JP2006080440A - 回路基板及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ベース基板そのものに加工を施さずに所望の位置で回路基板を正確に折り曲げる。
【解決手段】本発明に係る回路基板１は、ベースフィルム２と、ベースフィルム２上に形成された第１のレジスト層９と、第１のレジスト層９上に形成された複数の第２のレジスト層１０，１１，１２とを、備えており、各第２のレジスト層１０，１１，１２が互いにスリット状の間隔１３，１４をあけた状態で第１のレジスト層９上に形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、所望の位置で正確に折り曲げ可能な回路基板及びそれを用いた半導体装置に関する。

近年、「フレキシブル基板」といわれる回路基板が、その特異な性質から基板全体における普及割合を大きく占めるようになってきている。当該回路基板は、ポリイミドフィルムをベース基板として用いた、柔軟性を有するプリント基板であり、基板の折り曲げが可能という特性から、実装スペースの限られる携帯電話やデジタルカメラ等の小型機器に多用されている。

しかしながら、上記フレキシブル基板は、ポリイミドフィルムの柔軟性から確かに基板全体に柔軟性を持たせるものではあるが、ポリイミドフィルムが決して柔軟性に優れているわけではないため、回路基板としてフレキシブル基板を用いることが必ずしも所望の位置で正確に基板を折り曲げ可能ということには結びつかない。このような観点から、回路基板の折り曲げ技術を改善した技術が幾つか開示されている（特許文献１，２参照）。

特許文献１では、ベース基板（ポリイミドフィルム１２）に対しハーフエッチング加工を施してベース基板そのものに溝（ハーフエッチング部１８ｂ）を形成し、回路基板（フレキシブル配線基板）を特定の位置で折り曲げ易くしている（段落番号０００８〜００１５，図１参照）。他方、特許文献２では、ベース基板（絶縁性フィルム４）に対して孔（曲げ案内孔７）や切欠（曲げ案内切り欠け部８）を形成し、回路基板（ＣＯＦ基板１）を特定の位置で折り曲げ易くしている（段落番号００１７〜００２１，図１（Ａ）参照）。
特開２００４−１４８８０号公報 特開２００１−１４８５４７号公報

しかしながら、今日では、日進月歩の勢いでベース基板の薄型化が図られており、こういった状況のなかで、特許文献１，２のように、ベース基板にハーフエッチング加工を施したり、ベース基板に孔や切欠を形成したりしてベース基板そのものに加工を施すのでは、ベース基板が軟弱化する傾向をたどり、却って基板の折り曲げ位置を正確に定めることができなくなる。その結果、ベース基板の薄型化が図られるたびに、回路基板を所望の位置で正確に折り曲げるという当初の目的から遠ざかってしまう。
本発明の目的は、ベース基板そのものに加工を施さずに所望の位置で回路基板を正確に折り曲げることである。

上記課題を解決するため請求項１に記載の発明の回路基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板を補強する複数の補強体と、
を備え、
前記各補強体が互いにスリット状の間隔をあけた状態で前記ベース基板上に配されていることを特徴としている。

請求項２に記載の発明の回路基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成された第１のレジスト層と、
前記第１のレジスト層上に形成された複数の第２のレジスト層と、
を備え、
前記各第２のレジスト層が互いにスリット状の間隔をあけた状態で前記第１のレジスト層上に形成されていることを特徴としている。

請求項３に記載の発明は、
請求項２に記載の回路基板において、
前記ベース基板を側面視して前記間隔を中心にして前記ベース基板を折り曲げた場合に、ベース基板から前記第１のレジスト層までの厚さをｔと、折り曲げの中心からベース基板までの距離をｒと、折り曲げの中心から前記第１のレジスト層までの距離をＲと、折り曲げ角度をｍ（°）と表現したとき、前記間隔の幅Ｗが下記式（１）の条件を満たしていることを特徴とする回路基板。
Ｗ≧２πＲ×ｍ／３６０° … （１）
（ただし、式（１）中、「Ｒ」＝ｔ＋ｒである。）

請求項４に記載の発明の回路基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板を補強する複数の補強板と、
を備え、
前記各補強板が互いにスリット状の間隔をあけた状態で前記ベース基板上に配されていることを特徴としている。

請求項５に記載の発明の回路基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板を補強する複数の補強板と、
を備え、
前記ベース基板の表面上には所定の回路パターンを有する配線が形成されており、
前記各補強板が互いにスリット状の間隔をあけた状態で前記ベース基板の裏面上に配されていることを特徴としている。

請求項６に記載の発明は、
請求項５に記載の回路基板において、
前記ベース基板の表面上には半導体チップ搭載用の搭載領域が形成されており、
前記複数の補強板のうち、一部の補強板が前記ベース基板の裏面で前記搭載領域を覆っていることを特徴としている。

請求項７に記載の発明は、
請求項５又は６に記載の回路基板において、
前記ベース基板の表面上には接続端子が形成されており、
前記複数の補強板のうち、一部の補強板が前記ベース基板の裏面で前記接続端子を覆っていることを特徴としている。

