JP2006073670A - Integrated circuit device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit device which can suitably increase flexibility concerning the design by securing fully electronic-parts mounting area E on a heat sink 1 while maintaining stably the jointing condition of the heat sink 1 and a lead frame. <P>SOLUTION: A resin mold is carried out integrally to electronic parts and the heat sink 1 in such a state that a part forming the inner lead of a lead frame is connected electrically with electronic parts constituting an integrated circuit, while the electronic parts constituting an integrated circuit device are mounted on the upper surface of the heat sink 1 connected to the lead frame. The lead frame comprises two connection pieces 13 connected to the heat sink 1, and two support leads 14 extended to the inner direction of the heat sink 1 as a dummy inner lead and brought into contact with the heat sink 1. The heat sink 1 is supported by the lead frame in collaboration with the connection to the connection pieces 13 and the contact with the support leads 14. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体チップ等からなる集積回路の放熱構造としてヒートシンクを備える集積回路装置に関し、特に、その製造に際してこれら集積回路およびヒートシンクがリードフレームと一体に樹脂封止される集積回路装置に関する。   The present invention relates to an integrated circuit device provided with a heat sink as a heat dissipation structure of an integrated circuit made of a semiconductor chip or the like, and more particularly to an integrated circuit device in which the integrated circuit and the heat sink are integrally resin-sealed with a lead frame in the manufacture.

一般に、各種電子制御装置等に用いられるドライバＩＣや電源ＩＣをはじめとする電力用の集積回路装置には、パワーＭＯＳＦＥＴ等の発熱素子を含む半導体チップが搭載されている。そして、このような集積回路装置では、上記半導体チップの放熱を促進するために放熱板であるヒートシンクを併せて備えるいわゆる高放熱パッケージ構造を採用することが多く、こうしたヒートシンクをパッケージ面から露出させることで放熱性の向上を図るようにしている。そして従来、このようなヒートシンクを備える集積回路装置としては、例えば特許文献１あるいは特許文献２に記載されているものが知られている。この特許文献１あるいは特許文献２に記載されている集積回路装置も含めて、従来一般に採用されている高放熱パッケージ構造の集積回路装置についてその内部構造を図１０〜図１２を参照して説明する。   In general, power integrated circuit devices such as driver ICs and power supply ICs used in various electronic control devices and the like are equipped with a semiconductor chip including a heating element such as a power MOSFET. Such an integrated circuit device often employs a so-called high heat dissipation package structure including a heat sink as a heat sink in order to promote heat dissipation of the semiconductor chip, and exposes such a heat sink from the package surface. In order to improve heat dissipation. Conventionally, as an integrated circuit device provided with such a heat sink, for example, those described in Patent Document 1 or Patent Document 2 are known. The internal structure of an integrated circuit device having a high heat dissipation package structure, which has been generally adopted, including the integrated circuit device described in Patent Document 1 or Patent Document 2, will be described with reference to FIGS. .

図１０は、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の集積回路装置の内部平面構造を模式的に示したものである。図１０に示されるように、この集積回路装置は、大きくはヒートシンク４Ａを備えるとともに、その上面に半導体チップ等の電子部品が搭載される電子部品搭載エリアＥが設けられており、このようなヒートシンク４Ａが、このエリアＥに搭載された電子部品と共々、モールド樹脂５により一体に封止されたパッケージとして構成されている。そして、上記パッケージの側面のうちの対向する２方向からは、リードフレームから切り離されたそれぞれ複数本のリード５２が引き出される構造となっている。なお、図示は割愛するが、これらリード５２の各々は、樹脂モールドに先立って、上記搭載された電子部品とワイヤボンディングによって電気的に接続されている。   FIG. 10 schematically shows the internal planar structure of an SOP (Small Outline Package) type integrated circuit device. As shown in FIG. 10, this integrated circuit device generally includes a heat sink 4A, and an electronic component mounting area E on which an electronic component such as a semiconductor chip is mounted on the upper surface thereof. 4A is configured as a package integrally sealed with the mold resin 5 together with the electronic components mounted in the area E. A plurality of leads 52 separated from the lead frame are drawn out from two opposing directions on the side surface of the package. Although not shown, each of the leads 52 is electrically connected to the mounted electronic component by wire bonding prior to resin molding.

また図１１は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の集積回路装置の内部平面構造を模式的に示したものであり、図１２は同図１１のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示したものである。なお便宜上、この図１２では、断面図に模式的にその側面構造を併せて図示している。そしてこの集積回路装置も、図１０に示した装置と同様に、大きくはヒートシンク４Ｂを備えるとともに、その上面に半導体チップ等の電子部品が搭載される電子部品搭載エリアＥが設けられており、このようなヒートシンク４Ｂが、このエリアＥに搭載された電子部品と共々、モールド樹脂５により一体に封止されている。またこの集積回路装置では、上記パッケージの側面の４方向から、リードフレームから切り離されたそれぞれ複数本のリード６２が引き出される構造となっており、これらリード６２の各々と上記搭載された電子部品とが、ワイヤ７５を用いたワイヤボンディングによって電気的に接続されている。   FIG. 11 schematically shows an internal planar structure of a QFP (Quad Flat Package) type integrated circuit device, and FIG. 12 shows a cross-sectional structure taken along the line CC in FIG. It is. For the sake of convenience, FIG. 12 schematically shows the side structure together with the cross-sectional view. This integrated circuit device is also provided with a heat sink 4B, as with the device shown in FIG. 10, and an electronic component mounting area E on which an electronic component such as a semiconductor chip is mounted. Such a heat sink 4B is integrally sealed with the mold resin 5 together with the electronic components mounted in the area E. The integrated circuit device has a structure in which a plurality of leads 62 separated from the lead frame are drawn out from the four directions on the side surface of the package, and each of the leads 62 and the mounted electronic component are Are electrically connected by wire bonding using the wire 75.

このように電子部品を上記ヒートシンク４Ａあるいは４Ｂ上に搭載するに際しては、上記電子部品搭載エリアＥのヒートシンク４Ａあるいは４Ｂ上への位置決めを高精度に行い、それら上記ヒートシンク４Ａあるいは４Ｂと上記各リード５２あるいは６２を備えるリードフレームとの平行度をはじめとして、これらの位置精度を安定に確保する必要がある。そこで従来はこれらヒートシンク４Ａあるいは４Ｂとリードフレームとの接続方法として、接着剤やかしめ加工（塑性変形加工）による接続方法を採用するようにしている。ちなみに、図１０あるいは図１１および図１２に例示した集積回路装置では、これらのより強固な接続を図ることのできる方法として、かしめ加工による接続方法を採用している。   Thus, when electronic components are mounted on the heat sink 4A or 4B, the electronic component mounting area E is positioned on the heat sink 4A or 4B with high accuracy, and the heat sink 4A or 4B and the leads 52 are positioned. Alternatively, it is necessary to stably secure the positional accuracy including the parallelism with the lead frame having 62. Therefore, conventionally, as a method for connecting the heat sink 4A or 4B and the lead frame, a connection method using an adhesive or caulking (plastic deformation) is adopted. Incidentally, in the integrated circuit device illustrated in FIG. 10 or FIG. 11 and FIG. 12, a connection method by caulking is adopted as a method capable of achieving these stronger connections.

具体的には、図１０に例示した集積回路装置では、ヒートシンク４Ａとリードフレームとが２箇所の接続部５６を介したかしめ加工によって接続されている。すなわち、リードフレームには、その２箇所に上記ヒートシンク４Ａにオーバーラップするかたちで突出する接続片５３が形成されており、この接続片５３に貫通孔５７が設けられている。一方、上記ヒートシンク４Ａには、これら貫通孔５７に対応する位置に、この貫通孔５７に挿入される凸部５８が設けられている。そして、この凸部５８が貫通孔５７に挿入された状態で上記かしめ加工が施されることで、ヒートシンク４Ａとリードフレームとが接続されている。   Specifically, in the integrated circuit device illustrated in FIG. 10, the heat sink 4 </ b> A and the lead frame are connected by caulking through two connection portions 56. That is, the lead frame is formed with connecting pieces 53 protruding at two locations so as to overlap the heat sink 4 </ b> A, and through holes 57 are provided in the connecting pieces 53. On the other hand, the heat sink 4 </ b> A is provided with a protrusion 58 inserted into the through hole 57 at a position corresponding to the through hole 57. Then, the heat sink 4A and the lead frame are connected by performing the caulking process in a state where the convex portion 58 is inserted into the through hole 57.

