JP2006113192A - Electrooptical device and projection type display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrooptical device and a projection type display device incorporating the same, capable of efficiently dissipating heat generated inside while preventing display from becoming dark. <P>SOLUTION: Light which is headed toward a pixel electrode 20 is not weakened as a light shielding section 21 is embedded in a region Σ where incident light which is headed toward the pixel electrode 20 is not shielded in an opposing substrate 5. Moreover, as the light shielding section 21 is embedded so that a cross section may exist in the region Σ, a cross sectional area to a direction which heat is conducting is made sufficiently large and the generated heat in a liquid crystal apparatus, for example, is efficiently conducted. Thereby, the heat generated inside the liquid crystal apparatus is efficiently dissipated while preventing display characteristics from degrading. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、例えば液晶装置や、有機EL(Electro-Luminescence)装置、無機EL装置に代表される発光装置等の電気光学装置及び投射型表示装置に関する。   The present invention relates to an electro-optical device such as a liquid crystal device, an organic EL (Electro-Luminescence) device, a light emitting device represented by an inorganic EL device, and a projection display device.

液晶装置は、例えば複数の画素電極や当該画素電極を駆動するスイッチング素子等が配列された素子基板と、当該素子基板と対向して設けられる対向基板とで液晶を挟持した構成になっている。素子基板及び対向基板は例えば石英やガラス等の透明な材料から構成される。対向基板の内側(液晶側)の面には、例えば隣接する画素電極の間の領域に光が当たらないように、いわゆるブラックマトリクス等の遮光層が設けられる。   The liquid crystal device has a configuration in which, for example, a liquid crystal is sandwiched between an element substrate on which a plurality of pixel electrodes, switching elements for driving the pixel electrodes, and the like are arranged, and a counter substrate provided to face the element substrate. The element substrate and the counter substrate are made of a transparent material such as quartz or glass. A light-shielding layer such as a so-called black matrix is provided on the inner substrate (liquid crystal side) surface of the counter substrate so that, for example, light does not strike a region between adjacent pixel electrodes.

このような液晶装置は、直視型表示装置の表示部として用いられたり、プロジェクタ等の投射型表示装置のライトバルブとして用いられたりする。特にプロジェクタのライトバルブとして用いられる場合には、直視型表示装置に用いられる場合に比べて強い光が照射される。   Such a liquid crystal device is used as a display unit of a direct-view display device or as a light valve of a projection display device such as a projector. In particular, when used as a light valve of a projector, intense light is emitted as compared with the case of being used in a direct-view display device.

液晶装置に照射された光については、液晶装置を透過するものだけではなく、液晶装置の内部、例えば液晶や遮光層等により吸収されるものもある。吸収された光は当該液晶装置内部で熱となって発生する。素子基板及び対向基板を構成する石英やガラスは熱伝導性がそれほど高くないため、発生した熱が液晶装置内部にこもりやすく、液晶装置内部の温度が上昇する。液晶装置内部の温度が上昇すると、液晶の特性が劣化する等、表示不良の原因となる。プロジェクタのライトバルブには強い光が照射されるため、温度上昇が大きく、表示不良も著しくなる。これに対して、特許文献1には、素子基板及び対向基板の内側全面にそれぞれ薄膜状の透明な放熱層を形成することにより液晶装置内部で発生する熱を効率よく放熱できる、とする技術が記載されている。
特開2003−156729号公報
The light emitted to the liquid crystal device is not only transmitted through the liquid crystal device, but also absorbed inside the liquid crystal device, for example, a liquid crystal or a light shielding layer. The absorbed light is generated as heat inside the liquid crystal device. Since quartz and glass constituting the element substrate and the counter substrate are not so high in thermal conductivity, the generated heat tends to be trapped inside the liquid crystal device, and the temperature inside the liquid crystal device rises. When the temperature inside the liquid crystal device rises, it may cause display defects such as deterioration of liquid crystal characteristics. Since the light bulb of the projector is irradiated with strong light, the temperature rises greatly and the display defect becomes remarkable. On the other hand, Patent Document 1 discloses a technique for efficiently dissipating heat generated inside the liquid crystal device by forming a thin transparent heat dissipation layer on the entire inner surfaces of the element substrate and the counter substrate. Are listed.
JP 2003-156729 A

上記の特許文献1においては、放熱層が薄膜であり熱が伝導する方向に対する断面積が小さいため熱が伝わりにくく、液晶装置内部で発生した熱を十分に放熱できない恐れがある。
また、放熱層は透明ではあるものの、いわば光路を覆うように形成されており、光源からの光を吸収してしまうので、発熱の原因になってしまう上、液晶装置を透過する光量が減少し表示が暗くなる原因にもなってしまう。
In Patent Document 1, since the heat dissipation layer is a thin film and the cross-sectional area in the direction in which heat is conducted is small, it is difficult for heat to be transmitted, and there is a possibility that the heat generated inside the liquid crystal device cannot be sufficiently dissipated.
In addition, although the heat dissipation layer is transparent, it is formed so as to cover the optical path, so it absorbs light from the light source, causing heat generation and reducing the amount of light transmitted through the liquid crystal device. It may also cause the display to darken.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、表示が暗くなるのを防ぎつつ、内部で発生する熱を効率よく放熱することができる電気光学装置及び当該電気光学装置を搭載した投射型表示装置を提供することにある。   In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide an electro-optical device capable of efficiently dissipating heat generated inside while preventing the display from becoming dark, and a projection display equipped with the electro-optical device. To provide an apparatus.

上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置は、複数の画素電極及び前記画素電極を駆動するスイッチング素子が配列された素子基板と、前記素子基板と対向して設けられた対向基板とを有する電気光学装置であって、前記対向基板の外面から前記素子基板側に向けて所定の角度で入射する入射光のうち隣接する前記画素電極の間の領域へ向かう光を遮光する遮光部が、前記対向基板の内面に設けられ、前記遮光部が、前記対向基板のうち前記画素電極の有効表示領域へ向かう前記入射光を遮光しない領域内に断面を有するように前記対向基板内に埋め込まれていることを特徴とする。
ここで、「対向基板の内面」は、対向基板の基板面のうち素子基板と対向する基板面を意味し、「対向基板の外面」は、この内面とは反対側の基板面を意味する。
To achieve the above object, an electro-optical device according to the present invention includes an element substrate on which a plurality of pixel electrodes and switching elements for driving the pixel electrodes are arranged, and a counter substrate provided to face the element substrate. An electro-optical device having a light-shielding portion that shields light traveling from an outer surface of the counter substrate toward the element substrate side at a predetermined angle toward light between adjacent pixel electrodes. Provided on the inner surface of the counter substrate, and the light shielding portion is embedded in the counter substrate so as to have a cross section in a region of the counter substrate that does not block the incident light toward the effective display region of the pixel electrode. It is characterized by.
Here, “the inner surface of the counter substrate” means a substrate surface of the counter substrate that faces the element substrate, and “the outer surface of the counter substrate” means a substrate surface opposite to the inner surface.

本発明では、遮光部が対向基板のうち画素電極へ向かう入射光を遮光しない領域内に埋め込まれているので、画素電極へ向かう光が弱まること無い。また、遮光部が当該領域内に断面を有するように埋め込まれているので、熱が伝導する方向に対する断面積を十分に大きくすることができ、電気光学装置内部で発生した熱を効率よく伝導することができる。これにより、表示が暗くなるのを防ぎつつ、内部で発生する熱を効率よく放熱することができる。   In the present invention, since the light shielding portion is embedded in the region of the counter substrate that does not shield the incident light directed to the pixel electrode, the light directed to the pixel electrode is not weakened. In addition, since the light shielding portion is embedded so as to have a cross section in the region, the cross sectional area in the direction in which heat is conducted can be sufficiently increased, and the heat generated inside the electro-optical device can be efficiently conducted. be able to. Thereby, the heat generated inside can be efficiently radiated while preventing the display from becoming dark.

また、本発明の別の観点に係る電気光学装置は、複数の画素電極及び前記画素電極を駆動するスイッチング素子が配列された素子基板と、前記素子基板と対向して設けられた対向基板とを有する電気光学装置であって、前記対向基板の外面から所定の角度で入射する入射光のうち隣接する前記画素電極の間の領域へ向かう光を遮光する遮光部が、前記対向基板の内面に設けられ、前記遮光部が、前記対向基板内に埋め込まれた内面から外面に向けて先細りのテーパー部を有することを特徴とする。   An electro-optical device according to another aspect of the present invention includes an element substrate on which a plurality of pixel electrodes and switching elements that drive the pixel electrodes are arranged, and a counter substrate provided to face the element substrate. An electro-optical device having a light-shielding portion that shields light directed to a region between adjacent pixel electrodes from incident light incident at a predetermined angle from an outer surface of the counter substrate is provided on an inner surface of the counter substrate. The light-shielding portion has a tapered portion that tapers from the inner surface embedded in the counter substrate toward the outer surface.

