JP2006071290A - Semi-conductor testing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体試験装置に関し、詳しくは、測定対象半導体(以下DUTという)に供給する試験信号のタイミング関係を高精度に調整するためのタイミング校正回路の改良に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus, and more particularly, to an improvement in a timing calibration circuit for adjusting a timing relationship of test signals supplied to a semiconductor to be measured (hereinafter referred to as DUT) with high accuracy.
特許文献1には、DUTに印加する差動信号として、より高精度のタイミング制御が可能な信号を発生する装置の構成が開示されている。 Patent Document 1 discloses a configuration of an apparatus that generates a signal capable of more accurate timing control as a differential signal applied to a DUT.
DUTには、差動信号入力ピンとシングル信号入力ピンとを有するものがある。図2はこのようなDUTの試験における接続概念図である。DUT100の各差動信号入力ピンとシングル信号入力ピンには、半導体試験装置200のパターン信号発生器210から、それぞれ可変遅延回路220および差動ピンドライバ230またはシングルピンドライバ240を介して、試験のための差動信号とシングル信号が入力される。
Some DUTs have a differential signal input pin and a single signal input pin. FIG. 2 is a connection conceptual diagram in such a DUT test. The differential signal input pins and the single signal input pins of the
このとき、半導体試験装置200は、これらDUT100の差動信号入力ピンとシングル信号入力ピンに印加する差動信号とシングル信号のタイミングがストローブ信号のタイミングに合わせて最適な時間関係になるように、各信号系統に設けられている可変遅延回路220の遅延量を高精度に調整制御しておく必要がある。
At this time, the semiconductor test apparatus 200 is configured so that the timings of the differential signal and the single signal applied to the differential signal input pin and the single signal input pin of the
そこで、図3に示すように、DUT100の代わりにタイミング校正回路300を接続して、可変遅延回路220の遅延量の調整制御を行う。図3において、半導体試験装置200のパターン信号発生器210から、それぞれ可変遅延回路220を介して差動ピンドライバ230またはシングルピンドライバ240に差動信号またはシングル信号が入力される。差動ピンドライバ230の正極性出力端子から出力される複数n系統の正極性差動信号はリレートーナメント301を介してアナログコンパレータ302の一方の入力端子に入力され、差動ピンドライバ230の負極性出力端子から出力される複数n系統の負極性差動信号はリレートーナメント303を介してアナログコンパレータ302の他方の入力端子に入力される。シングルピンドライバ240から出力される複数m系統のシングル信号は、リレートーナメント304を介してアナログコンパレータ305の一方の入力端子に入力されている。アナログコンパレータ305の他方の入力端子には、基準電圧が入力されている。
Therefore, as shown in FIG. 3, a timing calibration circuit 300 is connected instead of the
アナログコンパレータ302の出力信号はマルチプレクサ306の一方の入力端子に入力され、アナログコンパレータ305の出力信号はマルチプレクサ306の他方の入力端子に入力されている。
The output signal of the
マルチプレクサ306は、図示しない制御信号により、アナログコンパレータ302と305のいずれかの出力信号を選択してフリップフロップ307に出力するように切換制御されるものであり、差動信号を出力する場合はアナログコンパレータ302の出力信号が選択され、シングル信号を出力する場合はアナログコンパレータ305の出力信号が選択される。
The
マルチプレクサ306の出力信号はストローブ信号によりラッチするフリップフロップ307を介してデジタルコンパレータ308の一方の入力端子に入力されている。デジタルコンパレータ308の他方の入力端子には、パターン信号発生器210から出力される期待値信号が入力される。このデジタルコンパレータ308は、フリップフロップ307でラッチされたマルチプレクサ306の出力信号に対する判定値を出力する。
The output signal of the
このような構成において、ストローブ信号によりフリップフロップ307にラッチするタイミングでデジタルコンパレータ308の判定値が反転するように、各信号系統に設けられている可変遅延回路220の遅延量をそれぞれ調整する。
In such a configuration, the delay amount of the
図4は差動信号の場合における遅延量の調整を説明するタイミングチャートであり、(a)は可変遅延回路210の遅延量を設定するためのデータ列の変化を示し、(b)はアナログコンパレータ302または305の出力を示し、(c)はフリップフロップ307に入力されるストローブ信号を示し、(c)はフリップフロップ307に入力されるストローブ信号を示し、(d)はフリップフロップ307の出力を示し、(e)はデジタルコンパレータ308の判定値出力を示している。リレートーナメント301,303で差動信号1ピンを選択し、マルチプレクサ306でアナログコンパレータ302の出力を選択する。そして、差動信号1ピン系統の可変遅延回路220の遅延量を設定するためのデータを、A→B→C→D→E→F→G→Hの順に変えていく。可変遅延回路210の遅延量設定値の変化に応じてアナログコンパレータ302の出力タイミングも変化し、アナログコンパレータ302の出力はストローブ信号でフリップフロップ307にラッチされる。フリップフロップ307にラッチされたアナログコンパレータ302の出力は、デジタルコンパレータ308で期待値と比較される。ここで、期待値を例えばLowとすると、遅延量設定値がFの時に判定値がFailからPassに変化しているので、差動信号1ピン系統の可変遅延回路210の遅延量校正結果はFとなる。
