JP2006100176A - Flat surface display device - Google Patents

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Masahiro Yokota
昌広 横田
Yoshiyuki Kitahara
義之 北原
Takeshi Koyaizu
剛 小柳津
Shuichi Saito
秀一 齋藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flat surface display device which can settle resistance between divided areas of a metal back to a predetermined value. <P>SOLUTION: On the inner surface of a front substrate 2, a plurality of first ribs 21 extending to an X direction and a plurality of second ribs 22 extending to a Y direction are partially piled on each other and formed into a rib structures, and a metal back 14 is evaporated through the rib structure. This can lap divided areas over corresponding areas to respective color pixels, and can form the metal back into the electrical divided areas with stability. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、例えば、背面基板に設けた電子放出素子から電子を放出させて前面基板に設けた蛍光体層を励起発光させることにより画像を表示する平面型表示装置に関する。   The present invention relates to a flat display device that displays an image by, for example, emitting electrons from an electron-emitting device provided on a back substrate and exciting and emitting a phosphor layer provided on the front substrate.

近年、偏平な平面パネル構造の真空外囲器を有する平面型表示装置として、フィールドエミッションディスプレイ(FED)や、表面伝導型の電子放出素子を備えた表示装置(SED)等が知られている。   In recent years, a field emission display (FED), a display device (SED) having a surface conduction electron-emitting device, and the like are known as a flat display device having a flat envelope having a flat panel structure.

FEDやSEDでは、スペーサを介して所定の間隔を置いて対向配置された前面基板および背面基板を矩形枠状の側壁で周縁部を互いに接合し、内部を真空にした真空外囲器を有している。   The FED and SED have a vacuum envelope in which the front and back substrates, which are opposed to each other with a predetermined interval through a spacer, are joined to each other by a rectangular frame-shaped side wall, and the inside is evacuated. ing.

前面基板の内面には3色の蛍光体層とこれを覆うメタルバックが形成され、背面基板の内面には蛍光体層を励起発光させる電子放出源として蛍光体層の画素毎に対応した多数の電子放出素子が配置されている。また、真空外囲器内部の高真空を維持するため、前面基板の内面にゲッタ膜が形成される。   A phosphor layer of three colors and a metal back covering the phosphor layer are formed on the inner surface of the front substrate, and a large number of phosphor layers corresponding to each pixel of the phosphor layer as an electron emission source for exciting and emitting the phosphor layer on the inner surface of the rear substrate. An electron-emitting device is disposed. Further, in order to maintain a high vacuum inside the vacuum envelope, a getter film is formed on the inner surface of the front substrate.

蛍光体層には、電子放出素子より数kV高い電圧が印加されており、個々の電子放出素子から放出された電子ビームはこの電界によって加速される。そして、この加速された電子ビームが対応する蛍光体層に照射され、蛍光体を励起発光させてカラー画像を表示する。   A voltage several kV higher than the electron-emitting device is applied to the phosphor layer, and the electron beam emitted from each electron-emitting device is accelerated by this electric field. Then, the accelerated electron beam is applied to the corresponding phosphor layer, and the phosphor is excited to emit light to display a color image.

このように、電子ビームを加速するための高電圧を近接した前面基板と背面基板の間に印加すると、しばしば放電の問題を生じる。放電を生じると、放電箇所を通じて多大な電流が流れるため、同箇所での電子放出素子にダメージが発生する問題があった。   Thus, when a high voltage for accelerating the electron beam is applied between the front substrate and the rear substrate that are close to each other, a discharge problem often occurs. When a discharge occurs, a large amount of current flows through the discharge location, causing damage to the electron-emitting device at that location.

これに対して、前面基板の蛍光体層を覆うメタルバックを電気的に小さい領域に分断して、分断領域間を高抵抗とすることで放電発生時に流れる電流を制限し、放電ダメージを緩和する技術が知られている(例えば、特許文献1および特許文献2参照。)。メタルバックを分断する方法として、化学的にメタルバックを変質させたり、レーザでメタルバックを部分的に蒸発させたりする方法が考えられる。   On the other hand, the metal back covering the phosphor layer of the front substrate is electrically divided into small regions, and the current flowing when the discharge occurs is limited by reducing the resistance between the divided regions by reducing the discharge damage. Techniques are known (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). As a method of dividing the metal back, a method of chemically modifying the metal back or a method of partially evaporating the metal back with a laser can be considered.

