JP2006179140A - Master disk of optical disk, method of manufacturing the same, and method of manufacturing optical disk stamper - Google Patents

Master disk of optical disk, method of manufacturing the same, and method of manufacturing optical disk stamper Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a master disk of an optical disk capable of improving the adhesion between a resist material to be patterned and a master disk or an underlayer provided on the master disk, and to provide a method of manufacturing the master disk and a method of manufacturing an optical disk stamper. <P>SOLUTION: The adhesion of a patterned negative type resist material and the master disk 1 or the underlayer 2 can be secured by inserting an intermediate layer 3 formed of a low sensitive positive type resist material between a resist layer 4 and the master disk 1 or between the resist layer 4 and the underlayer 2, and thereby preventing stress being applied to the interface between the resist material and the master disk 1 or between the resist material and the underlayer 2 at the time of exposure. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、光ディスク原盤およびその製造方法並びに光ディスクスタンパの製造方法に関する。   The present invention relates to an optical disc master, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of an optical disc stamper.

今日、情報記録媒体として用いられる光ディスクはその用途に応じて、MD(Mini Disc )、MO(Magneto Optical )、DVD(Digital Versatile Disc)、Blu−ray Disc(登録商標)等、様々なフォーマットが提案されている。いずれのフォーマットで使用される光ディスク基板も、一般的には、樹脂材料の射出成型により作製されており光ディスクの低価格化が実現されている。   Optical discs used as information recording media today are proposed in various formats such as MD (Mini Disc), MO (Magneto Optical), DVD (Digital Versatile Disc), Blu-ray Disc (registered trademark), etc. Has been. An optical disk substrate used in any format is generally manufactured by injection molding of a resin material, and the price of the optical disk is reduced.

光ディスク基板の射出成型においては、光ディスクにグルーブやピット等のパターンを具備させるために、それらのパターンを転写させる光記録媒体製造用原盤としてのスタンパが射出成型装置のキャビティ内に配設される。   In the injection molding of an optical disk substrate, in order to provide the optical disk with patterns such as grooves and pits, a stamper as an optical recording medium manufacturing master for transferring those patterns is disposed in the cavity of the injection molding apparatus.

図11は、光ディスク基板成型用のスタンパ作製工程の概要を示す略線図である。図11を参照して、スタンパの作製方法の概略について説明する。   FIG. 11 is a schematic diagram showing an outline of a stamper manufacturing process for molding an optical disk substrate. With reference to FIG. 11, an outline of a stamper manufacturing method will be described.

まず、ガラス原盤101上に、スピンコート法等によってごく薄くフォトレジスト(感光剤)102を塗布し、ガラス原盤101を回転させながらカッティング装置のレーザ103により露光する。フォトレジスト膜には、露光によってグルーブまたはピットに対応したパターンの潜像が形成される。   First, a very thin photoresist (photosensitive agent) 102 is applied onto the glass master 101 by spin coating or the like, and exposure is performed by the laser 103 of the cutting apparatus while rotating the glass master 101. A latent image having a pattern corresponding to the groove or pit is formed on the photoresist film by exposure.

その後、回転するガラス原盤101上に現像液104を滴下し、現像処理をすることで、光ディスクのグルーブまたはピットに対応した凹凸のレジストパターンをガラス原盤101上に形成する。   Thereafter, the developer 104 is dropped on the rotating glass master 101 and subjected to a development process, whereby an uneven resist pattern corresponding to the groove or pit of the optical disk is formed on the glass master 101.

次に、このガラス原盤101上にメッキ処理によりニッケル等の金属105を析出させ、これを剥離させ、トリミングを行うことでスタンパ106が得られる。スタンパ106が射出成型装置のキャビティ内に配設され、キャビティ内に樹脂が注入されることによって、ディスク基板が作製される。   Next, a stamper 106 is obtained by depositing a metal 105 such as nickel on the glass master 101 by plating, peeling it, and performing trimming. The stamper 106 is disposed in the cavity of the injection molding apparatus, and a resin is injected into the cavity, whereby a disk substrate is manufactured.

従来、ガラス原盤101上に塗布される感光剤はノボラック樹脂系のフォトレジストが用いられていた。この無機レジスト材料は、いわゆるポジ型のレジスト材料である。すなわち、露光した箇所が現像液に選択的に溶解し易く、現像後に未露光部のレジストがガラス原盤に残される。このガラス原盤あるいは基体にメッキ処理して得られるスタンパにはガラス原盤上のレジストとは凹凸が反転したパターンが形成される。   Conventionally, a novolac resin-based photoresist has been used as a photosensitive agent applied on the glass master 101. This inorganic resist material is a so-called positive resist material. That is, the exposed part is easily selectively dissolved in the developer, and the unexposed resist remains on the glass master after development. A stamper obtained by plating the glass master or the substrate is formed with a pattern in which the unevenness is reversed from the resist on the glass master.

上記のような感光剤を使用することにより形成されうる最短ピット長は使用する露光用光源(レーザ)の波長λならびに光源から出た光束を感光剤に収束させるための対物レンズの開口数NAで以下の式により決定される。   The shortest pit length that can be formed by using the above photosensitive agent is the wavelength λ of the exposure light source (laser) to be used and the numerical aperture NA of the objective lens for converging the luminous flux emitted from the light source to the photosensitive agent. It is determined by the following formula.

P=K×λ/NA   P = K × λ / NA

上式において比例定数Kは使用するレーザとフォトレジストとの組み合わせで決まる数値であり、概ね0.5〜0.8程度となる。即ち、光ディスクの高記録密度化に対応してより微細なパターンを形成していくためには、光源の短波長化と対物レンズのNAを大きくすることが必要である。   In the above equation, the proportionality constant K is a numerical value determined by the combination of the laser and the photoresist to be used, and is about 0.5 to 0.8. That is, in order to form a finer pattern corresponding to the higher recording density of the optical disc, it is necessary to shorten the wavelength of the light source and increase the NA of the objective lens.

光源の短波長化については紫外線レーザ、あるいは電子ビーム露光等の検討もなされているが、装置の複雑化、安定性の面で従来のカッティング装置に比較して問題があった。NAはその定義上1以下となり、一般的に使用される対物レンズでも0.9前後である。Kを0.87、使用するレーザの波長をDVD用スタンパの露光で使用されるレーザ波長413nmとし、NAを0.9とすると最短ピット長(スポット径)は0.87×413/0.9=399nm程度となる。   As for the shortening of the wavelength of the light source, an ultraviolet laser, electron beam exposure, or the like has been studied, but there are problems in comparison with the conventional cutting apparatus in terms of complexity and stability of the apparatus. NA is 1 or less by definition, and it is around 0.9 even with a commonly used objective lens. The shortest pit length (spot diameter) is 0.87 × 413 / 0.9 when K is 0.87, the laser wavelength used is 413 nm for the exposure of the DVD stamper, and NA is 0.9. = About 399 nm.

既存のDVDの仕様は、直径12cmの光ディスクの片面に4.7GBの情報容量があり、最小ピット長が400nmとされ、トラックピッチが740nmとされている。したがって、DVDの光ディスクを作製することは問題がない。   The specification of the existing DVD has an information capacity of 4.7 GB on one side of an optical disk having a diameter of 12 cm, a minimum pit length of 400 nm, and a track pitch of 740 nm. Therefore, there is no problem in producing a DVD optical disk.

しかしながら、片面25GBの高密度光ディスクの場合では、最短ピット長を170nm程度とすることが要求される。K=0.87、NA=0.95とした場合、λ=185.6nmとなる。しかしながら、このような短波長のレーザは、現状では、非常に特殊なものであり、レーザカッティング装置のシステムのコストが大幅に上昇する問題点が生じる。   However, in the case of a high-density optical disk with a single side of 25 GB, the shortest pit length is required to be about 170 nm. When K = 0.87 and NA = 0.95, λ = 185.6 nm. However, such a short wavelength laser is very special at present, and there is a problem that the cost of the system of the laser cutting apparatus is significantly increased.

一方、下記の特許文献1で開示される遷移金属の不完全酸化物からなる無機レジスト材料では405nm程度の可視レーザによる露光によっても、熱記録の特性によりスポット径より小さいパターンの露光が可能であることが示されており、Blu−ray Diskあるいはそれ以上の高記録密度化に対応した光ディスクのマスタリング技術に有用な技術として注目される。   On the other hand, an inorganic resist material made of an incomplete oxide of a transition metal disclosed in Patent Document 1 below can expose a pattern smaller than the spot diameter by thermal recording characteristics even by exposure with a visible laser of about 405 nm. It is noted that the technology is useful as a mastering technology for optical discs corresponding to higher recording densities of Blu-ray Disks or higher.

特開2003−315988号公報JP 2003-315988 A

ここでいう遷移金属の不完全酸化物とは、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことである。   The incomplete oxide of the transition metal here is a compound shifted in a direction in which the oxygen content is less than the stoichiometric composition corresponding to the valence that the transition metal can take, that is, in the incomplete oxide of the transition metal. It is a compound whose oxygen content is smaller than the oxygen content of the stoichiometric composition according to the valence that the transition metal can take.

