JP2006171182A - 光偏向器 - Google Patents

Abstract

【課題】温度勾配による歪ゲージの温度ドリフトを低減し、高精度にミラー面の角度変位を検出できる光偏向器を提供すること。
【解決手段】可動板１０１と、可動板１０１の外側に位置する固定部１０２ａ、１０２ｂと、可動板１０１の中心線に対して略対称に配置され、可動板１０１と固定部１０２ａ、１０２ｂを連結している弾性支持体１０３ａ、１０３ｂと、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａとリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａから構成されるホイートストンブリッジを測定部とする可動板１０１の角度変位を検出する角度変位検出部とを有し、少なくとも１つの抵抗素子、例えばアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは弾性支持体１０３ａに設けられ、光を偏向する光偏向器１００において、全ての抵抗素子１１１ａ、１１２ａ、１１３ａ、１１４ａが略同一の温度状態となる領域である等温度特性領域に位置している。
【選択図】 図１−１

Description

本発明は、光偏向器、特に角度変位検出部を備える光偏向器に関する。

近年、半導体製造技術を応用したマイクロマシン技術を用いて作製される光偏向器が注目されている。例えば、特許文献１には、レーザプリンタや投影型ディスプレイのスキャナ等に用いられる光偏向器が開示されている。

図１２は、特許文献１に開示された光偏光器の構成を示す。光偏向器は、両端をトーションバー８により支持されたミラー面１０を有するミラー部９と、ミラー面１０の裏面側と対向する位置の基板７上に設けられた電極部１２ａ、１２ｂとを備える。電極部１２ａ、１２ｂとミラー面１０の裏面との間で静電引力を作用させる。これにより、ミラー面１０の傾斜角度を変化させる。トーションバー８には、歪ゲージＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が形成されている。そして、歪ゲージＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の抵抗値の変化を測定する。抵抗値の変化からミラー面１０の傾斜角度θを検出する。ミラー面傾斜角度制御手段は、傾斜角度θの検出値を利用してミラー面１０の傾斜角度θを制御する。これにより、クローズドループ制御が可能となる。この結果、有害な振動を除去すること、及びミラー部が電極に接触することを低減している。

特開平５−１１９２８０号公報

図１２に示した構成では、一方のトーションバー上に歪ゲージＲ１、Ｒ２が配置され、他方のトーションバー上に歪ゲージＲ３、Ｒ４が配置されている。ホイートストンブリッジ回路を構成する歪ゲージが離れた位置にあると、その周辺の温度分布の影響を受けやすい。例えば、歪ゲージＲ１、Ｒ２の近傍に駆動回路が存在する場合を考える。このとき、歪ゲージＲ１、Ｒ２は、駆動回路からの熱的な影響を受けやすい。このため、歪ゲージＲ１、Ｒ２は、歪ゲージＲ３、Ｒ４とは異なる温度ドリフトを生ずる。この結果、ミラー面の角度変位（傾斜）を検出する精度が悪化してしまうという課題がある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、温度勾配による歪ゲージの温度ドリフトを低減し、高精度にミラー面の角度変位を検出できる光偏向器を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、可動板と、可動板の外側に位置する固定部と、可動板の中心線に対して略対称に配置され、可動板と固定部を連結している弾性支持体と、複数の抵抗素子から構成されるホイートストンブリッジを測定部とする可動板の角度変位を検出する角度変位検出部とを有し、少なくとも１つの抵抗素子は弾性支持体に設けられ、光を偏向する光偏向器において、全ての抵抗素子が略同一の温度状態となる領域である等温度特性領域に位置していることを特徴とする光偏向器を提供できる。

また、本発明の好ましい態様によれば、等温度特性領域は、弾性支持体と固定部との連結部近傍の領域であり、抵抗素子は、それぞれ同じ層構造を有していることが望ましい。

また、本発明の好ましい態様によれば、抵抗素子は弾性支持体に形成された４つの抵抗素子であり、第１抵抗素子と第２抵抗素子は同一の第１面上に形成され、第３抵抗素子と第４抵抗素子は同一の第２面上に形成され、第１抵抗素子と第２抵抗素子とは、可動板の角度変位に伴い、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置され、第３抵抗素子と第４抵抗素子とは、可動板の角度変位に伴い、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されていることが望ましい。

また、本発明の好ましい態様によれば、抵抗素子は、固定部に設けられたリファレンス素子と、弾性支持体に設けられ弾性支持体の歪みに応じて抵抗値が変化するアクティブ素子とからなり、リファレンス素子とアクティブ素子は同じ層構造を有していることが望ましい。

また、本発明の好ましい態様によれば、固定部は弾性支持体から延在する層と基板とからなり、リファレンス素子は延在する層のみの領域に配置されていることが望ましい。

また、本発明の好ましい態様によれば、アクティブ素子は２つであり、２つのアクティブ素子は、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されていることが望ましい。

また、本発明の好ましい態様によれば、リファレンス素子とアクティブ素子は同一面上に形成されていることが望ましい。

また、本発明の好ましい態様によれば、可動板に設けられたＧＮＤ電極と、ＧＮＤ電極に対向して設けられた駆動電極と、をさらに有し、抵抗素子の一端とＧＮＤ電極とを電気的に接続していることが望ましい。

本発明に係る光偏向器は、可動板と、可動板の外側に位置する固定部と、可動板の中心線に対して略対称に配置され、可動板と固定部を連結している弾性支持体とを備えている。角度変位検出部は、可動板の角度変位を検出する。角度変位検出部は、複数の抵抗素子から構成されるホイートストンブリッジを測定部としている。ここで、少なくとも１つの抵抗素子は弾性支持体に設けられている。そして、全ての抵抗素子が略同一の温度状態となる領域である等温度特性領域に位置している。これにより、ホイートストンブリッジを構成する全ての抵抗素子を、略同一の温度状態にできる。このため、各抵抗素子が、温度勾配によりそれぞれ異なる温度ドリフトをしてしまうことを低減できる。この結果、高精度にミラー面の角度変位を検出できる光偏向器を提供することができる。