本発明では、遮光部が対向基板内に埋め込まれたテーパー部を有している、すなわち、遮光部の側面が対向基板の基板面に対して対向基板の内部で先細りになるように傾いているので、対向基板の内部を進行する光の方向や角度に合わせてテーパー部の傾きを設計すれば、画素領域に向けた入射光を遮光しないようにすることができる。また、遮光部は、対向基板内部に向けて先端が細くなっていく形状を有しているので、その断面は熱を伝導するのに十分な断面積を有していることになり、テーパー部を介して電気光学装置内で発生した熱を効率よく伝導させることができる。これにより、表示が暗くなるのを防ぎつつ、内部で発生する熱を効率よく放熱することができる。   In the present invention, the light shielding portion has a tapered portion embedded in the counter substrate, that is, the side surface of the light shielding portion is inclined so as to be tapered inside the counter substrate with respect to the substrate surface of the counter substrate. Therefore, if the inclination of the tapered portion is designed in accordance with the direction and angle of light traveling inside the counter substrate, it is possible to prevent light incident on the pixel region from being blocked. Further, since the light shielding portion has a shape in which the tip becomes narrower toward the inside of the counter substrate, the cross section has a sufficient cross sectional area to conduct heat, and the tapered portion. Thus, heat generated in the electro-optical device can be efficiently conducted. Thereby, the heat generated inside can be efficiently radiated while preventing the display from becoming dark.

また、前記遮光部の前記テーパー部の傾斜角が、前記入射光の屈折角よりも大きいことが好ましい。「傾斜角」は、対向基板の基板面に垂直な面を基準としたときの傾斜角を意味する。テーパー部の傾斜角が入射光の屈折角よりも小さいと、テーパー部が画素電極に向かう光の少なくとも一部をいわば壁となって遮る構成になるため、画素電極に向かう光が弱くなってしまう。テーパー部の傾斜角を入射光の屈折角よりも大きくすることで、画素電極に向かう入射光が当該テーパー部に遮られないようにすることができる。これにより、表示が暗くなるのを防ぐことができる。   Moreover, it is preferable that the inclination angle of the tapered portion of the light shielding portion is larger than the refraction angle of the incident light. “Inclination angle” means an inclination angle with respect to a plane perpendicular to the substrate surface of the counter substrate. If the inclination angle of the taper portion is smaller than the refraction angle of incident light, the taper portion is configured to block at least a part of the light toward the pixel electrode, so that the light toward the pixel electrode becomes weak. . Increasing the angle of inclination of the tapered portion than the angle of refraction of the incident light can prevent the incident light directed to the pixel electrode from being blocked by the tapered portion. Thereby, it can prevent that a display becomes dark.

また、前記遮光部の断面がほぼ三角形であることが好ましい。遮光部は、例えば対向基板の表面を切削し、当該切削した溝に材料を埋め込むことで形成することができる。遮光部の断面を三角形にする場合、切削する溝の形状を三角形にすればよい。三角形の溝を切削により形成することは容易であるため、製造工程が簡略化され生産性が向上するという利点がある。   Moreover, it is preferable that the cross section of the said light-shielding part is a substantially triangle. The light shielding portion can be formed, for example, by cutting the surface of the counter substrate and embedding a material in the cut groove. When the cross section of the light shielding portion is triangular, the shape of the groove to be cut may be triangular. Since it is easy to form the triangular groove by cutting, there is an advantage that the manufacturing process is simplified and the productivity is improved.

また、前記遮光部の断面がエッチングによる形状であることが好ましい。これにより、例えば基板をエッチングしたときの溝をそのまま遮光部の形状として利用することができるので、製造工程が簡略化され生産性が向上するという利点がある。エッチングにより、遮光部の断面の形状は例えば半円になる。   Moreover, it is preferable that the cross section of the said light-shielding part is a shape by an etching. Thereby, for example, the groove when the substrate is etched can be used as it is as the shape of the light-shielding portion, so that there is an advantage that the manufacturing process is simplified and the productivity is improved. By etching, the cross-sectional shape of the light shielding portion becomes, for example, a semicircle.

また、前記遮光部が、前記対向基板に格子状に設けられることが好ましい。例えば、素子としてTFT(Thin Film Transistor)が用いられる場合、通常は素子基板の表面には画素電極が縦横に配列されることになるため、隣接する画素電極の間の領域は格子状になる。当該格子状の領域に対応するように遮光層を格子状に形成することで、当該配線や素子への光を遮光できると同時に、格子状に形成された当該遮光層を介して、電気光学装置の内部で発生した熱を基板全体に拡散させることができる。   Moreover, it is preferable that the said light shielding part is provided in the said opposing board | substrate at a grid | lattice form. For example, when a TFT (Thin Film Transistor) is used as an element, the pixel electrodes are usually arranged vertically and horizontally on the surface of the element substrate, so that the area between adjacent pixel electrodes is in a grid pattern. By forming the light shielding layer in a lattice shape so as to correspond to the lattice area, it is possible to shield the light to the wiring and element, and at the same time, through the light shielding layer formed in the lattice shape, the electro-optical device The heat generated inside the substrate can be diffused throughout the substrate.

また、前記遮光部が、前記対向基板にストライプ状に設けられることが好ましい。例えば、素子としてTFD(Thin Film Diode)が用いられる場合、通常は素子基板の表面には配線がストライプ上に形成される。遮光部をこの素子及び配線の形成された領域に対応するようにストライプ状に形成することで、当該配線や素子へ光を遮光できると同時に、電気光学装置の内部で発生した熱をストライプに沿って拡散させることができる。   Moreover, it is preferable that the said light-shielding part is provided in the said opposing board | substrate at stripe form. For example, when a TFD (Thin Film Diode) is used as an element, wiring is usually formed on the stripe on the surface of the element substrate. By forming the light-shielding portion in a stripe shape so as to correspond to the region where the element and the wiring are formed, light can be shielded to the wiring and the element, and at the same time, the heat generated in the electro-optical device is moved along the stripe. Can be diffused.

また、前記遮光部が、前記対向基板の一端から他端まで延在していることが好ましい。このようにすれば、電気光学装置の内部で発生した熱を、対向基板の一端から他端に亘って広く拡散させることができる。   Further, it is preferable that the light shielding portion extends from one end to the other end of the counter substrate. In this way, the heat generated inside the electro-optical device can be widely diffused from one end of the counter substrate to the other end.

また、少なくとも前記対向基板の前記一端又は他端には、前記遮光部に接するように放熱部材が設けられることが好ましい。これにより、電気光学装置の内部で発生し、基板の一端又は他端に拡散された熱を枠部にも伝導することができる。例えば枠部を熱伝導性の高い金属等の材料で形成することで更に効率的に熱を伝導させることができる。電気光学装置の内部で発生した熱が、遮光部、枠部を介して電気光学装置の全体に伝導することで、放熱効率を格段に向上させることができる。   Moreover, it is preferable that a heat radiating member is provided at least at one end or the other end of the counter substrate so as to be in contact with the light shielding portion. Accordingly, the heat generated inside the electro-optical device and diffused to one end or the other end of the substrate can be conducted to the frame portion. For example, heat can be more efficiently conducted by forming the frame portion from a material such as a metal having high thermal conductivity. The heat generated inside the electro-optical device is conducted to the entire electro-optical device through the light shielding portion and the frame portion, so that the heat radiation efficiency can be significantly improved.

また、前記放熱部材が、当該電気光学装置を保持するフレームであることが好ましい。このようにケースが放熱部材を兼ねているので、別段に放熱部材を設ける必要が無い。これにより、内部で発生した熱を効率的に放熱することができる。   Moreover, it is preferable that the heat radiating member is a frame for holding the electro-optical device. Since the case also serves as a heat radiating member, it is not necessary to provide a heat radiating member separately. Thereby, the heat generated inside can be efficiently radiated.

また、前記遮光部が、金属からなることが好ましい。遮光部を形成する材料として金属が好ましく用いられるのは、金属が熱伝導性の高い材料であること、対向基板の溝の形状に合わせて形成可能であること、高い光反射率を有しており例えば樹脂などに比べて照射される光を吸収せずに反射する傾向が強いこと、遮光部としての機能を十分に発揮できることの理由によるものである。   Moreover, it is preferable that the said light shielding part consists of metals. The metal is preferably used as the material for forming the light-shielding portion because the metal is a material having high thermal conductivity, can be formed in accordance with the shape of the groove of the counter substrate, and has a high light reflectance. This is because, for example, there is a strong tendency to reflect the irradiated light without absorbing it compared to a resin or the like, and the function as a light shielding portion can be sufficiently exhibited.

また、前記遮光部が、アルミニウムからなることが好ましい。アルミニウムは、金属の中でも極めて高い光反射率を有している。アルミニウムに照射される光のほとんどが吸収されずに反射する。アルミニウムを遮光部の材料として用いることで、十分に遮光することができる上、遮光部自身が光をほとんど吸収しないので当該遮光部での発熱を抑えることもできる。   Moreover, it is preferable that the said light-shielding part consists of aluminum. Aluminum has a very high light reflectance among metals. Most of the light irradiated to aluminum is reflected without being absorbed. By using aluminum as a material for the light shielding portion, it is possible to sufficiently shield the light, and since the light shielding portion itself hardly absorbs light, heat generation in the light shielding portion can be suppressed.

