JP2006182850A - 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜形成方法および多孔質膜 - Google Patents
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜形成方法および多孔質膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006182850A JP2006182850A JP2004375929A JP2004375929A JP2006182850A JP 2006182850 A JP2006182850 A JP 2006182850A JP 2004375929 A JP2004375929 A JP 2004375929A JP 2004375929 A JP2004375929 A JP 2004375929A JP 2006182850 A JP2006182850 A JP 2006182850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous film
- group
- forming
- compound
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】 下記(A)および(B)を含有する多孔質膜形成用組成物。該多孔質膜形成用組成物を基板に塗布し、さらに加熱処理を行なう工程を含む多孔質膜形成方法、ならびに、該多孔質膜形成方法を用いて得られる多孔質膜。
(A)マトリックス形成用化合物
(B)下記の(1)〜(3)のいずれの条件も満たす化合物
(1)分子量が300以上1000以下である。
(2)熱分析によるTd50が、320℃以上450℃以下である。
(3)4個以上の芳香族環を有する。
【選択図】 なし
Description
その比誘電率をさらに低下させるために、このような有機ポリマーからなる絶縁膜を多孔質化することが提案されている(特許文献2)。
(A)マトリックス形成用化合物
(B)下記の(1)〜(3)のいずれの条件も満たす化合物
(1)分子量が300以上1000以下である。
(2)熱分析によるTd50が、320℃以上450℃以下である。
(3)4個以上の芳香族環を有する。
(A)マトリックス形成用化合物
(B)下記の(1)〜(3)のいずれの条件も満たす化合物
(1)分子量が300以上1000以下である。
(2)熱分析によるTd50が、320℃以上450℃以下である。
(3)4個以上の芳香族環を有する。
上記の温度範囲で、架橋による重合反応を起こす官能基の例示をすれば、C−C二重結合、C−C三重結合、C−N三重結合などの不飽和結合を有する架橋性反応基のほか、エポキシ基などがあげられる。中でも、誘電率の観点から、C−C二重結合またはC−C三重結合を有する架橋性反応基が好ましい。また、耐熱性の観点から、C−C三重結合を有する架橋性反応基がさらに好ましい。また、閉環による縮合を起こす官能基としては、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環などの前駆体が挙げられる。従って、このような官能基を有する有機系のマトリックス形成用化合物が好ましく用いられる。
分子量が小さいと揮発する温度が低く、充分な量の空孔が得られない場合がある。また、分子量が大きいと空孔が充分に微細にならない場合がある。
(式中、R1 およびR2 は各々水独立に素原子または炭素数1〜20の1価の炭化水素基を表し、R1 とR2 とは互いに同じでも異なっていてもよい。)
(式中、R3 およびR4 は各々独立に水素原子または炭素数1〜20の1価の炭化水素基を表し、R3 とR4 とは互いに同じでも異なっていてもよい。R3 とR4 とが同じである場合には、R3 とR4 は各々炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。)
R5−R−R6 (3)
(式中、R5−、R6−は、それぞれ
で表され、R5A、R5B、R5C、R6A、R6B、およびR6Cはそれぞれ独立に炭素数1〜20の炭化水素基または水素原子を表す。R5A、R5B、およびR5Cのうち少なくともいずれか一つは芳香環を有する炭素数1〜20の炭化水素基であり、R6A、R6B、およびR6Cのうち少なくともいずれか一つは芳香環を有する炭素数1〜20の炭化水素基である。また、Rは炭素数1〜10の2価の飽和炭化水素基を表す。)
溶解性などの観点から炭素数1〜20のアリール基としては、置換基を有してもよいフェニル基であることが好ましい。
R1とR2が同じである場合には、R1とR2はアリール基を有すると、より小さい孔径の多孔膜が得られるため好ましい。化合物の溶解性や相溶性が向上するためとみられる。
温度計、攪拌機を装着した300mL4つ口フラスコに45mLの脱水テトラヒドロフランを仕込み、アルゴン気流下、室温で0.5gの金属Liを仕込んだ。室温で5分間攪拌を行い、1,1−ジフェニルエチレン4.0gを仕込んだ。0℃で3日間反応を行った後、1‐ブロモペンタン5.0gを仕込み、攪拌を続けた。反応物の後処理および精製を行い、目的物を得た。
温度計、攪拌機を装着した300mL4つ口フラスコに45mLの脱水テトラヒドロフランを仕込み、アルゴン気流下、室温で0.7gの金属Liを仕込んだ。室温で5分間攪拌を行い、1,1−ジフェニルエチレン8.0gを仕込んだ。0℃で3日間反応を行った後、ベンジルブロマイド3.7gを仕込み、攪拌を続けた。反応物の後処理および精製を行い、目的物を得た。
温度計、攪拌機を装着した300mL4つ口フラスコに4.9gのトリフェニルメタン、80gの脱水テトラヒドロフランを仕込み、アルゴン気流下で氷浴にて2℃以下に冷却した。引き続きアルゴン気流下で5℃以下に保ちながら、1.61Mのn−BuLi/n−ヘキサン溶液12.4mLを30分かけて滴下した。2℃以下で保温攪拌を1時間続けた後、5℃以下に保ちながら、5.5gの3,3−ジフェニルプロピルブロミドを仕込み、2℃以下で保温攪拌を1時間続けた。反応物の後処理および精製を行い、目的物を得た。
温度計、攪拌機を装着した300mL4つ口フラスコに100mLの脱水テトラヒドロフランを仕込み、アルゴン気流下、室温で金属Na3.2gを仕込んだ。室温で5分間攪拌を行い、α−メチルスチレン5.5gを仕込んだ。室温で反応を行った後、残存したNaを除いて250mL4つ口フラスコに移送した。1‐フェニル−2‐ブロモプロパン3.7gを14.7gの脱水テトラヒドロフランに溶解した溶液を5分かけて仕込み、10分間攪拌を続けた。反応物の後処理および精製を行い、目的物を得た。
