JP2006127971A - Photodetector - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodetector in which air tightness and fusion-bonding strength of a flange part of a side tube against a photoreceiving face plate can be enhanced. <P>SOLUTION: A photomultiplier tube (photodetector) 1 has a sealing container 8 formed by a metallic side tube 2, the photoreceiving face plate 3, a stem 5, and a ring-shaped side tube 7. In the inside of the sealing container 8, a photoelectric face 4 in order to convert the light incident through the photoreceiving face plate 3 to electron, the electron multiplier part 9 in order to multiply electrons discharged from this photoelectric face 4, and an anode 12 that takes out the electrons multiplied by this electron multiplier part 9 as an output signal are arranged. The photoreceiving face plate 3 is fused and joined via a metal oxide membrane to the outer face (upper face) 51a and the inner edge face 51b of the flange part 51 formed on the side tube 2. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光電効果を用いる光電子増倍管等の光検出器に関する。   The present invention relates to a photodetector such as a photomultiplier tube using a photoelectric effect.

光検出器の一つに光電子増倍管がある。光電子増倍管としては、筒状を成す側管の一側の端部に受光面板を、他側の端部にステムを各々備えて真空密封容器を構成し、受光面板の内側の面に光電子放出面(光電面)を設けると共に、この光電面に対向して複数段のダイノード及び陽極を積層して配設し、各段のダイノード及び陽極に各々接続した複数のステムピンを密封容器内から外部に導出するようにしてステムに挿着する構成を具備し、受光面板を通して入射した光を光電面で電子に変換し、この光電面から放出された電子を、各ステムピンを介して所定の電圧が印加された各ダイノードで順次増倍し、この増倍されて陽極に達した電子を電気信号としてステムピンの一つであるアノードピンを介して取り出す所謂ヘッドオン型の光電子増倍管が知られている。   One of the photodetectors is a photomultiplier tube. As a photomultiplier tube, a vacuum-sealed container is formed by providing a light-receiving face plate at one end of a cylindrical side tube and a stem at the other end, and a photoelectron is formed on the inner surface of the light-receiving face plate. A discharge surface (photocathode) is provided, and a plurality of dynodes and anodes are stacked to face the photocathode, and a plurality of stem pins respectively connected to the dynodes and anodes of each step are provided from the inside of the sealed container. The light incident through the light receiving face plate is converted into electrons on the photocathode, and the electrons emitted from the photocathode are given a predetermined voltage via each stem pin. A so-called head-on type photomultiplier tube is known in which multiplication is performed sequentially at each applied dynode, and electrons that have been multiplied and reach the anode are taken out as electrical signals through an anode pin that is one of the stem pins. Yes.

このような光電子増倍管にあっては、真空密封容器を形成する金属側管の一端部に設けられたフランジ部に、ガラス製の受光面板を熱融着により接合したものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開平10−12185号公報(図1)
In such a photomultiplier tube, there is one in which a glass light-receiving face plate is joined to a flange portion provided at one end portion of a metal side tube forming a vacuum sealed container by thermal fusion (for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 10-12185 (FIG. 1)

しかしながら、上記のような光電子増倍管では、側管のフランジ部と受光面板との融着界面の接合強度(融着強度)が高いことや、両者間の真空気密性が優れていることが望まれている。   However, in the photomultiplier tube as described above, the bonding strength (fusion strength) at the fusion interface between the flange portion of the side tube and the light receiving face plate is high, and the vacuum tightness between the two is excellent. It is desired.

本発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、側管のフランジ部と受光面板との融着強度及び気密性を向上させることができる光検出器を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve such a problem, and provides a photodetector capable of improving the fusion strength and airtightness between the flange portion of the side tube and the light receiving face plate. Objective.

本発明は、導電性をもった側管及び当該側管の一端部に接合された受光面板を有する密封容器と、密封容器内に設けられ、受光面板を通して入射した光を電子に変換する光電面と、密封容器内に設けられ、光電面から放出された電子を出力信号として取り出すための陽極とを備える光検出器において、側管の一端部には、側管の内側に張り出したフランジ部が設けられ、受光面板は、フランジ部に酸化膜を介して融着接合されていることを特徴とするものである。   The present invention relates to a sealed container having a conductive side tube and a light receiving surface plate joined to one end of the side tube, and a photoelectric surface provided in the sealed container for converting light incident through the light receiving surface plate into electrons. And an anode for taking out the electrons emitted from the photocathode as an output signal, and a flange portion protruding inside the side tube at one end of the side tube. The light-receiving face plate provided is fusion-bonded to the flange portion through an oxide film.

このような光検出器を作る際には、例えば導電性をもった金属製の側管のフランジ部とガラス製の受光面板とを融着して接合する。このとき、フランジ部と受光面板との間に酸化膜を介在させた状態でフランジ部を加熱することにより、受光面板(ガラス)の融点を超えたあたりから、ガラスと酸化膜とが互いに拡散し、ガラスと金属とが混在した接合層(拡散層)が形成されるようになる。この拡散層によって、フランジ部と受光面板との融着界面における密着性が十分に高くなる。これにより、フランジ部と受光面板との接合強度が高くなり、更にはフランジ部と受光面板との真空気密性も高くなる。   When manufacturing such a photodetector, for example, a flange portion of a metal side tube having conductivity and a glass light receiving face plate are fused and joined. At this time, by heating the flange portion with an oxide film interposed between the flange portion and the light receiving face plate, the glass and the oxide film diffuse to each other after the melting point of the light receiving face plate (glass) is exceeded. Thus, a bonding layer (diffusion layer) in which glass and metal are mixed is formed. Due to this diffusion layer, the adhesion at the fusion interface between the flange portion and the light receiving face plate is sufficiently increased. As a result, the bonding strength between the flange portion and the light receiving face plate is increased, and the vacuum tightness between the flange portion and the light receiving face plate is also increased.

好ましくは、受光面板は、フランジ部の外面に酸化膜を介して融着接合された本体部と、本体部と一体化されていると共にフランジ部の内縁面によって画定される空間に入り込むように形成され、フランジ部の内縁面に酸化膜を介して融着接合された凸部とを有する。このように受光面板に凸部を設けることにより、その分だけ側管のフランジ部と受光面板との融着長が長くなる。これにより、フランジ部と受光面板との接合強度及び真空気密性がより高くなる。   Preferably, the light receiving face plate is formed so as to enter a space defined by the inner edge surface of the flange portion and the main body portion fused and bonded to the outer surface of the flange portion via an oxide film. And a convex portion fused and bonded to the inner edge surface of the flange portion via an oxide film. By providing the convex portion on the light receiving face plate in this way, the fusion length between the flange portion of the side tube and the light receiving face plate is increased accordingly. Thereby, the joint strength and vacuum tightness of a flange part and a light-receiving surface board become higher.

