JP2006104045A - Conductive glass substrate, method of forming conductive glass substrate, and method of forming conductive pattern - Google Patents

Conductive glass substrate, method of forming conductive glass substrate, and method of forming conductive pattern Download PDF

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浩一 川村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive glass substrate obtained by forming a conductive film having excellent adhesion to a glass substrate and having optional conductivity, a method of forming the same and a method of forming a conductive pattern which is suitable for making out a material necessary for the formation of highly conductive and optional pattern formed using the conductive glass substrate or using a method same as that for the conductive glass substrate. <P>SOLUTION: The conductive glass substrate is formed by bringing a radically polymerizable unsaturated compound into contact with the glass substrate having a surface bonded with a compound having a polymerization initiating part capable of initiating radical polymerization by photo-cleavage and a base material bonding part, imparting energy to form a graft polymer on the glass substrate and applying a conductive material on the graft polymer formed area. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、導電性ガラス基板、その形成方法及び導電性パターン形成方法に関し、より詳細には、ガラス基板に、高密度で、耐久性及び生産性に優れた、銀、銅などの導電膜を形成してなる導電性ガラス基板及びその簡易な形成方法、及び、該導電性ガラス基板を用いた、電気配線材料、電磁波防止膜、磁性膜などの形成に有用な導電性パターン形成方法に関する。   The present invention relates to a conductive glass substrate, a method for forming the same, and a method for forming a conductive pattern. More specifically, a conductive film such as silver or copper having high density and excellent durability and productivity is applied to the glass substrate. The present invention relates to a conductive glass substrate formed and a simple formation method thereof, and a conductive pattern formation method useful for forming an electric wiring material, an electromagnetic wave prevention film, a magnetic film and the like using the conductive glass substrate.

従来、種々の導電性基板が配線基板の形成などに使用されている。これらの代表的なものは、絶縁体上に真空蒸着などの公知の方法により形成された薄膜の導電性材料を設てなる導電性基板である。これらの中でも、ガラスを基板として用い、該ガラス基板上に銅やITOなどの導電性物質を積層した導電性ガラス基板はフラットパネル表示素子などの電気配線用基板として有用である。
これらの導電性ガラス基板を素材として配線基板を形成する方法としては、導電膜上にレジストを塗布し、パターン露光により予め作成したレジストの一部を除去し、その後、エッチング処理を行なって所望のパターンを形成する方法が一般的なものとして挙げられる(例えば、特許文献1参照。)。
このようにして作成されたガラス基板上の配線は種々の用途に有用であり、フラットパネル表示素子の配線、例えば、PDP表示素子においてはバス電極、アドレス電極などに使用されている。また液晶表示素子においては透明電極や,液晶表示素子が形成されたガラス基板上にCOG(チップオングラス)方式によって駆動ICを実装する配線パターンなどに使用されている。
これらの導電性ガラス基板のうち,ITO層をガラス基板上に蒸着で設けてなる導電性基板は導電性が良好であり、さらに、他の効果として、透明性が高く、エッチングなどの加工適性が良いため透明電極として広く使用されている。しかし、ITO層を蒸着により形成するため膜厚を大きくすることが困難であり、薄い膜厚では電気抵抗が高くなって大量の電流を流すことができず、用途が制限されるという問題点があった。
また、ITO以外の金属による導電膜を形成しようとする場合、導電性材料として使用される金、白金、銅などの金属は、得られる金属膜のガラス基板との密着性が低いため、いったんガラス基板の上にクロム蒸着膜を形成し、このクロム蒸着膜上に前記金属薄膜を形成する方法がとられていた。この方法では、所望の金属膜を作製する場合、クロムの蒸着操作が必要となり、工程的にも、コスト的にも好ましくなかった。従って、クロム蒸着膜を形成することなく、ガラス基板表面に高い密着性で金、白金、銅などの金属膜を形成してなる導電性ガラス基板が求められていた。
また、いずれの場合でも、導電性ガラス基板の導電膜は蒸着で形成されるために、得られる膜厚に制限があり、所望の導電性を得難いことから、ガラス基板表面に、任意の導電性を有する導電膜を形成する方法が熱望されている。
特開2004−31588号公報
Conventionally, various conductive substrates are used for forming a wiring substrate. A typical example of these is a conductive substrate in which a thin film conductive material formed by a known method such as vacuum deposition is provided on an insulator. Among these, a conductive glass substrate obtained by using glass as a substrate and laminating a conductive substance such as copper or ITO on the glass substrate is useful as an electric wiring substrate such as a flat panel display element.
As a method of forming a wiring substrate using these conductive glass substrates as a material, a resist is applied on the conductive film, a part of the resist prepared in advance is removed by pattern exposure, and then an etching process is performed to obtain a desired one. A method of forming a pattern is a general method (see, for example, Patent Document 1).
Wiring on the glass substrate thus prepared is useful for various applications, and is used for wiring of flat panel display elements, for example, bus electrodes and address electrodes in PDP display elements. Further, in a liquid crystal display element, it is used for a wiring pattern for mounting a driving IC by a COG (chip on glass) method on a transparent electrode or a glass substrate on which the liquid crystal display element is formed.
Among these conductive glass substrates, a conductive substrate formed by depositing an ITO layer on a glass substrate has good conductivity, and, as another effect, has high transparency and suitability for processing such as etching. Widely used as a transparent electrode because it is good. However, since the ITO layer is formed by vapor deposition, it is difficult to increase the film thickness. When the film thickness is small, the electric resistance increases and a large amount of current cannot flow, which limits the application. there were.
In addition, when trying to form a conductive film made of a metal other than ITO, metals such as gold, platinum, and copper used as conductive materials have low adhesion to the glass substrate of the resulting metal film. A method has been adopted in which a chromium vapor deposition film is formed on a substrate and the metal thin film is formed on the chromium vapor deposition film. In this method, when a desired metal film is produced, a chromium vapor deposition operation is required, which is not preferable in terms of process and cost. Therefore, there has been a demand for a conductive glass substrate in which a metal film such as gold, platinum, or copper is formed on the glass substrate surface with high adhesion without forming a chromium vapor deposition film.
In any case, since the conductive film of the conductive glass substrate is formed by vapor deposition, the film thickness obtained is limited, and it is difficult to obtain desired conductivity. There is a strong desire for a method of forming a conductive film having the following.
JP 2004-31588 A

本発明の前記従来における問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、ガラス基板との密着性に優れ、任意の導電性を有する導電膜を形成してなる導電性ガラス基板、及び、基板との密着性に優れ、且つ、任意の導電性を有する導電膜を、ガラス基板上に容易に形成しうる導電性ガラス基板形成方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、ガラス基板との密着性に優れ、任意の導電性を有する導電膜を形成してなる導電性ガラス基板を用いた、高い導電性と任意のパターン形成を必要とする材料の作製に好適な導電性パターン形成方法を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the conventional problems of the present invention and achieve the following objects.
That is, the object of the present invention is to provide a conductive glass substrate formed by forming a conductive film having an arbitrary conductivity and an excellent conductivity with a glass substrate, and an excellent conductivity with the substrate. It is an object of the present invention to provide a method for forming a conductive glass substrate that can easily form a conductive film on the glass substrate.
Another object of the present invention is to have high conductivity and arbitrary pattern formation using a conductive glass substrate that is excellent in adhesion to a glass substrate and has a conductive film having arbitrary conductivity. It is an object of the present invention to provide a method for forming a conductive pattern suitable for producing the material.

本発明者らは、検討の結果、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物をガラス基板表面に結合させることで、上記核問題点を解決しうることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明の導電性ガラス基板は、ガラス基板に直接化学結合したグラフトポリマーに導電性物質を付与してなることを特徴とする。
また、請求項2に係る導電性ガラス基板は、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を表面に結合させてなるガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させてエネルギーを付与し、該ガラス基板上にグラフトポリマーを生成した後、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付与してなることを特徴とする。
ここで、導電性材料の付与は、(1)導電性微粒子の付着する方法、(2)金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる方法、(3)無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う方法、及び、(4)導電性モノマーを付与し、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する方法、から選択されるいずれかの方法によりなされることが好ましい態様である。
また、前記本発明の導電性ガラス基板表面の導電膜をエッチングすることで、導電性パターン材料を形成することができる。
As a result of investigation, the present inventors can solve the above-mentioned nuclear problem by bonding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a substrate binding site to the glass substrate surface. The present invention has been completed.
That is, the conductive glass substrate of the present invention is characterized in that a conductive substance is added to the graft polymer that is directly chemically bonded to the glass substrate.
The conductive glass substrate according to claim 2 is capable of radical polymerization on a glass substrate formed by bonding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a base material binding site to the surface. It is characterized in that an unsaturated compound is brought into contact and energy is applied to form a graft polymer on the glass substrate, and then a conductive material is applied to the graft polymer generation region.
Here, the conductive material is applied by (1) a method of attaching conductive fine particles, (2) applying a metal ion or metal salt, and then reducing the metal ion or metal ion in the metal salt. A method of depositing a metal, (3) a method of applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof to perform electroless plating, and (4) a conductive polymer layer by applying a conductive monomer and causing a polymerization reaction. It is a preferable aspect that it is made by any method selected from the method of forming.
Moreover, a conductive pattern material can be formed by etching the conductive film on the surface of the conductive glass substrate of the present invention.

本発明の請求項6に係る導電性ガラス基板形成方法は、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物をガラス基板に結合させる工程と、ガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、エネルギーを付与し、該光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物からラジカルを発生させ、それを開始種としてガラス基板に結合してなるグラフトポリマーを生成する工程と、生成したグラフトポリマーに導電性物質を付与して導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for forming a conductive glass substrate, comprising: bonding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a base material binding site to a glass substrate; A radical-polymerizable unsaturated compound is brought into contact, energy is imparted, and radicals are generated from the compound having a polymerization initiation site and a substrate-binding site capable of initiating radical polymerization by the photocleavage, and the radical is initiated. And a step of forming a graft polymer formed by bonding to a glass substrate, and a step of forming a conductive film by adding a conductive substance to the generated graft polymer.

本発明の請求項11に係る導電性パターン形成方法は、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物をガラス基板に結合させる工程と、ガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、パターン状に露光して、グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成する工程と、該グラフトポリマー生成領域に導電性物質を付与して導電膜を形成する工程と、を有し、且つ、得られた導電膜の表面抵抗値が0.1〜20Ω/□であることを特徴とする。
前記グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成する工程におけるパターン状に露光する方法は、マスクパターンを用いたパターン露光であってもよく、レーザ走査露光によるパターン露光であってもよい。
In the conductive pattern forming method according to claim 11 of the present invention, a step of bonding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a base material binding site to a glass substrate, An unsaturated compound capable of radical polymerization is brought into contact and exposed in a pattern to form a graft polymer generation region and a non-generation region; and a conductive material is applied to the graft polymer generation region to form a conductive film. And a surface resistance value of the obtained conductive film is 0.1 to 20Ω / □.
The pattern exposure in the step of forming the graft polymer generation region and the non-generation region may be pattern exposure using a mask pattern or pattern exposure by laser scanning exposure.

ここで用いられる光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物における重合開始部位は、C−C結合、C−N結合、C−O結合、C−Cl結合、N−O結合、及びS−N結合からなる群より選択されるいずれかを含むことが好ましい態様である。
また、生成したグラフトポリマーに導電性物質を付与して導電膜を形成する工程は、(1)生成したグラフトポリマーに導電性微粒子を付着させる工程、(2)生成したグラフトポリマーに金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程、(3)生成したグラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う工程、及び、(4)導電性モノマーを付与し、その後、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する工程、から選択されるいずれかであることが好ましい。
また、(2)金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程を実施する場合、さらに、その後、加熱工程を有していてもよい。
The polymerization initiation site in the compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a substrate binding site used here is a C—C bond, a C—N bond, a C—O bond, or a C—Cl bond. It is a preferable aspect that includes any one selected from the group consisting of N—O bond and S—N bond.
In addition, the step of forming a conductive film by applying a conductive substance to the generated graft polymer includes (1) a step of attaching conductive fine particles to the generated graft polymer, and (2) a metal ion or metal to the generated graft polymer. A step of applying a salt and then reducing the metal ions or the metal ions in the metal salt to deposit a metal; (3) applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the resulting graft polymer; It is preferably any one selected from a step of performing plating and (4) a step of providing a conductive monomer and then causing a polymerization reaction to form a conductive polymer layer.
Moreover, (2) When implementing the process which reduces the metal ion in metal salt and precipitates a metal, you may have a heating process further after that.

本発明の導電性ガラス基板においては、ガラス基板に直接結合してなるグラフトポリマーに、導電性物質を付与しているため、連続的な導電性薄膜又は導電物質微粒子が分散してグラフトポリマーに付着してなる導電膜が形成されており、このよう導電膜は、グラフトポリマーの機能により、ガラス基板との強い密着性に起因して高い強度と耐磨耗性を示すことになる。また、グラフトポリマーへの導電性材料の付与は、前記の好ましい方法により任意に実施できるため、所望の導電性材料をガラス基板表面に付与することができ、導電膜に付与される導電性材料の付着量や連続的な導電膜の膜厚を制御することで所望の導電性を実現することができる。   In the conductive glass substrate of the present invention, a conductive material is imparted to the graft polymer directly bonded to the glass substrate, so that a continuous conductive thin film or conductive material fine particles are dispersed and adhere to the graft polymer. The conductive film thus formed has high strength and wear resistance due to the strong adhesion to the glass substrate due to the function of the graft polymer. In addition, since the conductive material can be arbitrarily applied to the graft polymer by the preferred method, a desired conductive material can be applied to the glass substrate surface, and the conductive material applied to the conductive film Desired conductivity can be realized by controlling the amount of adhesion and the film thickness of the continuous conductive film.

本発明において、生成したグラフトポリマーに導電性物質を付与して導電膜を形成する工程のうち、(2)生成したグラフトポリマーに金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程を実施する方法としては、具体的には、(2−1)極性基(イオン性基)を有する化合物からなるグラフトポリマーに金属イオンを吸着させる方法、(2−2)ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾールなどのように金属塩に対し親和性の高い含窒素ポリマーからなるグラフトポリマーに、金属塩、又は、金属塩を含有する溶液を含浸させる方法、(2−3)親水性グラフトポリマーに、金属塩を含有する溶液、又は、金属塩が溶解した溶液を含浸させる方法、などが挙げられ、(2−3)の方法をとることで、親水性グラフトポリマーを形成している化合物が正の電荷を有していても、必要な金属イオン又は金属塩を付与することができる。   In the present invention, among the steps of forming a conductive film by applying a conductive substance to the generated graft polymer, (2) adding a metal ion or metal salt to the generated graft polymer, and then the metal ion or the metal As a method for carrying out the step of precipitating metal by reducing metal ions in the salt, specifically, (2-1) metal ions are adsorbed to a graft polymer comprising a compound having a polar group (ionic group). (2-2) impregnating a graft polymer composed of a nitrogen-containing polymer having a high affinity for a metal salt, such as polyvinylpyrrolidone, polyvinylpyridine, and polyvinylimidazole, with a metal salt or a solution containing the metal salt (2-3) A method of impregnating a hydrophilic graft polymer with a solution containing a metal salt or a solution in which the metal salt is dissolved By taking the method of (2-3), a necessary metal ion or metal salt can be provided even if the compound forming the hydrophilic graft polymer has a positive charge. it can.

また、(3)生成したグラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う工程においては、無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を有するグラフトポリマーを生成させ、該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与した後、無電解メッキを行って金属薄膜を形成する方法をとる。この態様においても、無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を有するグラフトポリマーがガラス基板と直接結合しているため、形成された金属薄膜は、導電性と共に、高い強度と耐磨耗性を示すことになる。
前記いずれの態様においても、導電性材料の付与を行う際に、(3)無電解メッキを含む工程を実施する場合、トリアルカノールアミンを含む無電解メッキ浴を用いることが好ましく、トリエタノールアミンを含む無電解メッキ浴を用いることがさらに好ましい。
また、ここで得られた無電解メッキ膜を電極として、さらに電解メッキを行うことで、所望の厚みの導電膜を容易に形成することができる。
(3) In the step of applying electroless plating catalyst or precursor thereof to the generated graft polymer and performing electroless plating, a graft polymer having a functional group that interacts with the electroless plating catalyst or precursor thereof is added. After the formation and application of an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the graft polymer, electroless plating is performed to form a metal thin film. Also in this embodiment, since the graft polymer having a functional group that interacts with the electroless plating catalyst or its precursor is directly bonded to the glass substrate, the formed metal thin film has high strength and abrasion resistance as well as conductivity. It shows wear.
In any of the above embodiments, when applying the conductive material, (3) when performing a step including electroless plating, it is preferable to use an electroless plating bath containing trialkanolamine. More preferably, an electroless plating bath is used.
Moreover, a conductive film having a desired thickness can be easily formed by further performing electrolytic plating using the electroless plating film obtained here as an electrode.

本発明におけるグラフトポリマーは、その片末端でガラス基板表面に結合した重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物に対し、化学結合することで、ガラス基板に極めて強く固定化されている。また、ポリマーの片末端のみでガラス基板に固定化され、他の末端はフリーであるためにポリマーに対する束縛が小さく、極めて高い運動性を有することが特徴である。
このため、本発明におけるグラフトポリマーは、薄層であっても高強度なグラフトポリマーとなる。また、グラフトポリマーの側鎖には、導電性材料と相互作用する官能基が導入され、該官能基に導電性微粒子や金属塩等がイオン的に付着(吸着)した際には、該導電性材料が強固に固定されるため、ガラス基板との密着性に優れた高強度な導電膜(導電層)が形成されるものと考えられる。また、ガラス基板表面にグラフトポリマーを生成させるプロセスは、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物、ラジカル重合可能な不飽和化合物などを順次、塗布し、加熱乾燥、及び/又は光照射などのエネルギーを付与するといった簡易な方法で可能であり、クロム蒸着などの高価な装置を必要とせず、容易にこのような導電性ガラス基板を形成することができる。また、本発明の導電性ガラス基板形成方法はガラス基板だけではなく、ガラスの上にITOを蒸着してなるITO基板へも適用することができる。
The graft polymer in the present invention is extremely strongly fixed to the glass substrate by chemically bonding to a compound having a polymerization initiation site and a base material binding site bonded to the glass substrate surface at one end. In addition, it is characterized in that it is fixed to the glass substrate only at one end of the polymer and is free from the other end, so that the polymer is less constrained and has extremely high mobility.
For this reason, the graft polymer in the present invention is a high-strength graft polymer even if it is a thin layer. In addition, a functional group that interacts with the conductive material is introduced into the side chain of the graft polymer, and when conductive fine particles, metal salts, and the like are ionically attached (adsorbed) to the functional group, the conductive group Since the material is firmly fixed, it is considered that a high-strength conductive film (conductive layer) excellent in adhesion to the glass substrate is formed. In addition, the process of generating a graft polymer on the surface of the glass substrate is performed by sequentially applying a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a base material binding site, an unsaturated compound capable of radical polymerization, and the like. Such a conductive glass substrate can be easily formed without requiring an expensive apparatus such as chromium vapor deposition, which is possible by a simple method such as heat drying and / or applying energy such as light irradiation. . The method for forming a conductive glass substrate of the present invention can be applied not only to a glass substrate but also to an ITO substrate formed by depositing ITO on glass.

また、本発明においては、上述のごとく、グラフトポリマーが極めて高い運動性を有するため、一般的な架橋高分子膜に金属を吸着させる場合に比較して、付着(吸着)速度が極めて早く、単位面積当たりに吸着し得る金属の量が多くなるという特徴を有する。このため、連続的な金属薄膜層を形成するように金属吸着量を制御したり、高密度の金属微粒子付着層を加熱して隣接する金属微粒子間を融着して連続的な金属層を形成した場合には、微細な配線パターンを形成することができ、このような配線が形成されれば、金属間に存在する空隙により導電性が妨げられたり、断線したりすることがない。   In the present invention, since the graft polymer has extremely high mobility as described above, the adhesion (adsorption) rate is extremely high compared with the case where a metal is adsorbed to a general crosslinked polymer film. The amount of metal that can be adsorbed per area increases. For this reason, the amount of adsorbed metal is controlled so as to form a continuous metal thin film layer, or a continuous metal layer is formed by fusing adjacent metal particles by heating a dense metal particle adhesion layer. In such a case, a fine wiring pattern can be formed, and if such a wiring is formed, conductivity is not hindered or disconnected by a gap existing between the metals.

本発明によれば、ガラス基板との密着性に優れ、任意の導電性を有する導電膜を形成してなる導電性ガラス基板、及び、基板との密着性に優れ、且つ、任意の導電性を有する導電膜を、ガラス基板上に容易に形成しうる導電性ガラス基板形成方法を提供することができる。
また、本発明によれば、ガラス基板との密着性に優れ、任意の導電性を有する導電膜を形成してなる導電性ガラス基板を用いた、高い導電性と任意のパターン形成を必要とする材料の作製に好適な導電性パターン形成方法を提供することができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is excellent in adhesiveness with a glass substrate, and is excellent in adhesiveness with a conductive glass substrate formed by forming the electrically conductive film which has arbitrary electroconductivity, and arbitrary electroconductivity. The conductive glass substrate forming method which can form the electrically conductive film which has it on a glass substrate easily can be provided.
Moreover, according to this invention, it is excellent in adhesiveness with a glass substrate, and requires high electroconductivity and arbitrary pattern formation using the electroconductive glass substrate formed by forming the electrically conductive film which has arbitrary electroconductivity. A conductive pattern forming method suitable for manufacturing a material can be provided.

