JP2006191277A - Pulse modulating circuit - Google Patents
Pulse modulating circuit Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006191277A JP2006191277A JP2005000514A JP2005000514A JP2006191277A JP 2006191277 A JP2006191277 A JP 2006191277A JP 2005000514 A JP2005000514 A JP 2005000514A JP 2005000514 A JP2005000514 A JP 2005000514A JP 2006191277 A JP2006191277 A JP 2006191277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- amplifier
- signal
- switching means
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
本発明は通信やレーダに用いられるパルス変調回路に関するものである。 The present invention relates to a pulse modulation circuit used for communication and radar.
従来のパルスドップラレーダ装置は、アンテナと、設定電圧に応じた高周波信号を出力する発振器と、この発振器の出力に直接接続され、前記高周波信号を第一分配信号と第二分配信号とに分配する分配器と、2つの入力端子の一方に前記第一分配信号が直接入力され、他方に直流電圧が印加されるとこの第一分配信号の二倍の周波数の送信信号を出力する第一ミキサと、この送信信号に応じたパルス電波を前記アンテナから出力させるとともに、このアンテナが受信した当該電波の反射波に基づく受信信号を出力する送受信ユニットと、2つの入力端子の一方に前記第二分配信号が入力されるとともに他方にこの受信信号が入力され、これらに基づくベースバンド信号を出力する第二ミキサと、前記発振器への設定電圧および前記第一ミキサへの直流電圧を出力するとともに、このベースバンド信号に基づいて前記反射波を発生させた目標物までの距離および/または速度を測定する信号処理ユニットとを備え、スイッチの切り替わり時における発振器の負荷インピーダンスの変化や、これに起因した発振周波数の変動による精度低下を抑制していた(例えば、特許文献1及び2参照)。
A conventional pulse Doppler radar device is connected to an antenna, an oscillator that outputs a high-frequency signal corresponding to a set voltage, and an output of the oscillator, and distributes the high-frequency signal into a first distribution signal and a second distribution signal. A first mixer for outputting a transmission signal having a frequency twice that of the first distribution signal when the first distribution signal is directly input to one of the two input terminals and a DC voltage is applied to the other; A transmission / reception unit for outputting a pulse radio wave corresponding to the transmission signal from the antenna and outputting a reception signal based on a reflected wave of the radio wave received by the antenna; and the second distribution signal at one of two input terminals. Is input to the other and the received signal is input to the other, and a baseband signal is output based on the second mixer, a set voltage to the oscillator, and the first mixer. And a signal processing unit for measuring the distance and / or speed to the target that has generated the reflected wave based on the baseband signal, and the load of the oscillator at the time of switching the switch A decrease in accuracy due to a change in impedance and a variation in oscillation frequency caused by the change is suppressed (see, for example,
しかしながら、パルス幅の狭いDCバイアス電圧(DCパルス信号)のような高周波成分を有する高速なパルス信号を印加した際には、増幅器のDCバイアス電圧印加端子に接続されているコンデンサにより、DCバイアス電圧(DCパルス信号)がフィルタリングされて増幅器に印加されず、一方、これに対応して高速のパルス信号が通過するようにコンデンサの容量値を変更すると、増幅器に入力されるRF信号が電源側に漏洩するという課題があった。 However, when a high-speed pulse signal having a high-frequency component such as a DC bias voltage (DC pulse signal) having a narrow pulse width is applied, the DC bias voltage is applied by a capacitor connected to the DC bias voltage application terminal of the amplifier. (DC pulse signal) is filtered and not applied to the amplifier. On the other hand, if the capacitance value of the capacitor is changed so that a high-speed pulse signal passes correspondingly, the RF signal input to the amplifier is sent to the power supply side. There was a problem of leakage.