請求項８に記載の発明は、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路基板において、
前記ベース基板には基板搬送用のスプロケットホールが形成されており、
前記ベース基板上で前記スプロケットホールの周辺には配線用材料で構成された導電層が形成されており、
前記導電層には前記スプロケットホールより面積の広い開口部が形成されていることを特徴としている。

請求項９に記載の発明の半導体装置は、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の回路基板に対し半導体チップが搭載されていることを特徴としている。

請求項１に記載の発明では、各補強体が互いにスリット状の間隔をあけた状態でベース基板上に形成されているため、ベース基板そのものに加工が施されることなく、各補強体間に他の部位より強度が弱い溝が形成され、その溝に沿って回路基板を正確に折り曲げることができる。以上から、ベース基板そのものに加工を施さずに、各補強体の配置位置に応じた所望の位置で回路基板を正確に折り曲げることができる。

請求項２，３に記載の発明では、各第２のレジスト層が互いにスリット状の間隔をあけた状態で第１のレジスト層上に形成されているため、ベース基板そのものに加工が施されることなく、各第２のレジスト層間に他の部位より強度が弱い溝が形成され、その溝に沿って回路基板を正確に折り曲げることができる。以上から、ベース基板そのものに加工を施さずに、各第２のレジスト層の形成位置に応じた所望の位置で回路基板を正確に折り曲げることができる。

請求項４に記載の発明では、各補強板が互いにスリット状の間隔をあけた状態でベース基板上に形成されているため、ベース基板そのものに加工が施されることなく、各補強板間に他の部位より強度が弱い溝が形成され、その溝に沿って回路基板を正確に折り曲げることができる。以上から、ベース基板そのものに加工を施さずに、各補強板の配置位置に応じた所望の位置で回路基板を正確に折り曲げることができる。

請求項５〜７に記載の発明では、各補強板が互いにスリット状の間隔をあけた状態でベース基板の裏面上に形成されているため、ベース基板そのものに加工が施されることなく、各補強板間に他の部位より強度が弱い溝が形成され、その溝に沿って回路基板を正確に折り曲げることができる。以上から、ベース基板そのものに加工を施さずに、各第２のレジスト層の形成位置に応じた所望の位置で回路基板を正確に折り曲げることができる。

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。ただし、発明の範囲は図示例に限定されない。

［第１の実施形態］
始めに、本発明に係る「回路基板（１）」について説明する。

図１は回路基板１の概略構成を示す図面であって、図１（ａ）は回路基板１の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
図１（ａ），（ｂ）に示す通り、回路基板１はベース基板としてのベースフィルム２を有している。ベースフィルム２はポリイミド等で構成された長尺なテープである。
なお、ベースフィルム２は図１（ａ）中上下方向に延在するように図示されているが、本第１の実施形態では、図１（ａ）中符号「１」で示す各部位を回路基板１として扱っている（この関係は図５（ａ），図７，図８（ａ），図９（ａ），図１１（ａ），図１２（ａ），図１３（ａ）で示す回路基板１，４０，６０及び半導体装置３０，５０，７０でも同様である。）。

ベースフィルム２の図１（ａ）中左右側縁部には四角形状のスプロケットホール４が形成されている。スプロケットホール４は、スプロケットで回路基板１を搬送するために形成された基板搬送用の貫通孔であり、ベースフィルム２の図１（ａ）中左右側縁部でそれぞれ等間隔をあけながら１列に並んでいる。

ベースフィルム２の図１（ａ）中左右側縁部上には導電層３が形成されている。図１（ａ）中拡大図に示す通り、導電層３にはスプロケットホール４を取り囲むように四角形状の開口部５が形成されている。開口部５はスプロケットホール４より大きな面積を有する開口であり、スプロケットホール４と開口部５との間からベースフィルム２が露出している。

図１（ａ），（ｂ）に示す通り、ベースフィルム２上には所定の回路パターンを有する入力用配線６及び出力用配線７が形成されている。図１（ｂ）中右拡大図に示す通り、入力用配線６は、クロム等の下地金属層６ａと、公知のスパッタリング処理で成膜された第１の銅層６ｂと、公知のめっき処理で成膜された第２の銅層６ｃとからなる３層構造を有している。同様に、図１（ｂ）中左拡大図に示す通り、出力用配線７もクロム等の下地金属層７ａと、公知のスパッタリング処理で成膜された第１の銅層７ｂと、公知のめっき処理で成膜された第２の銅層７ｃとからなる３層構造を有している。

図１（ｂ）に示す通り、入力用配線６及び出力用配線７上には第１のレジスト
層８，９が形成されている。第１のレジスト層８は入力用配線６の中央部を覆うように図１（ａ）中左右方向に延在しており、第１のレジスト層９は出力用配線７の中央部を覆うように図１（ａ）中左右方向に延在している。

