JP2007187489A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

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JP2007187489A JP2006004303A JP2006004303A JP2007187489A JP 2007187489 A JP2007187489 A JP 2007187489A JP 2006004303 A JP2006004303 A JP 2006004303A JP 2006004303 A JP2006004303 A JP 2006004303A JP 2007187489 A JP2007187489 A JP 2007187489A
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Kazutaka Saito
一敬 齋藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To evade the number of external terminals of the semiconductor circuit from increasing when performing the control of test switches, supplying impressing signals for measurement, and outputting measurement results, at the external test of the semiconductor integration circuit provided with built in a plurality of analogue circuit blocks. <P>SOLUTION: By a test mode designation signal (Norm/Test Mode), a semiconductor integration circuit (IC_Chip) is set to the test mode. To a plurality of analogue circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), a plurality of switching circuits for testing (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN) for switching the signal paths from normal signal path in the test mode to that in the normal operation mode are connected. The test control interface circuit (Tcnt_Int) which is serially transmitted from outside with the control signal DI of a plurality of bits activates a plurality of switching circuits sequentially. In a plurality of analogue circuit blocks, the supply of the impressed signal for external measurement Tfd and control of the output of the measurement results Tdet are performed in order. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路に関し、特に、アナログ回路を内蔵する半導体集積回路の外部からのテストを可能とするのに有益な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a technique useful for enabling an external test of a semiconductor integrated circuit containing an analog circuit.

アナログ回路を内蔵する半導体集積回路は、アナログ回路の技術の進歩によって、半導体集積回路の外部回路素子を半導体チップ内部に内蔵する傾向となっている。これによって、半導体集積回路を搭載するシステムのコストを低減する一方、外部回路素子を低減してシステムのコンパクト化と信頼性を向上している。   A semiconductor integrated circuit incorporating an analog circuit tends to incorporate an external circuit element of the semiconductor integrated circuit inside a semiconductor chip due to the advancement of analog circuit technology. As a result, the cost of the system on which the semiconductor integrated circuit is mounted is reduced, and the external circuit elements are reduced to improve the compactness and reliability of the system.

一方、下記の非特許文献1に記載されているように、アナログ半導体集積回路の複数のアナログ回路ブロックの間に外部からのテストを容易とするためのスイッチを挿入するテスト技術(DFT;Design−for−Test)が提案されている。複数のアナログ回路ブロックは、通常動作モードの一つの信号経路の上で直列に接続されている。二つのアナログ回路ブロックの接続がブレークされ、この一つのブレーク点に二つの直列接続のテスト用スイッチが挿入される。二つのアナログ回路ブロックの入出力間に挿入され直列接続された二つのテスト用スイッチは、テストバスに接続されている。また、このテスト用スイッチは、テストバスと並列に設けられたディジタル制御線の上で直列接続された二つのフリップフロップにより制御される。二つのアナログ回路ブロックの一方の出力は、テスト用スイッチの一方によって通常動作モードの信号経路から分離される。二つのアナログ回路ブロックの他方の入力は、テスト用スイッチの他方によってテストバスに接続される。このようにして、一方のアナログ回路ブロックと独立に、テストバスと他方のテスト用スイッチとを介して他方のアナログ回路ブロックを外部からテストすることが可能となる。   On the other hand, as described in Non-Patent Document 1 below, a test technique (DFT; Design− for inserting a switch for facilitating an external test between a plurality of analog circuit blocks of an analog semiconductor integrated circuit. for-Test). The plurality of analog circuit blocks are connected in series on one signal path in the normal operation mode. The connection between the two analog circuit blocks is broken, and two series-connected test switches are inserted at the one break point. Two test switches inserted in series between two analog circuit blocks and connected in series are connected to a test bus. The test switch is controlled by two flip-flops connected in series on a digital control line provided in parallel with the test bus. One output of the two analog circuit blocks is separated from the signal path of the normal operation mode by one of the test switches. The other input of the two analog circuit blocks is connected to the test bus by the other of the test switches. In this manner, the other analog circuit block can be externally tested via the test bus and the other test switch independently of the one analog circuit block.

A.H.Bratt et al,”A Design−For−Test Structure for Optimising Ananlogue and Mixed Signal IC Test“ European Design and Test Conference, 1995. ED&TC 1995 Proceedings, 6−9 March 1995 PP.24~33.A. H. Bratt et al, "A Design-For-Test Structure for Optimizing Analogue and Mixed Signal IC Test" European Design and Test Conference. ED & TC 1995 Proceedings, 6-9 March 1995 PP. 24-33.

本発明に先立って、本発明者等は本発明に先立って、下記のような検討を行った。   Prior to the present invention, the present inventors conducted the following studies prior to the present invention.

すなわち、本発明者等は本発明に先立って、半導体集積回路の外部回路素子を半導体チップ内部に内蔵するような開発を行った。この外部回路素子は、半導体チップ内部の差動増幅器と接続される分圧抵抗と、差動増幅器の発振防止用の位相補償回路を構成する容量と抵抗などの受動素子である。しかし、これらの受動素子の半導体チップ内部への内蔵により、半導体チップ内部の差動増幅器の反転入力端子と非反転入力端子と出力端子は半導体チップ外部に直接導出されなくなった。一方、従来の製品では、半導体チップ内部の差動増幅器の反転入力端子と非反転入力端子と出力端子は、半導体チップ外部に直接導出されていた。また、差動増幅器の重要な特性のひとつとして、差動入力オフセット電圧である。理想的な差動増幅器は、反転入力端子と非反転入力端子との間の差動入力電位差がゼロボルトの時には、差動増幅器の二つの差動トランジスタの電流が等しくバランスすることになる。しかし、二つの差動トランジスタの特性の不揃いによって、二つの差動トランジスタの電流が等しくバランスする差動入力電位差がゼロボルトではない差動入力オフセット電圧となる。実際の製品の量産後のテストでは、製品の差動入力オフセット電圧が許容値より小さい時には製品は良品として出荷され、許容値より大きい時には製品は不良品としてスクリーニングされる。半導体チップ内部の差動増幅器の反転入力端子と非反転入力端子と出力端子は、半導体チップ外部に直接導出されていたので、従来の製品では差動入力オフセット電圧のテストは外部の自動テスト装置によって簡単に実施できた。しかし、受動素子の半導体チップ内部への内蔵により、開発製品では半導体チップ内部の差動増幅器の反転入力端子と非反転入力端子と出力端子は半導体チップ外部に直接導出されなくなった。その結果、開発製品では差動入力オフセット電圧のテストは外部の自動テスト装置によって簡単に実施できなくなると言う問題が明らかとなった。差動入力オフセット電圧のテストでは、差動増幅器の非反転入力端子に外部から測定用印加電圧を供給する一方、反転入力端子と出力端子との短絡接続ノードから外部への測定結果の出力電圧を出力することが必要となる。しかし、上記の開発製品では非反転入力端子への測定用印加電圧の供給と短絡接続ノードからの測定結果の出力が不可能となった。   That is, prior to the present invention, the inventors have developed such that an external circuit element of a semiconductor integrated circuit is built in a semiconductor chip. This external circuit element is a passive element such as a voltage dividing resistor connected to the differential amplifier in the semiconductor chip and a capacitor and a resistor constituting a phase compensation circuit for preventing oscillation of the differential amplifier. However, by incorporating these passive elements inside the semiconductor chip, the inverting input terminal, the non-inverting input terminal, and the output terminal of the differential amplifier inside the semiconductor chip are not directly led out to the outside of the semiconductor chip. On the other hand, in the conventional product, the inverting input terminal, the non-inverting input terminal and the output terminal of the differential amplifier inside the semiconductor chip are directly led out of the semiconductor chip. Another important characteristic of the differential amplifier is the differential input offset voltage. In an ideal differential amplifier, when the differential input potential difference between the inverting input terminal and the non-inverting input terminal is zero volts, the currents of the two differential transistors of the differential amplifier are equally balanced. However, due to the uneven characteristics of the two differential transistors, the differential input potential difference in which the currents of the two differential transistors are balanced equally is a differential input offset voltage that is not zero volts. In actual post-production testing of a product, when the differential input offset voltage of the product is smaller than an allowable value, the product is shipped as a non-defective product, and when it is larger than the allowable value, the product is screened as a defective product. Since the inverting input terminal, non-inverting input terminal and output terminal of the differential amplifier inside the semiconductor chip are directly derived to the outside of the semiconductor chip, the differential input offset voltage test is performed by an external automatic test device in the conventional product. It was easy to do. However, since the passive element is built in the semiconductor chip, the inverting input terminal, the non-inverting input terminal, and the output terminal of the differential amplifier in the semiconductor chip are not directly led out of the semiconductor chip in the developed product. As a result, it became clear that the developed product could not easily test the differential input offset voltage using an external automatic test equipment. In the differential input offset voltage test, the applied voltage for measurement is supplied from the outside to the non-inverting input terminal of the differential amplifier, while the output voltage of the measurement result from the short-circuited connection node between the inverting input terminal and the output terminal is used. It is necessary to output. However, the developed product cannot supply the measurement applied voltage to the non-inverting input terminal and output the measurement result from the short-circuited node.

前記非特許文献1で提案されているDFT技術は、アナログ半導体集積回路の複数のアナログ回路ブロックのそれぞれをテスト用スイッチにより分離することにより、1個のアナログ回路ブロックを外部からテストするものである。しかし、受動素子の半導体チップ内部への内蔵によって、測定用印加電圧の供給と測定結果の出力が困難となったことへの対応に関しては、前記非特許文献1には記載がない。   The DFT technique proposed in Non-Patent Document 1 tests one analog circuit block from the outside by separating each of a plurality of analog circuit blocks of an analog semiconductor integrated circuit by a test switch. . However, there is no description in Non-Patent Document 1 regarding the response to the difficulty in supplying the measurement applied voltage and outputting the measurement result due to the incorporation of the passive element inside the semiconductor chip.

さらに、半導体集積回路が通常動作モードの一つの信号経路の上で直列接続されていない複数のアナログ回路ブロックを含む場合に、非直列接続の複数のアナログ回路ブロックの測定用印加電圧の供給と測定結果の出力を、半導体集積回路の外部からどのように実行するかに関しても、前記非特許文献1には記載がない。非直列接続の複数のアナログ回路ブロックの測定用印加電圧の供給と測定結果の出力を、半導体集積回路の複数の外部端子から並列に実行するのが一番単純な方法である。しかし、この単純な方法でも同様に、半導体集積回路の外部端子数が増大して半導体集積回路が高コストとなると言う問題が明らかとされた。   Further, when the semiconductor integrated circuit includes a plurality of analog circuit blocks that are not connected in series on one signal path in the normal operation mode, supply and measurement of a measurement applied voltage for a plurality of analog circuit blocks that are not connected in series The non-patent document 1 does not describe how to output the result from the outside of the semiconductor integrated circuit. The simplest method is to execute the supply of the measurement applied voltage and the output of the measurement result of the plurality of non-series-connected analog circuit blocks in parallel from the plurality of external terminals of the semiconductor integrated circuit. However, even in this simple method, the problem that the number of external terminals of the semiconductor integrated circuit increases and the cost of the semiconductor integrated circuit increases is clarified.