以下に、本発明に係る光偏向器の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により、この発明が限定されるものではない。

図１−１は、本発明の実施例１に係る光偏向器１００の正面の概略構成を示す。図１−２は、図１−１のＡ−Ａ’断面の構成を示す。固定部１０２ａから弾性支持部１０３ａが伸びるように形成されている。また、他の固定部１０２ｂから弾性支持部１０３ｂが伸びるように形成されている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂのうちの固定部１０２ａ、１０２ｂと接続している反対側には、可動板１０１が形成されている。可動板１０１の裏面には、ミラー面１０４が形成されている。ミラー面１０４は、例えばアルミニウムで構成されている。

弾性支持部１０３ａ上の固定部１０２ａが接続している近傍（連結部近傍）に２つのアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａが形成されている。また、固定部１０２ａ上の弾性支持部１０３ａが接続している近傍（連結部近傍）には、２つのリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａが形成されている。ここで、「アクティブ抵抗」とは、弾性支持体に設けられ、弾性支持体の歪みに応じて抵抗値が変化するアクティブ素子のことをいう。「リファレンス抵抗」とは、固定部に設けられているリファレンス素子のことをいう。そして、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａとリファレンス抵抗１１３、ａ、１１４ａとは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。「等温度特性領域」とは、全ての抵抗素子が略同一の温度状態となる領域をいう。等温度特性領域は、弾性支持体１０３ａと固定部１０２ａとの連結部近傍に形成されている。

また、弾性支持部１０３ｂ上の固定部１０２ｂが接続している近傍（連結部近傍）に２つのアクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂが形成されている。固定部１０２ｂ上の弾性支持部１０３ｂが接続している近傍（連結部近傍）には、２つのリファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂが形成されている。そして、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂとリファレンス抵抗１１４ｂ、１１３ａとは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。等温度特性領域は、弾性支持体１０３ｂと固定部１０２ｂとの連結部近傍に形成されている。

アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されている。即ち、２つのアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは、それぞれ抵抗値変化が各々逆になるように配置されている。

同様に、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂは、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されている。即ち、２つのアクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂは、それぞれ抵抗値変化が各々逆になるように配置されている。

固定部１０２ａ、１０２ｂは、例えばシリコン基板などから構成されている。可動板１０１は、例えばシリコン基板を加工して得られるシリコンの薄板などから構成されている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂは、例えばシリコンの薄膜やポリイミドの薄膜などを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。

次に、光偏向器１００の配線の構成を説明する。図３−１は、弾性支持部１０３ａ側の固定部１０２ａ周辺の拡大図である。アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは、配線１３１で電気的に接続されている。リファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａは、配線１３３で電気的に接続されている。アクティブ抵抗１１１ａとリファレンス抵抗１１３ａは、配線１３２で電気的に接続されている。アクティブ抵抗１１２ａとリファレンス抵抗１１４ａは、配線１３４で電気的に接続されている。

また、固定部１０２ａ上には、４つの電極パッド１５１、１５２、１５３、１５４が形成されている。引き出し配線１２１は、電極パッド１５１と配線１３２との略中間部を電気的に接続する。また、引き出し配線１２４は、電極パッド１５４と配線１３４との略中間部を電気的に接続する。さらに、引き出し配線１２２は、電極パッド１５２と配線１３３の略中間部を電気的に接続する。同様に、引き出し配線１２３は、電極パッド１５３と配線１３１の略中間部を電気的に接続する。

図３−２は、図３−１のＢ−Ｂ’断面の構成を示す。固定部１０２ａ上に、弾性支持部１０３ａから延在する同じ層構造の部材が形成されている。弾性支持部１０３ａと同じ層構造の上に、電極パッド１５４とリファレンス抵抗１１４ａと配線１３４の一部が形成されている。リファレンス抵抗１１４ａと配線１３４とは電気的に接続されている。また、弾性支持部１０３ａ上に、アクティブ抵抗１１２ａと配線１３４の一部が形成されている。アクティブ抵抗１１２ａと配線１３４とは電気的に接続されている。アクティブ抵抗１１２ａと配線１３４とリファレンス抵抗１１４ａとの上には、絶縁膜１４１が形成されている。絶縁膜１４１上には、配線１２４が形成されている。絶縁膜１４１の一部には、コンタクトホール１４２が設けられている。コンタクトホール１４２を介して、配線１３４と配線１２４とが電気的に接続されている。なお、図示しないアクティブ抵抗１１１ａ、リファレンス抵抗１１３ａ側、及び弾性支持部１０３ｂ側も同様な構成となっている。

配線１３１、１３２、１３３、１３４、引き出し配線１２１、１２２、１２３、１２４、電極パッド１５１、１５２、１５３、１５４の材質は、例えばアルミニウムを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。また、絶縁膜１４１の材質は、例えば酸化シリコンを用いて半導体プロセスにより構成されている。さらに、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａ、１１１ｂ、１１２ｂ、リファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａ、１１３ｂ、１１４ｂは、例えばチタンを用いて半導体製造プロセスにより一体に構成されている。

