frequency line-waveguide converter of (a). It is sectional drawing in the A-AA line. In FIG. 1, 1 is a high-frequency line, 2 is a dielectric layer, 3 is a line conductor, 4 is a ground conductor layer on the same plane, 5 is a slot formed in the ground conductor layer 4 on the same plane, 6 is a waveguide, A shield conductor portion 9 is an internal ground conductor layer.

これら本発明の高周波線路−導波管変換器の例においては、誘電体層2と、誘電体層2の上面に配された線路導体3と、線路導体3の一端部を取り囲むように同一面(誘電体層2の上面)に配された同一面接地導体層4とによって高周波線路1としてのコプレーナ線路が形成されている。また、誘電体層2の上面の同一面接地導体層4には線路導体3の一端部と直交するように形成されたスロット5が配されており、高周波線路1の一端と電磁気的に結合されている。これにより、高周波線路1に伝送された高周波信号は、スロット5から、誘電体層2の下面側に開口を線路導体3の一端部およびスロット5に対向させて配され、下方に延びるように配置された導波管6内に電磁波として放射される。   In these examples of the high-frequency line-waveguide converter of the present invention, the dielectric layer 2, the line conductor 3 disposed on the upper surface of the dielectric layer 2, and the same surface so as to surround one end of the line conductor 3. A coplanar line serving as the high-frequency line 1 is formed by the coplanar ground conductor layer 4 disposed on (the upper surface of the dielectric layer 2). In addition, a slot 5 formed so as to be orthogonal to one end of the line conductor 3 is disposed in the same grounded conductor layer 4 on the upper surface of the dielectric layer 2 and is electromagnetically coupled to one end of the high-frequency line 1. ing. Thus, the high-frequency signal transmitted to the high-frequency line 1 is arranged to extend downward from the slot 5 on the lower surface side of the dielectric layer 2 with the opening facing the one end of the line conductor 3 and the slot 5. It is radiated as electromagnetic waves into the waveguide 6 formed.

誘電体層2の側面方向は、線路導体3の一端部およびスロット5を取り囲むようにして、図1の例に示すように誘電体層2の内部に配されたシールド導体部7によりシールドされており、スロット5から誘電体層2に放射された電磁波および誘電体層2と導波管6との境界で反射した電磁波が漏れ出すことを防ぎ、変換効率が低下することを防止している。   The side surface direction of the dielectric layer 2 is shielded by a shield conductor portion 7 disposed inside the dielectric layer 2 so as to surround one end portion of the line conductor 3 and the slot 5 as shown in the example of FIG. Thus, the electromagnetic wave radiated from the slot 5 to the dielectric layer 2 and the electromagnetic wave reflected at the boundary between the dielectric layer 2 and the waveguide 6 are prevented from leaking, and the conversion efficiency is prevented from decreasing.

また、高周波線路とスロットとが同一面内に形成されることとなり、その結果、両者の相対的な位置関係が変動しにくく、スロットに対する高周波線路の突出部分であるスタブの長さのばらつきを小さくすることができるため、電磁結合の特性のばらつきを小さくすることができる。   In addition, the high-frequency line and the slot are formed in the same plane. As a result, the relative positional relationship between the two is less likely to change, and the variation in the length of the stub that is the protruding portion of the high-frequency line with respect to the slot is reduced. Therefore, variation in electromagnetic coupling characteristics can be reduced.

更に、線路導体3の一端部のスロット5の外側に位置する部位において、線路導体3と同一面接地導体層4との間隔を、誘電体層2の外周側に比しスロット5との接合部近傍8で狭くしたことにより、高周波線路1とスロット5とのインピーダンス整合部を設けることにより、高周波線路1とスロット5間での反射損失を抑えることができ、高周波線路−導波管変換器の変換効率を高めることができる。   Furthermore, in the part located outside the slot 5 at one end of the line conductor 3, the distance between the line conductor 3 and the same-surface grounded conductor layer 4 is set at the junction with the slot 5 as compared with the outer peripheral side of the dielectric layer 2. By narrowing in the vicinity 8, by providing an impedance matching portion between the high-frequency line 1 and the slot 5, reflection loss between the high-frequency line 1 and the slot 5 can be suppressed. Conversion efficiency can be increased.