本発明は、従来のパルス変調回路のDC電源およびDCバイアス電圧(DCパルス信号)のバイアス回路に所望周波数の信号を通過または遮断するフィルタを挿入することにより、増幅器に入力されるRF信号のバイアス回路への漏洩を抑えると共に、パルス幅の狭いDCバイアス電圧(DCパルス信号)を増幅器に印加することができるパルス変調回路を提供することを目的とする。さらに、印加するバイアス電圧(DCパルス信号)をパルス幅の狭い高速パルスにした場合においても同様の変調動作が可能なパルス変調回路を提供することを目的とする。 According to the present invention, a bias of an RF signal input to an amplifier is inserted by inserting a filter that passes or blocks a signal of a desired frequency into a DC power supply and a DC bias voltage (DC pulse signal) bias circuit of a conventional pulse modulation circuit. An object of the present invention is to provide a pulse modulation circuit capable of suppressing leakage to a circuit and applying a DC bias voltage (DC pulse signal) having a narrow pulse width to an amplifier. It is another object of the present invention to provide a pulse modulation circuit capable of performing the same modulation operation even when the applied bias voltage (DC pulse signal) is a high-speed pulse with a narrow pulse width.
この発明のパルス変調回路は、DC電源から増幅器のDCバイアス端子に印加するバイアス電圧のオン/オフにより、この増幅器に入力されるRF信号をパルス変調して出力するパルス変調回路において、DC電源とDCバイアス端子との間に、DCパルス信号によりスイッチング動作をするスイッチング手段と、DCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数を通過域とする低域通過フィルタとをこの順で配設すると共に、DC電源とスイッチング手段との間に、増幅器に入力されるRF信号の周波数、及び、スイッチング手段に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数の各周波数において、スイッチング手段よりDC電源側のインピーダンスを零とみなせる容量値を有するコンデンサを配設したことを特徴とする。 The pulse modulation circuit according to the present invention is a pulse modulation circuit for pulse-modulating and outputting an RF signal input to an amplifier by turning on / off a bias voltage applied to the DC bias terminal of the amplifier from the DC power supply. Between the DC bias terminal, a switching means that performs a switching operation by a DC pulse signal, and a low-pass filter having a frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal in this order are disposed. DC between the DC power supply and the switching means at each frequency of the frequency of the RF signal input to the amplifier and the frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal applied to the switching means. A capacitor having a capacitance value that can be regarded as zero impedance on the power supply side is provided. .
この発明のパルス変調回路は、DC電源から増幅器のDCバイアス端子に印加するバイアス電圧のオン/オフにより、この増幅器に入力されるRF信号をパルス変調して出力するパルス変調回路において、DC電源とDCバイアス端子との間に、DCパルス信号によりスイッチング動作をするスイッチング手段と、DCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数を通過域とする低域通過フィルタとをこの順で配設すると共に、DC電源とスイッチング手段との間に、増幅器に入力されるRF信号の周波数、及び、スイッチング手段に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数の各周波数において、スイッチング手段よりDC電源側のインピーダンスを零とみなせる容量値を有するコンデンサを配設したことを特徴とするので、DCパルス信号発生器で発生されるDCパルス信号及び増幅器に入力されるRF信号がDC電源側へ漏洩することを抑制できると共に、スイッチング手段においてDCパルス信号によりスイッチングされたDCバイアス電圧をDCバイアス端子に印加することができる。 The pulse modulation circuit according to the present invention is a pulse modulation circuit for pulse-modulating and outputting an RF signal input to an amplifier by turning on / off a bias voltage applied to the DC bias terminal of the amplifier from the DC power supply. Between the DC bias terminal, a switching means that performs a switching operation by a DC pulse signal, and a low-pass filter having a frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal in this order are disposed. DC between the DC power supply and the switching means at each frequency of the frequency of the RF signal input to the amplifier and the frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal applied to the switching means. A capacitor having a capacitance value that can be regarded as zero impedance on the power supply side is provided. Therefore, the DC pulse signal generated by the DC pulse signal generator and the RF signal input to the amplifier can be prevented from leaking to the DC power source side, and the DC bias voltage switched by the DC pulse signal in the switching means is changed to DC. It can be applied to the bias terminal.
