JP2006065046A - Manufacturing method for optical waveguide device and optical waveguide device - Google Patents

Manufacturing method for optical waveguide device and optical waveguide device Download PDF

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健太 小西
Shinji Inoue
信治 井上
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for optical waveguide device with which a ridge type structure is accurately processed. <P>SOLUTION: A thinning process is performed after the ridge type structure is formed by (a) the step in which the ridge type structure forming face 16 is built on a first base body 11 composed of a ferroelectric substance, (b) the step in which a second base body 12 is provided which is fitted on the ridge type structure forming face side of the first base body 11 so that a material having a refractive index smaller than that of the first base body is made contact with the ridge type structure forming face of the first base body 11, and (c) a thinning step face 17 is formed by processing the back face which is opposite to the ridge type structure forming face 16 of the first base body. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、強誘電体材料を用いたリッジ型光導波路デバイスの製造方法、および、その方法により製造される光導波路デバイスに関し、さらに詳細には、強誘電体材料の第一基体と、これを支持する支持用の第二基体とを用いたリッジ型光導波路デバイスの製造方法およびリッジ型光導波路デバイスに関する。本発明は、例えば、光導波路を用いた光スイッチや強誘電体に周期構造を形成した波長変換素子、第2高調波発生素子などの光導波路デバイスに用いられる。   The present invention relates to a method of manufacturing a ridge-type optical waveguide device using a ferroelectric material, and an optical waveguide device manufactured by the method, and more specifically, a first substrate of a ferroelectric material, The present invention relates to a method for manufacturing a ridge type optical waveguide device using a supporting second substrate to be supported, and a ridge type optical waveguide device. The present invention is used for optical waveguide devices such as an optical switch using an optical waveguide, a wavelength conversion element in which a periodic structure is formed in a ferroelectric, and a second harmonic generation element, for example.

光情報通信システム、干渉計などの測定装置、光ディスク用のピックアップレーザ、印刷装置などの分野において、各種の光デバイスが使用されている。
これらの光デバイスのひとつとして、強誘電体材料に光導波路を形成することにより作られる光導波路デバイスが、光スイッチや波長変換素子として利用されている。例えば、波長変換素子として用いられる擬似位相整合素子は、LiNbOやLiTaOなどの強誘電体バルク結晶の内部に周期分極反転構造を形成し、さらに、周期分極反転構造を横断するように光導波路を形成することにより、この光導波路を通過する光に対して擬似的に位相整合を行うものである。擬似位相整合素子は、分極反転層の周期を調整することにより、所望の波長に対応した位相整合素子を作成することができる。
Various optical devices are used in the fields of optical information communication systems, measuring devices such as interferometers, pickup lasers for optical disks, and printing devices.
As one of these optical devices, an optical waveguide device made by forming an optical waveguide in a ferroelectric material is used as an optical switch or a wavelength conversion element. For example, a quasi phase matching element used as a wavelength conversion element forms a periodically poled structure inside a ferroelectric bulk crystal such as LiNbO 3 or LiTaO 3 , and further, an optical waveguide so as to cross the periodically poled structure By forming, pseudo phase matching is performed on the light passing through the optical waveguide. The quasi phase matching element can create a phase matching element corresponding to a desired wavelength by adjusting the period of the polarization inversion layer.

強誘電体材料の基体に対して光導波路を形成する方法の従来例として、特許文献1が開示されている。この文献によれば、基体の加工面側からプロトン交換処理を施して交換処理部を形成し、この交換処理部の一部にリッジ型構造体を形成し、その次にプロトン交換処理部を熱拡散処理することにより、光導波路を形成する。   Patent Document 1 is disclosed as a conventional example of a method of forming an optical waveguide on a substrate of a ferroelectric material. According to this document, a proton exchange treatment is performed from the processed surface side of the substrate to form an exchange treatment portion, a ridge structure is formed in a part of the exchange treatment portion, and then the proton exchange treatment portion is heated. An optical waveguide is formed by diffusion treatment.

強誘電体材料にリッジ型構造の光導波路を作る場合、光導波路層とその周囲の層との屈折率差が重要である。すなわち、光導波路層と周囲層との境界面での屈折率差が急峻であれば、光を導波路内に完全に閉じ込めることができるが、境界で屈折率が緩やかに変化する場合は、光導波路内を通過する光がしみ出し、減衰することになる。 When an optical waveguide having a ridge structure is made of a ferroelectric material, the refractive index difference between the optical waveguide layer and the surrounding layers is important. That is, if the refractive index difference at the boundary surface between the optical waveguide layer and the surrounding layer is steep, light can be completely confined in the waveguide, but if the refractive index changes slowly at the boundary, Light passing through the waveguide oozes out and attenuates.

また、光導波路を通過する光の形状(導波光モード形状)は、デバイスへの応用面を考慮すると、できるだけ上下、左右の対称性のよい光にすることが望ましい。そのためには、光導波路層と周囲層との境界面(屈折率差が生じる境界面)の形状を、対称にする必要がある。理想的には、光ファイバーのコア層とクラッド層のように、光導波路層の断面形状を、円形にすることが望ましい。しかしながら、強誘電体結晶基体上に形成される光導波路は、平坦な基板上に作る必要があるため、半導体プロセスで用いるパターンエッチングなどのプロセスにより製造しなければならないことから、光導波路層の断面形状を円形にすることは困難である。
そのため、通常、特許文献1に記載されるように、光導波路層断面が山形に加工されたリッジ型構造体を形成している。
In addition, it is desirable that the shape of the light passing through the optical waveguide (guided light mode shape) is as good as possible in the vertical and horizontal symmetry as much as possible in consideration of the application to the device. For this purpose, it is necessary to make the shape of the boundary surface between the optical waveguide layer and the surrounding layer (the boundary surface where the refractive index difference occurs) symmetrical. Ideally, it is desirable that the cross-sectional shape of the optical waveguide layer is circular, such as the core layer and the clad layer of the optical fiber. However, since the optical waveguide formed on the ferroelectric crystal substrate must be manufactured on a flat substrate, it must be manufactured by a process such as pattern etching used in a semiconductor process. It is difficult to make the shape circular.
For this reason, as described in Patent Document 1, a ridge structure in which the cross section of the optical waveguide layer is processed into a mountain shape is usually formed.

特許文献1に記載されたリッジ型構造体の上面、左右の側面(斜面)は、空気層―リッジ型プロトン交換層の境界面が形成されており、層間で屈折率がステップ状に変化しており、光導波路内を伝播する光の外部しみ出しは少ない。   The upper surface and the left and right side surfaces (slopes) of the ridge structure described in Patent Document 1 form an interface between the air layer and the ridge type proton exchange layer, and the refractive index changes stepwise between the layers. Thus, there is little external leakage of light propagating in the optical waveguide.

一方、リッジ型構造体の下面について見ると、上面が空気層−プロトン交換層の境界面であるのに対し、下面ではプロトン交換層−プロトン非交換層の境界(明確な境界ではない)が形成されている。そのため、上面での屈折率差は急峻で屈折率差が大きいのに対し、下端面では上端面に比べて屈折率変化が急峻ではなくしかも屈折率差が小さく、上下方向での境界面の形状が異なり、光導波路としての対称性がよくない。   On the other hand, when looking at the lower surface of the ridge structure, the upper surface is an air layer-proton exchange layer interface, while the lower surface forms a proton exchange layer-proton non-exchange layer boundary (not a clear boundary). Has been. Therefore, the refractive index difference at the top surface is steep and the refractive index difference is large, whereas the refractive index change is not steep at the lower end surface compared to the upper end surface and the refractive index difference is small, and the shape of the boundary surface in the vertical direction However, the symmetry as an optical waveguide is not good.

そこで、対称性の問題を解決するため、張り合わせ型のリッジ型光導波路が考案され、開示されている(例えば特許文献2参照)。
特許文献2に記載された張り合わせ型のリッジ型光導波路素子では、強誘電体結晶基板自体に周期分極反転構造が形成され、基板を薄片化した上で、リッジ型に加工されるとともに、ベース基板上に接着層を介して固定されている。
特開2003−365680号公報 特開2003−107545号公報
Therefore, in order to solve the problem of symmetry, a bonded ridge type optical waveguide has been devised and disclosed (see, for example, Patent Document 2).
In the bonded ridge type optical waveguide device described in Patent Document 2, a periodic polarization reversal structure is formed on a ferroelectric crystal substrate itself, and the substrate is thinned and processed into a ridge type. It is fixed on the top via an adhesive layer.
JP 2003-365680 A JP 2003-107545 A

上述した従来の張り合わせ型のリッジ型光導波路は、以下の手順で作製される。
まず、光導波路が形成される強誘電材料を上部基板とし(擬似位相整合素子とする場合は上部基板に周期分極反転構造が形成される)、上部基板に対し、支持部材となる下部基板を接着あるいは直接接合する。
次に、リッジ型構造部分の厚さ程度になるまで、上部基板を薄片化する。さらに、薄片化した上部基板を研磨した上で、機械切削加工、レーザ加工、エッチング加工などにより、リッジ型構造を形成し、リッジ型光導波路を形成する。
The above-described conventional bonded ridge type optical waveguide is manufactured by the following procedure.
First, the ferroelectric material in which the optical waveguide is formed is used as the upper substrate (in the case of a quasi phase matching element, a periodic polarization inversion structure is formed on the upper substrate), and the lower substrate serving as a support member is bonded to the upper substrate. Or it joins directly.
Next, the upper substrate is thinned until the thickness of the ridge structure portion is reached. Further, after the thinned upper substrate is polished, a ridge structure is formed by mechanical cutting, laser processing, etching, or the like to form a ridge optical waveguide.