従って、本発明は、上記のような本発明者らによる背景技術に関する検討結果を基にしてなされたものである。従って、本発明の目的とするところは、非直列接続の複数のアナログ回路ブロックを内蔵する半導体集積回路の外部からのテストに際して、テスト用スイッチの制御と測定用印加信号の供給と測定結果の出力の制御とを半導体集積回路の外部から実行するに際し半導体集積回路の外部端子数の増大を回避することにある。また、本発明のその他の目的は、半導体集積回路が高コストとなることを回避することにある。   Therefore, the present invention has been made on the basis of the results of the above-described background art studies by the present inventors. Accordingly, it is an object of the present invention to control a test switch, supply a measurement application signal, and output a measurement result when testing a semiconductor integrated circuit including a plurality of non-series-connected analog circuit blocks from the outside. This is to avoid an increase in the number of external terminals of the semiconductor integrated circuit when the control is executed from the outside of the semiconductor integrated circuit. Another object of the present invention is to avoid the high cost of a semiconductor integrated circuit.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴とは、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。   The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、本発明のひとつの形態による半導体集積回路(IC_Chip)は、通常動作モードとテストモードの二つの動作モードを有する。半導体集積回路(IC_Chip)の外部から供給されるテストモード指定信号(Norm/Test Mode)に応答して、半導体集積回路(IC_Chip)はテストモードの動作モードに設定される。半導体集積回路(IC_Chip)は、通常動作モードの一つの信号経路の上で非直列接続の複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)を含む。この複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)のそれぞれは、差動増幅器(DA1)と、この差動増幅器(DA1)に接続された例えば分圧回路を構成する複数の抵抗(R11、R12、R13)と、この差動増幅器(DA1)に接続された例えば発振防止用の位相補償回路を構成する容量(C11、C12)を含む。この複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)には、半導体集積回路のテストモード(IC_Chip)での信号経路と通常動作モードでの信号経路とを切り換える複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)が接続されている。半導体集積回路(IC_Chip)は、複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)に接続されたテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)を含む。テストモードの動作モードにおいて、この複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)は、半導体集積回路(IC_Chip)の外部からテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)を介して制御される。テストモードの動作モードにおいて、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)は、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)に接続された複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)をシーケンシャルに活性化する。それにより、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)では、順番に半導体集積回路(IC_Chip)の外部からの測定用印加信号(Tfd)の供給と測定結果(Tdet)の半導体集積回路(IC_Chip)の外部への出力の制御が実行される。更に、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)のそれぞれのテストにおいて、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)は外部からシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号(DI)を受信する。   That is, the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) according to one embodiment of the present invention has two operation modes, a normal operation mode and a test mode. In response to a test mode designation signal (Norm / Test Mode) supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit (IC_Chip), the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) is set to the operation mode of the test mode. The semiconductor integrated circuit (IC_Chip) includes a plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN) connected in non-series on one signal path in the normal operation mode. Each of the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN) includes a differential amplifier (DA1) and a plurality of resistors (R11, R12, R13) constituting, for example, a voltage dividing circuit connected to the differential amplifier (DA1). And capacitors (C11, C12) constituting a phase compensation circuit for preventing oscillation connected to the differential amplifier (DA1). In the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), a plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1. It is connected. The semiconductor integrated circuit (IC_Chip) includes a test control interface circuit (Tcnt_Int) connected to a plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN). In the test mode operation mode, the plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN) are controlled from the outside of the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) via the test control interface circuit (Tcnt_Int). In the operation mode of the test mode, the test control interface circuit (Tcnt_Int) sequentially activates a plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1 ... Tcnt_SwN) connected to the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN). Accordingly, in the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), the supply of the measurement application signal (Tfd) from the outside of the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) and the measurement result (Tdet) of the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) in order Control of output to the outside is executed. Further, in each test of the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), the test control interface circuit (Tcnt_Int) receives a multi-bit test control signal (DI) serially transferred from the outside.

本発明の前記ひとつの形態の手段によれば、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)では外部から順番に測定用印加信号(Tfd)の供給と測定結果(Tdet)の出力の制御が実行され、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)のそれぞれのテストではテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)は外部からシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号(DI)を受信する。従って、非直列接続の複数のアナログ回路ブロックを内蔵する半導体集積回路の外部からのテストに際して、半導体集積回路の外部端子数の増大を回避することができる(図1、図2、図3、図4参照)。   According to the means of the first aspect of the present invention, in the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), the supply of the measurement application signal (Tfd) and the control of the output of the measurement result (Tdet) are sequentially performed from the outside. In each test of the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), the test control interface circuit (Tcnt_Int) receives a multi-bit test control signal (DI) serially transferred from the outside. Therefore, an increase in the number of external terminals of the semiconductor integrated circuit can be avoided during a test from the outside of the semiconductor integrated circuit incorporating a plurality of non-series-connected analog circuit blocks (FIGS. 1, 2, 3, and 5). 4).

本発明の具体的な形態では、複数ビットのテスト制御信号(DI)は、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)のそれぞれのアナログ回路ブロックのテストにおいて、測定用印加信号の供給と測定結果の出力の制御のために複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)の一つのテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1)を構成する複数のテスト用スイッチ(TSW11…TSW14)のオン・オフを制御するスイッチ制御ビット情報(TSCBI)を含む(図1、図2、図3、図4参照)。   In a specific form of the present invention, the multi-bit test control signal (DI) is used to supply the measurement application signal and to output the measurement result in the test of each analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN). A switch control bit for controlling on / off of a plurality of test switches (TSW11 ... TSW14) constituting one test switch circuit (Tcnt_Sw1) of a plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1 ... Tcnt_SwN) for output control Information (TSCBI) is included (see FIGS. 1, 2, 3, and 4).

本発明の具体的な形態では、複数ビットのテスト制御信号(DI)は、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)のいずれのアナログ回路ブロックがテストターゲットであるのかを指定するテストターゲットビット情報(TTBI)を含む(図1、図2、図3、図4参照)。   In a specific form of the present invention, the test control signal (DI) of a plurality of bits includes test target bit information (which designates which analog circuit block of a plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN) is a test target) TTBI) (see FIGS. 1, 2, 3, and 4).

本発明の具体的な形態では、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)と複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)との間には複数のテスト用制御回路(Tcnt1…TcntN)が接続され、複数のテスト用制御回路(Tcnt1…TcntN)のそれぞれが複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)のそれぞれを構成する複数のテスト用スイッチ(TSW11…TSW14)のオン・オフを制御する(図1、図2、図3、図4参照)。   In a specific form of the present invention, a plurality of test control circuits (Tcnt1... TcntN) are connected between the test control interface circuit (Tcnt_Int) and the plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN). Each of the test control circuits (Tcnt1... TcntN) controls on / off of the plurality of test switches (TSW11... TSW14) constituting each of the plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN) (FIG. 1, FIG. 2, see FIG. 3 and FIG.

本発明の具体的な形態では、外部からテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)へシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号(DI)は外部からの略一定の周波数のクロック信号(CLK)に同期して転送される。その結果、テストの条件設定に際して対ノイズ性を改善することが可能となる(図1、図2、図3、図4参照)。   In a specific form of the present invention, the multi-bit test control signal (DI) serially transferred from the outside to the test control interface circuit (Tcnt_Int) is synchronized with a clock signal (CLK) having a substantially constant frequency from the outside. Transferred. As a result, it is possible to improve noise resistance when setting test conditions (see FIGS. 1, 2, 3, and 4).

本発明のより具体的な形態では、テストモードの動作モードにおいて、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)へ略一定の周波数のクロック信号(CLK)に同期して外部から複数ビットのテスト制御信号(DI)がシリアル転送される際には、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)には所定のレベルのストローブ信号が供給される。この所定のレベルのストローブ信号は、例えばハイレベルのチップ選択信号(CS)である。その結果、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)には、チップ選択信号(CS)と、略一定の周波数のクロック信号(CLK)と、シリアル転送の複数ビットのテスト制御信号(DI)とが供給される。従って、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)は、所謂3線式シリアル・インターフェースとなり、テストの条件設定に際して対ノイズ性を改善することが可能となる(図1、図2、図3、図4参照)。   In a more specific form of the present invention, in the test mode operation mode, the test control interface circuit (Tcnt_Int) is externally synchronized with the clock signal (CLK) having a substantially constant frequency and has a plurality of bits of test control signal (DI). Are serially transferred, a strobe signal of a predetermined level is supplied to the test control interface circuit (Tcnt_Int). The predetermined level strobe signal is, for example, a high level chip selection signal (CS). As a result, the test control interface circuit (Tcnt_Int) is supplied with a chip selection signal (CS), a clock signal (CLK) having a substantially constant frequency, and a multi-bit test control signal (DI) for serial transfer. . Therefore, the test control interface circuit (Tcnt_Int) is a so-called three-wire serial interface, and can improve noise resistance when setting test conditions (see FIGS. 1, 2, 3, and 4). .

本発明の他のより具体的な形態では、テストモードの動作モードにおいて複数ビットのテスト制御信号(DI)がシリアル転送されるテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)の外部端子(T3)は、通常動作モードにおける半導体集積回路(IC_Chip)の内部の通常回路(Log_Cir)の外部信号端子と共用ピンとなっている。従って、非直列接続の複数のアナログ回路ブロックを内蔵する半導体集積回路の外部からのテストに際して、半導体集積回路の外部端子数の増大を回避することができる(図5参照)。   In another more specific form of the present invention, the external terminal (T3) of the test control interface circuit (Tcnt_Int) to which the multi-bit test control signal (DI) is serially transferred in the operation mode of the test mode is connected to the normal operation mode. This is a common pin with the external signal terminal of the normal circuit (Log_Cir) inside the semiconductor integrated circuit (IC_Chip). Therefore, in the test from the outside of the semiconductor integrated circuit incorporating a plurality of non-series-connected analog circuit blocks, an increase in the number of external terminals of the semiconductor integrated circuit can be avoided (see FIG. 5).