図１（ｂ）に示す通り、第１のレジスト層９上には補強体としての第２のレジスト層１０，１１，１２が形成されている。第２のレジスト層１０，１１，１２は互いに平行な関係を保ちながら図１（ａ）中左右方向に延在しており、第２のレジスト層１０，１１間にスリット状の第１の間隔１３があけられ、第２のレジスト層１１，１２間にスリット状の第２の間隔１４があけられている。そして第２のレジスト層１０，１１間と第２のレジスト層１１，１２間とから第１のレジスト層９が露出している。

ここで、回路基板１では、図２に示す通り、当該回路基板１を側面視した状態において、第２のレジスト層１０，１１，１２を外側に向けながら第１の間隔１３と第２の間隔１４とを中心にして回路基板１を折り曲げた場合に、ベースフィルム２、出力用配線７及び第１のレジスト層９の各厚さを足し合わせた厚さを「ｔ」と、折り曲げの中心からベースフィルム２の裏面までの距離を「ｒ」と、折り曲げの中心から第１の間隔１３及び第２の間隔１４の表面までの各距離を「Ｒ（＝ｔ＋ｒ）」と、第１の間隔１３及び第２の間隔１４を中心とした各折り曲げ角度を「ｍ（°）」と表現したとき、第１の間隔１３の幅Ｗ１と第２の間隔１４の幅Ｗ２とが下記式（１）の条件を満たすようになっている。
Ｗ１＝Ｗ２≧２πＲ×ｍ／３６０° … （１）

上記式（１）の条件を満たせば、第１の間隔１３及び第２の間隔１４の各幅Ｗ１，Ｗ２が回路基板１の折り曲げに際し十分な幅を有することになり、９０°以上の折り曲げ角度で回路基板１を折り曲げることができる。他方、上記式（１）の条件を満たさなければ、第１の間隔１３及び第２の間隔１４の各幅Ｗ１，Ｗ２が回路基板１の折り曲げに際し十分な幅を有していることにはならず、９０°未満の角度でしか回路基板１を折り曲げることができない。

図１（ｂ）に示す通り、入力用配線６の一端部６ｄには当該一端部６ｄを覆うように接続端子としての入力端子１５が形成されており、入力用配線６の他端部６ｅには当該他端部６ｅを覆うように入力用ボンディングパッド１６が形成されている。同様に、出力用配線７の一端部７ｄには当該一端部７ｄを覆うように接続端子としての出力端子１７が形成されており、出力用配線７の他端部７ｅには当該他端部７ｅを覆うように出力用ボンディングパッド１８が形成されている。

入力端子１５及び出力端子１７は回路基板１以外の他の回路基板との電気的接続機能を担う端子であって錫で構成されている。入力用ボンディングパッド１６及び出力用ボンディングパッド１８は半導体チップと接合されるパッドであって金と錫とを主成分とする金−錫系半田で構成されている。

図１（ａ），（ｂ）に示す通り、第１のレジスト層８，９間にはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体チップを回路基板１に搭載するための搭載領域１９が形成されており、当該搭載領域１９で入力用ボンディングパッド１６と出力用ボンディングパッド１８とが互いに対向している。

続いて図３及び図４を参照しながら回路基板１の製造方法を説明する。

図３は、回路基板１の製造方法の各工程を図１（ａ）中ＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図で経時的に示すものである。図４は、図３の工程に続く後続の各工程を図１（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図で経時的に示すものである。
まず、図３（ａ）に示す通り、ベースフィルム２上に導電層２０を形成する（以下「導電層形成工程」という。）。

詳しくは、ベースフィルム２上にクロム等の下地金属層を形成し、当該下地金属層上に公知のスパッタリング処理で第１の銅層を形成し、当該第１の銅層上に公知のめっき処理で第２の銅層を形成する。導電層２０は、後述の工程で説明する通り、導電層３、入力用配線６及び出力用配線７を構成するものである。

導電層形成工程を終えたら、図３（ｂ）に示す通り、ベースフィルム２及び導電層２０を貫通するようにスプロケットホール４を形成する（以下「スプロケットホール形成工程」という。）。

スプロケットホール形成工程を終えたら、図３（ｃ）に示す通り、導電層２０上にレジスト２１を塗布する（以下「レジスト塗布工程」という。）。

レジスト塗布工程を終えたら、図３（ｄ）に示す通り、レジスト２１の上方に所定の回路パターンを有するマスク２２を配置し、そのマスク２２を介してレジスト２１に紫外線を照射する。これにより、図３（ｅ）に示す通り、マスク２２の回路パターンに従うレジストパターン２３を形成し、そのベースフィルム２を
加熱炉等の装置内に設置してレジストパターン２３を加熱・硬化させる（以下「レジストパターン形成工程」という。）。

レジストパターン形成工程を終えたら、所定のエッチャントを用いて導電層２０をエッチングし、その後レジストパターン２３を除去し、図３（ｆ）に示す通り、レジストパターン２３に従う導電層３及び出力用配線７を形成する（以下「エッチング工程」という。）。
なお、図３（ｆ）は図１（ａ）中ＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図となっているため、図３（ｆ）では導電層３及び出力用配線７だけを図示しているが、エッチング工程では導電層３及び出力用配線７に加えて入力用配線６も形成するようになっている。