また同様に、図１１および図１２に例示した集積回路装置では、ヒートシンク４Ｂとリードフレームとが４箇所の結合部６６を介したかしめ加工によって接続されている。すなわち、リードフレームには、上記ヒートシンク４Ｂの４隅にオーバーラップするかたちで突出する接続片６３が形成されており、この接続片６３に貫通孔６７が設けられている。一方、ヒートシンク４Ｂには、これら貫通孔６７に対応する位置に凸部６８が設けられている。そして、先の図１０に準じたかしめ加工によってこれらが接続されている。
特開平１１−１４５３６４号公報 特開２００１−１４４２４２号公報 Similarly, in the integrated circuit device illustrated in FIGS. 11 and 12, the heat sink 4 </ b> B and the lead frame are connected by caulking through four coupling portions 66. That is, the lead frame is formed with connection pieces 63 protruding so as to overlap the four corners of the heat sink 4B, and through holes 67 are provided in the connection pieces 63. On the other hand, the heat sink 4B is provided with convex portions 68 at positions corresponding to the through holes 67. These are connected by caulking according to FIG.
JP-A-11-145364 JP 2001-144242 A

このように、高放熱パッケージ構造をもつ上記従来の集積回路装置では、上記ヒートシンク４Ａあるいは４Ｂとリードフレームとの結合を図り且つこれらの平行度を確保するために、ヒートシンクの対向する部分の少なくとも２箇所にかしめ加工による接続部を設けるようにしている。このため、上記ヒートシンクに少なくともこうした結合部を設けるために十分なスペースを確保する必要があり、ひいては上記ヒートシンク上に回路基板や電子部品を搭載することのできるスペース、すなわち上記電子部品搭載エリアＥも自ずと制限されてしまうこととなる。特に近年は、集積回路装置としての高機能化、高密度化の要求が高まりつつあることから、こうしたスペースの制約は集積回路装置としての設計の自由度を大きく損なうことにもなっている。また、接続部の配設態様によっては、パッケージから導出されるリード数が制限されることから、集積回路装置としての多ピン化やファインピッチ化も制限されることとなり、このことも集積回路装置設計の自由度を阻害する要因の一つとなっている。   As described above, in the conventional integrated circuit device having the high heat dissipation package structure, in order to connect the heat sink 4A or 4B and the lead frame and to ensure the parallelism between them, at least two of the opposed portions of the heat sink are used. A connecting portion by caulking is provided at the location. For this reason, it is necessary to secure a sufficient space for providing at least such a coupling portion on the heat sink. As a result, a space in which a circuit board or an electronic component can be mounted on the heat sink, that is, the electronic component mounting area E is also provided. It will naturally be restricted. In particular, in recent years, demands for higher functionality and higher density as integrated circuit devices are increasing, and such space restrictions greatly impair design freedom as integrated circuit devices. In addition, depending on the arrangement of the connecting portions, the number of leads led out from the package is limited, so that the number of pins and the fine pitch as the integrated circuit device are also limited, which is also the integrated circuit device. This is one of the factors that hinder design freedom.

この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、ヒートシンクとリードフレームとの接合状態を安定に維持しつつ、ヒートシンク上の電子部品搭載エリアを十分に確保して、その設計にかかる自由度を好適に高めることのできる集積回路装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and while maintaining a stable bonding state between the heat sink and the lead frame, a sufficient area for mounting electronic components on the heat sink is ensured, and the degree of freedom in designing the heat sink is ensured. An object of the present invention is to provide an integrated circuit device that can suitably increase the above-described characteristics.

こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、リードフレームに接続されたヒートシンクの一面に集積回路を構成する電子部品が搭載され、前記リードフレームのインナーリードを形成する一部が、前記集積回路を構成する電子部品と電気的に接続された状態で、電子部品および前記ヒートシンクとともに一体に樹脂モールドされる集積回路装置として、前記リードフレームに、前記ヒートシンクと接続される少なくとも１つの接続片を備えるとともに、ダミーのインナーリードとして前記ヒートシンクの内方まで延設されて前記ヒートシンクに当接される複数のサポートリードを設け、前記ヒートシンクは、これら接続片との接続およびサポートリードとの当接の協働によって前記リードフレームに支持される構造とした。   In order to achieve such an object, in the invention described in claim 1, an electronic component constituting an integrated circuit is mounted on one surface of a heat sink connected to the lead frame, and a part forming the inner lead of the lead frame includes: As an integrated circuit device that is integrally resin-molded together with the electronic component and the heat sink while being electrically connected to the electronic component constituting the integrated circuit, at least one connection connected to the heat sink to the lead frame A plurality of support leads that extend to the inside of the heat sink and contact the heat sink as dummy inner leads, and the heat sink is connected to the connection pieces and contacted with the support leads. The structure is supported by the lead frame by close cooperation.

集積回路装置としてのこのような構造によれば、上記ヒートシンクが上記接続片に接続されることによってヒートシンクとリードフレームとの位置精度が確保されるとともに、同ヒートシンクが上記サポートリードに当接されることによってヒートシンクとリードフレームとの平行度が確保される。すなわち同構造では、リードフレームに上記サポートリードを設けたことによって、ヒートシンクとリードフレームとを接続する接続部の形成箇所を削減することができるようになる。このため、上記ヒートシンク上に回路基板や電子部品を搭載することのできるスペース、すなわち電子部品搭載エリアをより大きく確保することができるようになり、ひいてはさらなる高密度実装の実現を図ることもできるようになる。またこの場合、搭載部品数が一定であれば、上記リードフレームあるいは集積回路装置としての小型化を図ることもできるようになる。   According to such a structure as an integrated circuit device, the heat sink is connected to the connection piece, thereby ensuring the positional accuracy between the heat sink and the lead frame, and the heat sink is brought into contact with the support lead. This ensures the parallelism between the heat sink and the lead frame. That is, in this structure, by providing the support lead on the lead frame, it is possible to reduce the number of locations where the connection portion connecting the heat sink and the lead frame is formed. For this reason, it becomes possible to secure a larger space for mounting a circuit board and electronic components on the heat sink, that is, an electronic component mounting area, thereby realizing further high-density mounting. become. In this case, if the number of mounted parts is constant, the lead frame or the integrated circuit device can be miniaturized.

また、一般にこうした集積回路装置上に電子部品としてマイクロコンピュータやパワー素子等が搭載される際には、その実装に際して例えばＡｕ（金）ワイヤを用いたワイヤボンディング工程が採用され、この場合には上記リードフレームも局部的に加熱されることとなる。この点、上記構造によれば、たとえこうした加熱によってリードフレームを上記ヒートシンクとの熱膨張係数差に起因する伸縮差が生じたとしても、上記サポートリードとヒートシンクとの接触部にてこうした伸縮差が吸収、緩和されるようになる。すなわち、上記リードフレームの歪み等も好適に吸収、緩和されるようになる。ちなみにこのことは、これらリードフレームやヒートシンクとして採用することのできる各材料の厚さ、熱伝導性、熱容量あるいは熱膨張係数などの自由度が高められ、ひいては当該集積回路装置としての設計自由度も大きく高められるようになることを意味する。   In general, when a microcomputer, a power element, or the like is mounted as an electronic component on such an integrated circuit device, a wire bonding process using, for example, Au (gold) wire is employed for the mounting. The lead frame is also heated locally. In this regard, according to the structure described above, even if such a heating causes a difference in expansion / contraction due to the difference in thermal expansion coefficient between the lead frame and the heat sink, such a difference in expansion / contraction occurs at the contact portion between the support lead and the heat sink. Absorbed and relaxed. That is, the lead frame distortion and the like are suitably absorbed and alleviated. By the way, this increases the degree of freedom of each material that can be adopted as the lead frame and heat sink, such as the thickness, thermal conductivity, thermal capacity or thermal expansion coefficient, and thus the degree of freedom of design as the integrated circuit device. It means to be greatly enhanced.

また、こうしてリードフレームの歪みが抑制されることにより、例えばこうした局部的な加熱工程の後工程として、さらに別の電子部品等を非加熱工程にて実装するような場合であれ、これまで各工程毎に必要とされた搭載部品間の位置合わせ等も不要となる。すなわち、位置合わせ形状や各部品間の余分なクリアランスの確保が不要となるため、この意味でも上記リードフレーム自体の小型化が可能になるとともに、これら位置合わせ工程をはじめとする各工程をより容易に実現することができるようにもなる。   In addition, since the distortion of the lead frame is suppressed in this way, for example, as a subsequent process of such a local heating process, even when another electronic component or the like is mounted in a non-heating process, Positioning between the mounted components, which is required every time, becomes unnecessary. In other words, it is not necessary to secure an alignment shape and an extra clearance between the components. In this sense, the lead frame itself can be reduced in size and each process including the alignment process is easier. Can also be realized.

また、この請求項１に記載の構造に関しては、例えば請求項２に記載の発明によるように、
（イ）前記ヒートシンクが矩形の板材からなるとするときに、その四隅のうちの対角となる２点において前記リードフレームの前記接続片と接続され、他の対角となる２点において前記リードフレームの前記サポートリードと当接される構造。
あるいは、請求項３に記載の発明によるように、
（ロ）前記ヒートシンクが矩形の板材からなるとともに、前記電子部品が搭載される面の裏面において前記リードフレームに支持されるものであるとするときに、前記リードフレームの前記接続片は、該ヒートシンクを支持する面の一方の対角線上に延設されてその中央部で前記ヒートシンクに接続され、前記リードフレームの前記サポートリードは、同ヒートシンクを支持する面の他の対角となる２点において前記ヒートシンクに当接される構造。
さらには、請求項５に記載の発明によるように、
（ハ）前記ヒートシンクが矩形の板材からなるとするときに、その四隅の４点において前記リードフレームの前記サポートリードと当接され、その中心となる１点において前記リードフレームの前記接続片と接続される構造。
等々の構造を採用することが有効である。 As for the structure according to claim 1, for example, according to the invention according to claim 2,
(A) When the heat sink is made of a rectangular plate material, the lead frame is connected to the connection piece of the lead frame at two diagonal points of the four corners, and the lead frame at two other diagonal points. The structure of contacting the support lead.
Alternatively, as in the invention according to claim 3,
(B) When the heat sink is made of a rectangular plate material and is supported by the lead frame on the back surface of the surface on which the electronic component is mounted, the connection piece of the lead frame includes the heat sink The support lead of the lead frame is connected to the heat sink at one of the diagonal lines of the surface that supports the heat sink, and the support lead of the lead frame is the other diagonal of the surface that supports the heat sink. Structure that contacts the heat sink.
Further, according to the invention of claim 5,
(C) When the heat sink is made of a rectangular plate material, it is in contact with the support lead of the lead frame at four points at its four corners, and is connected to the connection piece of the lead frame at one central point. Structure.
It is effective to adopt such a structure.