しかしながら、上記手順によれば、薄片化した上部基板に対してリッジ型構造を加工する際に、薄片化した上部基板のすぐ下に、接着層、下部基板が存在しており、特に接着層は圧力や熱などによって変形しやすくなっている。そのため、リッジ型構造を加工する際に圧力、熱が発生すると、接着層や下部基板にストレスがかかり、接着層や下部基板からのストレスが薄片化した上部基板にかかることとなり、リッジ型構造を精度よく加工することが困難になっていた。   However, according to the above procedure, when the ridge structure is processed on the thinned upper substrate, the adhesive layer and the lower substrate exist immediately below the thinned upper substrate. It is easily deformed by pressure and heat. Therefore, when pressure and heat are generated when processing the ridge structure, stress is applied to the adhesive layer and the lower substrate, and stress from the adhesive layer and lower substrate is applied to the thinned upper substrate. It was difficult to process with high accuracy.

そこで本発明は、リッジ型光導波路を有するデバイスの製造方法において、精度のよいリッジ型構造の加工が可能なデバイス製造方法、および、精度のよいリッジ型構造の加工が可能なデバイス構造を有するリッジ型光導波路デバイスを提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides a device manufacturing method capable of processing a ridge-type structure with high accuracy in a method for manufacturing a device having a ridge-type optical waveguide, and a ridge having a device structure capable of processing a ridge-type structure with high accuracy. An object of the present invention is to provide a type optical waveguide device.

上記課題を解決するためになされた本発明のリッジ型光導波路デバイス製造方法は、(a)強誘電体材料からなる第一基体に、リッジ型構造形成面を加工する工程、(b)第一基体材料より屈折率の小さい材料が第一基体のリッジ型構造形成面と接するようにして、第一基体のリッジ型構造形成面側に固着される第二基体を設ける工程、(c)第一基体のリッジ型構造形成面とは反対側である裏面を薄片化処理して、薄片化処理面を形成する工程とからなる。そして、本発明のリッジ型光導波路デバイスは、この製造方法により製造される。   The ridge-type optical waveguide device manufacturing method of the present invention made to solve the above-mentioned problems includes (a) a step of processing a ridge-type structure forming surface on a first substrate made of a ferroelectric material, and (b) a first. A step of providing a second substrate to be fixed to the ridge structure forming surface side of the first substrate so that a material having a refractive index smaller than that of the substrate material is in contact with the ridge structure structure forming surface of the first substrate; And a step of thinning the back surface of the substrate opposite to the ridge type structure forming surface to form a thinning surface. The ridge type optical waveguide device of the present invention is manufactured by this manufacturing method.

ここで、第一基体に、LiNbO、LiTaO、KNbO、KTP(KTiOPO)、LiNb(1−x)Ta(ただし、0≦x≦1)などの強誘電体材料を用いることが好ましい。ただし、これらに限られず、他の強誘電体結晶でも適用できる。
第一基体にリッジ型構造を加工する方法は、特に限定されない。例えば、マスクを用いたエッチング加工、機械加工、レーザアブレーション、イオンミリングなどの加工方法を用いることができる。
Here, a ferroelectric material such as LiNbO 3 , LiTaO 3 , KNbO 3 , KTP (KTiOPO 4 ), LiNb (1-x) Ta x O 3 (where 0 ≦ x ≦ 1) is used for the first substrate. It is preferable. However, the present invention is not limited to these, and other ferroelectric crystals can be applied.
The method for processing the ridge structure on the first substrate is not particularly limited. For example, a processing method such as etching using a mask, machining, laser ablation, or ion milling can be used.

リッジ型構造形成面には、第一基体よりも屈折率が小さい材料からなる部材が接するように構成されるが、この材料からなる部材として、第二基体自体を用いてもよいし、第一基体と第二基体との間に、何らかの中間層を設け、中間層を第一基体よりも屈折率が小さい材料としてもよい。すなわち、第二基体が第一基体よりも屈折率が小さいときには、第二基体を直接第一基体に固着するようにしてもよい。また、第一基体よりも屈折率が小さい材料からなる何らかの中間層(例えば、接着剤による接着層、所望の屈折率を有する薄膜を形成した屈折率調整層)を介して、第一基体と第二基体とが固着するようにしてもよい。   A member made of a material having a refractive index lower than that of the first base is in contact with the ridge-type structure forming surface. However, the second base itself may be used as the member made of this material. Some intermediate layer may be provided between the base and the second base, and the intermediate layer may be made of a material having a refractive index smaller than that of the first base. That is, when the second substrate has a refractive index smaller than that of the first substrate, the second substrate may be directly fixed to the first substrate. In addition, the first substrate and the first substrate are interposed through some intermediate layer made of a material having a refractive index lower than that of the first substrate (for example, an adhesive layer made of an adhesive or a refractive index adjusting layer formed with a thin film having a desired refractive index). The two substrates may be fixed.

第一基体の薄片化処理方法についても、特に限定されな。例えば、研削加工や研磨加工などを適宜用いることができる。   The method for thinning the first substrate is not particularly limited. For example, grinding or polishing can be used as appropriate.

この発明のリッジ型光導波路デバイス製造方法によれば、強誘電体材料からなる第一基体に、先に、リッジ型構造形成面を形成しておき、続いて、リッジ型構造形成面側に向けて、第二基体を固着する。ただし、リッジ型構造形成面に対して、第一基体材料よりも屈折率が小さい材料が接するようにして、リッジ型構造部分から第二基体側に向かう光を全反射させ、第二基体側にしみ出しにくいようにする。そして、第二基体を固着した後に、リッジ型構造形成面の裏側となる裏面を薄片化処理し、平坦な薄片化処理面を形成する。このときの薄片化処理は、単に平坦な面を加工するだけであるので、加工が容易であり、精度のよい薄片化処理加工を行うことができる。   According to the ridge type optical waveguide device manufacturing method of the present invention, a ridge type structure forming surface is first formed on a first substrate made of a ferroelectric material, and then directed toward the ridge type structure forming surface side. Then, the second substrate is fixed. However, the light having a refractive index smaller than that of the first base material is in contact with the surface on which the ridge type structure is formed, so that the light traveling from the ridge type structure portion toward the second base side is totally reflected to return to the second base side. Make it difficult to stick out. Then, after the second substrate is fixed, the back surface, which is the back side of the ridge-type structure forming surface, is thinned to form a flat thinned surface. Since the thinning process at this time merely processes a flat surface, the processing is easy, and the thinning process with high accuracy can be performed.

この製造方法によれば、第一基体にリッジ型構造形成面を形成するときは、第一基体はまだ厚みを有する状態でリッジ型構造を形成することができるので、応力や熱によるストレスをあまり受けることがなく、精度のよいリッジ型構造の加工を容易に行うことができる。その結果、加工精度のよい光導波路デバイスを提供することができる。   According to this manufacturing method, when the ridge structure forming surface is formed on the first substrate, the ridge structure can be formed while the first substrate is still thick. It is possible to easily process the ridge type structure with high accuracy without being subjected to this. As a result, an optical waveguide device with good processing accuracy can be provided.

また、(b)工程で、第一基体のリッジ型構造形成面に対して、第一基体材料より屈折率の小さい接着剤からなる接着層を介して、第二基体が固着されるようにすれば、接着層により、光のしみ出しを抑制することができ、その結果、第二基体材料の屈折率についての材料選択の制限をなくすことができる。   Further, in the step (b), the second substrate is fixed to the ridge-type structure forming surface of the first substrate through an adhesive layer made of an adhesive having a refractive index lower than that of the first substrate material. For example, the adhesion layer can suppress light seepage, and as a result, the limitation of material selection with respect to the refractive index of the second base material can be eliminated.

また、(b)工程で、第一基体材料より屈折率の小さい第二基体材料を用いて、直接、第一基体のリッジ型構造形成面に第二基体が固着されるようにすれば、接着層を形成することなく、第二基体を、直接固着することができるので、接着層の経時変化や熱劣化の影響を回避することができる。   Further, in the step (b), if the second substrate is directly fixed to the ridge-type structure forming surface of the first substrate by using the second substrate material having a refractive index smaller than that of the first substrate material, adhesion is achieved. Since the second substrate can be directly fixed without forming a layer, it is possible to avoid the influence of the adhesive layer over time and thermal deterioration.

また、(b)工程で、第一基体のリッジ型構造形成面に対して、第一基体材料より屈折率の小さいリッジ側屈折率調整層を形成し、さらに、リッジ側屈折率調整層に対し、直接あるいは接着層を介して第二基体が固着されるようにすれば、リッジ側屈折率調整層により、リッジ型構造部分からの光のしみ出しを抑制することができ、その結果、第二基体材料の屈折率、あるいは、接着層の屈折率についての材料選択の制限をなくすことができる。   In step (b), a ridge-side refractive index adjustment layer having a refractive index smaller than that of the first substrate material is formed on the ridge-type structure forming surface of the first substrate. If the second substrate is fixed directly or via an adhesive layer, the ridge-side refractive index adjustment layer can suppress the light oozing out from the ridge-type structure portion. It is possible to eliminate restrictions on material selection with respect to the refractive index of the base material or the refractive index of the adhesive layer.

