JP2006157005A - Surface processing system for substrate - Google Patents

Surface processing system for substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2006157005A
JP2006157005A JP2005338294A JP2005338294A JP2006157005A JP 2006157005 A JP2006157005 A JP 2006157005A JP 2005338294 A JP2005338294 A JP 2005338294A JP 2005338294 A JP2005338294 A JP 2005338294A JP 2006157005 A JP2006157005 A JP 2006157005A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chamber
processing liquid
liquid
surface treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005338294A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Dokuho Kim
キム・ドクホ
Wanki Lee
イ・ワンキ
Dehi Kim
キム・デヒ
Kijo Kim
キム・キジョ
Hyonsu Park
パク・ヒョンス
Byonchuru Yu
ユ・ビョンチュル
Kunu Kim
キム・クンウ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaijo Corp
Original Assignee
Kaijo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaijo Corp filed Critical Kaijo Corp
Publication of JP2006157005A publication Critical patent/JP2006157005A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small surface processing system for substrate in which installation space is reduced and utilization of work space is enhanced. <P>SOLUTION: A substrate cleaning section 20 in which a substrate requiring surface processing is pulled out from a cassette and held by means of a chuck 21, processing liquid is supplied to its surface through a liquid supply opening communicating with a dispenser 24 and dried before the substrate is restocked in the cassette, and a processing liquid processing section 30 arranged to control supply and collection of processing liquid stored in a liquid storage tank 31 communicating with the dispenser are located at upper and lower parts in the same section. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板用表面処理システムに関し、詳しくは、基板の表面処理部の下側に処理液処理部が配置されるようにした基板用表面処理システムに関するものである。   The present invention relates to a substrate surface treatment system, and more particularly to a substrate surface treatment system in which a treatment liquid treatment unit is disposed below a surface treatment unit of a substrate.

一般的に、半導体のウエハなどのような基板は表面のエッチングや洗浄・乾燥等の表面処理工程が必要とされている。   In general, a substrate such as a semiconductor wafer is required to have a surface treatment process such as surface etching, cleaning and drying.

このような基板の表面を処理するための従来のシステムは、基板の表面を処理するために、基板が所定の場所から所定の機器へ移送されて固定された後、表面処理液及び乾燥ガスなどを基板の表面に設定順序通りに供給し、供給された処理液は回収されて必要に応じて再循環又は完全に廃棄されるようになっている。   In the conventional system for processing the surface of the substrate, in order to process the surface of the substrate, the substrate is transferred from a predetermined place to a predetermined apparatus and fixed, and then a surface treatment liquid and a dry gas are used. Are supplied to the surface of the substrate in a set order, and the supplied processing liquid is recovered and recirculated or completely discarded as necessary.

このようなシステムには、基板が保管されているカセット等から基板を移送して保持させるためのチャックと、このチャックに保持された基板の表面に処理液を供給するためのディスペンサー及び供給管、また供給した処理液を種類別に回収するための外部配管が装着されているチャンバと、基板を移送するためのロボットアームなどにより形成されている。   Such a system includes a chuck for transferring and holding a substrate from a cassette or the like in which the substrate is stored, a dispenser and a supply pipe for supplying a processing liquid to the surface of the substrate held by the chuck, Further, it is formed by a chamber in which external piping for collecting the supplied processing liquid according to type is mounted, a robot arm for transferring the substrate, and the like.

また、前記基板の表面に供給された処理液を種類別に排出・回収するために、外部配管と連通するチャンバが表面処理段階ごとに垂直往復移動するように構成しており、このチャンバの往復移動のためにチャンバの下部に昇降装置が設置されている(特許文献1、図1参照)(特許文献2参照)。   In addition, in order to discharge and collect the processing liquid supplied to the surface of the substrate by type, the chamber communicating with the external pipe is configured to reciprocate vertically at each surface treatment stage. For this purpose, a lifting device is installed in the lower part of the chamber (see Patent Document 1 and FIG. 1) (see Patent Document 2).

