JP2006163351A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】レセプタクル型の光モジュールにおいて、反射戻り光を抑止するため従来はダミーファイバを挿通した短いスタブを作り端面を斜め研磨してレセプタクルの通し穴に圧入した構造のものとしていた。ダミーファイバの端面で反射したものは斜め方向へ進むから半導体レーザへ戻らないようになっている。それは反射光の光路を曲げることによって反射戻り光を防ぐ。それはスタブをレセプタクル穴へ入れるためレセプタクル穴、スタブの加工に関し高い寸法精度が必要である。組立も難しいという欠点があった。
【解決手段】 レセプタクルとホルダーの内部空間に小型のファラディ回転子を設ける。偏波面を回転させるので反射戻り光がレーザに戻っても発振状態が不安定にならない。内部空間に入れて固定するから小型のものでよく部品コストの上昇はわずかである。狭い穴にきっちりと部材を圧入するというのでないから組立コストは上がらない。
【選択図】 図１

Description

この発明はレセプタクル型の光モジュール（ＬＤ、ＰＤモジュール）に関する。レセプタクルタイプの光モジュールというのはパッケージにＬＤまたはＰＤを内蔵し光ファイバを取り付けたフェルールを着脱できるモジュールのことである。しかもパッケージの平面とファイバの光軸が直交するような縦型の結合をするものである。すでに広く利用され実績がある。

Ｓｉ基板の上に光導波路を設け、その端にファイバを対向接続するような表面実装型とは違う。コスト低減のため表面実装型のものが大いに嘱望された時期があった。しかし現在はまだその時期でなく、より古い形式であるレセプタクル型のモジュールが再び見直されている。

ＰＤモジュールは内部に受光素子（ＰＤ）を持ち、ＬＤモジュールは内部に半導体レーザ（ＬＤ）を持つ。光ファイバと接続したり切り離したりできるようにレセプタクル型となっている。半導体レーザの光が反射されて半導体レーザに戻ると半導体レーザの動作を不安定にするので望ましくない。

ピグテイル型の場合は光ファイバの端を４度〜１２度程度の斜めに切断して反射光が戻らないようにする工夫がなされている。それは光ファイバがパッケージに固定されているから斜め切断しても差し支えないからである。

しかしレセプタクル型の場合は光ファイバを着脱するので光ファイバ端を斜めに切断するというわけには行かない。対向面は正しく平面になっている必要がある。

そこでレセプタクルの内部にもう一つ斜め切断ダミーファイバを入れてＬＤから出た光が斜めダミーファイバ端で斜め反射されて半導体レーザに戻らないように工夫されている。そのようなレセプタクルは多数あるが、たとえば特許文献１のようなものがある。

特開２００３−２４１０２５「光レセプタクル及びこれを用いた光モジュール」

図５に示すように、初めにレセプタクル７３の穴７８にスリーブ７９を圧入し、ダミーファイバ８７が挿入され後端部を斜めに研磨されたスタブ７７をスリーブ７９に圧入する。スタブ７７は接触面７６でレセプタクル７３とスリーブ７９に接触している。ホルダー６２の後方の光素子収納空間８０にはＬＤ（光素子）７５を挿入固定している。ホルダー６２の中間部にはレンズ保持壁があり通し穴８３がある。通し穴８３の前方には球レンズ７４が固定してある。背後にはＬＤ７５がありＬＤの光が内部空間８６を通りダミーファイバ８７に入る。このときダミーファイバ８７によって反射されたものはスタブ７７の斜め切断角Θの２倍である２Θだけ斜め角度をなして反射されるので半導体レーザ７５に戻らない。外部光ファイバ９４を挿入したフェルール９３をレセプタクル７３に着脱するようになっている。フェルール９３の外筒部９２の内部空間９５にレセプタクル７３の先端部８８が嵌合し定着する。半導体レーザ７５からダミーファイバ８７に入った光は外部光ファイバ９４に入り外部へ伝搬される。
このように斜めカットファイバで半導体レーザに反射戻り光が戻らないようにするのは常套的な手段である。

斜めカット光ファイバの斜め反射による反射戻り光防止機構は単純な構造であり余計な部品があまり入らないという長所がある。斜め切断については多数の提案がなされている。実用化されたものもある。しかしなおまだ問題がある。

一つは、ダミーファイバ８７を有し斜め切断したスタブ７７をレセプタクル７３の穴７８へ圧入固定するので高い寸法精度が必要である、ということである。スリーブ７９の中心とダミーファイバ８７の中心が合致していなければならない。またレセプタクル７３の穴７８の仕上げ精度とスリーブ７９の外周の仕上げ精度が極めて高くなくてはならない。穴７８を広くして接着剤でスタブ７７を固定すると良いようであるが軸心からダミーファイバ８７がずれるので、それは望ましくない。

スタブ７７端面の斜め切断研磨加工の仕上げ加工が必要である。そのような訳でスタブ部品コストが高くなる。

さらにダミーファイバ８７を通したスタブ７７が軸方向に挿入されるからレセプタクル７３の長手方向の長さが長くなる。そのため小型化が難しいという問題がある。ダミーファイバ光軸が着脱されるファイバの光軸、ＬＤの光軸と合致しなければならないので平行性を確保するためにスタブはある程度の長さ（約２ｍｍ以上）が必要である。そのため長手方向に短縮することができない。

ＬＤは発光に異方性があり、斜めカット方向とＬＤの方向が一定でないと結合効率にばらつきが出る。出力光（効率）強度を図りながら組み立てる必要がある。そのためにモジュール組立作業が難しいという問題がある。
さらに光ファイバの着脱によって光ファイバとの結合効率が変化し着脱特性が安定しないという時もある。

反射戻り光を防ぐために本発明はレセプタクル型のモジュールにおいて、ファラディ回転子を内蔵させファラディ回転子によって偏波面を回転させ反射光と半導体レーザの光が結合しないようにする。単体の素子としてのファラディ回転子は存在した。それは一方方向へ光の通行を許し反対方向への光の透過を禁止したものである。それは大型のものであり独立した単独のデバイスであった。ファラディ回転子は色々な用途を持つが、例えば単体のファラディ回転部品を光コネクタの間に設けて戻り光を遮断するものはあった。光ファイバを内蔵するレセプタクル型の小型モジュールにおいて小型のファラディ回転子を一部に内蔵して反射戻り光がレーザに戻らないようにしたものはなかった。

