JP2006077273A - Conductive pattern material, its manufacturing method, and pdp - Google Patents

Conductive pattern material, its manufacturing method, and pdp Download PDF

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Koichi Kawamura
浩一 川村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive pattern material having excellent adhesiveness of an ITO film to a metal film and straightness, and applicable to a lamination type electrode or wire capable of realizing higher precision, and its manufacturing method, and to provide a PDP (plasma display panel) having the conductive pattern material to constitute a lamination type electrode without any disconnection or short circuit as a compound electrode and capable of realizing higher precision. <P>SOLUTION: In the conductive pattern material, graft polymer is directly coupled with a surface of an ITO film provided on a substrate in a pattern shape to deposit the conductive material on the graft polymer. The conductive pattern material manufacturing method comprises a step of providing the ITO film on the substrate, a step of directly coupling graft polymer on the surface of the ITO film, and a step of depositing the conductive material on the graft polymer, and further comprises a step of patterning the ITO film before or after the step of directly coupling the graft polymer. The conductive pattern material obtained by the manufacturing method is applied to the PDP. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ITO膜と金属膜とによる積層型の配線や電極に好適な、導電性パターン材料、導電性パターン材料の製造方法、及びそれを用いたPDPに関する。   The present invention relates to a conductive pattern material, a method for producing a conductive pattern material, and a PDP using the conductive pattern material, which are suitable for laminated wiring and electrodes made of an ITO film and a metal film.

近年、平面表示装置は、薄型、軽量、低消費電力の特徴を生かして、パーソナル・コンピュータ、ワードプロセッサ或いはTV等の表示装置として、更に、投射型の表示装置として各種分野で利用されている。
これらの平面表示装置には、基板上の所望の領域にITO膜を設け、そのITO膜上に、抵抗値を低くするために、更に、金、白金、銅などの金属により被膜を形成したり、それらの金属膜を重ねてなる、積層型の電極や配線が多く使用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, flat display devices are used in various fields as display devices for personal computers, word processors, TVs, and the like, and as projection display devices, taking advantage of the characteristics of thinness, light weight, and low power consumption.
In these flat display devices, an ITO film is provided in a desired region on the substrate, and a film is further formed on the ITO film with a metal such as gold, platinum, or copper in order to reduce the resistance value. In many cases, stacked electrodes and wirings formed by stacking these metal films are used.

例えば、平面表示装置の1つであるプラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」と称する。)では、前面ガラス基板に設けられる複合電極がその例である。PDPにおける複合電極は、透明ITO電極のみでは抵抗値が高く、電極として使えないため、抵抗値を低くするために、透明ITO電極上に金属電極であるバス電極を形成したものである。
また、平面表示装置の1つである液晶表示素子では、基板上に駆動ICチップをCOG方式により実装してなる場合に、その駆動ICチップの入出力配線として、ITO配線上に金属による被膜を形成したものが使用される。この駆動ICチップの入出力配線は、所望のパターン状に形成されたITO配線上に、抵抗値をより小さくするために、金属被覆を形成してなるものである。
For example, in a plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP”) which is one of flat display devices, a composite electrode provided on a front glass substrate is an example. The composite electrode in the PDP has a high resistance value only with a transparent ITO electrode and cannot be used as an electrode. Therefore, in order to reduce the resistance value, a bus electrode which is a metal electrode is formed on the transparent ITO electrode.
Further, in a liquid crystal display element which is one of flat display devices, when a driving IC chip is mounted on a substrate by a COG method, a metal film is formed on the ITO wiring as an input / output wiring of the driving IC chip. The formed one is used. The input / output wiring of this driving IC chip is formed by forming a metal coating on the ITO wiring formed in a desired pattern in order to reduce the resistance value.

これらの電極や配線は、まず、ITOを、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、CVD法等で成膜を行う。そして、この薄膜をフォトリソ工程を用いて所望のパターンにパターニングを行って、所望のパターン状のITO膜を形成した後、金属膜を形成する。金属膜の材料としては、導電性が良く且つ腐食性に優れた、Ag、Au、Ni、Al、Pt、Cu、及びこれらの合金などや、これらを含有する金属ペーストが用いられる。これら金属材料をパターニングされたITO膜上に成膜或いは塗布する。成膜方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、CVD法があり、塗布方法としては、スクリーン印刷、ブレードコート、ダイコート、ディスペンサーによるコーティングなどがある。続いて、金属ペーストを塗布した後は、焼成工程が行われる。その後、金属材料を所望のパターンにパターニングすることで、ITO膜及び金属膜の積層型の電極や配線が得られる。
なお、ITO膜と金属膜とを積層した後、金属膜、ITO膜の順番でパターニングすることでも、積層型の電極や配線を得ることができる。
These electrodes and wirings are first formed of ITO by sputtering, ion plating, vacuum deposition, CVD, or the like. Then, this thin film is patterned into a desired pattern using a photolithography process to form an ITO film having a desired pattern, and then a metal film is formed. As a material for the metal film, Ag, Au, Ni, Al, Pt, Cu, and alloys thereof having good conductivity and excellent corrosivity, and metal pastes containing these are used. These metal materials are formed or coated on the patterned ITO film. Examples of film forming methods include sputtering, ion plating, vacuum deposition, and CVD. Examples of coating methods include screen printing, blade coating, die coating, and coating with a dispenser. Then, after apply | coating a metal paste, a baking process is performed. Thereafter, by patterning the metal material into a desired pattern, a stacked electrode or wiring of the ITO film and the metal film can be obtained.
In addition, after laminating | stacking an ITO film | membrane and a metal film, a laminated electrode and wiring can be obtained also by patterning in order of a metal film and an ITO film | membrane.

しかしながら、このようなITO膜と金属膜との積層体は、界面の密着性が悪いという欠点があった。ITO膜と金属膜との間の密着性が低い場合、断線の懸念や十分な導電性が得られないなどの問題が発生する。そのため、一般的に、ITO膜上に、予め、クロム蒸着膜を形成し、このクロム蒸着膜上に、更に、金属膜を形成する方法が取られていた。この方法によれば、ITO膜と金属膜との間にある程度の密着性が付与されるが、クロム蒸着工程を必要とすることから、コストアップしてしまうという課題を有していた。そのため、クロム蒸着工程を必要とすることなく、ITO膜と金属膜との密着性に優れた積層型の電極や配線が望まれているのが現状である。
また、金属膜を形成する際に金属ペーストを用いる場合には焼成工程が必要となるが、金属ペースト中の金属粒子の粒子径が大きいと、この焼成工程を経て得られる電極や配線は直線性が極めて悪いという問題をも有していた。
However, such a laminate of an ITO film and a metal film has a drawback of poor interface adhesion. When the adhesion between the ITO film and the metal film is low, problems such as fear of disconnection and insufficient electrical conductivity occur. Therefore, generally, a method has been employed in which a chromium vapor deposition film is formed in advance on the ITO film, and a metal film is further formed on the chromium vapor deposition film. According to this method, a certain degree of adhesion is imparted between the ITO film and the metal film, but since a chromium vapor deposition step is required, there is a problem that the cost increases. Therefore, the present situation is that a stacked electrode or wiring having excellent adhesion between the ITO film and the metal film is desired without requiring a chromium vapor deposition step.
In addition, when a metal paste is used when forming a metal film, a firing step is required. However, if the particle size of the metal particles in the metal paste is large, the electrodes and wiring obtained through this firing step are linear. Also had the problem of being extremely bad.

一方、これらの積層型の電極や配線を備えた平面表示装置に対し、小型化、高精細化、及び高密度化に対する要求が高まっており、これに伴って、かかる平面表示装置に用いられる導体回路における配線パターンの微細化(高精細化)技術の向上が望まれている。そのため、ITO膜と金属膜との積層型の電極や配線にも微細化、高解像度化が望まれているが、上述のように金属膜をパターニングする際に、金属膜の残留が生じ、その残留金属膜に起因して配線間の短絡を生じるという問題を有していた。   On the other hand, there is an increasing demand for miniaturization, high definition, and high density for flat display devices including these stacked electrodes and wirings. Accordingly, conductors used in such flat display devices are increasing. There is a demand for improvement in miniaturization (high definition) technology of wiring patterns in circuits. Therefore, miniaturization and high resolution are also desired for stacked electrodes and wirings of ITO film and metal film, but when the metal film is patterned as described above, the metal film remains, Due to the residual metal film, there is a problem that a short circuit between the wirings occurs.

本発明は、前記従来技術における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の第1の目的は、ITO膜と金属膜との密着性、かつ、直線性に優れ、更に高精細化が可能な積層型の電極や配線に適用しうる導電性パターン材料、及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、断線や短絡のない積層型の電極を構成する導電性パターン材料を複合電極として備え、高精細化が可能なPDPを提供することにある。
An object of the present invention is to solve various problems in the prior art and achieve the following objects.
That is, the first object of the present invention is to provide a conductive pattern material that can be applied to stacked electrodes and wiring that are excellent in adhesion and linearity between the ITO film and the metal film, and that can be further refined. And a manufacturing method thereof.
A second object of the present invention is to provide a PDP that is provided with a conductive pattern material constituting a laminated electrode without disconnection or short-circuiting as a composite electrode, and can achieve high definition.

本発明は、上記従来の技術の欠点を考慮してなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object thereof is to achieve the following object.

即ち、本発明の導電性パターン材料は、基板上にパターン状に設けられたITO膜表面に、グラフトポリマーを直接結合させて、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させてなることを特徴とする。
また、本発明の導電性パターン材料の製造方法は、基板上にITO膜を設ける工程と、該ITO膜表面にグラフトポリマーを直接結合させる工程と、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程と、を有し、前記グラフトポリマーを直接結合させる工程の前又は後に、前記ITO膜をパターニングする工程を有することを特徴とする。
That is, the conductive pattern material of the present invention is characterized in that the graft polymer is directly bonded to the ITO film surface provided in a pattern on the substrate, and the conductive material is attached to the graft polymer. .
The method for producing a conductive pattern material of the present invention includes a step of providing an ITO film on a substrate, a step of directly bonding a graft polymer to the surface of the ITO film, and a step of attaching a conductive material to the graft polymer. And having a step of patterning the ITO film before or after the step of directly bonding the graft polymer.

また、本発明の導電性パターン材料の製造方法においては、グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程が、以下に挙げる(1)〜(4)のいずれかの方法からなることが好ましい。
(1)グラフトポリマーに導電性粒子を吸着させる方法。
(2)グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解メッキを行う方法。
(3)グラフトポリマーに金属イオン又は金属塩を吸着させた後、該金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元させる方法。
(4)グラフトポリマーに導電性モノマーを吸着させた後、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する方法。
Moreover, in the manufacturing method of the electroconductive pattern material of this invention, it is preferable that the process of attaching an electroconductive material to a graft polymer consists of the method in any one of (1)-(4) mentioned below.
(1) A method of adsorbing conductive particles on a graft polymer.
(2) A method of performing electroless plating after adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to a graft polymer.
(3) A method in which a metal ion or metal salt is adsorbed on the graft polymer, and then the metal ion in the metal ion or metal salt is reduced.
(4) A method of forming a conductive polymer layer by causing a polymerization reaction after adsorbing a conductive monomer to a graft polymer.

本発明のPDPは、本発明の導電性パターン材料の製造方法で得られた導電性パターン材料を複合電極として備えたことを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置は、基板上に駆動ICチップをCOG方式により実装してなる液晶表示装置であって、本発明の導電性パターン材料の製造方法で得られた導電性パターン材料を、前記駆動ICチップの入出力配線として備えたことを特徴とする。
The PDP of the present invention is characterized in that the conductive pattern material obtained by the method for producing a conductive pattern material of the present invention is provided as a composite electrode.
Further, the liquid crystal display device of the present invention is a liquid crystal display device in which a driving IC chip is mounted on a substrate by a COG method, and the conductive pattern material obtained by the method for producing a conductive pattern material of the present invention is used. , And provided as input / output wiring of the drive IC chip.

本発明によれば、ITO膜と金属膜との密着性、かつ、直線性に優れ、更に高精細化が可能な積層型の電極や配線に適用しうる導電性パターン材料、及びその製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、断線や短絡のない積層型の電極を構成する導電性パターン材料を複合電極として備え、高精細化が可能なPDPを提供することができる。
According to the present invention, there is provided a conductive pattern material that can be applied to a laminated electrode or wiring that is excellent in adhesion and linearity between an ITO film and a metal film and that can be further refined, and a method for manufacturing the same. Can be provided.
In addition, according to the present invention, it is possible to provide a PDP that is provided with a conductive pattern material that constitutes a stacked electrode without disconnection or short circuit as a composite electrode, and that can achieve high definition.

以下、本発明について詳細に説明する。
≪導電性パターン材料、及び、導電性パターン材料の製造方法≫
本発明の導電性パターン材料は、基板上にパターン状に設けられたITO膜表面に、グラフトポリマーを直接結合させて、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させてなることを特徴とする。
また、本発明の導電性パターン材料の製造方法は、基板上にITO膜を設ける工程(以下、適宜、「ITO膜形成工程」と称する。)と、該ITO膜表面にグラフトポリマーを直接結合させる工程(以下、適宜、「グラフトポリマー生成工程」と称する。)と、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程(以下、適宜、「導電性材料付着工程」と称する。)と、前記グラフトポリマー生成工程の前又は後に、前記ITO膜をパターニングする工程(以下、適宜、「ITO膜パターニング工程」)を有することを特徴とする。
以下、本発明の導電性パターン材料を得るために経るプロセスは、本発明の導電性パターン材料の製造方法の各工程と同様であるため、以下にまとめて説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
≪Conductive pattern material and method for producing conductive pattern material≫
The conductive pattern material of the present invention is characterized in that a graft polymer is directly bonded to the surface of an ITO film provided in a pattern on a substrate, and the conductive material is adhered to the graft polymer.
The method for producing a conductive pattern material of the present invention includes a step of providing an ITO film on a substrate (hereinafter referred to as “ITO film forming step” as appropriate) and a graft polymer directly bonded to the surface of the ITO film. A step (hereinafter referred to as “graft polymer generation step” as appropriate), a step of attaching a conductive material to the graft polymer (hereinafter referred to as “conductive material attachment step” as appropriate), and the graft polymer. Before or after the generating step, the method has a step of patterning the ITO film (hereinafter, referred to as “ITO film patterning step” as appropriate).
Hereinafter, since the process which passes through in order to obtain the electroconductive pattern material of this invention is the same as that of each process of the manufacturing method of the electroconductive pattern material of this invention, it demonstrates collectively below.

<ITO膜形成工程>
本工程では、基板表面全体にITO膜を設ける。この方法としては、従来公知の方法を適用することができる。具体的には、まず、基板上に、ITOを、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、CVD法等で成膜する方法が挙げられる。
この得られたITO膜は、そのまま、又は、パターニングされた後(即ち、後述するITO膜パターニング工程を経た後)、以下のグラフトポリマー生成工程に供される。
ここで、ITO膜が設けられる基板としては、例えば、ガラス、無アルカリガラス、石英ガラスからなるガラス基板等が挙げられる。
<ITO film formation process>
In this step, an ITO film is provided on the entire substrate surface. As this method, a conventionally known method can be applied. Specifically, first, a method of forming a film of ITO on a substrate by a sputtering method, an ion plating method, a vacuum evaporation method, a CVD method, or the like can be given.
The obtained ITO film is subjected to the following graft polymer generation step as it is or after being patterned (that is, after undergoing an ITO film patterning step described later).
Here, as a board | substrate with which an ITO film | membrane is provided, the glass substrate etc. which consist of glass, an alkali free glass, quartz glass etc. are mentioned, for example.