一方、前記ディスペンサーに供給される処理液は、種類に応じて貯液タンクに貯液された状態から循環及び再循環又は外部に廃棄されるように形成されている(特許文献1,2,3参照)。   On the other hand, the processing liquid supplied to the dispenser is formed so as to be circulated and recirculated from the state stored in the liquid storage tank according to the type, or discarded outside (Patent Documents 1, 2, and 3). reference).

特開2002−353186号公報JP 2002-353186 A 特開2001−126982号公報JP 2001-126982 A 特開2004−259734号公報JP 2004-259734 A

しかし、前記特許文献1,2の装置の場合、前記チャンバの往復移動のために備えられた昇降装置が、チャンバの下部に位置して一定のスペースを占めているために、処理液の貯液タンクは、連通するディスペンサーと多少離れた位置に配置せざるを得なかった。また、特許文献3の装置の場合でも、処理液の貯液タンクは離れた位置に配置されている。   However, in the case of the devices of Patent Documents 1 and 2, since the lifting device provided for the reciprocating movement of the chamber occupies a certain space located in the lower portion of the chamber, the storage of the processing liquid The tank had to be arranged at a position somewhat apart from the dispenser that communicated. Further, even in the case of the apparatus disclosed in Patent Document 3, the storage tank for the processing liquid is disposed at a remote position.

この場合、前記貯液タンクとディスペンサー間の処理液の流動距離が長くなるため、処理液の流動に関与する容量の大きなポンプが求められると同時に、流動されている間に処理液の損失が発生することがある。また、表面処理システムの設置スペースが広くなるのでシステムを設置するために広い配置スペースが必要となり作業用スペースを広く確保することが難しいという問題点があった。   In this case, since the flow distance of the processing liquid between the liquid storage tank and the dispenser becomes long, a pump with a large capacity involved in the flow of the processing liquid is required, and at the same time, a loss of the processing liquid occurs while the liquid is flowing. There are things to do. Further, since the installation space for the surface treatment system is wide, a large arrangement space is required for installing the system, and it is difficult to secure a wide working space.

前記の問題点に鑑み本発明の課題は、設置スペースが少なく作業用スペースの活用度が向上する小型の基板用表面処理システムを提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a small surface treatment system for a substrate that requires less installation space and improves the utilization of work space.

前記の目的を達成するために、請求項1記載の基板用表面処理システムは、表面処理を要する基板が、カセットから引き出されてチャックに保持され、ディスペンサーと連通している給液口を通じて、その表面に処理液を供給し乾燥させて前記カセットに再ストックされるように形成された基板洗浄部と、前記ディスペンサーと連通している貯液タンクに貯液されている処理液の供給及び回収を制御するように形成されている処理液処理部が同一区画内の上部及び下部に位置するように形成されていることを特徴としている。   In order to achieve the above object, a substrate surface treatment system according to claim 1, wherein a substrate requiring surface treatment is pulled out from a cassette and held by a chuck, and the substrate is treated through a liquid supply port communicating with a dispenser. A substrate cleaning unit formed so that the processing liquid is supplied to the surface, dried and restocked in the cassette, and supply and recovery of the processing liquid stored in a liquid storage tank communicating with the dispenser. It is characterized in that the processing liquid processing section formed so as to be controlled is formed so as to be positioned at the upper part and the lower part in the same section.