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係るパルス変調回路を示す図である。
図1に示すように、増幅器1は、RF信号入力端子2、RF信号出力端子3及びDCバイアス印加端子4を有する。
増幅器1に駆動用のDCバイアス電圧を印加するためのDC電源5とSPST(Single Pole Single Throw)スイッチ6を接続するA端子7には、コンデンサ8及び接地点9が分岐接続されている。
FIG. 1 shows a pulse modulation circuit according to
As shown in FIG. 1, the
A
このコンデンサ8は、増幅器1に入力されるRF信号の周波数、及び、SPSTスイッチ6に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数の各周波数において、SPSTスイッチ6よりDC電源11側のインピーダンスを零とみなせる容量値を有するコンデンサである。
The
このSPSTスイッチ6のDCパルス印加端子10には、DCパルス信号発生器11が接続されている。すなわち、SPSTスイッチ6は、DCパルス信号によりスイッチング動作をするスイッチング手段である。
A DC
また、SPSTスイッチ6のB端子12には、低域通過フィルタ13の入力端が接続されており、この低域通過フィルタ13の出力端は、増幅器1のDCバイアス印加端子4に接続されている。すなわち、低域通過フィルタ13は、DCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数を通過域とする低域通過フィルタである。
なお、SPSTスイッチ6と低域通過フィルタとはこの順でDC電源11とDCバイアス印加端子4の間に配設されている。
Further, the input terminal of the low-
The
次に動作を説明する。
増幅器1は、DCバイアス印加端子4において、バイアスがオン(ON)の状態では、RF信号入力端子2から入力されたRF信号を増幅器1の利得分だけ増幅してRF信号出力端子3に出力する。一方、バイアスオフ状態では、増幅器1のアイソレーション分だけ減衰して出力する。増幅器1にはDC電源5からSPSTスイッチ6及び低域通過フィルタ13を介して増幅器1のDCバイアス印加端子4にDCバイアス電圧が印加される。
Next, the operation will be described.
The
低域通過フィルタ13は、DCパルス信号発生器11からDCパルス印加端子10を介してSPSTスイッチ6に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数から低域を通過域とし、その他の周波数成分には遮断域とするローパスフィルタである。
The low-
DCパルス信号発生器11からSPSTスイッチ6のDCパルス印加端子10に印加されるDCパルス信号のオン時には、このDCパルス信号によりSPSTスイッチ6のB端子12とA端子7とは短絡となり、DC電源5のDCバイアス電圧がSPSTスイッチ6及び低域通過フィルタ13を介して増幅器1のDCバイアス印加端子4に印加される。このとき、増幅器1はオンとなり、RF信号入力端子2から入力されるRF信号を増幅器1の利得分だけ増幅してRF信号出力端子3に出力する。
When the DC pulse signal applied from the DC
一方、DCパルス信号発生器11からDCパルス印加端子10に印加されるDCパルス信号のオフ(OFF)時には、このDCパルス信号によりSPSTスイッチ6のB端子12とA端子7とは開放となり、DC電源5のバイアス電圧は増幅器1のDCバイアス印加端子4には印加されない。このとき、増幅器1はオフ状態となるため、RF信号入力端子2から入力されたRF信号は、増幅器1のアイソレーション分だけ減衰して出力される。
On the other hand, when the DC pulse signal applied from the DC
このように、DCパルス信号発生器11から出力されるDCパルス信号のオン/オフ制御により、増幅器1のオン/オフを制御することができ、RF信号出力端子3に変調波を出力させることができる。
As described above, the on / off of the
ここでコンデンサ8の容量を、RF信号の周波数、およびSPSTスイッチ6に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数のそれぞれの周波数において、SPSTスイッチ6からDC電源5を見込んだA端子7のインピーダンスを零(短絡)と見なせる値に設定すれば、DCパルス信号発生器11で発生されるDCパルス信号及び増幅器1に入力されるRF信号がDC電源5側へ漏洩することを抑制できる。