<グラフトポリマー生成工程>
本工程においては、ITO膜表面にグラフトポリマーを生成させることができれば、如何なる方法を用いてもよい。
本発明においては、ITO膜表面全体に重合開始能を有する化合物を結合させた後、所望のパターン状にエネルギーを付与して、かかる化合物が有する重合開始部位を活性化させて、そこを起点としてグラフトポリマーを生成させる態様が好ましく用いられる。
この態様について詳細に述べる。
<Graft polymer production process>
In this step, any method may be used as long as a graft polymer can be generated on the ITO film surface.
In the present invention, after a compound having a polymerization initiating ability is bonded to the entire ITO film surface, energy is applied in a desired pattern to activate the polymerization initiating site of the compound, and that is the starting point. An embodiment in which a graft polymer is formed is preferably used.
This aspect will be described in detail.

この態様に適用しうる重合開始能を有する化合物としては、例えば、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位(Y)とITO結合部位(Q)とを有する化合物(以下、適宜「光開裂化合物(Q−Y)」と称する。)等が挙げられる。
ここで、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位(以下、単に「重合開始部位(Y)」と称する。)は、光により開裂しうる単結合を含む構造である。
この光により開裂する単結合としては、カルボニルのα開裂、β開裂反応、光フリー転位反応、フェナシルエステルの開裂反応、スルホンイミド開裂反応、スルホニルエステル開裂反応、N−ヒドロキシスルホニルエステル開裂反応、ベンジルイミド開裂反応、活性ハロゲン化合物の開裂反応、などを利用して開裂が可能な単結合が挙げられる。これらの反応により、光により開裂しうる単結合が切断される。この開裂しうる単結合としては、C−C結合、C−N結合、C−O結合、C−Cl結合、N−O結合、及びS−N結合等が挙げられる。
Examples of the compound having a polymerization initiating ability applicable to this embodiment include a compound having a polymerization initiation site (Y) capable of initiating radical polymerization by photocleavage and an ITO binding site (Q) (hereinafter referred to as “photocleavage” as appropriate). Compound (QY) ") and the like.
Here, the polymerization initiation site where radical polymerization can be initiated by photocleavage (hereinafter simply referred to as “polymerization initiation site (Y)”) is a structure containing a single bond that can be cleaved by light.
As the single bond that is cleaved by this light, carbonyl α-cleavage, β-cleavage reaction, light-free rearrangement reaction, phenacyl ester cleavage reaction, sulfonimide cleavage reaction, sulfonyl ester cleavage reaction, N-hydroxysulfonyl ester cleavage reaction, benzyl Examples thereof include a single bond that can be cleaved using an imide cleavage reaction, a cleavage reaction of an active halogen compound, and the like. These reactions break a single bond that can be cleaved by light. Examples of the single bond that can be cleaved include a C—C bond, a C—N bond, a C—O bond, a C—Cl bond, a N—O bond, and a S—N bond.

また、これらの光により開裂しうる単結合を含む重合開始部位(Y)は、グラフトポリマー生成工程におけるグラフト重合の起点となることから、光により開裂しうる単結合が開裂すると、その開裂反応によりラジカルを発生させる機能を有する。このように、光により開裂しうる単結合を有し、かつ、ラジカルを発生可能な重合開始部位(Y)の構造としては、以下に挙げる基を含む構造が挙げられる。
即ち、芳香族ケトン基、フェナシルエステル基、スルホンイミド基、スルホニルエステル基、N−ヒドロキシスルホニルエステル基、ベンジルイミド基、トリクロロメチル基、ベンジルクロライド基、などである。
In addition, since the polymerization initiation site (Y) containing a single bond that can be cleaved by light is the starting point of graft polymerization in the graft polymer production step, when the single bond that can be cleaved by light is cleaved, the cleavage reaction causes Has the function of generating radicals. As described above, examples of the structure of the polymerization initiation site (Y) having a single bond that can be cleaved by light and capable of generating radicals include structures containing the following groups.
That is, aromatic ketone group, phenacyl ester group, sulfonimide group, sulfonyl ester group, N-hydroxysulfonyl ester group, benzylimide group, trichloromethyl group, benzyl chloride group, and the like.

このような重合開始部位(Y)は、露光により開裂して、ラジカルが発生すると、そのラジカル周辺に重合性化合物が存在する場合には、このラジカルがグラフト重合反応の起点として機能し、グラフトポリマーを生成することができる。
このため、表面に光開裂化合物(Q−Y)が導入されたITO膜表面にグラフトポリマーを生成させる場合には、エネルギー付与手段として、重合開始部位(Y)を開裂させうる波長での露光を用いることが必要である。
When such a polymerization initiation site (Y) is cleaved by exposure and a radical is generated, when a polymerizable compound is present in the vicinity of the radical, this radical functions as a starting point for the graft polymerization reaction. Can be generated.
For this reason, when a graft polymer is generated on the surface of the ITO film having the photocleavable compound (QY) introduced on the surface, exposure at a wavelength capable of cleaving the polymerization initiation site (Y) is performed as an energy imparting means. It is necessary to use it.

また、ITO結合部位(Q)としては、ITO膜表面に存在する官能基(Z)と反応して結合しうる反応性基で構成され、その反応性基としては、具体的には、以下に示すような基が挙げられる。   The ITO binding site (Q) is composed of a reactive group capable of reacting with and binding to the functional group (Z) present on the ITO film surface. Specific examples of the reactive group include the following: Groups as shown.

Figure 2006077273
Figure 2006077273

重合開始部位(Y)と、ITO結合部位(Q)と、は直接結合していてもよいし、連結基を介して結合していてもよい。この連結基としては、炭素、窒素、酸素、及びイオウからなる群より選択される原子を含む連結基が挙げられ、具体的には、例えば、飽和炭素基、芳香族基、エステル基、アミド基、ウレイド基、エーテル基、アミノ基、スルホンアミド基、等が挙げられる。また、この連結基は更に置換基を有していてもよく、その導入可能な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、等が挙げられる。   The polymerization initiation site (Y) and the ITO binding site (Q) may be directly bonded or may be bonded via a linking group. Examples of the linking group include a linking group containing an atom selected from the group consisting of carbon, nitrogen, oxygen, and sulfur. Specifically, for example, a saturated carbon group, an aromatic group, an ester group, an amide group. Ureido group, ether group, amino group, sulfonamide group, and the like. The linking group may further have a substituent, and examples of the substituent that can be introduced include an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen atom.

ITO結合部位(Q)と、重合開始部位(Y)と、を有する化合物(Q−Y)の具体例〔例示化合物1〜例示化合物16〕を、開裂部と共に以下に示すが、本発明はこれらに制限されるものではない。   Specific examples [Exemplary Compound 1 to Exemplified Compound 16] of the compound (QY) having an ITO binding site (Q) and a polymerization initiation site (Y) are shown below together with the cleavage portion. It is not limited to.

Figure 2006077273
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Figure 2006077273
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Figure 2006077273
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ここで、本発明において用いられるITO膜表面には、その材質に起因して、水酸基(官能基(Z))がもともと存在している。そのため、ITOパターン上に光開裂化合物(Q−Y)を接触させ、ITOパターン表面に存在する官能基(Z)と、ITO結合部位(Q)と、を結合させることで、ITOパターン表面表面に光開裂化合物(Q−Y)が容易に導入される。
なお、ITO膜表面に存在する官能基(Z)は、ITOパターン表面にコロナ処理などの表面処理を施すことにより表面に存在させたものであってもよい。
Here, a hydroxyl group (functional group (Z)) originally exists on the surface of the ITO film used in the present invention due to its material. Therefore, the photocleavable compound (QY) is brought into contact with the ITO pattern, and the functional group (Z) present on the surface of the ITO pattern and the ITO binding site (Q) are bonded to the surface of the ITO pattern. The photocleavable compound (QY) is easily introduced.
The functional group (Z) present on the surface of the ITO film may be present on the surface of the ITO pattern surface by performing a surface treatment such as corona treatment.

光開裂化合物(Q−Y)をITO膜表面に存在する官能基(Z)に結合させる具体的な方法としては、光開裂化合物(Q−Y)を、トルエン、ヘキサン、アセトンなどの適切な溶媒に溶解又は分散し、その溶液又は分散液をITO膜表面に塗布する方法、又は、溶液又は分散液中にITO膜を有する基板を浸漬する方法などを適用すればよい。これらの方法により、表面に光開裂化合物(Q−Y)が導入されたITO膜が得られる。
このとき、溶液中又は分散液の光開裂化合物(Q−Y)の濃度としては、0.01質量%〜30質量%が好ましく、特に0.1質量%〜15質量%であることが好ましい。接触させる場合の液温としては、0℃〜100℃が好ましい。接触時間としては、1秒〜50時間が好ましく、10秒〜10時間がより好ましい。
As a specific method for bonding the photocleavable compound (QY) to the functional group (Z) present on the surface of the ITO film, the photocleavable compound (QY) is mixed with an appropriate solvent such as toluene, hexane, acetone or the like. Or a method in which the solution or dispersion is applied to the surface of the ITO film, or a method in which a substrate having the ITO film is immersed in the solution or dispersion may be applied. By these methods, an ITO film having a photocleavable compound (QY) introduced on the surface can be obtained.
At this time, the concentration of the photocleavable compound (QY) in the solution or in the dispersion is preferably 0.01% by mass to 30% by mass, and particularly preferably 0.1% by mass to 15% by mass. As a liquid temperature in the case of making it contact, 0 to 100 degreeC is preferable. The contact time is preferably 1 second to 50 hours, and more preferably 10 seconds to 10 hours.

以上のようにして得られた、光開裂化合物(Q−Y)が導入されたITO膜表面にグラフトポリマーを生成させる場合には、ITO膜表面全体にグラフトポリマーを生成させてもよいし、また、ITO膜表面の一部にグラフトポリマーを生成させてもよい。即ち、ITO膜表面であって、金属膜を形成したい領域に対してのみグラフトポリマーを生成させればよい。
その方法としては、ITO膜表面に重合性化合物を接触させ、金属膜を形成したい領域に対してパターン露光することで、露光部の重合開始部位(Y)を開裂させ、そこを起点としてグラフトポリマーを生成させる方法が用いられる。
When the graft polymer is generated on the surface of the ITO film into which the photocleavable compound (QY) is obtained as described above, the graft polymer may be generated on the entire surface of the ITO film. A graft polymer may be formed on a part of the ITO film surface. That is, it is only necessary to generate the graft polymer only on the region on the ITO film surface where the metal film is to be formed.
As the method, a polymerizable compound is brought into contact with the surface of the ITO film, and pattern exposure is performed on the region where the metal film is to be formed, whereby the polymerization start site (Y) of the exposed portion is cleaved, and the graft polymer is started from there. Is used.

また、以下の方法にて、ITO膜表面の所望の領域にグラフトポリマーを生成させることもできる。
まず、光開裂化合物(Q−Y)が導入されたITO膜表面に、予め、グラフトポリマーを生成させたくない領域に沿ってパターン露光を行い、ITO膜表面に結合している化合物(Q−Y)を光開裂させて重合開始能を失活させる。これにより、ITO膜表面には、重合開始可能領域と重合開始能失活領域とが形成される。そして、重合開始可能領域と重合開始能失活領域とが形成されたITO膜表面に、重合性化合物を接触させた後、全面露光(ITO表面全体を露光する)することで、重合開始可能領域にのみにグラフトポリマーが生成し、結果的に、ITO膜表面の所望の領域にグラフトポリマーが生成される。
なお、本発明において、基板の表面であってITO膜が形成されていない領域(基板表面露出部)が存在し、その基板露出面に対しても光開裂化合物(Q−Y)が導入されている場合、上記のようにパターン露光を行い、重合開始能を失活させることで、グラフトポリマーが所望されない箇所に生成されることを防止することができる。
In addition, a graft polymer can be generated in a desired region on the surface of the ITO film by the following method.
First, the surface of the ITO film into which the photocleavable compound (QY) has been introduced is subjected to pattern exposure in advance along the region where the graft polymer is not desired to be generated, and the compound (QY) bonded to the ITO film surface. ) Is photocleavaged to deactivate the polymerization initiating ability. Thereby, a polymerization startable region and a polymerization initiating ability deactivated region are formed on the surface of the ITO film. Then, after bringing the polymerizable compound into contact with the ITO film surface on which the polymerization startable region and the polymerization initiating ability deactivation region are formed, the entire surface is exposed (exposing the entire ITO surface), thereby allowing the polymerization startable region. As a result, a graft polymer is formed only in the region, and as a result, a graft polymer is formed in a desired region on the surface of the ITO film.
In the present invention, there is a region (substrate surface exposed portion) where the ITO film is not formed on the surface of the substrate, and the photocleavable compound (QY) is also introduced into the substrate exposed surface. When it exists, it can prevent that a graft polymer is produced | generated in the location where it is not desired by performing pattern exposure as mentioned above and deactivating polymerization initiation ability.

上述のようにしてグラフトポリマーを生成させるには、本発明においては、重合性化合物を単体で、又は、溶媒に分散或いは溶解させた状態で光開裂化合物(Q−Y)が導入されたITO膜表面に接触させることが必要である。この接触方法としては、ITO膜を有する基板を、重合性化合物含有の液状組成物中に浸漬することで行ってもよいが、取り扱い性や製造効率の観点からは、ITO膜表面に、該重合性化合物をそのまま接触させるか、重合性化合物含有の液状組成物を塗布して塗膜を形成する方法、更には、その塗膜を乾燥して、ITO膜表面に重合性化合物を含有する層(グラフトポリマー前駆体層)を形成することにより行うことが好ましい。   In order to produce a graft polymer as described above, in the present invention, an ITO film into which a photocleavable compound (QY) is introduced in a state where a polymerizable compound is used alone or dispersed or dissolved in a solvent. It is necessary to contact the surface. As this contact method, a substrate having an ITO film may be immersed in a liquid composition containing a polymerizable compound, but from the viewpoint of handleability and production efficiency, the polymerization is performed on the surface of the ITO film. A method of forming a coating film by contacting the polymerizable compound as it is or by applying a liquid composition containing a polymerizable compound, and further drying the coating film to contain a layer containing the polymerizable compound on the ITO film surface ( It is preferably carried out by forming a graft polymer precursor layer).