請求項2記載の基板用表面処理システムは、請求項1記載の発明において、前記基板洗浄部は、基板を保持するチャックと、前記チャックに保持された基板に供給された処理液を排出するためのチャンバと、前記チャックに保持されて同一位置で回転する基板に処理液を供給するためのディスペンサーとを含む組合せを少なくとも1台以上を備えるとともに、前記チャックに基板を保持又は脱離させるように搬送するグリッパと、該基板をグリッパから引き受けたり、グリッパに引き渡したりするロボットアームと、このロボットアームにより基板が引き出されたり再ストックしたりするカセットとを含んで形成されていることを特徴とするしている。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate surface processing system according to the first aspect of the invention, wherein the substrate cleaning section discharges the chuck that holds the substrate and the processing liquid supplied to the substrate held by the chuck. And at least one combination including a dispenser for supplying a processing liquid to a substrate held in the chuck and rotating at the same position, and the chuck holds or detaches the substrate. A gripper for transporting, a robot arm for receiving the substrate from the gripper and transferring the substrate to the gripper, and a cassette for pulling out and restocking the substrate by the robot arm are formed. is doing.

請求項3記載の基板用表面処理システムは、請求項1記載の発明において、前記処理液処理部は、処理液が貯液されて前記ディスペンサーの直下スペースに位置する貯液タンクと、この貯液タンクの処理液がディスペンサーに供給されるように設置されている供給ラインと、前記ディスペンサーから供給口を通じて供給された処理液がチャンバを通じて回収され、処理液別に再循環及び廃棄されるように設置されている回収ラインと、前記供給ライン及び回収ライン上に処理液の循環動力を提供するように設置されている循環ポンプと、前記供給ラインに処理液の温度上昇のためのヒータとを含んで形成されていることを特徴としている。   According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate surface processing system according to the first aspect, wherein the processing liquid processing section stores a processing liquid and stores a liquid storage tank located in a space immediately below the dispenser. A supply line installed so that the processing liquid in the tank is supplied to the dispenser, and the processing liquid supplied from the dispenser through the supply port is collected through the chamber, and is installed so as to be recirculated and discarded for each processing liquid. A recovery line, a circulation pump installed on the supply line and the recovery line so as to provide circulation power for the processing liquid, and a heater for increasing the temperature of the processing liquid in the supply line. It is characterized by being.

請求項4記載の基板用表面処理システムは、請求項1又は2記載の発明において、前記チャックは、基板が保持・固定された位置で回転する回転体と、この回転体に、下方に突出するように装着されているスピンドルと、このスピンドルの回転力を提供する駆動装置を含んで形成されていることを特徴としている。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate surface treatment system according to the first or second aspect, wherein the chuck is rotated at a position where the substrate is held and fixed, and protrudes downward from the rotary body. And a drive device for providing a rotational force of the spindle.

請求項5記載の基板用表面処理システムは、請求項1又は2記載の発明において、前記チャンバは、中空の形状で内壁と外壁間に外部配管と連通するように形成されている排出ラインと、この排出ラインとチャンバの内部が連通していて、気体が流入するように前記チャンバの内向きに突出した上端部に下向き開口するように形成されている上部排気口と、前記チャンバの中程の高さに形成されている中部排気口と、前記チャンバの内部に沈下している液体が流入されるように外部配管と連通しチャンバの下部に形成されている排出口とを含んで形成されていることを特徴としている。   The substrate surface treatment system according to claim 5 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the chamber has a hollow shape and is formed to communicate with external piping between the inner wall and the outer wall; The exhaust line communicates with the interior of the chamber, and an upper exhaust port formed to open downward at the upper end protruding inward of the chamber so that gas flows in, A central exhaust port formed at a height, and an exhaust port formed at a lower portion of the chamber in communication with an external pipe so that liquid sinking into the chamber flows in. It is characterized by being.

請求項6記載の基板用表面処理システムは、請求項5記載の発明において、前記チャンバの中部に形成されている排気口は、チャンバの内壁からカバーが下向きに突出して下向き開口を有するように延長されていることを特徴としている。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the substrate surface treatment system according to the fifth aspect, wherein the exhaust port formed in the middle of the chamber extends so that the cover protrudes downward from the inner wall of the chamber and has a downward opening. It is characterized by being.