本発明の他のより具体的な形態では、通常動作の動作モードにおいて複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)は並列動作が可能であって、前記並列動作により前記複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)は複数の出力(VOUT1…VOUTn)を並列に出力可能である(図1参照)。 In another more specific form of the present invention, the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN) can be operated in parallel in the normal operation mode, and the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN) can output a plurality of outputs (V OUT1 ... V OUTn ) in parallel (see FIG. 1).

本発明の他のひとつの形態による半導体集積回路(IC_Chip)も、通常動作モードとテストモードの二つの動作モードを有する。半導体集積回路(IC_Chip)の外部から供給されるテストモード指定信号(Norm/Test Mode)に応答して、半導体集積回路(IC_Chip)はテストモードの動作モードに設定される。半導体集積回路(IC_Chip)は、通常動作モードの一つの信号経路の上で非直列接続の複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)を含む。この複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)には、半導体集積回路のテストモード(IC_Chip)での信号経路と通常動作モードでの信号経路とを切り換える複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)が接続されている。半導体集積回路(IC_Chip)は、複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)に接続されたテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)を含む。テストモードの動作モードにおいて、この複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)は、半導体集積回路(IC_Chip)の外部からテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)を介して制御される。テストモードの動作モードにおいて、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)は、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)に接続された複数のテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN)をシーケンシャルに活性化する。それにより、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)では、順番に半導体集積回路(IC_Chip)の外部からの測定用印加信号(Tfd)の供給と測定結果(Tdet)の半導体集積回路(IC_Chip)の外部への出力の制御が実行される。更に、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)のそれぞれのテストにおいて、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)は外部からシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号(DI)を受信する。   A semiconductor integrated circuit (IC_Chip) according to another embodiment of the present invention also has two operation modes, a normal operation mode and a test mode. In response to a test mode designation signal (Norm / Test Mode) supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit (IC_Chip), the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) is set to the operation mode of the test mode. The semiconductor integrated circuit (IC_Chip) includes a plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN) connected in non-series on one signal path in the normal operation mode. The plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN) have a plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN) for switching between a signal path in the test mode (IC_Chip) of the semiconductor integrated circuit and a signal path in the normal operation mode. It is connected. The semiconductor integrated circuit (IC_Chip) includes a test control interface circuit (Tcnt_Int) connected to a plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN). In the test mode operation mode, the plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN) are controlled from the outside of the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) via the test control interface circuit (Tcnt_Int). In the operation mode of the test mode, the test control interface circuit (Tcnt_Int) sequentially activates a plurality of test switch circuits (Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN) connected to the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN). Accordingly, in the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), the supply of the measurement application signal (Tfd) from the outside of the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) and the measurement result (Tdet) of the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) in turn. Control of output to the outside is executed. Further, in each test of the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), the test control interface circuit (Tcnt_Int) receives a multi-bit test control signal (DI) serially transferred from the outside.

本発明の前記他のひとつの形態の手段によれば、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)では外部から順番に測定用印加信号(Tfd)の供給と測定結果(Tdet)の出力の制御が実行され、複数のアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1…Anlg_CirN)のそれぞれのテストではテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)は外部からシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号(DI)を受信する。従って、非直列接続の複数のアナログ回路ブロックを内蔵する半導体集積回路の外部からのテストに際して、半導体集積回路の外部端子数の増大を回避することができる(図5参照)。   According to the means of the other aspect of the present invention, in the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN), the supply of the measurement application signal (Tfd) and the output of the measurement result (Tdet) are controlled in order from the outside. The test control interface circuit (Tcnt_Int) receives a multi-bit test control signal (DI) serially transferred from the outside in each test of the plurality of analog circuit blocks (Anlg_Cir1... Anlg_CirN). Therefore, in the test from the outside of the semiconductor integrated circuit incorporating a plurality of non-series-connected analog circuit blocks, an increase in the number of external terminals of the semiconductor integrated circuit can be avoided (see FIG. 5).

また、更に、本発明の他の具体的な形態では、テストモードの動作モードにおいて複数ビットのテスト制御信号(DI)がシリアル転送されるテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)の外部端子(T3)は、通常動作モードにおける半導体集積回路(IC_Chip)の内部の通常回路(Log_Cir)の外部信号端子と共用ピンとなっている。従って、非直列接続の複数のアナログ回路ブロックを内蔵する半導体集積回路の外部からのテストに際して、半導体集積回路の外部端子数の増大を回避することができる(図5参照)。   Furthermore, in another specific form of the present invention, the external terminal (T3) of the test control interface circuit (Tcnt_Int) to which a plurality of bits of the test control signal (DI) is serially transferred in the operation mode of the test mode, This pin is shared with the external signal terminal of the normal circuit (Log_Cir) inside the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) in the normal operation mode. Therefore, in the test from the outside of the semiconductor integrated circuit incorporating a plurality of non-series-connected analog circuit blocks, an increase in the number of external terminals of the semiconductor integrated circuit can be avoided (see FIG. 5).

本発明の他の具体的な形態では、テストモードの動作モードにおいて外部からテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)へ所定のレベルのストローブ信号(CS)と略一定の周波数のクロック信号(CLK)とがそれぞれ供給されるテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)の外部端子(T1、T2)は、通常動作モードにおける半導体集積回路(IC_Chip)の内部の通常回路(Log_Cir)の外部信号端子と共用ピンとなっている(図5参照)。   In another specific form of the present invention, a strobe signal (CS) having a predetermined level and a clock signal (CLK) having a substantially constant frequency are respectively supplied from the outside to the test control interface circuit (Tcnt_Int) in the operation mode of the test mode. The external terminals (T1, T2) of the supplied test control interface circuit (Tcnt_Int) are shared pins with the external signal terminals of the normal circuit (Log_Cir) inside the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) in the normal operation mode (FIG. 5).

本発明の他のより具体的な形態では、半導体集積回路(IC_Chip)はテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)に接続されたD/A変換器(DA)とA/D変換器(AD)とを含む。D/A変換器(DA)はテスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)に供給された外部からシリアル転送された複数ビットのテスト制御信号(DI)の測定用ディジタル情報を測定用アナログ情報(Tfd)に変換する。変換された測定用アナログ情報(Tfd)は、ひとつのテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1)を介してひとつのアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1)に印加される。また、ひとつのアナログ回路ブロック(Anlg_Cir1)からのアナログ測定結果(Tdet)は、ひとつのテスト用スイッチ回路(Tcnt_Sw1)を介してA/D変換器(AD)によりディジタル測定結果に変換される。このディジタル測定結果は、テスト制御インターフェース回路(Tcnt_Int)からテスト出力信号(DI)として複数ビットのシリアル信号により外部に転送される(図6参照)。   In another more specific form of the present invention, the semiconductor integrated circuit (IC_Chip) includes a D / A converter (DA) and an A / D converter (AD) connected to the test control interface circuit (Tcnt_Int). . The D / A converter (DA) converts the measurement digital information of the multi-bit test control signal (DI) serially transferred from the outside supplied to the test control interface circuit (Tcnt_Int) into the measurement analog information (Tfd). To do. The converted measurement analog information (Tfd) is applied to one analog circuit block (Anlg_Cir1) via one test switch circuit (Tcnt_Sw1). An analog measurement result (Tdet) from one analog circuit block (Anlg_Cir1) is converted into a digital measurement result by an A / D converter (AD) via one test switch circuit (Tcnt_Sw1). This digital measurement result is transferred to the outside as a test output signal (DI) from the test control interface circuit (Tcnt_Int) as a multi-bit serial signal (see FIG. 6).

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。   The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、本発明によれば、非直列接続の複数のアナログ回路ブロックを内蔵する半導体集積回路の外部からのテストに際して、半導体集積回路の外部端子数の増大を回避することができる。   That is, according to the present invention, it is possible to avoid an increase in the number of external terminals of a semiconductor integrated circuit during a test from the outside of the semiconductor integrated circuit incorporating a plurality of non-serially connected analog circuit blocks.

≪テスト制御インターフェース回路を有する半導体集積回路の回路構成≫
図1は、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intと複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNとを有する本発明のひとつの実施形態による半導体集積回路の回路構成を示す図である。同図において、破線の内部の全ての回路素子は、半導体集積回路のひとつのシリコン半導体チップIC_Chipの上に生成されている。半導体集積回路のひとつのシリコン半導体チップIC_Chipの4辺の丸は、シリコン半導体チップIC_Chipの内部回路と外部とを接続する外部端子を示している。シリコン半導体チップIC_Chipの外部には、半導体集積回路のひとつのシリコン半導体チップIC_Chipの良・不良を判別する自動テスト装置ATEが配置されている。半導体集積回路のひとつのシリコン半導体チップIC_Chipと自動テスト装置ATEとは、外部端子T1、T2、T3、T4、T5を介して接続されている。半導体集積回路IC_Chipは、通常動作モードとテストモードの二つの動作モードを有する。半導体集積回路IC_Chipの外部端子T6を介して外部から供給されるテストモード指定信号Norm/Test Modeに応答して、半導体集積回路IC_Chipはテストモードの動作モードに設定される。例えば、テストモード指定信号Norm/Test Modeがハイレベルの時は、半導体集積回路IC_Chipはテストモードに設定されて、テストモード指定信号Norm/Test Modeがローレベルの時は、半導体集積回路IC_Chipは通常動作モードに設定される。
≪Circuit configuration of semiconductor integrated circuit having test control interface circuit≫
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention having a test control interface circuit Tcnt_Int and a plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN. In the figure, all the circuit elements inside the broken line are generated on one silicon semiconductor chip IC_Chip of the semiconductor integrated circuit. Circles on four sides of one silicon semiconductor chip IC_Chip of the semiconductor integrated circuit indicate external terminals that connect the internal circuit of the silicon semiconductor chip IC_Chip with the outside. Outside the silicon semiconductor chip IC_Chip, an automatic test apparatus ATE for determining good / bad of one silicon semiconductor chip IC_Chip of the semiconductor integrated circuit is arranged. One silicon semiconductor chip IC_Chip of the semiconductor integrated circuit and the automatic test apparatus ATE are connected via external terminals T1, T2, T3, T4, and T5. The semiconductor integrated circuit IC_Chip has two operation modes, a normal operation mode and a test mode. In response to a test mode designation signal Norm / Test Mode supplied from the outside via the external terminal T6 of the semiconductor integrated circuit IC_Chip, the semiconductor integrated circuit IC_Chip is set to the test mode operation mode. For example, when the test mode designation signal Norm / Test Mode is high level, the semiconductor integrated circuit IC_Chip is set to the test mode, and when the test mode designation signal Norm / Test Mode is low level, the semiconductor integrated circuit IC_Chip is normally The operation mode is set.