図４は、弾性支持部１０３ａ側の可動板１０１の角度変位を検出するための回路構成を示す。弾性支持部１０３ａ上に設けられたアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａと、固定部１０２ａ上に設けられたリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａと、配線１３１、１３２、１３３、１３４とによってホイートストンブリッジを構成している。電源１４３は、ホイートストンブリッジの配線１３１と配線１３３との間（図３−１の電極パッド１５２と電極パッド１５３との間）に電位差を与える。検出器１４４は、配線１３２と配線１３４との間（図３−１の電極パッド１５１と電極パッド１５４との間）に、それぞれ配線１２５、１２６を介して接続されている。そして、検出器１４４は、電圧を検出する。可動板１０１に変位が無い場合には、検出器１４４で検出される電圧は０Ｖである。これに対して、可動板１０１が変位した場合には、検出器１４４で検出される電圧に角度変位に応じた変化が生じる。そして、電圧変化を、角度に変換する。また、図示しない弾性支持部１０３ｂ側も同様のホイートストンブリッジが構成されている。

図２−１、図２−２は、可動板１０１を駆動するための構成の一例、例えば静電駆動の場合の構成を示す。図２−１は、可動板１０１を駆動するための正面構成（図１−１の裏面から見た構成）を示す。また、図２−２は、図２−１のＣ−Ｃ’断面の構成を示す。可動板１０１のミラー面１０４とは反対側の面には、ＧＮＤ電極１０５が形成されている。対向基板１０８上には、２つの対向電極１０７、１０６が形成されている。ＧＮＤ電極１０５と対向電極１０７、１０６とは、対向して所定の間隔を設けて配置されている。また、２つの対向電極１０６と対向電極１０７との間の中心線が、可動板１０１の揺動軸Ｄ−Ｄ’に略一致するように構成されている。ここで、「揺動」とは、所定の一本の仮想的な軸の周りの繰り返し往復運動をいう。しかしながら、これに限られるものではなく、所定の一本の仮想的な軸の周りの単なる傾斜も含むものをいう。例えば、可動板が揺動するとは、可動板が一本の軸の周りに傾斜すること、及び繰り返し振動することを意味する。また、「揺動軸」とは、上述した所定の一本の仮想的な軸をいう。

可動板１０１の駆動は、静電引力で行なわれる。例えば図２−２において、対向電極１０７とＧＮＤ電極１０５との間に電圧を印加すると、可動板１０１の左側部分は、対向電極１０７に引きつけられる。また、可動板１０１の右側部分は、対向電極１０６から離れる方向に変位する。従って、可動板１０１は、図２−１の揺動軸Ｄ−Ｄ’の軸回りに揺動するようになる。

次に、本発明の実施例の作用を説明する。可動板１０１は、弾性支持部１０３ａ、１０３ｂに支持されている。上述したように、弾性支持部１０３ａ、１０３ｂを結ぶ軸（揺動軸Ｄ−Ｄ’）を中心に一次元に揺動可能に構成されている。可動板１０１に設けたＧＮＤ電極１０５と、対向基板１０８に設けた対抗電極１０７、１０６のうちの一方に電圧を印加すると、ＧＮＤ電極１０５と対向電極１０７、１０６のうちの一方に静電引力が発生する。これにより、可動板１０１は、ミラー面１０４への入射光を偏向するように変位する。可動板１０１が変位すると、弾性支持部１０３ａ、１０３ｂが捻れる。これにより、弾性支持部１０３ａ、１０３ｂには、歪が発生する。同時に、弾性支持部１０３ａ、１０３ｂ上の固定端近傍に設けたアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａ、１１１ｂ、１１２ｂにも歪が発生する。これにより、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａ、１１１ｂ、１１２ｂのそれぞれのゲージ抵抗に変化が生じる。

ゲージ抵抗の変化量を、弾性支持部１０３ａ側のホイートストンブリッジに設けた検出器１４４で電圧として検出する。このときのホイートストンブリッジは、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａと固定部１０２ａ上の弾性支持部１０３ａ近傍に設けたリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａとで構成されている。そして、検出された電圧を角度に変換して、角度変位量（偏向角）を得る。

弾性支持部１０３ｂ側についても、弾性支持部１０３ａと同様の構成である。即ち、弾性支持部１０３ｂ側のホイートストンブリッジに設けた検出器（不図示）で、ゲージ抵抗の変化量を電圧として検出する。このときのホイートストンブリッジは、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂと固定部１０２ｂ上の弾性支持部１０３ｂ近傍に設けたリファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂとで構成されている。そして、検出された電圧を角度に変換して、角度変位量（偏向角）を得る。

このとき、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａとリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａとは、等温度特性領域に配置されている。また、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂとリファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂとは、等温度特性領域に配置されている。このため、ホイートストンブリッジを構成する４つの抵抗素子に対する、外部の温度勾配、例えば電気基板の発熱の影響、及び可動板１０１の揺動による熱流動等の影響を低減できる。

また、各抵抗素子１１１ａ、１１１ｂ、１１２ａ、１１２ｂ、１１３ａ、１１３ｂ、１１４ａ、１１４ｂを一体に形成することが望ましい。これにより、各抵抗素子の形状の不均一性（ばらつき）を低減できる。

さらに、上述したように２つのアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは、各々抵抗値変化が逆になるように配置されている。これにより、弾性支持部１０３ａの歪に応じて、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａのうちの一方は圧縮応力を受け、他方は引張り応力を受ける。同様に、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂも各々抵抗値変化が逆になるように配置されている。これにより、弾性支持部１０３ｂの歪に応じて、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂのうちの一方は圧縮応力を受け、他方は引張り応力を受ける。この結果、角度変化の検出感度が２倍となる。