また、(c)工程の後に、薄片化処理面上の少なくともリッジ型構造の裏側部分を覆うようにして、第一基体材料よりも屈折率の小さい裏側屈折率調整層を形成する工程を行うようにすれば、裏側屈折率調整層により、リッジ型構造の裏側部分からの光のしみ出しを抑制することができる。
特に、リッジ型構造形成面と接する材料の屈折率に対応させて、裏側屈折率調整層の屈折率を調整することにより、リッジ型構造形成面と裏面との屈折率の対称性を改善することができ、対称性のよい光導波モードを実現することができる。さらに、リッジ側屈折率調整層と裏側屈折率調整層との双方を同時に設け、これらを同じ材料で構成すれば、さらに対称性のよい光導波モードを実現することができる。
In addition, after the step (c), a step of forming a back side refractive index adjusting layer having a refractive index smaller than that of the first base material so as to cover at least the back side portion of the ridge type structure on the flaky surface. In this case, the back side refractive index adjusting layer can suppress the seepage of light from the back side portion of the ridge structure.
In particular, the symmetry of the refractive index between the ridge-type structure forming surface and the back surface is improved by adjusting the refractive index of the back-side refractive index adjustment layer according to the refractive index of the material in contact with the ridge-type structure forming surface. And an optical waveguide mode with good symmetry can be realized. Furthermore, if both the ridge-side refractive index adjustment layer and the back-side refractive index adjustment layer are provided at the same time and are made of the same material, an optical waveguide mode with better symmetry can be realized.

また、(a)工程の後に、(a1)リッジ型構造部分に周期分極反転構造を形成する工程を含めるようにすれば、リッジ型構造部分に周期反転分極層を形成することにより、波長変換素子、第二高調波素子として利用することができる擬似位相整合型光導波路デバイスを製造することができる。     If the step (a1) includes the step of forming the periodic polarization inversion structure in the ridge type structure portion after the step (a), the wavelength conversion element is formed by forming the periodic inversion polarization layer in the ridge type structure portion. Thus, a quasi-phase matching optical waveguide device that can be used as the second harmonic element can be manufactured.

以下、本発明の光導波路デバイスおよび光導波路製造方法について図面を用いて説明する。なお、本発明は以下に説明する実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適用しうるものである。   Hereinafter, an optical waveguide device and an optical waveguide manufacturing method of the present invention will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below, and can be applied without departing from the spirit of the present invention.

(実施例1)
図1は、本発明の一実施形態である光導波路デバイスの構成図である。この光導波路デバイス10は、第一基体11、第二基体12、接着層13、屈折率調整層14により構成される。
(Example 1)
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical waveguide device according to an embodiment of the present invention. The optical waveguide device 10 includes a first substrate 11, a second substrate 12, an adhesive layer 13, and a refractive index adjustment layer 14.

第一基体11は、光導波路層となるリッジ型構造15が形成される領域であり、強誘電体材料により構成される。強誘電体材料としては、例えばLiNbO、LiTaO、KNbO系の非線形結晶光学効果を有する結晶を使用することができる。ただし、材料はこれらに限られるのではなく、光導波路デバイスとして応用可能な強誘電体材料であれば使用できる。 The first substrate 11 is a region where a ridge structure 15 serving as an optical waveguide layer is formed, and is made of a ferroelectric material. As the ferroelectric material, for example, a crystal having a nonlinear crystal optical effect of LiNbO 3 , LiTaO 3 , or KNbO 3 can be used. However, the material is not limited to these, and any ferroelectric material applicable as an optical waveguide device can be used.

第一基体11は、リッジ型構造15が形成されたリッジ型構造形成面16と、反対側面である薄片化処理面17とを有している。後述するデバイス製造工程の説明(図2、図3)において詳述するが、第一基体11の薄片化処理前の厚みのある状態で、先に、リッジ型構造形成面16が加工してある。   The first substrate 11 has a ridge type structure forming surface 16 on which a ridge type structure 15 is formed, and a thinning treatment surface 17 which is the opposite side surface. As will be described in detail in the description of the device manufacturing process (FIGS. 2 and 3) to be described later, the ridge-type structure forming surface 16 is first processed in a state in which the first substrate 11 has a thickness before the thinning process. .

第二基体12は、第一基体11を支持するために用いられる部材であり、第一基体11を支持することが可能な堅牢性を有し、かつ、接着層13に対して接着性を有する材料であればよい。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板、半導体基板などを用いることができる。
第一基体11と第二基体12とを、同一材料にしてもよい。同一材料とすることにより、温度変化に対する膨張率が等しくなるとともに、接着層13に対する付着力が等しくなり、剥離しにくくなるとともに、歪が生じにくい構造となる。
The second substrate 12 is a member used to support the first substrate 11, has a fastness capable of supporting the first substrate 11, and has adhesiveness to the adhesive layer 13. Any material can be used. Specifically, a glass substrate, a plastic substrate, a metal substrate, a semiconductor substrate, or the like can be used.
The first substrate 11 and the second substrate 12 may be made of the same material. By using the same material, the expansion coefficient with respect to the temperature change becomes equal, the adhesion force to the adhesive layer 13 becomes equal, and it becomes difficult to peel off and the structure is less likely to cause distortion.

接着層13は、UV硬化剤、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の接着剤(例えば屈折率が1.3〜1.7)が使用される。ただし、接着層13の材料としては、第一基体11の材料よりも屈折率が小さい材料を用いるようにして、第一基体11を通過する光を、第一基体11と接着層13との境界で全反射させるようにしてある。すなわち、接着層13は、第一基体11と第二基体12とを接着させるとともに、第一基体11内を通過する光を閉じ込めることができるようにしてある。   For the adhesive layer 13, an adhesive such as a UV curing agent, an epoxy resin, or an acrylic resin (for example, a refractive index of 1.3 to 1.7) is used. However, as the material of the adhesive layer 13, a material having a refractive index smaller than that of the material of the first base 11 is used, and the light passing through the first base 11 is reflected at the boundary between the first base 11 and the adhesive layer 13. So that it is totally reflected. That is, the adhesive layer 13 adheres the first substrate 11 and the second substrate 12 and can confine light passing through the first substrate 11.

屈折率調整層14は、第一基体11の薄片化処理面17上に形成され、第一基体11のリッジ型構造15を挟んで上下の界面での屈折率が近い値、より好ましくは、同一となるように、接着層12と同一材料、あるいは、屈折率が近似する材料を用いるようにしている。   The refractive index adjusting layer 14 is formed on the thinning-processed surface 17 of the first substrate 11 and has a refractive index close to the upper and lower interfaces across the ridge structure 15 of the first substrate 11, more preferably the same. Thus, the same material as the adhesive layer 12 or a material having an approximate refractive index is used.

ただし、光導波モード形状の対称性(特に基本波モード形状の対称性)に対する要求仕様を厳しくしない場合は、屈折率調整層14は必ずしも必要というものではない。すなわち、屈折率調整層14を設けないで、図4に示すように、上側界面を空気層(屈折率が1)に接するようにした場合には、接着層13(例えば屈折率が1.3〜1.7)と接する下側界面との屈折率差が多少存在することになる。そのため、光導波モード形状は多少劣化するが、それでも用途によっては十分に許容できる範囲となる。   However, the refractive index adjustment layer 14 is not necessarily required if the required specifications for the symmetry of the optical waveguide mode shape (especially the symmetry of the fundamental wave mode shape) are not strict. That is, when the refractive index adjusting layer 14 is not provided and the upper interface is in contact with the air layer (refractive index is 1) as shown in FIG. 4, the adhesive layer 13 (for example, the refractive index is 1.3). There will be some difference in refractive index between the lower interface in contact with ~ 1.7). Therefore, although the optical waveguide mode shape is somewhat deteriorated, it is still in a sufficiently acceptable range depending on the application.

次に、この光導波路デバイスの製造方法について説明する。図2は、光導波路デバイス10の製造工程を説明するフロー図である。図3は、製造工程中のデバイス断面の模式図である。
まず、第一基体11に、リッジ型構造形成面を加工する(s101)。
図3(a)に示すように、第一基体11と、第二基体12とを準備する。例えば、これらの材料としてLiNbOを用いる。これらの基体は、加工しやすいように平板形状に切り出してある。
図3(b)に示すように、第一基体11の面上で導波路幅とする領域の上に、フォトリソグラフィーにより、マスク材21としての金属膜(Cr、Niなど)をパターニングする。
図3(c)に示すように、例えばドライエッチングにより、リッジ型構造15を形成する。加工手法は、ドライエッチングに限らず、直接機械加工、イオンミリング、レーザアブレーション、ウェットエッチングなどでもよい。
リッジ型構造15が形成されたらマスク材21を除去する。
Next, a method for manufacturing this optical waveguide device will be described. FIG. 2 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the optical waveguide device 10. FIG. 3 is a schematic view of a device cross section during the manufacturing process.
First, a ridge type structure forming surface is processed on the first substrate 11 (s101).
As shown in FIG. 3A, a first substrate 11 and a second substrate 12 are prepared. For example, LiNbO 3 is used as these materials. These substrates are cut into a flat plate shape so as to be easily processed.
As shown in FIG. 3B, a metal film (Cr, Ni, etc.) as a mask material 21 is patterned by photolithography on a region having a waveguide width on the surface of the first substrate 11.
As shown in FIG. 3C, the ridge structure 15 is formed by dry etching, for example. The processing method is not limited to dry etching, but may be direct machining, ion milling, laser ablation, wet etching, or the like.
When the ridge structure 15 is formed, the mask material 21 is removed.

