JP2006073621A - 測距用固体撮像装置とこれを用いたオートフォーカスカメラ - Google Patents
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Abstract
【課題】感度均一性が向上した測距用固体撮像装置を実現することである。又、PRNUの歩留まり向上によるチップの低コスト化を図ること。
【解決手段】第1導電型である半導体基板と、前記半導体基板中に設けられた第1導電型とは反対の導電型である第1の不純物拡散層により形成されたPNフォトダイオードと、前記PNフォトダイオードが複数配列された有効画素列と、有効画素とピッチを異ならせたダミー画素を有する測距用固体撮像装置において、前記ダミー画素は前記有効画素列に隣接配置され、有効画素とダミー画素の第1不純物拡散層の配列ピッチが同じになるように配置されていることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】第1導電型である半導体基板と、前記半導体基板中に設けられた第1導電型とは反対の導電型である第1の不純物拡散層により形成されたPNフォトダイオードと、前記PNフォトダイオードが複数配列された有効画素列と、有効画素とピッチを異ならせたダミー画素を有する測距用固体撮像装置において、前記ダミー画素は前記有効画素列に隣接配置され、有効画素とダミー画素の第1不純物拡散層の配列ピッチが同じになるように配置されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、測距用固体撮像装置の高精度化に関し、特にTTL−SIR (Through The Lens Secondary Imaged Registration: 2次結像位相差検出)型の測距用固体撮像装置とこれを用いたオートフォーカスカメラに関する。
近年、TTL−SIR型オートフォーカスセンサの多点測距化が行われており、様々なレイアウトをした固体撮像装置が開発されてきている。図9に従来の測距用固体撮像装置の概略的レイアウトを示す。
図9において、1はSi半導体基板、2はフォトダイオードアレイ、3はAFセンサ読み出し回路、4はAFセンサブロックからの信号を増幅するための信号増幅回路、5はアナログ回路を動作させるための電源回路、6はAFセンサの蓄積時間と信号出力回路のゲインを決めるためのAGC回路、7はセンサを駆動するためのロジック回路、8は各種のアナログ信号を選択して読み出すためのマルチプレクサ回路である。この測距用固体撮像装置において、9点測距を実現させるために、リニアセンサが10ペア配置されている。
又、中央の測距点に対しては水平配置と垂直配置した2つのリニアセンサ対を設けたことで、縦線検知と横線検知の両方を行うクロス測距を可能としている。これらの装置において、撮影レンズを通ってきた光束を2次結像光学系によってAFセンサ上の基準部用リニアセンサと参照部用リニアセンサの2つ位置に被写体像を再結像させ、その2つの被写体像の位相差検出を行ってデフォーカス量を求めるものである。
対角位置の測距を可能にするため、リニアセンサ5とリニアセンサ6が縦方向に並べて配置されている。又、通常は図10に示したように、有効画素列に隣接させてダミー画素が設けられている。これは有効画素端の特性とその他の有効画素の特性を揃えるのに必要なことである。
次に、図11を用いてこのダミー画素の必要性について説明する。
ダミー画素が無い場合、隣接する素子分離領域からの暗電流成分や光電荷のクロストーク成分が端画素では異なるため、有効画素列の端の感度とノイズが他の有効画素とは異なってしまうことになる。ここでダミー画素があれば、端の有効画素へのクロストーク量が同じになるため、感度やノイズ特性を揃えることが可能となる。そのため、従来は有効画素に隣接させて、最低でも1つのダミー画素を設けていた。
小型化と低コスト化のためにはチップサイズ縮小が必須であるが、多点化の要求と相成って各リニアセンサの間隔が狭まっており、フォトダイオード列間が2画素ピッチ以下になってしまうことがある。そして、場合によっては有効画素の隣にダミー画素を設けることが困難になることがある。例えば、上記従来例においても有効画素列の間に最低2画素分のレイアウト領域が有れば良いが、2画素分以下になった場合には有効画素と同じ画素ピッチのダミー画素を設けることができなくなる。このような場合、画素ピッチを異ならせた(ここでは狭くした場合)ダミー画素を設けることで対応していた。
しかしながら、このような方法では、図12に示したように、ダミー画素から有効画素へのクロストーク量が少なくなるため、有効画素列の端画素での感度が低下してしまうという問題があった。