本発明は上述したように同一区画内に基板の表面処理部と処理液処理部を上・下に配置する構成となっているので、貯液タンクからディスペンサー間の処理液流動距離が短縮されることにより、小型の動力装置によっても処理液の円滑な流動が可能になり、システムの設置スペースが縮小され、作業スペースの活用度が向上する効果がある。   In the present invention, as described above, the substrate surface treatment section and the treatment liquid treatment section are arranged above and below in the same section, so that the treatment liquid flow distance between the liquid storage tank and the dispenser is shortened. As a result, the processing liquid can be smoothly flowed even by a small power unit, the system installation space is reduced, and the utilization of the work space is improved.

以下、本発明による基板用表面処理システムを添付の図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, a substrate surface treatment system according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1乃至図4は、本発明の好適な実施の形態によるシステムの外観図、内部図、系統図及び主要部材などが概略的に示されている図面である。   1 to 4 are diagrams schematically showing an external view, an internal view, a system diagram, main members, and the like of a system according to a preferred embodiment of the present invention.

この実施の形態に係る基板用表面処理システム10は、基板が移送されながら表面処理されるように形成されている表面処理部20と、前記基板の表面を処理するための処理液が表面処理部20に供給、回収されるように形成されている処理液処理部30からなっており、前記表面処理部20と処理液処理部30は、図1又は図3に示すように、同一区画内の上・下に設置されている。   The substrate surface treatment system 10 according to this embodiment includes a surface treatment unit 20 formed so as to be surface-treated while a substrate is being transferred, and a treatment liquid for treating the surface of the substrate. The surface treatment unit 20 and the treatment liquid treatment unit 30 are arranged in the same section as shown in FIG. 1 or FIG. It is installed above and below.

前記表面処理部20は、カセットなどにストックされている基板が、ロボットアームにより引き出されてから、グリッパ(図示を省略)を通じてチャック21に保持され、このチャック21が水平回転する間、ディスペンサー24を通じて処理液が供給され、基板の表面に化学処理、リンス、洗浄、乾燥などの表面処理が行なわれる。表面処理された基板は、再度グリッパ、ロボットアームなどによりカセットに再ストックされるように形成されている。なお、図1に示す基板用表面処理システムは、内部に図3に示す基板洗浄部20を2台備えている。   The surface treatment unit 20 is held by a chuck 21 through a gripper (not shown) after a substrate stocked in a cassette or the like is pulled out by a robot arm, and through the dispenser 24 while the chuck 21 rotates horizontally. A treatment liquid is supplied, and surface treatment such as chemical treatment, rinsing, cleaning, and drying is performed on the surface of the substrate. The surface-treated substrate is formed so as to be restocked in the cassette again by a gripper, a robot arm, or the like. The substrate surface treatment system shown in FIG. 1 includes two substrate cleaning units 20 shown in FIG.

一方、前記処理液処理部30では、処理液は、貯液されている貯液タンク31から供給ライン33を通じて表面処理部20のディスペンサー24に流入されて基板に供給される。基板の表面処理後は、回収ライン34を通じて排出されて、完全廃棄される部分と、循環ポンプ32により循環され回収及びフィルタリングされて再利用する部分とに分かれる。また、必要に応じて、供給される処理液がヒータ36により加熱されてから供給されることもある。   On the other hand, in the processing liquid processing unit 30, the processing liquid flows from the stored liquid storage tank 31 into the dispenser 24 of the surface processing unit 20 through the supply line 33 and is supplied to the substrate. After the surface treatment of the substrate, it is divided into a part that is discharged through the collection line 34 and completely discarded, and a part that is circulated by the circulation pump 32, collected, filtered, and reused. Further, if necessary, the supplied processing liquid may be supplied after being heated by the heater 36.

ここで、必要に応じて、表面処理液と共に基板の表面にオゾン(Ozone)が提供されるように、ラインを配置してもよく、また処理液の供給及び回収ラインには、多数のバルブ及びセンサを配置するのはもちろんである。   Here, if necessary, a line may be arranged so that ozone (Ozone) is provided to the surface of the substrate together with the surface treatment liquid, and the supply and recovery lines of the treatment liquid include a number of valves and Of course, the sensor is arranged.