なお、擬似位相整合素子とするために、周期分極反転構造を形成する場合には、図3(c)の後で、リッジ型構造部分に、周期反転分極構造を形成する処理を施す。
周期分極反転構造は、リッジ型構造15部分の表面に電極パターニングを行い、電圧を印加して周期分極反転層を形成する。強誘電体材料に周期分極反転層を形成する方法については、周知の技術であるので説明を省略する。
In the case of forming a periodically poled structure in order to obtain a quasi-phase matching element, a process for forming a periodically reversed polarization structure is performed on the ridge structure after FIG. 3C.
In the periodically poled structure, electrode patterning is performed on the surface of the ridge structure 15 portion, and a voltage is applied to form a periodically poled layer. Since the method of forming the periodically poled layer on the ferroelectric material is a well-known technique, the description thereof is omitted.

続いて、第一基体11を、第二基体12に接着する(s102)。
図3(d)に示すように、第一基体11のリッジ型構造形成面16を、第二基体12に向けて接着層13により、接着する。
Subsequently, the first substrate 11 is bonded to the second substrate 12 (s102).
As shown in FIG. 3D, the ridge-type structure forming surface 16 of the first substrate 11 is bonded to the second substrate 12 with an adhesive layer 13.

続いて、第一基体11に薄片化処理を施す(s103)。
図3(e)に示すように、基板11のリッジ型構造形成面16とは反対側の裏面に、粗研削加工処理、精密ラップ加工処理、研磨処理をこの順で施し、第一基体11を2〜5μmに薄片化する。このときの薄片化処理面17は、平坦面を薄片化しただけの簡単な加工であるので、ストレスなどの影響が小さく、精度よい加工が行える。
Subsequently, a thinning process is performed on the first substrate 11 (s103).
As shown in FIG. 3E, a rough grinding process, a precision lapping process, and a polishing process are performed in this order on the back surface of the substrate 11 opposite to the ridge-type structure forming surface 16, and the first substrate 11 is formed. Flakes to 2-5 μm. Since the thinning process surface 17 at this time is a simple process in which the flat surface is simply thinned, the influence of stress and the like is small, and a precise process can be performed.

続いて、屈折率調整層14を形成する(s104)。
図3(f)に示すように、薄片化処理面17の上を覆うように、接着層13を形成するときに用いた接着剤(あるいは接着剤と屈折率が近似する材料)を用いて、屈折率調整層14を形成する。屈折率調整層14を、リッジ型構造15の裏側部分だけでなく、薄片化処理面17の全面を覆うようにすることで、薄片化処理面17の保護層として働かせることもできる。
Subsequently, the refractive index adjustment layer 14 is formed (s104).
As shown in FIG. 3 (f), using the adhesive (or a material whose refractive index approximates that of the adhesive) used when forming the adhesive layer 13 so as to cover the surface of the thinning treatment surface 17, The refractive index adjustment layer 14 is formed. The refractive index adjusting layer 14 can also serve as a protective layer for the thinning treatment surface 17 by covering not only the back side portion of the ridge structure 15 but also the entire thinning treatment surface 17.

以上の工程により作製された光導波路デバイス10は、図1に示されるように、リッジ型構造15の上下、左右面ともに、同一材料あるいは屈折率が近似する材料の接着層13、屈折率調整層14で覆われており、しかも、リッジ型構造15の部分よりも屈折率が小さい材料が用いられているので、十分に光が閉じ込められている。また、リッジ型構造15が精度よく加工され、屈折率の対称性のよい光導波路となっている。   As shown in FIG. 1, the optical waveguide device 10 manufactured by the above steps includes an adhesive layer 13 made of the same material or a material having an approximate refractive index, and a refractive index adjustment layer on both the upper and lower surfaces and the left and right surfaces of the ridge structure 15. 14, and a material having a refractive index smaller than that of the ridge structure 15 is used, so that light is sufficiently confined. In addition, the ridge structure 15 is processed with high accuracy and becomes an optical waveguide having a good refractive index symmetry.

なお、s104の工程まで実行して屈折率調整層14を形成することが、より好ましいが、上述したように、屈折率調整層14を省略した図4に示すような構造にしても、光導波モード形状に対する要求仕様を厳しくしない限り、十分に利用することができる。   It is more preferable to execute the process up to step s104 to form the refractive index adjustment layer 14. However, as described above, even if the structure shown in FIG. As long as the required specifications for the mode shape are not strict, it can be fully utilized.

また、図5は、図3(c)の後で、リッジ型構造15部分に周期反転分極構造を形成する処理を施したときの光導波路デバイスを示す図である。交互に分極極性が変化する周期分極反転構造が、リッジ型構造部分の表面に形成されており、擬似位相整合素子として機能する。   FIG. 5 is a diagram showing the optical waveguide device when a process of forming a periodically inverted polarization structure is performed on the ridge structure 15 after FIG. 3C. A periodically poled structure in which the polarization polarity changes alternately is formed on the surface of the ridge type structure portion, and functions as a quasi phase matching element.

(実施例2)
図6は、本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの構成図である。図において、図1、図4と同じものについては同符号を付し、説明を一部省略する。この光導波路デバイス30は、第一基体11、第二基体31により構成される。
(Example 2)
FIG. 6 is a configuration diagram of an optical waveguide device according to another embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 1 and FIG. The optical waveguide device 30 includes a first substrate 11 and a second substrate 31.

第一基体11は、光導波路層となるリッジ型構造15が形成される領域であり、図1で説明したものと同様の強誘電体材料が用いられる。第一基体11は、リッジ型構造15が形成されたリッジ型構造形成面16と、反対側面である薄片化処理面17とを有している。後述するデバイス製造工程の説明(図7、図8)において詳述するが、第一基体11の薄片化処理前の厚みのある状態で、先に、リッジ型構造形成面16が加工してある。   The first substrate 11 is a region where the ridge structure 15 serving as an optical waveguide layer is formed, and a ferroelectric material similar to that described in FIG. 1 is used. The first substrate 11 has a ridge type structure forming surface 16 on which a ridge type structure 15 is formed, and a thinning treatment surface 17 which is the opposite side surface. As will be described in detail later in the description of the device manufacturing process (FIGS. 7 and 8), the ridge-type structure forming surface 16 is first processed in a thick state before the thinning process of the first substrate 11. .

第二基体31は、第一基体11を支持するために用いられる部材であり、第一基体11よりも屈折率が小さく、かつ、第一基体11を支持することが可能な堅牢性を有し、かつ、第一基体11に接着性できる材料が用いられる。例えば、プラスチックや合成樹脂などの高分子材料を溶融した状態で第一基体11に接触させ、その後、固化させて成型することにより、第二基体31を形成することができる。具体的には、第二基体31として、UV硬化樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂など(接着剤の主成分材料であり屈折率が1.3〜1.7))が使用される。   The second substrate 31 is a member used to support the first substrate 11, has a refractive index smaller than that of the first substrate 11, and has a robustness capable of supporting the first substrate 11. And the material which can adhere to the 1st base | substrate 11 is used. For example, the second substrate 31 can be formed by bringing the polymer material such as plastic or synthetic resin into contact with the first substrate 11 in a molten state and then solidifying and molding. Specifically, a UV curable resin, an epoxy resin, an acrylic resin or the like (a main component material of an adhesive and a refractive index of 1.3 to 1.7) is used as the second substrate 31.

さらに、図1に示した場合と同様に、第一基体11の上側に、屈折率調整層14をさらに形成して、図9に示すような構造にしてもよい。この場合、屈折率調整層14には、第2基体と同じか、屈折率が近似する材料を用いる。これにより、光導波モード形状の対称性を改善することができる。   Furthermore, similarly to the case shown in FIG. 1, a refractive index adjusting layer 14 may be further formed on the upper side of the first substrate 11 to have a structure as shown in FIG. In this case, the refractive index adjusting layer 14 is made of the same material as that of the second substrate or a material whose refractive index is approximate. Thereby, the symmetry of the optical waveguide mode shape can be improved.

次に、図6、図9に示した光導波路デバイス30の製造方法について説明する。図7は、光導波路デバイス30の製造工程を説明するフロー図である。図8は製造工程中のデバイス断面の模式図である。
まず、第一基体11に、リッジ型構造形成面16を加工する(s201)。
図8(a)に示すように、第一基体11を準備する。例えば、第一基体11の材料としてLiNbOを用いる。基体11は、加工しやすいように、平板形状に切り出してある。
図8(b)に示すように、第一基体11の面上で、導波路幅とする領域の上に、フォトリソグラフィーにより、マスク材21としての金属膜(Cr、Niなど)をパターニングする。
図8(c)に示すように、例えばドライエッチングにより、リッジ型構造15を形成する。加工手法は、ドライエッチングに限らず、直接機械加工、イオンミリング、レーザアブレーション、ウェットエッチングなどでもよい。
リッジ型構造15が形成されたら、マスク材21を除去する。
Next, a method for manufacturing the optical waveguide device 30 shown in FIGS. 6 and 9 will be described. FIG. 7 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the optical waveguide device 30. FIG. 8 is a schematic view of a device cross section during the manufacturing process.
First, the ridge structure forming surface 16 is processed on the first substrate 11 (s201).
As shown to Fig.8 (a), the 1st base | substrate 11 is prepared. For example, LiNbO 3 is used as the material of the first substrate 11. The base 11 is cut into a flat plate shape so as to be easily processed.
As shown in FIG. 8B, a metal film (Cr, Ni, etc.) as a mask material 21 is patterned on the surface of the first base 11 on the region to be the waveguide width by photolithography.
As shown in FIG. 8C, the ridge structure 15 is formed by dry etching, for example. The processing method is not limited to dry etching, but may be direct machining, ion milling, laser ablation, wet etching, or the like.
After the ridge structure 15 is formed, the mask material 21 is removed.