すなわち、上記（イ）の構造のように、上記ヒートシンクと上記リードフレームとが上記ヒートシンクの四隅のうちの対角となる２点で接続されることで、その接合状態を維持することができるとともに、他の対角となる２点において上記サポートリードと当接されることで、これらヒートシンクとリードフレームとの平行度も安定に確保されるようになる。特にこの場合には、ヒートシンクとリードフレームとが２点で接続されることから、いわゆるずれ等を生じることもなく、その位置精度を安定に維持することができるようになる。   That is, as in the structure (a) above, the heat sink and the lead frame are connected at two points that are diagonals of the four corners of the heat sink, so that the joined state can be maintained. The parallelism between the heat sink and the lead frame can be stably ensured by contacting the support lead at two other diagonal points. Particularly in this case, since the heat sink and the lead frame are connected at two points, the positional accuracy can be stably maintained without causing a so-called shift or the like.

また、上記（ロ）の構造においても、上記ヒートシンクがその裏面においてリードフレームとその中央部で接続されることで、その接合状態を維持することができ、しかも他の対角となる２点において上記サポートリードとによる当接されることで、これらヒートシンクとリードフレームとの平行度も安定に確保されるようになる。しかもこの構造においては、ヒートシンクがその裏面においてリードフレームに支持されることから、上記電子部品搭載エリアも最大限に確保されるようになる。   Also in the structure (b), the heat sink is connected to the lead frame on the back surface thereof at the center thereof, so that the joined state can be maintained, and at two other diagonal points. By the contact with the support lead, the parallelism between the heat sink and the lead frame can be stably secured. In addition, in this structure, the heat sink is supported by the lead frame on the back surface, so that the electronic component mounting area can be secured to the maximum.

なおこの場合には、特に請求項４に記載の発明によるように、前記ヒートシンクの前記リードフレームに支持される面には、前記接続片と係合されるべく前記一方の対角線上に形成された溝が設けられる構造とすれば、ヒートシンクとリードフレームとがたとえ１点で接続される場合であれ、それらの間でずれ等が生じることも抑制され、その位置精度をより安定に維持することができるようになる。   In this case, the surface supported by the lead frame of the heat sink is formed on the one diagonal line so as to be engaged with the connection piece. If the structure is provided with a groove, even if the heat sink and the lead frame are connected at one point, it is possible to suppress the occurrence of a shift between them, and to maintain the positional accuracy more stably. become able to.

さらに、上記（ハ）の構造のように、上記ヒートシンクがその四隅の４点でサポートリードと当接され、その中心となる１点でリードフレームに接続される構造であっても、これらヒートシンクとリードフレームとの平行度をはじめとする位置精度は安定に確保される。そしてこの場合も、少なくとも上記接続部がヒートシンクの裏面に設定されることで、上記電子部品搭載エリアが最大限に確保されるようになり、また同ヒートシンクに上記接続片と係合される溝を設けることで、上記位置精度のさらなる向上が期待できるようになる。   Further, even if the heat sink is in contact with the support lead at four points at the four corners and connected to the lead frame at one central point as in the structure (c) above, Positional accuracy including parallelism with the lead frame is ensured stably. In this case as well, at least the connection portion is set on the back surface of the heat sink, so that the electronic component mounting area can be secured to the maximum, and a groove that engages with the connection piece is provided on the heat sink. By providing, it is possible to expect further improvement in the positional accuracy.

一方、上記請求項１〜５のいずれかに記載の集積回路装置において、請求項６に記載の発明によるように、前記ヒートシンクの前記サポートリードが当接される箇所には選択的に凹部を設け、該サポートリードは、この凹部に係合された状態で同ヒートシンクに当接される構造とすれば、平行度はもとより、上記位置精度についても、接続部の数に頼ることなく、高い精度が得られるようになる。   On the other hand, in the integrated circuit device according to any one of claims 1 to 5, according to the invention according to claim 6, a concave portion is selectively provided at a location where the support lead of the heat sink contacts. If the support lead is structured so as to be in contact with the heat sink while being engaged with the recess, not only the parallelism but also the positional accuracy is high without depending on the number of connecting portions. It will be obtained.

また、上記請求項１〜６のいずれかに記載の集積回路装置において、請求項７に記載の発明によるように、前記リードフレームの前記接続片には貫通孔が設けられるとともに、前記ヒートシンクの前記リードフレームとの接続部には前記貫通孔に挿入される凸部が設けられており、前記リードフレームに対する前記ヒートシンクの接続が、前記貫通孔に挿入された凸部の塑性変形加工によって行われる構造とすれば、これらヒートシンクとリードフレームとの接続が容易、且つ強固に行われるようになる。   Further, in the integrated circuit device according to any one of claims 1 to 6, as in the invention according to claim 7, the connection piece of the lead frame is provided with a through hole, and the heat sink A projecting portion that is inserted into the through hole is provided at a connection portion with the lead frame, and the heat sink is connected to the lead frame by plastic deformation of the projecting portion that is inserted into the through hole. Then, the connection between the heat sink and the lead frame can be easily and firmly performed.

さらに、上記請求項１〜７のいずれかに記載の集積回路装置において、請求項８に記載の発明によるように、前記ヒートシンクが鉄系材料からなる構造とすれば、上記ヒートシンクの熱膨張係数を小さくすることができる。これにより、ヒートシンクが一体に設けられる高放熱モールドパッケージ構造において、一般に熱膨張係数の小さいモールド樹脂と上記ヒートシンクとの部材間における熱膨張係数差に起因する界面剥離やクラック等の発生を抑制することができるようなる。また、温度サイクル試験等においても、温度差に対する信頼性を高く確保することができるようにもなる。また、このような構造は、上記ヒートシンクに熱膨張係数の小さい半導体素子やセラミック回路基板等を搭載する場合に特に有効であり、その動作時の発熱に起因するそれら素子や基板等とヒートシンクとの界面剥離等も好適に抑制されるようになる。   Furthermore, in the integrated circuit device according to any one of claims 1 to 7, if the heat sink is made of a ferrous material as in the invention according to claim 8, the thermal expansion coefficient of the heat sink is increased. Can be small. As a result, in a high heat dissipation mold package structure in which a heat sink is integrally provided, it is possible to suppress the occurrence of interfacial debonding, cracks, etc. due to the difference in the thermal expansion coefficient between the mold resin generally having a small thermal expansion coefficient and the heat sink. Will be able to. Further, in the temperature cycle test and the like, it is possible to ensure high reliability with respect to the temperature difference. Such a structure is particularly effective when a semiconductor element or a ceramic circuit board having a low thermal expansion coefficient is mounted on the heat sink, and the heat sink is formed between the element, the board, and the like due to heat generated during the operation. Interfacial peeling and the like are also preferably suppressed.

（第１の実施の形態）
以下、この発明にかかる集積回路装置の第１の実施の形態について、図１〜図５を参照して説明する。図１は、この実施の形態にかかる集積回路装置としてＱＦＰ型の集積回路装置の内部平面構造を模式的に示したものであり、図２は同図１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を示したものである。 (First embodiment)
A first embodiment of an integrated circuit device according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 schematically shows an internal planar structure of a QFP type integrated circuit device as an integrated circuit device according to this embodiment, and FIG. 2 shows a cross-sectional structure taken along line AA of FIG. Is shown.

これら図１および図２に示されるように、この集積回路装置は、大きくは矩形状のヒートシンク１を備えるとともに、その上面１ａには半導体チップ等の電子部品が搭載される電子部品搭載エリアＥが設けられており、このようなヒートシンク１が、上記電子部品と共々、モールド樹脂５により一体に封止されたパッケージとして構成されている。そして、このパッケージの側面の４方向からは、リードフレームから切り離されたそれぞれ複数本のリード１２が引き出される構造となっており、これらリード１２の各々と上記搭載された電子部品とが、ワイヤ７５を用いたワイヤボンディングによって電気的に接続されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the integrated circuit device includes a heat sink 1 having a rectangular shape, and an upper surface 1a has an electronic component mounting area E on which an electronic component such as a semiconductor chip is mounted. The heat sink 1 is provided as a package integrally sealed with a mold resin 5 together with the electronic component. A plurality of leads 12 separated from the lead frame are pulled out from the four directions on the side surface of the package, and each of the leads 12 and the mounted electronic component is connected to the wire 75. It is electrically connected by wire bonding using

このうち上記ヒートシンク１は、例えば鉄系材料等の熱伝導性に優れた部材からなり、打ち抜きプレス加工などにより一体に成形されている。このヒートシンク１の上面１ａの電子部品搭載エリアＥには、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ等の発熱素子が銀ペーストや半田等の熱伝導性の高い接着部材を介して接合されている。一方、同ヒートシンク１の下面（裏面）１ｂは、上記モールド樹脂５からなるパッケージ面から露出されており、上記発熱素子から発せられた熱がヒートシンク１を介して外部へと放熱されるようになっている。   Among these, the heat sink 1 is made of a member having excellent thermal conductivity such as an iron-based material, and is integrally formed by punching press processing or the like. For example, a heating element such as a power MOSFET is joined to an electronic component mounting area E on the upper surface 1a of the heat sink 1 via an adhesive member having high thermal conductivity such as silver paste or solder. On the other hand, the lower surface (back surface) 1 b of the heat sink 1 is exposed from the package surface made of the mold resin 5, and heat generated from the heat generating element is radiated to the outside through the heat sink 1. ing.