前記表面処理部20で基板が保持・固定されるチャック21は、回転体が固定されている位置で水平回転するように配置されており、従来のチャックが垂直往復移動するための昇降装置があるのに対し、昇降装置がないので、昇降装置分のスペースが確保されて、この確保されたスペースに前記処理液処理部30が配置されている。   The chuck 21 on which the substrate is held and fixed by the surface treatment unit 20 is arranged so as to horizontally rotate at a position where the rotating body is fixed, and there is a conventional lifting device for reciprocating the chuck vertically. On the other hand, since there is no lifting device, a space for the lifting device is secured, and the processing liquid processing unit 30 is arranged in the secured space.

この際、上部がチャンバ25の内部に収容されるように配置されているチャック21は、図4に示すように、チャック21の上部に位置している回転体が固定された位置で水平回転し、この回転体に下向きに突出するように装着されているスピンドルの側部に駆動装置が配置されており、この駆動装置とスピンドルがベルト又はチェーンなどで互いに連動するように設置されている。なお、ベルト又はチェーンなどの破損などを感知するためのセンサが適切な位置に取り付けられるのが好ましい。   At this time, the chuck 21 arranged so that the upper part is accommodated in the chamber 25 rotates horizontally at a position where the rotating body located on the upper part of the chuck 21 is fixed as shown in FIG. A drive device is disposed on the side of a spindle that is mounted on the rotating body so as to protrude downward, and the drive device and the spindle are installed so as to be interlocked with each other by a belt or a chain. It is preferable that a sensor for detecting breakage of the belt or the chain is attached at an appropriate position.

また、基板に供給された処理液を排出するため、チャック21とチャンバ25の間にリンスリングを設けて垂直往復移動させるようにしても良く、またリンスリングを除去して構成することもできる。   Further, in order to discharge the processing liquid supplied to the substrate, a rinsing ring may be provided between the chuck 21 and the chamber 25 and vertically reciprocated, or the rinsing ring may be removed.

前記リンスリングが垂直往復移動するように配置する場合は、処理液が種類別に区別されて回収され再循環又は廃棄されるようになる。   When the rinse ring is arranged so as to reciprocate vertically, the treatment liquid is collected by being classified and recirculated or discarded.

前記リンスリングがない場合は、図4で示すように、チャンバ25の内壁及び外壁間に、下側に外部配管23が連通して配置されるように、排気路25aが形成され、この排気路25aと連通してチャンバ25内部に生成された気体が流入するようにチャンバ25の上部及び中部に多数の排気口25b,25cが形成されており、前記上部の排気口25bは、チャンバ25の内向きに突出した上端部に下向きに開口するように形成されており、前記中部の排気口25cは、チャンバ25の中程の高さに開口するように形成されていて、液体の流入が防止できるように内面から下向きに突出しているカバー22が形成された下向き開口部を有している。ここで、液体状の処理液は、チャンバ25の下部に形成されている排出口25d側に下向きに移動されて配管23を通じて放出される。   When the rinse ring is not present, as shown in FIG. 4, an exhaust passage 25a is formed between the inner wall and the outer wall of the chamber 25 so that the external pipe 23 communicates with the lower side. A number of exhaust ports 25b and 25c are formed in the upper and middle portions of the chamber 25 so as to allow the gas generated in the chamber 25 to flow into the chamber 25a. The upper exhaust port 25c is formed so as to open downward at the upper end protruding in the direction, and the middle exhaust port 25c is formed so as to open at the middle height of the chamber 25, thereby preventing inflow of liquid. Thus, it has a downward opening portion in which a cover 22 protruding downward from the inner surface is formed. Here, the liquid processing liquid is moved downward toward the discharge port 25 d formed in the lower portion of the chamber 25 and discharged through the pipe 23.