このとき、受光面板は、表面に酸化膜が形成されたフランジ部の外面上にガラス平板を載置した状態で、側管を加熱することにより形成されたものであることが好ましい。側管のフランジ部の外面上にガラス平板を載置した状態で側管を加熱すると、ガラス平板が溶け出し、これに伴ってフランジ部の内縁面によって画定される空間にガラス平板の中央部分が落し込まれ、凸部が形成されるようになる。このように一枚のガラス平板を用いて、凸部を有する受光面板を容易に且つ安価に形成することができる。   At this time, it is preferable that the light receiving face plate is formed by heating the side tube in a state where a glass flat plate is placed on the outer surface of the flange portion having an oxide film formed on the surface. When the side tube is heated with the glass flat plate placed on the outer surface of the flange portion of the side tube, the glass flat plate is melted, and accordingly, the central portion of the glass flat plate is in the space defined by the inner edge surface of the flange portion. It is dropped and a convex part is formed. Thus, the light-receiving surface plate which has a convex part can be formed easily and cheaply using one glass flat plate.

また、凸部の先端面及びフランジ部の内面には、導電性の薄膜が形成され、凸部の先端面に形成された導電性の薄膜とフランジ部の内面に形成された導電性の薄膜とは、ワイヤボンディングにより接続されており、光電面は、少なくとも凸部の先端面において導電性の薄膜を覆うように形成されていることが好ましい。光検出器を作る際には、上記のような凸部を有する受光面板を側管のフランジ部に融着接合した後に、凸部の先端面の縁部からフランジ部の内面にわたって導電性の薄膜を形成し、更に少なくとも凸部の先端面に光電面を形成することになる。ここで、凸部の先端面に形成される光電面は、凸部の先端面の縁部に形成された導電性の薄膜を覆うように形成される。この場合、上記の導電性の薄膜及び光電面を形成する前に、フランジ部の内面に形成されている不要な酸化膜を例えば化学研磨により除去する必要がある。しかし、このような化学研磨処理を行うと、フランジ部と受光面板の凸部との境界部分に窪みが生じるため、凸部の先端面及びフランジ部の内面に導電性の薄膜を形成したときに、凸部の先端面に形成された導電性の薄膜とフランジ部の内面に形成された導電性の薄膜とが電気的に接続されてない状態となる場合がある。そこで、凸部の先端面に形成された導電性の薄膜とフランジ部の内面に形成された導電性の薄膜とをワイヤボンディングで接続することにより、両者の電気的な接続が安定的に確保されるようになる。   In addition, a conductive thin film is formed on the front end surface of the convex portion and the inner surface of the flange portion, and a conductive thin film formed on the front end surface of the convex portion and a conductive thin film formed on the inner surface of the flange portion, Are connected by wire bonding, and the photocathode is preferably formed so as to cover the conductive thin film at least at the tip end surface of the convex portion. When making a photodetector, after the light-receiving face plate having the convex portion as described above is fusion-bonded to the flange portion of the side tube, the conductive thin film extends from the edge of the front end surface of the convex portion to the inner surface of the flange portion. In addition, a photocathode is formed at least on the tip surface of the convex portion. Here, the photocathode formed on the front end surface of the convex portion is formed so as to cover the conductive thin film formed on the edge portion of the front end surface of the convex portion. In this case, before forming the conductive thin film and the photocathode, it is necessary to remove an unnecessary oxide film formed on the inner surface of the flange portion by, for example, chemical polishing. However, when such a chemical polishing process is performed, a depression is generated at the boundary between the flange portion and the convex portion of the light receiving face plate. Therefore, when a conductive thin film is formed on the tip surface of the convex portion and the inner surface of the flange portion. In some cases, the conductive thin film formed on the front end surface of the convex portion and the conductive thin film formed on the inner surface of the flange portion are not electrically connected. Therefore, by connecting the conductive thin film formed on the tip surface of the convex portion and the conductive thin film formed on the inner surface of the flange portion by wire bonding, the electrical connection between them can be stably secured. Become so.

ここで、上記光検出器の密封容器内に設けられ、光電面から放出された電子を増倍して陽極に入射させる電子増倍部を更に備えれば、上記作用を奏する好適な光電子増倍管が得られる。   Here, if it further includes an electron multiplying unit that is provided in a sealed container of the photodetector and that multiplies electrons emitted from the photocathode and enters the anode, a suitable photomultiplier that achieves the above-described effects can be obtained. A tube is obtained.

また、上記光検出器の受光面板の外側に配置され、放射線を光に変換して放出するシンチレータを更に備えれば、上記作用を奏する好適な放射線検出装置が得られる。   Moreover, if the scintillator which is arrange | positioned on the outer side of the light-receiving surface plate of the said photodetector and converts radiation into light and discharge | releases is further provided, the suitable radiation detection apparatus which has the said effect | action will be obtained.

本発明によれば、受光面板を側管のフランジ部に酸化膜を介して融着接合するようにしたので、フランジ部と受光面板との融着強度及び気密性が向上する。   According to the present invention, since the light receiving face plate is fusion bonded to the flange portion of the side tube via the oxide film, the fusion strength and airtightness between the flange portion and the light receiving face plate are improved.

以下、図面を参照しながら本発明に係る光検出器の好適な実施形態について説明する。なお、以下の説明における「上」、「下」等の語は図面に示す状態に基づく便宜的なものである。また、各図において同一又は相当の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the photodetector according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, terms such as “upper” and “lower” are for convenience based on the state shown in the drawings. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same or an equivalent part, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1及び図2は、本発明に係る光検出器の一実施形態として光電子増倍管を示す平面図及び底面図であり、図3は図1におけるIII-III線に沿う断面図である。図1〜図3において、光電子増倍管1は、外部から入射した光によって電子を放出し、その電子を増倍させて信号として出力させるための装置として構成されている。   1 and 2 are a plan view and a bottom view showing a photomultiplier tube as an embodiment of the photodetector according to the present invention, and FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 1 to 3, the photomultiplier tube 1 is configured as a device for emitting electrons by light incident from the outside, multiplying the electrons, and outputting them as a signal.