(重合性化合物)
次に、本発明において用いられる重合性化合物について説明する。
本発明において用いられる重合性化合物としては、モノマー、マクロモノマー、或いは重合性基を有する高分子化合物のいずれも用いることができる。これらの重合性化合物は公知のものを任意に使用することができる。
これらのうち、本発明において特に有用な重合性化合物としては、後述する導電性材料付着工程において使用される態様により、適宜、選択される。つまり、生成したグラフトポリマーに対し導電性素材を効率よく、容易に、高密度で、保持させるために、導電性素材と直接相互作用を形成しうる官能基、又は、導電性素材を効率よく保持するために用いる材料と相互作用を形成しうる官能基を有する重合性化合物を用いることが好ましい。
以下、導電性素材と直接相互作用を形成しうる官能基、及び、導電性素材を効率よく保持するために用いる材料と相互作用を形成しうる官能基を、総じて相互作用性基として説明する。
この相互作用性基としては、例えば、極性基が挙げられる。この極性基の中でも、親水性基が好ましく、より具体的には、アンモニウム、ホスホニウなどの正の荷電を有する官能基、スルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、ホスソン酸基などの負の荷電を有する官能基、その他にも、例えば、水酸基、アミド基、スルホンアミド基、アルコキシ基、シアノ基などの非イオン性基が挙げられる。
以下、グラフトポリマー生成工程において好適に用いられる相互作用性基を有する重合性化合物について具体的に説明する。
(Polymerizable compound)
Next, the polymerizable compound used in the present invention will be described.
As the polymerizable compound used in the present invention, any of a monomer, a macromonomer, and a polymer compound having a polymerizable group can be used. As these polymerizable compounds, known compounds can be arbitrarily used.
Among these, the polymerizable compound particularly useful in the present invention is appropriately selected depending on the mode used in the conductive material adhesion step described later. In other words, in order to hold the conductive material efficiently, easily and at a high density with respect to the generated graft polymer, functional groups that can directly interact with the conductive material or the conductive material are efficiently held. It is preferable to use a polymerizable compound having a functional group capable of forming an interaction with the material used for the purpose.
Hereinafter, the functional group that can directly interact with the conductive material and the functional group that can form an interaction with the material used for efficiently holding the conductive material will be generally described as an interactive group.
Examples of the interactive group include a polar group. Among these polar groups, a hydrophilic group is preferable, and more specifically, a negatively charged group such as a functional group having a positive charge such as ammonium or phosphoni, a sulfonic acid group, a carboxyl group, a phosphoric acid group, or a phossonic acid group. In addition to the functional group having a non-ionic group, for example, a hydroxyl group, an amide group, a sulfonamide group, an alkoxy group, a cyano group, and the like can be given.
Hereinafter, the polymerizable compound having an interactive group that is preferably used in the graft polymer production step will be described in detail.

本発明に用いうる相互作用性基を有する重合性化合物としてのモノマーは、具体的には、例えば、(メタ)アクリル酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、イタコン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、スチレンスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−スルホエチル(メタ)アクリレート若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、ポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、N−モノメチロール(メタ)アクリルアミド、N−ジメチロール(メタ)アクリルアミド、アリルアミン若しくはそのハロゲン化水素酸塩、、N−ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール、ビニルピリジン、ビニルチオフェン、スチレン、エチル(メタ)アクリル酸エステル、n-ブチル(メタ)アクリル酸エステルなど炭素数1〜24までのアルキル基を有する(メタ)アクリル酸エステルなどを挙げることができる。   Specific examples of the monomer as the polymerizable compound having an interactive group that can be used in the present invention include (meth) acrylic acid or an alkali metal salt and amine salt thereof, itaconic acid or an alkali metal salt and amine salt thereof. Styrene sulfonic acid or its alkali metal salt and amine salt, 2-sulfoethyl (meth) acrylate or its alkali metal salt and amine salt, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid or its alkali metal salt and amine salt, acid phospho Oxypolyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate or alkali metal salts and amine salts thereof, polyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) acrylamide, N-monomethylo (Meth) acrylamide, N-dimethylol (meth) acrylamide, allylamine or its hydrohalide, N-vinylpyrrolidone, vinylimidazole, vinylpyridine, vinylthiophene, styrene, ethyl (meth) acrylate, n-butyl Examples include (meth) acrylic acid esters having an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms such as (meth) acrylic acid esters.

本発明に用いうる相互作用性基を有する重合性化合物としてのマクロモノマーは、前記モノマーを用いて公知の方法にて作製することができる。本態様に用いられるマクロモノマーの製造方法は、例えば、平成1年9月20日にアイピーシー出版局発行の「マクロモノマーの化学と工業」(編集者 山下雄也)の第2章「マクロモノマーの合成」に各種の製法が提案されている。
このようなマクロモノマーの有用な重量平均分子量は、500〜50万の範囲であり、特に好ましい範囲は1000〜5万である。
The macromonomer as the polymerizable compound having an interactive group that can be used in the present invention can be prepared by a known method using the monomer. The method for producing the macromonomer used in this embodiment is described in, for example, Chapter 2 of “Macromonomer Chemistry and Industry” (Editor, Yuya Yamashita) published on September 20, 1999, published by the IP Publishing Department. Various production methods have been proposed in “Synthesis”.
The useful weight average molecular weight of such a macromonomer is in the range of 500 to 500,000, with a particularly preferred range being 1000 to 50,000.

本発明に用いうる相互作用性基を有する重合性化合物としての高分子化合物とは、相互作用性基と、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリル基などのエチレン付加重合性不飽和基(重合性基)と、を導入したポリマーを指す。このポリマーは、少なくとも末端又は側鎖にエチレン付加重合性不飽和基を有するものであり、側鎖にエチレン付加重合性不飽和基を有するものがより好ましく、末端及び側鎖にエチレン付加重合性不飽和基を有するものが更に好ましい。
このような高分子化合物の有用な重量平均分子量は、500〜50万の範囲で、特に好ましい範囲は1000〜5万である。
The polymer compound as the polymerizable compound having an interactive group that can be used in the present invention is an interactive group and an ethylene addition polymerizable unsaturated group (polymerization) such as a vinyl group, an allyl group, or a (meth) acryl group. A functional group). This polymer has an ethylene addition polymerizable unsaturated group at least at the terminal or side chain, more preferably has an ethylene addition polymerizable unsaturated group at the side chain, and has no ethylene addition polymerizable unsaturated group at the terminal and side chain. Those having a saturated group are more preferred.
The useful weight average molecular weight of such a polymer compound is in the range of 500 to 500,000, and a particularly preferred range is 1000 to 50,000.

相互作用性基と重合性基とを有する高分子化合物の合成方法としては、i)相互作用性基を有するモノマーと重合性基を有するモノマーとを共重合する方法、ii)相互作用性基を有するモノマーと重合性基前駆体を有するモノマーとを共重合させ、次に塩基などの処理により二重結合を導入する方法、iii)相互作用性基を有するポリマーと重合性基を有するモノマーとを反応させ、重合性基を導入する方法が挙げられる。
好ましい合成方法は、合成適性の観点から、ii)相互作用性基を有するモノマーと重合性基前駆体を有するモノマーとを共重合させ、次に塩基などの処理により重合性基を導入する方法、iii)相互作用性基を有するポリマーと重合性基を有するモノマーとを反応させ、重合性基を導入する方法である。
As a method for synthesizing a polymer compound having an interactive group and a polymerizable group, i) a method of copolymerizing a monomer having an interactive group and a monomer having a polymerizable group, ii) an interactive group A monomer having a polymerizable group precursor and a monomer having a polymerizable group precursor, and then introducing a double bond by treatment with a base or the like, iii) a polymer having an interactive group and a monomer having a polymerizable group The method of making it react and introduce | transducing a polymeric group is mentioned.
A preferred synthesis method is, from the viewpoint of synthesis suitability, ii) a method of copolymerizing a monomer having an interactive group and a monomer having a polymerizable group precursor, and then introducing a polymerizable group by treatment with a base, iii) A method of introducing a polymerizable group by reacting a polymer having an interactive group with a monomer having a polymerizable group.

上記i)及びii)の合成方法に用いられる相互作用性基を有するモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、イタコン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、より具体的には、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、N−モノメチロール(メタ)アクリルアミド、N−ジメチロール(メタ)アクリルアミド、アリルアミン若しくはそのハロゲン化水素酸塩、3−ビニルプロピオン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、ビニルスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、2−スルホエチル(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、N−ビニルピロリドン(下記構造)、スチレンスルホン酸ナトリウム、ビニル安息香酸等が挙げられ、一般的には、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、アミノ基若しくはそれらの塩、水酸基、アミド基、ホスフィン基、イミダゾール基、ピリジン基、若しくはそれらの塩、及びエーテル基などの官能基を有するモノマーが使用できる。   Examples of the monomer having an interactive group used in the synthesis methods i) and ii) include (meth) acrylic acid or an alkali metal salt and amine salt thereof, itaconic acid or an alkali metal salt and amine salt thereof, and the like. Specifically, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) acrylamide, N-monomethylol (meth) acrylamide, N-dimethylol (meth) acrylamide, allylamine or a hydrohalide thereof, 3-vinylpropionic acid Or alkali metal salts and amine salts thereof, vinylsulfonic acid or alkali metal salts and amine salts thereof, 2-sulfoethyl (meth) acrylate, polyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, Ashi Examples thereof include phosphooxypolyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate, N-vinylpyrrolidone (the following structure), sodium styrenesulfonate, vinylbenzoic acid, and the like. Generally, carboxyl group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, A monomer having an amino group or a salt thereof, a hydroxyl group, an amide group, a phosphine group, an imidazole group, a pyridine group, or a salt thereof, or a functional group such as an ether group can be used.

Figure 2006077273
Figure 2006077273

上記相互作用性基を有するモノマーと共重合する重合性基を有するモノマーとしては、アリル(メタ)アクリレート、2−アリルオキシエチルメタクリレートが挙げられる。
また、上記ii)の合成方法に用いられる重合性基前駆体を有するモノマーとしては、2−(3−クロロ−1−オキソプロポキシ)エチルメタクリレー卜や、特開2003−335814号公報に記載の化合物(i−1〜i−60)が使用することができ、これらの中でも、特に下記化合物(i−1)が好ましい。
Examples of the monomer having a polymerizable group that is copolymerized with the monomer having an interactive group include allyl (meth) acrylate and 2-allyloxyethyl methacrylate.
Moreover, as a monomer which has a polymeric group precursor used for the synthetic | combination method of said ii), 2- (3-chloro- 1-oxopropoxy) ethyl methacrylate [*], and Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-335814 are described. Compounds (i-1 to i-60) can be used, and among these, the following compound (i-1) is particularly preferable.

Figure 2006077273
Figure 2006077273

更に、上記iii)の合成方法に用いられる相互作用性基を有するポリマー中の、カルボキシル基、アミノ基若しくはそれらの塩、水酸基、及びエポキシ基などの官能基との反応を利用して、重合性基を導入するために用いられる重合性基を有するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸、グリシジル(メタ)アクリレート、アリルグリシジルエーテル、2−イソシアナトエチル(メタ)アクリレートなどがある。   Furthermore, polymerization is performed by utilizing a reaction with a functional group such as a carboxyl group, an amino group or a salt thereof, a hydroxyl group, and an epoxy group in the polymer having an interactive group used in the synthesis method of iii) above. Examples of the monomer having a polymerizable group used for introducing a group include (meth) acrylic acid, glycidyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether, and 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate.

上記ii)の合成方法における、相互作用性基を有するモノマーと重合性基前駆体を有するモノマーとを共重合させた後の、塩基などの処理により重合性基を導入する方法については、例えば、特開2003−335814号公報に記載の手法を用いることができる。   Regarding the method of introducing a polymerizable group by treatment with a base after copolymerizing a monomer having an interactive group and a monomer having a polymerizable group precursor in the synthesis method of ii), for example, The method described in JP2003-335814A can be used.

これらの重合性化合物を含有する液状組成物を構成する溶剤は、主成分である重合性化合物を溶解或いは分散することが可能であれば特に制限はないが、水、水溶性溶剤などの水性溶剤が好ましく、これらの混合物や、溶剤に更に界面活性剤を添加してもよい。
使用できる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルの如きアルコール系溶剤、酢酸の如き酸、アセトン、シクロヘキサノンの如きケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミドの如きアミド系溶剤、などが挙げられる。
The solvent constituting the liquid composition containing these polymerizable compounds is not particularly limited as long as the polymerizable compound as a main component can be dissolved or dispersed, but an aqueous solvent such as water or a water-soluble solvent. It is preferable that a surfactant may be further added to the mixture or the solvent.
Examples of the solvent that can be used include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol, glycerin and propylene glycol monomethyl ether, acids such as acetic acid, ketone solvents such as acetone and cyclohexanone, amides such as formamide and dimethylacetamide. System solvents, and the like.

また、この液状組成物に対し、必要に応じて添加することのできる界面活性剤は、溶剤に溶解するものであればよく、そのような界面活性剤としては、例えば、n−ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムの如きアニオン性界面活性剤や、n−ドデシルトリメチルアンモニウムクロライドの如きカチオン性界面活性剤、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル(市販品としては、例えば、エマルゲン910、花王(株)製など)、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート(市販品としては、例えば、商品名「ツイーン20」など)、ポリオキシエチレンラウリルエーテルの如き非イオン性界面活性剤等が挙げられる。   Further, the surfactant that can be added to the liquid composition as necessary may be any one that dissolves in a solvent. Examples of such a surfactant include n-dodecylbenzenesulfonic acid. Anionic surfactants such as sodium, cationic surfactants such as n-dodecyltrimethylammonium chloride, polyoxyethylene nonylphenol ether (commercially available products include, for example, Emulgen 910, manufactured by Kao Corporation), polyoxy Examples include ethylene sorbitan monolaurate (commercially available products such as “Tween 20”) and nonionic surfactants such as polyoxyethylene lauryl ether.

ITO膜表面に重合性化合物含有の液状組成物を塗布して塗膜を形成する方法を用いた場合には、その塗布量としては、充分な塗布膜を得る観点からは、固形分換算で0.1〜10g/m2が好ましく、特に0.5〜5g/m2が好ましい。
また、得られるグラフトポリマーからなる膜(グラフトポリマー膜)は、膜厚が0.1〜2.0g/m2の範囲にあることが好ましく、0.3〜1.0g/m2が更に好ましく、最も好ましくは、0.5〜1.0g/m2の範囲である。
When a method of forming a coating film by applying a liquid composition containing a polymerizable compound to the ITO film surface is used, the coating amount is 0 in terms of solid content from the viewpoint of obtaining a sufficient coating film. .1 to 10 g / m 2 is preferable, and 0.5 to 5 g / m 2 is particularly preferable.
Further, the film made of the resulting graft polymer (graft polymer layer) is preferably having a thickness in the range of 0.1 to 2.0 g / m 2, more preferably 0.3 to 1.0 g / m 2 The most preferable range is 0.5 to 1.0 g / m 2 .

(露光)
本工程において、グラフトポリマーを生成させるためのパターン露光、重合開始能を失活させるために行うパターン露光、更には、グラフトポリマーを生成させるために行う全面露光は、いずれも、前記重合開始部位(Y)において開裂を生じさせることのできる露光であれば特に制限はなく、紫外線による露光でも、可視光による露光でもよい。
露光に用いられる光源としては、紫外光、深紫外光、可視光、レーザー光等が挙げられ、具体的には、紫外光、i線、g線、KrF、ArFなどのエキシマレーザーが用いられる。中でも、好ましくは、i線、g線、エキシマレーザーである。
(exposure)
In this step, the pattern exposure for generating the graft polymer, the pattern exposure performed for deactivating the polymerization initiating ability, and the entire surface exposure performed for generating the graft polymer are all performed at the polymerization initiation site ( The exposure is not particularly limited as long as it can cause cleavage in Y), and may be exposure with ultraviolet rays or exposure with visible light.
Examples of the light source used for exposure include ultraviolet light, deep ultraviolet light, visible light, and laser light. Specifically, excimer lasers such as ultraviolet light, i-line, g-line, KrF, and ArF are used. Among these, i-line, g-line, and excimer laser are preferable.