次に、こうした集積回路装置の製造方法について、図３〜図５を参照して説明する。まず図３は、集積回路装置を構成する上記ヒートシンク１とリードフレームとの接続工程における平面構造を示したものであり、図４は同３のＡ’−Ａ’線に沿った断面構造を示したものである。また、図５（ａ）〜（ｆ）は上記工程に続く工程における同図４に対応する断面構造を、製造プロセスにしたがって模式的に示したものである。なお、この図３中には、先の図１に対応して、最終的にモールド樹脂により形成されるパッケージの外形線を二点鎖線で示している。   Next, a method for manufacturing such an integrated circuit device will be described with reference to FIGS. First, FIG. 3 shows a planar structure in the connecting step between the heat sink 1 and the lead frame constituting the integrated circuit device, and FIG. 4 shows a cross-sectional structure taken along line A′-A ′ of FIG. It is a thing. FIGS. 5A to 5F schematically show the cross-sectional structure corresponding to FIG. 4 in the process following the above process according to the manufacturing process. In FIG. 3, the outline of the package finally formed of the mold resin is shown by a two-dot chain line corresponding to FIG.

この製造に際してはまず、図３および図４に示されるように、上記リードフレーム１０と上記ヒートシンク１との接続を行う。このうちリードフレーム１０は、複数のインナーリード１０ａおよびこれら各インナーリード１０ａと連結されるアウターリード１０ｂとを備え、これらを保持するための４本のレールが枠状に組まれて形成されている。上記アウターリード１０ｂ間にはこれらと直角にタイバー部１１が架設されている。また、上記４本のレールからなる枠の内周辺に配設される各インナーリード１０ａは、その先端が上記枠内に配設されるヒートシンク１と間隙を介するかたちで配設されている。   In this manufacturing, first, as shown in FIGS. 3 and 4, the lead frame 10 and the heat sink 1 are connected. Among these, the lead frame 10 includes a plurality of inner leads 10a and outer leads 10b connected to the inner leads 10a, and four rails for holding these are formed in a frame shape. . A tie bar portion 11 is installed between the outer leads 10b at right angles thereto. Further, each inner lead 10a disposed on the inner periphery of the frame composed of the four rails is disposed such that the tip of the inner lead 10a is spaced from the heat sink 1 disposed in the frame.

そして、このような形状からなるリードフレーム１０と上記ヒートシンク１とが、２箇所の接続部１６を介したかしめ加工（塑性変形加工）によって接続される。具体的には、上記ヒートシンクの四隅のうちの対角に位置する２点には、上記ヒートシンク１にオーバーラップするかたちで上記リードフレーム１０から突出する接続片１３が形成されており、これら接続片１３にはそれぞれ貫通孔１７が設けられている。一方、上記ヒートシンク１には、上記貫通孔１７に対応する位置に、この貫通孔１７に挿入される凸部１８が設けられている。そして、これら凸部１８がそれぞれ貫通孔１７に挿入された状態で、かしめ加工が施されることで、これらヒートシンク１とリードフレーム１０とが接続される。   The lead frame 10 having such a shape and the heat sink 1 are connected by caulking (plastic deformation) via two connection portions 16. Specifically, connection points 13 projecting from the lead frame 10 are formed at two points located at the diagonal corners of the heat sink so as to overlap the heat sink 1. Each of 13 is provided with a through hole 17. On the other hand, the heat sink 1 is provided with a convex portion 18 inserted into the through hole 17 at a position corresponding to the through hole 17. Then, the heat sink 1 and the lead frame 10 are connected by caulking with the convex portions 18 inserted into the through holes 17.

また、上記ヒートシンクの四隅のうちの上記２点とは異なる２点には、上記リードフレーム１０のダミーのインナーリードとして、上記ヒートシンク１の上面１ａの内方まで延設されるサポートリード１４が当接している。すなわち、これらサポートリード１４は、上記ヒートシンク１の上面１ａに当接することにより、これらリードフレーム１０とヒートシンク１との平行度を確保するかたちで同ヒートシンク１を支持している。   Further, two of the four corners of the heat sink, which are different from the above two points, are support leads 14 extending to the inside of the upper surface 1a of the heat sink 1 as dummy inner leads of the lead frame 10. It touches. That is, the support leads 14 support the heat sink 1 in such a manner that the parallelism between the lead frame 10 and the heat sink 1 is ensured by contacting the upper surface 1 a of the heat sink 1.

このように、これらヒートシンク１とリードフレーム１０とが接続部１６を介して安定に接合され、且つ上記サポートリード１４により位置精度が確保された後、図５（ａ）〜（ｆ）に示されるように、同ヒートシンク１上に各種電子部品等が順次搭載されることになる。   As described above, after the heat sink 1 and the lead frame 10 are stably joined via the connecting portion 16 and the positional accuracy is ensured by the support lead 14, FIG. 5A to FIG. 5F are shown. As described above, various electronic components and the like are sequentially mounted on the heat sink 1.

次に、図５（ａ）に示されるように、上記ヒートシンク１上に設けられている電子部品搭載エリアＥ（図１、図２参照）に、素子７２ａを搭載するダイボンディング工程を行う。この素子７２ａは例えば半田７４ａを介してプリント基板７１ａに接合され、このプリント基板７１ａも例えば同じく半田７３ａを介して上記ヒートシンク１に接合される。そして、このような半田付けによるダイボンディング工程は、例えば約３００℃に設定されたヒータ９０によりこのような実装領域をリードフレーム共々、局部加熱することにより行われる。   Next, as shown in FIG. 5A, a die bonding step for mounting the element 72a in the electronic component mounting area E (see FIGS. 1 and 2) provided on the heat sink 1 is performed. The element 72a is joined to the printed circuit board 71a through, for example, solder 74a, and the printed circuit board 71a is also joined to the heat sink 1 through the solder 73a. The die bonding process by soldering is performed by locally heating such a mounting area together with the lead frame by a heater 90 set to about 300 ° C., for example.

次に、図５（ｂ）に示されるように、上記電子部品搭載エリアＥに、上記素子７２ａとは異なる素子７２ｂを搭載するダイボンディング工程を行う。この素子７２ｂは例えば接着剤７４ｂを介してプリント基板７１ｂに接合され、このプリント基板７１ｂは例えば接着剤７３ｂを介して上記ヒートシンク１に接合される。このような接着剤によるダイボンディング工程は、例えば恒温槽９１の中で装置全体を加熱することにより行われ、具体的には、例えば恒温槽９１の温度を、上記接着剤７３ｂおよび７４ｂの硬化温度以上となる約３００℃に設定することにより行われる。   Next, as shown in FIG. 5B, a die bonding step of mounting an element 72b different from the element 72a in the electronic component mounting area E is performed. The element 72b is bonded to the printed circuit board 71b through an adhesive 74b, for example, and the printed circuit board 71b is bonded to the heat sink 1 through an adhesive 73b, for example. The die bonding step using such an adhesive is performed, for example, by heating the entire apparatus in a thermostatic chamber 91. Specifically, for example, the temperature of the thermostatic chamber 91 is set to the curing temperature of the adhesives 73b and 74b. It is performed by setting to about 300 ° C. as described above.

次いで、図５（ｃ）に示されるように、上記素子７２ｂとリードフレームのインナーリード１０ａとをＡｕ（金）ワイヤ７５ｂを用いたワイヤボンディング工程によって電気的に接続する。こうしたワイヤボンディング工程は、例えば約２００℃に設定されたヒータ９２によりこのような実装領域をリードフレーム共々、局部加熱することにより行われる。   Next, as shown in FIG. 5C, the element 72b and the inner lead 10a of the lead frame are electrically connected by a wire bonding process using an Au (gold) wire 75b. Such a wire bonding process is performed by, for example, locally heating the mounting region together with the lead frame by a heater 92 set to about 200 ° C.

さらに、図５（ｄ）に示されるように、上記素子７２ａとリードフレームのインナーリード１０ａとをＡｌ（アルミニウム）ワイヤ７５ａを用いたワイヤボンディング工程によって常温にて電気的に接続する。   Further, as shown in FIG. 5D, the element 72a and the inner lead 10a of the lead frame are electrically connected at room temperature by a wire bonding process using an Al (aluminum) wire 75a.

そして、このように各素子７２ａおよび７２ｂと各インナーリード１０ａとが電気的に接続された後、図５（ｅ）に示されるように、上記装置を例えば金型９３内に載置し、この金型９３を装置共々約１５０℃以上に加熱し、この金型９３内に例えばエポキシ樹脂などからなる樹脂液を注入した後、これを硬化させるモールド工程を行う。   And after each element 72a and 72b and each inner lead 10a are electrically connected in this way, as shown in FIG.5 (e), the said apparatus is mounted, for example in the metal mold | die 93, and this The mold 93 is heated to about 150 ° C. or more together with the apparatus, and after a resin liquid made of, for example, an epoxy resin is injected into the mold 93, a molding process is performed to cure the mold.

その後、図５（ｆ）に示されるように、上記装置を金型９３から取り出し、上記リードフレームを形成する外枠と接続片１３、サポートリード１４および各アウターリード１０ｂとの間、および各アウターリード１０ｂ間のタイバー部１１（図３参照）を切断する。これにより、先の図２に示した態様でパッケージからリード１２が引き出される構造の集積回路装置が形成される。なお、図示は割愛するがこうした集積回路装置がさらに基板等に実装される際には、上記導出されるリード１２（アウターリード１０ｂ）はガルウイング状に整形される。   After that, as shown in FIG. 5 (f), the device is taken out from the mold 93, and between the outer frame forming the lead frame and the connection piece 13, the support lead 14 and each outer lead 10b, and each outer frame. The tie bar portion 11 (see FIG. 3) between the leads 10b is cut. Thus, an integrated circuit device having a structure in which the leads 12 are drawn from the package in the manner shown in FIG. 2 is formed. Although not shown in the drawings, when such an integrated circuit device is further mounted on a substrate or the like, the lead 12 (outer lead 10b) derived is shaped into a gull wing.