本発明は、ファラディ回転子と永久磁石を用いてＬＤの光の偏波面を回転させることによって、ファイバ端面で反射した光が戻って半導体レーザと結合しないようにする。ファイバの近い方の端面（近端）からの反射の場合と、ファイバの遠い方の端面（遠端）からの反射の場合がある。本発明はその両方を遮断することを目的とする。駆動電流が小さいうち半導体レーザの光は楕円偏光であるが電流が大きくなると直線偏光になる。つまり通常は半導体レーザから出た光はチップと垂直の方向に偏波面を持つ直線偏光に近い。水平方向成分は０であるか、そうでなくても極めて弱い。本発明はそのような性質も利用する。半導体レーザチップの平面と平行な面にｘｙ座標をとり、チップ垂直方向をｚ方向とする。ビーム伝播の方向はｘ軸である。偏波面のベクトルはｚｙ面にある。半導体レーザの偏波方向をΥとする。これは通常ｚ軸に平行である。ファラディ回転子の回転角をΦとする。ファイバ端面で反射して半導体レーザへ戻ってきた光の偏光方向をΞとする。ファラディ回転子と偏光子の関係で、半導体レーザへ戻らない場合もあるし、戻る場合もある。戻り光はファラディ回転子を往復２度通過するから、偏波面の回転角は２Φである。ファイバ近端からの反射の場合はΥ＋２Φ＝Ξとなる。ファイバ遠端からの反射の場合は光ファイバ伝播中に偏波面が回転することもある。その回転角をη（行き）、ζ(帰り)とすると、Υ＋２Φ＋η＋ζ＝Ξとなる。ところがη、ζはファイバの種類や応力によって変わる。だからη＋ζはランダムだと考えるべきであり、その場合はΞは一義的には決まらない。
近端反射だけを問題としたときファラディ回転子の回転角Φは例えば２２．５度とする。ファイバ端から反射された場合それは同じだけ偏波面が回転するから、４５度回転することになる。ＬＤの光は駆動電流が小さい内は楕円偏光であるが、電流値が増えると直線偏光に近付く。チップ面と直交する方向に主な偏波面を持ちチップ面と平行な面にも偏光面を持つことがある。そこで往復で４５度偏波面が回転するようにする（Υ＋４５＝Ξ）と反射戻り光と半導体レーザの発振光の結合をかなり抑えることができる。半導体レーザが直線偏光に近い場合は、２Θを４０〜１４０度程度にしてもよい。するとファラディ回転角は２０〜７０度程度ということになる。偏波面をファラディ回転させるだけである場合は偏光板のようなものが不要である。

ファラディ回転子は例えばビスマス（Ｂｉ）置換型希土類鉄ガーネット、ガドリニウムビスマス（ＧｄＢｉ）置換型希土類鉄ガーネット、イットリウム鉄（ＹＦｅ）ガーネットなどである。１．３ｎｍ〜１．５５ｎｍに対して透過率が高くベルデ定数が、Ｖ＝３ｄｅｇ／Ａ程度のものがある。４５゜の回転角を得るための膜厚が３００μｍ〜６００μｍ程度である。だから通し穴の中へ挿入することもできる。

永久磁石はファラディ回転子に軸方向の磁場Ｂを与えることによって偏波面回転作用を起こさせる。磁場の強さと単位長さあたりのファラディ回転角Φは比例する。ファラディ回転子の長さＨとファラディ回転係数Ｆと磁場Ｂの積が回転角Φを与えるのでΦ＝ＨＦＢである。それを上に述べた場合、たとえば２２．５度になるようにする。その前後でも効果があるから２０゜〜４５゜程度の回転角でもよい。半導体レーザが直線偏光なら２０度〜７０度でもよい。ファイバの近い方の端面（近端）での反射光は入射光と同じ偏波面を持つのでファラディ回転角は上のように限定されるが、ファイバの遠い方の端面（遠端）からの反射光を問題にする場合は、偏光子とファラディ回転子の関係だけが問題になるのでファラディ回転角の範囲に限定はなくて、自由に決めることができる。ただし偏光子による偏光方向との関係は限定される。

さらに自己保持型のファラディ回転子を用いることもできる。その場合は厚みで回転角Φを決める。永久磁石は不要である。種類にもよるが一例では４５゜回転角のための膜厚が４００μｍ程度である。だから、レセプタクルの通し穴に入れることもできるし、レンズホルダー空間に取り付けることもできる。

ファラディ回転子と偏光板を組み合わせることもできる。ガラスの中に延伸した楕円形のハロゲン化銀粒子や銅微粒子を長軸方向に平行に並べたものを分散し、厚さ２００〜５００μｍにした偏光ガラスが小型の偏光板として入手できる。偏光板はファラディ回転子よりも高コストである。だから、偏光板を入れるとより高価なものになる。半導体レーザの反射戻り光をより厳格に抑制したいという場合は偏光板を組み合わせる。偏光板とファラディ回転子の前後関係によって最適のファラディ回転角が違う。半導体レーザ＋偏光子＋ファラディ回転子＋光ファイバという順に並ぶ場合は半導体レーザの直線偏光と偏光板の偏光方向Γを合わせる(Υ＝Γ)。近端反射光の偏波面はΥ＋２Φ＝Ξということであるから、ファラディ回転角Φは４５度とするのが最適である。戻り光の偏光面が９０度回転しているから（Υ＋２Φ＝Ξ）偏光板を通ることができない。しかし半導体レーザには直線偏光性があるからΦは２０度〜７０度程度でも効果がある。

遠端反射光の戻りを防ぐには、半導体レーザ＋偏光子＋ファラディ回転子＋光ファイバという順に並ぶようにする。遠端反射光は偏波面がランダムになっていると考えるべきであるから、偏光子で初めに偏波面を揃えても意味がない。ただし半導体レーザの偏光方向をΥとしてファラディ回転Φがあるから偏光板の偏光方向Γを、Υ＋Φ＝Γとするのがよい。戻り光を偏光子に通し直線偏光にし、それをファラディ回転子で偏波面を回転させ、その後の偏光面方向Γ＋Φ＝Ξが、半導体レーザの直線偏光の方向から２０度〜７０度ずれていればよい。そうすると戻り光は存在するが半導体レーザの発振光と結合しない。結合しないためには、Υ−Ξ＝±２０〜±７０度であるべきである。半導体レーザの光が完全な直線偏光であれば、その差の最適値は９０度である。楕円偏光ならば、その差の最適値は４５度である。偏光板を上のように配置したとき、戻り光の半導体レーザ偏光に対する斜め角度はΥ−Ξ＝−２Φとなる。だから直線偏光の場合、Φの最適値は４５度、楕円偏光の場合Φの最適値は２２．５度となる。