本発明により形成されるパターン解像度は露光条件に左右される。つまり、グラフトポリマーを生成させるためのパターン露光、又は、重合開始能を失活させるために行うパターン露光において、高精細のパターン露光を施すことにより、露光に応じた高精細パターンが形成される。高精細パターン形成のための露光方法としては、光学系を用いた光ビーム走査露光、マスクを用いた露光などが挙げられ、所望のパターンの解像度に応じた露光方法をとればよい。
高精細パターン露光としては、具体的には、i線ステッパー、g線ステッパー、KrFステッパー、ArFステッパーのようなステッパー露光などが挙げられる。
なお、パターン露光におけるパターン形状は、所望される金属膜の形状に合わせて選択される。
The pattern resolution formed by the present invention depends on the exposure conditions. That is, a high-definition pattern corresponding to the exposure is formed by performing high-definition pattern exposure in pattern exposure for generating the graft polymer or pattern exposure performed for deactivating the polymerization initiating ability. Examples of the exposure method for forming a high-definition pattern include light beam scanning exposure using an optical system, exposure using a mask, and the like, and an exposure method corresponding to the resolution of a desired pattern may be taken.
Specific examples of the high-definition pattern exposure include stepper exposure such as i-line stepper, g-line stepper, KrF stepper, and ArF stepper.
The pattern shape in the pattern exposure is selected according to the desired shape of the metal film.

以上のようにしてグラフトポリマーの生成が行われた後、そのグラフトポリマー生成面を有する基板は、溶剤浸漬や溶剤洗浄などの処理が行われ、残存するホモポリマーを除去して、精製する。具体的には、水やアセトンによる洗浄、乾燥などが挙げられる。ホモポリマーの除去性の観点からは、超音波などの手段をとってもよい。精製後の基板は、その表面に残存するホモポリマーが完全の除去され、ITO基板と強固に結合したグラフトポリマーのみが存在することになる。   After the graft polymer is generated as described above, the substrate having the graft polymer generation surface is subjected to treatments such as solvent immersion and solvent washing, and the remaining homopolymer is removed and purified. Specifically, washing with water or acetone, drying and the like can be mentioned. From the viewpoint of homopolymer removability, means such as ultrasonic waves may be taken. In the purified substrate, the homopolymer remaining on the surface is completely removed, and only the graft polymer firmly bonded to the ITO substrate is present.

以上のようにして、ITO膜表面の所望の領域にグラフトポリマーが直接結合され、しかる後に、導電性材料付着工程が行われる。   As described above, the graft polymer is directly bonded to a desired region on the surface of the ITO film, and then a conductive material attaching step is performed.

<導電性材料付着工程>
本工程においては、グラフトポリマーに導電性材料を付着させて、ITO膜と金属膜とが積層してなる導電性パターンを形成する。具体的な方法としては、以下の4つの態様がある。
第1の態様としては、グラフトポリマーの相互作用性基(イオン性基)に対し導電性粒子を吸着させて導電性粒子吸着層を形成する方法である。
第2の態様としては、グラフトポリマーの相互作用性基に対し無電解メッキ触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解メッキを行いメッキ膜を形成する方法である。
第3の態様としては、グラフトポリマーの相互作用性基に対し金属イオン又は金属塩を吸着させた後、該金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元させて金属微粒子分散膜を形成する方法である。
第4の態様としては、グラフトポリマーの相互作用性基に対し導電性モノマーを吸着させた後、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する方法である。
以下、上記第1〜第4の態様について説明する。
<Conductive material adhesion process>
In this step, a conductive material is attached to the graft polymer to form a conductive pattern formed by laminating an ITO film and a metal film. Specific methods include the following four aspects.
The first aspect is a method of forming a conductive particle adsorption layer by adsorbing conductive particles to an interactive group (ionic group) of a graft polymer.
The second aspect is a method of forming a plating film by performing electroless plating after adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to an interactive group of a graft polymer.
A third aspect is a method in which a metal ion or metal salt is adsorbed to the interactive group of the graft polymer, and then the metal ion in the metal ion or metal salt is reduced to form a metal fine particle dispersed film. is there.
A fourth aspect is a method of forming a conductive polymer layer by causing a polymerization reaction to occur after adsorbing a conductive monomer to an interactive group of a graft polymer.
Hereinafter, the first to fourth aspects will be described.

(第1の態様:導電性粒子吸着層の形成)
導電性材料付着工程の第1の態様は、以下に説明する導電性粒子を、上記グラフトポリマーが有する相互作用性基、特に好ましくはイオン性基に対し、その極性に応じて、イオン的に吸着させて導電性粒子吸着層を形成する方法である。この方法により、ITO膜と導電性粒子吸着層とからなる導電性パターンが形成される。
ここで吸着させた導電性粒子はグラフトポリマーの相互作用性基と相互作用を形成して単分子膜状態や多層状態で固定されることで導電性粒子吸着層を形成するため、ITO膜と導電性粒子吸着層との密着性に優れると共に、充分な導電性を発現できるという利点を有する。
(First aspect: formation of conductive particle adsorption layer)
In the first aspect of the conductive material adhesion step, the conductive particles described below are adsorbed ionically according to their polarities with respect to the interactive group of the graft polymer, particularly preferably the ionic group. And forming a conductive particle adsorption layer. By this method, a conductive pattern composed of an ITO film and a conductive particle adsorption layer is formed.
The conductive particles adsorbed here form an interaction layer with the graft polymer interaction group and are fixed in a monomolecular film state or a multilayer state to form a conductive particle adsorption layer. In addition to being excellent in adhesion to the conductive particle adsorption layer, it has the advantage that sufficient conductivity can be expressed.

この第1の態様に適用し得る導電性粒子としては、導電性を有するものであれば特に制限はなく、公知の導電性材料からなる微粒子を任意に選択して用いることができる。例えば、Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Crなどの金属微粒子、In23、SnO2、ZnO、Cdo、TiO2、CdIn24、Cd2SnO2、Zn2SnO4、In23−ZnOなどの酸化物半導体微粒子、及びこれらに適合する不純物をドーパントさせた材料を用いた微粒子、MgInO、CaGaOなどのスピネル形化合物微粒子、TiN、ZrN、HfNなどの導電性窒化物微粒子、LaBなどの導電性ホウ化物微粒子、また、有機材料としては導電性高分子微粒子などが好適なものとして挙げられる。
これらの導電性粒子は1種のみならず、必要に応じて複数種を併用することができる。また、所望の導電性を得るため、予め複数の材料を混合して用いることもできる。
The conductive particles that can be applied to the first embodiment are not particularly limited as long as they have conductivity, and fine particles made of a known conductive material can be arbitrarily selected and used. For example, fine metal particles such as Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, Al, Cr, In 2 O 3 , SnO 2 , ZnO, Cdo, TiO 2 , CdIn 2 O 4 , Cd 2 SnO 2 , Zn 2 SnO 4 , oxide semiconductor fine particles such as In 2 O 3 —ZnO, fine particles using a material doped with impurities compatible with these, spinel compound fine particles such as MgInO and CaGaO, and conductivity such as TiN, ZrN, and HfN Suitable examples include nitride fine particles, conductive boride fine particles such as LaB, and conductive polymer fine particles as the organic material.
These conductive particles are not limited to one type, and a plurality of types can be used in combination as required. In order to obtain desired conductivity, a plurality of materials can be mixed and used in advance.

−グラフトポリマーのイオン性基(相互作用性基)の極性と導電性粒子との関係−
本発明において得られるグラフトポリマーが、カルボキシル基、スルホン酸基、若しくはホスホン酸基などの如きアニオン性を有する相互作用性基を有する場合は、グラフトポリマーの相互作用性基は選択的に負の電荷を有するようになり、ここに正の電荷を有する(カチオン性の)導電性粒子を吸着させることができる。
-Relationship between polarity of ionic groups (interactive groups) of graft polymer and conductive particles-
When the graft polymer obtained in the present invention has an anionic interactive group such as a carboxyl group, a sulfonic acid group, or a phosphonic acid group, the interactive group of the graft polymer is selectively negatively charged. It is possible to adsorb (cationic) conductive particles having a positive charge.

このようなカチオン性の導電性粒子としては、正電荷を有する金属(酸化物)微粒子などが挙げられる。表面に高密度で正荷電を有する微粒子は、例えば、米澤徹らの方法、即ち、T.Yonezawa,Chemistry Letters.,1999 page1061,T.Yonezawa,Langumuir 2000,vol16,5218及び米澤徹,Polymer preprints,Japan vol.49.2911(2000)に記載された方法にて作製することができる。米澤らは、金属−硫黄結合を利用し、正荷電を有する官能基で高密度に化学修飾された金属粒子表面が形成できることを示している。   Examples of such cationic conductive particles include positively charged metal (oxide) fine particles. Fine particles having a high density and positive charge on the surface can be obtained by, for example, the method of Toru Yonezawa et al. Yonezawa, Chemistry Letters. 1999 page 1061, T. et al. Yonezawa, Langumuir 2000, vol 16, 5218 and Toru Yonezawa, Polymer preprints, Japan vol. 49.2911 (2000). Yonezawa et al. Show that metal particle surfaces that are chemically modified with a functional group having a positive charge at high density can be formed using metal-sulfur bonds.

一方、得られるグラフトポリマーが特開平10−296895号公報に記載のアンモニウム基などの如きカチオン性基の相互作用性基を有する場合は、グラフトポリマーの相互作用性基は選択的に正の電荷を有するようになり、ここに負の電荷を有する導電性粒子を吸着させることができる。
負に帯電した導電性粒子としては、クエン酸還元で得られた金若しくは銀粒子を挙げることができる。
On the other hand, when the obtained graft polymer has an interactive group such as an ammonium group described in JP-A-10-296895, the interactive group of the graft polymer selectively has a positive charge. The conductive particles having a negative charge can be adsorbed here.
Examples of negatively charged conductive particles include gold or silver particles obtained by citric acid reduction.

本発明に用いられる導電性粒子の粒径は、相互作用性基に対する吸着性と、導電性発現の観点から、0.1nmから1000nmの範囲であることが好ましく、1nmから100nmの範囲であることが更に好ましい。   The particle size of the conductive particles used in the present invention is preferably in the range of 0.1 nm to 1000 nm, preferably in the range of 1 nm to 100 nm, from the viewpoint of adsorptivity to the interactive group and the expression of conductivity. Is more preferable.

導電性粒子をグラフトポリマーの相互作用性基に吸着させる方法としては、表面上に荷電を有する導電性粒子を溶解又は分散させた液を、グラフトポリマーの生成領域に塗布する方法、及び、これらの溶液又は分散液中に、グラフトポリマーが生成された基板を浸漬する方法などが挙げられる。
塗布、浸漬のいずれの場合にも、過剰量の導電性粒子を供給し、相互作用性基(イオン性基)との間に十分なイオン結合による導入がなされるために、溶液又は分散液とグラフトポリマー生成面との接触時間は、10秒から24時間程度であることが好ましく、1分から180分程度であることが更に好ましい。
また、これらの導電性粒子は、耐久性の点や導電性確保の観点から、グラフトポリマーの相互作用性基に吸着し得る最大量結合されることが好ましく、その場合、分散液の分散濃度は、0.001〜20質量%程度が好ましい。
As a method for adsorbing the conductive particles to the interactive group of the graft polymer, a method in which a solution in which conductive particles having a charge are dissolved or dispersed on the surface is applied to the graft polymer generation region, and these The method of immersing the board | substrate with which the graft polymer was produced | generated in a solution or a dispersion liquid etc. are mentioned.
In either case of application or immersion, an excessive amount of conductive particles is supplied and introduced by sufficient ionic bonds with the interactive group (ionic group). The contact time with the graft polymer generation surface is preferably about 10 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 180 minutes.
Further, these conductive particles are preferably bonded in the maximum amount that can be adsorbed to the interactive group of the graft polymer from the viewpoint of durability and ensuring the conductivity, in which case the dispersion concentration of the dispersion is 0.001 to 20% by mass is preferable.

また、導電性材料付着工程の第1の態様では、このように、グラフトポリマーに導電性粒子が吸着した後、その基板ごと加熱することが好ましい。この加熱を行うことで、付着した導電性粒子間にて融着が起こり、導電性粒子間の密着性を向上させると共に、導電性をも上昇させることができる。
ここで、加熱工程における温度としては、50℃〜500℃が好ましく、更に好ましくは100℃〜300℃、特に好ましくは、150℃〜300℃である。
Further, in the first aspect of the conductive material attaching step, it is preferable to heat the entire substrate after the conductive particles are adsorbed to the graft polymer. By performing this heating, fusion occurs between the attached conductive particles, and the adhesion between the conductive particles can be improved and the conductivity can be increased.
Here, as temperature in a heating process, 50 to 500 degreeC is preferable, More preferably, it is 100 to 300 degreeC, Most preferably, it is 150 to 300 degreeC.

(第2の態様:メッキ膜の形成)
導電性材料付着工程の第2の態様は、上記グラフトポリマーが有する相互作用性基に対し、グラフトポリマーの相互作用性基に対し無電解メッキ触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解メッキを行いメッキ膜を形成する方法である。この方法により、ITO膜とメッキ膜とからなる導電性パターンが形成される。
このように、メッキ膜は、グラフトポリマーの相互作用性基に吸着している触媒や前駆体に対し無電解メッキされて形成されることから、メッキ膜とグラフトポリマーとが強固に結合しており、その結果、ITO膜とメッキ膜との密着性に優れると共に、メッキ条件により導電性を調整することができるという利点を有する。
(Second aspect: formation of plating film)
In the second aspect of the conductive material adhesion step, the electroless plating catalyst or its precursor is adsorbed to the interactive group of the graft polymer after the electroless plating catalyst or its precursor is adsorbed to the interactive group of the graft polymer. And forming a plating film. By this method, a conductive pattern composed of an ITO film and a plating film is formed.
Thus, since the plating film is formed by electroless plating with respect to the catalyst or precursor adsorbed on the interactive group of the graft polymer, the plating film and the graft polymer are firmly bonded. As a result, the adhesiveness between the ITO film and the plating film is excellent, and the conductivity can be adjusted according to the plating conditions.

まず、この第2の態様における無電解メッキ触媒又はその前駆体の付与方法について説明する。
本態様において用いられる無電解メッキ触媒とは、主に0価金属であり、Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Coなどが挙げられる。本発明においては、特に、Pd、Agがその取り扱い性の良さ、触媒能の高さから好ましい。0価金属を相互作用性領域に固定する手法としては、例えば、グラフトポリマーの相互作用性基と相互作用するように荷電を調節した金属コロイドを、グラフトポリマー表面に供する手法が用いられる。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤又は保護剤により調節することができ、このように荷電を調節した金属コロイドを、ググラフトポリマーが有する相互作用性基と相互作用させることで、グラフトポリマーに金属コロイド(無電解メッキ触媒)を付着させることができる。
First, the method for applying the electroless plating catalyst or precursor thereof in the second embodiment will be described.
The electroless plating catalyst used in this embodiment is mainly a zero-valent metal, and examples thereof include Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, and Co. In the present invention, Pd and Ag are particularly preferable because of their good handleability and high catalytic ability. As a technique for fixing the zero-valent metal to the interaction region, for example, a technique in which a metal colloid whose charge is adjusted so as to interact with the interaction group of the graft polymer is used on the surface of the graft polymer is used. In general, a metal colloid can be prepared by reducing metal ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent. The charge of the metal colloid can be adjusted by the surfactant or the protective agent used here, and the metal colloid whose charge is adjusted in this way interacts with the interactive group of the graft polymer. A metal colloid (electroless plating catalyst) can be attached to the graft polymer.

