JP2006106118A5 - - Google Patents

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絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体の結晶化を助長する金属元素を含む金属膜を形成し、
前記金属膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層上に、導電性材料を含む組成物を吐出して選択的にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記画素電極層を電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Forming a conductive layer on the insulating surface;
Forming a resist on the conductive layer;
The resist is exposed and patterned with a laser beam to form a mask,
Patterning the conductive layer using the mask to form a gate electrode layer and a pixel electrode layer;
Forming a gate insulating layer on the gate electrode layer and the pixel electrode layer;
Forming a metal film containing a metal element for promoting crystallization of a semiconductor on the gate insulating layer;
Forming a semiconductor layer on the metal film;
Forming a semiconductor layer having one conductivity type in contact with the semiconductor layer;
Heating the semiconductor layer and the semiconductor layer having one conductivity type;
A source electrode layer and a drain electrode layer are selectively formed on the semiconductor layer having one conductivity type by discharging a composition containing a conductive material,
Patterning the semiconductor layer having the one conductivity type to form a source region and a drain region;
Forming an insulating layer on the source electrode layer, the drain electrode layer, and the gate insulating layer;
Forming a first opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer, and a second opening reaching the pixel electrode layer in the insulating layer and the gate insulating layer;
A wiring layer for electrically connecting the source electrode layer or the drain electrode layer and the pixel electrode layer is formed in the first opening and the second opening. Method. 絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層に半導体の結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層上に導電性材料を含む組成物を吐出して選択的にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記画素電極層を電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Forming a conductive layer on the insulating surface;
Forming a resist on the conductive layer;
The resist is exposed and patterned with a laser beam to form a mask,
Patterning the conductive layer using the mask to form a gate electrode layer and a pixel electrode layer;
Forming a gate insulating layer on the gate electrode layer and the pixel electrode layer;
Forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
Adding a metal element for promoting crystallization of a semiconductor to the semiconductor layer;
Forming a semiconductor layer having one conductivity type in contact with the semiconductor layer;
Heating the semiconductor layer and the semiconductor layer having one conductivity type;
A source electrode layer and a drain electrode layer are selectively formed by discharging a composition containing a conductive material over the semiconductor layer having one conductivity type;
Patterning the semiconductor layer having the one conductivity type to form a source region and a drain region;
Forming an insulating layer on the source electrode layer, the drain electrode layer, and the gate insulating layer;
Forming a first opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer, and a second opening reaching the pixel electrode layer in the insulating layer and the gate insulating layer;
A wiring layer for electrically connecting the source electrode layer or the drain electrode layer and the pixel electrode layer is formed in the first opening and the second opening. Method. 絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体の結晶化を助長する金属元素を含む金属膜を形成し、
前記金属膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に選択的にチャネル保護層を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層、前記チャネル保護層、及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層上に、導電性材料を含む組成物を吐出して選択的にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記画素電極層を電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Forming a conductive layer on the insulating surface;
Forming a resist on the conductive layer;
The resist is exposed and patterned with a laser beam to form a mask,
Patterning the conductive layer using the mask to form a gate electrode layer and a pixel electrode layer;
Forming a gate insulating layer on the gate electrode layer and the pixel electrode layer;
Forming a metal film containing a metal element for promoting crystallization of a semiconductor on the gate insulating layer;
Forming a semiconductor layer on the metal film;
Forming a channel protective layer selectively on the semiconductor layer;
Forming a semiconductor layer having one conductivity type in contact with the semiconductor layer and the channel protective layer;
Heating the semiconductor layer, the channel protective layer, and the semiconductor layer having one conductivity type;
A source electrode layer and a drain electrode layer are selectively formed on the semiconductor layer having one conductivity type by discharging a composition containing a conductive material,
Patterning the semiconductor layer having the one conductivity type to form a source region and a drain region;
Forming an insulating layer on the source electrode layer, the drain electrode layer, and the gate insulating layer;
Forming a first opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer, and a second opening reaching the pixel electrode layer in the insulating layer and the gate insulating layer;
A wiring layer for electrically connecting the source electrode layer or the drain electrode layer and the pixel electrode layer is formed in the first opening and the second opening. Method. 絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に選択的にチャネル保護層を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に半導体の結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層、前記チャネル保護層、及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層上に、導電性材料を含む組成物を吐出して選択的にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記画素電極層を電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Forming a conductive layer on the insulating surface;