また、前記対向基板には、マイクロレンズアレイが設けられていることが好ましい。これにより、対向基板に入射する光は、マイクロレンズのレンズ部分により画素電極に向けて集光される。例えば本来遮光部のテーパー部に向かう光についても、レンズ部分により画素電極に向けて集光することができるため、光を効率的に利用することができる。   The counter substrate is preferably provided with a microlens array. Thereby, the light incident on the counter substrate is condensed toward the pixel electrode by the lens portion of the microlens. For example, light that is originally directed toward the tapered portion of the light-shielding portion can be condensed toward the pixel electrode by the lens portion, so that the light can be used efficiently.

本発明の別の観点に係る投射型表示装置は、光源と、前記光源からの光を変調する光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを具備する投射型表示装置であって、前記光変調手段が、上記の電気光学装置であることを特徴とする。   A projection display apparatus according to another aspect of the present invention includes a light source, a light modulation unit that modulates light from the light source, and a projection unit that projects light modulated by the light modulation unit. In the display device, the light modulation unit is the electro-optical device described above.

本発明では、光源からの光を遮らないことで表示が暗くなるのを防ぎつつ、内部で発生する熱を効率よく放熱することで表示不良を回避できるようにした電気光学装置を搭載したので、コントラストが高い投射型表示装置を得ることができる。   In the present invention, since an electro-optical device that can avoid display defects by efficiently dissipating the heat generated inside while preventing the display from becoming dark by not blocking the light from the light source, A projection display device with high contrast can be obtained.

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
なお本明細書では、液晶装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼ぶことにする。また、「非選択電圧印加時」および「選択電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶の配向が変化するしきい値電圧近傍である時」および「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧に比べて十分高い時」を意味しているものとする。
なお本実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTという)素子を用いたアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置を例にして説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.
In the present specification, the liquid crystal layer side of each component of the liquid crystal device is referred to as an inner side, and the opposite side is referred to as an outer side. “When non-selection voltage is applied” and “when selection voltage is applied” are respectively “when the applied voltage to the liquid crystal layer is near the threshold voltage at which the liquid crystal orientation changes” and “applied to the liquid crystal layer”. "When the voltage is sufficiently higher than the threshold voltage of the liquid crystal".
In the present embodiment, an active matrix type transmissive liquid crystal device using a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) element as a switching element will be described as an example.

[第1実施形態]
(等価回路)
図1は、液晶装置の等価回路図である。透過型液晶装置の画像表示領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数のドットには、画素電極20が形成されている。また、その画素電極20の側方には、当該画素電極20への通電制御を行うためのスイッチング素子であるTFT素子15が形成されている。このTFT素子15のソースには、データ線10が電気的に接続されている。その各データ線10には、画像信号S1、S2、…、Snが供給されるようになっている。なお画像信号S1、S2、…、Snは、各データ線10に対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線10に対してグループ毎に供給してもよい。
[First Embodiment]
(Equivalent circuit)
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal device. Pixel electrodes 20 are formed on a plurality of dots arranged in a matrix to form an image display region of the transmissive liquid crystal device. Further, on the side of the pixel electrode 20, a TFT element 15 that is a switching element for performing energization control to the pixel electrode 20 is formed. The data line 10 is electrically connected to the source of the TFT element 15. Each data line 10 is supplied with image signals S1, S2,..., Sn. The image signals S1, S2,..., Sn may be supplied to each data line 10 in this order, or may be supplied for each group of data lines 10 adjacent to each other.

また、TFT素子15のゲートには、走査線9が電気的に接続されている。走査線9には、所定のタイミングでパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmが供給されるようになっている。なお走査信号G1、G2、…、Gmは、各走査線9に対してこの順に線順次で印加する。また、TFT素子15のドレインには、画素電極20が電気的に接続されている。そして、走査線9から供給された走査信号G1、G2、…、Gmにより、スイッチング素子であるTFT素子15を一定期間だけオン状態にすると、データ線10から供給された画像信号S1、S2、…、Snが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。   Further, the scanning line 9 is electrically connected to the gate of the TFT element 15. The scanning signals G1, G2,..., Gm are supplied to the scanning line 9 in a pulse manner at a predetermined timing. The scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to each scanning line 9 in this order in this order. Further, the pixel electrode 20 is electrically connected to the drain of the TFT element 15. When the TFT element 15 serving as a switching element is turned on for a certain period by the scanning signals G1, G2,..., Gm supplied from the scanning line 9, the image signals S1, S2,. , Sn are written to the liquid crystal of each pixel at a predetermined timing.

液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、画素電極20と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号S1、S2、…、Snがリークするのを防止するため、画素電極20と容量線60との間に蓄積容量51が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて、階調表示ができるようになっている。   Image signals S1, S2,..., Sn written in the liquid crystal are held for a certain period by a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 20 and a common electrode described later. In order to prevent the retained image signals S1, S2,..., Sn from leaking, a storage capacitor 51 is formed between the pixel electrode 20 and the capacitor line 60, and is arranged in parallel with the liquid crystal capacitor. . Thus, when a voltage signal is applied to the liquid crystal, the alignment state of the liquid crystal molecules changes depending on the applied voltage level. As a result, the light incident on the liquid crystal is modulated so that gradation display can be performed.

(平面構造)
図2は、液晶装置の平面構造の説明図である。本実施形態の液晶装置では、TFTアレイ基板(素子基板)4上に、矩形状の画素電極20(破線20aによりその輪郭を示す)がマトリクス状に配列形成されている。また、画素電極20の縦横の境界に沿って、データ線10、走査線9および容量線60が設けられている。また、斜線で示す領域(対向基板5上)には遮光部21が格子状に設けられる。本実施形態では、各画素電極20の形成された領域がドット領域であり、マトリクス状に配置されたドット領域ごとに表示を行うことができるようになっている。
(Planar structure)
FIG. 2 is an explanatory diagram of a planar structure of the liquid crystal device. In the liquid crystal device of the present embodiment, rectangular pixel electrodes 20 (the outlines of which are indicated by broken lines 20a) are arranged in a matrix on a TFT array substrate (element substrate) 4. A data line 10, a scanning line 9, and a capacitor line 60 are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 20. In addition, light shielding portions 21 are provided in a lattice shape in a region indicated by diagonal lines (on the counter substrate 5). In the present embodiment, the area where each pixel electrode 20 is formed is a dot area, and display can be performed for each dot area arranged in a matrix.

TFT素子15は、ポリシリコン膜等からなる半導体層1aを中心として形成されている。半導体層1aのソース領域(後述)には、コンタクトホール53を介して、データ線10が電気的に接続されている。また、半導体層1aのドレイン領域(後述)には、コンタクトホール54を介して、画素電極20が電気的に接続されている。一方、半導体層1aにおける走査線9との対向部分には、チャネル領域1a’が形成されている。なお走査線9は、チャネル領域1a’との対向部分においてゲート電極として機能する。   The TFT element 15 is formed around the semiconductor layer 1a made of a polysilicon film or the like. A data line 10 is electrically connected to a source region (described later) of the semiconductor layer 1 a through a contact hole 53. Further, the pixel electrode 20 is electrically connected to the drain region (described later) of the semiconductor layer 1 a through the contact hole 54. On the other hand, a channel region 1a 'is formed in a portion facing the scanning line 9 in the semiconductor layer 1a. The scanning line 9 functions as a gate electrode at a portion facing the channel region 1a '.

(断面構造)
図3は、液晶装置の断面構造の説明図であり、図2のA−A’線における側面断面図である。図3に示すように、本実施形態の液晶装置1は、TFTアレイ基板4と、これに対向配置された対向基板5と、これらの間に挟持された液晶層8とを主体として構成されている。TFTアレイ基板4は、ガラスや石英等の透光性材料からなり、内側にはTFT素子15や画素電極20、配向膜22aなどが設けられている。一方の対向基板5は、ガラスや石英等の透光性材料からなり、内側には共通電極57や配向膜22bなどが設けられている。
(Cross-section structure)
3 is an explanatory diagram of a cross-sectional structure of the liquid crystal device, and is a side cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. As shown in FIG. 3, the liquid crystal device 1 of the present embodiment is mainly composed of a TFT array substrate 4, a counter substrate 5 disposed to face the TFT array substrate 4, and a liquid crystal layer 8 sandwiched therebetween. Yes. The TFT array substrate 4 is made of a translucent material such as glass or quartz, and the TFT element 15, the pixel electrode 20, the alignment film 22 a, and the like are provided on the inner side. One counter substrate 5 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, and a common electrode 57 and an alignment film 22b are provided on the inner side.