本態様において用いられる無電解メッキ触媒前駆体とは、化学反応により無電解メッキ触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には上記無電解メッキ触媒で用いた0価金属の金属イオンが用いられる。無電解メッキ触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解メッキ触媒である0価金属になる。無電解メッキ触媒前駆体である金属イオンはグラフトポリマーの生成領域に付与した後、無電解メッキ浴への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解メッキ触媒としてもよいし、無電解メッキ触媒前駆体のまま無電解メッキ浴に浸漬し、無電解メッキ浴中の還元剤により金属(無電解メッキ触媒)に変化させてもよい。   The electroless plating catalyst precursor used in this embodiment can be used without particular limitation as long as it can become an electroless plating catalyst by a chemical reaction. Mainly, metal ions of zero-valent metal used in the electroless plating catalyst are used. The metal ion that is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal that is an electroless plating catalyst by a reduction reaction. After the metal ion, which is an electroless plating catalyst precursor, is applied to the graft polymer formation region, it may be converted into a zero-valent metal by a reduction reaction before immersion in the electroless plating bath. Alternatively, the electroless plating catalyst precursor may be immersed in an electroless plating bath and changed to a metal (electroless plating catalyst) by a reducing agent in the electroless plating bath.

実際には、無電解メッキ前駆体である金属イオンは、金属塩の状態でグラフトポリマーに付与する。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基(陰イオン)とに解離されるものであれば特に制限はなく、M(NO3)n、MCln、M2/n(SO4)、M3/n(PO4)(Mは、n価の金属原子を表す)などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Agイオン、Cuイオン、Alイオン、Niイオン、Coイオン、Feイオン、Pdイオンが挙げられ、Agイオン、Pdイオンが触媒能の点で好ましい。 In practice, the metal ion that is the electroless plating precursor is imparted to the graft polymer in the form of a metal salt. The metal salt used is not particularly limited as long as it is dissolved in a suitable solvent and dissociated into a metal ion and a base (anion), and M (NO 3 ) n, MCn, M 2 / n (SO 4 ), M 3 / n (PO 4 ) (M represents an n-valent metal atom), and the like. As a metal ion, the thing which said metal salt dissociated can be used suitably. Specific examples include, for example, Ag ions, Cu ions, Al ions, Ni ions, Co ions, Fe ions, and Pd ions, and Ag ions and Pd ions are preferable in terms of catalytic ability.

無電解メッキ触媒である金属コロイド、或いは、無電解メッキ前駆体である金属塩をグラフトポリマーに付与する方法としては、金属コロイドを適当な分散媒に分散、或いは、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その溶液をグラフトポリマーの生成領域に塗布するか、或いは、その溶液中にグラフトポリマーが生成した基板を浸漬すればよい。金属イオンを含有する溶液を接触させることで、グラフトポリマーが有する相互作用性基に、イオン−イオン相互作用、又は、双極子−イオン相互作用を利用して金属イオンを付着させること、或いは、相互作用性領域に金属イオンを含浸させることができる。このような付着又は含浸を充分に行なわせるという観点からは、接触させる溶液中の金属イオン濃度、或いは金属塩濃度は0.01〜50質量%の範囲であることが好ましく、0.1〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、1分〜24時間程度であることが好ましく、5分〜1時間程度であることがより好ましい。   As a method of applying a metal colloid as an electroless plating catalyst or a metal salt as an electroless plating precursor to a graft polymer, the metal colloid is dispersed in an appropriate dispersion medium, or the metal salt is dissolved in an appropriate solvent. Then, a solution containing dissociated metal ions is prepared, and the solution is applied to the graft polymer generation region, or the substrate on which the graft polymer is generated is immersed in the solution. By contacting a solution containing a metal ion, a metal ion is attached to an interactive group of the graft polymer by using an ion-ion interaction or a dipole-ion interaction. The active region can be impregnated with metal ions. From the viewpoint of sufficiently performing such adhesion or impregnation, the metal ion concentration or the metal salt concentration in the solution to be contacted is preferably in the range of 0.01 to 50% by mass, preferably 0.1 to 30%. More preferably, it is in the range of mass%. Further, the contact time is preferably about 1 minute to 24 hours, more preferably about 5 minutes to 1 hour.

次に、この第2の態様における無電解メッキ方法について説明する。
無電解メッキ触媒又はその前駆体が付与されたグラフトポリマーに対して、無電解メッキを行うことで、無電解メッキ膜が形成される。
無電解メッキとは、メッキとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解メッキは、例えば、無電解メッキ触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解メッキ触媒(金属)を除去した後、無電解メッキ浴に浸漬して行なう。使用される無電解メッキ浴としては、一般的に知られている無電解メッキ浴を使用することができる。
また、無電解メッキ触媒前駆体が付与された基板を、無電解メッキ触媒前駆体がグラフトポリマーに付着又は含浸した状態で無電解メッキ浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体(金属塩など)を除去した後、無電解メッキ浴中へ浸漬される。この場合には、無電解メッキ浴中において、前駆体の還元とこれに引き続き無電解メッキが行われる。ここ使用される無電解メッキ浴としても、上記同様、一般的に知られている無電解メッキ浴を使用することができる。
Next, the electroless plating method in the second aspect will be described.
An electroless plating film is formed by performing electroless plating on the graft polymer to which the electroless plating catalyst or its precursor is applied.
Electroless plating refers to an operation of depositing a metal by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved.
The electroless plating in this step is performed, for example, by rinsing a substrate provided with an electroless plating catalyst to remove excess electroless plating catalyst (metal) and then immersing it in an electroless plating bath. As the electroless plating bath used, a generally known electroless plating bath can be used.
Further, when the substrate to which the electroless plating catalyst precursor is applied is immersed in an electroless plating bath in a state where the electroless plating catalyst precursor is attached to or impregnated with the graft polymer, the substrate is washed with water to remove an excess precursor. After removing the body (metal salt, etc.), it is immersed in an electroless plating bath. In this case, reduction of the precursor and subsequent electroless plating are performed in the electroless plating bath. As the electroless plating bath used here, a generally known electroless plating bath can be used as described above.

一般的な無電解メッキ浴の組成としては、1.メッキ用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤(安定剤)が主に含まれている。このメッキ浴には、これらに加えて、メッキ浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。
無電解メッキ浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。
また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物がある。例えば、銅の無電解メッキの浴は、銅塩としてCu(SO42、還元剤としてHCOH、添加剤として銅イオンの安定剤であるEDTAやロッシェル塩などのキレート剤が含まれている。また、CoNiPの無電解メッキに使用されるメッキ浴には、その金属塩として硫酸コバルト、硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウムが含まれている。また、パラジウムの無電解メッキ浴は、金属イオンとして(Pd(NH34)Cl2、還元剤としてNH3、H2NNH2、安定化剤としてEDTAが含まれている。これらのメッキ浴には、上記成分以外の成分が入っていてもよい。
The composition of a general electroless plating bath is as follows: 1. metal ions for plating, 2. reducing agent; Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions are mainly included. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.
As the types of metals used in the electroless plating bath, copper, tin, lead, nickel, gold, palladium, and rhodium are known, and among these, copper and gold are particularly preferable from the viewpoint of conductivity.
In addition, there are optimum reducing agents and additives according to the above metals. For example, a copper electroless plating bath contains Cu (SO 4 ) 2 as a copper salt, HCOH as a reducing agent, and a chelating agent such as EDTA or Rochelle salt as a copper ion stabilizer as an additive. The plating bath used for electroless plating of CoNiP includes cobalt sulfate and nickel sulfate as metal salts, sodium hypophosphite as a reducing agent, sodium malonate, sodium malate, and sodium succinate as complexing agents. It is included. Further, the electroless plating bath of palladium contains (Pd (NH 3 ) 4 ) Cl 2 as metal ions, NH 3 and H 2 NNH 2 as reducing agents, and EDTA as a stabilizer. These plating baths may contain components other than the above components.

このようにして形成される無電解メッキ膜の膜厚は、メッキ浴の金属塩又は金属イオン濃度、メッキ浴への浸漬時間、或いは、メッキ浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、0.5μm以上であることが好ましく、3μm以上であることがより好ましい。また、メッキ浴への浸漬時間としては、1分〜3時間程度であることが好ましく、1分〜1時間程度であることがより好ましい。   The film thickness of the electroless plating film thus formed can be controlled by the concentration of metal salt or metal ion in the plating bath, the immersion time in the plating bath, the temperature of the plating bath, etc. In view of the above, it is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 3 μm or more. Further, the immersion time in the plating bath is preferably about 1 minute to 3 hours, and more preferably about 1 minute to 1 hour.

以上のようにして得られる無電解メッキ膜は、SEMによる断面観察により、グラフトポリマー膜中に無電解メッキ触媒やメッキ金属の微粒子がぎっしりと分散しており、更にその上に比較的大きな粒子が析出していることが確認された。界面はグラフトポリマーと微粒子とのハイブリッド状態であるため、基板(有機成分)と無機物(無電解メッキ触媒又はメッキ金属)との密着性が良好であった。   In the electroless plating film obtained as described above, fine particles of the electroless plating catalyst and plating metal are firmly dispersed in the graft polymer film by cross-sectional observation by SEM, and further, relatively large particles are further formed thereon. Precipitation was confirmed. Since the interface is a hybrid state of the graft polymer and fine particles, the adhesion between the substrate (organic component) and the inorganic substance (electroless plating catalyst or plating metal) was good.

また、導電性材料付着工程の第2の態様では、無電解メッキ終了後、電気メッキを行うこともできる。即ち、電気メッキは、前述の無電解メッキにより得られた無電解メッキ膜を電極として行う。これによりITO膜との密着性に優れた無電解メッキ膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつメッキ膜を容易に形成することができる。この工程を付加することにより、導電性膜を目的に応じた厚みに形成することができる。
本態様における電気メッキの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電気メッキに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
Further, in the second aspect of the conductive material adhesion step, electroplating can be performed after the electroless plating is completed. That is, the electroplating is performed using the electroless plating film obtained by the above electroless plating as an electrode. As a result, it is possible to easily form a new plating film having an arbitrary thickness on the basis of the electroless plating film having excellent adhesion with the ITO film. By adding this step, the conductive film can be formed to a thickness according to the purpose.
As the electroplating method in this embodiment, a conventionally known method can be used. In addition, as a metal used for electroplating, copper, chromium, lead, nickel, gold | metal | money, silver, tin, zinc etc. are mentioned, Copper, gold | metal | money, silver is preferable from a conductive viewpoint, and copper is more preferable.

電気メッキにより得られるメッキ膜の膜厚については、用途に応じて異なるものであり、メッキ浴中に含まれる金属濃度、浸漬時間、或いは、電流密度などを調整することでコントロールすることができる。なお、本発明により得られる表面導電性材料をプリント配線板を作製する際に用いる場合には、メッキ膜の膜厚は、導電性の観点から、0.3μm以上であることが好ましく、3μm以上であることがより好ましい。   The thickness of the plating film obtained by electroplating varies depending on the application, and can be controlled by adjusting the concentration of metal contained in the plating bath, the immersion time, or the current density. In addition, when using the surface conductive material obtained by this invention when producing a printed wiring board, it is preferable that the film thickness of a plating film is 0.3 micrometer or more from a conductive viewpoint, and is 3 micrometers or more. It is more preferable that

(第3の態様:金属微粒子分散膜の形成)
導電性材料付着工程の第3の態様は、以下に説明する金属イオン又は金属塩を、上記グラフトポリマーが有する相互作用性基、特に好ましくはイオン性基に対し、その極性に応じて、イオン的に吸着させた後、該金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元させて金属単体を析出させて金属微粒子分散膜を形成する方法である。なお、金属単体の析出態様によって、金属微粒子分散膜は金属薄膜になる場合もある。この方法により、ITO膜と金属微粒子分散膜とからなる導電性パターンが形成される。
ここで、金属微粒子分散膜を形成する、析出された金属微粒子は、グラフトポリマーの相互作用性基と相互作用を形成し、吸着しているため、ITO膜と金属微粒子分散膜との密着性に優れると共に、充分な導電性を発現できるという利点を有する。
(Third embodiment: Formation of metal fine particle dispersion film)
According to a third aspect of the conductive material adhesion step, a metal ion or a metal salt described below is ionic depending on the polarity of the interactive group of the graft polymer, particularly preferably the ionic group. Then, the metal ions in the metal salt or the metal salt are reduced to precipitate a metal simple substance to form a metal fine particle dispersed film. The metal fine particle dispersed film may be a metal thin film depending on the precipitation mode of the metal simple substance. By this method, a conductive pattern composed of an ITO film and a metal fine particle dispersed film is formed.
Here, the deposited metal fine particles forming the metal fine particle dispersed film form an interaction with the interacting group of the graft polymer and adsorb, so that the adhesion between the ITO film and the metal fine particle dispersed film is improved. In addition to being excellent, it has an advantage that sufficient conductivity can be expressed.

(金属イオン及び金属塩)
まず、本態様において用いられる金属イオン及び金属塩について説明する。
本発明において、金属塩としては、グラフトポリマーの生成領域に付与するために、適切な溶媒に溶解して、金属イオンと塩基(陰イオン)に解離されるものであれば特に制限はなく、M(NO3n、MCln、M2/n(SO4)、M3/n(PO4)(Mは、n価の金属原子を表す)などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Ag、Cu、Al、Ni、Co、Fe、Pdが挙げられ、中でも、Ag、Cuが好ましい。
金属塩や金属イオンは1種のみならず、必要に応じて複数種を併用することができる。また、所望の導電性を得るため、予め複数の材料を混合して用いることもできる。
(Metal ions and metal salts)
First, metal ions and metal salts used in this embodiment will be described.
In the present invention, the metal salt is not particularly limited as long as it is dissolved in an appropriate solvent and can be dissociated into a metal ion and a base (anion) in order to impart it to the formation region of the graft polymer. (NO 3 ) n , MCl n , M 2 / n (SO 4 ), M 3 / n (PO 4 ) (M represents an n-valent metal atom) and the like. As a metal ion, the thing which said metal salt dissociated can be used suitably. Specific examples include Ag, Cu, Al, Ni, Co, Fe, and Pd. Among these, Ag and Cu are preferable.
Not only one kind of metal salt and metal ion but also a plurality of kinds can be used in combination as required. In order to obtain desired conductivity, a plurality of materials can be mixed and used in advance.

(金属イオン及び金属塩の付与方法)
金属イオン又は金属塩をグラフトポリマーに付与する際、(1)グラフトポリマーがイオン性基を有する場合には、そのイオン性基に金属イオンを吸着させる方法を用いる。この場合、上記の金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含むその溶液を、グラフトポリマーの生成領域に塗布するか、或いは、その溶液中にグラフトポリマーが生成した基板を浸漬すればよい。金属イオンを含有する溶液を接触させることで、前記イオン性基には、金属イオンがイオン的に吸着することができる。これら吸着を充分に行なわせるという観点からは、接触させる溶液の金属イオン濃度は1〜50質量%の範囲であることが好ましく、10〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、10秒から24時間程度であることが好ましく、1分から180分程度であることが更に好ましい。
(Method for applying metal ions and metal salts)
When a metal ion or a metal salt is imparted to the graft polymer, (1) when the graft polymer has an ionic group, a method of adsorbing the metal ion to the ionic group is used. In this case, the above metal salt is dissolved in an appropriate solvent, and the solution containing the dissociated metal ions is applied to the region where the graft polymer is formed, or the substrate where the graft polymer is generated is immersed in the solution. That's fine. By contacting a solution containing metal ions, metal ions can be ionically adsorbed to the ionic group. From the viewpoint of sufficient adsorption, the metal ion concentration of the solution to be contacted is preferably in the range of 1 to 50% by mass, and more preferably in the range of 10 to 30% by mass. The contact time is preferably about 10 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 180 minutes.

