JP2006203262A - Light emitting apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子から発光される光を蛍光体で波長変換し外部に発光する発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device that converts the wavelength of light emitted from a light emitting element with a phosphor and emits light to the outside.
従来の発光ダイオード(LED)等の発光素子14から発光される近紫外光や青色光等の光を赤色,緑色,青色,黄色等の光に変換する蛍光体により任意の色を発光する発光装置11を図2に示す。図2において、発光装置11は、上面の中央部に発光素子14を載置するための載置部12aを有し、載置部12aおよびその周辺から発光装置11の内外を電気的に導通接続するリード端子やメタライズ配線等からなる配線導体(図示せず)が形成された絶縁体からなる基体12と、基体12の上面に接着固定され、上側開口が下側開口より大きい貫通孔が形成されているとともに、内周面が発光素子14から発光される光を反射する反射面とされている枠体13と、枠体13の内部に充填される、発光素子14の光を長波長変換する蛍光体(図示せず)が含有された透光性部材15と、載置部12aに載置固定された発光素子14とから主に構成されている。
A light-emitting device that emits an arbitrary color by a phosphor that converts light such as near-ultraviolet light and blue light emitted from a light-emitting
基体12は、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)や窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,ガラスセラミックス等のセラミックス、またはエポキシ樹脂等の樹脂から成る。基体12がセラミックスから成る場合、その上面に配線導体(図示せず)がタングステン(W),モリブデン(Mo)−マンガン(Mn)等から成る金属ペーストを高温で焼成して形成される。また、基体12が樹脂から成る場合、銅(Cu)や鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等から成るリード端子がモールド成型されて基体12の内部に設置固定される。
The
また、枠体13は、上側開口が下側開口より大きい貫通孔が形成されるとともに貫通孔の内周面に光を反射する反射面が設けられた枠状となっている。具体的には、アルミニウム(Al)やFe−Ni−コバルト(Co)合金等の金属、アルミナセラミックス等のセラミックスまたはエポキシ樹脂等の樹脂から成り、切削加工や金型成型または押し出し成型等の成形技術により形成される。
Further, the
さらに、枠体13の反射面は、研磨して平坦化することにより、あるいは、枠体13の内周面にAl等の金属を蒸着法やメッキ法により被着することにより形成される。そして、枠体13は、半田,銀(Ag)ペースト等のロウ材または樹脂接着材等の接合材により、載置部12aを内周面で取り囲むように基体12の上面に接合される。
Further, the reflecting surface of the
また、発光素子14は、半田やAgペースト等の導電性を有する接着剤(図示せず)で載置部12aに載置される。
The
そして、載置部12aの周辺に配置した配線導体(図示せず)と発光素子14とをボンディングワイヤ(図示せず)を介して電気的に接続し、しかる後、蛍光体を含有するエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の透光性部材15をディスペンサー等の注入機で発光素子14を覆うように枠体13の内部に充填しオーブンで熱硬化させることで、発光素子14からの光を蛍光体により長波長側に波長変換し所望の波長スペクトルを有する光を取り出せる発光装置11となし得る。
しかしながら、上記従来の発光装置11は、発光素子14から上方向に発光されて透光性部材15の上面である発光面17から放射される光と、横方向や下側方向に発光されて枠体13で反射された後に発光面17から放射される光とで透光性部材15を透過する行路長が異なるため、放射光強度のむらや色むらが発光面17において生じやすいという問題点を有していた。
However, the conventional
このような問題点を解決するために、枠体13の内周面の基体12の上面に対する角度θ3を大きくし、発光素子14からあらゆる方向に発光される光の行路長差を小さくするという方法がある。しかし、角度θ3を大きくするに従って、発光素子14の光が枠体13内部で反射する反射回数が増加するために、光の反射損失や透光性部材15内での伝搬損失が増加するという問題点を有していた。
To solve this problem, that by increasing the angle theta 3 with respect to the upper surface of the
また、枠体13内側における光の反射回数を小さくするために角度θ3を小さくすると、発光面17の面積が大きくなって発光装置11より発光される光の指向性が低くなり、その結果、指向性を高めるために光学レンズ等の集光部材を発光面17の上面に取着する必要があり、発光装置11の小型化が困難になるという問題点を有していた。
Also, reducing the angle theta 3 in order to reduce the number of reflections of light in the
さらに、発光素子14から発光される光によって照射される蛍光体の割合を高めて光を効率よく波長変換させるために発光素子14を取り囲む枠体13の内周面の算術平均粗さを大きくして発光素子14からの光を散乱させた場合、波長変換効率は向上して放射光強度が高まるものの、枠体13における散乱により発光装置11の外部へ所望とする放射角度で光を放射させることが困難となり指向性が低下し易いという問題点を有していた。
Furthermore, the arithmetic mean roughness of the inner peripheral surface of the