あるいはレンズ、ファラディ回転子、光ファイバを結ぶ線がＬＤの光軸から１度〜３度程度傾いているようにする。そうすることによっても反射戻り光を低減できる。それは近端での反射光がレンズ中心点を通らないので半導体レーザへ戻らないということによる。遠端での反射光はファイバを逆行するが、やはりレンズのために半導体レーザの発光部（活性層）の高さに戻ることができない。

本発明は、外部光ファイバのフェルールを着脱できるレセプタクルと光素子を内蔵したホルダーとよりなる光モジュールにおいて、ホルダーの内部空間にファラディ回転子を設け偏波面を回転させることによって反射戻り光が光素子に戻って励起光と混ざって半導体レーザ動作不安定性が起こらないようにしている。

従来のように斜めカットファイバ・スタブをレセプタクル穴に圧入するものに比べて、レセプタクル穴、スタブの仕上げ加工が要らず高い加工精度が不要になる。加工が容易になってコストを下げることができる。スタブがないからその分部品コストが下がる。

スタブ分だけレセプタクル穴を長くする必要がないからレセプタクルを短縮化できる。モジュールを小型化できる。スタブをレセプタクル穴に挿入するときは半導体レーザとの結合を高めるためスタブを回転させて適当な位置を決める必要があった。しかし本発明はファイバ・スタブを用いないから方向性を気にする必要がなく回転方向の調芯が不要である。
しかし、モジュールの小型化を犠牲にしてコスト面を考えなければ、レセプタクル穴の中心に光ファイバを有するファイバスタブを内蔵させ、さらにファイバスタブと集光レンズの間にファラディ回転子を設けるようにして、二重に反射戻り光を防ぐようにしても良い。その場合はファイバスタブを入れることによって調芯の手間が増えるが、より厳重に反射戻り光を防ぐことができる。

図６は、発光素子を半導体レーザとしてファラディ回転子がない場合の光モジュールの、半導体レーザ駆動電流・光出力特性を示すグラフである。横軸は半導体レーザ駆動電流（ｍＡ）であり、縦軸は外部光ファイバの先端に検出器を設けて光ファイバを透過して来た光出力（μＷ）である。６ｍＡ程度以上でレーザ発振し電流の増加に比例して光出力も増大している。しかしその関係は完全に直線でなくて、ゆらぎがある。特に５０ｍＡ以上の駆動電流で光出力の増加に揺らぎのあるのが分かる。

図７は光出力Ｑを駆動電流Ｊで微分したスロープ効率を示すグラフである。電流・光出力の関係の乱れをより明確にするために、微分ｄＱ／ｄＪしたのである。電流が１０ｍＡ〜１００ｍＡの間で微分はだいたい１２０μＷ／ｍＡである。しかし５０ｍＡ以上で８０μＷ／ｍＡから２３０μＷ／ｍＡの間で大きく揺らいでいる。わずかな電流変化でその微分が強く変化しており半導体レーザの動作が不安定になっていることがよく分かる。例えば駆動電流が６０ｍＡから８０ｍＡの２０ｍＡの広さの範囲で、２０μＷ／ｍＡを越える光出力の変動の回数は２５回である。変動幅の合計は３００μＷ／ｍＡである。

図８は本発明の第１の実施例に係る光モジュールにおいて、光素子を半導体レーザとして、駆動電流と外部ファイバの終端で測定した光出力の関係を示すグラフである。横軸は駆動電流Ｊ（ｍＡ）で縦軸は光出力である。６ｍＡ程度で発振し、そのあとは電流と光出力の間に良好な線形関係があることが分かる。

図９は図８の電流・光出力の関係を微分したもので、横軸は電流（ｍＡ）で縦軸はスロープ効率つまりｄＱ／ｄＪ（μＷ／ｍＡ）である。駆動電流が１０ｍＡから１００ｍＡまでの広い範囲で効率ｄＱ／ｄＪは１３０μＷ／ｍＡ程度でほぼ一定である。６０ｍＡ〜８０ｍＡの２０ｍＡの範囲において、２０μＷ／ｍＡを越える光出力の変動の回数は０回である。変動幅の合計は約６０μＷ／ｍＡである。図７のファラディ素子のない（従来例）ものに比較してレーザ発振が極めて安定であるということが分かる。

内部の構造の図示は略すが、光素子は、半導体レーザ、モニタ用ＰＤがサブマウントを介してパッケージに実装されたものである。半導体レーザの単色光が前方の窓から出てくるようになっている。リードピンは半導体レーザ駆動電流を与えるものとモニタＰＤの出力電流を取り出すものがある。

半導体レーザはＩｎＧａＡｓＰ系もしくはＡｌＩｎＧａＡｓ系の材料からなり、１．３μｍ〜１．５５μｍ帯の波長のいずれかの単色光を発生する。

レーザ用サブマウントはＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３系の材料を用いる。

モニタ用ＰＤはＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰ系の材料からなり（基板はいずれもＩｎＰ基板）波長１．６μｍまでの感度を有し、レーザから出た後方光をモニタする。

パッケージは、鉄・コバール・銅などの材料からなり表面は金メッキされている。

キャップはステンレス系材料からなり中央部に球レンズを配置しており、Ｎ_２雰囲気中で、抵抗溶接機によってパッケージに溶接し、気密封止している。

球レンズの材質はＢＫ７である。０．８ｍｍφの球形である。低融点ガラスによってキャップに固定されている。

レセプタクル部は、精密スリーブと呼ばれ金属製部材で材料としてはステンレス鋼が使われる。

レセプタクル部には軸方向に直径１．２５０ｍｍ＋０．００１ｍｍ／−０ｍｍの穴を有する。この穴に、光ファイバを支持するフェルールが挿入される。

この例では、レセプタクル部は金属部材で製造されている。しかし金属に限らない。耐摩耗性をより高めるためジルコニアなどのセラミックと金属部材の２体構造としてもよい。

レセプタクル中央部には、光透過用の貫通穴を有する。そこにファラディ回転子を接着して固定している。接着剤としてはエポキシ系接着剤を用いる。

ファラディ回転子の材料としては、Ｂｉ置換型希土類鉄ガーネット単結晶、ＧｄＢｉ置換型希土類鉄ガーネット単結晶、イットリウム鉄ガーネット単結晶などを用いる。光デバイス側はＡＲコートを施す。光デバイス側端面ではビームが収束していないので、ここでは反射は小さい。