本発明の目的は、感度均一性が向上した測距用固体撮像装置を実現することである。又、PRNUの歩留まり向上によるチップの低コスト化も目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、第1導電型である半導体基板と、前記半導体基板中に設けられた第1導電型とは反対の導電型である第1の不純物拡散層により形成されたPNフォトダイオードと、前記PNフォトダイオードが複数配列された有効画素列と、有効画素とピッチを異ならせたダミー画素を有する測距用固体撮像装置において、前記ダミー画素は前記有効画素列に隣接配置され、有効画素とダミー画素の第1不純物拡散層の配列ピッチが同じになるように配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、感度不均一性が低減した測距用固体撮像装置が実現できる。又、PRNU低減によりチップの歩留まりが向上し、固体撮像装置のコストダウンが可能となる。更に、本測距用固体撮像装置をディジタル一眼レフカメラへ搭載した場合、従来必要であったカメラシステムによる感度補正が不要になるため、高精度小型低価一眼レフカメラが実現できる。
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
<実施の形態1>
図1は本発明の特徴を最も良く表す図面であり、本発明を施した固体撮像装置の概略的平面レイアウト図である。同図において、1はSi半導体基板、2はフォトダイオードアレイ、3はAFセンサ読み出し回路、4はAFセンサブロックからの信号を増幅するための信号増幅回路、5はアナログ回路を動作させるための電源回路、6はAFセンサの蓄積時間と信号出力回路のゲインを決めるためのAGC回路、7はセンサを駆動するためのロジック回路、8は各種のアナログ信号を選択して読み出すためのマルチプレクサ回路である。
図1は本発明の特徴を最も良く表す図面であり、本発明を施した固体撮像装置の概略的平面レイアウト図である。同図において、1はSi半導体基板、2はフォトダイオードアレイ、3はAFセンサ読み出し回路、4はAFセンサブロックからの信号を増幅するための信号増幅回路、5はアナログ回路を動作させるための電源回路、6はAFセンサの蓄積時間と信号出力回路のゲインを決めるためのAGC回路、7はセンサを駆動するためのロジック回路、8は各種のアナログ信号を選択して読み出すためのマルチプレクサ回路である。
図2は画素の平面図と断面図を示したものである。(a)図は画素平面図であり、(b)図は(a)図のY−Y’部分の断面構造図である。同図において、1はSi半導体基板、30はn- エピタキシャル層、31は光キャリアを蓄積するP層、32はSi表面からの暗電流を抑制するための表面N+ 層、33は素子分離領域であるLOCOS領域、34はP+ 層の電位を取るためのコンタクト領域である。
図3に示したように、リニアセンサ5とリニアセンサ6の間には画素ピッチ狭いダミー画素が設けられているが、光キャリア吸収層である31のP+
層の位置は等ピッチになっていることが特徴である。
層の位置は等ピッチになっていることが特徴である。
次に、AFリニアセンサ回路の具体的な回路図を図4に示す。ここに示したCMOSリニア型AFセンサは、先に本出願人が提案した回路である(特開2000−180706号公報等参照)。
図4において、10は光電変換を行うpn接合フォトダイオード、11はフォトダイオードの電位をVRESにリセットするリセット用MOSトランジスタ、12は差動増幅器であり、10〜12によって増幅型光電変換素子を構成する。13はクランプ容量、14はクランプ電位を入力するためのMOSスイッチであり、13と14でクランプ回路を構成している。15〜18はスイッチ用MOSトランジスタ、19は最大値検出用差動増幅器、20は最小値検出用差動増幅器であり、それぞれの差動増幅器は電圧フォロワ回路を構成している。21は最大値出力用MOSスイッチ、22は最大値出力用MOSスイッチ、23はOR回路、24は走査回路、25,26は定電流用MOS トランジスタである。
最小値検出回路用には最終段がPMOSのソースフォロワ回路、最大値検出回路用には最終段がNMOSのソースフォロワ回路となっている。27は画素からの信号が出力される共通出力線である。本回路構成において、最大値検出回路と最小値検出回路の前段にフィードバック型のノイズクランプ回路を設けることにより、フォトダイオードで発生するリセットノイズと、センサアンプ、最大値検出回路、最小値検出回路で発生するFPNの除去が可能となっている。
又、最終出力段がソースフォロワ形式である電圧フォロワ回路を画素毎に構成し、最小値出力時には各電圧フォロワの出力段の定電流源をオフにして、定電流源に接続された出力線に共通接続することにより、映像信号の最小値を得ることができる。又、映像信号出力時には、各電圧フォロワの出力段の定電流源をオンにして、各電圧フォロワ回路を順次、出力線に接続させることにより、シリアルな映像信号を得ることができる。この動作により、最小値検出回路と信号出力回路を兼用できるため、チップの小型化が可能となる。
次に、本発明のダミー画素を配置した効果について説明する。
図5はリニアセンサ5とリニアセンサ6のダミー領域を中心にしたフォトダイオードの断面構造図である。光蓄積領域となるP+
層を等間隔で配置することで、電荷収集領域となる空乏層領域が有効画素の端の画素でも等間隔になるため、素子分離領域下で発生した光電荷は50%の割合で有効画素とダミー画素へ拡散して吸収される。その結果、クロストーク特性が全有効画素において同じになるため、PRNUの悪化を防ぐことが可能となった。