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の導電性ガラス基板は、ガラス基板に直接化学結合したグラフトポリマーに導電性物質を付与してなることを特徴とする。以下、この導電性ガラス基板の構成について、その形成方法の工程に従い、順次説明する。
本発明の導電性ガラス基板は、詳細には、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を表面に結合させてなるガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させてエネルギーを付与し、該ガラス基板上にグラフトポリマーを生成した後、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付与してなることを特徴とする。このような導電性ガラス基板は、以下の形成方法により得ることができる。
即ち、(A)光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物をガラス基板に結合させる工程(以下、適宜、「光開裂化合物結合工程」と称する。)と、(B)ガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、エネルギーを付与し、該光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物からラジカルを発生させ、それを開始種としてガラス基板に結合してなるグラフトポリマーを生成する工程(以下、適宜、「グラフトポリマー生成工程」と称する。)と、(C)生成したグラフトポリマーに導電性物質を付与して導電膜を形成する工程(以下、導電膜形成工程と称する。)と、を有することを特徴とする。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The conductive glass substrate of the present invention is characterized in that a conductive material is added to a graft polymer that is directly chemically bonded to the glass substrate. Hereinafter, the configuration of the conductive glass substrate will be described in order according to the steps of the forming method.
In detail, the conductive glass substrate of the present invention is capable of radical polymerization on a glass substrate formed by bonding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a base material binding site to the surface. It is characterized in that an unsaturated compound is brought into contact and energy is applied to form a graft polymer on the glass substrate, and then a conductive material is applied to the graft polymer generation region. Such a conductive glass substrate can be obtained by the following forming method.
That is, (A) a step of bonding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a base material binding site to a glass substrate (hereinafter referred to as “photocleavable compound binding step” as appropriate). (B) A radical from a compound having a polymerization initiation site and a base material binding site capable of initiating radical polymerization by photocleavage by bringing an unsaturated compound capable of radical polymerization into contact with the glass substrate to impart energy. And a step of producing a graft polymer obtained by bonding it to a glass substrate using the same as a starting species (hereinafter, referred to as “graft polymer production step” as appropriate), and (C) a conductive substance in the produced graft polymer. And a step of forming a conductive film (hereinafter referred to as a conductive film formation step).

また、本発明においては、前記(C)導電膜形成工程は、具体的には、(1)生成したグラフトポリマーに導電性微粒子を付着させる工程(「導電性微粒子付着工程」)、(2)生成したグラフトポリマーに金属イオン又は金属塩を付与し(「金属イオン又は金属塩付与工程」)、その後、金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程(「金属(微粒子)膜形成工程」)、(3)生成したグラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し(「無電解メッキ触媒等付与工程」)、無電解メッキを行う工程(「無電解メッキ工程」)、及び(4)導電性モノマーを付与し(「導電性モノマー付与工程」)、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する工程(「導電性ポリマー形成工程」)、のいずれかにより行われることが好ましい。   Further, in the present invention, the (C) conductive film forming step specifically includes (1) a step of attaching conductive fine particles to the produced graft polymer (“conductive fine particle attachment step”), (2) A metal ion or metal salt is imparted to the resulting graft polymer (“metal ion or metal salt imparting step”), and then the metal ion or metal ion in the metal salt is reduced to precipitate a metal (“metal ( (Fine particle) film forming step)), (3) applying the electroless plating catalyst or precursor thereof to the generated graft polymer (“electroless plating catalyst applying step”), and performing electroless plating (“electroless plating”) Process "), and (4) applying a conductive monomer (" conductive monomer application process ") and causing a polymerization reaction to form a conductive polymer layer (" conductive polymer formation process "), Z It is preferably carried out by either.

<光開裂化合物結合工程、及びグラフトポリマー生成工程>
まず、本発明における光開裂化合物結合工程からグラフトポリマー生成工程までの概略について説明する。
ガラス基板表面には当初より官能基(Z)が存在する。ここに、基材結合部位(Q)と、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位(Y)と、を有する化合物(Q−Y)を付与し、ガラス基板表面に接触させる。これにより、ガラス基板表面に存在する官能基(Z)と、基材結合部位(Q)と、が結合して、ガラス基板表面に化合物(Q−Y)が導入される〔光開裂化合物結合工程〕。その後、モノマー等の公知のグラフトポリマー原料(ラジカル重合可能な不飽和化合物)を接触させた状態で、エネルギー付与である全面露光を行う。これにより、ガラス基板表面の全域にわたり、化合物(Q−Y)の重合開始部位(Y)を起点としてグラフトポリマーが生成される〔グラフトポリマー生成工程〕。
<Photocleavable compound binding step and graft polymer forming step>
First, an outline from the photocleavable compound bonding step to the graft polymer production step in the present invention will be described.
The functional group (Z) is present on the glass substrate surface from the beginning. Here, a compound (QY) having a substrate binding site (Q) and a polymerization initiation site (Y) capable of initiating radical polymerization by photocleavage is imparted and brought into contact with the glass substrate surface. As a result, the functional group (Z) present on the glass substrate surface and the base material binding site (Q) are bonded, and the compound (QY) is introduced into the glass substrate surface [photocleavable compound bonding step. ]. Then, the whole surface exposure which gives energy is performed in the state which contacted well-known graft polymer raw materials (unsaturated compound which can be radically polymerized), such as a monomer. Thereby, a graft polymer is produced from the polymerization initiation site (Y) of the compound (QY) over the entire surface of the glass substrate [graft polymer production step].

以下、このような各工程について具体的に説明する。
基板表面に存在する官能基(Z)は、具体的には、例えば、水酸基などが挙げられる。これらの官能基はガラス基板における基材の材質に起因してガラス基板表面にもともと存在しているものである。
Hereinafter, each of these steps will be specifically described.
Specific examples of the functional group (Z) present on the substrate surface include a hydroxyl group. These functional groups are originally present on the surface of the glass substrate due to the material of the base material in the glass substrate.

次に、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位(以下、単に、重合開始部位と称する。)と基材結合部位とを有する化合物の構造について具体的に説明する。この化合物について、基材結合部位(Q)と、重合開始部位(Y)と、を有する化合物(Q−Y)のモデルを用いて詳細に説明すれば、一般に、重合開始部位(Y)は、光により開裂しうる単結合を含む構造である。
この光により開裂する単結合としては、カルボニルのα開裂、β開裂反応、光フリー転位反応、フェナシルエステルの開裂反応、スルホンイミド開裂反応、スルホニルエステル開裂反応、N−ヒドロキシスルホニルエステル開裂反応、ベンジルイミド開裂反応、活性ハロゲン化合物の開裂反応、などを利用して開裂が可能な単結合が挙げられる。これらの反応により、光により開裂しうる単結合が切断される。この開裂しうる単結合としては、C−C結合、C−N結合、C−O結合、C−Cl結合、N−O結合、及びS−N結合等が挙げられる。
Next, the structure of a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage (hereinafter simply referred to as polymerization initiation site) and a substrate binding site will be specifically described. If this compound is described in detail using a model of the compound (QY) having a substrate binding site (Q) and a polymerization initiation site (Y), in general, the polymerization initiation site (Y) is: It is a structure containing a single bond that can be cleaved by light.
As the single bond that is cleaved by this light, carbonyl α-cleavage, β-cleavage reaction, light-free rearrangement reaction, phenacyl ester cleavage reaction, sulfonimide cleavage reaction, sulfonyl ester cleavage reaction, N-hydroxysulfonyl ester cleavage reaction, benzyl Examples thereof include a single bond that can be cleaved using an imide cleavage reaction, a cleavage reaction of an active halogen compound, and the like. These reactions break a single bond that can be cleaved by light. Examples of the single bond that can be cleaved include a C—C bond, a C—N bond, a C—O bond, a C—Cl bond, a N—O bond, and a S—N bond.

また、これらの光により開裂しうる単結合を含む重合開始部位(Y)は、グラフトポリマー生成工程におけるグラフト重合の起点となることから、光により開裂しうる単結合が開裂すると、その開裂反応によりラジカルを発生させる機能を有する。このように、光により開裂しうる単結合を有し、かつ、ラジカルを発生可能な重合開始部位(Y)の構造としては、以下に挙げる基を含む構造が挙げられる。   In addition, since the polymerization initiation site (Y) containing a single bond that can be cleaved by light is the starting point of graft polymerization in the graft polymer production step, when the single bond that can be cleaved by light is cleaved, the cleavage reaction causes Has the function of generating radicals. As described above, examples of the structure of the polymerization initiation site (Y) having a single bond that can be cleaved by light and capable of generating radicals include structures containing the following groups.

芳香族ケトン基、フェナシルエステル基、スルホンイミド基、スルホニルエステル基、N−ヒドロキシスルホニルエステル基、ベンジルイミド基、トリクロロメチル基、ベンジルクロライド基、などが挙げられる。   Aromatic ketone groups, phenacyl ester groups, sulfonimide groups, sulfonyl ester groups, N-hydroxysulfonyl ester groups, benzylimide groups, trichloromethyl groups, benzyl chloride groups, and the like can be mentioned.

このような重合開始部位(Y)は、露光により開裂して、ラジカルが発生すると、そのラジカル周辺に重合可能な化合物が存在する場合には、このラジカルがグラフト重合反応の起点として機能し、所望のグラフトポリマーを生成することができる。   When such a polymerization initiation site (Y) is cleaved by exposure and a radical is generated, if there is a polymerizable compound in the vicinity of the radical, this radical functions as a starting point for the graft polymerization reaction. The graft polymer can be produced.

基材結合部位(Q)としては、ガラス基板表面に存在する官能基Zと反応して結合しうる反応性基で構成され、その反応性基としては、具体的には、以下に示すような基が挙げられる。   The substrate binding site (Q) is composed of a reactive group capable of reacting with and binding to the functional group Z present on the glass substrate surface. Specifically, the reactive group is as shown below. Groups.

Figure 2006104045
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重合開始部位(Y)と、基材結合部位(Q)と、は直接結合していてもよいし、連結基を介して結合していてもよい。この連結基としては、炭素、窒素、酸素、及びイオウからなる群より選択される原子を含む連結基が挙げられ、具体的には、例えば、飽和炭素基、芳香族基、エステル基、アミド基、ウレイド基、エーテル基、アミノ基、スルホンアミド基、等が挙げられる。また、この連結基は更に置換基を有していてもよく、その導入可能な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、等が挙げられる。   The polymerization initiation site (Y) and the substrate binding site (Q) may be directly bonded or may be bonded via a linking group. Examples of the linking group include a linking group containing an atom selected from the group consisting of carbon, nitrogen, oxygen, and sulfur. Specifically, for example, a saturated carbon group, an aromatic group, an ester group, an amide group. Ureido group, ether group, amino group, sulfonamide group, and the like. The linking group may further have a substituent, and examples of the substituent that can be introduced include an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen atom.

基材結合部位(Q)と、重合開始部位(Y)と、を有する化合物(Q−Y)の具体例〔例示化合物1〜例示化合物16〕を、開裂部と共に以下に示すが、本発明はこれらに制限されるものではなく、例えば、公知のシランカップリング剤であって、分子内に前記した光により開裂しうる単結合を含むものなども好適に使用しうる。   Specific examples [Exemplary Compound 1 to Exemplified Compound 16] of Compound (QY) having a substrate binding site (Q) and a polymerization initiation site (Y) are shown below together with the cleavage portion. For example, a known silane coupling agent containing a single bond that can be cleaved by light as described above can be suitably used.

Figure 2006104045
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本発明における光開裂化合物結合工程は、このような化合物(Q−Y)をガラス基板に結合させる工程である。
例示された如き化合物(Q−Y)をガラス基板表面に存在する官能基Zに結合させる方法としては、化合物(Q−Y)を、トルエン、ヘキサン、アセトンなどの適切な溶媒に溶解又は分散し、その溶液又は分散液をガラス基板表面に塗布する方法、又は、溶液又は分散液中にガラス基板を浸漬する方法などを適用すればよい。このとき、溶液中又は分散液の化合物(Q−Y)の濃度としては、0.01質量%〜30質量%が好ましく、特に0.1質量%〜15質量%であることが好ましい。接触させる場合の液温としては、0℃〜100℃が好ましい。接触時間としては、1秒〜50時間が好ましく、10秒〜10時間がより好ましい。
The photocleavable compound bonding step in the present invention is a step of bonding such a compound (QY) to a glass substrate.
As a method for bonding the compound (QY) as exemplified to the functional group Z present on the surface of the glass substrate, the compound (QY) is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as toluene, hexane or acetone. A method of applying the solution or dispersion to the surface of the glass substrate or a method of immersing the glass substrate in the solution or dispersion may be applied. At this time, the concentration of the compound (QY) in the solution or in the dispersion is preferably 0.01% by mass to 30% by mass, and particularly preferably 0.1% by mass to 15% by mass. As a liquid temperature in the case of making it contact, 0 to 100 degreeC is preferable. The contact time is preferably 1 second to 50 hours, and more preferably 10 seconds to 10 hours.

本発明において用いられるガラス基板には、特に制限はなく、基材表面に、水酸基などの官能基(Z)を有するガラス基板であればいずれも適用できる。
一般的には、さまざまな導電性材料に用いられる平板状のガラス基板が用いられるが、必ずしも平板状のガラス基板に限定されず、円筒形などの任意の形状のガラス製基材表面にも同様にグラフトポリマーを導入することができる。
There is no restriction | limiting in particular in the glass substrate used in this invention, All are applicable if it is a glass substrate which has functional groups (Z), such as a hydroxyl group, on the base-material surface.
In general, flat glass substrates used for various conductive materials are used, but they are not necessarily limited to flat glass substrates, and the same applies to glass substrate surfaces of arbitrary shapes such as cylindrical shapes. A graft polymer can be introduced into the.

本発明に好適なガラス基板として、例えば、ケイ素ガラス基板、無アルカリガラス基板、石英ガラス基板、ガラス基材表面にITO膜を形成してなる基板等が挙げられる。
ガラス基板の厚みは、使用目的に応じて選択され、特に限定はないが、一般的には、10μm〜10cm程度である。
Examples of the glass substrate suitable for the present invention include a silicon glass substrate, a non-alkali glass substrate, a quartz glass substrate, and a substrate formed by forming an ITO film on the surface of a glass substrate.
The thickness of the glass substrate is selected according to the purpose of use and is not particularly limited, but is generally about 10 μm to 10 cm.

そして、このように、ガラス基板表面に化合物(Q−Y)が結合された後、グラフトポリマー生成工程が行なわれる。   And after a compound (QY) is couple | bonded with the glass substrate surface in this way, a graft polymer production | generation process is performed.

このグラフトポリマー生成工程では、前述した光開裂化合物結合工程における処理を経たガラス基板に、所望とするグラフトポリマーの材料となるラジカル重合可能な不飽和化合物(例えば、親水性モノマーなど)を接触させた後、露光等によりエネルギー付与を行い、露光領域の重合開始基を活性化させてラジカルを発生させ、そのラジカルを起点として、ラジカル重合可能な不飽和化合物との間で、グラフト化反応を生起、進行させる。その結果、全面露光を行うことで、ガラス基板表面の全領域にわたり均一なグラフトポリマーが生成する。   In this graft polymer generation step, a radically polymerizable unsaturated compound (for example, a hydrophilic monomer) that is a material of the desired graft polymer is brought into contact with the glass substrate that has been subjected to the above-described photocleavable compound bonding step. After that, energy is applied by exposure or the like, the polymerization initiation group in the exposed region is activated to generate a radical, and a grafting reaction occurs between the radical and an unsaturated compound capable of radical polymerization. Make it progress. As a result, by performing overall exposure, a uniform graft polymer is generated over the entire area of the glass substrate surface.

ラジカル重合可能な不飽和化合物をガラス基板表面に接触させる方法としては、ラジカル重合可能な不飽和化合物が溶解された溶液又は分散された分散液を塗布する方法、溶液又は分散された分散液にガラス基板を浸漬する方法などがある。   As a method of bringing the radically polymerizable unsaturated compound into contact with the glass substrate surface, a method of applying a solution or a dispersed dispersion in which the radically polymerizable unsaturated compound is dissolved, a glass in the solution or the dispersed dispersion There is a method of immersing the substrate.

グラフトポリマー生成工程において用いられるラジカル重合可能な不飽和化合物としては、ラジカル重合性基を有する化合物であれば、如何なるものも用いることができるが、例えば、親水性モノマー、疎水性モノマー、マクロマー、オリゴマー、重合性不飽和基を有するポリマーなどが挙げられる。
本発明においては、導電性材料を付与する際の付着性・吸着性の観点から、導電性微粒子、金属イオンなどを付着させる場合には、極性基である親水性基を有する、親水性ポリマー、親水性マクロマー、親水性モノマーなどが好ましい。
また、無電解メッキにより導電膜を形成する場合、ラジカル重合可能な官能基及び無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物が用いられる。このような化合物としては、前記した極性基を有するラジカル重合可能な不飽和化合物と同様な化合物が用いられ、無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用する官能基としては、極性基が相当する。
以下に、グラフトポリマー生成工程において好適に用いられる、ラジカル重合可能な不飽和化合物について具体的に例示する。
As the unsaturated compound capable of radical polymerization used in the graft polymer production step, any compound having a radical polymerizable group can be used. For example, hydrophilic monomers, hydrophobic monomers, macromers, oligomers can be used. And polymers having a polymerizable unsaturated group.
In the present invention, from the viewpoint of adhesion and adsorptivity when applying a conductive material, when attaching conductive fine particles, metal ions, etc., a hydrophilic polymer having a hydrophilic group that is a polar group, Hydrophilic macromers and hydrophilic monomers are preferred.
Further, when the conductive film is formed by electroless plating, a compound having a functional group capable of radical polymerization and a functional group that interacts with the electroless plating catalyst or its precursor is used. As such a compound, the same compound as the radically polymerizable unsaturated compound having a polar group described above is used, and the polar group corresponds to the functional group that interacts with the electroless plating catalyst or its precursor. .
Specific examples of the unsaturated compound capable of radical polymerization that are preferably used in the graft polymer production step are shown below.

−重合性不飽和基を有する親水性ポリマー−
重合性不飽和基を有する親水性ポリマーとは、分子内に、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリル基などのエチレン付加重合性不飽和基が導入されたラジカル重合性基含有親水性ポリマーを指す。このラジカル重合性基含有親水性ポリマーは、重合性基を主鎖末端及び/又は側鎖に有することを要し、その双方に重合性基を有することが好ましい。以下、重合性基を(主鎖末端及び/又は側鎖に)有する親水性ポリマーを、ラジカル重合性基含有親水性ポリマーと称する。
-Hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group-
The hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group is a radically polymerizable group-containing hydrophilic polymer in which an ethylene addition polymerizable unsaturated group such as a vinyl group, an allyl group or a (meth) acryl group is introduced in the molecule. Point to. This radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer needs to have a polymerizable group at the main chain end and / or side chain, and preferably has a polymerizable group at both of them. Hereinafter, a hydrophilic polymer having a polymerizable group (at the main chain end and / or side chain) is referred to as a radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer.

このようなラジカル重合性基含有親水性ポリマーは以下のようにして合成することができる。
合成方法としては、(a)親水性モノマーとエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを共重合する方法、(b)親水性モノマーと二重結合前駆体を有するモノマーとを共重合させ、次に塩基などの処理により二重結合を導入する方法、(c)親水性ポリマーの官能基とエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを反応させる方法、が挙げられる。これらの中でも、特に好ましいのは、合成適性の観点から、(c)親水性ポリマーの官能基とエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを反応させる方法である。
Such a radically polymerizable group-containing hydrophilic polymer can be synthesized as follows.
As a synthesis method, (a) a method of copolymerizing a hydrophilic monomer and a monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group, (b) copolymerizing a hydrophilic monomer and a monomer having a double bond precursor, Next, a method of introducing a double bond by treatment with a base or the like, and (c) a method of reacting a functional group of a hydrophilic polymer with a monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group. Among these, from the viewpoint of synthesis suitability, (c) a method of reacting a functional group of a hydrophilic polymer with a monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group is particularly preferable.

上記(a)や(b)の方法において、ラジカル重合性基含有親水性ポリマーの合成に用いられる親水性モノマーとしては、(メタ)アクリル酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、イタコン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、N−モノメチロール(メタ)アクリルアミド、N−ジメチロール(メタ)アクリルアミド、アリルアミン若しくはそのハロゲン化水素酸塩、3−ビニルプロピオン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、ビニルスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−スルホエチル(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレートなどの、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、アミノ基若しくはそれらの塩、水酸基、アミド基及びエーテル基などの親水性基を有するモノマーが挙げられる。
また、(c)の方法で用いられる親水性ポリマーとしては、これらの親水性モノマーから選ばれる少なくとも一種を用いて得られる親水性ホモポリマー若しくはコポリマーが用いられる。
In the methods (a) and (b), the hydrophilic monomer used for the synthesis of the radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer includes (meth) acrylic acid or its alkali metal salt and amine salt, itaconic acid or its alkali. Metal salt and amine salt, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) acrylamide, N-monomethylol (meth) acrylamide, N-dimethylol (meth) acrylamide, allylamine or its hydrohalide, 3-vinylpropion Acid or alkali metal salt and amine salt thereof, vinyl sulfonic acid or alkali metal salt and amine salt thereof, 2-sulfoethyl (meth) acrylate, polyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfone Monomers having hydrophilic groups such as carboxyl groups, sulfonic acid groups, phosphoric acid groups, amino groups or salts thereof, hydroxyl groups, amide groups and ether groups, such as acid phosphooxypolyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate Can be mentioned.
As the hydrophilic polymer used in the method (c), a hydrophilic homopolymer or copolymer obtained using at least one selected from these hydrophilic monomers is used.

(a)の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性モノマーと共重合するエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとしては、例えば、アリル基含有モノマーがあり、具体的には、アリル(メタ)アクリレート、2−アリルオキシエチルメタクリレートが挙げられる。   When the radically polymerizable group-containing hydrophilic polymer is synthesized by the method (a), examples of the monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group that is copolymerized with the hydrophilic monomer include an allyl group-containing monomer. Examples include allyl (meth) acrylate and 2-allyloxyethyl methacrylate.

また、(b)の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性モノマーと共重合する二重結合前駆体を有するモノマーとしては、2−(3−クロロ−1−オキソプロポキシ)エチルメタクリレー卜が挙げられる。   Further, when the radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer is synthesized by the method (b), a monomer having a double bond precursor that is copolymerized with a hydrophilic monomer is 2- (3-chloro-1-oxopropoxy). ) Ethyl methacrylate.

