JP2006116367A - Exhaust gas treatment system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスを無害化する排ガス処理システムに関する。 The present invention relates to an exhaust gas treatment system for detoxifying exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process.
従来より、半導体製造工程の製膜プロセスに使用されるプロセスガス、およびドライエッチングプロセスにおいて使用されるエッチングガス、ならびにプラズマCVD装置などをクリーニングするためのクリーニングガスとして用いられている、PFC(パー・フルオロ・カーボン;C2F6、C3F8)ガス、NF3ガス、およびSF6などは、CO2の数千〜数万倍も高い温暖化係数を持つ上に、自然分解されるのに数千年から数万年がかかるため、その使用量を削減することについての国際的な合意がなされている。 Conventionally, a process gas used in a film forming process of a semiconductor manufacturing process, an etching gas used in a dry etching process, and a cleaning gas for cleaning a plasma CVD apparatus or the like is used. Fluorocarbon; C 2 F 6 , C 3 F 8 ) gas, NF 3 gas, SF 6 and the like have a global warming potential several thousand to several tens of thousands times higher than CO 2 and are naturally decomposed. Since it takes thousands of years to tens of thousands of years, there is an international agreement on reducing its use.
しかるに、半導体を利用した製品が増大しているところから、現状ではPFCガスなどの使用量はむしろ増大しているため、使用後のPFCガスなどを無害化することにより対処がなされている。 However, since products using semiconductors are increasing, the amount of PFC gas used is increasing at present, and therefore, measures are being taken by detoxifying PFC gas after use.
PFCガスなどを無害化するための手法の1つとしていわゆる燃焼法が知られている。この燃焼法は、燃焼炉などを用いてPFCガスなどを加熱分解させて、炭酸ガス、水などに分解するものである。 A so-called combustion method is known as one method for detoxifying PFC gas and the like. In this combustion method, PFC gas or the like is decomposed by heating using a combustion furnace or the like to decompose into carbon dioxide gas, water, or the like.
特許文献1には、この燃焼法の一種である電磁誘導加熱を利用してなる排ガス処理装置の一例が提案されている。
しかしながら、特許文献1の提案に係る排ガス処理装置は、排ガス処理が充分になし得ないばかりでなく稼働率も低いといった問題がある。
本発明はかかる従来技術の課題に鑑みなされたものであって、排ガス処理が充分になし得、しかも稼働率も高い排ガス処理システムを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide an exhaust gas treatment system that can sufficiently perform exhaust gas treatment and has a high operating rate.
本発明の排ガス処理システムは、半導体製造工程から排出されるクリーニングガス、プロセスガスなどの排ガスを処理する排ガス処理システムであって、 プロセスガス中の粉体を除去する1次処理ユニットと、排ガスを加熱・分解する2次処理ユニットとを備え、前記2次処理ユニットが、クリーニングガスを加熱・加水分解する第1の処理部と、プロセスガスを加熱・分解する第2の処理部とを有する加熱分解炉を含んでなることを特徴とする。 An exhaust gas treatment system of the present invention is an exhaust gas treatment system for treating exhaust gases such as cleaning gas and process gas discharged from a semiconductor manufacturing process, and includes a primary treatment unit for removing powder in the process gas, and an exhaust gas. A secondary processing unit that heats and decomposes, and the secondary processing unit includes a first processing unit that heats and hydrolyzes the cleaning gas, and a second processing unit that heats and decomposes the process gas. It comprises a cracking furnace.
本発明の排ガス処理システムにおいては、2次処理ユニットが、第1の処理部と第2の処理部とを同心円状に有し、前記第1の処理部と前記第2の処理部との間に電磁誘導加熱コイルからなる加熱部が配設されてもよい。
あるいは、2次処理ユニットが、第1の処理部と第2の処理部とをタンデムに有し、前記第1の処理部が電気抵抗加熱コイルからなる加熱部を備える上部加熱分解炉とされ、前記第2の処理部が電気抵抗加熱コイルからなる加熱部を備える下部加熱分解炉とされてもよい。その場合、上部加熱分解炉と下部加熱分解炉とが、接合・離脱が自在とされてなるのが好ましい。
In the exhaust gas treatment system of the present invention, the secondary treatment unit has a first treatment part and a second treatment part concentrically, and is between the first treatment part and the second treatment part. A heating unit composed of an electromagnetic induction heating coil may be provided.