以上説明したように、本実施例によれば、温度勾配や熱流動の影響を極力低減し、高精度にミラー面１０４（可動板１０１）の角度変位を検出できる光偏向器１００を提供できる。また、抵抗素子を一体に形成することができる。例えば、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａ、リファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａを、全て同一の製造工程で製造できる。これにより、各抵抗素子の膜厚、幅等の形状を略均一にできる。このため、各抵抗素子の形状の不均一性（ばらつき）を低減できる。この結果、ホイートストンブリッジのバランスをとることができる。さらに、１つの弾性支持体上に設けた２つのアクティブ抵抗の抵抗値変化が逆になることにより、検出感度は２倍となる。なお、本実施例では一例として静電駆動の場合を示したが、これに限られるものではなく、駆動方法は電磁駆動でも良い。

図５−１は本発明の実施例２に係る光偏向器２００の正面の概略構成を示す。図５−２は、図５−１のＥ−Ｅ’断面の構成を示す。なお、上記実施例１と同一の部分には同一の符号を付す。

固定部１０２ａ、１０２ｂより、それぞれ２本の弾性支持部１０３ａ、１０３ｂが伸びている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂの固定部１０２ａ、１０２ｂと接続している反対側に可動板１０１が形成されている。可動板１０１の裏面には、ミラー面１０４が形成されている。ミラー面１０４は、例えばアルミニウムで構成されている。

弾性支持部１０３ａ上の固定部１０２ａが接続している近傍（連結部近傍）に２つのアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａが形成されている。また、固定部１０２ａ上の弾性支持部１０３ａが接続している近傍（連結部近傍）には、２つのリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａが形成されている。そして、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａとリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａとは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａとリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａと配線（不図示）とで、一つのホイートストンブリッジを構成する。

また、弾性支持部１０３ｂ上の固定部１０２ｂが接続している近傍（連結部近傍）に２つのアクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂが形成されている。固定部１０２ｂ上の弾性支持部１０３ｂが接続している近傍（連結部近傍）には、２つのリファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂが形成されている。そして、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂとリファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂとは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂとリファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂと配線（不図示）とで、他の一つのホイートストンブリッジを構成する。

アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されている。即ち、２つのアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは、それぞれ抵抗値変化が各々逆になるように配置されている。

同様に、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂは、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されている。即ち、２つのアクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂは、それぞれ抵抗値変化が各々逆になるように配置されている。

リファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａの下の固定部１０２ａに、それぞれ貫通孔５０３ａ、５０４ａが設けられている。固定部１０２ａは、弾性支持体１０３ａから延在する層と基板とから構成されている。そして、貫通孔５０４ａにより、リファレンス抵抗１１４ａ周辺の基板が除去されている。換言すると、リファレンス抵抗１１４ａは、弾性支持体１０３ａから延在する層のみの領域に配置されている。他のリファレンス抵抗１１３ａについても、リファレンス抵抗１１４ａと同一の構成である。このため、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａの層構造とリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａの層構造とが略同等となっている。

また、リファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂの下の固定部１０２ｂに、それぞれ貫通孔５０３ｂ、５０４ｂが設けられている。これにより、リファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂは、それぞれ弾性支持体１０３ｂから延在する層のみの領域に配置されている。このため、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂの層構造とリファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂの層構造とが略同等となっている。

固定部１０２ａ、１０２ｂは、シリコン基板などから構成されている。可動板１０１は、シリコン基板を加工して得られるシリコンの薄板などから構成されている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂは、例えばシリコンの薄膜やポリイミドの薄膜などを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。また、アクティブ抵抗、リファレンス抵抗は、例えばチタンを用いて半導体製造プロセスにより一体に構成されている。なお、電気的な配線の構成及び作用は、上述の実施例１と同様であるため、重複する説明は省略する。

本実施例では、ホイートストンブリッジを構成するアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａとリファレンス抵抗１１３ａ、１１４ａの層構造を略同等にできる。また、他のホイートストンブリッジを構成するアクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂとリファレンス抵抗１１３ｂ、１１４ｂの層構造を略同等にできる。これにより、熱伝導や放熱性を略同等にすることが可能となる。この結果、温度勾配や熱流動の影響を極力低減し、高精度にミラー面１０４（可動板１０１）の角度変位を検出できる光偏向器２００を提供できる。

図６−１は本発明の実施例３に係る光偏向器３００の正面の概略構成を示す。図６−２は、図６−１のＦ−Ｆ’断面の構成を示す。なお、上記実施例１と同一の部分には同一の符号を付す。

固定部１０２ａ、１０２ｂより、それぞれ２本の弾性支持部１０３ａ、１０３ｂが伸びている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂの固定部１０２ａ、１０２ｂと接続している反対側に可動板１０１が形成されている。可動板１０１の裏面には、ミラー面１０４が形成されている。ミラー面１０４は、例えばアルミニウムで構成されている。

弾性支持部１０３ａ上の固定部１０２ａが接続している近傍（連結部近傍）に１つのアクティブ抵抗６１１ａが形成されている。また、固定部１０２ａ上の弾性支持部１０３ａが接続している近傍（連結部近傍）には、３つのリファレンス抵抗６１２ａ、６１３ａ、６１４ａが形成されている。そして、アクティブ抵抗６１１ａとリファレンス抵抗６１２ａ、６１３ａ、６１４ａとは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。アクティブ抵抗６１１ａとリファレンス抵抗６１２ａ、６１３ａ、６１４ａと配線（不図示）とで、一つのホイートストンブリッジを構成する。