半導体レーザから出た光は、ファラディ回転子を経て偏光状態が回転する。そしてファイバ端面で反射した光は再びファラディ回転子で偏光状態が回転する。そのとき半導体レーザＬＤの活性層に対して偏光面が一致しなければ反射戻り光が抑制される。

ファラディ回転子の挿入によりＲＩＮ（戻り光レベル）が−１２０ｄＢ／Ｈｚから−１３０ｄＢ／Ｈｚに改善された。従来のスタブ＋圧入スリーブと比べてファラディ回転子の接着構造によってコストが低減できた。

［実施例１（ファラディ回転子＋永久磁石）］
図１によって本発明の第１の実施例に係る光モジュールを述べる。この光モジュールは、円筒形のホルダー２と、それに続く円筒形のレセプタクル３と、ホルダー２に内蔵された光素子５と、レセプタクル３の後壁に固定された小型のファラディ回転子７とを含む。

ホルダー２の後方の光素子収納空間２０には光素子５を挿入固定している。ホルダー２の中間部にはレンズ保持壁２２があり、中心の通し穴２３がある。通し穴２３の前方には球レンズ４が固定してある。ホルダー２の前端は平滑なホルダー前端面２７となっている。

レセプタクル３は、後方にはより広いレセプタクル後端面３２が形成される。レセプタクル後端面３２がホルダー２のホルダー前端面２７と溶接される。前方はフェルールを挿入保持できる円筒形のフェルール保持穴３４となっている。レセプタクル３の前方は面取り３５があってフェルールの着脱を容易にしている。図１２に示すように外部光ファイバ４６を挿入したフェルール４７をフェルール保持穴３４に着脱するようになっている。この例でフェルール保持穴３４は１．２５０ｍｍφである。フェルール４７の先端をレセプタクル３のフェルール保持穴３４に差し込むことによって固定する。また、フェルール４７の、保持穴３４に着脱する側（レセプタクル側）の端面は斜めに研磨されている。外部光ファイバ４６の他端は光コネクタ４９に接続される。

レセプタクル３の後端面の光通し穴３３のすぐ背面にファラディ回転子７と永久磁石８の組み合わせが設けられる。ファラディ回転子７の、光素子側の端面は反射防止膜を設けている。ホルダー空間２６を通る光が反射して半導体レーザに戻るとやはり半導体レーザに悪影響があるから反射防止膜でそれを防ぐ。

ファラディ回転子は小型の素子でファラディ回転角Φがベルデ定数Ｖと磁束密度Ｂと長さＨの積ＢＶＨによって与えられる。ここではファラディ回転角が２２．５゜になるように永久磁石８の磁場、ファラディ回転子７の長さなどを決めている。ベルデ定数の大きいファラディ回転子が得られるようになったので、そのように小型化が可能になった。ファラディ回転子の材料はＢｉ置換型希土類鉄ガーネット単結晶を例えば用いることができる。永久磁石は軸方向に磁化された円筒磁石で、ファラディ回転子の中心部近傍で軸方向に向かう磁束密度Ｂを形成するものである。

光素子５は円筒形のステムとそこから後方に伸びるピン５３、５４、５５を持ち内部に半導体レーザチップ或いはフォトダイオードチップを内蔵し全体をパッケージで覆った構造である。光素子５は半導体レーザ又はフォトダイオードなどである。発光素子でも受光素子でもファイバのどちらかには半導体レーザがあるから戻り光を抑制する必要がある。受光素子の場合は外部ファイバの終端に半導体レーザが存在する。半導体レーザの光が光ファイバを伝搬し、この光モジュールの受光素子の入射面で反射されて光ファイバを伝搬して半導体レーザに戻る可能性がある。その場合に受光素子面反射光を半導体レーザに戻しては半導体レーザ動作が不安定となる。だから光素子が発光素子でも受光素子でも同じような問題がある。直観的に分かりやすいのは光素子が半導体レーザの場合である。ここでは光素子５が半導体レーザとして説明する。

半導体レーザから出る光は円偏光ではなくストライプに垂直に偏波面を持つ光が優勢である。つまり直線偏光に近い。その光が球レンズ４で集光されて、挿入されたフェルール４７内部の光ファイバ４６（図１２）に入射するが、光ファイバ４６の端面で反射する成分がある。直線偏光が反射されてそのままの経路を戻ると半導体レーザ５に入って戻り光となる。半導体レーザの発振状態が乱れるからそれは困る。

本発明では半導体レーザ５と光ファイバ４６の間に、ファラディ回転子７を入れているから反射光の偏光と出射光の偏光が食い違う。そのため半導体レーザの共振器へ半導体レーザが戻っても、それによって発振状態が不安定にならない。
理想的には半導体レーザの光が完全な直線偏光であり、それをファラディ回転子で４５゜回転させるようにすれば往復で９０゜回転するから、偏波面が直交して完全に無関係になる。

ところが実際にはそうでなく、半導体レーザの出射光はストライプ直交方向の偏波Ｇと、弱いがストライプ平行方向の偏波Ｈが混在している。本発明の第１実施例では、２２．５゜偏波面を回転させるようなファラディ回転子を設ける。往復で４５゜偏波面が回転するから、直交方向の偏波Ｇは、４５゜方向の偏波（Ｅ方向）になる。Ｅ偏波は、Ｇ偏波ともＨ偏波とも方向が違うので殆ど結合しない。平行方向の偏波Ｈは、それから４５゜回転した偏波（Ｆ方向）となる。Ｆ偏波は、Ｇ偏波、Ｈ偏波とも方向が違うから殆ど結合しない。だから半導体レーザの発振状態は安定である。ファラディ回転子のためにＲＩＮが−１２０ｄＢ／Ｈｚから−１３０ｄＢ／Ｈｚに減少した。

反射戻り光が完全に遮断されるわけでなく僅かに半導体レーザに戻ってきて偏波面も９０゜でないから幾分は結合するのであるが、半導体レーザのゲインがあまり大きくないから戻り光によって寄生的な発振が起こったり、電流・発光曲線にキンク（折れ線部分）が発生するようなことはない。