Forming a resist on the conductive layer;
The resist is exposed and patterned with a laser beam to form a mask,
Patterning the conductive layer using the mask to form a gate electrode layer and a pixel electrode layer;
Forming a gate insulating layer on the gate electrode layer and the pixel electrode layer;
Forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
Forming a channel protective layer selectively on the semiconductor layer;
A metal element for promoting crystallization of a semiconductor is added to the semiconductor layer and the channel protective layer;
Forming a semiconductor layer having one conductivity type in contact with the semiconductor layer and the channel protective layer;
Heating the semiconductor layer, the channel protective layer, and the semiconductor layer having one conductivity type;
A source electrode layer and a drain electrode layer are selectively formed on the semiconductor layer having one conductivity type by discharging a composition containing a conductive material,
Patterning the semiconductor layer having the one conductivity type to form a source region and a drain region;
Forming an insulating layer on the source electrode layer, the drain electrode layer, and the gate insulating layer;
Forming a first opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer, and a second opening reaching the pixel electrode layer in the insulating layer and the gate insulating layer;
A wiring layer for electrically connecting the source electrode layer or the drain electrode layer and the pixel electrode layer is formed in the first opening and the second opening. Method. 絶縁表面上に、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体の結晶化を助長する金属元素を含む金属膜を形成し、
前記金属膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層上に導電性材料を含む組成物を吐出して選択的に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層及び前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース電極層、ドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記画素電極層を電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Forming a gate electrode layer and a pixel electrode layer on the insulating surface;
Forming a gate insulating layer on the gate electrode layer and the pixel electrode layer;
Forming a metal film containing a metal element for promoting crystallization of a semiconductor on the gate insulating layer;
Forming a semiconductor layer on the metal film;
Forming a semiconductor layer having one conductivity type in contact with the semiconductor layer;
Heating the semiconductor layer and the semiconductor layer having one conductivity type;
A conductive layer is selectively formed by discharging a composition containing a conductive material over the semiconductor layer having the one conductivity type;
Forming a resist on the conductive layer;
The resist is exposed and patterned with a laser beam to form a mask,
Patterning the conductive layer and the semiconductor layer having one conductivity type using the mask to form a source electrode layer, a drain electrode layer, a source region and a drain region;
Forming an insulating layer on the source electrode layer, the drain electrode layer, and the gate insulating layer;
Forming a first opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer, and a second opening reaching the pixel electrode layer in the insulating layer and the gate insulating layer;
A wiring layer for electrically connecting the source electrode layer or the drain electrode layer and the pixel electrode layer is formed in the first opening and the second opening. Method. 絶縁表面上に、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層に半導体の結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層上に導電性材料を含む組成物を吐出して選択的に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層及び前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース電極層、ドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記画素電極層を電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Forming a gate electrode layer and a pixel electrode layer on the insulating surface;
Forming a gate insulating layer on the gate electrode layer and the pixel electrode layer;
Forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
Adding a metal element for promoting crystallization of a semiconductor to the semiconductor layer;
Forming a semiconductor layer having one conductivity type in contact with the semiconductor layer;
Heating the semiconductor layer and the semiconductor layer having one conductivity type;
A conductive layer is selectively formed by discharging a composition containing a conductive material over the semiconductor layer having the one conductivity type;
Forming a resist on the conductive layer;
The resist is exposed and patterned with a laser beam to form a mask,
Patterning the conductive layer and the semiconductor layer having one conductivity type using the mask to form a source electrode layer, a drain electrode layer, a source region and a drain region;
Forming an insulating layer on the source electrode layer, the drain electrode layer, and the gate insulating layer;
Forming a first opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer, and a second opening reaching the pixel electrode layer in the insulating layer and the gate insulating layer;
A wiring layer for electrically connecting the source electrode layer or the drain electrode layer and the pixel electrode layer is formed in the first opening and the second opening. Method. 絶縁表面上に、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体の結晶化を助長する金属元素を含む金属膜を形成し、