エッチング工程を終えたら、図３（ｇ）に示す通り、公知のスクリーン印刷処理で出力用配線７上に第１のレジスト層９を形成するとともに、図示しないが、入力用配線６上に第１のレジスト層８を形成する（以下「第１のレジスト層形成工程」という。）

第１のレジスト層形成工程を終えたら、図４（ａ）に示す通り、公知のスクリーン印刷処理で第１のレジスト層９上に第２のレジスト層１０，１１，１２を形成する（以下「第２のレジスト層形成工程」という。）。第２のレジスト層形成工程では、第２のレジスト層１０，１１間にスリット状の第１の間隔１３を、第２のレジスト層１１，１２間にスリット状の第２の間隔１４をあけるようにして、第２のレジスト１０，１１，１２を互いに平行に形成する。

第２のレジスト層形成工程を終えたら、入力用配線６の一端部６ｄと出力用配線７の一端部７ｄとに対し錫のめっき処理を施して入力端子１５及び出力端子１７を形成し、更に入力用配線６の他端部６ｅと出力用配線７の他端部７ｅとに対し金−錫系半田のめっき処理を施して入力用ボンディングパッド１６及び出力用ボンディングパッド１８を形成する（以下「端子・パッド形成工程」という。）。以上のように、導電層形成工程から端子・パッド形成工程までの各工程を経ることで、本発明に係る回路基板１を製造することができる。

次に、本発明に係る「半導体装置（３０）」について説明する。

図５は半導体装置３０の概略構成を示す図面であって、図５（ａ）は半導体装置３０の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
図５（ａ），（ｂ）に示す通り、半導体装置３０は上記で説明した回路基板１を有しており、当該回路基板１の搭載領域１９に半導体チップ３１が搭載された構成を有している。

詳しくは、半導体装置３０では、図５（ｂ）に示す通り、半導体チップ３１に金製の入力用バンプ電極３２及び出力用バンプ電極３３が配されており、入力用バンプ電極３２が入力用ボンディングパッド１６と接合し、出力用バンプ電極３３が出力用ボンディングパッド１８と接合している。そして入力用ボンディングパッド１６、出力用ボンディングパッド１８、入力用バンプ電極３２及び出力用バンプ電極３３を完全に覆うように搭載領域１９がエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂３４で封止されている。

続いて図６を参照しながら半導体装置３０の製造方法を説明する。

図６は、半導体装置３０の製造方法の各工程を図５（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図で経時的に示すものである。

まず、図６（ａ）に示す通り、回路基板１を準備する（以下「回路基板準備工程」という。）。
回路基板準備工程を終えたら、回路基板１の入力用ボンディングパッド１６及び出力用ボンディングパッド１８と、半導体チップ３１の入力用バンプ電極３２及び出力用バンプ電極３３とを位置合わせして互いに接触させ、それら入力用ボンディングパッド１６、出力用ボンディングパッド１８、入力用バンプ電極３２及び出力用バンプ電極３３を加熱・加圧し、図６（ｂ）に示す通り、入力用バンプ電極３２と入力用ボンディングパッド１６とを接合し、出力用バンプ電極３３と出力用ボンディングパッド１８とを接合する（以下「接合工程」という。）

接合工程を終えたら、図６（ｃ）に示す通り、入力用ボンディングパッド１６、出力用ボンディングパッド１８、入力用バンプ電極３２及び出力用バンプ電極３３を完全に覆うように搭載領域１９を絶縁性樹脂１４で封止する（以下「封止工程」という。）。詳しくは、絶縁性樹脂３４を回路基板１の搭載領域１９に注入してその絶縁性樹脂３４を所定の硬化条件で硬化させ、搭載領域１９を絶縁性樹脂１４で封止する。以上のように、回路基板準備工程から封止工程までの各工程を経ることで、本発明に係る半導体装置３０を製造することができる。

以上の第１の実施形態では、第２のレジスト層１０，１１，１２が互いにスリット状の第１の間隔１３及び第２の間隔１４をあけた状態で第１のレジスト層９上に形成されているため、ベースフィルム２そのものに加工が施されることなく、第２のレジスト層１０，１１間と第２のレジスト層１１，１２間とに他の部位（第２のレジスト層１０，１１，１２が形成された部位）より強度的に弱い溝が形成され、その溝に沿って回路基板１を正確に折り曲げることができる。これにより、ベースフィルム２そのものに加工を施さずに、第２のレジスト層１０，１１，１２の形成位置に応じた所望の位置で回路基板１を正確に折り曲げることができる。

なお、本発明は上記第１の実施形態に限定されることなく、下記の通り、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の改良及び設計の変更をおこなってもよい。

