JP2006079704A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 磁性層の厚み変動が少なく、高い出力を発揮することが可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持体上に磁性層が形成されている磁気記録媒体であって、前記磁性層が、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を含み、残留磁束密度（Ｍｒ（Ｇ））に前記磁性層の厚み（ｔ（μｍ））をかけた値（Ｍｒ・ｔ（Ｇ・μｍ））が、３０以上であることを特徴とする磁気記録媒体である。
また、上記磁気記録媒体の製造方法であって、支持体上に磁性層を形成するための塗布液を塗布し、乾燥処理を施す塗布乾燥処理を少なくとも２回行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【選択図】 なし

Description

本発明は、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を含む磁性層を有する磁気記録媒体およびその製造方法に関する。

粒子サイズを小さくする事は磁気記録密度を高くする上で必要である。例えば、ビデオテープ、コンピューターテープ、ディスク等として広く用いられている磁気記録媒体では、強磁性体の重量が同じ場合、粒子サイズを小さくしていった方がノイズは下がる。ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金は、規則化時に発生する歪みのために結晶磁気異方性が大きい。そのため、粒子サイズを小さくしても強磁性を示す事から磁気記録密度向上に有望な素材である（例えば、特許文献１参照）。

一方で、粒子サイズが小さい状態で、塗布液中の固形分濃度を高くすると凝集しやすくなる。そのため、固形分濃度が高い状態で塗布を行うと、表面が粗くなり、磁気記録媒体に適したものを得ることができなかった。また、凝集防止のため、バインダー（結合剤）等を添加すると磁化が小さくなり、これも磁気記録媒体として望ましいものではない。この結果、塗布厚が薄いものしかできなかった。磁性層の厚みが薄いと、磁気記録媒体の磁気的エネルギー（残留磁化×厚み）が小さくなり、その結果、出力が低いものとなってしまう。
特開２００３−７３７０５号公報

以上より、本発明は、上記課題を解決することを目的とする。すなわち、本発明は、高い出力を発揮することが可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。

前記課題は、下記本発明により解決することができる。
すなわち、本発明は、支持体上に磁性層が形成されている磁気記録媒体であって、前記磁性層が、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を含み、残留磁束密度（Ｍｒ（Ｇ））に前記磁性層の平均厚み（ｔ_ave（μｍ））をかけた値（Ｍｒ・ｔ_ave（Ｇ・μｍ））が、３０以上であることを特徴とする磁気記録媒体である。

前記磁性層は２層以上からなることが好ましく、前記磁性層は、結合剤を含むことが好ましい。前記磁性層の厚み（ｔ）は、４０〜１００ｎｍであることが好ましく、前記磁性層の平均厚み（ｔ_ave）の標準偏差（σ）は、０．０３μｍ以下であることが好ましい。

また、本発明は、上記本発明の磁気記録媒体の製造方法であって、支持体上にＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を含む磁性層を形成するための塗布液を塗布し、乾燥処理を施す塗布乾燥処理を少なくとも２回行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。

前記塗布液には結合剤を含有させることが好ましい。前記乾燥処理の温度は、１００℃以上とすることが好ましい。

本発明によれば、高い出力を発揮することが可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供することができる。

以下、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法について、詳細に説明する。

［磁気記録媒体］
本発明の磁気記録媒体は、支持体上に、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金（以下、「強磁性規則合金」ということがある）を含む磁性層が形成されている。当該磁気記録媒体としては、ビデオテープ、コンピューターテープ等の磁気テープ；フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク等の磁気ディスク；等が挙げられる。強磁性規則合金を磁性層に含有させることで、強磁性（高い保磁力）を発揮させることができる。なお、本発明の場合、強磁性規則合金とは種々の形態を含むが、強磁性規則合金からなる磁性粒子であることが好ましい。

また、残留磁束密度（Ｍｒ）に磁性層の平均厚み（ｔ_ave）をかけた値（Ｍｒ・ｔ_ave）が、３０（Ｇ・μｍ）以上となっている。「Ｍｒ・ｔ_ave」が３０（Ｇ・μｍ）未満だと、出力が低下してしまう。また、当該値が高すぎると、ＭＲヘッドが飽和してしまい、意味を有しなくなってしまうことがあるため、「Ｍｒ・ｔ_ave」は、３０〜１５０（Ｇ・μｍ）であることが好ましく、３０〜８０（Ｇ・μｍ）であることより好ましい。

「Ｍｒ・ｔ」を３０（Ｇ・μｍ）以上とするには、磁性層を２層以上の多層とすることが好ましい。磁性層が１層で形成されているとその厚みが小さいため、磁気記録媒体の磁気的エネルギー（残留磁化×厚み）が小さくなる。その結果、出力が低いものとなってしまう。また、１回の塗布では、厚めに磁性層を形成することが困難である。このような問題に対し、磁性層を２層以上とすることで、厚みムラを無くしながら、高い出力を発生させることが可能となる。磁性層は、コストや生産性といった実用面を考慮して、２〜６層とすることがより好ましい。磁性層を２層以上とするには、後述の製造方法で説明するように、磁性層を形成するための塗布液を支持体上に塗布し、乾燥処理を施す塗布乾燥処理を少なくとも２回行う方法を適用することが好ましい。

「Ｍｒ・ｔ_ave」の残留磁束密度（Ｍｒ）は、ＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）により測定して、求めることができる。

本発明の磁気記録媒体における磁性層には、結合剤が含有されていることが好ましい。結合剤を含有させることで、磁性層を形成させるための熱処理温度を低くすることができる。その結果、磁性粒子の凝集がない磁気記録媒体とすることができる。なお、結合剤の例や含有量は、後述の磁気記録媒体の製造方法で詳述する。

磁性層の厚み（ｔ）は４０〜１００ｎｍであることが好ましく、４０〜８０ｎｍであることがより好ましい。上記範囲より小さいと出力が低くなることがある。また、記録波長が短くなった場合に磁性層を厚くしても表層しか記録されないので、上記範囲より大きくすることは意味をなさない。

本発明において、磁性層の平均厚み（ｔ_ave）の標準偏差σは、０．０３μｍ以下が好ましく、０．００５〜０．０２μｍであることがより好ましい。標準偏差σを、０．０３μｍ以下とすることで、ノイズを低減することができる。標準偏差σを０．０３μｍ以下とするには、塗布乾燥処理を少なくとも２回行う方法を適用し、適宜、公知の手法を併用すればよい。

標準偏差σを磁性層の平均厚みｔ_aveで割った磁性層厚変動値（σ／ｔ_ave）は、０．５以下であることが好ましく、０．３以下であることがより好ましく、０．２以下であることがさらに好ましい。磁性層厚変動値（σ／ｔ_ave）を０．５以下とすることで、ノイズを低減することができる。

磁性層の「平均厚みｔ_ave」及び磁性層の平均厚みｔ_aveの「標準偏差σ」とは、重層構成の場合、以下の方法により測定した値を指す。磁性層単層の場合もこれに準じて測定した値を指す。

すなわち、まず、磁気記録媒体を長手方向に渡りＦＩＢで約０．１μｍの厚さに切り出し透過型電子顕微鏡で倍率１０，０００倍〜１００，０００倍、好ましくは５０，０００倍〜１００，０００倍で観察し、その写真撮影を行う。

写真のプリントサイズはＡ４〜Ａ５とすることが好ましい。その後、磁性層、下層が形成されている場合は、当該下層の強磁性金属粉末や非磁性無機粉末の形状差に注目して界面を目視判断しながら黒く渕どり、かつ磁性層表面も同様に黒く渕どる。