誘電体層2を形成する誘電体材料としては、酸化アルミニウム,窒化アルミニウム,窒化珪素,ムライト等を主成分とするセラミック材料,ガラス,あるいはガラスとセラミックフィラーとの混合物を焼成して形成されたガラスセラミック材料,エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等の有機樹脂系材料,有機樹脂−セラミック(ガラスも含む)複合系材料等が用いられる。   As a dielectric material for forming the dielectric layer 2, ceramic material mainly composed of aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, mullite, glass, or glass formed by firing a mixture of glass and ceramic filler Ceramic materials, epoxy resins, polyimide resins, organic resin materials such as fluorine resins such as tetrafluoroethylene resin, and organic resin-ceramic (including glass) composite materials are used.

線路導体3,同一面接地導体層4,貫通導体等から成るシールド導体部7を形成する導体材料としては、タングステン,モリブデン,金,銀,銅等を主成分とするメタライズ、あるいは金,銀,銅,アルミニウム等を主成分とする金属箔等が用いられる。   As a conductor material for forming the shield conductor portion 7 composed of the line conductor 3, the same-surface ground conductor layer 4, the through conductor, etc., metallization mainly composed of tungsten, molybdenum, gold, silver, copper or the like, or gold, silver, A metal foil or the like mainly composed of copper, aluminum or the like is used.

特に、高周波線路−導波管変換器を、高周波部品を搭載する配線基板に内蔵する場合は、誘電体層2を形成する誘電体材料としては、誘電正接が小さく、かつ気密封止が可能であることが望ましい。特に望ましい誘電体材料としては、酸化アルミニウム,窒化アルミニウム,ガラスセラミック材料の群から選ばれる少なくとも1種の無機材料が挙げられる。このような硬質系材料で構成すれば、誘電正接が小さく、かつ搭載した高周波部品を気密に封止することができるので、搭載した高周波部品の信頼性を高める上で好ましい。この場合、導体材料としては、誘電体材料との同時焼成が可能なメタライズ導体を用いることが、気密封止性と生産性の上で望ましい。   In particular, when the high-frequency line-waveguide converter is built in a wiring board on which high-frequency components are mounted, the dielectric material forming the dielectric layer 2 has a small dielectric loss tangent and can be hermetically sealed. It is desirable to be. A particularly desirable dielectric material includes at least one inorganic material selected from the group of aluminum oxide, aluminum nitride, and glass ceramic material. Such a hard material is preferable in terms of improving the reliability of the mounted high-frequency component because the dielectric loss tangent is small and the mounted high-frequency component can be hermetically sealed. In this case, it is desirable to use a metallized conductor that can be fired simultaneously with the dielectric material as the conductor material in terms of hermetic sealing and productivity.

本発明の高周波線路−導波管変換器は以下のようにして作製される。例えば誘電体材料に酸化アルミニウム質焼結体を用いる場合であれば、まず酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤,溶媒を添加混合してスラリー状にし、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを作製する。また、タングステンやモリブデン等の高融点金属,酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤,溶媒を添加混合してメタライズペーストを作製する。   The high-frequency line-waveguide converter of the present invention is manufactured as follows. For example, when an aluminum oxide sintered body is used as a dielectric material, first, an appropriate organic solvent or solvent is added to and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide to form a slurry. This is formed into a sheet shape by a conventionally known doctor blade method or calendar roll method to produce a ceramic green sheet. Further, a metallized paste is prepared by adding and mixing an appropriate organic solvent and solvent to a raw material powder such as a high melting point metal such as tungsten or molybdenum, aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, calcium oxide or the like.

次に、セラミックグリーンシートに、例えば打ち抜き法によりシールド導体部7としての貫通導体を形成するための貫通孔を形成し、例えば印刷法により、その貫通孔にメタライズペーストを埋め込み、続いて線路導体3、スロット5を有する同一面接地導体層4の形状にメタライズペーストを印刷する。誘電体層2が複数の誘電体層の積層構造からなる場合には、これら導体が埋め込み,印刷されたセラミックグリーンシートを積層し、加圧して圧着し、高温(約1600℃)で焼成する。さらに、線路導体3、同一面接地導体層4等の表面に露出する導体の表面には、ニッケルめっきおよび金めっきを被着させる。   Next, a through hole for forming a through conductor as the shield conductor portion 7 is formed in the ceramic green sheet by, for example, a punching method, and a metallized paste is embedded in the through hole by, for example, a printing method. The metallized paste is printed in the shape of the same-surface grounded conductor layer 4 having the slots 5. When the dielectric layer 2 has a laminated structure of a plurality of dielectric layers, ceramic green sheets embedded and printed with these conductors are laminated, pressed and pressed, and fired at a high temperature (about 1600 ° C.). Furthermore, nickel plating and gold plating are applied to the surface of the conductor exposed on the surface of the line conductor 3, the same-surface ground conductor layer 4, and the like.