温度計、攪拌機を装着した500mL4つ口フラスコに、100mLの脱水テトラヒドロフランを仕込み、アルゴン気流下で氷浴にて2℃以下に冷却した。1.61Mのn−BuLi/n−ヘキサン溶液15mLを30分かけて滴下した。引き続きアルゴン気流下で5℃以下に保ちながら、4.0gのジフェニルメタンを10分間かけて仕込み、2℃以下で2時間保温攪拌を続けた。さらに、5℃以下に保ちながら、2.5gの1,4−ジブロモペンタンを仕込み、2℃以下で保温攪拌を1時間続けた。反応物の後処理および精製を行い、目的物を得た。
温度計、攪拌機を装着した300mL4つ口フラスコに4.9gのトリフェニルメタン、3.4gのジフェニルメタン、160gの脱水テトラヒドロフランを仕込み、アルゴン気流下で氷浴にて2℃以下に冷却した。引き続きアルゴン気流下で5℃以下に保ちながら、1.61Mのn−BuLi/n−ヘキサン溶液24.9mLを30分かけて滴下した。2℃以下で保温攪拌を1時間続けた後、5℃以下に保ちながら、4.3gの1,4−ジブロモブタンを仕込み、2℃以下で保温攪拌を1時間続けた。反応物の後処理および精製を行い、目的物(3種類の混合物)を得た。
温度計、攪拌機を装着した300mL4つ口フラスコに9.8gのトリフェニルメタン、80gの脱水テトラヒドロフランを仕込み、アルゴン気流下で氷浴にて2℃以下に冷却した。引き続きアルゴン気流下で5℃以下に保ちながら、1.61Mのn−BuLi/n−ヘキサン溶液24.8mLを30分かけて滴下した。2℃以下で保温攪拌を1時間続けた後、5℃以下に保ちながら、4.3gの1,3−ジブロモブタンを仕込み、2℃以下で保温攪拌を1時間続けた。反応物の後処理および精製を行い、目的物を得た。
窒素置換したフラスコに、テトラヒドロフラン284重量部、α−メチルスチレン72重量部を仕込んだ。攪拌下、n−ブチルリチウム溶液54重量部をフラスコに25分かけて滴下した。次いでフラスコを−60℃まで冷却し、30分間攪拌した。次いで1,1−ジフェニルエチレンの20%テトラヒドロフラン溶液165重量部をフラスコに滴下し、30分間攪拌した。最後にメタノール6重量部を仕込み、反応を停止させた。室温まで昇温し、得られた樹脂溶液を4000重量部のメタノールに滴下し、樹脂を沈殿させ、ろ過して取り出した。末端をジフェニルエチレンで修飾した重量平均分子量1100のポリα−メチルスチレンが得られた。これを重合体Jとする。
マトリックス形成用化合物として1,3−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)アダマンタンを用い、(B)の化合物として又は(B)の比較物質として化合物A〜E、化合物F、G、Hの混合物、化合物I、および重合体Jをそれぞれ、マトリックス形成用化合物と(B)の化合物(または(B)の比較物質)との合計濃度が15重量%、マトリックス形成用化合物と(B)の化合物(または(B)の比較物質)との重量比率が60:40となるように、アニソールを溶媒とする溶液を調製した。この溶液を、0.1μmPTFEフィルターで公知の方法により濾過し、塗布液1〜8を調製した。
調製された塗布液1〜8を、4インチシリコンウェハー上に約1ml滴下した。その後、このウェハーを500rpmで3秒間スピンさせてから、2000rpmの速度で15秒間スピンさせた。コーティングしたウェハーを150℃で1分間焼き付けた。次いで、その焼き付けたウェハーを炉内で、窒素雰囲気中、400℃に30分間保持することにより硬化させるとともに、化合物A〜Iおよび重合体Jをそれぞれ分解させた。得られた硬化膜の比誘電率は、水銀プローブ法で、動作周波数1MHzのC―V測定(エス・エス・エム社製、SSM495型)を用い測定した。また、硬化膜の平均空孔径は理学電機社製 X線発生装置(Ultra−X)、ゴニオメータ(ATX−G型)、計数記録装置を用い、反射小角X線散乱測定により算出した。結果を表1に示す。
Claims (11)
- 下記(A)および(B)を含有する多孔質膜形成用組成物。
(A)マトリックス形成用化合物
(B)下記の(1)〜(3)のいずれの条件も満たす化合物
(1)分子量が300以上1000以下である。
(2)熱分析によるTd50が、320℃以上450℃以下である。
(3)4個以上の芳香族環を有する。 - (B)の化合物を構成する元素が炭素および水素のみであることを特徴とする請求項1記載の多孔質膜形成用組成物。
- (B)の化合物が、分子内に−CH2−の構造を有する化合物であることを特徴とする請求項1または2記載の多孔質膜形成用組成物。
- R1 とR2 とが互いに異なることを特徴とする請求項4記載の多孔質膜形成用組成物。
- R3 とR4 とが互いに異なることを特徴とする請求項6記載の多孔質膜形成用組成物。
- R5とR6とが互いに異なることを特徴とする請求項8記載の多孔質膜形成用組成物。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の多孔質膜形成用組成物を基板に塗布し、さらに加熱処理を行なう工程を含む多孔質膜形成方法。
- 請求項10記載の多孔質膜形成方法を用いて得られる多孔質膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004375929A JP2006182850A (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜形成方法および多孔質膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004375929A JP2006182850A (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜形成方法および多孔質膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006182850A true JP2006182850A (ja) | 2006-07-13 |
Family
ID=36736205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375929A Pending JP2006182850A (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜形成方法および多孔質膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006182850A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004169012A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 多孔質有機膜形成用組成物、多孔質有機膜形成方法および多孔質有機絶縁膜 |