半導体集積回路IC_Chipは、通常動作モードの一つの信号経路の上で非直列接続の複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNを含む。この複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNには、半導体集積回路IC_Chipのテストモードでの信号経路と通常動作モードでの信号経路とを切り換える複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNが接続されている。テストモードの動作モードにおいて、この複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNは、半導体集積回路IC_Chipの外部からテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intを介して制御される。テストモードの動作モードにおいて、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intは、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNに接続された複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNをシーケンシャルに活性化する。例えば、N個のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNの1番目のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1に接続された1番目のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1のみがテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intとテスト用制御回路Tcnt1とにより活性化され、その他のテスト用スイッチ回路は非活性化される。活性化された1番目のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1でスイッチTSW11はオン状態、スイッチTSW12はオフ状態、スイッチTSW13とスイッチTSW14とはオン状態とされる。スイッチTSW13を介して供給された測定用印加信号TfdとスイッチTSW14を介して出力される測定結果Tdetとの関係が自働テスト装置ATEにより判別されて、1番目のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1の差動増幅器DA1の差動入力オフセット電圧の良・不良が判別される。次に、N個のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNの2番目のアナログ回路ブロックAnlg_Cir2に接続された2番目のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw2のみがテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intとテスト用制御回路Tcnt2とにより活性化され、その他のテスト用スイッチ回路は非活性化される。活性化された2番目のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw2でスイッチTSW21はオン状態、スイッチTSW22はオフ状態、スイッチTSW23とスイッチTSW24とはオン状態とされる。スイッチTSW23を介して供給された測定用印加信号TfdとスイッチTSW24を介して出力される測定結果Tdetとの関係が自働テスト装置ATEにより判別されて、2番目のアナログ回路ブロックAnlg_Cir2の差動増幅器DA2の差動入力オフセット電圧の良・不良が判別される。最後に、N個のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNのN番目のアナログ回路ブロックAnlg_CirNに接続されたN番目のテスト用スイッチ回路Tcnt_SwNのみがテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intとテスト用制御回路Tcntnとにより活性化され、その他のテスト用スイッチ回路は非活性化される。活性化されたN番目のテスト用スイッチ回路Tcnt_SwNでスイッチTSWn1はオン状態、スイッチTSWn2はオフ状態、スイッチTSWn3とスイッチTSWn4とはオン状態とされる。スイッチTSWn3を介して供給された測定用印加信号TfdとスイッチTSWn4を介して出力される測定結果Tdetとの関係が自働テスト装置ATEにより判別されて、N番目のアナログ回路ブロックAnlg_CirNの差動増幅器DAnの差動入力オフセット電圧の良・不良が判別される。このようにして、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNでは、半導体集積回路IC_Chipの外部から順番に測定用印加信号Tfdの供給と測定結果Tdetの出力の制御が実行される。更に、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNのそれぞれのテストにおいて、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intは外部からシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号DIを受信する。複数ビットのテスト制御信号DIは、図4に示すようにまず複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNのいずれのアナログ回路ブロックがテストターゲットであるのかを指定するテストターゲットビット情報TTBIを含む。更に、複数ビットのテスト制御信号DIは、図4に示すように次に複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNのそれぞれのアナログ回路ブロックのテストにおいて、測定用印加信号の供給と測定結果の出力の制御のために複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNのそれぞれを構成する複数のテスト用スイッチTSW11、TSW12、TSW13、TSW14…TSWn1、TSWn2、TSWn3、TSWn4のオン・オフを制御するスイッチ制御ビット情報TSCBIを含む。図1に示すように、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intと複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNとの間には複数のテスト用制御回路Tcnt1…TcntNが接続される。この複数のテスト用制御回路Tcnt1…TcntNのそれぞれが、複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNのそれぞれを構成する複数のテスト用スイッチTSW11、TSW12、TSW13、TSW14…TSWn1、TSWn2、TSWn3、TSWn4のオン・オフを制御する。図2と図3とに示すように、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intへ外部からシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号DIは外部からの略一定の周波数のクロック信号CLKに同期して転送される。テストモードの動作モードにおいて、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intへ略一定の周波数のクロック信号CLKに同期して外部から複数ビットのテスト制御信号DIがシリアル転送される際には、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intには所定のレベルのストローブ信号が供給される。この所定のレベルのストローブ信号は、例えばハイレベルのチップ選択信号CSである。その結果、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intには、チップ選択信号CSと、略一定の周波数のクロック信号CLKと、シリアル転送の複数ビットのテスト制御信号DIとが供給される。従って、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intは、所謂3線式シリアル・インターフェースとなる。3線式シリアル・インターフェースは少ないI/O端子数のシリアル・ディジタル・インターフェースとして、マイクロコンピュータ内蔵シリアル・インターフェース等として現在、普及が進んでいるものである。   The semiconductor integrated circuit IC_Chip includes a plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN that are non-series connected on one signal path in the normal operation mode. The plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN are connected to a plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN for switching between a signal path in the test mode and a signal path in the normal operation mode of the semiconductor integrated circuit IC_Chip. In the test mode operation mode, the plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN are controlled from outside the semiconductor integrated circuit IC_Chip via the test control interface circuit Tcnt_Int. In the test mode operation mode, the test control interface circuit Tcnt_Int sequentially activates the plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN connected to the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN. For example, only the first test switch circuit Tcnt_Sw1 connected to the first analog circuit block Anlg_Cir1 of the N analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN is activated by the test control interface circuit Tcnt_Int and the test control circuit Tcnt1. Other test switch circuits are deactivated. In the activated first test switch circuit Tcnt_Sw1, the switch TSW11 is turned on, the switch TSW12 is turned off, and the switches TSW13 and TSW14 are turned on. The relationship between the measurement application signal Tfd supplied via the switch TSW13 and the measurement result Tdet output via the switch TSW14 is determined by the automatic test apparatus ATE, and the differential amplifier of the first analog circuit block Anlg_Cir1 Whether the differential input offset voltage of DA1 is good or bad is determined. Next, only the second test switch circuit Tcnt_Sw2 connected to the second analog circuit block Anlg_Cir2 of the N analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN is activated by the test control interface circuit Tcnt_Int and the test control circuit Tcnt2. The other test switch circuits are deactivated. In the activated second test switch circuit Tcnt_Sw2, the switch TSW21 is turned on, the switch TSW22 is turned off, and the switches TSW23 and TSW24 are turned on. The relationship between the measurement application signal Tfd supplied via the switch TSW23 and the measurement result Tdet output via the switch TSW24 is determined by the automatic test apparatus ATE, and the differential amplifier of the second analog circuit block Anlg_Cir2 Whether the differential input offset voltage of DA2 is good or bad is determined. Finally, only the Nth test switch circuit Tcnt_SwN connected to the Nth analog circuit block Anlg_CirN of the N analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN is activated by the test control interface circuit Tcnt_Int and the test control circuit Tcntn. The other test switch circuits are deactivated. In the activated N-th test switch circuit Tcnt_SwN, the switch TSWn1 is turned on, the switch TSWn2 is turned off, and the switches TSWn3 and TSWn4 are turned on. The relationship between the measurement applied signal Tfd supplied via the switch TSWn3 and the measurement result Tdet output via the switch TSWn4 is determined by the automatic test apparatus ATE, and the differential amplifier of the Nth analog circuit block Anlg_CirN Whether the DAn differential input offset voltage is good or bad is determined. In this way, in the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN, the supply of the measurement application signal Tfd and the output of the measurement result Tdet are sequentially controlled from the outside of the semiconductor integrated circuit IC_Chip. Further, in each test of the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN, the test control interface circuit Tcnt_Int receives a multi-bit test control signal DI serially transferred from the outside. As shown in FIG. 4, the multi-bit test control signal DI first includes test target bit information TTBI designating which analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN is the test target. Further, as shown in FIG. 4, the multi-bit test control signal DI is used to control the supply of the measurement application signal and the output of the measurement result in the test of each analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN. Switch control bit information TSCBI for controlling ON / OFF of a plurality of test switches TSW11, TSW12, TSW13, TSW14,... TSWn1, TSWn2, TSWn3, and TSWn4 that constitute each of the plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1. Including. As shown in FIG. 1, a plurality of test control circuits Tcnt1... TcntN are connected between the test control interface circuit Tcnt_Int and the plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN. Each of the plurality of test control circuits Tcnt1... TcntN turns on the plurality of test switches TSW11, TSW12, TSW13, TSW14.・ Control off. As shown in FIGS. 2 and 3, the test control signal DI of a plurality of bits serially transferred from the outside to the test control interface circuit Tcnt_Int is transferred in synchronization with a clock signal CLK having a substantially constant frequency from the outside. In the test mode operation mode, when a plurality of bits of the test control signal DI are serially transferred from the outside to the test control interface circuit Tcnt_Int in synchronization with the clock signal CLK having a substantially constant frequency, the test control interface circuit Tcnt_Int A strobe signal of a predetermined level is supplied. This predetermined level strobe signal is, for example, a high-level chip selection signal CS. As a result, the test control interface circuit Tcnt_Int is supplied with a chip selection signal CS, a clock signal CLK having a substantially constant frequency, and a test control signal DI having a plurality of bits for serial transfer. Therefore, the test control interface circuit Tcnt_Int is a so-called three-wire serial interface. The three-wire serial interface is currently spreading as a serial digital interface with a small number of I / O terminals and as a serial interface with a built-in microcomputer.

