JP2006173474A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 回路要素のキャパシタを備え、小型で冗長な配線を持たないICチップを搭載した低コストの半導体装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 所定の厚さに裏面研削されたICチップ1のシリコン基板11の表面の電極または配線12を平行平板電極の一方の電極とし、一方の電極と対向して、シリコン基板11の裏面にパッケージ基板2の表面の電極または配線22を密接させ他方の電極とすると共に、ICチップ1とパッケージ基板2との間の電極または配線22を除く部分に接着樹脂4を適用して、パッケージ基板2上にICチップ1をフェイスアップに搭載する。これによって、シリコン基板11を誘電体層とし、一方の電極12と他方の電極22とからなるキャパシタ8を形成させる。
【選択図】 図1
Description
本発明は半導体装置およびその製造方法に関するものであり、更に詳しくは、ICチップ内に回路要素としてのキャパシタを備えており、小型であって冗長な配線がなく低コストである半導体装置およびその製造方法に関するものである。
ICチップを搭載した半導体装置では、必要な電圧の波形もしくは電流の波形に対して、外来の、または半導体装置の回路自体の物理的制約等による不要な電圧波形または電流波形が重畳し、目的とする機能や動作を阻害する場合がある。
その重畳した不要な電圧波形、電流波形を取り除くか、もしくは必要な波形のみを取り出すために、コンデンサなどの受動部品を回路要素として実装する場合がある。
その重畳した不要な電圧波形、電流波形を取り除くか、もしくは必要な波形のみを取り出すために、コンデンサなどの受動部品を回路要素として実装する場合がある。
図4は配線基板170の配線172にICパッケージ110とチップ・キャパシタ180とを実装した半導体装置100の縦断面図であり、チップ・キャパシタ180の高周波特性を利用したフィルタ回路、またはチップ・キャパシタ180と他部品との複合によるフィルタ回路を形成し、電流または電圧の波形に含まれる必要な波形、不要な波形の取捨選択を行っている。この半導体装置100は、配線基板170に機能部品であるICパッケージ110を実装し、チップ・キャパシタ180等の部品を追加、実装したものである。同様なことは、CPU(中央演算装置)等に利用されているセラミック製のICパッケージのほか、マルチチップ・パッケージにおいても行われている。
そのほか、チップ・キャパシタを配線基板に実装するのではなく、MMIC(モノリシック・マイクロ波集積回路)においては、半導体基板に半導体素子と回路要素のキャパシタとが同時に作り込まれている。図5はそのような集積回路210におけるキャパシタCとその周辺の断面図であり、ビアホール232を備えた半導体基板220の表面224に、例えば(Ti/Pt/Au)の第1導電層236と、窒化シリコン(Si3 N4 )の誘電体層240と、(Ti/Pt/Au)の第2導電体層244とからなるMIM(金属−絶縁体−金属)構成のキャパシタCが形成されている。そして、第1導電層236は半導体基板220の裏面に形成されたグランド層228と接続されている(例えば特許文献1を参照)。 また、同様なMIM構成のキャパシタをアルミナ基板上に形成した混成集積回路が開示されている(例えば特許文献2を参照)。 そのほか、最近ではLTCC(低温共焼成セラミック)などにおいて、セラミック製基板の焼成と同時に、半導体素子と、キャパシタ、インダクタ等の回路素子とを同時に焼成することも行われている。
上記のチップ・キャパシタ180を実装した半導体装置100は、配線基板170にICパッケージ110を実装する面積のほかに、チップ・キャパシタ180等の部品を実装する面積を必要とし、そのことは最終製品である半導体装置100の小型化、低価格化を妨げる要因となっている。また、ICパッケージ110の電極とチップ・キャパシタ180の電極とを極力短い配線で接続しても、その配線に基づく寄生インダクタンス、寄生容量、および抵抗を無視することができず、チップ・キャパシタ110単体の特性と併せて回路特性を考慮する必要があることから回路設計の難度を高くしており、また回路自体の物理的制約を受けた特性となる。
また、特許文献1のモノリッシック・マイクロ波集積回路210では、形成させるキャパシタCに一定値以上の静電容量を得るためには、誘電体層240を特別に薄膜にするか又は誘電体層240に高誘電率材料を使用するかを必要とし、基板製造プロセスを複雑化させ、高コストの半導体装置となる。そのほか、半導体素子を形成させる半導体基板220の表面224側にキャパシタCを形成するので、その分だけ表面224の面積が大きい半導体基板220を要し、製造される集積回路210の小型化を困難化させる。