その後、Ｚｅｉｓｓ社製の画像処理装置ＩＢＡＳ２にて渕どりした線の長さを測定する。例えば、Ａ４サイズに焼きのばした試料写真の長さが２１ｃｍの場合、測定を８５〜３００回行う。その際の測定値の平均値をｔ_aveとし、以下の式から標準偏差σを求める。

σ＝［｛（ｔ１−ｔ_ave）²＋（ｔ２−ｔ_ave）²＋・・・・＋（ｔｎ−ｔ_ave）²｝／（ｎ−１）］^1/2

上記式中、「ｔ１、ｔ２、……ｔｎ」は層厚の各測定値を示す。ｎは８５〜３００である。なお、磁性層の厚みの各測定値の最大値は、ｔ_aveの１．０〜３倍程度の範囲にあることが好ましい。また、同測定値の最小値はｔ_aveの０．４〜１倍程度の範囲にあることが好ましい。
なお、特に断らない限り、磁性層の厚み（ｔ）とは各磁性層の合計の厚さをいい、磁性層の平均厚み（ｔ_ave）は、各磁性層の合計の厚さの平均値をいう。

中心線平均粗さが、０．１ｎｍ未満では、ヘッドと磁気記録媒体との摩擦係数が高くなって貼りついてしまい、実用に供することができない。また、５ｎｍを超えると、スペーシングロスが大きくなり出力が低下してしまう。

本発明の磁気記録媒体は、表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が、カットオフ値０．２５ｍｍにおいて、０．１〜５ｎｍとなっていることが好ましい。０．１ｎｍ未満では、ヘッドと磁気記録媒体との摩擦係数が高くなって貼りついてしまうことがある。また、５ｎｍを超えると、スペーシングロスが大きくなり出力が低下してしまうことがある。極めて優れた平滑性を有する表面であることが高密度記録用の磁気記録媒体として好ましいため、上記Ｒａは０．１〜４ｎｍの範囲であることがより好ましい。

特に、本発明の磁気記録媒体をハードディスク用記録媒体として用いるには、Ｒａは０．１〜１ｎｍであることが好ましく、０．３〜０．８ｎｍであることがより好ましい。１ｎｍを超えるとフライングヘッドが浮上しなくなり、ヘッドが媒体表面にクラッシュしてしまうことがある。０．１ｎｍ未満だとトラブルによりヘッドが媒体表面に接触した状態で媒体の回転が止まった場合、当該ヘッドが媒体表面に貼り付いてしまい動かなくなってしまうことがある。

また、本発明の磁気記録媒体をフロッピー（登録商標）ディスクまたはテープなどのフレキシブル媒体に用いる場合は、ヘッドが媒体に接触した状態で走行する記録方式がとられるため、媒体表面が平滑になりすぎると摩擦係数が高くなりヘッドが媒体に貼り付いてしまうことがある。そこで、好ましいＲａは１〜５ｎｍであり、さらに好ましくは２〜３ｎｍである。Ｒａが大きすぎるとヘッドと媒体の実効の距離が離れ、良好な電磁変換特性を得る事ができなくなることがある。

磁性層の表面を平滑にする方法として、結合剤としてのマトリックス剤を磁性層に含有させることが有効である。さらに、磁性層を形成した後にカレンダー処理を施すことが好ましい。また、微小突起あるいは塵埃を除去するために、バーニッシュ処理を施してもよい。

本発明の磁気記録媒体をハードディスクとして使用し、その媒体をヘッドバーニッシュによりバーニッシュ処理を施す場合、処理前の表面がある程度平滑であることが好ましい。平滑でないと、バーニッシュヘッドが浮上できなくなり、媒体表面にクラッシュしてしまうことがある。

バーニッシュ処理後、ヘッドに歪みゲージがついたグライドヘッドで表面突起の有無を調べることができる。ヘッドの浮上量は、バーニッシュヘッド、グライドヘッド、電磁変換特性ヘッドの順に高くなる。当該バーニッシュヘッドの浮上量は、５〜１５ｎｍとすることが好ましく、１０〜１２ｎｍとすることが好ましい。なお、通常、グライドヘッドの浮上量は約１２ｎｍである。また、バーニッシュ処理を行う際の荷重は、３〜１２ｇとすることが好ましく、３〜６ｇとすることがより好ましい。

磁気記録媒体の表面突起は、グライドヘッドを用いて評価する事ができる。磁性層表面に突起が存在すると電磁変換特性ヘッドと突起がぶつかり、突起が削られる結果、削りカスがヘッドに付着し、ヘッドギャップをうめ、電磁変換特性が評価できなくなるため、存在しないことが好ましいが、グライドヘッドでの評価時に当該表面突起を除去することができる。従って、１２ｎｍ以上の表面突起は好ましくは５個以下、さらに好ましくは３個以下であり、理想的には０個である。これは、個数が多くなるとグライドヘッドの汚れが多く、グライドヘッドを掃除する回数が増え、あるいは交換回数が増えることから工業的に好ましくないからである。

本発明の磁気記録媒体は、磁性層のほかに必要に応じて他の層を有していてもよい。例えば、ディスクの場合、磁性層の反対側の面にさらに磁性層や非磁性層を設けることが好ましい。テープの場合、磁性層が形成された面とは反対側の支持体上にバック層を設けることが好ましい。

また、磁性層上に非常に薄い保護膜を形成することで、耐磨耗性を改善し、さらにその保護膜上に潤滑剤を塗布して滑り性を高めることによって、十分な信頼性を有する磁気記録媒体とすることができる。

保護膜の材質としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物；窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物；炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物；グラファイト、無定型カーボンなどの炭素（カーボン）；等があげられるが、特に好ましくは、一般に、ダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質の非晶質のカーボンである。

カーボンからなるカーボン保護膜は、非常に薄い膜厚で十分な耐磨耗性を有し、摺動部材に焼き付きを生じ難いため、保護膜の材料としては好適である。
カーボン保護膜の形成方法として、ハードディスクにおいては、スパッタリング法が一般的であるが、ビデオテープ等の連続成膜を行う必要のある製品ではより成膜速度の高いプラズマＣＶＤを用いる方法が多数提案されている。従って、これらの方法を適用することが好ましい。
中でもプラズマインジェクションＣＶＤ（ＰＩ−ＣＶＤ）法は成膜速度が非常に高く、得られるカーボン保護膜も硬質かつピンホールが少ない良質な保護膜が得られると報告されている（例えば、特開昭６１−１３０４８７号公報、特開昭６３−２７９４２６号公報、特開平３−１１３８２４号公報等）。

このカーボン保護膜は、ビッカース硬度で１０００ｋｇ／ｍｍ²以上であることが好ましく、２０００ｋｇ／ｍｍ²以上であることがより好ましい。また、その結晶構造はアモルファス構造であり、かつ非導電性であることが好ましい。
そして、カーボン保護膜として、ダイヤモンド状炭素（ダイヤモンドライクカーボン）膜を使用した場合、この構造はラマン光分光分析によって確認することができる。すなわち、ダイヤモンド状炭素膜を測定した場合には、１５２０〜１５６０ｃｍ^-1にピークが検出されることによって確認することができる。炭素膜の構造がダイヤモンド状構造からずれてくるとラマン光分光分析により検出されるピークが上記範囲からずれるとともに、保護膜としての硬度も低下する。