なお、擬似位相整合素子とするために、周期分極反転構造を形成する場合には、図8(c)の後で、リッジ型構造15部分に周期反転分極構造を形成する処理を施す。
周期分極反転構造は、リッジ型構造15部分の表面に電極パターニングを行い、電圧を印加して周期分極反転層を形成する。
In order to form a quasi phase matching element, when a periodically poled structure is formed, a process for forming a periodically reversed polarization structure is applied to the ridge structure 15 after FIG. 8C.
In the periodically poled structure, electrode patterning is performed on the surface of the ridge structure 15 portion, and a voltage is applied to form a periodically poled layer.

続いて、第一基体11のリッジ型構造形成面を、UV硬化樹脂などの溶融樹脂層(第二基体12の原料)に接触する(s202)。
続いて、溶融樹脂層を固化して、リッジ型構造形成面に第二基体を固着する(s203)。
すなわち、図8(d)に示すように、第一基体11のリッジ型構造形成面16を第二基体31に向け、第二基体31を、直接、固着する。
Subsequently, the surface of the first substrate 11 on which the ridge structure is formed is brought into contact with a molten resin layer (raw material of the second substrate 12) such as a UV curable resin (s202).
Subsequently, the molten resin layer is solidified, and the second substrate is fixed to the ridge-type structure forming surface (s203).
That is, as shown in FIG. 8D, the ridge-type structure forming surface 16 of the first base 11 is directed to the second base 31, and the second base 31 is directly fixed.

続いて、第一基体11に薄片化処理を施す(s204)。
図8(e)に示すように、基体11のリッジ型構造形成面16とは反対側の裏面に、粗研削加工処理、精密ラップ加工処理、研磨処理をこの順で施し、第一基体11を2〜5μmに薄片化する。このときの薄片化処理面17は、平坦面を薄片化しただけの簡単な加工であるので、ストレスなどの影響が小さく、精度よい加工が行える。
Subsequently, a thinning process is performed on the first substrate 11 (s204).
As shown in FIG. 8E, a rough grinding process, a precision lapping process, and a polishing process are performed in this order on the back surface of the substrate 11 opposite to the ridge structure forming surface 16, and the first substrate 11 is formed. Flakes to 2-5 μm. Since the thinning process surface 17 at this time is a simple process in which the flat surface is simply thinned, the influence of stress and the like is small, and a precise process can be performed.

続いて、図9に示した構造にする場合は、屈折率調整層14を形成する(s205)。
図9に示すように、屈折率調整層14を形成する場合は、薄片化処理面17の上を覆うように、第二基体31を形成するときに用いた溶融樹脂を用いて、屈折率調整層14を形成する。屈折率調整層14を、リッジ型構造15の裏側部分だけでなく、薄片化処理面17の全面を覆うようにすることで、薄片化処理面17の保護層として働かせることもできる。
Subsequently, when the structure shown in FIG. 9 is used, the refractive index adjustment layer 14 is formed (s205).
As shown in FIG. 9, when the refractive index adjustment layer 14 is formed, the refractive index is adjusted by using the molten resin used when forming the second base 31 so as to cover the thinned surface 17. Layer 14 is formed. The refractive index adjusting layer 14 can also serve as a protective layer for the thinning treatment surface 17 by covering not only the back side portion of the ridge structure 15 but also the entire thinning treatment surface 17.

以上の工程により作製された光導波路デバイス30は、図9に示すように、リッジ型構造15の上下、左右面ともに、同一材料(第二基体31、屈折率調整層14)で覆われており、しかもリッジ型構造15の部分よりも屈折率が小さい材料が用いられているので、十分に光が閉じ込められている。また、リッジ型構造15部分が精度よく加工され、屈折率の対称性もよい光導波路となっている。   As shown in FIG. 9, the optical waveguide device 30 manufactured by the above steps is covered with the same material (second base 31 and refractive index adjusting layer 14) on both the upper and lower surfaces and the left and right surfaces of the ridge structure 15. In addition, since a material having a refractive index smaller than that of the ridge structure 15 is used, light is sufficiently confined. In addition, the ridge-type structure 15 portion is processed with high accuracy and becomes an optical waveguide with good refractive index symmetry.

なお、s205の工程まで実行して屈折率調整層14を形成することが、より好ましいのであるが、上述したように屈折率調整層14を省略し、図6に示すような屈折率調整層を形成しない構造にしても、光導波モード形状に対する要求仕様を厳しくしない限り、十分に利用することができる。   It is more preferable to execute the process up to step s205 to form the refractive index adjustment layer 14. However, as described above, the refractive index adjustment layer 14 is omitted and a refractive index adjustment layer as shown in FIG. Even if the structure is not formed, it can be fully utilized unless the required specification for the optical waveguide mode shape is strict.

また、図10は、図8(c)の後で、リッジ型構造15部分に周期反転分極構造を形成する処理を施したときの光導波路デバイスを示す図である。交互に分極極性が変化する周期分極反転構造が、リッジ型構造15部分の表面に形成されており、擬似位相整合素子として機能する。   FIG. 10 is a diagram showing the optical waveguide device when a process for forming a periodically inverted polarization structure is performed on the ridge structure 15 after FIG. 8C. A periodically poled structure in which the polarization polarity changes alternately is formed on the surface of the ridge-type structure 15 and functions as a quasi-phase matching element.

(実施例3)
図11は、本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの構成図である。図において、図1、図4、図6、図9と同じものについては同符号を付し、説明を一部省略する。この光導波路デバイス40は、第一基体11、第二基体31、リッジ側屈折率調整層41、裏側屈折率調整層42により構成される。
(Example 3)
FIG. 11 is a configuration diagram of an optical waveguide device according to another embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIGS. 1, 4, 6, and 9 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is partially omitted. The optical waveguide device 40 includes a first base 11, a second base 31, a ridge side refractive index adjustment layer 41, and a back side refractive index adjustment layer 42.

第一基体11は、光導波路層となるリッジ型構造15が形成される領域であり、図1と同様の強誘電体材料が用いられる。第一基体11は、リッジ型構造15が形成されたリッジ型構造形成面16と、反対側面である薄片化処理面17とを有している。後述するデバイス製造工程の説明(図12、図13)において詳述するが、第一基体11の薄片化処理前の厚みのある状態で、先に、リッジ型構造形成面16が加工してある。   The first substrate 11 is a region where a ridge structure 15 serving as an optical waveguide layer is formed, and a ferroelectric material similar to that shown in FIG. 1 is used. The first substrate 11 has a ridge type structure forming surface 16 on which a ridge type structure 15 is formed, and a thinning treatment surface 17 which is the opposite side surface. As will be described in detail later in the description of the device manufacturing process (FIGS. 12 and 13), the ridge-type structure forming surface 16 is first processed in a state in which the first substrate 11 is thick before the thinning process. .

第一基体11のリッジ型構造形成面16には、第一基体11よりも屈折率が小さい材料からなるリッジ側屈折率調整層41が形成されている。リッジ側屈折率調整層41には、例えばSiO膜(屈折率1.5)、SiON膜などが用いられる。これらの膜は、スパッタリングや蒸着などの膜形成法を用いて形成することができる。 A ridge-side refractive index adjustment layer 41 made of a material having a refractive index smaller than that of the first substrate 11 is formed on the ridge structure forming surface 16 of the first substrate 11. For the ridge side refractive index adjustment layer 41, for example, a SiO 2 film (refractive index 1.5), a SiON film, or the like is used. These films can be formed using a film forming method such as sputtering or vapor deposition.

そして、リッジ側屈折率調整層41に接するようにして、支持部材としての第二気体31が固着される。この第二基体31は、第一基体11を支持することが可能な堅牢性を有し、かつ、リッジ側屈折率調整層41に接着できる材料が用いられる。ただし、リッジ側屈折率調整層41を設けているので、屈折率についての制限はない。この場合も、具体的には、図6の場合と同様に、UV硬化樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂など(接着剤の主成分材料であり屈折率が1.3〜1.7))を、第二基体31として使用することができる。   And the 2nd gas 31 as a support member adheres so that the ridge side refractive index adjustment layer 41 may be contact | connected. The second base 31 is made of a material that can support the first base 11 and can adhere to the ridge-side refractive index adjustment layer 41. However, since the ridge side refractive index adjustment layer 41 is provided, there is no restriction on the refractive index. Also in this case, specifically, as in the case of FIG. 6, a UV curable resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like (a main component material of the adhesive and a refractive index of 1.3 to 1.7) is used. It can be used as the second substrate 31.