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、回路要素のキャパシタを備え、小型で冗長な配線がなく、低コストのICチップを搭載した半導体装置、およびその製造方法を提供することを課題とする。 なお、特許請求の範囲および明細書において「電極または配線」なる語句を使用しているが、これは「電極、または電極に接続されている配線」を意味する。
請求項1の半導体装置は、所定の厚さに裏面加工したICチップの半導体基板を誘電体として、前記半導体基板の表面の前記ICチップの電極または配線を平行平板電極の一方の電極とし、前記一方の電極と対向して、前記半導体基板の裏面に密接させる他の電極または配線を他方の電極として形成される回路要素のキャパシタを備えた前記ICチップが搭載されている半導体装置である。
このような半導体装置は、半導体基板を誘電体として、半導体基板の表面の一方の電極と、一方の電極に対向して、通常は使用されない裏面に密接させる他方の電極とからなる回路要素のキャパシタが設けられていることから、キャパシタの形成に半導体基板の表面の面積の拡大を必要とせず小型であり、誘電体も一般的な半導体基板を使用し得ることから低コストである。
このような半導体装置は、半導体基板を誘電体として、半導体基板の表面の一方の電極と、一方の電極に対向して、通常は使用されない裏面に密接させる他方の電極とからなる回路要素のキャパシタが設けられていることから、キャパシタの形成に半導体基板の表面の面積の拡大を必要とせず小型であり、誘電体も一般的な半導体基板を使用し得ることから低コストである。
請求項1に従属する請求項2の半導体装置は、前記他方の電極が、前記ICチップをフェイスアップにパッケージするパッケージ基板の面に形成された電極または配線である半導体装置である。
このような回路要素のキャパシタを備えたICチップのパッケージである半導体装置は小型であり、低コストである。
このような回路要素のキャパシタを備えたICチップのパッケージである半導体装置は小型であり、低コストである。
請求項1に従属する請求項3の半導体装置は、前記他方の電極が、前記ICチップをフェイスアップに搭載するインターポーザの面、または他の被搭載ICチップの半導体基板の面に形成された電極または配線である半導体装置である。
このような回路要素のキャパシタを備えたICチップをフェイスアップに搭載したインターポーザまたは他の被搭載ICチップからなる半導体装置は小型であり、低コストである。
このような回路要素のキャパシタを備えたICチップをフェイスアップに搭載したインターポーザまたは他の被搭載ICチップからなる半導体装置は小型であり、低コストである。
請求項1に従属する請求項4の半導体装置は、前記他方の電極が、インターポーザまたは他の被搭載ICチップの半導体基板にフェイスダウンに取り付けた前記ICチップの裏面に形成される電極または配線である半導体装置である。
このような回路要素のキャパシタを備えたICチップをフェイスダウンに搭載したインターポーザまたは他の被搭載ICチップからなる半導体装置は小型であり、低コストである。
このような回路要素のキャパシタを備えたICチップをフェイスダウンに搭載したインターポーザまたは他の被搭載ICチップからなる半導体装置は小型であり、低コストである。
請求項5の半導体装置の製造方法は、ICチップの電極または配線が表面に形成された半導体基板の裏面を加工して所定の厚さにする工程と、前記表面の電極または配線を平行平板電極の一方の電極とし、前記一方の電極に対向して、前記裏面に他の電極または配線を密接させて他方の電極とする工程、および前記ICチップを接着樹脂によって配線基板に取り付ける工程と、により誘電体としての前記半導体基板と前記一方の電極と前記他方の電極とから形成される回路要素のキャパシタを備えた前記ICチップを前記配線基板に搭載する半導体装置の製造方法である。
このような半導体装置の製造方法は、所定の厚さに裏面加工した半導体基板を誘電体とし、半導体基板の表面の一方の電極と、通常は使用されない裏面に密接される他方の電極とからなる回路要素のキャパシタが形成されることから、キャパシタの形成に半導体基板の表面の面積を増大させることを必要とせず、かつ製造コストを増大させない。
