JP2006197792A - Momentary voltage drop compensation device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a momentary voltage drop compensation device that provides voltage compensation, at a high speed. <P>SOLUTION: A semiconductor switch, connected in parallel with a series transformer, is composed of self-arc-extinguishing elements. Further, a control circuit is provided for causing an electric current equal to a load current to flow through the transformer in series, when a detected voltage has come to be not greater than a predetermined value, and for turning the semiconductor switch to an off state via a self-arc-extinguishing element controller, after an electric current flowing via the semiconductor switch has become low. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電力系統の事故等によって発生する瞬時電圧低下補償に係り、特に簡単な構成で高速にて補償する瞬時電圧低下補償装置に関するものである。   The present invention relates to instantaneous voltage drop compensation caused by a power system accident or the like, and more particularly to an instantaneous voltage drop compensation device that compensates at high speed with a simple configuration.

電力系統側でのギャロピング、スリートジャンプ、雷による逆フラッシュオーバー等の事故で発生する電力系統の瞬時電圧低下を補償するための装置として、図10で示すような直列補償方式が知られている。同図において、1は交流電源、2は変圧器で、負荷4に合わせた容量を有している。3は直列変圧器で、その二次巻線は変圧器2と負荷4と直列に接続されている。5は直流電源で電解コンデンサ、蓄電池、電気二重層キャパシタ等が使用される。6はインバータ、7はインダクタンスで、インバータ6において生成された電圧はこのインダクタンスを通って直列変圧器3の一次巻線に印加される。8は負荷電流を検出するための計器用変流器、9は計器用変圧器で、この計器用変圧器と変流器によって検出された電力系統の電圧、電流は図示省略されたインバータの制御回路に出力される。10は半導体素子を逆並列接続して構成した高速スイッチで、変圧器3の二次巻線とは並列状態に接続され、電力系統の正常時にはオン状態を維持してこのスイッチを介して負荷4に電力が供給される。
図10で示す瞬時電圧低下補償装置は、電源の正常時には高速スイッチを介して負荷に給電する。何らかの理由により電源電圧が低下したことをインバータの制御回路が検出すると、この制御回路は高速スイッチ10を開路すると共に、計器用変流器8及び変圧器9によって検出した電流、電圧に基づきインバータ6を制御し、電源電圧の低下量に見合った電圧をインバータ6より発生させ、直列変圧器3の一次巻線に重畳させることで負荷電圧を所定値に保つ。なお、インバータの電源は、直流電源5に蓄えられたエネルギーから供給される。
A series compensation system as shown in FIG. 10 is known as a device for compensating for an instantaneous voltage drop of the power system caused by an accident such as galloping on the power system side, three jumps, reverse flashover due to lightning, and the like. In the figure, 1 is an AC power source, 2 is a transformer, and has a capacity matched to the load 4. 3 is a series transformer, and its secondary winding is connected in series with the transformer 2 and the load 4. Reference numeral 5 denotes a DC power source, which uses an electrolytic capacitor, a storage battery, an electric double layer capacitor, and the like. 6 is an inverter, 7 is an inductance, and the voltage generated in the inverter 6 is applied to the primary winding of the series transformer 3 through this inductance. 8 is a current transformer for detecting load current, 9 is a voltage transformer, and the voltage and current of the power system detected by this voltage transformer and current transformer are controlled by an inverter not shown. Output to the circuit. Reference numeral 10 denotes a high-speed switch configured by connecting semiconductor elements in anti-parallel, and is connected in parallel with the secondary winding of the transformer 3. When the power system is normal, the on-state is maintained and the load 4 is connected via this switch. Is supplied with power.
The instantaneous voltage drop compensation device shown in FIG. 10 supplies power to a load via a high-speed switch when the power supply is normal. When the control circuit of the inverter detects that the power supply voltage has dropped for some reason, the control circuit opens the high-speed switch 10, and the inverter 6 based on the current and voltage detected by the current transformer 8 and the transformer 9. The inverter 6 generates a voltage commensurate with the amount of decrease in the power supply voltage and superimposes it on the primary winding of the series transformer 3 to keep the load voltage at a predetermined value. The inverter power is supplied from the energy stored in the DC power source 5.

このような瞬時電圧低下補償装置を介して系統電圧を補償するものとしては、特許文献1や特許文献2等が公知となっている。各特許文献のものは、系統電圧が正常の場合にはサイリスタで構成された高速スイッチを介して負荷に給電し、系統電圧の瞬時電圧低下を検出すると、インバータが電圧を発生させることによりサイリスタに流れていた電流をインバータ側に転流させる。
特許第2773214号公報 実用新案登録第2578802号公報
Patent Document 1, Patent Document 2, and the like are known as means for compensating the system voltage through such an instantaneous voltage drop compensation device. In each patent document, when the system voltage is normal, power is supplied to the load through a high-speed switch composed of a thyristor, and when an instantaneous voltage drop of the system voltage is detected, the inverter generates a voltage to the thyristor. The current that was flowing is commutated to the inverter side.
Japanese Patent No. 2773214 Utility Model Registration No. 2578802