層を等間隔で配置することで、電荷収集領域となる空乏層領域が有効画素の端の画素でも等間隔になるため、素子分離領域下で発生した光電荷は50%の割合で有効画素とダミー画素へ拡散して吸収される。その結果、クロストーク特性が全有効画素において同じになるため、PRNUの悪化を防ぐことが可能となった。
本実施の形態において、PRNUが低減した高性能の測距用固体撮像装置が実現できた。本発明は、CMOSセンサのみならず、CCD、VMIS、BCAST、LBCAST等にも当然のことながら応用可能である。特に、BCASTやLBCASTに対しては増幅用MOSトランジスタをJFETトランジスタに置き換えることで、本質的な変更を伴わずに実現できる。
<実施の形態2>
図6に本発明を施した実施の形態2における平面レイアウトを示す。
図6に本発明を施した実施の形態2における平面レイアウトを示す。
本実施の形態は、ダミー画素の光電荷吸収層(P+ 層)の位置を変えるとともに、光電荷吸収層の面積(幅)も変えたことを特徴とする。実施の形態1では、光電荷吸収層の面積(幅)は有効画素とダミー画素で同じであったが、本実施の形態ではダミー画素の光電荷吸収層の幅を狭くしたことを特徴とする。本実施の形態によって、より微細化に対応できるダミー画素構造が実現し、更に微細化された測光測距用固体撮像装置が可能となった。
<実施の形態3>
図7は本発明を施した実施の形態3における平面レイアウト図と、ダミー画素領域の拡大図を示したものである。
図7は本発明を施した実施の形態3における平面レイアウト図と、ダミー画素領域の拡大図を示したものである。
本実施の形態においては、エリア型AFセンサに適用した例を示す。このエリア型AFセンサは本出願人により特開平11−191867号公報等で開示されたものである。実施の形態1と実施の形態2においてリニアセンサ対によって位相差検出型測距を行っていたが、本実施の形態は、エリアセンサ対によって位相差検出型測距を行うことを特徴とする。エリアセンサを使うことでより広い領域に対してのオートフォーカスが可能となる。本実施例の形態においても、位相差検出を行うために設けたエリアセンサの有効画素領域の外側にダミー画素を設けることにより、チップサイズの縮小に繋げている。本実施の形態によって、リニアセンサのみならず、エリアセンサにおいてもPRNUの低減が可能となった。
<実施の形態4>
図8は本発明を用いるTTL−SIR型オートフォーカスシステムを搭載した一眼レフカメラの光学系概略図を示している。
図8は本発明を用いるTTL−SIR型オートフォーカスシステムを搭載した一眼レフカメラの光学系概略図を示している。
図8において、40は被写体像をフィルム上やイメージセンサ上に一時結像させるための撮影レンズ、41はファインダースクリーン42へ光を反射させるためのクイックリターンミラーであり、光を数10%透過するハーフミラーとなっている。43はAF系へ光を導くためのサブミラー、44は本発明の測距用固体撮像装置、45はAFセンサ上に被写体像を再結像させるための二次結像レンズ(メガネレンズ)、46はAFセンサ44へ光を導く反射ミラー、47はフォーカルプレーンシャッター、48はフィルム又はイメージセンサ、49は光線の主軸を示している。
本実施の形態において、実施の形態1〜実施の形態3に記載の測距用固体撮像装置を用いることで、従来以上の測距性能を有する一眼レフカメラの実現が可能となった。又、PRNU補正のためのシステムが従来よりも簡単になるため、カメラの低価格化にも貢献できる。
本実施の形態は、アナログカメラ、デジタルカメラを問わず、TTL−SIR型AFカメラであれば、本発明が適用できることは明らかである。
1 Si基板
2 フォトダイオードアレイ
3 AF読み出し回路
4 信号処理回路
5 電源回路
6 AGC回路
7 ロジック回路
8 マルチプレクサ
9 ダミー画素
10 フォトダイオード
11 リセットMOSトランジスタ
12,19,20 差動増幅回路
13 クランプ容量
14 クランプMOSトランジスタ
15〜18 スイッチMOSトランジスタ
21 最大値出力用MOSトランジスタ
22 最小値出力用MOSトランジスタ
23 OR回路
24 シフトレジスタ
25,26 定電流源
27 信号出力線
30 n− エピタキシャル層
31 P層
32 表面N+ 層
33 LOCOS領域
34 コンタクト領域
40 撮影レンズ
41 クイックリターンミラー
42 ファインダースクリーン
43 サブミラー
44 本発明の測距用固体撮像装置
45 二次結像レンズ
46 反射ミラー
47 フォーカルプレーンシャッター
48 イメージセンサ
49 主光線軸
2 フォトダイオードアレイ
3 AF読み出し回路
4 信号処理回路
5 電源回路
6 AGC回路
7 ロジック回路
8 マルチプレクサ
9 ダミー画素
10 フォトダイオード
11 リセットMOSトランジスタ
12,19,20 差動増幅回路
13 クランプ容量
14 クランプMOSトランジスタ
15〜18 スイッチMOSトランジスタ
21 最大値出力用MOSトランジスタ
22 最小値出力用MOSトランジスタ
23 OR回路
24 シフトレジスタ
25,26 定電流源
27 信号出力線
30 n− エピタキシャル層
31 P層
32 表面N+ 層
33 LOCOS領域