光電子増倍管1は、略円筒形状をなす金属製の側管2を有している。側管2は、例えば鉄、ニッケル及びコバール金属の合金で形成されている。側管2の一端部(上端部)には、側管2の内側に張り出した環状のフランジ部51が設けられ、側管2の他端部(下端部)には、側管2の外側に張り出した環状のフランジ部52が設けられている。   The photomultiplier tube 1 has a metal side tube 2 having a substantially cylindrical shape. The side tube 2 is made of, for example, an alloy of iron, nickel, and kovar metal. One end portion (upper end portion) of the side tube 2 is provided with an annular flange portion 51 projecting inside the side tube 2, and the other end portion (lower end portion) of the side tube 2 is disposed outside the side tube 2. An overhanging annular flange 52 is provided.

側管2の上側の開口端にはガラス製の受光面板3が気密に固定され、受光面板3の内側表面には、受光面板3を通して入射した光を電子に変換するための光電子放出面(以下、光電面)4が形成されている。なお、これらの受光面板3及び光電面4については、後で詳述する。   A light receiving face plate 3 made of glass is airtightly fixed to the upper opening end of the side tube 2, and a photoelectron emission surface (hereinafter referred to as “electron emission surface”) for converting light incident through the light receiving face plate 3 into electrons on the inner surface of the light receiving face plate 3. , Photocathode) 4 is formed. The light receiving face plate 3 and the photocathode 4 will be described in detail later.

側管2の下側の開口端には、円板状のステム5が配置されている。ここで、ステム5において、光電子増倍管1の密封容器8の形成時に真空となる側を内側(上側)とする。ステム5には、略円状の位置に周方向に互いに離間して配置された複数(15本)の導電性のステムピン6が気密に挿着されている。具体的には、ステム5は、ベース材14と、ベース材14の上側(内側)に接合された上側押え材15と、ベース材14の下側(外側)に接合された下側押え材16とを融着接合して成る3層構造とされている。ベース材14は、例えばコバールを主成分とした絶縁性ガラスから構成された円板状の部材であり、上側押え材15及び下側押え材16は、コバールに例えばアルミナ系粉末を添加することにより、ベース材14より高融点とされた絶縁性ガラスから構成された円板状の部材である。そして、ベース材14と各ステムピン6とが融着されている。なお、ステム5の構造は、特に上記のような3層構造には限られず、ベース材のみからなる単層構造や、ベース材及び押え材からなる2層構造等であっても良い。   A disc-shaped stem 5 is disposed at the lower open end of the side tube 2. Here, in the stem 5, a side that becomes a vacuum when the sealed container 8 of the photomultiplier tube 1 is formed is defined as an inner side (upper side). A plurality (15) of conductive stem pins 6 that are spaced apart from each other in the circumferential direction are inserted into the stem 5 in an airtight manner at substantially circular positions. Specifically, the stem 5 includes a base material 14, an upper presser material 15 joined to the upper side (inner side) of the base material 14, and a lower presser material 16 joined to the lower side (outer side) of the base material 14. And a three-layer structure formed by fusion bonding. The base material 14 is a disk-shaped member made of insulating glass whose main component is Kovar, for example, and the upper presser material 15 and the lower presser material 16 are obtained by adding, for example, alumina powder to Kovar. This is a disk-shaped member made of insulating glass having a higher melting point than the base material 14. The base material 14 and each stem pin 6 are fused. The structure of the stem 5 is not particularly limited to the three-layer structure as described above, and may be a single-layer structure including only a base material, a two-layer structure including a base material and a pressing material, or the like.

ステム5には、当該ステム5を側方から包囲するように金属製のリング状側管7が気密に固定されている。具体的には、リング状側管7は、ステム5のベース材14に融着されている。リング状側管7の一端部(上端部)には、リング状側管7の外側に張り出した環状のフランジ部7aが設けられている。このフランジ部7aと側管2の下端部に形成されたフランジ部52とが溶接されることで、側管2とリング状側管7とは気密に固定されている。   A metal ring-shaped side tube 7 is airtightly fixed to the stem 5 so as to surround the stem 5 from the side. Specifically, the ring-shaped side tube 7 is fused to the base material 14 of the stem 5. At one end (upper end) of the ring-shaped side tube 7, an annular flange portion 7 a projecting outside the ring-shaped side tube 7 is provided. By welding the flange portion 7a and the flange portion 52 formed at the lower end portion of the side tube 2, the side tube 2 and the ring-shaped side tube 7 are fixed in an airtight manner.

上記の側管2、受光面板3、ステム5及びリング状側管7によって、内部が真空状態に保たれた密封容器8が形成されている。このような密封容器8内には、光電面4から放出された電子を増倍するための電子増倍部9が収容されている。この電子増倍部9は、電子増倍孔を多数有する薄板状のダイノード10が複数段(本実施形態では10段)に積層されてブロック状に形成され、ステム5の上面に設置されている。各ダイノード10の所定の縁部には、外側に突出するダイノード接続片10cがそれぞれ形成され、各ダイノード接続片10cの下面側には、ステム5に挿着された所定のステムピン6の先端部分が溶接固定されている。これにより、各ダイノード10と各ステムピン6との電気的な接続がなされている。   The side tube 2, the light receiving face plate 3, the stem 5, and the ring-shaped side tube 7 form a sealed container 8 whose inside is kept in a vacuum state. In such a sealed container 8, an electron multiplier 9 for multiplying electrons emitted from the photocathode 4 is accommodated. The electron multiplier section 9 is formed in a block shape by laminating a thin plate-like dynode 10 having a large number of electron multiplier holes in a plurality of stages (in this embodiment, 10 stages), and is installed on the upper surface of the stem 5. . A dynode connection piece 10c that protrudes outward is formed at a predetermined edge of each dynode 10, and a tip portion of a predetermined stem pin 6 inserted into the stem 5 is formed on the lower surface side of each dynode connection piece 10c. It is fixed by welding. Thereby, each dynode 10 and each stem pin 6 are electrically connected.