TFTアレイ基板4の表面には第1層間絶縁膜59が形成されている。そして、第1層間絶縁膜59の表面には多結晶シリコン等からなる半導体層1aが形成され、この半導体層1aを中心としてTFT素子15が形成されている。半導体層1aにおける走査線9との対向部分にはチャネル領域1a’が形成され、その両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。なお、このTFT素子15はLDD(Lightly Doped Drain)構造を採用しているため、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域(LDD領域)とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域1bと高濃度ソース領域1dとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域1cと高濃度ドレイン領域1eとが形成されている。   A first interlayer insulating film 59 is formed on the surface of the TFT array substrate 4. A semiconductor layer 1a made of polycrystalline silicon or the like is formed on the surface of the first interlayer insulating film 59, and the TFT element 15 is formed around the semiconductor layer 1a. A channel region 1a 'is formed in a portion of the semiconductor layer 1a facing the scanning line 9, and a source region and a drain region are formed on both sides thereof. Since the TFT element 15 employs an LDD (Lightly Doped Drain) structure, a high concentration region having a relatively high impurity concentration and a relatively low concentration region (LDD) are respectively provided in the source region and the drain region. Region). That is, a low concentration source region 1b and a high concentration source region 1d are formed in the source region, and a low concentration drain region 1c and a high concentration drain region 1e are formed in the drain region.

半導体層1aの表面には、ゲート絶縁膜2が形成されている。そして、ゲート絶縁膜2の表面に走査線9が形成されて、その一部がゲート電極を構成している。また、ゲート絶縁膜2および走査線9の表面には、第2層間絶縁膜61が形成されている。そして、第2層間絶縁膜61の表面にデータ線10が形成され、第2層間絶縁膜61に形成されたコンタクトホール53を介して、高濃度ソース領域1dと電気的に接続されている。さらに、第2層間絶縁膜61およびデータ線10の表面には、第3層間絶縁膜62が形成されている。そして、第3層間絶縁膜62の表面には、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide、以下ITOという)等の透明導電性材料からなる画素電極20が形成されている。この画素電極20は、第2層間絶縁膜61および第3層間絶縁膜62に形成されたコンタクトホール54を介して、高濃度ドレイン領域1eと電気的に接続されている。さらに、画素電極20の内側には、ポリイミド等の有機材料からなる配向膜22aが形成されている。配向膜22aの表面にはラビング等が施され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向方向を規制しうるようになっている。なお、走査線はゲート電極を含むものとして説明したが、走査線をゲート電極とは別層に形成して、コンタクトホールを介して接続する構成でもよい。     A gate insulating film 2 is formed on the surface of the semiconductor layer 1a. Then, a scanning line 9 is formed on the surface of the gate insulating film 2, and a part thereof constitutes a gate electrode. A second interlayer insulating film 61 is formed on the surfaces of the gate insulating film 2 and the scanning line 9. The data line 10 is formed on the surface of the second interlayer insulating film 61 and is electrically connected to the high-concentration source region 1 d through the contact hole 53 formed in the second interlayer insulating film 61. Further, a third interlayer insulating film 62 is formed on the surfaces of the second interlayer insulating film 61 and the data line 10. A pixel electrode 20 made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) is formed on the surface of the third interlayer insulating film 62. The pixel electrode 20 is electrically connected to the high concentration drain region 1 e through a contact hole 54 formed in the second interlayer insulating film 61 and the third interlayer insulating film 62. Further, an alignment film 22 a made of an organic material such as polyimide is formed inside the pixel electrode 20. The surface of the alignment film 22a is rubbed or the like so that the alignment direction of the liquid crystal molecules when a non-selection voltage is applied can be regulated. Note that although the scanning line includes a gate electrode, the scanning line may be formed in a layer different from that of the gate electrode and connected through a contact hole.

なお、本実施形態では、半導体層1aを延設して第1蓄積容量電極1fが形成されている。また、ゲート絶縁膜2を延設して誘電体膜が形成され、その表面に容量線60が配置されて第2蓄積容量電極が形成されている。これらにより、上述した蓄積容量51が構成されている。   In the present embodiment, the first storage capacitor electrode 1f is formed by extending the semiconductor layer 1a. Further, the gate insulating film 2 is extended to form a dielectric film, and the capacitor line 60 is arranged on the surface thereof to form a second storage capacitor electrode. Thus, the above-described storage capacitor 51 is configured.

対向基板5の表面には、ほぼ全面にわたってITO等の透明導電性材料からなる共通電極57が形成されている。さらに、共通電極57の表面には、必要に応じて後述する撥水層(不図示)を介して、ポリイミド等の有機材料からなる配向膜22bが形成されている。配向膜22bの表面にはラビング等が施され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向方向を規制しうるようになっている。   A common electrode 57 made of a transparent conductive material such as ITO is formed on the surface of the counter substrate 5 over substantially the entire surface. Furthermore, an alignment film 22b made of an organic material such as polyimide is formed on the surface of the common electrode 57 through a water repellent layer (not shown), which will be described later, as necessary. The surface of the alignment film 22b is rubbed or the like so that the alignment direction of the liquid crystal molecules when a non-selection voltage is applied can be regulated.

配向膜22a,22bを形成するには、まずポリイミドをスピンコートにより塗布し、約80℃で10分間程度乾燥させて溶剤を揮発させた後に、約180℃で1時間程度焼成して、ポリイミド膜を形成する。さらに、そのポリイミド膜をラビング密度450程度でラビング処理すれば、配向膜22a、22bが形成される。一例を挙げれば、配向膜22a,22bの厚さは、約25nmに形成されている。なお、配向膜22a,22bの厚さは5〜50nmとすることが好ましく、15〜30nmとすることがより好ましい。   In order to form the alignment films 22a and 22b, polyimide is first applied by spin coating, dried at about 80 ° C. for about 10 minutes to volatilize the solvent, and then baked at about 180 ° C. for about 1 hour. Form. Further, if the polyimide film is rubbed at a rubbing density of about 450, the alignment films 22a and 22b are formed. For example, the alignment films 22a and 22b have a thickness of about 25 nm. Note that the thickness of the alignment films 22a and 22b is preferably 5 to 50 nm, and more preferably 15 to 30 nm.

そして、TFTアレイ基板4および対向基板5を周縁部で接着するシール剤の内側には、ネマチック液晶からなる液晶層8が封止されている。このネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を示すものであり、非選択電圧印加時には電極に対して水平に配向し、選択電圧印加時には電極に対して垂直に配向するようになっている。なお、TFTアレイ基板4の配向膜22aによる配向規制方向と、対向基板5の配向膜22bによる配向規制方向とは、約90°ねじれた状態で配置されている。これにより、本実施形態の液晶装置1は、ツイステッドネマチックモードで動作するようになっている。なお、液晶モードとしては、ツイステッドネマチックモードの他に負の誘電率異方性を持つ液晶モード、すなわち垂直配向モードでもよい。   A liquid crystal layer 8 made of nematic liquid crystal is sealed inside a sealant that bonds the TFT array substrate 4 and the counter substrate 5 at the peripheral edge. This nematic liquid crystal molecule exhibits a positive dielectric anisotropy, and is oriented horizontally with respect to the electrode when a non-selective voltage is applied, and perpendicularly with respect to the electrode when a selective voltage is applied. . Note that the alignment regulation direction by the alignment film 22a of the TFT array substrate 4 and the alignment regulation direction by the alignment film 22b of the counter substrate 5 are arranged in a state twisted by about 90 °. Thereby, the liquid crystal device 1 of the present embodiment is configured to operate in the twisted nematic mode. In addition to the twisted nematic mode, the liquid crystal mode may be a liquid crystal mode having negative dielectric anisotropy, that is, a vertical alignment mode.

図4は、本実施形態に係る液晶装置の説明図である。なお、図4は、図3に示す断面構造の概略図であり、理解を容易にするため適宜記載を省略している。
TFT素子15の形成領域に対応するTFTアレイ基板4の表面に、遮光部21が形成されている。遮光部21は、アルミニウム単体や、アルミニウムに他の金属膜を積層したもので構成される。
FIG. 4 is an explanatory diagram of the liquid crystal device according to the present embodiment. FIG. 4 is a schematic diagram of the cross-sectional structure shown in FIG. 3, and is omitted as appropriate for easy understanding.
A light shielding portion 21 is formed on the surface of the TFT array substrate 4 corresponding to the formation region of the TFT element 15. The light-shielding portion 21 is composed of aluminum alone or a laminate of another metal film on aluminum.