例えば、１つの改良・変更事項として、回路基板１では、ベースフィルム２から図１（ａ）中実線で示す打ち抜き線ＳＴ１で囲んだ領域を打ち抜いてその打ち抜き部位を本発明に係る回路基板としてもよい。同様に、半導体装置３０でも、ベースフィルム２から図５（ａ）中実線で示す打ち抜き線ＳＴ１で囲んだ領域を打ち抜いてその打ち抜き部位を本発明に係る半導体装置としてもよい。

その他の改良・変更事項として、第２のレジスト層形成工程で第２のレジスト層１０，１１，１２の各端部同士が連結するようにその工程の処理をおこない、図７中丸印に示す通り、第２のレジスト層１０，１１，１２の各端部同士を連結してもよい。この場合、回路基板１に折り曲げの容易性をもたせながら、第１の間隔１３及び第２の間隔１４に沿う図７中左右方向の回路基板１の折り曲げに対してある程度の強度を保つことができる。

その他の改良・変更事項として、第２のレジスト層形成工程で第２のレジスト層１０，１１，１２のパターンを変更し、図８（ａ）に示す通り、細長で短尺なレジストを一列又は複数列に並べて第２のレジスト層１０，１１，１２を構成してもよいし、図８（ｂ）に示す通り、細長で長尺なレジストを一列又は複数列に並べて第２のレジスト層１０，１１，１２を構成してもよいし、図８（ｃ）に示す通り、台形状のレジストをその向きを交互に変えながら並べて第２のレジスト層１０，１１，１２を構成してもよいし、図８（ｄ）に示す通り、点状で円形状のレジストを一列又は複数列に並べて第２のレジスト層１０，１１，１２を構成してもよい。

すなわち、第２のレジスト層１０，１１，１２を構成する各レジストは、規則的な形状であろうが不規則な形状であろうがどのような形状を有していてもよく、終局的には第２のレジスト層１０，１１，１２間にスリット状の第１の間隔１３と第２の間隔１４とを形成可能な形状を有していればよい。

その他の改良・変更事項として、第２のレジスト層１０，１１，１２のうち第２のレジスト層１０又は第２のレジスト層１２のいずれかを省略して回路基板１を１箇所で折り曲げるような構成としてもよいし、第２のレジスト層１０，１１，１２以外にこれと同様のレジスト層を増やして回路基板１を３箇所以上で折り曲げるような構成としてもよい。

その他の改良・変更事項として、第２のレジスト層１０，１１，１２以外にこれと同様のレジスト層を増設した場合も含めてそれらレジスト層の各形成位置を変更し、回路基板１を図１（ａ）中左右方向に対し斜めに折り曲げるような構成としてもよい。

［第２の実施形態］
始めに、本発明に係る「回路基板（４０）」について説明する。

図９は回路基板４０の概略構成を示す図面であって、図９（ａ）は回路基板４０の平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
図９（ａ），（ｂ）に示す通り、回路基板４０は第１の実施形態で説明した回路基板１と略同様の構成を有するものであり、下記の点で回路基板１と異なっている。下記の説明では、回路基板４０の構成要素が回路基板１と同様のものである場合にはその構成要素に図１と同様の符号を付してその説明を省略する。

まず、図９（ａ），（ｂ）に示す通り、回路基板４０は、回路基板１の第１のレジスト層８，９及び第２のレジスト層１０，１１，１２に代えて、ベースフィルム２を補強する補強体としての補強板４１〜４４を有している。当該補強板４１〜４４はＰＥＴ（PolyEthylene Terephthalate）フィルム又はポリイミドフィルムで構成されている。

詳しくは、図９（ｂ）に示す通り、入力用配線６上には当該入力用配線６の中央部を覆うように公知の接着剤４５が膜状に塗布されており、その接着剤４５上に補強板４１が配されている。補強板４１は接着剤４５を介して入力用配線６上に配されており、入力用配線６の中央部を覆うように図９（ａ）中左右方向に延在している。

これと同様に、図９（ｂ）に示す通り、出力用配線７上には当該出力用配線７の中央部を覆うように公知の接着剤４６が膜状に塗布されており、その接着剤４６上に補強板４２〜４４が配されている。補強板４２〜４４は接着剤４６を介して出力用配線７上に配されている。

補強板４２〜４４は、互いに平行な関係を保ちながら出力用配線７の中央部を覆うように図９（ａ）中左右方向に延在しており、補強板４２，４３間にスリット状の第１の間隔４７があけられ、補強板４３，４４間にスリット状の第２の間隔４８があけられている。そして補強板４２，４３間と補強板４３，４４間とから接着剤４６が露出している。

続いて図１０を参照しながら回路基板４０の製造方法を説明する。
図１０は回路基板４０の製造方法の各工程を経時的に示す図面であり、図１０（ａ）は図９（ａ）中ＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図であり、図１０（ｂ），（ｃ）は図９（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。