金属イオン又は金属塩をグラフトポリマーに付与する際、(2)グラフトポリマーがポリビニルピロリドンなどのように金属塩に対し親和性の高い場合は、上記の金属塩を微粒子状にして直接付着させる、又は、金属塩が分散し得る適切な溶媒を用いて分散液を調製し、その分散液を、グラフトポリマーの生成領域に塗布するか、或いは、その溶液中にグラフトポリマーが生成した基板を浸漬すればよい。
グラフトポリマーが相互作用性基として親水性基を有する場合には、グラフトポリマー膜は高い保水性を有するため、その高い保水性を利用して、金属塩が分散した分散液をグラフトポリマー膜中に含浸させることが好ましい。分散液の含浸を充分に行なわせるという観点からは、接触させる分散液の金属塩濃度は1〜50質量%の範囲であることが好ましく、10〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、10秒から24時間程度であることが好ましく、1分から180分程度であることが更に好ましい。
When applying a metal ion or metal salt to the graft polymer, (2) if the graft polymer has a high affinity for the metal salt, such as polyvinylpyrrolidone, the metal salt is directly attached in the form of fine particles, or If a dispersion is prepared using an appropriate solvent in which the metal salt can be dispersed, and the dispersion is applied to the region where the graft polymer is produced, or the substrate where the graft polymer is produced is immersed in the solution. Good.
When the graft polymer has a hydrophilic group as an interactive group, the graft polymer film has high water retention. Therefore, using the high water retention, the dispersion in which the metal salt is dispersed in the graft polymer film. It is preferable to impregnate. From the viewpoint of sufficiently performing the impregnation of the dispersion, the metal salt concentration of the dispersion to be contacted is preferably in the range of 1 to 50% by mass, and more preferably in the range of 10 to 30% by mass. The contact time is preferably about 10 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 180 minutes.

金属イオン又は金属塩をグラフトポリマーに付与する際、(3)グラフトポリマーが親水性基を有する場合、金属塩が分散している分散液、又は、金属塩が溶解した溶液をグラフトポリマーの生成領域に塗布するか、或いは、その分散液や溶液中にグラフトポリマーが生成した基板を浸漬すればよい。
かかる方法においても、上述と同様に、グラフトポリマー膜が有する高い保水性を利用して、分散液又は溶液をそのグラフトポリマー膜中に含浸させることができる。分散液又は溶液の含浸を充分に行なわせるという観点からは、接触させる分散液の金属イオン濃度、或いは金属塩濃度は1〜50質量%の範囲であることが好ましく、10〜30質量%の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、10秒から24時間程度であることが好ましく、1分から180分程度であることが更に好ましい。
特に、この(3)の方法によれば、グラフトポリマーの有する相互作用性基の特性に関わらず、所望の金属イオン又は金属塩を付与させることができる。
When a metal ion or a metal salt is applied to the graft polymer, (3) when the graft polymer has a hydrophilic group, a dispersion in which the metal salt is dispersed or a solution in which the metal salt is dissolved is used as a graft polymer generation region. Or a substrate on which a graft polymer is formed may be immersed in the dispersion or solution.
Also in such a method, similarly to the above, the graft polymer film can be impregnated with the dispersion or solution by utilizing the high water retention property of the graft polymer film. From the viewpoint of sufficiently impregnating the dispersion or solution, the metal ion concentration or metal salt concentration of the dispersion to be contacted is preferably in the range of 1 to 50% by mass, and in the range of 10 to 30% by mass. More preferably. The contact time is preferably about 10 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 180 minutes.
In particular, according to the method (3), a desired metal ion or metal salt can be imparted regardless of the properties of the interactive group of the graft polymer.

(還元剤)
続いて、グラフトポリマー(膜)に吸着又は含浸して存在する金属塩、或いは、金属イオンを還元しるために用いられる還元剤について説明する。
本発明において用いられる還元剤は、金属イオンを還元し、金属単体を析出させる物性を有するものであれば特に制限はなく、例えば、次亜リン酸塩、テトラヒドロホウ素酸塩、ヒドラジンなどが挙げられる。
これらの還元剤は、用いる金属塩、金属イオンとの関係で適宜選択することができるが、例えば、金属イオン、金属塩を供給する金属塩水溶液として、硝酸銀水溶液などを用いた場合にはテトラヒドロホウ素酸ナトリウムが、二塩化パラジウム水溶液を用いた場合には、ヒドラジンが、好適なものとして挙げられる。
(Reducing agent)
Subsequently, the metal salt present by adsorbing or impregnating the graft polymer (membrane) or the reducing agent used for reducing metal ions will be described.
The reducing agent used in the present invention is not particularly limited as long as it has physical properties that reduce metal ions and precipitate a single metal, and examples thereof include hypophosphites, tetrahydroborates, and hydrazines. .
These reducing agents can be appropriately selected in relation to the metal salt and metal ion to be used. For example, when a silver nitrate aqueous solution or the like is used as the metal salt aqueous solution for supplying the metal ion or metal salt, tetrahydroboron is used. When sodium acid uses an aqueous palladium dichloride solution, hydrazine is preferred.

上記還元剤の添加方法としては、例えば、グラフトポリマーが生成した基板表面に金属イオンや金属塩を付与させた後、水洗して余分な金属塩、金属イオンを除去した後、該表面を備えた基板をイオン交換水などの水中に浸漬し、そこに還元剤を添加する方法や、該基板表面上に所定の濃度の還元剤水溶液を直接塗布或いは滴下する方法等が挙げられる。また、還元剤の添加量としては、金属イオンに対して、等量以上の過剰量用いるのが好ましく、10倍当量以上であることが更に好ましい。   As the method for adding the reducing agent, for example, a metal ion or a metal salt is added to the surface of the substrate on which the graft polymer has been formed, and then washed with water to remove excess metal salt or metal ion, and then the surface is provided. Examples include a method of immersing the substrate in water such as ion exchange water and adding a reducing agent thereto, a method of directly applying or dropping a reducing agent aqueous solution having a predetermined concentration on the surface of the substrate, and the like. Moreover, as an addition amount of a reducing agent, it is preferable to use an excessive amount equal to or more than the metal ion, and more preferably 10 times equivalent or more.

ここで、第3の態様におけるグラフトポリマーの相互作用性基と金属イオン又は金属塩との関係について説明する。
グラフトポリマーの相互作用性基が、負の電荷を有する極性基や、カルボキシル基、スルホン酸基、若しくはホスホン酸基などの如きアニオン性のイオン性基である場合は、グラフトポリマー膜が選択的に負の電荷を有するようになることから、ここに正の電荷を有する金属イオンを吸着させ、その吸着した金属イオンを還元させることで金属単体を析出される。
また、グラフトポリマーの相互作用性基が、特開平10−296895号公報に記載のアンモニウム基などの如きカチオン性基のイオン性基である場合は、グラフトポリマー膜が選択的に正の電荷を有するようになり、金属イオンはそのままの形状では吸着しない。そのため、相互作用性基のイオン性基に起因する親水性を利用して、グラフトポリマー膜に、金属塩が分散した分散液、又は、金属塩が溶解した溶液を含浸させ、その含浸させた溶液の中の金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元させることで金属単体を析出させる。
以上のように、金属単体が析出することで、金属微粒子分散膜が形成される。
Here, the relationship between the interactive group of the graft polymer and the metal ion or metal salt in the third embodiment will be described.
When the graft polymer interacting group is a negatively charged polar group or an anionic ionic group such as a carboxyl group, a sulfonic acid group, or a phosphonic acid group, the graft polymer membrane is selectively used. Since it has a negative charge, metal ions having a positive charge are adsorbed here, and the adsorbed metal ions are reduced to deposit a single metal.
In addition, when the interactive group of the graft polymer is an ionic group of a cationic group such as an ammonium group described in JP-A-10-296895, the graft polymer film selectively has a positive charge. Thus, the metal ions are not adsorbed as they are. Therefore, utilizing the hydrophilicity resulting from the ionic group of the interactive group, the graft polymer film is impregnated with a dispersion in which the metal salt is dispersed or a solution in which the metal salt is dissolved, and the impregnated solution The metal simple substance is precipitated by reducing the metal ion in the metal or the metal ion in the metal salt.
As described above, the metal fine particle dispersion film is formed by precipitation of the metal simple substance.

金属微粒子分散膜中の析出された金属単体(金属微粒子)の存在は、表面の金属光沢により目視でも確認することができるが、透過型電子顕微鏡、或いは、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて表面を観察することで、その構造(形態)を確認することができる。また、金属パターンの膜厚は、常法、例えば、切断面を電子顕微鏡で観察するなどの方法により、容易に行なうことができる。
このように、金属単体が析出した状態を上記の顕微鏡で観察すると、グラフトポリマー膜中にぎっしりと金属微粒子が分散していること確認される。この時、析出された金属微粒子の大きさとしては、粒径1μm〜1nm程度である。
Presence of the deposited metal simple substance (metal fine particles) in the metal fine particle dispersed film can be visually confirmed by the metallic luster of the surface, but using a transmission electron microscope or AFM (atomic force microscope). By observing the surface, the structure (form) can be confirmed. The metal pattern can be easily formed by a conventional method, for example, a method of observing the cut surface with an electron microscope.
Thus, when the state in which the metal simple substance precipitated is observed with the above-mentioned microscope, it is confirmed that the metal fine particles are firmly dispersed in the graft polymer film. At this time, the size of the deposited metal fine particles is about 1 μm to 1 nm in particle size.

金属微粒子分散膜において、金属微粒子が密に分散していて外見上金属薄膜を形成しているような場合には、そのまま用いてもよいが、効率のよい導電性の確保という観点からは、金属微粒子分散膜を更に加熱処理することが好ましい。
加熱処理工程における加熱温度としては、100℃以上が好ましく、更には150℃以上が好ましく、特に好ましくは200℃程度である。加熱温度は、処理効率や基板の寸法安定性などを考慮すれば400℃以下であることが好ましい。また、加熱時間に関しては、10分以上が好ましく、更には30分〜60分間程度が好ましい。
加熱処理による作用機構は明確ではないが、一部の近接する金属微粒子同士が互いに融着することで導電性が向上するものと考えている。
In the metal fine particle dispersion film, when the metal fine particles are densely dispersed and apparently form a metal thin film, it may be used as it is, but from the viewpoint of ensuring efficient conductivity, It is preferable to further heat-treat the fine particle dispersed film.
The heating temperature in the heat treatment step is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher, and particularly preferably about 200 ° C. The heating temperature is preferably 400 ° C. or lower in consideration of the processing efficiency and the dimensional stability of the substrate. In addition, the heating time is preferably 10 minutes or more, and more preferably about 30 minutes to 60 minutes.
Although the mechanism of action by the heat treatment is not clear, it is thought that the conductivity is improved when some adjacent metal fine particles are fused to each other.

(第4の態様:導電性ポリマー層の形成)
導電性材料付着工程の第4の態様は、以下に説明する導電性モノマーを、上記グラフトポリマーが有する相互作用性基、特に好ましくはイオン性基に対し、イオン的に吸着させた後、そのまま重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する方法である。この方法により、ITO膜と導電性ポリマー層とからなる導電性パターンが形成される。
ここで、導電性ポリマー層は、グラフトポリマーの相互作用性基とイオン的に吸着した導電性モノマーを重合させてなるため、ITO膜との密着性や耐久性に優れると共に、モノマーの供給速度などの重合反応条件を調整することで、膜厚や導電性の制御を行うことができるという利点を有する。
(Fourth aspect: formation of conductive polymer layer)
In a fourth aspect of the conductive material adhesion step, the conductive monomer described below is ionically adsorbed to the interactive group of the graft polymer, particularly preferably the ionic group, and then polymerized as it is. In this method, a conductive polymer layer is formed by causing a reaction. By this method, a conductive pattern composed of an ITO film and a conductive polymer layer is formed.
Here, the conductive polymer layer is formed by polymerizing an interactive group of the graft polymer and the ionically adsorbed conductive monomer, so that it has excellent adhesion and durability with the ITO film, and the monomer supply rate, etc. By adjusting the polymerization reaction conditions, the film thickness and conductivity can be controlled.

このような導電性ポリマー層を形成する方法には特に制限はないが、均一な薄膜を形成し得るという観点からは、以下に述べるような方法を用いることがで好ましい。
まず、グラフトポリマーが生成された基板を、過硫酸カリウムや、硫酸鉄(III)などの重合触媒や重合開始能を有する化合物を含有する溶液に浸漬し、この液を撹拌しながら導電性ポリマーを形成し得るモノマー、例えば、3,4−エチレンジオキシチオフェンなどを徐々に滴下する。このようにすると、該重合触媒や重合開始能を付与されたグラフトポリマー中の相互作用性基(イオン性基)と導電性ポリマーを形成し得るモノマーとが相互作用により強固に吸着すると共に、モノマー同士の重合反応が進行し、基板上のグラフトポリマーの生成領域に導電性ポリマーの極めて薄い膜が形成される。これにより、均一で、かつ、薄い導電性ポリマー層が得られる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the method of forming such a conductive polymer layer, From the viewpoint that a uniform thin film can be formed, it is preferable to use the method as described below.
First, the substrate on which the graft polymer is generated is immersed in a solution containing a polymerization catalyst such as potassium persulfate or iron (III) sulfate or a compound having a polymerization initiating ability, and the conductive polymer is stirred while stirring this solution. A monomer that can be formed, such as 3,4-ethylenedioxythiophene, is gradually added dropwise. In this way, the interaction group (ionic group) in the polymerization polymer and the graft polymer imparted with the polymerization initiating ability and the monomer capable of forming the conductive polymer are firmly adsorbed by the interaction, and the monomer A polymerization reaction between them proceeds, and an extremely thin film of a conductive polymer is formed in a region where a graft polymer is formed on the substrate. Thereby, a uniform and thin conductive polymer layer is obtained.

この方法に適用し得る導電性ポリマーとしては、10-6s・cm-1以上、好ましくは、10-1s・cm-1以上の導電性を有する高分子化合物であれば、いずれのものも使用することができるが、具体的には、例えば、置換及び非置換の導電性ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアセチレン、ポリピリジルビニレン、ポリアジン等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、また、目的に応じて2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、所望の導電性を達成できる範囲であれば、導電性を有しない他のポリマーとの混合物として用いることもできるし、これらのモノマーと導電性を有しない他のモノマーとのコポリマーなども用いることができる。 As a conductive polymer applicable to this method, any polymer compound having conductivity of 10 −6 s · cm −1 or more, preferably 10 −1 s · cm −1 or more is usable. Specifically, for example, substituted and unsubstituted conductive polyaniline, polyparaphenylene, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, polyisothianaphthene, polyphenylene sulfide, Examples include polyacetylene, polypyridyl vinylene, and polyazine. These may use only 1 type and may use it in combination of 2 or more type according to the objective. Moreover, as long as desired conductivity can be achieved, it can be used as a mixture with other polymers having no conductivity, or a copolymer of these monomers and other monomers without conductivity can be used. be able to.