このカーボン保護膜を形成するための炭素原料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン；エチレン、プロピレン等のアルケン；アセチレン等のアルキン；をはじめとした炭素含有化合物を用いることが好ましい。また、必要に応じてアルゴンなどのキャリアガスや膜質改善のための水素や窒素などの添加ガスを加えることができる。

カーボン保護膜の膜厚が厚いと、電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の低下が生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足する。従って、膜厚は、２．５〜２０ｎｍとすることが好ましく、５〜１０ｎｍとすることがより好ましい。
また、この保護膜と基板となる磁性層の密着性を改善するために、あらかじめ磁性層表面を不活性ガスでエッチングしたり、酸素等の反応性ガスプラズマに曝して表面改質する事が好ましい。

本発明の磁気記録媒体では、磁性層の下に公知の非磁性下地層や中間層を有していてもよい。走行耐久性および耐食性を改善するため、既述のように、上記磁性層もしくは保護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。添加する潤滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。

炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類；ステアリン酸ブチル等のエステル類；オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類；リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類；ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類；ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類；ステアリルアミン等のアミン類；などが挙げられる。

フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。
パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ₃）ＣＦ₂Ｏ）_nまたはこれらの共重合体等である。

また、炭化水素系潤滑剤のアルキル基の末端や分子内に水酸基、エステル基、カルボキシル基などの極性官能基を有する化合物が、摩擦力を低減する効果が高く好適である。
さらに、この分子量は、５００〜５０００、好ましくは１０００〜３０００である。５００未満では揮発性が高く、また潤滑性が低いなることがある。また、５０００を超えると、粘度が高くなるため、スライダーとディスクが吸着しやすく、走行停止やヘッドクラッシュなどを発生しやすくなることがある。
このパーフルオロポリエーテルは、具体例的には、アウジモンド社製のＦＯＭＢＬＩＮ、デュポン社製のＫＲＹＴＯＸなどの商品名で市販されている。

極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル等のリン酸エステル類；亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類；トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類；二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤；などが挙げられる。

前記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用される。これらの潤滑剤を磁性層もしくは保護膜上に付与する方法としては、潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワイヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップコート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させればよい。

防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体；ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体；等が挙げられる。

既述のように、磁気記録媒体が磁気テープ等の場合は、支持体の磁性層が形成されていない面にバックコート層（バッキング層）が設けられていてもよい。バックコート層は、支持体の磁性層が形成されていない面に、研磨材、帯電防止剤などの粒状成分と結合剤とを公知の有機溶剤に分散したバックコート層形成塗料を塗布して設けられる層である。

粒状成分として各種の無機顔料やカーボンブラックを使用することができ、また結合剤としてはニトロセルロース、フェノキシ樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン等の樹脂を単独またはこれらを混合して使用することができる。
また、合金粒子含有液の塗布面およびバックコート層が形成される面側には、公知の接着剤層が設けられていてもよい。

［磁気記録媒体の製造方法］
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、磁性層を形成するための塗布液を支持体上に塗布し、乾燥処理を施す塗布乾燥処理を少なくとも２回行って、支持体上に磁性層を形成して磁気記録媒体を製造する方法である。

具体的には、まず、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を含む合金粒子を作製する（合金粒子作製工程）。合金粒子を含有する合金粒子含有液を塗布液として、支持体上に塗布し、乾燥処理を施す（塗布乾燥処理）。この塗布乾燥処理後、再び、塗布乾燥処理を施して、多層とし（塗布乾燥処理工程）、所定の温度でアニール処理（アニール処理工程）を施して、合金粒子を磁性粒子とし、支持体上に２層以上からなる磁性層を形成する。その後、必要に応じて、保護層や潤滑剤層等を形成して、本発明の磁気記録媒体を製造する。以下、各工程をより詳細に説明する。

＜合金粒子作製工程＞
アニール処理により磁性粒子となる合金粒子は、気相法や液相法により製造することができる。量産性に優れることを考慮すると、液相法が好ましい。液相法としては、従来から知られている種々の方法を適用することができるが、これらに改良を加えた還元法を適用することが好ましく、還元法のなかでも粒径が制御しやすい逆ミセル法が特に好ましい。

（逆ミセル法）
上記逆ミセル法は、少なくとも、（１）２種の逆ミセル溶液を混合して還元反応を行う還元工程と、（２）還元反応後に所定温度で熟成する熟成工程と、を有する。
以下、各工程について説明する。

（１）還元工程：
まず、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と還元剤水溶液とを混合した逆ミセル溶液（Ｉ）を調製する。

前記界面活性剤としては、油溶性界面活性剤が用いられる。具体的には、スルホン酸塩型（例えば、エーロゾルＯＴ（和光純薬製））、４級アンモニウム塩型（例えば、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド）、エーテル型（例えば、ペンタエチレングリコールドデシルエーテル）などが挙げられる。
非水溶性有機溶媒中の界面活性剤量は、２０〜２００ｇ／リットルであることが好ましい。

前記界面活性剤を溶解する非水溶性有機溶媒として好ましいものは、アルカン、エーテルおよびアルコール等が挙げられる。
アルカンとしては、炭素数７〜１２のアルカン類であることが好ましい。具体的には、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等が好ましい。
エーテルとしては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等が好ましい。
アルコールとしては、エトキシエタノール、エトキシプロパノール等が好ましい。

還元剤水溶液中の還元剤としては、アルコール類；ポリアルコール類；Ｈ₂；ＨＣＨＯ、Ｓ₂Ｏ₆ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₂ ^-、ＢＨ₄ ^-、Ｎ₂Ｈ₅ ⁺、Ｈ₂ＰＯ₃ ^-などを含む化合物；を単独で使用、または２種以上を併用することが好ましい。
水溶液中の還元剤量は、金属塩１モルに対して、３〜５０モルであることが好ましい。

ここで、逆ミセル溶液（Ｉ）溶液中の水と界面活性剤との質量比（水／界面活性剤）は、２０以下となるようにすることが好ましい。質量比が２０を超えると、沈殿が起きやすく、粒子も不揃いとなりやすいといった問題が生じることがある。質量比は、１５以下とすることが好ましく、０．５〜１０とすることがより好ましい。

上記とは別に、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と金属塩水溶液とを混合した逆ミセル溶液（ＩＩ）を調製する。
界面活性剤および非水溶性有機溶媒の条件（使用する物質、濃度等）については、逆ミセル溶液（Ｉ）の場合と同様である。
なお、逆ミセル溶液（Ｉ）と同種のものまたは異種のものを使用することができる。また、逆ミセル溶液（ＩＩ）溶液中の水と界面活性剤との質量比も逆ミセル溶液（Ｉ）の場合と同様であり、逆ミセル溶液（Ｉ）の質量比と同一としてもよく、異なっていてもよい。

金属塩水溶液に含有される金属塩としては、作製しようとする磁性粒子がＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得るように、適宜選択することが好ましい。
ここで、当該ＣｕＡｕ型強磁性規則合金としては、ＦｅＮｉ、ＦｅＰｄ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＡｕなどが挙げられ、なかでもＦｅＰｄ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔであることが好ましい。
Ｃｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金としては、Ｎｉ₃Ｆｅ、ＦｅＰｄ₃、Ｆｅ₃Ｐｔ、ＦｅＰｔ₃、ＣｏＰｔ₃、Ｎｉ₃Ｐｔ、ＣｒＰｔ₃、Ｎｉ₃Ｍｎが挙げられ、なかでもＦｅＰｄ₃、ＦｅＰｔ₃、ＣｏＰｔ₃、Ｆｅ₃Ｐｄ、Ｆｅ₃Ｐｔ、Ｃｏ₃Ｐｔが好ましい。