従来の瞬時電圧低下補償装置においては、常時は逆並列接続されたサイリスタを介して負荷に通電している。このため、インバータ5の制御回路としては計器用変流器8によって検出された負荷電流の方向を監視し、通電している高速スイッチ10のサイリスタを直列変圧器側へ強制転流する向きにインバータ電圧を発生させるよう制御している。しかし、負荷電流は交流電流であり、その電流が小さいゼロ電流付近では電流の向きを判別することが困難となり、電流向きの検出誤りが発生して、図11で示すように導通しているサイリスタに対して順方向になるインバータ電圧を発生させて短絡現象が生じる問題点を有している。このような短絡現象を防止する技術は、上記した各特許文献にも開示されているが、これら従来のものは、強制転流するまでの時間が長く、高速な電圧補償を必要とする装置については不満足なものとなっている。   In the conventional instantaneous voltage drop compensator, the load is normally energized through a thyristor connected in antiparallel. Therefore, as a control circuit for the inverter 5, the direction of the load current detected by the instrument current transformer 8 is monitored, and the inverter is directed to forcibly commutate the thyristor of the energized high-speed switch 10 to the series transformer side. Controls to generate voltage. However, the load current is an alternating current, and it becomes difficult to determine the direction of the current in the vicinity of zero current where the current is small, and a detection error of the current direction occurs, and the thyristor that is conducting as shown in FIG. However, there is a problem that a short-circuit phenomenon occurs by generating an inverter voltage in the forward direction. Techniques for preventing such a short-circuit phenomenon are also disclosed in each of the above-mentioned patent documents. However, these conventional devices have a long time until forced commutation and require a high-speed voltage compensation. Is unsatisfactory.

すなわち、図12(a)で示す負荷電流のように、サイリスタ10Bが導通していて電源1から負荷4側の向きに電流が流れている状態の時刻t1で、上述の理由により電流の向きを負荷4側から電源1側に流れていると誤って検出したとする。この場合、制御装置はサイリスタ10Aを消弧させようと作用するため、インバータ6の出力電圧がA点に対してB点が正になるような電圧を発生させる。しかし、導通しているサイリスタは10Bであるため、サイリスタBに流れる電流は増大し、図12(b)で示すように時刻t2でインバータ6には過電流が流れ、ここで制御装置は電圧発生の向きが逆であると判断する。その結果、制御装置はインバータ電圧がB点に対してA点が正になるような電圧を発生させてサイリスタ10Bを消弧させ、負荷電流をインバータ側に転流させる。この転流が終了した時刻がt3であり、瞬時電圧低下補償装置として補償電圧を発生するのは図12(c)で示す時刻t3からとなる。つまり、補償電圧を発生させるまでの時間がt3−t1時間を要することになる。
そこで本発明が目的とするところは、高速にて電圧補償を可能とした瞬時電圧低下補償装置を提供することにある。
That is, at the time t1 when the thyristor 10B is conducting and the current flows from the power source 1 to the load 4 side as in the load current shown in FIG. Assume that it is erroneously detected that the current flows from the load 4 side to the power source 1 side. In this case, since the control device acts to extinguish the thyristor 10A, the output voltage of the inverter 6 generates a voltage at which the B point becomes positive with respect to the A point. However, since the conductive thyristor is 10B, the current flowing through the thyristor B increases, and an overcurrent flows through the inverter 6 at time t2 as shown in FIG. 12B. It is determined that the direction of is opposite. As a result, the control device generates a voltage that makes the inverter voltage positive with respect to the point B, extinguishes the thyristor 10B, and commutates the load current to the inverter side. The time when the commutation is completed is t3, and the compensation voltage is generated as the instantaneous voltage drop compensator from time t3 shown in FIG. That is, it takes t3-t1 time until the compensation voltage is generated.
Therefore, an object of the present invention is to provide an instantaneous voltage drop compensator capable of voltage compensation at high speed.

本発明の第1は、電力系統に直列変圧器の二次側巻線を接続し、この二次側巻線と並列に双方向流通可能に構成された半導体スイッチを接続し、且つ直列変圧器の一次側にインバータを接続し、電力系統の瞬時電圧低下を補償する瞬時電圧低下補償装置において、
前記半導体スイッチを自己消弧形素子で構成すると共に、前記電力系統の電圧を
導入して電圧低下を検出し所定値以下時に自己消弧形素子制御部を介して前記半導体スイッチをオフ状態とする電圧検出部と、前記電力系統の電圧を導入して補償電圧を発生するインバータ補償電圧発生部と、前記電圧検出部の出力信号とインバータ補償電圧発生部からの出力電圧に基づいてPWM信号を発生するPWM信号発生部とを備えたことを特徴としたものである。
A first aspect of the present invention is to connect a secondary side winding of a series transformer to a power system, connect a semiconductor switch configured to be capable of bidirectional flow in parallel with the secondary side winding, and connect the series transformer. In the instantaneous voltage drop compensator that connects the inverter to the primary side of the power supply and compensates for the instantaneous voltage drop of the power system,
The semiconductor switch is configured with a self-extinguishing element, and a voltage drop is detected by introducing a voltage of the power system, and the semiconductor switch is turned off via a self-extinguishing element control unit when the voltage is below a predetermined value. A voltage detection unit, an inverter compensation voltage generation unit that generates a compensation voltage by introducing a voltage of the power system, and generates a PWM signal based on an output signal of the voltage detection unit and an output voltage from the inverter compensation voltage generation unit And a PWM signal generating unit.