さらに、密封容器8内において、電子増倍部9と光電面4との間には、光電面4から放出された電子を電子増倍部9に収束させて導くための平板状の収束電極11が設置されている。また、最終段のダイノード10bの一段上の段には、電子増倍部9により増倍され最終段のダイノード10bより放出された電子を出力信号として取り出すための平板状アノード(陽極)12が積層されている。   Further, in the sealed container 8, a flat focusing electrode 11 for converging and guiding electrons emitted from the photocathode 4 to the electron multiplier 9 between the electron multiplier 9 and the photocathode 4. Is installed. Further, a flat plate anode (anode) 12 is stacked on the upper stage of the final stage dynode 10b for taking out the electrons emitted from the final stage dynode 10b as an output signal. Has been.

収束電極11の四隅には、外側に突出する突出片11aがそれぞれ形成され、この各突出片11aに所定のステムピン6が溶接固定されることでステムピン6と収束電極11との電気的な接続がなされている。また、アノード12の所定の縁部にも、外側に突出するアノード接続片12aが形成され、このアノード接続片12aにステムピン6の一つであるアノードピン13が溶接固定されることでアノードピン13とアノード12との電気的な接続がなされている。そして、図示しない電源回路に接続した各ステムピン6によって電子増倍部9及びアノード12に所定の電圧が印加されると、光電面4と収束電極11とは同電位に設定され、各ダイノード10は積層順に上段から下段に行くに従って高電位に設定される。また、アノード12は最終段のダイノード10bよりも高電位に設定される。   Protruding pieces 11a projecting outward are formed at the four corners of the converging electrode 11, and predetermined stem pins 6 are welded and fixed to the projecting pieces 11a, whereby the stem pin 6 and the converging electrode 11 are electrically connected. Has been made. An anode connecting piece 12a protruding outward is also formed at a predetermined edge of the anode 12, and an anode pin 13 which is one of the stem pins 6 is welded and fixed to the anode connecting piece 12a. And the anode 12 are electrically connected. When a predetermined voltage is applied to the electron multiplier 9 and the anode 12 by each stem pin 6 connected to a power supply circuit (not shown), the photocathode 4 and the convergence electrode 11 are set to the same potential, and each dynode 10 The higher potential is set from the upper level to the lower level in the stacking order. The anode 12 is set to a higher potential than the final dynode 10b.

以上のように構成された光電子増倍管1では、受光面板3側から光電面4に光(hν)が入射すると、この光電面4において光が光電変換されて密封容器8内に電子(e)が放出される。放出された電子は、収束電極11によって電子増倍部9の一段目のダイノード10aに収束される。そして、電子は電子増倍部9内で順次増倍されていき、最終段のダイノード10bから2次電子群が放出される。この2次電子群はアノード12に導かれ、アノードピン13を介して外部に出力される。 In the photomultiplier tube 1 configured as described above, when light (hν) is incident on the photocathode 4 from the light receiving face plate 3 side, light is photoelectrically converted on the photocathode 4 and electrons (e - ) Is released. The emitted electrons are converged to the first stage dynode 10 a by the focusing electrode 11. Then, the electrons are sequentially multiplied in the electron multiplying unit 9, and secondary electron groups are emitted from the last dynode 10b. The secondary electron group is guided to the anode 12 and output to the outside through the anode pin 13.

受光面板3及び光電面4を含む光電子増倍管1の上部構造について、図3及び図4により更に詳細に説明する。   The upper structure of the photomultiplier tube 1 including the light receiving face plate 3 and the photocathode 4 will be described in more detail with reference to FIGS.

受光面板3は、側管2に形成されたフランジ部51の外面(上面)51aに融着接合された本体部3aと、この本体部3aと一体化されていると共にフランジ部51の内縁面51bによって画定される空間に入り込むように形成され、フランジ部51の内縁面51bに融着接合された凸部3bとを有している。内縁面51bは、上面51aに対して略垂直な面である。受光面板3の上面と、受光面板3の下面つまり凸部3bの先端面Pは、実質的に平坦となっている。また、凸部3bの先端面Pは、フランジ部51の内面51cとほぼ面一となっている。   The light-receiving face plate 3 includes a main body portion 3a that is fusion-bonded to an outer surface (upper surface) 51a of a flange portion 51 formed in the side tube 2, and an inner edge surface 51b of the flange portion 51 that is integrated with the main body portion 3a. And a convex portion 3b that is fusion-bonded to the inner edge surface 51b of the flange portion 51. The inner edge surface 51b is a surface substantially perpendicular to the upper surface 51a. The upper surface of the light receiving surface plate 3 and the lower surface of the light receiving surface plate 3, that is, the tip surface P of the convex portion 3b are substantially flat. Further, the tip surface P of the convex portion 3 b is substantially flush with the inner surface 51 c of the flange portion 51.

フランジ部51の上面51a及び内縁面51bには、金属酸化膜(例えば鉄酸化膜)53が形成されている。「金属酸化膜」とは、ワーク母材に含有される元素が酸素、加熱雰囲気中に曝されたときに酸素と結合することによって形成される膜状の金属酸化層である。従って、受光面板3の本体部3aは、金属酸化膜53を介してフランジ部51の上面51aに融着され、受光面板3の凸部3bは、金属酸化膜53を介してフランジ部51の内縁面51bに融着されている事になる。なお、側管2において、受光面板3と接合されるフランジ部51の上面51a及び内縁面51b以外の領域の表面には、金属酸化膜53は形成されていない。   A metal oxide film (for example, an iron oxide film) 53 is formed on the upper surface 51 a and the inner edge surface 51 b of the flange portion 51. A “metal oxide film” is a film-like metal oxide layer formed by combining an element contained in a workpiece base material with oxygen when exposed to oxygen or a heated atmosphere. Accordingly, the main body 3 a of the light receiving surface plate 3 is fused to the upper surface 51 a of the flange portion 51 via the metal oxide film 53, and the convex portion 3 b of the light receiving surface plate 3 is connected to the inner edge of the flange portion 51 via the metal oxide film 53. It is fused to the surface 51b. In the side tube 2, the metal oxide film 53 is not formed on the surface of the region other than the upper surface 51 a and the inner edge surface 51 b of the flange portion 51 joined to the light receiving surface plate 3.

