JP2006120849A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理ガスを供給するガス供給手段107と、上部アンテナ電極103に高周波エネルギを供給してプラズマを生成する第1の高周波電源108と、アンテナバイアス電圧を供給する第2の高周波電源113と、基板電極115に前記第2の高周波電源と同一周波数の高周波基板バイアス電圧を供給する第3の高周波電源119と、前記第2の高周波電源と前記第3の高周波電源との位相差を制御する位相コントロール部120を備え、前記位相コントロール部は、前記第2の高周波電源からの進行波の電力値及び前記第3の高周波電源からの進行波の電力値を検出する検出器並びに前記第2の高周波電源の位相及び前記第3の高周波電源の位相を検出する検出器を備える。
【選択図】図1
Description
102 誘電体窓
103 アンテナ電極
104 上部処理容器
105 処理室
106 真空排気装置
107 ガス供給装置
108 プラズマ生成用高周波電源(第1の高周波電源)
109 整合器
110 フィルタ
111 同軸線路
112 整合器
113 アンテナバイアス電源(第2の高周波電源)
114 磁場発生用コイル
115 基板電極
116 被処理基板
117 フィルタ
118 整合器
119 基板バイアス電源(第3の高周波電源)
120 位相コントロール部
121 フィルタ
122 フィルタ
123 静電チャック電源
124 静電チャック電極
125 同軸導波管
126 プラズマ
127 真空シール材
130 周波数発生部
144 マイコン
145 切り換えタイマ部
Claims (4)
- 真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
真空処理容器内に配置した上部アンテナ電極に高周波エネルギを供給してプラズマを生成する第1の高周波電源と、
前記上部アンテナ電極にアンテナバイアス電圧を供給する第2の高周波電源と、
真空処理容器内に被処理基板を載置して保持する基板電極と、
該基板電極に前記第2の高周波電源と同一周波数の高周波基板バイアス電圧を供給する第3の高周波電源と、
第2の高周波電源と第3の高周波電源との位相差を制御する位相差制御部を備え、
該位相差制御部は、第2の高周波電源からの進行波の電力値及び第3の高周波電源からの進行波の電力値を検出する検出器、並びに第2の高周波電源の位相及び第3の高周波電源の位相を検出する検出器を備え、
第2の高周波電源からの進行波の電力値と第3の高周波電源からの進行波の電力値がそれぞれ予め設定した設定値に達したことを検出したとき、予め設定した位相差初期設定値信号に従って第2の高周波電源と第3の高周波電源との位相差を制御するとともに、
該位相差制御部による前記制御の開始から所定時間経過後、第2の高周波電源と第3の高周波電源との位相差を目標位相差設定信号に従ってフィードバック制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
位相差制御部は、前記制御の開始から所定時間経過後第2の高周波電源と第3の高周波電源との位相差を目標位相差設定信号に従ったフィードバック制御に切り換える切換タイマを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
進行波の電力値の前記設定値は外部より設定可能であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
真空処理容器内に配置した上部アンテナ電極に高周波エネルギを供給してプラズマを生成する第1の高周波電源と、
前記上部アンテナ電極にアンテナバイアス電圧を供給する第2の高周波電源と、
真空処理容器内に被処理基板を載置して保持する基板電極と、
該基板電極に前記第2の高周波電源と同一周波数の高周波基板バイアス電圧を供給する第3の高周波電源と、
第2の高周波電源と第3の高周波電源との位相差を制御する位相差制御部を備え、
第2の高周波電源からの進行波の電力値と第3の高周波電源からの進行波の電力値がそれぞれ予め設定した設定電力値に達したことを検出したときから所定時間経過後、第2の高周波電源と第3の高周波電源との位相差を目標位相差設定信号に従ってフィードバック制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004307032A JP4324541B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | プラズマ処理装置 |
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JP2004307032A JP4324541B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | プラズマ処理装置 |
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Country | Link |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080044657A (ko) * | 2006-11-17 | 2008-05-21 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각장치 |
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2004
- 2004-10-21 JP JP2004307032A patent/JP4324541B2/ja active Active
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KR20080044657A (ko) * | 2006-11-17 | 2008-05-21 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각장치 |
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