Here, the capacity of the
また、以上のような回路構成により、SPSTスイッチ6と、増幅器1のDCバイアス印加端子4との間の低域通過フィルタ13により、増幅器1のDCバイアス印加端子4からA端子7へのRF信号の漏洩を抑制しつつ、SPSTスイッチ6においてDCパルス信号によりスイッチングされたDCバイアス電圧をDCバイアス印加端子4に印加することができる。
In addition, with the circuit configuration as described above, the RF signal from the DC
上述のような回路構成とすることにより、パルス幅の狭いDCパルス信号すなわち高周波成分を有する高速なパルス信号を印加した際にも、増幅器1側からDCバイアス印加端子4の電源側へのRF信号の漏洩を抑制しつつ、増幅器1のDCバイアス印加端子4にDCパルス信号が印加され、高速パルスによる変調可能なパルス変調回路を提供することができる。
With the circuit configuration as described above, even when a DC pulse signal with a narrow pulse width, that is, a high-speed pulse signal having a high frequency component is applied, an RF signal from the
なお、以上の説明において増幅器をパルス変調する場合に、ソース接地のFET増幅器であればドレイン端子、エミッタ接地のバイポーラトランジスタを用いた増幅器であればコレクタ端子に、パルス変調された電圧(あるいは電流)を印加させた状態について説明してきたが、それぞれの増幅器の電源制御端子、例えばゲート端子およびベース端子にパルス変調された電圧(あるいは電流)を印加した場合も同様の効果を得ることができる。 In the above description, when the amplifier is pulse-modulated, a pulse-modulated voltage (or current) is applied to the drain terminal in the case of a grounded FET amplifier, and to the collector terminal in the case of an amplifier using a grounded emitter bipolar transistor. However, the same effect can also be obtained when a pulse-modulated voltage (or current) is applied to the power supply control terminals of each amplifier, for example, the gate terminal and the base terminal.
実施の形態2.
図2は、この発明の実施の形態2に係るパルス変調回路を示す図である。
図2に示すように、この発明の実施の形態2に係るパルス変調回路は、実施の形態1に係るパルス変調回路における低域通過フィルタ13の代わりに、増幅器1に入力されるRF信号周波数を中心周波数とする帯域阻止フィルタ14を用いたものである。
FIG. 2 is a diagram showing a pulse modulation circuit according to
As shown in FIG. 2, the pulse modulation circuit according to the second embodiment of the present invention uses the RF signal frequency input to the
次に動作を説明する。
増幅器1はDCバイアス印加端子4において、バイアスオン状態では、RF信号入力端子2から入力されたRF信号を増幅器1の利得分だけ増幅してRF信号出力端子3に出力し、一方、バイアスオフ状態では、増幅器1のアイソレーション分だけ減衰して出力する。
増幅器1にはDC電源5からSPSTスイッチ6、帯域阻止フィルタ14を介して増幅器1のDCバイアス印加端子4にDCバイアス電圧が印加される。
帯域阻止フィルタ14は、RF信号を阻止域の中心周波数とし、その他の周波数成分は遮断域とするフィルタである。
Next, the operation will be described.