図12は、Blu−ray Discのグルーブの模式図である。図12に示すように、向かって左側がディスク内周側で、右側がディスク外周側である。もっとも内周側にはBCA(Burst Cutting Area)領域111があり、PIC(Permanent Information & Control Data)領域112のピットとデータ記録領域113のグルーブは蛇行するように形成されたウォブルグルーブとされる。図12は模式的な図であり、トラックの本数は実際の本数を示すものではない。   FIG. 12 is a schematic diagram of a Blu-ray Disc groove. As shown in FIG. 12, the left side is the disc inner peripheral side, and the right side is the disc outer peripheral side. On the innermost side, there is a BCA (Burst Cutting Area) area 111, and the pits in the PIC (Permanent Information & Control Data) area 112 and the grooves in the data recording area 113 are wobble grooves formed to meander. FIG. 12 is a schematic diagram, and the number of tracks does not indicate the actual number.

内周のBCA(Burst Cutting Area)領域111のグルーブは、トラックピッチTp1が2000nmのグルーブである。PIC領域112のグルーブは、トラックピッチTp2が350nmの矩形ウォブルグルーブである。PIC領域112およびデータ記録領域113のグルーブは、トラックピッチTp3が320nmのMSK(Minimum Shift Keying)信号とSTW(Saw Tooth Wobble)信号との重畳信号で形成されたウォブルグルーブである。   A groove in an inner peripheral BCA (Burst Cutting Area) region 111 is a groove having a track pitch Tp1 of 2000 nm. The groove in the PIC area 112 is a rectangular wobble groove with a track pitch Tp2 of 350 nm. The groove in the PIC area 112 and the data recording area 113 is a wobble groove formed by a superposition signal of an MSK (Minimum Shift Keying) signal having a track pitch Tp3 of 320 nm and an STW (Saw Tooth Wobble) signal.

従来、Blu−ray Diskのディスク基板は、図11を参照して説明した方法と同様の方法で作製される。図13は、ディスク基板の作製に必要なスタンパの作製過程を示す略線図である。カッティング装置を用い、レーザ光によりガラス原盤121上のレジスト122に対して、所望のBCA111およびPIC112およびデータ記録領域113のグルーブの潜像を形成する。ポジ型のレジスト材料であることから、ガラス原盤に現像処理を施して、露光した部分のレジスト122を溶解させて現像を行い、グルーブに対応した凹部を持つようにパターニングされたレジストガラス原盤を得ることができる。   Conventionally, a Blu-ray Disk disk substrate is manufactured by a method similar to the method described with reference to FIG. FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a stamper manufacturing process necessary for manufacturing a disk substrate. Using a cutting device, a latent image of a desired groove of BCA 111 and PIC 112 and data recording area 113 is formed on resist 122 on glass master 121 by laser light. Since it is a positive resist material, the glass master is subjected to development processing, the exposed portion of the resist 122 is dissolved and developed, and a resist glass master patterned to have a recess corresponding to the groove is obtained. be able to.

次いでレジストガラス原盤の凹部グルーブパターン上に無電界メッキ法等によりニッケル皮膜でなる導電化膜層を形成し、導電化膜層が形成されたガラス原盤を電鋳装置に取り付け、電気メッキ法により導電化膜層上にニッケルメッキ層を形成し、凸部グルーブパターンのスタンパ(マスタスタンパ)123を作製する。   Next, a conductive film layer made of a nickel film is formed on the concave groove pattern of the resist glass master disk by electroless plating, etc., and the glass master disk on which the conductive film layer is formed is attached to an electroforming apparatus, and conductive by electroplating. A nickel plating layer is formed on the chemical film layer, and a convex groove pattern stamper (master stamper) 123 is produced.

Blu−ray Diskではウォブルされたグルーブが光ピックアップ(読取面)に近い方に配置されている。すなわち、基板上でグルーブが凸形状であることが良好な記録再生特性を得るためには必要とされる。しかしながら、図13に示すように、ガラス原盤121からメッキ処理により得られたスタンパ(マスタスタンパ123)は凹凸が反転しているため、ウォブルされたグルーブが読み取り面に対して凹形状となってしまう。   In the Blu-ray Disk, the wobbled groove is arranged closer to the optical pickup (reading surface). That is, it is necessary to obtain a good recording / reproducing characteristic that the groove has a convex shape on the substrate. However, as shown in FIG. 13, the stamper (master stamper 123) obtained by the plating process from the glass master 121 has the irregularities reversed, so that the wobbled groove becomes concave with respect to the reading surface. .

そこで、凹凸を反転し所望の形状のパターンとするためにマスタスタンパ123から再度メッキ処理により凹凸を反転させたスタンパ(マザースタンパ124)を作製し、マザースタンパ124を用いて射出成型することで、読取面に近い側に突起したグルーブGvを有したディスク基板125を得るようにしている。   Therefore, in order to reverse the unevenness and make a pattern of a desired shape, a stamper (mother stamper 124) in which the unevenness is inverted again by the plating process is produced from the master stamper 123, and injection molding is performed using the mother stamper 124. A disk substrate 125 having a groove Gv protruding on the side close to the reading surface is obtained.

図14は、ポジ型フォトレジストを用いて作製された、光ピックアップ(読取面)に近い側に突起したグルーブを持つBlu−ray Discの略線図である。図14に示すように、ディスク基板125の信号形成面(凸部グルーブパターン)に、反射層、第2の誘電体層、記録層、第1の誘電体層を成膜し、記録層上に0.1mmのカバー層123を形成する。以上の工程により、Blu−ray等の高密度の相変化光ディスクが完成する。   FIG. 14 is a schematic diagram of a Blu-ray Disc manufactured using a positive photoresist and having a groove protruding toward the side close to the optical pickup (reading surface). As shown in FIG. 14, a reflective layer, a second dielectric layer, a recording layer, and a first dielectric layer are formed on the signal forming surface (convex groove pattern) of the disk substrate 125, and the recording layer is formed on the recording layer. A cover layer 123 of 0.1 mm is formed. Through the above steps, a high-density phase change optical disk such as Blu-ray is completed.

上述したように、マスタスタンパ123の複製スタンパであるマザースタンパ124を作製することによって、グルーブの凹凸パターンを逆にすることができ、図14に示すように光ピックアップ127(読取面)に近い側に突起したグルーブGvを形成することができる。この技術によりグルーブ再生特性およびウォブル特性を良好にすることができる。   As described above, by producing the mother stamper 124 that is a replica stamper of the master stamper 123, the concave / convex pattern of the groove can be reversed, and the side closer to the optical pickup 127 (reading surface) as shown in FIG. Grooves Gv protruding in the shape can be formed. With this technique, the groove reproduction characteristic and the wobble characteristic can be improved.

DVDフォーマットは、Blu−ray Diskとは違い、凹凸パターンが形成されていないディスク基板側から凹凸パターンを読み取る。したがって、マスタスタンパ123を使用するか、マスタスタンパ123からマザースタンパ124を作製し、更にマザースタンパ124から作製されたサンスタンパを使用して射出成型に使用している。   Unlike the Blu-ray Disk, the DVD format reads the concavo-convex pattern from the disk substrate side on which the concavo-convex pattern is not formed. Therefore, the master stamper 123 is used, or the mother stamper 124 is manufactured from the master stamper 123, and the sun stamper manufactured from the mother stamper 124 is used for injection molding.

ここで、マスタスタンパ123に形成されたパターンが正確に転写されたマザースタンパ124を作製することは、困難であり、マザースタンパ124を作製することで工程数が増加し、ディスクの作製プロセスが複雑になることが問題となる。   Here, it is difficult to manufacture the mother stamper 124 to which the pattern formed on the master stamper 123 is accurately transferred, and manufacturing the mother stamper 124 increases the number of processes and makes the disk manufacturing process complicated. Become a problem.

そこで、ネガ型の無機レジスト材料を用いたマスタリングを行うことにより、マザースタンパ124の作製工程が簡略化できる。   Therefore, by performing mastering using a negative inorganic resist material, the manufacturing process of the mother stamper 124 can be simplified.

図15は、レーザ露光後の露光部と下地層の状態を表した写真である。ネガ型の無機レジスト材料の場合は、レーザで露光した露光部133が現像後に残ることになる。図15に示すように、露光部133は、相変化による体積膨張によって、レジスト材料131と蓄熱層としてのアモルファスシリコンからなる下地層132との間に歪みが生じる。この結果、レジスト材料131と下地層132との密着性が低下する。   FIG. 15 is a photograph showing the state of the exposed portion and the underlayer after laser exposure. In the case of a negative inorganic resist material, the exposed portion 133 exposed with a laser remains after development. As shown in FIG. 15, in the exposure unit 133, distortion occurs between the resist material 131 and the base layer 132 made of amorphous silicon as a heat storage layer due to volume expansion due to phase change. As a result, the adhesion between the resist material 131 and the base layer 132 is reduced.