半導体レーザは、光通信用であるから、ＩｎＧａＡｓＰ系もしくはＡｌＩｎＧａＡｓ系の半導体レーザで、１．３μｍ〜１．５５μｍの波長の光を発する。レーザはＡｌＮなど絶縁体よりなるサブマウントの上に実装されステムのポール（図示しない）に固定される。半導体レーザの直下にはモニタ用のフォトダイオード（ＰＤ：図示しない）がある。モニタフォトダイオードは、半導体レーザの後方光を感受して半導体レーザの出力レベルを一定に保持するようにする。半導体レーザ５の外側円筒形のパッケージは鉄・コバール・銅などの材料で形成される。表面は金メッキされている。

ホルダー２はステンレスである。ホルダー２のレンズ保持壁２２に固定したレンズは、ＢＫ７ガラスである。０．８ｍｍφであり低融点ガラスでホルダーの壁に固定される。レンズ４の表面には反射防止膜が形成されている。

レセプタクル３はステンレスである。レセプタクルは金属であるが耐摩耗性を向上させるためにジルコニアなどのセラミックとの二重構造とすることもできる。

レセプタクル３の光通し穴３３の後ろ壁にファラディ回転子７・永久磁石８を接着剤で固定する。例えばエポキシ接着剤を用いることができる。

レセプタクル３のレセプタクル後端面３２と、ホルダー２のホルダー前端面２７は、調芯して最適の位置を探し、その点で溶接してホルダーとレセプタクルを一体化する。

ファラディ回転子をレセプタクルの通し穴の壁に取り付けて半導体レーザ反射光の戻りを防いでいる。それは図５に示したような斜めカットしたスタブ・ダミーファイバをレセプタクルに挿入するという手法とは全く異なる。斜めカットスタブをレセプタクルのフェルール保持穴に圧入するという構造は、スタブやレセプタクルの高い加工精度が必要で組立が難しい。

しかし本発明は斜めカット面を全く必要としない。だから従来例を表す図５のスタブ７７、ダミーファイバ８７などが不要である。圧入工程も不要である。本発明の場合そのような難しさはない。ファラディ回転子や永久磁石は新規に必要な部品であり、これの部品コストを含めなければならないが、ベルデ定数が大きくて安価なファラディ回転子が入手できるし小型で磁束密度が高く安価な永久磁石もあるので部品コストの上昇はそれほど大きくない。

［実施例２（自己保持型ファラディ回転子）］
図２によって本発明の第２の実施例に係る光モジュールを述べる。この光モジュールも前例とほぼ同じ構造を持っている。円筒形のホルダー２と、それに続く円筒形のレセプタクル３と、ホルダー２に内蔵された光素子５と、レセプタクル３の後壁に固定された小型の自己保持型ファラディ回転子６とを含む。実施例１において永久磁石８とファラディ回転子７の組み合わせであったものが自己保持型のファラディ回転子によって置き換えられている。これは永久磁石がなくてもファラディ回転を起こすような素子である。これだと永久磁石を省くことができるので、部品点数を減らすことができる。またスペース的に余裕ができる。

実施例１でも実施例２でも同じことであるが、ファラディ回転角は４５゜でなくて２２．５゜程度でよいから、通常の４５゜の回転を必要とするものの約半分の長さで済む。小型に向いているということである。レンズ４によって光が絞られるが、集光点は光ファイバの先端でありレセプタクル３のフェルール保持穴３４の途中の一点である。ファラディ回転子７、６を通るビームは広がっており集光されていない。だから反射も少ないのであるが、レンズ側には反射防止膜（ＡＲコート）を設けておく。だからファラディ回転子の半導体レーザ側の面での反射はない。ファラディ回転子のフェルール側の面での反射があっても、それはファラディ回転しており半導体レーザとは結合しない。

［実施例３（ファラディ回転子＋永久磁石＋偏光板）］
図３によって本発明の第３の実施例に係る光モジュールを述べる。この光モジュールも実施例１、２とほぼ同じ構造を持っている。円筒形のホルダー２と、それに続く円筒形のレセプタクル３と、ホルダー２に内蔵された光素子５と、レセプタクル３の後壁に固定されたファラディ回転子７、永久磁石８、偏光板９とを含む。光学部品を順に並べると、半導体レーザ、偏光板、ファラディ回転子、ファイバという順になる。

実施例１において永久磁石８とファラディ回転子７の組み合わせであったものに偏光板９が付け加えられている。偏光板９というのはある偏波方向の光だけを選択的に透過させる作用がある板である。半導体レーザから出た光は完全な直線偏光でないが、偏光板を入れることによってきれいな直線偏光にすることができる。

直線偏光にしたものをファラディ回転子で偏波面を回転させる。ここを透過して対向するファイバにあたり一部が反射され戻ってくるが、それが再び同じだけ偏光面回転する。ファラディ回転角Φの２倍（２Φ）だけ回転する。偏光板があるから、その方向の偏光だけが通る。それはｃｏｓ２Φに比例する強度に減少している。Φ＝４５゜とすれば通過する光量を０とすることができる。だから、この場合はファラディ回転角Φは４５゜の方がよい。しかし２０゜〜７０゜の回転角Φでも反射戻り光を充分に抑制できる。

［実施例４（ファラディ回転子＋永久磁石＋軸ズレ（オフアクシス）］
図４に本発明の第４の実施例を示す。実施例１のものを軸ズレさせている。ホルダー２とレセプタクル３を同軸に並べるのではなくて、レセプタクル３を軸垂直方向にずらしている。ファラディ回転子７と永久磁石８をレセプタクル３の後端の面に通し穴３３と同軸になるよう固定しているが、レセプタクル３がホルダー２に対して軸ズレしているから通し穴３３の中心と、レンズ４の中心Ｏを結ぶ直線ＧＯＦが光素子５、ホルダー２の軸線ＳＴと傾斜角Θをなしている。

外部の光ファイバ・フェルールがレセプタクル３のフェルール保持穴３４に投入された場合、半導体レーザからのビームは斜め方向に進みファイバ端において傾斜角Θをなして入射する。傾斜角Θが、ファイバの開口数ｓｉｎθから決まるθよりも小さい場合は光ファイバへ光が入ってゆく。端面反射光は２Θの角度をなす方向へ反射される。それはファラディ回転子７へ殆ど戻らない。一部が戻ったとしてもレンズ４で屈折して半導体レーザへは戻ることができない。これはオフアクシスによる戻り光の遮断効果と、ファラディ回転子による戻り光の抑制効果を組み合わせたものである。半導体レーザと光ファイバの結合効率が下がるが戻り光の抑制という点ではより効果的である。