始めに、第１の実施形態で説明した導電層形成工程からエッチング工程までの各工程の処理をおこなう（図３（ａ）〜（ｆ）参照）。その後、図１０（ａ）に示す通り、出力用配線７を覆うようにベースフィルム２上に接着剤４６を膜状に塗布し、その接着剤４６上にＰＥＴ又はポリイミド製のフィルム４９を配置してそのフィルム４９を加熱・加圧し、出力用配線７上にフィルム４９を転写する。フィルム４９は、後述の工程で説明する通り、補強板４２〜４４を構成するものである。

また図示しないが、これと同時に、入力用配線６を覆うようにベースフィルム２上に接着剤４５を膜状に塗布し、その接着剤４５上に補強板４１を配置してその補強板４１を加熱・加圧し、入力用配線６上に補強板４１を転写する（以下「転写工程」という。）。

転写工程を終えたら、図１０（ｂ）に示す通り、第１の間隔４７及び第２の間隔４８を形成しようとするフィルム４９の特定部位にレーザを照射してフィルム４９を断片化し、第１の間隔４７（溝）と第２の間隔４８（溝）とを形成する（以下「レーザ照射工程」という。）。当該レーザ照射工程では、第１の間隔４７と第２の間隔４８とを形成するようにフィルム４９が断片化され、結果的に補強板４２〜４４を形成することになる。

レーザ照射工程を終えたら、第１の実施形態で説明した端子・パッド形成工程の処理をおこない（図４（ｂ）参照）、図１０（ｃ）に示す通り、入力端子１５、出力端子１７、入力用ボンディングパッド１６及び出力用ボンディングパッド１８を形成する。以上のように導電層形成工程から端子・パッド形成工程までの各工程を経ることで、本発明に係る回路基板４０を製造することができる。

次に、本発明に係る「半導体装置（５０）」について説明する。

図１１は半導体装置５０の概略構成を示す図面であって、図１１（ａ）は半導体装置５０の平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
図１１（ａ），（ｂ）に示す通り、半導体装置５０は、上記で説明した回路基板４０を有しており、回路基板４０の搭載領域１９に半導体チップ３１が搭載された構成を有している。

半導体装置５０は、第１の実施形態において回路基板１に対し半導体チップ３１を搭載した半導体装置３０と同様の関係を有しており、図１１（ｂ）に示す通り、入力用バンプ電極３２が入力用ボンディングパッド１６と接合し、出力用バンプ電極３３が出力用ボンディングパッド１８と接合し、搭載領域１９がエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂３４で封止されている。

半導体装置５０を製造する場合には、回路基板４０を準備し、その回路基板４０に対して第１の実施形態で説明した接合工程及び封止工程の各工程の処理をおこなう（図６（ｂ），（ｃ）参照）ことで、本発明に係る半導体装置５０を製造することができる。

以上の第２の実施形態では、補強板４２〜４４が互いにスリット状の第１の間隔４７及び第２の間隔４８をあけた状態でベースフィルム２上に形成されているため、ベースフィルム２そのものに加工が施されることなく、補強板４２，４３間と補強板４３，４４間とに他の部位（補強板４２〜４４が配された部位）より強度的に弱い溝が形成され、その溝に沿って回路基板４０を正確に折り曲げることができる。これにより、ベースフィルム２そのものに加工を施さずに、補強板４２〜４４の形成位置に応じた所望の位置で回路基板４０を正確に折り曲げることができる。

なお、本発明は上記第２の実施形態に限定されることなく、下記の通り、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の改良及び設計の変更をおこなってもよい。

例えば、１つの改良・変更事項として、回路基板４０では、ベースフィルム２から図９（ａ）中実線で示す打ち抜き線ＳＴ２で囲んだ領域を打ち抜いてその打ち抜き部位を本発明に係る回路基板としてもよい。同様に、半導体装置５０でも、ベースフィルム２から図１１（ａ）中実線で示す打ち抜き線ＳＴ２で囲んだ領域を打ち抜いてその打ち抜き部位を本発明に係る半導体装置としてもよい。

その他の改良・変更事項として、レーザ照射工程で第１の間隔４７又は第２の間隔４８のいずれか一方のみを形成して回路基板４０を１箇所で折り曲げるような構成としてもよいし、第１の間隔４７及び第２の間隔４８以外にこれと同様の間隔を形成して回路基板４０を３箇所以上で折り曲げるような構成としてよい。

その他の改良・変更事項として、第１の間隔４７及び第２の間隔４８以外にこれと同様の間隔を増やした場合も含めてそれら間隔の各形成位置を変更し、回路基板４０を図９（ａ）中左右方向に対し斜めに折り曲げるような構成としてもよい。

［第３の実施形態］
始めに、本発明に係る「回路基板（６０）」について説明する。

図１２は回路基板６０の概略構成を示す図面であって、図１２（ａ）は回路基板６０の平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
図１２（ａ），（ｂ）に示す通り、回路基板６０は第１の実施形態で説明した回路基板１と略同様の構成を有するものであり、下記の点で回路基板１と異なっている。下記の説明では、回路基板６０の構成要素が回路基板１と同様のものである場合にはその構成要素に図１と同様の符号を付してその説明を省略する。