更に、(c)の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性ポリマー中のカルボキシル基、アミノ基若しくはそれらの塩と、水酸基及びエポキシ基などの官能基と、の反応を利用して不飽和基を導入することが好ましい。このために用いられる付加重合性不飽和基を有するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸、グリシジル(メタ)アクリレート、アリルグリシジルエーテル、2−イソシアナトエチル(メタ)アクリレートなど挙げられる。   Further, when the radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer is synthesized by the method (c), a reaction between a carboxyl group, an amino group or a salt thereof in the hydrophilic polymer and a functional group such as a hydroxyl group and an epoxy group is performed. It is preferable to introduce an unsaturated group using it. Examples of the monomer having an addition polymerizable unsaturated group used for this purpose include (meth) acrylic acid, glycidyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether, and 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate.

−親水性マクロモノマー−
本発明において用い得るマクロモノマーの製造方法は、例えば、平成1年9月20日にアイピーシー出版局発行の「マクロモノマーの化学と工業」(編集者 山下雄也)の第2章「マクロモノマーの合成」に各種の製法が提案されている。
本発明で用い得る親水性マクロモノマーで特に有用なものとしては、アクリル酸、メタクリル酸などのカルホキシル基含有のモノマーから誘導されるマクロモノマー、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、ビニルステレンスルホン酸、及びその塩のモノマーから誘導されるスルホン酸系マクロモノマー、(メタ)アクリルアミド、N−ビニルアセトアミド、N−ビニルホルムアミド、N−ビニルカルボン酸アミドモノマーから誘導されるアミド系マクロモノマー、ヒドロキシエチルメタクリレー卜、ヒドロキシエチルアクリレート、グリセロールモノメタクリレートなどの水酸基含有モノマーから誘導されるマクロモノマー、メトキシエチルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレートなどのアルコキシ基若しくはエチレンオキシド基含有モノマーから誘導されるマクロモノマーである。またポリエチレングリコール鎖若しくはポリプロピレングリコール鎖を有するモノマーも本発明のマクロモノマーとして有用に使用することができる。
これらの親水性マクロモノマーのうち有用なものの分子量は、250〜10万の範囲で、特に好ましい範囲は400〜3万である。
-Hydrophilic macromonomer-
The method for producing a macromonomer that can be used in the present invention is described in, for example, Chapter 2 of “Macromonomer Chemistry and Industry” (Editor, Yuya Yamashita) published on September 20, 1999 by the IP Publishing Bureau. Various production methods have been proposed in “Synthesis”.
Particularly useful hydrophilic macromonomers that can be used in the present invention include macromonomers derived from carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid and methacrylic acid, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, and vinylsterene sulfone. Sulfonic acid macromonomer derived from monomer of acid and its salt, (meth) acrylamide, N-vinylacetamide, N-vinylformamide, amide macromonomer derived from N-vinylcarboxylic amide monomer, hydroxyethyl Macromonomers derived from hydroxyl group-containing monomers such as methacrylic acid, hydroxyethyl acrylate, glycerol monomethacrylate, methoxyethyl acrylate, methoxypolyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol Macromonomers derived from alkoxy group or ethylene oxide group-containing monomers such Lumpur acrylate. A monomer having a polyethylene glycol chain or a polypropylene glycol chain can also be usefully used as the macromonomer of the present invention.
Among these hydrophilic macromonomers, useful ones have a molecular weight in the range of 250 to 100,000, and a particularly preferable range is 400 to 30,000.

−親水性モノマー−
親水性モノマーとしては、アンモニウム、ホスホニウムなどの正の荷電を有するモノマー、若しくは、スルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、ホスホン酸基などの負の荷電を有するか負の荷電に解離しうる酸性基を有するモノマーが挙げられるが、その他にも、例えば、水酸基、アミド基、スルホンアミド基、アルコキシ基、シアノ基などの非イオン性の基を有する親水性モノマーを用いることもできる。
-Hydrophilic monomer-
The hydrophilic monomer may be a monomer having a positive charge such as ammonium or phosphonium, or an acid having a negative charge such as a sulfonic acid group, a carboxyl group, a phosphoric acid group, or a phosphonic acid group or capable of dissociating into a negative charge. Examples thereof include monomers having a group, but other hydrophilic monomers having a nonionic group such as a hydroxyl group, an amide group, a sulfonamide group, an alkoxy group, and a cyano group can also be used.

本発明において用いうる親水性モノマーの具体例としては、次のモノマーを挙げることができる。
例えば、(メタ)アクリル酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、イタコン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、アリルアミン若しくはそのハロゲン化水素酸塩、3−ビニルプロピオン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、ビニルスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、スチレンスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−スルホエチレン(メタ)アクリレート、3−スルホプロピレン(メタ)アクリレート若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート若しくはそれらの塩、2−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート若しくはそのハロゲン化水素酸塩、3−トリメチルアンモニウムプロピル(メタ)アクリレート、3−トリメチルアンモニウムプロピル(メタ)アクリルアミド、N,N,N−トリメチル−N−(2−ヒドロキシ−3−メタクリロイルオキシプロピル)アンモニウムクロライド、などを使用することができる。 また、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、N−モノメチロール(メタ)アクリルアミド、N−ジメチロール(メタ)アクリルアミド、N−ビニルピロリドン、N−ビニルアセトアミド、ポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレートなども有用である。
Specific examples of the hydrophilic monomer that can be used in the present invention include the following monomers.
For example, (meth) acrylic acid or its alkali metal salt and amine salt, itaconic acid or its alkali metal salt and amine salt, allylamine or its hydrohalide salt, 3-vinylpropionic acid or its alkali metal salt and amine salt, Vinyl sulfonic acid or its alkali metal salt and amine salt, styrene sulfonic acid or its alkali metal salt and amine salt, 2-sulfoethylene (meth) acrylate, 3-sulfopropylene (meth) acrylate or its alkali metal salt and amine salt, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid or alkali metal salts and amine salts thereof, acid phosphooxypolyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate or salts thereof, 2-dimethylaminoethyl (meta Acrylate or its hydrohalide, 3-trimethylammoniumpropyl (meth) acrylate, 3-trimethylammoniumpropyl (meth) acrylamide, N, N, N-trimethyl-N- (2-hydroxy-3-methacryloyloxypropyl) Ammonium chloride, etc. can be used. In addition, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) acrylamide, N-monomethylol (meth) acrylamide, N-dimethylol (meth) acrylamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylacetamide, polyoxyethylene glycol mono (meth) ) Acrylate is also useful.

−溶媒−
上述のラジカル重合可能な不飽和化合物を溶解、分散するための溶媒としては、該化合物や必要に応じて添加される添加剤が溶解可能ならば特に制限はない。
例えば、親水性モノマー等の親水性の化合物が適用される場合であれば、水、水溶性溶剤などの水性溶剤が好ましく、これらの混合物や、溶剤に更に界面活性剤を添加したものなどが好ましい。水溶性溶剤は、水と任意の割合で混和しうる溶剤を言い、そのような水溶性溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリンの如きアルコール系溶剤、酢酸の如き酸、アセトンの如きケトン系溶剤、ホルムアミドの如きアミド系溶剤、などが挙げられる。
また、疎水性モノマー等の疎水性の化合物が適用される場合であれば、メタノール、エタノール、1−メトキシ−2−プロパノールの如きアルコール系の溶剤、メチルエチルケトンの如きケトン系溶剤、トルエンの如き炭化水素系の溶剤などが好ましい。
-Solvent-
The solvent for dissolving and dispersing the above-mentioned radically polymerizable unsaturated compound is not particularly limited as long as the compound and additives added as necessary can be dissolved.
For example, when a hydrophilic compound such as a hydrophilic monomer is applied, an aqueous solvent such as water or a water-soluble solvent is preferable, and a mixture thereof or a solvent in which a surfactant is further added is preferable. . The water-soluble solvent refers to a solvent miscible with water in an arbitrary ratio, and examples of such a water-soluble solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol, and glycerin, acids such as acetic acid, Examples thereof include ketone solvents such as acetone, amide solvents such as formamide, and the like.
In addition, when a hydrophobic compound such as a hydrophobic monomer is applied, an alcohol solvent such as methanol, ethanol, 1-methoxy-2-propanol, a ketone solvent such as methyl ethyl ketone, or a hydrocarbon such as toluene. A solvent of the system is preferable.

グラフトポリマー生成工程において用いうるエネルギー付与方法には特に制限はなく、前記重合開始部位(Y)において開裂を生じさせるエネルギーを付与できる限りにおいて、露光、加熱又はその双方であってもよく、露光を実施する際には、紫外線でも、可視光でもよい。ここで、露光に用いられる光源としては、紫外光、深紫外光、可視光等が挙げられるが、好ましくは、紫外光、可視光である。   There is no particular limitation on the energy application method that can be used in the graft polymer production step, and it may be exposure, heating, or both as long as it can provide energy that causes cleavage at the polymerization initiation site (Y). When implemented, it may be ultraviolet light or visible light. Here, examples of the light source used for the exposure include ultraviolet light, deep ultraviolet light, and visible light, and ultraviolet light and visible light are preferable.

このようにして、ガラス基板表面の全域にわたりグラフトポリマーが生成される。エネルギー付与後のガラス基板は、溶剤浸漬などの処理を行って、残存するホモポリマーを除去し、精製する。具体的な精製方法としては、水やアセトンによる洗浄、乾燥、などが挙げられる。ホモポリマーの除去性の観点からは、洗浄にあたって超音波などの手段を採ることが好ましい。
精製後のガラス基板は、その表面に残存するホモポリマーが完全に除去され、ガラス基板の全面にわたり、ガラス基板と強固に結合したグラフトポリマーのみが存在することになる。
In this way, a graft polymer is generated over the entire surface of the glass substrate. The glass substrate after energy application is subjected to a treatment such as solvent immersion to remove the remaining homopolymer and purify it. Specific purification methods include washing with water or acetone, drying, and the like. From the standpoint of homopolymer removability, it is preferable to employ means such as ultrasonic waves for cleaning.
In the glass substrate after purification, the homopolymer remaining on the surface is completely removed, and only the graft polymer firmly bonded to the glass substrate exists over the entire surface of the glass substrate.

本発明の導電性ガラス基板形成方法においては、上記工程によりグラフトポリマー形成領域を形成した後に、(1)導電性微粒子を付着する工程、(2)金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程、(3)無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う工程、及び(4)導電性モノマーを付与し、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する工程、のいずれかを実施することにより、導電膜が形成される。   In the method for forming a conductive glass substrate of the present invention, after forming the graft polymer formation region by the above-described step, (1) a step of attaching conductive fine particles, (2) applying a metal ion or a metal salt, A step of depositing metal by reducing metal ions or metal ions in the metal salt, (3) a step of electroless plating by applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof, and (4) a conductive monomer The conductive film is formed by performing any one of the steps of applying and causing a polymerization reaction to form a conductive polymer layer.

(1)導電性微粒子を付着する工程
この方法は、前記グラフトポリマーの極性基に直接導電性微粒子を付着させる工程であり、以下に例示する導電性微粒子を、静電気的、イオン的に極性基に付着(吸着)させればよい。
本発明に用い得る導電性微粒子としては、導電性を有するものであれば特に制限はなく、公知の導電性材料からなる微粒子を任意に選択して用いることができる。例えば、Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Crなどの金属微粒子、In23、SnO2、ZnO、Cdo、TiO2、CdIn24、Cd2SnO2、Zn2SnO4、In23−ZnOなどの酸化物半導体微粒子、及びこれらに適合する不純物をドーパントさせた材料を用いた微粒子、MgInO、CaGaOなどのスピネル形化合物微粒子、TiN、ZrN、HfNなどの導電性窒化物微粒子、LaBなどの導電性ホウ化物微粒子、また、有機材料としては導電性高分子微粒子などが好適なものとして挙げられる。
(1) Step of attaching conductive fine particles This method is a step of directly attaching conductive fine particles to the polar group of the graft polymer. The conductive fine particles exemplified below are electrostatically and ionically converted into polar groups. What is necessary is just to make it adhere (adsorb | suck).
The conductive fine particles that can be used in the present invention are not particularly limited as long as they have conductivity, and fine particles made of a known conductive material can be arbitrarily selected and used. For example, fine metal particles such as Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, Al, Cr, In 2 O 3 , SnO 2 , ZnO, Cdo, TiO 2 , CdIn 2 O 4 , Cd 2 SnO 2 , Zn 2 SnO 4 , oxide semiconductor fine particles such as In 2 O 3 —ZnO, fine particles using a material doped with impurities compatible with these, spinel compound fine particles such as MgInO and CaGaO, and conductivity such as TiN, ZrN, and HfN Suitable examples include nitride fine particles, conductive boride fine particles such as LaB, and conductive polymer fine particles as the organic material.

グラフトポリマーがアニオン性の極性基を有する場合、ここに正の電荷を有する導電性粒子を吸着させることで導電膜が形成される。ここで用いられるカチオン性の導電性粒子としては、正電荷を有する金属(酸化物)微粒子などが挙げられる。
表面に高密度で正荷電を有する微粒子は、例えば、米澤徹らの方法、すなわち、
T.Yonezawa,ChemistryLetters.,1999
page1061,T.Yonezawa,Langumuir 2000,vol16,5218 および米澤徹, Polymer preprints,
Japan vol.49.2911 (2000)に記載された方法にて作成することができる。米澤らは金属−硫黄結合を利用し、金属粒子表面を、正荷電を有する官能基で高密度に化学修飾できることを示している。
When the graft polymer has an anionic polar group, a conductive film is formed by adsorbing conductive particles having a positive charge thereto. Examples of the cationic conductive particles used here include metal (oxide) fine particles having a positive charge.
The fine particles having high density and positive charge on the surface are, for example, the method of Toru Yonezawa et al.
T. T. et al. Yonezawa, Chemistry Letters. , 1999
page 1061, T.I. Yonezawa, Languir 2000, vol16, 5218 and Toru Yonezawa, Polymer preprints,
Japan vol. 49.2911 (2000). Yonezawa et al. Show that metal-sulfur bonds can be used to chemically modify the surface of metal particles with a functional group having a positive charge.

また、カチオン性の極性基を有するグラフトポリマーには、負電荷を有する導電性粒子が吸着して導電膜が形成される。
導電性微粒子の粒径は0.1nmから1000nmの範囲であることが好ましく、1nmから100nmの範囲であることがさらに好ましい。粒径が0.1nmよりも小さくなると、微粒子同士の表面が連続的に接触してもたらされる導電性が低下する傾向がある。また、1000nmよりも大きくなると、極性変換された官能基と相互作用して結合する接触面積が小さくなるため親水性表面と粒子との密着が低下し、導電性領域の強度が劣化する傾向がある。
ここで、透明配線基板などを得ようとする場合には、光透過性を確保する観点から、好ましくは0.2〜100nm、さらに好ましくは1〜10nmの範囲のものを用いる。
In addition, conductive particles having a negative charge are adsorbed on the graft polymer having a cationic polar group to form a conductive film.
The particle diameter of the conductive fine particles is preferably in the range of 0.1 nm to 1000 nm, and more preferably in the range of 1 nm to 100 nm. When the particle diameter is smaller than 0.1 nm, the conductivity caused by the continuous contact between the surfaces of the fine particles tends to decrease. On the other hand, when the thickness is larger than 1000 nm, the contact area that interacts and bonds with the functional group whose polarity has been changed is reduced, so that the adhesion between the hydrophilic surface and the particles decreases, and the strength of the conductive region tends to deteriorate. .
Here, when it is going to obtain a transparent wiring board etc., from a viewpoint of ensuring light transmittance, Preferably it is 0.2-100 nm, More preferably, the thing of the range of 1-10 nm is used.

これらの微粒子は、グラフトポリマーの極性基に吸着し得る最大量結合されることが耐久性の点で好ましい。また、導電性確保の観点からは、分散液の分散濃度は、10〜20重量%程度が好ましい。
導電性粒子を極性基に吸着させる方法としては、表面上に荷電を有する導電性粒子を溶解又は分散させた液をガラス基板表面に塗布する方法、及び、これらの溶液又は分散液中に前記ガラス基板を浸漬する方法などが挙げられる。塗布、浸漬のいずれの場合にも、過剰量の導電性粒子を供給し、極性基との間に十分なイオン結合による導入がなされるために、溶液又は分散液と支持体表面との接触時間は、10秒から180分程度であることが好ましく、1分から100分程度であることがさらに好ましい。
前記導電性粒子は1種のみならず、必要に応じて複数種を併用することができる。また、所望の導電性を得るため、予め複数の材料を混合して用いることもできる。
It is preferable from the viewpoint of durability that these fine particles are bonded in the maximum amount capable of being adsorbed to the polar group of the graft polymer. Further, from the viewpoint of ensuring conductivity, the dispersion concentration of the dispersion is preferably about 10 to 20% by weight.
Examples of the method for adsorbing the conductive particles on the polar group include a method in which a liquid in which conductive particles having a charge are dissolved or dispersed on the surface is applied to the glass substrate surface, and the glass in the solution or dispersion. Examples include a method of immersing the substrate. In both cases of application and immersion, the contact time between the solution or dispersion and the support surface is provided because an excessive amount of conductive particles is supplied and introduced by sufficient ionic bonding between the polar groups. Is preferably about 10 seconds to 180 minutes, more preferably about 1 minute to 100 minutes.
The conductive particles are not limited to one type, and a plurality of types can be used in combination as necessary. In order to obtain desired conductivity, a plurality of materials can be mixed and used in advance.

(2)金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程
本発明に係る導電性物質付与工程における(2)の態様においては、グラフトポリマーに金属イオン又は金属塩を付与する工程(金属イオン又は金属塩付与工程)、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程(金属(微粒子)膜形成工程)が行われることにより、導電性パターンが形成される。即ち、(2)の態様においては、グラフトポリマーが有する親水性基などの金属イオンや、金属塩を付着させうる官能基が、その機能に応じて、金属イオンや金属塩を付着(吸着)し、次いで、吸着した金属イオン等が還元されることで、グラフトポリマー領域に金属単体が析出し、その析出態様によって、金属薄膜が形成されたり、金属微粒子が分散してなる金属微粒子付着層が形成されることになる。
(2) A step of applying a metal ion or a metal salt, and then reducing the metal ion or the metal ion in the metal salt to deposit a metal. In the aspect of (2) in the conductive substance applying step according to the present invention. The step of applying a metal ion or metal salt to the graft polymer (metal ion or metal salt applying step), the step of reducing the metal ion or metal ion in the metal salt to precipitate the metal (metal (fine particle) film By performing the forming step, a conductive pattern is formed. That is, in the aspect (2), the metal ion such as a hydrophilic group of the graft polymer or the functional group capable of attaching the metal salt adheres (adsorbs) the metal ion or metal salt depending on its function. Then, by reducing the adsorbed metal ions, etc., a single metal precipitates in the graft polymer region, and depending on the precipitation mode, a metal thin film is formed or a metal fine particle adhesion layer is formed by dispersing metal fine particles. Will be.

(2)の態様において、金属イオン又は金属塩を付与する方法としては、グラフトポリマーを形成している化合物によって、適宜、選択することができる。また、グラフトポリマーは、金属イオン等の付着の観点からは、親水性基を有することが好ましい。
具体的な金属イオン又は金属塩を付与する方法としては、(2−1)グラフトポリマーがイオン性基(極性基)を有する場合、そのグラフトポリマーのイオン性基に金属イオンを吸着させる方法、(2−2)グラフトポリマーがポリビニルピロリドンなどのように金属塩に対し親和性の高い場合、そのグラフトポリマーに、金属塩又は金属塩を含有する溶液を含浸させる方法、(2−3)親水性グラフトポリマーに、金属塩が含有する溶液、又は、金属塩が溶解した溶液に浸漬して、そのグラフトポリマーに金属イオン及び/又は金属塩を含む溶液を含浸させる方法、の何れかの方法を適宜選択して用いることができる。特に、(2−3)の方法によれば、グラフトポリマーの性質が特に問われないため、所望の金属イオン又は金属塩を付与させることができる。
In the embodiment (2), the method for imparting a metal ion or metal salt can be appropriately selected depending on the compound forming the graft polymer. The graft polymer preferably has a hydrophilic group from the viewpoint of adhesion of metal ions and the like.
As a specific method for imparting a metal ion or metal salt, (2-1) when the graft polymer has an ionic group (polar group), a method of adsorbing the metal ion to the ionic group of the graft polymer, ( 2-2) A method of impregnating a graft polymer with a metal salt or a solution containing a metal salt when the graft polymer has a high affinity for a metal salt such as polyvinylpyrrolidone, (2-3) hydrophilic graft Either a method of immersing the polymer in a solution containing a metal salt or a solution in which the metal salt is dissolved, and impregnating the graft polymer with a solution containing a metal ion and / or a metal salt is appropriately selected. Can be used. In particular, according to the method (2-3), since the properties of the graft polymer are not particularly limited, a desired metal ion or metal salt can be imparted.

(3)無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う方法、
本発明における導電膜形成工程の(3)の態様においては、グラフトポリマーは、無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用する相互作用性基を有し、そこに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する工程(無電解メッキ触媒等付与工程)と、無電解メッキを行い金属薄膜を形成する工程(無電解メッキ工程)と、が順に行われることにより、導電性膜が形成される。
即ち、(3)の態様においては、無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用する官能基(即ち、極性基)を有するグラフトポリマーが、無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用し、次いで行われる無電解メッキ処理により金属薄膜が形成されることになる。
(3) A method of performing electroless plating by applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof,
In the aspect (3) of the conductive film forming step in the present invention, the graft polymer has an interactive group that interacts with the electroless plating catalyst or a precursor thereof, and the electroless plating catalyst or the precursor thereof. A conductive film is formed by sequentially performing a step of applying (electroless plating catalyst etc. applying step) and a step of forming a metal thin film by performing electroless plating (electroless plating step).
That is, in the embodiment of (3), the graft polymer having a functional group (that is, a polar group) that interacts with the electroless plating catalyst or its precursor interacts with the electroless plating catalyst or its precursor, A metal thin film is formed by the electroless plating process.