レジスト材料131と下地層132との密着性が低下すると、スタンパを電鋳により作製する場合において、得られたニッケル製スタンパを光ディスク原盤から引き剥がす際、光ディスク原盤からレジスト材料131が剥離するおそれが生じる。   When the adhesion between the resist material 131 and the underlayer 132 is lowered, when the stamper is manufactured by electroforming, the resist material 131 may be peeled off from the optical disk master when the nickel stamper obtained is peeled off from the optical disk master. Arise.

このようなレジスト材料の剥離を抑制するために、従来は、導電率の比較的高い酸化膜を光ディスク原盤上に成膜した後、電鋳を施すことによりニッケル製スタンパの離型性を相対的に高めることで、レジスト材料の剥離の抑制を図っていた。しかしながら、レジスト材料の剥離が生じるケースもあり、スタンパの歩留りは、低いものとなっていた。   In order to suppress such peeling of the resist material, conventionally, an oxide film having a relatively high electrical conductivity is formed on an optical disk master, and then electroforming is performed to make the release property of the nickel stamper relatively Therefore, the resist material is prevented from being peeled off. However, there are cases where the resist material is peeled off, and the stamper yield is low.

従来のネガ型の無機レジスト材料を用いた光ディスク原盤は、レジスト材料と原盤または原盤上に設けられた下地層との密着性が低下するという問題があった。   Conventional optical disc masters using a negative inorganic resist material have a problem in that the adhesion between the resist material and the master or a base layer provided on the master is reduced.

したがって、この発明の目的は、パターニングするレジスト材料と原盤または原盤上に設けられた下地層との密着性を改善できる光ディスク原盤およびその製造方法並びに光ディスクスタンパの製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical disc master, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an optical disc stamper, which can improve the adhesion between the resist material to be patterned and the master or a base layer provided on the master.

上述した課題を解決するために、この発明の第1の態様は、
原盤上または原盤上に形成された下地層上に成膜かつパターニングされた遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料からなるネガ型レジスト材料を有する光ディスク原盤であって、
レジスト材料と原盤間またはレジスト材料と下地層間にレジスト材料に記録できる露光パワーでは相変化しない中間層が形成されたことを特徴とする光ディスク原盤。
In order to solve the above-described problem, the first aspect of the present invention is:
An optical disc master having a negative resist material made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal formed and patterned on a master or an underlayer formed on the master,
An optical disc master, wherein an intermediate layer is formed between the resist material and the master or between the resist material and the base layer, and an intermediate layer that does not change in phase with an exposure power that can be recorded on the resist material.

この発明の第2の態様は、
原盤上または原盤上に形成された下地層上に成膜かつパターニングされた遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料からなるネガ型レジスト材料を有する光ディスク原盤の製造方法であって、
原盤上または原盤上に形成された下地層上にレジスト材料に記録できる露光パワーでは相変化しない中間層を成膜する工程と、
中間層上に、遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料からなるレジスト材料を成膜する工程と、
レジスト材料からなる膜にレーザ光を照射し潜像を形成する露光工程と、
レジスト材料を現像することにより潜像に応じた凹凸形状を原盤上または原盤上に形成された下地層上に形成する工程とを有することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法である。
The second aspect of the present invention is:
A method for producing an optical disc master having a negative resist material made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal film-formed and patterned on a master or an underlayer formed on the master,
A step of forming an intermediate layer that does not change in phase with an exposure power that can be recorded on a resist material on a master or an underlayer formed on the master, and
Forming a resist material made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal on the intermediate layer;
An exposure step of irradiating a film made of a resist material with a laser beam to form a latent image;
And developing a resist material to form a concavo-convex shape corresponding to the latent image on the master or an underlayer formed on the master.

この発明の第3の態様は、
原盤上または原盤上に形成された下地層上に成膜かつパターニングされた遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料からなるネガ型レジスト材料を有する光ディスク原盤から光ディスクスタンパを得る光ディスクスタンパの製造方法であって、
レジスト材料と原盤間またはレジスト材料と下地層間にレジスト材料に記録できる露光パワーでは相変化しない中間層が形成された光ディスク原盤から光ディスクスタンパを得ることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法である。
The third aspect of the present invention is:
Manufacture of an optical disc stamper for obtaining an optical disc stamper from an optical disc master having a negative resist material made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal formed and patterned on the master or an underlayer formed on the master A method,
An optical disc stamper manufacturing method comprising: obtaining an optical disc stamper from an optical disc master on which an intermediate layer that does not change in phase with an exposure power that can be recorded on the resist material is formed between the resist material and the master disc or between the resist material and the underlying layer.

この発明によれば、パターニングされたレジスト材料と原盤または原盤上に設けられた下地層との密着性を改善できる。   According to the present invention, the adhesion between the patterned resist material and the master or the base layer provided on the master can be improved.

以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1Aは、レジスト原盤を表している。図1Aに示すように、レジスト原盤は、原盤1と下地層2と中間層3とレジスト層4とが順次積層されてなる。   FIG. 1A shows a resist master. As shown in FIG. 1A, the resist master is formed by sequentially stacking a master 1, an underlayer 2, an intermediate layer 3, and a resist layer 4.

原盤1としては、例えば、シリコンウェハー、ポリカーボネート等のプラスチック、ガラスなどを用いる。   As the master 1, for example, a silicon wafer, plastic such as polycarbonate, glass, or the like is used.

原盤1として、例えば単結晶シリコンからなるシリコンウェハー(以下、シリコン基板と適宜称する)のように熱伝導率が大きいものを用いる場合は、レジスト層4の露光時に収束されたレーザを照射してもレジスト層4に与えられた熱量の拡散が大きくなるため、露光できない。そこで、蓄熱層として原盤1と中間層3間にアモルファスシリコンからなる下地層2を挿入する。アモルファスシリコンによって、熱の拡散が抑制され、成膜されたレジスト層4に露光パターンを形成できるようにする。   When a master wafer 1 having a high thermal conductivity such as a silicon wafer made of single crystal silicon (hereinafter, appropriately referred to as a silicon substrate) is used, even if a laser focused at the time of exposure of the resist layer 4 is irradiated. Since the diffusion of the amount of heat given to the resist layer 4 increases, exposure cannot be performed. Therefore, the base layer 2 made of amorphous silicon is inserted between the master 1 and the intermediate layer 3 as a heat storage layer. The diffusion of heat is suppressed by the amorphous silicon, and an exposure pattern can be formed on the formed resist layer 4.

原盤1として、例えばガラスのように熱伝導率が小さいものを用いる場合は、下地層2としてのアモルファスシリコンを必要としない。原盤1がガラスの場合に、アモルファスシリコン(下地層2)を原盤1と中間層3間に挿入すると、逆に熱がこもり過ぎて、細かいパターンを形成できなくなるからである。   When the master 1 having a low thermal conductivity such as glass is used, amorphous silicon as the base layer 2 is not required. This is because if the master 1 is made of glass and amorphous silicon (underlying layer 2) is inserted between the master 1 and the intermediate layer 3, the heat is excessively confined and a fine pattern cannot be formed.

中間層3としては、低感度のポジ型レジスト材料を用いる。中間層3に低感度のポジ型レジスト材料を使用することにより、レジスト材料と下地層2との密着性が改善される。具体的には、遷移金属の不完全酸化物を含有するアモルファス無機材料、特に、WOX、MoOX、W、MoまたはCrOxを含有するアモルファス無機材料を用いる。 As the intermediate layer 3, a low-sensitivity positive resist material is used. By using a low-sensitivity positive resist material for the intermediate layer 3, the adhesion between the resist material and the underlayer 2 is improved. Specifically, an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal, particularly an amorphous inorganic material containing WO x , MoO x , W, Mo, or CrOx is used.

レジスト層4としては、ネガ型レジスト材料を用いる。具体的には、遷移金属の不完全酸化物を含有するアモルファス無機材料、特に、WまたはMoを含有するアモルファス無機材料を用いる。レジスト層4の成膜方法としては、例えば、スパッタリング法、蒸着法がある。   As the resist layer 4, a negative resist material is used. Specifically, an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal, particularly an amorphous inorganic material containing W or Mo is used. Examples of the method for forming the resist layer 4 include a sputtering method and a vapor deposition method.

図1Bは、露光後のレジスト原盤を表した一部拡大断面図である。図1Bにおいて、参照符号5は、レーザにより照射された露光部を示す。露光部5により、凹凸形状のレジストパターンの潜像を形成する。   FIG. 1B is a partially enlarged cross-sectional view showing a resist master after exposure. In FIG. 1B, reference numeral 5 indicates an exposed portion irradiated with a laser. A latent image of a concavo-convex resist pattern is formed by the exposure unit 5.