このような半導体装置の製造方法は、所定の厚さに裏面加工した半導体基板を誘電体とし、半導体基板の表面の一方の電極と、通常は使用されない裏面に密接される他方の電極とからなる回路要素のキャパシタが形成されることから、キャパシタの形成に半導体基板の表面の面積を増大させることを必要とせず、かつ製造コストを増大させない。
請求項5に従属する請求項6の半導体装置の製造方法は、前記他方の電極として、前記ICチップをフェイスアップに搭載するパッケージ基板の面に形成されている電極または配線を使用する製造方法である。
このような半導体装置の製造方法は、ICチップと回路要素のキャパシタとのパッケージを小型化させ、かつ製造コストを増大させない。
このような半導体装置の製造方法は、ICチップと回路要素のキャパシタとのパッケージを小型化させ、かつ製造コストを増大させない。
請求項5に従属する請求項7の半導体装置の製造方法は、前記他方の電極として、前記ICチップをフェイスアップに搭載するインターポーザの面、または他の被搭載ICチップの半導体基板の面に形成されている電極または配線を使用する製造方法である。
このような半導体装置の製造方法は、ICチップと回路要素のキャパシタとを搭載するインターポーザまたは他の被搭載ICチップからなる半導体装置を小型化させ、かつ製造コストを増大させない。
このような半導体装置の製造方法は、ICチップと回路要素のキャパシタとを搭載するインターポーザまたは他の被搭載ICチップからなる半導体装置を小型化させ、かつ製造コストを増大させない。
請求項5に従属する請求項8の半導体装置の製造方法は、前記他方の電極として、インターポーザの面または他の被搭載ICチップの半導体基板の面にフェイスダウンに取り付けた前記ICチップの裏面に形成される電極または配線を使用する製造方法である。
このような半導体装置の製造方法は、回路要素のキャパシタとICチップとを搭載するインターポーザまたは他の被搭載ICチップからなる半導体装置を小型化させ、かつ製造コストを増大させない。
このような半導体装置の製造方法は、回路要素のキャパシタとICチップとを搭載するインターポーザまたは他の被搭載ICチップからなる半導体装置を小型化させ、かつ製造コストを増大させない。
請求項1の半導体装置によれば、設けた回路要素のキャパシタによって半導体基板の面積の拡大を要していないので、半導体装置は大型化されない。 また、誘電体として裏面加工(例えば裏面研削)した半導体基板を使用しているので、キャパシタの静電容量は電極面積を考慮した半導体基板の厚さによって任意に設定したものとなっており、低コストである。そして設けたキャパシタとICチップとを接続する配線は極めて短いので、それによる寄生インダクタンス、寄生容量、抵抗を持たない。更には、他方の電極としている裏面の配線の一部に高透磁率材料を使用してインダクタを形成し得るので、キャパシタと合わせてLC直列共振回路を設けることも可能である。
請求項2の半導体装置によれば、回路要素のキャパシタを備えたICチップがパッケージ基板にフェイスアップにパッケージされているので、半導体装置は小型であり低コストである。また、キャパシタは任意の静電容量を有し、かつ不要な配線による寄生インダクタンス、寄生容量、抵抗を持たない。更にはLC直列共振回路を持つものとすることができる。
請求項3の半導体装置によれば、回路要素のキャパシタを備えたICチップがフェイスアップとしてインターポーザまたは他の被搭載ICチップの半導体基板に搭載されているので、半導体装置は小型であり低コストである。また、キャパシタは任意の静電容量を有し、かつ不要な配線による寄生インダクタンス、寄生容量、抵抗を持たない。 更にはLC直列共振回路を持つものとすることができる。
請求項4の半導体装置によれば、回路要素のキャパシタを備えたICチップがフェイスダウンとしてインターポーザまたは他の被搭載ICチップの半導体基板に搭載されているので、半導体装置は小型であり低コストである。また、キャパシタは任意の静電容量を有し、かつ不要な配線による寄生インダクタンス、寄生容量、抵抗を持たない。 更にはLC直列共振回路を持つものとすることができる。
請求項5の半導体装置の製造方法によれば、ICチップと共に回路要素のキャパシタを設けるに際して半導体基板の表面積を拡げることを必要としないので、半導体装置を大型化させない。 また、誘電体として裏面加工(例えば裏面研削)した半導体基板を使用するので、キャパシタの静電容量は、電極面積を考慮して半導体基板の厚さを決めることにより任意に設定することができる。また、キャパシタの形成に高価な誘電材料を使用せず、複雑な処理加工を施すこともないので低コストである。そして設けたキャパシタとICチップとを接続する配線は極めて短くて済むので、冗長な配線による寄生インダクタンス、寄生容量、抵抗を生じない。更には、他方の電極としている裏面の配線の一部に高透磁率材料を使用してインダクタを形成することにより、キャパシタと合わせてLC直列共振回路を設けることができる。