Alternatively, the secondary processing unit has a first processing unit and a second processing unit in tandem, and the first processing unit is an upper pyrolysis furnace including a heating unit including an electric resistance heating coil, The second processing unit may be a lower pyrolysis furnace including a heating unit including an electric resistance heating coil. In that case, it is preferable that the upper and lower pyrolysis furnaces can be freely joined and detached.
また、本発明の排ガス処理システムにおいては、第1の処理部に水分を添加する水添加装置を備えてなるのが好ましい。 In the exhaust gas treatment system of the present invention, it is preferable that the first treatment unit includes a water addition device for adding moisture.
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、第1の処理部にバッフルが配設されてなるのが好ましい。 Furthermore, in the exhaust gas treatment system of the present invention, it is preferable that a baffle is disposed in the first treatment unit.
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、加熱分解炉が底部に分解生成物堆積防止装置を有してなるのが好ましい。 Furthermore, in the exhaust gas treatment system of the present invention, it is preferable that the thermal cracking furnace has a decomposition product accumulation preventing device at the bottom.
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、2次処理ユニットからの分解ガスの洗浄をなす1次ガス洗浄装置を備えてなるのが好ましい。 Furthermore, the exhaust gas treatment system of the present invention preferably includes a primary gas cleaning device that cleans the decomposition gas from the secondary processing unit.
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、1次ガス洗浄装置により洗浄後の分解ガスの洗浄をなす2次ガス洗浄装置を備えてなるのが好ましい。 Furthermore, the exhaust gas treatment system of the present invention preferably includes a secondary gas cleaning device for cleaning the decomposed gas after cleaning by the primary gas cleaning device.
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、2次ガス洗浄装置が、サイクロンセパレータを有するガス排気部を含むのが好ましい。 Furthermore, in the exhaust gas treatment system of the present invention, it is preferable that the secondary gas cleaning device includes a gas exhaust part having a cyclone separator.
本発明によれば、排ガス処理が充分になし得、しかも稼働率も高いという優れた効果が得られる。 According to the present invention, an excellent effect that exhaust gas treatment can be sufficiently performed and the operation rate is high is obtained.
以下、添付図面を参照しながら本発明を実施形態に基づいて説明するが、本発明はかかる実施形態のみに限定されるものではない。 Hereinafter, although the present invention is explained based on an embodiment, referring to an accompanying drawing, the present invention is not limited only to this embodiment.
実施形態1
図1に、本発明の実施形態1に係る排ガス処理システムの概略構成を示し、図2に同システムの概略ブロック図を示す。
FIG. 1 shows a schematic configuration of an exhaust gas treatment system according to
排ガス処理システムSは、図示しないプラズマCVD装置において使用されたプロセスガス(例えば、SiH4ガス)およびクリーニングガスとして使用されたPFCガス(例えばC3F8ガス)を、いわゆる燃焼法により加熱・分解するものとされる。 The exhaust gas treatment system S heats and decomposes a process gas (eg, SiH 4 gas) used in a plasma CVD apparatus (not shown) and a PFC gas (eg, C 3 F 8 gas) used as a cleaning gas by a so-called combustion method. It is supposed to be.