光電面4は、凸部3bの先端面P及びフランジ部51の内面51cに導電性の薄膜(例えばアルミ蒸着膜)54を介して形成されている。導電性の薄膜54は、側管2の内面及び受光面板3の下面の周縁部にわたって形成されている。このため、フランジ部51の内面51c及び受光面板3の下面(凸部3bの先端面P)の周縁部に対しては、光電面4が導電性の薄膜54の表面に形成され、凸部3bの先端面Pの中央部に対しては、光電面4が受光面板3の表面(凸部3bの先端面Pのうち導電性の薄膜54が形成されていない領域)に直接形成されている。この受光面板3の表面に直接形成される面が光電面4の有効面となる。   The photocathode 4 is formed on the tip surface P of the convex portion 3 b and the inner surface 51 c of the flange portion 51 via a conductive thin film (for example, an aluminum vapor deposition film) 54. The conductive thin film 54 is formed over the periphery of the inner surface of the side tube 2 and the lower surface of the light receiving surface plate 3. For this reason, the photocathode 4 is formed on the surface of the conductive thin film 54 on the inner peripheral surface 51c of the flange portion 51 and the peripheral portion of the lower surface of the light receiving face plate 3 (tip surface P of the convex portion 3b), and the convex portion 3b. The photocathode 4 is directly formed on the surface of the light receiving surface plate 3 (the region where the conductive thin film 54 is not formed on the tip surface P of the convex portion 3b). The surface directly formed on the surface of the light receiving surface plate 3 is the effective surface of the photocathode 4.

フランジ部51の内縁面51bと凸部3bとの境界部分には、窪み55が形成されている。この窪み55は、フランジ部51の内面51cに形成された不要な金属酸化膜を化学研磨により除去する(後述)ことによって生じるものである。この状態で、導電性の薄膜54及び光電面4を順次形成すると、窪み55内に、フランジ部51の内縁面51bと凸部3bとの境界部分に形成されるはずの導電性の薄膜54及び光電面4が入り込む。このため、凸部3bの先端面Pに形成された導電性の薄膜54(薄膜54aとする)とフランジ部51の内面51cに形成された導電性の薄膜54(薄膜54bとする)との間に、電気的な接続が無い状態となる場合がある。このため、薄膜54a,54b同士は、ワイヤ56で接続(ワイヤボンディング)されて、電気的に接続される。   A recess 55 is formed at a boundary portion between the inner edge surface 51b of the flange portion 51 and the convex portion 3b. The recess 55 is generated by removing an unnecessary metal oxide film formed on the inner surface 51c of the flange portion 51 by chemical polishing (described later). When the conductive thin film 54 and the photocathode 4 are sequentially formed in this state, the conductive thin film 54 and the conductive thin film 54 that should be formed at the boundary between the inner edge surface 51b of the flange portion 51 and the convex portion 3b in the recess 55. The photocathode 4 enters. Therefore, between the conductive thin film 54 (referred to as a thin film 54a) formed on the tip surface P of the convex portion 3b and the conductive thin film 54 (referred to as a thin film 54b) formed on the inner surface 51c of the flange portion 51. In some cases, there is no electrical connection. For this reason, the thin films 54a and 54b are electrically connected by being connected (wire bonding) with the wire 56.

次に、側管2のフランジ部51に受光面板3を取り付け、更に光電面4を形成する方法について説明する。まず図5(a)に示すように、側管2と、受光面板3の基となるガラス平板57とを用意する。そして、例えば電気炉にて、側管2の全表面に金属酸化膜53を形成する。   Next, a method of attaching the light receiving face plate 3 to the flange portion 51 of the side tube 2 and further forming the photocathode 4 will be described. First, as shown in FIG. 5A, a side tube 2 and a glass flat plate 57 serving as a base of the light receiving face plate 3 are prepared. Then, a metal oxide film 53 is formed on the entire surface of the side tube 2 using, for example, an electric furnace.

続いて、図5(b)に示すように、側管2のフランジ部51の上面51a上にガラス平板57を載置する。そして、図示しない融着治具等を用いて側管2を加熱する。なお、側管2の加熱手法しては、例えば高周波加熱等の誘導加熱を採用する。   Subsequently, as shown in FIG. 5B, a glass flat plate 57 is placed on the upper surface 51 a of the flange portion 51 of the side tube 2. And the side pipe | tube 2 is heated using the melt | fusion jig etc. which are not shown in figure. In addition, as a heating method of the side tube 2, induction heating such as high-frequency heating is employed, for example.

このように側管2を加熱すると、ガラス平板57はフランジ部51に近い部分から溶け出す。その結果、図5(c)に示すように、フランジ部51の内縁面51bによって画定される空間にガラス平板57の中央部分(フランジ部51の上面51aに接している領域を除く部分)が落とし込まれ、フランジ部51の上面51a及び内縁面51bとガラス平板57とが融着されるようになる。これにより、フランジ部51の上面51aに融着された本体部3aとフランジ部51の内縁面51bに融着された凸部3bとからなる受光面板3が形成されることとなる。   When the side tube 2 is heated in this way, the glass flat plate 57 melts from a portion close to the flange portion 51. As a result, as shown in FIG. 5C, the central portion of the glass flat plate 57 (the portion excluding the region in contact with the upper surface 51a of the flange portion 51) is dropped in the space defined by the inner edge surface 51b of the flange portion 51. The upper surface 51a and inner edge surface 51b of the flange portion 51 and the glass flat plate 57 are fused. As a result, the light-receiving face plate 3 is formed which includes the main body part 3 a fused to the upper surface 51 a of the flange part 51 and the convex part 3 b fused to the inner edge face 51 b of the flange part 51.

以上のように側管2の加熱によるガラス平板57の溶融・落とし込みを利用することにより、1枚のガラス平板57のみを使って、凸部3bを有する受光面板3を容易に且つ安価に作ることができる。また、そのように凸部3bを有する受光面板3を形成しながら、側管2のフランジ部51に融着接合するので、光電子増倍管1の製造工程の簡素化を図ることが可能となる。   By using the melting / dropping of the glass flat plate 57 by heating the side tube 2 as described above, the light-receiving face plate 3 having the convex portions 3b can be easily and inexpensively made using only one glass flat plate 57. Can do. Further, since the light-receiving face plate 3 having the convex portions 3b is formed as described above, it is fusion bonded to the flange portion 51 of the side tube 2, so that the manufacturing process of the photomultiplier tube 1 can be simplified. .