In the bias-on state, the
A DC bias voltage is applied to the
The
DCパルス信号発生器11からSPSTスイッチ6のDCパルス印加端子10に印加されるDCパルス信号がオンの時には、このDCパルス信号によりSPSTスイッチ6のB端子12とA端子7とが短絡され、DC電源5のDCバイアス電圧がSPSTスイッチ6及び帯域阻止フィルタ14を介してDCバイアス印加端子4に印加される。このとき、増幅器1はオンとなり、RF信号入力端子2から入力されたRF信号は、増幅器1の利得分だけ増幅してRF信号出力端子3に出力される。
When the DC pulse signal applied from the DC
また、DCパルス信号発生器11からDCパルス印加端子10に印加されるDCパルス信号がオフの時には、DCパルス信号によりSPSTスイッチ6のB端子12とA端子7とは開放されるので、DC電源5のバイアス電圧はDCバイアス印加端子4には印加されない。このとき、増幅器1はオフとなり、RF信号入力端子2から入力されたRF信号は増幅器1のアイソレーション分だけ減衰して出力される。
以上より、DCパルス発生器11から出力されたDCパルス信号のオン/オフ制御により、増幅器1をオン/オフ制御することができ、RF信号出力端子3に変調波を出力させることができる。
When the DC pulse signal applied from the DC
As described above, the on / off control of the
ここでコンデンサ8の容量を、RF信号の周波数、およびSPSTスイッチ6に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数のそれぞれの周波数において、SPSTスイッチ6からDC電源5を見込んだA端子7のインピーダンスが零(短絡)と見なせる値に設定することにより、DCパルス信号発生器11で発生されるDCパルス信号及び増幅器1に入力されるRF信号がDC電源5側へ漏洩することを抑制できる。
Here, the capacity of the
またSPSTスイッチ6と増幅器1のDCバイアス印加端子4との間の帯域阻止フィルタ14により、DCバイアス印加端子4からA端子7へのRF信号の漏洩を抑制しつつ、SPSTスイッチ6においてDCパルス信号によりスイッチングされたDCバイアス電圧をDCバイアス印加端子4に印加できる。
In addition, the
上述のような回路構成とすることにより、パルス幅の狭いDCパルス信号すなわち高周波成分を有する高速なパルス信号を印加した際にも、増幅器1のDCバイアス印加端子4にDCパルス信号が印加され、増幅器1側からDCバイアス印加端子4の電源側へのRF信号の漏洩を抑制しつつ、変調可能なパルス変調回路を提供することができる。
With the circuit configuration as described above, even when a DC pulse signal having a narrow pulse width, that is, a high-speed pulse signal having a high frequency component is applied, the DC pulse signal is applied to the DC
なお、以上の説明において増幅器をパルス変調する場合に、ソース接地のFET増幅器であればドレイン端子、エミッタ接地のバイポーラトランジスタを用いた増幅器であればコレクタ端子に、パルス変調された電圧(あるいは電流)を印加させた状態について説明してきたが、ぞれぞれの増幅器の電源制御端子、例えばゲート端子およびベース端子にパルス変調された電圧(あるいは電流)を印加した場合も同様の効果を得ることができる。 In the above description, when the amplifier is pulse-modulated, a pulse-modulated voltage (or current) is applied to the drain terminal in the case of a grounded FET amplifier, and to the collector terminal in the case of an amplifier using a grounded emitter bipolar transistor. However, the same effect can be obtained when a pulse-modulated voltage (or current) is applied to the power supply control terminals of each amplifier, for example, the gate terminal and the base terminal. it can.
実施の形態3.
図3は、この発明の実施の形態3に係るパルス変調回路を示す図である。
図3に示すように、この発明の実施の形態3に係るパルス変調回路は、実施の形態1に係るパルス変調回路における低域通過フィルタ13とバイアス印加端子4との間に、低域通過フィルタ13に起因するパルス波形のひずみを波形成形するための波形成形回路15を配設したものである。波形成形回路15はC端子16を介して低域通過フィルタ13に接続されている。
FIG. 3 shows a pulse modulation circuit according to
As shown in FIG. 3, the pulse modulation circuit according to the third embodiment of the present invention includes a low-pass filter between the low-
このようなパルス変調回路において、低域通過フィルタ13に起因するパルス波形のひずみを波形成形回路15にて波形成形し、DCバイアス印加端子4に印加されるDCパルス波形を、DCパルス印加端子10に印加された元のパルス波形に近づけるように波形成形すれば、増幅器1のRF信号出力端子3に出力される変調波に生じる波形ひずみを改善することができる。
In such a pulse modulation circuit, distortion of the pulse waveform caused by the low-
このことにより、パルス幅の狭いDCパルス信号すなわち高周波成分を有する高速なパルス信号を印加した際にも、増幅器1側からDCバイアス印加端子4の電源側へのRF信号の漏洩を抑制することができ、さらに低域通過フィルタ13によるパルス波形ひずみ、すなわちRF信号出力端子3に出力される変調波の波形ひずみも改善した高速パルスによって変調可能なパルス変調回路を提供することができる。
Thus, even when a DC pulse signal having a narrow pulse width, that is, a high-speed pulse signal having a high frequency component is applied, leakage of the RF signal from the
なお、本説明において増幅器をパルス変調する場合に、ソース接地のFET増幅器であればドレイン端子、エミッタ接地のバイポーラトランジスタを用いた増幅器であればコレクタ端子に、パルス変調された電圧(あるいは電流)を印加させた状態について説明してきたが、ぞれぞれの増幅器の電源制御端子、例えばゲート端子およびベース端子にパルス変調された電圧(あるいは電流)を印加した場合も同様の効果を得ることができる。 In this description, when the amplifier is pulse-modulated, a pulse-modulated voltage (or current) is applied to the drain terminal if the FET is grounded on the source, and to the collector terminal if the amplifier is a bipolar transistor that is grounded on the emitter. Although the applied state has been described, the same effect can be obtained when a pulse-modulated voltage (or current) is applied to the power control terminal of each amplifier, for example, the gate terminal and the base terminal. .