また逆に、発光素子14を取り囲む枠体13の内周面を平滑にして、発光素子14からの光を内周面で正反射させ所望とする放射角度で光を放射させた場合、放射光の指向性は高まるものの、発光素子14の光が内周面で正反射することから、正反射方向以外の蛍光体を照射する光の割合が低下して波長変換効率が低下し、光出力が劣化しやすくなるという問題点を有していた。
Conversely, when the inner peripheral surface of the
従って、本発明はかかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、放射光強度が高いとともに指向性が高く、放射光の強度むらや色むらがきわめて少ない発光装置を提供することにある。 Accordingly, the present invention has been devised in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting device that has high radiated light intensity, high directivity, and very little radiated light intensity unevenness and color unevenness. There is to do.
本発明の発光装置は、基体と、該基体上に搭載された発光素子と、前記基体上に配置されているとともに前記発光素子を囲み、前記基体側に配置された第1の反射面および外部側に配置された第2の反射面を有する反射部材と、前記発光素子から放出された光の波長を変換する蛍光体が含まれており、前記反射部材の内側に設けられているとともに、前記第2の反射面より下方に位置する発光面を有する透光性部材とを備えているものである。 The light-emitting device of the present invention includes a base, a light-emitting element mounted on the base, a first reflecting surface disposed on the base and surrounding the light-emitting element, and an external surface. A reflecting member having a second reflecting surface disposed on the side, and a phosphor that converts the wavelength of light emitted from the light emitting element, are provided inside the reflecting member, and A translucent member having a light emitting surface located below the second reflecting surface.
また、本発明の発光装置は、前記第1の反射面の第1の傾斜角度と前記第2の反射面の第2の傾斜角度とが異なるものである。 In the light emitting device of the present invention, a first inclination angle of the first reflection surface is different from a second inclination angle of the second reflection surface.
また、本発明の発光装置は、前記発光素子が、窒化物半導体からなる発光ダイオードであるものである。 In the light emitting device of the present invention, the light emitting element is a light emitting diode made of a nitride semiconductor.
また、本発明の発光装置は、前記蛍光体が、前記発光素子から放出された光により励起されて、青色,赤色および緑色に発光するものである。また、本発明の発光装置は、前記透光性部材が、前記反射部材の内側に充填された熱硬化性樹脂であるものである。 In the light emitting device of the present invention, the phosphor is excited by light emitted from the light emitting element, and emits light in blue, red and green. In the light emitting device of the present invention, the translucent member is a thermosetting resin filled inside the reflective member.
本発明の発光装置は、基体側に配置された第1の反射面および外部側に配置された第2の反射面を有する反射部材と、前記第2の反射面より下方に位置する発光面を有する透光性部材とを備えている。 The light emitting device of the present invention includes a reflecting member having a first reflecting surface arranged on the base side and a second reflecting surface arranged on the outside side, and a light emitting surface located below the second reflecting surface. The translucent member which has.
本発明の発光装置は、このような構成により、発光輝度を向上させることができるとともに、色むらを低減させることが可能となる。 With such a configuration, the light emitting device of the present invention can improve light emission luminance and reduce color unevenness.