これらの結果、金属(微粒子)膜が形成されることになり、金属薄膜(連続層)が形成される場合には、特に導電性の高い領域が形成される。ここで、微粒子を吸着した後、導電性を改良する目的で加熱工程を実施することができる。   As a result, a metal (fine particle) film is formed. When a metal thin film (continuous layer) is formed, a region with particularly high conductivity is formed. Here, after adsorbing the fine particles, a heating step can be performed for the purpose of improving conductivity.

上記(2)の態様における、「金属イオン又は金属塩付与工程」及び「金属(微粒子)膜形成工程」について、詳細に説明する。
<金属イオン又は金属塩付与工程>
〔金属イオン及び金属塩〕
金属イオン及び金属塩について説明する。
本発明において、金属塩としては、グラフトポリマー生成領域に付与するために適切な溶媒に溶解して、金属イオンと塩基(陰イオン)に解離されるものであれば特に制限はなく、M(NO3)n、MCln、M2/n(SO4)、M3/n(PO4)(Mは、n価の金属原子を表す)などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Ag、Cu、Al、Ni、Co、Fe、Pdが挙げられ、導電膜としてはAgが、磁性膜としてはCoが好ましく用いられる。
The “metal ion or metal salt applying step” and the “metal (fine particle) film forming step” in the aspect (2) will be described in detail.
<Metal ion or metal salt application step>
[Metal ions and metal salts]
A metal ion and a metal salt are demonstrated.
In the present invention, the metal salt is not particularly limited as long as it is dissolved in a suitable solvent to be applied to the graft polymer formation region and can be dissociated into a metal ion and a base (anion). 3 ) n, MCn, M 2 / n (SO 4 ), M 3 / n (PO 4 ) (M represents an n-valent metal atom) and the like. As a metal ion, the thing which said metal salt dissociated can be used suitably. Specific examples include Ag, Cu, Al, Ni, Co, Fe, and Pd. Ag is preferably used as the conductive film and Co is preferably used as the magnetic film.

〔金属イオン及び金属塩の付与方法〕
金属イオン又は金属塩をグラフトポリマー生成領域に付与する際、(2−1)グラフトポリマーがイオン性基を有し、そのイオン性基に金属イオンを吸着させる方法を用いる場合には、上記の金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含むその溶液を、グラフトポリマーが存在するガラス基板表面に塗布するか、或いは、その溶液中にグラフトポリマーを有するガラス基板を浸漬すればよい。金属イオンを含有する溶液を接触させることで、前記イオン性基には、金属イオンがイオン的に吸着することができる。これら吸着を充分に行なわせるという観点からは、接触させる溶液の金属イオン濃度、或いは金属塩濃度は1〜50質量%の範囲であることが好ましく、10〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、10秒から24時間程度であることが好ましく、1分から180分程度であることが更に好ましい。
[Method of applying metal ions and metal salts]
When applying a metal ion or a metal salt to the graft polymer formation region (2-1) when the graft polymer has an ionic group and a method of adsorbing the metal ion to the ionic group, the above metal is used. The salt is dissolved in an appropriate solvent, and the solution containing the dissociated metal ions is applied to the surface of the glass substrate where the graft polymer is present, or the glass substrate having the graft polymer is immersed in the solution. By contacting a solution containing metal ions, metal ions can be ionically adsorbed to the ionic group. From the viewpoint of sufficient adsorption, the metal ion concentration or the metal salt concentration of the solution to be contacted is preferably in the range of 1 to 50% by mass, and more preferably in the range of 10 to 30% by mass. preferable. The contact time is preferably about 10 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 180 minutes.

金属イオン又は金属塩をグラフトポリマーに付与する際、(2−2)グラフトポリマーがポリビニルピロリドンなどのように金属塩に対し親和性の高い場合は、上記の金属塩を微粒子状にして直接付着させる、又は金属塩が分散し得る適切な溶媒を用いて分散液を調製し、その分散液を、グラフトポリマーが存在するガラス基板表面に塗布するか、或いは、その溶液中にグラフトポリマーを有するガラス基板を浸漬すればよい。また、グラフトポリマーが親水性化合物からなる場合、グラフトポリマーは高い保水性を有するため、その高い保水性を利用して、金属塩が分散した分散液をグラフトポリマーに含浸させることができる。分散液の含浸を充分に行なわせるという観点からは、接触させる分散液の金属塩濃度、或いは金属塩濃度は1〜50質量%の範囲であることが好ましく、10〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、10秒から24時間程度であることが好ましく、1分から180分程度であることが更に好ましい。   When applying a metal ion or metal salt to the graft polymer, (2-2) If the graft polymer has a high affinity for the metal salt, such as polyvinylpyrrolidone, the above metal salt is made fine particles and directly attached. Alternatively, a dispersion is prepared using a suitable solvent in which the metal salt can be dispersed, and the dispersion is applied to the surface of the glass substrate on which the graft polymer is present, or a glass substrate having the graft polymer in the solution May be immersed. Further, when the graft polymer is made of a hydrophilic compound, the graft polymer has high water retention, so that the graft polymer can be impregnated with the dispersion in which the metal salt is dispersed using the high water retention. From the viewpoint of sufficiently impregnating the dispersion, the metal salt concentration or the metal salt concentration of the dispersion to be contacted is preferably in the range of 1 to 50% by mass, and in the range of 10 to 30% by mass. More preferably. The contact time is preferably about 10 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 180 minutes.

金属イオン又は金属塩をグラフトポリマーに付与する際、(2−3)親水性グラフトポリマーを有するガラス基板を、金属塩が含有する溶液、又は、金属塩が溶解した溶液に浸漬して、その親水性グラフトポリマー生成領域に金属イオン及び/又は金属塩を含む溶液を含浸させる方法を用いる場合には、上記の金属塩が分散し得る適切な溶媒を用いて分散液を調製するか、又は上記の金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含むその溶液を調製し、その分散液又は溶液を、親水性グラフトポリマーが存在するガラス基板表面に塗布するか、或いは、その溶液中に親水性グラフトポリマー生成領域を有するガラス基板を浸漬すればよい。かかる方法においても、上述と同様に、親水性グラフトポリマーが有する高い保水性を利用して、分散液又は溶液をその親水性グラフトポリマーに含浸させることができる。分散液又は溶液の含浸を充分に行なわせるという観点からは、接触させる分散液の金属塩濃度、或いは金属塩濃度は1〜50質量%の範囲であることが好ましく、10〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、10秒から24時間程度であることが好ましく、1分から180分程度であることが更に好ましい。   When applying a metal ion or a metal salt to a graft polymer, (2-3) immersing a glass substrate having a hydrophilic graft polymer in a solution containing the metal salt or a solution in which the metal salt is dissolved, When a method of impregnating a region containing the conductive graft polymer with a solution containing metal ions and / or metal salts is used, prepare a dispersion using an appropriate solvent in which the metal salts can be dispersed, or The metal salt is dissolved in an appropriate solvent, and a solution containing the dissociated metal ions is prepared, and the dispersion or solution is applied to the glass substrate surface on which the hydrophilic graft polymer is present, or in the solution. What is necessary is just to immerse the glass substrate which has a hydrophilic graft polymer production | generation area | region. Also in this method, similarly to the above, the hydrophilic graft polymer can be impregnated with the dispersion or solution by utilizing the high water retention property of the hydrophilic graft polymer. From the viewpoint of sufficient impregnation of the dispersion or solution, the metal salt concentration or the metal salt concentration of the dispersion to be contacted is preferably in the range of 1 to 50% by mass, and in the range of 10 to 30% by mass. More preferably. The contact time is preferably about 10 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 180 minutes.

<金属(微粒子)膜形成工程>
〔還元剤〕
本発明において、グラフトポリマーに吸着又は含浸して存在する金属塩、或いは、金属イオンを還元し、金属(微粒子)膜を成膜するために用いられる還元剤としては、用いた金属塩化合物を還元し、金属を析出させる物性を有するものであれば特に制限はなく、例えば、次亜リン酸塩、テトラヒドロホウ素酸塩、ヒドラジンなどが挙げられる。
これらの還元剤は、用いる金属塩、金属イオンとの関係で適宜選択することができるが、例えば、金属イオン、金属塩を供給する金属塩水溶液として、硝酸銀水溶液などを用いた場合にはテトラヒドロホウ素酸ナトリウムが、二塩化パラジウム水溶液を用いた場合には、ヒドラジンが、好適なものとして挙げられる。
<Metal (fine particle) film formation process>
[Reducing agent]
In the present invention, as a reducing agent used for forming a metal (fine particle) film by reducing a metal salt adsorbed or impregnated into a graft polymer or a metal ion, the used metal salt compound is reduced. And if it has the physical property which deposits a metal, there will be no restriction | limiting in particular, For example, hypophosphite, tetrahydroborate, hydrazine etc. are mentioned.
These reducing agents can be appropriately selected in relation to the metal salt and metal ion to be used. For example, when a silver nitrate aqueous solution or the like is used as the metal salt aqueous solution for supplying the metal ion or metal salt, tetrahydroboron is used. When sodium acid uses an aqueous palladium dichloride solution, hydrazine is preferred.

上記還元剤の添加方法としては、例えば、グラフトポリマーが存在するガラス基板表面に金属イオンや金属塩を付与させた後、水洗して余分な金属塩、金属イオンを除去した後、該表面を備えたガラス基板をイオン交換水などの水中に浸漬し、そこに還元剤を添加する方法、該ガラス基板表面上に所定の濃度の還元剤水溶液を直接塗布或いは滴下する方法等が挙げられる。また、還元剤の添加量としては、金属イオンに対して、等量以上の過剰量用いるのが好ましく、10倍当量以上であることが更に好ましい。   As the method for adding the reducing agent, for example, after adding a metal ion or metal salt to the surface of the glass substrate on which the graft polymer is present, the surface is prepared by washing with water to remove excess metal salt or metal ion. Examples thereof include a method of immersing a glass substrate in water such as ion exchange water and adding a reducing agent thereto, a method of directly applying or dropping a reducing agent aqueous solution having a predetermined concentration on the surface of the glass substrate, and the like. Moreover, as an addition amount of a reducing agent, it is preferable to use an excessive amount equal to or more than the metal ion, and more preferably 10 times equivalent or more.

還元剤の添加による均一で高強度の金属(微粒子)膜の存在は、表面の金属光沢により目視でも確認することができるが、透過型電子顕微鏡、或いは、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて表面を観察することで、その構造を確認することができる。また、金属(微粒子)膜の膜厚は、常法、例えば、切断面を電子顕微鏡で観察するなどの方法により、容易に行なうことができる。   The presence of a uniform and high-strength metal (fine particle) film by the addition of a reducing agent can be visually confirmed by the metallic luster of the surface, but using a transmission electron microscope or an AFM (atomic force microscope) By observing the surface, the structure can be confirmed. The metal (fine particle) film can be easily formed by a conventional method, for example, a method of observing the cut surface with an electron microscope.

〔グラフトポリマーが有する官能基の極性と金属イオン又は金属塩との関係〕
グラフトポリマーが負の電荷を有する官能基をもつものであれば、ここに正の電荷を有する金属イオンを吸着させ、その吸着した金属イオンを還元させることで金属単体(金属薄膜や金属微粒子)が析出する領域が形成される。
[Relationship between polarity of functional group of graft polymer and metal ion or metal salt]
If the graft polymer has a functional group having a negative charge, a metal ion having a positive charge is adsorbed on the graft polymer, and the adsorbed metal ion is reduced to form a simple metal (metal thin film or metal fine particle). A depositing region is formed.

〔親水性化合物結合タイプの親水性基の極性と金属イオン又は金属塩との関係〕
グラフトポリマーが先に詳述したように親水性の官能基として、カルボキシル基、スルホン酸基、若しくはホスホン酸基などの如きアニオン性を有する場合は、選択的に負の電荷を有するようになり、ここに正の電荷を有する金属イオンを吸着させ、その吸着した金属イオンを還元させることで金属(微粒子)膜領域(例えば、配線など)が形成される。
一方、グラフトポリマー鎖が特開平10−296895号公報に記載のアンモニウム基などの如きカチオン性基を有する場合は、選択的に正の電荷を有するようになり、ここに金属塩を含有する溶液、又は金属塩が溶解した溶液を含浸させ、その含浸させた溶液中の金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元させることで金属(微粒子)膜領域(配線)が形成される。
これらの金属イオンは、親水性表面の親水性基に付与(吸着)し得る最大量、結合されることが耐久性の点で好ましい。
[Relationship between the polarity of the hydrophilic group of the hydrophilic compound binding type and the metal ion or metal salt]
When the graft polymer has an anionic property such as a carboxyl group, a sulfonic acid group, or a phosphonic acid group as a hydrophilic functional group as described in detail above, the graft polymer selectively has a negative charge, A metal ion having a positive charge is adsorbed here, and the adsorbed metal ion is reduced to form a metal (fine particle) film region (for example, a wiring).
On the other hand, when the graft polymer chain has a cationic group such as an ammonium group described in JP-A-10-296895, it selectively has a positive charge, and a solution containing a metal salt therein, Alternatively, a metal (fine particle) film region (wiring) is formed by impregnating a solution in which a metal salt is dissolved and reducing metal ions in the impregnated solution or metal ions in the metal salt.
It is preferable from the viewpoint of durability that these metal ions are bonded in the maximum amount that can be imparted (adsorbed) to the hydrophilic group on the hydrophilic surface.

金属イオンを親水性基に付与する方法としては、金属イオン又は金属塩を溶解又は分散させた液を支持体表面に塗布する方法、及び、これらの溶液又は分散液中に支持体表面を浸漬する方法などが挙げられる。塗布、浸漬のいずれの場合にも、過剰量の金属イオンを供給し、親水性基との間に充分なイオン結合による導入がなされるために、溶液又は分散液と支持体表面との接触時間は、10秒から24時間程度であることが好ましく、1分から180分程度であることが更に好ましい。   As a method for imparting a metal ion to a hydrophilic group, a method in which a solution in which a metal ion or a metal salt is dissolved or dispersed is applied to the support surface, and the support surface is immersed in these solutions or dispersions. The method etc. are mentioned. In both cases of coating and dipping, an excessive amount of metal ions is supplied and introduced by sufficient ionic bonding between the hydrophilic group and the contact time between the solution or dispersion and the support surface. Is preferably about 10 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 180 minutes.

前記金属イオンは1種のみならず、必要に応じて複数種を併用することができる。また、所望の導電性を得るため、予め複数の材料を混合して用いることもできる。
本発明で形成される導電膜は、SEM、AFMによる表面観察、断面観察より、表面グラフト膜中にぎっしりと金属微粒子が分散していることが確認される。また、作製される金属微粒子の大きさとしては、粒径1μm〜1nm程度である。
The metal ion is not limited to one type, and a plurality of types can be used in combination as required. In order to obtain desired conductivity, a plurality of materials can be mixed and used in advance.
In the conductive film formed according to the present invention, it is confirmed from the surface observation and cross-sectional observation by SEM and AFM that the metal fine particles are firmly dispersed in the surface graft film. The size of the metal fine particles to be produced is about 1 μm to 1 nm in particle size.

上記手法で作製される導電膜が、金属微粒子が密に吸着し、外見上金属薄膜を形成しているような場合には、そのまま用いてもよいが、効率のよい導電性の確保という観点からは、形成されたパターンをさらに加熱処理することが好ましい。
加熱処理工程における加熱温度としては、100℃以上が好ましく、更には150℃以上が好ましく、特に好ましくは200℃程度である。加熱温度は、処理効率や支持体ガラス基板の寸法安定性などを考慮すれば400℃以下であることが好ましい。また、加熱時間に関しては、10分以上が好ましく、更には30分〜60分間程度が好ましい。加熱処理による作用機構は明確ではないが、一部の近接する金属微粒子同士が互いに融着することで導電性が向上するものと考えている。
The conductive film produced by the above method may be used as it is when the metal fine particles are densely adsorbed and apparently form a metal thin film, but from the viewpoint of ensuring efficient conductivity. It is preferable to further heat-treat the formed pattern.
The heating temperature in the heat treatment step is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher, and particularly preferably about 200 ° C. The heating temperature is preferably 400 ° C. or lower in consideration of the processing efficiency and the dimensional stability of the support glass substrate. In addition, the heating time is preferably 10 minutes or more, and more preferably about 30 minutes to 60 minutes. Although the mechanism of action by the heat treatment is not clear, it is thought that the conductivity is improved when some adjacent metal fine particles are fused to each other.

次に、本発明に係る導電性物質付与工程の(3)の態様における「無電解メッキ触媒等付与工程」及び「無電解メッキ工程」について、説明する。   Next, the “electroless plating catalyst application process” and the “electroless plating process” in the aspect (3) of the conductive material application process according to the present invention will be described.

<無電解メッキ触媒等付与工程>
本工程においては、上記表面グラフト工程で生成したグラフトポリマーに、無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する。
〔無電解メッキ触媒〕
本工程において用いられる無電解メッキ触媒とは、主に0価金属であり、Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Coなどが挙げられる。本発明においては、特に、Pd、Agがその取り扱い性の良さ、触媒能の高さから好ましい。0価金属を相互作用性領域に固定する手法としては、例えば、相互作用性領域中の上の相互作用性基と相互作用するように荷電を調節した金属コロイドを、相互作用性領域に適用する手法が用いられる。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤又は保護剤により調節することができ、このように荷電を調節した金属コロイドを、ググラフトポリマーが有する相互作用性基(極性基)と相互作用させることで、グラフトポリマーに金属コロイド(無電解メッキ触媒)を付着させることができる。
<Application process for electroless plating catalyst>
In this step, an electroless plating catalyst or a precursor thereof is applied to the graft polymer generated in the surface grafting step.
[Electroless plating catalyst]
The electroless plating catalyst used in this step is mainly a zero-valent metal, and examples thereof include Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, and Co. In the present invention, Pd and Ag are particularly preferable because of their good handleability and high catalytic ability. As a method for fixing the zero-valent metal to the interactive region, for example, a metal colloid whose charge is adjusted so as to interact with an interactive group on the interactive region is applied to the interactive region. A technique is used. In general, a metal colloid can be prepared by reducing metal ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent. The charge of the metal colloid can be adjusted by the surfactant or the protective agent used here, and the metal colloid having the charge adjusted in this way can interact with the interactive group (polar group) of the graft polymer. By making it act, a metal colloid (electroless plating catalyst) can be made to adhere to a graft polymer.

〔無電解メッキ触媒前駆体〕
本工程において用いられる無電解メッキ触媒前駆体とは、化学反応により無電解メッキ触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には上記無電解メッキ触媒で用いた0価金属の金属イオンが用いられる。無電解メッキ触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解メッキ触媒である0価金属になる。無電解メッキ触媒前駆体である金属イオンは、前記(b)工程において基板へ付与した後、無電解メッキ浴への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解メッキ触媒としてもよいし、無電解メッキ触媒前駆体のまま無電解メッキ浴に浸漬し、無電解メッキ浴中の還元剤により金属(無電解メッキ触媒)に変化させてもよい。
[Electroless plating catalyst precursor]
The electroless plating catalyst precursor used in this step can be used without particular limitation as long as it can become an electroless plating catalyst by a chemical reaction. Mainly, metal ions of zero-valent metal used in the electroless plating catalyst are used. The metal ion that is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal that is an electroless plating catalyst by a reduction reaction. The metal ion that is the electroless plating catalyst precursor is applied to the substrate in the step (b), and before being immersed in the electroless plating bath, the metal ion is separately changed to a zero-valent metal by a reduction reaction as an electroless plating catalyst. Alternatively, the electroless plating catalyst precursor may be immersed in an electroless plating bath and changed to a metal (electroless plating catalyst) by a reducing agent in the electroless plating bath.

実際には、無電解メッキ触媒前駆体である金属イオンは、金属塩の状態でグラフトポリマーに付与する。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基(陰イオン)とに解離されるものであれば特に制限はなく、M(NO3n、MCln、M2/n(SO4)、M3/n(PO4)(Mは、n価の金属原子を表す)などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Agイオン、Cuイオン、Alイオン、Niイオン、Coイオン、Feイオン、Pdイオンが挙げられ、Agイオン、Pdイオンが触媒能の点で好ましい。 In practice, the metal ion that is the electroless plating catalyst precursor is imparted to the graft polymer in the form of a metal salt. The metal salt used is not particularly limited as long as it is dissolved in a suitable solvent and dissociated into a metal ion and a base (anion), and M (NO 3 ) n , MCl n , M 2 / n (SO 4 ), M 3 / n (PO 4 ) (M represents an n-valent metal atom), and the like. As a metal ion, the thing which said metal salt dissociated can be used suitably. Specific examples include, for example, Ag ions, Cu ions, Al ions, Ni ions, Co ions, Fe ions, and Pd ions, and Ag ions and Pd ions are preferable in terms of catalytic ability.

無電解メッキ触媒である金属コロイド、或いは、無電解メッキ前駆体である金属塩をグラフトポリマーに付与する方法としては、金属コロイドを適当な分散媒に分散、或いは、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その溶液をグラフトポリマーが存在するガラス基板表面に塗布するか、或いは、その溶液中にグラフトポリマーを有するガラス基板を浸漬すればよい。金属イオンを含有する溶液を接触させることで、グラフトポリマーが有する相互作用性基に、イオン−イオン相互作用、又は、双極子−イオン相互作用を利用して金属イオンを付着させること、或いは、相互作用性領域に金属イオンを含浸させることができる。このような付着又は含浸を充分に行なわせるという観点からは、接触させる溶液中の金属イオン濃度、或いは金属塩濃度は0.01〜50質量%の範囲であることが好ましく、0.1〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、1分〜24時間程度であることが好ましく、5分〜1時間程度であることがより好ましい。   As a method of applying a metal colloid as an electroless plating catalyst or a metal salt as an electroless plating precursor to a graft polymer, the metal colloid is dispersed in an appropriate dispersion medium, or the metal salt is dissolved in an appropriate solvent. Then, a solution containing the dissociated metal ions is prepared, and the solution is applied to the surface of the glass substrate on which the graft polymer is present, or the glass substrate having the graft polymer is immersed in the solution. By contacting a solution containing a metal ion, a metal ion is attached to an interactive group of the graft polymer by using an ion-ion interaction or a dipole-ion interaction. The active region can be impregnated with metal ions. From the viewpoint of sufficiently performing such adhesion or impregnation, the metal ion concentration or the metal salt concentration in the solution to be contacted is preferably in the range of 0.01 to 50% by mass, preferably 0.1 to 30%. More preferably, it is in the range of mass%. Further, the contact time is preferably about 1 minute to 24 hours, more preferably about 5 minutes to 1 hour.