前記システム10には、基板がカセットから引き出されて再ストックされるまでの全ての環境及び条件を点検するために、ビデオレコーディング機能、画像記録機能及び変数モニタリング機能のための撮影機、及びセンサなどを含む検査装置が設置・活用される。   The system 10 includes a camera, a sensor, etc. for video recording function, image recording function and variable monitoring function in order to check all the environment and conditions until the substrate is pulled out of the cassette and restocked Inspection equipment including is installed and utilized.

前記ビデオレコーディング機能は、基板がカセットから引き出されて再ストックされるまでの移動過程を撮影して保存し、基板のエラーや破損が発生した場合、事故地点及び状況について、時間などを含めて明確に究明することができる機能である。   The video recording function captures and stores the process of moving the substrate from the cassette until it is restocked. If a substrate error or damage occurs, the accident location and situation, including the time, etc. are clearly identified. It is a function that can be investigated.

前記画像記録機能は、ウエハに提供されていた工程について、その結果が正確に行なわれたかを記録機器などを利用して測定し、結果値の信頼性を確認することができる機能である。   The image recording function is a function capable of confirming the result of the process provided on the wafer by using a recording device or the like and confirming the reliability of the result value.

前記変数モニタリング機能は、基板に提供される工程のために設備されている各機器の全ての状況及び条件などを継続的にチェックし、工程が完了した基板で発生したエラーに関して正確な原因を迅速に究明することができる機能である。   The variable monitoring function continuously checks all the conditions and conditions of each equipment installed for the process provided to the board, and quickly finds the exact cause of the error that occurred on the board after the process is completed. It is a function that can be investigated.

以下、本実施形態に係る基板用表面処理システムの作動を簡略に説明する。   Hereinafter, the operation of the substrate surface treatment system according to the present embodiment will be briefly described.

カセットなどにストックされている基板がロボットアームにより引き出され、このロボットアーム及びグリッパによりチャック21に保持され、このチャック21が回転している間、ディスペンサー24を通じて処理液が噴射され、基板の表面に段階ごとに表面処理が行なわれ、表面処理された基板は、引き出された時と逆の順序でカセットに再ストックされる。   A substrate stocked in a cassette or the like is pulled out by a robot arm and held by the robot arm and gripper on the chuck 21. While the chuck 21 is rotating, a processing liquid is ejected through a dispenser 24 to the surface of the substrate. Surface treatment is carried out step by step, and the surface-treated substrates are restocked in the cassette in the reverse order of withdrawal.

前記チャック21に保持された基板に処理液を供給するために、処理液は循環ポンプ32により貯液タンク31からディスペンサー24に流入されて供給され、表面処理後には排出され、再循環のために回収及びフィルタリングされるかあるいは完全廃棄される。   In order to supply the processing liquid to the substrate held by the chuck 21, the processing liquid is supplied from the liquid storage tank 31 to the dispenser 24 by the circulation pump 32, and is discharged after the surface treatment for recirculation. Collected and filtered or completely discarded.

この時、前記貯液タンク31の処理液が供給ライン33を通じてディスペンサー24を介し基板に供給される。供給された処理液はチャンバ25で回収され、回収ライン34を通じて再循環又は廃棄される。   At this time, the processing liquid in the liquid storage tank 31 is supplied to the substrate through the supply line 33 via the dispenser 24. The supplied processing liquid is collected in the chamber 25 and recirculated or discarded through the collection line 34.

本発明に係る基板用表面処理システムは、ウエハなどの基板の洗浄のみならず、化学処理等にも適用することが出来る。   The substrate surface treatment system according to the present invention can be applied not only to cleaning of a substrate such as a wafer but also to chemical treatment and the like.

本発明の好適な実施の形態による基板用表面処理システムを概略的に示した斜視図である。1 is a perspective view schematically showing a substrate surface treatment system according to a preferred embodiment of the present invention. 図1に示されているシステムの内部を概略的に示した斜視図である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing the inside of the system shown in FIG. 1. 図1に示されているシステムの一部の処理液循環系統を示した系統図である。It is the systematic diagram which showed the one part process liquid circulation system of the system shown by FIG. 図1に示されているシステムのチャンバを概略的に示した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a chamber of the system shown in FIG. 1.