このように、集積回路装置に電子部品等が搭載され、パッケージが形成される製造工程には、局部加熱工程や全体加熱工程あるいは非加熱（常温）工程が混在しており、特に局部加熱あるいは全体加熱工程では、リードフレーム１０とヒートシンク１との熱膨張係数差に起因して伸縮差が生じることになる。しかしながら、こうした伸縮差が生じたとしても、上記サポートリード１４とヒートシンク１の接触部１４ａにて吸収、緩和されるため、上記リードフレームの歪みは抑制されるようになる。また、こうしてリードフレームの歪みが抑制されるため、上記各工程毎に必要とされた搭載部品間の位置合わせ等も不要となり、位置合わせ形状や各部品間の余分なクリアランスの確保も不要となる。   As described above, a manufacturing process in which an electronic component or the like is mounted on an integrated circuit device and a package is formed includes a local heating process, an entire heating process, or a non-heating (room temperature) process, and particularly, local heating or the entire process. In the heating process, a difference in expansion and contraction occurs due to a difference in thermal expansion coefficient between the lead frame 10 and the heat sink 1. However, even if such a difference in expansion and contraction occurs, it is absorbed and alleviated by the contact portion 14a of the support lead 14 and the heat sink 1, so that the distortion of the lead frame is suppressed. In addition, since distortion of the lead frame is suppressed in this way, it is not necessary to align the mounting parts required for each process, and it is not necessary to secure an alignment shape and an extra clearance between the parts. .

以上説明したように、この実施の形態にかかる集積回路装置によれば、以下に列記するような効果が得られるようになる。
（１）上記ヒートシンク１は矩形の板材からなり、その四隅のうちの対角となる２点において上記リードフレームの上記接続片１３と接続され、他の対角となる２点において上記リードフレームの上記サポートリード１４と当接される構造とした。このように、ヒートシンク１とリードフレームとが２点で接続されることから、これらの接合状態が維持され、ずれ等を生じることなくその位置精度を安定に維持することができるようになる。また、他の２点で上記サポートリード１４により当接されることから、これらヒートシンクとリードフレームとの平行度も安定に確保されるようになる。 As described above, according to the integrated circuit device of this embodiment, the effects listed below can be obtained.
(1) The heat sink 1 is made of a rectangular plate, and is connected to the connecting piece 13 of the lead frame at two diagonal points of the four corners, and at two other diagonal points of the lead frame. The support lead 14 is in contact with the support lead 14. Thus, since the heat sink 1 and the lead frame are connected at two points, the joined state is maintained, and the positional accuracy can be stably maintained without causing a shift or the like. Further, since the support lead 14 is brought into contact with the other two points, the parallelism between the heat sink and the lead frame can be stably secured.

（２）上記リードフレームとにサポートリード１４を設けることにより、これらヒートシンク１とリードフレームとを接続する接続部１６の形成箇所を削減することができるようになる。このため、上記ヒートシンク１上の電子部品搭載エリアＥをより大きく確保することができるようになり、ひいてはさらなる高密度実装の実現を図ることもできるようになる。また、この場合、搭載部品数が一定であれば、上記リードフレームあるいは集積回路装置としての小型化を図ることもできるようになる。   (2) By providing the support leads 14 on the lead frame, it is possible to reduce the locations where the connection portions 16 that connect the heat sink 1 and the lead frame are formed. For this reason, it becomes possible to secure a larger electronic component mounting area E on the heat sink 1 and to realize further high-density mounting. In this case, if the number of mounted components is constant, the lead frame or the integrated circuit device can be miniaturized.

（３）集積回路装置上に電子部品等が搭載される各工程において加熱工程等を経る場合には、上記リードフレームとヒートシンク１との熱膨張係数差に起因して伸縮差が生じる場合がある。この点、上記サポートリード１４は上記ヒートシンク１と当接されることにより同ヒートシンク１を支持しているため、これらの接触部１４ａにてこうした伸縮差が吸収、緩和されるようになり、上記リードフレームの歪みなども好適に吸収、緩和されるようになる。これにより、これらリードフレームおよびヒートシンク１として採用することのできる各材料の厚さ、熱伝導性、熱容量あるいは熱膨張係数などの自由度が高められ、ひいては当該集積回路装置としての設計自由度も大きく高められるようになる。また、このようにリードフレームの歪みが抑制されることにより、各工程毎に必要とされた搭載部品間の位置合わせ等が不要となり、位置合わせ形状や各部品間の余分なクリアランスの確保が不要となるため、リードフレーム自体の小型化を図ることができるようになる。また、これら位置合わせ工程をはじめとする各工程をより容易に実現することができるようにもなる。   (3) When a heating process or the like is performed in each process of mounting an electronic component or the like on an integrated circuit device, a difference in expansion and contraction may occur due to a difference in thermal expansion coefficient between the lead frame and the heat sink 1. . In this respect, since the support lead 14 is in contact with the heat sink 1 to support the heat sink 1, the contact portion 14 a absorbs and relaxes such a difference in expansion and contraction. Frame distortion and the like are also suitably absorbed and relaxed. As a result, the degree of freedom such as the thickness, thermal conductivity, thermal capacity, or thermal expansion coefficient of each material that can be adopted as the lead frame and the heat sink 1 is increased, and as a result, the degree of freedom in designing the integrated circuit device is increased. Can be enhanced. In addition, by suppressing the distortion of the lead frame in this way, it is not necessary to align the mounting parts required for each process, and it is not necessary to secure the alignment shape and extra clearance between the parts. Therefore, the lead frame itself can be reduced in size. In addition, each process including these alignment processes can be realized more easily.

（４）上記リードフレームの上記接続片１３には貫通孔１７が設けられるとともに、上記ヒートシンク１の上記リードフレームとの接続部１６には上記貫通孔１７に挿入される凸部１８が設けられることとし、これらの接続がかしめ加工によって行われることとした。これにより、これらヒートシンク１とリードフレームとの接続が容易、且つ強固に行われるようになる。   (4) The connecting piece 13 of the lead frame is provided with a through hole 17, and the connecting portion 16 of the heat sink 1 with the lead frame is provided with a convex portion 18 inserted into the through hole 17. These connections are made by caulking. As a result, the heat sink 1 and the lead frame can be easily and firmly connected.

（５）上記ヒートシンク１が鉄系材料からなることとした。これにより、熱膨張係数の小さいモールド樹脂５と上記ヒートシンク１との部材間における熱膨張係数差に起因する界面剥離やクラック等の発生を抑制することができるようになる。また、温度サイクル試験等においても、温度差に対する信頼性を高く確保することができるようにもなる。また、上記ヒートシンク１に熱膨張係数の小さい素子や基板等を搭載する場合にはこれらの動作時の発熱に起因するそれら素子や基板等とヒートシンク１との界面剥離等も好適に抑制されるようになる。   (5) The heat sink 1 is made of an iron-based material. Thereby, generation | occurrence | production of the interface peeling, a crack, etc. resulting from the thermal expansion coefficient difference between the members of the mold resin 5 with a small thermal expansion coefficient and the said heat sink 1 can be suppressed now. Further, in the temperature cycle test and the like, it is possible to ensure high reliability with respect to the temperature difference. In addition, when an element or a substrate having a small thermal expansion coefficient is mounted on the heat sink 1, the interface peeling between the element or the substrate and the heat sink 1 due to the heat generated during the operation is suitably suppressed. become.

（第２の実施の形態）
次に、この発明にかかる集積回路装置の第２の実施の形態について、図６〜図８を参照して説明する。図６は、この実施の形態にかかる集積回路装置の内部平面構造を模式的に示したものであり、図７は同図６の内部底面構造を模式的に示したものであり、さらに図８はこれら図６および図７のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示したものである。この実施の形態も、集積回路装置としての基本的な部分の構成は先の第１の実施の形態と同様であり、上記リードフレームとヒートシンク１との接続態様および上記サポートリードの配設態様のみが先の第１の実施の形態と異なっている。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the integrated circuit device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6 schematically shows the internal planar structure of the integrated circuit device according to this embodiment. FIG. 7 schematically shows the internal bottom surface structure of FIG. Shows a cross-sectional structure along the line BB in FIGS. 6 and 7. In this embodiment as well, the basic configuration of the integrated circuit device is the same as in the first embodiment, and only the connection mode between the lead frame and the heat sink 1 and the support lead arrangement mode. Is different from the first embodiment.

すなわち図６〜図８に示されるように、この集積回路装置も大きくは鉄系材料からなる矩形状のヒートシンク２を備えるとともに、その上面２ａに電子部品搭載エリアＥが設けられており、これらが搭載された電子部品と共々、モールド樹脂５により一体に封止されたパッケージとして構成されている。そして、このパッケージの側面の４方向からは、リードフレームから切り離されたそれぞれ複数本のリード２２が引き出される構造となっており、これらリード２２の各々と上記搭載された電子部品とが、ワイヤ７５を用いたワイヤボンディングによって電気的に接続されている。   That is, as shown in FIGS. 6 to 8, this integrated circuit device also includes a rectangular heat sink 2 made of an iron-based material, and an electronic component mounting area E is provided on the upper surface 2a thereof. Together with the mounted electronic components, it is configured as a package that is integrally sealed with a mold resin 5. A plurality of leads 22 separated from the lead frame are pulled out from the four directions on the side surface of the package. Each of the leads 22 and the mounted electronic component is connected to the wire 75. It is electrically connected by wire bonding using

ここで、この実施の形態にかかる集積回路装置では、上記ヒートシンク２の底面に、同ヒートシンク２の四隅のうちの一方の対角線状に直線状の溝２ｃが設けられている。一方、上記リードフレームには上記ヒートシンク２の溝２ｃに係合するかたちで同ヒートシンク２をその裏面（下面）２ｂから支持する接続片２３が延設されている。上記ヒートシンク１と上記リードフレームは、上記接続片２３の中央部に設けられた１箇所の接続部２６を介したかしめ加工によって接続されている。すなわち、上記接続片２３の中央部には貫通孔２７が設けられている。また、上記ヒートシンク２の中央部の上記貫通孔２７に対応する位置には同貫通孔２７に挿入される凸部２８が設けられている。そしてこれら貫通孔２７および凸部２８に先の第１の実施の形態と同様にかしめ加工が施されることで、上記ヒートシンク２とリードフレームとが接続されている。   Here, in the integrated circuit device according to this embodiment, a linear groove 2 c is provided on one bottom diagonal line of the four corners of the heat sink 2 on the bottom surface of the heat sink 2. On the other hand, a connecting piece 23 is provided on the lead frame so as to support the heat sink 2 from its back surface (lower surface) 2b so as to engage with the groove 2c of the heat sink 2. The heat sink 1 and the lead frame are connected by caulking through one connection portion 26 provided at the center of the connection piece 23. That is, a through hole 27 is provided in the central portion of the connection piece 23. Further, a convex portion 28 to be inserted into the through hole 27 is provided at a position corresponding to the through hole 27 in the central portion of the heat sink 2. The heat sink 2 and the lead frame are connected by caulking the through holes 27 and the projections 28 in the same manner as in the first embodiment.