図4(a)に示すように、遮光部21は、膜状に形成されるのではなく、断面が例えば三角形に形成される。具体的には、対向基板5の内面に幅L(L=約4μm)、対向基板5の内部に深さh(h=約10μm)となるように、また、対向基板5の内部で徐々に先細りとなるように対向基板5に埋め込まれて形成される。このように遮光部21が断面を有していることで、液晶装置1の内部で発生した熱が遮光部21の延在方向へ伝わりやすくなっている。遮光部21のように幅Lが約4μm、深さ(高さ)が約10μmの断面であれば、熱が伝導する方向に対する断面積が十分に大きいといえる。   As shown in FIG. 4A, the light-shielding portion 21 is not formed in a film shape, but has a cross section formed in, for example, a triangle. Specifically, the width L (L = about 4 μm) is formed on the inner surface of the counter substrate 5 and the depth h (h = about 10 μm) is formed inside the counter substrate 5, and gradually inside the counter substrate 5. It is embedded in the counter substrate 5 so as to be tapered. Thus, since the light shielding part 21 has a cross section, the heat generated inside the liquid crystal device 1 is easily transmitted in the extending direction of the light shielding part 21. If the cross section has a width L of about 4 μm and a depth (height) of about 10 μm as in the light shielding portion 21, it can be said that the cross-sectional area in the direction in which heat is conducted is sufficiently large.

この先細り部分(以下、「テーパー部」という。)21aは、基板に垂直な方向(法線方向)に対して角度θをなすように傾いている。なお、光源からの光は、対向基板5に対して一定の方向から入射角θで対向基板5に入射し、屈折角θで屈折して対向基板5内を直進するようになっている。対向基板5を形成する材料(例えばガラス)の屈折率をnとすると、sin(θ)=nsin(θ)となる。 The tapered portion (hereinafter referred to as “taper portion”) 21 a is inclined so as to form an angle θ 3 with respect to a direction (normal direction) perpendicular to the substrate. The light from the light source is incident on the counter substrate 5 at an incident angle θ 1 from a certain direction with respect to the counter substrate 5, refracts at the refraction angle θ 2 , and travels straight in the counter substrate 5. . When the refractive index of a material (for example, glass) forming the counter substrate 5 is n 2 , sin (θ 1 ) = n 2 sin (θ 2 ).

図4(b)に示すように、対向基板5に入射した入射光α及び入射光βは、遮光部21に遮られること無く画素電極20に到達する。入射光αよりも図中左側から入射する光αや、入射光βよりも図中右側から入射する光βは、遮光部21により遮られることになる。このような光は、遮光部21が存在しない場合には画素電極20に到達するのではなく、隣接する画素電極20の間の領域25に到達する光である。遮光部21は、このような画素電極20以外に到達する光を遮光することができるように、かつ、画素電極20に到達する光を遮光しないように、図4(b)に示す入射光αを表す線と、入射光βを表す線と、対向基板5の表面を示す線とで囲まれた領域Σ内に収まるように形成されている。対向基板5の表面から領域Σの頂点Pまでの深さHは、

Figure 2006113192
で表すことができる。ここでθは上述した入射光の屈折角の値、Lは上述した遮光部21の幅の値を示すものである。θについては、例えば16°程度にすることが好ましい。 As shown in FIG. 4B, the incident light α 1 and the incident light β 1 incident on the counter substrate 5 reach the pixel electrode 20 without being blocked by the light shielding portion 21. And light alpha 2 incident from the left side in the drawing than the incident light alpha 1, an optical beta 2 incident from the right side in the drawing than the incident light beta 1 will be shielded by the light shielding unit 21. Such light does not reach the pixel electrode 20 when the light blocking portion 21 is not present, but reaches the region 25 between the adjacent pixel electrodes 20. The light shielding portion 21 can shield light reaching other than the pixel electrode 20 and also prevent incident light α shown in FIG. 4B so as not to shield light reaching the pixel electrode 20. Is formed so as to fall within a region Σ surrounded by a line representing incident light β, a line representing incident light β, and a line representing the surface of the counter substrate 5. The depth H from the surface of the counter substrate 5 to the vertex P of the region Σ is
Figure 2006113192
It can be expressed as Here, θ 2 represents the value of the refraction angle of the incident light described above, and L represents the value of the width of the light shielding unit 21 described above. For example, θ 2 is preferably about 16 °.

図4(c)に示すように、図4(b)に示す領域Σからはみ出るように遮光部21を形成した場合、例えば遮光部21の幅Lの値を変えずに高さhの値を[式1]の値よりも大きくした場合には、本来画素電極20に到達することができる入射光αであっても、遮光部21に遮光されてしまう。なお、ここでは比較のため、図4(c)中に、図4(b)で示した遮光部21を一点鎖線で示してある。光αは一点鎖線で示した遮光部のちょうどふもとの部分を通過して画素電極20に到達することができるが、実線で示した遮光部21のテーパー部21aに遮られ画素電極20に到達することができない。 As shown in FIG. 4C, when the light shielding part 21 is formed so as to protrude from the region Σ shown in FIG. 4B, for example, the value of the height h is changed without changing the value of the width L of the light shielding part 21. When the value is larger than the value of [Expression 1], even the incident light α 3 that can originally reach the pixel electrode 20 is shielded by the light shielding portion 21. For comparison, the light shielding portion 21 shown in FIG. 4B is indicated by a one-dot chain line in FIG. 4C for comparison. The light alpha 3 can reach the pixel electrode 20 through just part of the foot of the light-shielding portion shown by a chain line, reaches the pixel electrode 20 is blocked by the tapered portion 21a of the light shielding portion 21 shown by the solid line Can not do it.

図5は、液晶装置1の端部の構成を示す図である。
遮光部21は、液晶装置1の端部ではフレーム3の面3aと接触している。このフレーム3は、例えばアルミニウム等の熱伝導率の高い金属からなり、液晶装置1を保持するものである。例えば液晶装置1の内部で発生した熱は、遮光部21を介して液晶装置1の端部に伝わり、端部では遮光部21からフレーム3に伝わり、フレーム3を介して放熱されるようになっている。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of an end portion of the liquid crystal device 1.
The light shielding portion 21 is in contact with the surface 3 a of the frame 3 at the end of the liquid crystal device 1. The frame 3 is made of a metal having a high thermal conductivity such as aluminum, and holds the liquid crystal device 1. For example, heat generated inside the liquid crystal device 1 is transmitted to the end portion of the liquid crystal device 1 through the light shielding portion 21, and is transmitted from the light shielding portion 21 to the frame 3 at the end portion and radiated through the frame 3. ing.

次に、本発明の液晶装置1の製造工程について説明する。
図6は、液晶装置1の製造工程を示すフローチャートである。本実施形態では、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶装置を一括して形成し、切断によって個々の液晶装置1に分離する方法を例に挙げて説明する。
Next, the manufacturing process of the liquid crystal device 1 of the present invention will be described.
FIG. 6 is a flowchart showing a manufacturing process of the liquid crystal device 1. In the present embodiment, a method in which a plurality of liquid crystal devices are collectively formed using a mother substrate having a large area and separated into individual liquid crystal devices 1 by cutting will be described as an example.

ST1からST6までの工程により、対向側マザー基板5Mが形成され、ST11からST13まで工程によって配線や例えばアクティブマトリクス型の液晶装置であればスイッチング素子等が設けられたTFTアレイ側マザー基板4Mが形成される。なお、TFTアレイ側マザー基板4Mは、TFTアレイ基板4となる複数の矩形の表示領域を含む大判の基板であり、対向側マザー基板5Mは、対向基板5となる複数の矩形の表示領域を含む大判の基板である。   The counter-side mother substrate 5M is formed by the steps from ST1 to ST6, and the TFT array-side mother substrate 4M in which switching elements are provided in the case of an active matrix type liquid crystal device is formed by the steps from ST11 to ST13. Is done. The TFT array-side mother substrate 4M is a large-sized substrate including a plurality of rectangular display areas to be the TFT array substrate 4. The counter-side mother substrate 5M includes a plurality of rectangular display areas to be the counter substrate 5. A large substrate.

まず、対向側マザー基板5Mの形成工程(ST1〜ST6)について説明する。
対向側マザー基板5Mに遮光部21を形成する(ST1)。図7に示すように、対向側マザー基板5Mの表面にレジストRを塗布する。次に、図8に示すように、ダイシングによりレジストRが塗布された対向側マザー基板5Mの表面をレジストRごと切削する。このとき、切削部分35の幅Lや深さhが上述した領域Σ内に収まるようにする。次に、図9に示すように、切削部分35にアルミニウム(図9中の斜線で示す部分)を蒸着させる。そして、図10に示すように、レジストR部分及び上部のアルミニウムを除去すると、遮光部21が形成される。
First, the formation process (ST1 to ST6) of the opposite-side mother substrate 5M will be described.
The light shielding part 21 is formed on the opposing mother substrate 5M (ST1). As shown in FIG. 7, a resist R is applied to the surface of the opposing mother substrate 5M. Next, as shown in FIG. 8, the surface of the opposite mother substrate 5 </ b> M coated with the resist R is cut together with the resist R by dicing. At this time, the width L and the depth h of the cutting portion 35 are set within the above-described region Σ. Next, as shown in FIG. 9, aluminum (a portion indicated by hatching in FIG. 9) is deposited on the cut portion 35. Then, as shown in FIG. 10, when the resist R portion and the upper aluminum are removed, a light shielding portion 21 is formed.