しかし、このような従来の方法でメタルバックを複数の小さな領域に分断した場合、隣接する領域間の抵抗値が不安定となり、輝度ムラの原因となったり、領域間における放電を誘発したりする問題があった。また、上述した分断方法では、領域間の抵抗値を所望する値にコントロールすることは極めて困難であり、メタルバックの電気的特性が不安定であった。
特開平10−326583号公報 特開2000−311642号公報
However, when the metal back is divided into a plurality of small regions by such a conventional method, the resistance value between adjacent regions becomes unstable, causing uneven brightness or inducing discharge between regions. There was a problem. Further, in the above dividing method, it is extremely difficult to control the resistance value between regions to a desired value, and the electrical characteristics of the metal back are unstable.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-326583 JP 2000-31642 A

この発明の目的は、メタルバックの分断された領域間における抵抗値を所望する値に安定させることができる平面型表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a flat display device capable of stabilizing a resistance value between divided regions of a metal back to a desired value.

上記目的を達成するため、この発明の平面型表示装置は、内側に多数の蛍光体層およびメタルバックあるいはゲッタを有する前面基板と内側に多数の電子放出素子を有する背面基板を所定の間隔で向かい合わせて内部を真空雰囲気にし、上記蛍光体層およびメタルバックを上記電子放出素子より高い電位にした平面型表示装置において、上記メタルバックあるいはゲッタは前面基板の厚さ方向に突出した第1リブと第2リブの壁面により複数の島状の領域に電気的に分断されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a flat display device according to the present invention has a front substrate having a large number of phosphor layers and metal backs or getters on the inside and a back substrate having a large number of electron-emitting devices on the inner side at a predetermined interval. In addition, in a flat display device in which the inside is in a vacuum atmosphere and the phosphor layer and the metal back are at a higher potential than the electron-emitting device, the metal back or getter has a first rib protruding in the thickness direction of the front substrate, The second rib is electrically divided into a plurality of island-shaped regions by the wall surface of the second rib.

上記発明によると、メタルバックを複数の島状の領域に電気的に分断するための複数本の第1および第2リブを前面基板の内側に設けたため、これら第1および第2リブを介してメタルバックを形成することで、メタルバックを複数の島状の領域に確実に分断できる。また、これら第1および第2リブを介してゲッタ膜を形成することで、ゲッタ膜も複数の島状の領域に電気的に分断することができる。   According to the above invention, since the plurality of first and second ribs for electrically dividing the metal back into the plurality of island-shaped regions are provided inside the front substrate, the first and second ribs are interposed through the first and second ribs. By forming the metal back, the metal back can be reliably divided into a plurality of island-shaped regions. In addition, by forming the getter film via the first and second ribs, the getter film can also be electrically divided into a plurality of island-shaped regions.

この発明の平面型表示装置は、上記のような構成および作用を有しているので、メタルバックの分断された領域間における抵抗値を所望する値に安定させることができる。   Since the flat display device of the present invention has the above-described configuration and action, the resistance value between the divided regions of the metal back can be stabilized at a desired value.

以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態について詳細に説明する。始めに、本発明の実施の形態に係る表示装置の一例として、SEDについて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, an SED will be described as an example of a display device according to an embodiment of the present invention.

図1ないし図3に示すように、SED1は、それぞれ矩形状の1〜2mmのガラス板からなる前面基板2および背面基板4を備え、これらの基板はスペーサ8を介して約1.0〜2.0mmの隙間をおいて対向配置されている。そして、前面基板2および背面基板4は、周囲を矩形枠状の側壁6を介して接合され、内部が真空の真空外囲器10を構成している。   As shown in FIGS. 1 to 3, the SED 1 includes a front substrate 2 and a rear substrate 4 each made of a glass plate having a rectangular shape of 1 to 2 mm, and these substrates are about 1.0 to 2 through spacers 8. They are placed facing each other with a gap of 0 mm. The front substrate 2 and the back substrate 4 are joined together via a rectangular frame-shaped side wall 6 to constitute a vacuum envelope 10 whose inside is a vacuum.

前面基板2の内面には画像を表示する蛍光体スクリーン12が形成されている。この蛍光体スクリーン12は、赤、青、緑の蛍光体層R、G、B、および遮光層11を並べ、蛍光体層をメタルバック14で覆う構成としている。蛍光体層R、G、Bはストライプ状あるいはドット状に形成され、メタルバック14はアルミニウム等の金属薄膜から形成されている。   A phosphor screen 12 for displaying an image is formed on the inner surface of the front substrate 2. The phosphor screen 12 has a configuration in which red, blue, and green phosphor layers R, G, and B and a light shielding layer 11 are arranged and the phosphor layer is covered with a metal back 14. The phosphor layers R, G, and B are formed in stripes or dots, and the metal back 14 is formed of a metal thin film such as aluminum.