［実施例５（偏光板＋ファラディ回転子＋永久磁石：遠端反射）］
図１０によって本発明の第５の実施例に係る光モジュールを述べる。これまで述べた光モジュールは、ファイバの近い方の端面(近端)からの反射戻り光を主な対象にしており、近端反射光が半導体レーザに戻らないように工夫していた。ここに述べるものは、ファイバの反対側の端面(遠端)での反射光を対象にする。その場合、戻り光の偏光方向はランダムだと考えなければならない。そのため近端反射光の戻りを防止するのとは異なった工夫が必要である。
実施例５の光モジュールは実施例３と、ファラディ回転子と偏光板の前後関係が逆になっている。実施例５は、空洞を有する円筒形のホルダー２と、それに続く円筒形のレセプタクル３と、ホルダー２に内蔵された光素子５と、レセプタクル３の後端面３２に固定された偏光板９と、偏光板９に固着されたファラディ回転子７、永久磁石８とを含む。

光素子５から見て、実施例３においては偏光板９、ファラディ回転子７という順に並んでいたのであるが、実施例５では光素子５から見てファラディ回転子７、偏光板９という順の組み合わせになっている。偏光板９の偏向方向に、ファラディ回転子７の回転角を加えたものは光素子(半導体レーザ)５の出射光の偏向方向と９０度をなすようにする。これはファイバの遠端からの反射光を対象とする。ファイバ近端での反射光は偏向方向が一義的に決まる。近端での反射で偏向面は回転しないからである。

ところがファイバに入った光がファイバ中を伝播して他方（遠い方）の端面から出射するときにその端面でも一部は反射される。それを、ここでは遠端反射というが、ファイバの中でファイバのひずみや不均一によって偏光面が回転していることがあり、光モジュールへ返ってきたときの偏光面は一義的に決まらず、ランダムな方向を向いているとしなければならない。光素子が半導体レーザである場合、チップ面に直角方向に偏光した光が出る。チップ面に平行に偏光した光は極めて弱い。戻り光が偏光板９を通過したときにある方向の偏波面を持つ直線偏光になる。それをファラディ回転子７で偏波面を回転させるが、回転したものの偏光方向がチップと平行であるようにする。

半導体レーザ５から出た縦方向(チップ面と垂直)偏波面Υを持つ直線偏光は、ファラディ回転子７によってΦだけ偏波面が回転する（Υ＋Φ）。そのときの偏波面と合致するように偏光板の透過軸（Υ＋Φ＝Ξ）を合わせておく。すると大部分の半導体レーザの光はファラディ回転子７と偏光板を通り抜けてゆく。それがファイバに入射し、ファイバ内を伝播し、遠端で一部反射し、それがファイバを逆に伝播して戻ってくる。

戻り光はファイバの近端から出て、自由空間に入る。その時の偏光方向はランダムというように想定する。それが偏光板９に入るので偏光板９の透過軸の方向に偏光面（Ξ）を持つ光が偏光板９を通過してくる。それがファラディ回転子７に入る。やはり４５度偏波面がΦだけ回転する(Ξ＋Φ)。半導体レーザが直線偏光を出す場合は、それ(Ξ＋Φ)が半導体レーザのチップ面と平行な方向（Ξ＋Φ＝Υ＋９０度）とするのが最適である。その場合、半導体レーザの直線偏光とは直交し半導体レーザの誘導放出光はほとんど結合しない。だから遠端反射光戻り光による半導体レーザの動作不安定は起こらない。このときΦ＝４５度となる。

偏光板は遠端反射光の偏光方向を一つに決めるものでありファラディ回転子はその偏光面を半導体レーザの発振動作と無関係の方向へと導くものである。実施例１では戻り光の偏波面は半導体レーザチップ面と２２．５度の角度をなすようにするのがよいと述べた。それは半導体レーザのタイプによって、チップ面と平行方向にもわずかな偏波成分を持つ場合があるからである。そのような半導体レーザの場合は、２Φ＝４５度であるから、ファラディ回転角は２２．５度である。

より一般的に半導体レーザに戻ってきたときに偏波面の相違が±２０度〜±１６０度あると、戻り光は半導体レーザの発振光とほとんど結合しない。だから好ましいファラディ回転角Φは、１０度〜８０度である。

［実施例６（偏光板＋ファラディ回転子＋永久磁石＋ファイバスタブ）］
実施例１〜５にはなかったファイバスタブをレセプタクルの中に圧入したものである。その他は実施例５と同じ構造を持っている。ダミーファイバ４２を挿入したファイバスタブ４３は光素子側端面を斜めに切断研磨してあり、レセプタクル３のフェルール保持穴３４の中の光素子側に圧入固定してある。ファイバスタブ４３の後ろのフェルール保持穴３４には図１２に示すようなフェルール４７が着脱可能となっている。

図５に示す従来例ではファイバスタブ７７とレンズ７４の間に何もなかったが、実施例６ではその空間に偏光板９、ファラディ回転子７、永久磁石８を入れてある。ファイバスタブ４３の斜め切断端面による斜め反射と、ファラディ回転子７による偏波面回転により、二重に反射戻り光を防ぐようにしている。より厳密に反射戻り光を防ぐ場合は、圧入工程が増え高い調芯精度が要求されるが、この実施例のようにファラディ回転子とファイバスタブを組み合わせれば良い。

［実施例７（ジョイントホルダ斜め切りこみ＋アイソレータ機能素子）］
実施例７の光モジュールはレンズホルダ−とレセプタクルの間にジョイントホルダを設けたタイプのものに関して本発明の思想を適用したものである。これまでのものは、ホルダ−のすぐ先にレセプタクルがあるタイプのものだからアイソレータ機能素子をレセプタクルの光通し穴に設けていた。ここに述べるのはレセプタクルが一部別の部材になっておりそのためにレセプタクル通し穴に該当していた部分を事後的に加工することができる。その加工の自由度を有効に利用することによって斜めアイソレータ機能素子を収納させた。

図１３はジョイントホルダ２００の一部切断したものの縦断面図、図１４は斜視図である。ジョイントホルダ２００は金属性部材で円盤状のジョイントホルダ肩部２０２、その下方に続くより直径の小さい円筒状の胴部２０３、ジョイントホルダ肩部２０２の上に続く小径の頭部２０４を含む。頭部２０４には立てに光通し穴２０５がある。ジョイントホルダ肩部２０２の上にレセプタクルが溶接される。レセプタクルの水平位置を決めて（水平方向調芯）から肩部２０２に溶接する。ジョイントホルダ２００の胴部２０３の内周面にレンズホルダ−が挿入される。ジョイントホルダの縦方向の位置を決めて（垂直方向調芯）からレンズホルダ−とジョイントホルダを溶接する。そのようなジョイントホルダ２００の頭部２０４を中心線を含む面で細く切欠きを入れる。図１３のような斜めの切断線２０７になるように加工する。