本発明の第2は、前記半導体スイッチを流れる負荷電流を検出するための計器用変流器を設け、検出された負荷電流の向きと電流レベルをそれぞれ判定する向き判定部、及び電流レベル判定部と、各判定部からの判定信号と前記電圧検出部から入力された信号に基づき前記半導体スイッチの負荷電流の流れていないスイッチ素子に対してオフ信号を出力し、導通しているスイッチ素子に対してはオン信号を継続したまま前記インバータ補償電圧発生部からの信号をインバータに出力するよう制御する制御回路を備えたことを特徴としたものである。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a current transformer for an instrument for detecting a load current flowing through the semiconductor switch, and a direction determination unit for determining a detected load current direction and a current level, respectively, and a current level determination unit And, based on the determination signal from each determination unit and the signal input from the voltage detection unit, outputs an off signal to the switch element in which the load current of the semiconductor switch does not flow, and In other words, a control circuit is provided for controlling to output the signal from the inverter compensation voltage generator to the inverter while the ON signal is continued.

本発明の第3は、負荷電流の向きと電流レベルをそれぞれ判定する向き判定部、及び電流レベル判定部と、各判定部からの判定信号と前記電圧検出部からの信号を導入すると共に電流値を変数として装置の既知の定数から転流動作終了タイミングを演算して前記を出半導体スイッチのオフ信号を出力する機能を有した制御回路を設け、この制御回路による半導体スイッチのオフ信号時に前記インバータ補償電圧発生部からの信号をインバータに出力するよう制御する制御回路を備えたことを特徴としたものである。   A third aspect of the present invention introduces a direction determination unit and a current level determination unit for determining a load current direction and a current level, a determination signal from each determination unit, and a signal from the voltage detection unit, and a current value. And a control circuit having a function of calculating the commutation operation end timing from a known constant of the device and outputting the off signal of the semiconductor switch by using the known constant of the device, and the inverter at the time of the semiconductor switch off signal by the control circuit A control circuit that controls to output a signal from the compensation voltage generator to the inverter is provided.

本発明の第4は、前記制御回路における転流動作終了タイミング時間t1は、次式によって求めることを特徴としたものである。
t1=−L/R・In(1−IL0R/E)
ただし、E:インバータの直流電圧、L:インバータの回路インダクタンスと直列変圧器のインダクタンスとの和の値、R:インバータの回路抵抗と直列変圧器の抵抗値との和、IL0:転流開始前の負荷電流
本発明の第5は、前記制御回路は、前記半導体スイッチに流れる電流が十分に減少するまでの時間を予め定め、既知のインバータ回路のインダクタンス、キャパシタンス、及び抵抗からインバータの出力すべき電圧を演算し、前記定められた時間経過後に半導体スイッチをオフすることを特徴とするものである。
A fourth aspect of the present invention is characterized in that the commutation operation end timing time t1 in the control circuit is obtained by the following equation.
t1 = -L / R.In (1-IL0R / E)
Where E: DC voltage of inverter, L: sum of inverter circuit inductance and series transformer inductance, R: sum of inverter circuit resistance and series transformer resistance, IL0: before commutation start In the fifth aspect of the present invention, the control circuit should predetermine a time until the current flowing through the semiconductor switch is sufficiently reduced, and output the inverter from the known inductance, capacitance, and resistance of the inverter circuit. The voltage is calculated, and the semiconductor switch is turned off after the predetermined time has elapsed.

以上のとおり、本発明によれば、直列変圧器と並列に接続された半導体スイッチが自己消弧形素子で構成されているので、補償開始時にインバータ過電流など転流失敗の虞がなく、確実に切り替えができる、また、電流が流れている状態でも電流を切断することが可能となる。半導体スイッチのオフによって電流は電源から直列変圧器を通して負荷に流れることになる。このとき、直列変圧器にはインピーダンスがあるため急激な電流変化により直列変圧器の両端には電圧が生じ、結果として負荷電圧が低下し、そのままでは高速な切り替えを行うことができない。本発明では、予めインバータで直列変圧器に負荷電流と同等の電流を流し、半導体スイッチに流れる少なくする強制転流を行うことで、高速かつ確実に
切り替えを行うことができる。
As described above, according to the present invention, since the semiconductor switch connected in parallel with the series transformer is composed of a self-extinguishing element, there is no risk of commutation failure such as inverter overcurrent at the start of compensation, and it is ensured. In addition, the current can be cut off even when the current is flowing. When the semiconductor switch is turned off, current flows from the power source to the load through the series transformer. At this time, since the series transformer has an impedance, a voltage is generated at both ends of the series transformer due to a rapid current change, resulting in a decrease in the load voltage, and high speed switching cannot be performed as it is. In the present invention, it is possible to perform switching at high speed and reliably by flowing a current equivalent to a load current through a series transformer with an inverter in advance and performing forced commutation to reduce the flow through the semiconductor switch.

図1は本発明の第1の実施例を示す制御装置の構成図を示したものである。また、図2〜図5は本発明を構成する主回路である。すなわち、本発明は、半導体スイッチとして自己消弧形の半導体素子が使用されるもので、図2は単体の自己消弧形素子としてGTOを使用した場合を示したものである。同図において、12はGTO、13はスナバ回路で、ダイオードD,コンデンサC,及び抵抗RよりなってGTOと並列に接続されて単体のスイッチ体11が構成される。図2では自己消弧形の半導体素子としてGTOを用いたが、IGBT等でもよいことは勿論である。   FIG. 1 is a block diagram of a control device showing a first embodiment of the present invention. 2 to 5 show main circuits constituting the present invention. That is, the present invention uses a self-extinguishing semiconductor element as a semiconductor switch, and FIG. 2 shows a case where a GTO is used as a single self-extinguishing element. In the figure, 12 is a GTO, 13 is a snubber circuit, and is composed of a diode D, a capacitor C, and a resistor R and is connected in parallel with the GTO to constitute a single switch body 11. In FIG. 2, GTO is used as a self-extinguishing type semiconductor element, but it goes without saying that an IGBT or the like may be used.