図1Cは、現像後のレジスト原盤を表した一部拡大断面図である。図1Cに示すように、現像後は、レーザにより照射された露光部5が残り、潜像に応じた凹凸形状のレジストパターンが形成された光ディスク原盤が作製される。   FIG. 1C is a partially enlarged sectional view showing the resist master after development. As shown in FIG. 1C, after development, the exposed portion 5 irradiated with the laser remains, and an optical disc master having a concavo-convex resist pattern corresponding to the latent image is produced.

図2は、酸素導入量とレジスト膜中の酸素含有量とレジストの形状との振る舞いの関係を示すグラフである。基体上にレジスト膜をアルゴンならびに酸素の混合ガスを用いた反応性スパッタリングにより作製する際に、酸素の流量比を適当に選択する。無機レジスト材料の感度は、酸素含有量に応じて変化する。したがって、膜中の酸素含有量を選択することによりポジ型レジスト、ネガ型レジストとして機能する。具体的には、図2に示すように、膜中の酸素含有量が72at.%乃至74at.%とした場合は、ネガ型レジストとして機能する。膜中の酸素含有量が53at.%乃至65at.%とした場合は、ポジ型レジストとして機能する。   FIG. 2 is a graph showing the relationship between the amount of oxygen introduced, the oxygen content in the resist film, and the shape of the resist. When producing a resist film on a substrate by reactive sputtering using a mixed gas of argon and oxygen, an oxygen flow ratio is appropriately selected. The sensitivity of the inorganic resist material varies depending on the oxygen content. Therefore, it functions as a positive resist or negative resist by selecting the oxygen content in the film. Specifically, as shown in FIG. 2, the oxygen content in the film is 72 at. % To 74 at. When it is%, it functions as a negative resist. The oxygen content in the film is 53 at. % To 65 at. %, It functions as a positive resist.

図3は、グルーブパターンの幅の変化を示したグラフである。図3に示すグラフは、露光パワー(mW)横軸にとり、グルーブ幅(nm)を縦軸にとる。   FIG. 3 is a graph showing changes in the width of the groove pattern. The graph shown in FIG. 3 takes the exposure power (mW) on the horizontal axis and the groove width (nm) on the vertical axis.

図3に示すグラフは、波長405nmのレーザによりレジスト材料を露光後、現像液でエッチングした際のグルーブパターンの幅の変化を示す。参照符号aの曲線は、酸素含有量が72at.%とした遷移金属の不完全酸化物のネガ型のレジスト材料に関する曲線である。参照符号bの曲線は、酸素含有量65at.%とした遷移金属の不完全酸化物のポジ型のレジスト材料に関する曲線である。参照符号cの曲線は、酸素含有量63at.%とした遷移金属の不完全酸化物のポジ型のレジスト材料に関する曲線である。参照符号dの曲線は、酸素含有量53at.%とした遷移金属の不完全酸化物のポジ型のレジスト材料に関する曲線である。   The graph shown in FIG. 3 shows a change in the width of the groove pattern when the resist material is exposed to light with a laser having a wavelength of 405 nm and then etched with a developer. The curve of reference symbol a has an oxygen content of 72 at. It is the curve regarding the negative resist material of the incomplete oxide of a transition metal made into%. The curve with the reference sign b shows an oxygen content of 65 at. It is the curve regarding the positive type resist material of the incomplete oxide of a transition metal made into%. The curve with the reference sign c shows an oxygen content of 63 at. It is the curve regarding the positive type resist material of the incomplete oxide of a transition metal made into%. The curve with the reference sign d shows an oxygen content of 53 at. It is the curve regarding the positive type resist material of the incomplete oxide of a transition metal made into%.

例えばBlu−ray Diskの所望のグルーブ幅は、約160nmである。約160nmのグルーブパターンを得ようとした場合、酸素含有量の高いレジスト材料ほど高感度となり、低い露光パワーで160nmのグルーブパターンが得られることが図2に示すグラフから確認できる。   For example, the desired groove width of the Blu-ray Disk is about 160 nm. When trying to obtain a groove pattern of about 160 nm, it can be confirmed from the graph shown in FIG. 2 that a resist material having a higher oxygen content has higher sensitivity and a 160 nm groove pattern can be obtained with a low exposure power.

具体的には、酸素含有量53at.%以上のポジ型レジストは、曲線dが示すように、Blu−ray Diskの所望のグルーブパターン(160nmのグルーブパターン)が得られるネガ型レジストの最適露光パワーでは感光されず、パターンが形成されないことが図2に示すグラフから確認できる。   Specifically, the oxygen content is 53 at. % Positive resist is not exposed to the optimum exposure power of the negative resist that can provide the desired Blu-ray Disk groove pattern (160 nm groove pattern) as shown by curve d, and no pattern is formed. Can be confirmed from the graph shown in FIG.

したがって、低感度のポジ型レジスト材料からなる中間層3をレジスト層4と原盤1間またはレジスト層4と下地層2間に挿入することで、露光時にレジスト材料と原盤1間またはレジスト材料と下地層2間との界面に応力を入れないようにし、パターン形成されたネガ型レジスト材料との原盤1または下地層2との密着性を確保できる。   Therefore, the intermediate layer 3 made of a low-sensitivity positive resist material is inserted between the resist layer 4 and the master disk 1 or between the resist layer 4 and the underlayer 2 so that the resist material and the master disk 1 or the resist material and the lower layer are exposed at the time of exposure. It is possible to prevent stress from being applied to the interface between the base layers 2 and to ensure adhesion between the master 1 or the base layer 2 and the patterned negative resist material.

以下、この発明の一実施形態の光ディスク原盤の製造方法に関して説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing an optical disc master according to an embodiment of the present invention will be described.

<中間層およびレジスト層製作前処理>
下地層2を設ける場合は、中間層3およびレジスト層4を成膜する前の処理として、原盤1と中間層3との間に存在する下地層2を作製する。なお、原盤1として、熱伝導率が小さいものを用いる場合は、下地層2を必要としない。
<Pretreatment of intermediate layer and resist layer production>
When the base layer 2 is provided, the base layer 2 existing between the master 1 and the intermediate layer 3 is prepared as a process before forming the intermediate layer 3 and the resist layer 4. In addition, when using the thing with small heat conductivity as the original recording 1, the base layer 2 is not required.

<中間層およびレジスト層製作工程>
図4は、レジスト材料を成膜するためのスパッタ装置の一例を示す略線図である。図4に示す2元のスパッタ装置を使用して、例えば、表面が十分に平滑化されたシリコン基板31上に、スパッタリングによって遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料を成膜する。図4において参照符号30がパレットを示す。一方の高周波電源34と接続されたカソードには、タングステン(W)ターゲット32を装着し、他方の高周波電源35と接続されたカソードには、モリブデン(Mo)ターゲット33を装着する。なお、参照符号36および37は、それぞれマッチングボックスを示す。
<Intermediate layer and resist layer manufacturing process>
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a sputtering apparatus for forming a resist material. Using a binary sputtering apparatus shown in FIG. 4, for example, a resist material made of an incomplete oxide of a transition metal is formed by sputtering on a silicon substrate 31 whose surface is sufficiently smoothed. In FIG. 4, reference numeral 30 indicates a pallet. A tungsten (W) target 32 is attached to the cathode connected to one high frequency power supply 34, and a molybdenum (Mo) target 33 is attached to the cathode connected to the other high frequency power supply 35. Reference numerals 36 and 37 denote matching boxes, respectively.

シリコン基板31は、基板ホルダーに取り付けられ基板ホルダー上で自転運動する。また基板ホルダーはスパッタ装置内で回転(公転)する構造となっており、タングステンWならびにモリブデンMoのカソードを放電させた状態でシリコン基板31を自公転させることにより、合金膜を被着させることができる。また、混合割合はそれぞれの投入電力を変えることにより制御することが可能である。   The silicon substrate 31 is attached to the substrate holder and rotates on the substrate holder. The substrate holder is structured to rotate (revolve) in the sputtering apparatus, and the alloy film can be deposited by revolving the silicon substrate 31 with the tungsten W and molybdenum Mo cathodes discharged. it can. Further, the mixing ratio can be controlled by changing the input power.

このとき成膜ガスにアルゴン(Ar)ならびに酸素(O2)を導入することで、タング
ステン(W)ならびにモリブデン(Mo)の酸化物からなる無機レジスト材料を得ることができる。また、成膜ガス中の酸素濃度を変えることにより、遷移金属の不完全酸化物の酸化度合いを制御することが可能である。酸素濃度を変えることにより、中間層としてのポジ型レジスト材料とレジスト層としてのネガ型レジスト材料を成膜する。
At this time, by introducing argon (Ar) and oxygen (O 2 ) into the deposition gas, an inorganic resist material made of oxides of tungsten (W) and molybdenum (Mo) can be obtained. In addition, the degree of oxidation of the incomplete oxide of the transition metal can be controlled by changing the oxygen concentration in the deposition gas. By changing the oxygen concentration, a positive resist material as an intermediate layer and a negative resist material as a resist layer are formed.