請求項6の半導体装置の製造方法によれば、フェイスアップのICチップと回路要素のキャパシタとのパッケージを小型化させ、キャパシタの静電容量は任意に設定でき、かつ製造コストを増大させない。また、キャパシタの接続に冗長な配線を要せず、寄生インダクタンス、寄生容量、不要な抵抗を生じない。そして、キャパシタの裏面の他方の電極の配線の一部をインダクタとして、LC直列共振回路の形成も可能である。
請求項7の半導体装置の製造方法によれば、フェイスアップのICチップとキャパシタとをインターポーザまたは他の被搭載ICチップの半導体基板に搭載した半導体装置を小型化させ、キャパシタの静電容量は任意に設定でき、かつ製造コストを増大させない。また、キャパシタの接続に冗長な配線を要せず、寄生インダクタンス、寄生容量、不要な抵抗を生じない。そして、キャパシタの裏面の他方の電極の配線の一部をインダクタとして、LC直列共振回路の形成も可能である。
請求項8の半導体装置の製造方法によれば、フェイスダウンのICチップとキャパシタとをインターポーザまたは他の被搭載ICチップの半導体基板に搭載した半導体装置を小型化させ、キャパシタの静電容量は任意に設定でき、かつ製造コストを増大させない。また、キャパシタの接続に冗長な配線を要せず、寄生インダクタンス、寄生容量、不要な抵抗を生じない。そして、キャパシタの裏面の他方の電極の配線の一部をインダクタとして、LC直列共振回路の形成も可能である。
上述したように、本発明の請求項1に係る半導体装置は、所定の厚さに裏面加工、例えば裏面研削したICチップの半導体基板を誘電体として、半導体基板の表面のICチップの電極または配線を平行平板電極の一方の電極とし、一方の電極と対向して、半導体基板の裏面に密接させる他の電極または配線を他方の電極として形成される回路要素のキャパシタを備えたICチップが搭載されている半導体装置である。
また、本発明の請求項5に係る半導体装置の製造方法は、ICチップの電極または配線が表面に形成された半導体基板の裏面を加工して、例えば裏面研削して所定の厚さにする工程と、表面の電極または配線を平行平板電極の一方の電極とし、一方の電極に対向して、裏面に他の電極または配線を密接させて他方の電極とする工程、およびICチップを接着樹脂によって配線基板に取り付ける工程とによって、誘電体としての半導体基板と一方の電極と他方の電極とから形成される回路要素のキャパシタを備えたICチップを配線基板に搭載する半導体装置の製造方法である。
半導体基板としては、多用されている比誘電率が12程度のシリコン(Si)基板やガリウム・砒素(GaAs)基板を使用することができる。勿論、半導体基板はこれら以外の材料による基板であってもよく、 好ましくは比誘電率が更に大きいゲルマニウム(Ge)、インジウム・アンチモン(InSb)などによる半導体基板も使用することができる。半導体基板の表面に形成されているICチップの電極または配線は半導体基板に作り込まれているトランジスタ、ダイオード類の電極または配線であり、それらは本来の目的のための接続用配線が施されているものである。
表面にICチップの電極または配線が形成されている裏面加工前の半導体基板の厚さは、一般的には0.7mm程度であるが、その半導体基板の裏面加工、例えば裏面研削は、電極面積を考慮して、得たいキャパシタの静電容量によって定まる厚さが得られるまで半導体基板の裏面研削することによって行われる。裏面研削は常法により裏面研削装置を使用して行われる。裏面研削時に注意を要することは半導体基板に割れや欠けを発生させないことにあり、ICチップの電極が形成されている半導体基板の表面に保護テープを貼り合わせるか、または半導体基板の表面をワックスでガラス台に固定するなどによる割れ防止対策を施すことにより、割れや欠けを生ずることなく半導体基板を30μm 以下の厚さに裏面研削することが可能である。
キャパシタの静電容量Cは、(式1)に示すように、平行平板電極の電極面積Sと誘電体の誘電率εとに比例し、電極間の距離d に反比例する。なお、誘電率εは誘電体の比誘電率εr と真空中の誘電率ε0 (定数)との積である。
C = εS/d (式1)
上記の(式1)から、一定の静電容量Sのキャパシタを得るに必要な研削後の半導体基板の厚さd は、誘電体となる半導体基板の材料が有する比誘電率εr と一方の電極および他方の電極を平行平板電極とする電極面積Sとから算出される。