さらに、第一基体11の上側に、裏側屈折率調整層42を形成して、図14に示すような構造にしてもよい。裏側屈折率調整層42には、リッジ側屈折率調整層41と同じ材料か、屈折率が近似する材料を用いるのが好ましい。これにより、光導波モード形状の対称性を改善することができる。   Furthermore, a back side refractive index adjustment layer 42 may be formed on the upper side of the first substrate 11 to have a structure as shown in FIG. For the back side refractive index adjusting layer 42, it is preferable to use the same material as the ridge side refractive index adjusting layer 41 or a material having an approximate refractive index. Thereby, the symmetry of the optical waveguide mode shape can be improved.

次に、図11、図14に示した光導波路デバイス40の製造方法について説明する。図12は、光導波路デバイス40の製造工程を説明するフロー図である。図13は製造工程中のデバイス断面の模式図である。
まず、第一基体11に、リッジ型構造形成面を加工する(s301)。
図13(a)に示すように、第一基体11を準備する。例えば、第一基体11の材料としてLiNbOを用いる。基体11は、加工しやすいように平板形状に切り出してある。
図13(b)に示すように、第一基体11の面上で導波路幅とする領域の上に、フォトリソグラフィーにより、マスク材21としての金属膜(Cr、Niなど)をパターニングする。
図13(c)に示すように、例えばドライエッチングにより、リッジ型構造15を形成する。加工手法は、ドライエッチングに限らず、直接機械加工、イオンミリング、レーザアブレーション、ウェットエッチングなどでもよい。
リッジ型構造15が形成されたら、マスク材21を除去する。
Next, a method for manufacturing the optical waveguide device 40 shown in FIGS. 11 and 14 will be described. FIG. 12 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the optical waveguide device 40. FIG. 13 is a schematic view of a device cross section during the manufacturing process.
First, a ridge type structure forming surface is processed on the first substrate 11 (s301).
As shown to Fig.13 (a), the 1st base | substrate 11 is prepared. For example, LiNbO 3 is used as the material of the first substrate 11. The base 11 is cut into a flat plate shape so as to be easily processed.
As shown in FIG. 13B, a metal film (Cr, Ni, etc.) as a mask material 21 is patterned by photolithography on the region having the waveguide width on the surface of the first substrate 11.
As shown in FIG. 13C, the ridge structure 15 is formed by dry etching, for example. The processing method is not limited to dry etching, but may be direct machining, ion milling, laser ablation, wet etching, or the like.
After the ridge structure 15 is formed, the mask material 21 is removed.

なお、擬似位相整合素子とするために、周期分極反転構造を形成する場合には、図13(c)の後で、リッジ型構造15部分に、周期反転分極構造を形成する処理を施す。
周期分極反転構造は、リッジ型構造15部分の表面に電極パターニングを行い、電圧を印加して周期分極反転層を形成する。
In the case of forming a periodically poled structure in order to obtain a quasi-phase matching element, a process for forming a periodically reversed polarization structure is performed on the ridge structure 15 after FIG. 13C.
In the periodically poled structure, electrode patterning is performed on the surface of the ridge structure 15 portion, and a voltage is applied to form a periodically poled layer.

続いて、リッジ型構造形成面16に、リッジ側屈折率調整層を形成する(S302)。
図13(d)に示すように、スパッタリング(その他の膜形成法でもよい)により、リッジ型構造形成面16に、リッジ側屈折率調整層41としてSiO膜を形成する。
Subsequently, a ridge side refractive index adjustment layer is formed on the ridge structure forming surface 16 (S302).
As shown in FIG. 13D, a SiO 2 film is formed as the ridge-side refractive index adjustment layer 41 on the ridge-type structure forming surface 16 by sputtering (other film forming methods may be used).

続いて、リッジ側屈折率調整層41が積層されたリッジ型構造形成面16を、UV硬化樹脂などの溶融樹脂層(第二基体31の原料)に接触する(s303)。
続いて、溶融樹脂層を固化して、リッジ型構造形成面に第二基体を固着する(s304)。
すなわち、図13(e)に示すように、第一基体11のリッジ型構造形成面16を第二基体31に向け、リッジ側屈折率調整層41に、第二基体31を固着する。
Subsequently, the ridge-type structure forming surface 16 on which the ridge-side refractive index adjustment layer 41 is laminated is brought into contact with a molten resin layer (raw material of the second base 31) such as a UV curable resin (s303).
Subsequently, the molten resin layer is solidified, and the second substrate is fixed to the ridge type structure forming surface (s304).
That is, as shown in FIG. 13E, the second substrate 31 is fixed to the ridge side refractive index adjustment layer 41 with the ridge structure forming surface 16 of the first substrate 11 facing the second substrate 31.

続いて、第一基体11に薄片化処理を施す(s305)。
図13(f)に示すように、基体11のリッジ型構造形成面16とは反対側の裏面に、粗研削加工処理、精密ラップ加工処理、研磨処理をこの順で施し、第一基体11を2〜5μmに薄片化する。このときの薄片化処理面17は、平坦面を薄片化しただけの簡単な加工であるので、ストレスなどの影響が小さく、精度よい加工が行える。
Subsequently, a thinning process is performed on the first substrate 11 (s305).
As shown in FIG. 13 (f), a rough grinding process, a precision lapping process, and a polishing process are performed in this order on the back surface of the substrate 11 opposite to the ridge structure forming surface 16, and the first substrate 11 is formed. Flakes to 2-5 μm. Since the thinning process surface 17 at this time is a simple process in which the flat surface is simply thinned, the influence of stress and the like is small, and a precise process can be performed.

続いて、裏側屈折率調整層42を形成する(s306)。
裏側屈折率調整層42は、薄片化処理面17の上を覆うように、リッジ側屈折率調整層41と同材料、あるいは屈折率が近似する材料を用いて、裏側屈折率調整層42を形成する。
裏側屈折率調整層42を、リッジ型構造15の裏側部分だけでなく、薄片化処理面17の全面を覆うようにすることで、薄片化処理面17の保護層として働かせることもできる。
Subsequently, the back side refractive index adjustment layer 42 is formed (s306).
The back-side refractive index adjustment layer 42 is formed using the same material as the ridge-side refractive index adjustment layer 41 or a material having an approximate refractive index so as to cover the thinned surface 17. To do.
The back side refractive index adjusting layer 42 can be used as a protective layer for the thinning treatment surface 17 by covering not only the back side portion of the ridge structure 15 but also the entire thinning treatment surface 17.

以上の工程により作製された光導波路デバイス40は、図14に見られるように、リッジ型構造15の上下、左右面ともに、同一材料(リッジ側屈折率調整層41、裏側屈折率調整層42)で覆われており、しかもリッジ型構造15の部分よりも屈折率が小さい材料が用いられているので、十分に光が閉じ込められている。また、リッジ型構造15部分が精度よく加工され、屈折率の対称性のよい光導波路となっている。   As shown in FIG. 14, the optical waveguide device 40 manufactured by the above steps is made of the same material (ridge side refractive index adjustment layer 41, back side refractive index adjustment layer 42) on both the upper and lower sides and the left and right sides of the ridge structure 15. In addition, since a material having a refractive index smaller than that of the ridge structure 15 is used, light is sufficiently confined. In addition, the ridge-type structure 15 portion is processed with high accuracy to form an optical waveguide having a good refractive index symmetry.

なお、s306の工程まで実行して裏側屈折率調整層42を形成することが、より好ましいのであるが、上述したように裏側屈折率調整層42を省略し、図14に示したような裏側屈折率調整層を形成しない構造にしても、光導波モード形状に対する要求仕様を厳しくしない限り、十分に利用することができる。   It is more preferable to execute the process up to step s306 to form the back side refractive index adjustment layer 42, but as described above, the back side refractive index adjustment layer 42 is omitted and the back side refraction as shown in FIG. Even if the rate adjusting layer is not formed, the structure can be fully utilized unless the required specification for the optical waveguide mode shape is strict.

また、図8(c)の後で、リッジ型構造15部分に周期反転分極構造を形成する処理を施した場合については図示を省略するが、図5、図10に示した構造と同様、交互に分極極性が変化する周期分極反転構造が、リッジ型構造15部分の表面に形成されており、擬似位相整合素子として機能する。   Further, after the process shown in FIG. 8C, the case where the process of forming the periodically inverted polarization structure is performed on the ridge-type structure 15 is not shown, but as in the structures shown in FIGS. A periodically poled structure whose polarization polarity changes is formed on the surface of the ridge structure 15 and functions as a quasi-phase matching element.

また、上記説明では、第二基体31に溶融樹脂を固化させた材料を用いたが、リッジ側屈折率調整層41へ固着することができるのであれば、他の材料を用いてもよい。
例えば、リッジ側屈折率調整層41にSiO膜を使用する場合に、リッジ型構造形成面16のリッジ構造部分15に対応する溝が形成されたSiOガラス基板を用意し、これをリッジ側屈折率調整層41に接触させて接合することで、第二基体31としてもよい。
この場合の接合には、リッジ側屈折率調整層41であるSiO膜に、フッ酸を塗布して接合するフッ酸接合、あるいは、両側の接合面を、非常に滑らかに仕上げて密着させるオプティカルコンタクトなどの接合方法を用いることができる。
In the above description, a material obtained by solidifying a molten resin is used for the second base 31, but other materials may be used as long as they can be fixed to the ridge side refractive index adjustment layer 41.
For example, when an SiO 2 film is used for the ridge side refractive index adjustment layer 41, an SiO 2 glass substrate having a groove corresponding to the ridge structure portion 15 of the ridge structure forming surface 16 is prepared, and this is formed on the ridge side. It is good also as the 2nd base | substrate 31 by making it contact with the refractive index adjustment layer 41 and joining.
For bonding in this case, hydrofluoric acid bonding in which hydrofluoric acid is applied to the SiO 2 film as the ridge-side refractive index adjustment layer 41 or bonding is performed on the both surfaces of the optical fiber so that the bonding surfaces on both sides are finished very smoothly. A joining method such as contact can be used.