<レジスト層露光工程>
図5は、レジスト層を露光するためのカッティング装置の一例を表した略線図である。レジスト層41がシリコン基板31上に成膜されたレジスト原盤40は、ターンテーブル42にレジスト層41が上側になるようセットする。
<Resist layer exposure process>
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a cutting apparatus for exposing a resist layer. The resist master 40 on which the resist layer 41 is formed on the silicon substrate 31 is set on the turntable 42 so that the resist layer 41 is on the upper side.

図5に示すレーザカッティング装置は、レジスト原盤40上に成膜されたレジスト層41を露光して、レジスト層41にレジストパターンの潜像を形成するためのものである。レジスト層41に潜像を形成する際、レジスト原盤40は、移動光学テーブル50上に設けられた回転駆動装置42に取り付けられる。そして、レジスト層41を露光する際に、レジスト層41の全面にわたって所望のパターンでの露光がなされるように、回転駆動装置42によって回転駆動されると共に、移動光学テーブル50によって平行移動される。   The laser cutting apparatus shown in FIG. 5 is for exposing a resist layer 41 formed on a resist master 40 to form a resist pattern latent image on the resist layer 41. When forming a latent image on the resist layer 41, the resist master 40 is attached to a rotation driving device 42 provided on the moving optical table 50. Then, when exposing the resist layer 41, the resist layer 41 is rotationally driven by the rotary drive device 42 and translated by the moving optical table 50 so that the entire surface of the resist layer 41 is exposed in a desired pattern.

レーザカッティング装置は、レーザ光を出射する光源44と、回転駆動装置42と、スピンドルサーボ43と、駆動用ドライバ48と、ポジションセンサ60と、レーザスケール61と、エアスライダー62と、送りサーボ63と、ビームエクスパンダー52とを備えている。   The laser cutting device includes a light source 44 that emits laser light, a rotation drive device 42, a spindle servo 43, a drive driver 48, a position sensor 60, a laser scale 61, an air slider 62, and a feed servo 63. And a beam expander 52.

光源44から出射されたレーザ光は、ミラーM1およびミラーM2によって反射され、移動光学テーブル50上に水平且つ平行に導かれる。   The laser light emitted from the light source 44 is reflected by the mirror M1 and the mirror M2 and guided horizontally and in parallel on the moving optical table 50.

光源44としては、任意の使用できるが短波長のレーザ光を出射するものが好ましい。具体的には、例えば、波長λが266nmのレーザ光を出射するKrレーザなどが好適である。   As the light source 44, any light source that emits laser light having a short wavelength can be used. Specifically, for example, a Kr laser that emits laser light having a wavelength λ of 266 nm is suitable.

ミラーM2で反射され、移動光学テーブル50上に水平に導かれたレーザ光は、ウェッジプリズム46および音響光学偏向器(AOD:Acousto Optical Deflector)47によって光学偏向が施された上でビームエクスパンダー(BEX)52に入射する。   The laser beam reflected by the mirror M2 and guided horizontally onto the moving optical table 50 is optically deflected by a wedge prism 46 and an acousto optical deflector (AOD) 47 and then subjected to a beam expander ( BEX) 52.

音響光学偏向器47は、グルーブのウォブルに対応するように、レーザ光に対して光学偏向を施すためのものである。すなわちレーザ光は、ウェッジプリズム46を介して音響光学偏向器47に入射され、この音響光学偏向器47によって、所望する露光パターンに対応するように光学偏向がなされる。ここで、音響光学偏向器47に使用される音響光学素子としては、例えば、酸化テルル(TeO2)からなる音響光学素子が好適である。音響光学偏向器47によって光学偏向が施されたレーザ光は、ウェッジプリズム46を介して出射される。 The acousto-optic deflector 47 is for applying an optical deflection to the laser beam so as to correspond to the wobble of the groove. That is, the laser light is incident on the acousto-optic deflector 47 via the wedge prism 46, and the acousto-optic deflector 47 performs optical deflection so as to correspond to a desired exposure pattern. Here, as the acoustooptic element used in the acoustooptic deflector 47, for example, an acoustooptic element made of tellurium oxide (TeO 2 ) is suitable. The laser beam optically deflected by the acousto-optic deflector 47 is emitted through the wedge prism 46.

なお、ウェッジプリズム46は、音響光学偏向器47の音響光学素子の格子面に対してブラッグ条件を満たすようにレーザ光が入射するようにすると共に、音響光学偏向器47によってレーザ光に対して光学偏向を施し、ビーム水平高さを変えるためのものである。   The wedge prism 46 allows laser light to be incident on the grating surface of the acoustooptic device of the acoustooptic deflector 47 so that the Bragg condition is satisfied. This is for deflecting and changing the horizontal height of the beam.

ここで、音響光学偏向器47には、駆動のための駆動用ドライバ48が接続されている。駆動用ドライバ48には、直流電圧と共に、電圧制御発振器(VCO:Voltage Controlled Oscillator)51からの高周波信号が供給される。電圧制御発振器51には制御信号が供給される。そして、駆動用ドライバ48によって音響光学偏向器47が駆動され、これにより、レーザ光に対して光学偏向が施される。   Here, a driving driver 48 for driving is connected to the acousto-optic deflector 47. A high frequency signal from a voltage controlled oscillator (VCO) 51 is supplied to the driving driver 48 together with a DC voltage. A control signal is supplied to the voltage controlled oscillator 51. Then, the acousto-optic deflector 47 is driven by the driving driver 48, whereby the optical deflection is applied to the laser light.

電圧制御発振器51に供給される制御信号として、具体的には、例えばBCA領域のグルーブを形成する場合はゼロレベルの直流(DC)信号であり、PIC領域の矩形ウォブルグルーブを形成する場合はバイフェーズ変調の矩形信号である。データ記録領域のウォブルグルーブを形成する場合は956.5kHzのMSK信号と1923kHzのSTW信号の重畳信号である。   Specifically, the control signal supplied to the voltage controlled oscillator 51 is, for example, a zero-level direct current (DC) signal when forming a groove in the BCA region, and bypass when forming a rectangular wobble groove in the PIC region. It is a rectangular signal of phase modulation. In the case of forming a wobble groove in the data recording area, it is a superimposed signal of an MSK signal of 956.5 kHz and an STW signal of 1923 kHz.

ウェッジプリズム46および音響光学偏向器47によって光学偏向が施されたレーザ光はビームエクスパンダー(BEX)52に入射する。ビームエクスパンダー(BEX)52ではビーム径を変換することができる。   The laser light optically deflected by the wedge prism 46 and the acoustooptic deflector 47 is incident on a beam expander (BEX) 52. The beam expander (BEX) 52 can convert the beam diameter.

レーザ光は、ビームエクスパンダー(BEX)52によって所定のビーム径とされた上でミラーM3によって反射されて対物レンズ49へと導かれ、対物レンズ49によってレジスト層41上に集光される。   The laser light is made a predetermined beam diameter by a beam expander (BEX) 52, reflected by a mirror M3, guided to an objective lens 49, and condensed on the resist layer 41 by the objective lens 49.

レジスト層41がレーザ光によって露光され、レジスト層41にレジストパターンに応じた潜像が形成される。このとき、レジスト層41が塗布されてなるレジスト原盤40は、レジスト層41の全面にわたって所望のパターンでの露光がなされるように、回転駆動装置42によって回転駆動されると共に、移動光学テーブル50によってレーザ光が径方向に移動される。この結果、レーザ光の照射軌跡に応じた潜像がレジスト層41の全面にわたって形成されることになる。一例として、トラックの長手方向の線速度が5.28m/s一定となるように回転駆動装置42の回転数を制御している。   The resist layer 41 is exposed with laser light, and a latent image corresponding to the resist pattern is formed on the resist layer 41. At this time, the resist master 40 to which the resist layer 41 is applied is rotated by the rotation driving device 42 and is moved by the moving optical table 50 so that the entire surface of the resist layer 41 is exposed in a desired pattern. The laser beam is moved in the radial direction. As a result, a latent image corresponding to the irradiation locus of the laser light is formed over the entire surface of the resist layer 41. As an example, the rotational speed of the rotary drive device 42 is controlled so that the linear velocity in the longitudinal direction of the track is constant at 5.28 m / s.