≪半導体集積回路の通常動作モード≫
半導体集積回路IC_Chipは、通常動作モードの一つの信号経路の上で非直列接続の複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNを含む。この複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNのそれぞれは、スイッチングレギュレータである。本実施形態では、6個のスイッチングレギュレータが半導体集積回路IC_Chipの内部に搭載されており、同一レベルの入力直流電圧VIN1…VINnから分圧抵抗R11、R12…Rn1、Rn2の分圧比により同一レベルもしくは異なるレベルの出力直流電圧VOUT1…VOUTnを並列に出力することが可能である。この複数のスイッチングレギュレータは、外部端子T8…T12に供給される入力直流電圧VIN1…VINnからハイサイドスイッチM11、Mn1の導通期間TONHとローサイドスイッチM12、Mn2の導通期間TONLとの比で決定される出力直流電圧VOUT1…VOUTnを生成する。厳密に言えば、出力直流電圧VOUT1…VOUTnは、スイッチングレギュレータの出力端子である外部端子T9…T13に一端が接続され、他端が平滑容量C10…Cn0と負荷ZL1…ZLnに接続された平滑コイルL1…Lnの他端に生成される。負荷ZL1…ZLnに流れる電流変動等の負荷変動は、外部端子T7…T11を介して分圧抵抗R11、R12…Rn1、Rn2に帰還される。分圧抵抗R11、R12…Rn1、Rn2による負荷変動検出信号は差動増幅器DA1…DAnの誤差増幅器により増幅される。厳密に言えば、分圧抵抗R11、R12…Rn1、Rn2による負荷変動検出信号は差動増幅器DA1…DAnの反転入力端子に印加される一方、差動増幅器DA1…DAnの非反転入力端子には基準電圧Vref1…Vrefnが供給されている。誤差増幅器としての差動増幅器DA1…DAnの出力信号は比較器CMP1…CMPnの非反転入力端子に印加される一方、比較器CMP1…CMPnの反転入力端子には三角波信号生成回路Tri_Gen1…Tri_GennからのPWM(Pulse Width Modulation)変調用基準三角波信号が供給される。比較器CMP1…CMPnの出力信号は、スイッチングコントローラSWC1…SWCnの入力に供給される。スイッチングコントローラSWC1…SWCnの出力は、ハイサイドスイッチM11、Mn1を駆動するドライバDR11、DRn1の入力と、ローサイドスイッチM12、Mn2を駆動するドライバDR12、DRn2の入力とに供給されている。負荷ZL1…ZLnに流れる電流の減少により、出力直流電圧VOUT1…VOUTnが上昇したと仮定する。すると、比較器CMP1…CMPnによってPWM変調用基準三角波信号と比較される差動増幅器DA1…DAnの出力直流レベルが低下する。すると、比較器CMP1…CMPnの出力のハイレベル期間が長くなる一方、出力のローレベル期間が短くなる。すると、比較器CMP1…CMPnの出力により制御されるスイッチングコントローラSWC1…SWCnは、ハイサイドスイッチM11、Mn1の導通期間TONHを短くする一方、ローサイドスイッチM12、Mn2の導通期間TONLを長くする。その結果、出力直流電圧VOUT1…VOUTnが低下して、負荷ZL1…ZLnの負荷変動にもかかわらず出力直流電圧VOUT1…VOUTnは略一定に維持されることができる。尚、誤差増幅器としての差動増幅器DA1…DAnの出力端子と反転入力端子との間に接続された容量C11…Cn1は、差動増幅器DA1…DAnの発振防止用の位相補償容量である。また、外部端子T9…T13と差動増幅器DA1…DAnの反転入力端子との間に接続された抵抗R13…Rn3と容量C12…Cn2との直列回路は、スイッチングレギュレータのオープンループでの位相余裕を向上するための位相補償回路である。このように、半導体集積回路の通常動作モードにおいては、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNが複数のスイッチングレギュレータとして動作する。この通常動作モードにおいては、複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNのそれぞれでは複数のスイッチTSW11(TSWn1)、SW12(TSWn2)、SW13(TSWn3)、SW14(TSWn4)はそれぞれオフ状態、オン状態、オフ状態、オフ状態に制御されている。
≪Normal operation mode of semiconductor integrated circuit≫
The semiconductor integrated circuit IC_Chip includes a plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN that are non-series connected on one signal path in the normal operation mode. Each of the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN is a switching regulator. In this embodiment, six switching regulators are mounted in the semiconductor integrated circuit IC_Chip, and the same level or the same level depending on the voltage dividing ratio of the voltage dividing resistors R11, R12... Rn1, Rn2 from the input DC voltage VIN1. Different levels of output DC voltages V OUT1 ... V OUTn can be output in parallel. The plurality of switching regulators are determined by the ratio of the conduction period T ONH of the high-side switches M11 and Mn1 to the conduction period T ONL of the low-side switches M12 and Mn2 from the input DC voltage VIN1. Output DC voltages V OUT1 ... V OUTn are generated. Strictly speaking, the output DC voltage V OUT1 ... V OUTn has one end to the external terminal T9 ... T13 is the output terminal of the switching regulator is connected, the other end connected to the load Z L1 ... Z Ln and smoothing capacitor C10 ... Cn0 Is generated at the other end of the smoothed coils L1... Ln. Load fluctuations such as current fluctuations flowing through the loads Z L1 ... Z Ln are fed back to the voltage dividing resistors R11, R12... Rn1, Rn2 via the external terminals T7. The load fluctuation detection signals by the voltage dividing resistors R11, R12... Rn1, Rn2 are amplified by the error amplifiers of the differential amplifiers DA1. Strictly speaking, the load fluctuation detection signals by the voltage dividing resistors R11, R12... Rn1, Rn2 are applied to the inverting input terminals of the differential amplifiers DA1. Reference voltages Vref1... Vrefn are supplied. The output signals of the differential amplifiers DA1... DAn as error amplifiers are applied to the non-inverting input terminals of the comparators CMP1... CMPn, while the inverting input terminals of the comparators CMP1... CMPn are supplied from the triangular wave signal generation circuit Tri_Gen1. A reference triangular wave signal for PWM (Pulse Width Modulation) modulation is supplied. The output signals of the comparators CMP1... CMPn are supplied to the inputs of the switching controllers SWC1. The outputs of the switching controllers SWC1... SWCn are supplied to inputs of drivers DR11 and DRn1 that drive the high-side switches M11 and Mn1 and inputs of drivers DR12 and DRn2 that drive the low-side switches M12 and Mn2. It is assumed that the output DC voltage V OUT1 ... V OUTn has increased due to a decrease in the current flowing through the loads Z L1 ... Z Ln . Then, the output DC level of the differential amplifiers DA1... DAn that is compared with the PWM modulation reference triangular wave signal by the comparators CMP1. As a result, the output high level period of the comparators CMP1... CMPn becomes longer, while the output low level period becomes shorter. Then, the switching controller SWC1 ... SWCn which is controlled by the output of the comparator CMP1 ... CMPn, while shortening the conduction period T ONH of the high-side switch M11, Mn1, to lengthen the conduction period T ONL of the low-side switch M12, Mn2. As a result, the output DC voltage V OUT1 ... V OUTn is lowered, the load Z L1 ... load despite variations DC output voltage V OUT1 ... V OUTn of Z Ln can be maintained substantially constant. Capacitors C11... Cn1 connected between output terminals and inverting input terminals of differential amplifiers DA1... DAn as error amplifiers are phase compensation capacitors for preventing oscillation of the differential amplifiers DA1. Also, the series circuit of resistors R13... Rn3 and capacitors C12... Cn2 connected between the external terminals T9... T13 and the inverting input terminals of the differential amplifiers DA1. This is a phase compensation circuit for improvement. Thus, in the normal operation mode of the semiconductor integrated circuit, the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN operate as a plurality of switching regulators. In this normal operation mode, in each of the plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1. The state is controlled to the off state.

≪半導体集積回路のテストモード≫
図1に示した半導体集積回路の動作モードをテストモードに設定するために、外部端子T6に供給されるテストモード指定信号Norm/Test Modeがハイレベルとされる。図2と図3に示すようにこのハイレベルのテストモード指定信号Norm/Test Modeにテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intが応答する。テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intは、自動テスト装置ATEから外部端子T1に印加されたチップ選択信号CSがハイレベルの期間に端子T2の略一定の周波数のクロック信号CLKに同期して外部端子T3に入力されるデータDIをテスト制御信号として処理する。このテスト制御信号DIに応答してテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intは、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNに接続された複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNをシーケンシャルに活性化する。具体的には、テスト制御信号DIに含まれるテストターゲットビット情報TTBIに応答して、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intは複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNのいずれのアナログ回路ブロックが自動テスト装置ATEによって現在テストされるテストターゲットであるかが指定される。3ビットのテストターゲットビット情報TTBIの下記の組み合わせにより、6個の複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNがシーケンシャルに順番でテストターゲットとして指定されることができる。
≪Semiconductor integrated circuit test mode≫
In order to set the operation mode of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1 to the test mode, the test mode designating signal Norm / Test Mode supplied to the external terminal T6 is set to the high level. As shown in FIGS. 2 and 3, the test control interface circuit Tcnt_Int responds to the high-level test mode designation signal Norm / Test Mode. The test control interface circuit Tcnt_Int is input to the external terminal T3 in synchronization with the clock signal CLK having a substantially constant frequency at the terminal T2 during a period when the chip selection signal CS applied from the automatic test apparatus ATE to the external terminal T1 is at a high level. Data DI to be processed as a test control signal. In response to the test control signal DI, the test control interface circuit Tcnt_Int sequentially activates the plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1... Tcnt_SwN connected to the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1. Specifically, in response to the test target bit information TTBI included in the test control signal DI, the test control interface circuit Tcnt_Int is currently tested by the automatic test apparatus ATE which analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN. It is specified whether it is a test target. With the following combination of the 3-bit test target bit information TTBI, six analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN can be sequentially designated as test targets.

TTBI テストターゲット
“001” 1番目のアナログ回路ブロック
“010” 2番目のアナログ回路ブロック
“011” 3番目のアナログ回路ブロック
“100” 4番目のアナログ回路ブロック
“101” 5番目のアナログ回路ブロック
“111” 6番目のアナログ回路ブロック
図3と図4の例では、3ビットのテストターゲットビット情報TTBIの組み合わせは“101”であるので、5番目のアナログ回路ブロックが現在のテストターゲットとして指定されている。これにより、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNでは、半導体集積回路IC_Chipの外部から順番に測定用印加信号Tfdの供給と測定結果Tdetの出力の制御が実行される。
TTBI test target “001” first analog circuit block “010” second analog circuit block “011” third analog circuit block “100” fourth analog circuit block “101” fifth analog circuit block “111” 6th analog circuit block In the example of FIGS. 3 and 4, the combination of the 3-bit test target bit information TTBI is “101”, so the 5th analog circuit block is designated as the current test target. . Thereby, in the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN, the supply of the measurement application signal Tfd and the output of the measurement result Tdet are sequentially controlled from the outside of the semiconductor integrated circuit IC_Chip.