頭部の上面からある太さの溝が斜めに形成されてゆく。斜めに切るのはアイソレータ機能素子を斜めに入れるためである。頭部２０４の筒部分が切断されるが、図１３の左筒部ではより深い下切り溝２０９が形成され、右筒部ではより浅い上切り溝２２０が形成される。左側の肩部２０２の一部が同じ刃物で切りこまれる。それが目印２０８となる。肩部の外側にできた目印２０８はレセプタクルを被せても隠れない。だから目印２０８はアイソレータ機能素子を装着した方位を示す作用がある。一定厚み所定の角度所望の深さの切り溝を形成して適当な寸法の切欠き２０６を頭部に形成する。頭部を水平近くやや斜めに切るよりもずっと容易である。

そのようにしてできた切欠きに直方体状のアイソレータ機能素子２３９を装着する。アイソレータ機能素子というのは、ファラディ回転素子（FR）、永久磁石からなる素子であってもよいし、自己保持型ファラディ回転素子（FR）であってもよい。さらにファラディ回転素子＋永久磁石＋偏光板であってもよい。また自己保持型ファラディ回転素子＋偏光板であってもよい。さらに両側に偏光板を持つような、偏光板＋自己保持型ファラディ回転素子＋偏光板であってもよい。

図１５はアイソレータ機能素子２３９を切欠きに装着したジョイントホルダ２００と、レンズホルダ−２３０、レセプタクル２４０を組み合わせて光モジュールとした全体の縦断面図である。円盤状のステム２２４にはポールがありその側面に半導体レ−ザ（LD）２２５が実装されている。上向きと下向きに半導体レ−ザの光が出る。下向き光をモニタするためのモニタＰＤ２２６がステム面に実装してある。ステム２２４はリードピン２５３，２５４、２５５を有する。円筒形のレンズホルダ−２３０は内面上方にレンズ保持突状２３２を有しここに球レンズ２３３を保持している。レンズホルダ−２３０の脚部がステム２２４の上面に溶接されている。レンズホルダ−２３０の外周面に先述のジョイントホルダ２００の胴部２０３の内周面が接触し互いに溶接固定されている。

ジョイントホルダ２００の肩部２０２の上に、円筒状のレセプタクル２４０の脚部２４１が溶接される。先ほどのジョイントホルダの頭部はレセプタクル２４０の突状２４３の内部に設けられた空間の中に位置する。光ファイバの先端を保持するフェルール（図示しない）をフェルール差込口２４５から差し込んで胴部２４４に把持させる。フェルールの先端はジョイントホルダの頭部２０４で止まる。ＬＤ２２５の上向き光はレンズ２３３で集光され、アイソレータ機能素子２３９を斜めに通過して光ファイバ端（図示しない）に入る、一部が光ファイバ端で反射されることもある。光ファイバの遠方の端から一部の光が反射されることもある。そのような反射光はアイソレータ機能素子２３９の上面にあたるが、これはアイソレータの機能を持つから、反射光をＬＤ２２５へ戻さないようにする。

アイソレータ機能素子は、ファラディ回転子、偏光板、永久磁石などを組み合わせたもの、自己保持型ファラディ回転子、これと偏光板を組み合わせたものなどであるが、小型の素子にできるので切欠き２０６へ斜めに装着することができる。斜めにすると端面での反射が斜めになって戻り光をより徹底的に消去できる。目印２０８が切断線２０７に沿って肩部に生ずるので目標になり分かりやすい。

永久磁石・ファラディ回転子をレセプタクルの穴に取り付け、光素子・レンズと光ファイバの間にファラディ回転子を介在させることによって戻り光を抑制した本発明の第１の実施例に係る光モジュールの縦断面図。

自己保持型ファラディ回転子をレセプタクルの穴に取り付け、光素子・レンズと光ファイバの間にファラディ回転子を介在させることによって戻り光を抑制した本発明の第２の実施例に係る光モジュールの縦断面図。

永久磁石・ファラディ回転子・偏光板をレセプタクルの穴に取り付け、光素子・レンズと光ファイバの間にファラディ回転子を介在させることによって戻り光を抑制した本発明の第３の実施例に係る光モジュールの縦断面図。

永久磁石・ファラディ回転子をレセプタクルの穴に取り付け、レセプタクルの光軸を光素子、レンズの光軸からずらせ、光素子・レンズと光ファイバの間にファラディ回転子を介在させることと光軸のズレによって戻り光を抑制した本発明の第４の実施例に係る光モジュールの縦断面図。

特開２００３−２４１０２５において提案された斜め研磨ファイバスタブをレセプタクルに挿入し、光素子・レンズと光ファイバの間に斜め研磨ファイバを介在させることによって斜めに戻り光を反射させ半導体レーザへの戻り光を抑制した従来例に係る光モジュールの縦断面図。

発光素子を半導体レーザとしてファラディ回転子がない場合（従来例）の光モジュールの、半導体レーザ駆動電流・光出力特性を示すグラフで、横軸は半導体レーザ駆動電流（ｍＡ）であり、縦軸は外部光ファイバの先端に検出器を設けて測定された、光ファイバを透過して来た光出力（μＷ）である。

発光素子を半導体レーザとしてファラディ回転子がない場合（従来例）の光モジュールにおいて、光出力Ｑを駆動電流Ｊで微分したスロープ効率を示すグラフである。

本発明の第１の実施例に係る光モジュールにおいて、光素子を半導体レーザとして駆動電流と、外部ファイバの終端で測定された光出力の関係を示すグラフで、横軸は駆動電流Ｊ（ｍＡ）で縦軸は光出力（μＷ）である。

本発明の第１の実施例に係る光モジュールにおいて、電流・光出力の関係を微分したもので、横軸は電流（ｍＡ）で縦軸はスロープ効率つまりｄＱ／ｄＪ（μＷ／ｍＡ）である。

偏光子、永久磁石・ファラディ回転子をレセプタクルに取り付け、光素子・レンズと光ファイバの間にファラディ回転子・偏光子を介在させることによってファイバの遠端からの戻り光を抑制した本発明の第５の実施例に係る光モジュールの縦断面図。