また、弾性支持部１０３ｂ上の固定部１０２ｂが接続している近傍（連結部近傍）に１つのアクティブ抵抗６１１ｂが形成されている。固定部１０２ｂ上の弾性支持部１０３ｂが接続している近傍（連結部近傍）には、３つのリファレンス抵抗６１２ｂ、６１３ｂ、６１４ｂが形成されている。そして、アクティブ抵抗６１１ｂとリファレンス抵抗６１２ｂ、６１３ｂ、６１４ｂとは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。アクティブ抵抗６１１ｂとリファレンス抵抗６１２ｂ、６１３ｂ、６１４ｂと配線（不図示）とで、他の一つのホイートストンブリッジを構成する。

リファレンス抵抗６１２ａ、６１３ａ、６１４ａの下の固定部１０２ａに、それぞれ貫通孔６０２ａ、６０３ａ、６０４ｂが設けられている。図６−２に示すように、固定部１０２ａは、弾性支持体１０３ａから延在する層と基板とから構成されている。そして、貫通孔６０４ａにより、リファレンス抵抗６１４ａ周辺の基板が除去されている。換言すると、リファレンス抵抗６１４ａは、弾性支持体１０３ａから延在する層のみの領域に配置されている。他のリファレンス抵抗６１２ａ、６１３ａについても、リファレンス抵抗６１４ａと同一の構成である。このため、アクティブ抵抗６１１ａの層構造とリファレンス抵抗６１２ａ、６１３ａ、６１４ａの層構造とが略同等となっている。

また、リファレンス抵抗６１２ｂ、６１３ｂ、６１４ｂの下の固定部１０２ｂに、それぞれ貫通孔６０２ｂ、６０３ｂ、６０４ｂが設けられている。これにより、リファレンス抵抗６１２ｂ、６１３ｂ、６１４ｂは、それぞれ弾性支持体１０３ｂから延在する層のみの領域に配置されている。このため、アクティブ抵抗６１１ｂの層構造とリファレンス抵抗６１２ｂ、６１３ｂ、６１４ｂの層構造とが略同等となっている。

固定部１０２ａ、１０２ｂは、シリコン基板などから構成されている。可動板１０１は、シリコン基板を加工して得られるシリコンの薄板などから構成されている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂは、例えばシリコンの薄膜やポリイミドの薄膜などを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。また、アクティブ抵抗、リファレンス抵抗は、例えばチタンを用いて半導体製造プロセスにより一体に構成されている。なお、電気的な配線の構成及び作用は、上述の実施例１と同様である。

本実施例では、ホイートストンブリッジを構成するアクティブ抵抗６１１ａとリファレンス抵抗６１２ａ、６１３ａ、６１４ａの層構造を略同等にできる。また、他のホイートストンブリッジを構成するアクティブ抵抗６１１ｂとリファレンス抵抗６１２ｂ、６１３ｂ、６１４ｂの層構造を略同等にできる。これにより、熱伝導や放熱性を略同等にすることが可能となる。この結果、温度勾配や熱流動の影響を極力低減し、高精度にミラー面１０４（可動板１０１）の角度変位を検出できる光偏向器３００を提供できる。

図７−１は本発明の実施例４に係る光偏向器４００の正面の概略構成を示す。図７−２は、図７−１のＧ−Ｇ’断面の構成を示す。なお、上記実施例１と同一の部分には同一の符号を付す。

固定部１０２ａ、１０２ｂより、それぞれ２本の弾性支持部１０３ａ、１０３ｂが伸びている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂの固定部１０２ａ、１０２ｂと接続している反対側に可動板１０１が形成されている。可動板１０１の裏面には、ミラー面１０４が形成されている。ミラー面１０４は、例えばアルミニウムで構成されている。

弾性支持部１０３ａの表面側の固定部１０２ａが接続している近傍に、２つのアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａが形成されている。また、弾性支持部１０３ａの裏面側の固定部１０２ａが接続している近傍に、２つのアクティブ抵抗７１１ａ、７１２ａが形成されている。アクティブ抵抗１１１ａとアクティブ抵抗７１１ａとは、光偏向器４００の表面側から見て、略同じ位置に設けられている。同様に、アクティブ抵抗１１２ａとアクティブ抵抗７１２ａとは、光偏向器４００の表面側から見て、略同じ位置に設けられている。

そして、アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａ、７１１ａ、７１２ａは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。アクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａ、７１１ａ、７１２ａと配線（不図示）とで、一つのホイートストンブリッジを構成する。

同様に、弾性支持部１０３ｂの表面側の固定部１０２ｂが接続している近傍に、２つのアクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂが形成されている。また、弾性支持部１０３ｂの裏面側の固定部１０２ｂが接続している近傍に、２つのアクティブ抵抗７１１ｂ、７１２ｂが形成されている。アクティブ抵抗１１１ｂとアクティブ抵抗７１１ｂとは、光偏向器４００の表面側から見て、略同じ位置に設けられている。同様に、アクティブ抵抗１１２ｂとアクティブ抵抗７１２ｂとは、光偏向器４００の表面側から見て、略同じ位置に設けられている。

そして、アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂ、７１１ｂ、７１２ｂは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。アクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂ、７１１ｂ、７１２ｂと配線（不図示）とで、他の一つのホイートストンブリッジを構成する。

表面側のアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されている。即ち、２つのアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａは、それぞれ抵抗値変化が各々逆になるように配置されている。また、裏面側のアクティブ抵抗７１１ａ、７１２ａも、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されている。

同様に、表面側のアクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂは、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されている。即ち、２つのアクティブ抵抗１１１ｂ、１１２ｂは、それぞれ抵抗値変化が各々逆になるように配置されている。また、裏面側のアクティブ抵抗７１１ｂ、７１２ｂも、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されている。

固定部１０２ａ、１０２ｂは、シリコン基板などから構成されている。可動板１０１は、シリコン基板を加工して得られるシリコンの薄板などから構成されている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂは、例えばシリコンの薄膜やポリイミドの薄膜などを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。また、アクティブ抵抗は、例えばチタンを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。