ここで、フランジ部51の表面には金属酸化膜53が形成されているので、図5(b)に示すようにガラス平板57がフランジ部51に密着された状態で側管2を加熱すると、ガラス平板57の融点を超えたあたりから、ガラス平板57と金属酸化膜53とが互いに拡散し、ガラスと金属とが混在した接合層(拡散層)が形成されるようになる。このため、フランジ部51の表面に金属酸化膜53を形成しない状態でフランジ部51と受光面板3とを融着した場合に比べて、フランジ部51と受光面板3との密着性が良くなり、フランジ部51と受光面板3とのシール性(真空気密性)及び接合強度に対して有利となる。   Here, since the metal oxide film 53 is formed on the surface of the flange portion 51, when the side tube 2 is heated in a state where the glass flat plate 57 is in close contact with the flange portion 51 as shown in FIG. When the melting point of the glass flat plate 57 is exceeded, the glass flat plate 57 and the metal oxide film 53 diffuse to each other, and a bonding layer (diffusion layer) in which glass and metal are mixed is formed. For this reason, compared with the case where the flange part 51 and the light-receiving surface plate 3 are fused together without forming the metal oxide film 53 on the surface of the flange part 51, the adhesion between the flange part 51 and the light-receiving surface plate 3 is improved. This is advantageous with respect to the sealing performance (vacuum hermeticity) and bonding strength between the flange portion 51 and the light receiving face plate 3.

続いて、後で側管2の内面に導電性の薄膜54を形成したり、側管2の外面にメッキを施すこと等を考慮して、側管2の表面に露出している金属酸化膜53を化学研磨により除去する。この処理を行うと、上述したようにフランジ部51の内縁面51bと受光面板3の凸部3bとの境界部分に窪み55が形成される。   Subsequently, a metal oxide film exposed on the surface of the side tube 2 in consideration of later forming a conductive thin film 54 on the inner surface of the side tube 2 or plating the outer surface of the side tube 2. 53 is removed by chemical polishing. When this process is performed, a depression 55 is formed at the boundary between the inner edge surface 51b of the flange portion 51 and the convex portion 3b of the light receiving surface plate 3 as described above.

続いて、側管2の内面と受光面板3の下面(凸部3bの先端面P)の縁部とに導電性の薄膜54を形成する。そして、側管2の内面に形成された導電性の薄膜54と受光面板3の下面に形成された導電性の薄膜54とをワイヤ56でつなぐ、所謂ワイヤボンディングを施す。これにより、上記の窪み55があっても、側管2の内面に形成された導電性の薄膜54と受光面板3の下面に形成された導電性の薄膜54との電気的接続が確保されるようになる。そして、フランジ部51の内面51cと受光面板3の凸部3bの先端面Pとに光電面4を形成する。光電面4は、例えば受光面板3の下面(凸部3bの先端面P)から側管2の内面にわたってアンチモンを蒸着し、これにアルカリ金属蒸着を反応させることで形成される。   Subsequently, a conductive thin film 54 is formed on the inner surface of the side tube 2 and the edge of the lower surface of the light receiving surface plate 3 (the tip surface P of the convex portion 3b). Then, so-called wire bonding is performed in which the conductive thin film 54 formed on the inner surface of the side tube 2 and the conductive thin film 54 formed on the lower surface of the light receiving face plate 3 are connected by a wire 56. Thereby, even if there exists said hollow 55, the electrical connection of the electroconductive thin film 54 formed in the inner surface of the side tube 2 and the electroconductive thin film 54 formed in the lower surface of the light-receiving surface board 3 is ensured. It becomes like this. Then, the photocathode 4 is formed on the inner surface 51 c of the flange portion 51 and the tip surface P of the convex portion 3 b of the light receiving surface plate 3. The photocathode 4 is formed, for example, by depositing antimony over the inner surface of the side tube 2 from the lower surface of the light receiving surface plate 3 (tip surface P of the convex portion 3b), and reacting this with alkali metal deposition.

ここで、具体的な例としては、フランジ部51の内面51cを含む側管2の内面全体から受光面板3の凸部3bの先端面Pの周縁部にわたって導電性の薄膜54を形成し、凸部3bの先端面Pに形成された導電性の薄膜54とフランジ部51の内面51cに形成された導電性の薄膜54とをワイヤボンディングにより電気的に接続した。このとき、導電性の薄膜54は凸部3bの先端面Pの周縁部に幅0.5mmで形成され、その後、受光面板3の下面からフランジ部51の内面51cにわたって光電面4を形成することにより、有効径8mmの光電面4を得た。   Here, as a specific example, a conductive thin film 54 is formed from the entire inner surface of the side tube 2 including the inner surface 51c of the flange portion 51 to the peripheral edge portion of the tip surface P of the convex portion 3b of the light-receiving surface plate 3. The conductive thin film 54 formed on the tip surface P of the portion 3b and the conductive thin film 54 formed on the inner surface 51c of the flange portion 51 were electrically connected by wire bonding. At this time, the conductive thin film 54 is formed with a width of 0.5 mm at the peripheral edge of the front end surface P of the convex portion 3 b, and then the photocathode 4 is formed from the lower surface of the light receiving surface plate 3 to the inner surface 51 c of the flange portion 51. Thus, a photocathode 4 having an effective diameter of 8 mm was obtained.

以上のように本実施形態にあっては、受光面板3が側管2のフランジ部51の表面に形成された金属酸化膜53を介してフランジ部51に融着接合される構成としたので、上述したようにフランジ部51と受光面板3との密着性が十分に高くなる。また、受光面板3を本体部3aと凸部3bとからなる構成とすると共に、本体部3aをフランジ部51の上面51aに融着させ、凸部3bをフランジ部51の内縁面51bに融着させたので、受光面板3とフランジ部51との融着長が十分長くとれる。これにより、受光面板3とフランジ部51との融着界面における接合強度(融着強度)及びシール性を向上させることができる。   As described above, in the present embodiment, since the light receiving face plate 3 is fusion bonded to the flange portion 51 via the metal oxide film 53 formed on the surface of the flange portion 51 of the side tube 2, As described above, the adhesion between the flange portion 51 and the light receiving face plate 3 is sufficiently high. Further, the light receiving face plate 3 is composed of the main body 3 a and the convex 3 b, the main body 3 a is fused to the upper surface 51 a of the flange 51, and the convex 3 b is fused to the inner edge surface 51 b of the flange 51. Therefore, the fusion length between the light receiving face plate 3 and the flange portion 51 can be made sufficiently long. Thereby, the joint strength (fusion strength) and the sealing performance at the fusion interface between the light receiving face plate 3 and the flange portion 51 can be improved.