背面基板4の内面には、蛍光体層R、G、Bを励起発光させるための電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子16が設けられている。これらの電子放出素子16は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列され、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板4の内面上には、各電子放出素子16に駆動電圧を与えるための多数本の配線18がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器10の外部に引き出されている。   On the inner surface of the back substrate 4, a number of surface conduction electron-emitting devices 16 that emit an electron beam for exciting and emitting the phosphor layers R, G, and B are provided. These electron-emitting devices 16 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel, and are configured by an electron-emitting unit (not shown) and a pair of device electrodes for applying a voltage to the electron-emitting unit. Further, on the inner surface of the back substrate 4, a large number of wirings 18 for applying a driving voltage to the respective electron-emitting devices 16 are provided in a matrix shape, and end portions thereof are drawn out of the vacuum envelope 10. Yes.

なお、これら前面基板2と背面基板4は、真空雰囲気中で脱ガス焼成後に周縁部同士を封着されて真空外囲器10を形成するが、封着に先立ち真空雰囲気中で前面基板2の内面全域にゲッタ成膜し、パネル化後の高真空を維持できるようにしている。   The front substrate 2 and the rear substrate 4 are degassed and fired in a vacuum atmosphere, and the peripheral portions are sealed together to form a vacuum envelope 10. Prior to sealing, the front substrate 2 and the rear substrate 4 are sealed in the vacuum atmosphere. A getter film is formed on the entire inner surface to maintain a high vacuum after panel formation.

上記SED1において、画像を表示する場合、配線18を介して電子放出素子16の素子電極間に電圧を与え、任意の電子放出素子16の電子放出部から電子ビームを放出するとともに、蛍光体スクリーン12に印加したアノード電圧により電子ビームを加速して蛍光体スクリーン12に照射する。これにより、所望の蛍光体層R、G、Bが励起発光し、画像を表示する。   In the SED 1, when an image is displayed, a voltage is applied between the element electrodes of the electron-emitting device 16 through the wiring 18 to emit an electron beam from an electron-emitting portion of the arbitrary electron-emitting device 16 and the phosphor screen 12. The electron beam is accelerated by the anode voltage applied to the phosphor screen 12 to irradiate the phosphor screen 12. As a result, the desired phosphor layers R, G, and B are excited to emit light and display an image.

ここで、上述したメタルバック14のソフトフラッシュ構造について、図4を参照して説明する。図4には、メタルバック14を蛍光体層R、G、B(画素)毎に複数の島状の領域14aに分断した構造を示してある。なお、ここでは、図示を明瞭化するため、各領域14aや画素R、G、Bの基板2に対する大きさは実際の比率とは異なる。また、図4では各画素をそれぞれ覆う島状の領域14aにメタルバック14を分断した例を示したが、複数個の画素を覆う複数の領域にメタルバック14を分断しても良い。いずれにしても、本実施の形態では、メタルバック14が複数の小さい領域14aに分断され、これら複数の領域14aが高抵抗部材14bで接続された構成となっている。   Here, the soft flash structure of the metal back 14 described above will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows a structure in which the metal back 14 is divided into a plurality of island-like regions 14a for each of the phosphor layers R, G, and B (pixels). Here, in order to clarify the illustration, the sizes of the regions 14a and the pixels R, G, and B with respect to the substrate 2 are different from the actual ratio. Further, although FIG. 4 shows an example in which the metal back 14 is divided into island-shaped regions 14a covering the respective pixels, the metal back 14 may be divided into a plurality of regions covering a plurality of pixels. In any case, in the present embodiment, the metal back 14 is divided into a plurality of small regions 14a, and the plurality of regions 14a are connected by a high resistance member 14b.

各領域14a間の高抵抗部材14bの抵抗は高いほうが放電電流を抑制できるが、一方で画像表示用の電子ビーム電流によるアノード電圧降下を生じてしまう。高抵抗部材14bの最適抵抗値については、放電電流抑制効果が分断の構成や分断間の耐圧特性にもよるため一律に言及することはできないが、概ね1kΩ〜10MΩの値である。メタルバック14をこのようなソフトフラッシュ構造とすることにより、放電が生じてもメタルバック14が小さな領域14aに分断されているため、放電電流を制限して放電によるダメージを抑制することができる。   The higher the resistance of the high resistance member 14b between the regions 14a, the more the discharge current can be suppressed. On the other hand, an anode voltage drop is caused by the electron beam current for image display. The optimum resistance value of the high-resistance member 14b cannot be uniformly mentioned because the discharge current suppressing effect depends on the structure of the division and the withstand voltage characteristics between the divisions, but is generally a value of 1 kΩ to 10 MΩ. By making the metal back 14 have such a soft flash structure, even if a discharge occurs, the metal back 14 is divided into small regions 14a. Therefore, it is possible to limit the discharge current and suppress damage caused by the discharge.