シールド導体部7は線路導体3の一端部およびスロット5を取り囲むように誘電体層2の側面または内部に配され、同一面接地導体層4に電気的に接続されて接地される。   The shield conductor portion 7 is disposed on the side surface or inside of the dielectric layer 2 so as to surround one end portion of the line conductor 3 and the slot 5, and is electrically connected to the same-surface ground conductor layer 4 and grounded.

シールド導体部7は、誘電体層2の内部に配された複数のシールド用貫通導体により構成するとよい。複数のシールド用貫通導体は線路導体3の一端部およびスロット5を取り囲むように誘電体層2内に配列されてシールド導体部7を形成している。このときシールド用貫通導体は、不要な共振が発生しないように導波管6の開口に対してその内側に位置するように設置することが望ましい。このようにシールド導体部7を複数のシールド用貫通導体で形成すると、誘電体層2のシールド導体部7で囲まれた領域の形状を任意に設計することができるので、たとえば誘電体層2のシールド導体部7で囲まれた領域に不要な共振が発生する場合に、シールド導体部7の配置を調整して、不要共振を信号変換の帯域外にシフトさせることが可能となる。   The shield conductor portion 7 may be constituted by a plurality of shield through conductors arranged inside the dielectric layer 2. The plurality of shield through conductors are arranged in the dielectric layer 2 so as to surround one end of the line conductor 3 and the slot 5 to form a shield conductor portion 7. At this time, it is desirable that the shield through conductor is disposed so as to be located inside the opening of the waveguide 6 so that unnecessary resonance does not occur. When the shield conductor portion 7 is formed of a plurality of shield through conductors in this way, the shape of the region surrounded by the shield conductor portion 7 of the dielectric layer 2 can be arbitrarily designed. When unnecessary resonance occurs in the region surrounded by the shield conductor portion 7, the arrangement of the shield conductor portion 7 can be adjusted to shift the unnecessary resonance outside the signal conversion band.

シールド用貫通導体同士の隙間(Gで示す)は、信号波長の1/4未満にすることが望ましい。これは、信号波長の1/4未満とすることにより電磁波がシールド用貫通導体間の隙間から漏れにくくなるので、シールド効果を高めることができるからである。   The gap (indicated by G) between the shield through conductors is preferably less than ¼ of the signal wavelength. This is because the electromagnetic wave is less likely to leak from the gap between the shielding through conductors by setting it to less than ¼ of the signal wavelength, so that the shielding effect can be enhanced.

なお、シールド導体部7を構成するシールド用貫通導体は、貫通孔の内壁に導体層が被着されたいわゆるスルーホール導体であってもよく、貫通孔の内部が導体で充填されたいわゆるビア導体であってもよい。   The shield through conductor constituting the shield conductor portion 7 may be a so-called through-hole conductor in which a conductor layer is attached to the inner wall of the through-hole, or a so-called via conductor in which the inside of the through-hole is filled with a conductor. It may be.

また、好ましくは、図1に示すように誘電体層2の内層に平面透視してスロット5と重なるとともに、スロット5と同じかスロット5よりも大きい開口が形成された内部接地導体層9を形成してもよい。これにより、線路導体3の接地電位をより強化することができ、伝送性をより向上できる。   Preferably, as shown in FIG. 1, the inner ground conductor layer 9 is formed in the inner layer of the dielectric layer 2 so as to overlap with the slot 5 in a plan view and has an opening that is the same as or larger than the slot 5. May be. Thereby, the ground potential of the line conductor 3 can be further strengthened, and the transmission property can be further improved.