上記の光電子増倍管1の変形例を図6に示す。同図に示す光電子増倍管20は、ステム5の中央部分に金属製の排気管19を設けたものである。この排気管19は、光電子増倍管20の組み立て終了後に密封容器8の内部を真空ポンプ(図示しない)等によって排気して真空状態にするために利用することができる。その他の構成は、光電子増倍管1と同等である。   A modification of the photomultiplier tube 1 is shown in FIG. The photomultiplier tube 20 shown in FIG. 1 is provided with a metal exhaust pipe 19 at the center of the stem 5. The exhaust pipe 19 can be used to evacuate the inside of the sealed container 8 with a vacuum pump (not shown) or the like after the assembly of the photomultiplier tube 20 is completed. Other configurations are the same as those of the photomultiplier tube 1.

上記の光電子増倍管1の別の変形例を図7に示す。同図に示す光電子増倍管26は、ステム5に固定したリング状側管7に、上記の側管2よりも長尺の側管27を嵌め合わせて、リング状側管7の下端部に形成されたフランジ部7aと側管27の下端部に形成されたフランジ部27aとを溶接固定したものである。その他の構成は、図6に示す光電子増倍管20と同等である。   Another modification of the photomultiplier tube 1 is shown in FIG. The photomultiplier tube 26 shown in the figure is fitted to the ring-shaped side tube 7 fixed to the stem 5 by fitting a side tube 27 longer than the side tube 2 to the lower end of the ring-shaped side tube 7. The formed flange portion 7a and the flange portion 27a formed at the lower end portion of the side tube 27 are fixed by welding. The other configuration is the same as that of the photomultiplier tube 20 shown in FIG.

図8は、本発明に係る光検出器の他の実施形態として、上述した光電子増倍管1を備えた放射線検出装置を示す構成図である。同図において、放射線検出装置21は、光電子増倍管1の受光面板3の上側(外側)に設置され、放射線を光に変換して放出するシンチレータ22を備えている。このような放射線検出装置21は光電子増倍管1を有しているので、上述したように受光面板3と側管2のフランジ部51との間の融着強度及びシール性を向上させることができる。   FIG. 8 is a configuration diagram showing a radiation detection apparatus including the above-described photomultiplier tube 1 as another embodiment of the photodetector according to the present invention. In the figure, a radiation detection device 21 is provided on the upper side (outside) of the light receiving face plate 3 of the photomultiplier tube 1 and includes a scintillator 22 that converts radiation into light and emits it. Since such a radiation detection apparatus 21 has the photomultiplier tube 1, it is possible to improve the fusion strength and the sealing performance between the light receiving face plate 3 and the flange portion 51 of the side tube 2 as described above. it can.

なお、本発明は、上記実施形態には限定されるものではない。例えば側管2のフランジ部51の形状については、特に上記実施形態のものには限られず、例えば図9に示すように種々変形可能である。図9(a)に示すフランジ部51は、上面51aに対して傾斜した内縁面51bを有している。図9(b)に示すフランジ部51は、上面51a及び内縁面51bとそれぞれ隣り合う傾斜面51dを有している。図9(c)に示すフランジ部51は、曲面状の内縁面51bを有している。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the shape of the flange portion 51 of the side tube 2 is not particularly limited to that of the above embodiment, and can be variously modified as shown in FIG. The flange portion 51 shown in FIG. 9A has an inner edge surface 51b inclined with respect to the upper surface 51a. The flange portion 51 shown in FIG. 9B has inclined surfaces 51d adjacent to the upper surface 51a and the inner edge surface 51b, respectively. The flange portion 51 shown in FIG. 9C has a curved inner edge surface 51b.

また、上記実施形態では、光電面4を受光面板3の凸部3bの先端面Pからフランジ部51の内面51cにわたって形成したが、図10に示すように、光電面4を受光面板3の凸部3bの先端面Pのみに形成し、受光面板3の凸部3bの先端面Pに形成した導電性の薄膜54とフランジ部51の内面51cに形成した導電性の薄膜54とをワイヤ56でつなぐ構成としても良い。この場合、凸部3bの先端面Pの周縁部に形成される光電面4は、導電性の薄膜54の表面上に形成されることになる。   In the above embodiment, the photocathode 4 is formed from the front end surface P of the convex portion 3b of the light receiving face plate 3 to the inner surface 51c of the flange portion 51. However, as shown in FIG. The conductive thin film 54 formed only on the front end surface P of the portion 3 b and formed on the front end surface P of the convex portion 3 b of the light receiving surface plate 3 and the conductive thin film 54 formed on the inner surface 51 c of the flange portion 51 are connected by a wire 56. It is good also as a structure to connect. In this case, the photocathode 4 formed on the peripheral edge of the tip surface P of the convex portion 3b is formed on the surface of the conductive thin film 54.

また、上記実施形態では、ガラス平板57の落とし込みを利用して、凸部3bを有する受光面板3を形成しながら、受光面板3を側管2のフランジ部51に融着接合するようにしたが、本体部3a及び凸部3bからなる受光面板3を別に作り、その受光面板3をフランジ部51に融着接合させても良い。   In the above embodiment, the light receiving surface plate 3 is fusion bonded to the flange portion 51 of the side tube 2 while forming the light receiving surface plate 3 having the convex portions 3b by using the drop of the glass flat plate 57. Alternatively, the light receiving face plate 3 composed of the main body portion 3a and the convex portion 3b may be made separately, and the light receiving face plate 3 may be fusion bonded to the flange portion 51.

また、上記実施形態では、本体部3a及び凸部3bからなる受光面板3を使用したが、平板状の受光面板を使用することもできる。この場合には、平板状の受光面板を、フランジ部51の外面51aまたは内面51cに形成された金属酸化膜53を介してフランジ部51に融着接合する。   Moreover, in the said embodiment, although the light-receiving surface plate 3 which consists of the main-body part 3a and the convex part 3b was used, a flat light-receiving surface plate can also be used. In this case, the flat light receiving face plate is fusion bonded to the flange portion 51 via the metal oxide film 53 formed on the outer surface 51a or the inner surface 51c of the flange portion 51.