次に、本発明の第1の実施の形態に係る上述したメタルバック14の製造方法について、図5乃至図9を参照して説明する。なお、各図において、(a)は前面基板2の内面を部分的に拡大した概略平面図を示してあり、(b)は前面基板2の部分的な斜視図を示してある。ここでは、XY2方向に延びた複数本のリブ21、22(後述する)によって、メタルバック14を色画素毎に複数の島状の領域14aに分断する方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the metal back 14 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In each figure, (a) shows a schematic plan view in which the inner surface of the front substrate 2 is partially enlarged, and (b) shows a partial perspective view of the front substrate 2. Here, a method of dividing the metal back 14 into a plurality of island-shaped regions 14a for each color pixel by a plurality of ribs 21 and 22 (described later) extending in the XY2 direction will be described.

まず、図5に示すように、前面基板2の内面に遮光層11を形成し、遮光層11に重ねて高抵抗層23を形成する。この高抵抗層23は、後述するようにメタルバック14を複数の島状の領域14aに分断した後、各領域14a間の抵抗を制御するために設けられる。   First, as shown in FIG. 5, the light shielding layer 11 is formed on the inner surface of the front substrate 2, and the high resistance layer 23 is formed on the light shielding layer 11. As will be described later, the high resistance layer 23 is provided to control the resistance between the regions 14a after the metal back 14 is divided into a plurality of island-like regions 14a.

遮光層11は、厚さ約2[μm]であり、蛍光体層の各色画素領域R、G、Bをそれぞれ規定する複数の矩形の開口11aを有する。複数の開口11aは、例えば、フォトリソグラフィ法により、所定のマスクパターンを用いて形成される。遮光層11は、抵抗率が、高抵抗層23の抵抗率よりも1ケタ以上高い材料により形成されている。   The light shielding layer 11 has a thickness of about 2 [μm], and has a plurality of rectangular openings 11 a that respectively define the color pixel regions R, G, and B of the phosphor layer. The plurality of openings 11a are formed using a predetermined mask pattern, for example, by photolithography. The light shielding layer 11 is made of a material whose resistivity is one digit higher than that of the high resistance layer 23.

高抵抗層23は、厚さ約10[μm]であり、抵抗率10[Ωm](分断メタルバック間抵抗0.05〜0.5[MΩ])の遮光層11と略同じマスクパターンを用いたフォトリソグラフィ法により形成されている。つまり、高抵抗層23も、遮光層22の開口11aと重なる複数の開口23aを有する。   The high resistance layer 23 has a thickness of about 10 [μm], and uses a mask pattern substantially the same as the light shielding layer 11 having a resistivity of 10 [Ωm] (resistance between divided metal backs of 0.05 to 0.5 [MΩ]). Formed by the conventional photolithography method. That is, the high resistance layer 23 also has a plurality of openings 23 a that overlap the openings 11 a of the light shielding layer 22.

次に、図6に示すように、上述した複数の開口11a、23aそれぞれに蛍光体層R、G、Bを形成する。蛍光体層R、G、Bは、印刷法によりそれぞれ約10[μm]の厚さで対応する開口11a、23aに形成される。つまり、各蛍光体層R、G、Bは、高抵抗層23と概ね同じ高さに形成される。   Next, as shown in FIG. 6, phosphor layers R, G, and B are formed in the plurality of openings 11a and 23a, respectively. The phosphor layers R, G, and B are formed in the corresponding openings 11a and 23a with a thickness of about 10 [μm], respectively, by a printing method. That is, the phosphor layers R, G, and B are formed at substantially the same height as the high resistance layer 23.

そして、図7に示すように、隣接する蛍光体層R、G、Bの間の高抵抗層23上に、図中X方向に延び且つ前面基板2から離れる方向に厚さを有する複数本の第1リブ21を形成する。第1リブ21は、厚さ約20[μm]で、抵抗率が高抵抗層23の抵抗率よりも1ケタ以上高い材料により形成されている。本実施の形態では、第1リブ21の幅は、約50[μm]に設定され、側面の基板2に対する立ち上りはオーバーハングした形状(図示せず)であり、後述するメタルバックあるいはゲッタ成膜時に側面で分断できるようになっている。   Then, as shown in FIG. 7, on the high resistance layer 23 between the adjacent phosphor layers R, G, B, a plurality of pieces extending in the X direction in the figure and having a thickness in the direction away from the front substrate 2. First ribs 21 are formed. The first rib 21 has a thickness of about 20 [μm] and is made of a material whose resistivity is one digit higher than that of the high resistance layer 23. In the present embodiment, the width of the first rib 21 is set to about 50 [μm], and the rising of the side surface with respect to the substrate 2 has an overhanging shape (not shown). Sometimes it can be divided on the side.