C = εS/d (式1)
上記の(式1)から、一定の静電容量Sのキャパシタを得るに必要な研削後の半導体基板の厚さd は、誘電体となる半導体基板の材料が有する比誘電率εr と一方の電極および他方の電極を平行平板電極とする電極面積Sとから算出される。
図1は実施例1による半導体装置10、すなわち、シリコン基板11にトランジスタ等が形成されているICチップ1がパッケージ基板2に搭載されているボールグリッドアレイ・パッケージ10の構成を示す断面図である。プリント配線基板の技術によって作成される表裏で導通した電極または配線22を備えたパッケージ基板2上に、裏面研削してシリコン基板11を所定の厚さとしたICチップ1をフェイスアップとして位置決めし、ICチップ1の表面の電極12と対向するように、シリコン基板11の裏面にパッケージ基板2の電極または配線22を密接させると共に、ICチップ1とパッケージ基板2との間の電極または配線22を除く部分に接着樹脂4を適用して、パッケージ基板2にICチップ1を取り付けたものである。このようにすることにより、ICチップ1のシリコン基板11を誘電体層として、ICチップ1の電極12を平行平板電極の一方の電極とし、パッケージ基板2の表面の電極または配線22を他方の電極とするキャパシタ8が形成される。
上記のキャパシタ8の形成に際しては、パッケージ基板2の表面の電極または配線22と、ICチップ1のシリコン基板11の裏面との間に空気を挟み込まないように隙間なく密着させることが肝要であり、そのためには接着時に加圧することを要する。密着は接着樹脂4の硬化時の収縮によって促進される。形成されるキャパシタ8の静電容量を計算値通りに発現させ、また製造される半導体装置10のキャパシタ8の間で、静電容量のバラツキを無くすには、パッケージ基板2の電極または配線22の面を予めバフ研磨などを施して凹凸を無くしておくことが好ましい。そのほか、ICチップ1のシリコン基板11の裏面にスパッタリング技術によって予め金属薄膜を形成させておくことも好ましい選択である。勿論、設計仕様が許容するのであれば、上記のような密着性の向上策を施さなくとも、寄生インダクタンスなどの影響が排除され、電気特性に優れたキャパシタを作成することができる。
図1において、ICチップ1の電極または配線12、13とパッケージ基板2の表面の電極または配線22、23とは本来の目的のための配線、例えばボンディング・ワイヤ3による配線が何等の支障を伴うことなく施される。また、ICチップ1およびボンディング・ワイヤ3を含めて、パッケージ基板2の表面は封止樹脂5によって封止されている。他方、パッケージ基板2の裏面の配線もしくは電極22、23の面には、接続箇所24となる部分を露出させるようにソルダーレジスト25がパターニングして形成され、露出された接続箇所24には外部と接続するための半田バンプ6が形成される。 半田バンプ6には接地されるもの、図示しない配線基板の端子に接続されるものとからなる。その後、捺印、検査などの工程を経て製品としてのパッケージとしての半導体装置10が完成される。
このように製造される実施例1のパッケージ10に搭載されたICチップ1のシリコン基板11は厚さdが20μm となるように裏面研削されたものである。 従って、ICチップ1の電極12の面積を200μm ・200μm とすると、シリコン基板11を誘電体層とし、ICチップ1の電極または配線12とパッケージ基板2の表面の電極または配線22とを対向電極として形成されるキャパシタ8の静電容量は約0.2pFと算出される。そして形成されたキャパシタ8はICチップ1の電極または配線12、またはパッケージ基板2の電極または配線22との間に冗長な配線を持たないので、冗長な配線による寄生インダクタンス、寄生容量、不要な抵抗による影響を排除した回路設計が可能である。
図2は本発明の実施例2による半導体装置20の構成を示す断面図である。この半導体装置20は実施例1のパッケージ基板2に代えてインターポーザ(変換基板)9上に、裏面研削してシリコン基板11を所定の厚さとしたICチップ1をフェイスアップに搭載したものである。 すなわち、平行平板電極の一方の電極となるICチップ1のシリコン基板11の表面の電極または配線12に対向するように、シリコン基板11の裏面に、インターポーザ9の電極または配線92を密接させて平行平板電極の他方の電極としたものであり、シリコン基板11を誘電体層とするキャパシタ8が形成されている。