排ガス処理システムSは、具体的には、1次処理ユニット1と、2次処理ユニット2と、1次ガス洗浄装置3と、2次ガス洗浄装置4と、洗浄水貯水槽5とを主要構成要素として備えてなるものとされ、2次処理ユニット2の底部が洗浄水貯水槽5の前部上面に接続され、2次ガス洗浄装置4の底部が洗浄水貯水槽5の後部上面に接続され、1次ガス洗浄装置3が洗浄水貯水槽5の前端部に配設されている。
Specifically, the exhaust gas treatment system S mainly includes a
1次処理ユニット1は、2次処理ユニット2にて加熱・分解されるプロセスガスに対して、生成された副生物の粉体例えばSiO2を除去するといった内容の一次処理を実施するものとされる。1次処理ユニット1としては、例えば、特開平11−57365号公報に提案されている粉体の除去装置、特願2004−126993号に提案されている粉体の除去装置などを用いることができる。
The
2次処理ユニット2は、クリーニングガスおよび1次処理ユニット1からのプロセスガスを加熱・分解(あるいは加熱・加水分解)するものとされ、加熱分解炉11と、水添加装置12と、空気供給装置13と、冷却装置14と、反応生成物堆積防止装置15とを含むものとされる。
The
加熱分解炉11は電磁誘導加熱炉として構成されており、1次処理ユニット1からクリーニングガス供給管P1を通して頂部から供給されるクリーニングガスを内部で1100℃〜1200℃の高温で加熱・加水分解させるクリーニングガス処理部(処理部1)21と、クリーニングガス処理部21を内側に囲むように配された電磁誘導コイル(加熱部)22と、電磁誘導コイル22を内側に囲むように配され、1次処理ユニット1からプロセスガス供給管P2を通して外周部から供給されるプロセスガスを内部で、電磁誘導コイル22の余熱により600℃〜800℃の中温で加熱・分解するプロセスガス処理部(処理部2)23とを含むものとされる。
The
クリーニングガス処理部21は、腐食性を有する分解生成物、例えばフッ素ガスによる腐食を防止するため、アルミナからなる筒体21aにより画成されている。
The cleaning
クリーニングガス処理部21内には、図3に示すように、千鳥配列とされたバッフル24aからなるバッフル群24が配設され、処理ガスの充分な滞留時間が確保されている。このバッフル24aも腐食性を有する分解生成物、例えばフッ素ガスによる腐食を防止するために、アルミナからなるものとされている。
As shown in FIG. 3, a
水添加装置12は、クリーニングガス供給管P1の加熱分解炉11との接合部の近傍に接合される水添加管12aを有し、この水添加管12aにより一次処理ユニット1からクリーニングガス処理部21に送られ加熱・分解されるクリーニングガスに水分を与えるものとされる。そのため、クリーニングガスは、クリーニングガス処理部21にて加熱・分解される前に水が添加され、添加された水とともに加熱・分解、つまり加熱・加水分解される。ここで、水添加装置12は、例えばドライエアにより水を管P1内に噴霧して、クリーニングガスに添加するものとされる。
The
クリーニングガスに水分を添加するのは、次のような理由による。 The reason for adding moisture to the cleaning gas is as follows.
クリーニングガス、例えばPFCガス(例えばC3F6)は、クリーニングガス処理部21にて加熱・分解されて、PFCガス(例えばC3F8)は、炭素(C)とフッ素(F)に分解される。ところが、このままでは、炭素(C)とフッ素(F)とが再び化合し、大量のC2F6、CF4が生じてしまう。C2F6、CF4は、極めて温暖化係数の高い物質であり、たとえPFCガス(例えばC3F8)を高い比率で分解し得たとしてもC2F6、CF4の発生を許すことはPFCガスを除害するという本来の目的に適うものとはいえない。
Cleaning gas, for example, PFC gas (for example, C 3 F 6 ) is heated and decomposed in the cleaning
そこで、PFCガスを加熱・分解するに際して、予め水を添加するものとし、すなわちPFCガスを加熱・加水分解するものとし、この構成によって、CF4等の発生を抑えようとするものである。すなわち、PFCガスを水(H2O)とともに加熱・加水分解することによって、水素(H)および酸素(O)が大量に供給され、フッ化水素(HF)および二酸化炭素(CO2)の生成がうながされてCF4などの生成量が減少する。 Therefore, when heating and decomposing the PFC gas, water is added in advance, that is, the PFC gas is heated and hydrolyzed, and this configuration is intended to suppress generation of CF 4 and the like. In other words, hydrogen (H) and oxygen (O) are supplied in large quantities by heating and hydrolyzing the PFC gas together with water (H 2 O) to generate hydrogen fluoride (HF) and carbon dioxide (CO 2 ). As a result, the amount of CF 4 and the like produced decreases.
このように、PFCガスを加熱・加水分解するものとして構成することによって、PFCガス(例えばC3F6)の除害率を約95%にまで高めることができるとともに、C2F6、CF4の発生を劇的に減少させることができる。 As described above, by configuring the PFC gas to be heated and hydrolyzed, the detoxification rate of the PFC gas (for example, C 3 F 6 ) can be increased to about 95%, and C 2 F 6 , CF The occurrence of 4 can be dramatically reduced.
また、特に分解により発生するフッ素ガスは極めて腐食性の高い物質であるために、その発生を抑えることによってクリーニングガス処理部21の筒体21aなどがフッ素ガスにより腐食され損傷を受けるのを防止できるといった効果も奏する。
In particular, since the fluorine gas generated by decomposition is a highly corrosive substance, it is possible to prevent the
空気供給装置13(図3参照)は、クリーニングガス処理部21およびプロセスガス処理部23にドライエアを供給するとともに、水添加装置12に噴霧用エアを供給するものとされる。すなわち、エア母管13aによりドライエアが加熱分解炉11近傍まで供給された後、クリーニングガス処理部用エア供給管13b、プロセスガス処理部用エア供給管13cおよび噴霧用エア供給管13dに分岐されて、クリーニングガス処理部21、プロセスガス処理部23および水添加装置12にそれぞれドライエアを供給する。
The air supply device 13 (see FIG. 3) supplies dry air to the cleaning
クリーニングガス処理部用エア供給管13bの先端は、加熱分解炉11近傍にてクリーニングガス供給管P1に接続される。プロセスガス処理部用エア供給管13cは、先端部で所要数に分岐され、各分岐管先端は加熱分解炉11の外周にそれぞれ接続される。噴霧用エア供給管13dの先端は、水添加装置12の噴霧器12bに接続される。
The tip of the
冷却装置14は、水冷式、例えば水冷ジャケット方式により加熱分解炉11の下部フランジ部(不図示である)を冷却するものとされる。
The
分解生成物堆積防止装置15は、加熱分解炉11の底部外周に配設された所要数の噴射ノズル15a(図3参照)を有し、それらの噴射ノズル15aから水を噴射して、クリーニングガス処理部21からのガス流路に水膜を張り、加熱・分解あるいは加熱・加水分解により生成された粉体や溶融ダスト(スメルト)を噴射水とともに洗浄水貯水槽5の前端部側に落下させるものとされる。
The decomposition product
1次ガス洗浄装置3は、洗浄水貯水槽5の前端部に配設された所要数の洗浄水噴射ノズル3aを有し、それらの噴射ノズル3aから洗浄水を噴射して加熱分解炉11から落下・排出された処理ガス中に含まれる粉体および微細化された溶融ダストを除去するとともに、処理ガスを冷却するものとされる。この除去された粉体および微細化された溶融ダストは、洗浄水貯水槽5に貯留される。
The primary
2次ガス洗浄装置4は、洗浄部31と、ガス排気部32と、ドレン排出部33とを備えてなるものとされる。
The secondary
洗浄部31は、洗浄塔34と、洗浄塔34内部に配設されたミストシャワー機構35とを備えてなるものとされる。洗浄塔34は、ほぼ円筒体とされその底面が洗浄水貯水槽5上面にその内部を洗浄水貯水槽5内部に連通させて接続されている。
The
ミストシャワー機構35は、シャワーノズル35aと、シャワーノズル35aの下方所定位置に配設された散水トレイ35bと、シャワーノズル35aに給水する給水管35cとを含むものとされ、シャワーノズル35aと散水トレイ35bとの組合せが洗浄塔34の上下方向に複数段配設されている。
The
洗浄部31がかかる構成とされていることにより、1次ガス洗浄装置3により除去されなかった分解ガス中に粉体などが洗浄塔34を上昇する間に、ミストシャワーおよび散水トレイ35bからの散水により確実に除去されると同時に分解ガスの冷却もなされる。また、洗浄後の洗浄水は、洗浄水貯水槽5後部に落下して貯留される。
Since the
ガス排気部32は、サイクロンセパレータ36と、サイクロンセパレータ36により分解ガス中から分離された粉体含有のドレンをドレン排出部33に排出するドレン配管37と、ガス排気管38とを含むものとされる。
The
サイクロンセパレータ36は、洗浄塔34頂部に一体化させて配設され、その適宜位置に洗浄塔34を上昇して来る分解ガスを吸入する吸入口が設けられ、底部中央にドレン配管37が設けられている。ドレン配管37下端はドレン排出部33に接合されている。ドレン排出部33の下端は洗浄水貯水槽5内部まで延伸・降下させられている。
The
洗浄水貯水槽5は、後端部に底部に開口が設けられた仕切板42により仕切られてオーバーフロー式の排水部41が形成されている。また、前述したように、前端には1次ガス洗浄装置3が設けられ、前部上面には2次処理ユニット2が接続され、後部上面に2次ガス洗浄装置4を構成している洗浄塔34が接続されている。
The flush water storage tank 5 is partitioned by a
また、洗浄水貯水槽5は洗浄水循環機構43を備え、貯留されている洗浄水の一部が循環させられている。この洗浄水循環機構43を構成している循環配管の一部は分岐され、この分岐管は反応生成物堆積防止機構15に接続されて同防止機構15に噴射水を供給している。なお、図中、符号44は循環ポンプを示す。
Further, the cleaning water reservoir 5 includes a cleaning
実施形態2
本発明の実施形態2の2次処理ユニットの概略図を図4に示す。実施形態2は、実施形態1を改変してなるものであって、加熱分解炉をクリーニングガス処理部21およびプロセスガス処理部23を同軸2重構造有する加熱分解炉11に代えて、図4に示すように、クリーニングガス処理部21およびプロセスガス処理部23を上下に有するタンデム構造の加熱分解炉60としてなるものとされる。すなわち、実施形態1の加熱分解炉11がクリーニングガスおよびプロセスガスの処理を並列に行うのに対して、実施形態2の加熱分解炉60はクリーニングガスおよびプロセスガスの処理を交互に行う。なお、実施形態2のその余の構成は実施形態1と同様とされている。
FIG. 4 shows a schematic diagram of the secondary processing unit according to the second embodiment of the present invention. The second embodiment is a modification of the first embodiment, in which the thermal cracking furnace is replaced with the thermal cracking
加熱分解炉60はタンデムに配列された電気抵抗加熱炉とされた上部加熱分解炉61および下部加熱分解炉62と、処理ガス排出部63とからなるものとされる。
The
上部加熱分解炉61は、炉本体71と上部接続部72と下部接続部73とを含むものとされ、上部接続部72がクリーニングガス供給管P1の先端部に設けられた接続部P1aと接続され、下部接続部73が下部加熱分解炉62の上部接続部82と接続される。
The upper pyrolysis furnace 61 includes a furnace
炉本体71は、アルミナからなる内筒71aと、内筒71aの外側に配設された電気抵抗加熱コイルからなる加熱部71bと、加熱部71bの外側に配設された断熱層71cと、断熱層71cの外側に配設された外筒71dと、内筒71aなどを挟持状に保持する上部端板71eおよび下部端板71fとを含むものとされ、上部端板71eおよび下部端板71fが内筒71aなどを挟持した状態で、図4に示すようにボルト・ナット留めされる。また、上部端板71eおよび下部端板71fの内筒71aに対応した箇所には、内筒71aと同径とされた透孔71gが形成されている。
The
内筒71a内部には、明瞭には図示はされていないが、図3に示すと同様に構成されたバッフル群が配設されている。
Inside the
加熱部71bは、クリーニングガスを1100℃〜1200℃の高温で分解できるようその出力が調整されている。 The output of the heating unit 71 b is adjusted so that the cleaning gas can be decomposed at a high temperature of 1100 ° C. to 1200 ° C.
上部接続部72は、上フランジ72aと、上フランジ72aと上部端板71eとを接続する接続管72bとを含むものとされ、上フランジ72aがクリーニングガスの先端部に設けられた接続部P1aの相フランジP1bと接続される。この接続は、接合・離脱を容易とするため、例えばクリップ留めにて接続される。また、接続管72bは上部端板71eに設けられた透孔71gを介して内筒71aと連通される。
The upper connecting
下部接続部73は、下フランジ73aと、下フランジ73aと下部端板71fとを接続する接続管73bとを含むものとされ、下フランジ73aが下部加熱分解炉62の上フランジ82aに接続される。この接続は、接合・離脱を容易とするため、例えばクリップ留めにて接続される。また、下フランジ73aは明瞭には図示はされていないが、下フランジ73aに設けられた水冷ジャケットにより水冷されている。接続管73bは下部端板71fに設けられた透孔71gを介して内筒71aと連通される。図中、符号74および75は冷却水の入口および出口をそれぞれ示す。
The lower connecting
下部加熱分解炉62は、炉本体81と上部接続部82と下部接続部83とを含むものとされ、上部接続部82が前述したように上部加熱分解炉61の下フランジ73aと接続され、下部接続部83の下フランジ83aが処理ガス排出部63の上フランジ63aと接続される。
The
炉本体81は、アルミナからなる内筒81aと、内筒81aの外側に配設された電気抵抗加熱コイルからなる加熱部81bと、加熱部81bの外側に配設された断熱層81cと、断熱層81cの外側に配設された外筒81dと、内筒81aなどを挟持状に保持する上部端板81eおよび下部端板81fとを含むものとされ、上部端板81eおよび下部端板81fが内筒81aなどを挟持した状態で、図4に示すようにボルト・ナット留めされる。また、上部端板81eおよび下部端板81fの内筒81aに対応した箇所には、内筒81aと同径とされた透孔81gが形成されている。
The
加熱部81bは、プロセスガスを600℃〜800℃の中温で分解できるようその出力が調整されている。
The output of the
上部接続部82は、上フランジ82aと、上フランジ82aと上部端板81eとを接続する接続管82bとを含むものとされ、上フランジ82aが前述したように上部加熱分解炉61の下フランジ73aと接続される。この接続は、接合・離脱を容易とするため、例えばクリップ留めにて接続される。また、接続管82bは上部端板81eに設けられた透孔81gを介して内筒81aと連通されるとともに、その途中からプロセスガス供給管P2と接続される分岐管82cが分岐形成されている。分岐管82cの先端にはプロセスガス供給管P2との接続のためのフランジ82dが設けられている。
The upper connecting
下部接続部83は、下フランジ83aと、下フランジ83aと下部端板81fとを接続する接続管83bとを含むものとされ、下フランジ83aが処理ガス排出部63の上フランジ63aに接続される。この接続は、接合・離脱を容易とするため、例えばクリップ留めにて接続される。また、下フランジ83aは明瞭には図示はされていないが、下フランジ83aに設けられた水冷ジャケットにより水冷されている。接続管83bは下部端板81fに設けられた透孔81gを介して内筒81aと連通される。図中、符号84および85は冷却水の入口および出口をそれぞれ示す。
The lower connecting
処理ガス排出部63は、上フランジ63aと、下フランジ63bと、上フランジ63aと下フランジ63bとを接続する接続管63cとを含むものとされる。上フランジ63aは下部加熱分解炉62の下フランジ83aと接続され、下フランジ63bは洗浄水貯水槽5に設けられた接続部の相フランジと接続される。また、上フランジ63aは明瞭には図示はされていないが、上フランジ63に設けられた水冷ジャケットにより水冷されている。
The processing
接続管63cは下部の口径が小さくなるようにされたレジューサ状に形成され、その内部には、反応生成物堆積防止装置15が配設されている。
The connecting pipe 63c is formed in a reducer shape in which the diameter of the lower part is made small, and the reaction product
このように、実施形態2においては、加熱分解炉60がタンデム構造とされてその構成が簡素化されているので、コストダウンおよびメンテナンスが容易である。例えば、上部加熱分解炉61と下部加熱分解炉62との点検や交換周期を異にすることができ、メンテナンス性が向上する。
Thus, in
本発明は、半導体製造設備に使用されるクリーニングガス、プロセスガスなどの加熱・分解に適用できる。 The present invention can be applied to heating and decomposition of cleaning gas, process gas, etc. used in semiconductor manufacturing equipment.
1 1次処理ユニット
2 2次処理ユニット
3 1次ガス洗浄装置
4 2次ガス洗浄装置
5 洗浄水貯水槽
11 加熱分解炉
12 水添加装置
13 空気供給装置
14 冷却装置
15 分解生成物堆積防止装置
21 クリーニングガス処理部(処理部1)
22 電磁誘導コイル(コイル部)
23 プロセスガス処理部(処理部2)
41 排水部
43 洗浄水循環機構
60 加熱分解炉
61 上部加熱分解炉
62 下部加熱分解炉
63 処理ガス排出部
S 排ガス処理システム
P1 クリーニングガス供給管
P2 プロセスガス供給管
DESCRIPTION OF
22 Electromagnetic induction coil (coil part)
23 Process gas processing unit (Processing unit 2)
41
Claims (10)
プロセスガス中の粉体を除去する1次処理ユニットと、排ガスを加熱・分解する2次処理ユニットとを備え、
前記2次処理ユニットが、クリーニングガスを加熱・加水分解する第1の処理部と、プロセスガスを加熱・分解する第2の処理部とを有する加熱分解炉を含んでなる
ことを特徴とする排ガス処理システム。 An exhaust gas treatment system for treating exhaust gases such as cleaning gas and process gas discharged from a semiconductor manufacturing process,
A primary processing unit for removing powder in the process gas, and a secondary processing unit for heating and decomposing exhaust gas,
The exhaust gas characterized in that the secondary processing unit includes a pyrolysis furnace having a first processing unit for heating and hydrolyzing the cleaning gas and a second processing unit for heating and decomposing the process gas. Processing system.
前記第1の処理部と前記第2の処理部との間に電磁誘導加熱コイルからなる加熱部が配設されてなることを特徴とする請求項1記載の排ガス処理システム。 The secondary processing unit has a first processing unit and a second processing unit concentrically,
The exhaust gas treatment system according to claim 1, wherein a heating unit including an electromagnetic induction heating coil is disposed between the first processing unit and the second processing unit.
前記第1の処理部が、電気抵抗加熱コイルからなる加熱部を備える上部加熱分解炉とされ、
前記第2の処理部が、電気抵抗加熱コイルからなる加熱部を備える下部加熱分解炉とされてなる
ことを特徴とする請求項1記載の排ガス処理システム。 The secondary processing unit has a first processing unit and a second processing unit in tandem,
The first processing unit is an upper pyrolysis furnace including a heating unit composed of an electric resistance heating coil,
The exhaust gas processing system according to claim 1, wherein the second processing unit is a lower pyrolysis furnace including a heating unit including an electric resistance heating coil.
The exhaust gas treatment system according to claim 9, wherein the secondary gas cleaning device includes a gas exhaust part having a cyclone separator.
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004303621A Withdrawn JP2006116367A (en) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | Exhaust gas treatment system |
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---|---|
JP (1) | JP2006116367A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014091886A1 (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and method for adjusting pressure inside processing vessel |
-
2004
- 2004-10-19 JP JP2004303621A patent/JP2006116367A/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2014091886A1 (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and method for adjusting pressure inside processing vessel |
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