図3は半導体スイッチ14を示したもので、図2で示すスイッチ体11を逆並列に接続し、更には必要によりアレスタLAが並列に接続されて半導体スイッチ14が構成されて図10の半導体スイッチ10の代わりとして使用される。図4は回路電圧が大きい場合の適用例で、半導体スイッチ14が複数個直列に接続され、その直列体と並列にアレスタLAが接続される。R1〜Rnは抵抗で、半導体スイッチ14がオフになった時の電圧分担を等しくするための分圧抵抗である。
また、図5は定格電流が大きい場合の適用例で、複数の半導体スイッチ14とアレスタLAとが並列に構成されている。瞬時電圧低下補償装置としての他の主回路については図10と同様に構成される。
3 shows the semiconductor switch 14. The switch body 11 shown in FIG. 2 is connected in antiparallel, and if necessary, the arrester LA is connected in parallel to form the semiconductor switch 14. The semiconductor switch shown in FIG. Used as an alternative to 10. FIG. 4 shows an application example when the circuit voltage is large. A plurality of semiconductor switches 14 are connected in series, and an arrester LA is connected in parallel with the series body. R1 to Rn are resistors, which are voltage dividing resistors for equalizing the voltage sharing when the semiconductor switch 14 is turned off.
FIG. 5 shows an application example when the rated current is large, and a plurality of semiconductor switches 14 and arresters LA are configured in parallel. The other main circuit as the instantaneous voltage drop compensator is configured in the same manner as in FIG.

図1は、瞬時電圧低下補償装置の半導体スイッチが図3のように構成された場合の制御装置20の構成図である。同図において、21は電圧検出部で、計器用変圧器6の二次電圧を導入して瞬時電圧低下を検出する。22はGTOやIGBT等の自己消弧形素子の制御部で、半導体スイッチ14に対してオフ信号を出力する。23はインバータ補償電圧発生回路で、このインバータ補償電圧発生回路23は、計器用変圧器6の二次電圧を導入して基準波形を発生する基準波形発生部23aと、この発生部23aの出力と計器用変圧器6の二次電圧出力との偏差信号を導入して補償電圧信号を発生する補償電圧信号部23bを有している。24はPWM信号生成するためのPWM信号発生部で、補償電圧信号部23bからの信号と電圧検出部からの信号に基づいてPWM信号が生成されてゲート回路25を介してインバータ6のスイッチング素子のゲートに出力される。
上記のように構成されたものにおいて、計器用変圧器9によって検出された値がしきい値より高く、電源電圧が正常時の場合には半導体スイッチ14はオン状態となっており、このスイッチ14を介して負荷に給電する。何らかの理由によって電源電圧が瞬時低下すると、計器用変圧器9を介して電圧検出部21はこれを検出し制御部22に出力する。制御部22は入力された検出値と予め設定されたしきい値との偏差演算がなされ、比較される。その結果、瞬時電圧低下と判断されたときには半導体スイッチ14を開路する。
一方、計器用変圧器6の二次電圧は基準波形発生部23aにも印加され、入力電圧に応じた電圧を発生し、加算部において計器用変圧器9の出力との偏差が得た後に補償電圧信号発生部23bに出力される。補償電圧信号発生部23bは入力信号に対応した補償信号を生成してPWM信号発生部24に出力する。このPWM信号発生部24には電圧検出部21からの検出信号が入力されており、この検出信号と補償電圧信号に基づいてPWM信号を生成してインバータのゲート回路に出力する。したがって、インバータ6からは電源電圧の低下量に見合った電圧が直列変圧器3の一次巻線を介して二次巻線に重畳させることで負荷電圧を所定値に維持する。
FIG. 1 is a configuration diagram of the control device 20 when the semiconductor switch of the instantaneous voltage drop compensation device is configured as shown in FIG. In the figure, reference numeral 21 denotes a voltage detector, which detects the instantaneous voltage drop by introducing the secondary voltage of the instrument transformer 6. Reference numeral 22 denotes a control unit of a self-extinguishing element such as GTO or IGBT, which outputs an off signal to the semiconductor switch 14. Reference numeral 23 denotes an inverter compensation voltage generation circuit. The inverter compensation voltage generation circuit 23 introduces a secondary voltage of the instrument transformer 6 to generate a reference waveform, and an output of the generation unit 23a. It has a compensation voltage signal section 23b that generates a compensation voltage signal by introducing a deviation signal from the secondary voltage output of the instrument transformer 6. Reference numeral 24 denotes a PWM signal generator for generating a PWM signal. A PWM signal is generated based on the signal from the compensation voltage signal unit 23 b and the signal from the voltage detector, and the switching element of the inverter 6 is connected via the gate circuit 25. Output to the gate.
In the configuration as described above, when the value detected by the instrument transformer 9 is higher than the threshold value and the power supply voltage is normal, the semiconductor switch 14 is in the on state. Power is supplied to the load via When the power supply voltage drops instantaneously for some reason, the voltage detection unit 21 detects this via the instrument transformer 9 and outputs it to the control unit 22. The control unit 22 calculates and compares the deviation between the input detection value and a preset threshold value. As a result, when it is determined that the instantaneous voltage drop has occurred, the semiconductor switch 14 is opened.
On the other hand, the secondary voltage of the instrument transformer 6 is also applied to the reference waveform generator 23a to generate a voltage corresponding to the input voltage, and compensates after the deviation from the output of the instrument transformer 9 is obtained in the adder. It is output to the voltage signal generator 23b. The compensation voltage signal generator 23 b generates a compensation signal corresponding to the input signal and outputs it to the PWM signal generator 24. The PWM signal generator 24 receives a detection signal from the voltage detector 21, generates a PWM signal based on the detection signal and the compensation voltage signal, and outputs the PWM signal to the inverter gate circuit. Therefore, a voltage corresponding to the amount of decrease in the power supply voltage is superposed on the secondary winding via the primary winding of the series transformer 3 from the inverter 6 to maintain the load voltage at a predetermined value.