<無電解メッキ工程>
本工程では、無電解メッキ触媒等付与工程より、無電解メッキ触媒等が付与されたガラス基板に対して、無電解メッキを行うことで、導電性膜(金属膜)が形成される。即ち、本工程における無電解メッキを行うことで、前記工程により得られたグラフトポリマーに高密度の導電性膜(金属膜)が形成される。形成された導電性膜(金属膜)は、優れた導電性、密着性を有する。
<Electroless plating process>
In this step, a conductive film (metal film) is formed by performing electroless plating on the glass substrate to which the electroless plating catalyst or the like has been applied from the electroless plating catalyst or the like application step. That is, by performing electroless plating in this step, a high-density conductive film (metal film) is formed on the graft polymer obtained in the above step. The formed conductive film (metal film) has excellent conductivity and adhesion.

〔無電解メッキ〕
無電解メッキとは、メッキとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解メッキは、例えば、前記無電解メッキ触媒等付与工程で得られた、無電解メッキ触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解メッキ触媒(金属)を除去した後、無電解メッキ浴に浸漬して行なう。使用される無電解メッキ浴としては一般的に知られている無電解メッキ浴を使用することができる。
また、無電解メッキ触媒前駆体が付与された基板を、無電解メッキ触媒前駆体がグラフトポリマーに付着又は含浸した状態で無電解メッキ浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体(金属塩など)を除去した後、無電解メッキ浴中へ浸漬される。この場合には、無電解メッキ浴中において、前駆体の還元とこれに引き続き無電解メッキが行われる。ここ使用される無電解メッキ浴としても、上記同様、一般的に知られている無電解メッキ浴を使用することができる。
[Electroless plating]
Electroless plating refers to an operation of depositing a metal by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved.
The electroless plating in this step is, for example, after removing the excess electroless plating catalyst (metal) by washing the substrate provided with the electroless plating catalyst obtained in the electroless plating catalyst application step, etc. It is performed by immersing in an electroless plating bath. As the electroless plating bath to be used, a generally known electroless plating bath can be used.
Further, when the substrate to which the electroless plating catalyst precursor is applied is immersed in an electroless plating bath in a state where the electroless plating catalyst precursor is attached to or impregnated with the graft polymer, the substrate is washed with water to remove an excess precursor. After removing the body (metal salt, etc.), it is immersed in an electroless plating bath. In this case, reduction of the precursor and subsequent electroless plating are performed in the electroless plating bath. As the electroless plating bath used here, a generally known electroless plating bath can be used as described above.

一般的な無電解メッキ浴の組成としては、1.メッキ用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤(安定剤)が主に含まれている。このメッキ浴には、これらに加えて、メッキ浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。
無電解メッキ浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。
また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物がある。
例えば、銅の無電解メッキの浴は、銅塩としては、銅イオンを提供しうるものであれば特に限定されず使用することができる。例えば、硫酸銅(CuSO4)、塩化銅(CuCl2)、硝酸銅(Cu(NO32)、水酸化銅(Cu(OH)2)、酸化銅(CuO)、塩化第1銅(CuCl)等がある。浴中に存在する銅イオンの量は一般に0.005M〜0.1M、好ましくは0.01M〜0.07Mである。還元剤としては、銅イオンを金属銅に還元できるものならば、特に限定されないが、ホルムアルデヒド及びその誘導体、並びにパラホルムアルデヒドのような重合体、あるいはその誘導体や前駆体が好適である。還元剤の量は、ホルムアルデヒドに換算して0.05M以上、好ましくは0.05M〜0.3Mの範囲内である。
The composition of a general electroless plating bath is as follows: 1. metal ions for plating, 2. reducing agent; Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions are mainly included. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.
As the types of metals used in the electroless plating bath, copper, tin, lead, nickel, gold, palladium, and rhodium are known, and among these, copper and gold are particularly preferable from the viewpoint of conductivity.
In addition, there are optimum reducing agents and additives according to the above metals.
For example, a copper electroless plating bath is not particularly limited as long as it can provide copper ions as a copper salt. For example, copper sulfate (CuSO 4 ), copper chloride (CuCl 2 ), copper nitrate (Cu (NO 3 ) 2 ), copper hydroxide (Cu (OH) 2 ), copper oxide (CuO), cuprous chloride (CuCl) ) Etc. The amount of copper ions present in the bath is generally from 0.005M to 0.1M, preferably from 0.01M to 0.07M. The reducing agent is not particularly limited as long as it can reduce copper ions to metallic copper, but a polymer such as formaldehyde and derivatives thereof and paraformaldehyde, or derivatives and precursors thereof are preferable. The amount of the reducing agent is 0.05M or more, preferably 0.05M to 0.3M in terms of formaldehyde.

pH調整剤は、pHを変化させうるものなら特に限定されず使用することができ、目的に応じて、pHを上昇させる化合物、下降させる化合物を適宜選択して用いる。pH調整剤としては、具体的には、例えば、NaOH、KOH、HCl、H2SO4、HF等が挙げられる。
無電解メッキ浴のpHは一般に12.0〜13.4(25℃)、望ましくは12.4〜13.0(25℃)の範囲内である。添加剤として、銅イオンの安定剤であるEDTA、ロッシェル塩、トリアルカノールアミンなどが含まれているが、ガラス基板とメッキ膜の密着性の点からトリアルカノールアミンが好ましい。これら安定剤の添加量は、銅イオンの1.2倍〜30倍、好ましくは1.5倍〜20倍である。また、浴中に存在する安定剤の絶対量は、0.006〜2.4M、特に0.012〜1.6Mの範囲内であることが望ましい。
The pH adjuster is not particularly limited as long as it can change the pH, and a compound that raises the pH and a compound that lowers the pH are appropriately selected and used according to the purpose. Specific examples of the pH adjuster include NaOH, KOH, HCl, H 2 SO 4 , and HF.
The pH of the electroless plating bath is generally in the range of 12.0 to 13.4 (25 ° C.), preferably 12.4 to 13.0 (25 ° C.). Additives include EDTA, a Rochelle salt, trialkanolamine, and the like, which are copper ion stabilizers, and trialkanolamine is preferred from the viewpoint of adhesion between the glass substrate and the plating film. The addition amount of these stabilizers is 1.2 to 30 times, preferably 1.5 to 20 times that of copper ions. Also, the absolute amount of stabilizer present in the bath is preferably in the range of 0.006 to 2.4M, particularly 0.012 to 1.6M.

安定化剤として用いられるトリアルカノールアミンとしては、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、トリプロパノールアミン等が挙げられるが、ガラス基板とメッキ膜の密着性の点からトリエタノールアミンが特に好ましい。
また、浴の安定化やめっき皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポチエチレングリコール、フェロシアン化カリウム、ビピリジン等が挙げられる。浴中に存在するこれら添加剤の濃度は0.001〜1M、特に0.01〜0.3Mの範囲内であることが好ましい。
Examples of the trialkanolamine used as a stabilizer include trimethanolamine, triethanolamine, triisopropanolamine, and tripropanolamine. Triethanolamine is particularly preferable from the viewpoint of adhesion between the glass substrate and the plating film. .
Examples of additives for stabilizing the bath and improving the smoothness of the plating film include polyethylene glycol, potassium ferrocyanide, and bipyridine. The concentration of these additives present in the bath is preferably in the range of 0.001 to 1M, especially 0.01 to 0.3M.

CoNiPの無電解メッキに使用されるメッキ浴には、その金属塩として硫酸コバルト、硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウムが含まれている。また、パラジウムの無電解メッキ浴は、金属イオンとして(Pd(NH34)Cl2、還元剤としてNH3、H2NNH2、安定化剤としてEDTAが含まれている。これらのメッキ浴には、上記成分以外の成分が入っていてもよい。 The plating bath used for electroless plating of CoNiP contains cobalt sulfate and nickel sulfate as its metal salt, sodium hypophosphite as the reducing agent, sodium malonate, sodium malate and sodium succinate as the complexing agent. It is. Further, the electroless plating bath of palladium contains (Pd (NH 3 ) 4 ) Cl 2 as metal ions, NH 3 and H 2 NNH 2 as reducing agents, and EDTA as a stabilizer. These plating baths may contain components other than the above components.

このようにして形成される導電性膜(金属膜)の膜厚は、メッキ浴の金属塩又は金属イオン濃度、メッキ浴への浸漬時間、或いは、メッキ浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、0.5μm以上であることが好ましく、3μm以上であることがより好ましい。また、メッキ浴への浸漬時間としては、1分〜3時間程度であることが好ましく、1分〜1時間程度であることがより好ましい。   The film thickness of the conductive film (metal film) thus formed can be controlled by the concentration of the metal salt or metal ion in the plating bath, the immersion time in the plating bath, the temperature of the plating bath, or the like. From the viewpoint of conductivity, it is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 3 μm or more. Further, the immersion time in the plating bath is preferably about 1 minute to 3 hours, and more preferably about 1 minute to 1 hour.

以上のようにして得られる導電性膜(金属膜)は、SEMによる断面観察により、表面グラフト膜中に無電解メッキ触媒やメッキ金属の微粒子がぎっしりと分散しており、更にその上に比較的大きな粒子が析出していることが確認された。界面はグラフトポリマーと微粒子とのハイブリッド状態であるため、基板(有機成分)と無機物(無電解メッキ触媒又はメッキ金属)との界面の凹凸差が100nm以下であっても密着性が良好であった。   The conductive film (metal film) obtained as described above has finely dispersed fine particles of electroless plating catalyst and plating metal in the surface graft film by cross-sectional observation by SEM, and further, a relatively large amount of It was confirmed that large particles were precipitated. Since the interface is a hybrid state of the graft polymer and fine particles, the adhesion was good even if the unevenness difference of the interface between the substrate (organic component) and the inorganic substance (electroless plating catalyst or plating metal) was 100 nm or less. .

<電気メッキ工程>
本発明に係る導電性物質付与工程の(3)の態様においては、前記無電解メッキ工程を行った後、電気メッキを行う工程(電気メッキ工程)を有してもよい。
本工程は、前記無電解メッキ工程における無電解メッキの後、前記工程により形成された金属膜(導電性膜)を電極とし、さらに電気メッキを行う工程である。これによりガラス基板との密着性に優れた(無電解メッキにより形成された)金属膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属膜を容易に形成することができる。この工程を付加することにより、金属膜を目的に応じた厚みに形成することができ、本態様により得られた導電性材料を種々の応用に適用するのに好適である。
本工程における電気メッキの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、本工程の電気メッキに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
<Electroplating process>
In the aspect (3) of the electroconductive substance provision process which concerns on this invention, after performing the said electroless-plating process, you may have the process (electroplating process) of performing electroplating.
This step is a step of performing electroplating after the electroless plating in the electroless plating step, using the metal film (conductive film) formed in the step as an electrode. As a result, a metal film having an arbitrary thickness can be easily formed on a metal film having excellent adhesion to the glass substrate (formed by electroless plating) as a base. By adding this step, the metal film can be formed with a thickness according to the purpose, and the conductive material obtained according to this embodiment is suitable for application to various applications.
As a method of electroplating in this step, a conventionally known method can be used. In addition, as a metal used for the electroplating of this process, copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, zinc, etc. are mentioned. From the viewpoint of conductivity, copper, gold, and silver are preferable. More preferred.

電気メッキにより得られる金属膜の膜厚については、用途に応じて異なるものであり、メッキ浴中に含まれる金属濃度、浸漬時間、或いは、電流密度などを調整することでコントロールすることができる。なお、一般的な電気配線などに用いる場合の膜厚は、導電性の観点から、0.3μm以上であることが好ましく、3μm以上であることがより好ましい。   The film thickness of the metal film obtained by electroplating differs depending on the application, and can be controlled by adjusting the concentration of metal contained in the plating bath, the dipping time, or the current density. Note that the film thickness when used for general electrical wiring is preferably 0.3 μm or more, and more preferably 3 μm or more, from the viewpoint of conductivity.

また、本発明における電気メッキ工程は、上述したように、パターン状の金属膜を目的に応じた厚みに形成するため以外にも、例えば、電気メッキすることで、IC等の実装に応用しうるようにするなどの目的のために、行うこともできる。この目的で行われるメッキは、銅等で形成される導電性膜や金属パターン表面に対して、ニッケル、パラジウム、金、銀、すず、ハンダ、ロジウム、白金、及びそれらの化合物からなる群から選ばれる材料を用いて行うことができる。   In addition, as described above, the electroplating process in the present invention can be applied to mounting of an IC or the like, for example, by performing electroplating in addition to forming a patterned metal film with a thickness according to the purpose. It can also be done for purposes such as The plating performed for this purpose is selected from the group consisting of nickel, palladium, gold, silver, tin, solder, rhodium, platinum, and compounds thereof on the conductive film or metal pattern surface formed of copper or the like. It can be performed using the material to be used.

次に、本発明に係る導電性物質付与工程の(4)の態様における「導電性モノマー付与工程」及び「導電性ポリマー層形成工程」について説明する。
導電性材料付着工程における(4)の態様は、以下に説明する導電性モノマーを、上記グラフトポリマーが有する相互作用性基、特に好ましくはイオン性基に対し、イオン的に吸着させた後、そのまま重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する方法である。この方法により、導電性ポリマーからなる導電層が形成される。
ここで、導電性ポリマーからなる導電層は、グラフトポリマーの相互作用性基とイオン的に吸着した導電性モノマーを重合させてなるため、基板との密着性や耐久性に優れると共に、モノマーの供給速度などの重合反応条件を調整することで、膜厚や導電性の制御を行うことができるという利点を有する。
Next, the “conductive monomer applying step” and the “conductive polymer layer forming step” in the aspect (4) of the conductive material applying step according to the present invention will be described.
In the conductive material attaching step (4), the conductive monomer described below is ionically adsorbed to the interactive group of the graft polymer, particularly preferably to the ionic group, and is then used as it is. In this method, a polymerization reaction is caused to form a conductive polymer layer. By this method, a conductive layer made of a conductive polymer is formed.
Here, the conductive layer made of a conductive polymer is formed by polymerizing an interactive group of the graft polymer and an ionically adsorbed conductive monomer, so that it has excellent adhesion to the substrate and durability, and supply of the monomer. By adjusting the polymerization reaction conditions such as the speed, there is an advantage that the film thickness and conductivity can be controlled.

このような導電性ポリマー層を形成する方法には特に制限はないが、均一な薄膜を形成し得るという観点からは、以下に述べるような方法を用いることがで好ましい。
まず、グラフトポリマーが生成された基板を、過硫酸カリウムや、硫酸鉄(III)などの重合触媒や重合開始能を有する化合物を含有する溶液に浸漬し、この液を撹拌しながら導電性ポリマーを形成し得るモノマー、例えば、3,4−エチレンジオキシチオフェンなどを徐々に滴下する。このようにすると、該重合触媒や重合開始能を付与されたグラフトポリマー中の相互作用性基(イオン性基)と導電性ポリマーを形成し得るモノマーとが相互作用により強固に吸着すると共に、モノマー同士の重合反応が進行し、ガラス基板上のグラフトポリマー上に導電性ポリマーの極めて薄い膜が形成される。これにより、均一で、かつ、薄い導電性ポリマー層が得られる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the method of forming such a conductive polymer layer, From the viewpoint that a uniform thin film can be formed, it is preferable to use the method as described below.
First, the substrate on which the graft polymer is generated is immersed in a solution containing a polymerization catalyst such as potassium persulfate or iron (III) sulfate or a compound having a polymerization initiating ability, and the conductive polymer is stirred while stirring this solution. A monomer that can be formed, such as 3,4-ethylenedioxythiophene, is gradually added dropwise. In this way, the interaction group (ionic group) in the polymerization polymer and the graft polymer imparted with the polymerization initiating ability and the monomer capable of forming the conductive polymer are firmly adsorbed by the interaction, and the monomer The polymerization reaction between them proceeds, and an extremely thin film of conductive polymer is formed on the graft polymer on the glass substrate. Thereby, a uniform and thin conductive polymer layer is obtained.

この方法に適用し得る導電性ポリマーとしては、10-6s・cm-1以上、好ましくは、10-1s・cm-1以上の導電性を有する高分子化合物であれば、いずれのものも使用することができるが、具体的には、例えば、置換及び非置換の導電性ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアセチレン、ポリピリジルビニレン、ポリアジン等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、また、目的に応じて2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、所望の導電性を達成できる範囲であれば、導電性を有しない他のポリマーとの混合物として用いることもできるし、これらのモノマーと導電性を有しない他のモノマーとのコポリマーなども用いることができる。 As a conductive polymer applicable to this method, any polymer compound having conductivity of 10 −6 s · cm −1 or more, preferably 10 −1 s · cm −1 or more is usable. Specifically, for example, substituted and unsubstituted conductive polyaniline, polyparaphenylene, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, polyisothianaphthene, polyphenylene sulfide, Examples include polyacetylene, polypyridyl vinylene, and polyazine. These may use only 1 type and may use it in combination of 2 or more type according to the objective. Moreover, as long as desired conductivity can be achieved, it can be used as a mixture with other polymers having no conductivity, or a copolymer of these monomers and other monomers without conductivity can be used. be able to.

本発明においては、導電性モノマー自体がグラフトポリマーの相互作用性基と静電気的に、或いは、極性的に相互作用を形成することで強固に吸着するため、それらが重合して形成された導電性ポリマー層は、グラフトポリマーとの間に強固な相互作用を形成しているため、薄膜であっても、擦りや引っ掻きに対しても充分な強度を有するものとなる。
更に、導電性ポリマーとグラフトポリマーの相互作用性基とが、陽イオンと陰イオンの関係で吸着するような素材を選択することで、相互作用性基が導電性ポリマーのカウンターアニオンとして吸着することになり、一種のドープ剤として機能するため、導電性ポリマー層(導電性発現層)の導電性を一層向上させることができるという効果を得ることもできる。具体的には、例えば、相互作用性基を有する重合性化合物としてスチレンスルホン酸を、導電性ポリマーの素材としてチオフェンを、それぞれ選択すると、両者の相互作用により、グラフトポリマーと導電性ポリマー層との界面にはカウンターアニオンとしてスルホン酸基(スルホ基)を有するポリチオフェンが存在し、これが導電性ポリマーのドープ剤として機能することになる。
In the present invention, the conductive monomer itself is strongly adsorbed by forming an interaction with the graft polymer interacting group electrostatically or polarly. Since the polymer layer forms a strong interaction with the graft polymer, even if it is a thin film, it has sufficient strength against rubbing and scratching.
Furthermore, by selecting a material that allows the conductive polymer and the interactive group of the graft polymer to adsorb in the relationship between a cation and an anion, the interactive group can be adsorbed as a counter anion of the conductive polymer. Therefore, since it functions as a kind of dopant, it is possible to obtain the effect that the conductivity of the conductive polymer layer (conductive expression layer) can be further improved. Specifically, for example, when styrene sulfonic acid is selected as the polymerizable compound having an interactive group, and thiophene is selected as the material of the conductive polymer, the interaction between the graft polymer and the conductive polymer layer results in the interaction between the two. Polythiophene having a sulfonic acid group (sulfo group) exists as a counter anion at the interface, and this functions as a conductive polymer dopant.

グラフトポリマー表面に形成された導電性ポリマー層の膜厚には特に制限はないが、0.01μm〜10μmの範囲であることが好ましく、0.1μm〜5μmの範囲であることがより好ましい。導電性ポリマー層の膜厚がこの範囲内であれば、充分な導電性と透明性とを達成することができる。0.01μm以下であると導電性が不充分となる懸念があるため好ましくない。   Although there is no restriction | limiting in particular in the film thickness of the conductive polymer layer formed in the graft polymer surface, It is preferable that it is the range of 0.01 micrometer-10 micrometers, and it is more preferable that it is the range of 0.1 micrometer-5 micrometers. If the film thickness of the conductive polymer layer is within this range, sufficient conductivity and transparency can be achieved. If the thickness is 0.01 μm or less, there is a concern that the conductivity may be insufficient.

このようにして得られた本発明の導電性ガラス基板は、ガラス基板上に密着性と導電性に優れた導電膜が形成され、その応用範囲は広い。また、先に述べたように、優れた特性を有する導電性ガラス基板を容易に製造することができる。   In the conductive glass substrate of the present invention thus obtained, a conductive film having excellent adhesion and conductivity is formed on the glass substrate, and its application range is wide. In addition, as described above, a conductive glass substrate having excellent characteristics can be easily manufactured.