さらに、図8に示すように、複数本の第1リブ21と交差して部分的に重なるように、複数本の第2リブ22を形成する。第2リブ22は、隣接する2本の第1リブ21を連絡するように、その長さ方向に分割されており、図中Y方向に延び且つ隣接する蛍光体層の間にある高抵抗層23の上に複数本ずつ(本実施の形態では2本ずつ)設けられている。より詳細には、1行目の第2リブ22と2行目の第2リブ22が隣接する第1リブ21を交互に連絡するように形成されている。   Further, as shown in FIG. 8, a plurality of second ribs 22 are formed so as to intersect and partially overlap the plurality of first ribs 21. The second rib 22 is divided in the length direction so as to connect the two adjacent first ribs 21 and extends in the Y direction in the drawing and is a high resistance layer between the adjacent phosphor layers. A plurality of pieces (two in the present embodiment) are provided on 23. More specifically, the second ribs 22 in the first row and the second ribs 22 in the second row are formed so as to alternately connect the adjacent first ribs 21.

なお、各第2リブ22は、厚さ約20[μm]で、抵抗率が高抵抗層23の抵抗率よりも1ケタ以上高い材料により形成されている。また、本実施の形態では、第2リブ22の幅は、約80[μm]に設定され、1行目の第2リブ22と2行目の第2リブ22との間の幅も80[μm]に設定されている。さらに、第2リブ22の側面の基板2に対する立ち上りはオーバーハングした形状(図示せず)であり、後述するメタルバックあるいはゲッタ成膜時に側面で分断できるようになっている。   Each of the second ribs 22 is formed of a material having a thickness of about 20 [μm] and a resistivity that is one digit higher than the resistivity of the high resistance layer 23. In the present embodiment, the width of the second rib 22 is set to about 80 [μm], and the width between the second rib 22 in the first row and the second rib 22 in the second row is also 80 [ μm]. Furthermore, the rising of the side surface of the second rib 22 with respect to the substrate 2 has an overhanging shape (not shown) so that it can be divided by the side surface during metal back or getter film formation described later.

以上のリブ構造を前面基板2の内面に形成した後、前面基板2を焼成して余分な成分を飛ばすとともに硬化させる。このとき、各構造において、1〜2割程度の収縮があるが、上述の数値は焼成後の形状寸法を記載している。   After the above rib structure is formed on the inner surface of the front substrate 2, the front substrate 2 is baked to remove excess components and be cured. At this time, in each structure, there is contraction of about 10 to 20%, but the above-mentioned numerical values describe the shape dimensions after firing.

そして、最後に、図9に示すように、上述したリブ構造21、22を介して、前面基板2の内面にメタルバック14を成膜する。メタルバック14は、前面基板2全体に図示しない平滑樹脂膜を塗布した後、ALを蒸着し、焼成して余分な成分を飛ばして成膜する。なお、この後、ゲッタは、パネル化工程の真空雰囲気内でメタルバック14の上に直接成膜する。両者をあせた厚さは概ね100[nm]程度である。   Finally, as shown in FIG. 9, a metal back 14 is formed on the inner surface of the front substrate 2 via the rib structures 21 and 22 described above. The metal back 14 is formed by applying a smooth resin film (not shown) to the entire front substrate 2 and then depositing AL and baking it to remove excess components. After this, the getter is directly deposited on the metal back 14 in the vacuum atmosphere of the paneling process. The thickness of the two is about 100 [nm].

このようにメタルバック14(またはゲッタ)を成膜すると、第1、2リブ21、22側面でメタルバック(あるいはゲッタ)が分断されるため、結果的にメタルバック14は島状の複数の領域14aに分断された構成となる。参考のため、リブ側面によってメタルバック14を分断した分断線25を図中破線で示した。これにより、リブ21、22の上面、底面のいずれにおいてもメタルバック14は島状に分断され、従来のような線状の分断構造に対して放電電流を1ケタ程度抑制改善することができた。   When the metal back 14 (or getter) is formed in this manner, the metal back (or getter) is divided at the side surfaces of the first and second ribs 21 and 22, and as a result, the metal back 14 has a plurality of island-shaped regions. It becomes the structure divided | segmented into 14a. For reference, a dividing line 25 obtained by dividing the metal back 14 by the rib side surface is shown by a broken line in the drawing. As a result, the metal back 14 is divided into island shapes on both the top and bottom surfaces of the ribs 21 and 22, and the discharge current can be suppressed and improved by about one digit compared to the conventional linear dividing structure. .

リブ側面は分断のためにオーバーハング形状としたが、オーバーハング形状でなくても傾斜角度が大きければリブ表面の凸凹形態も利用すればメタルバックやゲッタを分断することができる。この場合、前面基板に対する側面の立ち上がり角度は45度以上が望ましい。   Although the rib side surface is formed in an overhang shape for division, the metal back and getter can be divided if the uneven shape on the rib surface is also used if the inclination angle is large even if it is not overhang shape. In this case, the rising angle of the side surface with respect to the front substrate is preferably 45 degrees or more.