導波管6の形状は特に制約はなく、例えば方形導波管として規格化されているWRシリーズを用いると、測定用校正キットが充実しているので種々の特性評価が容易になるが、使用する高周波信号の周波数に応じてシステムの小型軽量化のために導波管のカットオフが発生しない範囲で小型化した方形導波管を用いてもよい。また、円形導波管を用いてもよい。   The shape of the waveguide 6 is not particularly limited. For example, when a WR series standardized as a rectangular waveguide is used, a variety of measurement calibration kits are available, so that various characteristics can be easily evaluated. In order to reduce the size and weight of the system in accordance with the frequency of the high-frequency signal, a rectangular waveguide that is miniaturized within a range in which the waveguide is not cut off may be used. A circular waveguide may be used.

導波管6は、金属で構成し、管内壁を電流による導体損低減や腐食防止のために金,銀等の貴金属で被覆するとよい。また、樹脂を必要な導波管形状に成型し、金属の場合と同様に管内壁を金,銀等の貴金属で被覆したものであってもよい。導波管6の高周波線路−導波管変換器への取り付けは、ろう材による接合やねじによる締め付け等によって行なわれる。   The waveguide 6 is made of metal, and the inner wall of the tube may be covered with a noble metal such as gold or silver in order to reduce conductor loss due to current or prevent corrosion. Alternatively, the resin may be molded into a necessary waveguide shape, and the inner wall of the tube may be covered with a noble metal such as gold or silver as in the case of metal. The waveguide 6 is attached to the high-frequency line-waveguide converter by joining with a brazing material or fastening with a screw.

ろう材による接合によって導波管6を高周波線路−導波管変換器へ取り付けるためには、同一面接地導体層4およびシールド導体部7と電気的に接続された導波管接続用導体を、取り付けられる導波管6の開口に合わせて形成しておくとよい。例えば、図1に示したように、誘電体層2の下面にシールド用貫通導体から成るシールド導体部7と接続されたメタライズ層から成る導波管接続用導体10を形成しておくとよい。このような導波管接続用導体10を形成しておくと、導波管6を高周波線路−導波管変換器へ取り付けた際の導波管6とシールド導体部7および同一面接地導体層4との電気的接続がより確実なものとなるので、信頼性の高い高周波線路−導波管変換器を構成することができる点で好ましいものとなる。   In order to attach the waveguide 6 to the high-frequency line-waveguide converter by joining with a brazing material, a waveguide connecting conductor electrically connected to the same plane ground conductor layer 4 and the shield conductor portion 7 is used. It is good to form according to the opening of the waveguide 6 to be attached. For example, as shown in FIG. 1, a waveguide connecting conductor 10 made of a metallized layer connected to a shield conductor portion 7 made of a shielding through conductor may be formed on the lower surface of the dielectric layer 2. When such a waveguide connecting conductor 10 is formed, the waveguide 6 and the shield conductor portion 7 and the coplanar ground conductor layer when the waveguide 6 is attached to the high-frequency line-waveguide converter are formed. Since the electrical connection with 4 is more reliable, it is preferable in that a highly reliable high-frequency line-waveguide converter can be configured.

導波管接続用導体10は、前述の作製方法において、線路導体3および同一面接地導体層4の形成と同様に、導波管接続用導体10の形状にメタライズペーストを印刷することにより同時に形成すればよい。さらに、線路導体3や同一面接地導体層4等の表面に露出する導体と同様に、その表面にニッケルめっきおよび金めっきを被着させると、ろう材による接合の場合のろう材の濡れ性が向上するので、より好ましいものとなる。   The waveguide connecting conductor 10 is simultaneously formed by printing metallized paste on the shape of the waveguide connecting conductor 10 in the above-described manufacturing method, similarly to the formation of the line conductor 3 and the same-surface grounded conductor layer 4. do it. Further, like the conductor exposed on the surface of the line conductor 3 and the same-surface ground conductor layer 4 and the like, when nickel plating and gold plating are applied to the surface, the wettability of the brazing material in the case of joining with the brazing material is increased. Since it improves, it becomes more preferable.