〔導電性パターン形成方法〕
次に導電性パターン形成方法について説明する。
本発明の導電性パターン形成方法には、導電性材料を付与するグラフトポリマーをパターン状に生成させ、それに応じたパターン状の金属膜を形成する第1の態様と、該グラフトポリマーを基板表面全域にわたって生成させ、金属膜を全面には形成した後、エッチング工程を実施してパターン状の金属膜を形成する第2の態様がある。
まず、本発明の導電性パターン形成方法における第1の態様について説明する。
第1の態様では、まず、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位(Y)と基材結合部位(Q)とを有する化合物をガラス基板に結合させ、該ガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、パターン露光を行う。このパターン露光により、露光領域においては、化合物(Q−Y)の重合開始部位(Y)を起点としてグラフトポリマーが生成され(グラフトポリマー生成領域)、その一方、未露光領域においては、グラフトポリマーは生成しない(グラフトポリマー非生成領域)。
本工程にけるパターン露光の方法には、特に制限はなく、例えば、所定のマスクパターンを介して全面露光を実施する方法や、デジタルデータに基づくレーザ走査露光を用いて所望の領域のみを露光する方法をとることができる。このパターン露光により、ガラス基板上に容易に高解像度のグラフトポリマー生成領域を得ることができる。
[Conductive pattern forming method]
Next, the conductive pattern forming method will be described.
The conductive pattern forming method of the present invention includes a first aspect in which a graft polymer imparting a conductive material is formed in a pattern and a patterned metal film is formed accordingly, and the graft polymer is applied to the entire surface of the substrate. There is a second mode in which after a metal film is formed over the entire surface and a metal film is formed on the entire surface, an etching process is performed to form a patterned metal film.
First, the 1st aspect in the conductive pattern formation method of this invention is demonstrated.
In the first aspect, first, a compound having a polymerization initiation site (Y) capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a base material binding site (Q) is bonded to a glass substrate, and radical polymerization is performed on the glass substrate. A pattern exposure is performed by contacting a possible unsaturated compound. By this pattern exposure, in the exposed region, a graft polymer is generated starting from the polymerization initiation site (Y) of the compound (QY) (graft polymer generating region), while in the unexposed region, the graft polymer is Not formed (non-grafted polymer region).
The pattern exposure method in this step is not particularly limited. For example, only a desired region is exposed using a method of performing full-surface exposure through a predetermined mask pattern or laser scanning exposure based on digital data. Can take the way. By this pattern exposure, a high-resolution graft polymer production region can be easily obtained on the glass substrate.

グラフトポリマー生成工程において用いうる露光方法には特に制限はなく、前記重合開始部位(Y)において開裂を生じさせるエネルギーを付与できる露光であれば、紫外線でも、可視光でもよい。更に、露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、特定の波長の光源を用いてもよい。
上記光源としては、例えば、陰極線(CRT)を用いた走査露光を挙げることができる。画像露光に用いる陰極線管には、必要に応じてスペクトル領域に発光を示す各種発光体が用いられる。例えば、赤色発光体、緑色発光体、青色発光体のいずれか1種または2種以上が混合されて用いられる。スペクトル領域は、上記の赤色、緑色及び青色に限定されず、黄色、橙色、紫色或いは赤外領域に発光する蛍光体も用いられる。また、紫外線ランプも好ましく、水銀ランプのi線等も利用される。
There are no particular limitations on the exposure method that can be used in the graft polymer production step, and ultraviolet light or visible light may be used as long as it can provide energy that causes cleavage at the polymerization initiation site (Y). Further, a light source having a wavelength distribution may be used for exposure, or a light source having a specific wavelength may be used.
Examples of the light source include scanning exposure using a cathode ray (CRT). As the cathode ray tube used for image exposure, various light emitters that emit light in the spectral region are used as necessary. For example, one or more of a red light emitter, a green light emitter, and a blue light emitter are mixed and used. The spectral region is not limited to the above red, green, and blue, and phosphors that emit light in the yellow, orange, purple, or infrared region are also used. An ultraviolet lamp is also preferable, and i-line of a mercury lamp is also used.

また、本工程においては、パターン露光は種々のレーザビームを用いて行うことができる。例えば、パターン露光としては、ガスレーザ、発光ダイオード、半導体レーザなどのレーザ、半導体レーザ又は半導体レーザを励起光源に用いた固体レーザと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発光光源(SHG)、等の単色高密度光を用いた走査露光方式を好ましく用いることができる。さらに、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2レーザ等も用いることができる。
さらに、高解像度のパターン露光を行う場合には、i線ステッパー、KrFステッパー、ArFステッパーのようなステッパー露光なども用いることができる。
In this step, pattern exposure can be performed using various laser beams. For example, as pattern exposure, a laser such as a gas laser, a light emitting diode, or a semiconductor laser, a second harmonic emission light source (SHG) that combines a solid state laser using a semiconductor laser or a semiconductor laser as an excitation light source and a nonlinear optical crystal, etc. A scanning exposure method using monochromatic high-density light can be preferably used. Further, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, an F2 laser, or the like can also be used.
Furthermore, when performing high-resolution pattern exposure, stepper exposure such as an i-line stepper, KrF stepper, and ArF stepper can be used.

パターン露光は、フォトマスクなどのマスクパターンを利用した全面露光を行なう方法をとってもよく、さらに、前記の如きレーザビームによる走査露光で行ってもよい。この際の光照射方式は任意であり、例えば、レンズを用いた屈折式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタクト露光、プロキシミティー露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。   The pattern exposure may be performed by a method of performing overall exposure using a mask pattern such as a photomask, or may be performed by scanning exposure using a laser beam as described above. The light irradiation method at this time is arbitrary. For example, a refraction exposure using a lens or a reflection exposure using a reflecting mirror may be used, and an exposure method such as contact exposure, proximity exposure, reduction projection exposure, reflection projection exposure, etc. Can be used.

このように、基材表面にグラフトポリマーの生成領域と非生成領域とからなるパターンが形成された基材は、露光後、溶剤浸漬などの処理を行って、残存するホモポリマーを除去し、精製する。具体的には、水やアセトンによる洗浄、乾燥、などが挙げられる。ホモポリマーの除去性の観点からは、超音波などの手段を採ることが好ましい。
精製後の基材は、その表面に残存するホモポリマーが完全に除去され、基材と強固に結合したパターン状のグラフトポリマーのみが存在することになる。
上記工程で得られたグラフトポリマー生成領域と非生成領域とからなるグラフトポリマーパターンは、露光の解像度に応じた微細なパターンとなる。
In this way, the substrate on which the pattern composed of the graft polymer generation region and the non-generation region is formed on the substrate surface is subjected to a treatment such as solvent immersion after the exposure to remove the remaining homopolymer and purified. To do. Specifically, washing with water or acetone, drying, and the like can be given. From the viewpoint of homopolymer removability, it is preferable to adopt means such as ultrasonic waves.
The purified base material has the homopolymer remaining on the surface completely removed, and only the patterned graft polymer firmly bonded to the base material is present.
The graft polymer pattern composed of the graft polymer generation region and the non-generation region obtained in the above process becomes a fine pattern according to the exposure resolution.

次いで、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付与して導電膜を形成させる。導電性材料の付与は前述した通り、(1)導電性微粒子の付着する方法、(2)金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる方法、(3)無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う方法、及び、(4)導電性モノマーを付与し、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する方法、から選択されるいずれかの方法によりなされることが好ましい態様である。   Next, a conductive material is applied to the graft polymer generation region to form a conductive film. As described above, the conductive material is applied as follows: (1) a method of attaching conductive fine particles, (2) applying a metal ion or metal salt, and then reducing the metal ion or metal ion in the metal salt. A method of depositing a metal, (3) a method of applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof to perform electroless plating, and (4) a conductive polymer layer by applying a conductive monomer and causing a polymerization reaction. It is a preferable aspect that it is made by any method selected from the method of forming.

次に、本発明の導電性パターン形成方法の第2の態様について説明する。
本発明の導電性パターン形成方法の第2の態様は、前記本発明の導電性ガラス基板、即ち、ガラス基板上に全面にわたって形成された金属膜にエッチングを行って導電性パターンを形成する方法である。以下、該導電性パターン形成方法を工程順に説明する。
Next, the 2nd aspect of the conductive pattern formation method of this invention is demonstrated.
The second aspect of the conductive pattern forming method of the present invention is a method for forming a conductive pattern by etching the conductive glass substrate of the present invention, that is, a metal film formed over the entire surface of the glass substrate. is there. Hereinafter, the conductive pattern forming method will be described in the order of steps.

〔エッチング工程〕
ガラス基板上に形成された導電性膜(金属膜)にエッチング工程を施すことでガラス基板との密着性に優れた金属パターンを形成することができる。本発明により得られた導電性膜をエッチングして、金属パターンを形成する方法際のエッチング法としては、「サブトラクティブ法」及び「セミアディティブ法」が用いられる。
[Etching process]
By performing an etching process on the conductive film (metal film) formed on the glass substrate, a metal pattern having excellent adhesion to the glass substrate can be formed. “Subtractive method” and “semi-additive method” are used as an etching method in forming a metal pattern by etching the conductive film obtained by the present invention.

「サブトラクティブ法」
サブトラクティブ法とは、上記手法で作成した導電性膜上に、(1)レジスト層を塗布→(2)パターン露光、現像により残すべき導体のレジストパターン形成→(3)エッチングすることで不要な導電性膜を除去する→(4)レジスト層を剥離させ、金属パターンを形成する方法を指す。本態様に使用される導電性膜の膜厚としては5μm以上であることが好ましく、5〜30μmの範囲であることがより好ましい。
"Subtractive method"
The subtractive method is unnecessary by (1) applying a resist layer on the conductive film created by the above method → (2) forming a resist pattern of a conductor to be left by pattern exposure and development → (3) etching. Remove conductive film → (4) A method of peeling a resist layer and forming a metal pattern. The thickness of the conductive film used in this embodiment is preferably 5 μm or more, and more preferably in the range of 5 to 30 μm.

(1)レジスト層塗布工程
レジストについて
使用する感光性レジストとしては、光硬化型のネガレジスト、または、露光により溶解する光溶解型のポジレジストが使用できる。感光性レジストとしては、1.感光性ドライフィルムレジスト(DFR)、2.液状レジスト、3.ED(電着)レジストを使用することができる。これらはそれぞれ特徴があり、1.感光性ドライフィルムレジスト(DFR)は乾式で用いることができるので取り扱いが簡便、2.液状レジストはレジストとして薄い膜厚とすることができるので解像度の良いパターンを作ることができる。3.ED(電着)レジストはレジストとして薄い膜厚とすることができるので解像度の良いパターンを作ることができること、塗布面の凹凸への追従性が良く、密着性が優れている。使用するレジストは、これらの特徴を加味して適宜選択すればよい。
(1) Resist layer coating step resist As the photosensitive resist to be used, a photocurable negative resist or a photodissolvable positive resist that dissolves upon exposure can be used. As the photosensitive resist, 1. photosensitive dry film resist (DFR); 2. liquid resist; An ED (electrodeposition) resist can be used. Each of these has its own characteristics. 1. A photosensitive dry film resist (DFR) can be used in a dry manner, so that it is easy to handle. Since the liquid resist can have a thin film thickness as a resist, a pattern with good resolution can be formed. 3. Since an ED (electrodeposition) resist can have a thin film thickness as a resist, it can form a pattern with good resolution, has good follow-up to unevenness on the coated surface, and has excellent adhesion. The resist to be used may be appropriately selected in consideration of these characteristics.

塗布方法
1.感光性ドライフィルム
感光性ドライフィルムは、一般的にポリエステルフィルムとポリエチレンフィルムにはさまれたサンドイッチ構造をしており、ラミネータでポリエチレンフィルムを剥がしながら熱ロールで圧着する。
2.液状レジスト
塗布方法はスプレーコート、ロールコート、カーテンコート、ディップコートがある。両面同時に塗布するには、このうちロールコート、ディップコートが両面同時にコートが可能である、好ましい。
Application method 1. Photosensitive dry film The photosensitive dry film generally has a sandwich structure sandwiched between a polyester film and a polyethylene film, and is pressed with a hot roll while peeling the polyethylene film with a laminator.
2. Liquid resist coating methods include spray coating, roll coating, curtain coating, and dip coating. In order to apply both surfaces simultaneously, roll coating and dip coating are preferable because both surfaces can be coated simultaneously.

3.ED(電着)レジスト
EDレジストは感光性レジストを微細な粒子にして水に懸濁させコロイドとしたものであり、粒子が電荷を帯びているので、導体層に電圧を与えると電気泳動により、導体層上にレジストが析出し、導体上でコロイドは相互に結合し膜状になる、塗布することができる。
3. ED (Electrodeposition) Resist ED resist is a colloid obtained by suspending a photosensitive resist in fine particles and suspending in water. Since the particles are charged, when a voltage is applied to the conductor layer, A resist can be deposited on the conductor layer, and the colloid can be coated on the conductor to form a film.

(2)パターン露光工程
「露光」
レジスト膜を導電性膜上部に設けてなる基板をマスクフィルムまたは乾板と密着させて、使用しているレジストの感光領域の光で露光する。フィルムを用いる場合には真空の焼き枠で密着させ露光をする。露光源に関しては、パターン幅が100μm程度では点光源を用いることができる。パターン幅を100μm以下のものを形成する場合は平行光源を用いることが好ましい。
「現像」
光硬化型のネガレジストならば未露光部を、または、露光により溶解する光溶解型のポジレジストならば露光部を溶かすものならば何を使用しても良いが、主には有機溶剤、アルカリ性水溶液が使用され、近年は環境負荷低減からアルカリ性水溶液が使用されている。
(2) Pattern exposure process "Exposure"
A substrate in which a resist film is provided on the conductive film is brought into close contact with a mask film or a dry plate, and exposed to light in a photosensitive region of the resist used. In the case of using a film, the film is exposed with a vacuum printing frame. Regarding the exposure source, a point light source can be used when the pattern width is about 100 μm. When forming a pattern having a pattern width of 100 μm or less, it is preferable to use a parallel light source.
"developing"
Any photo-curing negative resist can be used as long as it can dissolve the unexposed area, or a photo-dissolving positive resist that dissolves upon exposure, so long as it can dissolve the exposed area. An aqueous solution is used. In recent years, an alkaline aqueous solution has been used in order to reduce environmental burden.

(3)エッチング工程
「エッチング」
エッチングはレジストのない露出した金属層を化学的に溶解することで、導体パターンを形成するための工程である。エッチング工程は主に水平コンベア装置で、エッチング液を上下よりスプレーして行う。エッチング液としては、酸化性の水溶液で金属層を酸化、溶解する。エッチング液として用いられるものは塩化第二鉄液、塩化第二銅液、アルカリエッチャントがある。レジストがアルカリにより剥離してしまう可能性があることから、主には、塩化第二鉄液、塩化第二銅液が使用される。
本発明の方法では、基板界面が凹凸化されていないため基板界面付近の導電性成分の除去性が良いことに加え、導電性膜をガラス基板上に導入しているグラフトポリマーが、高分子鎖の末端で基板と結合しており、非常に運動性の高い構造を有しているため、このエッチング工程において、エッチング液がグラフトポリマー層中に容易に拡散でき、ガラス基板と金属層との界面部における金属成分の除去性に優れるため、鮮鋭度に優れたパターン形成が可能となる。
(3) Etching process "Etching"
Etching is a process for forming a conductor pattern by chemically dissolving an exposed metal layer without a resist. The etching process is mainly performed by a horizontal conveyor device by spraying an etching solution from above and below. As the etchant, the metal layer is oxidized and dissolved with an oxidizing aqueous solution. Examples of etching solutions include ferric chloride solution, cupric chloride solution, and alkali etchant. Since the resist may be peeled off by alkali, a ferric chloride solution and a cupric chloride solution are mainly used.
In the method of the present invention, since the substrate interface is not uneven, the conductive polymer in the vicinity of the substrate interface has good removability, and the graft polymer in which the conductive film is introduced onto the glass substrate is a polymer chain. In this etching process, the etching solution can be easily diffused into the graft polymer layer and the interface between the glass substrate and the metal layer. Since the metal component is easily removed from the portion, it is possible to form a pattern with excellent sharpness.

(4)レジスト剥離工程
「剥離工程」
エッチングして金属(導電性)パターンが完成した後、不要となったエッチングレジストは不要になるので、これを剥離する工程が必要である。剥離は、剥離液をスプレーして行うことができる。剥離液はレジストの種類により異なるが、一般的にはレジストを膨潤させる溶剤、または、溶液をスプレーにより拭きつけ、レジストを膨潤させて剥離する。
(4) Resist peeling process “Peeling process”
After the metal (conductive) pattern is completed by etching, the etching resist that is no longer needed is no longer needed, and a process of peeling it off is necessary. Peeling can be performed by spraying a stripping solution. The stripping solution varies depending on the type of resist, but generally, a solvent or solution that swells the resist is wiped with a spray, and the resist is swollen and stripped.

「セミアディティブ法」
セミアディティブ法とは、グラフトポリマー上に形成した導電性膜上に、(1)レジスト層を塗布→(2)パターン露光、現像により除去すべき導体のレジストパターン形成→(3)メッキによりレジス路の非パターン部に導電性膜を形成する→(4)DFRを剥離させ→(5)エッチングすることで不要な導電性膜を除去する、金属パターン形成方法のことである。これらの工程は「サブトラクティブ法」と同様な手法を用いることができる。メッキ手法としては前記で説明した、無電解メッキ、電気メッキが使用することができる。また、使用される導電性膜の膜厚としては、エッチング工程を短時間で済ませるため、1〜3μmほどが好ましい。また、形成された金属パターンに対して、さらに、電解メッキ、無電解メッキを行ってもよい。
"Semi-additive method"
The semi-additive method is as follows: (1) Apply a resist layer on the conductive film formed on the graft polymer → (2) Form a resist pattern of the conductor to be removed by pattern exposure and development → (3) Resist path by plating The conductive pattern is formed on the non-patterned portion of the metal pattern → (4) The DFR is peeled off → (5) An unnecessary conductive film is removed by etching to form a metal pattern. In these steps, the same technique as the “subtractive method” can be used. As the plating method, electroless plating or electroplating described above can be used. In addition, the thickness of the conductive film used is preferably about 1 to 3 μm because the etching process can be completed in a short time. Moreover, you may perform electrolytic plating and electroless plating further with respect to the formed metal pattern.

本発明の導電性パターン形成方法により得られた導電性パターン材料は、ガラス基板表面に、簡易な工程により、高精細で、耐久性に優れた高密度な金属(微粒子)パターンを有するものである。このような、本発明の導電性パターン形成方法により得られた導電性パターン材料は、液晶表示素子、有機EL、表示素子などのふらっとディスプレイの電極材料やCOG(チップオングラス)などのプリント配線、高密度磁性ディスク、磁気ヘッド、磁気テープ、磁気シート、磁気ディスクなど、各種の用途が期待でき、その応用範囲は広い。また、さらに種々の回路形成用途にも使用でき、マイクロマシンや超LSIなどの回路形成を含む広い用途が期待される。   The conductive pattern material obtained by the conductive pattern forming method of the present invention has a high-definition and durable high-density metal (fine particle) pattern on a glass substrate surface by a simple process. . Such a conductive pattern material obtained by the conductive pattern forming method of the present invention includes a liquid crystal display element, an organic EL, a display electrode material such as a display element, a printed wiring such as COG (chip on glass), Various applications such as high-density magnetic disks, magnetic heads, magnetic tapes, magnetic sheets, and magnetic disks can be expected, and the application range is wide. Further, it can be used for various circuit formation applications, and a wide range of applications including circuit formation such as micromachines and VLSIs is expected.

本発明においては、基材として透明なガラス基板を使用しているため、パターン形成された透明導電性基板として使用することができる。このような透明導電性基板の用途としては、ディスプレイ用透明電極、調光デバイス、太陽電池、タッチパネル、その他の透明導電膜が挙げられるが、CRTやプラズマディスプレイにつける電磁波シールドフィルターとして特に有用である。このような電磁波シールドフィルターは高い導電性と透明性とを必要とするため、金属(微粒子)膜を格子状に設けることが好ましい。このような格子線幅は、20〜100μm、開口部は50〜600μm程度が好ましい。この格子は必ずしも規則正しく、直線で構成されていなくてもよく、曲線状で構成されていてもよい。   In the present invention, since a transparent glass substrate is used as a base material, it can be used as a patterned transparent conductive substrate. Examples of the use of such a transparent conductive substrate include a transparent electrode for display, a light control device, a solar cell, a touch panel, and other transparent conductive films, but are particularly useful as an electromagnetic wave shielding filter attached to a CRT or a plasma display. . Since such an electromagnetic wave shielding filter requires high conductivity and transparency, it is preferable to provide a metal (fine particle) film in a lattice shape. Such a lattice line width is preferably about 20 to 100 μm, and the opening is preferably about 50 to 600 μm. This lattice does not necessarily have to be regular and configured with straight lines, and may be configured with curved lines.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(合成例1:化合物Aの合成)
前記例示化合物1の合成は、以下の2つのステップにより行われる。それぞれのステップのスキームを挙げて説明する。
1.ステップ1(化合物aの合成)
DMAc50gとTHF50gの混合溶媒に1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン24.5g(0.12mol)を溶かし、氷浴下でNaH(60% in oil) 7.2g(0.18mol)を徐々に加えた。そこに、11−ブロモ−1−ウンデセン(95%)44.2g(0.18mol)を滴下し、室温で反応を行った。1時間で反応が終了した。反応溶液を氷水中に投入し、酢酸エチルで抽出し、黄色溶液状の化合物aを含む混合物が得られた。この混合物37gをアセトニトリル370mlに溶かし、水7.4gを加えた。p−トルエンスルホン酸一水和物1.85gを加え、室温で20分間撹拌した。酢酸エチルで有機相を抽出し、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー(充填剤:ワコーゲルC−200、展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/80)で化合物aを単離した。
合成スキームを以下に示す。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
(Synthesis Example 1: Synthesis of Compound A)
The exemplary compound 1 is synthesized by the following two steps. A description will be given of the scheme of each step.
1. Step 1 (Synthesis of Compound a)
24.5 g (0.12 mol) of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone was dissolved in a mixed solvent of 50 g of DMAc and 50 g of THF, and 7.2 g (0.18 mol) of NaH (60% in oil) was gradually added in an ice bath. Thereto, 44.2 g (0.18 mol) of 11-bromo-1-undecene (95%) was added dropwise and reacted at room temperature. The reaction was completed in 1 hour. The reaction solution was poured into ice water and extracted with ethyl acetate to obtain a mixture containing Compound a in the form of a yellow solution. 37 g of this mixture was dissolved in 370 ml of acetonitrile, and 7.4 g of water was added. 1.85 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was added and stirred at room temperature for 20 minutes. The organic phase was extracted with ethyl acetate and the solvent was distilled off. Compound a was isolated by column chromatography (filler: Wakogel C-200, developing solvent: ethyl acetate / hexane = 1/80).
A synthesis scheme is shown below.