上記の構成は、平行平板電極の他方の電極となるインターポーザ9の電極または配線92に対し、一方の電極となるICチップ1の表面の電極または配線12を対向させるように、アップフェイスとしたICチップ1を位置決めして、シリコン基板11の裏面をインターポーザ9の電極または配線92に密接させると共に、ICチップ1とインターポーザ9との間の電極または配線92を除く部分に接着樹脂4を適用して、インターポーザ9にICチップ1を搭載して得られる。 なお、インターポーザ9の面には上記の電極または配線92以外に、キャパシタ8とは関連していない電極または配線93が設けられているが、前者の電極または配線92と区別するために、後者の電極または配線93は厚さを小にして表示している。
インターポーザ9にICチップ1を搭載した後、インターポーザ9上にICチップ1を覆って第1再配線層14が形成されている。第1再配線層14とは、絶縁層14aと、ICチップ1の電極または配線12、13を引き出して絶縁層14aの面で再配線されている電極または配線14bとを含む。そして第1再配線層14の上へ更に第2再配線層15が形成されており、上記の再配線用の電極または配線14bはそれぞれ第2再配線層15の絶縁層15aに設けたビアホール15b内の導体を介して半田バンプ6と接続されており外部と接続される。なお上記のインターポーザ9に代えて、他の被搭載ICチップの半導体基板の表面または裏面にICチップ1を搭載することができる。
図3は実施例3による半導体装置30の構成を示す断面図である。この半導体装置30は、実施例2の半導体装置20と同様、インターポーザ9上に、シリコン基板11を裏面研削したICチップ1を搭載したものである。実施例2と共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。実施例3の半導体装置30が実施例2の半導体装置20と異なるところは、ICチップ1がフェイスダウンに搭載されていることにある。すなわち、インターポーザ9上に裏面研削したICチップ1をフェイスダウンに配して、平行平板電極の一方の電極となるICチップ1のシリコン基板11の表面の電極または配線12をインターポーザ9の電極または配線92に、ICチップ1の電極または配線13をインターポーザ9の電極または配線93に対し、ICチップ1またはインターポーザ9の何れかに形成されたバンプ94を介して接続すると共に、接続箇所以外の部分に接着樹脂4を適用してICチップ1をインターポーザ9上に取り付ける。
そして、インターポーザ9上のICチップ1を除く部分に第1再配線層14を形成し、シリコン基板11の表面の一方の電極12に対向するように、シリコン基板11の裏面に平行平板電極の他方の電極となる電極または配線14bを形成する。図3においては、電極または配線14aを第1再配線層14の絶縁層14aの面まで延在させているが、これは後述するビアホール15b内の導体の形成に余裕をもたせるためであり本質的なことではない。上記によって、ICチップ1のシリコン基板11を誘電体層とし、一方の電極12と他方の電極14bとからなるキャパシタ8が形成される。続いて、ICチップ1の表面の電極または配線12、13に接続されているインターポーザ9の電極または配線92、93をそれぞれ第1再配線層14の絶縁層14aの面に引き出して再配線用の電極または配線14b、14cを形成し、更に、第1再配線層14の上に第2再配線層15を形成して、第2再配線層15の絶縁層15aに設けたビアホール15b内の導体を介して半田バンプ6が形成したものである。なお、上記のインターポーザ9に代えて、他の被搭載ICチップの半導体基板の表面または裏面にICチップ1を搭載することができることは実施例2の場合と同様である。
以上、本発明の半導体装置を実施例によって説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
例えば実施例1の図1におけるパッケージ基板2の電極または配線22、実施例2の図2におけるインターポーザ9の電極または配線92や、実施例3の図3における再配線層14上の再配線用の電極または配線14bは、一般的にはCuまたはAlを材料とするものであるが、これらの電極または配線のうち、キャパシタの他方の電極を構成しない部分を比透磁率の大きい材料、例えばNiによるものとしてインダクタを形成し、上述したキャパシタ8と組み合わせて、LC直列共振回路を形成させてもよい。
1 ICチップ、 2 パッケージ基板、
3 ボンディング・ワイヤ、 4 接着樹脂、
5 封止樹脂、 6 半田バンプ、
8 キャパシタ、 9 インターポーザ、
10 実施例1の半導体装置、 11 シリコン基板、
12 ICチップの電極または配線、 13 ICチップの電極または配線、