次に、本実施例の配線構造について説明する。図８は、図７−１の弾性支持部１０３ａ側のアクティブ抵抗が形成されている部分を拡大した構成を示す。また、図９は、本実施例の配線構成を立体的に示している。

アクティブ抵抗１１１ａとアクティブ抵抗１１２ａは、上部配線８２３と上部配線８２５とで電気的に接続されている。引き出し配線８１３は、上部配線８２３と上部配線８２５とを加えた長さの略中間の位置で、上部配線８２３、上部配線８２５の何れかに電気的に接続している。引き出し配線８１３は、上部配線８２５の上部を電気的に絶縁された状態で通り、電極パッド８０５と電気的に接続している。

アクティブ抵抗１１１ａとアクティブ抵抗７１１ａは、上部配線８２１と縦配線８４１と下部配線８３１で電気的に接続されている。引き出し配線８０９は、上部配線８２１と縦配線８４１と下部配線８３１を加えた長さの略中間の位置で、上部配線８２１、縦配線８４１の何れかに電気的に接続している。引き出し配線８０９は、電極パッド８０１と電気的に接続している。

アクティブ抵抗１１２ａとアクティブ抵抗７１２ａは、上部配線８２７と下部配線８３７と縦配線８４７とで電気的に接続されている。引き出し配線８１５は、上部配線８２７と下部配線８３７と縦配線８４７を加えた長さの略中間の位置で、上部配線８２７、縦配線８４７の何れかに電気的に接続している。引き出し配線８１５は、電極パッド８０７と電気的に接続している。

アクティブ抵抗７１１ａとアクティブ抵抗７１２ａは、下部配線８３３と下部配線８３５とで電気的に接続されている。縦配線８４３は、下部配線８３３と下部配線８３５とを加えた長さの略中間の位置で、下部配線８３３と下部配線８３５の何れかに電気的に接続している。引き出し配線８１１は、縦配線８４３と電気的に接続している。また、引き出し配線８１１は、電極パッド８０３と電気的に接続している。

上述の構成において、アクティブ抵抗１１１ａは、第１抵抗素子に対応する。アクティブ抵抗１１２ａは、第２抵抗素子に対応する。アクティブ抵抗７１１ａは、第３抵抗素子に対応する。アクティブ抵抗７１２ａは、第４抵抗素子に対応する。そして、上述したように、アクティブ抵抗１１１ａとアクティブ抵抗１１２ａとは、弾性支持部１０３ａの表面上（同一の第１面上）に形成されている。アクティブ抵抗７１１ａとアクティブ抵抗７１２ａとは、弾性支持部１０３ａの裏面上（同一の第２面上）に形成されている。

図示しない弾性支持部１０３ｂ側も、上述した弾性支持部１０３ａと同様な構成となっている。これらの配線、引き出し配線、縦配線、電極パッドの材質は、例えばアルミニウムを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。

図１０は、弾性支持部１０３ａ側の可動板１０１の角度変位量（偏向角）を検出するための回路構成を示す。弾性支持部１０３ａに設けられたアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａ、７１１ａ、７１２ａと、上部配線８２１、８２３、８２５、８２７と、縦配線８４１、８４３、８４７と、下部配線８３１、８３３、８３５、８３７とにより、ホイートストンブリッジを構成している。

電源１４３は、ホイートストンブリッジの引き出し配線８１１、８１３の間（図８の電極パッド８０３と電極パッド８０５の間）に電位差を与える。検出器１４４は、引き出し配線８０９、８１５の間（図８の電極パッド８０１と電極パッド８０７の間）に接続されている。そして、検出器１４４は、電圧を検出する。可動板１０１に変位が無い場合には、検出器１４４で検出される電圧は０Ｖである。これに対して、可動板１０１が変位した場合には、検出器１４４で検出される電圧に変位量に応じた変化が生じる。この時、アクティブ抵抗１１１ａとアクティブ抵抗１１２ａの抵抗値変化は逆になる。また、アクティブ抵抗７１１ａとアクティブ抵抗７１２ａの抵抗値変化も逆に発生する。この変化を捉えて角度変位量に変換する。なお、図示しない弾性支持部１０３ｂ側も、上述した弾性支持部１０３ａ側と同様の構成である。

本実施例では、以上説明したように、４つの抵抗素子、例えばアクティブ抵抗１１１ａ、１１２ａ、７１１ａ、７１２ａを２層に分けて、それぞれの層での抵抗値変化が逆になるように配置している。この結果、検出感度を４倍にすることができる。

図１１は、本発明の実施例５に係る光偏向器５００の正面の概略構成を示す。本実施例は、可動板１０１の駆動方式として静電駆動を用いる構成である。上記実施例１と同一の部分には同一の符号を付す。

固定部１０２ａ、１０２ｂより２本の弾性支持部１０３ａ、１０３ｂが伸びている。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂの固定部１０２ａ、１０２ｂと接続している反対側に可動板１０１が形成されている。また、２本の弾性支持部１０３ａ、１０３ｂ上の固定部１０２ａ、１０２ｂと接続している近傍に、それぞれ２つのアクティブ抵抗１１１１ａ、１１１２ａとアクティブ抵抗１１１１ｂ、１１１２ｂが形成されている。さらに、固定部１０２ａ、１０２ｂ上の弾性支持部１０３ａ、１０３ｂが接続している近傍に、それぞれ２つのリファレンス抵抗１１１３ａ、１１１４ａとリファレンス抵抗１１１３ｂ、１１１４ｂが形成されている。