本発明においては、導電性モノマー自体がグラフトポリマーの相互作用性基と静電気的に、或いは、極性的に相互作用を形成することで強固に吸着するため、それらが重合して形成された導電性ポリマー層は、グラフトポリマーの生成領域との間に強固な相互作用を形成しているため、薄膜であっても、擦りや引っ掻きに対しても充分な強度を有するものとなる。
更に、導電性ポリマーとグラフトポリマーの相互作用性基とが、陽イオンと陰イオンの関係で吸着するような素材を選択することで、相互作用性基が導電性ポリマーのカウンターアニオンとして吸着することになり、一種のドープ剤として機能するため、導電性ポリマー層(導電性パターン)の導電性を一層向上させることができるという効果を得ることもできる。具体的には、例えば、相互作用性基を有する重合性化合物としてスチレンスルホン酸を、導電性ポリマーの素材としてチオフェンを、それぞれ選択すると、両者の相互作用により、グラフトポリマーの生成領域と導電性ポリマー層との界面にはカウンターアニオンとしてスルホン酸基(スルホ基)を有するポリチオフェンが存在し、これが導電性ポリマーのドープ剤として機能することになる。
In the present invention, the conductive monomer itself is strongly adsorbed by forming an interaction with the graft polymer interacting group electrostatically or polarly. Since the polymer layer forms a strong interaction with the region where the graft polymer is formed, even if it is a thin film, it has sufficient strength against rubbing and scratching.
Furthermore, by selecting a material that allows the conductive polymer and the interactive group of the graft polymer to adsorb in the relationship between a cation and an anion, the interactive group can be adsorbed as a counter anion of the conductive polymer. Thus, since it functions as a kind of dopant, it is possible to obtain an effect that the conductivity of the conductive polymer layer (conductive pattern) can be further improved. Specifically, for example, when styrene sulfonic acid is selected as the polymerizable compound having an interactive group, and thiophene is selected as the material of the conductive polymer, the graft polymer generation region and the conductive polymer are obtained by the interaction between the two. Polythiophene having a sulfonic acid group (sulfo group) exists as a counter anion at the interface with the layer, and this functions as a conductive polymer dopant.

グラフトポリマーの生成領域表面に形成された導電性ポリマー層の膜厚には特に制限はないが、0.01μm〜10μmの範囲であることが好ましく、0.1μm〜5μmの範囲であることがより好ましい。導電性ポリマー層の膜厚がこの範囲内であれば、充分な導電性と透明性とを達成することができる。0.01μm以下であると導電性が不充分となる懸念があるため好ましくない。   Although there is no restriction | limiting in particular in the film thickness of the conductive polymer layer formed in the production | generation area | region surface of a graft polymer, It is preferable that it is the range of 0.01 micrometer-10 micrometers, and it is more preferable that it is the range of 0.1 micrometer-5 micrometers. preferable. If the film thickness of the conductive polymer layer is within this range, sufficient conductivity and transparency can be achieved. If the thickness is 0.01 μm or less, there is a concern that the conductivity may be insufficient.

<ITO膜パターニング工程>
本工程では、基板表面に設けられたITO膜をパターニングする。この工程は、既述のグラフトポリマー生成工程の前に行ってもよいし、その後に行ってもよい。
つまり、本工程をグラフトポリマー生成工程の前に行う場合、基板表面に設けられたITO膜のみを、所望の配線や電極の形状にパターニングすることとなる。
一方、本工程をグラフトポリマー生成工程の後に行う場合は、以下に示す2つの態様がある。1つ目は、基板表面に設けられたITO膜全面にグラフトポリマーが結合(生成)している場合の態様であり、この場合、ITO膜のパターニングは、結合されたグラフトポリマーごと行われる。また、2つ目は、基板表面に設けられたITO膜表面の所望の領域のみにグラフトポリマーが結合(生成)している場合の態様であり、この場合、ITO膜のパターニングは、そのグラフトポリマーの結合(生成)領域と同等若しくは大きなパターン形状で行われる。
なお、本工程は、既述の導電性材料付着工程の後に行うことも可能である。
以上、ITO膜のパターニングについて説明したが、このパターニングには、フォトリソ工程及びエッチング工程が用いられることが好ましい。
<ITO film patterning process>
In this step, the ITO film provided on the substrate surface is patterned. This step may be performed before or after the graft polymer generation step described above.
That is, when this step is performed before the graft polymer generation step, only the ITO film provided on the substrate surface is patterned into a desired wiring or electrode shape.
On the other hand, when performing this process after a graft polymer production | generation process, there exist the following two aspects. The first is an embodiment in which the graft polymer is bonded (generated) to the entire surface of the ITO film provided on the substrate surface. In this case, the ITO film is patterned together with the bonded graft polymer. The second is an embodiment in which the graft polymer is bonded (generated) only to a desired region on the surface of the ITO film provided on the substrate surface. In this case, the patterning of the ITO film is performed using the graft polymer. The pattern shape is equal to or larger than the combined (generated) region.
In addition, this process can also be performed after the conductive material adhesion process described above.
Although the patterning of the ITO film has been described above, it is preferable to use a photolithography process and an etching process for this patterning.

以上説明したように、本発明における導電性パターンが形成され、本発明の導電性パターン材料が得られる。
上述のようにして得られた導電性パターンは、パターニングされたITO膜の形状や解像度、及び、グラフトポリマーを生成する際のパターン露光に応じた形状や解像度を得ることができることから、本発明の導電性パターン材料の製造方法により得られる導電性パターン材料(本発明の導電性パターン材料)は、高精細化が可能となり、更に、直線性にも優れることとなる。
また、上述の導電性粒子吸着層、メッキ膜、金属微粒子分散膜、及び導電性ポリマー層の導電性発現層は、ITO膜に結合しているグラフトポリマーに対して、均一に、かつ、強固に結合しているため、導電性発現層とITO膜との密着性に優れ、断線の問題が発生せず、更に、均一な導電性を得ることができる。
更に、この導電性パターン材料は、上述のように、従来の技術のように、金属膜のエッチング工程を必要としないため、金属膜の残留に起因する配線間の短絡を防止することができる。
As described above, the conductive pattern in the present invention is formed, and the conductive pattern material of the present invention is obtained.
The conductive pattern obtained as described above can obtain the shape and resolution of the patterned ITO film and the shape and resolution corresponding to the pattern exposure when generating the graft polymer. The conductive pattern material (conductive pattern material of the present invention) obtained by the method for producing a conductive pattern material can be made highly precise and has excellent linearity.
In addition, the conductive particle adsorption layer, the plating film, the metal fine particle dispersion film, and the conductive polymer layer described above are uniformly and strongly applied to the graft polymer bonded to the ITO film. Since they are bonded, the adhesion between the conductive expression layer and the ITO film is excellent, the problem of disconnection does not occur, and uniform conductivity can be obtained.
Furthermore, as described above, this conductive pattern material does not require a metal film etching step as in the prior art, and can prevent a short circuit between wirings due to the remaining metal film.

本発明の導電性パターン材料の製造方法により得られる導電性パターン材料(本発明の導電性パターン材料)は、特に、以下に示す、PDPの前面ガラス基板における複合電極として好適であり、更に、基板上に駆動ICチップをCOG方式により実装してなる液晶表示装置における駆動ICチップの入出力配線としても好適である。   The conductive pattern material (conductive pattern material of the present invention) obtained by the method for producing the conductive pattern material of the present invention is particularly suitable as a composite electrode in the front glass substrate of the PDP shown below, It is also suitable as an input / output wiring of the driving IC chip in a liquid crystal display device in which the driving IC chip is mounted by the COG method.

≪PDP≫
本発明のPDPは、上述の本発明の導電性パターン材料を、前面ガラス基板における複合電極として備えることを特徴とする。
本発明のPDPとしては、本発明の導電性パターン材料を適用した複合電極を備える前面ガラス基板と、それに対向する背面ガラス基板と、両基板の間の透明誘電体層を備えていれば、如何なるものでもよい。本発明のPDPの一態様を図1を参照して説明する。ここで、図1は、本発明の導電性パターン材料を適用した複合電極を備えた面放電方式のAC側PDPの構成を示す部分分解斜視図である。
≪PDP≫
The PDP of the present invention is characterized by comprising the above-described conductive pattern material of the present invention as a composite electrode in a front glass substrate.
The PDP of the present invention is not limited as long as it includes a front glass substrate provided with a composite electrode to which the conductive pattern material of the present invention is applied, a rear glass substrate opposed to the front glass substrate, and a transparent dielectric layer between both substrates. It may be a thing. One embodiment of the PDP of the present invention will be described with reference to FIG. Here, FIG. 1 is a partially exploded perspective view showing a configuration of a surface discharge type AC side PDP provided with a composite electrode to which the conductive pattern material of the present invention is applied.

図1に示すように、PDP100は、前面ガラス基板10と、背面ガラス基板20と、両基板10,20の間に挟持された透明誘電体層30及び保護層40と、を有する。
前面ガラス基板10は、ガラス基板11表面に、放電のための透明ITO電極13と該透明ITO電極のライン抵抗を下げるためのバス電極14とからなる表示電極(複合電極)15が、所定のピッチで多数列設されてなる。本発明においては、この表示電極(複合電極)15が、導電性パターンにより形成されていることとなる。また、ガラス基板11表面には、表示電極15と並列にブラックマトリクス12が設けられている。更に、表示電極15に隣接して、電荷を蓄積するための透明誘電体層(低融点ガラス)30が印刷、焼成によって形成され、その上に保護層(MgO)40が蒸着されている。この保護層40は、表示電極15の保護、放電状態の維持等の役割を有している。
一方、背面ガラス基板20は、ガラス基板21表面に、放電空間を区画するストライプ状のリブ(隔壁)22と、各放電空間内に配されたアドレス電極23と、が所定のピッチで多数列設されている。また、各放電空間の内面には、赤(24a)、青(24b)、緑(24c)の3色の蛍光体膜が規則的に配されている。
PDP100では、フルカラー表示において、赤、青、緑の3原色の蛍光体膜24a、24b、及び24cで1つの画素が構成される。
As shown in FIG. 1, the PDP 100 includes a front glass substrate 10, a rear glass substrate 20, and a transparent dielectric layer 30 and a protective layer 40 sandwiched between both substrates 10 and 20.
The front glass substrate 10 has a display electrode (composite electrode) 15 comprising a transparent ITO electrode 13 for discharging and a bus electrode 14 for lowering the line resistance of the transparent ITO electrode on the surface of the glass substrate 11 at a predetermined pitch. It is arranged in multiple rows. In the present invention, the display electrode (composite electrode) 15 is formed of a conductive pattern. A black matrix 12 is provided on the surface of the glass substrate 11 in parallel with the display electrodes 15. Further, a transparent dielectric layer (low melting point glass) 30 for accumulating charges is formed by printing and baking adjacent to the display electrode 15, and a protective layer (MgO) 40 is deposited thereon. The protective layer 40 has a role of protecting the display electrode 15 and maintaining a discharge state.
On the other hand, the rear glass substrate 20 has a plurality of rows of striped ribs (partitions) 22 partitioning the discharge space and address electrodes 23 arranged in each discharge space on the surface of the glass substrate 21 at a predetermined pitch. Has been. Further, phosphor films of three colors of red (24a), blue (24b), and green (24c) are regularly arranged on the inner surface of each discharge space.
In the PDP 100, one pixel is configured by phosphor films 24a, 24b, and 24c of three primary colors of red, blue, and green in full color display.

上述のように、本発明の導電性パターン材料は、導電性パターンの高精細化が可能であり、その密着性が良好であることから、この導電性パターン材料を表示電極(複合電極)として備えたPDPとしても高精細化を達成することができる。
また、本発明の導電性パターン材料における導電性パターンは、パターン状の金属膜を形成する際にエッチング工程等を必要としないため、表示電極(複合電極)の大型化にも容易に適用することができることから、PDP自体の大きさの選択の幅を狭めることもない。
As described above, since the conductive pattern material of the present invention can increase the definition of the conductive pattern and has good adhesion, the conductive pattern material is provided as a display electrode (composite electrode). High definition can also be achieved as a PDP.
In addition, the conductive pattern in the conductive pattern material of the present invention does not require an etching process or the like when forming a patterned metal film, and therefore can be easily applied to an increase in the size of the display electrode (composite electrode). Therefore, the range of selection of the size of the PDP itself is not reduced.

≪液晶表示装置≫
本発明の導電性パターン材料の用途として好適な液晶表示装置としては、基板上に駆動ICチップをCOG方式により実装してなる液晶表示装置であって、本発明の導電性パターン材料を、該駆動ICチップの入出力配線として備えることが好ましい。
このような液晶表示装置は、基板上に駆動ICチップをCOG方式により実装していれば、如何なるものでもよい。本発明に係る液晶表示装置の一態様を図2を参照して説明する。ここで、図2は、本発明の導電性パターン材料を駆動ICチップの入出力配線として備えた単純マトリクス型液晶表示装置(LCD)の構成を示す模式図である。
≪Liquid crystal display device≫
A liquid crystal display device suitable for the use of the conductive pattern material of the present invention is a liquid crystal display device in which a drive IC chip is mounted on a substrate by a COG method, and the conductive pattern material of the present invention is used for the drive. It is preferable to provide as an input / output wiring of an IC chip.
Such a liquid crystal display device may be any device as long as the driving IC chip is mounted on the substrate by the COG method. One mode of the liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIG. Here, FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a simple matrix type liquid crystal display device (LCD) provided with the conductive pattern material of the present invention as input / output wirings of a driving IC chip.

図2に示すように、液晶表示装置200において、LCDパネル基板50の周辺部51に実装される駆動ICチップ52A,52B,52C(ここでは模式的に3つのチップを配置した例を示す)は、入出力配線53により接続される。
本発明においては、この駆動ICチップ52A,52B,52Cの入出力配線53が、導電性パターンにより形成されていることが好ましい態様である。また、ここで50はLCD液晶パネル基板、54はFPC(フレキシブル・プリンティッド・サーキット)を示す。
ここでは、単純マトリクス型LCDを例に説明したが、これに限らずITO配線やその他金属配線の低抵抗化が必要な用途に、本発明に係る導電性パターン(配線)の形成を広く適用できることは言うまでもない。
As shown in FIG. 2, in the liquid crystal display device 200, drive IC chips 52A, 52B, and 52C (here, an example in which three chips are schematically arranged) mounted on the peripheral portion 51 of the LCD panel substrate 50 are shown. Are connected by an input / output wiring 53.
In the present invention, the input / output wiring 53 of the drive IC chips 52A, 52B, 52C is preferably formed of a conductive pattern. Here, 50 denotes an LCD liquid crystal panel substrate, and 54 denotes an FPC (flexible printed circuit).
Here, a simple matrix LCD has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the formation of the conductive pattern (wiring) according to the present invention can be widely applied to applications that require a reduction in resistance of ITO wiring or other metal wiring. Needless to say.

上述のように、本発明の導電性パターン材料は、導電性パターンの高精細化が可能であり、その密着性が良好であることから、この導電性パターン材料を駆動ICチップの入出力配線として備えた液晶表示素子としても高精細化を達成することができる。
また、本発明の導電性パターン材料における導電性パターンは、パターン状の金属膜を形成する際にエッチング工程等を必要としないため、液晶表示装置の大型化に伴う駆動ICチップの入出力配線の長距離化に対しても容易に対応することができる。
As described above, since the conductive pattern material of the present invention can increase the definition of the conductive pattern and has good adhesion, this conductive pattern material is used as the input / output wiring of the driving IC chip. High definition can also be achieved as a liquid crystal display element provided.
In addition, since the conductive pattern in the conductive pattern material of the present invention does not require an etching process or the like when forming the patterned metal film, the input / output wiring of the driving IC chip accompanying the enlargement of the liquid crystal display device It is possible to easily cope with longer distances.