34 コンタクト領域
40 撮影レンズ
41 クイックリターンミラー
42 ファインダースクリーン
43 サブミラー
44 本発明の測距用固体撮像装置
45 二次結像レンズ
46 反射ミラー
47 フォーカルプレーンシャッター
48 イメージセンサ
49 主光線軸
Claims (8)
- 第1導電型である半導体基板と、前記半導体基板中に設けられた第1導電型とは反対の導電型である第1の不純物拡散層により形成されたPNフォトダイオードと、前記PNフォトダイオードが複数配列された有効画素列と、有効画素とピッチを異ならせたダミー画素を有する測距用固体撮像装置において、
前記ダミー画素は前記有効画素列に隣接配置され、有効画素とダミー画素の第1不純物拡散層の配列ピッチが同じになるように配置されていることを特徴とする測距用固体撮像装置。 - 複数の有効画素列を有していることを特徴とする請求項1記載の測距用固体撮像装置。
- 画素ピッチの異なるダミー画素が複数のリニアセンサの間に設けられていることを特徴とする請求項2記載の測距用固体撮像装置。
- 有効画素列間の距離が有効画素の2画素未満であることを特徴とする請求項3記載の測距用固体撮像装置。
- 前記第1不純物拡散層の面積が有効画素とダミー画素で異なっていることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の測距用固体撮像装置。
- 位相差検出型のオートフォーカスを行うための複数のリニアセンサであることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の測距用固体撮像装置。
- CMOSプロセスで製造可能なCMOS型固体撮像装置であることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の測距用固体撮像装置。
- 請求項1〜7の何れかに記載の測距用固体撮像装置を搭載して成ることを特徴とするオートフォーカスカメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004252552A JP2006073621A (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 測距用固体撮像装置とこれを用いたオートフォーカスカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004252552A JP2006073621A (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 測距用固体撮像装置とこれを用いたオートフォーカスカメラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006073621A true JP2006073621A (ja) | 2006-03-16 |
Family
ID=36153953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004252552A Withdrawn JP2006073621A (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 測距用固体撮像装置とこれを用いたオートフォーカスカメラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006073621A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016096362A (ja) * | 2016-02-12 | 2016-05-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US10090341B2 (en) | 2013-06-11 | 2018-10-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging device |
-
2004
- 2004-08-31 JP JP2004252552A patent/JP2006073621A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10090341B2 (en) | 2013-06-11 | 2018-10-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging device |
US10685991B2 (en) | 2013-06-11 | 2020-06-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging device |
JP2016096362A (ja) * | 2016-02-12 | 2016-05-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
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