次に、遮光部21が形成された面に平坦化層、共通電極57を順に形成し(ST2)、当該共通電極57を覆うように配向膜22bを形成し(ST3)、この配向膜22bに対してラビング処理を実行する(ST4)。配向膜22bは、例えばポリイミドを塗布又は印刷することによって形成することができる。   Next, a planarization layer and a common electrode 57 are sequentially formed on the surface where the light shielding portion 21 is formed (ST2), an alignment film 22b is formed so as to cover the common electrode 57 (ST3), and the alignment film 22b is formed. Then, the rubbing process is executed (ST4). The alignment film 22b can be formed by applying or printing polyimide, for example.

各表示領域の周縁部には、当該表示領域を囲むようにエポキシ樹脂等からなるシール材6を矩形枠状に形成する(ST5)。このシール材6は、ディスペンサ等を用いて設計された位置に正確に形成する。シール材6は表示領域の角部を開始点として一筆書きで閉環状に形成される。シール材6が形成されるTFTアレイ側マザー基板4M上の領域には、光反射率が高い例えば金属などの材料からなる反射膜40(図10参照)を予め形成しておく。   At the periphery of each display area, a sealing material 6 made of epoxy resin or the like is formed in a rectangular frame shape so as to surround the display area (ST5). The sealing material 6 is accurately formed at a designed position using a dispenser or the like. The sealing material 6 is formed in a closed ring shape with a single stroke starting from the corner of the display area. In a region on the TFT array side mother substrate 4M where the sealing material 6 is formed, a reflective film 40 (see FIG. 10) made of a material such as a metal having a high light reflectance is formed in advance.

そして、シール材で囲まれた表示領域に液晶を塗布する(ST6)。例えば液晶滴下装置内に対向側マザー基板を配置させ、液滴吐出ヘッドから液晶を液滴状にして吐出し、これを基板表面に連続的に多数配置することによって所定の広さを持った液膜を形成する。   And a liquid crystal is apply | coated to the display area enclosed with the sealing material (ST6). For example, a liquid having a predetermined area can be obtained by disposing a counter mother substrate in a liquid crystal dropping device, discharging liquid crystals in droplets from a liquid droplet discharge head, and arranging a large number of them continuously on the substrate surface. A film is formed.

次に、TFTアレイ側マザー基板4Mの形成工程(ST11〜ST13)について簡単に説明する。
対向側マザー基板5Mの場合と同様に、石英等の透光性材料からなる大判の基材の各表示領域に走査線9、データ線10等を形成し、画素電極20及びTFT素子15を形成する(ST11)。これら走査線9やデータ線10については、例えば基材の表面全体にアルミニウム等の金属をスパッタし、これをエッチングすることによって、各表示領域に対して一括的に形成することができる。次に、各表示領域内にポリイミド等からなる配向膜を形成し(ST12)、この配向膜に対してラビング処理を実行する(ST13)。
Next, a process of forming the TFT array side mother substrate 4M (ST11 to ST13) will be briefly described.
As in the case of the opposing mother substrate 5M, the scanning lines 9, the data lines 10 and the like are formed in each display region of a large base material made of a light-transmitting material such as quartz, and the pixel electrodes 20 and the TFT elements 15 are formed. (ST11). The scanning lines 9 and the data lines 10 can be collectively formed for each display region by, for example, sputtering a metal such as aluminum on the entire surface of the substrate and etching it. Next, an alignment film made of polyimide or the like is formed in each display region (ST12), and a rubbing process is performed on the alignment film (ST13).

次に、上記の各工程で形成した対向側マザー基板5MとTFTアレイ側マザー基板4Mとを貼り合わせる(ST21)。両基板を近接させ、TFTアレイ側マザー基板4Mが対向側マザー基板5M上のシール材6に接着させるようにする。対向側マザー基板5MとTFTアレイ側マザー基板4Mとを貼り合わせた後には、図11に示すように、シール材6に紫外線(UV)を照射して硬化させる。   Next, the opposing mother substrate 5M and the TFT array mother substrate 4M formed in each of the above steps are bonded together (ST21). Both substrates are brought close to each other so that the TFT array-side mother substrate 4M is adhered to the sealing material 6 on the opposite-side mother substrate 5M. After bonding the opposing mother substrate 5M and the TFT array mother substrate 4M, as shown in FIG. 11, the sealing material 6 is irradiated with ultraviolet rays (UV) and cured.

対向側マザー基板5Mの外側から紫外線を照射すると、当該紫外線は対向側マザー基板5Mを透過してシール材6に照射される。シール材6を透過する紫外線については、予めTFTアレイ側マザー基板4Mのシール材6形成部分に形成しておいた反射膜40で反射され、シール材6に照射される。反射膜40で反射された紫外線のうち、再びシール材6を透過した紫外線は、遮光部21の面21bで再度反射されてシール材6に照射される。このように紫外線を効率よく照射してシール材6を硬化する。   When ultraviolet rays are irradiated from the outside of the opposing mother substrate 5M, the ultraviolet rays are transmitted through the opposing mother substrate 5M and applied to the sealing material 6. The ultraviolet rays that pass through the sealing material 6 are reflected by the reflective film 40 formed in advance on the sealing material 6 forming portion of the TFT array-side mother substrate 4M, and are applied to the sealing material 6. Of the ultraviolet light reflected by the reflective film 40, the ultraviolet light that has again passed through the sealing material 6 is reflected again by the surface 21 b of the light shielding part 21 and is irradiated onto the sealing material 6. In this way, the sealing material 6 is cured by efficiently irradiating ultraviolet rays.

その後、TFTアレイ基板4及び対向基板5にスクライブ線を形成し、当該スクライブ線に沿って液晶パネルを切断し(ST22)、各液晶パネルの洗浄を行い(ST23)、各液晶パネルに例えばACFを介してフレキシブル基板を実装して、液晶装置1が完成する。   Thereafter, scribe lines are formed on the TFT array substrate 4 and the counter substrate 5, the liquid crystal panel is cut along the scribe lines (ST22), each liquid crystal panel is cleaned (ST23), and, for example, ACF is applied to each liquid crystal panel. The flexible substrate is mounted through the liquid crystal device 1 to complete the liquid crystal device 1.

本実施形態によれば、遮光部21が対向基板5のうち画素電極20へ向かう入射光を遮光しない領域Σ内に埋め込まれているので、画素電極20へ向かう光が弱まることは無い。また、遮光部21が当該領域Σ内に断面を有するように埋め込まれているので、熱が伝導する方向に対する断面積を十分に大きくすることができ、例えば液晶装置1の内部で発生した熱を効率よく伝導することができる。これにより、表示特性の低下を防ぎつつ、液晶装置1の内部で発生する熱を効率よく放熱することができる。   According to this embodiment, since the light shielding part 21 is embedded in the region Σ that does not shield the incident light directed to the pixel electrode 20 in the counter substrate 5, the light directed to the pixel electrode 20 is not weakened. In addition, since the light-shielding portion 21 is embedded in the region Σ so as to have a cross section, the cross-sectional area with respect to the direction in which heat is conducted can be sufficiently increased. For example, the heat generated in the liquid crystal device 1 can be reduced. It can conduct efficiently. Thereby, it is possible to efficiently dissipate heat generated inside the liquid crystal device 1 while preventing deterioration of display characteristics.

尚、本実施形態において、対向側マザー基板5Mは、TFTアレイ側マザー基板4Mとの貼り合せの前にブレイクして、分離された対向基板5をTFTアレイ側マザー基板4M上に貼り合せてもよい。   In this embodiment, the counter-side mother substrate 5M is broken before being bonded to the TFT array-side mother substrate 4M, and the separated counter substrate 5 is bonded to the TFT array-side mother substrate 4M. Good.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態を説明する。
図12は、本実施形態に係る液晶装置101の構成を示す断面図である。第1実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、遮光部の構成が第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a configuration of the liquid crystal device 101 according to the present embodiment. About the same component as 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted. In this embodiment, since the structure of the light-shielding part is different from that of the first embodiment, this point will be mainly described.

図12に示すように、遮光部221は、対向基板5のX方向及びY方向に格子状になるように形成され、その断面が半円になるように形成される。対向基板5の内面に幅L(L=約4μm)、対向基板5の内部に深さh(h=約10μm)となるように埋め込まれて形成される点、領域Σ内に収容されるように形成されている点は、第1実施形態と同様である。   As shown in FIG. 12, the light shielding part 221 is formed so as to have a lattice shape in the X direction and the Y direction of the counter substrate 5, and is formed so that the cross section thereof becomes a semicircle. It is accommodated in a region Σ that is embedded and formed to have a width L (L = about 4 μm) on the inner surface of the counter substrate 5 and a depth h (h = about 10 μm) inside the counter substrate 5. This is the same as in the first embodiment.

次に、このように構成される液晶装置101の製造方法について説明する。遮光部221を形成する工程を除いては第1実施形態と同様であるため、ここでは遮光部221の製造工程について説明する。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal device 101 configured as described above will be described. Since it is the same as that of 1st Embodiment except the process of forming the light shielding part 221, the manufacturing process of the light shielding part 221 is demonstrated here.