金属塩の具体例としては、Ｈ₂ＰｔＣｌ₆、Ｋ₂ＰｔＣｌ₄、Ｐｔ（ＣＨ₃ＣＯＣＨＣＯＣＨ₃）₂、Ｎａ₂ＰｄＣｌ₄、Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ₃）₂、ＰｄＣｌ₂、Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＯＣＨＣＯＣＨ₃）₂、ＨＡｕＣｌ₄、Ｆｅ₂（ＳＯ₄）₃、Ｆｅ（ＮＯ₃）₃、（ＮＨ₄）₃Ｆｅ（Ｃ₂Ｏ₄）₃、Ｆｅ（ＣＨ₃ＣＯＣＨＣＯＣＨ₃）₃、ＮｉＳＯ₄、ＣｏＣｌ₂、Ｃｏ（ＯＣＯＣＨ₃）₂などが挙げられる。

金属塩水溶液中の濃度（金属塩濃度として）は、０．１〜１０００μｍｏｌ／ｍｌであることが好ましく、１〜１００μｍｏｌ／ｍｌであることがより好ましい。

前記金属塩を適宜選択することで、卑な金属と貴な金属とが合金を形成したＣｕＡｕ型もしくはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得る合金粒子が作製される。

合金粒子は後述するアニール処理によって合金相を不規則相から規則相へ変態させる必要があるが、当該変態温度を下げるために、前記２元系合金に、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎなどの第三元素を加えることが好ましい。これらの第三元素は、それぞれの第三元素の前駆体を、前記金属塩溶液に予め添加しておくことが好ましい。添加量としては、２元系合金に対し、１〜３０ａｔ％であることが好ましく、５〜２０ａｔ％であることがより好ましい。

以上のようにして調製した逆ミセル溶液（Ｉ）と（ＩＩ）とを混合する。混合方法としては、特に限定されるものではないが、還元の均一性を考慮して、逆ミセル溶液（Ｉ）を撹拌しながら、逆ミセル溶液（ＩＩ）を添加していって混合することが好ましい。混合終了後、還元反応を進行させることになるが、その際の温度は、−５〜３０℃の範囲で、一定の温度とすることが好ましい。
還元温度が−５℃未満では、水相が凝結して還元反応が不均一になるといった問題が生じ、３０℃を超えると、凝集または沈殿が起こりやすく系が不安定となることがある。好ましい還元温度は０〜２５℃であり、より好ましくは５〜２５℃である。
ここで、前記「一定温度」とは、設定温度をＴ（℃）とした場合、当該ＴがＴ±３℃の範囲にあることをいう。なお、このようにした場合であっても、当該Ｔの上限および下限は、上記還元温度（−５〜３０℃）の範囲にあるものとする。

還元反応の時間は、逆ミセル溶液の量等により適宜設定する必要があるが、１〜３０分とすることが好ましく、５〜２０分とすることがより好ましい。

還元反応は、粒径分布の単分散性に大きな影響を与えるため、できるだけ高速攪拌しながら行うことが好ましい。
好ましい攪拌装置は高剪断力を有する攪拌装置であり、詳しくは、攪拌羽根が基本的にタービン型あるいはパドル型の構造を有し、さらに、その羽根の端もしくは、羽根と接する位置に鋭い刃を付けた構造であり、羽根をモーターで回転させる攪拌装置である。具体的には、ディゾルバー（特殊機化工業製）、オムニミキサー（ヤマト科学製）、ホモジナイザー（ＳＭＴ製）などの装置が有用である。これらの装置を用いることにより、単分散な合金粒子を安定な分散液として合成することができる。

前記逆ミセル溶液（Ｉ）および（ＩＩ）の少なくともいずれかに、アミノ基またはカルボキシ基を１〜３個有する少なくとも１種の分散剤を、作製しようとする合金粒子１モル当たり、０．００１〜１０モル添加することが好ましい。

かかる分散剤を添加することで、より単分散で、凝集の無い合金粒子を得ることが可能となる。
添加量が、０．００１未満では、合金粒子の単分散性をより向上させされない場合があり、１０モルを超えると凝集が起こる場合がある。

前記分散剤としては、合金粒子表面に吸着する基を有する有機化合物が好ましい。具体的には、アミノ基、カルボキシ基、スルホン酸基またはスルフィン酸基を１〜３個有するものであり、これらを単独または併用して用いることができる。
構造式としては、Ｒ−ＮＨ₂、ＮＨ₂−Ｒ−ＮＨ₂、ＮＨ₂−Ｒ（ＮＨ₂）−ＮＨ₂、Ｒ−ＣＯＯＨ、ＣＯＯＨ−Ｒ−ＣＯＯＨ、ＣＯＯＨ−Ｒ（ＣＯＯＨ）−ＣＯＯＨ、Ｒ−ＳＯ₃Ｈ、ＳＯ₃Ｈ−Ｒ−ＳＯ₃Ｈ、ＳＯ₃Ｈ−Ｒ（ＳＯ₃Ｈ）−ＳＯ₃Ｈ、Ｒ−ＳＯ₂Ｈ、ＳＯ₂Ｈ−Ｒ−ＳＯ₂Ｈ、ＳＯ₂Ｈ−Ｒ（ＳＯ₂Ｈ）−ＳＯ₂Ｈで表される化合物であり、式中のＲは直鎖、分岐または環状の飽和、不飽和の炭化水素である。

分散剤として特に好ましい化合物はオレイン酸である。オレイン酸はコロイドの安定化において周知の界面活性剤であり、鉄等の金属粒子を保護するのに用いられてきた。オレイン酸の比較的長い（たとえば、オレイン酸は１８炭素鎖を有し長さは〜２０オングストローム（〜２ｎｍ）である。オレイン酸は脂肪族ではなく二重結合が１つある）鎖は粒子間の強い磁気相互作用を打ち消す重要な立体障害を与える。

エルカ酸やリノール酸など類似の長鎖カルボン酸もオレイン酸同様に（たとえば、８〜２２の間の炭素原子を有する長鎖有機酸を単独でまたは組み合わせて用いることができる）用いられる。オレイン酸は（オリーブ油など）容易に入手できる安価な天然資源であるので好ましい。また、オレイン酸から誘導されるオレイルアミンもオレイン酸同様有用な分散剤である。

以上のような還元工程では、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金相中のＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等の酸化還元電位が卑な金属（−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）程度以下の金属）が還元され、極小サイズで単分散な状態で析出するものと考えられる。その後、昇温段階および後述する熟成工程において、析出した卑な金属を核とし、その表面で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ等の酸化還元電位が貴な金属（−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）程度以上の金属）が卑な金属で還元されて置換、析出する。イオン化した卑な金属は還元剤で再度還元されて析出すると考えられる。このような繰返しによって、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得る合金粒子が得られる。

（２）熟成工程：
還元反応終了後、反応後の溶液を熟成温度まで昇温する。
前記熟成温度は、３０〜９０℃で一定の温度とすることが好ましく、その温度は、前記還元反応の温度より高くする。また、熟成時間は、５〜１８０分とすることが好ましい。熟成温度および時間が上記範囲より高温長時間側にずれると、凝集または沈殿が起きやすく、逆に低温短時間側にずれると、反応が完結しなくなり組成が変化することがある。好ましい熟成温度および時間は４０〜８０℃および１０〜１５０分であり、より好ましい熟成温度および時間は４０〜７０℃および２０〜１２０分である。