実施の形態4.
図4は、この発明の実施の形態4に係るパルス変調回路を示す図である。
図4において、の発明の実施の形態3に係るパルス変調回路は、実施の形態2に係るパルス変調回路における帯域阻止フィルタ14とバイアス印加端子4との間に、帯域阻止フィルタ14に起因するパルス波形のひずみを波形成形するための波形成形回路15を配設したものである。波形成形回路15はC端子16を介して帯域阻止フィルタ14に接続されている。
FIG. 4 shows a pulse modulation circuit according to
In FIG. 4, the pulse modulation circuit according to the third embodiment of the present invention includes a pulse caused by the
このような回路構成とすることにより、帯域阻止フィルタ14に起因するパルス波形ひずみを波形成形回路15にて波形成形し、DCバイアス印加端子4に印加されるDCパルス波形を、DCパルス印加端子10に印加された元のパルス波形に波形成形することにより近づけることができ、RF信号出力端子3に出力される変調波の波形ひずみを改善することができる。
With such a circuit configuration, the pulse waveform distortion caused by the
以上より、パルス幅の狭いDCパルス信号すなわち高周波成分を有する高速なパルス信号を印加した際にも、増幅器1側からDCバイアス印加端子4の電源側へのRF信号の漏洩を抑制することができ、さらに帯域阻止フィルタ14によるパルス波形ひずみ、すなわちRF信号出力端子3に出力される変調波の波形ひずみも波形成形した高速パルスによる変調可能なパルス変調回路を提供することができる。
As described above, even when a DC pulse signal having a narrow pulse width, that is, a high-speed pulse signal having a high frequency component, is applied, leakage of the RF signal from the
なお、本説明において増幅器をパルス変調する場合に、ソース接地のFET増幅器であればドレイン端子、エミッタ接地のバイポーラトランジスタを用いた増幅器であればコレクタ端子に、パルス変調された電圧(あるいは電流)を印加させた状態について説明してきたが、ぞれぞれの増幅器の電源制御端子、例えばゲート端子およびベース端子にパルス変調された電圧(あるいは電流)を印加した場合も同様の効果を得ることができる。 In this description, when the amplifier is pulse-modulated, a pulse-modulated voltage (or current) is applied to the drain terminal if the FET is grounded on the source, and to the collector terminal if the amplifier is a bipolar transistor that is grounded on the emitter. Although the applied state has been described, the same effect can be obtained when a pulse-modulated voltage (or current) is applied to the power control terminal of each amplifier, for example, the gate terminal and the base terminal. .
1 増幅器、2 信号入力端子、3 信号出力端子、4 バイアス印加端子、5 DC電源、6 SPSTスイッチ、7 A端子、8 コンデンサ、9 接地点、10 DCパルス印加端子、11 DCパルス信号発生器、12 B端子、13 低域通過フィルタ、14 帯域阻止フィルタ、15 波形成形回路、16 C端子。 1 amplifier, 2 signal input terminal, 3 signal output terminal, 4 bias application terminal, 5 DC power supply, 6 SPST switch, 7 A terminal, 8 capacitor, 9 ground point, 10 DC pulse application terminal, 11 DC pulse signal generator, 12 B terminal, 13 low-pass filter, 14 band rejection filter, 15 waveform shaping circuit, 16 C terminal.