移動光学テーブル50の送りピッチをBCA領域では2000nmとし、PIC領域では350nmとし、データ記録領域では320nmとして露光する。なお、このレーザカッティング装置では、移動光学テーブル50の位置をポジションセンサ60によって検出し、それぞれの領域ごとに各々対応したタイミングおよびピッチで露光を行って、上記のようなBCA領域、PIC領域およびデータ記録領域のグルーブパターンの潜像をレジスト層41に露光することが可能である。また、レーザスケール61により検知される波長(例えば0.78μm)を基準として、送りサーボ63およびエアスライダー62の動作を制御して、移動光学テーブル50の送りピッチを瞬時に変更することが可能とされる。   The moving optical table 50 is exposed at a feed pitch of 2000 nm in the BCA area, 350 nm in the PIC area, and 320 nm in the data recording area. In this laser cutting apparatus, the position of the moving optical table 50 is detected by the position sensor 60, and exposure is performed at a timing and a pitch corresponding to each area, so that the BCA area, the PIC area, and the data are as described above. The latent image of the groove pattern in the recording area can be exposed on the resist layer 41. Further, it is possible to change the feed pitch of the moving optical table 50 instantaneously by controlling the operations of the feed servo 63 and the air slider 62 with reference to the wavelength detected by the laser scale 61 (for example, 0.78 μm). Is done.

BCA領域(半径r=21.3mm〜22.0mm)の間は送りピッチ2000nmであり、トラックピッチ遷移領域(半径r=22.0mm〜22.4mm)の間に送りピッチを2000nmから350nmに徐々に変化させる。PIC領域(半径r=22.4mm〜23.2mm)の間は送りピッチ350nmであり、トラックピッチ遷移領域(半径r=23.2mm)に送りピッチを350nmから320nmに徐々に変化させる。データ記録領域(半径r=23.2mm〜58.5mm)の間は送りピッチ320nmでそれぞれ形成される。   The feed pitch is 2000 nm during the BCA region (radius r = 21.3 mm to 22.0 mm), and the feed pitch is gradually increased from 2000 nm to 350 nm during the track pitch transition region (radius r = 22.0 mm to 22.4 mm). To change. The feed pitch is 350 nm in the PIC region (radius r = 22.4 mm to 23.2 mm), and the feed pitch is gradually changed from 350 nm to 320 nm in the track pitch transition region (radius r = 23.2 mm). The data recording area (radius r = 23.2 mm to 58.5 mm) is formed at a feed pitch of 320 nm.

なお、レーザ光をレジスト層41の上に集光するための対物レンズ49は、より微細なグルーブパターンを形成できるようにするために、開口数NAが大きい方が好ましく、具体的には、開口数NAが0.9程度の対物レンズが好適である。   Note that the objective lens 49 for condensing the laser beam on the resist layer 41 preferably has a large numerical aperture NA so that a finer groove pattern can be formed. An objective lens having a number NA of about 0.9 is suitable.

<レジスト層現像工程>
現像は、潜像が形成されたレジスト原盤40を回転させながら、例えばテトラメチルアンモニウム水酸化溶液を滴下することにより行う。潜像が形成されたレジスト原盤40を現像することにより、シリコン基板31上に、潜像に応じた凹凸形状のレジストパターンが形成された光ディスク原盤が得られる。
<Resist layer development process>
The development is performed, for example, by dropping a tetramethylammonium hydroxide solution while rotating the resist master 40 on which the latent image is formed. By developing the resist master 40 on which the latent image is formed, an optical disk master having a concavo-convex resist pattern corresponding to the latent image formed on the silicon substrate 31 is obtained.

現像液としては、酸またはアルカリ等の液体を用いることができる。具体的には、アルカリ溶液としては、テトラメチルアンモニウム溶液の他にKOH、NaOHまたはNa2CO3溶液等がある。酸性溶液としては、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸等が挙げられる。 As the developer, a liquid such as an acid or an alkali can be used. Specifically, examples of the alkaline solution include KOH, NaOH, or Na 2 CO 3 solution in addition to the tetramethylammonium solution. Examples of the acidic solution include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and the like.

図6は、この発明の他の実施形態のスタンパの作製工程を説明するための図である。図6に示すように、シリコン基板21上に中間層25が積層され、レジスト材料22からなるレジストパターンが形成された光ディスク原盤26からニッケルメッキ層からなるマスタスタンパ23を得ることができる。   FIG. 6 is a view for explaining a stamper manufacturing process according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, a master stamper 23 made of a nickel plating layer can be obtained from an optical disk master 26 in which an intermediate layer 25 is laminated on a silicon substrate 21 and a resist pattern made of a resist material 22 is formed.

マスタスタンパ23形成後、マスタスタンパ23を射出成型用のスタンパとして用い、グルーブが読み取り面に対して凸形状のグルーブを有するディスク基板24を作製できる。   After the master stamper 23 is formed, the master stamper 23 can be used as a stamper for injection molding to produce a disk substrate 24 having a groove whose groove is convex with respect to the reading surface.

DVDフォーマットにおいては、グルーブをディスク基板側から読み取るために、ポジ型のレジストを用いたときは、マスタスタンパ23からマザースタンパを作製し、マザースタンパを射出成型用のスタンパとして用いる。この工程においては、ポジ型のレジストを用いたときと比較して、マザースタンパが不要となるので、スタンパの作製工程が簡略化できる。   In the DVD format, when a positive resist is used to read the groove from the disk substrate side, a mother stamper is produced from the master stamper 23, and the mother stamper is used as a stamper for injection molding. In this step, a mother stamper is not required as compared with the case where a positive resist is used, so that the stamper manufacturing process can be simplified.

図7は、この発明の光ディスク原盤から作製される1枚目のマスタスタンパ23の原子間力顕微鏡像を表した写真である。図8は、この発明の光ディスク原盤から作製される2枚目のマスタスタンパの原子間力顕微鏡像を表した写真である。従来の有機レジスト材料からなる光ディスク原盤では、レジスト材料の剛性、密着性も低く、1枚の光ディスク原盤から、1枚のスタンパのみ作製できる。   FIG. 7 is a photograph showing an atomic force microscope image of the first master stamper 23 produced from the optical disc master of the present invention. FIG. 8 is a photograph showing an atomic force microscope image of the second master stamper produced from the optical disc master of the present invention. A conventional optical disc master made of an organic resist material has low resist material rigidity and adhesion, and only one stamper can be produced from a single optical disc master.

これに対して、この発明の光ディスク原盤では、レジストの密着性が改善されたことにより、図7および図8に示すように同一の光ディスク原盤から複数枚のマスタスタンパ23を作製してもパターンの崩れが見られず、同様のスタンパを得ることができる。すなわち、この発明によれば、マザースタンパを作製することなく、複数の成型用スタンパを得ることができ、光ディスクの製造コストを低減できる。   On the other hand, in the optical disc master of the present invention, since the adhesiveness of the resist is improved, even if a plurality of master stampers 23 are produced from the same optical disc master as shown in FIGS. The same stamper can be obtained without any collapse. That is, according to the present invention, a plurality of molding stampers can be obtained without producing a mother stamper, and the manufacturing cost of the optical disk can be reduced.

以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

<実施例1>
図4には図示しないスパッタチャンバー内にて、下地層として、シリコン基板上に投入電力2.5kW、成膜アルゴンガス圧3.7mTorr(0.49Pa)にてアモルファスシリコン膜を100nm成膜した。
<Example 1>
In a sputtering chamber (not shown in FIG. 4), an amorphous silicon film having a thickness of 100 nm was formed as a base layer on a silicon substrate with an input power of 2.5 kW and a deposition argon gas pressure of 3.7 mTorr (0.49 Pa).

続いて、中間層として、W(タングステン)およびMo(モリブデン)のカソードをアルゴンと流量比10%にて導入された酸素の混合ガス(ガス圧1.0mTorr、0.13Pa)中にてそれぞれ投入電力1.0kW、0.19kWにて放電させ、タングステンおよびモリブデン酸化物からなるポジ型の無機レジスト材料を3nm成膜した。   Subsequently, as an intermediate layer, W (tungsten) and Mo (molybdenum) cathodes were respectively charged in a mixed gas of oxygen and oxygen introduced at a flow rate ratio of 10% (gas pressure 1.0 mTorr, 0.13 Pa). Electric discharge was performed at 1.0 kW and 0.19 kW, and a positive inorganic resist material made of tungsten and molybdenum oxide was formed to a thickness of 3 nm.

続いて、レジスト層として、アルゴンと流量比25%の酸素を導入し、タングステンおよびモリブデンをそれぞれ投入電力1.0kW、0.19kWにて放電させ、タングステンおよびモリブデン酸化物からなるネガ型の無機レジスト材料を25nm成膜した。   Subsequently, as a resist layer, argon and oxygen having a flow rate ratio of 25% are introduced, and tungsten and molybdenum are discharged at input powers of 1.0 kW and 0.19 kW, respectively, to thereby form a negative inorganic resist made of tungsten and molybdenum oxide. The material was deposited to 25 nm.

<実施例2>
実施例1と同様の手法により、下地層として、アモルファスシリコン膜を100nm成膜した。
<Example 2>
An amorphous silicon film having a thickness of 100 nm was formed as a base layer by the same method as in Example 1.