また、本発明の発光装置は、前記第1の反射面の第1の傾斜角度と前記第2の反射面の第2の傾斜角度とが異なることにより、発光特性をさらに向上させることができる。 Further, the light emitting device of the present invention can further improve the light emission characteristics because the first inclination angle of the first reflection surface is different from the second inclination angle of the second reflection surface.
また、本発明の発光装置は、前記発光素子が、窒化物半導体からなる発光ダイオードであることにより、発光効率を向上させることができる。 In the light-emitting device of the present invention, the light-emitting element is a light-emitting diode made of a nitride semiconductor, so that the light emission efficiency can be improved.
また、本発明の発光装置は、前記蛍光体が、前記発光素子から放出された光により励起されて、青色,赤色および緑色に発光することにより、所望の発光スペクトルおよび色を有する光を放射することができる。 In the light-emitting device of the present invention, the phosphor is excited by light emitted from the light-emitting element and emits light having a desired emission spectrum and color by emitting light in blue, red, and green. be able to.
また、本発明の発光装置は、前記透光性部材が、前記反射部材の内側に充填された熱硬化性樹脂であることにより、発光効率を向上させることができる。 Moreover, the light-emitting device of this invention can improve luminous efficiency, when the said translucent member is the thermosetting resin with which the inner side of the said reflection member was filled.
本発明の発光装置について以下に詳細に説明する。図1は本発明の発光装置の実施の形態の一例を示す断面図である。この図において、1は本発明の発光装置、2は基体、3は枠体(反射部材)、4は発光素子、5は蛍光体を含有した透光性部材、6は基体2の上面に対しθ1の角度(傾斜角度)を成す第1の内周面(反射面)、8は基体2の上面に対しθ2の角度(傾斜角度)を成す第2の内周面(反射面)、2aは基体2の発光素子4の載置部である。
The light emitting device of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a light emitting device of the present invention. In this figure, 1 is a light emitting device of the present invention, 2 is a substrate, 3 is a frame (reflective member), 4 is a light emitting element, 5 is a translucent member containing a phosphor, and 6 is an upper surface of the substrate 2. theta 1 angle first inner peripheral surface forming a (tilt angle) (reflection surface), 8 the second inner peripheral surface forming an angle (inclination angle) of the theta 2 with respect to the upper surface of the substrate 2 (the reflecting surface),
本発明の発光装置1は、上面に発光素子4の載置部2aを有する基体2と、基体2の上面の外周部に載置部2aを取り囲むように樹脂接着剤やろう材等で取着された枠体3と、搭載部2aから基体2の外面にかけて形成された配線導体(図示せず)と、載置部2aに接着剤等で載置されるとともに配線導体にボンディングワイヤ等で電気的に接続された発光素子4と、枠体3の内側に発光素子4を覆うように設けられ、発光素子4が発光する光を波長変換する蛍光体を含有した透光性部材5とを具備している。
The
基体2は、酸化アルミニウム質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,ガラスセラミックス等のセラミックス、または、エポキシ樹脂や液晶ポリマー等の樹脂から成る絶縁体から成る。基体2は、その上面に発光素子4を載置するための載置部2aを有しており、発光素子4を支持する支持部材として機能する。
The substrate 2 is made of an insulator made of ceramic such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a glass ceramic, or a resin such as an epoxy resin or a liquid crystal polymer. The base 2 has a
本発明の枠体3は、その内周面の傾斜角度が互いに異なる下側の第1の内周面6と上側の第2の内周面8とから成り、第1および第2の内周面6,8と基体2の上面との成す角度をそれぞれθ1およびθ2としたときに、θ2>θ1である。これにより、発光素子4から横方向や下側方向に発光された光を第1の内周面6で効率よく上方向に反射させ、枠体3内で反射を繰り返すことなく良好に放射させることができ放射光強度をきわめて高くすることができる。また、斜め上方に進む光を第2の内周面8で効果的に発光装置1の発光軸の方向に反射させることができ、放射光の指向性を非常に高めることができる。これらの結果、高い放射光強度と高い指向性とをともに有する発光特性に優れた発光装置1となる。
The
枠体3は、AlやFe−Ni−Co合金等の金属、アルミナセラミックス等のセラミックスまたはエポキシ樹脂等の樹脂から成り、切削加工や金型成型または押し出し成型等の成形技術により形成される。
The
また、角度θ1は、30°〜45°であるのがよく、角度θ2は、50°〜70°であるのがよい。これにより、高い放射光強度と高い指向性とをより高めることができる。 In addition, the angle θ 1 is preferably 30 ° to 45 °, and the angle θ 2 is preferably 50 ° to 70 °. Thereby, high radiated light intensity and high directivity can be improved more.