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
〔実施例1〕
(ITOパターンの形成)
ガラス基板(日本板硝子(株)製)上に、0.1μmの厚さのITO膜を形成した。そして、ドライフォトレジストを用い、ITO膜上にレジストパターンを形成した。その後、エッチングを行いITOパターンを形成した。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
[Example 1]
(Formation of ITO pattern)
An ITO film having a thickness of 0.1 μm was formed on a glass substrate (manufactured by Nippon Sheet Glass Co., Ltd.). Then, a dry photoresist was used to form a resist pattern on the ITO film. Thereafter, etching was performed to form an ITO pattern.

(合成例1:化合物Aの合成)
前記例示化合物1の合成は、以下の2つのステップにより行われる。それぞれのステップのスキームを挙げて説明する。
(Synthesis Example 1: Synthesis of Compound A)
The exemplary compound 1 is synthesized by the following two steps. A description will be given of the scheme of each step.

1.ステップ1(化合物aの合成)
DMAc50gとTHF50gの混合溶媒に1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン24.5g(0.12mol)を溶かし、氷浴下でNaH(60% in oil)7.2g(0.18mol)を徐々に加えた。そこに、11−ブロモ−1−ウンデセン(95%)44.2g(0.18mol)を滴下し、室温で反応を行った。1時間で反応が終了した。反応溶液を氷水中に投入し、酢酸エチルで抽出し、黄色溶液状の化合物aを含む混合物が得られた。この混合物37gをアセトニトリル370mlに溶かし、水7.4gを加えた。p−トルエンスルホン酸一水和物1.85gを加え、室温で20分間撹拌した。酢酸エチルで有機相を抽出し、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー(充填剤:ワコーゲルC−200、展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/80)で化合物aを単離した。
合成スキームを以下に示す。
1. Step 1 (Synthesis of Compound a)
24.5 g (0.12 mol) of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone was dissolved in a mixed solvent of DMAc 50 g and THF 50 g, and 7.2 g (0.18 mol) of NaH (60% in oil) was gradually added in an ice bath. Thereto, 44.2 g (0.18 mol) of 11-bromo-1-undecene (95%) was added dropwise and reacted at room temperature. The reaction was completed in 1 hour. The reaction solution was poured into ice water and extracted with ethyl acetate to obtain a mixture containing Compound a in the form of a yellow solution. 37 g of this mixture was dissolved in 370 ml of acetonitrile, and 7.4 g of water was added. 1.85 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was added and stirred at room temperature for 20 minutes. The organic phase was extracted with ethyl acetate and the solvent was distilled off. Compound a was isolated by column chromatography (filler: Wakogel C-200, developing solvent: ethyl acetate / hexane = 1/80).
A synthesis scheme is shown below.

Figure 2006077273
Figure 2006077273

1H NMR(300MHz CDCl3
δ=1.2−1.8(mb,24H),2.0(q,2H),3.2(t,J=6.6,2H),4.9−5.0(m,2H)5.8(ddt,J=24.4,J=10.5,J=6.6,1H.),7.4(t,J=7.4,2H),7.5(t,J=7.4,1H),8.3(d,1H)
1 H NMR (300 MHz CDCl 3 )
δ = 1.2-1.8 (mb, 24H), 2.0 (q, 2H), 3.2 (t, J = 6.6, 2H), 4.9-5.0 (m, 2H) ) 5.8 (ddt, J = 24.4, J = 10.5, J = 6.6, 1H . ), 7.4 (t, J = 7.4, 2H), 7.5 (t, J = 7.4, 1H), 8.3 (d, 1H)

2.ステップ2(化合物aのハイドロシリル化による化合物Aの合成)
化合物a5.0g(0.014mol)にSpeir catalyst(H2PtCl6・6H2O/2−PrOH、0.1mol/l)を2滴加え、氷浴下でトリクロロシラン2.8g(0.021mol)を滴下して撹拌した。更に1時間後にトリクロロシラン1.6g(0.012mol)を滴下してから室温に戻した。3時間後に反応が終了した。反応終了後、未反応のトリクロロシランを減圧留去し、化合物Aを得た。
合成スキームを以下に示す。
2. Step 2 (Synthesis of Compound A by Hydrosilylation of Compound a)
Two drops of Spear catalyst (H 2 PtCl 6 .6H 2 O / 2-PrOH, 0.1 mol / l) was added to 5.0 g (0.014 mol) of compound a, and 2.8 g (0.021 mol) of trichlorosilane in an ice bath. ) Was added dropwise and stirred. After 1 hour, 1.6 g (0.012 mol) of trichlorosilane was added dropwise, and the temperature was returned to room temperature. The reaction was complete after 3 hours. After completion of the reaction, unreacted trichlorosilane was distilled off under reduced pressure to obtain Compound A.
A synthesis scheme is shown below.

Figure 2006077273
Figure 2006077273

1H NMR(300MHz CDCl3
δ=1.2−1.8(m,30H),3.2(t,J=6.3,2H),7.3−7.7(m,3H),8.3(d,2H)
1 H NMR (300 MHz CDCl 3 )
δ = 1.2−1.8 (m, 30H), 3.2 (t, J = 6.3, 2H), 7.3-7.7 (m, 3H), 8.3 (d, 2H) )

(光開裂化合物の結合)
上記ITOパターンが形成されたガラス基板を、終夜、ピランハ液(硫酸/30%過酸化水素=1/1vol混合液)に浸漬した後、純水で洗浄した。その基板を、窒素置換したセパラブルフラスコ中に入れ12.5質量%の化合物Aの脱水トルエン溶液に1時間浸漬した。取り出し後、トルエン、アセトン、純水で順に洗浄した。このように、ITOパターン表面に光開裂化合物が導入された基板を得た。
(Binding of photocleavable compounds)
The glass substrate on which the ITO pattern was formed was immersed in a piranha solution (sulfuric acid / 30% hydrogen peroxide = 1/1 vol mixed solution) overnight, and then washed with pure water. The substrate was placed in a separable flask purged with nitrogen and immersed in a dehydrated toluene solution of 12.5% by mass of Compound A for 1 hour. After taking out, it wash | cleaned in order with toluene, acetone, and a pure water. Thus, the board | substrate with which the photocleavable compound was introduce | transduced into the ITO pattern surface was obtained.

(グラフトポリマーの生成)
次に、基板のITOパターンが形成された面にアクリル酸の20質量%の水溶液を5ml滴下し、その上に石英板をかぶせて、その水溶液を均一に基板と石英板の間に挟み込んだ。その石英板上に、ITOパターンと同形状に光透過するようなパターンマスク(NC−1、凸版印刷社製)を密着させるようにクリップで留め、露光機(UVX−02516S1LP01、ウシオ電機社製)で1分間露光した。露光後、石英板及びマスクを取り外し、純水で充分洗浄した。
以上のようにして、ITOパターン表面全面にアクリル酸からなるグラフトポリマーが結合した基板を得た。
(Generation of graft polymer)
Next, 5 ml of a 20% by mass aqueous solution of acrylic acid was dropped on the surface of the substrate on which the ITO pattern was formed, and a quartz plate was placed thereon, and the aqueous solution was uniformly sandwiched between the substrate and the quartz plate. On the quartz plate, a pattern mask (NC-1, manufactured by Toppan Printing Co., Ltd.) that transmits light in the same shape as the ITO pattern is fastened with a clip, and an exposure machine (UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.) For 1 minute. After the exposure, the quartz plate and the mask were removed and washed thoroughly with pure water.
As described above, a substrate having a graft polymer made of acrylic acid bonded to the entire ITO pattern surface was obtained.

(導電性材料の付着)
得られた基板を、硝酸パラジウム(和光純薬製)0.1質量%の水溶液に1時間浸漬した後、蒸留水で洗浄した。その後、下記組成の無電解メッキ浴に20分間浸漬し、Cuメッキ膜を得た。
(Adhesion of conductive material)
The obtained substrate was immersed in a 0.1% by mass aqueous solution of palladium nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 hour, and then washed with distilled water. Then, it was immersed in an electroless plating bath having the following composition for 20 minutes to obtain a Cu plating film.

<無電解メッキ浴成分>
・OPCカッパ−H T1(奥野製薬(株)製) 6mL
・OPCカッパ−H T2(奥野製薬(株)製) 1.2mL
・OPCカッパ−H T3(奥野製薬(株)製) 10mL
・水 83mL
<Electroless plating bath components>
・ OPC Kappa-H T1 (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) 6mL
・ OPC Kappa-H T2 (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) 1.2mL
・ OPC Kappa-H T3 (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) 10mL
・ Water 83mL

得られたCuメッキ膜を、光学顕微鏡(ニコン製、OPTI PHOTO−2)を用いて観察したところ、ITOパターン上にCuメッキ膜が積層した良好な導電性パターンが確認された。
また、ITO膜にCuメッキ膜が積層してなる導電性パターンの表面導電性をLORESTA−FP(三菱化学(株)製)を用いて四探針法により測定したところ、0.3Ω/□であった。
更に、導電性パターンの表面を水で湿らせた布(BEMCOT、旭化成工業社製)を用いて手で往復20回擦った。擦った後に、前記と同様にして光学顕微鏡にて観察したところ、擦り処理を行なう前と同様の良好な導電性パターンが確認された。また、表面導電性にも変化が無かった。
When the obtained Cu plating film was observed using an optical microscope (manufactured by Nikon, OPTI PHOTO-2), a good conductive pattern in which the Cu plating film was laminated on the ITO pattern was confirmed.
Further, when the surface conductivity of the conductive pattern formed by laminating the Cu plating film on the ITO film was measured by the four-probe method using LORESTA-FP (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), it was 0.3Ω / □. there were.
Further, the surface of the conductive pattern was rubbed 20 times by hand using a cloth (BEMCOT, manufactured by Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd.) moistened with water. After rubbing, when observed with an optical microscope in the same manner as described above, a good conductive pattern similar to that before the rubbing treatment was confirmed. Moreover, there was no change in surface conductivity.

以上のことから、実施例1における導電性パターン材料は、導電性に優れ、更に、ITO膜とCuメッキ膜(金属膜)との密着性に優れた導電性パターンを有していることが判明した。
これらのことから、この導電性パターン材料を、ITO膜と金属膜との積層型の配線や電極に適用することが容易である。そのため、様々な用途に広く適用することができる。
From the above, it has been found that the conductive pattern material in Example 1 has a conductive pattern that is excellent in conductivity and that has excellent adhesion between the ITO film and the Cu plating film (metal film). did.
From these things, it is easy to apply this conductive pattern material to the laminated wiring and electrode of an ITO film and a metal film. Therefore, it can be widely applied to various uses.

本発明の導電性パターン材料を適用した複合電極を備えた面放電方式のAC側PDPの構成を示す部分分解斜視図である。It is a partial exploded perspective view which shows the structure of AC side PDP of the surface discharge system provided with the composite electrode to which the electroconductive pattern material of this invention is applied. 本発明の導電性パターン材料を駆動ICチップの入出力配線として備えた単純マトリクス型液晶表示装置(LCD)の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram showing a configuration of a simple matrix type liquid crystal display device (LCD) provided with the conductive pattern material of the present invention as input / output wiring of a driving IC chip.

符号の説明Explanation of symbols

10 前面ガラス基板
11 ガラス基板
12 ブラックマトリクス
13 透明電極
14 バス電極
15 表示電極
20 背面ガラス基板
21 ガラス基板
22 リブ(隔壁)
23 PDP用データー電極(アドレス電極)
24a,24b,24c 蛍光体膜
30 透明誘電体層
40 保護層
50 LCDパネル基板
51 LCDパネル基板の周辺部
52A,52B,52C 駆動ICチップ
53 駆動ICチップの入出力配線
54 FPC(フレキシブル・プリンティッド・サーキット)
100 PDP
200 液晶表示装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Front glass substrate 11 Glass substrate 12 Black matrix 13 Transparent electrode 14 Bus electrode 15 Display electrode 20 Back glass substrate 21 Glass substrate 22 Rib (partition)
23 Data electrode for PDP (address electrode)
24a, 24b, 24c Phosphor film 30 Transparent dielectric layer 40 Protective layer 50 LCD panel substrate 51 Peripheral portion of LCD panel substrate 52A, 52B, 52C Driving IC chip 53 Input / output wiring of driving IC chip 54 FPC (flexible printed) ·circuit)
100 PDP
200 Liquid crystal display device

Claims (7)

基板上にパターン状に設けられたITO膜表面に、グラフトポリマーを直接結合させて、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させてなることを特徴とする導電性パターン材料。   A conductive pattern material comprising a graft polymer directly bonded to a surface of an ITO film provided in a pattern on a substrate, and a conductive material attached to the graft polymer. 基板上にITO膜を設ける工程と、
該ITO膜表面にグラフトポリマーを直接結合させる工程と、
該グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程と、
を有し、
前記グラフトポリマーを直接結合させる工程の前又は後に、前記ITO膜をパターニングする工程を有することを特徴とする導電性パターン材料の製造方法。
Providing an ITO film on the substrate;
Directly bonding the graft polymer to the surface of the ITO film;
Attaching a conductive material to the graft polymer;
Have
A method for producing a conductive pattern material, comprising a step of patterning the ITO film before or after the step of directly bonding the graft polymer.
前記グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程が、該グラフトポリマーに導電性粒子を吸着させる方法を用いることを特徴とする請求項2に記載の導電性パターン材料の製造方法。   The method for producing a conductive pattern material according to claim 2, wherein the step of attaching the conductive material to the graft polymer uses a method of adsorbing conductive particles to the graft polymer. 前記グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程が、該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解メッキを行う方法を用いることを特徴とする請求項2に記載の導電性パターン材料の製造方法。   3. The method according to claim 2, wherein the step of attaching a conductive material to the graft polymer uses a method of performing electroless plating after adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the graft polymer. A method for producing a conductive pattern material. 前記グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程が、該グラフトポリマーに金属イオン又は金属塩を吸着させた後、該金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元させる方法を用いることを特徴とする請求項2に記載の導電性パターン材料の製造方法。   The step of attaching a conductive material to the graft polymer uses a method in which a metal ion or a metal salt is adsorbed on the graft polymer and then the metal ion in the metal ion or the metal salt is reduced. Item 3. A method for producing a conductive pattern material according to Item 2. 前記グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程が、該グラフトポリマーに導電性モノマーを吸着させた後、重合反応を生起させて導電性ポリマー層を形成する方法を用いることを特徴とする請求項2に記載の導電性パターン材料の製造方法。   3. The method of attaching a conductive material to the graft polymer uses a method of forming a conductive polymer layer by causing a polymerization reaction after adsorbing a conductive monomer to the graft polymer. The manufacturing method of the electroconductive pattern material of description. 請求項2〜請求項6のいずれか一項に記載の導電性パターン材料の製造方法で得られた導電性パターン材料を、複合電極として備えたことを特徴とするPDP。   A PDP comprising a conductive pattern material obtained by the method for producing a conductive pattern material according to any one of claims 2 to 6 as a composite electrode.
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