以上のように、本実施の形態によると、メタルバック14を複数の島状の領域14aに確実且つ容易に分断でき、各領域14a間の抵抗値を略設計値通りにできる。このため、メタルバック14の電気的特性を安定させることができ、放電によるダメージを抑制でき、輝度ムラを防止でき、信頼性の高い表示装置を提供できる。   As described above, according to the present embodiment, the metal back 14 can be reliably and easily divided into a plurality of island-like regions 14a, and the resistance value between the regions 14a can be made substantially as designed. For this reason, the electrical characteristics of the metal back 14 can be stabilized, damage due to discharge can be suppressed, luminance unevenness can be prevented, and a highly reliable display device can be provided.

次に、この発明の第2の実施の形態に係るメタルバック14の分断構造について、図10を参照して説明する。図10(a)には本実施の形態のリブ構造を形成した後の基板内面の状態を示してあり、図10(b)には上記リブ構造を介してメタルバック14を形成した後の状態を図示してある。なお、ここでは、上述した第1の実施の形態と同様に機能する構成要素には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。   Next, a dividing structure of the metal back 14 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10A shows a state of the inner surface of the substrate after the rib structure of the present embodiment is formed, and FIG. 10B shows a state after the metal back 14 is formed through the rib structure. Is shown. Here, the same reference numerals are given to components that function in the same manner as in the first embodiment described above, and a detailed description thereof will be omitted.

本実施の形態では、高抵抗層23をY方向に並んだ蛍光体層R、G、Bを繋げるように形成し、X方向に隣接する蛍光体層の間には高抵抗層23を形成せずに遮光層11を露出したパターンとした。そして、第1リブ層21を抵抗材料で形成し、蛍光体層をX方向に電気的に繋げた。なお、各蛍光体層R、G、Bの周りには、概ねI形の第2リブ22が設けられ、各画素をX方向に繋ぐ第1リブ21の途中にもY方向に延びた第2リブ22が設けられている。   In the present embodiment, the high resistance layer 23 is formed so as to connect the phosphor layers R, G, and B arranged in the Y direction, and the high resistance layer 23 is formed between the phosphor layers adjacent in the X direction. The light shielding layer 11 was exposed. Then, the first rib layer 21 was formed of a resistance material, and the phosphor layers were electrically connected in the X direction. In addition, a substantially I-shaped second rib 22 is provided around each phosphor layer R, G, B, and the second rib 22 extending in the Y direction also extends in the middle of the first rib 21 that connects each pixel in the X direction. Ribs 22 are provided.

この構成では、メタルバック14の分断された領域14aをY方向に接続する抵抗は高抵抗層23で制御し、各分断領域14aをX方向に接続する抵抗は第1リブ21で制御するようにしている。このような構成により、余分な層を形成することなく高抵抗の縦横異方性を変えることが出来る。   In this configuration, the resistance connecting the divided region 14 a of the metal back 14 in the Y direction is controlled by the high resistance layer 23, and the resistance connecting each divided region 14 a in the X direction is controlled by the first rib 21. ing. With such a configuration, it is possible to change the longitudinal and lateral anisotropy with high resistance without forming an extra layer.

以上のように、本実施の形態においても、上述した第1の実施の形態と同様に、第1、2リブ21、22を部分的に重ねることにより、分断線25で示す通り、メタルバック14を複数の島状の領域14aに確実に分断でき、放電電流も十分に抑制できる。   As described above, in the present embodiment as well, as in the first embodiment described above, the first and second ribs 21 and 22 are partially overlapped to form the metal back 14 as shown by the dividing line 25. Can be reliably divided into a plurality of island-shaped regions 14a, and the discharge current can be sufficiently suppressed.

次に、この発明の第3の実施の形態に係るメタルバック14の分断構造について、図11を参照して説明する。図11(a)には本実施の形態のリブ構造を形成した後の基板内面の状態を示してあり、図11(b)には上記リブ構造を介してメタルバック14を形成した後の状態を図示してある。なお、ここでも、上述した第1の実施の形態と同様に機能する構成要素には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。   Next, a dividing structure of the metal back 14 according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 11A shows the state of the inner surface of the substrate after the rib structure of the present embodiment is formed, and FIG. 11B shows the state after the metal back 14 is formed via the rib structure. Is shown. In this case as well, components that function in the same manner as in the first embodiment described above are assigned the same reference numerals, and detailed descriptions thereof are omitted.

本実施の形態のリブ構造は、概ね、上述した第1および第2の実施の形態のリブ構造を組み合わせた構造を有する。つまり、上述した第2の実施の形態の第2リブ22のうちX方向に隣接した蛍光体層を繋ぐ第1リブ21の途中に設けた比較的短い第2リブ22を2本に増やし、第1の実施の形態と同様に隣接する第1リブ21同士を交互にずらした第2リブ22によって接続する構造とした。   The rib structure of the present embodiment generally has a structure in which the rib structures of the first and second embodiments described above are combined. That is, among the second ribs 22 of the second embodiment described above, the number of relatively short second ribs 22 provided in the middle of the first ribs 21 connecting the phosphor layers adjacent in the X direction is increased to two. As in the first embodiment, the first ribs 21 adjacent to each other are connected by the second ribs 22 that are alternately shifted.