したがって、この実施例によれば、直列変圧器3と並列に接続される半導体スイッチ14に自己消弧形素子を使用したことによって、負荷電流の向きに拘わらず半導体スイッチをオフとして負荷電流を遮断することができるため、インバータは直ちに補償電圧を発生することができ、負荷電圧は途中で途切れることのない交流波形が得られる。   Therefore, according to this embodiment, by using the self-extinguishing element for the semiconductor switch 14 connected in parallel with the series transformer 3, the semiconductor switch is turned off regardless of the direction of the load current and the load current is cut off. Therefore, the inverter can immediately generate a compensation voltage, and the load voltage can obtain an AC waveform that is not interrupted.

図6は第2の実施例を示す制御装置の構成図である。この制御装置は、図7で示すように半導体スイッチ14を流れる電流の向きを検出するための計器用変流器15が設置された場合の実施例である。図6において、26は負荷電流の流れ方向を判別する向き判定部で、計器用変流器15によって検出された電流が入力される。27は電流レベル判定部で、半導体スイッチ14を流れる電流のレベルが判定される。28は制御回路で、この制御回路28には向き判定部26からの信号と電流レベル判定部27、及び電圧検出部21からの電流、電圧の各値が入力される。29は切替部である。   FIG. 6 is a block diagram of the control device showing the second embodiment. This control device is an embodiment in the case where an instrumental current transformer 15 for detecting the direction of the current flowing through the semiconductor switch 14 is installed as shown in FIG. In FIG. 6, reference numeral 26 denotes a direction determination unit for determining the flow direction of the load current, and the current detected by the current transformer 15 is input. A current level determination unit 27 determines the level of current flowing through the semiconductor switch 14. Reference numeral 28 denotes a control circuit, to which a signal from the direction determination unit 26 and current and voltage values from the current level determination unit 27 and the voltage detection unit 21 are input. Reference numeral 29 denotes a switching unit.

図6の実施例において瞬時電圧低下時には、第1の実施例と同様に計器用変圧器9を介して電圧検出部21はこれを検出し、電圧が低下したことを制御回路28に連絡する。この時、制御回路28には向き判定部26、及び電流レベル判定部27を介して半導体スイッチ14を流れる電流の向き信号とその大きさが入力されており、それらが負荷電流の向きを誤りなく検出できる程度に大きい場合には、制御回路28は、直ちに半導体スイッチ14を構成するスイッチ体11の電流の流れていない側のスイッチ体11に対して自己消弧形素子制御部22を介して当該素子のゲート信号をオフにすると共に、通電している向きのスイッチ体11のゲート信号はオン状態のままとして切替部29を制御回路28側に切り替える。これにより、半導体スイッチ14を流れる電流は、制御回路28から出力される信号で制御されたインバータ電圧によって強制転流され、その電流が十分に減少した時点を電流レベル判定部27によって判定されると、スイッチ体11に対してオフ指令を出力し、ほぼ同時に切替部29はインバータ保障電圧発生部28側に切り替える。この切り替え時には、半導体スイッチを流れていた電流は、この半導体スイッチがオフしたことによって電流は電源から直列変圧器を通して負荷に流れることになる。直列変圧器にはインピーダンスがあるため急激な電流変化により直列変圧器の両端には電圧が生じ、結果として負荷電圧が低下し、そのままでは高速な切り替えを行うことができないが、本発明では、予めインバータで直列変圧器に負荷電流と同等の電流を流し、半導体スイッチに流れる少なくする強制転流を行うことで、高速かつ確実に切り替えを行うことができる。   In the embodiment of FIG. 6, when the instantaneous voltage drops, the voltage detector 21 detects this via the instrument transformer 9 as in the first embodiment, and notifies the control circuit 28 that the voltage has dropped. At this time, the direction signal of the current flowing through the semiconductor switch 14 and the magnitude thereof are input to the control circuit 28 via the direction determination unit 26 and the current level determination unit 27, and the direction of the load current is corrected without error. If it is large enough to be detected, the control circuit 28 immediately passes through the self-extinguishing element control unit 22 to the switch body 11 on the side of the switch body 11 constituting the semiconductor switch 14 where no current flows. The gate signal of the element is turned off, and the switching unit 29 is switched to the control circuit 28 side while the gate signal of the switch body 11 in the energized direction remains on. As a result, the current flowing through the semiconductor switch 14 is forcibly commutated by the inverter voltage controlled by the signal output from the control circuit 28, and the current level determination unit 27 determines when the current has sufficiently decreased. Then, an OFF command is output to the switch body 11, and the switching unit 29 switches to the inverter guarantee voltage generating unit 28 side almost simultaneously. At the time of switching, the current flowing through the semiconductor switch flows from the power source to the load through the series transformer because the semiconductor switch is turned off. Since the series transformer has impedance, a voltage is generated at both ends of the series transformer due to an abrupt current change, resulting in a decrease in the load voltage, which cannot be switched at high speed as it is. Switching can be performed at high speed and reliably by passing a current equivalent to the load current through the series transformer with the inverter and performing forced commutation to reduce the flow through the semiconductor switch.