また、図1に示すように、本発明の高周波線路−導波管変換器は、好ましくは、結合部近傍8の長さをLとし、線路導体3により伝送される高周波信号の実効波長をλとしたときに、λ/8≦L≦λ/4であるのがよい。これにより、伝送される高周波信号の周波数帯域において、高周波線路1とスロット5間での反射損失を効果的に抑えることができ、更に高周波線路−導波管変換器の変換効率を高めることができる。   Further, as shown in FIG. 1, the high-frequency line-waveguide converter of the present invention is preferably configured such that the length near the coupling portion 8 is L and the effective wavelength of the high-frequency signal transmitted by the line conductor 3 is λ. Λ / 8 ≦ L ≦ λ / 4 is preferable. Thereby, in the frequency band of the transmitted high frequency signal, the reflection loss between the high frequency line 1 and the slot 5 can be effectively suppressed, and the conversion efficiency of the high frequency line-waveguide converter can be further increased. .

結合部近傍8の長さLがλ/8未満であると、波長に対して短かすぎるため、高周波線路とスロットとのインピーダンス整合部として機能しにくくなる。また、結合部近傍8の長さLがλ/4を超えると、結合部が周波数特性を持ち、高周波線路1からスロット5への変換を妨げやすくなる。   When the length L of the coupling portion vicinity 8 is less than λ / 8, it is too short with respect to the wavelength, so that it becomes difficult to function as an impedance matching portion between the high-frequency line and the slot. Further, if the length L of the vicinity 8 of the coupling portion exceeds λ / 4, the coupling portion has frequency characteristics, and the conversion from the high frequency line 1 to the slot 5 is likely to be hindered.

また、接合部近傍8と同一面接地導体層4との間隔は、誘電体層2の外周側(図1の線路導体3の一端部のスロット5の外側に位置する部位における線路導体3の接合部近傍8以外の部位)と同一面接地導体層4との間隔の0.2〜0.8倍であるのがよい。0.2倍未満であると、間隔が急激に変化することにより高周波信号の伝播モードが乱れ、高周波線路1からスロット5への変換を妨げやすくなる。また、0.8倍を超えると、間隔の変化が小さいことから、インピーダンス整合部として機能しにくくなる。   Further, the distance between the vicinity 8 of the joint and the same-surface ground conductor layer 4 is determined so that the outer periphery of the dielectric layer 2 (the joint of the line conductor 3 at the portion located outside the slot 5 at one end of the line conductor 3 in FIG. It is preferable that it is 0.2 to 0.8 times the interval between the same-surface ground conductor layer 4 and a portion other than the portion vicinity 8. If it is less than 0.2 times, the interval changes rapidly, thereby disturbing the propagation mode of the high-frequency signal and easily preventing the conversion from the high-frequency line 1 to the slot 5. On the other hand, if it exceeds 0.8 times, the change in the interval is small, so that it becomes difficult to function as an impedance matching unit.

好ましくは、線路導体3の一端部およびスロット5の接合部近傍8は、スロット5に近づくにつれて同一面接地導体層4との間隔が狭くなるように形成されているのがよい。これにより、高周波線路1と導波管6とのインピーダンスを、徐々に近づけることができ、高周波線路1と導波管6との間にインピーダンスの急激な変化が生じるのを有効に抑制することができる。   Preferably, one end of the line conductor 3 and the vicinity 8 of the joint of the slot 5 are formed so that the distance from the same-surface ground conductor layer 4 becomes narrower as the slot 5 is approached. As a result, the impedance between the high-frequency line 1 and the waveguide 6 can be gradually reduced, and it is possible to effectively suppress a sudden change in impedance between the high-frequency line 1 and the waveguide 6. it can.

本発明の高周波線路−導波管変換器の実施例を以下に説明する。   Examples of the high-frequency line-waveguide converter of the present invention will be described below.

まず、比誘電率が8.6からなるアルミナセラミックスから成り、厚みが1.9mmの誘電体層2の内部に高周波線路1として特性インピーダンスが50Ωとなるような線路導体3および同一面接地導体層4を形成した。さらに、同一面接地導体層4に線路導体3に直交するように、線路導体3の線路方向の長さが0.1mm、線路導体3に直交する方向の長さが3.1mmのスロット5を形成した。   First, a line conductor 3 and a coplanar ground conductor layer 4 having a characteristic impedance of 50Ω are formed as a high-frequency line 1 in a dielectric layer 2 made of alumina ceramics having a relative dielectric constant of 8.6 and having a thickness of 1.9 mm. did. Further, a slot 5 having a length in the line direction of the line conductor 3 of 0.1 mm and a length in the direction perpendicular to the line conductor 3 of 3.1 mm is formed in the same plane ground conductor layer 4 so as to be orthogonal to the line conductor 3. .