符号の説明Explanation of symbols

10 システム
20 表面処理部
21 チャック
23 配管
24 ディスペンサー
25 チャンバ
30 処理液処理部
31 貯液タンク
32 循環ポンプ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 System 20 Surface treatment part 21 Chuck 23 Piping 24 Dispenser 25 Chamber 30 Process liquid treatment part 31 Liquid storage tank 32 Circulation pump

Claims (6)

表面処理を要する基板が、カセットから引き出されてチャックに保持され、ディスペンサーと連通している給液口を通じて、その表面に処理液を供給し乾燥させて前記カセットに再ストックされるように形成された基板洗浄部と、前記ディスペンサーと連通している貯液タンクに貯液されている処理液の供給及び回収を制御するように形成されている処理液処理部が同一区画内の上部及び下部に位置するように形成されていることを特徴とする基板用表面処理システム。 A substrate requiring a surface treatment is pulled out of the cassette and held by the chuck, and the treatment liquid is supplied to the surface through a liquid supply port communicating with the dispenser, dried and restocked in the cassette. The substrate cleaning section and the processing liquid processing section formed to control the supply and recovery of the processing liquid stored in the liquid storage tank communicating with the dispenser are provided at the upper and lower portions in the same section. A surface treatment system for a substrate, wherein the substrate surface treatment system is formed to be positioned. 前記基板洗浄部は、基板を保持するチャックと、前記チャックに保持された基板に供給された処理液を排出するためのチャンバと、前記チャックに保持されて同一位置で回転する基板に処理液を供給するためのディスペンサーとを含む組合せを少なくとも1台以上を備えるとともに、前記チャックに基板を保持又は脱離させるように搬送するグリッパと、該基板をグリッパから引き受けたり、グリッパに引き渡したりするロボットアームと、このロボットアームにより基板が引き出されたり再ストックしたりするカセットとを含んで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板用表面処理システム。 The substrate cleaning unit includes a chuck for holding a substrate, a chamber for discharging the processing liquid supplied to the substrate held by the chuck, and a processing liquid applied to the substrate held by the chuck and rotating at the same position. A gripper that includes at least one combination including a dispenser for supplying, and that conveys the substrate so as to hold or detach the substrate from the chuck, and a robot arm that accepts the substrate from the gripper and delivers the substrate to the gripper The substrate surface processing system according to claim 1, further comprising: a cassette on which the substrate is pulled out and restocked by the robot arm. 前記処理液処理部は、処理液が貯液されて前記ディスペンサーの直下スペースに位置する貯液タンクと、この貯液タンクの処理液がディスペンサーに供給されるように設置されている供給ラインと、前記ディスペンサーから供給口を通じて供給された処理液がチャンバを通じて回収され、処理液別に再循環及び廃棄されるように設置されている回収ラインと、前記供給ライン及び回収ライン上に処理液の循環動力を提供するように設置されている循環ポンプと、前記供給ラインに処理液の温度上昇のためのヒータとを含んで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板用表面処理システム。 The processing liquid processing section includes a storage tank in which processing liquid is stored and located in a space immediately below the dispenser, and a supply line installed so that the processing liquid in the storage tank is supplied to the dispenser. The processing liquid supplied from the dispenser through the supply port is recovered through the chamber, and a recovery line installed so that the processing liquid is recirculated and discarded, and the circulation power of the processing liquid is provided on the supply line and the recovery line. The substrate surface treatment system according to claim 1, wherein the substrate surface treatment system is formed so as to include a circulation pump installed to provide, and a heater for increasing a temperature of the treatment liquid in the supply line. 前記チャックは、基板が保持・固定された位置で回転する回転体と、この回転体に、下方に突出するように装着されているスピンドルと、このスピンドルの回転力を提供する駆動装置を含んで形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板用表面処理システム。 The chuck includes a rotating body that rotates at a position where the substrate is held and fixed, a spindle that is mounted on the rotating body so as to protrude downward, and a driving device that provides the rotational force of the spindle. The substrate surface treatment system according to claim 1, wherein the substrate surface treatment system is formed. 前記チャンバは、中空の形状で内壁と外壁間に外部配管と連通するように形成されている排出ラインと、この排出ラインとチャンバの内部が連通していて、気体が流入するように前記チャンバの内向きに突出した上端部に下向き開口するように形成されている上部排気口と、前記チャンバの中程の高さに形成されている中部排気口と、前記チャンバの内部に沈下している液体が流入されるように外部配管と連通しチャンバの下部に形成されている排出口とを含んで形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板用表面処理システム。 The chamber has a hollow discharge line formed so as to communicate with an external pipe between the inner wall and the outer wall, and the discharge line and the interior of the chamber communicate with each other so that gas can flow into the chamber. An upper exhaust port formed to open downward at an upper end projecting inward, a middle exhaust port formed at a middle height of the chamber, and a liquid sinking into the chamber The substrate surface treatment system according to claim 1, wherein the substrate surface treatment system is formed so as to include an external pipe and a discharge port formed in a lower portion of the chamber so as to flow in. 前記チャンバの中部に形成されている排気口は、チャンバの内壁からカバーが下向きに突出して下向き開口を有するように延長されていることを特徴とする請求項5に記載の基板用表面処理システム。 6. The substrate surface processing system according to claim 5, wherein the exhaust port formed in the middle of the chamber is extended so that the cover protrudes downward from the inner wall of the chamber and has a downward opening.
JP2005338294A 2004-11-26 2005-11-24 Surface processing system for substrate Pending JP2006157005A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040098217A KR100600196B1 (en) 2004-11-26 2004-11-26 Device for surface treatment of substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006157005A true JP2006157005A (en) 2006-06-15