これより、第1の実施の形態と同様に、メタルバック14のX方向に隣接した分断領域14a間の遮蔽リブ22の数を倍に増やすことで、X方向に沿った沿面耐圧を向上させることができる。なお、このリブ構成を応用すれば、X方向に隣接した領域14a間のスペースが許す限り、このスペースに多くの第2リブ22を形成でき、かつ、1つの第2リブ22を複数の第1リブ21に交互に積層させることで、メタルバック14を分断した領域14a間の遮蔽リブ22の数を増やして沿面耐圧特性をさらに向上させていくことが出来る。   Thus, as in the first embodiment, the creeping breakdown voltage along the X direction is improved by doubling the number of shielding ribs 22 between the divided regions 14a adjacent to the metal back 14 in the X direction. Can do. If this rib configuration is applied, as long as the space between the regions 14a adjacent in the X direction allows, a large number of second ribs 22 can be formed in this space, and one second rib 22 can be formed into a plurality of first ribs. By alternately laminating the ribs 21, it is possible to increase the number of shielding ribs 22 between the regions 14a where the metal back 14 is divided, thereby further improving the creeping withstand voltage characteristics.

なお、この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせても良い。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above-described embodiments. For example, you may delete some components from all the components shown by embodiment mentioned above. Furthermore, you may combine the component covering different embodiment suitably.

例えば、上述した実施の形態では、Y方向に延びた第2リブ22を領域14aに複数本も受けた場合について説明したが、これに限らず、X方向に延びた第1リブ21を隣接する領域14a間に複数本ずつ設けても良い。   For example, in the above-described embodiment, the case where a plurality of the second ribs 22 extending in the Y direction are received in the region 14a has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the first ribs 21 extending in the X direction are adjacent to each other. A plurality of them may be provided between the regions 14a.

この発明の実施の形態に係るSEDの真空外囲器を示す外観斜視図。1 is an external perspective view showing a vacuum envelope of an SED according to an embodiment of the present invention. 図1の真空外囲器を線II−IIに沿って切断した断面斜視図。FIG. 2 is a cross-sectional perspective view of the vacuum envelope of FIG. 1 cut along line II-II. 図2の断面を部分的に拡大して示す部分拡大断面図。The partial expanded sectional view which expands and shows the cross section of FIG. 2 partially. 前面基板内面の蛍光体スクリーンのメタルバックを島状に分断した状態を示す模式図。The schematic diagram which shows the state which divided | segmented the metal back of the phosphor screen of a front substrate inner surface into island shape. この発明の第1の実施の形態に係るメタルバックの分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図(a)、および部分拡大斜視図。The partial enlarged plan view (a) for demonstrating the process which manufactures the cutting structure of the metal back which concerns on 1st Embodiment of this invention, and a partial enlarged perspective view. この発明の第1の実施の形態に係るメタルバックの分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図(a)、および部分拡大斜視図。The partial enlarged plan view (a) for demonstrating the process which manufactures the cutting structure of the metal back which concerns on 1st Embodiment of this invention, and a partial enlarged perspective view. この発明の第1の実施の形態に係るメタルバックの分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図(a)、および部分拡大斜視図。The partial enlarged plan view (a) for demonstrating the process which manufactures the cutting structure of the metal back which concerns on 1st Embodiment of this invention, and a partial enlarged perspective view. この発明の第1の実施の形態に係るメタルバックの分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図(a)、および部分拡大斜視図。The partial enlarged plan view (a) for demonstrating the process which manufactures the cutting structure of the metal back which concerns on 1st Embodiment of this invention, and a partial enlarged perspective view. この発明の第1の実施の形態に係るメタルバックの分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図(a)、および部分拡大斜視図。The partial enlarged plan view (a) for demonstrating the process which manufactures the cutting structure of the metal back which concerns on 1st Embodiment of this invention, and a partial enlarged perspective view. この発明の第2の実施の形態に係るメタルバックの分断構造を説明するためのリブ構造を示す部分拡大平面図(a)、およびメタルバックを形成した後の部分拡大平面図(b)。The partial enlarged plan view (a) which shows the rib structure for demonstrating the cutting structure of the metal back which concerns on 2nd Embodiment of this invention, and the partial enlarged plan view after forming a metal back (b). この発明の第3の実施の形態に係るメタルバックの分断構造を説明するためのリブ構造を示す部分拡大平面図(a)、およびメタルバックを形成した後の部分拡大平面図(b)。The partial enlarged plan view (a) which shows the rib structure for demonstrating the dividing structure of the metal back which concerns on 3rd Embodiment of this invention, and the partial enlarged plan view after forming a metal back (b).