Figure 2006104045
Figure 2006104045

1H NMR(300MHz CDCl3
δ=1.2−1.8(mb,24H),2.0(q,2H),3.2(t,J=6.6,2H),4.9−5.0(m,2H)5.8(ddt,J=24.4,J=10.5,J=6.6,1H.),7.4(t,J=7.4,2H),7.5(t,J=7.4,1H),8.3(d,1H)
1H NMR (300 MHz CDCl 3 )
δ = 1.2-1.8 (mb, 24H), 2.0 (q, 2H), 3.2 (t, J = 6.6, 2H), 4.9-5.0 (m, 2H) ) 5.8 (ddt, J = 24.4, J = 10.5, J = 6.6, 1H.), 7.4 (t, J = 7.4, 2H), 7.5 (t, J = 7.4, 1H), 8.3 (d, 1H)

2.ステップ2(化合物aのハイドロシリル化による化合物Aの合成)
化合物a5.0g(0.014mol)にSpeir catalyst(H2PtCl6・6H2O/2−PrOH、0.1mol/l)を2滴加え、氷浴下でトリクロロシラン2.8g(0.021mol)を滴下して撹拌した。さらに1時間後にトリクロロシラン1.6g(0.012mol)を滴下してから室温に戻した。3時間後に反応が終了した。反応終了後、未反応のトリクロロシランを減圧留去し、化合物Aを得た。
合成スキームを以下に示す。
2. Step 2 (Synthesis of Compound A by Hydrosilylation of Compound a)
Two drops of Spear catalyst (H 2 PtCl 6 .6H 2 O / 2-PrOH, 0.1 mol / l) was added to 5.0 g (0.014 mol) of compound a, and 2.8 g (0.021 mol) of trichlorosilane in an ice bath. ) Was added dropwise and stirred. After 1 hour, 1.6 g (0.012 mol) of trichlorosilane was added dropwise, and the temperature was returned to room temperature. The reaction was complete after 3 hours. After completion of the reaction, unreacted trichlorosilane was distilled off under reduced pressure to obtain Compound A.
A synthesis scheme is shown below.

Figure 2006104045
Figure 2006104045

1H NMR(300MHz CDCl3
δ=1.2−1.8(m,30H),3.2(t,J=6.3,2H),7.3−7.7(m,3H),8.3(d,2H)
1H NMR (300 MHz CDCl 3 )
δ = 1.2−1.8 (m, 30H), 3.2 (t, J = 6.3, 2H), 7.3-7.7 (m, 3H), 8.3 (d, 2H) )

(合成例2:重合性基を有する親水性ポリマーPの合成)
ポリアクリル酸(平均分子量25,000)18gをDMAc(ジメチルアセトアミド)300gに溶解し、そこに、ハイドロキノン0.41gと2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート19.4gとジブチルチンジラウレート0.25gを添加し、65℃で4時間反応させた。得られたポリマーの酸価は7.02meq/gであった。1mol/lの水酸化ナトリウム水溶液でカルボキシル基を中和し、酢酸エチルに加えポリマーを沈殿させ、よく洗浄し、重合性基を有する親水性ポリマーPを得た。
(Synthesis Example 2: Synthesis of hydrophilic polymer P having a polymerizable group)
18 g of polyacrylic acid (average molecular weight 25,000) is dissolved in 300 g of DMAc (dimethylacetamide), and 0.41 g of hydroquinone, 19.4 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and 0.25 g of dibutyltin dilaurate are added thereto. The reaction was carried out at 65 ° C. for 4 hours. The acid value of the obtained polymer was 7.02 meq / g. The carboxyl group was neutralized with a 1 mol / l sodium hydroxide aqueous solution, the polymer was precipitated in addition to ethyl acetate, and washed well to obtain a hydrophilic polymer P having a polymerizable group.

〔実施例1〕
(光開裂化合物結合工程)
ガラス基板(日本板硝子)を、終夜、ピランハ液(硫酸/30%過酸化水素=1/1vol混合液)に浸漬した後、純水で洗浄した。その基板を、窒素置換したセパラブルフラスコ中に入れ12.5wt%の化合物Aの脱水トルエン溶液に1時間浸漬した。取り出し後、トルエン、アセトン、純水で順に洗浄した。得られた基版を基板A1とする。
[Example 1]
(Photocleavable compound binding step)
A glass substrate (Japanese plate glass) was immersed in a piranha solution (sulfuric acid / 30% hydrogen peroxide = 1/1 vol mixed solution) overnight, and then washed with pure water. The substrate was placed in a separable flask purged with nitrogen and immersed in a 12.5 wt% dehydrated toluene solution of Compound A for 1 hour. After taking out, it wash | cleaned in order with toluene, acetone, and a pure water. Let the obtained base plate be the board | substrate A1.

(グラフトポリマー生成工程)
親水性ポリマーP(0.5g)を純水4.0gとアセトニトリル2.0gの混合溶媒に溶かし、グラフト形成層用塗布液を調製した。そのグラフト形成層用塗布液を、スピンコーターで基板A1に塗布した。スピンコーターは、まず300rpmで5秒間、その後1000rpmで20秒間回転させた。グラフト形成層塗布後の基板A1は、100℃で2分間乾燥した。乾燥後のグラフト形成層の膜厚は2μmであった。
(Graft polymer production process)
Hydrophilic polymer P (0.5 g) was dissolved in a mixed solvent of 4.0 g of pure water and 2.0 g of acetonitrile to prepare a coating solution for a graft forming layer. The graft forming layer coating solution was applied to the substrate A1 with a spin coater. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 1000 rpm for 20 seconds. The substrate A1 after application of the graft forming layer was dried at 100 ° C. for 2 minutes. The thickness of the graft-forming layer after drying was 2 μm.

(露光)
グラフト形成層を塗布したガラス基板表面を、露光機(UVX−02516S1LP01、ウシオ電機社製)で1分間露光した。露光後、純水で充分洗浄した。
以上のようにして、導電性ガラス基板Aを形成した。
得られた基板Aを、AFM(ナノピクス1000、セイコーインスツルメンツ社製,DFMカンチレバー使用)で観察した。その結果、表面にグラフトポリマー層が形成されていることが確認された。
(exposure)
The surface of the glass substrate coated with the graft forming layer was exposed for 1 minute with an exposure machine (UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.). After the exposure, it was thoroughly washed with pure water.
As described above, a conductive glass substrate A was formed.
The obtained substrate A was observed with AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using a DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a graft polymer layer was formed on the surface.

(無電解メッキ)
得られた基板Aを、硝酸パラジウム(和光純薬製)0.1質量%の水溶液に1時間浸漬した後、蒸留水で洗浄した。その後、下記組成の無電解メッキ浴にて20分間無電解メッキし、表面に金属膜(導電性膜1)を有する導電性ガラス基板1を作製した。
(Electroless plating)
The obtained substrate A was immersed in an aqueous solution of 0.1% by mass of palladium nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 hour, and then washed with distilled water. Thereafter, electroless plating was performed in an electroless plating bath having the following composition for 20 minutes to produce a conductive glass substrate 1 having a metal film (conductive film 1) on the surface.

<無電解メッキ浴の組成>
・OPCカッパ―H T1(奥野製薬(株)製) 6mL
・OPCカッパ―H T2(奥野製薬(株)製) 1.2mL
・OPCカッパ―H T3(奥野製薬(株)製) 10mL
・水 83mL
<Composition of electroless plating bath>
・ OPC Kappa-H T1 (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) 6mL
・ OPC Kappa-H T2 (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) 1.2mL
・ OPC Kappa-H T3 (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) 10mL
・ Water 83mL

〔実施例2〕
実施例1で形成された金属膜を、更に15分間電気メッキし、表面に金属膜(導電膜2)を有する導電性ガラス基板2を作製した。
[Example 2]
The metal film formed in Example 1 was further electroplated for 15 minutes to produce a conductive glass substrate 2 having a metal film (conductive film 2) on the surface.

<電気メッキ浴の組成>
・硫酸銅 38g
・硫酸 95g
・塩酸 1mL
・カッパ−グリームPCM(メルテックス(株)製) 3mL
・水 500mL
<Composition of electroplating bath>
・ Copper sulfate 38g
・ 95 g of sulfuric acid
・ Hydrochloric acid 1mL
・ Kappa-Gream PCM (Meltex Co., Ltd.) 3mL
・ Water 500mL

〔実施例3〕
(光開裂化合物結合工程)
ガラス基板(日本板硝子(株))に、UVオゾンクリーナー(UV42、日本レーザー電子社製)を用いて5分間UVオゾン処理を行った。その基板表面に、脱水トルエンに溶かして1.0%の溶液とした化合物A(合成例1で得られたもの)をスピンコートした。スピンコーターは、まず300rpmで5秒間、その後1000rpmで20秒間回転させた。化合物Aをスピンコートしたガラス基板を100℃で2分間乾燥し、表面をトルエン、アセトン、水で順に洗浄してエアーガンで乾燥した。得られた基板をA2とする。
Example 3
(Photocleavable compound binding step)
A glass substrate (Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) was subjected to UV ozone treatment for 5 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.). The surface of the substrate was spin-coated with Compound A (obtained in Synthesis Example 1) dissolved in dehydrated toluene to make a 1.0% solution. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 1000 rpm for 20 seconds. The glass substrate on which the compound A was spin-coated was dried at 100 ° C. for 2 minutes, and the surface was washed with toluene, acetone and water in that order and dried with an air gun. The obtained substrate is designated as A2.

(グラフトポリマー生成工程)
親水性ポリマーP(0.25g)を水1.91g、DMAc0.09gおよびアセトニトリル1gの混合溶媒に溶かしてグラフト形成層用塗布液とした。そのグラフト形成層用塗布液をA2基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず300rpmで5秒間、その後1000rpmで20秒間回転させた。グラフト形成層用塗布後の基板A2は、80℃で5分間乾燥した。
(露光)
グラフト形成層用塗布後の基板A2を、露光機(UVX−02516S1LP01、ウシオ電機社製)で5分間露光した。露光後、基板表面をワイパー(ベンコット、小津産業社製)で軽くこすりながら水で洗浄した。
以上のようにして、グラフトポリマーが表面全面にわたって形成されたガラス基板Bを形成した。
(Graft polymer production process)
Hydrophilic polymer P (0.25 g) was dissolved in a mixed solvent of 1.91 g of water, 0.09 g of DMAc and 1 g of acetonitrile to obtain a coating solution for a graft forming layer. The graft forming layer coating solution was spin coated on the surface of the A2 substrate. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 1000 rpm for 20 seconds. The substrate A2 after application for the graft forming layer was dried at 80 ° C. for 5 minutes.
(exposure)
The substrate A2 after application for the graft forming layer was exposed for 5 minutes with an exposure machine (UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while being lightly rubbed with a wiper (Bencott, manufactured by Ozu Sangyo Co., Ltd.).
As described above, a glass substrate B on which the graft polymer was formed over the entire surface was formed.

(無電解メッキ)
得られた基板Bを硝酸銀(和光純薬製)0.1%水溶液に5分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後下記組成の無電解メッキ浴(pH:12.7)に20分間浸漬して無電解メッキを行った。無電解メッキ後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
(Electroless plating)
The obtained substrate B was immersed in a 0.1% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 5 minutes, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in an electroless plating bath (pH: 12.7) having the following composition for 20 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

<無電解メッキ浴の組成>
水 300g
硫酸銅(II)五水和物 4.5g
トリエタノールアミン 8.04g
ポリエチレングリコール(平均分子量1000) 0.03g
水酸化ナトリウム 2.7g
ホルムアルデヒド液(36.0〜38.0%) 5.4g
<Composition of electroless plating bath>
300 g of water
Copper (II) sulfate pentahydrate 4.5g
8.04 g of triethanolamine
Polyethylene glycol (average molecular weight 1000) 0.03g
Sodium hydroxide 2.7g
Formaldehyde solution (36.0-38.0%) 5.4g

(電気メッキ)
上記無電解メッキ浴を使用して無電解メッキした基板を、更に20分間電気メッキし、表面に金属膜(導電膜3)を有する導電性ガラス基板3を作製した。電気メッキ浴の組成は、実施例2で用いた電気メッキ浴の組成と同じである。
(Electroplating)
The electroless-plated substrate using the electroless plating bath was further electroplated for 20 minutes to produce a conductive glass substrate 3 having a metal film (conductive film 3) on the surface. The composition of the electroplating bath is the same as that of the electroplating bath used in Example 2.

〔実施例4〕
実施例3で作製した表面にグラフトポリマーが形成されたガラス基板Bを硝酸銀(和光純薬製)0.1%水溶液に5分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後下記組成の無電解メッキ浴(pH:12.4)に20分間浸漬して無電解メッキを行った。無電解メッキ後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
Example 4
The glass substrate B with the graft polymer formed on the surface produced in Example 3 was immersed in a 0.1% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 5 minutes, washed with water and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by dipping for 20 minutes in an electroless plating bath (pH: 12.4) having the following composition. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

<無電解メッキ浴の組成>
水 200g
硫酸銅(II)五水和物 2.9g
(+)−酒石酸ナトリウムカリウム四水和物 21.3g
水酸化ナトリウム 1.65g
ホルムアルデヒド液(36.0〜38.0%) 5.5ml
全体が250mlになるように水を添加
<Composition of electroless plating bath>
200g of water
Copper (II) sulfate pentahydrate 2.9g
(+)-Potassium sodium tartrate tetrahydrate 21.3 g
Sodium hydroxide 1.65g
Formaldehyde solution (36.0-38.0%) 5.5ml
Add water to make the whole 250ml

(電気メッキ)
上記無電解メッキ浴を使用して無電解メッキした基板を、更に20分間電気メッキし、表面に金属膜(導電膜4)を有する導電性ガラス基板4を作製した。電気メッキ浴の組成は、実施例2で用いた電気メッキ浴の組成と同じである。
(Electroplating)
The electroless-plated substrate using the electroless plating bath was further electroplated for 20 minutes to produce a conductive glass substrate 4 having a metal film (conductive film 4) on the surface. The composition of the electroplating bath is the same as that of the electroplating bath used in Example 2.

〔実施例5〕
実施例1で作製した開始剤結合ガラス基板を、アクリル酸(10wt%)及び過ヨウ素酸ナトリウム(NaIO4、0.01wt%)を含む水溶液に浸漬し、アルゴン雰囲気下で、上記の1.5kWの高圧水銀灯を使用し、10分間光照射した。光照射後、イオン交換水でよく洗浄し、基板全体にアクリル酸の表面グラフトポリマーを導入し、グラフト基板Cを得た。
(導電性素材の付着)
下記手法により作製した導電性素材:正電荷Ag微粒子分散液中に、上記で作成したグラフト基板Cを浸漬し、その後、流水で表面を十分洗浄して余分なAg分散液を除去し、表面に導電性Ag微粒子からなる導電膜5を有する導電性ガラス基板5を作製した。
Example 5
The initiator-bonded glass substrate prepared in Example 1 was immersed in an aqueous solution containing acrylic acid (10 wt%) and sodium periodate (NaIO 4 , 0.01 wt%), and the above 1.5 kW under an argon atmosphere. Was irradiated with light for 10 minutes. After light irradiation, the substrate was thoroughly washed with ion-exchanged water, and a surface graft polymer of acrylic acid was introduced to the entire substrate to obtain a graft substrate C.
(Adhesion of conductive material)
Conductive material prepared by the following method: Immersing the graft substrate C prepared above in a positively charged Ag fine particle dispersion, and then thoroughly washing the surface with running water to remove excess Ag dispersion, A conductive glass substrate 5 having a conductive film 5 made of conductive Ag fine particles was produced.

<導電性素材の作製方法>
過塩素酸銀のエタノール溶液(5mM)50mlにビス(1,1−トリメチルアンモニウムデカノイルアミノエチル)ジスルフィド3gを加え、激しく攪拌しながら水素化ホウ素ナトリウム溶液(0.4M)30mlをゆっくり滴下してイオンを還元し、4級アンモニウムで被覆された銀粒子の分散液を得た。この銀粒子(Ag粒子)のサイズを電子顕微鏡で測定したところ、平均粒径は5nmであった。
<Method for producing conductive material>
Add 3 g of bis (1,1-trimethylammoniumdecanoylaminoethyl) disulfide to 50 ml of ethanol solution (5 mM) of silver perchlorate, and slowly drop 30 ml of sodium borohydride solution (0.4 M) with vigorous stirring. Ions were reduced to obtain a dispersion of silver particles coated with quaternary ammonium. When the size of the silver particles (Ag particles) was measured with an electron microscope, the average particle size was 5 nm.

〔実施例6〕
実施例5で得られた導電性膜5を、300℃、1時間加熱することにより表面に導電性導電膜6を有する導電性ガラス基板6を作製した。
Example 6
The conductive film 5 obtained in Example 5 was heated at 300 ° C. for 1 hour to produce a conductive glass substrate 6 having a conductive conductive film 6 on the surface.

〔実施例7〕
(光開裂化合物結合工程)
ITOを蒸着したガラス基板(日本板硝子(株)、表面抵抗10Ω/□、品番.49J183)を使用し、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノール、純水の順で、それぞれ5分以上超音波洗浄し、窒素吹き付け乾燥した。その基板を、窒素置換したセパラブルフラスコ中に入れ12.5wt%の化合物Aの脱水トルエン溶液に1時間〜終夜浸漬した。取り出し後、トルエン、アセトン、純水ので順に洗浄した。
(グラフトポリマー生成工程)
前記の基板に、実施例1と同様にして、グラフトポリマー生成用塗布液を塗布し、乾燥した。乾燥後のグラフトポリマー生成層の膜厚は2μmであった。次に実施例1と同様にして、全面露光を行った。露光後、純水で充分洗浄した。ITOの上に形成されたグラフト基板Dを得た。
次に、グラフト基板Dを、アントラキノン−2−スルホン酸ナトリウム・一水和物 1.23g、5−スルフォサチリチル酸ナトリウム・水和物 7.20g、及び、三塩化鉄・6水和物 4.38gと125mlの水とからなる溶液に浸漬し、撹拌しながらピロール0.75mlと水125mlの溶液を加えた。一時間後、該基板を取り出し、水洗し、次にアセトンで洗浄することで、該ITO基板の表面にポリピロール層(導電性ポリマー層)が形成された導電性ガラス基板7を得た。
Example 7
(Photocleavable compound binding step)
Using an ITO-deposited glass substrate (Nippon Sheet Glass Co., Ltd., surface resistance 10Ω / □, product number. 49J183), ultrasonically wash in order of isopropyl alcohol, acetone, methanol, and pure water for 5 minutes or more, respectively. Spray dried. The substrate was placed in a separable flask purged with nitrogen and immersed in a dehydrated toluene solution of 12.5 wt% of Compound A for 1 hour to overnight. After taking out, it wash | cleaned in order with toluene, acetone, and a pure water.
(Graft polymer production process)
In the same manner as in Example 1, a graft polymer production coating solution was applied to the substrate and dried. The thickness of the graft polymer production layer after drying was 2 μm. Next, overall exposure was performed in the same manner as in Example 1. After the exposure, it was thoroughly washed with pure water. A graft substrate D formed on ITO was obtained.
Next, graft substrate D was prepared from sodium anthraquinone-2-sulfonate 1.23 g, sodium 5-sulfosalicylic acid 7.20 g, and iron trichloride hexahydrate. It was immersed in a solution consisting of 4.38 g and 125 ml of water, and a solution of 0.75 ml of pyrrole and 125 ml of water was added with stirring. One hour later, the substrate was taken out, washed with water, and then washed with acetone to obtain a conductive glass substrate 7 having a polypyrrole layer (conductive polymer layer) formed on the surface of the ITO substrate.

<導電性の評価>
上記により得られた導電性ガラス基板1〜7について、導電膜が形成された部分の表面導電性をロレスタ−FP(LORESTA−FP:三菱化学(株)製)を用いて四探針法により測定した。結果を下記表1に示す。
<Evaluation of conductivity>
For the conductive glass substrates 1 to 7 obtained as described above, the surface conductivity of the portion where the conductive film was formed was measured by a four-probe method using a Loresta-FP (LORESTA-FP: manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). did. The results are shown in Table 1 below.

<導電膜密着性の評価>
導電性ガラス基板1〜7の導電膜について、JIS 5400に順じて碁盤目テープ法により膜密着性を評価した。カットした碁盤目に対するテープの引き剥がしテストを行った。100個の碁盤目のうち基板側に残った碁盤の数を下記表1に示す。
<Evaluation of conductive film adhesion>
About the electrically conductive film of the conductive glass substrates 1-7, film | membrane adhesiveness was evaluated by the cross-cut tape method according to JIS5400. A tape peeling test was performed on the cut grids. The number of grids remaining on the substrate side among the 100 grids is shown in Table 1 below.

Figure 2006104045
Figure 2006104045

表1に明らかなように、本発明の導電性ガラス基板はいずれも優れた導電性と密着性を有していることがわかる。   As is apparent from Table 1, it can be seen that all of the conductive glass substrates of the present invention have excellent conductivity and adhesion.

〔実施例8〕
実施例3で作製したグラフトポリマー形成用の化合物Aからなる層を塗布した基板A2上に、パターンマスク(NC−1、凸版印刷社製)を密着させるようにクリップで留め、露光機(UVX−02516S1LP01、ウシオ電機社製)で1分間露光した。露光後マスクを取り外し、純水で充分洗浄した。
以上のようにして、グラフトポリマー生成領域及び非生成領域を有するグラフトパターン基板A1を形成した。
得られたグラフトパターン基板A1を、AFM(ナノピクス1000、セイコーインスツルメンツ社製,DFMカンチレバー使用)で観察した。その結果、基板表面に線幅8μm、空隙幅8μmが交互に存在するグラフトポリマーパターンが形成されていることが確認された。
Example 8
A pattern mask (NC-1, manufactured by Toppan Printing Co., Ltd.) is clipped onto the substrate A2 coated with the layer made of the compound A for forming the graft polymer prepared in Example 3 and exposed to light (UVX- 02516S1LP01, manufactured by USHIO INC. For 1 minute. After exposure, the mask was removed and washed thoroughly with pure water.
As described above, a graft pattern substrate A1 having a graft polymer generation region and a non-generation region was formed.
The obtained graft pattern substrate A1 was observed with AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a graft polymer pattern having a line width of 8 μm and a gap width of 8 μm alternately formed on the substrate surface was formed.