JP2005347451A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 絶縁膜形成用組成物および絶縁膜の製造方法 |
JP2006176465A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 芳香族の化合物 |
JP2006176464A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 芳香族の化合物 |
JP2006176466A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 芳香族の化合物 |
-
2004
- 2004-12-27 JP JP2004375929A patent/JP2006182850A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004169012A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 多孔質有機膜形成用組成物、多孔質有機膜形成方法および多孔質有機絶縁膜 |
JP2005347451A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 絶縁膜形成用組成物および絶縁膜の製造方法 |
JP2006176465A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 芳香族の化合物 |
JP2006176464A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 芳香族の化合物 |
JP2006176466A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 芳香族の化合物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1858996B1 (en) | Coating composition for dielectric insulating film, dielectric insulating film prepared therefrom, and electric or electronic device comprising the same | |
JP4878779B2 (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜及び電子デバイス | |
EP0825231B1 (en) | Polysilazane-based coating solution for interlayer insulation | |
EP1245628B1 (en) | Composition for preparing substances having nano-pores | |
TWI307700B (en) | Method of producing novel polycarbosilane | |
TWI568757B (zh) | 聚伸芳基材料 | |
WO1998047943A1 (en) | Stable inorganic polymers | |
TWI277627B (en) | Spin-on-dielectric compositions with coating enhancer | |
DE60217247T2 (de) | Gestapelte Schicht, isolierender Film und Substrate für Halbleiter | |
EP2073254A1 (en) | Method of forming amorphous silica coating of low dielectric constant and amorphous silica coating of low dielectric constant obtained thereby | |
JP2003041184A (ja) | 耐熱性ポリエーテル、熱硬化性ポリエーテル、およびポリエーテル膜形成用塗布液。 | |
JP2006182850A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜形成方法および多孔質膜 | |
JP3912697B2 (ja) | 層間絶縁膜形成用塗布液及びそれを用いた絶縁膜の形成方法 | |
JP2006176466A (ja) | 芳香族の化合物 | |
JP2006176465A (ja) | 芳香族の化合物 | |
JP2006253573A (ja) | 絶縁膜とそれを製造する方法、およびそれを用いた電子デバイス | |
JP2006176464A (ja) | 芳香族の化合物 | |
JP4243209B2 (ja) | 絶縁膜形成材料及びそれを用いた絶縁膜 | |
EP2457932A1 (en) | Composition for film formation, insulating film, and semiconductor device | |
JP6207995B2 (ja) | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 | |
JPH06181201A (ja) | 半導体装置の絶縁膜およびその絶縁膜形成用塗布液 | |
JP2004292767A (ja) | 絶縁膜形成材料及びそれを用いた絶縁膜 | |
JP4004983B2 (ja) | 絶縁膜形成材料及びそれを用いた絶縁膜 | |
JP2005343985A (ja) | 樹脂、絶縁膜形成用塗布液および絶縁膜の製造方法 | |
JP4186590B2 (ja) | 芳香族ポリマー組成物および絶縁膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071217 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080131 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101221 |