続いて、中間層として、タングステンおよびモリブデンのカソードをアルゴンと流量比10%にて導入された酸素の混合ガス(ガス圧1.0mTorr、0.13Pa)中にてそれぞれ投入電力1.0kW、0.19kWにて放電させ、タングステンおよびモリブデン酸化物からなるポジ型の無機レジスト材料を5nm成膜した。   Subsequently, as an intermediate layer, tungsten and molybdenum cathodes were introduced in a mixed gas of argon and oxygen introduced at a flow rate ratio of 10% (gas pressure 1.0 mTorr, 0.13 Pa). The positive inorganic resist material made of tungsten and molybdenum oxide was deposited to a thickness of 5 nm by discharging at .19 kW.

続いて、レジスト層として、アルゴンと流量比25%の酸素を導入し、タングステンおよびモリブデンをそれぞれ投入電力1.0kW、0.19kWにて放電させ、タングステンおよびモリブデン酸化物からなるネガ型の無機レジスト材料を25nm成膜した。   Subsequently, as a resist layer, argon and oxygen having a flow rate ratio of 25% are introduced, and tungsten and molybdenum are discharged at input powers of 1.0 kW and 0.19 kW, respectively, to thereby form a negative inorganic resist made of tungsten and molybdenum oxide. The material was deposited to 25 nm.

<実施例3>
実施例1と同様の手法により、下地層として、アモルファスシリコン膜を100nm成膜した。
<Example 3>
An amorphous silicon film having a thickness of 100 nm was formed as a base layer by the same method as in Example 1.

続いて、中間層として、タングステンおよびモリブデンのカソードをアルゴンと流量比10%にて導入された酸素の混合ガス(ガス圧1.0mTorr、0.13Pa)中にてそれぞれ投入電力1.0kW、0.19kWにて放電させ、タングステンおよびモリブデン酸化物からなるポジ型の無機レジスト材料を10nm成膜した。   Subsequently, as an intermediate layer, tungsten and molybdenum cathodes were introduced in a mixed gas of argon and oxygen introduced at a flow rate ratio of 10% (gas pressure 1.0 mTorr, 0.13 Pa). The positive inorganic resist material made of tungsten and molybdenum oxide was deposited to a thickness of 10 nm by discharging at .19 kW.

続いて、レジスト層として、アルゴンと流量比25%の酸素を導入し、タングステンおよびモリブデンをそれぞれ投入電力1.0kW、0.19kWにて放電させ、タングステンおよびモリブデン酸化物からなるネガ型の無機レジスト材料を25nm成膜した。   Subsequently, as a resist layer, argon and oxygen having a flow rate ratio of 25% are introduced, and tungsten and molybdenum are discharged at input powers of 1.0 kW and 0.19 kW, respectively, to thereby form a negative inorganic resist made of tungsten and molybdenum oxide. The material was deposited to 25 nm.

<比較例1>
実施例1と同様の手法により、下地層として、アモルファスシリコン膜を100nm成膜した。
<Comparative Example 1>
An amorphous silicon film having a thickness of 100 nm was formed as a base layer by the same method as in Example 1.

続いて、レジスト層として、アルゴンと流量比25%の酸素を導入し、タングステンおよびモリブデンをそれぞれ投入電力1.0kW、0.19kWにて放電させ、タングステンおよびモリブデン酸化物からなるネガ型の無機レジスト材料を25nm成膜した。   Subsequently, as a resist layer, argon and oxygen having a flow rate ratio of 25% are introduced, and tungsten and molybdenum are discharged at input powers of 1.0 kW and 0.19 kW, respectively, to thereby form a negative inorganic resist made of tungsten and molybdenum oxide. The material was deposited to 25 nm.

以上、得られたレジスト原盤を以下の条件で露光および現像した。   As described above, the obtained resist master was exposed and developed under the following conditions.

露光装置:カッティング装置(図5)
光源:半導体レーザ(波長405nm、Pw3.2mW)
対物レンズ:NA=0.90
対物レンズ送り速度:0.32μm/revolution
スピンドル:CLV(Constant Linear Velocity)方式2.0m/sec
現像液:テトラメチルアンモニウム水酸化溶液。
Exposure device: Cutting device (Fig. 5)
Light source: Semiconductor laser (wavelength 405 nm, Pw 3.2 mW)
Objective lens: NA = 0.90
Objective lens feed rate: 0.32 μm / revolution
Spindle: CLV (Constant Linear Velocity) method 2.0m / sec
Developer: Tetramethylammonium hydroxide solution.

上記露光条件にてレジスト層にDCグルーブパターンを露光および現像を行い、作製した光ディスク原盤(実施例1〜3および比較例1)のレジストパターンを原子間力顕微鏡(AFM(Atomic Force Microscope))によって観察した。図9は、実施例1〜3および比較例1の光ディスク原盤のレジストパターンを表す写真である。図9に示すように、原盤上に幅160nmのレジストパターンが形成されている。   Under the above exposure conditions, the resist layer is exposed and developed with a DC groove pattern, and the resist pattern of the produced optical disc master (Examples 1 to 3 and Comparative Example 1) is measured by an atomic force microscope (AFM). Observed. FIG. 9 is a photograph showing resist patterns of the optical disc masters of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1. As shown in FIG. 9, a resist pattern having a width of 160 nm is formed on the master.

続いて、この光ディスク原盤上に5nm程度の酸素含有量63at.%のポジ型レジストからなる導電膜をスパッタリングにより成膜後、電鋳により、マスタスタンパとしてのニッケル膜280μmを堆積させた。   Subsequently, an oxygen content of about 5 nm on this optical disk master is 63 at. After forming a conductive film made of% positive resist by sputtering, a nickel film 280 μm as a master stamper was deposited by electroforming.

マスタスタンパを作製した後、マスタスタンパを引き剥がし、原子間力顕微鏡にて、マスタスタンパ引き剥がし後の光ディスク原盤のレジストパターンを観察した。   After producing the master stamper, the master stamper was peeled off, and the resist pattern of the optical disc master after peeling off the master stamper was observed with an atomic force microscope.

図10は、比較例1のレジストパターンを表す写真である。図10に示すように、比較例1は、レジストの一部が剥離していた。図10より、比較例1は、レジストの密着性が弱く、マスタスタンパを引き剥がした際、スタンパとともにレジストパターンの一部が剥離することがわかった。なお、剥離したレジストは、マスタスタンパ側に付着しており、比較例1より作製したマスタスタンパは、光ディスク基板の成形には適さないこともわかった。   FIG. 10 is a photograph showing the resist pattern of Comparative Example 1. As shown in FIG. 10, in Comparative Example 1, a part of the resist was peeled off. From FIG. 10, it was found that in Comparative Example 1, the adhesion of the resist was weak, and when the master stamper was peeled off, a part of the resist pattern was peeled off together with the stamper. The peeled resist was adhered to the master stamper side, and it was found that the master stamper produced from Comparative Example 1 was not suitable for molding an optical disk substrate.

実施例1〜実施例3は、図9に示すようなレジストパターンを観察できた。すなわち、実施例1〜実施例3は、レジストパターンが剥離していないことがわかった。   In Examples 1 to 3, a resist pattern as shown in FIG. 9 could be observed. That is, it was found that in Examples 1 to 3, the resist pattern was not peeled off.

この結果より、実施例1〜実施例3は、同一の光ディスク原盤から複数枚のマスタスタンパを作製してもパターンの崩れが見られず、同様のスタンパを得ることができることがわかった。   From this result, it was found that in Examples 1 to 3, even when a plurality of master stampers were produced from the same optical disc master, pattern collapse was not observed, and similar stampers could be obtained.

なお、中間層の層厚を厚くした場合、レジストの感度が大きく低下してしまう結果となったので、中間層の厚さは10nmまでが効果的である。   Note that when the thickness of the intermediate layer is increased, the sensitivity of the resist is greatly reduced, so that the thickness of the intermediate layer is effective up to 10 nm.

この発明は、上述したこの発明の実施形態に限定されるものでは無く、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment of the present invention, and various modifications and applications are possible without departing from the spirit of the present invention.