4A and 4B are timing charts for explaining the adjustment of the delay amount in the case of a differential signal. FIG. 4A shows a change in the data string for setting the delay amount of the
このような一連の遅延量設定調整を、差動信号の1ピン系統からnピン系統までと、シングル信号の1001ピン系統からmピン系統までについて行うことで、半導体試験装置200のタイミング調整が行える。 Such a series of delay amount setting adjustment is performed for the differential signal from the 1-pin system to the n-pin system and the single signal from the 1001-pin system to the m-pin system, thereby adjusting the timing of the semiconductor test apparatus 200. .
しかし、図3の回路構成では、2個のアナログコンパレータ302と305を用いていることから、これら2個のアナログコンパレータ間の特性のばらつきに起因するタイミングスキューを含んだ状態でタイミング調整を行わなければならず、調整工数がかかってしまう。
また、部品点数が増加して構成が複雑になるとともに、コスト高になるという問題もある。
However, since the circuit configuration of FIG. 3 uses two
In addition, there is a problem that the number of parts increases, the configuration becomes complicated, and the cost increases.
本発明は、このような従来の問題点を解決するものであり、その目的は、1個のアナログコンパレータを有するタイミング校正手段を用いてタイミング校正が行える半導体試験装置を提供することにある。 The present invention solves such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus capable of performing timing calibration using timing calibration means having one analog comparator.
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
試験信号として正負極性の差動信号とシングル信号をDUTに印加する半導体試験装置において、
これら試験信号のタイミング校正手段として、差動信号のクロスポイント検出およびシングル信号と基準電圧との比較を行う共通のアナログコンパレータを設けたことを特徴とする。
In order to achieve such a problem, the invention according to claim 1 of the present invention is:
In a semiconductor test apparatus that applies a positive / negative differential signal and a single signal to a DUT as test signals,
As a timing calibration means for these test signals, a common analog comparator for performing cross-point detection of a differential signal and comparing a single signal with a reference voltage is provided.
請求項2記載の発明は、請求項1記載の半導体試験装置において、
前記共通のアナログコンパレータの前段に、差動信号とシングル信号を選択する手段を設けたことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus of the first aspect,
A means for selecting a differential signal and a single signal is provided in the preceding stage of the common analog comparator.
請求項3記載の発明は、請求項2記載の半導体試験装置において、
前記差動信号とシングル信号を選択する手段は互いに連動して切換制御される2個の選択回路で構成され、
差動信号選択にあたっては一方の選択回路から正極性差動信号が選択出力されて他方の選択回路から負極性差動信号が選択出力され、
シングル信号選択にあたっては一方の選択回路からシングル信号が選択出力されて他方の選択回路から基準電圧が選択出力されることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus of the second aspect,
The means for selecting the differential signal and the single signal is composed of two selection circuits that are switched and controlled in conjunction with each other.
In differential signal selection, a positive differential signal is selectively output from one selection circuit, and a negative differential signal is selectively output from the other selection circuit.
In selecting a single signal, a single signal is selectively output from one selection circuit, and a reference voltage is selectively output from the other selection circuit.
本発明によれば、1個のアナログコンパレータの出力に基づいて、DUTに印加する試験信号のタイミング校正が行える。 According to the present invention, the timing calibration of the test signal applied to the DUT can be performed based on the output of one analog comparator.