以上のように複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNから任意のひとつのアナログ回路ブロックがテストターゲットとして指定された後、指定されたアナログ回路ブロックに接続された一つのテスト用スイッチ回路を構成する複数のスイッチのオン・オフ制御がスイッチ制御ビット情報TSCBIの複数のビットにより任意に指定される。図3と図4の例では、4ビットのスイッチ制御ビット情報TSCBIの組み合わせは“1011”であるので、一つのテスト用スイッチ回路を構成する1番目のテスト用スイッチTSW11(TSWn1)はオン状態に制御され、2番目のテスト用スイッチTSW12(TSWn2)はオフ状態に制御され、3番目と4番目のテスト用スイッチTSW13(TSWn3)、TSW14(TSWn4)は伴にオン状態に制御される。1番目のテスト用スイッチTSW11(TSWn1)がオン状態に制御されることにより、差動増幅器DA1(DAn)の出力端子と反転入力端子とが短絡接続される。2番目のテスト用スイッチTSW12(TSWn2)がオフ状態に制御されることにより、差動増幅器DA1(DAn)の反転入力端子は分圧回路R11、R12(分圧回路Rn1、Rn2)と電気的に分離される。3番目のテスト用スイッチTSW13(TSWn3)がオン状態に制御されることにより、差動増幅器DA1(DAn)の反転入力端子に自動テスト装置ATEから外部端子T4を介して測定用印加信号Tfdが供給される。この時には差動増幅器DA1(DAn)の反転入力端子に接続された基準電圧発生回路Vref1(Vrefn)は高出力インピーダンスの状態に制御されている。4番目のテスト用スイッチTSW14(TSWn4)がオン状態に制御されることにより、差動増幅器DA1(DAn)の短絡接続された出力端子と反転入力端子との測定結果Tdetが外部端子T5を介して自動テスト装置ATEへ転送される。自動テスト装置ATEは外部端子T5の測定結果Tdetの電圧と外部端子T4の測定用印加信号Tfdの電圧と差が許容値範囲なら差動オフセット電圧は小さいと自動判断し、そうでないなら差動オフセット電圧は大きいと自動判断する。   As described above, after any one analog circuit block is designated as a test target from a plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN, a plurality of test switch circuits that are connected to the designated analog circuit block are configured. Switch on / off control is arbitrarily designated by a plurality of bits of switch control bit information TSCBI. In the example of FIGS. 3 and 4, since the combination of the 4-bit switch control bit information TSCBI is “1011”, the first test switch TSW11 (TSWn1) constituting one test switch circuit is turned on. The second test switch TSW12 (TSWn2) is controlled to be turned off, and the third and fourth test switches TSW13 (TSWn3) and TSW14 (TSWn4) are controlled to be turned on. The first test switch TSW11 (TSWn1) is controlled to be turned on, whereby the output terminal and the inverting input terminal of the differential amplifier DA1 (DAn) are short-circuited. When the second test switch TSW12 (TSWn2) is controlled to be turned off, the inverting input terminal of the differential amplifier DA1 (DAn) is electrically connected to the voltage dividing circuits R11, R12 (voltage dividing circuits Rn1, Rn2). To be separated. When the third test switch TSW13 (TSWn3) is controlled to be turned on, the measurement application signal Tfd is supplied from the automatic test apparatus ATE to the inverting input terminal of the differential amplifier DA1 (DAn) via the external terminal T4. Is done. At this time, the reference voltage generation circuit Vref1 (Vrefn) connected to the inverting input terminal of the differential amplifier DA1 (DAn) is controlled to a high output impedance state. When the fourth test switch TSW14 (TSWn4) is controlled to be in the ON state, the measurement result Tdet of the short-circuited output terminal and the inverting input terminal of the differential amplifier DA1 (DAn) is transmitted via the external terminal T5. Transferred to automatic test equipment ATE. The automatic test apparatus ATE automatically determines that the differential offset voltage is small if the difference between the voltage of the measurement result Tdet of the external terminal T5 and the voltage of the measurement application signal Tfd of the external terminal T4 is within the allowable value range, and if not, the differential offset Automatically determines that the voltage is high.

≪その他の実施形態による半導体集積回路≫
図5は本発明のその他の実施形態による半導体集積回路の回路構成を示す図である。同図の回路構成が図1のそれと相違する点を、以下に説明する。同図において、テストモードにおいてテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intが使用する外部端子T1、T2、T3と複数のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1…Tcnt_SwNが使用する外部端子T4、T5とは、通常動作モードにおける半導体集積回路IC_Chipの内部の通常回路の外部端子と共用ピンとなっている。この例では、内部の通常回路は論理回路Log_cirで構成されているので、半導体集積回路IC_Chipは、アナログ・ディジタル・ミックスドICである。この内部の通常回路としての論理回路Log_cirとテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intとに、テストモード指定信号Norm/Test Modeが共通に印加されている。テストモード指定信号Norm/Test Modeがハイレベルの時には、テストモードとなって、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intが外部端子T1、T2、T3、T4、T5の使用権利を獲得する。テストモード指定信号Norm/Test Modeがローレベルの時には、通常動作モードとなって、通常回路としての論理回路Log_cirが外部端子T1、T2、T3、T4、T5の使用権利を獲得する。尚、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNは、図1と同様に複数のスイッチングレキュレータを構成している。
<< Semiconductor Integrated Circuit According to Other Embodiments >>
FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention. The difference between the circuit configuration of FIG. 1 and that of FIG. 1 will be described below. In the figure, the external terminals T1, T2, T3 used by the test control interface circuit Tcnt_Int in the test mode and the external terminals T4, T5 used by the plurality of test switch circuits Tcnt_Sw1 ... Tcnt_SwN are semiconductor integrated circuits in the normal operation mode. It is a pin shared with the external terminal of the normal circuit inside IC_Chip. In this example, since the internal normal circuit is composed of the logic circuit Log_cir, the semiconductor integrated circuit IC_Chip is an analog / digital mixed IC. A test mode designating signal Norm / Test Mode is commonly applied to the logic circuit Log_cir and the test control interface circuit Tcnt_Int as the internal normal circuit. When the test mode designation signal Norm / Test Mode is at a high level, the test mode is entered and the test control interface circuit Tcnt_Int acquires the right to use the external terminals T1, T2, T3, T4, and T5. When the test mode designation signal Norm / Test Mode is at a low level, the normal operation mode is entered, and the logic circuit Log_cir as a normal circuit acquires the right to use the external terminals T1, T2, T3, T4, and T5. Note that the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN constitute a plurality of switching rectifiers as in FIG.

図6は本発明のその他の実施形態による半導体集積回路の回路構成を示す図である。同図の回路構成が図5のそれと相違する点を、以下に説明する。この半導体集積回路IC_Chipはテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intに接続されたD/A変換器DAとA/D変換器ADとを含む。このD/A変換器DAとA/D変換器ADとは、半導体集積回路IC_Chipの通常動作モードにおいて、内部の通常回路としての論理回路Log_cirの出力と入力とにそれぞれ接続される。それによって、通常回路としての論理回路Log_cirとD/A変換器DAとA/D変換器ADとは、内部がディジタル信号処理で、外部インターフェースがアナログ信号のデータ処理を実行する。半導体集積回路IC_Chipのテストモードにおいて、D/A変換器DAはテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intに供給された外部からシリアル転送された複数ビットのテスト制御信号DIの測定用ディジタル情報を測定用アナログ情報Tfdに変換する。変換された測定用アナログ情報Tfdは、例えば1番目のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1を介して1番目のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1に印加される。また、1番目のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1からのアナログ測定結果Tdetは、1番目のテスト用スイッチ回路Tcnt_Sw1を介してA/D変換器ADによりディジタル測定結果に変換される。このディジタル測定結果は、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intからテスト出力信号DIが複数ビットのシリアル信号の形態で外部の自動テスト装置ATEへ転送される。この転送に際して、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intは、チップ選択信号CSをローレベルに設定する。すなわち、チップ選択信号CSがハイレベルの時には、外部の自動テスト装置ATEからテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intへテスト制御信号DIが転送される。また、チップ選択信号CSがローレベルの時には、テスト制御インターフェース回路Tcnt_Intから外部の自動テスト装置ATEへテスト出力信号DIが転送される。   FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention. The point that the circuit configuration of the figure is different from that of FIG. 5 will be described below. The semiconductor integrated circuit IC_Chip includes a D / A converter DA and an A / D converter AD connected to the test control interface circuit Tcnt_Int. The D / A converter DA and the A / D converter AD are connected to the output and input of the logic circuit Log_cir as an internal normal circuit in the normal operation mode of the semiconductor integrated circuit IC_Chip. Accordingly, the logic circuit Log_cir, the D / A converter DA, and the A / D converter AD as a normal circuit internally perform digital signal processing, and the external interface executes analog signal data processing. In the test mode of the semiconductor integrated circuit IC_Chip, the D / A converter DA converts the digital information for measurement of the multi-bit test control signal DI serially transferred from the outside supplied to the test control interface circuit Tcnt_Int into the measurement analog information Tfd. Convert. The converted measurement analog information Tfd is applied to the first analog circuit block Anlg_Cir1 via, for example, the first test switch circuit Tcnt_Sw1. The analog measurement result Tdet from the first analog circuit block Anlg_Cir1 is converted into a digital measurement result by the A / D converter AD via the first test switch circuit Tcnt_Sw1. This digital measurement result is transferred from the test control interface circuit Tcnt_Int to the external automatic test apparatus ATE in the form of a test output signal DI in the form of a multi-bit serial signal. During this transfer, the test control interface circuit Tcnt_Int sets the chip selection signal CS to a low level. That is, when the chip selection signal CS is at a high level, the test control signal DI is transferred from the external automatic test apparatus ATE to the test control interface circuit Tcnt_Int. When the chip selection signal CS is at a low level, the test output signal DI is transferred from the test control interface circuit Tcnt_Int to the external automatic test apparatus ATE.

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited thereto and can be variously modified without departing from the gist thereof.

例えば、図1の実施形態において、複数の三角波信号生成回路Tri_Gen1…Tri_Gennは1個の共通の三角波信号生成回路とすることもできる。また、図6の実施形態において、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNは、それぞれ同一のアナログ信号処理の機能を持つことに限定されない。すなわち、複数のアナログ回路ブロックAnlg_Cir1…Anlg_CirNは、異なるアナログ信号処理の機能を持つことも可能である。   For example, in the embodiment of FIG. 1, the plurality of triangular wave signal generation circuits Tri_Gen1... Tri_Genn may be a single common triangular wave signal generation circuit. Further, in the embodiment of FIG. 6, the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN are not limited to having the same analog signal processing function. That is, the plurality of analog circuit blocks Anlg_Cir1... Anlg_CirN can have different analog signal processing functions.