さらに、上記実施形態は、光検出器を光電子増倍管と、当該光電子増倍管を備えた放射線検出装置とに適用したものであるが、本発明の光検出器は、電子増倍部の無い電子管等にも適用可能である。   Further, in the above-described embodiment, the photodetector is applied to a photomultiplier tube and a radiation detector provided with the photomultiplier tube. However, the photodetector of the present invention is an electron multiplier unit. The present invention can also be applied to an electron tube that does not exist.

本発明に係る光検出器の一実施形態として光電子増倍管を示す平面図である。It is a top view which shows a photomultiplier tube as one Embodiment of the photodetector which concerns on this invention. 図1に示した光電子増倍管の底面図である。It is a bottom view of the photomultiplier shown in FIG. 図1に示した光電子増倍管のIII-III線断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the photomultiplier tube shown in FIG. 1 taken along the line III-III. 図3に示した光電子増倍管の上部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the upper part of the photomultiplier shown in FIG. 図3に示した受光面板を形成しながら側管のフランジ部に融着接合する工程を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the process of melt-bonding to the flange part of a side pipe, forming the light-receiving surface plate shown in FIG. 図3に示した光電子増倍管の変形例を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the modification of the photomultiplier tube shown in FIG. 図3に示した光電子増倍管の別の変形例を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows another modification of the photomultiplier tube shown in FIG. 本発明に係る光検出器の他の実施形態として、図3に示した光電子増倍管を備えた放射線検出装置を示す構成図である。It is a block diagram which shows the radiation detection apparatus provided with the photomultiplier tube shown in FIG. 3 as other embodiment of the photodetector which concerns on this invention. 側管の上端部に形成されたフランジ部の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the flange part formed in the upper end part of a side pipe. 図3に示した光電子増倍管の変形例における上部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the upper part in the modification of the photomultiplier tube shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1,20,26…光電子増倍管(光検出器)、2,27…側管、3…受光面板、3a…本体部、3b…凸部、4…光電面、5…ステム、7…リング状側管、8…密封容器、9…電子増倍部、12…アノード(陽極)、21…放射線検出装置(光検出器)、22…シンチレータ、51…フランジ部、51a…上面(外面)、51b…内縁面、51c…内面、53…金属酸化膜、54…導電性の薄膜、56…ワイヤ、57…ガラス平板。


DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,20,26 ... Photomultiplier tube (photodetector), 2,27 ... Side tube, 3 ... Light-receiving surface plate, 3a ... Main part, 3b ... Convex part, 4 ... Photoelectric surface, 5 ... Stem, 7 ... Ring 8 ... sealed container, 9 ... electron multiplier, 12 ... anode (anode), 21 ... radiation detector (photodetector), 22 ... scintillator, 51 ... flange, 51a ... upper surface (outer surface), 51b ... inner edge surface, 51c ... inner surface, 53 ... metal oxide film, 54 ... conductive thin film, 56 ... wire, 57 ... glass flat plate.


Claims (6)

導電性をもった側管及び当該側管の一端部に接合された受光面板を有する密封容器と、前記密封容器内に設けられ、前記受光面板を通して入射した光を電子に変換する光電面と、前記密封容器内に設けられ、前記光電面から放出された電子を出力信号として取り出すための陽極とを備える光検出器において、
前記側管の一端部には、前記側管の内側に張り出したフランジ部が設けられ、
前記受光面板は、前記フランジ部に酸化膜を介して融着接合されていることを特徴とする光検出器。
A sealed vessel having a conductive side tube and a light receiving face plate joined to one end of the side tube; a photocathode provided in the sealed vessel and converting light incident through the light receiving face plate into electrons; In the photodetector provided in the sealed container and provided with an anode for taking out the electrons emitted from the photocathode as an output signal,
One end of the side tube is provided with a flange portion projecting inside the side tube,
The photodetector, wherein the light receiving face plate is fusion bonded to the flange portion via an oxide film.
前記受光面板は、前記フランジ部の外面に前記酸化膜を介して融着接合された本体部と、前記本体部と一体化されていると共に前記フランジ部の内縁面によって画定される空間に入り込むように形成され、前記フランジ部の内縁面に前記酸化膜を介して融着接合された凸部とを有することを特徴とする請求項1記載の光検出器。   The light-receiving face plate is integrated with the main body part fusion-bonded to the outer surface of the flange part via the oxide film, and is integrated with the main body part and enters a space defined by the inner edge surface of the flange part. The photodetector according to claim 1, further comprising: a convex portion formed on the inner edge surface of the flange portion and fusion-bonded via the oxide film. 前記受光面板は、表面に前記酸化膜が形成された前記フランジ部の外面上にガラス平板を載置した状態で、前記側管を加熱することにより形成されたものであることを特徴とする請求項2記載の光検出器。   The said light-receiving surface plate is formed by heating the said side tube in the state which mounted the glass flat plate on the outer surface of the said flange part in which the said oxide film was formed in the surface. Item 3. The photodetector according to Item 2. 前記凸部の先端面及び前記フランジ部の内面には、導電性の薄膜が形成され、
前記凸部の先端面に形成された導電性の薄膜と前記フランジ部の内面に形成された導電性の薄膜とは、ワイヤボンディングにより接続されており、
前記光電面は、少なくとも前記凸部の先端面において前記導電性の薄膜を覆うように形成されていることを特徴とする請求項2または3記載の光検出器。
A conductive thin film is formed on the front end surface of the convex portion and the inner surface of the flange portion,
The conductive thin film formed on the front end surface of the convex portion and the conductive thin film formed on the inner surface of the flange portion are connected by wire bonding,
4. The photodetector according to claim 2, wherein the photocathode is formed so as to cover the conductive thin film at least at a tip surface of the convex portion. 5.
前記密封容器内に設けられ、前記光電面から放出された電子を増倍して前記陽極に入射させる電子増倍部を更に備えることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の光検出器。   5. The electron multiplier according to claim 1, further comprising: an electron multiplying unit that is provided in the sealed container and multiplies electrons emitted from the photocathode so as to be incident on the anode. Light detector. 前記受光面板の外側に配置され、放射線を光に変換して放出するシンチレータを更に備えることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の光検出器。

The photodetector according to claim 1, further comprising a scintillator that is disposed outside the light receiving face plate and converts radiation into light and emits the light.

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