(金属(微粒子)膜の形成)
グラフトパターン基板A1を、硝酸銀(和光純薬製)15質量%の水溶液に12時間浸漬した後、蒸留水で洗浄した。その後、100mlの蒸留水に当該基板を浸漬し、その蒸留水中に、0.2mol/lのテトラヒドロホウ素酸ナトリウムを30ml滴下することにより、吸着している銀イオンを還元したところ、グラフトパターン基板A1の表面において、グラフトポリマー生成領域のみに均一なAg金属膜(金属(微粒子)膜)が形成された。形成されたAg金属膜は、厚さ0.1μmであった。これにより、パターン状にAg(微粒子)膜が形成された導電性パターン材料A1を得た。
この表面を電子顕微鏡で観察したところ、線幅8μm、空隙幅8μmが交互に存在する良好な導電性パターンが形成されていることが判明した。
(Formation of metal (fine particle) film)
The graft pattern substrate A1 was immersed in a 15% by mass aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 12 hours and then washed with distilled water. Thereafter, the adsorbed silver ions were reduced by immersing the substrate in 100 ml of distilled water and dropping 30 ml of 0.2 mol / l sodium tetrahydroborate into the distilled water. As a result, the graft pattern substrate A1 was reduced. On the surface, a uniform Ag metal film (metal (fine particle) film) was formed only in the graft polymer formation region. The formed Ag metal film had a thickness of 0.1 μm. As a result, a conductive pattern material A1 in which an Ag (fine particle) film was formed in a pattern was obtained.
When this surface was observed with an electron microscope, it was found that a good conductive pattern in which a line width of 8 μm and a gap width of 8 μm exist alternately was formed.

〔実施例9〕
実施例8と同様にして得られたグラフトパターン基板A1を硝酸銀(和光純薬製)0.1%水溶液に5分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後下記組成の無電解メッキ浴(pH:12.7)に20分間浸漬して無電解メッキを行った。無電解メッキ後、水で洗浄してエアーガンで乾燥し、導電性パターン材料A2を作製した。
この表面を電子顕微鏡で観察したところ、線幅8μm、空隙幅8μmが交互に存在する良好な導電性パターンが形成されていることが判明した。
Example 9
The graft pattern substrate A1 obtained in the same manner as in Example 8 was immersed in a 0.1% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 5 minutes, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in an electroless plating bath (pH: 12.7) having the following composition for 20 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun to produce a conductive pattern material A2.
When this surface was observed with an electron microscope, it was found that a good conductive pattern in which a line width of 8 μm and a gap width of 8 μm exist alternately was formed.

<無電解メッキ浴の組成>
水 300g
硫酸銅(II)五水和物 4.5g
トリエタノールアミン 8.04g
フェロシアン化カリウム 6.7mg
2,2’−ビピリジル 3.5mg
水酸化ナトリウム 2.7g
ホルムアルデヒド液(36.0〜38.0%) 5.4g
<Composition of electroless plating bath>
300 g of water
Copper (II) sulfate pentahydrate 4.5g
8.04 g of triethanolamine
6.7mg potassium ferrocyanide
2,2'-bipyridyl 3.5mg
Sodium hydroxide 2.7g
Formaldehyde solution (36.0-38.0%) 5.4g

〔実施例10〕
実施例8と同様にして得られたグラフトパターン基板A1を、下記手法により作製した導電性素材:正電荷Ag微粒子分散液中に、浸漬し、その後、流水で表面を十分洗浄して余分なAg分散液を除去し、表面に導電性Ag微粒子からなるパターン材料を作製した。その後、300℃、1時間加熱することにより導電性パターン材料A3を作製した。
Example 10
The graft pattern substrate A1 obtained in the same manner as in Example 8 was immersed in a conductive material: positive charge Ag fine particle dispersion prepared by the following method, and then the surface was sufficiently washed with running water to remove excess Ag. The dispersion was removed, and a pattern material composed of conductive Ag fine particles on the surface was produced. Then, electroconductive pattern material A3 was produced by heating at 300 degreeC for 1 hour.

<導電性素材の作製方法>
過塩素酸銀のエタノール溶液(5mM)50mlにビス(1,1−トリメチルアンモニウムデカノイルアミノエチル)ジスルフィド3gを加え、激しく攪拌しながら水素化ホウ素ナトリウム溶液(0.4M)30mlをゆっくり滴下してイオンを還元し、4級アンモニウムで被覆された銀粒子の分散液を得た。この銀粒子(Ag粒子)のサイズを電子顕微鏡で測定したところ、平均粒径は5nmであった。
<Method for producing conductive material>
Add 3 g of bis (1,1-trimethylammoniumdecanoylaminoethyl) disulfide to 50 ml of ethanol solution (5 mM) of silver perchlorate, and slowly drop 30 ml of sodium borohydride solution (0.4 M) with vigorous stirring. Ions were reduced to obtain a dispersion of silver particles coated with quaternary ammonium. When the size of the silver particles (Ag particles) was measured with an electron microscope, the average particle size was 5 nm.

〔実施例11〕
実施例8と同様にして得られたグラフトパターン基板A1を、アントラキノン−2−スルホン酸ナトリウム・一水和物 1.23g、5−スルフォサチリチル酸ナトリウム・水和物 7.20g、及び、三塩化鉄・6水和物 4.38gと125mlの水とからなる溶液に浸漬し、撹拌しながらピロール0.75mlと水125mlの溶液を加えた。一時間後、該基板を取り出し、水洗し、次にアセトンで洗浄することで、表面にポリピロール層(導電性ポリマー層)が形成された導電性パターン材料A4を作製した。
Example 11
Graft pattern substrate A1 obtained in the same manner as in Example 8, 1.23 g of sodium anthraquinone-2-sulfonate · monohydrate, 7.20 g of sodium 5-sulfosalicylic acid · hydrate, and It was immersed in a solution consisting of 4.38 g of iron trichloride hexahydrate and 125 ml of water, and a solution of 0.75 ml of pyrrole and 125 ml of water was added with stirring. One hour later, the substrate was taken out, washed with water, and then washed with acetone, thereby producing a conductive pattern material A4 having a polypyrrole layer (conductive polymer layer) formed on the surface.

〔実施例12〕
実施例3で作製したグラフトポリマー形成用の化合物Aからなる層を塗布した基板A2上に、355nmレーザで直接描画パターン露光した。露光後、純水で充分洗浄した。
以上のようにして、基板表面にグラフトポリマー生成領域及び非生成領域を有するグラフトパターン基板B1を作製した。
得られたグラフトパターン基板B1の表面を、AFM(ナノピクス1000、セイコーインスツルメンツ社製,DFMカンチレバー使用)で観察した。その結果、線幅20μm、空隙幅20μmが交互に存在するグラフトポリマーパターンが形成されていることが確認された。
Example 12
On the substrate A2 coated with the layer made of the compound A for forming the graft polymer prepared in Example 3, the pattern was exposed directly with a 355 nm laser. After the exposure, it was thoroughly washed with pure water.
As described above, a graft pattern substrate B1 having a graft polymer generation region and a non-generation region on the substrate surface was produced.
The surface of the obtained graft pattern substrate B1 was observed with AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a graft polymer pattern having a line width of 20 μm and a gap width of 20 μm alternately formed.

グラフトパターン基板B1を硝酸銀(和光純薬製)0.1%水溶液に5分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後下記組成の無電解メッキ浴(pH:12.6)に20分間浸漬して無電解メッキを行った。無電解メッキ後、水で洗浄してエアーガンで乾燥し、導電性パターン材料Bを作製した。
この表面を電子顕微鏡で観察したところ、線幅20μm、空隙幅20μmが交互に存在する良好な導電性パターンが形成されていることが判明した。
The graft pattern substrate B1 was immersed in a 0.1% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 5 minutes, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in an electroless plating bath (pH: 12.6) having the following composition for 20 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun to produce a conductive pattern material B.
When this surface was observed with an electron microscope, it was found that a good conductive pattern having alternating line widths of 20 μm and void widths of 20 μm was formed.

<無電解メッキ浴の組成>
水 300g
硫酸銅(II)五水和物 4.6g
トリエタノールアミン 8.05g
フェロシアン化カリウム 6.6mg
2,2’−ビピリジル 3.4mg
水酸化ナトリウム 2.7g
ホルムアルデヒド液(36.0〜38.0%) 5.6g
<Composition of electroless plating bath>
300 g of water
Copper (II) sulfate pentahydrate 4.6g
Triethanolamine 8.05g
Potassium ferrocyanide 6.6mg
2,2′-bipyridyl 3.4 mg
Sodium hydroxide 2.7g
Formaldehyde solution (36.0-38.0%) 5.6g

〔実施例13〕
実施例2で得られた金属膜2を形成した導電性ガラス基板の導電膜表面に、感光性ドライフィルム(VANX HL−020:富士写真フイルム製)をラミネートし、所望の導体回路パターンが描画されたマスクフィルム(金属パターン部分が開口部、金属パターン非形成部がマスク部)を通して紫外線露光させ、画像を焼き付け、現像を行った。次に,塩化第二銅エッチング液を用いてレジストが除去された部分の金属膜(銅薄膜)を除去した。その後ドライフィルムを剥離することにより、線幅25μm(光学顕微鏡、商品名:OPTI PHOTO−2、(株)ニコン製を用いて測定)の導電性パターン材料Cを得た。
Example 13
A photosensitive dry film (VANX HL-020: manufactured by Fuji Photo Film) is laminated on the conductive film surface of the conductive glass substrate on which the metal film 2 obtained in Example 2 is formed, and a desired conductor circuit pattern is drawn. The film was exposed to ultraviolet light through a mask film (the metal pattern portion was an opening, and the metal pattern non-formed portion was a mask portion), and the image was printed and developed. Next, the metal film (copper thin film) where the resist was removed was removed using a cupric chloride etching solution. Thereafter, the dry film was peeled off to obtain a conductive pattern material C having a line width of 25 μm (measured using an optical microscope, trade name: OPTI PHOTO-2, manufactured by Nikon Corporation).

(導電性の評価)
実施例8〜実施例13で得られた、導電性パターン材料A1、A2、A3、A4、B及びCについて、導電性パターンが形成された部分の表面導電性をLORESTA−FP(三菱化学(株)製)を用いて四探針法により測定した。結果を下記表2に示す。
(Evaluation of conductivity)
Regarding the conductive pattern materials A1, A2, A3, A4, B, and C obtained in Examples 8 to 13, the surface conductivity of the portion where the conductive pattern was formed was determined to be LORESTA-FP (Mitsubishi Chemical Corporation )) And the four-probe method. The results are shown in Table 2 below.

(膜強度(密着性)の評価)
導電性パターン材料A1、A2、A3、A4、B及びCについて、JIS 5400の碁盤目テープ法に準じ、碁盤目カットを行わず形成された金属パターンに対して直接テープの引き剥がしテストを行ったところ、剥離は全く見られず、基板と金属薄膜との密着性が良好であることが確認された。
(Evaluation of film strength (adhesion))
The conductive pattern materials A1, A2, A3, A4, B, and C were subjected to a tape peeling test directly on the metal pattern formed without the grid cut in accordance with JIS 5400 grid tape method. However, no peeling was observed, and it was confirmed that the adhesion between the substrate and the metal thin film was good.

(耐久性の評価)
導電性パターン材料A1、A2、A3、A4、B及びCの表面を、水で湿らせた布(BEMCOT、旭化成工業(株)製)を用いて手で往復30回摺擦した。摺擦後に、目視にて表面を観察したところ、導電性パターン材料A1、A2、A3、A4、B及びCについて、金属(微粒子)膜の剥がれなどは見られなかった。
また、摺擦後の試料を前記と同様にしてテープの引き剥がしテストを行ったところ、導電性パターン材料A1、A2、A3、A4、B及びCは全く剥離が見られず、摺擦後においても、金属(微粒子)膜と基板との密着性は低下せず、耐久性に優れることが確認された。
(Durability evaluation)
The surfaces of the conductive pattern materials A1, A2, A3, A4, B, and C were rubbed 30 times by hand using a cloth (BEMCOT, manufactured by Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd.) wetted with water. When the surface was visually observed after rubbing, no peeling of the metal (fine particle) film was observed for the conductive pattern materials A1, A2, A3, A4, B, and C.
In addition, when the sample after rubbing was subjected to a tape peeling test in the same manner as described above, the conductive pattern materials A1, A2, A3, A4, B, and C were not peeled off at all. In addition, it was confirmed that the adhesion between the metal (fine particle) film and the substrate did not deteriorate and was excellent in durability.

Figure 2006104045
Figure 2006104045

このように、本発明の導電性パターン形成方法を用いて得られた導電性パターン材料は、十分な導電性を有する高精細な導電性パターンが形成され、且つ、基板と金属膜との密着性及びその耐久性に優れていることがわかった。   As described above, the conductive pattern material obtained by using the conductive pattern forming method of the present invention is formed with a high-definition conductive pattern having sufficient conductivity, and the adhesion between the substrate and the metal film. And it was found to be excellent in durability.

Claims (19)

ガラス基板に直接化学結合したグラフトポリマーに導電性物質を付与してなることを特徴とする導電性ガラス基板。   A conductive glass substrate, wherein a conductive material is imparted to a graft polymer directly chemically bonded to a glass substrate. 光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を表面に結合させてなるガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させてエネルギーを付与し、該ガラス基板上にグラフトポリマーを生成した後、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付与してなる導電性ガラス基板。   An unsaturated compound capable of radical polymerization is brought into contact with a glass substrate formed by bonding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a base material binding site to the surface, and energy is applied thereto. A conductive glass substrate obtained by forming a graft polymer on a glass substrate and then applying a conductive material to the graft polymer generation region. 前記導電性材料の付与が、(1)導電性微粒子を付着する方法、(2)金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる方法、(3)無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う方法、(4)導電性モノマーを付与し、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する方法、から選択されるいずれかの方法によりなされること特徴とする請求項2に記載の導電性ガラス基板。   Application of the conductive material includes (1) a method of attaching conductive fine particles, (2) metal ions or metal salts, and then reducing the metal ions or metal ions in the metal salts to reduce the metal. (3) A method of performing electroless plating by applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof, (4) A method of forming a conductive polymer layer by applying a conductive monomer and causing a polymerization reaction The conductive glass substrate according to claim 2, wherein the conductive glass substrate is made by any method selected from. 前記(3)無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う方法において、無電解メッキを、トリアルカノールアミンを含有する無電解メッキ浴を用いて行うことを特徴とする請求項3に記載の導電性ガラス基板。   The method of (3) applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof and performing electroless plating, wherein the electroless plating is performed using an electroless plating bath containing a trialkanolamine. 3. The conductive glass substrate according to 3. 前記トリアルカノールアミンが、トリエタノールアミンであることを特徴とする請求項4に記載の導電性ガラス基板。   The conductive glass substrate according to claim 4, wherein the trialkanolamine is triethanolamine. 光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物をガラス基板に結合させる工程と、
ガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、エネルギーを付与し、該光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物からラジカルを発生させ、それを開始種としてガラス基板に結合してなるグラフトポリマーを生成する工程と、
生成したグラフトポリマーに導電性物質を付与して導電膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする導電性ガラス基板形成方法。
Binding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a substrate binding site to a glass substrate;
An unsaturated compound capable of radical polymerization is brought into contact with the glass substrate, energy is applied, and radicals are generated from the compound having a polymerization initiation site and a base material binding site capable of initiating radical polymerization by the photocleavage, Producing a graft polymer formed by bonding it to a glass substrate using it as a starting species;
Providing a conductive material to the generated graft polymer to form a conductive film;
A method for forming a conductive glass substrate, comprising:
前記生成したグラフトポリマーに導電性物質を付与して導電膜を形成する工程が、(1)生成したグラフトポリマーに導電性微粒子を付着させる工程、(2)生成したグラフトポリマーに金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程、(3)生成したグラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う工程、及び、(4)導電性モノマーを付与し、その後、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する工程、から選択されるいずれかであること特徴とする請求項6に記載の導電性ガラス基板形成方法。   The step of forming a conductive film by applying a conductive substance to the generated graft polymer includes (1) a step of attaching conductive fine particles to the generated graft polymer, and (2) a metal ion or a metal salt on the generated graft polymer. And then depositing metal by reducing the metal ions or metal ions in the metal salt, and (3) applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the resulting graft polymer, and electroless plating 7. The method according to claim 6, wherein the step is selected from: a step of performing a step (a), and (4) a step of imparting a conductive monomer and then causing a polymerization reaction to form a conductive polymer layer. A method for forming a conductive glass substrate. 前記(3)生成したグラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う工程において、無電解メッキを、トリアルカノールアミンを含有する無電解メッキ浴を用いて行うことを特徴とする請求項7に記載の導電性ガラス基板形成方法。   (3) In the step of imparting an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the generated graft polymer and performing electroless plating, electroless plating is performed using an electroless plating bath containing trialkanolamine. The method for forming a conductive glass substrate according to claim 7, wherein: 前記トリアルカノールアミンが、トリエタノールアミンであることを特徴とする請求項8に記載の導電性ガラス基板形成方法。   The method for forming a conductive glass substrate according to claim 8, wherein the trialkanolamine is triethanolamine. 前記重合開始部位が、C−C結合、C−N結合、C−O結合、C−Cl結合、N−O結合、及びS−N結合からなる群より選択されるいずれかを含むことを特徴とする請求項6乃至請求項9のいずれか1項に記載の導電性ガラス基板形成方法。   The polymerization initiation site includes any one selected from the group consisting of C—C bond, C—N bond, C—O bond, C—Cl bond, N—O bond, and S—N bond. The method for forming a conductive glass substrate according to any one of claims 6 to 9. 光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物をガラス基板に結合させる工程と、
ガラス基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、パターン状に露光して、グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成する工程と、
該グラフトポリマー生成領域に導電性物質を付与して導電膜を形成する工程と、
を有し、且つ、得られた導電膜の表面抵抗値が0.1〜20Ω/□であることを特徴とする導電性パターン形成方法。
Binding a compound having a polymerization initiation site capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a substrate binding site to a glass substrate;
A step of bringing a unsaturated compound capable of radical polymerization into contact with a glass substrate and exposing it in a pattern to form a graft polymer generation region and a non-generation region;
Providing a conductive material to the graft polymer formation region to form a conductive film;
And a surface resistance value of the obtained conductive film is 0.1 to 20Ω / □.
前記ガラス基板として、UVオゾン処理したガラス基板を用いること特徴とする請求項11に記載の導電性パターン形成方法。   The method for forming a conductive pattern according to claim 11, wherein a glass substrate treated with UV ozone is used as the glass substrate. 前記生成したグラフトポリマーに導電性物質を付与して導電膜を形成する工程が、(1)生成したグラフトポリマーに導電性微粒子を付着させる工程、(2)生成したグラフトポリマーに金属イオン又は金属塩を付与し、その後、該金属イオン又は該金属塩中の金属イオンを還元して金属を析出させる工程、(3)生成したグラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う工程、及び、(4)導電性モノマーを付与し、その後、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する工程、から選択されるいずれかであること特徴とする請求項11又は請求項12に記載の導電性パターン形成方法。   The step of forming a conductive film by applying a conductive substance to the generated graft polymer includes (1) a step of attaching conductive fine particles to the generated graft polymer, and (2) a metal ion or a metal salt on the generated graft polymer. And then depositing metal by reducing the metal ions or metal ions in the metal salt, and (3) applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the resulting graft polymer, and electroless plating Or (4) applying a conductive monomer, and then causing a polymerization reaction to form a conductive polymer layer. Item 13. The conductive pattern forming method according to Item 12. 前記(3)生成したグラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与し、無電解メッキを行う工程において、無電解メッキを、トリアルカノールアミンを含有する無電解メッキ浴を用いて行うことを特徴とする請求項13に記載の導電性パターン形成方法。   (3) In the step of imparting an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the generated graft polymer and performing electroless plating, electroless plating is performed using an electroless plating bath containing trialkanolamine. The conductive pattern forming method according to claim 13, wherein the conductive pattern is formed. 前記トリアルカノールアミンが、トリエタノールアミンであることを特徴とする請求項14に記載の導電性パターン形成方法。   The conductive pattern forming method according to claim 14, wherein the trialkanolamine is triethanolamine. 前記パターン状に露光する方法が、マスクパターンを用いたパターン露光であることを特徴とする請求項11乃至請求項15のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。   The conductive pattern forming method according to claim 11, wherein the pattern exposure method is pattern exposure using a mask pattern. 前記パターン状に露光する方法が、レーザ走査露光によるパターン露光であることを特徴とする請求項11乃至請求項15のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。   The method for forming a conductive pattern according to claim 11, wherein the pattern exposure method is pattern exposure by laser scanning exposure. 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の導電性ガラス基板表面の導電膜をエッチングする工程を有する導電性パターン形成方法。   The conductive pattern formation method which has the process of etching the electrically conductive film of the conductive glass substrate surface of any one of Claims 1 thru | or 5. 前記重合開始部位が、C−C結合、C−N結合、C−O結合、C−Cl結合、N−O結合、及びS−N結合からなる群より選択されるいずれかを含むことを特徴とする請求項11乃至請求項17のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。   The polymerization initiation site includes any one selected from the group consisting of C—C bond, C—N bond, C—O bond, C—Cl bond, N—O bond, and S—N bond. The method for forming a conductive pattern according to any one of claims 11 to 17.
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WO2008038500A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Fujifilm Corporation Laminate, method of forming conductive pattern, conductive pattern obtained thereby, printed wiring board, thin-layer transistor and apparatus utilizing these
JP2009540058A (en) * 2006-06-09 2009-11-19 デンツプライ インターナショナル インコーポレーテッド Photopolymerizable, photocleavable resin and low shrinkage, low stress composite composition

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