本発明の透光性部材5は、好ましくは、第1の内周面6の上端より下側に充填されるのがよい。これにより、発光素子4からあらゆる方向に発光される光の透光性部材5を透過する行路長を均一に近づけることができ、波長変換効率がばらつくのを有効に抑制して放射光強度むらや色むらを非常に少なくすることができる。
The
本発明の第1および第2の内周面6,8は、発光素子4の光を高い反射率で反射させ得る反射面を有している。このような、反射面は、枠体3を切削加工や金型成形、研磨等研磨等の方法で加工して第1および第2の内周面6,8を平坦化することにより形成することができる。特に、光反射効率を高くするため、枠体3としてAl,Ag,金(Au),白金(Pt),チタン(Ti),クロム(Cr),Cu等の高反射率の金属を用い、切削加工や金型成形、研磨等により第1および第2の内周面6,8を平坦化することにより形成するのが好ましい。
The first and second inner peripheral surfaces 6 and 8 of the present invention have reflection surfaces that can reflect the light of the
あるいは、反射面は、耐候性や耐湿性に優れるCu−W合金やSUS合金,セラミックスより形成された枠体3の第1,第2の内周面6,8に、Al,Ag,Au等の金属メッキや蒸着等の金属薄膜を形成することにより作製してもよい。なお、反射面がAgやCu等の酸化により変色し易い金属からなる場合には、その表面に、紫外領域から可視光領域にわたり透過率の優れる低融点ガラスやゾル−ゲルガラス、または、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂を被着するのが良く、これにより、枠体3の第1の内周面6および第2の内周面8の耐腐食性、耐薬品性、耐候性を向上することができる。
Alternatively, the reflecting surface is formed of Al, Ag, Au, etc. on the first and second inner peripheral surfaces 6 and 8 of the
また、第1の内周面6は、好ましくは、算術平均粗さが第2の内周面8よりも大きくなっているのがよい。これにより、第1の内周面6で反射光を良好に散乱させて多くの蛍光体に光を照射させることができ、波長変換効率をより高くすることができるとともに、斜め上方に進行する光を第2の内周面8により、乱反射させることなく上方向に効率よく正反射させて指向性を高めることができ、放射光強度および指向性をともにより向上させることができる。 The first inner peripheral surface 6 preferably has an arithmetic average roughness larger than that of the second inner peripheral surface 8. Thereby, the reflected light can be satisfactorily scattered on the first inner peripheral surface 6 to irradiate many phosphors with light, the wavelength conversion efficiency can be further increased, and the light traveling obliquely upward The second inner peripheral surface 8 can efficiently regularly reflect upward without irregular reflection to increase the directivity, and can further improve the emitted light intensity and directivity.