インバータ補償電圧発生部23は第1の実施例と同様に構成されているので、入力された電圧に応じた補償電圧を発生し、図示省略されたPWM信号発生部を介してインバータを構成する素子のゲート信号として出力し、インバータ6からは電源電圧の低下量に見合った電圧を発生し、直列変圧器3の二次巻線にはインバータからの電圧を重畳させることで負荷電圧を所定値に維持する。
なお、制御回路28は、前述した動作地にいて負荷電流が少ない場合には、半導体スイッチ14の導通状態に関わりなく自己消弧形素子制御部22を介して半導体スイッチのゲート信号をオフさせて負荷電流をオフ状態とする。
Since the inverter compensation voltage generator 23 is configured in the same manner as in the first embodiment, it generates a compensation voltage corresponding to the input voltage, and an element constituting the inverter via the PWM signal generator not shown. The inverter 6 generates a voltage commensurate with the amount of decrease in the power supply voltage, and superimposes the voltage from the inverter on the secondary winding of the series transformer 3, thereby setting the load voltage to a predetermined value. maintain.
The control circuit 28 turns off the gate signal of the semiconductor switch via the self-extinguishing element control unit 22 regardless of the conduction state of the semiconductor switch 14 when the load current is small in the above-mentioned operating place. Turn off the load current.

この実施例によれば、補償開始時にインバータに電流を発生させることなく高速で確実に切替えが可能となると共に、図8で示すように負荷電圧の振動を抑制した切替制御が可能となるものである。   According to this embodiment, at the start of compensation, the inverter can be switched at high speed and reliably without generating current, and switching control with suppressed load voltage oscillation is possible as shown in FIG. is there.

図9は第3の実施例を示す制御装置の構成図で、図6で示す第2の実施例との相違点は、制御回路28にタイミング演算部28aと対照部28bを設けた点と、電流検出を計器用変流器15に代えて計器用変流器8から得るようにしたことで、他は同様である。タイミング演算部28aは、半導体スイッチ14を流れる電流が、直列変圧器側にインバータ電圧を印加させる転流動作によって十分に小さくなったタイミングを演算するもので、装置における既知の定数であるインダクタンス値、抵抗値、及び回路の直流電圧値から電流値を演算する。対照部28bは、ROM等のテーブルよりなっており、電流値を変数として予め求めてテーブルとして格納されている。タイミング演算部28aはその演算時においてテーブルを参照し、電流が略転流し終わったタイミングを判断して自己消弧形素子制御部22に対してゲート信号のオフを指令する。   FIG. 9 is a block diagram of the control apparatus showing the third embodiment. The difference from the second embodiment shown in FIG. 6 is that the control circuit 28 is provided with a timing calculation section 28a and a comparison section 28b. Other than that, the current detection is obtained from the current transformer 8 instead of the current transformer 15. The timing calculation unit 28a calculates the timing at which the current flowing through the semiconductor switch 14 becomes sufficiently small due to the commutation operation in which the inverter voltage is applied to the series transformer side, and an inductance value that is a known constant in the device, The current value is calculated from the resistance value and the DC voltage value of the circuit. The control unit 28b is composed of a table such as a ROM, and the current value is obtained in advance as a variable and stored as a table. The timing calculation unit 28a refers to the table at the time of the calculation, determines the timing when the current is almost commutated, and instructs the self-extinguishing element control unit 22 to turn off the gate signal.

タイミング演算部28aによる転流終了のタイミング演算は次式のようにして実行される。   The timing calculation of commutation end by the timing calculation unit 28a is executed as follows.

E=Ldi(t)/dt+Ri(t)……(1)
ただし、E:インバータの直流電圧、L:インバータの回路インダクタンスと直列変圧器のインダクタンスとの和の値、R:インバータの回路抵抗と直列変圧器の抵抗値との和、i:転流で流れるインバータ電流
(1)式を展開すると、
i=E/R・(1-exp(-R/Lt))……(2)
となり、転流開始前の負荷電流をIL(t=0)=IL0とすると、転流が終了するまでの時間t1は、
t1=−L/R・In(1−IL0R/E)……(3)
となる。
E = Ldi (t) / dt + Ri (t) (1)
Where E: DC voltage of inverter, L: sum of inverter circuit inductance and series transformer inductance, R: sum of inverter circuit resistance and series transformer resistance, i: commutation flows When the inverter current (1) equation is expanded,
i = E / R. (1-exp (-R / Lt)) (2)
Assuming that the load current before the start of commutation is IL (t = 0) = IL0, the time t1 until commutation ends is
t1 = -L / R.In (1-IL0R / E) (3)
It becomes.