ここで、前記「一定温度」とは、還元反応の温度の場合と同義（但し、この場合、「還元温度」は「熟成温度」となる）であるが、特に、上記熟成温度の範囲（３０〜９０℃）内で、前記還元反応の温度より５℃以上高いことが好ましく、１０℃以上高いことがより好ましい。５℃未満では、処方通りの組成が得られないことがある。

以上のような熟成工程では、還元工程で還元析出した卑な金属上に貴な金属が析出する。
すなわち、卑な金属上でのみ貴な金属の還元が起こり、卑な金属と貴な金属とが別々に析出することが無いため、効率良くＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得る合金粒子を、高収率で処方組成比どおりに作製することが可能で、所望の組成に制御することができる。また、熟成の際の温度の撹拌速度を適宜調整することで、得られる合金粒子の粒径を所望なものとすることができる。

前記熟成を行った後は、水と１級アルコールとの混合溶液で前記熟成後の溶液を洗浄し、その後、１級アルコールで沈殿化処理を施して沈殿物を生成させ、該沈殿物を有機溶媒で分散させる洗浄・分散工程を設けることが好ましい。
かかる洗浄・分散工程を設けることで、不純物が除去され、磁気記録媒体の磁性層を塗布により形成する際の塗布性をより向上させることができる。
上記洗浄および分散は、少なくともそれぞれ１回、好ましくは、それぞれ２回以上行う。

洗浄で用いる前記１級アルコールとしては、特に限定されるものではないが、メタノール、エタノール等が好ましい。体積混合比（水／１級アルコール）は、１０／１〜２／１の範囲にあることが好ましく、５／１〜３／１の範囲にあることがより好ましい。
水の比率が高いと、界面活性剤が除去されにくくなることがあり、逆に１級アルコールの比率が高いと、凝集を起こしてしまうことがある。

以上のようにして、溶液中に分散した合金粒子（合金粒子含有液）が得られる。
当該合金粒子は、単分散であるため、支持体に塗布しても、これらが凝集することなく均一に分散した状態を保つことができる。従って、アニール処理を施しても、それぞの合金粒子が凝集することがないため、効率良く強磁性化することが可能で、塗布適性に優れる。

後述する酸化処理前の合金粒子の粒径は、ノイズを下げる観点から小さいことが好ましいが、小さすぎるとアニール後に超常磁性となり、磁気記録に不適当となることがある。一般に、１〜１００ｎｍであることが好ましく、１〜２０ｎｍであることがより好ましく、３〜１０ｎｍであることがさらに好ましい。

（還元法）
還元法でＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得る合金粒子を作製するには種々の方法があるが、少なくとも、酸化還元電位が卑な金属（以下、単に「卑な金属」ということがある）と、酸化還元電位が貴な金属（以下、単に「貴な金属」ということがある）と、を有機溶剤もしくは水、または有機溶剤と水との混合溶液中で還元剤等を使用して還元する方法を適用することが好ましい。
卑な金属と貴な金属との還元順序は、特に限定されず、同時に還元してもよい。

前記有機溶剤としては、アルコール、ポリアルコール等を使用することが可能で、アルコールとしては、メタノール、エタノール、ブタノール等が挙げられ、ポリアルコールとしては、エチレングリコール、グリセリン等が挙げられる。
なお、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金の例としては、既述の逆ミセル法の場合と同様である。
また、貴な金属を先に析出させて合金粒子を調製する方法としては、特願２００１−２６９２５５号の段落１８〜３０等に記載の方法等を適用することができる。

酸化還元電位が貴な金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ等が好ましく用いることができ、Ｈ₂ＰｔＣｌ₆・６Ｈ₂Ｏ、Ｐｔ（ＣＨ₃ＣＯＣＨＣＯＣＨ₃）₂、ＲｈＣｌ₃・３Ｈ₂Ｏ、Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ₃）₂、ＰｄＣｌ₂、Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＯＣＨＣＯＣＨ₃）₂等を溶媒に溶解して用いることができる。溶液中の金属の濃度は、０．１〜１０００μｍｏｌ／ｍｌが好ましく、０．１〜１００μｍｏｌ／ｍｌがより好ましい。

また、酸化還元電位が卑な金属としては、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒを好ましく用いることができ、特に好ましくは、Ｆｅ、Ｃｏである。このような金属は、ＦｅＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ、ＮｉＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ、ＣｏＣｌ₂・６Ｈ₂Ｏ、Ｃｏ（ＯＣＯＣＨ₃）₂・４Ｈ₂Ｏ等を溶媒に溶解して用いることができる。溶液中の金属の濃度は、０．１〜１０００μｍｏｌ／ｍｌが好ましく、０．１〜１００μｍｏｌ／ｍｌがより好ましい。

また、既述の逆ミセル法と同様に２元系合金に、第三元素を加える事で強磁性規則合金への変態温度を下げる事が好ましい。添加量としては逆ミセル法と同様である。

例えば、還元剤を用いて卑な金属と貴な金属とをこの順に還元して析出させる場合、−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より卑な還元電位を持つ還元剤を用いて卑な金属あるいは卑な金属と貴な金属の一部を還元したものを、貴な金属源に加え酸化還元電位が−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より貴な還元剤を用いて還元した後、−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より卑な還元電位を持つ還元剤を用いて還元する事が好ましい。
酸化還元電位は系のｐＨに依存するが、酸化還元電位が−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より貴な還元剤には、１，２−ヘキサデカンジオール等のアルコール類、グリセリン類、Ｈ₂、ＨＣＨＯが好ましく用いられる。
−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）より卑な還元剤にはＳ₂Ｏ₆ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₂ ^-、ＢＨ₄ ^-、Ｎ₂Ｈ₅ ⁺、Ｈ₂ＰＯ₃ ^-が好ましく用いる事ができる。
なお、卑な金属の原料として、Ｆｅカルボニル等の０価の金属化合物と用いる場合は、特に卑な金属の還元剤は必要ない。

貴な金属を還元析出させる際に吸着剤を存在させる事で合金粒子を安定して調製することができる。吸着剤としてはポリマーや界面活性剤を使用することが好ましい。
前記ポリマーとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリＮ−ビニル−２ピロリドン（ＰＶＰ）、ゼラチン等が挙げられる。なかでも、特に好ましくはＰＶＰである。
また、分子量は２万〜６万が好ましく、より好ましくは３万〜５万である。ポリマーの量は生成する合金粒子の質量の０．１〜１０倍であることが好ましく、０．１〜５倍がより好ましい。

吸着剤として好ましく用いられる界面活性剤は、一般式：Ｒ−Ｘ、で表される長鎖有機化合物である「有機安定剤」を含むことが好ましい。上記一般式中のＲは、直鎖または分岐ハイドロカーボンまたはフルオロカーボン鎖である「テール基」であり、通常８〜２２個の炭素原子を含む。また、上記一般式中のＸは、合金粒子表面に特定の化学結合を提供する部分（Ｘ）である「ヘッド基」であり、スルフィネート（−ＳＯＯＨ）、スルホネート（−ＳＯ₂ＯＨ）、ホスフィネート（−ＰＯＯＨ）、ホスホネート（−ＯＰＯ（ＯＨ）₂）、カルボキシレート、およびチオールのいずれかであることが好ましい。