また、線路導体3とスロット5との接合近傍部において、線幅が0.45mmであるインピーダンス整合部(線路導体3の一端部およびスロット5の接合部近傍8)を長さLが0.68mmとなるように形成した。   Further, in the vicinity of the junction between the line conductor 3 and the slot 5, the impedance matching portion (one end portion of the line conductor 3 and the vicinity of the junction 8 of the slot 5) having a line width of 0.45 mm has a length L of 0.68 mm. Formed as follows.

ここで、接続する導波管6をWR−42(18GHz〜26.5GHz)に設定し、高周波3次元構造シミュレータ(Ansoft社製HFSS)を用いて24GHzを中心周波数として設計した。   Here, the waveguide 6 to be connected was set to WR-42 (18 GHz to 26.5 GHz), and a high frequency three-dimensional structure simulator (HFSS manufactured by Ansoft) was used to design 24 GHz as a center frequency.

その結果、24GHzにおける反射損失S11は-30dB以下であり、実用的な高周波モジュールを製作する上で十分に小さい反射損失であることが確認された。   As a result, the reflection loss S11 at 24 GHz was −30 dB or less, and it was confirmed that the reflection loss was sufficiently small for manufacturing a practical high-frequency module.

次に、インピーダンス整合部の長さLを0.3mm〜1.2mmの範囲で変化させた場合の反射損失S11を高周波3次元構造シミュレータ(Ansoft社製HFSS)を用いてシミュレーションした。   Next, the reflection loss S11 when the length L of the impedance matching portion was changed in the range of 0.3 mm to 1.2 mm was simulated using a high-frequency three-dimensional structure simulator (HFSS manufactured by Ansoft).

各試料における24GHzでの反射損失S11を図2に示す。   The reflection loss S11 at 24 GHz in each sample is shown in FIG.

その結果、結合部近傍のインピーダンス整合部の長さをLとし、線路導体3により伝送される高周波信号の実効波長をλとしたときにλ/8≦L≦λ/4に相当する0.5mm〜1mmの範囲において、反射損失S11≦-10dBと高周波モジュールを製作する上で実用的な反射損失が得られることが確認された。   As a result, when the length of the impedance matching portion in the vicinity of the coupling portion is L, and the effective wavelength of the high-frequency signal transmitted by the line conductor 3 is λ, 0.5 mm to which corresponds to λ / 8 ≦ L ≦ λ / 4 In the range of 1 mm, it was confirmed that a reflection loss S11 ≦ −10 dB and a practical reflection loss can be obtained in manufacturing a high-frequency module.

なお、本発明は以上の実施の形態の例および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更を行なっても差し支えない。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications may be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、図1では高周波線路1がコプレーナ線路構造の場合の例を示したが、線路導体3と導波管6との間に下面接地層10を設けてグランド付きコプレーナ線路構造とした場合であっても、あるいは誘電体層2の上にさらに誘電体層を積層し、この誘電体層の上面に線路導体3を覆うように上面接地導体層を設けたグランド付きコプレーナ線路構造としてもよく、いずれの場合であっても誘電体層2、線路導体3、同一面接地導体層4、スロット5、導波管6、シールド導体部7の位置関係を図1に示す例と同様にすることにより、同様の効果を得ることができる。   For example, FIG. 1 shows an example in which the high-frequency line 1 has a coplanar line structure, but this is a case where a ground plane 10 is provided between the line conductor 3 and the waveguide 6 to form a coplanar line structure with a ground. Alternatively, a coplanar line structure with a ground in which a dielectric layer is further stacked on the dielectric layer 2 and an upper surface ground conductor layer is provided on the upper surface of the dielectric layer so as to cover the line conductor 3 may be used. Even in this case, by making the positional relationship of the dielectric layer 2, the line conductor 3, the coplanar ground conductor layer 4, the slot 5, the waveguide 6, and the shield conductor portion 7 the same as the example shown in FIG. Similar effects can be obtained.