(実施例4)
図15は、本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの構成図である。図において、図1、図4、図6、図9、図11、図14と同じものについては同符号を付し、説明を一部省略する。この光導波路デバイス50は、第一基体11、第二基体12、接着層13、リッジ側屈折率調整層41、裏側屈折率調整層42により構成される。
(Example 4)
FIG. 15 is a configuration diagram of an optical waveguide device according to another embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIGS. 1, 4, 6, 9, 11, and 14 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is partially omitted. The optical waveguide device 50 includes a first substrate 11, a second substrate 12, an adhesive layer 13, a ridge side refractive index adjustment layer 41, and a back side refractive index adjustment layer 42.

第一基体11は、光導波路層となるリッジ型構造15が形成される領域であり、図1に示したものと同様の強誘電体材料が用いられる。第一基体11は、リッジ型構造15が形成されたリッジ型構造形成面16、および、反対側面である薄片化処理面17を有している。後述するデバイス製造工程の説明(図16、図17)において詳述するが、第一基体11の薄片化処理前の厚みのある状態で、先に、リッジ型構造形成面16が加工してある。   The first substrate 11 is a region where the ridge-type structure 15 serving as an optical waveguide layer is formed, and a ferroelectric material similar to that shown in FIG. 1 is used. The first substrate 11 has a ridge-type structure forming surface 16 on which a ridge-type structure 15 is formed, and a thinning treatment surface 17 that is the opposite side surface. As will be described in detail later in the description of the device manufacturing process (FIGS. 16 and 17), the ridge-type structure forming surface 16 is first processed in a state in which the first substrate 11 has a thickness before the thinning process. .

第一基体11のリッジ型構造形成面16には、第一基体11よりも屈折率が小さい材料からなるリッジ側屈折率調整層41が形成される。具体的には、SiO膜など、図11に示したものと同様の材料による層が、同様の膜形成法により形成される。 A ridge-side refractive index adjustment layer 41 made of a material having a refractive index smaller than that of the first substrate 11 is formed on the ridge structure forming surface 16 of the first substrate 11. Specifically, a layer made of the same material as that shown in FIG. 11 such as a SiO 2 film is formed by the same film forming method.

そして、リッジ側屈折率調整層41に接するようにして、支持部材としての第二基体12が、接着層13により固着される。この第二基体12には、第一基体11を支持することができるように堅牢性を有し、かつ、リッジ側屈折率調整層14に接着することができる材料が用いられる。ただし、リッジ側屈折率調整層41を設けているので、屈折率についての制限はない。具体的には、図1の場合と同様に、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板、半導体基板、あるいは図6の場合と同様に、UV硬化樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などを、第二基体12として使用することができる。   Then, the second substrate 12 as a support member is fixed by the adhesive layer 13 so as to be in contact with the ridge side refractive index adjustment layer 41. The second substrate 12 is made of a material that is strong enough to support the first substrate 11 and that can adhere to the ridge-side refractive index adjusting layer 14. However, since the ridge side refractive index adjustment layer 41 is provided, there is no restriction on the refractive index. Specifically, as in the case of FIG. 1, a glass substrate, a plastic substrate, a metal substrate, a semiconductor substrate, or a UV curable resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like is used as in the case of FIG. Can be used as

さらに、第一基体11の上側に、裏側屈折率調整層42を形成する。裏側屈折率調整層42には、リッジ側屈折率調整層41と同じ材料か、屈折率が近似する材料を用いるのが好ましい。これにより、光導波モード形状の対称性を改善することができる。
ただし、図11と図14との関係の場合と同様に、裏側の屈折率調整層42を省略した図18に示すような構造にしてもよい。
Further, the back side refractive index adjustment layer 42 is formed on the upper side of the first substrate 11. For the back side refractive index adjusting layer 42, it is preferable to use the same material as the ridge side refractive index adjusting layer 41 or a material having an approximate refractive index. Thereby, the symmetry of the optical waveguide mode shape can be improved.
However, as in the case of the relationship between FIG. 11 and FIG. 14, a structure as shown in FIG. 18 in which the refractive index adjustment layer 42 on the back side is omitted may be used.

次に、図15、図18に示した光導波路デバイス50の製造方法について説明する。図16は、光導波路デバイス50の製造工程を説明するフロー図である。図17は製造工程中のデバイス断面の模式図である。
まず、第一基体11に、リッジ型構造形成面を加工する(s401)。
図17(a)に示すように、第一基体11と第二基体12とを準備する。例えば、第一基体11の材料としてLiNbOを用いる。基体11は、加工しやすいように平板形状に切り出してある。基体12には、例えばガラス基板を用いる。
図17(b)に示すように、第一基体11の面上で導波路幅とする領域の上に、フォトリソグラフィーにより、マスク材21としての金属膜(Cr、Niなど)をパターニングする。
図17(c)に示すように、例えばドライエッチングにより、リッジ型構造15を形成する。加工手法は、ドライエッチングに限らず、直接機械加工、イオンミリング、レーザアブレーション、ウェットエッチングなどでもよい。
リッジ型構造15が形成されたら、マスク材21を除去する。
Next, a method for manufacturing the optical waveguide device 50 shown in FIGS. 15 and 18 will be described. FIG. 16 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the optical waveguide device 50. FIG. 17 is a schematic view of a device cross section during the manufacturing process.
First, a ridge type structure forming surface is processed on the first substrate 11 (s401).
As shown to Fig.17 (a), the 1st base | substrate 11 and the 2nd base | substrate 12 are prepared. For example, LiNbO 3 is used as the material of the first substrate 11. The base 11 is cut into a flat plate shape so as to be easily processed. For the base 12, for example, a glass substrate is used.
As shown in FIG. 17B, a metal film (Cr, Ni, etc.) as the mask material 21 is patterned by photolithography on the region having the waveguide width on the surface of the first substrate 11.
As shown in FIG. 17C, the ridge structure 15 is formed by dry etching, for example. The processing method is not limited to dry etching, but may be direct machining, ion milling, laser ablation, wet etching, or the like.
After the ridge structure 15 is formed, the mask material 21 is removed.

なお、擬似位相整合素子とするために、周期分極反転構造を形成する場合には、図17(c)の後で、リッジ型構造15部分に周期反転分極構造を形成する処理を施す。
周期分極反転構造は、リッジ型構造15部分の表面に電極パターニングを行い、電圧を印加して周期分極反転層を形成する。
In the case of forming a periodically poled structure in order to obtain a quasi-phase matching element, a process of forming the periodically poled structure in the ridge structure 15 is performed after FIG.
In the periodically poled structure, electrode patterning is performed on the surface of the ridge structure 15 portion, and a voltage is applied to form a periodically poled layer.

続いて、リッジ型構造形成面16に、リッジ側屈折率調整層41を形成する(S402)。
図17(d)に示すように、スパッタリング(その他の膜形成法でもよい)により、リッジ型構造形成面16に、リッジ側屈折率調整層41としてSiO膜を形成する。
Subsequently, the ridge side refractive index adjustment layer 41 is formed on the ridge structure forming surface 16 (S402).
As shown in FIG. 17D, an SiO 2 film is formed as the ridge-side refractive index adjustment layer 41 on the ridge-type structure forming surface 16 by sputtering (or other film forming methods may be used).

続いて、リッジ側屈折率調整層41に第二基体12を接着する(s403)。
図17(e)に示すように、第一基体11のリッジ型構造形成面16を、第二基体12に向けて接着層13により接着する。
Subsequently, the second substrate 12 is bonded to the ridge side refractive index adjustment layer 41 (s403).
As shown in FIG. 17 (e), the ridge-type structure forming surface 16 of the first substrate 11 is bonded to the second substrate 12 with the adhesive layer 13.

続いて、第一基体11に薄片化処理を施す(s404)。
図17(f)に示すように、基板11のリッジ型構造形成面16とは反対側の裏面に、粗研削加工処理、精密ラップ加工処理、研磨処理をこの順で施し、第一基体11を2〜5μmに薄片化する。このときの薄片化処理面17は、平坦面を薄片化しただけの簡単な加工であるので、ストレスなどの影響が小さく、精度よい加工が行える。
Subsequently, a thinning process is performed on the first substrate 11 (s404).
As shown in FIG. 17 (f), rough grinding processing, precision lapping processing, and polishing processing are performed in this order on the back surface of the substrate 11 opposite to the ridge structure forming surface 16, and the first substrate 11 is formed. Flakes to 2-5 μm. Since the thinning process surface 17 at this time is a simple process in which the flat surface is simply thinned, the influence of stress and the like is small, and a precise process can be performed.