図9の実施例においても、計器用変圧器9を介して電圧検出部21が瞬時電圧低下を検出し、電圧が低下したことを制御回路28に連絡する。制御回路28は
半導体スイッチ14の通電してない方のスイッチ体をオフすると同時に、電流レベル判定部27からの電流で誤認識レベルよりも大きい場合には、半導体スイッチ14を流れる電流が減少したとき直流変圧器3を介してインバータ側に転流する。また、制御回路28は、半導体スイッチ14を流れる電流が十分に小さくなるまでの時間を上述の手段にて演算し、当該時間となったときに半導体スイッチ14をオフとして切替部29をインバータ補償電圧発生部23側への切り替えを実行する。
Also in the embodiment of FIG. 9, the voltage detector 21 detects an instantaneous voltage drop via the instrument transformer 9 and notifies the control circuit 28 that the voltage has dropped. When the control circuit 28 turns off the non-energized switch body of the semiconductor switch 14 and, at the same time, the current from the current level determination unit 27 is larger than the erroneous recognition level, the current flowing through the semiconductor switch 14 decreases. The current is commutated to the inverter side through the DC transformer 3. Further, the control circuit 28 calculates the time until the current flowing through the semiconductor switch 14 becomes sufficiently small by the above-described means, and when the time comes, the semiconductor switch 14 is turned off and the switching unit 29 is switched to the inverter compensation voltage. Switching to the generation unit 23 side is executed.

第3の実施例によれば、計器用変流器15を設置することなく負荷電圧の振動を抑制しながら高速での補償制御のための切替が可能となる。   According to the third embodiment, switching for high-speed compensation control can be performed while suppressing vibration of the load voltage without installing the instrument current transformer 15.

なお、半導体スイッチに流れる負荷電流が十分に減少するまでの時間を予め固定できる場合には、半導体スイッチのオフは次のように実施してもよい。
すなわち、図9で示した実施例のインバータの直流電圧と、PWM制御などのインバータのスイッチングパターンからインバータ電圧Eを可変することが可能となる。このことから、電流が直列変圧器に転流し終わったタイミングを予め定め、この時のインバータが発生する電圧を、装置の既知定数であるインダクタンス値、キャパシタンス値、抵抗値、及び回路直流電圧から演算して求める。または、演算結果をテーブルの対照表から求めてインバータ電圧を出力して転流動作を実行し、予め定めた時間経過後に半導体スイッチをオフする。
If the time until the load current flowing through the semiconductor switch sufficiently decreases can be fixed in advance, the semiconductor switch may be turned off as follows.
That is, the inverter voltage E can be varied from the DC voltage of the inverter of the embodiment shown in FIG. 9 and the inverter switching pattern such as PWM control. From this, the timing at which the current is commutated to the series transformer is determined in advance, and the voltage generated by the inverter at this time is calculated from the inductance value, capacitance value, resistance value, and circuit DC voltage, which are known constants of the device. And ask. Alternatively, the calculation result is obtained from the comparison table of the table, the inverter voltage is output, the commutation operation is executed, and the semiconductor switch is turned off after a predetermined time has elapsed.

この実施例によれば、第3の実施例と比較すると、既存のPWM制御など任意電圧を発生させる制御部をそのまま流用することができ、また、3相インバータのように各相独立した制御ができない場合でも適用できる効果を有する。   According to this embodiment, compared with the third embodiment, the control unit for generating an arbitrary voltage such as the existing PWM control can be used as it is, and each phase independent control like a three-phase inverter can be performed. Even if it is not possible, it has an effect that can be applied.

本発明の第1の実施例を示す制御装置の構成図。The block diagram of the control apparatus which shows the 1st Example of this invention. 自己消弧形素子を使用したスイッチ体の構成図。The block diagram of the switch body which uses a self-extinguishing element. 半導体スイッチの構成図。The block diagram of a semiconductor switch. 半導体スイッチの他の構成図。The other block diagram of a semiconductor switch. 半導体スイッチの他の構成図。The other block diagram of a semiconductor switch. 本発明の第2の実施例を示す制御装置の構成図。The block diagram of the control apparatus which shows the 2nd Example of this invention. 本発明の第2の実施例に使用される主回路の構成図。The block diagram of the main circuit used for the 2nd Example of this invention. 本発明による負荷電圧の波形図。The wave form diagram of the load voltage by this invention. 本発明の第3の実施例を示す制御装置の構成図。The block diagram of the control apparatus which shows the 3rd Example of this invention. 従来の瞬時電圧低下補償装置の構成図。The block diagram of the conventional instantaneous voltage drop compensation apparatus. 従来の瞬時電圧低下補償装置の動作説明図。Operation | movement explanatory drawing of the conventional instantaneous voltage drop compensation apparatus. 動作波形図で、(a)は受電電圧と負荷電流、(b)は過電流発生説明図、(c)補償動作後の波形図。It is an operation waveform diagram, (a) is a received voltage and load current, (b) is an explanatory diagram of occurrence of overcurrent, (c) waveform diagram after compensation operation.

符号の説明Explanation of symbols

1…電源
2…変圧器
3…直列変圧器
4…負荷
5…直流電源
6…インバータ
7…インダクタンス
8、15…計器用変流器
9…計器用変圧器
10、14…半導体スイッチ
21…電圧検出部
22…自己消弧形素子制御部
23…インバータ補償電圧発生部
26…向き判定部
27…電流レベル判定部
28…制御回路
29…切替部
1 ... Power supply
2 ... Transformer
3 Series transformer
4 ... Load
5 ... DC power supply
6 ... Inverter
7 ... Inductance
DESCRIPTION OF SYMBOLS 8,15 ... Current transformer for instrument 9 ... Transformer for instrument 10, 14 ... Semiconductor switch 21 ... Voltage detection part 22 ... Self-extinguishing element control part 23 ... Inverter compensation voltage generation part 26 ... Direction determination part 27 ... Current Level determination unit 28 ... control circuit 29 ... switching unit