符号の説明Explanation of symbols

1…SED、2…前面基板、4…背面基板、6…側壁、8…スペーサ、10…真空外囲器、12…蛍光体スクリーン、14…メタルバック、14a…領域、14b…高抵抗部材、16…電子放出素子、18…配線、21…第1リブ、22…第2リブ、23…高抵抗層、25…分断線、R、G、B…蛍光体層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... SED, 2 ... Front substrate, 4 ... Back substrate, 6 ... Side wall, 8 ... Spacer, 10 ... Vacuum envelope, 12 ... Phosphor screen, 14 ... Metal back, 14a ... Area | region, 14b ... High resistance member, DESCRIPTION OF SYMBOLS 16 ... Electron emission element, 18 ... Wiring, 21 ... 1st rib, 22 ... 2nd rib, 23 ... High resistance layer, 25 ... Broken line, R, G, B ... Phosphor layer.

Claims (10)

内側に多数の蛍光体層およびメタルバックあるいはゲッタを有する前面基板と内側に多数の電子放出素子を有する背面基板を所定の間隔で向かい合わせて内部を真空雰囲気にし、上記蛍光体層およびメタルバックを上記電子放出素子より高い電位にした平面型表示装置において、
上記メタルバックあるいはゲッタは前面基板の厚さ方向に突出した第1リブと第2リブの壁面により複数の島状の領域に電気的に分断されていることを特徴とする平面型表示装置。
A front substrate having a large number of phosphor layers and metal backs or getters on the inside and a back substrate having a large number of electron-emitting devices on the inside face each other at a predetermined interval to form a vacuum atmosphere. In the flat display device having a higher potential than the electron-emitting device,
The flat display device, wherein the metal back or getter is electrically divided into a plurality of island-like regions by the wall surfaces of the first rib and the second rib protruding in the thickness direction of the front substrate.
上記第1および第2リブのうち少なくとも一方は、その長さ方向に複数の短い部分に分割されていることを特徴とする請求項1に記載の平面型表示装置。   2. The flat display device according to claim 1, wherein at least one of the first and second ribs is divided into a plurality of short portions in the length direction. 上記第1および第2リブは、互いに重なる部位を有することを特徴とする請求項1記載の平面型表示装置。   2. The flat display device according to claim 1, wherein the first and second ribs have portions overlapping each other. 上記第1および第2リブのうち上に重なるリブは、その長さ方向に複数の短い部分に分割されていることを特徴とする請求項3に記載の平面型表示装置。   4. The flat display device according to claim 3, wherein the rib that overlaps the first and second ribs is divided into a plurality of short portions in the length direction thereof. 上記第1および第2リブの突出高さは、10[μm]以上であることを特徴とする請求項1記載の平面型表示装置。   2. The flat display device according to claim 1, wherein the protruding height of the first and second ribs is 10 [μm] or more. 上記第1および第2リブの側面は、上記前面基板に対して45度以上の角度で立ち上がっていることを特徴とする請求項1記載の平面型表示装置。   2. The flat display device according to claim 1, wherein side surfaces of the first and second ribs rise at an angle of 45 degrees or more with respect to the front substrate. 上記第1および第2リブのうち少なくとも一方は、上記複数の蛍光体層のうち少なくとも隣接する蛍光体層の間に複数本設けられていることを特徴とする請求項1記載の平面型表示装置。   2. The flat display device according to claim 1, wherein a plurality of at least one of the first and second ribs are provided between at least adjacent phosphor layers of the plurality of phosphor layers. . 上記第1および第2リブのうち少なくとも一方は、上記複数の蛍光体層の間の電気抵抗を変更可能な抵抗材料により形成されていることを特徴とする請求項1記載の平面型表示装置。   2. The flat display device according to claim 1, wherein at least one of the first and second ribs is formed of a resistance material capable of changing an electric resistance between the plurality of phosphor layers. 上記メタルバックは、上記蛍光体層の整数倍毎に島状に分断されていることを特徴とする請求項1記載の平面型表示装置。   2. The flat display device according to claim 1, wherein the metal back is divided into islands every integer multiple of the phosphor layer. 上記第1および第2リブは、上記メタルバックに重ねて形成されるゲッタ層も複数の島状の領域に電気的に分断することを特徴とする請求項1乃至請求項9のうちいずれか1項に記載の平面型表示装置。   10. The first and second ribs according to any one of claims 1 to 9, wherein the first and second ribs electrically divide a getter layer formed on the metal back into a plurality of island-shaped regions. The flat display device according to item.
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