対向側マザー基板5Mに遮光部221を形成するには、まず、図13に示すように、対向側マザー基板5Mの表面に遮光部221を形成する領域Sを除いてレジストRを塗布する。次に、図14に示すように、領域Sに例えばウエットエッチングを施して半円形の溝235を形成する。エッチングは、例えば石英などを溶解することができ、レジストRを溶解しないようなフッ酸(HF)等を用いて行う。このとき、溝235の幅Lや深さhが上述した領域Σ内に収まるようにする。次に、図15に示すように、溝235にアルミニウム236を蒸着させる。そして、図16に示すように、レジストRを除去すると、対向側マザー基板5Mに埋め込まれた状態で遮光部221が完成する。   In order to form the light shielding part 221 on the opposing mother substrate 5M, first, as shown in FIG. 13, a resist R is applied to the surface of the opposing mother substrate 5M except for the region S where the light shielding part 221 is formed. Next, as shown in FIG. 14, for example, wet etching is performed on the region S to form a semicircular groove 235. Etching is performed using hydrofluoric acid (HF) or the like that can dissolve, for example, quartz and does not dissolve the resist R. At this time, the width L and the depth h of the groove 235 are set within the above-described region Σ. Next, as shown in FIG. 15, aluminum 236 is deposited in the groove 235. Then, as shown in FIG. 16, when the resist R is removed, the light shielding portion 221 is completed in a state of being embedded in the opposing mother substrate 5M.

このように、本実施形態によれば、対向側マザー基板5Mをエッチングしたときの溝235をそのまま遮光部221の形状として利用することができるので、製造工程が簡略化され生産性が向上するという利点がある。エッチングにより、遮光部221の断面の形状は例えば半円になる。   As described above, according to the present embodiment, the groove 235 obtained when the counter-side mother substrate 5M is etched can be used as it is as the shape of the light-shielding portion 221, so that the manufacturing process is simplified and the productivity is improved. There are advantages. By etching, the cross-sectional shape of the light shielding part 221 becomes, for example, a semicircle.

(投射型表示装置)
次に、各実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の実施形態を説明する。
(Projection type display device)
Next, an embodiment of a projection display device using the liquid crystal device of each embodiment as a light modulation device will be described.

図17は、投射型表示装置の一例としてのプロジェクタ102の内部の構成を概略的に示す図である。
プロジェクタ102は、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の異なる色毎に透過型液晶ライトバルブを備えた3板式の間欠表示型カラー液晶プロジェクタであり、光源107と、フライアイレンズ108、109と、ダイクロイックミラー110、111と、反射ミラー112、113、114と、液晶ライトバルブ115、116、117と、クロスダイクロイックプリズム118と、投射レンズ119とを有している。なお、プロジェクタ102は、単板式であっても良い。
FIG. 17 is a diagram schematically showing an internal configuration of a projector 102 as an example of a projection display device.
The projector 102 is a three-plate intermittent display type color liquid crystal projector having a transmission type liquid crystal light valve for each of different colors of R (red), G (green), and B (blue), for example. Lenses 108 and 109, dichroic mirrors 110 and 111, reflection mirrors 112, 113, and 114, liquid crystal light valves 115, 116, and 117, a cross dichroic prism 118, and a projection lens 119 are provided. The projector 102 may be a single plate type.

光源107は、例えば白色光を射出する高圧水銀ランプ等のランプ107aと、当該ランプ107aからの光を反射するリフレクタ107bとを有する。フライアイレンズ108、109は、光源107からの光の照度分布を均一化するものである。光源107側のフライアイレンズ108は、複数の2次光源像を形成する。スクリーン103側のフライアイレンズ109は、フライアイレンズ108で形成された2次光源像を重畳する。   The light source 107 includes, for example, a lamp 107a such as a high-pressure mercury lamp that emits white light, and a reflector 107b that reflects light from the lamp 107a. The fly-eye lenses 108 and 109 make the illuminance distribution of light from the light source 107 uniform. The fly-eye lens 108 on the light source 107 side forms a plurality of secondary light source images. The fly eye lens 109 on the screen 103 side superimposes the secondary light source image formed by the fly eye lens 108.

ダイクロイックミラー110は、光源107から射出される白色光のうち、赤色光LRを透過させると共に、緑色光LG及び青色光LBを反射する。ダイクロイックミラー111は、緑色光LGを反射し、青色光LBを透過する。   Of the white light emitted from the light source 107, the dichroic mirror 110 transmits the red light LR and reflects the green light LG and the blue light LB. The dichroic mirror 111 reflects the green light LG and transmits the blue light LB.

液晶ライトバルブ115、116、117は、それぞれ照射された赤色光、緑色光、青色光を所定の画像信号に基づいて変調する。クロスダイクロイックプリズム118は、4つの直角プリズムが貼り合わされてなる。内面には、赤色光を反射する誘電体多層膜118aと青色光を反射する誘電体多層膜118bとが十字状に形成されている。各誘電体多層膜118a、118bによって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光(映像光)が形成されるようになっている。投射レンズ119は、映像光をスクリーン103に向けて投射する。液晶ライトバルブ115、116、117については、ここでは上述の液晶装置1、101を用いている。液晶ライトバルブ115、116、117として用いられる場合、当該液晶装置1、101のサイズは、4.6平方センチメートル(約0.7平方インチ)程度である。   The liquid crystal light valves 115, 116, and 117 modulate the emitted red light, green light, and blue light, respectively, based on a predetermined image signal. The cross dichroic prism 118 is formed by bonding four right-angle prisms. On the inner surface, a dielectric multilayer film 118a that reflects red light and a dielectric multilayer film 118b that reflects blue light are formed in a cross shape. Three color lights are synthesized by the dielectric multilayer films 118a and 118b, and light (image light) representing a color image is formed. The projection lens 119 projects image light toward the screen 103. As the liquid crystal light valves 115, 116, 117, the above-described liquid crystal devices 1, 101 are used here. When used as the liquid crystal light valves 115, 116, 117, the size of the liquid crystal devices 1, 101 is about 4.6 square centimeters (about 0.7 square inches).

光源107からの光は、平行光(直線偏光)に変換され、液晶装置1により変調され、変調された各色光は投射レンズ119によりスクリーン103上に投射される。   Light from the light source 107 is converted into parallel light (linearly polarized light), modulated by the liquid crystal device 1, and each modulated color light is projected onto the screen 103 by the projection lens 119.

プロジェクタ102を駆動中に、液晶装置1、101内で熱が発生して例えば内部の各層にクラックが形成されたりすると、スクリーンS上に大きく現れ表示不良となる。上記の液晶装置1、101は、表示が暗くなるのを防ぎつつ、液晶装置1の内部で発生する熱を効率よく放熱することができるので、液晶装置1内の温度上昇を抑えることができ、熱による表示不良を抑えることができる。したがって、コントラストの高いプロジェクタ102を得ることができる。   If heat is generated in the liquid crystal devices 1 and 101 while the projector 102 is being driven and, for example, cracks are formed in each of the internal layers, a large display appears on the screen S, resulting in poor display. The liquid crystal devices 1 and 101 can efficiently dissipate the heat generated in the liquid crystal device 1 while preventing the display from becoming dark, so that the temperature rise in the liquid crystal device 1 can be suppressed. Display defects due to heat can be suppressed. Therefore, the projector 102 with high contrast can be obtained.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば図18に示すように、対向基板5にマイクロレンズを設けた構成としてもよい。具体的には、封止基板5cと対向基板5dとでマイクロレンズ5eを挟持する構成とすることができる。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, as shown in FIG. 18, the counter substrate 5 may be provided with a microlens. Specifically, the microlens 5e can be sandwiched between the sealing substrate 5c and the counter substrate 5d.

この場合、対向基板5に入射する光は、マイクロレンズ5eのレンズ部分5fにより画素電極20に向けて集光される。例えば本来遮光部21のテーパー部21aに向かう光についても、レンズ部分5fにより画素電極20に向けて集光することができるため、光を効率的に利用することができる。   In this case, the light incident on the counter substrate 5 is condensed toward the pixel electrode 20 by the lens portion 5f of the microlens 5e. For example, light that is originally directed toward the tapered portion 21a of the light shielding portion 21 can be condensed toward the pixel electrode 20 by the lens portion 5f, so that the light can be efficiently used.

本実施形態では、遮光部21を設けることで表示特性の低下を防ぎつつ、液晶装置1の内部で発生する熱を効率よく放熱することができる上に、マイクロレンズ5eを設けることで、光を効率的に利用し、表示特性を更に高めることができる。このように、遮光部21にマイクロレンズ5eを組み合わせて設けることで、本発明の意義が一層大きなものとなる。   In the present embodiment, the provision of the light-shielding portion 21 can efficiently dissipate the heat generated inside the liquid crystal device 1 while preventing the deterioration of display characteristics, and the light can be emitted by providing the microlens 5e. It can be used efficiently and display characteristics can be further improved. Thus, by providing the light shielding portion 21 in combination with the microlens 5e, the significance of the present invention is further increased.