前記有機安定剤としては、スルホン酸（Ｒ−ＳＯ₂ＯＨ）、スルフィン酸（Ｒ−ＳＯＯＨ）、ホスフィン酸（Ｒ₂ＰＯＯＨ）、ホスホン酸（Ｒ−ＯＰＯ（ＯＨ）₂）、カルボン酸（Ｒ−ＣＯＯＨ）、チオール（Ｒ−ＳＨ）等のいずれかであることが好ましい。これらのなかでも、逆ミセル法と同様のオレイン酸が特に好ましい。

前記ホスフィンと有機安定剤との組合せ（トリオルガノホスフィン／酸等）は、粒子の成長および安定化に対する優れた制御性を提供することができる。ジデシルエーテルおよびジドデシルエーテルも用いることができるが、フェニルエーテルまたはｎ−オクチルエーテルはその低コストおよび高沸点のため溶媒として好適に用いられる。

反応は必要な合金粒子および溶媒の沸点により８０℃〜３６０℃の範囲の温度で行うことが好ましく、８０℃〜２４０℃がより好ましい。温度がこの温度範囲より低いと粒子が成長しないことがある。温度がこの範囲より高いと粒子は制御されないで成長し、望ましくない副産物の生成が増加することがある。

合金粒子の粒径は逆ミセル法と同様で、１〜１００ｎｍが好ましく、より好ましくは３〜２０ｎｍであり、さらに好ましくは３〜１０ｎｍである。
粒子サイズ（粒径）を大きくする方法としては種晶法が有効である。磁気記録媒体として用いるには合金粒子を最密充填することが記録容量を高くする上で好ましく、そのためには、合金粒子のサイズの標準偏差は１０％未満が好ましく、より好ましくは５％以下である。

粒子サイズが小さすぎると超常磁性となり好ましくない。そこで粒子サイズを大きくするため既述のように、種晶法を用いることが好ましい。その際、粒子を構成する金属より貴な金属を析出させるケースが出てくる。このとき、粒子の酸化が懸念されるため、予め粒子を水素化処理することが好ましい。

合金粒子の最外層は酸化防止の観点から貴な金属にすることが好ましいが、凝集しやすいため、本発明では貴な金属と卑な金属との合金であることが好ましい。かかる構成は、既述のような、液相法によれば容易かつ効率良く実現させることができる。

合金粒子合成後に溶液から塩類を除くことは、合金粒子の分散安定性を向上させる意味から好ましい。脱塩にはアルコールを過剰に加え、軽凝集を起こし、自然沈降あるいは遠心沈降させ塩類を上澄みと共に除去する方法があるが、このような方法では凝集が生じやすいため、限外濾過法を採用することが好ましい。
以上のようにして、溶液中に分散した合金粒子（合金粒子含有液）が得られる。

合金粒子の粒径評価には透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いることができる。合金粒子もしくは磁性粒子の結晶系を決めるにはＴＥＭによる電子回折でもよいが、Ｘ線回折を用いた方が精度が高いため好ましい。合金粒子もしくは磁性粒子の内部の組成分析には、電子線を細く絞ることができるＦＥ−ＴＥＭにＥＤＡＸを付け評価することが好ましい。また、合金粒子もしくは磁性粒子の磁気的性質の評価はＶＳＭを用いて行うことができる。

＜酸化処理工程＞
作製した合金粒子に酸化処理を施すことで、後のアニール処理を施す際の温度を高くすることなく、強磁性を有する磁性粒子を効率よく製造することができる。これは、以下に説明する現象によると考えられる。
すなわち、まず、合金粒子を酸化することで、その結晶格子上に酸素が進入する。酸素が進入した状態でアニール処理を行うと、熱により酸素が結晶格子上から脱離する。酸素が脱離することで欠陥が生じ、かかる欠陥を通じて合金を構成する金属原子の移動が容易になるため、比較的低温でも相変態が起こりやすくなると考えられる。

かかる現象は、例えば、酸化処理後の合金粒子とアニール処理を行った磁性粒子とをＥＸＡＦＳ（広範囲Ｘ線吸収微細構造）測定することで、推察される。
例えば、Ｆｅ−Ｐｔ合金粒子で酸化処理を施さない合金粒子では、Ｆｅ原子と、Ｐｔ原子やＦｅ原子との結合の存在が確認できる。
これに対し、酸化処理を施した合金粒子では、Ｆｅ原子と酸素原子との結合の存在を確認できる。しかし、Ｐｔ原子やＦｅ原子との結合はほとんど見えなくなる。このことは、酸素原子によりＦｅ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｆｅの結合が切られていることを意味する。これによりアニール時にＰｔ原子やＦｅ原子が動きやすくなったと考えられる。
そして、当該合金粒子にアニール処理を施した後は、酸素の存在を確認することができず、Ｆｅ原子の周りにはＰｔ原子やＦｅ原子との結合の存在が確認できる。

上記現象を考慮すれば、酸化しないと相変態が進行しにくくなりアニール処理温度を高くする必要が生じることがわかる。しかし、過度に酸化するとＦｅ等の酸化されやすい金属と酸素との相互作用が強くなりすぎて金属酸化物が生成してしまうことも考えられる。
よって、合金粒子の酸化状態を制御することが重要となり、そのためには酸化処理条件を最適なものに設定する必要がある。

酸化処理は、例えば、既述の液相法などにより合金粒子を作製した場合は、作製した後の合金粒子含有液に少なくとも酸素を含有するガスを供給すればよい。
このときの酸素分圧は、全圧の１０〜１００％とすることが好ましく、１５〜５０％とすることが好ましい。
また、酸化処理温度は、０〜１００℃とすることが好ましく、１５〜８０℃とすることが好ましい。

合金粒子の酸化状態は、ＥＸＡＦＳ等で評価することが好ましく、Ｆｅ等の卑な金属と酸素との結合数は、酸素によりＦｅ−Ｆｅ結合、Ｐｔ−Ｆｅ結合を切るという観点から、０．５〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。

＜塗布乾燥処理工程＞
合金粒子含有液（必要に応じて、酸化処理を施した場合はその後の合金粒子含有液）を支持体上に塗布する。このとき、合金粒子含有液に結合剤を含有させることが好ましい。

オレイン酸、オレイルアミンのような低分子の分散助剤だけを用いて塗布層を形成した場合、次の層を塗布する塗布液の溶媒により合金粒子等が再分散されてしまい、多重塗布することができない。

また、低分子の分散助剤だけを用いるような系において多重塗布するためには、高温でオレイン酸、オレイルアミンを炭化した後、塗布する必要がある。このような場合、加熱温度は炭化させる観点から一定以上の温度が必要であり、具体的には２５０℃〜４００℃が好ましく、より好ましくは３００℃〜３５０℃である。

結合剤としては、種々のものを使用することができるが、マトリックス剤を使用することが好ましい。マトリックス剤を使うことは、低温でマトリックス剤が膜を形成することから、好ましい対応である。この場合、膜を形成するための加熱温度（乾燥温度）は１００℃以上であることが好ましい。高温側は上述と同じ理由により４００℃以下が好ましい。さらに好ましくは１５０℃〜２５０℃である。

加熱雰囲気としては酸化、還元いずれの雰囲気でもかまわない。酸素欠陥を導入しＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金への変態温度を下げるとの観点から、酸化雰囲気であることが好ましい。この場合、空気中で加熱する方法が簡便であり、工業適性に優れる。