偏光子、永久磁石・ファラディ回転子をレセプタクルに取り付け、光素子・レンズと光ファイバの間にファラディ回転子・偏光子を介在させることによってファイバの遠端からの戻り光を抑制し、さらに斜め切断ファイバスタブをレセプタクルの中に設け斜め端面での反射により戻り光を抑制した本発明の第６の実施例に係る光モジュールの縦断面図。

本発明の実施例のレセプタクルに着脱可能なフェルール、外部光ファイバと、外部光ファイバに接続される光コネクタを示す縦断面図。

本発明の第７の実施例において用いるジョイントホルダの頭部から肩部まで斜め切り溝を入れた状態の縦断面図。

本発明の第７の実施例において用いるジョイントホルダの頭部から肩部まで斜め切り溝を入れ、切り溝にアイソレータ機能素子を挿入する直前の斜視図。

ジョイントホルダの頭部から肩部まで斜め切り溝を入れ切り溝にアイソレータ機能素子を差し込んでレセプタクルとレンズホルダ−をジョイントホルダに溶接した斜めアイソレータ機能素子を有する本発明の第７の実施例に係る光モジュールの縦断面図。

符号の説明

２ ホルダー
３ レセプタクル
４ レンズ
５ 光素子
６ 自己保持型ファラディ回転子
７ ファラディ回転子
８ 永久磁石
９ 偏光板
２０ 光素子収納空間
２２ レンズ保持壁
２３ 通し穴
２６ ホルダー空間
２７ ホルダー前端面
３２ レセプタクル後端面
３３ 光通し穴
３４ フェルール保持穴
３５ 面取り
４２ ダミーファイバ
４３ ファイバスタブ
４６ 外部光ファイバ
４７ フェルール
４９ 光コネクタ
５３ リードピン
５４ リードピン
５５ リードピン
６２ ホルダー
７３ レセプタクル
７４ レンズ
７５ 光素子
７６ 接触面
７７ スタブ
７８ 穴
７９ スリーブ
８０ 光素子収納空間
８３ 通し穴
８６ 内部空間
８７ ダミーファイバ
８８ レセプタクル先端部
９２ 外筒部
９３ フェルール
９４ 光ファイバ
９５ 内部空間
２００ ジョイントホルダ
２０２ ジョイントホルダ肩部
２０３ 胴部
２０４ 頭部
２０５ 光通し穴
２０６ 切欠き
２０７ 切断線
２０８ 目印
２０９ 下切り溝
２２０ 上切り溝
２２４ ステム
２２５ ＬＤ
２２６ ＰＤ
２３０ レンズホルダ−
２３２ レンズ保持突状
２３３ レンズ
２３９ アイソレータ機能素子
２４０ レセプタクル
２４１ レセプタクル脚部
２４３ レセプタクル周回突状
２４４ 胴部
２４５ フェルール差込口
２５３ リードピン
２５４ リードピン
２５５ リードピン

Claims (12)

1. 発光素子又は受光素子である光素子を内蔵するホルダーと、ホルダーの内部に固定され外部光ファイバと光素子を光学的に結合する集光レンズと、外部光ファイバを固定したフェルールを着脱自在に保持できるフェルール保持穴を持ち端面に光通し穴を有し端面でホルダーに軸方向に結合されるレセプタクルと、レセプタクルの光通し穴の内面或いは端面に固着されるファラディ回転子と、ファラディ回転子に軸方向に磁束密度Ｂを与える永久磁石とからなる事を特徴とする光モジュール。
2. 発光素子又は受光素子である光素子を内蔵するホルダーと、ホルダーの内部に固定され外部光ファイバと光素子を光学的に結合する集光レンズと、外部光ファイバを固定したフェルールを着脱自在に保持できるフェルール保持穴を持ち端面に光通し穴を有し端面でホルダーに軸方向に結合されるレセプタクルと、レセプタクルの光通し穴の内面或いは端面に固着される自己保持型ファラディ回転子とからなる事を特徴とする光モジュール。
3. ファラディ回転子の光素子側の端面に偏光板を固着したことを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
4. ファラディ回転子のレセプタクル側の端面に偏光板を固着したことを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
5. レセプタクルの光通し穴には、中心部に光ファイバを有するファイバスタブを内蔵することを特徴とする請求項４に記載の光モジュール。
6. ホルダーとレセプタクルを軸線と直角の方向へずらせて結合しレンズとファラディ回転子を結ぶ直線がホルダー中心線に対して傾斜していることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光モジュール。
7. 少なくとも発光素子又は受光素子である光素子を内蔵するホルダーと、ホルダーの内部に固定され光ファイバと光素子とを光学的に結合する集光レンズと、一端に外部の光ファイバとの接続が可能な光コネクタ、もう一端に斜めに研磨されたフェルールを有する光ファイバとからなり、前記光ファイバと前記集光レンズの間にファラディ回転子を配置し、その光ファイバ側面に偏光板を固着し、ファラディ回転子周辺には、永久磁石を配置したことを特徴とする光モジュール。
8. 少なくとも発光素子又は受光素子である光素子を内蔵するホルダーと、ホルダーの内部に固定され光ファイバと光素子とを光学的に結合する集光レンズと、一端に外部の光ファイバとの接続が可能な光コネクタ、もう一端に斜めに研磨されたフェルールを有する光ファイバとからなり、前記光ファイバと前記集光レンズの間に自己保持型ファラディ回転子を配置し、その光ファイバ側面に偏光板を固着したことを特徴とする光モジュール。
9. 発光素子又は受光素子である光素子を有するステムと、ステムに固定されるレンズホルダ−と、レンズホルダーの内部に固定され外部光ファイバと光素子を光学的に結合する集光レンズと、通し穴を有する頭部と肩部と胴部を有しレンズホルダ−と胴部で固着されるジョイントホルダと、ジョイントホルダの頭部に斜めに切り込んで設けた切欠き部に装着された反射戻り光を遮断するアイソレータ機能素子と、外部光ファイバを固定したフェルールを着脱自在に保持できジョイントホルダの肩部に固定されたレセプタクルとを含むこと特徴とする光モジュール。
10. ジョイントホルダの肩部にアイソレータ機能素子の方向を示すための目印が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の光モジュール。
11. ジョイントホルダに斜めに設けられたアイソレータ機能素子が、自己保持型ファラディ回転子であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の光モジュール。
12. ジョイントホルダの斜めに設けられたアイソレータ機能素子が偏光板と自己保持型ファラディ回転子からなるものであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の光モジュール。
    

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