まず構成に関し、図１２（ａ），（ｂ）に示す通り、回路基板６０では、第１のレジスト層９上に回路基板１の第２のレジスト層１０，１１，１２が形成されておらず、ベースフィルム２の裏面２ａ（ベースフィルム２の入力用配線６、出力用配線７、第１のレジスト８，９等が形成されていない面をいう。以下同じ。）に対し、ベースフィルム２を補強する補強体としての補強板６１〜６３が配されている。

詳しくは、補強板６１〜６３は接着剤付きポリイミドフィルムテープ又は接着剤付きＰＥＴフィルムテープであり、接着剤の作用でベースフィルム２の裏面２ａに貼付されている。図１２（ａ）に示す通り、補強板６１〜６３は互いに平行な関係を保ちながら図１２（ａ）中左右方向に延在しており、補強板６１，６２間にスリット状の第１の間隔６４があけられ、補強板６２，６３間にスリット状の第２の間隔６５があけられている。そして補強板６１，６２間と補強板６２，６３間とからベースフィルム２の裏面２ａが露出している。

補強板６１は、入力端子１５から出力用配線７の中途部までの領域（搭載領域１９を含む。）を覆える程度の幅を有しており、補強板６２との間に第１の間隔６４をあけながらその領域をベースフィルム２の裏面２ａで覆っている。そのため、補強板６１で覆われた部位が回路基板６０の折り曲げに対し強度が大きくなり、回路基板６０の折れ曲がりから入力端子１５や搭載領域１９等を保護することができる。

補強板６２は補強板６１より幅が狭く、補強板６１との間に第１の隙間６４をあけた状態でベースフィルム２の裏面２ａに貼付されている。補強板６３は補強板６１より幅が狭くて補強板６２より幅が広く、補強板６２との間に第２の隙間６５をあけた状態でベースフィルム２の裏面２ａに貼付されている。

回路基板６０を製造する場合には、第１の実施形態で説明した導電層形成工程から第１のレジスト層形成工程までの各工程の処理をおこない（図３（ａ）〜（ｇ）参照）、その後、第１の実施形態で説明した端子・パッド形成工程の処理をおこない（図４（ｂ）参照）、入力端子１５、出力端子１７、入力用ボンディングパッド１６及び出力用ボンディングパッド１８を形成する。

そして端子・パッド形成工程を終えたら、補強板６１〜６３をベースフィルム２の裏面の所定位置にそれぞれ配置してその状態で補強板６１〜６３を加熱・加圧し、補強板６１〜６３をベースフィルム２の裏面２ａにラミネートする（以下「ラミネート工程」という。）。以上のように導電性形成工程からラミネート工程までの各工程を経ることで、本発明に係る回路基板６０を製造することができる。

次に、本発明に係る「半導体装置（７０）」について説明する。

図１３は半導体装置７０の概略構成を示す図面であって、図１３（ａ）は半導体装置７０の平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
図１３（ａ），（ｂ）に示す通り、半導体装置７０は、上記で説明した回路基板６０を有しており、回路基板６０の搭載領域１９に半導体チップ３１が搭載された構成を有している。

半導体装置７０は、第１の実施形態において回路基板１に対し半導体チップ３１を搭載した半導体装置３０と同様の関係を有しており、図１３（ｂ）に示す通り、入力用バンプ電極３２が入力用ボンディングパッド１６と接合し、出力用バンプ電極３３が出力用ボンディングパッド１８と接合し、搭載領域１９がエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂３４で封止されている。

半導体装置７０を製造する場合には、回路基板６０を準備し、その回路基板６０に対して第１の実施形態で説明した接合工程及び封止工程の各工程の処理をおこなう（図６（ｂ），（ｃ）参照）ことで、本発明に係る半導体装置７０を製造することができる。

以上の第３の実施形態では、補強板６１〜６３が互いにスリット状の第１の間隔６４と第２の間隔６５とをあけた状態でベースフィルム２の裏面２ａ上に形成されているため、ベースフィルム２そのものに加工が施されることなく、補強板６１，６２間と補強板６２，６３間とに他の部位（補強板６１〜６３が配された部位）より強度的に弱い溝が形成され、その溝に沿って回路基板６０を正確に折り曲げることができる。これにより、ベースフィルム２そのものに加工を施さずに、補強板６１〜６３の配置位置に応じた所望の位置で回路基板６０を正確に折り曲げることができる。

なお、本発明は上記第３の実施形態に限定されることなく、下記の通り、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の改良及び設計の変更をおこなってもよい。

例えば、１つの改良・変更事項として、回路基板６０では、ベースフィルム２から図１２（ａ）中実線で示す打ち抜き線ＳＴ３で囲んだ領域を打ち抜いてその打ち抜き部位を本発明に係る回路基板としてもよい。同様に、半導体装置７０でも、ベースフィルム２から図１３（ａ）中実線で示す打ち抜き線ＳＴ３で囲んだ領域を打ち抜いてその打ち抜き部位を本発明に係る半導体装置としてもよい。