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に基づくタイミング校正回路の具体例を示すブロック図であって、図3と共通する部分には同一符号を付けている。図1において、第1のマルチプレクサ309の一方の入力端子にはパターン信号発生器210から出力される複数n系統の正極性差動信号がリレートーナメント301を介して入力され、他方の入力端子にはパターン信号発生器210から出力される複数m系統のシングル信号がリレートーナメント304を介して入力されている。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a specific example of a timing calibration circuit according to the present invention, and the same reference numerals are given to the parts common to FIG. In FIG. 1, a plurality of n positive polarity differential signals output from the
第2のマルチプレクサ310の一方の入力端子にはパターン信号発生器から出力される複数n系統の負極性差動信号がリレートーナメント303を介して入力され、他方の入力端子には基準電圧が入力されている。
A plurality of n types of negative differential signals output from the pattern signal generator are input to one input terminal of the
これらマルチプレクサ309と310は、図示しない制御信号により、互いに連動して切換制御されるものである。すなわち、差動信号を出力する場合はマルチプレクサ309から正極性差動信号が選択出力されてマルチプレクサ310から負極性差動信号が選択出力され、シングル信号を出力する場合はマルチプレクサ309からシングル信号が選択出力されてマルチプレクサ310から基準電圧が選択出力される。なお、これらマルチプレクサ309と310は、例えばリレー選択回路として構成されたものを用いる。
These
アナログコンパレータ311の一方の入力端子にはマルチプレクサ309の出力信号が入力され、他方の入力端子にはマルチプレクサ310の出力信号が入力されている。
The output signal of the
アナログコンパレータ311の出力信号はストローブ信号によりラッチするフリップフロップ307を介してデジタルコンパレータ308の一方の入力端子に入力されている。
The output signal of the
デジタルコンパレータ308の他方の入力端子にはパターン信号発生器210から出力される期待値信号が入力されている。このデジタルコンパレータ308は、フリップフロップ307でラッチされたアナログコンパレータ311の出力信号に対する判定値を出力する。
An expected value signal output from the
このような構成において、図3の構成と同様な図4に示す遅延量の調整を説明するタイミングチャートに基づき、ストローブ信号によりフリップフロップ307にラッチするタイミングでデジタルコンパレータ308の判定値が反転するように、半導体試験装置200の各信号系統に設けられている可変遅延回路220の遅延量を調整する。
In such a configuration, the determination value of the
ここで、アナログコンパレータ311に入力する前に、マルチプレクサ309と310により差動信号とシングル信号を選択しているので、アナログコンパレータは311のみの1個でよく、従来のような2個のアナログコンパレータ間のバラツキに起因するタイミングスキューを排除でき、効率よく信号間のタイミング調整が行える。
Here, since the differential signal and the single signal are selected by the
また、従来よりも安価な構成でタイミング校正回路を実現でき、半導体試験装置のコスト低減にも有益である。 In addition, the timing calibration circuit can be realized with a lower-cost configuration than before, which is beneficial for reducing the cost of the semiconductor test apparatus.
100 DUT
200 半導体試験装置
210 パターン信号発生器
220 可変遅延回路
230 差動ピンドライバ
240 シングルピンドライバ
300 タイミング校正回路
301 正極性差動信号リレートーナメント
302,305,311 アナログコンパレータ
303 負極性差動信号リレートーナメント
304 シングルリレートーナメント
307 フリップフロップ
308 デジタルコンパレータ
306,309,310 マルチプレクサ
100 DUT
200
Claims (3)
これら試験信号のタイミング校正手段として、差動信号のクロスポイント検出およびシングル信号と基準電圧との比較を行う共通のアナログコンパレータを設けたことを特徴とする半導体試験装置。 In a semiconductor test apparatus that applies a positive / negative differential signal and a single signal to a DUT as test signals,
A semiconductor test apparatus characterized by providing a common analog comparator for detecting a cross point of a differential signal and comparing a single signal with a reference voltage as timing calibration means for these test signals.
差動信号選択にあたっては一方の選択回路から正極性差動信号が選択出力されて他方の選択回路から負極性差動信号が選択出力され、
シングル信号選択にあたっては一方の選択回路からシングル信号が選択出力されて他方の選択回路から基準電圧が選択出力されることを特徴とする請求項2記載の半導体試験装置。 The means for selecting the differential signal and the single signal is composed of two selection circuits that are switched and controlled in conjunction with each other.
In differential signal selection, a positive differential signal is selectively output from one selection circuit, and a negative differential signal is selectively output from the other selection circuit.
3. The semiconductor test apparatus according to claim 2, wherein in selecting a single signal, a single signal is selectively output from one selection circuit and a reference voltage is selectively output from the other selection circuit.
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