JP2006074054A - 上面ドレインmosゲートデバイスおよびそのための製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイ上面上のドレイン電極およびダイ底部表面上のソース電極を有するこのデバイスは、ドレイン領域とゲート領域の間に接続された制御電圧によって動作し、デバイスセルは本体ショートトレンチおよびゲートトレンチを有する。ゲート多結晶は、ゲートトレンチ底部に配置され、最小のドレインドリフト領域の重なりによりチャネル領域を内張りする薄いゲート酸化物に隣接して配置される。本体ショートトレンチ底部は、本体領域をチャネル領域に短絡するコンタクトを含む。本体ショート上面ドレイン領域とゲート・ポリシリコンは同時にシリサイド化される。ゲートトレンチはQgdの特性を改良するためにその上面で拡大される。本体ショートトレンチとゲートトレンチは同時にギャップ充填材料で充填される。
【選択図】図1
Description
51 Pベース(チャンネル)
52 ドレイン領域層
53 ドレインドリフト領域(Nドリフト領域層)
60、61、62 トレンチ
63 酸化物層
65 ゲート酸化物層
67 ポリシリコン・ゲート(導電性ポリシリコン層)
69 充填物
71 導電層
72 絶縁酸化物
75 ドレイン電極(上面ドレイン)
76 底部ソース電極(導電性ソース電極)
80 本体
81 エピタキシャル層
82 P型チャンネル(ベース領域;本体)
83 N型ドリフト領域
85 窒化シリコン層
90 本体ショートトレンチ
91 ゲートトレンチ
92 トレンチ
100 酸化物スペーサ層
100a、100b ドレイン酸化物層
110、111 ゲート酸化物層
120 ポリシリコン
121 ゲート・ポリシリコン
130 ソース注入物
131 本体注入物
140 ドレイン領域
150 導電性シリサイド層
151 シリサイド層
152 シリサイド
160 ギャップ充填材料
170 前面金属
171 裏面金属
Claims (14)
- 1の導電型の半導体本体と、ベース層の上にある逆の導電型のベース層と、前記ベース層の上にある前記1の導電型のドリフト領域層と、横方向に隔てられた複数のMOSゲートセルであって、それぞれの前記セルが本体ショートトレンチおよび前記本体ショートトレンチから隔てられたゲートトレンチを含み、前記トレンチ間のメサを定義するMOSゲートセルと、前記本体の平面にほぼ垂直に延在し、前記ドリフト領域および前記本体領域を貫通して延在する前記本体ショートトレンチおよび前記ゲートトレンチと、前記本体領域に前記ベース領域を接続するコンタクトを自身の底部に備えた前記本体ショートトレンチと、自身の壁を内張りするゲート酸化物を備え、前記ベース層の深さの少なくとも一部に沿って延在する前記ゲートトレンチと、前記ゲートトレンチの底部を充填する導電性ポリシリコン・ゲート電極と、前記1の導電型の前記メサの上面に形成された、高濃度導電型ドレイン領域と、前記半導体本体の上面および前記高濃度導電型ドレイン領域に接続された導電性ドレイン前面電極と、前記半導体本体の底部に接続された導電性ソース電極と、を有する上面ドレインMOSゲートデバイス。
- 前記ポリシリコン・ゲート電極の上にある導電性シリサイド層、および前記高濃度ドレイン領域をさらに含む請求項1に記載のデバイス。
- 前記本体ショートトレンチの底部にある前記コンタクトは導電性シリサイドである請求項1に記載のデバイス。
- 前記本体ショートトレンチの底部は、前記本体ショートコンタクトおよび前記本体の間の接続を改良する前記1の導電型の高濃度領域の注入物を備えている請求項1に記載のデバイス。
- 前記本体領域の下部から前記本体ショートコンタクトの上面まで前記本体ショートトレンチの長さに亘って伸びる前記逆の導電型の本体ショート注入物をさらに含む請求項1に記載のデバイス。
- 前記ゲートトレンチが、それ自身の底部において、また前記ベース領域を貫通するその長さに沿って第1の幅を持ち、前記第1の幅に亘って延在するそれ自身の上面において第2の幅を持ち、前記第2の幅の部分は絶縁材充填物で充填され、かつ前記第1の幅よりも広い請求項1に記載のデバイス。
- 1の導電型の半導体本体と、前記ベース層の上にある逆の導電型のベース領域と、前記ベース層の上にある前記1の導電型のドリフト領域層と、前記本体の平面にほぼ垂直に延在し、前記ドリフト領域および前記本体領域を貫通して延在する少なくとも1つの前記ゲートトレンチと、自身の壁を内張りするゲート酸化物を備え、前記ベース層の深さの少なくとも一部に沿った前記ゲートトレンチと、前記ゲート酸化物の長さに沿って前記ゲートトレンチの底部を充填するゲート電極を規定する導電性ポリシリコン塊と、前記ドリフト領域層の上面に接続された導電性ドレイン電極と、前記半導体本体の本体部分に接続された導電性ソース電極と、を有する上面ドレインMOSゲートデバイス。
- 前記本体層を前記ベース層に接続するための埋設された導電性短絡部をさらに含む請求項7に記載のデバイス。
- 前記導電性ドレイン電極への接触を改良するために前記ドリフト領域の上面に形成された前記一つの導電型の高濃度導電型ドレイン領域をさらに含む請求項7に記載のデバイス。
- 前記ゲートトレンチから隔てられ、前記ドリフト領域の上面から前記本体中へと延在する本体ショートトレンチをさらに含み、前記導電性短絡部は前記本体ショートトレンチの底部に配置されている請求項8に記載のデバイス。
- 前記ポリシリコン・ゲート電極の上にある導電性シリサイド層、および前記高濃度ドレイン領域をさらに含む請求項9に記載のデバイス。
- 前記本体ショートトレンチの底部にある前記コンタクトは導電性シリサイドである請求項10に記載のデバイス。
- 前記本体ショートトレンチの底部は、前記本体ショートコンタクトと前記本体との間の接触を改良する前記1の導電型の高濃度領域の注入物を備えている請求項12に記載のデバイス。
- 前記ゲートトレンチが、それ自身の底部において、また前記ベース領域を貫通するその長さに沿って第1の幅を持ち、前記第1の幅に亘って延在するそれ自身の上面において第2の幅を持ち、前記第2の幅の部分は絶縁材充填物で充填され、かつ前記第1の幅よりも広い請求項7に記載のデバイス。
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