一方、上記ヒートシンク２の上記２点とは異なる２点には、上記リードフレームのサポートリード２４が上記ヒートシンク２の裏面２ｂの内方まで延設されている。上記ヒートシンク２にはこれらサポートリード２４に対応するかたちで凹部２ｄが設けられており、この凹部２ｄに上記サポートリード２４の先端が係合されている。そしてこれらサポートリード２４は、上記ヒートシンク２の裏面２ｂに当接しており、これらリードフレームとヒートシンク１との平行度を確保するかたちで同ヒートシンク２を支持している。   On the other hand, support leads 24 of the lead frame are extended to the inside of the back surface 2 b of the heat sink 2 at two points different from the two points of the heat sink 2. The heat sink 2 is provided with a recess 2d corresponding to the support leads 24, and the tip of the support lead 24 is engaged with the recess 2d. These support leads 24 are in contact with the back surface 2 b of the heat sink 2 and support the heat sink 2 in a manner that ensures the parallelism between the lead frame and the heat sink 1.

このように、この実施の形態にかかる集積回路装置では、上記ヒートシンク２がその裏面２ｂにて上記リードフレームの接続片２３に支持されることから、先の第１の実施の形態よりもヒートシンク２上に設けられる電子部品搭載エリアＥがより大きく確保されるようになる。また、上記サポートリード２４により、これらリードフレームとヒートシンク２との平行度も確保されるため、その位置精度も安定に維持されている。   As described above, in the integrated circuit device according to this embodiment, the heat sink 2 is supported by the connection piece 23 of the lead frame on the back surface 2b, so that the heat sink 2 is more than that of the first embodiment. The electronic component mounting area E provided above is secured larger. In addition, since the parallelism between the lead frame and the heat sink 2 is secured by the support lead 24, the positional accuracy is also maintained stably.

以上説明したように、この第２の実施の形態にかかる集積回路装置によっても、先の第１の実施の形態による前記（２）〜（５）の効果と同等、もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようになる。   As described above, the integrated circuit device according to the second embodiment also obtains an effect equivalent to or equivalent to the effects (2) to (5) of the previous first embodiment. In addition, the following effects can be obtained.

（６）上記ヒートシンク２は同ヒートシンクの裏面２ｂにおいて上記リードフレームに支持されるものであり、上記リードフレームの上記接続片２３は、該ヒートシンクを支持する面の一方の対角線上に延設されてその中央部で上記ヒートシンク２に接続され、上記リードフレームの上記サポートリード２４は、同ヒートシンク２に当接されることとした。このように、これらヒートシンク２がその裏面２ｂにおいてリードフレームとその中央部で接続されることで、その接合状態を維持することができるようになる。しかも、上記サポートリード２４に当接されることで、これらヒートシンク２とリードフレームとの平行度も安定に確保されるようになる。また、上記ヒートシンク２がその裏面２ｂにおいて上記リードフレームに支持されることにより、上記電子部品搭載エリアＥも最大限に確保されるようになる。   (6) The heat sink 2 is supported by the lead frame on the back surface 2b of the heat sink, and the connection piece 23 of the lead frame extends on one diagonal line of the surface supporting the heat sink. The support lead 24 of the lead frame is abutted against the heat sink 2 and connected to the heat sink 2 at the center. As described above, the heat sink 2 is connected to the lead frame at the center portion thereof on the back surface 2b, so that the joined state can be maintained. In addition, by being in contact with the support lead 24, the parallelism between the heat sink 2 and the lead frame can be secured stably. Further, since the heat sink 2 is supported by the lead frame on the back surface 2b, the electronic component mounting area E is also secured to the maximum extent.

（７）上記ヒートシンク２の上記リードフレームに支持される面には、上記接続片２３と係合されるべく上記一方の対角線上に形成された直線状の溝２ｃが設けられることとした。これにより、これらヒートシンク２とリードフレームとがたとえ１点で接続される場合であれ、それらの間でずれ等が生じることも抑制され、その位置精度をより安定に維持することができるようになる。   (7) The surface of the heat sink 2 supported by the lead frame is provided with a linear groove 2c formed on the one diagonal line so as to be engaged with the connection piece 23. As a result, even if the heat sink 2 and the lead frame are connected at a single point, it is possible to suppress a deviation or the like between them, and to maintain the positional accuracy more stably. .

（８）上記ヒートシンク２の上記サポートリード２４が当接される箇所には選択的に凹部２ｄを設け、該サポートリード２４は、この凹部２ｄに係合された状態で同ヒートシンクに当接されることとした。これにより、平行度はもとより、上記位置精度についても、接続部の数に頼ることなく、高い精度が得られるようになる。   (8) A recess 2d is selectively provided at a location where the support lead 24 of the heat sink 2 is in contact with the support lead 24, and the support lead 24 is in contact with the heat sink while being engaged with the recess 2d. It was decided. Thereby, not only the parallelism but also the positional accuracy can be obtained with high accuracy without depending on the number of connecting portions.

（第３の実施の形態）
次に、この発明にかかる集積回路装置の第３の実施の形態について、図９を参照して説明する。図９は、この実施の形態にかかる集積回路装置の内部平面構造を模式的に示したものである。この実施の形態も、集積回路装置としての基本的な部分の構成は先の第１および第２の実施の形態と同様であり、上記リードフレームとヒートシンク１との接続態様および上記サポートリードの配設態様が先の第１および第２の実施の形態と異なっている。また、この実施の形態では、先の各実施の形態よりも、ヒートシンクおよび形成されるモールドパッケージの形状の小さい集積回路装置を例示している。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the integrated circuit device according to this invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 schematically shows the internal planar structure of the integrated circuit device according to this embodiment. In this embodiment as well, the basic configuration of the integrated circuit device is the same as in the first and second embodiments, and the connection mode between the lead frame and the heat sink 1 and the arrangement of the support leads are the same. The configuration is different from the first and second embodiments. Further, in this embodiment, an integrated circuit device having a heat sink and a molded package with a smaller shape than the previous embodiments is illustrated.

すなわち図９に示されるように、この集積回路装置は鉄系材料からなる矩形状のヒートシンク３を備えるとともに、その上面に電子部品搭載エリアＥが設けられており、これらが搭載された電子部品と共々、モールド樹脂５により一体に封止されたパッケージ構造として構成されている。そして、このパッケージの側面の４方向からな、リードフレームから切り離されたそれぞれ複数本のリード３２が引き出される構造となっており、これらリード３２の各々と上記搭載された電子部品とが、ワイヤ７５を用いたワイヤボンディングによって電気的に接続されている。   That is, as shown in FIG. 9, this integrated circuit device includes a rectangular heat sink 3 made of an iron-based material, and an electronic component mounting area E is provided on the upper surface thereof. Both are configured as a package structure integrally sealed with the mold resin 5. Then, a plurality of leads 32 separated from the lead frame are drawn from four directions on the side surface of the package, and each of the leads 32 and the mounted electronic component are connected to the wire 75. It is electrically connected by wire bonding using

ここで、この実施の形態にかかる集積回路装置では、上記ヒートシンク３の中心にオーバーラップするかたちで上記リードフレームから突出する１つの接続片３３が形成されており、この接続片３３には貫通孔３７が設けられている。また、上記ヒートシンクの中央部には上記貫通孔３７に挿入される凸部３８が設けられている。そして、これら貫通孔３７および凸部３８からなる接続部３６に、先の第１および第２の実施の形態と同様にかしめ加工が施されることで、上記ヒートシンク３とリードフレームとが接続されている。   Here, in the integrated circuit device according to this embodiment, one connection piece 33 protruding from the lead frame is formed so as to overlap the center of the heat sink 3, and the connection piece 33 has a through hole. 37 is provided. Further, a convex portion 38 to be inserted into the through hole 37 is provided at the central portion of the heat sink. Then, the heat sink 3 and the lead frame are connected to each other by caulking the connection portion 36 including the through hole 37 and the convex portion 38 in the same manner as in the first and second embodiments. ing.

一方、上記ヒートシンク３の四隅の４点には、上記リードフレームのサポートリード３４が上記ヒートシンク３の上面の内方まで延設されており、各サポートリード３４の先端がこれらヒートシンク３に当接している。そして、これらサポートリード３４は、リードフレームとヒートシンク３との平行度を確保するかたちで同ヒートシンク３を支持している。   On the other hand, support leads 34 of the lead frame are extended to the inside of the upper surface of the heat sink 3 at four points at the four corners of the heat sink 3, and the tips of the support leads 34 abut against the heat sink 3. Yes. These support leads 34 support the heat sink 3 so as to ensure parallelism between the lead frame and the heat sink 3.