また、図1では線路導体3の線幅がスロット5との接合近傍部で太くすることにより、線路導体3と同一面接地導体5との間隔を狭くした場合の例を示したが、同一面接地導体4の形状を変更させる(例えば、線路導体3側に突出させる)ことにより、線路導体3と同一面接地導体5との間隔を狭くしても構わない。   FIG. 1 shows an example in which the line conductor 3 is thickened in the vicinity of the junction with the slot 5 so that the distance between the line conductor 3 and the ground conductor 5 is reduced. By changing the shape of the ground conductor 4 (for example, projecting toward the line conductor 3 side), the distance between the line conductor 3 and the same-surface ground conductor 5 may be narrowed.

また、図1ではシールド導体部7は複数の貫通導体の場合の例を示したが、誘電体層2を小さくし側面に導体層を形成したり、導波管6を高周波線路−導波管変換器側に延長することにより導波管6をシールド導体部としても構わない。   FIG. 1 shows an example in which the shield conductor portion 7 is a plurality of through conductors. However, the dielectric layer 2 is reduced to form a conductor layer on the side surface, or the waveguide 6 is replaced with a high-frequency line-waveguide. The waveguide 6 may be used as a shield conductor portion by extending to the converter side.

(a)は本発明の高周波線路−導波管変換器の実施の形態の一例を示す平面図であり、(b)は(a)の高周波線路−導波管変換器のA−AA線における断面図である。(A) is a top view which shows an example of embodiment of the high frequency line-waveguide converter of this invention, (b) is in the A-AA line of the high frequency line-waveguide converter of (a). It is sectional drawing. 本発明の実施例における高周波信号の反射損失S11の特性を示すグラフである。It is a graph which shows the characteristic of the reflection loss S11 of the high frequency signal in the Example of this invention. 従来の高周波線路−導波管変換器の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of the conventional high frequency track-waveguide converter.

符号の説明Explanation of symbols

1は高周波線路
2は誘電体層
3は線路導体
4は同一面接地導体層
5はスロット
6は導波管
7はシールド導体部
8は一端部およびスロットの接合部近傍
1 is a high-frequency line 2, dielectric layer 3, line conductor 4 is coplanar ground conductor layer 5, slot 6 is waveguide 7, shield conductor 8 is one end, and near the joint of the slot

Claims (2)

誘電体層の上面に形成された線路導体および前記誘電体層の上面で前記線路導体の一端部を取り囲むように形成された同一面接地導体層から成る高周波線路と、前記同一面接地導体層に前記線路導体の前記一端部と直交するように形成されて前記線路導体と電磁的に結合されたスロットと、平面視で前記線路導体の前記一端部および前記スロットを取り囲むように前記誘電体層の側面または内部に配されたシールド導体部と、前記誘電体層の下面側に開口を前記線路導体の前記一端部および前記スロットに対向させて配され、前記シールド導体部と電気的に接続された導波管とを具備する高周波線路−導波管変換器であって、前記線路導体と前記同一面接地導体層との間隔を、前記誘電体層の外周側に比し前記スロットとの接合部近傍で狭くしたことを特徴とする高周波線路−導波管変換器。 A line conductor formed on the upper surface of the dielectric layer, a high-frequency line including a coplanar ground conductor layer formed so as to surround one end portion of the line conductor on the upper surface of the dielectric layer, and the coplanar ground conductor layer A slot formed orthogonal to the one end of the line conductor and electromagnetically coupled to the line conductor; and the dielectric layer so as to surround the one end and the slot of the line conductor in plan view. A shield conductor portion disposed on a side surface or inside, and an opening on the lower surface side of the dielectric layer is disposed to face the one end portion and the slot of the line conductor, and is electrically connected to the shield conductor portion. A high-frequency line-waveguide converter comprising a waveguide, wherein a distance between the line conductor and the same-surface grounded conductor layer is greater than that of the outer peripheral side of the dielectric layer, and a junction with the slot Narrow in the vicinity Waveguide converter - high-frequency line, characterized in that the. 前記結合部近傍の長さをLとし、前記線路導体により伝送される高周波信号の実効波長をλとしたときに、λ/8≦L≦λ/4であることを特徴とする請求項1記載の高周波線路−導波管変換器。 2. The length of the vicinity of the coupling portion is L, and λ / 8 ≦ L ≦ λ / 4, where L is an effective wavelength of a high-frequency signal transmitted by the line conductor. High frequency line-waveguide converter.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011044953A (en) * 2009-08-21 2011-03-03 Sony Corp Wired transmission line for av device

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