図1は、本発明のひとつの実施形態による半導体集積回路の回路構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1に示したテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intの機能を説明する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the function of the test control interface circuit Tcnt_Int shown in FIG. 図3は、図2に示したテスト制御インターフェース回路Tcnt_Intの入力信号と出力信号の波形図である。FIG. 3 is a waveform diagram of an input signal and an output signal of the test control interface circuit Tcnt_Int shown in FIG. 図4は、図3に示した複数ビットのテスト制御信号DIに含まれるテストターゲットビット情報TTBIとスイッチ制御ビット情報TSCBIとを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing test target bit information TTBI and switch control bit information TSCBI included in the multi-bit test control signal DI shown in FIG. 図5は本発明のその他の実施形態による半導体集積回路の回路構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention. 図6は本発明のその他の実施形態による半導体集積回路の回路構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

IC_Chip 半導体集積回路
Norm/Test Mode テストモード指定信号
Anlg_Cir1…Anlg_CirN 複数のアナログ回路ブロック
ATE 自動テスト装置
DI シリアル転送される複数ビットのテスト制御信号
Tcnt_Int テスト制御インターフェース回路
Tcnt1…Tcntn テスト制御回路
Tcnt_Sw1…Tcnt_SwN 複数のテスト用スイッチ回路
IC_Chip Semiconductor Integrated Circuit Norm / Test Mode Test Mode Designation Signal Anlg_Cir1... Anlg_CirN Multiple Analog Circuit Blocks ATE Automatic Test Device DI Serial Transfer Multiple Bit Test Control Signal Tcnt_Int Test Control Interface Circuit Tcntn Test Control Circuit TcntNtSw1 Switch circuit for testing

Claims (28)