Family

ID=36634836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005338294A Pending JP2006157005A (en) 2004-11-26 2005-11-24 Surface processing system for substrate

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2006157005A (en)
KR (1) KR100600196B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021422A (en) * 2007-07-12 2009-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200458141Y1 (en) * 2009-11-04 2012-01-20 주식회사 케이씨텍 Treatment apparatus for large area substrate
KR102118991B1 (en) * 2019-01-28 2020-06-05 (주) 엠에이케이 A automatic apparatus for treating the fine particle with plasma

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021422A (en) * 2007-07-12 2009-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060059054A (en) 2006-06-01
KR100600196B1 (en) 2006-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6359925B2 (en) Substrate processing equipment
KR102354361B1 (en) Substrate liquid processing device, tank cleaning method, and storage medium
JP5694118B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP6494536B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing apparatus cleaning method
JP6425810B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5129042B2 (en) Substrate processing equipment
JP2007149892A (en) Substrate processor and substrate processing method
JP7312656B2 (en) Substrate processing equipment
JP7072415B2 (en) Board processing method and board processing equipment
JP7220537B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP7149087B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2013251547A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP4579138B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5265943B2 (en) Substrate processing equipment
JP2006157005A (en) Surface processing system for substrate
JP6223906B2 (en) Treatment liquid exchange method and liquid treatment apparatus
JP5090756B2 (en) Quartz tube cleaning equipment
KR102640749B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and computer-readable recording medium
KR100848572B1 (en) Apparatus for opening door of a pod
KR100598914B1 (en) System and method for recycling chemical, and apparatus for treating a substrate using the system
TWI544558B (en) Liquid treatment device and liquid treatment method
JP2007149890A (en) Apparatus and method of processing substrate
WO2023182058A1 (en) Circulation device and method for controlling circulation device
TWI839024B (en) Substrate processing apparatus
CN112509940B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method