アクティブ抵抗１１１１ａ、１１１２ａとリファレンス抵抗１１１３ａ、１１１４ａとは、可能な限り近接して、等温度特性領域に配置されている。同様に、アクティブ抵抗１１１１ｂ、１１１２ｂとリファレンス抵抗１１１３ｂ、１１１４ｂとは、可能な限り近接して等温度特性領域に配置されている。

アクティブ抵抗１１１１ａとアクティブ抵抗１１１２ａとは、それぞれ抵抗値変化が逆になるように配置されている。また、アクティブ抵抗１１１１ｂとアクティブ抵抗１１１２ｂとの抵抗値変化も逆になるように配置されている。

固定部１０２ａ、１０２ｂは、シリコン基板などから構成されている。可動板１０１は、シリコン基板を加工して得られるシリコンの薄板などから構成される。弾性支持部１０３ａ、１０３ｂは、例えばシリコンの薄膜やポリイミドの薄膜などを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。また、アクティブ抵抗、リファレンス抵抗は、例えばチタンを用いて半導体製造プロセスにより一体に構成されている。

可動板１０１の表面には、静電引力で駆動するためのＧＮＤ電極１１００が形成されている。尚、図示していないミラー面１０４が、可動板１０１のＧＮＤ電極１１００とは反対の面に形成されている。ミラー面１０４は、例えばアルミニウムで構成されている。

次に、本実施例の電気的な配線の構成を説明する。弾性支持部１０３ａ側において、アクティブ抵抗１１１１ａ、１１１２ａは、配線１１３５ａで電気的に接続されている。リファレンス抵抗１１１３ａ、１１１４ａは、配線１１３７ａで電気的に接続されている。アクティブ抵抗１１１１ａとリファレンス抵抗１１１４ａは、配線１１３１ａで電気的に接続されている。アクティブ抵抗１１１２ａとリファレンス抵抗１１１３ａは、配線１１３３ａで電気的に接続されている。

また、固定部１０２ａ上には、電極パッド１１４１ａ、１１４２ａ、１１４３ａ、１１４４ａが形成されている。電極パッド１１４１ａと配線１１３１ａの略中間部を電気的に接続する引き出し配線１１２１ａが形成されている。同様に、電極パッド１１４４ａと配線１１３３ａの略中間部を電気的に接続する引き出し配線１１２４ａが形成されている。さらに、電極パッド１１４２ａと配線１１３７ａの略中間部を電気的に接続する引き出し配線１１２２ａが形成されている。同様に、電極パッド１１４３ａと配線１１３５ａの略中間部を電気的に接続する配線１１２３ａが形成されている。

弾性支持部１０３ｂ側においても同様に、アクティブ抵抗１１１１ｂ、１１１２ｂは、配線１１３５ｂで電気的に接続されている。アクティブ抵抗１１１３ｂ、１１１４ｂは、配線１１３７ｂで電気的に接続されている。アクティブ抵抗１１１１ｂとリファレンス抵抗１１１４ｂは、配線１１３１ｂで電気的に接続されている。アクティブ抵抗１１１２ｂとリファレンス抵抗１１１３ｂは、配線１１３３ｂで電気的に接続されている。

また、固定部１０２ｂ上には、電極パッド１１４１ｂ、１１４２ｂ、１１４４ｂが形成されている。電極パッド１１４１ｂと配線１１３１ｂの略中間部を電気的に接続する引き出し配線１１２１ｂが形成されている。同様に、電極パッド１１４４ｂと配線１１３３ｂの略中間部を電気的に接続する配線１１２４ｂが形成されている。さらに、電極パッド１１４２ｂと配線１１３７ｂの略中間部を電気的に接続する配線１１２２ｂが形成されている。ＧＮＤ電極１１００から伸びている配線１１１０ａは、弾性支持部１０３ａ上を通り配線１１３５ａの略中間部に電気的に接続している。同様に、ＧＮＤ電極１１００から伸びている配線１１１０ｂは、弾性支持部１０３ｂ上を通り配線１１３５ｂの略中間部に電気的に接続している。配線、引き出し配線、電極パッド、ＧＮＤ電極の材質は、例えばアルミニウムを用いて半導体製造プロセスにより構成されている。

本実施例では、以上説明したように、静電駆動方式を用いるときに、駆動用のＧＮＤ電極からの配線と抵抗素子からの配線とを一つにできる。これにより、弾性支持部上の配線の省線化を図ることができる。なお、弾性支持部、可動板の材質は、シリコン、ポリイミドの他、ポリシリコン、窒化シリコン、有機材料、金属材料などで構成しても良い。配線、引き出し配線、縦配線、電極パッドも、アルミニウムの他に、銅、金などで構成しても良い。また、アクティブ抵抗、リファレンス抵抗は、チタンの他に、Ｃｕ‐Ｎｉ等の金属系歪ゲージや、シリコン、ポリシリコン等を用いた半導体歪ゲージを用いても良い。好ましくは、ゲージ率の高い材料を用いることが望ましい。これにより、さらに検出感度が向上する。ミラー面も、アルミニウムの他に、金などで構成しても良い。好ましくは、より反射率が高い材料を用いることが望ましい。

上述した実施例１〜実施例５では、光偏向器が一つの場合を示したが、複数の光偏向器をアレイ化して配置する構成でも良い。このように、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変形例をとることができる。