また、第1および第2の内周面6,8は、その算術平均粗さをそれぞれa1およびa2としたときに、0.4μm≦a1≦0.8μm、a2≦0.1μmとすることが好ましい。例えば、Raが0.8μm<a1の場合、発光素子4の枠体3の第1の内周面6で光の乱反射が必要以上に起こり、枠体3の外部に出射する光が減少しやすくなる。また、a1<0.4μmの場合、光が第1の内周面6で正反射しすぎることで一部の蛍光体には強い光が照射し、また一部の蛍光体には光が照射しない現象がおこりやすくなり、蛍光体で効率よく波長変換するのが困難になる。その結果、発光装置1の内部における光の伝搬損失が大きくなり、光を効率よく発光装置1の外部に出射することが困難になる。
Further, the first and second inner peripheral surfaces 6 and 8 are set to 0.4 μm ≦ a 1 ≦ 0.8 μm and a 2 ≦ 0.1 μm when the arithmetic average roughnesses are a 1 and a 2 , respectively. Is preferred. For example, when Ra is 0.8 μm <a 1 , irregular reflection of light occurs more than necessary on the first inner peripheral surface 6 of the
また、0.1μm<a2の場合、発光素子4の枠体3の第2の内周面8で光を正反射することが困難になるとともに発光装置1の内部で乱反射しやすくなる。その結果、発光装置1の内部における光の伝搬損失が大きく成りやすいとともに、所望の放射角度で光を発光装置1の外部に出射することが困難になる。
In addition, when 0.1 μm <a 2 , it is difficult to regularly reflect light on the second inner peripheral surface 8 of the
蛍光体は、発光素子4の光で励起され電子の再結合により青色,赤色,緑色等に発光する、無機系,有機系の蛍光体が透明性部材5に充填される。これにより、蛍光体を任意の割合で配合することにより、所望の発光スペクトルと色を有する光を出力することができる。
The
発光素子4は、サファイア基板上にGaN,AlGaN,InGaN等から構成されるバッファ層,n型層,発光層,p型層を順次積層した窒化物半導体が用いられる。
The light-emitting
透光性部材5は、発光素子4との屈折率差が小さく、紫外線領域から可視光領域の光に対して透過率の高いものから成るのがよい。例えば、透光性部材5は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透明樹脂や低融点ガラスやゾル−ゲルガラス等から成る。これにより、発光素子4と透光性部材5との屈折率差により光の反射損失が発生するのを有効に抑制するとともに、発光装置1の外部へ高効率で所望の放射強度,角度分布で光を出射する発光装置1を製造できる。
The
かくして、本発明のパッケージは、基体2の搭載部2aに発光素子4を搭載するとともに、発光素子4をボンディングワイヤ(図示せず)と配線導体(図示せず)とを介して外部電気回路基板に電気的に導通させ、しかる後、発光素子4の周囲または表面に蛍光体もしくは蛍光体を混入した透光性部材5を充填し熱硬化させることにより、発光素子4の光を蛍光体により波長変換し所望の波長スペクトルを有する光を発光面7より取り出すことができる発光装置1となる。
Thus, in the package of the present invention, the
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何等支障ない。例えば、枠体3の上面に平板状の透光性の蓋体を半田や樹脂接着剤等で接合することにより、発光装置1の内部への耐浸水性が改善され長期信頼性が向上する。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. For example, by joining a flat translucent lid to the upper surface of the
1:発光装置
2:基体
2a:載置部
3:枠体
4:発光素子
5:透光性部材
6:第1の内周面
7:発光面
8:第2の内周面
1: Light emitting device 2:
Claims (5)
該基体上に搭載された発光素子と、
前記基体上に配置されているとともに前記発光素子を囲み、前記基体側に配置された第1の反射面および外部側に配置された第2の反射面を有する反射部材と、
前記発光素子から放出された光の波長を変換する蛍光体が含まれており、前記反射部材の内側に設けられているとともに、前記第2の反射面より下方に位置する発光面を有する透光性部材とを備えた発光装置。 A substrate;
A light emitting device mounted on the substrate;
A reflective member disposed on the base body and surrounding the light emitting element, and having a first reflective surface disposed on the base side and a second reflective surface disposed on the external side;
A light-transmitting light that includes a phosphor that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element, is provided inside the reflective member, and has a light-emitting surface positioned below the second reflective surface. Light-emitting device provided with a conductive member.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101026 |