このように、この実施の形態にかかる集積回路装置では、上記接続部３６により、これらヒートシンク３とリードフレームとの接合状態が維持されるとともに、上記ヒートシンク３が四隅で上記サポートリード３４により支持されることにより、上記接続部３６の形成箇所を１箇所に低減することができる。これにより、ヒートシンク上に設けられる電子部品搭載エリアＥをより大きく確保することができるようになる。また、上記サポートリード３４により、これらリードフレームとヒートシンク３との平行度も確保されるため、その位置精度も安定に維持されている。   Thus, in the integrated circuit device according to this embodiment, the connection portion 36 maintains the joined state between the heat sink 3 and the lead frame, and the heat sink 3 is supported by the support leads 34 at the four corners. As a result, the number of the connecting portions 36 can be reduced to one. As a result, a larger electronic component mounting area E provided on the heat sink can be secured. Further, since the parallelism between the lead frame and the heat sink 3 is ensured by the support lead 34, the positional accuracy is also maintained stably.

以上説明したように、この第３の実施の形態にかかる集積回路装置によっても、先の第１の実施の形態による（２）〜（５）の効果と同等、もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようになる。   As described above, the integrated circuit device according to the third embodiment can obtain the same or similar effects as the effects (2) to (5) of the first embodiment. In addition, the following effects can be obtained.

（９）上記ヒートシンク３がその四隅の４点において上記リードフレームの上記サポートリード３４と当接され、その中心となる１点において上記リードフレームの接続片３３と接続されることとした。このように、上記ヒートシンク３とリードフレームとの接続箇所が１箇所であっても、これらの接合状態が安定に維持されるとともに、上記サポートリード３４により平行度をはじめとする位置精度が安定に確保されるようになる。   (9) The heat sink 3 is in contact with the support lead 34 of the lead frame at four points at the four corners, and is connected to the connection piece 33 of the lead frame at one central point. As described above, even when the heat sink 3 and the lead frame are connected at one place, the joining state is stably maintained, and the support lead 34 stabilizes the positional accuracy including parallelism. Will be secured.

（その他の実施の形態）
なお、この発明にかかる集積回路装置は、上記実施の形態として示した構造に限らず、これらを適宜変更した、以下に例示する態様にて実施することもできる。 (Other embodiments)
Note that the integrated circuit device according to the present invention is not limited to the structure shown as the above embodiment, and can be implemented in a mode exemplified below in which these are appropriately changed.

・上記各実施の形態では、上記ヒートシンク１、２、３として鉄系材料を用いることとした。しかしながら、こうしたモールドパッケージの使用環境によって、例えば上記ヒートシンク１、２、３とモールド樹脂５との界面剥離が懸念されなければ、これに代えて、一般にヒートシンクの材料として用いられる銅やアルミニウム等の放熱性に優れた材料を採用することもできる。   In the above embodiments, iron-based materials are used as the heat sinks 1, 2, and 3. However, if there is no concern about the interface peeling between the heat sinks 1, 2, 3 and the mold resin 5 depending on the use environment of such a mold package, for example, instead of this, heat dissipation such as copper or aluminum generally used as a heat sink material It is also possible to adopt a material having excellent properties.

・上記各実施の形態では、上記リードフレーム１０に対する上記ヒートシンク１、２、３の接続を、上記リードフレーム１０の上記接続片１３、２３、３３に設けられた貫通孔１７、２７、３７に、上記ヒートシンク１、２、３に設けられた凸部１８、２８、３８が挿入された状態でかしめ加工が施されることにより行うこととした。これに代えて、嵌合や接着による結合等、による接続方法を用いるようにしてもよい。要は、これらリードフレーム１０とヒートシンク１、２、３との接合状態が、少なくとも樹脂によりモールドされるまで安定に確保されるようにすればよい。   In each of the embodiments, the connection of the heat sinks 1, 2, 3 to the lead frame 10 is made to the through holes 17, 27, 37 provided in the connection pieces 13, 23, 33 of the lead frame 10. It was decided to perform the caulking process in a state where the convex portions 18, 28, 38 provided on the heat sinks 1, 2, 3 were inserted. Instead of this, a connection method such as fitting or bonding by bonding may be used. In short, the bonding state between the lead frame 10 and the heat sinks 1, 2, and 3 may be ensured stably until at least the resin is molded with resin.

・上記第１の実施の形態では、上記ヒートシンク１上に搭載される電子部品等の実装工程および樹脂モールドされる工程が、局部加熱工程、全体加熱工程あるいは常温工程を経ることとしたが、これら電子部品等の実装態様や実装条件はこれに限られない。   -In the said 1st Embodiment, although the mounting process of the electronic components etc. which are mounted on the said heat sink 1, and the process of resin molding decided to go through a local heating process, a whole heating process, or a normal temperature process, The mounting mode and mounting conditions for electronic components and the like are not limited to this.

・上記第２の実施の形態では、上記ヒートシンク２がその裏面に対角線状に延設される上記リードフレームの接続片２３に支持されており、この接続片２３は上記ヒートシンク２の裏面２ｂに設けられた直線状の溝２ｃに係合されることとした。しかしながら、上記リードフレームが上記接続片２３と安定に接続される構造であれば、上記溝２ｃの形成を割愛することもできる。また、上記溝２ｃを形成する場合には、その形状は直線状に限られず、上記接続片２３と係合される形状であればよい。また、上記接続片２３の延設態様も上記第２の実施の形態に例示した態様に限られず、上記ヒートシンク２を裏面２ｂから支持することができる態様で延設されていればよい。   In the second embodiment, the heat sink 2 is supported by the connecting piece 23 of the lead frame extending diagonally on the back surface thereof, and the connecting piece 23 is provided on the back surface 2 b of the heat sink 2. It was decided to be engaged with the linear groove 2c. However, if the lead frame is structured to be stably connected to the connection piece 23, the formation of the groove 2c can be omitted. Moreover, when forming the said groove | channel 2c, the shape is not restricted to a linear form, What is necessary is just a shape engaged with the said connection piece 23. FIG. Moreover, the extending mode of the connection piece 23 is not limited to the mode illustrated in the second embodiment, and it is sufficient that the connecting piece 23 is extended in a mode in which the heat sink 2 can be supported from the back surface 2b.

・上記第１および第３の実施の形態では、上記サポートリード１４、３４が上記ヒートシンク１、３の上面に当接される構造とし、上記第２の実施の形態では上記サポートリード２４が上記ヒートシンク２に設けられた凹部２ｄに係合されるかたちで同ヒートシンク２の下面に当接される構造とした。しかしながら、これらヒートシンク１、２、３とサポートリード１４、２４、３４との当接態様あるいは配設態様は任意である。すなわち、これらサポートリード１４、２４、３４は、上記ヒートシンク１、２、３の上面、下面のいずれに当接されてもよいし、係合構造の有無も任意である。また、上記第１および第３の実施の形態においても、これらサポートリードとヒートシンクとの係合構造が形成される構造としてもよい。   In the first and third embodiments, the support leads 14 and 34 are in contact with the upper surfaces of the heat sinks 1 and 3, and in the second embodiment, the support lead 24 is the heat sink. 2 is configured to be brought into contact with the lower surface of the heat sink 2 so as to be engaged with the recess 2d provided in the heat sink 2. However, the contact mode or arrangement mode of the heat sinks 1, 2, 3 and the support leads 14, 24, 34 is arbitrary. That is, these support leads 14, 24, and 34 may be in contact with any of the upper and lower surfaces of the heat sinks 1, 2, and 3, and the presence or absence of the engagement structure is also arbitrary. Also in the first and third embodiments, a structure in which the support lead and the heat sink are engaged with each other may be formed.

・上記各実施の形態では、上記リードフレーム１０に上記ヒートシンク１、２、３と接続される接続片１３、２３、３３を備えることとしたが、これら接続片１３、２３、３３の配設態様および上記サポートリード１４、２４、３４の配設態様は任意に変更することができる。要は、上記リードフレーム１０の接続片１３、２３、３３と上記ヒートシンク１、２、３との接続によりこれらの接合状態が維持されるとともに、少なくともサポートリード１４、２４、３４を併用してこれらヒートシンク１、２、３とリードフレーム１０との平行度をはじめとする位置精度が十分に確保される構造であればよい。   In each of the above embodiments, the lead frame 10 includes the connection pieces 13, 23, and 33 connected to the heat sinks 1, 2, and 3. And the arrangement | positioning aspect of the said support leads 14, 24, 34 can be changed arbitrarily. In short, the connection state between the connection pieces 13, 23, 33 of the lead frame 10 and the heat sinks 1, 2, 3 is maintained, and at least the support leads 14, 24, 34 are used together. Any structure may be used as long as the positional accuracy including the parallelism between the heat sinks 1, 2, 3 and the lead frame 10 is sufficiently secured.

・上記各実施の形態では、ＱＦＰ型の集積回路装置について例示したが、この発明はその他任意の表面実装型の高放熱パッケージ構造をもつ集積回路装置、あるいはピン挿入型の高放熱パッケージ構造をもつ集積回路装置に適用することができる。   In each of the above embodiments, the QFP type integrated circuit device has been exemplified. However, the present invention has an integrated circuit device having any other surface mount type high heat dissipation package structure or a pin insertion type high heat dissipation package structure. It can be applied to an integrated circuit device.