また、図19に示すように、遮光部21をストライプ状に形成しても良い。ストライプ状の遮光部21であっても遮光を十分に果たすことができる上、液晶装置1、101の内部で発生した熱を当該ストライプに沿って拡散させることができる。   Further, as shown in FIG. 19, the light shielding portions 21 may be formed in a stripe shape. Even the stripe-shaped light-shielding portion 21 can sufficiently shield light, and heat generated inside the liquid crystal devices 1 and 101 can be diffused along the stripe.

本発明の第1実施形態に係る液晶装置の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. 本実施形態に係る液晶装置の平面構造の説明図である。It is explanatory drawing of the planar structure of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の断面構造の説明図である。It is explanatory drawing of the cross-section of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶装置を製造する工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process of manufacturing the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その1)である。It is FIG. (1) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その2)である。It is FIG. (2) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その3)である。It is FIG. (3) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その4)である。It is FIG. (4) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その5)である。It is FIG. (5) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本発明の第2実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その1)である。It is FIG. (1) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その2)である。It is FIG. (2) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その3)である。It is FIG. (3) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本実施形態に係る液晶装置を製造する様子を示す図(その4)である。It is FIG. (4) which shows a mode that the liquid crystal device which concerns on this embodiment is manufactured. 本実施形態に係る投射型表示装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the projection type display apparatus which concerns on this embodiment. 本発明の変形例を示す図(その1)である。It is a figure (the 1) which shows the modification of this invention. 本発明の変形例を示す図(その2)である。It is a figure (the 2) which shows the modification of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、101…液晶装置 4…TFTアレイ基板 5…対向基板 15…TFT素子 20…画素電極 21…遮光部 21a…テーパー部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 ... Liquid crystal device 4 ... TFT array substrate 5 ... Opposite substrate 15 ... TFT element 20 ... Pixel electrode 21 ... Light-shielding part 21a ... Tapered part

Claims (14)

複数の画素電極及び前記画素電極を駆動するスイッチング素子が配列された素子基板と、前記素子基板と対向して設けられた対向基板とを有する電気光学装置であって、
前記対向基板の外面から前記素子基板側に向けて所定の角度で入射する入射光のうち隣接する前記画素電極の間の領域へ向かう光を遮光する遮光部が、前記対向基板の内面に設けられ、
前記遮光部が、前記対向基板のうち前記画素電極の有効表示領域へ向かう前記入射光を遮光しない領域内に断面を有するように前記対向基板内に埋め込まれていることを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device comprising: an element substrate on which a plurality of pixel electrodes and switching elements for driving the pixel electrodes are arranged; and a counter substrate provided to face the element substrate.
A light shielding portion is provided on the inner surface of the counter substrate for blocking light that enters the region between the adjacent pixel electrodes from incident light incident at a predetermined angle from the outer surface of the counter substrate toward the element substrate side. ,
The electro-optical device, wherein the light-shielding portion is embedded in the counter substrate so as to have a cross section in a region of the counter substrate that does not block the incident light directed to the effective display region of the pixel electrode. .
複数の画素電極及び前記画素電極を駆動するスイッチング素子が配列された素子基板と、前記素子基板と対向して設けられた対向基板とを有する電気光学装置であって、
前記対向基板の外面から所定の角度で入射する入射光のうち隣接する前記画素電極の間の領域へ向かう光を遮光する遮光部が、前記対向基板の内面に設けられ、
前記遮光部が、前記対向基板内に埋め込まれた内面から外面に向けて先細りのテーパー部を有することを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device comprising: an element substrate on which a plurality of pixel electrodes and switching elements for driving the pixel electrodes are arranged; and a counter substrate provided to face the element substrate.
A light-shielding portion that shields light that is directed to a region between adjacent pixel electrodes from incident light incident at a predetermined angle from the outer surface of the counter substrate is provided on the inner surface of the counter substrate.
The electro-optical device, wherein the light shielding portion includes a tapered portion that tapers from an inner surface embedded in the counter substrate toward an outer surface.
前記遮光部の前記テーパー部の傾斜角が、前記入射光の屈折角よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 2, wherein an inclination angle of the tapered portion of the light shielding portion is larger than a refraction angle of the incident light. 前記遮光部の断面がほぼ三角形であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein a cross section of the light shielding portion is substantially a triangle. 前記遮光部の断面がエッチングによる形状であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein a cross section of the light shielding portion has a shape formed by etching. 前記遮光部が、前記対向基板に格子状に設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the light-shielding portion is provided on the counter substrate in a lattice shape. 前記遮光部が、前記対向基板にストライプ状に設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the light shielding portion is provided in a stripe shape on the counter substrate. 前記遮光部が、前記対向基板の一端から他端まで延在していることを特徴とする請求項1乃至請求項7のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the light shielding portion extends from one end to the other end of the counter substrate. 少なくとも前記対向基板の前記一端又は他端には、前記遮光部に接するように放熱部材が設けられることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 8, wherein a heat radiating member is provided at least at one end or the other end of the counter substrate so as to be in contact with the light shielding portion. 前記放熱部材が、当該電気光学装置を保持するフレームであることを特徴とする請求項9に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 9, wherein the heat dissipation member is a frame that holds the electro-optical device. 前記遮光部が、金属からなることを特徴とする請求項1乃至請求項10のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the light shielding portion is made of metal. 前記遮光部が、アルミニウムからなることを特徴とする請求項11に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 11, wherein the light shielding portion is made of aluminum. 前記対向基板には、マイクロレンズアレイが設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項12に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the counter substrate is provided with a microlens array. 光源と、
前記光源からの光を変調する光変調手段と、
前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段と
を具備する投射型表示装置であって、
前記光変調手段が、請求項1乃至請求項13のうちいずれか一項に記載の電気光学装置であることを特徴とする投射型表示装置。

A light source;
Light modulating means for modulating light from the light source;
A projection type display device comprising: projection means for projecting light modulated by the light modulation means;
The projection display device, wherein the light modulation unit is the electro-optical device according to any one of claims 1 to 13.

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007298914A (en) * 2006-05-08 2007-11-15 Seiko Epson Corp Electro-optical device, substrate for electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device, and projector
JP2008058485A (en) * 2006-08-30 2008-03-13 Seiko Epson Corp Prism, electro-optical device and projector
JP2008089633A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp Electro-optical device and electronic apparatus
JP2015197577A (en) * 2014-04-01 2015-11-09 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device, electronic equipment, and method for manufacturing liquid crystal device
WO2024048350A1 (en) * 2022-08-31 2024-03-07 Toppanホールディングス株式会社 Display device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL2683251T3 (en) 2011-03-11 2021-12-13 Intercontinental Great Brands Llc Method of forming multilayer confectionery

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58168780U (en) * 1982-05-04 1983-11-10 三菱電機株式会社 display device
JPS6259923A (en) * 1985-09-10 1987-03-16 Casio Comput Co Ltd Liquid crystal display device
JPH01167729A (en) * 1987-12-23 1989-07-03 Hitachi Ltd Liquid crystal display panel
JPH04168423A (en) * 1990-11-01 1992-06-16 Seiko Epson Corp Liquid crystal display element
JPH09251162A (en) * 1996-03-15 1997-09-22 Matsushita Electron Corp Image display device provided with condensing element
JP2003156729A (en) * 2001-11-19 2003-05-30 Seiko Epson Corp Liquid crystal panel, liquid crystal panel module and projector using the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58168780U (en) * 1982-05-04 1983-11-10 三菱電機株式会社 display device
JPS6259923A (en) * 1985-09-10 1987-03-16 Casio Comput Co Ltd Liquid crystal display device
JPH01167729A (en) * 1987-12-23 1989-07-03 Hitachi Ltd Liquid crystal display panel
JPH04168423A (en) * 1990-11-01 1992-06-16 Seiko Epson Corp Liquid crystal display element
JPH09251162A (en) * 1996-03-15 1997-09-22 Matsushita Electron Corp Image display device provided with condensing element
JP2003156729A (en) * 2001-11-19 2003-05-30 Seiko Epson Corp Liquid crystal panel, liquid crystal panel module and projector using the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007298914A (en) * 2006-05-08 2007-11-15 Seiko Epson Corp Electro-optical device, substrate for electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device, and projector
JP2008058485A (en) * 2006-08-30 2008-03-13 Seiko Epson Corp Prism, electro-optical device and projector
JP2008089633A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp Electro-optical device and electronic apparatus
JP2015197577A (en) * 2014-04-01 2015-11-09 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device, electronic equipment, and method for manufacturing liquid crystal device
WO2024048350A1 (en) * 2022-08-31 2024-03-07 Toppanホールディングス株式会社 Display device
JP7476928B2 (en) 2022-08-31 2024-05-01 Toppanホールディングス株式会社 Display device

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