金属酸化物マトリックス中に磁性粒子を含有する層を磁性層とすることで、当該磁性層の耐傷性を高め、支持体との密着性を高めることができる。すなわち、合金粒子を規則化するためのアニール処理を施しても、金属酸化物マトリックスがバインダーとしての役割を果たすため、支持体との密着性を高い状態に維持することが可能となる。また、アニール処理を行っても、金属酸化物マトリックスの構成が変化せずに、強固な磁性層が形成されるため、有機分散剤やポリマーの炭化による膜強度の低下が抑制され、耐傷性を向上させることができる。

さらに、金属酸化物マトリックスに含有された磁性粒子は、互いに凝集することがなく、高分散な状態を維持することができるので、磁性粒子の有する強磁性を効率よく発揮させることができる。

金属酸化物マトリックスは、シリカ、チタニアおよびポリシロキサンから選ばれる少なくとも１種のマトリックス剤からなることが好ましく、具体的には、オルガノシリカゾル（例えば、日産化学製シリカゾル、シーアイ化成製ナノテックＳｉＯ₂）、オルガノチタニアゾル（例えば、シーアイ化成製ナノテックＴｉＯ₂）およびシリコーン樹脂（例えば、東レ製トレフィルＲ９１０）から選ばれる少なくとも１種のマトリックス剤からなることが好ましい。
上記材料は、磁性層の耐傷性および密着性を高めるのに特に有効である。

マトリックス剤の添加量は、磁性粒子の全体積に対して、１〜５０体積％であることが好ましく、２〜３０体積％であることがより好ましく、３〜２０体積％であることがさらに好ましく、５〜２０体積％であることが特に好ましい。これはマトリックス剤の添加量が少ないと表面の平滑化効果が少なく、多すぎると磁性体（磁性粒子）の充填度が低くなり、良好な電磁変換特性を得ることができなくなるためである。マトリックス剤を始めとした結合剤は、適当な溶媒（例えば、デカン等のアルカン類）に溶解して、合金粒子含有液に添加して使用することが好ましい。

合金粒子含有液を塗布するには、スピンコーター、ディップコーター等の公知の方法で塗布する方法を適用することができる。一回の塗布量は、１〜１００ｍｌ／ｍｍ²とすることが好ましく、２〜１０ｍｌ／ｍｍ²とすることがより好ましい。

乾燥後の塗布膜上に、再び、合金粒子含有液を塗布し、乾燥を行う。このよう塗布乾燥処理を所望の回数行って、磁性層となる塗布膜を複数層形成する。

＜アニール処理工程＞
塗布膜中の合金粒子は不規則相である。既述のように不規則相では強磁性は得られない。そこで、規則相とするためには、熱処理（アニール）を施す必要がある。前記熱処理は、示差熱分析（ＤＴＡ）を用い、合金粒子を構成する合金が規則不規則変態する変態温度を求め、その温度以上で行う事が必要である。
上記変態温度は、通常５００℃程度であるが、アニール処理前に酸化し、還元雰囲気でアニール処理することで、変態温度を低下させることができる。また、第三元素の添加により下がることがある。従って、アニール処理温度は１５０℃以上とすることが好ましく、１５０〜５００℃とすることがより好ましく、３００〜４５０℃がさらに好ましい。

また、粒子状態でアニール処理を施すと粒子の移動が起こりやすく融着が生じやすい。このため高い保磁力は得られるが粒子サイズが大きくなる欠点を有しやすい。しかし、アニール処理は、合金粒子の凝集を防ぐ観点から、支持体上などで塗布した状態で行うため、上記のような現象が生じにくいといえる。

支持体としては、磁気記録媒体に使用される支持体であれば、無機物および有機物のいずれでもよい。
無機物の支持体としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｌ−Ｚｎ等のＭｇ合金、ガラス、石英、カーボン、シリコン、セラミックス等が用いられる。これらの支持体は耐衝撃性に優れ、また薄型化や高速回転に適した剛性を有する。また、有機物の支持体と比較して、熱に強い特徴を有している。

有機物の支持体としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類；ポリオレフィン類；セルロ−ストリアセテート、ポリカ−ボネート、ポリアミド（脂肪族ポリアミドやアラミド等の芳香族ポリアミドを含む）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスルフォン、ポリベンゾオキサゾール；等を用いる事ができる。

支持体上に合金粒子を塗布するには、前記酸化処理を施した後の合金粒子含有液に必要に応じて種々の添加剤を添加して、支持体上に塗布すればよい。
このときの合金粒子の含有量は所望の濃度（０．０１〜０．１ｍｇ／ｍｌ）とすることが好ましい。

支持体に塗布する方法としては、エアードクターコート、ブレードコート、ロッドコート、押出しコート、エアナイフコート、スクイズコート、含浸コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビヤコート、キスコート、キャストコート、スプレイコート、スピンコート等が利用できる。

アニール処理を施す際の雰囲気としては、相変態を効率良く進行させ合金の酸化を防ぐため、Ｈ₂、Ｎ₂、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等の非酸化性雰囲気下とすることが好ましい。特に、酸化処理により格子上に存在する酸素を脱離させる観点から、メタン、エタン、Ｈ₂等の還元性雰囲気とすることが好ましい。さらに、粒径維持の観点から、還元性雰囲気下の磁場中でアニール処理を行うことが好ましい。なお、Ｈ₂雰囲気とする場合は防爆の観点から、不活性ガスを混合させることが好ましい。

また、アニール時に粒子の融着を防止するために、変態温度以下、不活性ガス中で一旦アニール処理を行い、分散剤を炭化した後、還元性雰囲気中で変態温度以上でアニール処理を行うことが好ましい。このとき、必要に応じて変態温度以下の前記アニール処理後に、合金粒子からなる層上にＳｉ系の樹脂等を塗布し、変態温度以上でアニール処理を行うことが最も好ましい態様である。

以上のようなアニール処理を施すことで、合金粒子が不規則相から規則相に相変態し、強磁性を有する磁性粒子へと相変態する。

既述の本発明の製造方法により製造される磁性粒子は、その保磁力が９５．５〜３９８ｋＡ／ｍ（１２００〜５０００Ｏｅ）であることが好ましく、磁気記録媒体に適用した場合、記録ヘッドが対応できることを考慮して９５．５〜２７８．６ｋＡ／ｍ（１２００〜３５００Ｏｅ）であることがより好ましい。
また、当該磁性粒子の粒径は１〜１００ｎｍであることが好ましく、３〜２０ｎｍであることがより好ましく、３〜１０ｎｍであることがさらに好ましい。

必要に応じて、既述のような潤滑剤層や保護層を形成して、本発明の磁気記録媒体が製造される。当該磁気記録媒体は、適宜、打ち抜き機で打ち抜いたり、裁断機などを使用して所望の大きさに裁断して使用することができる。

以下、実施例をもとに本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

〔実施例１〕
（ＦｅＰｔ合金粒子の作製）
高純度Ｎ₂ガス中で下記の操作を行った。
ＮａＢＨ₄（和光純薬製）０．７６ｇを水（脱酸素：０．１ｍｇ／リットル以下）１６ｍｌに溶解した還元剤水溶液に、エーロゾルＯＴ（和光純薬製）１０．８ｇとデカン（和光純薬製）８０ｍｌとオレイルアミン（東京化成製）２ｍｌとを混合したアルカン溶液を添加、混合して逆ミセル溶液（Ｉ）を調製した。

三シュウ酸三アンモニウム鉄（Ｆｅ（ＮＨ₄）₃（Ｃ₂Ｏ₄）₃）（和光純薬製）０．４６ｇと塩化白金酸カリウム（Ｋ₂ＰｔＣｌ₄）（和光純薬製）０．３８ｇとを水（脱酸素）１２ｍｌに溶解した金属塩水溶液に、エーロゾルＯＴ５．４ｇとデカン４０ｍｌとを混合したアルカン溶液を添加、混合して逆ミセル溶液（ＩＩ）を調製した。