続いて、裏側屈折率調整層42を形成する(s405)。
裏側屈折率調整層42を形成する場合は、薄片化処理面17の上を覆うように、リッジ側屈折率調整層41と同材料、あるいは屈折率が近似する材料を用いて、裏側屈折率調整層42を形成する。
裏側屈折率調整層42を、リッジ型構造15の裏側部分だけでなく、薄片化処理面17の全面を覆うようにすることで、薄片化処理面17の保護層として働かせることもできる。
Subsequently, the back side refractive index adjustment layer 42 is formed (s405).
When the back side refractive index adjustment layer 42 is formed, the back side refractive index adjustment is performed by using the same material as the ridge side refractive index adjustment layer 41 or a material having an approximate refractive index so as to cover the thinned surface 17. Layer 42 is formed.
The back side refractive index adjusting layer 42 can be used as a protective layer for the thinning treatment surface 17 by covering not only the back side portion of the ridge structure 15 but also the entire thinning treatment surface 17.

以上の工程により作製された光導波路デバイス50は、図15に見られるように、リッジ型構造15の上下、左右面ともに、同一材料(リッジ側屈折率調整層41、裏側屈折率調整層42)で覆われており、しかもリッジ型構造15の部分よりも屈折率が小さい材料が用いられているので、十分に光が閉じ込められている。また、リッジ型構造15部分が精度よく加工され、屈折率の対称性のよい光導波路となっている。さらに、第二基体12や接着剤については屈折率に関する制限がないので、接着剤13によりリッジ側屈折率調整層41に接着できる堅牢な材料であれば、いろいろな材料を第二基体として利用することができる。   As shown in FIG. 15, the optical waveguide device 50 manufactured by the above steps is made of the same material (ridge side refractive index adjustment layer 41, back side refractive index adjustment layer 42) on both the upper and lower sides and the left and right sides of the ridge structure 15. In addition, since a material having a refractive index smaller than that of the ridge structure 15 is used, light is sufficiently confined. In addition, the ridge-type structure 15 portion is processed with high accuracy to form an optical waveguide having a good refractive index symmetry. Furthermore, since there is no restriction | limiting regarding a refractive index about the 2nd base | substrate 12 or an adhesive agent, if it is a robust material which can be adhere | attached on the ridge side refractive index adjustment layer 41 with the adhesive agent 13, various materials will be utilized as a 2nd base | substrate. be able to.

なお、s405の工程まで実行して裏側屈折率調整層42を形成することが、より好ましいのであるが、上述したように裏側屈折率調整層42を省略し、図18に示したような裏側屈折率調整層を形成しない構造にしても、光導波モード形状に対する要求仕様を厳しくしない限り、十分に利用することができる。   It is more preferable to execute the process up to step s405 to form the back side refractive index adjusting layer 42, but as described above, the back side refractive index adjusting layer 42 is omitted and the back side refractive index as shown in FIG. Even if the rate adjusting layer is not formed, the structure can be fully utilized unless the required specification for the optical waveguide mode shape is strict.

また、図17(c)の後で、リッジ型構造15部分に周期反転分極構造を形成する処理を施した場合は、図5、図10に示した構造と同様、交互に分極極性が変化する周期分極反転構造が、リッジ型構造15部分の表面に形成されており、擬似位相整合素子として機能する。   In addition, when a process for forming a periodically inverted polarization structure is applied to the ridge-type structure 15 after FIG. 17C, the polarization polarity changes alternately as in the structures shown in FIGS. A periodic polarization reversal structure is formed on the surface of the ridge structure 15 and functions as a quasi phase matching element.

本発明は、光導波路、およびこれを用いた光導波路デバイスの作製に利用することができる。   The present invention can be used for manufacturing an optical waveguide and an optical waveguide device using the same.

本発明の一実施形態である光導波路デバイスの構成を示す図。The figure which shows the structure of the optical waveguide device which is one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態である光導波路デバイスの製造工程を説明するフロー図。The flowchart explaining the manufacturing process of the optical waveguide device which is one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態である光導波路の製造工程を説明する模式図。The schematic diagram explaining the manufacturing process of the optical waveguide which is one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態である光導波路デバイスの一部を変形した構成を示す図。The figure which shows the structure which deform | transformed a part of optical waveguide device which is one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態である周期分極反転構造を有する光導波路デバイスの構成を示す図。The figure which shows the structure of the optical waveguide device which has a periodic polarization inversion structure which is one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの構成を示す図。The figure which shows the structure of the optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの製造工程を説明するフロー図。The flowchart explaining the manufacturing process of the optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路の製造工程を説明する模式図。The schematic diagram explaining the manufacturing process of the optical waveguide which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの一部を変形した構成を示す図。The figure which shows the structure which deform | transformed a part of optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である周期分極反転構造を有する光導波路デバイスの構成を示す図。The figure which shows the structure of the optical waveguide device which has the periodic polarization inversion structure which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの構成を示す図。The figure which shows the structure of the optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの製造工程を説明するフロー図。The flowchart explaining the manufacturing process of the optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路の製造工程を説明する模式図。The schematic diagram explaining the manufacturing process of the optical waveguide which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの一部を変形した構成を示す図。The figure which shows the structure which deform | transformed a part of optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの構成を示す図。The figure which shows the structure of the optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの製造工程を説明するフロー図。The flowchart explaining the manufacturing process of the optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路の製造工程を説明する模式図。The schematic diagram explaining the manufacturing process of the optical waveguide which is other one Embodiment of this invention. 本発明の他の一実施形態である光導波路デバイスの一部を変形した構成を示す図。The figure which shows the structure which deform | transformed a part of optical waveguide device which is other one Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10、20、30、40 光導波路デバイス
11 第一基体
12 第二基体
13 接着層
14 屈折率調整層
15 リッジ型構造
16 リッジ型構造形成面
17 薄片化処理面
31 第二基体(樹脂)
41 リッジ側屈折率調整層
42 裏側屈折率調整層
10, 20, 30, 40 Optical waveguide device 11 First substrate 12 Second substrate 13 Adhesive layer 14 Refractive index adjusting layer 15 Ridge type structure 16 Ridge type structure forming surface 17 Thinning treatment surface 31 Second substrate (resin)
41 Ridge side refractive index adjustment layer 42 Back side refractive index adjustment layer

Claims (7)

(a)強誘電体材料からなる第一基体に、リッジ型構造形成面を加工する工程、
(b)第一基体材料より屈折率の小さい材料が第一基体のリッジ型構造形成面と接するようにして、第一基体のリッジ型構造形成面側に固着される第二基体を設ける工程、
(c)第一基体のリッジ型構造形成面とは反対側である裏面を薄片化処理して、薄片化処理面を形成する工程、とからなる光導波路デバイスの製造方法。
(A) a step of processing a ridge-type structure forming surface on a first substrate made of a ferroelectric material;
(B) a step of providing a second substrate fixed to the ridge type structure forming surface side of the first substrate so that a material having a refractive index smaller than that of the first substrate material is in contact with the ridge type structure forming surface of the first substrate;
(C) A method of manufacturing an optical waveguide device comprising: a step of thinning a back surface of the first substrate opposite to the ridge-type structure forming surface to form a thinning surface.
(b)工程で、第一基体のリッジ型構造形成面に対して、第一基体材料より屈折率の小さい接着剤からなる接着層を介して、第二基体が固着されることを特徴とする請求項1に記載の光導波路デバイスの製造方法。 In the step (b), the second substrate is fixed to the ridge-type structure forming surface of the first substrate via an adhesive layer made of an adhesive having a refractive index smaller than that of the first substrate material. The manufacturing method of the optical waveguide device of Claim 1. (b)工程で、第一基体材料より屈折率の小さい第二基体材料を用いて、直接、第一基体のリッジ型構造形成面に第二基体が固着されることを特徴とする請求項1に記載の光導波路デバイスの製造方法。 The step (b) is characterized in that the second substrate is fixed directly to the ridge-type structure forming surface of the first substrate using a second substrate material having a refractive index lower than that of the first substrate material. The manufacturing method of the optical waveguide device as described in any one of Claims 1-3. (b)工程で、第一基体のリッジ型構造形成面に対して、第一基体材料より屈折率の小さいリッジ側屈折率調整層を形成し、さらに、リッジ側屈折率調整層に対し、直接あるいは接着層を介して第二基体が固着されることを特徴とする請求項1に記載の光導波路デバイスの製造方法。 In the step (b), a ridge-side refractive index adjusting layer having a refractive index smaller than that of the first substrate material is formed on the ridge-type structure forming surface of the first substrate, and further directly on the ridge-side refractive index adjusting layer. The method for manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein the second substrate is fixed through an adhesive layer. (c)工程の後に、(c1)薄片化処理面上で少なくともリッジ型構造の裏側部分を覆うようにして、第一基体材料よりも屈折率の小さい裏側屈折率調整層を形成する工程を行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光導波路デバイスの製造方法。 (C) After the step, (c1) a step of forming a back side refractive index adjusting layer having a refractive index smaller than that of the first base material so as to cover at least the back side portion of the ridge structure on the flaky surface. The method for manufacturing an optical waveguide device according to any one of claims 1 to 4. (a)工程の後に、(a1)リッジ型構造部分に周期分極反転構造を形成する工程を含めることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光導波路デバイスの製造方法。 6. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, further comprising (a1) a step of forming a periodically poled structure in the ridge structure portion after the step (a). 請求項1〜6のいずれかに記載の光導波路デバイス製造方法により形成されてなることを特徴とする光導波路デバイス。
An optical waveguide device formed by the method for manufacturing an optical waveguide device according to claim 1.
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