この発明にかかる集積回路装置の第１の実施の形態についてその内部平面構造を模式的に示す平面図。1 is a plan view schematically showing an internal plan structure of a first embodiment of an integrated circuit device according to the present invention. 図１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を、模式的にその側面構造と併せて示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a cross-sectional structure along the line AA in FIG. 1 together with its side structure. 同第１の実施の形態の集積回路装置の製造過程における平面構造を示す平面図。The top view which shows the planar structure in the manufacture process of the integrated circuit device of the said 1st Embodiment. 図３のＡ’−Ａ’線に沿った断面構造を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure along the line A′-A ′ in FIG. 3. （ａ）〜（ｆ）は同第１の実施の形態の集積回路装置の製造方法についてその製造手順を模式的に示す断面図。(A)-(f) is sectional drawing which shows the manufacturing procedure typically about the manufacturing method of the integrated circuit device of the 1st Embodiment. この発明にかかる集積回路装置の第２の実施の形態についてその内部平面構造を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the internal planar structure about 2nd Embodiment of the integrated circuit device concerning this invention. 同第２の実施の形態の集積回路装置についてその内部平面構造を模式的に示す底面図。The bottom view which shows typically the internal planar structure about the integrated circuit device of the 2nd Embodiment. 図６および図７のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the cross-sectional structure along the BB line of FIG. 6 and FIG. この発明にかかる集積回路装置の第３の実施の形態についてその内部平面構造を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the internal planar structure about 3rd Embodiment of the integrated circuit device concerning this invention. 従来の集積回路装置の内部平面構造を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the internal planar structure of the conventional integrated circuit device. 従来の集積回路装置の内部平面構造を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the internal planar structure of the conventional integrated circuit device. 図１１のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を、模式的にその側面構造と併せて示す断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a cross-sectional structure along the line C-C in FIG. 11 together with its side structure.

符号の説明Explanation of symbols

１、２、３、４Ａ、４Ｂ…ヒートシンク、１ａ、２ａ…上面、１ｂ、２ｂ…下面（裏面）、２ｃ…溝、２ｄ…凹部、５…モールド樹脂、５’…樹脂液、５ａ…モールド樹脂形成領域、１０…リードフレーム、１０ａ…インナーリード、１０ｂ…アウターリード、１１…タイバー部、１２、２２、３２、５２、６２…リード、１３、２３、３３、５３、６３…接続片、１４、２４、３４…サポートリード、１４ａ、２４ａ、３４ａ…接触部、１６、２６、３６、５６、６６…接続部、１７、２７、３７、５７、６７…貫通孔、１８、２８、３８、５８、６８…凸部、７１ａ、７１ｂ…プリント基板、７２ａ、７２ｂ…素子、７３ａ、７４ａ…半田、７３ｂ、７４ｂ…接着剤、７５、７５ａ、７５ｂ…ワイヤ、９０…ヒータ、９１…恒温槽、９２…ヒータ、９３…金型。   1, 2, 3, 4A, 4B ... heat sink, 1a, 2a ... upper surface, 1b, 2b ... lower surface (back surface), 2c ... groove, 2d ... recess, 5 ... mold resin, 5 '... resin solution, 5a ... mold resin Forming area, 10 ... lead frame, 10a ... inner lead, 10b ... outer lead, 11 ... tie bar part, 12, 22, 32, 52, 62 ... lead, 13, 23, 33, 53, 63 ... connecting piece, 14, 24, 34 ... support lead, 14a, 24a, 34a ... contact part, 16, 26, 36, 56, 66 ... connection part, 17, 27, 37, 57, 67 ... through hole, 18, 28, 38, 58, 68 ... convex part, 71a, 71b ... printed circuit board, 72a, 72b ... element, 73a, 74a ... solder, 73b, 74b ... adhesive, 75, 75a, 75b ... wire, 90 ... heater, 91 ... constant temperature bath, 92 Heater, 93 ... mold.

Claims (8)

リードフレームに接続されたヒートシンクの一面に集積回路を構成する電子部品が搭載され、前記リードフレームのインナーリードを形成する一部が、前記集積回路を構成する電子部品と電気的に接続された状態で、電子部品および前記ヒートシンクとともに一体に樹脂モールドされる集積回路装置において、
前記リードフレームは、前記ヒートシンクと接続される少なくとも１つの接続片を備えるとともに、ダミーのインナーリードとして前記ヒートシンクの内方まで延設されて前記ヒートシンクに当接される複数のサポートリードを備え、前記ヒートシンクは、前記接続片との接続および前記サポートリードとの当接の協働によって前記リードフレームに支持されてなる
ことを特徴とする集積回路装置。 An electronic component constituting an integrated circuit is mounted on one surface of a heat sink connected to the lead frame, and a part forming the inner lead of the lead frame is electrically connected to the electronic component constituting the integrated circuit In an integrated circuit device integrally molded with an electronic component and the heat sink,
The lead frame includes at least one connection piece connected to the heat sink, and includes a plurality of support leads that extend to the inside of the heat sink as dummy inner leads and abut against the heat sink, An integrated circuit device, wherein the heat sink is supported by the lead frame by cooperation of connection with the connection piece and contact with the support lead. 前記ヒートシンクは矩形の板材からなって、その四隅のうちの対角となる２点において前記リードフレームの前記接続片と接続され、他の対角となる２点において前記リードフレームの前記サポートリードと当接されてなる
請求項１に記載の集積回路装置。 The heat sink is made of a rectangular plate, and is connected to the connection piece of the lead frame at two diagonal points of the four corners, and the support lead of the lead frame at two other diagonal points. The integrated circuit device according to claim 1, wherein the integrated circuit device is in contact with the integrated circuit device. 前記ヒートシンクは矩形の板材からなるとともに、前記電子部品が搭載される面の裏面において前記リードフレームに支持されるものであり、前記リードフレームの前記接続片は、該ヒートシンクを支持する面の一方の対角線上に延設されてその中央部で前記ヒートシンクに接続され、前記リードフレームの前記サポートリードは、同ヒートシンクを支持する面の他の対角となる２点において前記ヒートシンクに当接されてなる
請求項１に記載の集積回路装置。 The heat sink is made of a rectangular plate, and is supported by the lead frame on the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. The connection piece of the lead frame is one of the surfaces that support the heat sink. The support lead of the lead frame is abutted against the heat sink at two other diagonal points on the surface that supports the heat sink. The integrated circuit device according to claim 1. 前記ヒートシンクの前記リードフレームに支持される面には、前記接続片と係合されるべく前記一方の対角線上に形成された溝が設けられてなる
請求項３に記載の集積回路装置。 The integrated circuit device according to claim 3, wherein a groove formed on the one diagonal line is provided on a surface of the heat sink supported by the lead frame so as to be engaged with the connection piece. 前記ヒートシンクは矩形の板材からなって、その四隅の４点において前記リードフレームの前記サポートリードと当接され、その中心となる１点において前記リードフレームの前記接続片と接続されてなる
請求項１に記載の集積回路装置。 2. The heat sink is made of a rectangular plate, and is in contact with the support lead of the lead frame at four points at its four corners, and connected to the connection piece of the lead frame at one central point. An integrated circuit device according to 1. 前記ヒートシンクの前記サポートリードが当接される箇所には選択的に凹部が設けられてなり、該サポートリードは、この凹部に係合された状態で同ヒートシンクに当接されてなる
請求項１〜５のいずれか一項に記載の集積回路装置。 A portion of the heat sink where the support lead comes into contact is selectively provided with a recess, and the support lead is in contact with the heat sink while being engaged with the recess. The integrated circuit device according to claim 5. 前記リードフレームの前記接続片には貫通孔が設けられるとともに、前記ヒートシンクの前記リードフレームとの接続部には前記貫通孔に挿入される凸部が設けられてなり、前記リードフレームに対する前記ヒートシンクの接続が、前記貫通孔に挿入された凸部の塑性変形加工によって行われてなる
請求項１〜６のいずれか一項に記載の集積回路装置。 The connecting piece of the lead frame is provided with a through hole, and the connecting portion of the heat sink with the lead frame is provided with a convex portion that is inserted into the through hole. The integrated circuit device according to any one of claims 1 to 6, wherein the connection is made by plastic deformation of a convex portion inserted into the through hole. 前記ヒートシンクが、鉄系材料からなる
請求項１〜７のいずれか一項に記載の集積回路装置。 The integrated circuit device according to claim 1, wherein the heat sink is made of an iron-based material.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012248774A (en) * 2011-05-31 2012-12-13 Denso Corp Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2016105523A (en) * 2016-03-10 2016-06-09 三菱電機株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20200087200A (en) * 2017-12-27 2020-07-20 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Semiconductor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62224049A (en) * 1986-03-26 1987-10-02 Hitachi Ltd Electronic device
JPH10242362A (en) * 1997-02-25 1998-09-11 Hitachi Ltd Lead frame, semiconductor device and manufacture of semiconductor device
JP2000223641A (en) * 1999-02-02 2000-08-11 Sanken Electric Co Ltd Lead frame for semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62224049A (en) * 1986-03-26 1987-10-02 Hitachi Ltd Electronic device
JPH10242362A (en) * 1997-02-25 1998-09-11 Hitachi Ltd Lead frame, semiconductor device and manufacture of semiconductor device
JP2000223641A (en) * 1999-02-02 2000-08-11 Sanken Electric Co Ltd Lead frame for semiconductor device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012248774A (en) * 2011-05-31 2012-12-13 Denso Corp Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2016105523A (en) * 2016-03-10 2016-06-09 三菱電機株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20200087200A (en) * 2017-12-27 2020-07-20 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Semiconductor device
CN111615747A (en) * 2017-12-27 2020-09-01 三菱电机株式会社 Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips
KR102351764B1 (en) * 2017-12-27 2022-01-14 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 semiconductor device
US11335619B2 (en) 2017-12-27 2022-05-17 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
CN111615747B (en) * 2017-12-27 2023-10-03 三菱电机株式会社 Semiconductor device with a semiconductor device having a plurality of semiconductor chips

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