以上のように、本発明の光偏向器は、特に角度変位検出部を備える光偏向器に有用である。

実施例１の光偏向器の正面構成を示す図である。 実施例１の光偏向器のＡ−Ａ’断面構成を示す図である。 実施例１の光偏向器の裏面構成を示す図である。 実施例１の光偏向器のＣ−Ｃ’断面構成を示す図である。 実施例１の光偏向器の固定部近傍の構成を示す図である。 実施例１の光偏向器のＢ−Ｂ’断面構成を示す図である。 実施例１の光偏向器の回路構成を示す図である。 実施例２の光偏向器の正面構成を示す図である。 実施例２の光偏向器のＥ−Ｅ’断面構成を示す図である。 実施例３の光偏向器の正面構成を示す図である。 実施例３の光偏向器のＦ−Ｆ’断面構成を示す図である。 実施例４の光偏向器の正面構成を示す図である。 実施例４の光偏向器のＧ−Ｇ’断面構成を示す図である。 実施例４の光偏向器の固定部近傍の構成を示す図である。 実施例４の光偏向器の回路の立体構成を示す図である。 実施例４の光偏向器の回路構成を示す図である。 実施例５の光偏向器の正面構成を示す図である。 従来の光偏向器の構成を示す図である。

符号の説明

１００ 光偏向器
１０１ 可動板
１０２ａ、１０２ｂ 固定部
１０３ａ、１０３ｂ 弾性支持部
１１１ａ、１１２ａ、１１１ｂ、１１２ｂ アクティブ抵抗
１１３ａ、１１４ａ、１１３ｂ、１１４ｂ リファレンス抵抗
１０４ ミラー面
１０５ ＧＮＤ電極
１０６、１０７ 対向電極
１０８ 対向基板
１２１、１２２、１２３、１２４ 引き出し配線
１２５、１２６ 配線
１３１、１３２、１３３、１３４ 配線
１４１ 絶縁膜
１４２ コンタクトホール
１４３ 電源
１４４ 検出器
１５１、１５２、１５３、１５４ 電極パッド
２００、３００、４００、５００ 光偏向器
５０３ａ、５０４ａ、５０３ｂ、５０４ｂ 貫通孔
６１１ａ、６１１ｂ アクティブ抵抗
６１２ａ、６１３ａ、６１４ａ、６１２ｂ、６１３ｂ、６１４ｂ リファレンス抵抗
６０２ａ、６０３ａ、６０４ａ、６０２ｂ、６０３ｂ、６０４ｂ 貫通孔
７１１ａ、７１２ａ、７１１ｂ、７１２ｂ アクティブ抵抗
８０１、８０３、８０５、８０７ 電極パッド
８０９、８１１、８１３，８１５ 引き出し配線
８２１、８２３、８２５、８２７ 上部配線
８４１、８４３、８４７ 縦配線
８３１、８３３、８３５、８３７ 下部配線
１１００ ＧＮＤ電極
１１１０ａ、１１１０ｂ 配線
１１１１ａ、１１１２ａ、１１１１ｂ、１１１２ｂ アクティブ抵抗
１１１３ａ、１１１４ａ、１１１３ｂ、１１１４ｂ リファレンス抵抗
１１２１ａ、１１２２ａ、１１２３ａ、１１２４ａ 引き出し配線
１１２１ｂ、１１２２ｂ、１１２４ｂ 引き出し配線
１１３１ａ、１１３３ａ、１１３５ａ、１１３７ａ 配線
１１３１ｂ、１１３３ｂ、１１３５ｂ、１１３７ｂ 配線
１１４１ａ、１１４２ａ、１１４３ａ、１１４４ａ 電極パッド
１１４１ｂ、１１４２ｂ、１１４４ｂ 電極パッド
７ 基板
８ トーションバー
９ ミラー部
１０ ミラー面
１２a、１２ｂ 電極
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ 歪ゲージ


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Claims (8)

1. 可動板と、
   前記可動板の外側に位置する固定部と、
   前記可動板の中心線に対して略対称に配置され、前記可動板と前記固定部を連結している弾性支持体と、
   複数の抵抗素子から構成されるホイートストンブリッジを測定部とする前記可動板の角度変位を検出する角度変位検出部とを有し、
   少なくとも１つの前記抵抗素子は前記弾性支持体に設けられている、光を偏向する光偏向器において、
   全ての前記抵抗素子が略同一の温度状態となる領域である等温度特性領域に位置していることを特徴とする光偏向器。
2. 前記等温度特性領域は、前記弾性支持体と固定部との連結部近傍の領域であり、
   前記抵抗素子は、それぞれ同じ層構造を有していることを特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
3. 前記抵抗素子は前記弾性支持体に形成された４つの抵抗素子であり、
   第１抵抗素子と第２抵抗素子は同一の第１面上に形成され、
   第３抵抗素子と第４抵抗素子は同一の第２面上に形成され、
   第１抵抗素子と第２抵抗素子とは、前記可動板の角度変位に伴い、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置され、
   第３抵抗素子と第４抵抗素子とは、前記可動板の角度変位に伴い、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光偏向器。
4. 前記抵抗素子は、前記固定部に設けられたリファレンス素子と、前記弾性支持体に設けられ前記弾性支持体の歪みに応じて抵抗値が変化するアクティブ素子とからなり、
   前記リファレンス素子と前記アクティブ素子は同じ層構造を有していること特徴とする請求項１または２に記載の光偏向器。
5. 前記固定部は前記弾性支持体から延在する層と基板とからなり、
   前記リファレンス素子は前記延在する層のみの領域に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の光偏向器。
6. 前記アクティブ素子は２つであり、
   前記２つのアクティブ素子は、一方は圧縮応力を受ける位置に配置され、他方は引張り応力を受ける位置に配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の光偏向器。
7. 前記リファレンス素子と前記アクティブ素子は同一面上に形成されていることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の光偏向器。
8. 前記可動板に設けられたＧＮＤ電極と
   前記ＧＮＤ電極に対向して設けられた駆動電極と、をさらに有し、
   前記抵抗素子の一端と前記ＧＮＤ電極とは電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光偏向器。
   
   

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