Claims (5)

電力系統に直列変圧器の二次側巻線を接続し、この二次側巻線と並列に双方向流通可能に構成された半導体スイッチを接続し、且つ直列変圧器の一次側にインバータを接続し、電力系統の瞬時電圧低下を補償する瞬時電圧低下補償装置において、
前記半導体スイッチを自己消弧形素子で構成すると共に、前記電力系統の電圧を
導入して電圧低下を検出し所定値以下時に自己消弧形素子制御部を介して前記半導体スイッチをオフ状態とする電圧検出部と、前記電力系統の電圧を導入して補償電圧を発生するインバータ補償電圧発生部と、前記電圧検出部の出力信号とインバータ補償電圧発生部からの出力電圧に基づいてPWM信号を発生するPWM信号発生部とを備えたことを特徴とした瞬時電圧低下補償装置。
Connect the secondary side winding of the series transformer to the power system, connect a semiconductor switch configured to allow bidirectional flow in parallel with the secondary side winding, and connect an inverter to the primary side of the series transformer In the instantaneous voltage drop compensation device that compensates for the instantaneous voltage drop of the power system,
The semiconductor switch is configured with a self-extinguishing element, and a voltage drop is detected by introducing a voltage of the power system, and the semiconductor switch is turned off via a self-extinguishing element control unit when the voltage is below a predetermined value. A voltage detection unit, an inverter compensation voltage generation unit that generates a compensation voltage by introducing a voltage of the power system, and generates a PWM signal based on an output signal of the voltage detection unit and an output voltage from the inverter compensation voltage generation unit An instantaneous voltage drop compensator characterized by comprising a PWM signal generating unit.
前記半導体スイッチを流れる負荷電流を検出するための計器用変流器を設け、検出された負荷電流の向きと電流レベルをそれぞれ判定する向き判定部、及び電流レベル判定部と、各判定部からの判定信号と前記電圧検出部から入力された信号に基づき前記半導体スイッチの負荷電流の流れていないスイッチ素子に対してオフ信号を出力し、導通しているスイッチ素子に対してはオン信号を継続したまま前記インバータ補償電圧発生部からの信号をインバータに出力するよう制御する制御回路を備えたことを特徴とした請求項1記載の瞬時電圧低下補償装置。 A current transformer for an instrument for detecting a load current flowing through the semiconductor switch is provided, a direction determination unit for determining a direction and a current level of the detected load current, a current level determination unit, and a determination from each determination unit Based on the determination signal and the signal input from the voltage detection unit, an off signal is output to the switch element in which the load current of the semiconductor switch does not flow, and the on signal is continued to the switch element that is conducting. 2. The instantaneous voltage drop compensator according to claim 1, further comprising a control circuit that controls to output a signal from the inverter compensation voltage generator to the inverter. 負荷電流の向きと電流レベルをそれぞれ判定する向き判定部、及び電流レベル判定部と、各判定部からの判定信号と前記電圧検出部からの信号を導入すると共に電流値を変数として装置の既知の定数から転流動作終了タイミングを演算して前記半導体スイッチのオフ信号を出力する機能を有した制御回路を設け、この制御回路による半導体スイッチのオフ信号時に前記インバータ補償電圧発生部からの信号をインバータに出力するよう制御する制御回路を備えたことを特徴とした請求項1記載の瞬時電圧低下補償装置。 A direction determination unit that determines the direction of the load current and the current level, a current level determination unit, a determination signal from each determination unit, and a signal from the voltage detection unit, and a known value of the device using the current value as a variable A control circuit having a function of calculating a commutation operation end timing from a constant and outputting an OFF signal of the semiconductor switch is provided, and when the semiconductor switch is OFF signal by the control circuit, the signal from the inverter compensation voltage generating unit is an inverter The instantaneous voltage drop compensator according to claim 1, further comprising a control circuit that controls to output to the output. 前記制御回路における転流動作終了タイミング時間t1は、次式によって求めることを特徴とした請求項3記載の瞬時電圧低下補償装置。
t1=−L/R・In(1−IL0R/E)
ただし、E:インバータの直流電圧、L:インバータの回路インダクタンスと直列変圧器のインダクタンスとの和の値、R:インバータの回路抵抗と直列変圧器の抵抗値との和、IL0:転流開始前の負荷電流
4. The instantaneous voltage drop compensator according to claim 3, wherein the commutation operation end timing time t1 in the control circuit is obtained by the following equation.
t1 = -L / R.In (1-IL0R / E)
Where E: DC voltage of inverter, L: sum of inverter circuit inductance and series transformer inductance, R: sum of inverter circuit resistance and series transformer resistance, IL0: before commutation start Load current
前記制御回路は、前記半導体スイッチに流れる電流が十分に減少するまでの時間を予め定め、既知のインバータ回路のインダクタンス、キャパシタンス、及び抵抗からインバータの出力すべき電圧を演算し、前記定められた時間経過後に半導体スイッチをオフすることを特徴とする請求項3又は4記載の瞬時電圧低下補償装置。
The control circuit predetermines a time until the current flowing through the semiconductor switch sufficiently decreases, calculates a voltage to be output from the inverter from the inductance, capacitance, and resistance of the known inverter circuit, and determines the predetermined time. 5. The instantaneous voltage drop compensator according to claim 3, wherein the semiconductor switch is turned off after elapse of time.
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