この発明の光ディスク原盤の一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of the optical disk master of this invention. 酸素導入量とレジスト膜中の酸素含有量、レジストの形状との振る舞いの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the amount of oxygen introduction | transduction, the oxygen content in a resist film, and the behavior of a resist. グルーブパターンの幅の変化を示したグラフである。It is the graph which showed the change of the width of a groove pattern. 光ディスク基板成型用のスタンパ作製工程の概要を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the outline | summary of the stamper preparation process for optical disk substrate shaping | molding. 無機レジスト層を露光するためのカッティング装置の一例を表した略線図である。It is an approximate line figure showing an example of a cutting device for exposing an inorganic resist layer. この発明のスタンパの作製工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing process of the stamper of this invention. この発明の光ディスク原盤から作製される1枚目のマスタスタンパの原子間力顕微鏡像を表した写真である。2 is a photograph showing an atomic force microscope image of a first master stamper produced from an optical disc master of the present invention. この発明の光ディスク原盤から作製される2枚目のマスタスタンパの原子間力顕微鏡像を表した写真である。3 is a photograph showing an atomic force microscope image of a second master stamper produced from the optical disc master of the present invention. 実施例1〜3および比較例1のレジストパターンを表す写真である。3 is a photograph showing resist patterns of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1. 比較例1のレジストパターンを表す写真である。6 is a photograph showing a resist pattern of Comparative Example 1. 光ディスク基板成型用のスタンパ作製工程の概要を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the outline | summary of the stamper preparation process for optical disk substrate shaping | molding. Blu−ray Discのグルーブの模式図である。It is a schematic diagram of the groove | channel of Blu-ray Disc. ディスク基板の作製に必要なスタンパの作製過程を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the preparation process of the stamper required for preparation of a disk substrate. ポジ型フォトレジストを用いて作製された、光ピックアップ(読取面)に近い側に突起したグルーブを持つBlu−ray Discの略線図である。FIG. 6 is a schematic diagram of a Blu-ray Disc manufactured using a positive photoresist and having a groove protruding toward the side close to the optical pickup (reading surface). レーザ露光後の露光部と下地層の状態を表した写真である。It is the photograph showing the state of the exposure part and base layer after laser exposure.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・原盤
2・・・下地層
3・・・中間層
4・・・レジスト層
5・・・露光部
21・・・シリコン基板
22・・・レジスト層
23・・・マスタスタンパ
24・・・ディスク基板
25・・・中間層
26・・・光ディスク原盤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Master 2 ... Underlayer 3 ... Intermediate layer 4 ... Resist layer 5 ... Exposure part 21 ... Silicon substrate 22 ... Resist layer 23 ... Master stamper 24 ...・ Disk substrate 25 ... Intermediate layer 26 ... Master optical disc

Claims (21)

原盤上または原盤上に形成された下地層上に成膜かつパターニングされた遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料からなるネガ型レジスト材料を有する光ディスク原盤であって、
上記レジスト材料と上記原盤間または上記レジスト材料と上記下地層間に上記レジスト材料に記録できる露光パワーでは相変化しない中間層が形成されたことを特徴とする光ディスク原盤。
An optical disc master having a negative resist material made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal formed and patterned on a master or an underlayer formed on the master,
An optical disc master, wherein an intermediate layer that does not change in phase with an exposure power that can be recorded on the resist material is formed between the resist material and the master or between the resist material and the base layer.
請求項1において、
上記中間層は、遷移金属の不完全酸化物を含有するアモルファス無機材料からなることを特徴とする光ディスク原盤。
In claim 1,
The optical disc master, wherein the intermediate layer is made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal.
請求項1において、
上記中間層は、WOX、MoOX、W、MoまたはCrOxを含有するアモルファス無機材料からなることを特徴とする光ディスク原盤。
In claim 1,
The intermediate layer, WO X, the optical disc master, characterized in that it consists of an amorphous inorganic material containing MoO X, W, Mo or CrOx.
請求項1において、
上記レジスト材料は、WまたはMoを含有することを特徴とする光ディスク原盤。
In claim 1,
The optical disk master, wherein the resist material contains W or Mo.
請求項1おいて、
上記レジスト材料は、酸素含有量が72at.%乃至74at.%とされた酸化膜であることを特徴とする光ディスク原盤。
In claim 1,
The resist material has an oxygen content of 72 at. % To 74 at. An optical disc master characterized by being an oxide film made up of%.
請求項1において、
上記中間層は、酸素含有量が53at.%乃至65at.%とされた酸化膜であることを特徴とする光ディスク原盤。
In claim 1,
The intermediate layer has an oxygen content of 53 at. % To 65 at. An optical disc master characterized by being an oxide film made up of%.
請求項1において、
上記中間層は、膜厚3nm乃至10nmとされたことを特徴とする光ディスク原盤。
In claim 1,
An optical disc master, wherein the intermediate layer has a thickness of 3 nm to 10 nm.
原盤上または原盤上に形成された下地層上に成膜かつパターニングされた遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料からなるネガ型レジスト材料を有する光ディスク原盤の製造方法であって、
上記原盤上または原盤上に形成された上記下地層上に上記レジスト材料に記録できる露光パワーでは相変化しない中間層を成膜する工程と、
上記中間層上に、遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料からなる上記レジスト材料を成膜する工程と、
上記レジスト材料からなる膜にレーザ光を照射し潜像を形成する露光工程と、
上記レジスト材料を現像することにより上記潜像に応じた凹凸形状を原盤上または原盤上に形成された下地層上に形成する工程とを有することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
A method for producing an optical disc master having a negative resist material made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal film-formed and patterned on a master or an underlayer formed on the master,
Forming an intermediate layer that does not change in phase with an exposure power that can be recorded on the resist material, on the master or on the base layer formed on the master; and
Depositing the resist material made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal on the intermediate layer;
An exposure step of irradiating the film made of the resist material with a laser beam to form a latent image;
And a step of developing the resist material to form a concavo-convex shape corresponding to the latent image on the master or an underlayer formed on the master.
請求項8において、
上記中間層は、遷移金属の不完全酸化物を含有するアモルファス無機材料からなることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
In claim 8,
The method for manufacturing an optical disc master, wherein the intermediate layer is made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal.
請求項8において、
上記中間層は、WOX、MoOX、W、MoまたはCrOxを含有するアモルファス無機材料からなることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
In claim 8,
The intermediate layer, WO X, MoO X, W , a manufacturing method of the optical disc master, characterized in that it consists of an amorphous inorganic material containing Mo or CrOx.
請求項8において、
上記レジスト材料は、WまたはMoを含有することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
In claim 8,
The resist material contains W or Mo. A method of manufacturing an optical disc master.
請求項8おいて、
上記レジスト材料は、酸素含有量が72at.%乃至74at.%とされた酸化膜であることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
In claim 8,
The resist material has an oxygen content of 72 at. % To 74 at. %. A method of manufacturing an optical disc master, characterized in that the oxide film is defined as%.
請求項8において、
上記中間層は、酸素含有量が53at.%乃至65at.%とされた酸化膜であることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
In claim 8,
The intermediate layer has an oxygen content of 53 at. % To 65 at. %. A method of manufacturing an optical disc master, characterized in that the oxide film is defined as%.
請求項8において、
上記中間層は、膜厚3nm乃至10nmとされたことを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
In claim 8,
The method of manufacturing an optical disc master, wherein the intermediate layer has a thickness of 3 nm to 10 nm.
原盤上または原盤上に形成された下地層上に成膜かつパターニングされた遷移金属の不完全酸化物を含むアモルファス無機材料からなるネガ型レジスト材料を有する光ディスク原盤から光ディスクスタンパを得る光ディスクスタンパの製造方法であって、
上記レジスト材料と上記原盤間または上記レジスト材料と上記下地層間にレジスト材料に記録できる露光パワーでは相変化しない中間層が形成された光ディスク原盤から光ディスクスタンパを得ることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
Manufacture of an optical disc stamper for obtaining an optical disc stamper from an optical disc master having a negative resist material made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal formed and patterned on the master or an underlayer formed on the master A method,
A method of manufacturing an optical disc stamper, comprising: obtaining an optical disc stamper from an optical disc master having an intermediate layer that does not change in phase with an exposure power that can be recorded on the resist material between the resist material and the master disc or between the resist material and the underlying layer. .
請求項15において、
上記中間層は、遷移金属の不完全酸化物を含有するアモルファス無機材料からなることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。。
In claim 15,
The method for manufacturing an optical disc stamper, wherein the intermediate layer is made of an amorphous inorganic material containing an incomplete oxide of a transition metal. .
請求項15において、
上記中間層は、WOX、MoOX、W、MoまたはCrOxを含有するアモルファス無機材料からなることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
In claim 15,
The intermediate layer, WO X, MoO X, W , a method of manufacturing an optical disc stamper characterized by comprising an amorphous inorganic material containing Mo or CrOx.
請求項15において、
上記レジスト材料は、WまたはMoを含有することを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
In claim 15,
The method of manufacturing an optical disc stamper, wherein the resist material contains W or Mo.
請求項15おいて、
上記レジスト材料は、酸素含有量が72at.%乃至74at.%とされた酸化膜であることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
In claim 15,
The resist material has an oxygen content of 72 at. % To 74 at. A method for manufacturing an optical disc stamper, characterized by comprising:
請求項15において、
上記中間層は、酸素含有量が53at.%乃至65at.%とされた酸化膜であることを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
In claim 15,
The intermediate layer has an oxygen content of 53 at. % To 65 at. A method for manufacturing an optical disc stamper, characterized by comprising:
請求項15において、
上記中間層は、膜厚3nm乃至10nmとされたことを特徴とする光ディスクスタンパの製造方法。
In claim 15,
The method for manufacturing an optical disc stamper, wherein the intermediate layer has a thickness of 3 nm to 10 nm.
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