14 第1再配線層、 14a 再配線層の絶縁層、
14b 絶縁層面の電極または配線、 15 第2再配線層、
15a 第2再配線層の絶縁層、 15b ビアホール、
20 実施例2の半導体装置、
22、23 パッケージ基板の電極または配線、
25 ソルダーレジスト、 30 実施例3の半導体装置、
92、93 インターポーザの電極または配線、
3 ボンディング・ワイヤ、 4 接着樹脂、
5 封止樹脂、 6 半田バンプ、
8 キャパシタ、 9 インターポーザ、
10 実施例1の半導体装置、 11 シリコン基板、
12 ICチップの電極または配線、 13 ICチップの電極または配線、
14 第1再配線層、 14a 再配線層の絶縁層、
14b 絶縁層面の電極または配線、 15 第2再配線層、
15a 第2再配線層の絶縁層、 15b ビアホール、
20 実施例2の半導体装置、
22、23 パッケージ基板の電極または配線、
25 ソルダーレジスト、 30 実施例3の半導体装置、
92、93 インターポーザの電極または配線、
Claims (8)
- 所定の厚さに裏面加工したICチップの半導体基板を誘電体として、前記半導体基板の表面の前記ICチップの電極または配線を平行平板電極の一方の電極とし、前記一方の電極と対向して、前記半導体基板の裏面に密接させる他の電極または配線を他方の電極として形成される回路要素のキャパシタを備えた前記ICチップが搭載されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記他方の電極が、前記ICチップをフェイスアップにパッケージするパッケージ基板の面に形成された電極または配線である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記他方の電極が、前記ICチップをフェイスアップに搭載するインターポーザの面、または他の被搭載ICチップの半導体基板の面に形成された電極または配線である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記他方の電極が、インターポーザまたは他の被搭載ICチップの半導体基板にフェイスダウンに取り付けた前記ICチップの裏面に形成される電極または配線である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - ICチップの電極または配線が表面に形成された半導体基板の裏面を加工して所定の厚さにする工程と、
前記表面の電極または配線を平行平板電極の一方の電極とし、前記一方の電極に対向して、前記裏面に他の電極または配線を密接させて他方の電極とする工程、および
前記ICチップを接着樹脂によって配線基板に取り付ける工程と、により誘電体としての前記半導体基板と前記一方の電極と前記他方の電極とから形成される回路要素のキャパシタを備えた前記ICチップを前記配線基板に搭載する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記他方の電極として、前記ICチップをフェイスアップに搭載するパッケージ基板の面に形成されている電極または配線を使用する
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記他方の電極として、前記ICチップをフェイスアップに搭載するインターポーザの面、または他の被搭載ICチップの半導体基板の面に形成されている電極または配線を使用する
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記他方の電極として、インターポーザの面または他の被搭載ICチップの半導体基板の面にフェイスダウンに取り付けた前記ICチップの裏面に形成される電極または配線を使用する
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2004366312A JP2006173474A (ja) | 2004-12-17 | 2004-12-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105529277A (zh) * | 2014-10-20 | 2016-04-27 | 英飞凌科技股份有限公司 | 用于将电路载体与载体板焊接的方法 |
-
2004
- 2004-12-17 JP JP2004366312A patent/JP2006173474A/ja active Pending
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