前記金属膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に選択的にチャネル保護層を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層、前記チャネル保護層、及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層上に導電性材料を含む組成物を吐出して選択的に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層及び前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース電極層、ドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記画素電極層を電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Forming a gate electrode layer and a pixel electrode layer on the insulating surface;
Forming a gate insulating layer on the gate electrode layer and the pixel electrode layer;
Forming a metal film containing a metal element for promoting crystallization of a semiconductor on the gate insulating layer;
Forming a semiconductor layer on the metal film;
Forming a channel protective layer selectively on the semiconductor layer;
Forming a semiconductor layer having one conductivity type in contact with the semiconductor layer and the channel protective layer;
Heating the semiconductor layer, the channel protective layer, and the semiconductor layer having one conductivity type;
A conductive layer is selectively formed by discharging a composition containing a conductive material over the semiconductor layer having the one conductivity type;
Forming a resist on the conductive layer;
The resist is exposed and patterned with a laser beam to form a mask,
Patterning the conductive layer and the semiconductor layer having one conductivity type using the mask to form a source electrode layer, a drain electrode layer, a source region and a drain region;
Forming an insulating layer on the source electrode layer, the drain electrode layer, and the gate insulating layer;
Forming a first opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer, and a second opening reaching the pixel electrode layer in the insulating layer and the gate insulating layer;
A wiring layer for electrically connecting the source electrode layer or the drain electrode layer and the pixel electrode layer is formed in the first opening and the second opening. Method. 絶縁表面上に、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に選択的にチャネル保護層を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に半導体の結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層、前記チャネル保護層、及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層上に導電性材料を含む組成物を吐出して選択的に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層及び前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース電極層、ドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記画素電極層を電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Forming a gate electrode layer and a pixel electrode layer on the insulating surface;
Forming a gate insulating layer on the gate electrode layer and the pixel electrode layer;
Forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
Forming a channel protective layer selectively on the semiconductor layer;
A metal element for promoting crystallization of a semiconductor is added to the semiconductor layer and the channel protective layer;
Forming a semiconductor layer having one conductivity type in contact with the semiconductor layer and the channel protective layer;
Heating the semiconductor layer, the channel protective layer, and the semiconductor layer having one conductivity type;
A conductive layer is selectively formed by discharging a composition containing a conductive material over the semiconductor layer having the one conductivity type;
Forming a resist on the conductive layer;
The resist is exposed and patterned with a laser beam to form a mask,
Patterning the conductive layer and the semiconductor layer having one conductivity type using the mask to form a source electrode layer, a drain electrode layer, a source region and a drain region;
Forming an insulating layer on the source electrode layer, the drain electrode layer, and the gate insulating layer;
Forming a first opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer, and a second opening reaching the pixel electrode layer in the insulating layer and the gate insulating layer;
A wiring layer for electrically connecting the source electrode layer or the drain electrode layer and the pixel electrode layer is formed in the first opening and the second opening. Method. 請求項１乃至８のいずれか一項において、前記絶縁層は、絶縁性材料を含む組成物を吐出して選択的に形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。   9. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the insulating layer is selectively formed by discharging a composition containing an insulating material. 請求項１乃至９のいずれか一項において、前記金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスニウム、イリジウム、白金、チタン、銅及び金から選ばれた一つ又は複数を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。   10. The metal element according to claim 1, wherein one or more selected from iron, nickel, cobalt, ruthenium, rhodium, palladium, osnium, iridium, platinum, titanium, copper and gold are used as the metal element. A method for manufacturing a liquid crystal display device. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記ゲート絶縁層として、前記ゲート電極層及び前記画素電極層上に第１のゲート絶縁層を形成し、
前記第１のゲート絶縁層上に第２のゲート絶縁層を形成し、
前記第２のゲート絶縁層上に膜厚０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第３のゲート絶縁層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 The first gate insulating layer is formed on the gate electrode layer and the pixel electrode layer as the gate insulating layer according to any one of claims 1 to 10,
Forming a second gate insulating layer on the first gate insulating layer;
A method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein a third gate insulating layer having a thickness of 0.1 nm to 10 nm is formed over the second gate insulating layer. 請求項１１において、前記第１のゲート絶縁層として窒化酸化珪素膜を形成し、前記第２のゲート絶縁層として酸化窒化珪素膜を形成し、前記第３のゲート絶縁層として窒化珪素膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。   12. A silicon nitride oxide film is formed as the first gate insulating layer, a silicon oxynitride film is formed as the second gate insulating layer, and a silicon nitride film is formed as the third gate insulating layer. A method for manufacturing a liquid crystal display device.
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