Claims (4)
前記DC電源と前記DCバイアス端子との間に、DCパルス信号によりスイッチング動作をするスイッチング手段と、前記DCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数を通過域とする低域通過フィルタとをこの順で配設すると共に、
前記DC電源と前記スイッチング手段との間に、前記増幅器に入力されるRF信号の周波数、及び、前記スイッチング手段に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数の各周波数において、前記スイッチング手段より前記DC電源側のインピーダンスを零とみなせる容量値を有するコンデンサを配設したことを特徴とするパルス変調回路。 In a pulse modulation circuit for pulse-modulating and outputting an RF signal input to this amplifier by turning on / off a bias voltage applied to a DC bias terminal of the amplifier from a DC power supply,
A switching means for performing a switching operation with a DC pulse signal between the DC power source and the DC bias terminal, and a low-pass filter having a pass band with a frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal. As well as arranging in order,
Between each of the DC power source and the switching means, the frequency of the RF signal input to the amplifier and the frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal applied to the switching means, A pulse modulation circuit comprising a capacitor having a capacitance value that allows the impedance on the DC power source side to be regarded as zero from the switching means.
前記DC電源と前記DCバイアス端子との間に、DCパルス信号によりスイッチング動作をするスイッチング手段と、前記増幅器に入力されるRF信号周波数を中心周波数とする帯域阻止フィルタとをこの順で配設すると共に、
前記DC電源と前記スイッチング手段との間に、前記増幅器に入力されるRF信号の周波数、及び、前記スイッチング手段に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数の各周波数において、前記スイッチング手段より前記DC電源側のインピーダンスを零とみなせる容量値を有するコンデンサを配設したことを特徴とするパルス変調回路。 In a pulse modulation circuit for pulse-modulating and outputting an RF signal input to this amplifier by turning on / off a bias voltage applied to a DC bias terminal of the amplifier from a DC power supply,
Between the DC power source and the DC bias terminal, switching means for performing a switching operation by a DC pulse signal and a band rejection filter having the RF signal frequency input to the amplifier as a center frequency are arranged in this order. With
Between each of the DC power source and the switching means, the frequency of the RF signal input to the amplifier and the frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal applied to the switching means, A pulse modulation circuit comprising a capacitor having a capacitance value that allows the impedance on the DC power source side to be regarded as zero from the switching means.
前記DC電源と前記DCバイアス端子との間に、DCパルス信号によりスイッチング動作をするスイッチング手段と、前記DCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数を通過域とする低域通過フィルタと、前記DCバイアス端子に接続される波形成形回路をこの順で配設すると共に、
前記DC電源と前記スイッチング手段との間に、前記増幅器に入力されるRF信号の周波数、及び、前記スイッチング手段に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数の各周波数において、前記スイッチング手段より前記DC電源側のインピーダンスを零とみなせる容量値を有するコンデンサを配設したことを特徴とするパルス変調回路。 In a pulse modulation circuit for pulse-modulating and outputting an RF signal input to this amplifier by turning on / off a bias voltage applied to a DC bias terminal of the amplifier from a DC power supply,
Switching means for performing a switching operation by a DC pulse signal between the DC power source and the DC bias terminal, a low-pass filter having a frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal, While arranging the waveform shaping circuit connected to the DC bias terminal in this order,
Between each of the DC power source and the switching means, the frequency of the RF signal input to the amplifier and the frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal applied to the switching means, A pulse modulation circuit comprising a capacitor having a capacitance value that allows the impedance on the DC power source side to be regarded as zero from the switching means.