その他の改良・変更事項として、ラミネート工程で補強板６１又は補強板６３のラミネートを省略して回路基板６０を１箇所で折り曲げるような構成としてもよいし、補強板６１〜６３以外にこれと同様の補強板をベースフィルム２の裏面２ａに配して回路基板６０を３箇所以上で折り曲げるような構成としてもよい。

その他の改良・変更事項として、補強板６１〜６３以外にこれと同様の補強板を増やした場合も含めてそれら補強板の各配置位置を変更し、回路基板６０を図１２（ａ）中左右方向に対し斜めに折り曲げるような構成としてもよい。

（ａ）回路基板１の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）図１（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。 回路基板１の特性を説明するための図面（断面図）である。 回路基板１の製造方法の各工程を図１（ａ）中ＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図で経時的に示す図面である。 図３の工程に続く後続の各工程を図１（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図で経時的に示す図面である。 （ａ）半導体装置３０の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）図５（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。 半導体装置３０の製造方法の各工程を図５（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図で経時的に示す図面である。 回路基板１の変形例を示す平面図である。 （ａ）回路基板１の変形例を示す平面図であり、（ｂ）〜（ｄ）第２のレジスト層１０，１１，１２の変形パターンを示す平面図である。 （ａ）回路基板４０の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）図９（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。 回路基板４０の製造方法の各工程を図９（ａ）中Ｉ−Ｉ線，ＩＩ−ＩＩ線に沿う各断面図で経時的に示す図面である。 （ａ）半導体装置５０の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）図１１（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。 （ａ）回路基板６０の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）図１２（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。 （ａ）半導体装置７０の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）図１３（ａ）中Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。

符号の説明

１，４０，６０ 回路基板
２ ベースフィルム（ベース基板）
３ 導電層
４ スプロケットホール
５ 開口部
６ 入力用配線
７ 出力用配線
８，９ 第１のレジスト層
１０，１１，１２ 第２のレジスト層（補強体）
１３，４７，６４ 第１の間隔
１４，４８，６５ 第２の間隔
１５ 入力端子（接続端子）
１７ 出力端子（接続端子）
１９ 搭載領域
３０，５０，７０ 半導体装置
３１ 半導体チップ
４１〜４４ 補強板（補強体）
６１〜６３ 補強板（補強体）

Claims (9)

1. ベース基板と、
   前記ベース基板を補強する複数の補強体と、
   を備え、
   前記各補強体が互いにスリット状の間隔をあけた状態で前記ベース基板上に配されていることを特徴とする回路基板。
2. ベース基板と、
   前記ベース基板上に形成された第１のレジスト層と、
   前記第１のレジスト層上に形成された複数の第２のレジスト層と、
   を備え、
   前記各第２のレジスト層が互いにスリット状の間隔をあけた状態で前記第１のレジスト層上に形成されていることを特徴とする回路基板。
3. 請求項２に記載の回路基板において、
   前記ベース基板を側面視して前記間隔を中心にして前記ベース基板を折り曲げた場合に、ベース基板から前記第１のレジスト層までの厚さをｔと、折り曲げの中心からベース基板までの距離をｒと、折り曲げの中心から前記第１のレジスト層までの距離をＲと、折り曲げ角度をｍ（°）と表現したとき、前記間隔の幅Ｗが下記式（１）の条件を満たしていることを特徴とする回路基板。
   Ｗ≧２πＲ×ｍ／３６０° … （１）
   （ただし、式（１）中、「Ｒ」＝ｔ＋ｒである。）
4. ベース基板と、
   前記ベース基板を補強する複数の補強板と、
   を備え、
   前記各補強板が互いにスリット状の間隔をあけた状態で前記ベース基板上に配されていることを特徴とする回路基板。
5. ベース基板と、
   前記ベース基板を補強する複数の補強板と、
   を備え、
   前記ベース基板の表面上には所定の回路パターンを有する配線が形成されており、
   前記各補強板が互いにスリット状の間隔をあけた状態で前記ベース基板の裏面上に配されていることを特徴とする回路基板。
6. 請求項５に記載の回路基板において、
   前記ベース基板の表面上には半導体チップ搭載用の搭載領域が形成されており、
   前記複数の補強板のうち、一部の補強板が前記ベース基板の裏面で前記搭載領域を覆っていることを特徴とする回路基板。
7. 請求項５又は６に記載の回路基板において、
   前記ベース基板の表面上には接続端子が形成されており、
   前記複数の補強板のうち、一部の補強板が前記ベース基板の裏面で前記接続端子を覆っていることを特徴とする回路基板。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路基板において、
   前記ベース基板には基板搬送用のスプロケットホールが形成されており、
   前記ベース基板上で前記スプロケットホールの周辺には配線用材料で構成された導電層が形成されており、
   前記導電層には前記スプロケットホールより面積の広い開口部が形成されていることを特徴とする回路基板。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の回路基板に対し半導体チップが搭載されていることを特徴とする半導体装置。

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