半導体集積回路は、通常動作モードとテストモードの二つの動作モードを有してなり、
前記半導体集積回路の外部から供給されるテストモード指定信号に応答して、前記半導体集積回路は前記テストモードの動作モードに設定され、
前記半導体集積回路は、前記通常動作モードの一つの信号経路の上で非直列接続の複数のアナログ回路ブロックを含んでなり、
前記複数のアナログ回路ブロックのそれぞれは、差動増幅器と、前記差動増幅器に接続された複数の抵抗と、前記差動増幅器に接続された容量とを含んでなり、
前記複数のアナログ回路ブロックには、前記半導体集積回路の前記テストモードでの信号経路と前記通常動作モードでの信号経路とを切り換える複数のテスト用スイッチ回路が接続されてなり、
前記半導体集積回路は、前記複数のテスト用スイッチ回路に接続されたテスト制御インターフェース回路を含んでなり、
前記テストモードの動作モードにおいて、前記複数のテスト用スイッチ回路は、前記半導体集積回路の外部から前記テスト制御インターフェース回路を介して制御され、
前記テストモードの動作モードにおいて、前記テスト制御インターフェース回路は、前記複数のアナログ回路ブロックに接続された前記複数のテスト用スイッチ回路をシーケンシャルに活性化することにより、前記複数のアナログ回路ブロックでは順番に前記半導体集積回路の外部からの測定用印加信号の供給と測定結果の前記半導体集積回路の外部への出力の制御が実行され、
前記複数のアナログ回路ブロックのそれぞれのテストにおいて、前記テスト制御インターフェース回路は外部からシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号を受信する半導体集積回路。
The semiconductor integrated circuit has two operation modes, a normal operation mode and a test mode.
In response to a test mode designation signal supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit is set to an operation mode of the test mode,
The semiconductor integrated circuit includes a plurality of analog circuit blocks connected in non-series on one signal path in the normal operation mode,
Each of the plurality of analog circuit blocks includes a differential amplifier, a plurality of resistors connected to the differential amplifier, and a capacitor connected to the differential amplifier.
The plurality of analog circuit blocks are connected to a plurality of test switch circuits for switching a signal path in the test mode and a signal path in the normal operation mode of the semiconductor integrated circuit,
The semiconductor integrated circuit includes a test control interface circuit connected to the plurality of test switch circuits.
In the operation mode of the test mode, the plurality of test switch circuits are controlled from outside the semiconductor integrated circuit via the test control interface circuit,
In the operation mode of the test mode, the test control interface circuit sequentially activates the plurality of test switch circuits connected to the plurality of analog circuit blocks, so that the plurality of analog circuit blocks sequentially The supply of the measurement application signal from the outside of the semiconductor integrated circuit and the control of the output of the measurement result to the outside of the semiconductor integrated circuit are executed,
In each test of the plurality of analog circuit blocks, the test control interface circuit receives a plurality of bits of a test control signal serially transferred from the outside.
前記複数ビットのテスト制御信号は、前記複数のアナログ回路ブロックのそれぞれのアナログ回路ブロックのテストにおいて、前記測定用印加信号の前記供給と前記測定結果の前記出力の制御のために前記複数のテスト用スイッチ回路のそれぞれを構成する複数のテスト用スイッチのオン・オフを制御するスイッチ制御ビット情報を含む請求項1に記載の半導体集積回路。   The plurality of bit test control signals are used for the plurality of test circuits for controlling the supply of the measurement application signal and the output of the measurement result in a test of each analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks. 2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, comprising switch control bit information for controlling ON / OFF of a plurality of test switches constituting each of the switch circuits. 前記複数ビットのテスト制御信号は、前記複数のアナログ回路ブロックのいずれのアナログ回路ブロックがテストターゲットであるのかを指定するテストターゲットビット情報を含む請求項1に記載の半導体集積回路。   2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the plurality of bits of the test control signal includes test target bit information for designating which analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks is a test target. 前記複数ビットのテスト制御信号は、前記複数のアナログ回路ブロックのいずれのアナログ回路ブロックがテストターゲットであるのかを指定するテストターゲットビット情報を含む請求項2に記載の半導体集積回路。   3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the plurality of bits of the test control signal include test target bit information for designating which analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks is a test target. 前記テスト制御インターフェース回路と前記複数のテスト用スイッチ回路との間には複数のテスト用制御回路が接続され、
前記複数のテスト用制御回路のそれぞれが前記複数のテスト用スイッチ回路のそれぞれを構成する前記複数のテスト用スイッチのオン・オフを制御する請求項2に記載の半導体集積回路。
A plurality of test control circuits are connected between the test control interface circuit and the plurality of test switch circuits,
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein each of the plurality of test control circuits controls on / off of the plurality of test switches constituting each of the plurality of test switch circuits.
前記半導体集積回路の外部から前記テスト制御インターフェース回路へシリアル転送される前記複数ビットのテスト制御信号は前記半導体集積回路の外部からの略一定の周波数のクロック信号に同期して転送される請求項2に記載の半導体集積回路。   3. The test control signal of a plurality of bits serially transferred from the outside of the semiconductor integrated circuit to the test control interface circuit is transferred in synchronization with a clock signal having a substantially constant frequency from the outside of the semiconductor integrated circuit. A semiconductor integrated circuit according to 1. 前記テストモードの動作モードにおいて、前記テスト制御インターフェース回路へ略一定の前記周波数の前記クロック信号に同期して外部から前記複数ビットの前記テスト制御信号がシリアル転送される際には、前記テスト制御インターフェース回路には所定のレベルのストローブ信号が供給される請求項6に記載の半導体集積回路。   In the operation mode of the test mode, when the test control signal of the plurality of bits is serially transferred from the outside to the test control interface circuit in synchronization with the clock signal having the substantially constant frequency, the test control interface 7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein a strobe signal having a predetermined level is supplied to the circuit. 前記所定のレベルのストローブ信号は、前記所定のレベルのチップ選択信号である請求項7に記載の半導体集積回路。   8. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein the strobe signal at the predetermined level is a chip selection signal at the predetermined level. 前記テストモードの動作モードにおいて前記複数ビットの前記テスト制御信号がシリアル転送される前記テスト制御インターフェース回路の外部端子は、前記通常動作モードにおける前記半導体集積回路の内部の通常回路の外部信号端子と共用ピンとなっている請求項2から請求項8のいずれかに記載の半導体集積回路。   The external terminal of the test control interface circuit to which the test control signal of the plurality of bits is serially transferred in the operation mode of the test mode is shared with the external signal terminal of the normal circuit inside the semiconductor integrated circuit in the normal operation mode. 9. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the semiconductor integrated circuit is a pin. 前記通常動作の動作モードにおいて前記複数のアナログ回路ブロックは並列動作が可能であって、前記並列動作により前記複数のアナログ回路ブロックは複数の出力を並列に出力可能である請求項2から請求項8のいずれかに記載の半導体集積回路。   9. The plurality of analog circuit blocks can operate in parallel in the normal operation mode, and the plurality of analog circuit blocks can output a plurality of outputs in parallel by the parallel operation. A semiconductor integrated circuit according to any one of the above. 前記通常動作の動作モードにおいて前記複数のアナログ回路ブロックは並列動作が可能であって、前記並列動作により前記複数のアナログ回路ブロックは複数の出力を並列に出力可能である請求項9に記載の半導体集積回路。   The semiconductor according to claim 9, wherein the plurality of analog circuit blocks can operate in parallel in the normal operation mode, and the plurality of analog circuit blocks can output a plurality of outputs in parallel by the parallel operation. Integrated circuit. 半導体集積回路は、通常動作モードとテストモードの二つの動作モードを有してなり、
前記半導体集積回路の外部から供給されるテストモード指定信号に応答して、前記半導体集積回路は前記テストモードの動作モードに設定され、
前記半導体集積回路は、前記通常動作モードの一つの信号経路の上で非直列接続の複数のアナログ回路ブロックを含んでなり、
前記複数のアナログ回路ブロックには、前記半導体集積回路の前記テストモードでの信号経路と前記通常動作モードでの信号経路とを切り換える複数のテスト用スイッチ回路が接続されてなり、
前記半導体集積回路は、前記複数のテスト用スイッチ回路に接続されたテスト制御インターフェース回路を含んでなり、
前記テストモードの動作モードにおいて、前記複数のテスト用スイッチ回路は、前記半導体集積回路の外部から前記テスト制御インターフェース回路を介して制御され、
前記テストモードの動作モードにおいて、前記テスト制御インターフェース回路は、前記複数のアナログ回路ブロックに接続された前記複数のテスト用スイッチ回路をシーケンシャルに活性化することにより、前記複数のアナログ回路ブロックでは順番に前記半導体集積回路の外部からの測定用印加信号の供給と測定結果の前記半導体集積回路の外部への出力の制御が実行され、
前記複数のアナログ回路ブロックのそれぞれのテストにおいて、前記テスト制御インターフェース回路は外部からシリアル転送される複数ビットのテスト制御信号を受信する半導体集積回路。
The semiconductor integrated circuit has two operation modes, a normal operation mode and a test mode.
In response to a test mode designation signal supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit is set to an operation mode of the test mode,
The semiconductor integrated circuit includes a plurality of analog circuit blocks connected in non-series on one signal path in the normal operation mode,
The plurality of analog circuit blocks are connected to a plurality of test switch circuits for switching a signal path in the test mode and a signal path in the normal operation mode of the semiconductor integrated circuit,
The semiconductor integrated circuit includes a test control interface circuit connected to the plurality of test switch circuits.
In the operation mode of the test mode, the plurality of test switch circuits are controlled from outside the semiconductor integrated circuit via the test control interface circuit,
In the operation mode of the test mode, the test control interface circuit sequentially activates the plurality of test switch circuits connected to the plurality of analog circuit blocks, so that the plurality of analog circuit blocks sequentially The supply of the measurement application signal from the outside of the semiconductor integrated circuit and the control of the output of the measurement result to the outside of the semiconductor integrated circuit are executed,
In each test of the plurality of analog circuit blocks, the test control interface circuit receives a plurality of bits of a test control signal serially transferred from the outside.
前記複数ビットのテスト制御信号は、前記複数のアナログ回路ブロックのそれぞれのアナログ回路ブロックのテストにおいて、前記測定用印加信号の前記供給と前記測定結果の前記出力の制御のために前記複数のテスト用スイッチ回路のそれぞれを構成する複数のテスト用スイッチのオン・オフを制御するスイッチ制御ビット情報を含む請求項12に記載の半導体集積回路。   The plurality of bit test control signals are used for the plurality of test circuits for controlling the supply of the measurement application signal and the output of the measurement result in a test of each analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks. 13. The semiconductor integrated circuit according to claim 12, comprising switch control bit information for controlling on / off of a plurality of test switches constituting each of the switch circuits. 前記複数ビットのテスト制御信号は、前記複数のアナログ回路ブロックのいずれのアナログ回路ブロックがテストターゲットであるのかを指定するテストターゲットビット情報を含む請求項12に記載の半導体集積回路。   13. The semiconductor integrated circuit according to claim 12, wherein the plurality of bits of the test control signal include test target bit information for designating which analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks is a test target. 前記複数ビットのテスト制御信号は、前記複数のアナログ回路ブロックのいずれのアナログ回路ブロックがテストターゲットであるのかを指定するテストターゲットビット情報を含む請求項13に記載の半導体集積回路。   The semiconductor integrated circuit according to claim 13, wherein the plurality of bits of the test control signal includes test target bit information for designating which analog circuit block of the plurality of analog circuit blocks is a test target. 前記テスト制御インターフェース回路と前記複数のテスト用スイッチ回路との間には複数のテスト用制御回路が接続され、
前記複数のテスト用制御回路のそれぞれが前記複数のテスト用スイッチ回路のそれぞれを構成する前記複数のテスト用スイッチのオン・オフを制御する請求項13に記載の半導体集積回路。
A plurality of test control circuits are connected between the test control interface circuit and the plurality of test switch circuits,
The semiconductor integrated circuit according to claim 13, wherein each of the plurality of test control circuits controls on / off of the plurality of test switches constituting each of the plurality of test switch circuits.
前記半導体集積回路の外部から前記テスト制御インターフェース回路へシリアル転送される前記複数ビットのテスト制御信号は前記半導体集積回路の外部からの略一定の周波数のクロック信号に同期して転送される請求項13に記載の半導体集積回路。   14. The multi-bit test control signal serially transferred from the outside of the semiconductor integrated circuit to the test control interface circuit is transferred in synchronization with a clock signal having a substantially constant frequency from the outside of the semiconductor integrated circuit. A semiconductor integrated circuit according to 1. 前記テストモードの動作モードにおいて、前記テスト制御インターフェース回路へ略一定の前記周波数の前記クロック信号に同期して外部から前記複数ビットの前記テスト制御信号がシリアル転送される際には、前記テスト制御インターフェース回路には所定のレベルのストローブ信号が供給される請求項17に記載の半導体集積回路。   In the operation mode of the test mode, when the test control signal of the plurality of bits is serially transferred from the outside to the test control interface circuit in synchronization with the clock signal having the substantially constant frequency, the test control interface 18. The semiconductor integrated circuit according to claim 17, wherein a strobe signal having a predetermined level is supplied to the circuit. 前記所定のレベルのストローブ信号は、前記所定のレベルのチップ選択信号である請求項18に記載の半導体集積回路。   19. The semiconductor integrated circuit according to claim 18, wherein the predetermined level strobe signal is the predetermined level chip selection signal. 前記テストモードの動作モードにおいて前記複数ビットの前記テスト制御信号がシリアル転送される前記テスト制御インターフェース回路の外部端子は、前記通常動作モードにおける前記半導体集積回路の内部の通常回路の外部信号端子と共用ピンとなっている請求項13から請求項19のいずれかに記載の半導体集積回路。   The external terminal of the test control interface circuit to which the test control signal of the plurality of bits is serially transferred in the operation mode of the test mode is shared with the external signal terminal of the normal circuit inside the semiconductor integrated circuit in the normal operation mode. 20. The semiconductor integrated circuit according to claim 13, wherein the semiconductor integrated circuit is a pin. 前記テストモードの動作モードにおいて外部から前記テスト制御インターフェース回路へ前記所定のレベルの前記ストローブ信号と前記略一定の周波数の前記クロック信号とがそれぞれ供給される前記テスト制御インターフェース回路の外部端子は、前記通常動作モードにおける前記半導体集積回路の内部の前記通常回路の外部信号端子と共用ピンとなっている請求項18に記載の半導体集積回路。   In the operation mode of the test mode, the external terminal of the test control interface circuit to which the strobe signal of the predetermined level and the clock signal of the substantially constant frequency are supplied from the outside to the test control interface circuit, 19. The semiconductor integrated circuit according to claim 18, wherein the semiconductor integrated circuit is shared with an external signal terminal of the normal circuit inside the semiconductor integrated circuit in a normal operation mode. 前記半導体集積回路は前記テスト制御インターフェース回路に接続されたD/A変換器とA/D変換器とを含んでなり、
前記D/A変換器は前記テスト制御インターフェース回路に外部から供給されたシリアル転送された前記複数ビットの前記テスト制御信号の測定用ディジタル情報を測定用アナログ情報に変換するものであって、変換された前記測定用アナログ情報は、前記複数のテスト用スイッチ回路から選択されたひとつのテスト用スイッチ回路を介して前記複数のアナログ回路ブロックから選択されたひとつのアナログ回路ブロックに印加され、
前記選択されたひとつのアナログ回路ブロックからのアナログ測定結果は、前記選択されたひとつのテスト用スイッチ回路を介して前記A/D変換器によりディジタル測定結果に変換され、変換された前記ディジタル測定結果は前記テスト制御インターフェース回路からテスト出力信号として複数ビットのシリアル信号により外部に転送される請求項13から請求項19のいずれかに記載の半導体集積回路。
The semiconductor integrated circuit includes a D / A converter and an A / D converter connected to the test control interface circuit,
The D / A converter converts the digital information for measurement of the test control signal of the plurality of bits transferred serially supplied from the outside to the test control interface circuit into analog information for measurement. The measurement analog information is applied to one analog circuit block selected from the plurality of analog circuit blocks via one test switch circuit selected from the plurality of test switch circuits,
An analog measurement result from the selected one analog circuit block is converted into a digital measurement result by the A / D converter via the selected test switch circuit, and the converted digital measurement result 20. The semiconductor integrated circuit according to claim 13, wherein the test control interface circuit transfers the test output signal to the outside as a test output signal by a multi-bit serial signal.
前記テストモードの動作モードにおいて前記複数ビットの前記テスト制御信号がシリアル転送される前記テスト制御インターフェース回路の外部端子は、前記通常動作モードにおける前記半導体集積回路の内部の通常回路の外部信号端子と共用ピンとなっている請求項22に記載の半導体集積回路。   The external terminal of the test control interface circuit to which the test control signal of the plurality of bits is serially transferred in the operation mode of the test mode is shared with the external signal terminal of the normal circuit inside the semiconductor integrated circuit in the normal operation mode. The semiconductor integrated circuit according to claim 22, wherein the semiconductor integrated circuit is a pin. 前記通常動作の動作モードにおいて前記複数のアナログ回路ブロックは並列動作が可能であって、前記並列動作により前記複数のアナログ回路ブロックは複数の出力を並列に出力可能である請求項13から請求項19のいずれかに記載の半導体集積回路。   20. The plurality of analog circuit blocks can operate in parallel in the normal operation mode, and the plurality of analog circuit blocks can output a plurality of outputs in parallel by the parallel operation. A semiconductor integrated circuit according to any one of the above. 前記通常動作の動作モードにおいて前記複数のアナログ回路ブロックは並列動作が可能であって、前記並列動作により前記複数のアナログ回路ブロックは複数の出力を並列に出力可能である請求項20に記載の半導体集積回路。   21. The semiconductor according to claim 20, wherein the plurality of analog circuit blocks can operate in parallel in the normal operation mode, and the plurality of analog circuit blocks can output a plurality of outputs in parallel by the parallel operation. Integrated circuit. 前記通常動作の動作モードにおいて前記複数のアナログ回路ブロックは並列動作が可能であって、前記並列動作により前記複数のアナログ回路ブロックは複数の出力を並列に出力可能である請求項21に記載の半導体集積回路。   22. The semiconductor according to claim 21, wherein in the normal operation mode, the plurality of analog circuit blocks can operate in parallel, and the plurality of analog circuit blocks can output a plurality of outputs in parallel by the parallel operation. Integrated circuit. 前記通常動作の動作モードにおいて前記複数のアナログ回路ブロックは並列動作が可能であって、前記並列動作により前記複数のアナログ回路ブロックは複数の出力を並列に出力可能である請求項22に記載の半導体集積回路。   23. The semiconductor according to claim 22, wherein in the normal operation mode, the plurality of analog circuit blocks can operate in parallel, and the plurality of analog circuit blocks can output a plurality of outputs in parallel by the parallel operation. Integrated circuit. 前記通常動作の動作モードにおいて前記複数のアナログ回路ブロックは並列動作が可能であって、前記並列動作により前記複数のアナログ回路ブロックは複数の出力を並列に出力可能である請求項23に記載の半導体集積回路。   24. The semiconductor according to claim 23, wherein the plurality of analog circuit blocks can operate in parallel in the operation mode of the normal operation, and the plurality of analog circuit blocks can output a plurality of outputs in parallel by the parallel operation. Integrated circuit.
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