前記DC電源と前記DCバイアス端子との間に、DCパルス信号によりスイッチング動作をするスイッチング手段と、前記DCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数を通過域とする低域通過フィルタと、前記DCバイアス端子に接続される波形成形回路をこの順で配設すると共に、
前記DC電源と前記スイッチング手段との間に、前記増幅器に入力されるRF信号の周波数、及び、前記スイッチング手段に印加されるDCパルス信号のパルス幅の逆数に相当する周波数の各周波数において、前記スイッチング手段より前記DC電源側のインピーダンスを零とみなせる容量値を有するコンデンサを配設したことを特徴とするパルス変調回路。 In a pulse modulation circuit for pulse-modulating and outputting an RF signal input to this amplifier by turning on / off a bias voltage applied to a DC bias terminal of the amplifier from a DC power supply,
Switching means for performing a switching operation by a DC pulse signal between the DC power source and the DC bias terminal, a low-pass filter having a frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal, While arranging the waveform shaping circuit connected to the DC bias terminal in this order,
Between each of the DC power source and the switching means, the frequency of the RF signal input to the amplifier and the frequency corresponding to the reciprocal of the pulse width of the DC pulse signal applied to the switching means, A pulse modulation circuit comprising a capacitor having a capacitance value that allows the impedance on the DC power source side to be regarded as zero from the switching means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000514A JP3860191B2 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Pulse modulation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000514A JP3860191B2 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Pulse modulation circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006191277A true JP2006191277A (en) | 2006-07-20 |
JP3860191B2 JP3860191B2 (en) | 2006-12-20 |
Family
ID=36797999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005000514A Expired - Fee Related JP3860191B2 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Pulse modulation circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3860191B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008035698A1 (en) * | 2006-09-20 | 2008-03-27 | Panasonic Corporation | Variable attenuation circuit |
KR101774143B1 (en) * | 2015-02-15 | 2017-09-04 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | Unpowered switching module |
-
2005
- 2005-01-05 JP JP2005000514A patent/JP3860191B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008035698A1 (en) * | 2006-09-20 | 2008-03-27 | Panasonic Corporation | Variable attenuation circuit |
KR101774143B1 (en) * | 2015-02-15 | 2017-09-04 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | Unpowered switching module |
US10749487B2 (en) | 2015-02-15 | 2020-08-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Unpowered switching module |
US11387798B2 (en) | 2015-02-15 | 2022-07-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices related to unpowered switching module |
US11750159B2 (en) | 2015-02-15 | 2023-09-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to unpowered switching module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3860191B2 (en) | 2006-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4447596B2 (en) | Pulse generation circuit and modulator | |
US10797736B2 (en) | Radio-frequency power amplification circuit and radio-frequency mode adjustment method | |
US7528652B2 (en) | Amplifying device and radio communication circuit | |
JP6376136B2 (en) | Transmission / reception device, transmission device, and transmission / reception method | |
JP4708298B2 (en) | Transceiver circuit | |
CN111697979A (en) | Terminal | |
JP2005244826A (en) | High-frequency circuit apparatus | |
Katayama et al. | 28mW 10Gbps transmitter for 120GHz ASK transceiver | |
JP3860191B2 (en) | Pulse modulation circuit | |
JP2005176331A (en) | Amplifier, transmitter using the same and communication device | |
JP2009182397A (en) | Power amplifying device and communication device | |
US20040113833A1 (en) | Microwave detector using fet resistive mixer | |
US9660587B2 (en) | Power amplifier | |
JP2008205821A (en) | High-frequency power amplifier and transmitter using it | |
JP3777040B2 (en) | amplifier | |
CN115088191A (en) | Power amplifying circuit, high frequency circuit and communication device | |
JP4885034B2 (en) | ASK modulation circuit and transmission apparatus | |
JP2010118930A (en) | Frequency converter | |
JP2004289355A (en) | Digital modulation transmission apparatus and method | |
JP2006157483A (en) | Amplifier with modulation function | |
JP4540571B2 (en) | Amplitude shift modulator | |
JP2010226559A (en) | High-frequency switch and receiving circuit | |
EP3843098A1 (en) | Sign switching circuitry | |
JP2001285006A (en) | Voltage variable phase shifter | |
CN114614782A (en) | Front-end amplifier and mixer fused circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060627 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060919 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120929 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130929 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |