JP2006115333A - 共振器装置、発振器、フィルタおよび無線装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 Qが高く、且つスプリアスモードの影響を受けにくくし、また、共振器と励振線路を同一基板上に構成した場合の共振器と励振線路間で強い結合が得られるようにした共振器装置、それを備えた発振器、フィルタおよび無線装置を提供する。
【解決手段】 基板の上下面にそれぞれ円形の電極開口部Hを有する電極を設けて、この電極開口部を共振器として構成し、その共振器に結合するPDTLからなる励振線路5を形成する。共振器に対する励振線路5の結合部は、共振器上で中心角90°だけ離れた位置とし、励振線路上で、使用周波数帯で略整数波長となる関係とする。これにより、主モードであるTE020モードとの結合を強め、隣接スプリアスモードであるTE220モードおよびHE610モードとの結合を弱めてスプリアス応答抑圧特性を改善する。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板の上下面にそれぞれ円形の電極開口部Hを有する電極を設けて、この電極開口部を共振器として構成し、その共振器に結合するPDTLからなる励振線路5を形成する。共振器に対する励振線路5の結合部は、共振器上で中心角90°だけ離れた位置とし、励振線路上で、使用周波数帯で略整数波長となる関係とする。これにより、主モードであるTE020モードとの結合を強め、隣接スプリアスモードであるTE220モードおよびHE610モードとの結合を弱めてスプリアス応答抑圧特性を改善する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、共振器に励振線路を結合させてなる共振器装置、発振器、フィルタおよびそれらを備えた無線装置に関するものである。
従来、誘電体基板に構成した共振器と励振線路とを備えた共振器装置がたとえば特許文献1に示されている。
ここで特許文献1の共振器装置の例を図25に示す。同図は誘電体基板に構成した共振器の2つのモードについての電磁界分布を表している。(A)は、この実施形態で利用する主モードであるTE010モード、(B)はスプリアスモードであるHE310モードについての、それぞれの電磁界分布である。ここで実線は電界分布(電気力線)、破線は磁界分布(磁力線)である。図においてA,Bが励振線路5との結合部である。
ここで特許文献1の共振器装置の例を図25に示す。同図は誘電体基板に構成した共振器の2つのモードについての電磁界分布を表している。(A)は、この実施形態で利用する主モードであるTE010モード、(B)はスプリアスモードであるHE310モードについての、それぞれの電磁界分布である。ここで実線は電界分布(電気力線)、破線は磁界分布(磁力線)である。図においてA,Bが励振線路5との結合部である。
この特許文献1の共振器装置は、励振線路をTE010モード共振器に対して中心角180°だけ離れた2点で結合させることにより、その2つの結合個所における共振器上のスプリアスモードであるHE310の位相が2点間で逆相となるようにしている。一方、利用する主モードTE010モードは周方向の位相変化が無いため、共振器上の2点間は同相である。また、励振線路における上記2点間は同相となるようにしている。
このような構造により、主モードの結合を強め、同時に隣接スプリアスモード(主モードの共振周波数に隣接する周波数で共振するスプリアスモード)の結合を弱めて、スプリアス応答抑圧特性を改善するものである。
また、TE010共振器と同一平面上にコプレーナ線路からなる励振線路を形成したものとして特許文献2が開示されている。このような構造によれば、単一の誘電体基板上に共振器と励振線路を構成できるので、部品点数が削減されるとともに小型化できるという利点がある。
特開2000−252714公報
特開平11−145709号公報
従来、フィルタや発振器に用いられてきたTE010モードの共振器は、無負荷Qが60GHz帯で1300程度と高Qであるが、フィルタのさらなる低損失化および発振器の低位相雑音化を図るためには共振器のQをさらに向上させる必要がある。共振器の高Q化の1つの方法として、より高次の共振モードを用いることは効果的である。ところが、共振モードが高次になるほど、主モードの共振周波数近傍のスプリアス共振の数が増加する。このスプリアス共振は、フィルタの阻止域特性の劣化や、発振器の寄生発振の原因となるので、高次の共振モードを用いる場合には、スプリアス応答抑圧特性の広帯域化が課題となる。
特許文献1に開示されているように、主モードがTE010モードの場合、HE310モードのみを抑圧すれば広帯域のスプリアス応答抑圧特性が得られる。しかし、高Q化のために、TE010モードより高次であるTE020モードを用いる場合、TE220とHE610の2つのスプリアスモードが主モードの周波数近傍に存在するので、これらを同時に抑圧することが課題となる。
一方、特許文献2で示されているように、基板上に共振器とともにコプレーナ線路である励振線路を設けた構造では、共振器の電磁界の基板主面の接線方向に対する閉じ込め性が高いため、共振器と励振線路との間で強い結合を得ることは困難であった。
上記共振器の磁気エネルギーは基板主面の接線方向よりも法線方向へ多く広がっているため、共振器と励振線路を別の基板上に設ければ、共振器と励振線路を基板主面の法線方向で結合させることによって強い結合が得られる。しかし、その結合の大きさは、共振器と励振線路のパターン精度だけでなく、基板の実装位置精度にも依存するため、結合の大きさのばらつきが大きくなるという問題があった。
そこで、この発明の目的は、Qが高く、且つスプリアスモードの影響を受けにくくし、また、共振器と励振線路を同一基板上に構成した場合の共振器と励振線路間で強い結合が得られるようにした共振器装置、それを備えた発振器、フィルタおよび無線装置を提供する。
(1)この発明の共振器装置は、円形TE020モードまたは円形TE02δモードの共振器に対して少なくとも2つの結合部で励振線路を結合させて成る共振器装置であって、前記2つの結合部を前記円の中心角で(2n−1)×30°(nは1以上の整数)だけ離し、且つ前記励振線路上の前記2つの結合部間の電気長を使用周波数帯で略整数波長となる関係に定めたことを特徴としている。
(2)前記2つの結合部は、円の中心角でたとえば(2n−1)×90°(nは1以上の整数)だけ離れたものとする。
(3)前記励振線路は、共振器と同一基板上に構成したたとえばPDTLまたはスロット線路とする。
(4)前記励振線路は、結合部で共振器から離れる方向にたとえば180°未満に屈曲させる。
(5)この発明の発振器は、上記いずれかの構成の共振器装置と、その励振線路に接続した負性抵抗回路とによって構成する。
(6)この発明のフィルタは、上記いずれかの構成の共振器装置と、その励振線路を信号入出力ポートとして設けたものとする。
(7)この発明の無線装置は、上記発振器またはフィルタを備えたものとする。
(1)円形TE020モードまたは円形TE02δモードの共振器とそれに結合する励振線路との2つの結合部を、利用する円形TE020モード(以下単にTE020モードという。)または円形TE02δモードの位相が同相となり、主モードとの結合が強められる。一方、円の中心角で(2n−1)×30°離れた位置で逆相となるたとえばHE610モードに対する応答を抑圧できる。
(2)前記2つの結合部を特に(2n−1)×90°とすることにより、HE610モードとともにTE220モードも同時に抑圧できる。そのため、主モードであるTE020モードの低域側に隣接するTE220モードと高域側に隣接するHE610モードの両方が抑圧されるので、TE020モードの共振器に対するスプリアス応答抑圧特性の広帯域化が図れる。
(3)前記励振線路をPDTLまたはスロット線路とすることによって、それを共振器と同一基板上に構成することができ、励振線路と共振器を別の基板に構成した場合に生じる基板の実装位置精度の影響を受けることなく、結合の大きさのばらつきを抑えることができる。
(4)励振線路を結合部で共振器から離れる方向に180°以下に屈曲させたことにより、共振器と励振線路との間の結合をより強めることができる。
(5)この発明の発振器によれば、スプリアスの少ない単一周波数で発振する低位相雑音特性を有する発振器として用いることができる。
(6)この発明のフィルタによれば、スプリアスモードの影響を受けずに、所定周波数帯域を通過または阻止する、スプリアス特性に優れたフィルタとして用いることができる。
(7)この発明の無線装置によれば、スプリアスモードによる影響を受けない、高周波特性に優れた無線装置として利用可能となる。
第1の実施形態に係る共振器装置およびフィルタについて図1〜図10を基に説明する。
先ず、共振器と励振線路との最も単純な結合構造の例と、その特性について図2・図9・図10を基に説明する。図9において(A)は共振器装置の主要部の上面図、(B)は(A)における結合部CP部分の拡大図である。電極開口部Hはφ3.3mm、励振線路5の線路幅は0.1mm、電極開口部Hと励振線路5との間隙gは0.01mmとし、外部結合はQe≒3800としている。また、共振器用基板の厚みを0.3mm、その比誘電率を24としている。
先ず、共振器と励振線路との最も単純な結合構造の例と、その特性について図2・図9・図10を基に説明する。図9において(A)は共振器装置の主要部の上面図、(B)は(A)における結合部CP部分の拡大図である。電極開口部Hはφ3.3mm、励振線路5の線路幅は0.1mm、電極開口部Hと励振線路5との間隙gは0.01mmとし、外部結合はQe≒3800としている。また、共振器用基板の厚みを0.3mm、その比誘電率を24としている。
図2は図9に示した共振器装置の共振器に生じる各種共振モードのうち、3つの共振モードについて、それらの電界分布の例を示している。(A1)は主モードであるTE020モードの電界分布、(A2)はその電界ベクトルの概略図である。(B1)はTE220モードの電磁界分布、(B2)はその電界ベクトルの概略図である。(C1)はHE610モードの電磁界分布、(C2)はその電界ベクトルの概略図である。
このように、主モードであるTE020モードの電磁界は、(A1),(A2)に示すように、円の中心Cを中心として電界ベクトルが円形のループをなすように分布する。TE220モードの電磁界は、(B1),(B2)に示すように電極開口部内で4つの電界ベクトルがループをなすように分布する。さらに、HE610モードの電磁界は、(C1),(C2)に示すように、電界ベクトルが電極開口部の縁に沿って12カ所で内側にそれぞれ半円状に張り出した形状をなすように分布する。
上記TE020モードの共振周波数foが60GHzであるとき、TE220モードの共振周波数は58.0GHz、HE610モードの共振周波数は62.2GHzである。このように2つのスプリアスモードTE220モード,HE610モードは、主モードであるTE020モードの低域側と高域側にそれぞれ隣接する。そのため、図9に示したように電極開口部Hで構成した共振器と励振線路5とを単一の結合部CPで結合させた場合には、図10に示すような3つのモードの応答がそれぞれ生じる。図10において、横軸は周波数、縦軸は図9に示したポート#1−ポート#2間の透過特性をSパラメータのS21で、またポート#1側から見た反射特性をSパラメータのS11でそれぞれ示している。なお、このシミュレーションにはHFSSを用いている。以降で示すシミュレーションについても同様である。
次に、TE020モードの共振モードと励振線路5を構成するPDTLの伝送モードとの結合について、図7・図8を参照して説明する。
図7の(B)は共振器の上面図、(A)は(B)に示したx軸方向で切った共振器の断面図である。図中のドットパターンは、その濃度(疎密)によって電界強度の分布を表している。このようにTE020モードの共振器は、中心から半径方向に巻く磁力線が周方向へ放射状に広がる磁界分布を持っている。
図7の(B)は共振器の上面図、(A)は(B)に示したx軸方向で切った共振器の断面図である。図中のドットパターンは、その濃度(疎密)によって電界強度の分布を表している。このようにTE020モードの共振器は、中心から半径方向に巻く磁力線が周方向へ放射状に広がる磁界分布を持っている。
一方、図8の(A)はPDTLの上面図、(B)は(A)におけるB−B´部分の断面図、(C)は(A)におけるA−A´部分の断面図、さらに(D)は斜視図である。図8において実線の矢印は電界ベクトル、破線は磁界ベクトル、ドット記号およびクロス記号は電界または磁界の向きを示している。このようにPDTLは、その信号伝搬方向に磁界が巻いている(TEモード)線路である。
そのため、図9に示したような直線状の励振線路5が共振器と接するような構造では、互いのH面(磁界ループの面)が直交して、結合に寄与する磁界成分が極めて小さくなり、共振器と励振線路との強い結合が得られない。そこで図4に示すように励振線路5を結合部CPで共振器から離れる方向に180°未満の角度となるように屈曲させる。この図4に示す例では、結合部CPでアール付きで90°屈曲させている。共振器用基板の厚みを0.3mm、比誘電率を24とし、励振線路5と共振器間の結合部CPでの間隙gを0.16mmとして、外部結合をQe≒3800とした時、図4に示したポート#1−#2間のSパラメータS11,S21は図5に示すようになる。このように透過特性であるS11の挿入損失は−2dB程度となって、強い結合が得られることが分かる。
さて、図1は第1の実施形態に係る共振器装置およびフィルタの構成を示している。図1の(A)は共振器装置の主要部の上面図、(B)はその斜視図である。但し(A)においてはキャビティ部分を除いた基板状態で表している。また(B)においてはキャビティの内壁面部分を仮想的重ねて表している。
共振器用基板1は高誘電率誘電体材料からなる基板であり、それぞれ互いに対向する円形の電極開口部Hおよび励振線路となるスロットを有する上面電極2および下面電極3を形成している。励振線路5はPDTL(平面誘電体線路)構造を成す。また上下面の電極に設けられた電極開口部Hで挟まれる空間が共振器として作用する。ここで、共振器用基板1の厚みは0.3mm、その比誘電率εrは24、結合部での励振線路5と共振器間の間隙gは0.16mmとして、外部結合をQe≒3800としている。
図中、破線の円で示す部分CP1,CP2は共振器と励振線路との間の結合部である。この結合部CP1,CP2は、電極開口部Hの円の中心Cを中心とする中心角で90°離れた位置としている。また、この2つの結合部CP1,CP2間の励振線路5上の電気長を使用周波数帯で整数波長としている。
ここで、図2に示したように、Cを中心として中心角90°方向に延びる2つの直線(図中破線C−A,C−Bで示す直線)を考えると、この2つの直線と電極開口部の縁との交わる付近で励振線路を結合させると、その2つの結合部はTE020モードで同相、TE220モードおよびHE610モードでそれぞれ逆相となる。図1で示したように、この2つの結合部CP1,CP2間の励振線路5上の電気長は使用周波数帯(この例では60GHz)で整数波長としているので、主モードであるTE020モードは、結合した励振線路上で同相で加算される。しかし、TE220モードの信号は励振線路上で略逆相で加算される。HE610モードについても同様に、結合した励振線路上で同相で加算される。
このようにして主モードであるTE020モードと、そのスプリアスモードであるTE220モードおよびHE610モードに対してそれぞれ強く結合させ、且つ図1を用いて説明したように、2つの結合部CP1,CP2で結合させることによって、図1に示したポート#1−#2間の特性は図3に示すようなものとなる。このようにして主モードであるTE020モードの挿入損失が−8dBとなり、TE220モードの挿入損失が−19dB、HE610モードの挿入損失が−17dB程度となる。すなわち、TE220モードとHE610モードをTE020モードに比べて約−10dB程度にまで抑圧できる。
ここで、図1,図4,図9に示した各共振器と励振線路との結合構造でのQの比較例を図6に示す。図6の(1)は、図9に示したように、直線型励振線路で1つの結合部で結合させたもの(直線型1点励振タイプ)、(2)は図4に示したように、励振線路が曲線型で1つの結合部で結合させたもの(曲線型1点励振タイプ)、(3)は図1に示した曲線型の励振線路で、2つの結合部で結合させたもの(曲線型2点励振タイプ)である。外部Q(Qe)について見ると,直線型1点励振タイプの場合、Qe=3764、(2)の曲線型1点励振タイプの場合、Qe=958となって、励振線路と共振器間の結合が強いことが分かる。さらに(3)の曲線型2点励振タイプの場合、Qe=484となって、さらに強い結合が得られることがわかる。
一方、共振器の無負荷Q(Qo)は(2)の曲線型1点励振タイプおよび(3)の曲線型2点励振タイプのいずれでも、(1)の直線型1点励振タイプと同等の値を示し、ほとんど低下しない。
次に、第2の実施形態に係る共振器装置について図11を基に説明する。
図11の(A),(B)はいずれも共振器装置の上面図である。但しキャビティは図示していない。(A)の例では、共振器用基板の上下面に形成した電極の電極開口部H部分に構成した共振器と、励振線路5とを2つの結合部CP1,CP2で結合させている。但し図1に示した場合と異なり、励振線路の曲がり部分に丸みをつけていない。
また図11の(B)に示す例では、共振器との2つの結合部CP1,CP2部分の励振線路の曲がり部のエッジ部分を切り欠いた形状としている。
図11の(A),(B)はいずれも共振器装置の上面図である。但しキャビティは図示していない。(A)の例では、共振器用基板の上下面に形成した電極の電極開口部H部分に構成した共振器と、励振線路5とを2つの結合部CP1,CP2で結合させている。但し図1に示した場合と異なり、励振線路の曲がり部分に丸みをつけていない。
また図11の(B)に示す例では、共振器との2つの結合部CP1,CP2部分の励振線路の曲がり部のエッジ部分を切り欠いた形状としている。
いずれの構造でも第1の実施形態で示した共振器装置と同様に、主モードであるTE020モードとの結合を強め、スプリアスモードであるTE220モードおよびHE610モードとの結合を抑圧できる。特に、図11の(A)のように励振線路5のエッジ部で結合させれば、共振器と励振線路との磁界結合に寄与する部分が長くなるので、その分強い結合が得られる。
次に、第3の実施形態に係る共振器装置について図12を基に説明する。
図1や図11に示した例では、共振器と励振線路との2つの結合部を中心角90°だけ離れた関係としたが、この図12に示す例では、2つの結合部を中心角270°の関係としている。また励振線路5上の2つの結合部CP1,CP2間の電気長を使用周波数帯で略8波長としている。その他の構成は第1・第2の実施形態の場合と同様である。
図1や図11に示した例では、共振器と励振線路との2つの結合部を中心角90°だけ離れた関係としたが、この図12に示す例では、2つの結合部を中心角270°の関係としている。また励振線路5上の2つの結合部CP1,CP2間の電気長を使用周波数帯で略8波長としている。その他の構成は第1・第2の実施形態の場合と同様である。
このような構成によっても、主モードであるTE020モードとの結合を強め、同時に隣接スプリアスモードであるTE220モードおよびHE610モードとの結合を弱めてスプリアス応答抑圧特性を改善できる。
次に、第4の実施形態に係る共振器装置について図13を基に説明する。
図13の(A),(B)はいずれも共振器装置の主要部の上面図である。(A)の例では、励振線路5の一方端をポート#1とし、他方端に終端器6を設けている。この終端器6はPDTLに対する終端器であるので、共振器用基板の上下面の対向位置にそれぞれ設けている。その他の構成は図1に示したものと同様である。この共振器装置は、主モードであるTE020モードで共振する共振器が線路に結合しているので、その共振周波数で減衰するトラップフィルタとして作用する。
図13の(A),(B)はいずれも共振器装置の主要部の上面図である。(A)の例では、励振線路5の一方端をポート#1とし、他方端に終端器6を設けている。この終端器6はPDTLに対する終端器であるので、共振器用基板の上下面の対向位置にそれぞれ設けている。その他の構成は図1に示したものと同様である。この共振器装置は、主モードであるTE020モードで共振する共振器が線路に結合しているので、その共振周波数で減衰するトラップフィルタとして作用する。
図13の(B)の例では、励振線路5の一方端を短絡部7とし、その短絡部7とそれに近い方の結合部CP2との距離を、励振線路5の上での波長(λg)の1/2としている。これにより、結合部CP2は励振線路5上で等価的な短絡部となり、同時に励振線路上で整数波長分離れた結合部CP1でも等価的に短絡点となる。したがって電極開口部H部分の共振器と最も強く磁界結合することになる。
次に、第5の実施形態に係る共振器装置について図14を基に説明する。
図14において2つの結合部CP1,CP2は中心角90°の関係とし、励振線路上での2つの結合部間の電気長を1波長としている。この例では、励振線路5と、電極開口部Hによる共振器との結合部CP1,CP2で、励振線路5を直線状にしている。その他の構成は第1〜第3の実施形態の場合と同様である。前述したように、直線状の励振線路を共振器に単に近接させることによって共振器と結合させた場合には強く結合させることはできないが、この図14に示すように、電極開口部Hによる共振器に対して結合部CP1,CP2の2カ所で励振線路5を結合させることにより、1箇所で結合させる場合に比べて比較的大きな結合強度が得られる。
図14において2つの結合部CP1,CP2は中心角90°の関係とし、励振線路上での2つの結合部間の電気長を1波長としている。この例では、励振線路5と、電極開口部Hによる共振器との結合部CP1,CP2で、励振線路5を直線状にしている。その他の構成は第1〜第3の実施形態の場合と同様である。前述したように、直線状の励振線路を共振器に単に近接させることによって共振器と結合させた場合には強く結合させることはできないが、この図14に示すように、電極開口部Hによる共振器に対して結合部CP1,CP2の2カ所で励振線路5を結合させることにより、1箇所で結合させる場合に比べて比較的大きな結合強度が得られる。
次に、第6の実施形態に係る共振器装置について図15を基に説明する。
図15は共振器装置の主要部の上面図である。この例では、電極開口部H部分の共振器に対して励振線路5の2つの結合部CP1,CP2の中心角を150°とし、励振線路5上の2つの結合部CP1−CP2間の電気長を略1波長としている。また、2つのポート#1,#2を同一方向に取り出すように励振線路5を配置している。その他の構成は第1〜第3の実施形態の場合と同様である。
図15は共振器装置の主要部の上面図である。この例では、電極開口部H部分の共振器に対して励振線路5の2つの結合部CP1,CP2の中心角を150°とし、励振線路5上の2つの結合部CP1−CP2間の電気長を略1波長としている。また、2つのポート#1,#2を同一方向に取り出すように励振線路5を配置している。その他の構成は第1〜第3の実施形態の場合と同様である。
このように2つの結合部CP1,CP2の中心角を30°の整数倍の関係とすることによって、スプリアスモードであるHE610モードとの結合および共振を抑圧できる。
次に、第7の実施形態に係る共振器装置について図16・図17を基に説明する。
図16は共振器装置の主要部の上面図である。この例では、励振線路5の一端をポート#1とし、励振線路5の途中部分を分岐部PDとし、励振線路5を2つに分岐するとともに、電極開口部Hによる共振器に対してそれぞれ結合部CP1,CP2で結合させている。分岐した励振線路5のそれぞれの先端には終端器6を設けている。2つの結合部CP1,CP2の位置は共振器上で中心角90°の関係としている。また2つの結合部CP1−CP2間の励振線路5上の電気長は略1波長としている。
図16は共振器装置の主要部の上面図である。この例では、励振線路5の一端をポート#1とし、励振線路5の途中部分を分岐部PDとし、励振線路5を2つに分岐するとともに、電極開口部Hによる共振器に対してそれぞれ結合部CP1,CP2で結合させている。分岐した励振線路5のそれぞれの先端には終端器6を設けている。2つの結合部CP1,CP2の位置は共振器上で中心角90°の関係としている。また2つの結合部CP1−CP2間の励振線路5上の電気長は略1波長としている。
図17は、図16に示した共振器装置のポート#1から見た反射特性をSパラメータのS11で示したものである。このように、TE220モードとの結合が抑圧されていることが分かる。また、この例ではHE610モードについては抑圧されていない。(HE610モードと励振線路5とは電界結合し、その電界分布が共振器から見て同相になるからである。
次に、第8の実施形態に係る共振器装置について図18を基に説明する。
この例では、励振線路5の一端をポート#1とし、励振線路5の途中部分を分岐部PDとし、励振線路5を2つに分岐するとともに、電極開口部Hによる共振器に対してそれぞれ結合部CP1,CP2で結合させている。分岐した2つの励振線路5の先端部分はそれぞれ短絡部7としている。励振線路5上の2つの結合部CP1,CP2と短絡部7までの電気長はλg/2としている。その他の構成は第7の実施形態の場合と同様である。
この例では、励振線路5の一端をポート#1とし、励振線路5の途中部分を分岐部PDとし、励振線路5を2つに分岐するとともに、電極開口部Hによる共振器に対してそれぞれ結合部CP1,CP2で結合させている。分岐した2つの励振線路5の先端部分はそれぞれ短絡部7としている。励振線路5上の2つの結合部CP1,CP2と短絡部7までの電気長はλg/2としている。その他の構成は第7の実施形態の場合と同様である。
このような構成の場合も、第7の実施形態の場合と同様に作用する。
次に、第9の実施形態に係る発振器の構成を図19を基に説明する。
図19は発振器の主要部の上面図である。共振器用基板の上面には上面電極2、下面には下面電極をそれぞれ設けている。上面電極2の所定個所には円形の電極開口部Hを形成している。また下面電極にはこの上面電極の電極開口部Hに対向する部分に同様の電極開口部を設けていて、この電極開口部HをTE020モードを主モードとする共振器として構成している。
図19は発振器の主要部の上面図である。共振器用基板の上面には上面電極2、下面には下面電極をそれぞれ設けている。上面電極2の所定個所には円形の電極開口部Hを形成している。また下面電極にはこの上面電極の電極開口部Hに対向する部分に同様の電極開口部を設けていて、この電極開口部HをTE020モードを主モードとする共振器として構成している。
また、PDTLからなる励振線路5を形成していて、2点CP1,CP2で結合させている。励振線路5の一方端には終端器6を設けている。この励振線路5の他方端にはFET8のゲート−ソースを接続している。また伝送線路9にはFET8のドレイン−ソースを接続している。伝送線路9の先端には結合用共振器13を形成している。また、この伝送線路9とFET8の出力部(ドレイン)から所定の位置にインピーダンス整合部10を形成している。また、FET8のゲート−ドレイン間を分離するとともにドレインバイアスを印加するためにスロット11,12を形成している。
伝送線路9の先端部分の結合用共振器13は、この共振器用基板とは別の基板に同様に設けた結合用共振器と結合して伝送信号の結合を行う。なお、結合部での信号の漏洩を防止するためにチョーク用開口部14を形成している。
このように、主モードとしてTE020モードを用いることによって共振器の高いQを利用することができ、低位相雑音特性が得られる。また広帯域なスプリアス応答抑圧特性を持つため、発振器の設計が簡易化できる。
次に、第10の実施形態に係る帯域通過フィルタの構成を図20・図21を基に説明する。
図20は帯域通過フィルタの主要部の上面図であり、キャビティを取り除いた状態で示している。この帯域通過フィルタは、図13の(A)に示した共振器装置を同一の共振器用基板に2組設けたものに相当している。すなわち、共振器用基板の上面電極2には2つの電極開口部Ha,Hbを近接配置している。下面の下面電極にも、この電極開口部Ha,Hbに対向する位置に同様の電極開口部を形成している。これによって主モードがTE020モードの2つの共振器同士が結合するように配置している。そして、PDTLからなる励振線路5a,5bを、電極開口部Ha,Hbによる上記共振器にそれぞれ2つの結合部で結合するように配置している。また、励振線路5a,5bの先端は終端器6a,6bによって終端している。
図20は帯域通過フィルタの主要部の上面図であり、キャビティを取り除いた状態で示している。この帯域通過フィルタは、図13の(A)に示した共振器装置を同一の共振器用基板に2組設けたものに相当している。すなわち、共振器用基板の上面電極2には2つの電極開口部Ha,Hbを近接配置している。下面の下面電極にも、この電極開口部Ha,Hbに対向する位置に同様の電極開口部を形成している。これによって主モードがTE020モードの2つの共振器同士が結合するように配置している。そして、PDTLからなる励振線路5a,5bを、電極開口部Ha,Hbによる上記共振器にそれぞれ2つの結合部で結合するように配置している。また、励振線路5a,5bの先端は終端器6a,6bによって終端している。
また、図21に示す例では、PDTLからなる励振線路5a,5bの先端を短絡し、その短絡位置から結合部CP2a,CP2bまでの電気長をλg/2としている。これは図13の(B)に示した共振器装置を丁度2組設けたものに相当している。
図20・図21のいずれの構造でも、ポート#1,ポート#2を入出力部として、2段の共振器を備えた、帯域通過特性を示すフィルタとして作用する。ここで、各共振器のQが高いため、挿入損失が小さくできる。また、広帯域なスプリアス応答抑制特性を持つため、良好な阻止域特性が得られる。
次に、第11の実施形態に係る共振器装置について図22を基に説明する。
図22は共振器装置の主要部の上面図である。第1の実施形態などでは、ひと続きの励振線路の2点で共振器と結合させたが、この第11の実施形態では、3つの結合部で結合させている。第1と第2の結合部CP1,CP2は共振器上で中心角90°の関係とし、同様に第2の結合部CP2と第3の結合部CP3も共振器上で中心角90°の関係としている。また、隣り合う結合部間の励振線路5上の電気長を使用周波数帯で整数波長(この例では1波長)の関係としている。
図22は共振器装置の主要部の上面図である。第1の実施形態などでは、ひと続きの励振線路の2点で共振器と結合させたが、この第11の実施形態では、3つの結合部で結合させている。第1と第2の結合部CP1,CP2は共振器上で中心角90°の関係とし、同様に第2の結合部CP2と第3の結合部CP3も共振器上で中心角90°の関係としている。また、隣り合う結合部間の励振線路5上の電気長を使用周波数帯で整数波長(この例では1波長)の関係としている。
このような構造であっても、隣接スプリアスモードTE220モード,HE610モードとの結合を弱めるとともに、主モードであるTE020モードとの結合の強さをより高めることができる。
次に、第12の実施形態に係る共振器装置について図23を基に説明する。
図23はキャビティを除いた状態での共振器装置の斜視図である。誘電体基板20の上面にはストリップ線路25を形成し、誘電体基板20の下面には略全面の接地電極を設けている。これによりマイクロストリップラインによる励振線路25を構成している。また、誘電体基板20の上面には円柱形状の誘電体共振器21を配置している。上記励振線路25はこの誘電体共振器21と2つの結合部CP1,CP2で結合するように、その形状を定めている。この2つの結合部CP1,CP2の共振器上での中心角は90°とし、励振線路上の電気長を1波長としている。
図23はキャビティを除いた状態での共振器装置の斜視図である。誘電体基板20の上面にはストリップ線路25を形成し、誘電体基板20の下面には略全面の接地電極を設けている。これによりマイクロストリップラインによる励振線路25を構成している。また、誘電体基板20の上面には円柱形状の誘電体共振器21を配置している。上記励振線路25はこの誘電体共振器21と2つの結合部CP1,CP2で結合するように、その形状を定めている。この2つの結合部CP1,CP2の共振器上での中心角は90°とし、励振線路上の電気長を1波長としている。
このような円柱形状の誘電体共振器を用いた場合、利用するTE02δモード以外にTE22δモードやHE61δモードが生じるが、第1の実施形態の場合と同様に、主モードであるTE02δモードは、結合した励振線路上で同相で加算され、TE22δモードおよびHE61δモードの信号は励振線路上で略逆相で加算される。そのため、TE02δモードとの結合が強まり、同時に隣接スプリアスモードであるTE22δモードおよびHE61δモードとの結合が弱まって、良好なスプリアス応答抑圧特性が得られる。
なお、第1〜第11の実施形態では、誘電体共振器を構成した共振器用基板に励振線路を設けたが、励振線路を共振器用基板とは別の基板(プローブ基板)に設け、両基板を積層してもよい。
次に、第13の実施形態に係る無線装置について図24を基に説明する。
同図においてANTは送受信アンテナ、DPXはデュプレクサ、BPFa,BPFb,BPFcはそれぞれ帯域通過フィルタ、AMPa,AMPbはそれぞれ増幅回路、MIXa,MIXbはそれぞれミキサ、OSCはオシレータ、DIVは分配器である。
同図においてANTは送受信アンテナ、DPXはデュプレクサ、BPFa,BPFb,BPFcはそれぞれ帯域通過フィルタ、AMPa,AMPbはそれぞれ増幅回路、MIXa,MIXbはそれぞれミキサ、OSCはオシレータ、DIVは分配器である。
MIXaはオシレータOSCから出力されDIVで分配された信号と、変調信号とを混合し、BPFaはミキサMIXaからの混合出力信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、増幅回路AMPaはこれを電力増幅してデュプレクサDPXを介し、アンテナANTより送信する。帯域通過フィルタBPFbはデュプレクサDPXから出力される受信信号のうち受信周波数帯域のみを通過させ、増幅回路AMPbはそれを増幅する。ミキサMIXbは、オシレータOSCから出力されDIVで分配され帯域通過フィルタBPFcより出力される周波数信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号IFを出力する。
このような回路において、帯域通過フィルタBPFa,BPFb,BPFcまたはオシレータOSCに、第1〜第12の実施形態で示した共振器装置や発振器を適用して無線装置を構成することができる。
1−共振器用基板
2−上面電極
3−下面電極
4−キャビティ
5−励振線路
6−終端器
7−短絡部
8−FET
9−伝送線路
10−インピーダンス整合部
11,12−スロット
13−結合用共振器
14−チョーク用開口部
20−誘電体基板
21−誘電体共振器
25−励振線路
H−電極開口部
CP1,CP2−結合部
PD−分岐部
#1,#2−ポート
2−上面電極
3−下面電極
4−キャビティ
5−励振線路
6−終端器
7−短絡部
8−FET
9−伝送線路
10−インピーダンス整合部
11,12−スロット
13−結合用共振器
14−チョーク用開口部
20−誘電体基板
21−誘電体共振器
25−励振線路
H−電極開口部
CP1,CP2−結合部
PD−分岐部
#1,#2−ポート
Claims (7)
- 円形TE020モードまたは円形TE02δモードの共振器に対して少なくとも2つの結合部で励振線路を結合させて成る共振器装置であって、
前記2つの結合部を前記円の中心角で(2n−1)×30°(nは1以上の整数)だけ離し、且つ前記励振線路上の前記2つの結合部間の電気長を使用周波数帯で略整数波長となる関係に定めたことを特徴とする共振器装置。 - 前記2つの結合部を、円の中心角で(2n−1)×90°(nは1以上の整数)だけ離した請求項1に記載の共振器装置。
- 前記励振線路を共振器と同一基板上に構成したPDTLまたはスロット線路とした請求項1または2に記載の共振器装置。
- 前記励振線路を前記結合部で前記共振器から離れる方向に180°未満に屈曲させた請求項3に記載の共振器装置。
- 請求項1〜4のうちいずれかに記載の共振器装置と、該共振器装置の励振線路に接続した負性抵抗回路とを備えた発振器。
- 請求項1〜4のうちいずれかに記載の共振器装置と、該共振器装置の励振線路を信号入出力ポートとして設けたフィルタ。
- 請求項5に記載の発振器または請求項6に記載のフィルタを備えてた無線装置。
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JP2004302053A JP2006115333A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | 共振器装置、発振器、フィルタおよび無線装置 |
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JP2011234011A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波フィルタ |
-
2004
- 2004-10-15 JP JP2004302053A patent/JP2006115333A/ja active Pending
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