逆ミセル溶液（Ｉ）を２２℃でオムニミキサー（ヤマト科学製）で高速攪拌しながら、逆ミセル溶液（ＩＩ）を瞬時に添加した。１０分後、マグネチックスターラーで攪拌しながら、５０℃に昇温して６０分間熟成した。
オレイン酸（和光純薬製）２ｍｌを添加して、室温まで冷却した。冷却後大気中に取出した。逆ミセルを破壊するために、水１００ｍｌとメタノール１００ｍｌとの混合溶液を添加して水相と油相とに分離した。油相側に合金粒子が分散した状態が得られた。油相側を水６００ｍｌとメタノール２００ｍｌとの混合溶液で５回洗浄した。

その後、メタノールを１１００ｍｌ添加して合金粒子にフロキュレーションを起こさせて沈降させた。上澄み液を除去して、ヘプタン（和光純薬製）２０ｍｌを添加して再分散した。
さらに、メタノール１００ｍｌ添加による沈降とヘプタン２０ｍｌに添加による分散との沈降分散を２回繰り返して、最後にヘプタン５ｍｌを添加して、水と界面活性剤との質量比（水／界面活性剤）が２のＦｅＰｔ合金粒子を含有する合金粒子含有液を調製した。

得られた合金粒子について、収率、組成、体積平均粒径および分布（変動係数）の測定を行ったところ、下記のような結果が得られた。
なお、組成および収率は、ＩＣＰ分光分析（誘導結合高周波プラズマ分光分析）で測定により求めた。
体積平均粒径および分布は、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡：日立製作所製 ３００ｋＶ）により撮影した粒子を計測して統計処理して求めた。
測定用合金粒子は、調製した合金粒子含有液から合金粒子を捕集し、十分乾燥させ、電気炉で加熱した後のものを使用した。

組成：Ｐｔ４４．５ａｔ％のＦｅＰｔ合金、収率：８５％、
平均粒径：４．２ｎｍ、変動係数：５％、

合金粒子含有液に真空脱気を施して溶媒を除去した後、Ｎ₂雰囲気のグローボックス中でデカンを加え合金粒子が４質量％の分散物を得た。この分散物１ｍｌあたり下記表１記載の添加量にて１質量％のシリコーンレジン（東レ Ｒ９１０ 溶媒は塗布液と同じ溶媒を用いた）溶液（結合剤溶液）を添加し塗布液を調製した。

塗布は、ハードディスク用のガラス製支持体（東洋鋼鈑製６５／２０−０．６３５ｔガラス・ポリッシュ・サブスト）をスピンコータにて５００ｒｐｍに回転し、ガラス上に塗布液を滴下し、その２秒後に８０００ｒｐｍに回転数をあげ乾燥した。この後、下記表１記載の乾燥温度の空気中で２５分間加熱した。
このような塗布乾燥処理を繰り返すことで多重塗布を行った。塗布回数は下記表１の通りである。

昇温速度を２００℃／ｍｉｎとし、Ｈ₂とＡｒとの混合ガス（Ｈ₂：Ａｒ＝５：９５）雰囲気下の電気炉（４５０℃）中で３０分間加熱し、５０℃／ｍｉｎで室温まで降温してアニール処理を施し磁性層を形成した。

（保護層の形成）
アニール処理後、４００ＷのＲｆスパッタにより、カーボンからなる保護層を磁性層上に形成した。膜厚は１０ｎｍであった。

（バーニッシュ処理）
下記のバーニッシュヘッドを用い、７２００ｒｐｍで回転させながら保護層表面をバーニッシュ処理した。
−バーニッシュヘッド仕様（グライドシグナス社）−
スライダー：２４ｐａｄｓ、荷重：５ｇ、
サスペンション：Ｔｙｐｅ ２０３０、
Ｚ−ｈｅｉｇｈｔ：２９ｍｉｌ（０．７３６６ｍｍ）。

（潤滑剤層の形成）
表面をフロリナートＦＣ７２（住友スリーエム社製）で洗浄後乾燥した。
フォンブリンＺゾル（アウジモント社製）を溶媒（フロリナートＦＣ７２）で１質量％とした溶液を調製し、ディップコータで３ｍｍ／ｍｉｎで当該溶液から引き上げながら塗布し、保護層上に潤滑剤層を形成し、磁気記録媒体を作製した。

〔実施例２〜４および比較例１，２〕
下記表１のように、レジン量、塗布回数、乾燥温度等を変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。

〔評価〕
実施例１〜４および比較例１，２のそれぞれの磁気記録媒体をＦＩＢ（Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＳＭＩ２０５０）により端面を切り出し、透過電子顕微鏡（日立製作所製Ｈ９０００）で加速電圧を３００ｋＶとし観察を行った。この結果、磁性層の粒子直径は５ｎｍであった。また、磁性層厚を下記表１に記載した。

磁気特性（保磁力の測定）は、磁性層を磁気記録媒体ごと測定した。ソレノイドからなる着磁機（東英工業製ＭＰＭ−０４）にて面内方向に４０ｋＯｅの磁場をかけた後、東英工業製の高感度磁化ベクトル測定機と同社製ＤＡＴＡ処理装置を使用し、印加磁場７９０ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）の条件で行った。
残留磁束密度（Ｍｒ）に磁性層の平均厚み（ｔ_ave）をかけた値（Ｍｒ・ｔ_ave）および保磁力（Ｈｃ）を下記表１に示す。なお、電磁変換特性（出力）は協同電子社製スピンスタンドＬＳ９０を用い評価を行った。書き込み電流は４０ｍＡであった。記録媒体の回転数は７２００ｒｐｍとした。その他の条件は、下記の通りである。

Ｗｒｉｔｅヘッド リングヘッドギャップ幅：０．２９μｍ、
Ｒｅａｄヘッド ＭＲヘッド ギャップ幅：０．１９μｍ、
回転数：７２００ｒｐｍ、測定位置直径：４９ｍｍ、
相対速度：１８．４７ｍ／ｓ、記録電流値：３５ｍＡ、ＭＲセンス電流：６ｍＡ

表１の結果より、磁性層を多層としＭｒ・ｔ_aveを３０（Ｇ・μｍ）以上とした実施例１〜４の磁気記録媒体では、良好な電磁変換特性が得られた。

Claims (8)

1. 支持体上に磁性層が形成されている磁気記録媒体であって、
   前記磁性層が、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を含み、
   残留磁束密度（Ｍｒ（Ｇ））に前記磁性層の平均厚み（ｔ_ave（μｍ））をかけた値（Ｍｒ・ｔ_ave（Ｇ・μｍ））が、３０以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記磁性層が２層以上からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記磁性層が、結合剤を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁性層の厚み（ｔ）が、４０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
5. 前記磁性層の平均厚み（ｔ_ave）の標準偏差（σ）が、０．０３μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
   支持体上にＣｕＡｕ型あるいはＣｕ₃Ａｕ型強磁性規則合金を含む磁性層を形成するための塗布液を塗布し、乾燥処理を施す塗布乾燥処理を少なくとも２回行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
7. 前記塗布液に結合剤を含有させることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記乾燥処理の温度を、１００℃以上とすることを特徴とする請求項６または７に記載の磁気記録媒体の製造方法。